WO2020121985A1

WO2020121985A1 - 電力分配器

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Publication number: WO2020121985A1
Application number: PCT/JP2019/047980
Authority: WO
Inventors: 誠尾形; 佐藤　拓也
Original assignee: 株式会社村田製作所
Priority date: 2018-12-12
Filing date: 2019-12-09
Publication date: 2020-06-18
Also published as: US20210265105A1; JPWO2020121985A1; CN113169436A; CN113169436B; JP7163972B2; US11972894B2

Abstract

第１インダクタ（２１）は、第１端子（Ｐ１）と第２端子（Ｐ２）との間に接続されている。第２インダクタ（２２）は、第１端子（Ｐ１）と第３端子（Ｐ３）との間に接続されている。抵抗（４１）は、第１インダクタ（２１）の第２端子（Ｐ２）側と、第２インダクタ（２２）の第３端子（Ｐ３）側との間に接続されている。第３インダクタ（２３）は、第１インダクタ（２１）と抵抗（４１）との接続部と、第２端子（Ｐ２）との間に接続されている。第４インダクタ（２４）は、第２インダクタ（２２）と抵抗（４１）との接続部と、第３端子（Ｐ３）との間に接続されている。第４コンデンサ（３４）は、抵抗（４１）に並列接続されている。第５コンデンサ（３５）は、第２端子（Ｐ２）と第３端子（Ｐ３）との間に接続されている。

Description

電力分配器

　本発明は、ウィルキンソン型分配器を用いた電力分配器に関する。

　特許文献１、特許文献２には、ウィルキンソン型分配器を用いて、高周波信号を分配する回路が記載されている。

　ウィルキンソン型分配器は、基本構成として、第１端子、第２端子、第３端子、第１インダクタ、第２インダクタ、および、抵抗を備える。第１インダクタは、第１端子と第２端子との間に接続され、第２インダクタは、第１端子と第３端子との間に接続されている。抵抗は、第２端子と第３端子との間に接続されている。

　特許文献１に記載の回路では、第１インダクタおよび第２インダクタのそれぞれにコンデンサを並列接続している。この構成によって、第２端子と第３端子との間のアイソレーションを向上させている。

　特許文献２に記載の回路は、抵抗と第２端子との間、および、抵抗と第３端子との間に、インダクタとコンデンサを用いたＴ型のローパスフィルタを接続している。この構成によって、挿入損失を劣化させることなく、反射特性を向上させている。

特開２００２－２８０８６４号公報特開２００１－１６０６３号公報

　しかしながら、近年の通信端末は、通信性能の更なる向上が求められており、特許文献１および特許文献２に記載された回路構成では、第２端子と第３端子との間で良好なアイソレーション特性が得られない場合が生じてしまう。

　したがって、本発明の目的は、アイソレーション特性をさらに向上させた電力分配器を提供することにある。

　この発明の電力分配器は、第１端子、第２端子、および、第３端子と、第１インダクタ、第２インダクタ、第３インダクタ、第４インダクタ、第１コンデンサ、第２コンデンサ、第３コンデンサ、第４コンデンサ、第５コンデンサ、および、抵抗を備える。

　第１インダクタは、第１端子と第２端子との間に接続されている。第２インダクタは、第１端子と第３端子との間に接続されている。第１コンデンサは、第１インダクタの第２端子側とグランドとの間に接続されている。第２コンデンサは、第２インダクタの第３端子側とグランドとの間に接続されている。第３コンデンサは、第１端子とグランドとの間に接続されている。抵抗は、第１インダクタの第２端子側と、第２インダクタの第３端子側との間に接続されている。第３インダクタは、第１インダクタと抵抗との接続部と、第２端子との間に接続されている。第４インダクタは、第２インダクタと抵抗との接続部と、第３端子との間に接続されている。第４コンデンサは、抵抗に並列接続されている。第５コンデンサは、第２端子と第３端子との間に接続されている。

　この構成では、第３インダクタ、第４インダクタ、第３コンデンサ、および、第４コンデンサが追加されることによって、第１インダクタ、第２インダクタ、第３インダクタ、第１コンデンサ、第２コンデンサ、第３コンデンサ、および、抵抗からなる回路の減衰極と異なる減衰極が形成される。この減衰極を調整する事によって、減衰量を大きくする、減衰量が比較的大きな周波数帯域を広くする等の特性が実現される。

　この発明によれば、アイソレーション特性をさらに向上させることができる。

図１は本発明の実施形態に係る電力分配器１０の回路図である。図２は電力分配器１０の第１特性を示すグラフである。図３は電力分配器１０の第２特性を示すグラフである。図４は電力分配器１０の外観斜視図である。図５（Ａ）は、電力分配器１０の平面図であり、図５（Ｂ）は、電力分配器１０の第１側面を視た側面図であり、図５（Ｃ）は、電力分配器１０の第４側面を視た側面図である。図６は、電力分配器１０における基体の分解斜視図である。

　本発明の実施形態に係る電力分配器について、図を参照して説明する。

　（回路構成）
　図１は、本発明の実施形態に係る電力分配器１０の回路図である。図１に示すように、電力分配器１０は、第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２、第３端子Ｐ３を備える。電力分配器１０は、第１インダクタ２１、第２インダクタ２２、第３インダクタ２３、および、第４インダクタ２４を備える。電力分配器１０は、第１コンデンサ３１、第２コンデンサ３２、第３コンデンサ３３、第４コンデンサ３４、および、第５コンデンサ３５を備える。電力分配器１０は、抵抗４１を備える。

　第１インダクタ２１は、第１端子Ｐ１と第２端子Ｐ２との間に接続されている。第２インダクタ２２は、第１端子Ｐ１と第３端子Ｐ３との間に接続されている。

　第１コンデンサ３１は、第１インダクタ２１における第２端子Ｐ２側とグランド（接地電位）との間に接続されている。第２コンデンサ３２は、第２インダクタ２２における第３端子Ｐ３とグランドとの間に接続されている。第３コンデンサ３３は、第１端子Ｐ１とグランドとの間に接続されている。

　抵抗４１は、第１インダクタ２１の第２端子Ｐ２側と、第２インダクタの第３端子Ｐ３側との間に接続されている。

　第３インダクタ２３は、第１インダクタ２１と抵抗４１との接続部ＰＣ１と第２端子Ｐ２との間に接続されている。第４インダクタ２４は、第２インダクタ２２と抵抗４１との接続部ＰＣ２と第３端子Ｐ３との間に接続されている。

