WO2020184319A1 - スパッタリングターゲット材及びその製造方法 - Google Patents

スパッタリングターゲット材及びその製造方法 Download PDF

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WO2020184319A1
WO2020184319A1 PCT/JP2020/009049 JP2020009049W WO2020184319A1 WO 2020184319 A1 WO2020184319 A1 WO 2020184319A1 JP 2020009049 W JP2020009049 W JP 2020009049W WO 2020184319 A1 WO2020184319 A1 WO 2020184319A1
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aln
less
particles
sputtering
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Inventor
貴則 眞崎
和真 吉田
Original Assignee
三井金属鉱業株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a sputtering target material and a method for producing the same.
  • Al-based nitrogen-containing materials Thin films made of Al-based nitrogen-containing materials are widely used in various fields including the electronics field.
  • AlN aluminum nitride
  • the Al-based nitrogen-containing thin film is an optical thin film such as an antireflection film arranged between pixels of a display device using an electronic optical element, and further, a bulk elastic wave (BAW), a surface wave (SAW), etc. in a communication device or the like. It is being used for high frequency filters.
  • Patent Documents 1 and 2 As a method for forming a thin film of an Al-based nitrogen-containing material, for example, for an aluminum nitride thin film, a method of high-frequency sputtering of a sputtering target made of aluminum nitride in Ar gas can be mentioned (for example, Patent Documents 1 and 2).
  • Reactive sputtering in which a sputtering target made of aluminum is sputtered in a gas containing nitrogen, is also known as a method for forming a thin film of an Al-based nitrogen-containing material (Patent Document 3).
  • an object of the present invention lies in the improvement of a sputtering target material made of an Al-based nitrogen-containing material, and more specifically, DC sputtering is possible, which suppresses the film formation cost and the film formation time as compared with the conventional case. It is an object of the present invention to provide a sputtering target material made of an Al-based nitrogen-containing material, which can shorten the above.
  • the present inventor has found that a target material in which aluminum nitride as an insulator and aluminum as a conductor are mixed in a specific ratio can be formed at high speed by DC discharge. I found it.
  • the present invention has been made based on this finding, and provides a sputtering target material composed of AlN, 0.08 mol or more and 0.82 mol or less of Al, and unavoidable impurities with respect to 1 mol of the AlN. By doing so, the above-mentioned problems are solved.
  • AlN (aluminum nitride) particles and Al (aluminum) particles are mixed, and Al is 0.08 mol or more and 0.82 mol or more with respect to 1 mol of AlN.
  • a method for producing a sputtering target material which is mixed so as to have the following ratio and fired in an inert atmosphere other than a nitrogen atmosphere.
  • the present invention also provides a method for producing an AlN-containing film, which DC-sputters a target provided with the sputtering target material.
  • the sputtering target material of the present invention (hereinafter, also simply referred to as “target material”) is composed of AlN and Al.
  • the amount of Al when the amount of Al is 0.08 mol or more with respect to the amount of AlN of 1 mol, the resistance of the target material is reduced and DC sputtering becomes possible. Further, by setting the amount of Al to 0.82 mol or less with respect to the amount of AlN of 1 mol, various characteristics such as high thermal conductivity, high insulation property, low dielectric constant, and excellent mechanical strength derived from AlN are provided. At the same time, it is possible to prevent the molten Al from sticking to the mold during the production of the target material, making it difficult to remove the mold.
  • Al is more preferably 0.10 mol or more and 0.82 mol or less, and 0.27 mol or more and 0.82 mol or less, relative to 1 mol of AlN. More preferably, it is more preferably 0.27 mol or more and 0.70 mol or less, particularly preferably 0.27 mol or more and 0.65 mol or less, and 0.30 mol or more and 0.51 mol or less. Is most preferable.
  • the concentration of AlN and Al contained in the target material of the present invention is determined by measuring the amount of Al by an induction-coupled plasma emission spectroscopic analyzer and determining the nitrogen concentration by an oxygen / nitrogen analyzer (for example, PS3520UV-DD of Hitachi High-Tech Science). It can be measured by measuring by.
  • the total amount of N is considered to constitute AlN
  • the number of moles of N is defined as the number of moles of AlN
  • the value obtained by subtracting the number of moles of AlN from the number of moles of the measured amount of Al is defined as the number of moles of Al.
  • AlN is crystalline from the viewpoint of having high piezoelectricity, and further it is more preferable that both AlN and Al are crystalline from the viewpoint of having high piezoelectricity. ..
  • DC sputtering is possible in the target material of the present invention by using AlN and Al in the above ratio and the balance being composed of unavoidable impurities.
  • unavoidable impurities include impurities contained in AlN particles and Al particles as raw materials, impurities derived from the sintering mold at the time of production, and impurities mixed from the atmosphere at the time of sintering.
  • unavoidable impurities that are metal elements Mg (magnesium), Cr (chromium), Zn (zinc), Fe (iron), Cu (copper), Mn (manganese), Ni (nickel), Ti (titanium) ), Co (cobalt), Hf (hafnium), Zr (zinc) and the like.
  • unavoidable impurities that are metalloid elements include Si (silicon) and the like.
  • unavoidable impurities other than metals or metalloid elements include O (oxygen), C (carbon), and S (sulfur).
  • the amount of unavoidable impurities is determined by the impurities contained in the raw materials AlN particles and Al particles as described above, impurities derived from the sintering mold at the time of production, and the atmosphere at the time of sintering. It is an amount in the range that is unavoidably contained in the manufacturing process, regardless of the intended addition, such as impurities mixed from.
  • the total amount of each metal impurity element, each metalloid impurity element, oxygen, carbon and sulfur in the target material of the present invention is preferably 50,000 ppm or less, and more preferably 30,000 ppm or less on a mass basis.
  • the amount of impurities is not more than the above upper limit value not only to further ensure continuous DC sputtering but also to improve the piezoelectricity of AlN.
  • the lower limit of the amount of impurities is not particularly limited, but the total amount of each metal impurity element, each metalloid impurity element, oxygen, carbon and sulfur described above is the target of the present invention from the viewpoint of easy availability of raw materials and process control. In the material, 1000 ppm or more is preferable on a mass basis.
  • Mg, Cr, Zn, Fe, Cu, Mn, Ni, Ti, Co, Hf, Zr, and Si are preferably 20,000 ppm or less in the target material on a mass basis, and 10,000 ppm or less. Is more preferred.
  • the amounts of O, C, and S are preferably 15,000 ppm or less, more preferably 10,000 ppm or less, and particularly preferably 8,000 ppm or less in the target material in terms of mass.
  • a suitable production method of the target material of the present invention described later is adopted, and in the production method, AlN particles as raw materials and high purity described later as Al particles are used. Anything may be used.
  • Patent Document 2 aims to improve the film formation rate by sputtering with high power, and a sintering aid composed of a metal compound such as Ca or Y is added to precisely form an aluminum nitride sputtering target as a sintered body. It has become. Patent Document 1 also describes that it is preferable to use a similar sintering aid for producing an aluminum nitride sputtering target.
