WO2021047008A1 - Led基板及led显示面板的制作方法 - Google Patents

Led基板及led显示面板的制作方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2021047008A1
WO2021047008A1 PCT/CN2019/117054 CN2019117054W WO2021047008A1 WO 2021047008 A1 WO2021047008 A1 WO 2021047008A1 CN 2019117054 W CN2019117054 W CN 2019117054W WO 2021047008 A1 WO2021047008 A1 WO 2021047008A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
led
substrate
end surface
thin film
film transistor
Prior art date
Application number
PCT/CN2019/117054
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
陈书志
Original Assignee
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 filed Critical 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
Priority to US16/625,813 priority Critical patent/US11430770B2/en
Publication of WO2021047008A1 publication Critical patent/WO2021047008A1/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本申请提供一种LED基板及LED显示面板的制作方法，LED基板包括基底、胶体和LED芯片，胶体设置在基底上；多个LED芯片包括第一端面和第二端面，第一端面和第二端面相背设置，第一端面用于与薄膜晶体管基板固定连接，第二端面为出光面；LED芯片的第二端面通过胶体固定设置在基底上。

Description

LED基板及LED显示面板的制作方法 技术领域
本申请涉及一种显示技术，特别涉及一种LED基板及LED显示面板的制作方法。
 背景技术
目前在微型发光二极管（micro Light-emitting Diode，micro-LED）显示面板的制作方法中，受限于设备精度和机台大小的影响，在制作方法中，首先，将LED摆放在暂时基板上；接着采用转移设备抓取暂时基板上的LED与薄膜晶体管基板对接组合形成小尺寸的显示面板，最后将小尺寸的显示面板进行拼接形成大尺寸的显示面板。
比如，需要完成一个80英分的显示面板，目前的作法就是使用10英分的薄膜晶体管基板和LED进行组合形成10英分的显示面板，再采用拼接的方式集成8*8=64块小型的显示面板来进行显示，但是无缝拼接技术难度高，在设计与工艺上会降低产品的良率。
 技术问题
本申请实施例提供一种LED基板及LED显示面板的制作方法，以解决现有的micro-LED显示面板的制作方法生产大型micro-LED显示面板的良率较低的技术问题。
 技术解决方案
本申请实施例提供一种LED基板，用于制作LED显示面板，其中，所述LED基板包括：
基底，所述基底为硬性基底；
胶体，设置在所述基底上；以及
多个LED芯片，包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
所述LED芯片的第二端面通过所述胶体固定设置在所述基底上。
在本申请的LED基板中，所述LED基板上设置有多个凹陷部，每个所述LED芯片通过所述胶体固定设置在所述凹陷部内。
在本申请的LED基板中，所述凹陷部由所述基底自面向所述LED芯片的一面向背向所述LED芯片的一面凹陷形成。
在本申请的LED基板中，所述LED基板包括一辅助层，所述辅助层设置在所述基底上，所述辅助层上开设有多个通孔并裸露出所述基底；
所述通孔和裸露的所述基底界定形成所述凹陷部。
在本申请的LED基板中，所述辅助层的材料为光阻材料。
本申请实施例还提供一种LED基板，用于制作LED显示面板，所述LED基板包括：
基底；
胶体，设置在所述基底上；以及
多个LED芯片，包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
其中，所述LED芯片的第二端面通过所述胶体固定设置在所述基底上。
在本申请的LED基板中，所述LED基板上设置有多个凹陷部，每个所述LED芯片通过所述胶体固定设置在所述凹陷部内。
在本申请的LED基板中，所述凹陷部由所述基底自面向所述LED芯片的一面向背向所述LED芯片的一面凹陷形成。
在本申请的LED基板中，所述LED基板包括一辅助层，所述辅助层设置在所述基底上，所述辅助层上开设有多个通孔并裸露出所述基底；所述通孔和裸露的所述基底界定形成所述凹陷部。
