WO2020162614A1 - モジュール - Google Patents
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Abstract
モジュール(101)は、第1主面(1a)を有し、配線を含む基板(1)と、回路面(31a)を有し、回路面(31a)を第1主面(1a)に向けるようにして第1主面(1a)に実装され、回路面(31a)にグランド端子(10)を有する第1部品(31)と、第1主面(1a)および第1部品(31)を覆うように配置された第1封止樹脂(6a)と、第1封止樹脂(6a)の上面に沿って設けられた放熱部(5)とを備え、前記配線はグランド端子(10)に接続されており、さらに、前記配線と放熱部(5)とをつなぐ熱伝導部材(7)を備える。
Description
本発明は、モジュールに関するものである。
基板の表面に電子部品が実装されており、当該電子部品を覆うように封止樹脂層が設けられた構造のモジュールが知られている。このようなモジュールにおいては、実装部品に発熱部品が含まれる場合、外部への放熱が良好に行なわれることが求められる。しかし、部品から発生した熱は、実装された部品の保護、マザー基板への実装しやすさの確保のために設けられた封止樹脂によって、モジュール内にこもりやすくなっている。一方、近年、モジュール内においては、実装される部品の高密度化により部品間の距離が短くなっているので、特に放熱性の改善が求められている。
放熱性を高めたモジュールの一例が特開2018-26394号公報(特許文献1)に記載されている。
特許文献1に記載された構成では、実装された電子部品である発熱部品を樹脂層で覆い、この樹脂層の上面から電子部品の上面に近い位置まで掘り下げるように凹部が設けられている。この凹部に導電ペースト材が充填されている。
ところで、電子部品における発熱は電気が流れる回路部分で発生する。通常、回路部分を有する電子部品は、回路部分が設けられている側、すなわち、下面を実装側の面とする。特許文献1に記載された構成では、放熱に貢献する導電ペースト材は電子部品の上面に接近しているに過ぎず、下面からは遠い位置にある。すなわち、放熱に貢献する導電ペースト材は、発熱箇所である電子部品の回路部分から離れた位置に配置されることになり、十分な放熱性が得られない。
そこで、本発明は、部品からの放熱性をより高めることができるモジュールを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に基づくモジュールは、第1主面を有し、配線を含む基板と、回路面を有し、上記回路面を上記第1主面に向けるようにして上記第1主面に実装され、上記回路面にグランド端子を有する第1部品と、上記第1主面および上記第1部品を覆うように配置された第1封止樹脂と、上記第1封止樹脂の上面に沿って設けられた放熱部とを備え、上記配線は上記グランド端子に接続されており、さらに、上記配線と上記放熱部とをつなぐ熱伝導部材を備える。
本発明によれば、第1部品で発生する熱を熱伝導部材経由で放熱部に効率良く伝えることができる。したがって、モジュールにおける部品からの放熱性をより高めることができる。
図面において示す寸法比は、必ずしも忠実に現実のとおりを表しているとは限らず、説明の便宜のために寸法比を誇張して示している場合がある。以下の説明において、上または下の概念に言及する際には、絶対的な上または下を意味するとは限らず、図示された姿勢の中での相対的な上または下を意味する場合がある。
(実施の形態1)
図1~図2を参照して、本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール101を図1に示す。図1におけるII-II線に関する矢視断面図を図2に示す。
図1~図2を参照して、本発明に基づく実施の形態1におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール101を図1に示す。図1におけるII-II線に関する矢視断面図を図2に示す。
本実施の形態におけるモジュール101は、基板1と、第1部品31と、第1封止樹脂6aと、放熱部5とを備える。基板1は、複数の絶縁層2を積層して形成された積層基板である。絶縁層2は、セラミック層であるが、これに限らず、たとえば樹脂層であってもよい。第1部品31は、たとえばICなどの半導体素子である。基板1は、第1主面1aを有する。基板1は、配線を含む。ここで示す例では、配線は内部配線13を含む。第1主面1aには、第1部品31の他に、部品3a,3bも実装されている。第1部品31は、回路面31aを有する。回路面31aは、電気が流れる部分であり、第1部品31の動作時には発熱しうる。第1部品31は、回路面31aを第1主面1aに向けるようにして第1主面1aに実装されている。第1部品31は、回路面31aにグランド端子10を有する。第1封止樹脂6aは、第1主面1aおよび第1部品31を覆うように配置されている。放熱部5は、第1封止樹脂6aの上面に沿って設けられている。ここでいう「上面に沿って設けられている」とは、直接接して設けられている場合に限らない。すなわち、放熱部5が第1封止樹脂6aの上面に直接接しているとは限らない。放熱部5と第1封止樹脂6aの上面との間に他の層が介在していてもよい。ここで示す例では、第1封止樹脂6aを覆うようにシールド膜8が形成されている。放熱部5はシールド膜8より上側に配置されている。すなわち、放熱部5と第1封止樹脂6aの上面との間にシールド膜8が介在している。基板1の前記配線はグランド端子10に接続されている。モジュール101は、さらに、前記配線と放熱部5とをつなぐ熱伝導部材7を備える。すなわち、配線から放熱部5に熱を伝えるように、熱伝導部材7は配置されている。