  • the target material of the present invention enables DC sputtering that facilitates high-speed film formation without containing such an additive that impairs the characteristics of AlN.
  • the elements of Ca (calcium) and Y (yttrium) are preferably 10000 ppm or less, and more preferably 5000 ppm or less, respectively, based on the mass of the entire target material.
  • the concentrations of Mg, Cr, Zn, Fe, Cu, Mn, Ni, Ti, Co, Ca, Y, Hf, Zr and Si contained in the target material of the present invention are measured by, for example, an inductively coupled plasma emission spectrophotometer. it can.
  • the concentration of oxygen contained in the target material of the present invention can be measured by, for example, an oxygen / nitrogen analyzer (ONH836 of LECO Japan). Further, “ppm” which is a unit of oxygen concentration is a mass standard of oxygen contained in the entire target material, and this also applies to "ppm” which is a unit of concentration of carbon and sulfur.
  • the concentration of carbon and sulfur contained in the target material of the present invention can be measured by, for example, a carbon / sulfur analyzer (EMIA 920V manufactured by HORIBA, Ltd.).
  • EMIA 920V manufactured by HORIBA, Ltd.
  • the target material of the present invention preferably does not contain elements other than AlN and Al and the above-mentioned unavoidable impurity elements. However, as long as the effects of the present invention are not impaired, it is not prevented that unintended unavoidable impurities other than the above-mentioned unavoidable impurity elements are contained in the target material.
  • the target material of the present invention preferably has a high relative density.
  • the relative density is a value obtained by dividing the measured density of the sputtering target material by the theoretical density (also referred to as the calculated density) and multiplying by 100.
  • the relative density of the target material of the present invention measured by the above method is preferably 85% or more, more preferably 90% or more, further preferably 93% or more, and 95% or more. Is particularly preferred.
  • the target material of the present invention has such a relative density, Al particles existing at the grain boundaries in the AlN are easily bonded to each other, conductive paths are formed densely, and the resistance is further lowered, which is more reliable. Continuous DC sputtering is possible. In addition, arcing is less likely to occur during sputtering. Further, the piezoelectricity is likely to be improved by reducing the voids.
  • AlN particles and Al particles having a preferable particle size described later are used in the preferable manufacturing method of the target material of the present invention described later, and the preferred firing temperature conditions described later are adopted in sintering. do it.
  • the target material of the present invention has a resistance of a certain level or less because continuous DC sputtering can be performed more reliably.
  • the target material preferably has a bulk resistivity of 1 ⁇ 10 -1 ⁇ cm or less, more preferably 5.0 ⁇ 10-2 ⁇ cm or less, and 1.0 ⁇ 10-2 ⁇ cm or less. Is particularly preferable.
  • the bulk resistivity of the target material can be measured by the method described in Examples described later. A lower bulk resistivity is preferable from the viewpoint of easy DC sputtering, but 1.0 ⁇ 10-8 ⁇ cm or more is preferable from the viewpoint of industrially efficient production.
  • AlN particles and Al particles having a preferable particle size and average aspect ratio described later are used in the preferable manufacturing method of the target material of the present invention described later, and also.
  • preferable firing temperature conditions described later may be adopted.
  • the target material of the present invention preferably has a surface roughness Ra value (JISB0601) of 3 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less, and particularly preferably 0.5 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the surface roughness Ra value is preferably 0.1 ⁇ m or more from the viewpoint of ease of manufacturing the target material.
  • the surface of the target material may be ground by a known surface grinder.
  • the surface grinder may be either a lathe type or a machining type.
  • the target material is produced by a sintering method using AlN particles and Al particles as raw materials. Compared with the melting method in which a metal is melted, the sintering method has an advantage that a large target can be easily manufactured because the composition and density unevenness of the obtained molded product are less likely to occur.
  • the area of the target material of the present invention is preferably 100 cm 2 or more from the viewpoint of obtaining a sputtering film having a uniform composition and density, and more preferably 200 cm 2 or more.
  • the area of the target material referred to here is the total surface area of the plate surface of the flat plate when the target material is flat, and is the area of the tubular outer surface of the target material when the target material is cylindrical.
  • the thickness of the target material is preferably 5 mm or more and 20 mm or less, and more preferably 5 mm or more and 10 mm or less, from the viewpoint of utilization efficiency of the target material and ease of manufacturing the target material.
  • the target material also includes a state before the target material finishing process such as surface grinding and bonding.
  • the shape of the target material is not limited to a flat plate, but also includes a cylindrical shape.
  • the sputtering target refers to one in which such a single or a plurality of target materials are bonded to a backing plate or the like and is integrally subjected to sputtering.
  • AlN particles and Al particles are mixed so that the ratio of Al is 0.08 mol or more and 0.82 mol or less with respect to 1 mol of AlN, and an inert atmosphere other than a nitrogen atmosphere or reduction is performed. Bake in the atmosphere.
  • a more preferable mixing ratio is 0.27 mol or more and 0.65 mol or less, and a more preferable mixing ratio is 0.27 mol or more and 0.51 mol or less.
  • AlN particles and Al particles having a purity of 99% by mass or more in terms of keeping the amount of unavoidable impurities within the above range in the obtained target material, and 99.9% by mass or more. It is particularly preferable to use the one that is. If the raw material powder contains a large amount of organic compounds, degreasing is performed to reduce contamination of the target material.
  • the AlN particles and impurities of the Al particles include Mg, Cr, Zn, Fe, Cu, Mn, Ni, Ti, Co, Si, Hf, and Zr.
  • the AlN particles are spherical or granular in that the shrinkage after firing is smooth and the target material can be easily densified as compared with particles long in a specific direction such as needle shape.
  • the average aspect ratio of the AlN particles is preferably 5 or less, more preferably 3 or less, and particularly preferably 2 or less.
  • the average aspect ratio of the AlN particles is 1 or more.
  • the Al particles are also preferably granular for the same reason as the AlN particles.
  • the Al particles preferably have an average aspect ratio of 5 or less, more preferably 3 or less, and particularly preferably 1 or more and 2 or less.
  • the average aspect ratio of Al particles is also 1 or more.
  • the aspect ratio measurement for example, magnified observation using a scanning electron microscope (SEM) is performed, and 100 particles are arbitrarily selected in the field of view.
  • the major and minor diameters of each selected particle are measured to calculate the aspect ratio of the individual particles.
  • the target particle is approximated to an ellipse that includes all its outer shape and at least two points of the outer shape line of the particle overlap, and the length of the long axis of the obtained ellipse is obtained. Measure and use this as the major axis and the direction orthogonal to the major axis as the minor axis to determine the major axis / minor axis ratio of one particle.
  • the average value of the major axis / minor axis values of the 100 particles obtained in the same manner is obtained, and is used as the average aspect ratio for the type of particles to be measured.