在本申请的LED基板中，所述辅助层的材料为光阻材料。
本申请还涉及一种LED显示面板的制作方法，其包括以下步骤：
制备LED基板；
制备至少一个薄膜晶体管基板；
在所述LED基板或所述薄膜晶体管基板上设置接合材料；
将至少一个所述薄膜晶体管基板对接组合到所述LED基板上。
在本申请的所述的LED显示面板的制作方法中，所述LED基板包括多个LED芯片，所述LED芯片包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与所述薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
所述制备LED基板，包括以下步骤：
提供一基底；
在所述基底上形成胶体；
将多个所述LED芯片固定的第二端面粘接在所述胶体上。
在本申请的所述的LED显示面板的制作方法中，所述LED基板包括多个LED芯片，所述LED芯片包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与所述薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
所述制备LED基板，包括以下步骤：
提供一基底；
对所述基底进行挖槽处理，形成多个凹陷部；
在所述凹陷部的底面形成胶体；
将多个所述LED芯片固定的第二端面粘接在所述胶体上，使所述LED芯片设置在所述凹陷部内。
在本申请的所述的LED显示面板的制作方法中，所述LED基板包括多个LED芯片，所述LED芯片包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与所述薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
所述制备LED基板，包括以下步骤：
提供一基底；
在所述基底上涂布一光阻胶层；
图案化所述光阻胶层形成辅助层，所述辅助层上开设有多个通孔并裸露出所述基底，所述通孔和裸露的所述基底界定形成凹陷部；
在所述凹陷部的底面形成胶体；
将多个所述LED芯片固定的第二端面粘接在所述胶体上，使所述LED芯片设置在所述凹陷部内。
在本申请的所述的LED显示面板的制作方法中，所述对接材料为异方性导电胶膜或焊锡；
其中，将多个所述薄膜晶体管基板对接组合到所述LED基板上的步骤为：
将多个所述薄膜晶体管基板的薄膜晶体管通过对接材料与对应的所述LED芯片的第一端面进行对接组合。
 有益效果
相较于现有技术的micro-LED显示面板的制作方法，本申请的LED显示面板的制作方法通过将先将LED芯片固定在基底上形成LED基板，随后将多个薄膜晶体管基板对应的与LED基板上的LED芯片进行对接组合，直接形成一大型的LED显示面板；解决了现有的micro-LED显示面板的制作方法生产大型micro-LED显示面板的良率较低的技术问题。
 附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请第一实施例的LED基板的结构示意图；
图2为本申请第二实施例的LED基板的结构示意图；
图3为本申请第三实施例的LED基板的结构示意图；
图4为本申请第一实施例的LED显示面板的制作方法的流程图；
图5为本申请第一实施例的LED显示面板的制作方法的步骤S4的对接示意图；
图6为本申请第一实施例的LED显示面板的制作方法的制备LED基板的步骤流程图；
图7为本申请第二实施例的LED显示面板的制作方法的制备LED基板的步骤流程图；
图8为本申请第二实施例的LED显示面板的制作方法的步骤S4的对接示意图；
图9为本申请第三实施例的LED显示面板的制作方法的制备LED基板的步骤流程图；
图10为本申请第三实施例的LED显示面板的制作方法的步骤S4的对接示意图。
 本发明的实施方式
请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本申请具体实施例，其不应被视为限制本申请未在此详述的其它具体实施例。
请参照图1，图1为本申请第一实施例的LED基板的结构示意图。
本第一实施例的LED基板101用于和多个薄膜晶体管基板对接组合制作形成LED显示面板。其中，在制备LED显示面板时，多个薄膜晶体管基板完成可以集成到单一的LED基板101上，而无需进行再次的拼接，简化的了工艺。
具体的，LED基板101包括基底11、胶体12和多个LED芯片13。
根据实际的需求情况，基底11可以硬性基底，比如玻璃基底；也可以是柔性基底，比如聚酰亚胺基底。在本第一实施例中，基底11为硬性基底，但并不限于此。
胶体12设置在基底11上。胶体12可以是热脱胶、热熔胶或紫外线（UV）固化胶中的一种，但并不限于此。
多个LED芯片13包括第一端面131和第二端面132。第一端面131和第二端面132相背设置。第一端面131用于与薄膜晶体管基板固定连接。第二端面132为出光面。其中，在本第一实施例中，LED芯片13为micro-LED芯片，但并不限于此。