　第４コンデンサ３４は、抵抗４１に対して並列に接続されている。第５コンデンサ３５は、第３インダクタ２３における第２端子Ｐ２側と、第４インダクタ２４における第３端子Ｐ３側との間に接続されている。

　第１インダクタ２１のインダクタンスと、第２インダクタ２２のインダクタンスとは、同じである。第１コンデンサ３１のキャパシタンスと、第２コンデンサ３２のキャパシタンスとは、同じである。第３インダクタ２３のインダクタンスと、第４インダクタ２４のインダクタンスとは、同じである。抵抗４１の抵抗値は、所定値であり、例えば、１００Ωである。

　このように、電力分配器１０は、第１インダクタ２１、第２インダクタ２２、第１コンデンサ３１、第２コンデンサ３２、第３コンデンサ３３、および、抵抗４１からなる一般的な基本のウィルキンソン型分配器（第１回路）に対して、第３インダクタ２３、第４インダクタ２４、第４コンデンサ３４、および、第５コンデンサ３５からなる第２回路を追加した構成となる。

　そして、この構成によって、電力分配器１０は、第１端子Ｐ１から入力された所望周波数の高周波信号を、第２端子Ｐ２および第３端子Ｐ３に分配して出力する。電力分配器１０は、第２端子Ｐ２から入力された所望周波数の高周波信号と、第３端子から入力された所望周波数の高周波信号とを結合し、第１端子Ｐ１に出力する。すなわち、電力分配器１０は、高周波信号の分配と高周波信号の結合とを実現する。

　（アイソレーション特性）
　このような構成によって、電力分配器１０は、図２または図３に示すようなアイソレーション特性を得ることができる。図２は、電力分配器１０の第１特性を示すグラフである。図３は、電力分配器１０の第２特性を示すグラフである。第１特性と第２特性とでは、電力分配器１０を構成する各回路素子の素子値（インダクタンス、キャパシタンス）が異なる。図２および図３において、横軸は周波数を表し、縦軸は第２端子Ｐ２と第３端子Ｐ３との間の減衰量を表す。この縦軸の減衰量が大きいほど、すなわち、縦軸の数値が小さいほど、第２端子Ｐ２と第３端子Ｐ３との間のアイソレーション特性が高いことを意味する。また、図２、図３に示す比較構成は、一般的な基本のウィルキンソン型分配器の回路構成に基づいている。

　（第１の特性（減衰極での減衰量が大きい））
　図２に示すように、第１インダクタ２１のインダクタンス、第２インダクタ２２のインダクタンス、第３インダクタ２３のインダクタンス、第４インダクタ２４のインダクタンス、第１コンデンサ３１のキャパシタンス、第２コンデンサ３２のキャパシタンス、第３コンデンサ３３のキャパシタンス、第４コンデンサ３４のキャパシタンス、第５コンデンサ３５のキャパシタンスを第１の関係にすることによって、減衰極での減衰量を、比較構成よりも大きくできる。すなわち、アイソレーション特性を高くできる。これは、所定の減衰量を有する複数の減衰極を、近接もしくは一致させるように設定することによって実現される（図２参照）。

　なお、一例として、図２の特性は、第１インダクタ２１のインダクタンスと第２インダクタ２２のインダクタンスとは、１０．６３［ｎＨ］であり、第３インダクタ２３のインダクタンスと第４インダクタ２４のインダクタンスとは、８．１２［ｎＨ］である。第１コンデンサ３１のキャパシタンスと第２コンデンサ３２のキャパシタンスとは、１．３０［ｐＦ］であり、第３コンデンサ３３のキャパシタンスは、２．５９［ｐＦ］である。第４コンデンサ３４のキャパシタンスは、０．０８［ｐＦ］であり、第５コンデンサ３５のキャパシタンスは、０．２７［ｐＦ］である。これらの素子値は、一例であり、これらの関係と同様の関係であれば、図２の特性と類似する特性を得られ、減衰極の周波数も調整は可能である。

　（第２の特性（所定の減衰量が得られる周波数帯域が広帯域））
　図３に示すように、第１インダクタ２１のインダクタンス、第２インダクタ２２のインダクタンス、第３インダクタ２３のインダクタンス、第４インダクタ２４のインダクタンス、第１コンデンサ３１のキャパシタンス、第２コンデンサ３２のキャパシタンス、第３コンデンサ３３のキャパシタンス、第４コンデンサ３４のキャパシタンス、第５コンデンサ３５のキャパシタンスを第２の関係にすることによって、所定の減衰量（例えば、－２５［ｄＢ］）が得られる周波数帯域を、比較構成よりも広くできる。すなわち、広い周波数帯域においてアイソレーション特性を高くできる。これは、所定の減衰量を有する複数の減衰極を、所定の周波数幅で離間して設定することによって実現される（図３参照）。

　なお、一例として、図３の特性は、第１インダクタ２１のインダクタンスと第２インダクタ２２のインダクタンスとは、１３．６８［ｎＨ］であり、第３インダクタ２３のインダクタンスと第４インダクタ２４のインダクタンスとは、７．８７［ｎＨ］である。第１コンデンサ３１のキャパシタンスと第２コンデンサ３２のキャパシタンスとは、２．４０［ｐＦ］であり、第３コンデンサ３３のキャパシタンスは、２．６９［ｐＦ］である。第４コンデンサ３４のキャパシタンスは、１．３０［ｐＦ］であり、第５コンデンサ３５のキャパシタンスは、１．２８［ｐＦ］である。これらの素子値は、一例であり、これらの関係と同様の関係であれば、図３の特性と類似する特性を得られ、減衰極の周波数、および、所定の減衰量を得られる周波数帯域幅の調整は可能である。

　このように、本実施形態に係る電力分配器１０は、従来の回路構成と比較して、アイソレーション特性をさらに向上させることができる。

　（電力分配器１０の構造）
　図４は、電力分配器１０の外観斜視図である。図５（Ａ）は、電力分配器１０の平面図であり、図５（Ｂ）は、電力分配器１０の第１側面を視た側面図であり、図５（Ｃ）は、電力分配器１０の第４側面を視た側面図である。図６は、電力分配器１０における基体の分解斜視図である。

　図４、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、および、図５（Ｃ）に示すように、電力分配器１０は、基体９０を備える。基体９０は、複数の絶縁体を積層してなる積層体であり、所定の回路導体パターンが形成されている。この構成によって、基体９０には、電力分配器１０における抵抗４１以外の回路構成要素が形成されている。