  • the average particle size of the AlN particles is preferably 30 ⁇ m or less because it is easy to form a conductive network of Al particles surrounding the AlN particles, more preferably 20 ⁇ m or less, and particularly preferably 10 ⁇ m or less. ..
  • the average particle size of the AlN particles is preferably 0.05 ⁇ m or more from the viewpoint of easily improving the molding density, and particularly preferably 0.1 ⁇ m or more.
  • the Al particles are preferably 20 ⁇ m or less, more preferably 10 ⁇ m or less, in a target material having an average particle diameter of 30 ⁇ m or less, because they can easily form a conductive network of Al particles surrounding the AlN particles. It is particularly preferable to have.
  • the average particle size of the Al particles is preferably 0.05 ⁇ m or more from the viewpoint of easily improving the molding density during the production of the target material, and particularly preferably 0.1 ⁇ m or more.
  • the average particle size of AlN particles and Al particles refers to the cumulative volume particle diameter D 50 in the cumulative volume 50% by volume by laser diffraction scattering particle size distribution measuring method.
  • AlN particles and Al particles are mixed with each other to form a mixed powder.
  • the ratio of each raw material powder in the mixed powder is adjusted so as to be the ratio of each element contained in the target material of interest.
  • a known mixing device such as a bead mill, a sand mill, an attritor (registered trademark), a medium stirring type mill such as a ball mill, or the like can be used.
  • the diameter of the medium is preferably 0.1 mm or more and 50 mm or less.
  • the material of the media is preferably, for example, zirconia or alumina.
  • Mixing of each raw material powder can be carried out in an air atmosphere.
  • the mixing time in the air is preferably 10 minutes or more and 1440 minutes or less, more preferably 30 minutes or more and 720 minutes or less, and further preferably 60 minutes or more and 180 minutes or less.
  • the firing of AlN particles and Al particles can also be referred to as sintering.
  • the mixed powder is filled into a sintered die having a molding recess having a predetermined shape.
  • the sintering die for example, one made of graphite can be used, but the material is not limited to this.
  • the mixed powder can be subjected to, for example, a hot press sintering method (hereinafter, abbreviated as "HP method”).
  • HP method hot press sintering method
  • SPS method discharge plasma sintering method
  • the mixed powder may be sintered at normal pressure after being molded by a die pressing method, a rubber press (hydrostatic pressure pressing) method, a sheet molding method, an extrusion molding method, a casting molding method, or the like.
  • the firing atmosphere shall be an inert atmosphere that does not contain a nitrogen atmosphere. Nitriding of Al can be prevented by not using a nitrogen atmosphere. Further, by not using an oxidizing atmosphere, oxidation of AlN and Al can be prevented. Examples of the inert atmosphere other than the nitrogen atmosphere include argon.
  • the firing temperature should be 1600 ° C. or higher regardless of whether the HP method, SPS method or normal pressure sintering method is adopted. It is preferable in terms of obtaining, more preferably 1650 ° C. or higher, particularly preferably 1700 ° C. or higher, and most preferably 1750 ° C. or higher. It is preferable that the firing temperature is 2000 ° C. or lower because it is easier to more reliably prevent AlN from decomposing and the sintered structure in the target material from becoming enlarged and easily cracked. From this point of view, the firing temperature is more preferably 1900 ° C. or lower.
  • the firing time is 1 hour or more and 30 hours or less on the condition that the firing temperature is within the above range from the viewpoint of further increasing the density of the obtained target material and preventing cracking due to the enlargement of the sintered structure. Is preferable, 1 hour or more and 20 hours or less is more preferable, and 1 hour or more and 10 hours or less is particularly preferable.
  • the rate of temperature rise when firing the mixed powder is preferably 100 ° C./hour or more and 800 ° C./hour or less per hour, preferably from the viewpoint of thermal efficiency and densification of the target material, and 100 ° C. It is more preferably more than / hour and 500 ° C./hour or less.
  • the temperature lowering rate after firing is preferably 100 ° C./hour or less because cracking due to the difference in thermal stress between AlN and Al is unlikely to occur, and more preferably 70 ° C./hour or less, and 50 ° C./hour or less. Is particularly preferred. Since the above-mentioned thermal stress difference does not change even if the temperature lowering rate is smaller than 10 ° C./hour, it is preferably 10 ° C./hour or more from the viewpoint of production efficiency.
  • the firing temperature can be obtained by measuring the surface temperature of the sintered die using a radiation thermometer (IR-AHS0 manufactured by Chino Corporation).
  • the pressing force during sintering should be 10 MPa or more and 100 MPa or less from the viewpoint of further densifying the target material and preventing damage to the sintered body. Is preferable, and more preferably 30 MPa or more and 80 MPa or less.
  • the pressure holding time is preferably 30 minutes or more and 600 minutes or less, and more preferably 60 minutes or more and 180 minutes or less at the firing temperature, provided that the firing temperature and pressure are in the above ranges.
  • the surface is smoothed by grinding and then attached to a base material such as a backing plate or a backing tube.
  • the grinding process is carried out so that the surface roughness Ra (JIS B0601) is preferably 3 ⁇ m or less, more preferably 1 ⁇ m or less, and even more preferably 0.5 ⁇ m or less.
  • the radius should be 3 mm or less. Is preferable.
  • the R chamfer (curved surface) of the corner of the target material is preferably R chamfered so as to draw an arc with a radius of curvature of 1 mm or more and 3 mm or less when the machined portion is viewed in cross section, and the radius of curvature is 2 mm or more and 3 mm.
  • R chamfering is more preferable so as to draw the following arc, and R chamfering is most preferable so as to draw an arc having a radius of curvature of 3 mm.
  • a bonding material such as indium can be used for attachment to the backing plate.
  • the backing plate for example, oxygen-free copper can be used.
  • the distance between the target materials should be 0.05 mm or more and 0.2 mm or less from the viewpoint of difficulty in generating arcing and prevention of deformation due to thermal expansion of the target material. It is preferably 0.05 mm or more and 0.1 mm or less, more preferably.
  • the target thus obtained is suitably used as, for example, a target for DC sputtering.
  • the conditions for DC sputtering are not particularly limited, and examples of the discharge gas include a mixed gas of argon, argon, and nitrogen.
  • the total gas pressure is generally 0.1 Pa to 1.0 Pa.
  • Input power may be, for example, 0.5W / cm 2 ⁇ 5.0W / cm 2.
  • Examples of the composition of the thin film obtained by DC sputtering include the same composition as that of the target material, and those containing AlN.
  • ⁇ Second step> The mixed powder was filled in a graphite sintered die.
  • the diameter of the sintered die was 210 mm.
  • the mixed powder was sintered by the hot press method.
  • the conditions for implementing the hot press method are as follows. In this way, a disk-shaped target material (diameter 210 mm, thickness 10 mm) was obtained.
  • the impurities contained in this target material were 7500 ppm for oxygen and 4900 ppm for carbon on a mass basis.
  • Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 In the first step, the mixing ratio or particle size or sintering temperature of each raw material powder was changed so as to have the values shown in Table 1 below. Except for this, a target material and a sputtering target were obtained in the same manner as in Example 1. The impurities in the target materials of Examples 2 to 7 and Comparative Examples 1 and 2 were only unavoidable impurities of the same type as in Example 1.
  • ⁇ Measurement of bulk resistivity> The measurement was performed using a resistivity meter (4-terminal method) manufactured by Mitsubishi Chemical Analytech. At the time of measurement, first, four metal probes were erected on the surface of the sample in a straight line, a constant current was passed between the two outer probes, and the potential difference generated between the two inner probes was measured to determine the resistance. The volume resistivity (bulk resistivity) was calculated by multiplying the obtained resistance by the sample thickness and the correction coefficient RCF (Resistivity Correction Factor). For the bulk resistivity, three or more points were measured at equal intervals on the sputtered surface of the target material, and the average value was calculated. The distance between each measurement point was 20 mm or more.
  • a sputtering test was performed using a DC magnetron sputtering apparatus.
  • the sputter conditions are: ultimate vacuum: 1 ⁇ 10-5 Pa, input power: DC 1.9 W / cm 2 , total gas pressure: 0.4 Pa, discharge gas: mixed gas of Ar and N 2 , in the mixed gas.
  • the sputtering time was 160 minutes
  • the film thickness was 20000 ⁇
  • the substrate temperature was 200 ° C.
  • a sputtering target material made of an Al-based nitrogen-containing material capable of DC sputtering it is possible to provide a method for producing a sputtering target material capable of producing the sputtering target material of the present invention by an industrially advantageous method. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method for producing an AlN-containing film capable of suppressing the film forming cost and shortening the film forming time as compared with the conventional case.

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Abstract

本発明のスパッタリングターゲット材は、ＡｌＮと、１モルのＡｌＮに対し、０．０８モル以上０．８２モル以下のＡｌと、不可避的不純物とからなる。スパッタリングターゲット材は相対密度が８５％以上１００％以下であることが好ましい。バルク抵抗率が１×１０－１Ωｃｍ以下であることも好ましい。本発明のスパッタリングターゲット材の製造方法は、ＡｌＮ粒子とＡｌ粒子とをＡｌＮの量１モルに対しＡｌの量が０．０８モル以上０．８２モル以下となる比率で混合し、窒素雰囲気以外の不活性雰囲気で焼成する。

Description

スパッタリングターゲット材及びその製造方法
　本発明はスパッタリングターゲット材及びその製造方法に関する。
　Ａｌ系窒素含有材料からなる薄膜はエレクトロニクス分野をはじめとした各分野で幅広く用いられている。例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、高熱伝導性、高絶縁性、低誘電率を有し、さらに曲げ強度等の機械的強度にも優れているという特性を有する材料として知られ、高い放熱性が要求される半導体実装用の絶縁基板材料のほか、誘電体膜等として用いられている。またＡｌ系窒素含有薄膜は電子光学素子を用いる表示装置の画素間に配置される反射防止膜等の光学薄膜や、さらには通信機器などにおけるバルク弾性波（ＢＡＷ）、表面波（ＳＡＷ）などの高周波のフィルタに用いられつつある。
　Ａｌ系窒素含有材料の薄膜の成膜方法としては、例えば窒化アルミニウム薄膜については、窒化アルミニウムからなるスパッタリングターゲットをＡｒガス中で高周波スパッタリングする方法が挙げられる（例えば特許文献１及び２）。
　またＡｌ系窒素含有材料の薄膜の成膜方法として、アルミニウムからなるスパッタリングターゲットを、窒素を含むガス中でスパッタリングさせる、反応性スパッタリングも知られている（特許文献３）。
特開昭６０－１９４０７０号公報 特開２０００－３０３０９号公報 米国特許出願公開第２０１０／０５３７５９号明細書
　特許文献１及び２に記載されているように絶縁性の窒化アルミニウムターゲットを用いて成膜する場合、抵抗値が高過ぎてＤＣスパッタリングが不可能なため、高周波スパッタリングを採用せざるを得ない。比較的簡易な装置でも高速成膜可能なＤＣスパッタリングに比して、高周波スパッタリングは成膜速度が十分なものでなく、工程に要する時間が長く、さらには成膜コストが高くなる。
　特許文献３に記載する反応性のスパッタリングによれば、スパッタ雰囲気中で雰囲気中の原子とターゲット材料とを反応させるため、そのような反応を不要とする通常の高周波スパッタリングに比して成膜速度がさらに遅く、工程に要する時間が長い上に、反応性スパッタリング用の装置が複雑な機構を必要とするため、成膜コストが高い。