第1部品31で発生した熱は、第1部品31の回路面31aにあるグランド端子10から内部配線13を経由して熱伝導部材7に伝わり、さらに放熱部5に伝わるように、モジュール101は構成されている。熱伝導部材7は、たとえば柱状導体である。熱伝導部材7は、たとえば金属製のピンであってもよい。熱伝導部材7は、導電性ペーストを凹部に充填して形成したものであってもよい。熱伝導部材7は、めっき成長によって形成したものであってもよい。熱伝導部材7の上端はシールド膜8に接している。熱伝導部材7の上端まで伝わった熱は、シールド膜8を経由して放熱部5に伝わる。ここでは、シールド膜8を備える例を示したが、シールド膜8の存在は必須ではない。
基板1は、第1主面1aとは反対側の面として第2主面1bを有する。第2主面1bには外部接続端子15が配置されている。外部接続端子15には導体ビア16が接続されている。導体ビア16は、基板1に含まれる絶縁層2を厚み方向に貫通している。基板1は内部に導体パターン14を含む。
本実施の形態では、基板1の配線が第1部品31のグランド端子10に接続していて、なおかつ、配線から放熱部5に熱を伝えるように熱伝導部材7が配置されている。これにより、発熱箇所である電子部品の回路部分からより短い経路で放熱されるので、第1部品31で発生する熱を熱伝導部材7経由で放熱部5に効率良く伝えることができる。したがって、モジュールにおける部品からの放熱性をより高めることができる。
本実施の形態で示したように、熱伝導部材7は、柱状導体であることが好ましい。この構成を採用することにより、効率良く熱を伝えることができる。
本実施の形態で示したように、放熱部5は、第1封止樹脂6aの上側に配置された放熱部材であることが好ましい。放熱部材は、熱伝導部材7とは別物として設けられた部材であってよい。放熱部材としては、さまざまな材料が考えられる。放熱部材は、たとえばアルミなどのように放熱特性に優れた金属から構成されるプレートであってもよい。また、モールド樹脂との熱膨張係数差による放熱部材の剥がれを防止する観点からは、放熱部材は、銅-アルミのクラッド材であってもよい。
本実施の形態で示したように、少なくとも第1封止樹脂6aを覆うシールド膜8を備え、前記放熱部材は、シールド膜8の外側に配置されていることが好ましい。この構成を採用することにより、外部からの影響を受けにくいモジュールを構成することができる。
本実施の形態で示したように、前記配線は、基板1の内部に設けられた内部配線13を含むものであってよい。この構成を採用することにより、グランド端子10と熱伝導部材7とを接続する電極間のはんだ流れによる熱伝導部材7の位置ずれを防止することができる。
(実施の形態2)
図3を参照して、本発明に基づく実施の形態2におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール102を図3に示す。モジュール102では両面実装が行なわれている。すなわち、モジュール102においては、基板1は、第1主面1aとは反対側に第2主面1bを有し、第2主面1bには第2部品32が実装されている。第2部品32は、第1部品31を第2主面1bに投影した領域A内に配置されている。第2主面1bには、第2部品32の他に部品3c,3dも実装されている。その他の構成は、実施の形態1で示したモジュール101と同様である。
図3を参照して、本発明に基づく実施の形態2におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール102を図3に示す。モジュール102では両面実装が行なわれている。すなわち、モジュール102においては、基板1は、第1主面1aとは反対側に第2主面1bを有し、第2主面1bには第2部品32が実装されている。第2部品32は、第1部品31を第2主面1bに投影した領域A内に配置されている。第2主面1bには、第2部品32の他に部品3c,3dも実装されている。その他の構成は、実施の形態1で示したモジュール101と同様である。
本実施の形態においても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。特に、領域A内にこのように第2部品32が設けられていると、第1部品31からの放熱のための導体柱を、基板1を貫通するように設けることが困難となるところであるが、モジュール102では、配線から放熱部5に熱を伝えるように熱伝導部材7が配置されているので、領域Aを放熱のために使いにくいという問題を回避して、熱伝導部材7経由で効率良く放熱を行なうことができる。さらに、第2部品32に対する熱の影響を与えにくくすることができる。また、配線基板である基板1内に放熱のための貫通導体を配置する必要がないため、配線基板における設計自由度が増す。
