WO2020031838A1 - バンドパスフィルタ - Google Patents

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WO2020031838A1
WO2020031838A1 PCT/JP2019/030203 JP2019030203W WO2020031838A1 WO 2020031838 A1 WO2020031838 A1 WO 2020031838A1 JP 2019030203 W JP2019030203 W JP 2019030203W WO 2020031838 A1 WO2020031838 A1 WO 2020031838A1
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capacitor
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via conductor
ground
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谷口　哲夫
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株式会社村田製作所
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    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Definitions

  • the present invention relates to a bandpass filter, and more particularly to a bandpass filter including a plurality of resonance circuits each including an inductor and a capacitor.
  • a high-frequency bandpass filter suitable for miniaturization and cost reduction is formed by forming a plurality of resonance circuits each having a capacitor and an inductor in a laminate including a dielectric layer, a pattern conductor, and a via conductor.
  • a band-pass filter described in JP-A-2014-57277 Patent Document 1 is given.
  • the bandpass filter disclosed in Patent Document 1 has three or more resonance circuits each including an inductor and a capacitor, and a floating conductor that is arranged so as not to contact another line conductor but to straddle each inductor. are doing. Then, the capacitance formed by the floating conductor and the predetermined line conductor is set to be larger than the sum of the resonance capacitances constituting the capacitor.
  • a band-pass filter it may be required to maintain a pass band and change the attenuation of the attenuation pole at the same time.
  • the band-pass filter of Patent Document 1 the above configuration is used to obtain a desired pass band while capacitively coupling resonance circuits that are not adjacent to each other.
  • the attenuation of the attenuation pole may fluctuate accordingly. That is, it may be difficult to change the attenuation of the attenuation pole while maintaining the pass band.
  • an object of the present invention is to provide a bandpass filter that can generate an attenuation pole having a required attenuation amount on at least one of the high frequency side and the low frequency side of the passband while maintaining the passband. is there.
  • the coupling structure of the plurality of resonance circuits is improved.
  • a first aspect of a bandpass filter according to the present invention includes a first filter circuit, a second filter circuit, a first intermediate circuit, a second intermediate circuit, and a ninth capacitor. I have.
  • the first filter circuit includes a first resonance circuit and a second resonance circuit.
  • the first resonance circuit has a first inductor, a third inductor, and a first capacitor.
  • the second resonance circuit has a second inductor, a third inductor, and a second capacitor.
  • the second filter circuit includes a third resonance circuit and a fourth resonance circuit.
  • the third resonance circuit has a fourth inductor, a sixth inductor, and a third capacitor.
  • the fourth resonance circuit has a fifth inductor, a sixth inductor, and a fourth capacitor.
  • the first intermediate circuit includes a fifth capacitor connected to the ground, a sixth capacitor connected to the ground, and a seventh inductor connected between the fifth capacitor and the sixth capacitor.
  • the second intermediate circuit includes a seventh capacitor connected to the ground, an eighth capacitor connected to the ground, and an eighth inductor connected between the seventh capacitor and the eighth capacitor.
  • the seventh inductor is electromagnetically coupled to each of the first to third inductors.
  • the eighth inductor is electromagnetically coupled to each of the fourth to seventh inductors.
  • the ninth capacitor is connected between the first intermediate circuit and the second intermediate circuit.
  • a second aspect of the bandpass filter according to the present invention includes a plurality of stacked dielectric layers, a first filter circuit and a second filter circuit, a first intermediate circuit and a second intermediate circuit. , A first intermediate capacitor electrode.
  • the first filter circuit and the second filter circuit are arranged side by side in a direction perpendicular to the direction in which the plurality of dielectric layers are stacked.
  • the first intermediate circuit and the second intermediate circuit are arranged side by side between the first filter circuit and the second filter circuit. Further, the first intermediate circuit is electromagnetically coupled to the first filter circuit.
  • the second intermediate circuit is electromagnetically coupled to each of the second filter circuit and the first intermediate circuit.
  • Each of the first filter circuit and the second filter circuit includes a first line electrode, a first ground electrode, a first capacitor electrode, a second capacitor electrode, a first via conductor, A second via conductor and a ground via conductor are included.
  • the first line electrode extends in a direction perpendicular to the direction in which the dielectric layers are stacked.
  • the first capacitor electrode and the second capacitor electrode are arranged to face the first ground electrode.
  • the first via conductor passes in the stacking direction and connects the first line electrode and the first capacitor electrode.
  • the second via conductor passes in the stacking direction and connects the first line electrode and the second capacitor electrode.
  • the ground via conductor is arranged between the first via conductor and the second via conductor, and connects the first line electrode and the first ground electrode in the stacking direction.
  • Each of the first intermediate circuit and the second intermediate circuit includes a second ground electrode, a third capacitor electrode, a fourth capacitor electrode, a second line electrode, a third via conductor, And a fourth via conductor.
  • the second line electrode extends in a direction perpendicular to the direction in which the dielectric layers are stacked.
  • the third capacitor electrode and the fourth capacitor electrode are arranged to face the second ground electrode.
  • the third via conductor passes in the stacking direction and connects the second line electrode and the third capacitor electrode.
  • the fourth via conductor passes in the stacking direction and connects the second line electrode and the fourth capacitor electrode.
  • the first intermediate capacitor electrode is disposed to face the third capacitor electrode of the first intermediate circuit and the third capacitor electrode of the second intermediate circuit.
  • a third aspect of the bandpass filter according to the present invention includes a plurality of stacked dielectric layers, a first filter circuit and a second filter circuit, and at least one intermediate circuit.
  • Each of the first filter circuit and the second filter circuit has the same configuration as the second embodiment of the band-pass filter according to the present invention, and is arranged similarly.
  • at least one intermediate circuit is arranged between the first filter circuit and the second filter circuit. Further, at least one intermediate circuit is electromagnetically coupled to each of the first filter circuit and the second filter circuit.
  • the center of the ground via conductor is located at a position shifted from an imaginary line connecting the center of the first via conductor and the center of the second via conductor.
  • the band-pass filter according to the present invention can generate an attenuation pole having a required attenuation amount on at least one of the high frequency side and the low frequency side of the pass band while maintaining the pass band.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of a bandpass filter which is a first example of the first embodiment.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the bandpass filter of FIG.
  • FIG. 2 is a filter characteristic diagram of the bandpass filter of FIG. 1.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of a bandpass filter according to a second example of the first embodiment.
  • FIG. 5 is an exploded perspective view of a part of the bandpass filter of FIG. 4.
  • FIG. 5 is a filter characteristic diagram of the bandpass filter of FIG. 4.
  • FIG. 9 is an exploded perspective view of a bandpass filter which is a first example of the second embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view of a part of the bandpass filter of FIG. 7.
  • FIG. 8 is a filter characteristic diagram of the bandpass filter of FIG. 7.
  • FIG. 7 is a plan view of a part of the bandpass filter of FIG. 7.
  • FIG. 13 is an exploded perspective view of a bandpass filter that is a second example of the second embodiment.
  • FIG. 11 is a plan view of a part of the bandpass filter of FIG. 10.
  • FIG. 11 is a filter characteristic diagram of the bandpass filter of FIG. 10. It is a top view of a band pass filter which is the 3rd example of a 2nd embodiment, a band pass filter which is the 4th example, and a part of a band pass filter which is the 5th example.