LED芯片13的第二端面132通过胶体12固定设置在所述基底11上。
其中，胶体12平整的覆盖在基底11上，可以采用涂布的方式一次成型，简化的LED基板101的制程。
在制备LED基板101的过程中，需要将LED芯片13通过表面组装技术（Surface Mounting Technology，SMT）且按照设定的LED芯片图案，将LED芯片13设置在胶体12上。由于在进行SMT打件的过程中，有个别LED芯片13会出现位置偏差的可能，这是便需要进行及时的调整。为了解决这个技术问题，本第一实施例的胶体12可以采用热熔胶或UV固定胶，便于对LED芯片13的调整。
下面以热熔胶为例进行说明：热熔胶具有三个形态的特性，即初始状态、热熔状态、固化状态。三种形态的粘结力分布分别为 2%、10%和100%。在SMT打件的过程中，热熔胶处于初始状态，其粘接力最小，因此便于调整具有位置偏差的LED芯片13，且该状态的热熔胶也完全可以初步的固定住LED芯片13。而当进行对接固定后，再进行热熔，彻底将LED芯片13固定在基底11上。
另外，UV固定胶也包括两种形态，即粘接力较低的初始状态和粘接力较大的固化状态。固化状态需要进行紫外光的照射。当然，胶体12还可以是其他的胶水。
因此，可选的，胶体12为具有至少两种不同粘接力状态的胶体。
本第一实施例的LED基板的制作方法，请参照下述本申请第一实施例的显示面板的制作方法中制备LED基板的步骤的具体内容，于此不再赘述。
请参照图2，图2为本申请第二实施例的LED基板的结构示意图。本申请的第二实施例的LED基板201包括基底21、胶体22和多个LED芯片23。本第二实施例与第一实施例的不同之处在于：
LED基板201上设置有多个凹陷部24。每个LED芯片23通过胶体22固定设置在凹陷部24内。
具体的，凹陷部24由基底21自面向LED芯片23的一面向背向LED芯片23的一面凹陷形成。
其中，LED芯片23的第一端面231高于基底21的顶面，LED芯片23的第二端面232低于基底21的顶面。将LED芯片23设置在凹陷部24内的设置，使LED基板201的整体高度下降，且起到保护LED芯片23的作用。另外，凹陷部24降低了LED基板201与薄膜晶体管基板之间的间隙高度，有利于LED显示面板的薄化。
本第二实施例的LED基板的制作方法，请参照下述本申请第二实施例的显示面板的制作方法中制备LED基板的步骤的具体内容，于此不再赘述。
请参照图3，图3为本申请第三实施例的LED基板的结构示意图。本申请的第三实施例的LED基板301包括基底31、胶体32和多个LED芯片33。LED基板301还上设置有多个凹陷部34。每个LED芯片33通过胶体32固定设置在凹陷部34内。本第三实施例与第二实施例的不同之处在于：
LED基板301包括一辅助层35。辅助层35设置在基底31上。辅助层35上开设有多个通孔351并裸露出基底31。通孔351和裸露的基底311界定形成凹陷部34。其中，将LED芯片33设置在凹陷部34内的作用，请参照第二实施例中对应的阐述。
由于LED芯片33的第二端面332为出光面，因此LED芯片33的出光侧的四周均间隔着辅助层35。辅助层35起到改善相邻之间的LED芯片33发出的侧向光相互干扰的问题。
辅助层35的材料为光阻材料。光阻材料可以是聚苯乙烯系塑料、PFA（Perfluoroalkoxy）塑料或者黑色树脂系材料中的一种，但并不限于此。在本第三实施例中，辅助层35的材料为黑色树脂系的光刻胶，以便辅助层35可以吸收LED芯片33的侧面光。
在一些其他的实施例中，辅助层35的材料也可以是在光刻胶中掺杂一些吸光颗粒，使得辅助层35具有吸收LED芯片33侧向光的效果。也由于在光刻胶中掺杂了吸光颗粒，使得通孔351的孔壁呈粗糙状，因此当胶体12进行最终的固化时，增加了胶体12和辅助层35的稳定性，进而提高了整体的稳定性。
本第三实施例的LED基板的制作方法，请参照下述本申请第三实施例的显示面板的制作方法中制备LED基板的步骤的具体内容，于此不再赘述。
请参照图4至图6，图4为本申请第一实施例的LED显示面板的制作方法的流程图；图5为本申请第一实施例的LED显示面板的制作方法的步骤S4的对接示意图；图6为本申请第一实施例的LED显示面板的制作方法的制备LED基板的步骤流程图。本申请还涉及一种LED显示面板的制作方法，其包括以下步骤：
步骤S1：制备LED基板；
步骤S2：制备至少一个薄膜晶体管基板；
步骤S3：在所述LED基板或所述薄膜晶体管基板上设置接合材料；
步骤S4：将至少一个所述薄膜晶体管基板对接组合到所述LED基板上。
本第一实施例的LED显示面板的制作方法中，步骤S1和S2没有先后之分，具体步骤如下：
步骤S1：制备LED基板101。
其中，LED基板包括多个LED芯片13，LED芯片13包括第一端面131和第二端面132。第一端面131和第二端面132相背设置。第一端面131用于与薄膜晶体管基板102固定连接。第二端面12为出光面。
具体的，所述制备LED基板101，包括以下步骤：
步骤S10a：提供一基底11；
步骤S10b：在所述基底11上形成胶体12；
步骤S10c：将多个所述LED芯片13固定的第二端面132粘接在所述胶体12上。