(実施の形態3)
図4~図5を参照して、本発明に基づく実施の形態3におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール103を図4に示す。図4におけるV-V線に関する矢視断面図を図5に示す。
図4~図5を参照して、本発明に基づく実施の形態3におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール103を図4に示す。図4におけるV-V線に関する矢視断面図を図5に示す。
モジュール103では、シールド膜8の上側ではなく下側に放熱部が設けられている。ここでは、放熱部として放熱部5iが設けられている。放熱部5iは第1封止樹脂6aの上面の全体を覆っているわけではなく、一部のみを覆っている。モジュール103は、少なくとも第1封止樹脂6aを覆うシールド膜8を備え、放熱部5iとしての放熱部材は、シールド膜8の下側に配置されており、第1主面1aには複数の部品として第1部品31および部品3a,3bが実装されており、前記放熱部材は、前記複数の部品のうち最も背が高い部品3bの上面より低い位置まで入り込んでいる。
放熱部5iは、第1封止樹脂6aを先に形成してから第1封止樹脂6aの上面に除去加工を施して凹部を形成し、この凹部に放熱部材を挿入することによって形成することができる。
この構成を採用することにより、最も発熱する第1部品31が最も背が高い部品とは別の部品である場合に、放熱部材の下端を第1部品31に近づけて配置することが可能となる。したがって、第1部品31からの放熱を効率良く行なうことができる。放熱部5iは部品3bとは重ならないように配置されているので、モジュール103の全体として低背化を図ることができる。
さらに変形例として、図6に示すモジュール104のようなものも考えられる。モジュール104は、放熱部5jとしての放熱部材を備える。最も発熱する第1部品31は部品3bより背が低い。放熱部材は、部品3bの上面より低い位置まで入り込んでいる。放熱部材の下面は、第1部品31の上面に対して接着剤11で接着されている。接着剤11は、必ずしも放熱経路としての役割を担っていなくてもよい。第1部品31から放熱部5jへの放熱は、主に熱伝導部材7を経由して行なわれる。放熱部5jは、第1部品31に対応する領域を覆うように配置されている。放熱部5jは、第1部品31を上方に投影した領域を包含するように配置されている。
放熱部5jを形成するには、第1封止樹脂6aを形成するより前に、第1部品31の上面に対して接着剤11を介して何らかの放熱部材を実装すればよい。この際に、放熱部材は、熱伝導部材7の上端に接するように配置される。放熱部材を実装してからその周辺を埋めるように第1封止樹脂6aを形成すればよい。
(実施の形態4)
図7~図8を参照して、本発明に基づく実施の形態4におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール105を図7に示す。図7におけるVIII-VIII線に関する矢視断面図を図8に示す。
図7~図8を参照して、本発明に基づく実施の形態4におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール105を図7に示す。図7におけるVIII-VIII線に関する矢視断面図を図8に示す。
実施の形態1で示したモジュール101では、第1部品31のグランド端子10から熱伝導部材7への放熱経路は、内部配線13を経由していたが、本実施の形態で示すモジュール105では、第1部品31のグランド端子10から熱伝導部材7への放熱経路は、表層配線12を経由している。
本実施の形態においても、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。放熱経路が表層配線12を経由しているので、発熱する第1部品31から最短距離で放熱部材に接続することが可能となる。ただし、この構成とした場合、基板1の表面においてグランド端子10の周辺のみランド電極が大きくなるので、はんだの不所望な流れを防ぐために、ランド電極の上面にレジスト膜を被せることによって、はんだの流れを遮るようにしてもよい。すなわち、表層配線12の上面に沿ってはんだが流れないように、表層配線12の上面の少なくとも一部、より詳細には、第1部品31のグランド端子10の接続箇所と、熱伝導部材7の接続箇所との間の部分、を覆うようにレジスト膜を被せることが考えられる。このように設けられたレジスト膜は、はんだの流れを堰き止めるダムの役割を果たすことができる。
放熱経路として内部配線13を用いる場合に比べて表層配線12を用いる場合には、実装部品があることにより配線を引き回すエリアが少ないため、導体パターンの幅が小さくなりがちであることも考慮すべきである。放熱経路として内部配線13を用いることで表層配線12を用いる場合に比べて導体パターンの幅を十分確保できるのであれば、放熱経路としては、表層配線12よりも内部配線13を用いることが好ましい。一方、実装部品が少なく、配線のためのエリアが確保される場合は、最短距離で放熱経路を接続可能な表層配線12を用いることが好ましい。
