WO2020129985A1

WO2020129985A1 - 電子部品搭載基板および電子機器

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Publication number: WO2020129985A1
Application number: PCT/JP2019/049435
Authority: WO
Inventors: 和規松戸; 健次安東; 努早坂; 玲季松尾
Original assignee: Toyo Ink SC Holdings Co Ltd; Toyochem Co Ltd
Current assignee: Toyochem Co Ltd; Artience Co Ltd
Priority date: 2018-12-18
Filing date: 2019-12-17
Publication date: 2020-06-25
Anticipated expiration: 2021-06-18
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Abstract

本発明の一実施形態に係る電子部品搭載基板（５１）は、基板（２０）と、基板（２０）の少なくとも一方の面に搭載された電子部品（３０）と、電子部品（３０）上面から基板（２０）に亘って被覆され、電子部品（３０）の搭載によって形成された段差部の側面および基板（２０）の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材（１）と、を備える。電磁波シールド部材（１）は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層（５）を有し、電磁波シールド部材（１）の表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定したクルトシスが１～８である。

Description

電子部品搭載基板および電子機器

　本発明は、電磁波シールド部材を有する電子部品搭載基板に関する。また、前記電子部品搭載基板の電磁波シールド部材の形成に好適な電磁波シールド用積層体、並びに前記電子部品搭載基板が搭載された電子機器に関する。

　ＩＣチップ等を搭載した電子部品は、外部からの磁場や電波による誤動作を防止するために、通常、電磁波シールド構造が設けられている。例えば、等方導電性接着剤と異方導電性接着剤からなる導電性接着フィルムを、電子部品が搭載された基板に被覆する方法が開示されている（特許文献１）。また、導電性接着剤層および特定の貯蔵弾性率をもつ基材層を有する電磁波シールド用フィルムを、電子部品が搭載された基板に被覆する方法（特許文献２）や、等方導電性を示す鱗片状粒子含有層を有する、特定の引張破断歪を有する電磁波シールド部材を、電子部品が搭載された基板に被覆する方法（特許文献３）が開示されている。

国際公開第２０１５／１８６６２４号特開２０１４－５７０４１号公報国際公開第２０１８／１４７３５５号

　電子部品が搭載された基板に対して、例えば以下の方法により電磁波シールド部材が被覆され、電子部品搭載基板が製造される。まず、図１８に示すように、基板１２０に搭載された複数の電子部品１３０の天面に、電磁波シールド用部材１０２と離形性クッション部材１０３の積層体である電磁波シールド用積層体１０４を載置する。次いで、図１９に示すように、電磁波シールド用積層体１０４を熱圧着させ、電子部品１３０および基板１２０の一部を電磁波シールド部材１０１により被覆する。その後、図２０に示すように離形性クッション部材１０３を剥離し、続いて図２１に示すように、基板１２０を製品単位に個片化する工程を行う。この個片化工程は、例えば、電磁波シールド部材１０１をダイシング台１４１に当接させ、この当接状態を維持しながら基板１２０側から電子部品１３０の間隙である溝１２５に対向する位置に対して切断工具１４２により基板１２０および電磁波シールド部材１０１を切断することにより行われる。

　昨今の電子部品の高性能化の厳しい要求に伴って、電子部品搭載基板の電磁波シールド部材１０１の性能を高品質化する技術が求められている。

　本発明は上記背景に鑑みてなされたものであり、信頼性の高い電磁波シールド部材を有する電子部品搭載基板並びに電子機器を提供することを目的とする。

　本発明者らが鋭意検討を重ねたところ、以下の態様において、本発明の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
［１］：　基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、前記電子部品上面から前記基板に亘って被覆され、前記電子部品の搭載によって形成された段差部の側面および前記基板の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材と、を備え、前記電磁波シールド部材は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層を有し、前記電磁波シールド部材の表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定したクルトシスが１～８である電子部品搭載基板。
［２］：　前記電磁波シールド部材の表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定した二乗平均平方根高さＲｑが０．３～１．７μｍである［１］に記載の電子部品搭載基板。
［３］：　前記導電性フィラーは、デンドライト状および針状の導電性フィラーの少なくとも一方を含有している［１］又は［２］に記載の電子部品搭載基板。
［４］：　基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、前記電子部品上面から前記基板に亘って被覆され、前記電子部品の搭載によって形成された段差部の側面および前記基板の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材と、を備え、
　前記電磁波シールド部材は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層を有し、且つ押込み弾性率が１～１０ＧＰａである電子部品搭載基板。
［５］：　前記電磁波シールド部材の表層の水接触角が７０～１１０°である［４］に記載の電子部品搭載基板。
［６］：　前記電磁波シールド部材のＪＩＳ　Ｋ５６００に基づくプレッシャークッカー試験後のテープ密着試験において、前記電子部品上の前記電磁波シールド部材が２３／２５以上のクロスカット残存率を示す［４］又は［５］に記載の電子部品搭載基板。
［７］：　前記電磁波シールド部材の表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定したクルトシスが１～８となる［４］～［６］のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
［８］：　前記電磁波シールド部材の表面の二乗平均平方根高さが０．４～１．６μｍの範囲である［４］～［７］のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
［９］：　前記電磁波シールド部材のマルテンス硬さが５０～３１２Ｎ／ｍｍ^２である［４］～［８］のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
［１０］：　前記バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂と、前記熱硬化性樹脂の反応性官能基と架橋可能な官能基を有している硬化性化合物と、を含有するバインダー樹脂前駆体を熱圧着して得られることを特徴とする［４］～［９］のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
［１１］：　前記電磁波シールド部材の膜厚が１０～２００μｍである［４］～［１０］のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
［１２］：　基板と、前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、前記電子部品上面から前記基板に亘って被覆され、前記電子部品の搭載によって形成された段差部の側面および前記基板の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材と、を備え、前記電磁波シールド部材は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層を有し、前記電磁波シールド部材の表層の二乗平均平方根高さＲｑが０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満である電子部品搭載基板。
［１３］：　前記電磁波シールド部材の表層の二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑが０．０５～０．４である［１２］に記載の電子部品搭載基板。
［１４］：　前記電磁波シールド部材の表層の水接触角が９０～１３０°である［１２］又は［１３］に記載の電子部品搭載基板。
［１５］：　前記導電性フィラーは、デンドライト状および針状の導電性フィラーの少なくとも一方および鱗片状の導電性フィラーを含有している［１２］～［１４］のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
[１６]：　[１]～[１５]のいずれかに記載の電子部品搭載基板が搭載された、電子機器。

　本発明によれば、信頼性の高い電磁波シールド部材を有する電子部品搭載基板、並びに電子機器を提供できるという優れた効果を奏する。

実施形態A1、B1、C1に係る電子部品搭載基板の一例を示す模式的斜視図。図１のＩＩ－ＩＩ切断部断面図。実施形態A1、B1、C1に係る電子部品搭載基板の別の一例を示す模式的断面図。実施形態A1、B1、C1に係る電磁波シールド用積層体の一例を示す模式的断面図。実施形態A1、B1、C1に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。実施形態A1、B1、C1に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。実施形態A1、B1、C1に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。実施形態A1、B1、C1に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。電磁波シールド部材の表層のクルトシスの変動要因を説明するための模式的説明図。電磁波シールド部材の表層のクルトシスの変動要因を説明するための模式的説明図。実施形態A2、B2、C2に係る電磁波シールド用積層体の一例を示す模式的断面図。実施形態A3、B3、C3に係る電磁波シールド用積層体の一例を示す模式的断面図。実施形態A4、B4、C4に係る電磁波シールド用積層体の一例を示す模式的断面図。実施形態A4、B4、C4に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。実施形態A4、B4、C4に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。実施形態A4、B4、C4に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。実施形態A5、B5、C5に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。実施形態A5、B5、C5に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。実施形態A5、B5、C5に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。変形例に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。変形例に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。変形例に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。変形例に係る電子部品搭載基板の製造工程の一例を示す模式的断面図。本実施例に係る電子部品搭載基板の一例を示す模式的断面図。電子部品等に電磁波シールド部材を被覆する工程を説明する模式的断面図。電子部品等に電磁波シールド部材を被覆する工程を説明する模式的断面図。電子部品等に電磁波シールド部材を被覆する工程を説明する模式的断面図。電子部品等に電磁波シールド部材を被覆する工程を説明する模式的断面図。本実施例B3に係る電子部品搭載基板の側面の光学顕微鏡写真。本参考例B1に係る電子部品搭載基板の側面の光学顕微鏡写真。本実施例Ｃに係る電子部品搭載基板の評価方法の説明図。

　以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本明細書において特定する数値は、実施形態または実施例に開示した方法により求められる値である。また、本明細書で特定する数値「Ａ～Ｂ」は、数値Ａと数値Ａより大きい値および数値Ｂと数値Ｂより小さい値を満たす範囲をいう。また、本明細書におけるシートとは、ＪＩＳにおいて定義されるシートのみならず、フィルムも含むものとする。説明を明確にするため、以下の記載および図面は、適宜、簡略化されている。本明細書中に出てくる各種成分は特に注釈しない限り、それぞれ独立に一種単独でも二種以上を併用してもよい。また、説明の便宜上、異なる実施形態においても、同一の要素部材は同一の符号を付す。

　本発明に係る電子部品搭載基板として、実施形態Ａ～実施形態Ｃに係る電子部品搭載基板を開示する。

[[実施形態Ａ]]
　実施形態Ａの電子部品搭載基板は、基板と、この基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、この電子部品上面から前記基板に亘って被覆され、前記電子部品の搭載によって形成された段差部の側面および前記基板の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材とを備える。前記電磁波シールド部材は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層を有する。そして、この電磁波シールド部材の表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定したクルトシスを１～８とする。

　従来の技術によれば、電子部品搭載基板の電磁波シールド部材１０１上に、図２０の（ｉ）に示すような残渣が付着していることがある。これは、電磁波シールド部材１０１を形成するために用いる電磁波シールド用積層体１０４の構成部材である離形性クッション部材１０３に由来するものである。電磁波シールド用積層体１０４を熱圧着した後の離形性クッション部材１０３を剥離する段階で、電子部品１３０の間隙に形成された溝１２５における投錨効果による。離形性クッション部材１０３の千切れである。この千切れは、個片化工程を経ても残渣として残存する要因となる。このような電磁波シールド部材１０１上の残渣は、外観不良だけでなく電子機器の電磁波シールド性の信頼性低下を招来し、回路基板に実装する際の障害となり得る。

　係る問題を回避する方法として、溝１２５の投錨効果を低減するべく、電子部品１３０同士の間隙の幅を広くしたり、電子部品１３０の高さを低くしたりする方法が考えられる。しかし、この方法では、電子部品１３０の形状が限定され、複雑な凹凸を有する電子部品１３０には適用できないという問題がある。また、基板１２０に搭載する電子部品１３０同士の間隙を狭めることができれば、一つの基板１２０から得られる電子部品１３０の収量が向上し、製造の効率化に貢献できる。また、電磁波シールド部材１０１は、電子部品１３０の搬送や実装時に電磁波シールド部材１０１の擦傷による信頼性低下を防ぐため、耐擦傷性が高いことが求められている。

　実施形態Ａに係る電子部品搭載基板によれば、設計自由度が高く、残渣の付着を抑制し、且つ耐擦傷性に優れる信頼性の高い電磁波シールド部材を有する電子部品搭載基板を提供することができる。従って、設計自由度を高めたい電子部品搭載基板、或いは擦傷しやすい電子部品搭載基板の用途に特に好適である。

[[実施形態Ｂ]]
　実施形態Ｂの電子部品搭載基板は、基板と、この基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、前記電子部品上面から前記基板に亘って被覆され、前記電子部品の搭載によって形成された段差部の側面および前記基板の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材とを備える。この電磁波シールド部材は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層を有し、且つ押込み弾性率を１～１０ＧＰａとする。

　従来の技術によれば、電子部品搭載基板の製造工程の上述した個片化工程において、電磁波シールド部材１０１の切断面を基点とした電磁波シールド部材１０１の捲れであるバリが発生しやすいという問題がある（図２１の部分拡大図（ｉｉ）参照）。電磁波シールド部材１０１のバリの主たる原因は、個片化工程のダイシング時の高圧水洗等である。また、製造後の電子部品搭載基板は、高湿熱条件下において電磁波シールド部材１０１と基板１２０等との密着性が低下してしまう場合がある。このような電磁波シールド部材１０１のバリの発生および密着性低下は、電子機器の電磁波シールド性の信頼性低下を招来し、回路基板に実装する際の障害となり得る。

　実施形態Ｂに係る電子部品搭載基板によれば、バリの発生を抑制でき、且つプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）耐性に優れる信頼性の高い信頼性の高い電磁波シールド部材を有する電子部品搭載基板を提供できる。従って、個片化工程において高圧水線等の条件の厳しい用途、或いは高湿熱条件での耐久性が要求される電子部品搭載基板の用途に特に好適である。

[[実施形態Ｃ]]
　実施形態Ｃの電子部品搭載基板は、基板と、この基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、前記電子部品上面から前記基板に亘って被覆され、前記電子部品の搭載によって形成された段差部の側面および前記基板の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材とを備える。この電磁波シールド部材は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層を有し、電磁波シールド部材の表層の二乗平均平方根高さＲｑを０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満とする。

　従来の技術によれば、個片化工程において、ダイシングテープ（不図示）を介して電磁波シールド部材１０１をダイシング台１４１に当接させ（図２１参照）、この当接状態を維持しながら基板１２０側から電子部品１３０の間隙である溝１２５に対向する位置に対して切断工具１４２により基板１２０および電磁波シールド部材１０１を切断する場合がある。この場合、個片化後にダイシングテープと電磁波シールド部材１０１を剥離する工程を経て電子部品搭載基板が製造される。ところが、個片化後にダイシングテープを剥離する際に、電磁波シールド部材１０１に浮きが発生する場合がある。また、電磁波シールド部材の一部が剥離してしまう場合もある。また、冷熱サイクル試験（－５０℃～１２５℃）を実施すると、電磁波シールド部材に罅割れを生じることがある。

　このような電磁波シールド部材１０１の一浮き、罅割れは外観不良のみならず、様々な問題を引き起こすことがある。例えば、電磁波シールド部材１０１と筐体を導電性接着剤や導電性粘着剤でグランド接地する際に、接着力や接続抵抗が悪化し、電子機器の電磁波シールド性の信頼性低下を招来し、回路基板に実装する際の障害となり得る。また、経時的な信頼性において課題がある場合がある。

　実施形態Ｃに係る電子部品搭載基板によれば、被覆性に優れる信頼性の高い信頼性の高い電磁波シールド部材を有する電子部品搭載基板を提供できる。従って、ダイシングテープを用いて電磁波シールド部材とダイシング台を当接する工程を含む用途、或いは冷熱サイクル試験をクリアすることが必要な用途、例えば、自動車に搭載する電子部品搭載基板のように苛酷な温度変化に耐え得る性能が要求される用途に特に好適である。

[[実施形態Ａ]]
　以下、実施形態Ａに係る電子部品搭載基板の具体例について説明する。
［実施形態A1］
＜電子部品搭載基板＞
　図１に実施形態A1に係る電子部品搭載基板の一例を示す模式的斜視図を、図２に図１のＩＩ－ＩＩ切断部断面図を示す。電子部品搭載基板５１は、基板２０、電子部品３０および電磁波シールド部材１等を有する。

　基板２０は電子部品３０を搭載可能であり、且つ後述する熱圧着工程に耐え得る基板であればよく、任意に選択できる。例えば銅箔等からなる導電パターンが表面又は内部に形成されたワークボード、実装モジュール基板、プリント配線板またはビルドアップ法等により形成されたビルドアップ基板が挙げられる。また、フィルムやシート状のフレキシブル基板を用いてもよい。前記導電パターンは、例えば、電子部品３０と電気的に接続するための電極・配線パターン（不図示）、電磁波シールド部材１と電気的に接続するためのグランドパターン２２である。基板２０内部には電極・配線パターン、ビア（不図示）等を任意に設けることができる。基板２０はリジッド基板のみならず、フレキシブル基板であってもよい。

　電子部品３０は、図１の例においては基板２０上に５×４個アレイ状に配置されている。そして、基板２０および電子部品３０の露出面を被覆するように電磁波シールド部材１が設けられている。即ち、電磁波シールド部材１は、電子部品３０により形成される凹凸に追従するように被覆されている。電磁波シールド部材１により、電子部品３０および／または基板２０に内蔵された信号配線等から発生する不要輻射を遮蔽し、また、外部からの磁場や電波による誤動作を防止できる。

　電子部品３０の個数、配置、形状および種類は任意である。アレイ状に電子部品３０を配置する態様に代えて、電子部品３０を任意の位置に配置してもよい。電子部品搭載基板５１を単位モジュールに個片化する場合、図２に示すように、基板上面から基板の厚み方向に単位モジュールを区画するようにハーフダイシング溝２５を設けてもよい。なお、実施形態A1に係る電子部品搭載基板は、単位モジュールに個片化する前の基板、および単位モジュールに個片化した後の基板の両方を含む。即ち、図１、図２のような複数の単位モジュール（電子部品３０）が搭載された電子部品搭載基板５１の他、図３のような単位モジュールに個片化した後の電子部品搭載基板５２も含む。無論、個片化工程を経ずに、基板２０上に１つの電子部品３０を搭載し、電磁波シールド部材で被覆した電子部品搭載基板も含まれる。即ち、実施形態A1に係る電子部品搭載基板は、基板上に少なくとも１つの電子部品が搭載されており、電子部品の搭載により形成された段差部の少なくとも一部に電磁波シールド部材が被覆された構造を包括する。

　電子部品３０は、半導体集積回路等の電子素子が絶縁体により一体的に被覆された部品全般を含む。例えば、集積回路（不図示）が形成された半導体チップ３１（図３参照）が封止材（モールド樹脂３２）によりモールド成型されている態様がある。基板２０と半導体チップ３１は、これらの当接領域を介して、又はボンディングワイヤ３３、はんだボール（不図示）等を介して基板２０に形成された配線又は電極２１と電気的に接続される。電子部品は、半導体チップの他、インダクタ、サーミスタ、キャパシタおよび抵抗等が例示できる。