  • FIG. 15 is an exploded perspective view of a part of a bandpass filter that is a sixth example of the second embodiment.
  • FIG. 14 is an equivalent circuit diagram of a bandpass filter which is an example of the third embodiment.
  • FIG. 16 is an exploded perspective view of the bandpass filter of FIG. It is a top view of a part of bandpass filter which is an example of a 4th embodiment.
  • a bandpass filter to which the present invention is applied include, but are not limited to, a multilayer ceramic filter obtained by simultaneously firing a low-temperature fired ceramic, a pattern conductor and a via conductor.
  • the band-pass filter according to the first embodiment relates to generation of an attenuation pole on the high frequency side of a pass band, and includes a capacitor that connects a first intermediate circuit and a second intermediate circuit described below. There is.
  • the exploded perspective view described later is a schematic view.
  • the thickness of the dielectric layer and the pattern conductor, the thickness of the via conductor, and the like are schematic.
  • variations in the shape of each component that occur in the manufacturing process are not necessarily reflected in each drawing. That is, the drawings used for description in this specification hereafter can be said to represent an actual product in an essential aspect, even if there are portions different from the actual product.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the bandpass filter 100.
  • the band-pass filter 100 includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, a first intermediate circuit MC1, and a second intermediate circuit MC2.
  • the first filter circuit FC1 includes a first resonance circuit RC1 and a second resonance circuit RC2.
  • the first resonance circuit RC1 has a first inductor L11, a third inductor L13, and a first capacitor C11.
  • the second resonance circuit RC2 has a second inductor L12, a third inductor L13, and a second capacitor C12.
  • the first inductor L11 connected in series with the third inductor L13 and the first capacitor C11 are connected in parallel.
  • the second inductor L12 connected in series with the third inductor L13 and the second capacitor C12 are connected in parallel.
  • the third inductor L13 is a common component in the first resonance circuit RC1 and the second resonance circuit RC2.
  • the first filter circuit FC1 further includes a first port PT1 connected to a connection point between the first inductor L11 and the first capacitor C11.
  • a connection point of the first capacitor C11, the second capacitor C12, and the third inductor L13 is grounded.
  • the second filter circuit FC2 includes a third resonance circuit RC3 and a fourth resonance circuit RC4.
  • the third resonance circuit RC3 has a fourth inductor L21, a sixth inductor L23, and a third capacitor C21.
  • the fourth resonance circuit RC4 has a fifth inductor L22, a sixth inductor L23, and a fourth capacitor C22.
  • the fourth inductor L21 connected in series with the sixth inductor L23 and the third capacitor C21 are connected in parallel.
  • the fifth inductor L22 connected in series with the sixth inductor L23 and the fourth capacitor C22 are connected in parallel.
  • the sixth inductor L23 is a common component in the third resonance circuit RC3 and the fourth resonance circuit RC4.
  • the second filter circuit FC2 further includes a second port PT2 connected to a connection point between the fourth inductor L21 and the third capacitor C21.
  • the connection point of the third capacitor C21, the fourth capacitor C22, and the sixth inductor L23 is grounded.
  • the first intermediate circuit MC1 has a fifth capacitor C31, a sixth capacitor C32, and a seventh inductor L31. Each of the fifth capacitor C31 and the sixth capacitor C32 is connected to the ground.
  • the seventh inductor L31 is connected between the fifth capacitor C31 and the sixth capacitor C32. That is, one of the capacitor electrodes constituting the fifth capacitor C31 is connected to the ground, and the other is connected to one end of the seventh inductor L31.
  • one of the capacitor electrodes constituting the sixth capacitor C32 is connected to the ground, and the other is connected to the other end of the seventh inductor L31.
  • the first intermediate circuit MC1 functions as a resonance circuit. That is, it becomes a resonance circuit of the center stage of the bandpass filter 100.
  • the second intermediate circuit MC2 has a seventh capacitor C41, an eighth capacitor C42, and an eighth inductor L41. Each of the seventh capacitor C41 and the eighth capacitor C42 is connected to the ground.
  • the eighth inductor L41 is connected between the seventh capacitor C41 and the eighth capacitor C42. That is, one of the capacitor electrodes constituting the seventh capacitor C41 is connected to the ground, and the other is connected to one end of the eighth inductor L41.
  • One of the capacitor electrodes constituting the eighth capacitor C42 is connected to the ground, and the other is connected to the other end of the eighth inductor L41.
  • the second intermediate circuit MC2 functions as a resonance circuit. That is, it becomes a resonance circuit of the center stage of the bandpass filter 100.
  • the seventh inductor L31 is electromagnetically coupled to each of the first inductor L11, the second inductor L12, and the third inductor L13.
  • the eighth inductor L41 is electromagnetically coupled to each of the fourth inductor L21, the fifth inductor L22, and the sixth inductor L23.
  • the seventh inductor L31 and the eighth inductor L41 are also electromagnetically coupled.
  • the bandpass filter 100 further includes a ninth capacitor C51.
  • the ninth capacitor C51 is connected between a connection point A1 between the fifth capacitor C31 and the seventh inductor L31 and a connection point B1 between the seventh capacitor C41 and the eighth inductor L41.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the bandpass filter 100.
  • the band-pass filter 100 includes stacked dielectric layers DL1 to DL13, a first filter circuit and a second filter circuit, a first intermediate circuit and a second intermediate circuit, and a first rectangular circuit. And an intermediate capacitor electrode P16.
  • the direction mark PM is arranged on the dielectric layer DL1, but this is not essential (the same applies hereinafter).
  • the first filter circuit and the second filter circuit are arranged side by side in a direction orthogonal to the direction in which the dielectric layers DL1 to DL13 are stacked.
  • the first intermediate circuit and the second intermediate circuit are arranged side by side between the first filter circuit and the second filter circuit. Further, the first intermediate circuit is electromagnetically coupled to the first filter circuit.
  • the second intermediate circuit is electromagnetically coupled to each of the second filter circuit and the first intermediate circuit.
  • the first filter circuit includes a first line electrode P1, a first ground electrode P2, a first capacitor electrode P3, a second capacitor electrode P4, a first via conductor V1, and a second It includes a via conductor V2 and a ground via conductor V3.
  • the first line electrode P1 and the first capacitor electrode P3 have a rectangular shape
  • the first ground electrode P2 has an angular C shape
  • the second capacitor electrode P4 has an L shape.
  • the shape of each electrode is not limited to these.
  • the first ground electrode P2 may be divided into a first part and a second part.
  • the first line electrode P1 is formed on the dielectric layer DL2. That is, it extends in a direction perpendicular to the direction in which the dielectric layers DL1 to DL13 are stacked. When viewed from the stacking direction, the first capacitor electrode P3 and the second capacitor electrode P4 are connected to each other via the dielectric layer DL10 such that at least a part thereof overlaps the first ground electrode P2. And the ground electrode P2.
  • the above-described first capacitor C11 includes the first capacitor electrode P3 and the first ground electrode P2.
  • the above-mentioned second capacitor C12 includes a second capacitor electrode P4 and a first ground electrode P2.
  • the first ground electrode P2 is divided into a first portion and a second portion
  • the first capacitor C11 includes the first portion
  • the second capacitor C12 includes the second portion. It may be included.
  • the first via conductor V1 penetrates through the dielectric layers DL2 to DL9 and connects the first line electrode P1 and the first capacitor electrode P3.