在步骤S10a中，根据实际的需求情况，基底11可以硬性基底，比如玻璃基底；也可以是柔性基底，比如聚酰亚胺基底。在本第一实施例中，基底11为硬性基底，但并不限于此。随后转入步骤S12。
在步骤S10b中，胶体12可以是热脱胶、热熔胶或紫外（UV）固化胶中的一种，但并不限于此。随后转入步骤S13。
在步骤S10c中，LED芯片13为micro-LED芯片，但并不限于此。将LED芯片13通过表面组装技术（Surface Mounting Technology，SMT）且按照设定的LED芯片图案，将LED芯片13设置在胶体12上。由于在进行SMT打件的过程中，有个别LED芯片13会出现位置偏差的可能，这是便需要进行及时的调整。为了解决这个技术问题，本第一实施例的胶体12可以采用热熔胶或UV固定胶，便于对LED芯片13的调整。
下面以热熔胶为例进行说明：热熔胶具有三个形态的特性，即初始状态、热熔状态、固化状态。三种形态的粘结力分布分别为 2%、10%和100%。在SMT打件的过程中，热熔胶处于初始状态，其粘接力最小，因此便于调整具有位置偏差的LED芯片13，且该状态的热熔胶也完全可以初步的固定住LED芯片13。而当进行对接固定后，再进行热熔，彻底将LED芯片13固定在基底11上。
另外，UV固定胶也包括两种形态，即粘接力较低的初始状态和粘接力较大的固化状态。固化状态需要进行紫外光的照射。当然，胶体12还可以是其他的胶水。
因此，可选的，胶体12为具有至少两种不同粘接力状态的胶体。
随后转入步骤S2。
步骤S2：制备至少一个薄膜晶体管基板102。薄膜晶体管基板102包括基底和薄膜晶体管。随后转入步骤S3。
步骤S3：在所述LED基板101或所述薄膜晶体管基板102上设置接合材料。其中，接合材料可以是异方性导电膜或焊锡凸点，用于将LED芯片13的第一端面131和薄膜晶体管基板102电性且固定连接。
接合材料可以设置在LED基板101，也可以设置在薄膜晶体管基板102上，在本实施例中，接合材料设置在LED基板101上。随后转入步骤S4。
步骤S4：将多个所述薄膜晶体管基板102对接组合到所述LED基板101上。请参照图5。在本步骤中，采用对组设备将多个薄膜晶体管基板102的薄膜晶体管通过对接材料与对应的所述LED芯片13的第一端面131进行对接组合。
其中，需要说明的是，当胶体12为热脱胶时，在对接组合处理后，还需对基底11和热脱胶进行剥离处理，使得LED显示面板只有薄膜晶体管基板102和LED芯片13。
这样便完成了本申请第一实施例的LED显示面板的制作过程。
请参照图7和图8，图7为本申请第二实施例的LED显示面板的制作方法的制备LED基板的步骤流程图；图8为本申请第二实施例的LED显示面板的制作方法的步骤S4的对接示意图。在本申请的第二实施例的LED显示面板的制作方法中，本第二实施例的制作方法与第一实施例的制作方法的不同之处在于，步骤S1：制备LED基板201。
在本第二实施例的LED基板的制作方法中，LED基板包括多个LED芯片23。所述LED芯片23包括第一端面231和第二端面232。第一端面231和第二端面232相背设置。第一端面231用于与薄膜晶体管基板202固定连接。第二端面232为出光面。
所述制备LED基板201，包括以下步骤：
S20a：提供一基底21；
S20b：对所述基底21进行挖槽处理，形成多个凹陷部24；
S20c：在所述凹陷部24的底面形成胶体22；
S20d：将多个所述LED芯片23固定的第二端面232粘接在所述胶体22上，使所述LED芯片23设置在所述凹陷部24内。
在步骤S20b中，对基底21进行挖槽处理，可以采用干法刻蚀，也可以采用湿法刻蚀。其中，LED芯片23的第一端面231高于基底21的顶面，LED芯片23的第二端面232低于基底21的顶面。将LED芯片23设置在凹陷部24内的设置，使LED基板201的整体高度下降，且起到保护LED芯片23的作用；另外，在将LED基板201与薄膜晶体管基板进行对接组合后（步骤S4），降低了二者之间基底的间隙高度，有利于LED显示面板的薄化。为了更好的体现这个结构效果，请参考图8。
在步骤S20c中，将胶体22形成在凹陷部24的底面，可以采用涂布的方式，也可以采用喷墨打印的方式。而胶体22仅形成在凹陷部24的底面，节省了胶体22的材料。
本第二实施例的LED显示面板的制作方法的其他步骤与第一实施例的制作方法的步骤相似或相同。具体请参照第一实施例的制作方法的内容。
请参照图9和图10，图9为本申请第三实施例的LED显示面板的制作方法的制备LED基板的步骤流程图；图8为本申请第三实施例的LED显示面板的制作方法的步骤S4的对接示意图。在本申请的第三实施例的LED显示面板的制作方法中，本第三实施例的制作方法与第二实施例的制作方法的不同之处在于，步骤S1：制备LED基板301。
在本第三实施例的LED基板的制作方法中，所述LED基板包括多个LED芯片33。所述LED芯片33包括第一端面331和第二端面332。第一端面331和第二端面332相背设置。第一端面331用于与薄膜晶体管基板302固定连接。第二端面332为出光面。