　したがって本発明の課題は、Ａｌ系窒素含有材料からなるスパッタリングターゲット材の改良にあり、更に詳しくは、ＤＣスパッタリングが可能で、これにより、従来に比して成膜コストを抑制し且つ成膜時間を短縮できる、Ａｌ系窒素含有材料からなるスパッタリングターゲット材を提供することにある。
　前記の課題を解決すべく本発明者は鋭意検討した結果、絶縁体である窒化アルミニウムと導電体であるアルミニウムとを特定比で混合したターゲット材はＤＣ放電による高速成膜が可能であることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものであり、ＡｌＮと、１モルの前記ＡｌＮに対し、０．０８モル以上０．８２モル以下のＡｌと、不可避的不純物とからなるスパッタリングターゲット材を提供することによって前記の課題を解決したものである。
　また本発明は、前記のスパッタリングターゲット材の好適な製造方法として、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）粒子とＡｌ（アルミニウム）粒子とを、ＡｌＮの１モルに対してＡｌが０．０８モル以上０．８２モル以下の比率となるように混合し、窒素雰囲気以外の不活性雰囲気で焼成する、スパッタリングターゲット材の製造方法を提供するものである。
　また本発明は、前記スパッタリングターゲット材を備えたターゲットをＤＣスパッタリングする、ＡｌＮ含有膜の製造方法を提供するものである。
　以下本発明を、その好ましい実施形態に基づき説明する。本発明のスパッタリングターゲット材（以下、単に「ターゲット材」ともいう。）は、ＡｌＮ及びＡｌから構成されている。
　本発明のターゲット材において、ＡｌＮの量１モルに対し、Ａｌの量が０．０８モル以上であることでターゲット材の抵抗が低下し、ＤＣスパッタリングが可能となる。またＡｌＮの量１モルに対し、Ａｌ量を０．８２モル以下とすることで、ＡｌＮに由来する高熱伝導性、高絶縁性、低誘電率、又は優れた機械的強度などの諸特性を具備しつつ、ターゲット材の製造時に溶融Ａｌが型に固着して脱型が困難になることを抑制できる。これらの観点から、本発明のターゲット材において、１モルのＡｌＮに対し、Ａｌが０．１０モル以上０．８２モル以下であることがより好ましく、０.２７モル以上０．８２モル以下であることが更に好ましく、０.２７モル以上０．７０モル以下であることが更に一層好ましく、０．２７モル以上０．６５モル以下であることが特に好ましく、０．３０モル以上０．５１モル以下であることが最も好ましい。
　本発明のターゲット材に含まれるＡｌＮ及びＡｌの濃度は、誘導結合プラズマ発光分光分析装置によって、Ａｌの量を測定し、窒素の濃度を酸素・窒素分析装置（例えば日立ハイテクサイエンスのＰＳ３５２０ＵＶ－ＤＤ）によって測定することによって測定できる。この測定においては、Ｎの全量がＡｌＮを構成すると見なしてＮのモル数をＡｌＮのモル数とし、測定したＡｌ量のモル数から前記のＡｌＮのモル数を引いた値をＡｌのモル数とする。
　本発明のターゲット材において、ＡｌＮが結晶質であることが、高い圧電性を具備する点から好ましく、さらにはＡｌＮ及びＡｌがいずれも結晶質であることが高い圧電性を具備する点からより好ましい。窒化アルミニウム及びアルミニウムが結晶質であることは、Ｘ線回折測定において、窒化アルミニウム及びアルミニウムに由来するピークを観察することによって確認できる。例えば、線源をＣｕＫαとするＸ線回折測定において窒化アルミニウムのピークは、２θ＝３２～３４°、３６～３８°、５８～６０°から選ばれる１又は２以上の範囲に観察されることが好ましく、これらの各範囲に観察されることがより好ましい。また、同じ線源のＸ線回折測定においてアルミニウムのピークは、２θ＝３７～３９°、４４～４６°、６４～６６°から選ばれる１又は２以上の範囲に観察されることが好ましく、これらの各範囲に観察されることがより好ましい。
　本発明のターゲット材は、ＡｌＮ及びＡｌを上記の比率とし、残部が不可避的不純物からなる構成とすることによって、ＤＣスパッタリングが可能となる。不可避的不純物としては、原料であるＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子に含有されている不純物や、製造時の焼結型に由来する不純物、焼結時に雰囲気中から混入する不純物などが挙げられる。例えば、金属元素である不可避的不純物としては、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｆｅ（鉄）、Ｃｕ（銅）、Ｍｎ（マンガン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）等が挙げられる。半金属元素である不可避的不純物としては、Ｓｉ（ケイ素）等が挙げられる。金属又は半金属元素以外の不可避的不純物としてはＯ（酸素）、Ｃ（炭素）、Ｓ（硫黄）が挙げられる。
　本発明のターゲット材において、不可避的不純物の量は、上述したように原料であるＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子に含有されている不純物や、製造時の焼結型に由来する不純物、焼結時に雰囲気中から混入する不純物といったように、意図した添加によらずに、製造工程において不可避的に含まれる範囲の量である。例えば、前記の各金属不純物元素、各半金属不純物元素、酸素、炭素及び硫黄の合計量は、本発明のターゲット材中、質量基準で５００００ｐｐｍ以下であることが好ましく、３００００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、２００００ｐｐｍ以下であることが更に好ましく、１５０００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００００ｐｐｍ以下であることが特に好ましい。不純物量が上記上限値以下であることは継続的なＤＣスパッタリングをより一層確実にするのみならず、ＡｌＮの圧電性を高める点からも好ましい。不純物量の下限値に特に制限はないが、原料の得やすさや工程の管理の点から前記の各金属不純物元素、各半金属不純物元素、酸素、炭素及び硫黄の合計量は、本発明のターゲット材中、質量基準で１０００ｐｐｍ以上が好ましい。また上記の観点から、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｓｉはそれぞれ単独の量について、ターゲット材中、質量基準で２００００ｐｐｍ以下が好ましく、１００００ｐｐｍ以下がより好ましい。Ｏ、Ｃ、Ｓはそれぞれ単独の量について、ターゲット材中、質量基準で１５０００ｐｐｍ以下が好ましく、１００００ｐｐｍ以下がより好ましく、８０００ｐｐｍ以下が特に好ましい。
　不可避的な不純物の量を上記範囲内とするためには、後述する本発明のターゲット材の好適な製造方法を採用し、当該製造方法において、原料となるＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子として後述する高純度のものを用いればよい。
　例えば、特許文献２は大電力によるスパッタリングで成膜速度を向上させることを目的とし、ＣａやＹ等の金属化合物からなる焼結助剤を添加して焼結体としての窒化アルミニウムスパッタリングターゲットを緻密化している。特許文献１でも窒化アルミニウムスパッタリングターゲットの製造に同様の焼結助剤の使用が好ましいと記載されている。これに対し、本発明のターゲット材は、このようなＡｌＮの特性を損ねる添加物を含有することなく高速成膜が容易なＤＣスパッタリングを可能とするものである。本発明のターゲット材においてＣａ（カルシウム）及びＹ（イットリウム）の元素はターゲット材全体に対する質量基準で、それぞれ１００００ｐｐｍ以下であることが好ましく、５０００ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
　本発明のターゲット材に含まれる、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｃａ、Ｙ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｓｉの濃度は、例えば誘導結合プラズマ発光分光分析装置によって測定できる。