　実施形態A1に係る電子部品３０および基板２０は、公知の態様に対して広く適用できる。図３の例においては、半導体チップ３１は、インナービア２３を介して基板２０の裏面にはんだボール２４が接続されている。また、基板２０内には、電磁波シールド部材１と電気的に接続するためのグランドパターン２２が形成されている。また、後述する実施形態A4のように、個片化後の電子部品搭載基板もしくは個片化しない電子部品搭載基板に、複数の電子部品３０が搭載されていてもよい（図１４Ｃ参照）。また、電子部品３０内には、単数又は複数の電子素子等を搭載できる。

＜電磁波シールド部材＞
　電磁波シールド部材１は、基板２０上に搭載された電子部品３０の天面に電磁波シールド用積層体を載置して熱圧着により電子部品３０および基板２０を被覆することにより得られる。電磁波シールド部材１は、電子部品３０上面から基板２０に亘って被覆され、電子部品３０の搭載によって形成された段差部の側面および基板２０の少なくとも一部を被覆する。電磁波シールド部材１は、シールド効果を充分に発揮させるために、基板２０の側面または上面に露出するグランドパターン２２または／および電子部品３０の接続用配線等のグランドパターン（不図示）に接続する構成が好ましい。

　電磁波シールド部材１は、電磁波シールド用積層体を用いて形成することができる。図４に、電磁波シールド用積層体の模式的断面図を示す。実施形態A1に係る電磁波シールド用積層体４は、電磁波シールド用部材２と離形性クッション部材３からなる。この電磁波シールド用部材２は、実施形態A1においては導電性接着剤層６の単層からなる。導電性接着剤層６は熱圧着により電子部品３０および基板２０に接合されて電磁波シールド層５が形成される。実施形態A1においては、この電磁波シールド層５が電磁波シールド部材１として機能する。

　電磁波シールド用部材２は、後述する実施形態A2のように２層以上の導電性接着剤層の積層体から形成したり、実施形態A3のように導電性接着剤層とハードコート層の積層体から形成したり、実施形態A4のように絶縁性接着剤層と導電性接着剤層の積層体から形成したりする等、他の層の積層体から形成してもよい。電磁波シールド用部材２を熱圧着して得られる電磁波シールド部材１は、実施形態A2では２層以上の電磁波シールド層の積層体から構成され、実施形態A3では電磁波シールド層とハードコート層の積層体から構成され、実施形態A4では絶縁被覆層と電磁波シールド層の積層体から構成されている。このように電磁波シールド部材は、電磁波シールド層と他の層との積層体から構成してもよい。

　電磁波シールド層５には、バインダー樹脂と導電性フィラーが含まれる。電磁波シールド層５中の導電性フィラーは連続的に接触されており導電性を示す。電磁波シールド性を高める観点から電磁波シールド層５のシート抵抗値は１Ω／□以下が好ましい。

　電磁波シールド部材１は、その表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定したクルトシスを１～８とする。クルトシスは、数式（１）で表される表面凹凸の粗さ曲線を示す指標であり、高さ分布の平坦度、尖り度を表す。

ここで、Ｌは基準長さである。また、Ｒｑは二乗平均平方根高さであり、一つの軸（ｘ軸）に沿った表面の高さ変化をＺ（ｘ）として以下の数式（２）で表される。

　クルトシスは、二乗平均平方根高さＲｑの四乗によって無次元化した基準長さにおいて、Ｚ（ｘ）の四乗平均を示す。クルトシスが３のときは、凸部（または凹部）の尖りの分布が正規分布に近いことを示す。クルトシスが３より大きくなるにつれて、基準高さＲｑに対して急峻な尖った凸部（または凹部）の数が増加し、クルトシスが３よりも小さくなるにつれて、急峻な尖った凸部（または凹部）の数が少なくなることを表す。

　製造方法については後述するが、電子部品３０を搭載した基板に電磁波シールド用積層体４を熱圧着後、電磁波シールド部材１から離形性クッション部材３を剥離する際に、ハーフダイシング溝２５の離形性クッション部材３はほぼ垂直に摺りながら引き剥がされることになる。投錨効果によって離形性クッション部材３は破断しやすいため、これを抑制する技術が求められている。本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、電磁波シールド部材１の接触界面の形状コントロールが重要であり、この形状として上記のクルトシスの範囲が好適であることを見出した。

　クルトシスを８以下とすることにより、電子部品３０のハーフダイシング溝２５に充填された離形性クッション部材３を電磁波シールド部材１から良好に剥離できる。これは、電磁波シールド部材１の表面形状の尖り度が適切なものとなり、離形性クッション部材３と電磁波シールド部材１との剥離が容易となることによると考えられる。一方、電磁波シールド部材１の表層のクルトシスを１以上とすることにより、スチールウール耐性を向上させることができる。その結果、耐擦傷性を高め、信頼性の高い電子部品搭載基板を提供できる。電磁波シールド部材のクルトシスの好ましい範囲は１．５～６．５であり、より好ましい範囲は２～４である。

　電磁波シールド部材１の表面の二乗平均平方根高さは０．４～１．６μｍの範囲とすることが好ましく、０．５～１．５μｍとすることがより好ましく、０．７～１．２μｍとすることが更に好ましい。本明細書において、クルトシスと二乗平均平方根高さは、後述する実施例に記載の方法により求めた値をいう。

　電磁波シールド部材１の表面のクルトシスは、電磁波シールド用積層体４中の電磁波シールド用部材２の製造工程により調整することができる。また、電磁波シールド部材１を形成するための、熱圧着前の電磁波シールド用部材の組成物中の各成分の種類やその配合量によって調整できる。詳細は後述する。なお、本発明者らが検討を重ねたところ、電磁波シールド層として機能し得る量の導電性フィラーを配合することにより、リフロー処理前後においてクルトシスの値は実質的に変動しないか、変動してもその変化量は小さいことを確認した。

＜電子部品搭載基板の製造方法＞
　以下、実施形態A1の電子部品搭載基板の製造方法の一例について図５～図８を用いて説明する。但し、本発明の電子部品搭載基板の製造方法は、以下の製造方法に限定されるものではない。

　実施形態A1に係る電子部品搭載基板５１の製造方法は、［ａ］基板に電子部品３０を搭載する工程と、［ｂ］電子部品３０が搭載された基板２０上に電磁波シールド用積層体４を載置する工程と、［ｃ］電子部品３０の搭載により形成された段差部の側面および基板の露出面の少なくとも一部に追従するように熱圧着によって電磁波シールド部材１を接合する工程と、［ｄ］離形性クッション部材３を剥離する工程と、［ｅ］電子部品搭載基板５１を個片化する工程を備える。以下、各工程について説明する。

［ａ］基板に電子部品を搭載する工程：
　まず、基板２０に電子部品３０を搭載する。例えば、基板２０上に半導体チップ（不図示）を搭載し、半導体チップが形成されている基板２０上を封止樹脂によりモールド成形し、電子部品３０間の上方から基板２０内部まで到達するように、モールド樹脂および基板２０をダイシング等によりハーフカットする。予めハーフカットされた基板２０上に電子部品３０をアレイ状に配置する方法でもよい。これらの工程を経て、例えば、図５に示すような電子部品３０が搭載された基板が得られる。なお、電子部品３０とは、図５の例においては半導体チップをモールド成形した一体物をいい、絶縁体により保護された電子素子全般をいう。ハーフカットは、基板２０内部まで到達させる態様の他、基板２０の表面までカットする態様がある。また、基板２０全体をこの段階でカットしてもよい。この場合には、粘着テープ付き基体上に基板２０を載置して位置ずれが生じないようにしておくことが好ましい。モールド成形する場合の封止樹脂の材料は特に限定されないが、熱硬化性樹脂が通常用いられる。封止樹脂の形成方法は特に限定されず、印刷、ラミネート、トランスファー成形、コンプレッション、注型等が挙げられる。モールド成形は任意であり、電子部品３０の搭載方法も任意に変更できる。

［ｂ］基板上に電磁波シールド用積層体を載置する工程：
　次いで、電子部品３０が搭載された基板２０を熱圧着により溶融させて被覆させる、電磁波シールド用積層体４を用意する（図４参照）。電磁波シールド用積層体４の導電性接着剤層６が電子部品３０側になるように電子部品３０の天面上に電磁波シールド用積層体４を載置する。このとき、電磁波シールド用積層体４を電子部品３０の一部または全面に仮貼付してもよい。仮貼付とは、電子部品３０の少なくとも一部の上面と接触するように仮接合するものであり、導電性接着剤層６がＢステージで被着体に固定されている状態をいう。剥離力としては、９０°ピール試験で、カプトン２００に対する剥離力が１～５Ｎ／ｃｍ程度が好ましい。仮貼りする手法として、電子部品３０を搭載した基板２０上に電磁波シールド用積層体４を載せ、アイロン等の熱源で軽く全面または端部を熱圧着して仮貼りする方法が例示できる。製造設備あるいは基板２０のサイズ等に応じて、基板２０の領域毎に複数の電磁波シールド用積層体４を用いてもよい。また、電子部品３０毎に電磁波シールド用積層体４を用いてもよい。製造工程の簡略化の観点からは、基板２０上に搭載された複数の電子部品３０全体に１枚の電磁波シールド用積層体４を用いることが好ましい。

［ｃ］電磁波シールド部材を形成する工程：
　続いて、電子部品３０が搭載された基板２０上に電磁波シールド用積層体４を一対のプレス基板４０間に挟持し、熱圧着する（図６参照）。電磁波シールド用積層体４は、導電性接着剤層６および離形性クッション部材３が熱により溶融され、押圧によって製造基板に設けられたハーフカット溝に沿うように延伸され、電子部品３０および基板２０に追従して被覆される。導電性接着剤層６が電子部品３０や基板２０と接合されると共に熱圧着により電磁波シールド層５として機能する。実施形態A1においては、電磁波シールド部材１は電磁波シールド層５の単層からなるので、導電性接着剤層６を熱圧着したものが電磁波シールド部材１たる電磁波シールド層５となる。熱圧着後に、熱硬化を促すこと等を目的として別途加熱処理を行うこともできる。

　電磁波シールド用積層体４を加熱プレスする際に、この電磁波シールド用積層体４とプレス基板４０との間に、必要に応じて、熱軟化性部材やクッション紙等を用いてもよい。

　熱圧着工程の温度および圧力は、電子部品３０の耐熱性、耐久性、製造設備あるいはニーズに応じて、導電性接着剤層６の被覆性が確保できる範囲においてそれぞれ独立に任意に設定できる。圧力範囲としては限定されないが、０．１～５．０ＭＰａ程度が好ましく、０．５～２．０ＭＰａの範囲がより好ましい。プレス基板４０をリリースすることにより図７に示すような製造基板が得られる。このようにして、電磁波シールド部材１により電子部品の天面および側面と基板の露出面とが被覆される。

　熱圧着工程の加熱温度は１００℃以上であることが好ましく、より好ましくは１１０℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上である。また、上限値としては、電子部品３０の耐熱性に依存するが、２２０℃であることが好ましく、２００℃であることがより好ましく、１８０℃であることがさらに好ましい。

　熱圧着時間は電子部品３０の耐熱性、電磁波シールド部材１に用いるバインダー樹脂、および生産工程等に応じて設定できる。バインダー樹脂前駆体として熱硬化性樹脂を用いる場合には、１分～２時間程度の範囲が好適である。なお、熱圧着時間は１分～１時間程度がより好ましい。この熱圧着により熱硬化性樹脂は、硬化する。但し、熱硬化性樹脂は、流動が可能であれば熱圧着前に部分的に硬化あるいは実質的に硬化が完了していてもよい。

　導電性接着剤層６の厚みは、電子部品３０の天面および側面および基板２０の露出面に被覆して、電磁波シールド層５を形成することが可能な厚みとする。用いるバインダー樹脂前駆体の流動性や、電子部品３０間の距離およびサイズにより変動し得るが、通常、１０～２００μｍ程度が好ましい。これにより、封止樹脂への被覆性を良好にしつつ、電磁波シールド性を効果的に発揮することができる。

　離形性クッション部材３は、軟化して導電性接着剤層６の被覆を促し、電子部品３０の天面および側面並びに基板２０の露出面を被覆する機能を有すると共に、剥離工程において離形性に優れる材料を用いることができる。離形性クッション部材３の上層に、必要に応じて、クッション材として機能する熱軟化性部材を用いてもよい。電磁波シールド部材１の被覆により、実施形態A1の例においては、基板２０内に形成されたグランドパターン２２と電磁波シールド部材１とが電気的に接続される（図７参照）。

　導電性接着剤層６は、バインダー樹脂前駆体と導電性フィラーを含有する。バインダー樹脂前駆体としては、熱可塑性樹脂、自己架橋性樹脂、複数種の反応性樹脂および硬化性樹脂と架橋剤の混合物を例示できる。これらは組み合わせて用いてもよい。バインダー樹脂前駆体として専ら熱可塑性樹脂を用いる場合には、架橋構造を有していないという意味において、バインダー樹脂前駆体とバインダー樹脂が実質的に同じといえる。

［ｄ］離形性クッション部材を剥離する工程：
　電磁波シールド部材１の上層に被覆されている離形性クッション部材３を剥離する。これにより、電子部品３０を被覆する電磁波シールド部材１を有する電子部品搭載基板５１を得る（図１、図２参照）。例えば、離形性クッション部材３の剥離は端部から人力で剥がしてもよく、離形性クッション部材３の外面を吸引して電磁波シールド部材１から引き剥がしてもよい。自動化による歩留まり向上の観点から吸引による剥離が好ましい。

［ｅ］個片化する工程：
　ダイシングブレード等の切削工具を用いて、電子部品搭載基板５１の個品の製品エリアに対応する位置でＸ方向およびＹ方向にダイシングする（図２参照）。これらの工程を経て、電子部品３０が電磁波シールド部材１で被覆され、且つ基板２０に形成されたグランドパターン２２と電磁波シールド部材１が電気的に接続された、個片化された電子部品搭載基板５１が得られる。ダイシングの方法は、個片化できればよく特に限定されない。ダイシングは基板２０側若しくは電磁波シールド用積層体４側から行われる。

　工程（ｄ）における離形性クッション部材３の剥離は、基板面に対して、例えば９０°の角度で剥離されるので、ハーフダイシング溝２５における離形性クッション部材３とハーフダイシング溝２５側面の電磁波シールド部材１の接触界面に大きな摩擦が生じる。このため、電磁波シールド部材１から離形性クッション部材３をきれいに剥離することが技術的に難しく、図２０を用いて説明したように、離形性クッション部材３がハーフダイシング溝２５に千切れて残渣が残る場合がある。この残渣は、個片化工程後にも位置によっては残存するので、信頼性低下を招来する。

　本実施形態A1によれば、電磁波シールド部材１のクルトシスを１～８とすることにより、電子部品搭載基板の電磁波シールド部材を形成する工程において、電子部品搭載基板に電磁波シールド用積層体を熱圧着した後に、電磁波シールド部材に対する離形性クッション部材の離形性を高められる。また、離形性クッション部材と共に電磁波シールド部材の一部が剥離されて、電磁波シールド部材の一部が損傷する現象を効果的に抑制できる。このため、信頼性の高い電子部品搭載基板を提供することができる。また、基板に搭載する電子部品の高さの設計自由度や、電子部品同士の間隙の幅の設計自由度を高めることが可能となる。

＜電磁波シールド用積層体＞
　実施形態A1の電磁波シールド用積層体は、図４において説明したように、電磁波シールド用部材２と離形性クッション部材３の２層からなる。実施形態A1においては、電磁波シールド用部材２は単層の導電性接着剤層６からなる。導電性接着剤層６は熱圧着工程を経て電子部品３０や基板２０と接合され、電磁波シールド層５として機能する。

（導電性接着剤層）
　導電性接着剤層６は、バインダー樹脂前駆体と導電性フィラーとを含有する樹脂組成物から形成された層である。バインダー樹脂前駆体は、少なくとも熱軟化性樹脂を含む。熱軟化性樹脂は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂および活性光線硬化性樹脂が例示できる。熱硬化性樹脂および活性光線硬化性樹脂は、通常、反応性官能基を有する。熱硬化性樹脂を用いる場合は、硬化性化合物や熱硬化助剤を併用できる。また、活性光線硬化性樹脂を用いる場合は光重合開始剤、増感剤等を併用できる。製造工程の簡便性からは、熱圧着時に硬化する熱硬化タイプが好ましい。
　また、自己架橋性樹脂や互いに架橋する複数の樹脂を用いてもよい。また、これらの樹脂に加えて熱可塑性樹脂を混合させてもよい。樹脂および硬化性化合物等の配合成分は、それぞれ独立に単独または複数の併用とすることができる。
　なお、導電性接着剤層６の段階で架橋が一部形成されてＢステージ（半硬化した状態）となっていてもよい。例えば、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の一部が反応して半硬化した状態が含まれていてもよい。

　熱軟化性樹脂の好適な例は、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレンエラストマー樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタンウレア樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネートイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、エポキシ系樹脂、エポキシエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスチレン、ポリエステルアミド樹脂およびポリエーテルエステル樹脂が挙げられる。リフロー時における過酷な条件で使用する場合の熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、エポキシエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ウレタンウレア系樹脂、およびポリアミドのうちの少なくとも１つを含んでいることが好ましい。

　これらの中でも、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、スチレンエラストマー樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂が好ましい。また、樹脂中に一般式（１）で表されるポリカーボネート骨格を有する樹脂が好ましい。
－R-O-CO-O－　　・・・一般式（１）
　式中、Rは２価の有機基である。
熱軟化性樹脂は、１種単独または任意の比率で２種以上を混合して用いることができる。