所述制备LED基板301，包括以下步骤：
S30a：提供一基底31；
S30b：在所述基底31上涂布一光阻胶层；
S30c：图案化所述光阻胶层形成辅助层35，所述辅助层35上开设有多个通孔351并裸露出所述基底31，所述通孔351和裸露的所述基底311界定形成凹陷部34；
S30d：在所述凹陷部34的底面形成胶体32；
S30e：将多个所述LED芯片33固定的第二端面332粘接在所述胶体32上，使所述LED芯片33设置在所述凹陷部34内。
具体的，一方面，将LED芯片33设置在凹陷部34内，起到保护LED芯片33和薄化LED显示面板的作用，具体参照图10。
另一方面，由于LED芯片33的第二端面332为出光面，因此LED芯片33的出光侧的四周均间隔着辅助层35。辅助层35起到改善相邻之间的LED芯片33发出的侧向光相互干扰的问题。
辅助层35的材料为光阻材料。光阻材料可以是聚苯乙烯系塑料、PFA塑料或者黑色树脂系材料中的一种，但并不限于此。在本第三实施例中，辅助层35的材料为黑色树脂系的光刻胶，以便辅助层35可以吸收LED芯片33的侧面光。
在一些其他的实施例中，辅助层35的材料也可以是在光刻胶中掺杂一些吸光颗粒，使得辅助层35具有吸收LED芯片33侧向光的效果。也由于在光刻胶中掺杂了吸光颗粒，使得通孔351的孔壁呈粗糙状，因此当胶体12进行最终的固化时，增加了胶体12和辅助层35的稳定性，进而提高了整体的稳定性。
本第三实施例的LED显示面板的制作方法的其他步骤与第一实施例的制作方法的步骤相似或相同。具体请参照第一实施例的制作方法的内容。
相较于现有技术的micro-LED显示面板的制作方法，本申请的LED显示面板的制作方法通过将先将LED芯片固定在基底上形成LED基板，随后将多个薄膜晶体管基板对应的与LED基板上的LED芯片进行对接组合，直接形成一大型的LED显示面板；解决了现有的micro-LED显示面板的制作方法生产大型micro-LED显示面板的良率较低的技术问题。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本申请的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本申请后附的权利要求的保护范围。

Claims (17)

  1. 一种LED基板，用于制作LED显示面板，其中，所述LED基板包括：
    基底，所述基底为硬性基底；
    胶体，设置在所述基底上；以及
    多个LED芯片，包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
    所述LED芯片的第二端面通过所述胶体固定设置在所述基底上。
  2. 根据权利要求1所述的LED基板，其中，所述LED基板上设置有多个凹陷部，每个所述LED芯片通过所述胶体固定设置在所述凹陷部内。
  3. 根据权利要求2所述的LED基板，其中，所述凹陷部由所述基底自面向所述LED芯片的一面向背向所述LED芯片的一面凹陷形成。
  4. 根据权利要求2所述的LED基板，其中，所述LED基板包括一辅助层，所述辅助层设置在所述基底上，所述辅助层上开设有多个通孔并裸露出所述基底；
    所述通孔和裸露的所述基底界定形成所述凹陷部。
  5. 根据权利要求4所述的LED基板，其中，所述辅助层的材料为光阻材料。
  6. 一种LED基板，用于制作LED显示面板，其中，所述LED基板包括：
    基底；
    胶体，设置在所述基底上；以及
    多个LED芯片，包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
    所述LED芯片的第二端面通过所述胶体固定设置在所述基底上。
  7. 根据权利要求6所述的LED基板，其中，所述LED基板上设置有多个凹陷部，每个所述LED芯片通过所述胶体固定设置在所述凹陷部内。
  8. 根据权利要求7所述的LED基板，其中，所述凹陷部由所述基底自面向所述LED芯片的一面向背向所述LED芯片的一面凹陷形成。
  9. 根据权利要求7所述的LED基板，其中，所述LED基板包括一辅助层，所述辅助层设置在所述基底上，所述辅助层上开设有多个通孔并裸露出所述基底；
    所述通孔和裸露的所述基底界定形成所述凹陷部。
  10. 根据权利要求9所述的LED基板，其中，所述辅助层的材料为光阻材料。
  11. 一种LED显示面板的制作方法，其中，包括以下步骤：
    制备LED基板；
    制备至少一个薄膜晶体管基板；
    在所述LED基板或所述薄膜晶体管基板上设置接合材料；
    将至少一个所述薄膜晶体管基板对接组合到所述LED基板上。
  12. 根据权利要求11所述的LED显示面板的制作方法，其中，所述LED基板包括多个LED芯片，所述LED芯片包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与所述薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