　本発明のターゲット材に含まれる酸素の濃度は、例えば酸素・窒素分析装置（ＬＥＣＯジャパンのＯＮＨ８３６）によって測定できる。また、酸素の濃度の単位である「ｐｐｍ」はターゲット材全体に含まれる酸素の質量基準であり、このことは、炭素及び硫黄の濃度の単位である「ｐｐｍ」についても同様である。
　本発明のターゲット材に含まれる炭素及び硫黄の濃度は、例えば炭素・硫黄分析装置（株式会社堀場製作所のＥＭＩＡ９２０Ｖ）によって測定できる。
　本発明のターゲット材は、ＡｌＮ及びＡｌ並びに上述した不可避的不純物元素以外の元素を含まないことが好ましい。尤も、本発明の効果を損なわない限りにおいて、上記で挙げた不可避的不純物元素以外に意図しない不可避的不純物がターゲット材中に含有されることは妨げられない。
　本発明のターゲット材は、その相対密度が高いことが好ましい。相対密度とは、スパッタリングターゲット材の実測密度を理論密度（計算密度ともいう）で除し、１００を乗じた値である。理論密度ρ（ｇ／ｃｍ３）は、上述した誘導結合プラズマ発光分光分析装置及び酸素・窒素分析装置による測定に基づくＡｌＮ及びＡｌの割合及びそれらの密度から算出する。具体的には、下記の式に基づき算出する。
　ρ＝｛（Ｃ１／１００）／ρ１＋（Ｃ２／１００）／ρ２｝－１
　式中のＣ１及びＣ２及びρ１及びρ２は、それぞれ以下の値を示す。
・Ｃ１：ターゲット材中のＡｌＮの質量％
・ρ１：ＡｌＮの密度（３．２６ｇ／ｃｍ３）
・Ｃ２：ターゲット材のＡｌの質量％
・ρ２：Ａｌの密度（２．７０ｇ／ｃｍ３）
　ターゲット材の実測密度はアルキメデス法で測定される。
　上述の方法で測定される本発明のターゲット材の相対密度は８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることが更に好ましく、９３％以上であることが一層好ましく、９５％以上であることが特に好ましい。相対密度の上限値は１００％に近ければ近いほど好ましく、最も高い場合では１００％である。本発明のターゲット材がこのような相対密度を有することによって、該ＡｌＮ中の粒界に存在するＡｌ粒子同士が結合しやすく、導電パスが密に形成されて抵抗が一層低いものとなり、より確実に継続的なＤＣスパッタリングが可能となる。またスパッタリング時にアーキングが発生しにくい。さらに、空隙が減ることにより圧電性が向上し易い。
　上記の相対密度を得るためには、後述する本発明のターゲット材の好ましい製造方法において、後述する好ましい粒径のＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子を用いるとともに、焼結において、後述する好ましい焼成温度条件を採用すればよい。
　本発明のターゲット材は抵抗が一定以下であることがより一層確実に継続的なＤＣスパッタリングが可能である点で好ましい。具体的には、ターゲット材はバルク抵抗率が１×１０－１Ωｃｍ以下であることが好ましく、５．０×１０－2Ωｃｍ以下であることがより好ましく、１．０×１０－2Ωｃｍ以下であることが特に好ましい。ターゲット材のバルク抵抗率は後述する実施例に記載の方法にて測定することができる。バルク抵抗率は低い方がＤＣスパッタリングしやすいという点で好ましいが１．０×１０－8Ωｃｍ以上であることが、工業的に効率良く生産可能とする観点から好ましい。
　ターゲット材のバルク抵抗率を上記の上限値以下とするためには、後述する本発明のターゲット材の好ましい製造方法において、後述する好ましい粒径及び平均アスペクト比のＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子を用いるとともに、焼結において、後述する好ましい焼成温度条件を採用すればよい。
　本発明のターゲット材は、表面粗さＲａ値（ＪＩＳＢ０６０１）が３μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以下であることがより好ましく、０．５μｍ以下であることが特に好ましい。表面粗さＲａ値が上記の上限値以下であることで、スパッタリング時のパーティクルの発生を効果的に防止することができる。表面粗さＲａ値の下限値としては、０．１μｍ以上であることが、ターゲット材の製造しやすさの点で好ましい。ターゲット材の表面粗さ値を上記上限値以下とするには、ターゲット材表面を公知の平面研削機で研削すればよい。平面研削機は旋盤式及びマシニング式のいずれであってもよい。
　本発明において、ターゲット材はＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子を原料として焼結法で作製している。焼結法は金属を溶かして作製する溶融法などに比べ、得られる成形体の組成、密度むらが生じにくい為、大型のターゲットが作製し易いというメリットがある。
　本発明のターゲット材の面積は１００ｃｍ２以上であることが、組成、密度の均一なスパッタリング膜を得られる点で好ましく、２００ｃｍ２以上であることがより好ましい。ここでいうターゲット材の面積とは、ターゲット材が平板状の場合はその平板の板面の表面積の合計であり、ターゲット材が円筒状の場合は、その筒状の外表面の面積である。ターゲット材の厚みは、ターゲット材の利用効率及びターゲット材の製造しやすさ等の点から、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下が好ましく、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下がより好ましい。
　本発明においてターゲット材とは、平面研削やボンディング等のターゲット材仕上工程前の状態も包含する。ターゲット材の形状は平板に限定されず、円筒形状のものも含まれる。また本発明においてスパッタリングターゲットとは、こうした単数又は複数のターゲット材をバッキングプレート等にボンディングしたものであって、一体としてスパッタリングに供されるものをいう。
　次に、本発明のスパッタリングターゲット材の好適な製造方法について説明する。
　本製造方法は、ＡｌＮ粒子とＡｌ粒子とを、ＡｌＮの量１モルに対しＡｌを０．０８モル以上０．８２モル以下の比率となるように混合し、窒素雰囲気以外の不活性雰囲気又は還元雰囲気中で焼成する。より好ましい混合比率は、０．２７モル以上０．６５モル以下であり、更に好ましい混合比率は０．２７モル以上０．５１モル以下である。
　ＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子としては、いずれも純度が９９質量％以上であるものを用いることが、得られるターゲット材において、不可避的不純物量を上記範囲内とする点で好ましく、９９．９質量％以上であるものを用いることが特に好ましい。原料粉末に有機化合物が多い場合はターゲット材のコンタミネーションを低減するため脱脂処理を行う。ＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子の不純物としては、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｈｆ、Ｚｒが挙げられる。
　ＡｌＮ粒子は球状又は粒状であることが、針状などの特定の方向に長い粒子に比して、焼成後の収縮がスムーズでターゲット材を緻密にしやすい点で好ましい。この観点から、ＡｌＮ粒子の平均アスペクト比が５以下であることが好ましく、３以下であることがより好ましく、２以下であることが特に好ましい。なお、ＡｌＮ粒子の平均アスペクト比は１以上である。また、Ａｌ粒子についても、ＡｌＮ粒子と同様の理由で粒状であることが好ましい。具体的にはＡｌ粒子は平均アスペクト比が５以下であることが好ましく、３以下であることがより好ましく、１以上２以下であることが特に好ましい。Ａｌ粒子の平均アスペクト比も１以上である。