　ポリカーボネート骨格を有する樹脂としては、ポリカーボネート樹脂の他、ポリカーボネート骨格を有するポリウレタン樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が例示できる。例えば、ポリカーボネートイミド樹脂によれば、ポリイミド骨格を有することにより、耐熱性、絶縁性および耐薬品性を高めることができる。一方、ポリカーボネート骨格を有することにより、柔軟性、密着性を効果的に高めることができる。

　ポリカーボネートウレタン樹脂としては、１，６－ヘキサンジオール、３－メチル－１，５－ペンタンジオール、１，４－シクロヘキサンジメタノール、１，９－ノナンジオール、又は２－メチル－１，８－オクタンジオール等のジオール１種又は２種以上とをベースにしたポリカーボネートポリオールをポリオール成分として用いることができる。

　上記熱軟化性樹脂は、熱硬化性樹脂として、加熱による架橋反応に利用できる官能基を複数有していてもよい。官能基は、例えば、水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基、アミノ基、エポキシ基、オキセタニル基、オキサゾリン基、オキサジン基、アジリジン基、チオール基、イソシアネート基、ブロック化イソシアネート基、シラノール基等が挙げられる。

　硬化性化合物は、熱硬化性樹脂の反応性官能基と架橋可能な官能基を有している。硬化性化合物は、エポキシ化合物、酸無水物基含有化合物、イソシアネート化合物、ポリカルボジイミド化合物、アジリジン化合物、ジシアンジアミド化合物、芳香族ジアミン化合物等のアミン化合物、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物、有機金属化合物等が好ましい。硬化性化合物は、樹脂であってもよい。この場合、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の区別は、含有量の多い方を熱硬化性樹脂とし、含有量の少ない方を硬化性化合物として区別する。

　硬化性化合物は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して１～７０質量部含むことが好ましく、３～６５質量部がより好ましく、３～６０質量部が更に好ましい。硬化性化合物は、１種単独でまたは複数種を併用して用いることができる。

　熱可塑性樹脂の好適な例は、ポリエステル、アクリル系樹脂、ポリエーテル、ウレタン系樹脂、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエンゴム、ポリアミド、エステルアミド系樹脂、ポリイソプレン、およびセルロースが例示できる。粘着付与樹脂としては、ロジン系樹脂、テルペン系樹脂、脂環式系石油樹脂、および芳香族系石油樹脂等が例示できる。また、導電性ポリマーを用いることができる。導電性ポリマーとしては、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリンが例示できる。熱可塑性樹脂の好適な例は、ポリエステル、アクリル系樹脂、ポリエーテル、ウレタン系樹脂、スチレンエラストマー、ポリカーボネート、ブタジエンゴム、ポリアミド、エステルアミド系樹脂、ポリイソプレン、およびセルロースが例示できる。

　導電性フィラーは、金属フィラー、導電性セラミックス粒子およびそれらの混合物が例示できる。金属フィラーは、金、銀、銅、ニッケル等の金属粉、ハンダ等の合金粉、銀コート銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、金コートニッケル粉のコアシェル型粒子が例示できる。優れた導電特性を得る観点から、銀を含有する導電性フィラーが好ましい。コストの観点からは、銅粉を銀で被覆した銀コート銅粉が特に好ましい。

　銀コート銅における銀の含有量は、銀および銅の合計１００質量％中、３～２０質量％が好ましく、より好ましくは８～１７質量％であり、更に好ましくは１０～１５質量％である。コアシェル型粒子の場合、コア部に対するコート層の被覆率は、平均で６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましく、８０％以上がさらに好ましい。コア部は非金属でもよいが、導電性の観点からは導電性物質が好ましく、金属粒子がより好ましい。

　導電性フィラーとして、電磁波吸収フィラーを用いてもよい。例えば、鉄、Ｆｅ－Ｎｉ合金、Ｆｅ－Ｃｏ合金、Ｆｅ－Ｃｒ合金、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の鉄合金、Ｍｇ－Ｚｎフェライト、Ｍｎ－Ｚｎフェライト、Ｍｎ－Ｍｇフェライト、Ｃｕ－Ｚｎフェライト、Ｍｇ－Ｍｎ－Ｓｒフェライト、Ｎｉ－Ｚｎフェライト等のフェライト系物質並びに、カーボンフィラーなどが挙げられる。カーボンフィラーは、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、ファーネスブラック、カーボンブラック、カーボンファイバー、カーボンナノナノチューブからなる粒子、グラフェン粒子、グラファイト粒子およびカーボンナノウォールが例示できる。

　導電性接着剤層に用いる導電性フィラーの形状は、鱗片状粒子、デンドライト（樹枝）状粒子、針状粒子、プレート状粒子、ブドウ状粒子、繊維状粒子、球状粒子が例示できるが、所望のクルトシスの数値を調整する観点からは、針状粒子または／およびデンドライト状粒子の導電性フィラーを含有させることが好ましい。ここで、針状とは長径が短径の３倍以上のものをいい、いわゆる針形状の他、紡錘形状、円柱形状等も含む。また、デンドライト状とは、電子顕微鏡（５００～２０、０００倍）で観察した際に、棒状の主軸から複数の分岐枝が２次元的または３次元的に延在した形状をいう。デンドライト状には、前記分岐枝が折れ曲がったり、分岐枝から更に分岐枝が延在していてもよい。

　また、導電性フィラーとして鱗片状粒子を含有させることで、被覆性に優れた電磁波シールド部材を提供することができる。ここで鱗片状とは、薄片状、板状も含む。導電性フィラーは粒子全体として鱗片状であればよく、楕円状、円状または微粒子の周囲に切れ込み等が存在してもよい。

　導電性フィラーは、単独または混合して用いられる。導電性フィラーを併用する場合、所望のクルトシスを得て、信頼性の高い電磁波シールド部材を提供擦る観点から、鱗片状粒子およびデンドライト状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子および針状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子、デンドライト状粒子および針状粒子の組み合わせが好適である。特に好ましくは、鱗片状粒子と針状粒子の組み合わせである。

　導電性フィラーの含有量は、熱軟化性樹脂組成物層の固形分（１００質量％）中、４０～８５質量％であることが好ましく、５０～８０質量％がより好ましい。

　導電性接着剤層中の導電性フィラー１００質量％に対して、針状粒子または／およびデンドライト状粒子を５０質量％以下とすることが好ましい。より好ましくは０．５～４０質量％、更に好ましくは２～２７質量％である。５０質量％以下とすることで、離形性クッション部材の剥離性を高め、更に、耐擦傷性を効果的に高めることができる。

　針状粒子の平均粒子径Ｄ５０は２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。デンドライト状粒子の平均粒子径Ｄ５０の好ましい範囲も同様に、２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。鱗片状粒子の平均粒子径Ｄ５０は２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。

　平均粒子径Ｄ５０は、レーザー回折・散乱法により測定できる。具体的には、例えば、レーザー回折・散乱法粒度分布測定装置ＬＳ　１３３２０（ベックマン・コールター社製）を使用し、トルネードドライパウダーサンプルモジュールにて、各導電性微粒子を測定して得た数値であり、粒子の積算値が５０％である粒度の直径の平均粒径である。なお、屈折率の設定は１．６として測定する。電磁波シールド部材１中の各粒子の平均粒子径Ｄ５０は、走査型電子顕微鏡（SEM）を用いて１００個の粒径を測定し、度数分布を求めることができる。針状粒子およびデンドライト状粒子の場合、粒径は各粒子の最長の長さを用いる。

　デンドライト状粒子および／または針状粒子と、鱗片状粒子を併用することによって、導電性フィラー同士の接触点を多くし、シールド特性を向上させることができる。また、デンドライト状粒子および／または針状粒子の併用によって、バインダー成分との接触面積を増加させ、クルトシスの値を調整しやすくし、更に、耐擦傷性を高めることができる。従って、信頼性の高い電磁波シールド部材を提供できる。

　導電性接着剤層を構成する組成物には、さらに着色剤、難燃剤、無機添加剤、滑剤、ブロッキング防止剤等を含んでいてもよい。
　着色剤としては、例えば、有機顔料、カーボンブラック、群青、弁柄、亜鉛華、酸化チタン、黒鉛等が挙げられる。この中でも黒色系の着色剤を含むことでシールド層の印字視認性が向上する。
　難燃剤としては、例えば、ハロゲン含有難燃剤、りん含有難燃剤、窒素含有難燃剤、無機難燃剤等が挙げられる。
　無機添加剤としては、例えば、ガラス繊維、シリカ、タルク、セラミック等が挙げられる。
　滑剤としては、例えば、脂肪酸エステル、炭化水素樹脂、パラフィン、高級脂肪酸、脂肪酸アミド、脂肪族アルコール、金属石鹸、変性シリコーン等が挙げられる。
　ブロッキング防止剤としては、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ポリメチルシルセスキオサン、ケイ酸アルミニウム塩等が挙げられる。

　導電性接着剤層は、熱圧着により導電性フィラーが連続的に接触して導電性を有する層であればよく、熱圧着前の段階で必ずしも導電性を有していなくてもよい。導電性接着剤層は、上述した導電性フィラーと、バインダー樹脂前駆体を含有する組成物を混合攪拌し、離形性基材上に塗工後乾燥することで形成することができる。また離形性クッション部材３に直接塗工し乾燥する方法でも形成することができる。

　導電性接着剤層の塗液を塗工後、乾燥して離形性基材上に導電性接着剤層を形成する。乾燥工程は、加熱（例えば、８０～１２０℃）を行うことが好ましい。電磁波シールド部材のクルトシスを調整するために、塗液を塗工後、加熱乾燥前に２５℃（室温）・常圧で乾燥を１～１０分行うことが好ましい。より好ましい加熱乾燥前の２５℃（室温）での乾燥時間は２～６分である。加熱乾燥前に室温で乾燥するプロセスを設けることにより、クルトシスの値を調整することができる。

　塗液の粘度と加熱乾燥前の２５℃での乾燥時間が電磁波シールド部材１のクルトシスに与える影響について、図９の模式図を用いて説明する。同図に示すように、離形性基材１５上に導電性接着剤層６を形成するために塗液を塗布する。溶剤が含まれている乾燥途上の導電性接着剤層６Ｐが得られる。

　加熱途上の導電性接着剤層６Ｐに対し、２５℃での乾燥時間を長く設定することにより、図９に示すように、溶剤の蒸発速度が遅い状態を意図的に長くし、それによってバインダー樹脂前駆体１０の下方への沈み込みを促すことができる。一方、２５℃での乾燥時間を短く設定することにより、図９に示すようにバインダー樹脂前駆体１０の下方への沈み込みを抑え、その段階で加熱乾燥することによって導電性フィラー１１が立ち上がり易くなる。また、溶剤の蒸発に伴う発泡が生じやすくなり、表面が荒れる傾向となる。

　前記塗液の固形分は、電磁波シールド部材１のクルトシスの値を１～８とするために２０～５０％とすることが好ましい。また、電磁波シールド部材のクルトシスを調整するために、前記塗液のＢ型粘度計で測定した塗液粘度を２００～５０００ｍＰａ・ｓの範囲とすることが好ましい。更に、電磁波シールド部材のクルトシスを調整するために、前記塗液のチキソトロピーインデックスを１．２～２．０とすることが好ましい。なお、図９および後述する図１０の導電性フィラー１１は鱗片状粒子であり、図は主面に対する平面視ではなく、厚み方向の切断部断面図を示している。

　クルトシスの値は、導電性接着剤層を形成するための塗液の粘度によっても変わる。塗液の粘度が高い方が導電性フィラーの流動性が抑えられる傾向にある。このため、粘度が高い場合、導電性フィラー１１は配向せずランダムとなる傾向がある。一方、粘度が低い場合、鱗片状粒子は基板面に対して、主面が凡そ対向するように配向する傾向がある。また、２５℃での乾燥時間を短くして加熱乾燥を行うと、粘度が高いと発泡による表面荒れが大きくなる傾向にあり、粘度が低いと導電性フィラーが縦方向に移動しやすい傾向となる。
　このように、塗液の粘度および２５℃での乾燥時間を調整することにより、クルトシスを調整することができる。

　また、電磁波シールド部材１のクルトシスは、デンドライト状粒子および／または針状粒子の粒子径によっても調整することができる。デンドライト状粒子または／および針状粒子の粒子径が電磁波シールド部材１のクルトシスに与える影響について、図１０の模式的説明図を用いて説明する。図９と同様に、離形性基材１５上に導電性接着剤層６を形成するために塗液を塗布することにより、乾燥途上の導電性接着剤層６Ｐが得られる。図１０において、図９と共通する部材や成分は同一の符号を付す。図１０に示すように、導電性フィラーの一種であるデンドライト状粒子１２の平均粒子径Ｄ５０が小さいとクルトシスの値が低下する傾向にあり、逆に、デンドライト状粒子１２の平均粒子径Ｄ５０が大きいとクルトシスの値が大きくなる傾向にある。導電性接着剤層６の厚みによるが、クルトシスの値を小さくしたい場合には、例えば平均粒子径Ｄ５０を２～５μｍ、クルトシスの値を大きくしたい場合には、例えば、平均粒子径Ｄ５０を２０～５０μｍ、これらの中間値に設定したい場合には、平均粒子径Ｄ５０を５μｍ越え、２０μｍ未満に設定することができる。

　また、電磁波シールド部材１のクルトシスを調整するために、電磁波シールド用部材２の最表層である導電性接着剤層６を形成するための導電性接着剤組成物を塗工・乾燥した後に、コロナ処理やプラズマ処理を行うことが好ましい。コロナ処理は、コロナ放電電子の照射量が１～１，０００Ｗ／ｍ^２／ｍｉｎであることが好ましく、１０～１００Ｗ／ｍ^２／ｍｉｎとすることがより好ましい。

　電磁波シールド部材１のクルトシスは、熱圧着前の電磁波シールド用部材２を形成する組成物において針状またはデンドライト状の導電性フィラーの添加量を多くすることによりその数値を調整することができる。また、電磁波シールド部材１のクルトシスは、導電性フィラーの平均粒子径Ｄ５０およびＤ９０によっても調整することができる。

　実施形態A1においては、電磁波シールド用部材２は導電性接着剤層６の単層からなるので、この導電性接着剤層６上に離形性クッション部材３を積層する。積層方法はラミネートによる方法等がある。

　離形性基材は、片面あるいは両面が離形性のある基材であり、１５０℃における引張破断歪が５０％未満のシートである。離形性基材は例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、硬質ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリブテン、軟質ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリウレタン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル等のプラスチックシート等、グラシン紙、上質紙、クラフト紙、コート紙等の紙類、各種の不織布、合成紙、金属箔や、これらを組み合わせた複合フィルムなどが挙げられる。

（離形性クッション部材）
　離形性クッション部材は、導電性接着剤層の電子部品への追従性を促すクッション材として機能し、且つ離形性があるシートである。つまり、熱圧着工程後に電磁波シールド部材１から剥離可能な層である。また、１５０℃における引張破断歪が５０％以上で、熱圧着時に溶融する層であることが好ましい。

　なお、離形性基材および離形性クッション部材３の引張破断歪は以下の方法によって求めた値である。離形性基材および離形性クッション部材を幅２００ｍｍ×長さ６００ｍｍの大きさに切断し測定試料とした。測定試料について小型卓上試験機ＥＺ－ＴＥＳＴ（島津製作所社製）を用いて、温度２５℃、相対湿度５０％の条件下で引っ張り試験（試験速度５０ｍｍ／ｍｉｎ）を実施した。得られたＳ－Ｓ曲線（Ｓｔｒｅｓｓ－Ｓｔｒａｉｎ曲線）から引張破断歪（％）を算出した。

　離形性クッション部材３としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスチレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、環状オレフィンポリマー、シリコーンが好ましい。この中でも埋め込み性と剥離性を両立する観点から、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリブチレンテレフタレート、シリコーンがさらに好ましい。離形性クッション部材は、単層で用いても複層で用いてもよい。複層とする場合、同一または異なる種類のシートを積層できる。

　離形性クッション部材３と導電性接着剤層６の積層方法は特に限定されないが、これらのシートをラミネートする方法が挙げられる。離形性クッション部材３は最終的には剥離するので、離形性の優れた材料が好ましい。離形性クッション部材の厚みは、例えば５０μｍ～３ｍｍ程度であり、１００μｍ～１ｍｍ程度がより好ましい。

［実施形態A2］
　次に、実施形態A1とは異なる電子部品搭載基板の例について説明する。実施形態A2に係る電子部品搭載基板は、電磁波シールド部材が２層の電磁波シールド層からなっている点において、単層の電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材を用いた実施形態A1と相違するが、その他の基本的な構成および製造方法は実施形態A1と同様である。なお、実施形態A1と重複する記載は適宜省略する。

　実施形態A2の電磁波シールド部材は、図１１に示すように、第１導電性接着剤層６ａ１および第２導電性接着剤層６ａ２の２層からなる導電性接着剤層６ａである電磁波シールド用部材２ａと、離形性クッション部材３ａからなる電磁波シールド用積層体４ａを用いて形成される。この電磁波シールド用積層体４ａを熱圧着することにより、電子部品が搭載された基板上に第１電磁波シールド層と第２電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材が被覆される。２層の電磁波シールド層により構成することで、電磁波シールド部材の設計自由度を高めることができる。上層の第２導電性接着剤層６ａ２は実施形態A1と同様の組成や工程により製造し、下層の第１導電性接着剤層６ａ１は、クルトシスの範囲に限定されずにニーズに応じた設計とすることができる。例えば、第１導電性接着剤層６ａ１に含まれる導電性フィラーとして、繊維状粒子、球状粒子等のフィラーを用いた層としたりすることができる。また、第１導電性接着剤層６ａ１を異方導電性接着剤層、第２導電性接着剤層６ａ２を等方導電性接着剤層とする等の設計とすることも可能である。また、電磁波反射層と電磁波吸収層の積層体とする態様も好ましい。電磁波シールド層を３層以上積層してもよい。