  • the second via conductor V2 penetrates through the dielectric layers DL2 to DL9, and connects the first line electrode P1 and the second capacitor electrode P4.
  • the ground via conductor V3 is disposed between the first via conductor V1 and the second via conductor V2, penetrates through the dielectric layers DL2 to DL10, and connects to the first line electrode P1 and the first ground electrode. P2 is connected.
  • the first via conductor V1 has one end of the first line electrode P1. One end is connected to one main surface, and the other end is connected to the other main surface of the first capacitor electrode P3.
  • the second via conductor V2 has one end connected to one main surface of the first line electrode P1, and the other end connected to the other main surface of the second capacitor electrode P4.
  • the ground via conductor V3 has one end connected to one main surface of the first line electrode P1 and the other end connected to the other main surface of the first ground electrode P2.
  • the above-described first inductor L11 is configured to include the first via conductor V1.
  • the above-described second inductor L12 is configured to include the second via conductor V2.
  • the above-described third inductor L13 is configured to include the ground via conductor V3.
  • the lead electrode PL1 is connected to the first via conductor V1. More specifically, the lead electrode PL1 is provided to connect the first via conductor V1 provided at the outer peripheral edge of the dielectric layer to the signal electrode PS1 provided at the center of the dielectric. In the bandpass filter 100, the extraction electrode PL1 has an angular S-shape, but the shape is not limited thereto.
  • the connection point between the first via conductor V1 and the lead electrode PL1 is set according to the inductance design of the first inductor L11 described above.
  • the lead electrode PL1 is connected to the signal electrode PS1 provided on the outer surface (the lower side in the drawing) of the dielectric layer DL13.
  • the second filter circuit includes a first line electrode P5, a first ground electrode P6, a first capacitor electrode P7, a second capacitor electrode P8, a first via conductor V4, It includes a via conductor V5 and a ground via conductor V6.
  • the first line electrode P5 and the first capacitor electrode P7 are rectangular, the first ground electrode P6 is angular C-shaped, and the second capacitor electrode P8 is L-shaped.
  • the shape of each electrode is not limited to these.
  • the first ground electrode P6 may be divided into a first part and a second part.
  • the first line electrode P5 is formed on the dielectric layer DL2. That is, it extends in a direction perpendicular to the direction in which the dielectric layers DL1 to DL13 are stacked. When viewed from the stacking direction, the first capacitor electrode P7 and the second capacitor electrode P8 are connected to each other via the dielectric layer DL10 such that at least a part thereof overlaps the first ground electrode P6. And the ground electrode P2.
  • the above-described third capacitor C21 is configured to include the first capacitor electrode P7 and the first ground electrode P6.
  • the above-mentioned fourth capacitor C22 includes a second capacitor electrode P8 and a first ground electrode P6.
  • the third capacitor C21 includes the first portion
  • the fourth capacitor C22 includes the second portion. It may be included.
  • the first via conductor V4 penetrates through the dielectric layers DL2 to DL9 and connects the first line electrode P5 and the first capacitor electrode P7.
  • the second via conductor V5 penetrates through the dielectric layers DL2 to DL9, and connects the first line electrode P5 and the second capacitor electrode P8.
  • the ground via conductor V6 is arranged between the first via conductor V4 and the second via conductor V5, penetrates through the dielectric layers DL2 to DL10, and is connected to the first line electrode P5 and the first ground electrode P6. Are connected.
  • the first via conductor V4 has one end connected to one main surface of the first line electrode P5 and the other end connected to the other main surface of the first capacitor electrode P7.
  • the second via conductor V5 has one end connected to one main surface of the first line electrode P5 and the other end connected to the other main surface of the second capacitor electrode P8.
  • the ground via conductor V6 has one end connected to one main surface of the first line electrode P5 and the other end connected to the other main surface of the first ground electrode P6.
  • the above-described fourth inductor L21 is configured to include the first via conductor V4.
  • the above-described fifth inductor L22 is configured to include the second via conductor V5.
  • the above-described sixth inductor L23 is configured to include the ground via conductor V6.
  • the lead electrode PL2 is connected to the first via conductor V4.
  • the lead electrode PL2 is connected to the first via conductor V4 provided on the outer peripheral edge of the dielectric layer provided with the first via conductor V1 on the opposite side to the dielectric central portion. This is provided for connection to the signal electrode PS2 provided in the.
  • the extraction electrode PL2 has an angular S-shape, but the shape is not limited thereto.
  • the connection point between the first via conductor V4 and the lead electrode PL2 is set according to the above-described inductance design of the fourth inductor L21.
  • the lead electrode PL2 is connected to the signal electrode PS2 provided on the outer surface (the lower side in the drawing) of the dielectric layer DL13.
  • the first intermediate circuit includes a second line electrode P9, a second ground electrode P10, a third capacitor electrode P11, a fourth capacitor electrode P12, a third via conductor V7, Via conductor V8.
  • Each of the second line electrode P9, the second ground electrode P10, the third capacitor electrode P11, and the fourth capacitor electrode P12 has a rectangular shape. However, the shape of each electrode is not limited to these.
  • the second line electrode P9 is formed on the dielectric layer DL2. That is, it extends in a direction perpendicular to the direction in which the dielectric layers DL1 to DL13 are stacked.
  • the third capacitor electrode P11 and the fourth capacitor electrode P12 are connected to each other via the dielectric layer DL10 such that at least a part of each of them overlaps the second ground electrode P10. Is arranged to face the ground electrode P10.
  • the above-described fifth capacitor C31 includes the third capacitor electrode P11 and the second ground electrode P10.
  • the above-mentioned sixth capacitor C32 includes a fourth capacitor electrode P12 and a second ground electrode P10.
  • the third via conductor V7 penetrates through the dielectric layers DL2 to DL9, and connects the second line electrode P9 and the third capacitor electrode P11.
  • the fourth via conductor V8 penetrates through the dielectric layers DL2 to DL9 and connects the second line electrode P9 and the fourth capacitor electrode P12.
  • the third via conductor V7 has one end connected to one main surface of the second line electrode P9 and the other end connected to the other main surface of the third capacitor electrode P11. I have.
  • the fourth via conductor V8 has one end connected to one main surface of the second line electrode P9 and the other end connected to the other main surface of the fourth capacitor electrode P12.
  • the above-described seventh inductor L31 is configured to include the second line electrode P9, the third via conductor V7, and the fourth via conductor V8.
  • the second intermediate circuit includes a second line electrode P13, a second ground electrode P10, a third capacitor electrode P14, a fourth capacitor electrode P15, a third via conductor V9, Via conductor V10.
  • the second ground electrode P10 is a common component in the first intermediate circuit and the second intermediate circuit.
  • Each of the second line electrode P13, the third capacitor electrode P14, and the fourth capacitor electrode P15 has a rectangular shape. However, the shape of each electrode is not limited to these.
  • the second line electrode P13 is formed on the dielectric layer DL2. That is, it extends in a direction perpendicular to the direction in which the dielectric layers DL1 to DL13 are stacked.
  • the third capacitor electrode P14 and the fourth capacitor electrode P15 are connected to each other via the dielectric layer DL10 so that at least a part of each of them overlaps the second ground electrode P10. Is arranged to face the ground electrode P10.
  • the above-described seventh capacitor C41 includes the third capacitor electrode P14 and the second ground electrode P10.