　アスペクト比の測定は、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いた拡大観察を行い、視野内で１００個の粒子を任意に選択する。選択された各粒子の長径及び短径を測定して、個々の粒子のアスペクト比を計算する。より具体的には、対象とする粒子を、その外形をすべて含み、且つ該粒子の外形の線の少なくとも２点が重複する楕円形に近似し、得られた楕円形の長軸の長さを測定し、これを長径とするとともに、長軸と直交する方向を短軸とし、一つの粒子の長径／短径の比を求める。同様にして求めた１００個の粒子の、長径／短径の値の平均値を求め、測定対象である種類の粒子についての平均アスペクト比とする。
　ＡｌＮ粒子は、平均粒子径が３０μｍ以下であることがＡｌＮ粒子の周囲を取り囲むＡｌ粒子による導電ネットワークを形成しやすい点で好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることが特に好ましい。ＡｌＮ粒子の平均粒子径は、０．０５μｍ以上であることが、成形密度を向上させやすい点で好ましく、０．１μｍ以上であることが特に好ましい。
　Ａｌ粒子は、平均粒子径が３０μｍ以下であることが得られるターゲット材においてＡｌＮ粒子の周囲を取り囲むＡｌ粒子による導電ネットワークを形成しやすい点で好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることが特に好ましい。Ａｌ粒子の平均粒子径は、０．０５μｍ以上であることが、ターゲット材製造時の成形密度を向上させやすい点で好ましく、０．１μｍ以上であることが特に好ましい。
　なお、本明細書において、ＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子の平均粒子径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定法による累積体積５０容量％における体積累積粒径Ｄ５０をいう。
　ＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子は互いに混合されて混合粉となる。混合粉における各原料粉の割合は、目的とするターゲット材に含まれる各元素の割合となるように調整される。混合には公知の混合装置、例えばビーズミル、サンドミル、アトライタ（登録商標）及びボールミルなどの媒体攪拌型ミルなどを用いることができる。媒体攪拌型ミルを用いるときのメディアの直径は０．１ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることが好ましい。メディアの材質は、例えばジルコニアやアルミナなどが好ましい。各原料粉の混合は大気雰囲気中で行うことができる。大気中での混合時間は、１０分以上１４４０分以下であることが好ましく、３０分以上７２０分以下であることが更に好ましく、６０分以上１８０分以下であることが一層好ましい。
　混合粉の焼成は、該混合粉を加圧しながら又は常圧にて加熱することにて行う。本明細書においてＡｌＮ粒子及びＡｌ粒子の焼成は、焼結ということもできる。詳細には、混合粉を所定の形状の成形凹部を有する焼結ダイ内に充填する。焼結ダイとしては例えばグラファイト製のものを用いることができるが、この材質に限られない。焼結ダイに混合粉を充填したら、該混合粉を例えばホットプレス焼結法（以下「ＨＰ法」と略称する。）に付すことができる。あるいは放電プラズマ焼結法（以下「ＳＰＳ法」と略称する。）に付すことができる。或いは、混合粉は、金型プレス法、ラバープレス（静水圧プレス）法、シート成形法、押し出し成形法、鋳込み成形法等で成形した後に常圧焼結してもよい。
　焼成雰囲気は、窒素雰囲気を含まない不活性雰囲気とする。窒素雰囲気を用いないことで、Ａｌの窒化を防止できる。また酸化雰囲気を用いないことで、ＡｌＮ及びＡｌの酸化を防止できる。窒素雰囲気以外の不活性雰囲気としてはアルゴンが挙げられる。
　目的とするターゲット材を首尾よく得る観点から、ＨＰ法、ＳＰＳ法及び常圧焼結法のいずれを採用する場合であっても、焼成温度は１６００℃以上であることが緻密な焼結体を得る点で好ましく、１６５０℃以上であることがより好ましく、１７００℃以上であることが特に好ましく、１７５０℃以上であることが最も好ましい。焼成温度は２０００℃以下であることが、ＡｌＮが分解したり、ターゲット材中の焼結組織が肥大化して割れ易くなったりすることをより確実に防止しやすいため好ましい。この観点から焼成温度は１９００℃以下であることがより好ましい。焼成時間は、得られるターゲット材の一層の高密度化、及び前記の焼結組織の肥大化による割れの防止の観点から、焼成温度が上記範囲であることを要件として、１時間以上３０時間以下が好ましく、１時間以上２０時間以下がより好ましく、１時間以上１０時間以下が特に好ましい。
　混合粉を焼成させるときの昇温速度は、１時間当たりの温度変化が１００℃／時間以上８００℃／時間以下であることが、熱効率の点やターゲット材を緻密化させる点で好ましく、１００℃／時間以上５００℃／時間以下であることが更に好ましい。
　焼成後の降温速度は１００℃／時間以下であることがＡｌＮ及びＡｌの熱応力差による割れが起こりにくい点で好ましく、７０℃／時間以下であることがより好ましく、５０℃／時間以下であることが特に好ましい。降温速度は１０℃／時間より小さくしても前記の熱応力差は変わらないため、生産効率の点から１０℃／時間以上であることが好ましい。
　焼成温度は、放射温度計（チノー社製、ＩＲ－ＡＨＳ０）を使用して、焼結ダイの表面温度を計測することで得ることができる。
　混合体の焼成として加圧焼結を行う場合にはターゲット材をより一層緻密化する観点及び焼結体の破損を防止する観点等から、焼結時の加圧力は１０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることが好ましく、３０ＭＰａ以上８０ＭＰａ以下であることが更に好ましい。圧力保持時間は、焼成温度及び圧力が上述の範囲であることを条件として、上記焼成温度において、３０分以上６００分以下であることが好ましく、６０分以上１８０分以下であることが更に好ましい。
　以上の条件によりターゲット材が得られたら、その表面を研削加工により平滑にした後に、バッキングプレートまたはバッキングチューブ等の基材に貼り付ける。研削加工は、アーキングの発生を抑制する観点から、表面粗さＲａ（ＪＩＳ　Ｂ０６０１）が好ましくは３μｍ以下、更に好ましくは１μｍ以下、一層好ましくは０．５μｍ以下となるように行う。一方、ターゲット材の角のＲ面取りはＲの半径を大きくするほど、研削加工時に割れがしやすくなり、また加工に要する時間は長くなるため、生産性の観点からは、半径を３ｍｍ以下とすることが好ましい。これらの観点から、ターゲット材の角のＲ面取り（曲面取り）は、加工部を断面視したときに曲率半径１ｍｍ以上３ｍｍ以下の円弧を描くようにＲ面取りすることが好ましく、曲率半径２ｍｍ以上３ｍｍ以下の円弧を描くようにＲ面取りすることがより好ましく、曲率半径３ｍｍの円弧を描くようにＲ面取りすることが最も好ましい。
　バッキングプレートへの貼り付けにはインジウムなどのボンディング材を用いることができる。バッキングプレートとしては例えば無酸素銅を用いることができる。バッキングプレートに複数のターゲット材を貼り付けする場合、ターゲット材の間隔は、アーキングの発生しにくさやターゲット材の熱膨張に起因する変形防止の点から０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下であることが好ましく、０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であることがより好ましい。
　このようにして得られたターゲットは、例えばＤＣスパッタリングのターゲットとして好適に用いられる。ＤＣスパッタリングの条件は特に限定されないが、放電ガスとしては、例えば、アルゴン、アルゴン及び窒素の混合ガスが挙げられる。ガス全圧としては０．１Ｐａ～１．０Ｐａとすることが一般的である。投入電力は例えば０．５Ｗ／ｃｍ２～５．０Ｗ／ｃｍ２とすることができる。ＤＣスパッタリングにより得られる薄膜の組成としては、ターゲット材と同様の組成が挙げられ、ＡｌＮを含有するものである。