　実施形態A2に係る電子部品搭載基板によれば、２層の電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材を用いることにより、実施形態A1と同様の効果が得られる。また、電磁波シールド層を２層積層したことにより各層の設計自由度を高められるので、ニーズに応じた電磁波シールド部材を提供しやすいというメリットがある。

［実施形態A3］
　実施形態A3に係る電子部品搭載基板は、電磁波シールド部材が電磁波シールド層とハードコート層の積層体からなっている点において、単層の電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材を用いた実施形態A1と相違するが、その他の基本的な構成および製造方法は同様である。

　実施形態A3に係る電磁波シールド部材は、図１２に示すように、１層の導電性接着剤層６ｂと絶縁性樹脂層７ｂの積層体である電磁波シールド用部材２ｂおよび離形性クッション部材３ｂからなる電磁波シールド用積層体４ｂを用いて形成される。この電磁波シールド用積層体４ｂを熱圧着することにより、電子部品が搭載された基板上に導電性接着剤層６ｂから形成された電磁波シールド層と絶縁性樹脂層７ｂから形成されたハードコート層とからなる電磁波シールド部材が得られる。実施形態A3に係る電磁波シールド部材は、ハードコート層側から測定したときのクルトシスを１～８とする。

　絶縁性樹脂層７ｂはバインダー樹脂前駆体と無機フィラーを含有する樹脂組成物から形成された層である。バインダー樹脂前駆体は、少なくとも熱軟化性樹脂を含む。熱軟化性樹脂の例示、およびバインダー樹脂前駆体の例示および好適例は、実施形態A1で述べた電磁波シールド用部材の導電性接着剤層の組成と同じである。導電性接着剤層と絶縁性樹脂層のバインダー樹脂前駆体は同一であっても異なっていてもよい。

　無機フィラーは、実施形態A1の導電性接着剤層と異なり導電性を有していないが、好ましい無機フィラーの特性、例えば形状・配合量・Ｄ５０・Ｄ９０等は導電性フィラーで挙げた例と同じである。無機フィラーとしては、例えば、シリカ、アルミナ、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、酸化マグネシウム、タルク、カオリナイト、マイカ、塩基炭酸マグネシウム、セリサイト、モンモロリナイト、カオリナイト、ベントナイト等の無機化合物が挙げられる。

　熱軟化性樹脂組成物、および熱軟化性樹脂組成物層は、必要に応じて着色剤、シランカップリング剤、イオン捕集剤、酸化防止剤、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、レベリング調整剤、難燃剤等を含むことができる。

　実施形態A3に係る電子部品搭載基板によれば、ハードコート層を有する電磁波シールド部材を用いることにより、実施形態A1で述べた効果に加え、電磁波シールド層をハードコート層で被覆することにより優れた耐久性を有する電磁波シールド部材を提供できる。

［実施形態A4］
　実施形態A4に係る電子部品搭載基板は、電磁波シールド部材が電磁波シールド層と絶縁被覆層の積層体からなる点において、単層の電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材を用いた実施形態A1と相違するが、その他の基本的な構成および製造方法は実施形態A1と同様である。

　実施形態A4に係る電磁波シールド部材は、図１３に示すように、絶縁性接着剤層８ｃと導電性接着剤層６ｃの積層体である電磁波シールド用部材２ｃおよび離形性クッション部材３ｃからなる電磁波シールド用積層体４ｃを用いて形成される。

　実施形態A4においては、個片化工程を行わない若しくは個片化済みの、複数の電子部品（例えば半導体パッケージ）が形成された基板上に、電磁波シールド部材を被覆する例について説明する。図１４Ａに示すように、基板２０との接続端子として機能するはんだボール２４を有する電子部品３０が搭載された基板２０の上方に、電磁波シールド用積層体４ｃを配置し、離形性クッション部材３ｃ側から電子部品３０が搭載された基板２０に熱圧着を行う（図１４Ｂ）。その後、離形性クッション部材３ｃを剥離することにより、図１４Ｃの電磁波シールド部材１ｃが積層された電子部品搭載基板５３が得られる。

　得られた電子部品搭載基板５３は、電磁波シールド層５ｃの上面からＧＮＤを取ることが可能である。この方法に代えて、基板２０上にグランドパターンを設け、このグランドパターンと電磁波シールド層５ｃを導通させるために、グランドパターン上に、絶縁被覆層９ｃを突き破り、電磁波シールド層５ｃと導通する導電性のコネクタ部を設けてもよい。

　実施形態A4では、個片化工程が不要の電子部品搭載基板の製造方法の一例について説明したが、マザー基板上に、図１４Ｃの製品単位のユニットをアレイ状に形成し、電磁波シールド用積層体４ｃを載置して熱圧着して電磁波シールド層を形成し、その後、個片化工程を行うことにより、図１４Ｃに示す電子部品搭載基板を得ることもできる。

　絶縁性接着剤層８ｃは、バインダー樹脂前駆体を含有する樹脂組成物から形成された層である。バインダー樹脂前駆体は、少なくとも熱軟化性樹脂を含む。バインダー樹脂前駆体の例示および好適例は、実施形態A1で述べた導電性接着剤層のバインダー樹脂前駆体が挙げられる。絶縁性接着剤層８ｃと導電性接着剤層６ｃのバインダー樹脂前駆体は同一であっても異なっていてもよい。

　熱軟化性樹脂組成物および熱軟化性樹脂組成物層は、必要に応じて着色剤、シランカップリング剤、イオン捕集剤、酸化防止剤、粘着付与樹脂、可塑剤、紫外線吸収剤、レベリング調整剤、難燃剤、無機フィラー等を含むことができる。

　実施形態A4に係る電子部品搭載基板によれば、絶縁被覆層９ｃを有する電磁波シールド部材１ｃを用いることにより、実施形態A1で述べた効果に加え、グランドパターン以外の回路または電極パターン等の導体部と電磁波シールド部材との短絡を防ぎ、電子部品と電磁波シールド層の接合信頼性を高めることができる。また、電子部品の絶縁信頼性を高めることができる。従って、優れた耐久性を有する電磁波シールド部材を提供できる。その結果、優れた電磁波シールド性を有する電子部品搭載基板を提供できる。また、基板全体に一括でシールド層を形成できるので、製造工程が簡便であり、シールド缶等に比べて顕著に厚みを縮小できるというメリットがある。

　なお、実施形態A4において、絶縁被覆層９ｃは主として電子部品と電磁波シールド部材との接合を強化するために用いる例を挙げたが、絶縁被覆層９ｃを封止材に適用することもできる。絶縁被覆層９ｃを封止材に適用する場合、半導体チップ等の封止工程と電磁波シールド部材の被覆を同一工程で行うことができるというメリットがある。即ち、実施形態A4に係る電磁波シールド部材は、絶縁体におり一体的に被覆されていない電子部品に対して適用し、絶縁性接着剤層から封止材（モールド樹脂）に対応する絶縁被覆層を得ることもできる。この場合、電子部品の側面に電磁波シールド部材を被覆するために、電子部品に対応する凹部がアレイ状に形成されたプレス板（電子部品の間隙に電磁波シールド部材を埋め込む凸部が形成されたプレス板）を用いてもよい。

［実施形態A5］
　実施形態A5に係る電子部品搭載基板は、電磁波シールド層とグランドパターンが直接接触して導通しており、電磁波シールド用積層体の内部層に位置する導電性接着剤層が、当該積層体の段階で露出している領域を有する電磁波シールド用積層体を用いる。この露出領域は、基板等に形成されたグランドパターン等の導電パターンと電磁波シールド層が接触して導通するために設けられている。実施形態A5は、これらの点において実施形態A4と相違するが、その他の基本的な構成および製造方法は同様である。

　実施形態A5に係る電磁波シールド用積層体は、積層構成は実施形態A4と同様であるが、図１５Ａに示すように、基板２０上に形成されたグランドパターン２２を被覆する領域に対応する位置の電磁波シールド用積層体４ｄにおいて導電性接着剤層６ｄが露出している。具体的には、絶縁性接着剤層８ｄ側からの上面視において、導電性接着剤層６ｄの露出領域が設けられている。図１５Ａの電磁波シールド用積層体４ｄの例では、絶縁性接着剤層８ｄのサイズを電磁波シールド用積層体４ｄのサイズよりも一回り小さくし、電磁波シールド用積層体４ｄの額縁領域において導電性接着剤層６ｄが露出するようにする。係る構成により、図１５Ｂ、図１５Ｃに示すように、熱圧着によりグランドパターン２２と電磁波シールド層５ｄとが接触して導通した電子部品搭載基板５４が得られる。電磁波シールド用積層体４ｄにおける導電性接着剤層６ｄの露出部の位置は、図１５Ａの例に限定されず、露出部を開口パターンとして形成してもよい。

[[実施形態Ｂ]]
　以下、実施形態Ｂに係る電子部品搭載基板の具体例について説明する。
［実施形態B1］
＜電子部品搭載基板＞
　実施形態B1の電子部品搭載基板は、上記実施形態Ａで特定する電磁波シールド部材に代えて上記実施形態Ｂで特定する電磁波シールド部材を用いる。実施形態B1の電子部品搭載基板およびその製造方法は、実施形態Ｂに係る電磁波シールド部材を用いている点、および別途記載している点を除き、基本的な構成および製造方法は実施形態A1と共通する。このため、重複する部分の説明は適宜省略する。

　実施形態B1に係る電子部品搭載基板の基本構成の好適例として、前述した図１～図１０で説明した実施形態A1の電子部品搭載基板の基本構成が例示できる。以下、これらの図を用いて実施形態B1の特徴部について説明する。

＜電磁波シールド部材＞
　実施形態B1に係る電磁波シールド部材１は、実施形態A1で説明したように、基板２０上に搭載された電子部品３０の天面に電磁波シールド用積層体を載置して熱圧着により電子部品３０および基板２０を被覆することにより得られる。電磁波シールド部材１の被覆態様は、実施形態A1と同様であるので省略する。

　実施形態B1の電磁波シールド部材１は、実施形態A１と同様に、電磁波シールド用積層体を用いて形成することができる。そして、図４に示すように、電磁波シールド用積層体４は、電磁波シールド用部材２と離形性クッション部材３からなる。この電磁波シールド用部材２は、実施形態A1と同様に導電性接着剤層６の単層からなる。導電性接着剤層６は熱圧着により電子部品３０および基板２０に接合されて電磁波シールド層５が形成される。実施形態A1においては、この電磁波シールド層５が電磁波シールド部材１として機能する。
　実施形態B1の電磁波シールド用部材２は、実施形態A1で説明したように、２層以上の導電性接着剤層の積層体から形成したり、導電性接着剤層とハードコート層の積層体から形成したり、絶縁性接着剤層と導電性接着剤層の積層体から形成したりする等、他の層の積層体から形成してもよい。
　実施形態B1の電磁波シールド層５には、バインダー樹脂と導電性フィラーが含まれる。電磁波シールド層５中の導電性フィラーは連続的に接触されており導電性を示す。電磁波シールド性を高める観点から電磁波シールド層５のシート抵抗値は１Ω／□以下が好ましい。

　実施形態B1の電磁波シールド部材１は、その押込み弾性率を１～１０ＧＰａとする。押し込み弾性率をこの範囲にすることにより、電磁波シールド部材１の応力に対する局所的な微小変形を抑制することが可能となり、その結果として電磁波シールド部材１のバリ発生による損傷を効果的に抑制できる。更に、ＰＣＴ耐性に優れるので、リフロー工程後の密着性低下を効果的に抑制できる。このため、品質の高い電子部品搭載基板を提供できる。

　実施形態B1の電磁波シールド部材１の押込み弾性率を１ＧＰａ以上とすることにより、切断工程におけるダイシングブレード等の切削工具から受ける応力に対して電磁波シールド部材１の変形を抑制し、製造工程により生じる電磁波シールド部材１のバリ（図２３の（ｉ）参照）を効果的に抑制できる。なお、本明細書でいうバリとは、電磁波シールド部材１の切断面を基点とした電磁波シールド部材の捲れをいう。

　実施形態B1の電磁波シールド部材１の押込み弾性率は、熱圧着前の後述する電磁波シールド用積層体４中の電磁波シールド用部材２の組成物により調整することができる。より具体的には電磁波シールド部材１を形成するための、熱圧着前の電磁波シールド用部材２の組成物中のバインダー樹脂前駆体の種類、各成分の配合量等によって調整できる。具体的には、押込み弾性率は、フィラーの含有量が多くなる程大きくなる傾向がある。また、バインダー樹脂前駆体として用いる樹脂の官能基数や硬化性化合物の含有量を増やすことによっても押込み弾性率が大きくなる傾向にある。また、バインダー樹脂の硬さが高いほど押込み弾性率が大きくなる傾向にある。従って、バインダー樹脂を形成するためのバインダー樹脂前駆体の種類、或いはバインダー樹脂の架橋密度を適切にすることが好適である。架橋密度は、樹脂および硬化性化合物の種類や官能基数によって容易に調整できる。

　なお、押込み弾性率は外部応力による材料の変形に対する性質を表しているヤング率と考えることもできる。本明細書の「押込み弾性率」は、後述する実施例で記載した測定方法および測定条件によって得られる値をいう。

　実施形態B1の電磁波シールド部材１の押込み弾性率のより好ましい範囲は１．５ＧＰａ越え、８ＧＰａ以下であり、更に好ましい範囲は２ＧＰａ以上、７．４ＧＰａ以下である。

　実施形態B1の電磁波シールド部材１の膜厚は、用途により適宜選定できる。薄型化が求められている用途には、電子部品の上面を被覆する電磁波シールド部材１の厚みＴ１及びＴ２は、例えば１０～２００μｍ程度にすることができる。

　電子部品３０上に製品情報が刻印されることがある。その場合、電子部品３０に刻印した後に電磁波シールド部材１を形成する方法、電子部品３０に電磁波シールド部材１を形成した後に電磁波シールド部材に刻印する方法がある。いずれの場合にも、高いシールド性を保ちながらその刻印の良好な視認性が求められる。両特性を満足させる観点から、電磁波シールド部材の膜厚Ｔ１は１０μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がより好ましい。後者の刻印方法、即ち、電磁波シールド部材上に刻印する場合、電磁波シールド部材の膜厚の上限はない。一方、前者の刻印方法、即ち、電子部品に直接刻印する場合、刻印の視認性を保つために電磁波シールド部材の膜厚Ｔ１の上限は５０μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がより好ましい。

　実施形態B1の電磁波シールド部材１の表層の水接触角は７０～１１０°とすることが好ましい。この範囲とすることにより、製造工程時の電磁波シールド層の損傷をより効果的に抑制することができる。また、電子部品３０のハーフダイシング溝２５に形成された溝状の凹部に充填された離形性クッション部材を電磁波シールド部材１から剥がす際にバリの発生を抑制できる。電磁波シールド部材の水接触角のより好ましい範囲は７５～１０５°であり、更に好ましい範囲は８０～１００°である。電磁波シールド部材の水接触角は、電磁波シールド部材を形成する組成物において表面調整剤の添加量によりその数値を調整することができる。電磁波シールド部材１における表面調整剤の添加量が増えるにつれて水接触角の値が大きくなる傾向にある。

　プレッシャークッカー（以下、ＰＣＴともいう）試験耐性をより優れたものとするためには、実施形態B1の電磁波シールド部材１のマルテンス硬さを５０Ｎ／ｍｍ^２以上の範囲とすることが好ましい。電磁波シールド部材１の押込み弾性率を１～１０ＧＰａの範囲とし、更にマルテンス硬さ５０Ｎ／ｍｍ^２以上を組み合わせることにより、プレッシャークッカー試験後の密着性がより優れたものとなる。その結果、リフロー後においても密着性に優れた電磁波シールド部材１を提供できる。マルテンス硬さは６０Ｎ／ｍｍ^２以上がより好ましく、７０Ｎ／ｍｍ^２以上が更に好ましい。

　マルテンス硬さは、導電性フィラーおよびバインダー成分の硬さにより調整できる。バインダー成分の硬さは、主として熱硬化性樹脂と硬化性化合物の硬化物の硬さによる。具体的には、鱗片状粒子の添加によりマルテンス硬さが大きくなる傾向にあり、球状、デンドライト状粒子の添加によりマルテンス硬さが低くなる傾向にある。また、導電性フィラー量が多くなるとマルテンス硬さは大きくなる傾向にある。また、硬化後の樹脂の硬さが高いほど、マルテンス硬さも硬くなる。

　製造方法については後述するが、電子部品３０を搭載した基板２０に電磁波シールド用積層体４を熱圧着後、電磁波シールド部材１から離形性クッション部材を剥離する際の離形性を高める観点からは、電磁波シールド部材１の表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定したクルトシスを８以下とすることが好ましい。８以下にすることにより、電磁波シールド部材１の表面形状の尖り度が適切なものとなり、離形性クッション部材３と電磁波シールド部材１との剥離が容易となると考えられる。その結果、電子部品同士の間隙のハーフダイシング溝２５に離形性クッション部材３が千切れて残渣として残存する現象を効果的に抑制できる。なお、本明細書で千切れとは、離形性クッション部材を剥離する際に千切れて、電子部品の間隙である溝に残存してしまった離形性クッション部材をいう。

　また、耐擦傷性を高める観点からは、実施形態B1の電磁波シールド部材１のクルトシスを１以上にすることが好ましい。１以上にすることにより、スチールウール耐性を向上させることができる。電磁波シールド部材のクルトシスのより好ましい範囲は１．５～６．５であり、更に好ましい範囲は２～４である。なお、電磁波シールド部材１の表面のクルトシスの調整方法は、実施形態A1で述べた通りである。

　実施形態B1の電磁波シールド部材１の表面の二乗平均平方根高さＲｑは０．４～１．６μｍの範囲とすることが好ましく、０．５～１．５μｍとすることがより好ましく、０．７～１．２μｍとすることが更に好ましい。本明細書において、クルトシスと二乗平均平方根高さは、後述する実施例に記載の方法により求めた値をいう。