  • the above-described eighth capacitor C42 includes a fourth capacitor electrode P15 and a second ground electrode P10.
  • the third via conductor V9 penetrates through the dielectric layers DL2 to DL9, and connects the second line electrode P13 and the third capacitor electrode P14.
  • the fourth via conductor V10 penetrates through the dielectric layers DL2 to DL9 and connects the second line electrode P13 and the fourth capacitor electrode P15.
  • the third via conductor V9 has one end connected to one main surface of the second line electrode P13 and the other end connected to the other main surface of the third capacitor electrode P14. I have.
  • the fourth via conductor V10 has one end connected to one main surface of the second line electrode P13 and the other end connected to the other main surface of the fourth capacitor electrode P15.
  • the above-described eighth inductor L41 is configured to include the second line electrode P13, the third via conductor V9, and the fourth via conductor V10.
  • the first intermediate capacitor electrode P16 is disposed to face the third capacitor electrode P11 of the first intermediate circuit and the third capacitor electrode P14 of the second intermediate circuit via the dielectric layer DL9. ing. Specifically, one main surface of the first intermediate capacitor electrode P16 and the other main surface of the third capacitor electrode P11 of the first intermediate circuit are arranged to face each other via the dielectric layer DL9. Further, one main surface of the first intermediate capacitor electrode P16 and the other main surface of the third capacitor electrode P14 of the second intermediate circuit are arranged to face each other with the dielectric layer DL9 interposed therebetween.
  • the second ground electrode P10 may be divided into a plurality.
  • the above-described fifth capacitor C31, sixth capacitor C32, seventh capacitor C41, and eighth capacitor C42 may include the divided second ground electrode P10, respectively.
  • FIG. 3 shows the filter characteristics of the bandpass filter 100 when the capacitance of each capacitor and the inductance of each inductor are set to predetermined values. Focusing on the filter characteristic S21, when the pass band is defined as a frequency at which the insertion loss is reduced by 3 dB from the flat portion, the band pass filter 100 may regard the band from about 6.3 GHz to about 8.7 GHz as the pass band. it can. There is an attenuation pole at about 5.7 GHz on the low frequency side of the pass band, which attenuates rapidly to about -55 dB, and an attenuation pole at about 9.4 GHz on the high frequency side, which attenuates sharply to about -60 dB.
  • the attenuation on the high frequency side is obtained because an intermediate circuit having a ground different from that of each of the first filter circuit and the second filter circuit is arranged between the first filter circuit and the second filter. Therefore, signal propagation through the ground is minimized. Further, by providing the intermediate capacitor electrode P16, a larger attenuation pole can be set to a desired frequency.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the bandpass filter 100A.
  • the bandpass filter 100A further includes a tenth capacitor C52.
  • the ninth capacitor C51 is connected between the above-described connection points A1 and B1.
  • the tenth capacitor C52 is connected between a connection point A2 between the sixth capacitor C32 and the seventh inductor L31 and the connection point B2.
  • the other components are the same as those of the bandpass filter 100.
  • FIG. 5 is an exploded perspective view of a part of the bandpass filter 100A. Specifically, the dielectric layers DL9 and DL10, the first capacitor electrodes P3 and P7, the second capacitor electrodes P4 and P8, the third capacitor electrodes P11 and P14, and the fourth capacitor electrodes P12, P15, a first intermediate capacitor electrode P16, and a second intermediate capacitor electrode P18 are shown. That is, the bandpass filter 100A further includes the second intermediate capacitor electrode P18 having a rectangular shape. However, the shape is not limited to this. In the bandpass filter 100A, the first intermediate capacitor electrode P16 is arranged similarly to the bandpass filter 100.
  • the second intermediate capacitor electrode P18 is disposed to face the fourth capacitor electrode P12 of the first intermediate circuit and the fourth capacitor electrode P15 of the second intermediate circuit via the dielectric layer DL9. ing. Specifically, one main surface of the second intermediate capacitor electrode P18 and the other main surface of the fourth capacitor electrode P12 of the first intermediate circuit are arranged to face each other via the dielectric layer DL9. Further, one main surface of the second intermediate capacitor electrode P18 and the other main surface of the fourth capacitor electrode P15 of the second intermediate circuit are arranged to face each other via the dielectric layer DL9. The other components are the same as those of the bandpass filter 100.
  • FIG. 6 shows the filter characteristics of the bandpass filter 100A when the capacitance of each capacitor and the inductance of each inductor are set to predetermined values. Focusing on the filter characteristic S21, the pass band of the band pass filter 100A is from about 6.3 GHz to about 8.7 GHz, and it can be considered that the pass band of the band pass filter 100 is not substantially changed. There is an attenuation pole at about 5.7 GHz on the low frequency side of the pass band, which attenuates rapidly to about -50 dB, and an attenuation pole at about 9.4 GHz on the high frequency side, which attenuates sharply to about -55 dB.
  • the band-pass filter according to the first embodiment generates an attenuation pole of a required attenuation amount on the high frequency side of the pass band while maintaining the pass band. Can be.
  • the degree of reduction of the attenuation on the high frequency side with respect to the attenuation on the high frequency side attenuation pole T can be reduced, and the attenuation on the high frequency side of the passband frequency can be increased (see FIGS. 3 and 6).
  • Each of the bandpass filters 100 and 100A further has a third ground electrode P17, a fifth via conductor V11, a sixth via conductor V12, and a seventh via conductor V13. Further, the first ground electrode P2 and the second ground electrode P10 are arranged apart from each other. The third ground electrode P17 is connected to the external ground electrodes PG1 to PG4.
  • the first ground electrode P2 and the third ground electrode P17 in the first filter circuit FC1 are connected by a fifth via conductor V11.
  • the first ground electrode P6 and the third ground electrode P17 in the second filter circuit FC2 are connected by a sixth via conductor V12.
  • the second ground electrode P10 and the third ground electrode P17 in the first intermediate circuit MC1 and the second intermediate circuit MC2 are connected by a seventh via conductor V13.
  • each of the fifth via conductor V11, the sixth via conductor V12, and the seventh via conductor V13 is plural, but may be singular.
  • the inductance between the first filter circuit and the ground can be adjusted independently.
  • the inductance between the second filter circuit and the ground, and the inductance between the first intermediate circuit and the second intermediate circuit and the ground can be independently adjusted.
  • the bandpass filter according to the second embodiment relates to generation of an attenuation pole on the low frequency side of a pass band, and a positional relationship among a first via conductor V1, a second via conductor V2, and a ground via conductor V3. There is a feature.
  • a bandpass filter 100B which is a first example of the second embodiment, will be described with reference to FIGS.
  • the equivalent circuit diagram of the bandpass filter 100B is the same as the equivalent circuit diagram of the bandpass filter 100A, so that the illustration is omitted.
  • the band-pass filter 100B includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, a first intermediate circuit MC1, a second intermediate circuit MC2, a ninth capacitor C51, and a tenth capacitor C52. And, in the bandpass filter 100B, the ninth capacitor C51 and the tenth capacitor C52 are not essential components.
  • FIG. 7 is an exploded perspective view of the bandpass filter 100B.
  • FIG. 8 is a plan view of a part of the bandpass filter 100B.
  • the band-pass filter 100B includes laminated dielectric layers DL1 to DL13, a first filter circuit and a second filter circuit, a first intermediate circuit and a second intermediate circuit, and a first intermediate capacitor electrode. P16 and a second intermediate capacitor electrode P18.