    所述制备LED基板，包括以下步骤：
    提供一基底；
    在所述基底上形成胶体；
    将多个所述LED芯片固定的第二端面粘接在所述胶体上。
  13. 根据权利要求11所述的LED显示面板的制作方法，其中，所述LED基板包括多个LED芯片，所述LED芯片包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与所述薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
    所述制备LED基板，包括以下步骤：
    提供一基底；
    对所述基底进行挖槽处理，形成多个凹陷部；
    在所述凹陷部的底面形成胶体；
    将多个所述LED芯片固定的第二端面粘接在所述胶体上，使所述LED芯片设置在所述凹陷部内。
  14. 根据权利要求11所述的LED显示面板的制作方法，其中，所述LED基板包括多个LED芯片，所述LED芯片包括第一端面和第二端面，所述第一端面和所述第二端面相背设置，所述第一端面用于与所述薄膜晶体管基板固定连接，所述第二端面为出光面；
    所述制备LED基板，包括以下步骤：
    提供一基底；
    在所述基底上涂布一光阻胶层；
    图案化所述光阻胶层形成辅助层，所述辅助层上开设有多个通孔并裸露出所述基底，所述通孔和裸露的所述基底界定形成凹陷部；
    在所述凹陷部的底面形成胶体；
    将多个所述LED芯片固定的第二端面粘接在所述胶体上，使所述LED芯片设置在所述凹陷部内。
  15. 根据权利要求12所述的LED显示面板的制作方法，其中，所述对接材料为异方性导电胶膜或焊锡；
    将多个所述薄膜晶体管基板对接组合到所述LED基板上的步骤为：
    将多个所述薄膜晶体管基板的薄膜晶体管通过对接材料与对应的所述LED芯片的第一端面进行对接组合。
  16. 根据权利要求13所述的LED显示面板的制作方法，其中，所述对接材料为异方性导电胶膜或焊锡；
    将多个所述薄膜晶体管基板对接组合到所述LED基板上的步骤为：
    将多个所述薄膜晶体管基板的薄膜晶体管通过对接材料与对应的所述LED芯片的第一端面进行对接组合。
  17. 根据权利要求14所述的LED显示面板的制作方法，其中，所述对接材料为异方性导电胶膜或焊锡；
    将多个所述薄膜晶体管基板对接组合到所述LED基板上的步骤为：
    将多个所述薄膜晶体管基板的薄膜晶体管通过对接材料与对应的所述LED芯片的第一端面进行对接组合。
PCT/CN2019/117054 2019-09-11 2019-11-11 Led基板及led显示面板的制作方法 WO2021047008A1 (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US16/625,813 US11430770B2 (en) 2019-09-11 2019-11-11 LED substrate and method for manufacturing LED display panel

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910856251.2 2019-09-11
CN201910856251.2A CN110707197A (zh) 2019-09-11 2019-09-11 Led基板及led显示面板的制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021047008A1 true WO2021047008A1 (zh) 2021-03-18

Family

ID=69195273

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/CN2019/117054 WO2021047008A1 (zh) 2019-09-11 2019-11-11 Led基板及led显示面板的制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11430770B2 (zh)
CN (1) CN110707197A (zh)
WO (1) WO2021047008A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113450681A (zh) * 2020-03-24 2021-09-28 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微发光二极管显示器生产检测方法及其显示器
CN111326082B (zh) * 2020-04-14 2021-08-03 Tcl华星光电技术有限公司 背板单元及其制造方法、显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2591701Y (zh) * 2002-12-20 2003-12-10 统宝光电股份有限公司 使用发光二极管作为光源的平面显示装置