本実施の形態で示したように、前記配線は、基板1の表面に配置された表層配線12を含むものであってよい。
本実施の形態の変形例として、図9に示すモジュール106のようなものも考えられる。モジュール105に比べてモジュール106では、両面実装となっている点で異なる。
(実施の形態5)
図10~図11を参照して、本発明に基づく実施の形態5におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール107を図10に示す。図10におけるXI-XI線に関する矢視断面図を図11に示す。
図10~図11を参照して、本発明に基づく実施の形態5におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール107を図10に示す。図10におけるXI-XI線に関する矢視断面図を図11に示す。
モジュール107では、放熱経路として表層配線12が用いられている。モジュール107では、放熱部5iが用いられている。放熱部5iはシールド膜8の下側に配置されている。放熱部5iはシールド膜8の下面のうち一部に対して重なっている。放熱部5iの下面は、部品3bの上面より低い位置にある。
本実施の形態においても、実施の形態3で示したモジュール103と同様の効果を得ることができる。放熱部5iは部品3bとは重ならないように配置されているので、モジュール107の全体として低背化を図ることができる。
(実施の形態6)
図12~図13を参照して、本発明に基づく実施の形態6におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール108を図12に示す。図12におけるXIII-XIII線に関する矢視断面図を図13に示す。
図12~図13を参照して、本発明に基づく実施の形態6におけるモジュールについて説明する。本実施の形態におけるモジュール108を図12に示す。図12におけるXIII-XIII線に関する矢視断面図を図13に示す。
モジュール108は、放熱部5kを備える。放熱部5kは、一定の厚みではなく、部位によって厚みが変化している。第1部品31の真上では放熱部5kは厚くなっている。この部位では、放熱部5kの下面が第1部品31の上面に接近している。部品3aは第1部品31より背が高い。部品3aの真上では放熱部5kは薄くなっている。放熱部5kの上面は一定の高さにある。放熱部5kの上面はシールド膜8の下面と接している。
本実施の形態においても、同様の効果を得ることができる。
なお、モジュール108では、第1部品31のグランド端子10に電気的および熱的に接続される熱伝導部材7だけでなく、第1部品31に接続されない熱伝導部材7も配置されている。図12における右側の熱伝導部材7がこれに該当する。このような構成とすることによって、第1部品31に接続されない熱伝導部材7であっても、第1部品31から周辺に放出された熱を放熱部5kに伝えることについてある程度は貢献するので、一定の効果は得られる。
なお、モジュール108では、第1部品31のグランド端子10に電気的および熱的に接続される熱伝導部材7だけでなく、第1部品31に接続されない熱伝導部材7も配置されている。図12における右側の熱伝導部材7がこれに該当する。このような構成とすることによって、第1部品31に接続されない熱伝導部材7であっても、第1部品31から周辺に放出された熱を放熱部5kに伝えることについてある程度は貢献するので、一定の効果は得られる。
(放熱部および熱伝導部材のバリエーション)
放熱部および熱伝導部材の構造については、さまざまなバリエーションが考えられる。図14に示すように、シールド膜8の下側で第1封止樹脂6aの上面に沿って側方に張り出す放熱部7aが設けられていてもよい。ここで、放熱部7aは熱伝導部材7とつながっている。熱伝導部材7は柱状導体である。放熱部7aはシールド膜8の下面に接している。図14に示した例では、前記放熱部は前記柱状導体の上端に連なっている。
放熱部および熱伝導部材の構造については、さまざまなバリエーションが考えられる。図14に示すように、シールド膜8の下側で第1封止樹脂6aの上面に沿って側方に張り出す放熱部7aが設けられていてもよい。ここで、放熱部7aは熱伝導部材7とつながっている。熱伝導部材7は柱状導体である。放熱部7aはシールド膜8の下面に接している。図14に示した例では、前記放熱部は前記柱状導体の上端に連なっている。
図15に示すように、シールド膜8の下側で放熱部7bが第1封止樹脂6aの上面に沿って傘状に広がっていてもよい。熱伝導部材7としての柱状導体は、放熱部7bに対して下側の特定の部位からつながっている。このように、前記放熱部は第1主面1aに平行な方向に広がった部分を含むことが好ましい。
シールド膜8の存在は必須ではなく、図16、図17に示すように、シールド膜8がない構成であってもよい。
図18に示すように、放熱部7cを備える構成であってもよい。放熱部7cは第1封止樹脂6aの上面にかぶさる形状となっている。放熱部7cは扁平なドーム形状を有している。
図19に示すように、放熱部7dを備える構成であってもよい。放熱部7dは上が広がるテーパ形状を有している。