  • the basic structure of the bandpass filter 100B is the same as that of the bandpass filter 100A.
  • each of the first via conductor V1, the second via conductor V2, and the ground via conductor V3 in the first filter circuit of the bandpass filter 100B is regarded as a column having a center.
  • each of the first via conductor V4, the second via conductor V5, and the ground via conductor V6 in the second filter circuit is regarded as a column having a center.
  • the center of the ground via conductor V3 in the first filter circuit is on the opposite side of the first intermediate circuit from an imaginary line IL1 connecting the center of the first via conductor V1 and the center of the second via conductor V2. It is in the position shifted.
  • the center of the ground via conductor V6 in the second filter circuit is on the opposite side of the second intermediate circuit from the virtual line IL2 connecting the center of the first via conductor V4 and the center of the second via conductor V5. It is shifted (see FIG. 8).
  • the “center of the via conductor” refers to the center of a circle when the columnar via conductor is viewed in plan.
  • the first line electrode P1 in the first filter circuit of the bandpass filter 100B and the first line electrode P5 in the second filter circuit are rectangular like the bandpass filter 100A. Other components are the same as those of the bandpass filter 100A.
  • FIG. 9 shows the filter characteristics of the bandpass filter 100B when the capacitance of each capacitor and the inductance of each inductor are set to predetermined values. Focusing on the filter characteristic S21, the pass band of the band-pass filter 100B is from about 6.3 GHz to about 8.7 GHz, and it can be considered that the pass band of the band-pass filter 100B does not substantially change. In addition, there is an attenuation pole that attenuates sharply in the vicinity of about 3.8 GHz on the low frequency side of the pass band, and an attenuation pole that abruptly attenuates to about ⁇ 60 dB at about 9.3 GHz on the high frequency side.
  • a bandpass filter 100C which is a second example of the second embodiment, will be described with reference to FIGS.
  • the equivalent circuit diagram of the bandpass filter 100C is the same as the equivalent circuit diagram of the bandpass filter 100A, and thus is not shown.
  • the band-pass filter 100C includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, a first intermediate circuit MC1, a second intermediate circuit MC2, a ninth capacitor C51, and a tenth capacitor C52. And, like the bandpass filter 100B, the ninth capacitor C51 and the tenth capacitor C52 are not essential components.
  • FIG. 10 is an exploded perspective view of the bandpass filter 100C.
  • FIG. 11 is a plan view of a part of the bandpass filter 100C.
  • the basic structure of the bandpass filter 100C is the same as that of the bandpass filter 100B. That is, the center of the ground via conductor V3 in the first filter circuit is located at a position shifted from the virtual line IL1 toward the first intermediate circuit. In addition, the center of the ground via conductor V6 in the second filter circuit is located at a position shifted from the virtual line IL2 toward the second intermediate circuit.
  • FIG. 12 shows the filter characteristics of the bandpass filter 100C when the capacitance of each capacitor and the inductance of each inductor are set to predetermined values. Focusing on the filter characteristic S21, the pass band of the bandpass filter 100C is from about 6.3 GHz to about 8.7 GHz, and it can be considered that the pass band of the band pass filter 100 is not substantially changed. There is an attenuation pole that abruptly attenuates to about ⁇ 60 dB at about 5.8 GHz on the low frequency side of the pass band, and has an attenuation pole that abruptly attenuates to about ⁇ 60 dB at about 9.4 GHz on the high frequency side. .
  • the band-pass filter according to the second embodiment generates an attenuation pole of a required attenuation amount on the low frequency side of the pass band while maintaining the pass band. be able to.
  • the distance of the center of each ground via conductor from the virtual line can be increased.
  • the amount of attenuation at the attenuation pole on the low frequency side of the pass band can be increased.
  • the shapes of the first line electrode P1 in the first filter circuit and the first line electrode P5 in the second filter circuit are not limited to the shape in which the two rectangles are connected as described above.
  • FIG. 13 shows some modified examples. The components other than those described below are the same as those of the bandpass filter 100A.
  • FIG. 13A is a plan view of a part of a bandpass filter 100D according to a third example of the second embodiment. Specifically, a dielectric layer DL2, first line electrodes P1 and P5, and second line electrodes P9 and P13 are illustrated.
  • the first line electrode P1 in the first filter circuit has the entire side on the first intermediate circuit side curved. That is, the first line electrode P1 includes a rectangular first portion P1a and a second portion P1b that is a region surrounded by a curved side and one side of the first portion. The same applies to the first line electrode P5 in the second filter circuit.
  • FIG. 13B is a plan view of a part of a bandpass filter 100E according to a fourth example of the second embodiment. Specifically, components similar to those in FIG. 13A are illustrated.
  • the first line electrode P1 in the first filter circuit has a bent band shape. That is, the second portion P1b of the first line electrode P1 is a portion which is bent and protrudes toward the first intermediate circuit. The same applies to the first line electrode P5 in the second filter circuit.
  • FIG. 13C is a plan view of a part of a bandpass filter 100F according to a fifth example of the second embodiment. Specifically, components similar to those in FIG. 13A are illustrated.
  • the first line electrode P1 in the first filter circuit includes a first portion P1a and a second portion P1b protruding from the first portion P1a toward the first intermediate circuit.
  • the first line electrode P1 has a shape as if two rectangles were connected.
  • the ground via conductor V3 is connected to both the first portion P1a and the second portion P1b. The same applies to the first line electrode P5 in the second filter circuit.
  • FIG. 14 shows a sixth example.
  • the components other than those described below are the same as those of the bandpass filter 100A.
  • FIG. 14 is an exploded perspective view of a part of a bandpass filter 100G according to a sixth example of the second embodiment.
  • the first line electrode P1 of the first filter circuit and the first line electrode P5 of the second filter circuit have a shape in which two rectangles are connected, and are similar to the bandpass filter 100F. It has a structure.
  • the direction in which the center of the ground via conductor V3 deviates from the virtual line IL1 and the direction in which the center of the ground via conductor V6 deviates from the virtual line IL2 are opposite to those of the bandpass filter 100F.
  • each of the band-pass filters 100B to 100G includes the third ground electrode P17, the fifth via conductor V11, the sixth via conductor V12, and the seventh Via conductor V13. Further, the first ground electrode P2 and the second ground electrode P10 are arranged apart from each other. The third ground electrode P17 is connected to the external ground electrodes PG1 to PG4.
  • the first ground electrode P2 and the third ground electrode P17 in the first filter circuit are connected by a fifth via conductor V11.
  • the first ground electrode P6 and the third ground electrode P17 in the second filter circuit are connected by a sixth via conductor V12.
  • the second ground electrode P10 and the third ground electrode P17 in the first and second intermediate circuits are connected by a seventh via conductor V13.
  • the inductance between the first filter circuit and the ground can be adjusted independently.
  • the inductance between the second filter circuit and the ground, and the inductance between the first intermediate circuit and the second intermediate circuit and the ground can be independently adjusted.
  • each ground via conductor is shifted from the above-mentioned virtual line to the adjacent intermediate circuit side, and the first intermediate circuit and the second intermediate circuit are separated from each other. It is preferable to include a capacitor to be connected. By doing so, it is possible to generate attenuation poles of required attenuation on both the low frequency side and the high frequency side of the pass band while maintaining the pass band.