　本発明のターゲット材を有するターゲットを用いてスパッタリングを行うことで、例えば通信機器のＳＡＷ、ＢＡＷ等の高周波フィルタを構成する薄膜を首尾よく形成できる。
　以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り、「％」は「質量％」を意味する。
　　〔実施例１〕
＜第１工程＞
　Ａｌ粒子（平均アスペクト比＝１．１、Ｄ５０＝１μｍ、純度９９．９質量％）及びＡｌＮ粒子（平均アスペクト比＝１．３、Ｄ５０＝１μｍ、純度９９．９質量％）をそれぞれ秤量した後に、大気中にてジルコニアボール（半径１０ｍｍ）入りのボールミルを用いて１２０分にわたり混合し混合粉を得た。各粉の混合は、混合粉における１モルのＡｌＮに対するＡｌモル数が０．３８モルとなるように行った。
＜第２工程＞
　混合粉をグラファイト製の焼結ダイ内に充填した。焼結ダイの直径は２１０ｍｍであった。次いでホットプレス法によって混合粉の焼結を行った。ホットプレス法の実施条件は以下のとおりとした。このようにして、円盤状のターゲット材（直径２１０ｍｍ、厚さ１０ｍｍ）を得た。上述の方法で元素分析を行ったところ、このターゲット材に含まれる不純物は、質量基準で酸素が７５００ｐｐｍ、炭素が４９００ｐｐｍであった。このターゲット材の表面を研削して表面粗さＲａ（ＪＩＳＢ０６０１）を０．５μｍにし、角のエッジを曲率半径３ｍｍの曲面となるように面取りした後に、無酸素銅からなるバッキングプレート（面積３２４ｃｍ２）のボンディング面にインジウムはんだを下塗りした。その後、ボンディング面にターゲット材を密着させてボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。
・焼結雰囲気：アルゴン雰囲気
・昇温速度：３００℃／時間
・焼成温度：１８００℃
・圧力：３０ＭＰａ
・上記焼成温度、上記圧力での保持時間：２時間
・降温速度：５０℃／時間
・昇温開始と同時に加圧開始
　　〔実施例２～７並びに比較例１及び２〕
　第１工程において、各原料粉の混合比率若しくは粒径又は焼結温度を以下の表１に示す値となるように変更した。これ以外は実施例１と同様にしてターゲット材及びスパッタリングターゲットを得た。実施例２～７並びに比較例１及び２のターゲット材中の不純物は、実施例１と同様の種類の不可避的不純物のみであった。
　　〔測定〕
　実施例及び比較例で得られたターゲット材について、上述の方法で元素分析を行い、下記表１と同じＡｌＮ：Ａｌモル比を有することを確認した。また、実施例及び比較例で得られたターゲット材について下記条件にてＸ線回折測定を行いＡｌＮ及びＡｌの結晶性を確認した。それらの結果を表１に示す。表１において各実施例のターゲット材について、下記条件のＸ線回折測定にて、窒化アルミニウムのピークが、２θ＝３２～３４°、３６～３８°、５８～６０°の各範囲に観察されること、及び、アルミニウムのピークが、２θ＝３７～３９°、４４～４６°、６４～６６°の各範囲に観察されることを確認した。
　＜Ｘ線回折測定＞
・装置：Smartlab（株式会社リガク製）
・線源：ＣｕＫα線
・管電圧：４０ｋＶ
・管電流：３０ｍＡ
・スキャン速度：５°／ｍｉｎ
・ステップ：０．１°
・スキャン範囲：２θ＝２０°～８０°
　　〔評価〕
　実施例１～７並びに比較例１及び２で得られたターゲット材について、下記の方法で割れの有無を評価した。その結果、割れが観察されなかった実施例１～７及び比較例１のターゲット材について、上記の方法で相対密度の測定を行ったほか、下記の方法でバルク抵抗率の測定を行った。また以下の条件でＤＣスパッタリングを行い、ＤＣスパッタリングが可能か否かを評価した。それらの結果を表２に示す。
＜ターゲット材の割れの有無＞
　目視により、ターゲット材の割れが観察されたものを「有」、観察されないものを「無」として評価した。
＜バルク抵抗率の測定＞
　三菱ケミカルアナリテック社の抵抗率計（４端子法）を用い測定した。測定に際し、まず試料の表面に金属製の探針を４本一直線上に立て、外側の二探針間に一定電流を流し、内側の二探針間に生じる電位差を測定し抵抗を求めた。求めた抵抗に試料厚さ、補正係数ＲＣＦ(Resistivity Correction Factor)をかけて、体積抵抗率（バルク抵抗率）を算出した。バルク抵抗率は、ターゲット材のスパッタ面を等間隔に３点以上を測定し、その平均値を算出した。各測定点の距離は２０ｍｍ以上とした。
＜ＤＣスパッタリングの可否＞
　ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いてスパッタ試験を行なった。スパッタ条件はそれぞれ、到達真空度：１×１０－５Ｐａ、投入電力：ＤＣ１．９Ｗ／ｃｍ２、ガス全圧：０．４Ｐａ、放電ガス：ＡｒとＮ２との混合ガス、該混合ガス中のＡｒの体積比：５０／（５０＋５０）×１００＝５０％、スパッタ時間：１６０分、膜厚２００００Å、基板温度２００℃とした。ＤＣスパッタリングを継続して可能な場合について、「可」を、放電が起こらない場合を「不可」とした。その結果を、表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２に示す結果から明らかなとおり、各実施例で得られたスパッタリングターゲットはバルク抵抗率が低く、ＤＣスパッタリングが可能であることがわかる。これに対し、比較例１で得られたスパッタリングターゲットはバルク抵抗率が高く、ＤＣスパッタリングができなかった。また比較例２では溶融したアルミニウムが金型に固着し、脱型時に割れて所望のサンプルが得られなかった。
　本発明によれば、ＤＣスパッタリング可能なＡｌ系窒素含有材料からなるスパッタリングターゲット材を提供することができる。また、本発明によれば、本発明のスパッタリングターゲット材を工業的に有利な方法で製造できるスパッタリングターゲット材の製造方法を提供できる。また本発明によれば、従来に比して成膜コストを抑制し且つ成膜時間を短縮できるＡｌＮ含有膜の製造方法を提供できる。

Claims (10)

  1. 　ＡｌＮと、
    　１モルの前記ＡｌＮに対し、０．０８モル以上０．８２モル以下のＡｌと、
    　不可避的不純物とからなるスパッタリングターゲット材。
  2. 　相対密度が８５％以上１００％以下である、請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。
  3. 　バルク抵抗率が１×１０－１Ωｃｍ以下である、請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット材。
  4. 　表面粗さＲａ値（ＪＩＳＢ０６０１）が３μｍ以下である、請求項１から３の何れか１項に記載のスパッタリングターゲット材。
  5. 　前記ＡｌＮが結晶質である、請求項１から４の何れか１項に記載のスパッタリングターゲット材。
  6. 　ＡｌＮ粒子とＡｌ粒子とをＡｌＮの量１モルに対しＡｌの量が０．０８モル以上０．８２モル以下となる比率で混合し、窒素雰囲気以外の不活性雰囲気で焼成する、スパッタリングターゲット材の製造方法。
  7. 　焼成温度が１６００℃以上２０００℃以下である、請求項６に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
  8. 　前記ＡｌＮ粒子の平均アスペクト比が１以上５以下である、請求項６又は７に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
  9. 　前記ＡｌＮ粒子及び前記Ａｌ粒子は、何れも平均粒子径が０．０５μｍ以上３０μｍ以下である、請求項６から８の何れか１項に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
  10. 　請求項１から５の何れか１項に記載のスパッタリングターゲット材を備えたターゲットをＤＣスパッタリングする、ＡｌＮ含有膜の製造方法。
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