　基体９０は、直方体であり、第１側面９０１、第２側面９０２、第３側面９０３、第４側面９０４、第１主面９０５、および、第２主面９０６を備える。第１主面９０５および第２主面９０６は、基体９０の高さ方向（ｚ方向）に直交する面である。第１主面９０５と第２主面９０６とは、互いに平行であり、ｚ方向において離間している。第１側面９０１および第２側面９０２は、基体９０のｚ方向に直交するｘ方向に平行な面である。第１側面９０１と第２側面９０２とは、互いに平行であり、ｚ方向およびｘ方向に直交するｙ方向において離間している。第３側面９０３および第４側面９０４は、基体９０のｙ方向に平行な面である。第３側面９０３と第４側面９０４とは、互いに平行であり、ｘ方向において離間している。

　基体９０の第１側面９０１には、第１側面導体９１１、第２側面導体９１２、および、第３側面導体９１３が形成されている。第１側面導体９１１、第２側面導体９１２、および、第３側面導体９１３は、ｚ方向に延びる矩形の平膜である。

　第１側面導体９１１は、第１側面９０１におけるｘ方向の中心ＣＳｘを含む位置に配置されている。第１側面導体９１１は、回路上の第１端子Ｐ１となる。第２側面導体９１２は、第１側面導体９１１よりも第３側面９０３側に配置されている。第３側面導体９１３は、第１側面導体９１１よりも第４側面９０４側に配置されている。第２側面導体９１２と第１側面導体９１１との距離（ｘ方向の離間距離）は、第３側面導体９１３と第１側面導体９１１との距離（ｘ方向の離間距離）は、同じである。

　基体９０の第２側面９０２には、第４側面導体９１４、第５側面導体９１５、および、第６側面導体９１６が形成されている。第４側面導体９１４、第５側面導体９１５、および、第６側面導体９１６は、ｚ方向に延びる矩形の平膜である。

　第４側面導体９１４は、第２側面９０２におけるｘ方向の中心ＣＳｘを含む位置に配置されている。第５側面導体９１５は、第４側面導体９１４よりも第３側面９０３側に配置されている。第６側面導体９１６は、第４側面導体９１４よりも第４側面９０４側に配置されている。第５側面導体９１５と第４側面導体９１４との距離（ｘ方向の離間距離）は、第６側面導体９１６と第４側面導体９１４との距離（ｘ方向の離間距離）は、同じである。

　基体９０をｙ方向に視て、第４側面導体９１４は、第１側面導体９１１と重なっている。第５側面導体９１５は、第２側面導体９１２と重なっており、第６側面導体９１６は、第３側面導体９１３と重なっている。

　基体９０の第３側面９０３には、第７側面導体９１７が形成されている。第７側面導体９１７は、ｚ方向に延びる矩形の平膜である。第７側面導体９１７は、第３側面９０３におけるｙ方向の中心ＣＳｙを含む位置に配置されている。第７側面導体９１７は、回路上の第２端子Ｐ２となる。

　基体９０の第４側面９０４には、第８側面導体９１８が形成されている。第８側面導体９１８は、ｚ方向に延びる矩形の平膜である。第８側面導体９１８は、第４側面９０４におけるｙ方向の中心ＣＳｙを含む位置に配置されている。第８側面導体９１８は、回路上の第３端子Ｐ３となる。

　このような構成によって、回路上の第２端子Ｐ２と第３端子Ｐ３との距離を離間し、第１端子Ｐ１と第２端子Ｐ２との距離と、第１端子Ｐ１と第３端子Ｐ３との距離とを、同じにできる。

　電力分配器１０は、抵抗素子９３を備える。抵抗素子９３は、チップ型電子部品であってもよく、所定の導体パターンによって形成されていてもよい。抵抗素子９３は、回路上の抵抗４１となる。

　抵抗素子９３の一方端は、配線導体９２１を介して、第５側面導体９１５に接続されている。抵抗素子９３の他方端は、配線導体９２２を介して、第６側面導体９１６に接続されている。配線導体９２１と配線導体９２２との長さは同じであることが好ましい。

　（基体９０の内部構造）
　図５（Ａ）、図６に示すように、電力分配器１０は、平面視して（ｚ方向に視て）、第１インダクタ２１が形成される第１インダクタ領域Ｒｅ２１と、第２インダクタ２２が形成される第２インダクタ領域Ｒｅ２２とを有する。第１インダクタ領域Ｒｅ２１と第２インダクタ領域Ｒｅ２２とは、基体９０におけるｘ方向の中心ＣＳｘ（第１基準面）を基準にして、対象の位置に配置されている。さらに、第１インダクタ２１を構成する螺旋形状のインダクタ導体と、第２インダクタ２２を構成する螺旋形状のインダクタ導体とは、第１基準面を基準にして、対称の形状である。また、第１インダクタ２１の螺旋の巻き方向と、第２インダクタ２２の螺旋の巻き方向は逆である。

　この構成により、第１インダクタ２１のインダクタンスと、第２インダクタ２２のインダクタンスとを、精度良く同じにできる。また、第１インダクタ２１と第２インダクタ２２との結合を抑制できる。

　基体９０は、平面視して（ｚ方向に視て）、第３インダクタ２３が形成される第３インダクタ領域Ｒｅ２３と、第４インダクタ２４が形成される第４インダクタ領域Ｒｅ２４とを有する。第３インダクタ領域Ｒｅ２３と第４インダクタ領域Ｒｅ２４とは、基体９０におけるｘ方向の中心ＣＳｘ（第１基準面）を基準にして、対象の位置に配置されている。さらに、第３インダクタ２３を構成する螺旋形状のインダクタ導体と、第４インダクタ２４を構成する螺旋形状のインダクタ導体とは、第１基準面を基準にして、対称の形状である。また、第３インダクタ２３の螺旋の巻き方向と、第４インダクタ２４の螺旋の巻き方向は逆である。

　この構成により、第３インダクタ２３のインダクタンスと、第４インダクタ２４のインダクタンスとを、精度良く同じにできる。また、第３インダクタ２３と第４インダクタ２４との結合を抑制できる。

　また、第１インダクタ領域Ｒｅ２１と第３インダクタ領域Ｒｅ２３とは、第１基準面も第３側面９０３側に配置され、第２基準面を基準にして対象の位置に配置されている。第２インダクタ領域Ｒｅ２２と第４インダクタ領域Ｒｅ２４とは、第１基準面も第４側面９０４側に配置され、第２基準面を基準にして対象の位置に配置されている。

　この構成により、第１側面導体９１１（第１端子Ｐ１）と第１インダクタ２１との距離と、第１側面導体９１１と第２インダクタ２２との距離を同じにできる。また、第３インダクタ２３と第７側面導体９１７（第２端子Ｐ２）との距離と、第４インダクタ２４と第８側面導体９１８（第３端子Ｐ３）との距離と、を同じにできる。