＜電子部品搭載基板の製造方法＞
　実施形態B1の電磁波シールド部材１の製造方法は、基本的には実施形態A1の電磁波シールド部材１の製造方法と同一である。工程（ｃ）において、ＰＣＴ後のテープ密着性を高める観点からは、電磁波シールド層５を構成するバインダー樹脂は３次元架橋構造が構築されていることが好ましい。工程（ｅ）の個片化する工程でダイシングを行う場合、ダイシングによる摩擦熱を冷却し、且つダイシングによって発生するダイシング屑を洗い流すために高圧水洗することがある。実施形態Ｂに係る電子部品搭載基板５１においては、押込み弾性率を１～１０ＧＰａにすることにより高圧水洗の衝撃による電磁波シールド部材１の剥離を著しく改善することができる。

＜電磁波シールド用積層体＞
　実施形態B1の電磁波シールド用積層体は、図４において説明したように、電磁波シールド用部材２と離形性クッション部材３の２層からなる。実施形態B1においては、電磁波シールド用部材２は単層の導電性接着剤層６からなる。導電性接着剤層６は熱圧着工程を経て電子部品３０や基板２０と接合され、電磁波シールド層５として機能する。

　熱軟化性樹脂の好適な例は、実施形態A１と同様である。上記熱軟化性樹脂は、熱硬化性樹脂として、加熱による架橋反応に利用できる官能基を複数有していてもよい。官能基の具体例は、実施形態A１と同様である。

　硬化性化合物は、熱硬化性樹脂の反応性官能基と架橋可能な官能基を有している。架橋することで密着性をより強固にし、耐水性も向上させることができる。硬化性化合物は、エポキシ化合物、酸無水物基含有化合物、イソシアネート化合物、ポリカルボジイミド化合物、アジリジン化合物、ジシアンジアミド化合物、芳香族ジアミン化合物等のアミン化合物、フェノールノボラック樹脂等のフェノール化合物、有機金属化合物等が好ましい。硬化性化合物は、樹脂であってもよい。この場合、熱硬化性樹脂と硬化性化合物の区別は、含有量の多い方を熱硬化性樹脂とし、含有量の少ない方を硬化性化合物として区別する。

　上記エポキシ化合物は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物である。エポキシ化合物の性状としては、液状および固形状を問わない。エポキシ化合物としては、例えば、グリジシルエーテル型エポキシ化合物、グリジシルアミン型エポキシ化合物、グリシジルエステル型エポキシ化合物、環状脂肪族（脂環型）エポキシ化合物等が好ましい。

　グリシジルエーテル型エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ビスフェノールＡＤ型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、α－ナフトールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールＡ型ノボラック型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物、テトラブロムビスフェノールＡ型エポキシ化合物、臭素化フェノールノボラック型エポキシ化合物、トリス（グリシジルオキシフェニル）メタン、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン等が挙げられる。

　グリシジルアミン型エポキシ化合物としては、例えば、テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジルパラアミノフェノール、トリグリシジルメタアミノフェノール、テトラグリシジルメタキシリレンジアミン等が挙げられる。

　グリシジルエステル型エポキシ化合物としては、例えば、ジグリシジルフタレート、ジグリシジルヘキサヒドロフタレート、ジグリシジルテトラヒドロフタレート等が挙げられる。

　環状脂肪族（脂環型）エポキシ化合物としては、例えば、エポキシシクロヘキシルメチル－エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（エポキシシクロヘキシル）アジペート等が挙げられる。また、液状のエポキシ化合物を好適に用いることができる。

　イミダゾール化合物は、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２，４－ジメチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられ、更にはイミダゾール化合物とエポキシ樹脂を反応させて溶剤に不溶化したタイプ、またはイミダゾール化合物をマイクロカプセルに封入したタイプ等の保存安定性を改良した潜在性硬化促進剤が挙げられるが、これらの中でも、導電性接着剤層の熱溶融後に硬化を開始させる観点から潜在性硬化促進剤が好ましい。

　硬化性化合物の構造、分子量は用途に応じて適宜設計できる。押込み弾性率を１～１０ＧＰａの範囲に調整して、バリを効果的に抑制する観点からは、分子量の異なる２種類以上の硬化性化合物を用いることが好ましい。第一硬化性化合物と第二硬化性化合物を用いることにより、電磁波シールド層の引張破断歪を高める効果もある。

　硬化性化合物は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して１～７０質量部含むことが好ましく、３～６５質量部がより好ましく、３～６０質量部が更に好ましい。第一硬化性化合物と第二硬化性化合物を併用する場合には、第一硬化性化合物を熱硬化性樹脂１００質量部に対して５～５０質量部含むことが好ましく、１０～４０質量部含むことがより好ましく、２０～３０質量部含むことが更に好ましい。一方、第二硬化性化合物を熱硬化性樹脂１００質量部に対して０～４０質量部含むことが好ましく、５～３０質量部含むことがより好ましく、１０～２０質量部含むことが更に好ましい。

　熱可塑性樹脂の好適な例は、実施形態A1と同様である。また、導電性フィラーは、金属フィラー、導電性セラミックス粒子およびそれらの混合物が例示できる。金属フィラーの好適例は、実施形態A1と同様である。また、前述した銀コート銅における銀の含有量も実施形態A1と同様である。更に、コアシェル型粒子の場合、コア部に対するコート層の被覆率の好適範囲も実施形態A1と同様である。コア部は非金属でもよいが、導電性の観点からは導電性物質が好ましく、金属粒子がより好ましい。

　導電性フィラーとして、電磁波吸収フィラーを用いてもよく、その具体例は実施形態A1と同様である。

　導電性接着剤層に用いる導電性フィラーの形状は、鱗片状粒子、デンドライト（樹枝）状粒子、針状粒子、プレート状粒子、ブドウ状粒子、繊維状粒子、球状粒子が例示できる。クルトシスの数値を調整する観点からは、針状粒子または／およびデンドライト状粒子の導電性フィラーを含有させることが好ましい。ここで、針状とは長径が短径の３倍以上のものをいい、いわゆる針形状の他、紡錘形状、円柱形状等も含む。また、デンドライト状とは、電子顕微鏡（５００～２０、０００倍）で観察した際に、棒状の主軸から複数の分岐枝が２次元的または３次元的に延在した形状をいう。デンドライト状には、前記分岐枝が折れ曲がったり、分岐枝から更に分岐枝が延在していてもよい。

　また、導電性フィラーとして鱗片状粒子を含有させることで、被覆性に優れた電磁波シールド部材を提供することができる。ここで鱗片状とは、薄片状、板状も含む。導電性フィラーは粒子全体として鱗片状であればよく、楕円状、円状または微粒子の周囲に切れ込み等が存在してもよい。鱗片状粒子はマルテンス硬さが大きくなる傾向にあり、球状、樹枝状粒子はマルテンス硬さが低くなる傾向にある。また、導電性フィラー量が多くなるとマルテンス硬さは大きくなる傾向にある。また、硬化後の樹脂の硬さが高いほど、マルテンス硬さも硬くなる。

　導電性フィラーは、単独または混合して用いられる。例えば、鱗片状粒子と球状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子とデンドライト状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子と針状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子、デンドライト状粒子および針状粒子の組み合わせが例示できる。これらに更にナノサイズの球状粒子を併用してもよい。

　また、デンドライト状粒子または／および針状粒子を併用することによって、導電性フィラー同士の接触点を多くし、シールド特性を向上させることができる。また、デンドライト状粒子または／および針状粒子の併用によって、バインダー成分との接触面積を増加させることができるので高品質の電磁波シールド部材を提供できる。

　導電性接着剤層中の導電性フィラー１００質量％に対して、針状粒子または／およびデンドライト状粒子を５０質量％以下含有させることが好ましい。より好ましくは０．５～４０質量％、更に好ましくは１～３５質量％、特に好ましくは１～３０質量％である。５０質量％以下含有させることで、耐擦傷性のより優れた電磁波シールド部材を提供することができる。

　鱗片状粒子の平均粒子径Ｄ５０は、２～１００μｍが好ましい。鱗片状粒子に、ナノサイズの導電性フィラーを混合してもよい。

　針状粒子の平均粒子径Ｄ５０は２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。デンドライト状粒子の平均粒子径Ｄ５０の好ましい範囲も同様に、２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。鱗片状粒子の平均粒子径Ｄ５０は２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。鱗片状粒子とデンドライト状粒子を併用することにより、表面光沢度を最適化し、電磁波シールド層に文字を直接印刷した場合に、印字視認性を高めることができる。

　平均粒子径Ｄ５０の測定方法等は、実施形態A1で述べた通りである。導電性接着剤層を構成する組成物には、実施形態A1で述べた添加剤（着色剤、難燃剤、無機添加剤、滑剤、ブロッキング防止剤等）を含んでいてもよい。それぞれの具体例は、実施形態A1と同様である。

　導電性接着剤層の塗液を塗工後、乾燥して離形性基材上に導電性接着剤層を形成する。乾燥工程は、加熱（例えば、８０～１２０℃）を行うことが好ましい。電磁波シールド部材のクルトシスを調整する観点からは、塗液を塗工後、加熱乾燥前に２５℃（室温）・常圧で乾燥を１～１０分行うことが好ましい。より好ましい加熱乾燥前の２５℃（室温）での乾燥時間は２～６分である。加熱乾燥前に室温で乾燥するプロセスを設けることにより、クルトシスの値を調整することができる。

　塗液の粘度と加熱乾燥前の２５℃での乾燥時間が電磁波シールド部材１のクルトシスに与える影響について、図９の模式図を用いて説明する。同図に示すように、離形性基材１５上に導電性接着剤層６を形成するために塗液を塗布する。溶剤が含まれている乾燥途上の導電性接着剤層６Ｐが得られる。電磁波シールド用積層体は、実施形態A1の電磁波シールド用積層体と同様の方法により製造することができる。

[実施形態B2]
　次に、実施形態B1とは異なる電子部品搭載基板の例について説明する。実施形態B2に係る電子部品搭載基板は、電磁波シールド部材が２層の電磁波シールド層からなっている点において、単層の電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材を用いた実施形態B1と相違するが、その他の基本的な構成および製造方法は実施形態B1と同様である。そして、実施形態Aに係る電磁波シールド部材に代えて、実施形態Ｂに係る電磁波シールド部材を用いている点および別途記載している点を除き、実施形態A2と基本的な構成および製造方法は同様である。重複する記載は適宜省略する。

　実施形態B2の電磁波シールド部材は、図１１に示すように、第１導電性接着剤層６ａ１および第２導電性接着剤層６ａ２の２層からなる導電性接着剤層６ａである電磁波シールド用部材２ａと、離形性クッション部材３ａからなる電磁波シールド用積層体４ａを用いて形成される。この電磁波シールド用積層体４ａを熱圧着することにより、電子部品３０が搭載された基板２０上に第１電磁波シールド層と第２電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材が被覆される。この２層の電磁波シールド層の積層体である電磁波シールド部材において、表層側から測定したときの押込み弾性率を１～１０ＧＰａとする。２層の電磁波シールド層により構成することで、電磁波シールド部材の設計自由度を高めることができる。例えば、電磁波反射層と電磁波吸収層の積層体とする態様が例示できる。電磁波シールド層を３層以上積層してもよい。

　実施形態B2に係る電子部品搭載基板によれば、２層の電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材を用いることにより、実施形態B1と同様の効果が得られる。また、電磁波シールド層を２層積層したことにより各層の設計自由度を高められるので、ニーズに応じた電磁波シールド部材を提供しやすいというメリットがある。

[実施形態B3～実施形態B5]
　実施形態B3～実施形態B5に係る電子部品搭載基板およびその製造方法は、実施形態Ａに係る電磁波シールド部材に代えて、実施形態Ｂに係る電磁波シールド部材（実施形態B1、B2の記載含む）を用いている点を除き、上述した実施形態A3～実施形態A5の説明を援用できる。このため、実施形態B3～B5の電子部品搭載基板およびその製造方法の説明は省略する。

[[実施形態Ｃ]]
　以下、実施形態Ｃに係る電子部品搭載基板の具体例について説明する。
［実施形態C1］
＜電子部品搭載基板＞
　実施形態C1の電子部品搭載基板は、上記実施形態Ａの電磁波シールド部材に代えて上記実施形態Ｃの電磁波シールド部材を用いる。実施形態C1の電子部品搭載基板およびその製造方法は、実施形態C1の電磁波シールド部材および別途記載している点を除き、基本的な構成および製造方法は実施形態A1と共通する。共通する説明は適宜省略する。

　実施形態C1に係る電子部品搭載基板の基本構成の好適例として、前述した図１～図１０で説明した実施形態A1の電子部品搭載基板の基本構成が例示できる。以下、これらの図を用いて実施形態C1の特徴部について説明する。

＜電磁波シールド部材＞
　実施形態C1の電磁波シールド部材１は、実施形態A1で説明したように、基板２０上に搭載された電子部品３０の天面に電磁波シールド用積層体を載置して熱圧着により電子部品３０および基板２０を被覆することにより得られる。電磁波シールド部材１の被覆態様は、実施形態A1と同様であるので省略する。

　実施形態C1の電磁波シールド部材１は、実施形態A１と同様に、電磁波シールド用積層体を用いて形成することができる。そして、図４に示すように、電磁波シールド用積層体４は、電磁波シールド用部材２と離形性クッション部材３からなる。この電磁波シールド用部材２は、実施形態A1と同様に導電性接着剤層６の単層からなる。導電性接着剤層６は熱圧着により電子部品３０および基板２０に接合されて電磁波シールド層５が形成される。この電磁波シールド層５が電磁波シールド部材１として機能する。
　実施形態C1の電磁波シールド用部材２は、実施形態A1で説明したように、２層以上の導電性接着剤層の積層体から形成したり、導電性接着剤層とハードコート層の積層体から形成したり、絶縁性接着剤層と導電性接着剤層の積層体から形成したりする等、他の層の積層体から形成してもよい。
　実施形態C1の電磁波シールド層５には、バインダー樹脂と導電性フィラーが含まれる。電磁波シールド層５中の導電性フィラーは連続的に接触されており導電性を示す。電磁波シールド性を高める観点から電磁波シールド層５のシート抵抗値は１Ω／□以下が好ましい。

　電磁波シールド部材１は、その表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定した二乗平均平方根高さＲｑを０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満とする。二乗平均平方根高さＲｑは、平均面からの距離の標準偏差に相当するパラメータであり、高さの標準偏差に相当し、一つの軸（ｘ軸）に沿った表面の高さ変化をＺ（ｘ）として以下の数式（２）で表される。Ｌは基準長さである。

　本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、電磁波シールド部材１の表層の接触界面の形状として二乗平均平方根高さＲｑを０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満の範囲とすることにより、冷熱サイクル試験（－５０℃～１２５℃）に対し、電磁波シールド部材の罅割れを効果的に防止でき、被覆性に優れる電磁波シールド部材を提供できることを見出した。このため、信頼性の高い電子部品搭載基板を提供できる。本実施形態の電子部品搭載基板は、温度差の大きい苛酷な環境下で使用する電子機器に用いられる電子部品搭載基板（例えば、自動車に搭載される電子部品搭載基板）として特に好適である。

　電子部品搭載基板の製造工程において、ダイシングテープを介して電磁波シールド部材をダイシング台に固定し、この状態を維持しながら基板側から製品毎に個片化する工程を行う場合がある。その場合、工程終了後にダイシングテープと電磁波シールド部材を剥離するが、この際に、電磁波シールド部材と電子部品の間に浮き（部分的な密着不良）や剥離が生じる場合がある。本実施形態の電子部品搭載基板によれば、電磁波シールド部材の表層の二乗平均平方根高さＲｑを０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満とすることにより、係る問題に対しても優れた効果を発揮できる。

　本実施形態によれば、冷熱サイクル耐性、並びに個片化工程後の電子部品との密着性に優れる、被覆性の優れた電磁波シールド層を有するので、信頼性の高い電子部品搭載基板を提供することができる。

　また、電子部品搭載基板は、リフロー工程などの高温処理を行う場合があるが、この際、電子部品搭載基板内の物質、例えば半田フラックスの成分が電磁波シールド部材１０１上に付着することがある。係る問題に対しても、実施形態C1の電磁波シールド部材の表層の二乗平均平方根高さＲｑを０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満とすることにより優れた効果を発揮できる。即ち、電磁波シールド部材１上の物質の付着を効果的に防止する効果がある。これは、電磁波シールド部材１の表面の凹凸を適切なものとし、凹凸面に半田フラックスの成分などの物質が残留してしまうのを効果的に防止できることによると考えられる。

　上述の冷熱サイクル試験に対し優れた被覆性を実現する観点からは、実施形態C1の電磁波シールド部材の二乗平均平方根高さＲｑの好ましい範囲は０．０５～０．２９μｍであり、より好ましい範囲は０．０５～０．２７μｍ、特に好ましい範囲は０．０５～０．２５μｍである。

　実施形態C1の電磁波シールド部材１の表層の二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑは０．０５～０．４の範囲とすることが好ましく、０．０５～０．３７とすることがより好ましく、０．１～０．３５とすることが更に好ましい。本明細書において、二乗平均平方根高さＲｑと二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑは、ＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定した得られた値であり、後述する実施例に記載の方法により求めた値をいう。二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑを０．０５～０．４とすることにより、防汚性と罅割れをより効果的に良好にすることができる。
　二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑは、基準長さにおいて、局部傾斜ｄｚ／ｄｘの二乗平均平方根であり、以下の数式（３）によって表される。

　Ｒｄｑは、光学顕微鏡、レーザー顕微鏡、および電子顕微鏡いずれかで得られる表面形状を、解析ソフトによって処理することにより、算出することができる。Ｒｄｑは、表面における凹凸の険しさを表現するパラメータである。表面の性状を表現するパラメータとしては、算術平均高さＲａや最大高さＲｚおよびＲｑが用いられるが、これらは凹凸の高さのみを表したパラメータであり、表面の状態を正確に表すには適当でない。
　Ｒｄｑの数値が大きい程、表面凹凸はより険しくなる。即ち、Ｒｄｑの数値によって、表面凹凸険しさの程度を判断することができる。