  • the bandpass filter according to the third embodiment has the same features as the second embodiment.
  • FIG. 15 is an equivalent circuit diagram of the bandpass filter 100H.
  • the bandpass filter 100H includes a first filter circuit FC1, a second filter circuit FC2, and a first intermediate circuit MC1.
  • the first and second filter circuits FC1 and FC2 and the first intermediate circuit MC1 have the same configuration as the first and second aspects of the bandpass filter according to the other embodiments. .
  • the first intermediate circuit MC1 is arranged between the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2. Further, the first intermediate circuit MC1 is electromagnetically coupled to each of the first filter circuit FC1 and the second filter circuit FC2.
  • FIG. 16 is an exploded perspective view of the bandpass filter 100H.
  • the band-pass filter 100H includes the stacked dielectric layers DL1 to DL13, a first filter circuit, a second filter circuit, and a first intermediate circuit.
  • the first filter circuit, the second filter circuit, and the first intermediate circuit are not explicitly shown in FIG. 16, but are the same as those described in the equivalent circuit diagram of the bandpass filter 100H in FIG. Things.
  • the first filter circuit and the second filter circuit are arranged side by side in a direction orthogonal to the direction in which the dielectric layers DL1 to DL13 are stacked.
  • the first intermediate circuit is arranged side by side between the first filter circuit and the second filter circuit. Further, the first intermediate circuit is electromagnetically coupled to each of the first filter circuit and the second filter circuit.
  • the center of the ground via conductor V3 in the first filter circuit is shifted from the virtual line IL1 connecting the center of the first via conductor V1 and the center of the second via conductor V2 toward the first intermediate circuit. is there. Further, the center of the ground via conductor V6 in the second filter circuit is shifted from the virtual line IL2 connecting the center of the first via conductor V4 and the center of the second via conductor V5 to the first intermediate circuit side. In position.
  • the bandpass filter including two intermediate circuits has been described, and in the third embodiment, the bandpass filter including one intermediate circuit has been described.
  • the number of intermediate circuits included in the bandpass filter according to the embodiment may be three or more.
  • a bandpass filter including three intermediate circuits will be described.
  • the bandpass filter according to the fourth embodiment has the same features as the second embodiment.
  • the band pass filter will be described with reference to FIG.
  • FIG. 17 is a plan view of a part of a bandpass filter 100J as an example of the fourth embodiment.
  • the configuration of the bandpass filter 100J is such that a third intermediate circuit that is electromagnetically coupled to each of the first intermediate circuit and the second intermediate circuit is added to the bandpass filter 100B shown in FIGS. It is.
  • the dielectric layer DL2 of FIG. 17, the first line electrodes P1 and P5, and the second line electrodes P9 and P13 correspond to the dielectric layer DL2 and the first line electrode P1 of FIG. , P5, and the second line electrodes P9, P13, respectively.
  • a second line electrode P19 included in the third intermediate circuit is added to the dielectric layer DL2 of FIG.
  • the first line electrode P1 in the first filter circuit includes portions P1c to P1e. Each of the portions P1c and P1e extends in the longitudinal direction of the second line electrode P9.
  • the portion P1d extends in a direction orthogonal to the longitudinal direction.
  • the portion P1c is connected to one end of the portion P1d.
  • the portion P1e is connected to the other end of the portion P1d.
  • the first line electrode P1 is bent at a connection portion between the portions P1c and P1d, and is bent at a connection portion between the portions P1e and P1d.
  • the distance W1 between the portion P1c and the second line electrode P9 is shorter than the distance W2 between the portion P1e and the second line electrode P9. Note that the distance W1 may be longer than the distance W2.
  • the first via conductor V1 is connected to the portion P1c.
  • the second via conductor V2 is connected to the portion P1e.
  • the ground via conductor V3 is connected to the portion P1c.
  • the distance between the first via conductor V1 and the ground via conductor V3 is shorter than the distance between the second via conductor V2 and the ground via conductor V3.
  • the ground via conductor V3 may be connected to the portion P1d or may be connected to the portion P1e.
  • the center of the ground via conductor V3 in the first filter circuit is shifted from the virtual line IL1 connecting the center of the first via conductor V1 and the center of the second via conductor V2 to the first intermediate circuit side. In position. As described above, the ground via conductor V3 is provided in the portion P1c closer to the intermediate circuit.
  • the first line electrode P5 in the second filter circuit includes portions P5c to P5e. Each of the portions P5c and P5e extends in the longitudinal direction of the second line electrode P13.
  • the portion P5d extends in a direction orthogonal to the longitudinal direction.
  • the portion P5c is connected to one end of the portion P5d.
  • the portion P5e is connected to the other end of the portion P5d.
  • the first line electrode P5 is bent at a connection portion between the portions P5c and P5d, and is bent at a connection portion between the portions P5e and P5d.
  • a distance W3 between the portion P5c and the second line electrode P13 is shorter than a distance W4 between the portion P5e and the second line electrode P13. Note that the distance W3 may be longer than the distance W4.
  • the first via conductor V4 is connected to the portion P5c.
  • the second via conductor V5 is connected to the portion P5e.
  • the ground via conductor V6 is connected to the portion P5c.
  • the distance between the first via conductor V4 and the ground via conductor V6 is shorter than the distance between the second via conductor V5 and the ground via conductor V6.
  • the ground via conductor V6 may be connected to the portion P5d or may be connected to the portion P5e.
  • the center of the ground via conductor V6 in the second filter circuit is shifted from the virtual line IL2 connecting the center of the first via conductor V4 and the center of the second via conductor V5 to the second intermediate circuit side. In position. As described above, the ground via conductor V6 is provided in the portion P5c closer to the intermediate circuit.
  • the second line electrode P19 is arranged between the second line electrodes P9 and P13, and extends in the longitudinal direction of the second line electrodes P9 and P13.
  • the length H1 of the second line electrode P19 is longer than the length H2 of the second line electrode P9 and longer than the length H3 of the second line electrode P13.
  • the length H1 may be shorter than the length H2, or may be shorter than the length H3.
  • the passband is maintained while maintaining the passband. It has been confirmed that a necessary attenuation pole is generated on the low frequency side.