CN201622411U (zh) * 2010-01-08 2010-11-03 歌尔声学股份有限公司 直下式背光面板
CN107026124A (zh) * 2014-11-27 2017-08-08 广州硅芯电子科技有限公司 制造微型led显示器的方法和微型led显示器
CN108039415A (zh) * 2017-11-02 2018-05-15 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的封装方法
CN208460789U (zh) * 2018-06-29 2019-02-01 佛山市国星光电股份有限公司 一种微间距显示模块
CN109753185A (zh) * 2019-01-11 2019-05-14 广东省半导体产业技术研究院 一种触摸显示装置的制造方法及触摸显示装置
US20190181951A1 (en) * 2017-12-12 2019-06-13 International Business Machines Corporation Hybrid integrated circuit (hic) with optically coupled data transfer interface
CN110049633A (zh) * 2019-04-19 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 绑定材料、Micro LED基板和绑定方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9640715B2 (en) 2015-05-15 2017-05-02 X-Celeprint Limited Printable inorganic semiconductor structures
US10133426B2 (en) * 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
JP2019015899A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 株式会社ブイ・テクノロジー 表示装置の製造方法、チップ部品の転写方法、および転写部材
US20190044023A1 (en) * 2017-08-01 2019-02-07 Innolux Corporation Methods for manufacturing semiconductor device
KR102498252B1 (ko) * 2017-09-26 2023-02-10 삼성전자주식회사 발광 칩들을 포함하는 디스플레이 및 그 제조 방법
TWI637481B (zh) * 2017-11-29 2018-10-01 財團法人工業技術研究院 半導體結構、發光裝置及其製造方法
CN207993392U (zh) * 2018-03-28 2018-10-19 东莞市银泰丰光学科技有限公司 一种直下式micro-LED玻璃扩散板
CN108493154B (zh) * 2018-04-28 2020-09-29 深圳市华星光电技术有限公司 Micro LED显示面板的制作方法及Micro LED显示面板
US10665573B2 (en) 2018-04-28 2020-05-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Manufacturing method of micro light-emitting diode display panel having elastic conductive layer filled between pixel electrode and micro light-emitting diode and micro light-emitting diode display panel manufactured with the same
TWI660524B (zh) * 2018-07-17 2019-05-21 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
CN109004078B (zh) * 2018-07-27 2020-08-25 上海天马微电子有限公司 微型led显示面板及其制作方法和显示装置
CN109449259B (zh) * 2018-10-31 2020-07-10 海信视像科技股份有限公司 微型发光二极管灯板、其制作方法、背光模组及显示装置
CN110034212A (zh) * 2019-04-26 2019-07-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 垂直结构条形Micro-LED的制备方法及转印方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2591701Y (zh) * 2002-12-20 2003-12-10 统宝光电股份有限公司 使用发光二极管作为光源的平面显示装置