　さらには、第１インダクタ２１と第３インダクタ２３との距離と、第２インダクタ２２と第４インダクタ２４との距離を短くでき、且つ、これらの距離を同じにできる。

　基体９０は、平面視して（ｚ方向に視て）、第４コンデンサ３４が形成される第４コンデンサ領域Ｒｅ３４と、第５コンデンサ３５が形成される第５コンデンサ領域Ｒｅ３５とを有する。第４コンデンサ領域Ｒｅ３４は、基体９０におけるｘ方向の中心に配置されており、第１側面９０１よりも第２側面９０２に近い位置に配置されている。第５コンデンサ領域Ｒｅ３５は、基体９０におけるｘ方向の中心に配置されており、第２側面９０２よりも第１側面９０１に近い位置に配置されている。

　この際、第４コンデンサ領域Ｒｅ３４と第５コンデンサ領域Ｒｅ３５とは、第１インダクタ領域Ｒｅ２１、第２インダクタ領域Ｒｅ２２、第３インダクタ領域Ｒｅ２３、および、第４インダクタ領域Ｒｅ２４に重ならない。これにより、第１インダクタ２１、第２インダクタ２２、第３インダクタ２３、および、第４インダクタ２４の発生する磁界を、第４コンデンサ３４および第５コンデンサ３５によって塞ぐことが抑制される。このため、第１インダクタ２１、第２インダクタ２２、第３インダクタ２３、および、第４インダクタ２４のそれぞれのインダクタンスを、所望値に実現させやすい。

　なお、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）では記載していないが、第１コンデンサ３１が形成される第１コンデンサ領域、第２コンデンサ３２が形成される第２コンデンサ領域、および、第３コンデンサ３３が形成される第３コンデンサ領域は、第１インダクタ領域Ｒｅ２１、第２インダクタ領域Ｒｅ２２、第３インダクタ領域Ｒｅ２３、第４インダクタ領域Ｒｅ２４、第４コンデンサ領域Ｒｅ３４、および、第５コンデンサ領域Ｒｅ３５のいずれかに重なっている。しかしながら、図６に示すように、第１インダクタ領域Ｒｅ２１、第２インダクタ領域Ｒｅ２２、第３インダクタ領域Ｒｅ２３、第４インダクタ領域Ｒｅ２４、第４コンデンサ領域Ｒｅ３４、および、第５コンデンサ領域Ｒｅ３５が形成される部分と、第１コンデンサ領域、第２コンデンサ領域、および、第３コンデンサ領域が形成される部分との間には、グランド導体９０Ｇが配置される。これにより、このような構成であっても、各回路素子の特性の劣化は抑制される。

　また、第５側面導体９１５と第７側面導体９１７との距離と、第６側面導体９１６と第８側面導体９１８との距離とは、同じである。したがって、回路上において、第２端子Ｐ２と抵抗４１との距離と、第３端子Ｐ３と抵抗４１との距離とを同じにできる。

　以上のような基体９０の構造および抵抗素子９３の接続構成を用いることによって、上述の電力分配器１０の各回路素子の素子値を精度良く実現できる。これにより、電力分配器１０の上述の特性を、精度良く実現できる。

　（基体９０の詳細な内部構造）
　図６に示すように、基体９０は、複数の絶縁体層Ｌｙ０、Ｌｙ１、・・・、Ｌｙ１９（以下、Ｌｙ０－Ｌｙ１９と称する。）、ＬｙＤによって形成されている。複数の絶縁体層Ｌｙ０－Ｌｙ１９は、それぞれに矩形の平膜である。複数の絶縁体層ＬｙＤは、それぞれが矩形の平膜の絶縁体層を重ね合わせたものである。なお、絶縁体層ＬｙＤを１層で形成してもよい。

　複数の絶縁体層Ｌｙ０、Ｌｙ１、・・・、Ｌｙ１９、ＬｙＤは、次のように積層されている。図６に示すように、基体９０の第２主面９０６側から、第２主面９０６を形成する絶縁体層Ｌｙ０、絶縁体層Ｌｙ１、絶縁体層ＬｙＤ、絶縁体層Ｌｙ２の順に、積層され、基体９０の第１主面９０５を形成する絶縁体層Ｌｙ１９が配置される。

　（絶縁体層Ｌｙ０）
　絶縁体層Ｌｙ０には、コンデンサ導体３１１、コンデンサ導体３２１、および、コンデンサ導体３３１が形成されている。コンデンサ導体３１１、コンデンサ導体３２１、および、コンデンサ導体３３１は、それぞれに矩形である。コンデンサ導体３１１が、本発明の「第１コンデンサ導体」に対応し、コンデンサ導体３２１が、本発明の「第２コンデンサ導体」に対応し、コンデンサ導体３３１が、本発明の「第３コンデンサ導体」に対応する。

　コンデンサ導体３１１は、ｘ方向の中心を含むように配置されている。コンデンサ導体３２１は、コンデンサ導体３１１よりも第３側面９０３側に配置されている。コンデンサ導体３３１は、コンデンサ導体３１１よりも第４側面９０４側に配置されている。コンデンサ導体３１１は、コンデンサ導体３２１とコンデンサ導体３３１よりも、第１側面９０１側に配置されている。

　コンデンサ導体３１１は、第１側面導体９１１に接続されている。コンデンサ導体３２１は、第５側面導体９１５に接続されている。コンデンサ導体３３１は、第６側面導体９１６に接続されている。

　（絶縁体層Ｌｙ１）
　絶縁体層Ｌｙ１には、グランド導体９０Ｇが形成されている。グランド導体９０Ｇは、絶縁体層Ｌｙ１の略全面に形成されている。ｚ方向に視て、グランド導体９０Ｇは、コンデンサ導体３１１、コンデンサ導体３２１、および、コンデンサ導体３３１と対向している。

　グランド導体９０Ｇは、第２側面導体９１２、第３側面導体９１３、および、第４側面導体９１４に接続されている。

　（絶縁体層ＬｙＤ）
　絶縁体層ＬｙＤには、導体パターンは形成されておらず、所定の高さ（厚み）を有する。

　（絶縁体層Ｌｙ２）
　絶縁体層Ｌｙ２には、コンデンサ導体３４１が形成されている。コンデンサ導体３４１は、矩形であり、ｘ方向の中心付近に配置されている。コンデンサ導体３４１は、ｙ方向において、第１側面９０１よりも第２側面９０２に近い位置に配置されている。