Landscapes

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Abstract

バンドパスフィルタ（１００）は、第１のフィルタ回路（ＦＣ１）と、第２のフィルタ回路（ＦＣ２）と、第１の中間回路（ＭＣ１）と、第２の中間回路（ＭＣ２）と、第９のキャパシタ（Ｃ５１）とを備える。第１の中間回路（ＭＣ１）は、第５のキャパシタ（Ｃ３１）と第６のキャパシタ（Ｃ３２）との間に接続された第７のインダクタ（Ｌ３１）とを有している。第２の中間回路（ＭＣ２）は、第７のキャパシタ（Ｃ４１）と第８のキャパシタ（Ｃ４２）との間に接続された第８のインダクタ（Ｌ４１）とを有している。第９のキャパシタ（Ｃ５１）は、第１の中間回路（ＭＣ１）と第２の中間回路（ＭＣ２）との間に接続されている。

Description

バンドパスフィルタ
　この発明は、バンドパスフィルタに関するものであり、特にインダクタとキャパシタとで構成される複数の共振回路を備えたバンドパスフィルタに関する。
　小型化および低コスト化に適した高周波のバンドパスフィルタは、誘電体層とパターン導体とビア導体とを含む積層体内に、キャパシタとインダクタとを有する共振回路が複数形成されて構成される。そのようなバンドパスフィルタの一例として、特開２０１４－５７２７７号公報（特許文献１）に記載されたバンドパスフィルタが挙げられる。
　特許文献１のバンドパスフィルタは、インダクタとキャパシタとにより構成された３つ以上の共振回路と、他の線路導体と接触せず、各々のインダクタに跨るように配置されている浮き導体とを有している。そして、浮き導体と所定の線路導体とがなす静電容量を、キャパシタを構成する共振容量の合計より大きくしている。
特開２０１４－５７２７７号公報
　バンドパスフィルタにおいては、通過帯域の維持と、減衰極の減衰量の変更とが同時に要求されることがある。ここで、特許文献１のバンドパスフィルタでは、上記の構成により、隣り合わない共振回路を容量結合させつつ、所望の通過帯域を得るようにしている。その場合、通過帯域を変更すると、減衰極の減衰量もそれに伴って変動することがある。すなわち、通過帯域を維持しながら、減衰極の減衰量を変更することが困難となる虞がある。
　すなわち、この発明の目的は、通過帯域を維持しながら、通過帯域の高周波側および低周波側の少なくとも一方に、必要な減衰量の減衰極を生成することができるバンドパスフィルタを提供することである。
　この発明に係るバンドパスフィルタでは、複数の共振回路の結合構造についての改良が図られる。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第１の態様は、第１のフィルタ回路と、第２のフィルタ回路と、第１の中間回路と、第２の中間回路と、第９のキャパシタとを備えている。
　第１のフィルタ回路は、第１の共振回路と第２の共振回路とを含んでいる。第１の共振回路は、第１のインダクタと第３のインダクタと第１のキャパシタとを有している。第２の共振回路は、第２のインダクタと第３のインダクタと第２のキャパシタとを有している。
　第２のフィルタ回路は、第３の共振回路と第４の共振回路とを含んでいる。第３の共振回路は、第４のインダクタと第６のインダクタと第３のキャパシタとを有している。第４の共振回路は、第５のインダクタと第６のインダクタと第４のキャパシタとを有している。
　第１の中間回路は、グランドに接続された第５のキャパシタおよびグランドに接続された第６のキャパシタと、第５のキャパシタと第６のキャパシタとの間に接続された第７のインダクタとを有している。第２の中間回路は、グランドに接続された第７のキャパシタおよびグランドに接続された第８のキャパシタと、第７のキャパシタと第８のキャパシタとの間に接続された第８のインダクタとを有している。
　第７のインダクタは、第１ないし第３のインダクタの各々と電磁界結合している。第８のインダクタは、第４ないし第７のインダクタの各々と電磁界結合している。
　そして、第９のキャパシタは、第１の中間回路と第２の中間回路との間に接続されている。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第２の態様は、積層されている複数の誘電体層と、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路と、第１の中間回路および第２の中間回路と、第１の中間キャパシタ電極とを備えている。
　第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路は、複数の誘電体層の積層方向と直交する方向に並んで配置されている。第１の中間回路および第２の中間回路は、第１のフィルタ回路と第２のフィルタ回路との間に並んで配置されている。また、第１の中間回路は、第１のフィルタ回路と電磁界結合する。第２の中間回路は、第２のフィルタ回路および第１の中間回路の各々と電磁界結合する。
　第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路の各々は、第１の線路電極と、第１の接地電極と、第１のキャパシタ電極と、第２のキャパシタ電極と、第１のビア導体と、第２のビア導体と、接地ビア導体とを含んでいる。
　第１の線路電極は、誘電体層の積層方向に対して垂直方向に延びている。第１のキャパシタ電極と第２のキャパシタ電極とは、第１の接地電極と対向配置されている。第１のビア導体は、積層方向に通り、第１の線路電極と第１のキャパシタ電極とを接続している。第２のビア導体は、積層方向に通り、第１の線路電極と第２のキャパシタ電極とを接続している。接地ビア導体は、第１のビア導体と第２のビア導体との間に配置され、積層方向に通り、第１の線路電極と第１の接地電極とを接続している。
　第１の中間回路および第２の中間回路の各々は、第２の接地電極と、第３のキャパシタ電極と、第４のキャパシタ電極と、第２の線路電極と、第３のビア導体と、第４のビア導体とを含んでいる。
　第２の線路電極は、誘電体層の積層方向に対して垂直方向に延びている。第３のキャパシタ電極と第４のキャパシタ電極とは、第２の接地電極と対向配置されている。第３のビア導体は、積層方向に通り、第２の線路電極と第３のキャパシタ電極とを接続している。第４のビア導体は、積層方向に通り、第２の線路電極と第４のキャパシタ電極とを接続している。
　そして、第１の中間キャパシタ電極は、第１の中間回路の第３のキャパシタ電極と、第２の中間回路の第３のキャパシタ電極とに対向配置されている。
　この発明に係るバンドパスフィルタの第３の態様は、積層されている複数の誘電体層と、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路と、少なくとも１つの中間回路とを備えている。
　第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路の各々は、この発明に係るバンドパスフィルタの第２の態様と同様の構成を有し、同様に配置されている。この発明に係るバンドパスフィルタの第３の態様では、少なくとも１つの中間回路は、第１のフィルタ回路と第２のフィルタ回路との間に配置される。また、少なくとも１つの中間回路は、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路の各々と電磁界結合する。
　そして、接地ビア導体の中心は、第１のビア導体の中心と第２のビア導体の中心とを結ぶ仮想線からずれた位置にある。
　この発明に係るバンドパスフィルタは、通過帯域を維持しながら、通過帯域の高周波側および低周波側の少なくとも一方に、必要な減衰量の減衰極を生成することができる。