図14~図19に示した例では、放熱部が熱伝導部材7としての柱状導体と一体化している。放熱部が熱伝導部材7と同じ材料で形成されている。このように、前記放熱部は前記柱状導体と一体化していることが好ましい。
(放熱フィン)
モジュールの変形例として、図20に示すモジュール109のような構成も考えられる。モジュール109では、シールド膜8の上側に放熱部5が載せられている。放熱部5は放熱フィン18を備えている。モジュール109の内部の構造は、実施の形態1で示したモジュール101と同様であってよい。前記放熱部材は放熱フィン18を含むことが好ましい。この構成を採用することにより、放熱フィン18を通じて周辺の空気などに熱を逃がすことができるので、効率良く放熱することができる。
モジュールの変形例として、図20に示すモジュール109のような構成も考えられる。モジュール109では、シールド膜8の上側に放熱部5が載せられている。放熱部5は放熱フィン18を備えている。モジュール109の内部の構造は、実施の形態1で示したモジュール101と同様であってよい。前記放熱部材は放熱フィン18を含むことが好ましい。この構成を採用することにより、放熱フィン18を通じて周辺の空気などに熱を逃がすことができるので、効率良く放熱することができる。
なお、上記実施の形態のうち複数を適宜組み合わせて採用してもよい。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
1 基板、1a 第1主面、1b 第2主面、2 絶縁層、3a,3b 部品、5,5i,5j,5k 放熱部、6a 第1封止樹脂、6b 第2封止樹脂、7 熱伝導部材、7a,7b,7c 放熱部、8 シールド膜、10 グランド端子、11 接着剤、12 表層配線、13 内部配線、14 導体パターン、15 外部接続端子、16 導体ビア、17 柱状導体、18 放熱フィン、31 第1部品、31a 回路面、32 第2部品、101,102,103,104,105,106,107,108,109 モジュール。
Claims (13)
- 第1主面を有し、配線を含む基板と、
回路面を有し、前記回路面を前記第1主面に向けるようにして前記第1主面に実装され、前記回路面にグランド端子を有する第1部品と、
前記第1主面および前記第1部品を覆うように配置された第1封止樹脂と、
前記第1封止樹脂の上面に沿って設けられた放熱部とを備え、
前記配線は前記グランド端子に接続されており、さらに、前記配線と前記放熱部とをつなぐ熱伝導部材を備える、モジュール。 - 前記熱伝導部材は、柱状導体である、請求項1に記載のモジュール。
- 前記放熱部は前記柱状導体の上端に連なっている、請求項2に記載のモジュール。
- 前記放熱部は前記柱状導体と一体化している、請求項3に記載のモジュール。
- 前記放熱部は前記第1主面に平行な方向に広がった部分を含む、請求項4に記載のモジュール。
- 前記放熱部は、前記第1封止樹脂に配置された放熱部材である、請求項1から3のいずれか一項に記載のモジュール。
- 少なくとも前記第1封止樹脂を覆うシールド膜を備え、前記放熱部材は、前記シールド膜の外側に配置されている、請求項6に記載のモジュール。
- 前記放熱部材は放熱フィンを含む、請求項6または7に記載のモジュール。
- 少なくとも前記第1封止樹脂を覆うシールド膜を備え、前記放熱部材は、前記シールド膜の内側に配置されており、前記第1主面には複数の部品が実装されており、前記放熱部材は、前記複数の部品のうち最も背が高い部品の上面より低い位置まで入り込んでいる、請求項6に記載のモジュール。
- 前記配線は、前記基板の表面に配置された表層配線を含む、請求項1から9のいずれかに記載のモジュール。
- 前記配線は、前記基板の内部に設けられた内部配線を含む、請求項1から10のいずれかに記載のモジュール。
- 前記基板は、前記第1主面とは反対側に第2主面を有し、前記第2主面には第2部品が実装されている、請求項1から11のいずれかに記載のモジュール。
- 前記第2部品は、前記第1部品を前記第2主面に投影した領域内に配置されている、請求項12に記載のモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/392,344 US20210366839A1 (en) | 2019-02-08 | 2021-08-03 | Module |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-021886 | 2019-02-08 | ||
JP2019021886 | 2019-02-08 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US17/392,344 Continuation US20210366839A1 (en) | 2019-02-08 | 2021-08-03 | Module |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2020162614A1 true WO2020162614A1 (ja) | 2020-08-13 |
Family