　（絶縁体層Ｌｙ３）
　絶縁体層Ｌｙ３には、コンデンサ導体３４２およびコンデンサ導体３４３が形成されている。コンデンサ導体３４２およびコンデンサ導体３４３は、矩形であり、ｘ方向の中心付近に配置されている。コンデンサ導体３４２およびコンデンサ導体３４３は、ｙ方向において、第１側面９０１よりも第２側面９０２に近い位置に配置されている。

　コンデンサ導体３４２およびコンデンサ導体３４３は、ｘ方向に並んで、所定距離離間して配置されている。コンデンサ導体３４２およびコンデンサ導体３４３は、それぞれにコンデンサ導体３４１に対向している。

　コンデンサ導体３４２は、第５側面導体９１５に接続されており、コンデンサ導体３４３は、第６側面導体９１６に接続されている。

　（絶縁体層Ｌｙ４）
　絶縁体層Ｌｙ４には、コンデンサ導体３４４が形成されている。コンデンサ導体３４４は、矩形であり、ｘ方向の中心付近に配置されている。コンデンサ導体３４４は、ｙ方向において、第１側面９０１よりも第２側面９０２に近い位置に配置されている。コンデンサ導体３４４は、コンデンサ導体３４２およびコンデンサ導体３４３のそれぞれに対向している。

　（絶縁体層Ｌｙ５）
　絶縁体層Ｌｙ５には、インダクタ導体２１１、インダクタ導体２２１、インダクタ導体２３１、および、インダクタ導体２４１が形成されている。インダクタ導体２１１、インダクタ導体２２１、インダクタ導体２３１、および、インダクタ導体２４１は、巻回形の線状導体である。

　インダクタ導体２１１は、第１側面９０１および第３側面９０３に近い位置に配置されている。インダクタ導体２２１は、第１側面９０１および第４側面９０４に近い位置に配置されている。インダクタ導体２１１とインダクタ導体２２１とは、ｘ方向の中心ＣＳｘ（第１基準面）を基準に対称の形状であり、対象の位置に配置されている。

　インダクタ導体２３１は、第２側面９０２および第３側面９０３に近い位置に配置されている。インダクタ導体２４１は、第２側面９０２および第４側面９０４に近い位置に配置されている。インダクタ導体２３１とインダクタ導体２４１とは、ｘ方向の中心ＣＳｘを基準に対称の形状であり、対象の位置に配置されている。また、インダクタ導体２１１とインダクタ導体２３１とは、ｙ方向の中心ＣＳｙを基準に、略対称の位置に配置されている。インダクタ導体２２１とインダクタ導体２４１とは、ｙ方向の中心ＣＳｙ（第２基準面）を基準に、略対称の位置に配置されている。

　インダクタ導体２１１とインダクタ導体２３１とは接続されており、インダクタ導体２２１とインダクタ導体２４１とは、接続されている。インダクタ導体２３１は、第５側面導体９１５に接続されており、インダクタ導体２４１は、第６側面導体９１６に接続されている。

　（絶縁体層Ｌｙ６）
　絶縁体層Ｌｙ６には、導体パターンは形成されていない。

　（絶縁体層Ｌｙ７）
　絶縁体層Ｌｙ７には、インダクタ導体２１２、インダクタ導体２２２、インダクタ導体２３２、および、インダクタ導体２４２が形成されている。インダクタ導体２１２、インダクタ導体２２２、インダクタ導体２３２、および、インダクタ導体２４２は、巻回形の線状導体である。

　インダクタ導体２１２は、第１側面９０１および第３側面９０３に近い位置に配置されている。インダクタ導体２２２は、第１側面９０１および第４側面９０４に近い位置に配置されている。インダクタ導体２１２とインダクタ導体２２２とは、ｘ方向の中心ＣＳｘを基準に対称の形状であり、対象の位置に配置されている。

　インダクタ導体２３２は、第２側面９０２および第３側面９０３に近い位置に配置されている。インダクタ導体２４２は、第２側面９０２および第４側面９０４に近い位置に配置されている。インダクタ導体２３２とインダクタ導体２４２とは、ｘ方向の中心ＣＳｘを基準に対称の形状であり、対象の位置に配置されている。また、インダクタ導体２１２とインダクタ導体２３２とは、ｙ方向の中心ＣＳｙを基準に、略対称の位置に配置されている。インダクタ導体２２２とインダクタ導体２４２とは、ｙ方向の中心ＣＳｙを基準に、略対称の位置に配置されている。

　（絶縁体層Ｌｙ８）
　絶縁体層Ｌｙ８には、導体パターンは形成されていない。

　（絶縁体層Ｌｙ９）
　絶縁体層Ｌｙ９には、インダクタ導体２１３、インダクタ導体２２３、インダクタ導体２３３、および、インダクタ導体２４３が形成されている。インダクタ導体２１３、インダクタ導体２２３、インダクタ導体２３３、および、インダクタ導体２４３は、巻回形の線状導体である。

　インダクタ導体２１３は、第１側面９０１および第３側面９０３に近い位置に配置されている。インダクタ導体２２３は、第１側面９０１および第４側面９０４に近い位置に配置されている。インダクタ導体２１３とインダクタ導体２２３とは、ｘ方向の中心ＣＳｘを基準に対称の形状であり、対象の位置に配置されている。

　インダクタ導体２３３は、第２側面９０２および第３側面９０３に近い位置に配置されている。インダクタ導体２４３は、第２側面９０２および第４側面９０４に近い位置に配置されている。インダクタ導体２３３とインダクタ導体２４３とは、ｘ方向の中心ＣＳｘを基準に対称の形状であり、対象の位置に配置されている。また、インダクタ導体２１３とインダクタ導体２３３とは、ｙ方向の中心ＣＳｙを基準に、略対称の位置に配置されている。インダクタ導体２２３とインダクタ導体２４３とは、ｙ方向の中心ＣＳｙを基準に、略対称の位置に配置されている。

　（絶縁体層Ｌｙ１０）
　絶縁体層Ｌｙ１０には、導体パターンは形成されていない。

　（絶縁体層Ｌｙ１１）
　絶縁体層Ｌｙ１１には、インダクタ導体２１４、インダクタ導体２２４、インダクタ導体２３４、および、インダクタ導体２４４が形成されている。インダクタ導体２１４、インダクタ導体２２４、インダクタ導体２３４、および、インダクタ導体２４４は、巻回形の線状導体である。

　インダクタ導体２１４は、第１側面９０１および第３側面９０３に近い位置に配置されている。インダクタ導体２２４は、第１側面９０１および第４側面９０４に近い位置に配置されている。インダクタ導体２１３とインダクタ導体２２３とは、ｘ方向の中心ＣＳｘを基準に対称の形状であり、対象の位置に配置されている。