　実施形態C1の電磁波シールド部材１の表面の二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑは、電磁波シールド用積層体４中の電磁波シールド用部材２の製造工程により調整することができる。また、電磁波シールド部材１を形成するための、熱圧着前の電磁波シールド用部材の組成物の成分およびその配合量によって調整できる。詳細は後述する。なお、本発明者らが検討を重ねたところ、電磁波シールド層として機能し得る量の導電性フィラーを配合することにより、リフロー処理前後において二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑの値は実質的に変動しないか、変動してもその変化量は小さいことを確認した。後述する実施形態において開示するハードコート層などの絶縁層においても無機フィラーを配合することにより、リフロー処理前後において二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑの値は実質的に変動しないか、変動してもその変化量は小さいことを確認した。

　実施形態C1の電磁波シールド部材１の表層の水接触角は９０～１３０°とすることが好ましい。この範囲とすることにより、浮きをより効果的に抑制し、且つ防汚性をより効果的に抑制することができる。電磁波シールド部材の水接触角のより好ましい範囲は９５～１２５°であり、更に好ましい範囲は１００～１２０°である。電磁波シールド部材の水接触角は、電磁波シールド部材を形成する組成物において表面調整剤の添加量によりその数値を調整することができる。電磁波シールド部材１における表面調整剤の添加量が増えるにつれて水接触角の値が大きくなる傾向にある。

＜電子部品搭載基板の製造方法＞
　実施形態C1の電磁波シールド部材１の製造方法は、基本的には実施形態A1の電磁波シールド部材１の製造方法と同一である。導電性接着剤層６の厚みは、電子部品３０の天面および側面および基板２０の露出面に被覆して、電磁波シールド層５を形成することが可能な厚みとする。用いるバインダー樹脂前駆体の流動性や、電子部品３０間の距離およびサイズにより変動し得るが、通常、１０～２００μｍ程度が好ましく、１５～１００μｍ程度がより好ましく、２０～７０μｍ程度がさらに好ましい。

　実施形態C1においては、ダイシングテープを用いて電磁波シールド部材１をダイシング台に固定し、基板２０側からダイシングカットを行う場合について説明する。基板２０の外側主面に半田ボールが接合している場合には、この方法が好適である。実施形態C1に係る電磁波シールド部材１によれば、電磁波シールド部材１の表層の二乗平均平方根高さＲｑを０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満の範囲にすることにより、個片化工程において電磁波シールド部材１側をダイシングテープで固定する場合においても、電磁波シールド部材の電子部品との浮き（部分密着性不良）、剥離を効果的に防止して、被覆性の良好な電子部品搭載基板を提供することができる。

＜電磁波シールド用積層体＞
　実施形態C1の電磁波シールド用積層体は、図４において説明したように、電磁波シールド用部材２と離形性クッション部材３の２層からなる。実施形態C1においては、電磁波シールド用部材２は単層の導電性接着剤層６からなる。導電性接着剤層６は熱圧着工程を経て電子部品３０や基板２０と接合され、電磁波シールド層５として機能する。

　熱軟化性樹脂の好適な例は、実施形態A1と同様である。上記熱軟化性樹脂は、熱硬化性樹脂として、加熱による架橋反応に利用できる官能基を複数有していてもよい。官能基の具体例は、実施形態A1と同様である。

　硬化性化合物の好適な例および好適な含有量等は、実施形態A1と同様である。また、熱可塑性樹脂の好適例、粘着付与樹脂の好適例等は、実施形態A1と同様である。

　更に、導電性フィラーは、金属フィラー、導電性セラミックス粒子およびそれらの混合物が例示でき、これらの具体例は実施形態A1と同様である。また、銀コート銅における銀の好適な含有量も実施形態A1と同様である。更に、コアシェル型粒子の場合、コア部に対するコート層の被覆率の好適範囲等も実施形態A1と同様である。

　導電性フィラーとして、電磁波吸収フィラーを用いてもよく、具体例としては実施形態A1と同様の例を挙げられる。

　導電性接着剤層に用いる導電性フィラーの形状は、鱗片（フレーク）状粒子、デンドライト（樹枝）状粒子、針状粒子、プレート状粒子、ブドウ状粒子、繊維状粒子、球状粒子が例示できるが、鱗片状粒子の比率を高めることにより二乗平均平方根高さＲｑが低下する傾向にあり、鱗片状粒子の比率を下げることにより二乗平均平方根高さＲｑが高くなる傾向にある。所望の二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑの数値を調整する観点からは、針状粒子または／およびデンドライト状粒子の導電性フィラーを含有させることが好ましい。

　導電性フィラーは、単独または混合して用いられる。導電性フィラーを併用する場合、所望の二乗平均平方根高さＲｑを得て、信頼性の高い電磁波シールド部材を提供する観点から、鱗片状粒子およびデンドライト状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子および針状粒子の組み合わせ、鱗片状粒子、デンドライト状粒子および針状粒子の組み合わせが好適である。特に好ましくは、鱗片状粒子とデンドライト状粒子の組み合わせである。ここで鱗片状粒子は厚みが０.２μｍ以下であることが好ましい。

　導電性接着剤層中の導電性フィラー１００質量％に対して、針状粒子または／およびデンドライト状粒子を３０質量％以下とすることが好ましい。より好ましくは０．１～２０質量％、更に好ましくは１～２０質量％、特に好ましい範囲は３～１６質量％である。二乗平均平方根高さＲｑを０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満に調整する方法は、種々の方法があり、特に限定されない。例えば、電磁波シールド部材の表層、実施形態C1においては導電性接着剤層６の表層を、クッション部材を積層する前にロールで予め押圧処理し、次いで、クッション部材の、電磁波シールド部材の表層と接合する側の表面の二乗平均平方根高さが所望のＲｑであるクッション部材を用いることにより、二乗平均平方根高さＲｑを容易に調整することができる。

　針状粒子の平均粒子径Ｄ５０は１～５０μｍが好ましく、２～２５μｍがより好ましい。更に好ましくは５～１５μｍである。デンドライト状粒子の平均粒子径Ｄ５０の好ましい範囲は、２～１００μｍが好ましく、２～８０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～５０μｍであり、特に好ましくは５～２０μｍである。鱗片状粒子の平均粒子径Ｄ５０は２～７０μｍが好ましく、２～５０μｍがより好ましい。更に好ましくは３～２５μｍであり、特に好ましくは５～１５μｍである。

　デンドライト状粒子および／または針状粒子と、鱗片状粒子を併用することによって、導電性フィラー同士の接触点を多くし、シールド特性を向上させることができる。また、デンドライト状粒子および／または針状粒子の併用によって、バインダー成分との接触面積を増加させ、信頼性の高い電磁波シールド部材を提供できる。

　導電性接着剤層を構成する組成物には、着色剤、難燃剤、無機添加剤、滑剤、ブロッキング防止剤等を含んでいてもよい。これらの具体例は実施形態A1と同様である。

　導電性接着剤層の塗液を塗工後、乾燥して離形性基材上に導電性接着剤層を形成する。乾燥工程は、加熱（例えば、８０～１２０℃）を行うことが好ましい。電磁波シールド部材の二乗平均平方根高さＲｑを調整するために、塗液を塗工後、加熱乾燥前に２５℃（室温）・常圧で乾燥を１～１７分行うことが好ましい。より好ましい加熱乾燥前の２５℃（室温）での乾燥時間は２～１４分である。加熱乾燥前に室温で乾燥するプロセスを設けることにより、二乗平均平方根高さＲｑの値を調整することができる。

　次に、塗液の粘度と加熱乾燥前の２５℃での乾燥時間が電磁波シールド部材１の二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑに与える影響について説明する。離形性基材上に導電性接着剤層を形成するために塗液を塗布する。溶剤が含まれている乾燥途上の導電性接着剤層が得られる。

　加熱途上の導電性接着剤層に対し、２５℃での乾燥時間を長く設定することにより、溶剤の蒸発速度が遅い状態を意図的に長くし、それによってバインダー樹脂前駆体の下方への沈み込みを促すことができる。一方、２５℃での乾燥時間を短く設定することにより、バインダー樹脂前駆体の下方への沈み込みを抑え、その段階で加熱乾燥することによって導電性フィラーが立ち上がり易くなる。また、溶剤の蒸発に伴う発泡が生じやすくなり、表面が荒れる傾向となる。なお、２５℃の温度設定は一例であり、適宜設定可能であることは言うまでもない。

　前記塗液の固形分は、２０～３０％とすることが好ましい。また、電磁波シールド部材の二乗平均平方根高さＲｑを調整するために、前記塗液のＢ型粘度計で測定した塗液粘度を６００～１８００ｍＰａ・ｓの範囲とすることが好ましい。更に、電磁波シールド部材の二乗平均平方根高さＲｑを調整するために、前記塗液のチキソトロピーインデックスを１．２～１．５とすることが好ましい。

　二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑの値は、導電性接着剤層を形成するための塗液の粘度によっても変わる。塗液の粘度が高い方が導電性フィラーの流動性が抑えられる傾向にある。このため、粘度が高い場合、導電性フィラーは配向せずランダムとなる傾向がある。一方、粘度が低い場合、鱗片状粒子は基板面に対して、主面が凡そ対向するように配向する傾向がある。また、２５℃での乾燥時間を短くして加熱乾燥を行うと、粘度が高いと発泡による表面荒れが大きくなる傾向にあり、粘度が低いと導電性フィラーが縦方向に移動しやすい傾向となる。このように、塗液の粘度および２５℃での乾燥時間を調整することにより、二乗平均平方根高さＲｑを調整することができる。

　また、電磁波シールド部材１の二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑは、デンドライト状粒子および／または針状粒子の粒子径によっても調整することができる。デンドライト状粒子または／および針状粒子の粒子径が電磁波シールド部材１の二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑに与える影響について説明する。離形性基材上に導電性接着剤層６を形成するために塗液を塗布することにより、乾燥途上の導電性接着剤層が得られる。導電性フィラーの一種であるデンドライト状粒子の平均粒子径Ｄ５０が小さいと二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑの値が低下する傾向にあり、逆に、デンドライト状粒子の平均粒子径Ｄ５０が大きいと二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑの値が大きくなる傾向にある。二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑはまた、針状粒子の形状に依存する。針状粒子の粒子径Ｄ５０が大きいとＲｄｑが大きくなる。また、針状粒子の粒子径Ｄ５０が小さいとＲｄｑが小さくなる。

　電磁波シールド部材１の二乗平均平方根高さＲｑおよび二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑは、上述したプロセスによる調整方法の他に、熱圧着前の電磁波シールド用部材２を形成する組成物において鱗片状の導電性フィラーと、針状または／およびデンドライト状の導電性フィラーとの添加量比の調整によって調整することができる。また、電磁波シールド部材１の二乗平均平方根高さＲｑは、導電性フィラーの平均粒子径Ｄ５０およびＤ９０によっても調整することができる。

　実施形態C1においては、電磁波シールド用部材２は導電性接着剤層６の単層からなるので、この導電性接着剤層６上に離形性クッション部材３を接合する。接合方法はラミネートによる方法等がある。

　離形性基材は、片面あるいは両面が離形性のある基材であり、１５０℃における引張破断歪が５０％未満のシートである。離形性基材の具体例等は実施形態A1と同様である。

　また、離形性クッション部材も実施形態A1の記載を援用できる。

［実施形態C2］
　次に、実施形態C1とは異なる電子部品搭載基板の例について説明する。実施形態C2に係る電子部品搭載基板は、電磁波シールド部材が２層の電磁波シールド層からなっている点において、単層の電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材を用いた実施形態C1と相違するが、その他の基本的な構成および製造方法は実施形態C1と同様である。そして、実施形態Ａに係る電磁波シールド部材に代えて、実施形態Ｃに係る電磁波シールド部材を用いている点および別途記載している点を除き、実施形態A2と基本的な構成および製造方法は同様である。重複する記載は適宜省略する。

　実施形態C2の電磁波シールド部材は、図１１に示すように、第１導電性接着剤層６ａ１および第２導電性接着剤層６ａ２の２層からなる導電性接着剤層６ａである電磁波シールド用部材２ａと、離形性クッション部材３ａからなる電磁波シールド用積層体４ａを用いて形成される。この電磁波シールド用積層体４ａを熱圧着することにより、電子部品３０が搭載された基板２０上に第１電磁波シールド層と第２電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材が被覆される。上層の第２導電性接着剤層６ａ２は実施形態C1と同様の組成や工程により製造し、下層の第１導電性接着剤層６ａ１は、二乗平均平方根高さＲｑの範囲に限定されずにニーズに応じた設計とすることができる。例えば、第１導電性接着剤層６ａ１に含まれる導電性フィラーとして、繊維状粒子、球状粒子等のフィラーを用いた層としたりすることができる。また、第１導電性接着剤層６ａ１を異方導電性接着剤層、第２導電性接着剤層６ａ２を等方導電性接着剤層とする等の設計とすることも可能である。また、電磁波反射層と電磁波吸収層の積層体とする態様も好ましい。電磁波シールド層を３層以上積層してもよい。

　実施形態C2に係る電子部品搭載基板によれば、２層の電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材を用いることにより、実施形態C1と同様の効果が得られる。また、電磁波シールド層を２層積層したことにより各層の設計自由度を高められるので、ニーズに応じた電磁波シールド部材を提供しやすいというメリットがある。

[実施形態C3]
　実施形態C3に係る電子部品搭載基板は、電磁波シールド部材が電磁波シールド層とハードコート層の積層体からなっている点において、単層の電磁波シールド層からなる電磁波シールド部材を用いた実施形態C1と相違するが、その他の基本的な構成および製造方法は同様である。

　実施形態C3に係る電磁波シールド部材は、図１２に示すように、１層の導電性接着剤層６ｂと絶縁性樹脂層７ｂの積層体である電磁波シールド用部材２ｂおよび離形性クッション部材３ｂからなる電磁波シールド用積層体４ｂを用いて形成される。この電磁波シールド用積層体４ｂを熱圧着することにより、電子部品が搭載された基板上に導電性接着剤層６ｂから形成された電磁波シールド層と絶縁性樹脂層７ｂから形成されたハードコート層とからなる電磁波シールド部材が得られる。実施形態C3の電磁波シールド部材は、ハードコート層側から測定したときの二乗平均平方根高さＲｑを０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満とする。

　絶縁性樹脂層７ｂはバインダー樹脂前駆体と無機フィラーを含有する樹脂組成物から形成された層である。バインダー樹脂前駆体は、少なくとも熱軟化性樹脂を含む。バインダー樹脂前駆体の例示および好適例は、実施形態A1で述べた電磁波シールド用部材の導電性接着剤層と同じである。導電性接着剤層と絶縁性樹脂層のバインダー樹脂前駆体は同一であっても異なっていてもよい。

　無機フィラーは、実施形態C1の導電性接着剤層と異なり導電性を有していないが、好ましい無機フィラーの特性、例えば形状・配合量・Ｄ５０・Ｄ９０等は導電性フィラーで挙げた例と同じである。無機フィラーとしては、例えば、シリカ（溶融シリカ、結晶性シリカ、非結晶性シリカ）、ベリリア、アルミナ、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化亜鉛、三酸化アンチモン、酸化アンチモン、酸化マグネシウム、タルク、カオリナイト、マイカ、塩基炭酸マグネシウム、セリサイト、モンモロリナイト、カオリナイト、ベントナイト、カオリン、クレー、ハイドロタルサイト、ウォラストナイト、ゾノトライト、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、リン酸水素カルシウム、リン酸カルシウム、ガラスフレーク、水和ガラス、チタン酸カルシウム、セピオライト、硫酸マグネシウム、水酸化アルミニウム、水酸化ジルコニウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム、酸化カルシウム、酸化スズ、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化モリブデン、酸化ニッケル、炭酸亜鉛、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、ホウ酸亜鉛、ホウ酸アルミニウム、ケイ酸カルシウム、炭化ケイ素、炭化チタン、ダイヤモンド、グラファイト、グラフェン等の無機化合物が挙げられる。
　無機フィラーとして、熱伝導性フィラーを用いることにより、ハードコート層を熱伝導層としても機能させることができる。用途に応じて、ハードコート層、熱伝導層（例えば放熱層）、若しくは両者の機能を有する層として利用することができる。

　絶縁性樹脂層に用いるバインダー樹脂前駆体の好ましい配合成分および配合量の好適な例は実施形態C1の導電性接着剤層と同じである。また、絶縁性樹脂層に用いる無機フィラーの好ましい形状、好ましい平均粒子径Ｄ５０等は、実施形態C1の導電性フィラーと同じである。また、熱軟化性樹脂組成物、および熱軟化性樹脂組成物層に適用できる添加剤は、実施形態１Cの記載を援用できる。

　実施形態C1に係る電子部品搭載基板によれば、ハードコート層を有する電磁波シールド部材を用いることにより、実施形態C1で述べた効果に加え、電磁波シールド層をハードコート層で被覆することにより、より優れた耐久性を有する電磁波シールド部材を提供できる。

[実施形態C4、実施形態C5]
　実施形態C4および実施形態C5の電子部品搭載基板は、実施形態Ａに係る電磁波シールド部材に代えて、実施形態Ｃに係る電磁波シールド部材を用いている点を除き、上述した実施形態A4,実施形態A5の説明を援用できる。

＜変形例＞
　次に、本実施形態に係る電子部品搭載基板等の変形例について説明する。但し、本発明は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得る。また、各実施形態および変形例は、互いに好適に組み合わせられる。