ID=71947018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/004904 WO2020162614A1 (ja) | 2019-02-08 | 2020-02-07 | モジュール |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210366839A1 (ja) |
WO (1) | WO2020162614A1 (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142532A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Sharp Corp | 回路部品の実装構造 |
JP2014082447A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-05-08 | Fujifilm Corp | 多層基板および半導体パッケージ |
JP2014154635A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US20140239464A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packages with thermal-enhanced conformal shielding and related methods |
JP2018098677A (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 株式会社村田製作所 | 送受信モジュール |
WO2018135555A1 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2018181871A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2018181708A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018159453A1 (ja) * | 2017-02-28 | 2018-09-07 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
US20180374798A1 (en) * | 2017-06-24 | 2018-12-27 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor device having emi shielding structure and related methods |
-
2020
- 2020-02-07 WO PCT/JP2020/004904 patent/WO2020162614A1/ja active Application Filing
-
2021
- 2021-08-03 US US17/392,344 patent/US20210366839A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07142532A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Sharp Corp | 回路部品の実装構造 |
JP2014082447A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-05-08 | Fujifilm Corp | 多層基板および半導体パッケージ |
JP2014154635A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US20140239464A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-08-28 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packages with thermal-enhanced conformal shielding and related methods |
JP2018098677A (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 株式会社村田製作所 | 送受信モジュール |
WO2018135555A1 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2018181871A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
WO2018181708A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
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---|---|
US20210366839A1 (en) | 2021-11-25 |
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