　インダクタ導体２３４は、第２側面９０２および第３側面９０３に近い位置に配置されている。インダクタ導体２４４は、第２側面９０２および第４側面９０４に近い位置に配置されている。インダクタ導体２３４とインダクタ導体２４４とは、ｘ方向の中心ＣＳｘを基準に対称の形状であり、対象の位置に配置されている。また、インダクタ導体２１４とインダクタ導体２３４とは、ｙ方向の中心ＣＳｙを基準に、略対称の位置に配置されている。インダクタ導体２２４とインダクタ導体２４４とは、ｙ方向の中心ＣＳｙを基準に、略対称の位置に配置されている。

　絶縁体層Ｌｙ１１には、さらに、配線導体２５１および配線導体２５２が形成されている。配線導体２５１および配線導体２５２は、主としてｘ方向に延びる形状である。配線導体２５１は、インダクタ導体２１４とインダクタ導体２３４との間に配置されており、第７側面導体９１７に接続されている。配線導体２５２は、インダクタ導体２２４とインダクタ導体２４４との間に配置されており、第８側面導体９１８に接続されている。

　（絶縁体層Ｌｙ１２）
　絶縁体層Ｌｙ１２には、配線導体２５３が形成されている。配線導体２５３は、主としてｘ方向に延びる形状であり、第１側面９０１の近傍に、第１側面９０１に沿って配置されている。配線導体２５３の延びる方向の中点は、第１側面導体９１１に接続されている。

　（絶縁体層Ｌｙ１３）
　絶縁体層Ｌｙ１３には、コンデンサ導体３５１およびコンデンサ導体３５２が形成されている。コンデンサ導体３５１およびコンデンサ導体３５２は、略矩形であり、ｘ方向の中心付近に配置されている。コンデンサ導体３５１およびコンデンサ導体３５２は、ｙ方向において、第２側面９０２よりも第１側面９０１に近い位置に配置されている。

　コンデンサ導体３５１およびコンデンサ導体３５２は、ｘ方向に並んで、所定距離離間して配置されている。

　（絶縁体層Ｌｙ１４）
　絶縁体層Ｌｙ１４には、導体パターンは形成されていない。

　（絶縁体層Ｌｙ１５）
　絶縁体層Ｌｙ１５には、コンデンサ導体３５３が形成されている。コンデンサ導体３５３は、ｘ方向の中心付近に配置されている。コンデンサ導体３５３は、ｙ方向において、第２側面９０２よりも第１側面９０１に近い位置に配置されている。

　コンデンサ導体３５３の一部は、コンデンサ導体３５１およびコンデンサ導体３５２に対向している。

　（絶縁体層Ｌｙ１６）
　絶縁体層Ｌｙ１６には、導体パターンは形成されていない。

　（絶縁体層Ｌｙ１７）
　絶縁体層Ｌｙ１７には、コンデンサ導体３５４およびコンデンサ導体３５５が形成されている。コンデンサ導体３５４およびコンデンサ導体３５５は、略矩形であり、ｘ方向の中心付近に配置されている。コンデンサ導体３５４およびコンデンサ導体３５５は、ｙ方向において、第２側面９０２よりも第１側面９０１に近い位置に配置されている。

　コンデンサ導体３５４およびコンデンサ導体３５５は、ｘ方向に並んで、所定距離離間して配置されている。

　コンデンサ導体３５４は、コンデンサ導体３５１に対向しており、コンデンサ導体３５５は、コンデンサ導体３５２に対向している。

　（絶縁体層Ｌｙ１８）
　絶縁体層Ｌｙ１８には、コンデンサ導体３５６が形成されている。コンデンサ導体３５６は、ｘ方向の中心付近に配置されている。コンデンサ導体３５６は、ｙ方向において、第２側面９０２よりも第１側面９０１に近い位置に配置されている。

　コンデンサ導体３５６は、コンデンサ導体３５４およびコンデンサ導体３５５に対向している。

　（絶縁体層Ｌｙ１９）
　絶縁体層Ｌｙ１９には、導体パターンは形成されていない。

　上述の構成において、コンデンサ導体３１１とグランド導体９０Ｇとが絶縁体層を介して対向することによって、回路上の第１コンデンサ３１が構成される。コンデンサ導体３１１とグランド導体９０Ｇとが、本発明の「第１コンデンサ導体」に対応する。

　コンデンサ導体３２１とグランド導体９０Ｇとが絶縁体層を介して対向することによって、回路上の第２コンデンサ３２が構成される。コンデンサ導体３２１とグランド導体９０Ｇとが、本発明の「第２コンデンサ導体」に対応する。

　コンデンサ導体３３１とグランド導体９０Ｇとが絶縁体層を介して対向することによって、回路上の第３コンデンサ３３が構成される。コンデンサ導体３３１とグランド導体９０Ｇとが、本発明の「第３コンデンサ導体」に対応する。

　コンデンサ導体３４１およびコンデンサ導体３４４と、コンデンサ導体３４２およびコンデンサ導体３４３とが絶縁体層を介して対向することによって、回路上の第４コンデンサ３４が構成される。コンデンサ導体３４１、コンデンサ導体３４２、コンデンサ導体３４３、およびコンデンサ導体３４４が、本発明の「第４コンデンサ導体」に対応する。

　コンデンサ導体３５１、コンデンサ導体３５３、コンデンサ導体３５４、およびコンデンサ導体３５６が絶縁体層を介して対向し、コンデンサ導体３５２、コンデンサ導体３５３、コンデンサ導体３５５、およびコンデンサ導体３５６が絶縁体層を介して対向することによって、回路上の第５コンデンサ３５が構成される。コンデンサ導体３５１、コンデンサ導体３５２、コンデンサ導体３５３、コンデンサ導体３５４、コンデンサ導体３５５、および、コンデンサ導体３５６が、本発明の「第５コンデンサ導体」に対応する。

　インダクタ導体２１１の中央の開口、インダクタ導体２１２の中央の開口、インダクタ導体２１３の中央の開口、および、インダクタ導体２１４の開口は、重なっている。さらに、インダクタ導体２１１、インダクタ導体２１２、インダクタ導体２１３、および、インダクタ導体２１４が順に層間接続導体で接続されている。これにより、螺旋形の第１インダクタ２１が構成される。インダクタ導体２１１、インダクタ導体２１２、インダクタ導体２１３、および、インダクタ導体２１４が本発明の「第１インダクタ導体」に対応する。