　実施形態A4、A5、B4,B5,C4,C5においては、絶縁性接着剤層、導電性接着剤層および離形性クッション部材の積層体からなる電磁波シールド用積層体を用いた例を説明したが、以下のように製造することも可能である。即ち、図１６Ａに示すように、複数の電子部品３０が搭載された基板２０上に、まず、図１６Ｂに示すように、絶縁被覆層９ｅを形成する。この絶縁被覆層９ｅは、絶縁性接着剤層を含むシートを熱プレスすることにより得られる。その後、導電性接着剤層６ｅおよび離形性クッション部材３ｅの積層体からなる電磁波シールド用積層体４ｅを用いることにより電磁波シールド層５ｅを形成する（図１６Ｃ、１６Ｄ）。これらの工程を経て、電磁波シールド部材が形成された電子部品搭載基板５５が得られる。なお、絶縁被覆層９ｅは、シートを熱プレスする方法に代えて、溶液樹脂を塗布する方法および溶液樹脂をスプレーする方法を例示できる。

　上記実施形態においては、部品の一例として電子部品を例として説明したが、電磁波から遮蔽したい部品全般に対して本発明を適用できる。また、部品の形状は矩形状に限定されず、角部がＲ形状である部品、部品の上面と側面の成す角度が鋭角の部品、鈍角の部品も含む。また、上面に凹凸形状がある部品、電子部品の外面が球状等の曲面になっている場合も含む。また、上記実施形態においては、基板２０にハーフダイシング溝２５（図２参照）が形成されていたが、ハーフダイシング溝２５は必須ではなくフラットな基板に電磁波シールド部材を載置して被覆させてもよい。加えて、本発明の電子部品搭載基板には、例えば基板２０をオールダイシングして個片化した電子部品が搭載された電子部品搭載基板が別の保持基材等に載置されている場合も含む。

　また、電磁波シールド用積層体は上記実施形態の積層形態に限定されない。例えば、離形性クッション部材上に、支持基板が積層されていてもよい。支持基板を積層することにより、熱圧着時の装置の汚れを簡易に防止することができる。また、支持基板により、電磁波シールド用積層体の貼付工程が容易になるというメリットがある。また、電子部品は基板の片面のみならず両面に搭載し、各電子部品に電磁波シールド部材を形成することもできる。

　本実施形態に係る電子部品搭載基板によれば、凹凸構造に対する被覆性に優れることから、パーソナルコンピュータ、モバイル機器或いはデジタルカメラ等の各種電子機器に好適に適用できる。

≪実施例≫
　以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、実施例中の「部」とあるのは「質量部」を、「％」とあるのは「質量％」をそれぞれ表すものとする。また、本発明に記載の値は、以下の方法により求めた。

[[実施形態Ａ]]
（試験基板１）
　ガラスエポキシからなる基板上に、モールド封止された電子部品（１ｃｍ×１ｃｍ）を５×５個アレイ状に搭載した基板を用意した。基板の厚みは０．３ｍｍであり、モールド封止厚、即ち基板上面からモールド封止材の頂面までの高さ（部品高さ）Ｈは０．７ｍｍである。その後、部品同士の間隙である溝に添ってハーフダイシングを行い、試験基板を得た（図１７参照）。ハーフカット溝深さは０．８ｍｍ（基板２０のカット溝深さは０．１ｍｍ）、ハーフカット溝幅は２００μｍとした。

（試験基板２、３）
　ハーフカット溝幅を１５０μｍに変更した以外は、試験基板１と同様の方法により試験基板２を作製した。また、ハーフカット溝幅を１５０μｍに変更し、且つ溝深さを１０００μｍに変更した以外は、試験基板と同様の方法により試験基板３を作製した。

　以下、実施例で使用した材料を示す。
・バインダー樹脂前駆体
　　樹脂１：ポリカーボネート樹脂、（トーヨーケム社製）
　　樹脂２：フェノキシ樹脂、（トーヨーケム社製）
　　硬化性化合物１：デコナールＥＸ８３０、（ナガセケムテック社製）
　　硬化性化合物２：ｊＥＲＹＸ８０００、（三菱ケミカル社製）
　　硬化性化合物３：ｊＥＲ１５７Ｓ７０、（三菱ケミカル社製）
・硬化促進剤：ＰＺ－３３（日本触媒社製）
・導電性フィラー１：フレーク状Aｇ（平均粒子径Ｄ５０：１１μｍ）（福田金属社製）
・導電性フィラー２：針状銀コート銅（平均粒子径Ｄ５０：７．５μｍ）（福田金属社製）
・添加剤１：ＢＹＫ３２２、（ビックケミー社製）
・添加剤２：ＢＹＫ３３７（ビックケミー社製）

［実施例A1］
（導電性接着剤層の樹脂組成物の調製）
　表１に示すように、バインダー樹脂前駆体として樹脂１（ポリカーボネート樹脂）を２０部（固形分）と、樹脂４（フェノキシ樹脂）を８０部（固形分）と、硬化性化合物１（エポキシ樹脂）を２０部と、硬化性化合物２（エポキシ樹脂）を１５部と、硬化性化合物３（エポキシ樹脂）を１０部と、導電性フィラー１（フレーク状Ａｇ）を３２０部と、導電性フィラー２（針状ＡｇコートＣｕ）を５部と、硬化促進剤を１部と、添加剤１を０．４部とを容器に仕込み、固形分濃度が２５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで導電性接着剤層を形成するための樹脂組成物を得た。

（電磁波シールド用積層体の作製）
　この樹脂組成物を乾燥厚みが５０μｍになるようにドクターブレードを使用して離形性基材に塗工した。そして、２５℃で１４分常温乾燥した後、１００℃で２分間乾燥することで電磁波シールド用部材（導電性接着剤層）を得た。その後、離形性クッション部材（ＣＲ１０４０）、軟質樹脂層の両面をポリメチルペンテンで挟み込んだ層構成（厚み１５０μｍ）、三井化学東セロ社製）を用意し、電磁波シールド用部材とラミネートすることにより離形性基材上に実施例A1に係る電磁波シールド用積層体を得た。

［実施例A2～A5、参考例A1］
　表１の記載の組成に変更した以外は、実施例A1と同様にして、導電性接着剤層の樹脂組成物、電磁波シールド用積層体を得た。

［実施例A6～A10、参考例A2］
　表１の記載の組成に変更し、固形分濃度が２９質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えた以外は、実施例A１と同様にして、導電性接着剤層の樹脂組成物、電磁波シールド用積層体を得た。

＜クルトシス＞
　実施例A1～A10、参考例A1，A2の電磁波シールド用積層体を用意し、厚み３００μｍのＦＲ４基板に載置し、離形性クッション部材側から面方向に８ＭＰａの条件で１７０℃５分加熱圧着を行った。その後離形性クッション部材を剥がし１８０℃２時間の加熱を行った。その後、離形性クッション部材を剥離して電磁波シールド部材を形成した試験片を得た。

　上記試験片において、離形性クッション部材を剥離した電磁波シールド部材の表面に金属スパッタ処理を施した。金属スパッタ処理条件は、日本電子株式会社製スパッタ装置「Smart Coater」を使用し、ターゲットとして金を用い、ターゲットとサンプル表面との離間距離を２ｃｍとし、０．５分間スパッタした。得られた試料の金属スパッタ処理面に対し、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準拠し、レーザー顕微鏡（(株)キーエンス社製（ＶＫ－Ｘ１００））を用いてクルトシスを求めた。測定条件は、形状測定モードで測定倍率を１０００倍とし表面形状を取得した。得られた表面形状画像を解析アプリケーションの表面粗さ測定にて、全領域を選択しλｓ輪郭曲線フィルタを２．５μｍ、λｃ輪郭曲線フィルタを０．８ｍｍとし、クルトシスを測定した。上記測定を異なる５箇所で行い測定値の平均値をクルトシスの値とした。
　なお、電磁波シールド部材のクルトシスの測定において、電子部品搭載基板上に実際に被覆されている電磁波シールド部材を測定する場合には、電子部品基板上に被覆された電磁波シールド部材を直接測定すればよい。

＜塗液の粘度およびチキソトロピーインデックス＞
　得られた導電性樹脂組成物を２５℃のウォーターバスに３０分静置した後に「Ｂ型粘度計」（東機産業株式会社製）にて、回転数６ｒｐｍの粘度（ｖ１）および回転数６０ｒｐｍの粘度（ｖ２）を測定した。（ｖ１）を（ｖ２）で除した値をチキソトロピーインデックスとした。

＜熱圧着後の離形性クッション部材のハーフダイシング溝の剥離性評価＞
　試験基板１～３それぞれに対して、各実施例および参考例の電磁波シールド用積層体それぞれを８ＭＰａ、１７０℃の条件で５分間熱圧着し、離形性クッション部材を手で剥離した。そして、電子部品同士の間隙の溝に千切れて残った離形性クッション部材の残渣個数を目視で確認した。評価基準は以下の通りとした
＋＋＋：残渣が認められない。
＋＋：残渣が１個以上、３個未満。
＋：残渣が３個以上、５個未満。
ＮＧ：残渣が５個以上、或いは溝全体に残渣が残った状態。

＜スチールウール耐性＞
　厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製「カプトン５００Ｈ」）に、５×１５ｃｍにカットした各実施例および参考例の電磁波シールド用積層体をそれぞれ載置し、１８０℃で２ＭＰａの条件で１０分熱プレスを行い、１８０℃で２時間キュアすることで試験基板を得た。その後、離形性クッション部材を剥離した。次いで、電磁波シールド部材に対して学振式磨耗試験機（テスター産業社製）にセットして荷重２００ｇｆ、ストローク１２０ｍｍ、往復速度３０回／ｍｉｎの条件で、電磁波シールド部材が摩耗してポリイミドフィルムが露出するまでの学振回数を求めた。評価基準は以下の通りである。
＋＋＋：２０，０００回以上。
＋＋：１０，０００回以上、２０，０００回未満。
＋：５，０００回以上、１０，０００回未満（実用レベル）。
ＮＧ：５，０００回未満。

　表１に、実施例A1～A10および参考例A1，A2の上記評価結果を示す。

　表１の例に示すように、クルトシスが１未満の参考例A1の電磁波シールド部材を用いた電子部品搭載基板は、スチールウール耐性が合格レベルに達しなかった。これに対し、本発明の電子部品搭載基板の電磁波シールド性部材はいずれも合格レベルに達しており、スチールウール耐性に優れていることを確認した。また、クルトシスが８を超えている参考例A2の電磁波シールド部材は、溝部の剥離性が合格レベルに達していなかった。これに対し、本発明の電子部品搭載基板の電磁波シールド性部材はいずれも熱圧着後の離形性クッション部材の溝部の剥離性に優れていることを確認した。

[[実施形態Ｂ]]
（試験基板）
　実施形態Ａの試験基板１と同様の作製方法により、実施形態Ｂに係る試験基板を得た。

　以下、実施例で使用した材料を示す。
・バインダー樹脂前駆体
　　樹脂１：ウレタン樹脂、（トーヨーケム社製）
　　樹脂２：ポリカーボネート樹脂、（トーヨーケム社製）
　　樹脂３：スチレンエラストマー樹脂、（トーヨーケム社製）
　　樹脂４：フェノキシ樹脂、（トーヨーケム社製）
　　硬化性化合物１：デコナールＥＸ８３０（ナガセケムテック社製）
　　硬化性化合物２：ｊＥＲＹＸ８０００、（三菱ケミカル社製）
　　硬化性化合物３：ｊＥＲ１５７Ｓ７０、（三菱ケミカル社製）
・硬化促進剤：ＰＺ－３３（日本触媒社製）
・導電性フィラー
　　導電性フィラー１：フレーク状Aｇ（平均粒子径Ｄ５０：１１μｍ）（福田金属社製）
　　導電性フィラー２：針状銀コート銅（平均粒子径Ｄ５０：７．５μｍ）（福田金属社製）
・添加剤
　　添加剤１：ＢＹＫ３２２、（ビックケミー社製）
　　添加剤２：ＢＹＫ３３７、（ビックケミー社製）

［実施例B1］
（導電性接着剤層の樹脂組成物の調製）
　表２に示すように、バインダー樹脂前駆体として樹脂１（ウレタン樹脂）を７０部（固形分）と、樹脂２（ポリカーボネート樹脂）を３０部（固形分）と、硬化性化合物１（エポキシ樹脂）を３０部と、硬化性化合物２（エポキシ樹脂）を１５部と、導電性フィラー１（フレーク状Ａｇ）を２８０部と、導電性フィラー２（針状ＡｇコートＣｕ）を５０部と、硬化促進剤を１部と、添加剤１を０．４部とを容器に仕込み、固形分濃度が３５質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで導電性接着剤層を形成するための樹脂組成物を得た。

（電磁波シールド用積層体の作製）
　この樹脂組成物を乾燥厚みが５０μｍになるようにドクターブレードを使用して離形性基材に塗工した。そして、２５℃で１２分間常温乾燥した後、１００℃で２分間乾燥することで電磁波シールド用部材（導電性接着剤層）を得た。その後、離形性クッション部材ＣＲ１０４０、軟質樹脂層の両面をポリメチルペンテンで挟み込んだ層構成（厚み１５０μｍ）、三井化学東セロ社製）を用意し、電磁波シールド用部材とラミネートすることにより離形性基材上に実施例B１に係る電磁波シールド用積層体を得た。

（電子部品搭載基板の試験片の作製）
　次に、この離形性基材上の電磁波シールド用積層体を１０×１０ｃｍにカットし、離形性基材を剥離した後、前記試験基板（図１７参照）に対して、電磁波シールド用積層体の導電性接着剤層面側が接するように載置し仮貼付した。そして、この電磁波シールド用積層体の上方から基板面に対し２ＭＰａ、１８０℃の条件で２時間熱圧着した。熱圧着後、離形性クッション部材を剥離することで、電磁波シールド部材が被覆された実施例１に係る電子部品搭載基板（試験片）を得た。

［実施例B2～B19、参考例B1，B2］
　表２，表３の記載の組成に変更した以外は、実施例B1と同様にして、各実施例および参考例の導電性接着剤層の樹脂組成物、電磁波シールド用積層体および電子部品搭載基板の試験片を得た。

＜押込み弾性率＞
　実施例B1～B19、参考例B1，B2の電磁波シールド用積層体を用意し、厚み３００μｍのＦＲ４基板に載置し、離形性クッション部材側から面方向に２ＭＰａの条件で１８０℃２時間の加熱を行った。その後、離形性クッション部材を剥離して電磁波シールド部材を形成したＦＲ４基板の試験片を得た。そして、離形性クッション部材が積層されていた側から以下の方法により押込み弾性率を測定した。
　即ち、フィッシャースコープＨ１００Ｃ（フィッシャー・インストルメンツ社製）型硬度計を使用し、ビッカース圧子（１００φの先端が球形のダイアモンド圧子）を用い、２５℃の恒温室にて試験力０．３Ｎ、試験力の保持時間２０秒、試験力の付加所要時間５秒で行った。電磁波シールド部材の同一膜面をランダムに５箇所繰り返し測定して得た値を平均して押込み弾性率を求めた。

　なお、電磁波シールド部材の押込み弾性率の測定において、電子部品搭載基板上に実際に被覆されている電磁波シールド部材を測定することもできる。この場合には、電子部品基板上に被覆された電磁波シールド部材に直接ビッカース圧子を接触させ測定する。後述するクルトシスおよび水接触角においても、同様の要領で電子部品搭載基板上に実際に被覆されている電磁波シールド部材の測定を行うことができる。

＜クルトシス＞
　実施形態Ａで説明した方法と同様の方法により、ＦＲ４基板の試験基板を得、同様の方法によりクルトシスを求めた。

＜水接触角＞
　押込み弾性率の測定試料と同様にして作製したＦＲ４基板の試験片に対し、電磁波シールド層の表面に対して、協和界面科学（株）製「自動接触角計ＤＭ‐５０１／解析ソフトウェアＦＡＭＡＳ」を用いて電磁波シールド部材の水接触角を測定した。測定は液適法により行った。

＜マルテンス硬さの測定＞
　各実施例および参考例の電子部品搭載基板の試験片を用意し、ＩＳＯ１４５７７－１に準拠して、フィッシャースコープＨ１００Ｃ（フィッシャー・インストルメンツ社製）型硬度計にてマルテンス硬さを測定した。測定は、電子部品３０上の上面に対して、ビッカース圧子（１００φの先端が球形のダイアモンド圧子）を用い、２５℃の恒温室にて試験力０．３Ｎ、試験力の保持時間２０秒、試験力の付加所要時間５秒の条件で行った。同一硬化膜面をランダムに１０箇所繰り返し測定して得た値の平均値をマルテンス硬さとした。なお、試験力は電磁波シールド層の厚みに応じて調整する。具体的には最大押し込み深さが電磁波シールド部材の厚みの１０分の１程度になるように試験力を調整した。

＜塗液の粘度およびチキソトロピーインデックス＞
　実施形態Ａで説明した方法と同様の方法により、回転数６ｒｐｍの粘度（ｖ１）および回転数６０ｒｐｍの粘度（ｖ２）を測定した。また、同様の方法によりチキソトロピーインデックスを求めた。

＜フルダイシング時のバリ＞
　上記試験基板（５×５個アレイ状に電子部品が搭載された基板）に、各実施例および参考例の電磁波シールド用積層体を８ＭＰａ、１７０℃の条件で５分間熱圧着し、離形性クッション部材を手で剥離した。その後、１８０℃２時間キュアすることにより電磁波シールド部材を被覆した試験サンプルを得た。得られた試験サンプルに対し、個片化工程（フルダイシング）を行ったときのバリの発生状況を、レーザー顕微鏡を用いて以下の基準で評価した。
＋＋＋：バリが確認されない。
＋＋：バリの発生が個片化した電子部品２５個中２個未満。
＋：バリの発生が個片化した電子部品２５個中２個以上、５個未満。
ＮＧ：バリの発生が個片化した電子部品２５個中５個以上。