CN201622411U (zh) * 2010-01-08 2010-11-03 歌尔声学股份有限公司 直下式背光面板
CN107026124A (zh) * 2014-11-27 2017-08-08 广州硅芯电子科技有限公司 制造微型led显示器的方法和微型led显示器
CN108039415A (zh) * 2017-11-02 2018-05-15 厦门市三安光电科技有限公司 微元件的封装方法
US20190181951A1 (en) * 2017-12-12 2019-06-13 International Business Machines Corporation Hybrid integrated circuit (hic) with optically coupled data transfer interface
CN208460789U (zh) * 2018-06-29 2019-02-01 佛山市国星光电股份有限公司 一种微间距显示模块
CN109753185A (zh) * 2019-01-11 2019-05-14 广东省半导体产业技术研究院 一种触摸显示装置的制造方法及触摸显示装置
CN110049633A (zh) * 2019-04-19 2019-07-23 京东方科技集团股份有限公司 绑定材料、Micro LED基板和绑定方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11430770B2 (en) 2022-08-30
CN110707197A (zh) 2020-01-17
US20210358892A1 (en) 2021-11-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019223024A1 (zh) Oled显示面板及其制造方法
WO2021047008A1 (zh) Led基板及led显示面板的制作方法
WO2019095434A1 (zh) 柔性显示屏的贴合方法及柔性显示屏贴合设备
TWI595282B (zh) Manufacturing method of lens array, film supporting substrate used for the manufacturing method and jig for film sticking
JPH09105896A (ja) 液晶表示素子製造用治具及びそれを用いた液晶表示素子の製造方法
WO2021027194A1 (zh) 一种柔性显示模组及柔性显示装置
WO2021031537A1 (zh) 一种柔性盖板、柔性显示装置及柔性盖板的制作方法
KR101978595B1 (ko) 가요성 디스플레이 모듈 접합 방법
CN107346070B (zh) 显示基板
KR102009492B1 (ko) 플렉서블 전자 소자 제작을 위한 전사 장비 및 이를 이용한 전사 방법
WO2017133033A1 (zh) 一种背光模组及其制造工艺
TW201322383A (zh) 觸控面板的製造方法
CN111081900A (zh) 硅基oled显示面板贴合方法
TW201641282A (zh) 疊層結構的脫層方法
CN112992722B (zh) 转接板、巨量转移方法及Micro-LED显示器
JP2019041066A (ja) 薄膜表示器及びフレキシブル回路板の積層方法及びその積層装置
JP2004025584A (ja) インクジェットヘッド及びその製造方法
JP2003209346A (ja) 部品の実装方法及び電子装置
WO2021134489A1 (zh) 一种巨量转移装置及其制造方法、以及显示设备
WO2017096628A1 (zh) 柔性显示模组的绑定方法
TW201237824A (en) Flexible substrate manufacturing method for flexible display
CN111258102B (zh) 一种液晶显示器的制作方法
US20240015891A1 (en) Method of producing circuits of substrate of display device
US20220384674A1 (en) Method of manufacturing electric device
US20240063353A1 (en) Manufacturing method of display panel and display panel

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19944849

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19944849

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1