　インダクタ導体２２１の中央の開口、インダクタ導体２２２の中央の開口、インダクタ導体２２３の中央の開口、および、インダクタ導体２２４の開口は、重なっている。さらに、インダクタ導体２２１、インダクタ導体２２２、インダクタ導体２２３、および、インダクタ導体２２４が順に層間接続導体で接続されている。これにより、螺旋形の第２インダクタ２２が構成される。インダクタ導体２２１、インダクタ導体２２２、インダクタ導体２２３、および、インダクタ導体２２４が、本発明の「第２インダクタ導体」に対応する。

　インダクタ導体２３１の中央の開口、インダクタ導体２３２の中央の開口、インダクタ導体２３３の中央の開口、および、インダクタ導体２３４の開口は、重なっている。さらに、インダクタ導体２３１、インダクタ導体２３２、インダクタ導体２３３、および、インダクタ導体２３４が順に層間接続導体で接続されている。これにより、螺旋形の第３インダクタ２３が構成される。インダクタ導体２３１、インダクタ導体２３２、インダクタ導体２３３、および、インダクタ導体２３４が、本発明の「第３インダクタ導体」に対応する。

　インダクタ導体２４１の中央の開口、インダクタ導体２４２の中央の開口、インダクタ導体２４３の中央の開口、および、インダクタ導体２４４の開口は、重なっている。さらに、インダクタ導体２４１、インダクタ導体２４２、インダクタ導体２４３、および、インダクタ導体２４４が順に層間接続導体で接続されている。これにより、螺旋形の第４インダクタ２４が構成される。インダクタ導体２４１、インダクタ導体２４２、インダクタ導体２４３、および、インダクタ導体２４４が、本発明の「第４インダクタ導体」に対応する。

　そして、これらの構成によって、基体９０、抵抗素子９３、配線導体９２１、および、配線導体９２２から、上述の図１に示す回路を容易に実現できる。

　また、この構成では、図６に示すように、さらに、第５コンデンサ領域Ｒｅ３５が形成される層と、第４コンデンサ領域Ｒｅ３４が形成される層は、第１インダクタ領域Ｒｅ２１、第２インダクタ領域Ｒｅ２２、第３インダクタ領域Ｒｅ２３、および、第４インダクタ領域Ｒｅ２４が形成される層を挟んで配置されている。これにより、第４コンデンサ３４と第５コンデンサ３５との結合を抑制できる。

　また、この構成では、図６に示すように、さらに、第４コンデンサ領域Ｒｅ３４が形成される層と、グランド導体９０Ｇとの間に、導体パターンが形成されていない絶縁体層ＬｙＤが配置されている。これにより、第４コンデンサ３４とグランド導体９０Ｇとの結合を抑制できる。

　なお、電力分配器１０の基体９０では、ｚ方向において、第４コンデンサ領域Ｒｅ３４と第５コンデンサ領域Ｒｅ３５とを、第１インダクタ領域Ｒｅ２１、第２インダクタ領域Ｒｅ２２、第３インダクタ領域Ｒｅ２３、および、第４インダクタ領域Ｒｅ２４が形成される層に対して同じ側に配置することも可能である。

　また、電力分配器１０では、基体９０の第１主面９０５上に、抵抗素子９３を実装することも可能であり、基体９０の内部に抵抗素子９３を実装することもできる。

１０：電力分配器
２１：第１インダクタ
２２：第２インダクタ
２３：第３インダクタ
２４：第４インダクタ
３１：第１コンデンサ
３２：第２コンデンサ
３３：第３コンデンサ
３４：第４コンデンサ
３５：第５コンデンサ
４１：抵抗
９０：基体
９０Ｇ：グランド導体
９３：抵抗素子
２１１、２１２、２１３、２１４、２２１、２２２、２２３、２２４、２３１、２３２、２３３、２３４、２４１、２４２、２４３、２４４：インダクタ導体
２５１、２５２、２５３：配線導体
３１１、３２１、３３１、３４１、３４２、３４３、３４４、３５１、３５２、３５３、３５４、３５５、３５６：コンデンサ導体
９０１：第１側面
９０２：第２側面
９０３：第３側面
９０４：第４側面
９０５：第１主面
９０６：第２主面
９１１：第１側面導体
９１２：第２側面導体
９１３：第３側面導体
９１４：第４側面導体
９１５：第５側面導体
９１６：第６側面導体
９１７：第７側面導体
９１８：第８側面導体
９２１、９２２：配線導体
Ｌｙ０－Ｌｙ１９，ＬｙＤ：絶縁体層
Ｐ１：第１端子
Ｐ２：第２端子
Ｐ３：第３端子
Ｒｅ２１：第１インダクタ領域
Ｒｅ２２：第２インダクタ領域
Ｒｅ２３：第３インダクタ領域
Ｒｅ２４：第４インダクタ領域
Ｒｅ３４：第４コンデンサ領域
Ｒｅ３５：第５コンデンサ領域