＜テープ密着性＞
　厚み３００μｍのＦＲ４基板に、５×５ｃｍにカットした各実施例および参考例の電磁波シールド用積層体をそれぞれ載置し、１７０℃で８ＭＰａの条件で５分熱プレスを行い、１８０℃で２時間キュアすることで試験基板を得た。次いで、離形性クッション部材を剥離した。その後、得られた試験基板を１３０℃、湿度８５％、０．２３ＭＰａのプレッシャークッカー試験を実施した。試験時間は９６時間とし、粘着テープは、幅１８ｍｍのニチバン製粘着テープを用いた。そして、ＪＩＳＫ５６００に準じてクロスカットガイドを使用し、間隔が１ｍｍの碁盤目を電磁波シールド部材に２５個作製した。その後、電磁波シールド部材の碁盤目部に粘着テープを圧着させ、テープの端を４５°の角度で一気に引き剥がしてテープ密着試験を行った。電磁波シールド部材の碁盤目の状態（クロスカット残存率）を下記の基準で判断した。
＋＋＋：２５／２５の残存率を示す。
＋＋：２４／２５の残存率を示す。
＋：２３／２５の残存率を示す。
ＮＧ：２３／２５の残存率未満である。

＜熱圧着後の離形性クッション部材のハーフダイシング溝の剥離性評価＞
　上記試験基板（ハーフダイシング溝深さ８００μｍ、溝幅２００μｍ）に対して、各実施例および参考例の電磁波シールド用積層体それぞれを８ＭＰａ、１７０℃の条件で５分間熱圧着し、離形性クッション部材を手で剥離した。そして、電子部品同士の間隙の溝に千切れて残った離形性クッション部材の個数を目視で確認した。評価基準は以下の通りとした。
＋＋＋：残渣が認められない。
＋＋：残渣が１個以上、３個未満。
＋：残渣が３個以上、５個未満。
ＮＧ：残渣が５個以上、或いは溝全体に残渣が残った状態。

＜スチールウール耐性＞
　実施形態Ａで説明した方法と同様の方法により、試験基板を得、同様の測定方法によりスチールウール耐性を評価した。評価基準も同様とした。

　表２，表３に、実施例B1～B19および参考例B1，B2の上記評価結果を示す。

　表２、表３の例に示すように、押込み弾性率が１未満の参考例B1の電磁波シールド部材を用いた電子部品搭載基板は、フルダイシング時のバリが合格レベルに達しなかった。これに対し、本発明の電子部品搭載基板の電磁波シールド性部材はいずれも合格レベルに達しており、バリの発生を抑制できることが確認できた。また、押込み弾性率が１０ＧＰａを超える参考例B2の電磁波シールド部材を用いた電子部品搭載基板は、ＰＣＴ試験後のテープ密着性が合格レベルに達しなかった。これに対し、本発明の電子部品搭載基板の電磁波シールド性部材はいずれもＰＣＴ試験後のテープ密着性が合格レベルであり、ＰＣＴ耐性に優れていることを確認した。

　図２２に、実施例B３の個片化後の電子部品搭載基板の側面を顕微鏡で観察した画像を示す。同図に示すように、バリは認められなかった。一方、図２３に、参考例B1の個片化後の電子部品搭載基板の側面を顕微鏡で観察した画像を示す。同図に示すように、バリの発生が認められた。

[[実施形態Ｃ]]
（試験基板１）
　実施形態Ａの試験基板１の作製方法と同様の方法により、試験基板を得た。

　以下、実施例で使用した材料を示す。
・バインダー樹脂前駆体
　　熱硬化性樹脂１：ポリカーボネート樹脂（トーヨーケム社製）
　　熱硬化性樹脂２：フェノキシ樹脂（トーヨーケム社製）
　　硬化性化合物１：デコナールＥＸ８３０（ナガセケムテック社製）
　　硬化性化合物２：ｊＥＲＹＸ８０００（三菱ケミカル社製）
　　硬化性化合物３：ｊＥＲ１５７Ｓ７０（三菱ケミカル社製）
・硬化促進剤：ＰＺ－３３
・導電性フィラー１：鱗片状Aｇ（平均粒子径Ｄ５０：９．５μｍ、Ｄ９０＝１９μｍ、厚み０．１μｍ）
・導電性フィラー２：デンドライト状銀コート銅（平均粒子径Ｄ５０：７．１μｍ、Ｄ９０＝１５．１μｍ）
・添加剤１：ＢＹＫ３３７

［実施例C１］
（導電性接着剤層の樹脂組成物の調製）
　表４に示すように、バインダー樹脂前駆体として熱硬化性樹脂１（ポリカーボネート樹脂）を２０部（固形分）と、熱硬化性樹脂２（フェノキシ樹脂）を８０部（固形分）と、硬化性化合物１（エポキシ樹脂）を２０部と、硬化性化合物２（エポキシ樹脂）を１５部と、硬化性化合物３（エポキシ樹脂）を１０部と、導電性フィラー１（鱗片状Ａｇ）を３６５部と、導電性フィラー２（デンドライト状ＡｇコートＣｕ）を５部と、硬化促進剤を１部と、とを容器に仕込み、固形分濃度が２３質量％になるようトルエン：イソプロピルアルコール（質量比２：１）の混合溶剤を加えディスパーで１０分攪拌することで導電性接着剤層を形成するための樹脂組成物を得た。

（電磁波シールド用積層体の作製）
　実施形態Ａと同様の方法により、実施例C1に係る電磁波シールド用積層体を得た。

（電子部品搭載基板の試験片の作製）
　次に、この離形性基材上の電磁波シールド用積層体を１０×１０ｃｍにカットし、離形性基材を剥離した後、前記試験基板（図１７参照）に対して、電磁波シールド用積層体の導電性接着剤層面側が接するように載置し仮貼付した。そして、この電磁波シールド用積層体の上方から基板面に対し２ＭＰａ、１８０℃の条件で２時間熱圧着した。熱圧着後、離形性クッション部材を剥離することで、電磁波シールド部材が被覆された実施例C１に係る電子部品搭載基板（試験片）を得た。

［実施例C２～C９、参考例C１］
　表４の記載の組成に変更した以外は、実施例C１と同様にして、導電性接着剤層の樹脂組成物、電磁波シールド用積層体を得た。

＜二乗平均平方根高さＲｑ＞
　実施例C１～C９、参考例C１の電磁波シールド用積層体を用意し、厚み３００μｍのＦＲ４基板に載置し、離形性クッション部材側から面方向に８ＭＰａの条件で１７０℃５分加熱圧着を行った。その後、離形性クッション部材を剥がし１８０℃２時間の加熱を行い、電磁波シールド部材を形成した試験片を得た。

　上記試験片において、離形性クッション部材を剥離した電磁波シールド部材の表面に金属スパッタ処理を施した。金属スパッタ処理条件は、日本電子株式会社製スパッタ装置「Smart Coater」を使用し、ターゲットとして金を用い、ターゲットとサンプル表面との離間距離を２ｃｍとし、０．５分間スパッタした。得られた試料の金属スパッタ処理面に対し、ＪＩＳＢ０６０１：２００１に準拠し、レーザー顕微鏡（(株)キーエンス社製（ＶＫ－Ｘ１００））を用いて二乗平均平方根高さＲｑを求めた。測定条件は、形状測定モードで測定倍率を１０００倍とし、表面形状を取得した。得られた表面形状画像を解析アプリケーションの表面粗さ測定にて、全領域を選択しλｓ輪郭曲線フィルタを２．５μｍ、λｃ輪郭曲線フィルタを０．８ｍｍとし、二乗平均平方根高さＲｑを測定した。上記測定を異なる５箇所で行い測定値の平均値を二乗平均平方根高さＲｑの値とした。
　なお、電磁波シールド部材の二乗平均平方根高さＲｑの測定において、電子部品搭載基板上に実際に被覆されている電磁波シールド部材を測定する場合には、電子部品基板上に被覆された電磁波シールド部材を直接測定すればよい。

＜二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑ＞
　Ｒｑの測定で得られた表面形状画像を用い、解析アプリケーションの線粗さ測定にて、２点線を画像全体に均一に２０本引き、λ００２６ｓ輪郭曲線フィルタを２．５μｍ、λｃ輪郭曲線フィルタを０．８ｍｍとし、二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑを測定した。上記測定を異なる５箇所で行い測定値の平均値を二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑの値とした。

＜水接触角＞
　各実施例、参考例の電磁波シールド用積層体を用意し、厚み３００μｍの押込み弾性率の測定試料と同様にして作製したＦＲ４基板の試験片に載置し、離形性クッション部材側から面方向に２ＭＰａの条件で１８０℃２時間の加熱を行った。その後、離形性クッション部材を剥離して電磁波シールド部材を形成したＦＲ４基板の試験片を得た。そして、離形性クッション部材が積層されていた側から以下の方法により水接触角を測定した。即ち、電磁波シールド層の表面に対して、協和界面科学（株）製「自動接触角計ＤＭ‐５０１／解析ソフトウェアＦＡＭＡＳ」を用いて電磁波シールド部材の水接触角を測定した。測定は液適法により行った。

＜テープ被覆性＞
　厚み３００μｍのＦＲ４基板に、５×５ｃｍにカットした各実施例および参考例の電磁波シールド用積層体をそれぞれ載置し、１７０℃で８ＭＰａの条件で５分熱プレスを行い、１８０℃で２時間キュアすることで試験基板を得た。次いで、離形性クッション部材を剥離した。その後、得られた試験基板を、電磁波シールド部材をダイシングテープ（ＵＨＰ－１１０ＡＴ（ＵＶタイプ、基材ＰＥＴ、総厚み１１０μｍ(粘着層厚１０μｍを含む)）、デンカ社製）と接着させ、基板２０の外側表面からダイシングカットして電子部品搭載基板の個片化を行った。個片化後、電磁波シールド部材からダイシングテープを剥離し、電磁波シールド部材の状態を光学顕微鏡（倍率２００倍）で観察し下記の基準で判断した。
＋＋＋：外観に異常なし。
＋＋：１ｃｍ^２あたり電磁波シールド部材に直径０．５ｍｍ以下の浮きが１～２個生じている。
＋：１ｃｍ^２あたり電磁波シールド部材に直径０．５ｍｍ以下の浮きが３～４個生じている。
ＮＧ：１ｃｍ^２あたり電磁波シールド部材に直径０．５ｍｍ越えの浮き、剥がれ、又は直径０．５ｍｍ以下の浮きが５個以上生じている。

＜防汚性評価＞
　厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン社製「カプトン５００Ｈ」）に、５×１５ｃｍにカットした各実施例および参考例の電磁波シールド用積層体をそれぞれ載置し、１８０℃で２ＭＰａの条件で１０分熱プレスを行い、１８０℃で２時間キュアすることで試験基板を得た。その後、離形性クッション部材を剥離した。疑似フラックスとして電磁波シールド部材の天面にｎ－オクタン酸を塗布した。その後、ジオキソランとイソプロパノールを８/２で混合した洗浄液に浸漬し超音波洗浄した。洗浄後、光学顕微鏡（倍率２００倍）を用いて防汚性について評価した。評価基準は以下の通りである。
＋＋＋：３分間の洗浄で、残渣が無い。
＋＋：５分間の洗浄で、残渣が無い。
＋：５分間の洗浄で、電磁波シールド部材表面１ｃｍ^２あたり１～２か所残渣がある。
ＮＧ：５分間の洗浄で、電磁波シールド部材表面１ｃｍ^２あたり２か所越えで残渣がある。

＜冷熱サイクル試験＞
　図１５に示す試験基板に対し、実施例C１に係る電子部品搭載基板（試験片）電磁波シールド部材が被覆された電子部品搭載基板（試験片）を用意し、電磁波シールド部材１が被覆された電子部品の二つの天面（図２４中の矢印）間の初期接続抵抗値を、三菱化学アナリテック製「ロレスターＧＰ」のＢＳＰプローブを用いて測定した。次いで、冷熱衝撃装置（「ＴＳＥ‐１１‐Ａ」、エスペック社製）に投入し、高温さらし：１２５℃、１５分、低温さらし：－５０℃、１５分の曝露条件にて交互曝露を１０００回実施した。その後、試料の接続抵抗値を、初期と同様に測定した。
冷熱サイクル信頼性の評価基準は以下の通りである。測定値は、３箇所測定を行い、その平均値とした。
　なお、ハードコート層等の絶縁層が最表面に積層された場合においては、冷熱サイクル試験後に当該絶縁層の測定箇所を除去して、電磁波シールド層５を露出させて上記と同様の試験を行う。この場合において、冷熱サイクル試験前の電磁波シールド層５の接続抵抗値は、同サンプルの別の場所において、絶縁層の測定箇所を上記と同様の方法により除去して求める。
+++：（交互曝露後の接続抵抗値）／（初期接続抵抗値）が１．５未満　極めて良好である。
++：（交互曝露後の接続抵抗値）／（初期接続抵抗値）が１．５以上、３．０未満　良好。
+：（交互曝露後の接続抵抗値）／（初期接続抵抗値）が３．０以上、５．０未満　実用可。
NG：（交互曝露後の接続抵抗値）／（初期接続抵抗値）が５．０以上。

　表４に、実施例C１～C９および参考例C１の上記評価結果を示す。

　表４の例に示すように、二乗平均平方根高さＲｑが０．３以上の参考例１の電磁波シールド部材を用いた電子部品搭載基板は、冷熱サイクル試験が合格レベルに達しなかった。これに対し、本発明の電子部品搭載基板の電磁波シールド部材はいずれも合格レベルに達しており、冷熱サイクル試験の苛酷な条件下においても被覆性に優れていることを確認した。また、個片化工程において、電磁波シールド部材に浮きや剥離などの被覆性不良を効果的に防止できることを確認した。また、本発明の電子部品搭載基板の電磁波シールド性部材は防汚性に優れていることを確認した。

　この出願は、２０１８年１２月１８日に出願された日本出願特願２０１８－２３６５４１と同特願２０１８－２３６５４２、２０１９年３月２８日に出願された日本出願特願２０１９－０６３６７３と同特願２０１９－０６３６７４、並びに２０１９年１２月５日に出願された日本出願特願２０１９－２２０６１２を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

１　　　　　　電磁波シールド部材
２　　　　　　電磁波シールド用部材
３　　　　　　離形性クッション部材
４　　　　　　電磁波シールド用積層体
５　　　　　　電磁波シールド層
６　　　　　　導電性接着剤層
６Ｐ　　　　　　乾燥途上の導電性接着剤層
７ｂ　　　　　　絶縁性樹脂層
８ｃ　　　　　　絶縁性接着剤層
９ｃ　　　　　　絶縁被覆層
１０　　　　　　バインダー樹脂前駆体
１１　　　　　　導電性フィラー
１２　　　　　　デンドライト状粒子
１５　　　　　　離形性基材
２０　　　　　　基板
２１　　　　　　電極
２２　　　　　　グランドパターン
２３　　　　　　インナービア
２４　　　　　　はんだボール
２５　　　　　　ハーフダイシング溝
３０　　　　　　電子部品
３１　　　　　　半導体チップ
３２　　　　　　モールド樹脂
３３　　　　　　ボンディングワイヤ
４０　　　　　　プレス基板
５１、５２　　　　電子部品搭載基板

Claims

　基板と、
　前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、
　前記電子部品上面から前記基板に亘って被覆され、前記電子部品の搭載によって形成された段差部の側面および前記基板の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材と、を備え、
　前記電磁波シールド部材は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層を有し、
　前記電磁波シールド部材の表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定したクルトシスが１～８である電子部品搭載基板。
　前記電磁波シールド部材の表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定した二乗平均平方根高さＲｑが０．３～１．７μｍとなる請求項１に記載の電子部品搭載基板。
　前記導電性フィラーは、
　デンドライト状および針状の導電性フィラーの少なくとも一方を含有している請求項１又は２に記載の電子部品搭載基板。
　基板と、
　前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、
　前記電子部品上面から前記基板に亘って被覆され、前記電子部品の搭載によって形成された段差部の側面および前記基板の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材と、を備え、
　前記電磁波シールド部材は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層を有し、且つ押込み弾性率が１～１０ＧＰａである電子部品搭載基板。
　前記電磁波シールド部材の表層の水接触角が７０～１１０°である請求項４に記載の電子部品搭載基板。
　前記電磁波シールド部材のＪＩＳ　Ｋ５６００に基づくプレッシャークッカー試験後のテープ密着試験において、前記電子部品上の前記電磁波シールド部材が２３／２５以上のクロスカット残存率を示す請求項４又は５に記載の電子部品搭載基板。
　前記電磁波シールド部材の表層のＪＩＳＢ０６０１；２００１に準拠して測定したクルトシスが１～８となる請求項４～６のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
　前記電磁波シールド部材の表面の二乗平均平方根高さが０．４～１．６μｍの範囲である請求項４～７のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
　前記電磁波シールド部材のマルテンス硬さが５０～３１２Ｎ／ｍｍ^２である請求項４～８のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
　前記バインダー樹脂は、熱硬化性樹脂と、前記熱硬化性樹脂の反応性官能基と架橋可能な官能基を有している硬化性化合物を含有するバインダー樹脂前駆体を熱圧着して得られることを特徴とする請求項４～９のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
　前記電磁波シールド部材の膜厚が１０～２００μｍである請求項４～１０のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
　基板と、
　前記基板の少なくとも一方の面に搭載された電子部品と、
　前記電子部品上面から前記基板に亘って被覆され、前記電子部品の搭載によって形成された段差部の側面および前記基板の少なくとも一部を被覆する電磁波シールド部材と、を備え、
　前記電磁波シールド部材は、バインダー樹脂と導電性フィラーを含む電磁波シールド層を有し、
　前記電磁波シールド部材の表層の二乗平均平方根高さＲｑが０．０５μｍ以上、０．３μｍ未満である電子部品搭載基板。
　前記電磁波シールド部材の表層の二乗平均平方根傾斜Ｒｄｑが０．０５～０．４となる請求項１２に記載の電子部品搭載基板。
　前記電磁波シールド部材の表層の水接触角が９０～１３０°である請求項１２又は１３に記載の電子部品搭載基板。
　前記導電性フィラーは、
　デンドライト状および針状の導電性フィラーの少なくとも一方と、鱗片状の導電性フィラーを含有している請求項１２～１４のいずれかに記載の電子部品搭載基板。
　請求項１～１５のいずれかに記載の電子部品搭載基板が搭載された、電子機器。