Claims

　第１端子、第２端子、および、第３端子と、
　前記第１端子と前記第２端子との間に接続された第１インダクタと、
　前記第１端子と前記第３端子との間に接続された第２インダクタと、
　前記第１インダクタの前記第２端子側とグランドとの間に接続された第１コンデンサと、
　前記第２インダクタの前記第３端子側と前記グランドとの間に接続された第２コンデンサと、
　前記第１端子と前記グランドとの間に接続された第３コンデンサと、
　前記第１インダクタの前記第２端子側と、前記第２インダクタの前記第３端子側との間に接続された抵抗と、
　前記第１インダクタと前記抵抗との接続部と、前記第２端子との間に接続された第３インダクタと、
　前記第２インダクタと前記抵抗との接続部と、前記第３端子との間に接続された第４インダクタと、
　前記抵抗に並列接続された第４コンデンサと、
　前記第２端子と前記第３端子との間に接続された第５コンデンサと、
　を備える、電力分配器。
　前記第１インダクタ、前記第２インダクタ、前記抵抗、前記第１コンデンサ、前記第２コンデンサ、および、前記第３コンデンサから構成される第１回路と、
　前記第３インダクタ、前記第４インダクタ、前記第４コンデンサ、および、前記第５コンデンサから構成される第２回路と、を有し、
　前記第１回路の素子値および前記第２回路の素子値は、前記第１回路と前記第２回路とによって１つまたは２つの減衰極を形成する素子値である、
　請求項１に記載の電力分配器。
　複数の絶縁体層が積層され、内部に回路導体パターンが形成された積層体と、
　前記回路導体パターンを外部に接続する複数の端子導体と、を備え、
　前記積層体には、
　前記回路導体パターンによって、
　前記第１インダクタ、前記第２インダクタ、前記第３インダクタ、前記第４インダクタ、前記第１コンデンサ、前記第２コンデンサ、前記第３コンデンサ、前記第４コンデンサ、および、前記第５コンデンサが形成され、
　前記抵抗は、前記積層体とは異なる抵抗素子によって形成され、
　前記抵抗素子は、前記複数の端子導体の２つを介して、前記積層体に接続されている、
　請求項１または請求項２に記載の電力分配器。
　前記積層体は、
　　積層方向に対して直交する面であり、互いに対向する第１主面および第２主面と、
　　前記積層方向に平行な面であり、互いに対向する第１側面および第２側面と、
　　前記積層方向に平行な面であり、前記第１側面および前記第２側面に直交し、互いに対向する第３側面および第４側面と、を有し、
　前記複数の端子導体は、
　　前記第１端子を構成する第１端子導体と、
　　前記第２端子を構成する第２端子導体と、
　　前記第３端子を構成する第３端子導体と、を有し、
　前記第１側面および前記第２側面に平行な方向をｘ方向とし、前記第３側面および前記第４側面に平行な方向をｙ方向として、
　前記第１端子導体は、前記第１側面における前記ｘ方向の中心を含む位置に配置され、
　前記第２端子導体と前記第３端子導体とは、前記ｘ方向の中心を通りｙ方向に平行な第１基準面を基準にして対称の位置に配置されている、
　請求項３に記載の電力分配器。
　前記積層体は、
　　前記第１インダクタを構成する第１インダクタ導体と、
　　前記第２インダクタを構成する第２インダクタ導体と、
　　前記第３インダクタを構成する第３インダクタ導体と、
　　前記第４インダクタを構成する第４インダクタ導体と、
　を備え、
　前記第１インダクタ導体と前記第２インダクタ導体とは、前記第１基準面を基準にして対称形であり、
　前記第３インダクタ導体と前記第４インダクタ導体とは、前記第１基準面を基準にして対称形である、
　請求項４に記載の電力分配器。
　前記積層方向において、
　前記第１インダクタ導体の螺旋の巻き方と、前記第２インダクタ導体の螺旋の巻き方とは、逆であり、
　前記第３インダクタ導体の螺旋の巻き方と、前記第４インダクタ導体の螺旋の巻き方とは、逆である、
　請求項５に記載の電力分配器。
　前記回路導体パターンは、
　前記第４コンデンサを構成する第４コンデンサ導体と、
　前記第５コンデンサを構成する第５コンデンサ導体と、を有し、
　前記第１インダクタ導体、前記第２インダクタ導体、第３インダクタ導体、および、前記第４インダクタ導体は、前記積層方向に視て巻回形であり、
　前記第４コンデンサ導体と前記第５コンデンサ導体とは、前記ｘ方向の中心を含み、前記第１インダクタ導体の巻回形の開口部、前記第２インダクタ導体の巻回形の開口部、第３インダクタ導体の巻回形の開口部、および、前記第４インダクタ導体の巻回形の開口部に重ならない位置に配置されている、
　請求項５または請求項６に記載の電力分配器。
　前記第４コンデンサ導体が形成された絶縁体層と、前記第５コンデンサ導体が形成された絶縁体層とは、異なる絶縁体層であり、
　前記第４コンデンサ導体が形成された絶縁体層と、前記第５コンデンサ導体が形成された絶縁体層とは、
　　前記積層方向において、前記第１インダクタ導体、前記第２インダクタ導体、第３インダクタ導体、および、前記第４インダクタ導体が形成された前記絶縁体層を挟む位置に配置されている、
　請求項７に記載の電力分配器。
　前記第１コンデンサを構成する第１コンデンサ導体が形成された前記絶縁体層、前記第２コンデンサを構成する第２コンデンサ導体が形成された前記絶縁体層、および、前記第３コンデンサを構成する第３コンデンサ導体が形成された前記絶縁体層は、
　前記積層方向において、前記第１インダクタ導体、前記第２インダクタ導体、第３インダクタ導体、および、前記第４インダクタ導体が形成された前記絶縁体層に対して、前記第４コンデンサ導体が形成された絶縁体層と同じ側にあり、
　前記第１コンデンサ導体が形成された前記絶縁体層、前記第２コンデンサ導体が形成された前記絶縁体層、および、前記第３コンデンサ導体が形成された前記絶縁体層と、前記第４コンデンサ導体が形成された絶縁体層との間には、グランド導体が配置されている、
　請求項７または請求項８に記載の電力分配器。
　前記積層方向において、前記第１インダクタ導体、前記第２インダクタ導体、第３インダクタ導体、および、前記第４インダクタ導体が形成された前記絶縁体層と、前記グランド導体が形成された前記絶縁体層との間には、導体パターンの形成されていない絶縁体層が配置されている、
　請求項９に記載の電力分配器。
　複数の絶縁体層が積層され、内部に回路導体パターンが形成された積層体と、
　前記回路導体パターンを外部に接続し、第１端子、第２端子、第３端子、および、複数の抵抗接続端子をそれぞれに構成する複数の端子導体と、を備え、
　前記積層体には、
　前記回路導体パターンを用いて、
　　前記第１端子を構成する端子導体と前記第２端子を構成する端子導体との間に接続された第１インダクタ導体と、
　　前記第１端子を構成する端子導体と前記第３端子を構成する端子導体との間に接続された第２インダクタ導体と、
　　前記第２端子を構成する端子導体とグランド導体との間に接続された第１コンデンサ導体と、
　　前記第３端子を構成する端子導体と前記グランド導体との間に接続された第２コンデンサ導体と、
　　前記第１端子を構成する端子導体と前記グランド導体との間に接続された第３コンデンサ導体と、
　前記第１インダクタ導体と抵抗素子との接続部と、前記第２端子を構成する端子導体との間に接続された第３インダクタ導体と、
　前記第２インダクタ導体と前記抵抗素子との接続部と、前記第３端子を構成する端子導体との間に接続された第４インダクタ導体と、
　前記抵抗素子に並列接続された第４コンデンサ導体と、
　前記第２端子を構成する端子導体と前記第３端子を構成する端子導体との間に接続された第５コンデンサ導体と、
　が形成され、
　前記抵抗素子は、
　　前記積層体とは別体からなり、
　　前記積層体の一方向において、前記第２端子を構成する端子導体と、前記第３端子を構成する端子導体との間に配置されており、
　　前記複数の抵抗接続端子を構成する端子導体を介して、前記積層体に接続されている、
　電力分配器。