第１の実施形態の第１の例であるバンドパスフィルタの等価回路図である。 図１のバンドパスフィルタの分解斜視図である。 図１のバンドパスフィルタのフィルタ特性図である。 第１の実施形態の第２の例であるバンドパスフィルタの等価回路図である。 図４のバンドパスフィルタの一部の分解斜視図である。 図４のバンドパスフィルタのフィルタ特性図である。 第２の実施形態の第１の例であるバンドパスフィルタの分解斜視図である。 図７のバンドパスフィルタの一部の平面図である。 図７のバンドパスフィルタのフィルタ特性図である。 第２の実施形態の第２の例であるバンドパスフィルタの分解斜視図である。 図１０のバンドパスフィルタの一部の平面図である。 図１０のバンドパスフィルタのフィルタ特性図である。 第２の実施形態の第３の例であるバンドパスフィルタ、第４の例であるバンドパスフィルタ、および第５の例であるバンドパスフィルタの一部の平面図である。 第２の実施形態の第６の例であるバンドパスフィルタの一部の分解斜視図である。 第３の実施形態の一例であるバンドパスフィルタの等価回路図である。 図１５のバンドパスフィルタの分解斜視図である。 第４の実施形態の一例であるバンドパスフィルタの一部の平面図である。
　以下にこの発明の実施形態を示して、この発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。この発明が適用されるバンドパスフィルタとしては、例えば低温焼成セラミックと、パターン導体およびビア導体とを同時焼成して得られる積層セラミックフィルタが挙げられるが、これに限られるものではない。
　－バンドパスフィルタの第１の実施形態－
　第１の実施形態に係るバンドパスフィルタは、通過帯域の高周波側の減衰極の生成に関するものであり、後述する第１の中間回路と第２の中間回路とを接続するキャパシタを備えることに特徴がある。
　＜第１の例＞
　第１の実施形態の第１の例であるバンドパスフィルタ１００について、図１ないし図３を用いて説明する。
　なお、後述する分解斜視図は、模式図である。例えば誘電体層およびパターン導体の厚み、ならびにビア導体の太さなどは、模式的なものである。また、製造工程上で発生する各構成要素の形状のばらつきなどは、各図面に必ずしも反映されていない。すなわち、以後、この明細書中で説明のために用いられる図面は、たとえ実際の製品と異なる部分があったとしても、本質的な面で実際の製品を表すものと言うことができる。
　図１は、バンドパスフィルタ１００の等価回路図である。バンドパスフィルタ１００は、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第１の中間回路ＭＣ１と、第２の中間回路ＭＣ２とを備えている。
　第１のフィルタ回路ＦＣ１は、第１の共振回路ＲＣ１と、第２の共振回路ＲＣ２とを含んでいる。第１の共振回路ＲＣ１は、第１のインダクタＬ１１と第３のインダクタＬ１３と第１のキャパシタＣ１１とを有している。第２の共振回路ＲＣ２は、第２のインダクタＬ１２と第３のインダクタＬ１３と第２のキャパシタＣ１２とを有している。
　第１の共振回路ＲＣ１において、第３のインダクタＬ１３と直列接続されている第１のインダクタＬ１１と、第１のキャパシタＣ１１とが、並列に接続されている。第２の共振回路ＲＣ２において、第３のインダクタＬ１３と直列接続されている第２のインダクタＬ１２と、第２のキャパシタＣ１２とが、並列に接続されている。第３のインダクタＬ１３は、第１の共振回路ＲＣ１および第２の共振回路ＲＣ２において、共通の構成要素となっている。
　なお、第１のフィルタ回路ＦＣ１は、第１のインダクタＬ１１と第１のキャパシタＣ１１との接続点に接続されている第１のポートＰＴ１をさらに含んでいる。また、第１のフィルタ回路ＦＣ１は、第１のキャパシタＣ１１、第２のキャパシタＣ１２および第３のインダクタＬ１３の接続点が接地されている。
　第２のフィルタ回路ＦＣ２は、第３の共振回路ＲＣ３と、第４の共振回路ＲＣ４とを含んでいる。第３の共振回路ＲＣ３は、第４のインダクタＬ２１と第６のインダクタＬ２３と第３のキャパシタＣ２１とを有している。第４の共振回路ＲＣ４は、第５のインダクタＬ２２と第６のインダクタＬ２３と第４のキャパシタＣ２２とを有している。
　第３の共振回路ＲＣ３において、第６のインダクタＬ２３と直列接続されている第４のインダクタＬ２１と、第３のキャパシタＣ２１とが、並列に接続されている。第４の共振回路ＲＣ４において、第６のインダクタＬ２３と直列接続されている第５のインダクタＬ２２と、第４のキャパシタＣ２２とが、並列に接続されている。第６のインダクタＬ２３は、第３の共振回路ＲＣ３および第４の共振回路ＲＣ４において、共通の構成要素となっている。
　なお、第２のフィルタ回路ＦＣ２は、第４のインダクタＬ２１と第３のキャパシタＣ２１との接続点に接続されている第２のポートＰＴ２をさらに含んでいる。また、第２のフィルタ回路ＦＣ２は、第３のキャパシタＣ２１、第４のキャパシタＣ２２および第６のインダクタＬ２３の接続点が接地されている。
　第１の中間回路ＭＣ１は、第５のキャパシタＣ３１と、第６のキャパシタＣ３２と、第７のインダクタＬ３１とを有している。第５のキャパシタＣ３１および第６のキャパシタＣ３２の各々は、グランドに接続されている。第７のインダクタＬ３１は、第５のキャパシタＣ３１と第６のキャパシタＣ３２との間に接続されている。すなわち、第５のキャパシタＣ３１を構成するキャパシタ電極の一方がグランドに接続され、他方が第７のインダクタＬ３１の一方端に接続されている。また、第６のキャパシタＣ３２を構成するキャパシタ電極の一方がグランドに接続され、他方が第７のインダクタＬ３１の他方端に接続されている。第１の中間回路ＭＣ１は、共振回路として機能する。すなわち、バンドパスフィルタ１００の中心段の共振回路となる。
　第２の中間回路ＭＣ２は、第７のキャパシタＣ４１と、第８のキャパシタＣ４２と、第８のインダクタＬ４１とを有している。第７のキャパシタＣ４１および第８のキャパシタＣ４２の各々は、グランドに接続されている。第８のインダクタＬ４１は、第７のキャパシタＣ４１と第８のキャパシタＣ４２との間に接続されている。すなわち、第７のキャパシタＣ４１を構成するキャパシタ電極の一方がグランドに接続され、他方が第８のインダクタＬ４１の一方端に接続されている。また、第８のキャパシタＣ４２を構成するキャパシタ電極の一方がグランドに接続され、他方が第８のインダクタＬ４１の他方端に接続されている。第２の中間回路ＭＣ２は、共振回路として機能する。すなわち、バンドパスフィルタ１００の中心段の共振回路となる。
　第７のインダクタＬ３１は、第１のインダクタＬ１１、第２のインダクタＬ１２および第３のインダクタＬ１３の各々と電磁界結合している。第８のインダクタＬ４１は、第４のインダクタＬ２１、第５のインダクタＬ２２、第６のインダクタＬ２３の各々と電磁界結合している。そして、および第７のインダクタＬ３１と第８のインダクタＬ４１も、電磁界結合している。
　そして、バンドパスフィルタ１００は、第９のキャパシタＣ５１をさらに備えている。第９のキャパシタＣ５１は、第５のキャパシタＣ３１と第７のインダクタＬ３１との接続点Ａ１と、第７のキャパシタＣ４１と第８のインダクタＬ４１との接続点Ｂ１との間に接続されている。
　図２は、バンドパスフィルタ１００の分解斜視図である。バンドパスフィルタ１００は、積層されている誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３と、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路と、第１の中間回路および第２の中間回路と、矩形状の第１の中間キャパシタ電極Ｐ１６とを備えている。なお、図２では、誘電体層ＤＬ１上に方向目印ＰＭが配置されているが、これは必須ではない（以下同様）。
　第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路は、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３の積層方向と直交する方向に並んで配置されている。第１の中間回路および第２の中間回路は、第１のフィルタ回路と第２のフィルタ回路との間に並んで配置されている。また、第１の中間回路は、第１のフィルタ回路と電磁界結合する。第２の中間回路は、第２のフィルタ回路および第１の中間回路の各々と電磁界結合する。
　第１のフィルタ回路は、第１の線路電極Ｐ１と、第１の接地電極Ｐ２と、第１のキャパシタ電極Ｐ３と、第２のキャパシタ電極Ｐ４と、第１のビア導体Ｖ１と、第２のビア導体Ｖ２と、接地ビア導体Ｖ３とを含んでいる。第１の線路電極Ｐ１および第１のキャパシタ電極Ｐ３は矩形状であり、第１の接地電極Ｐ２は、角張ったＣ字状であり、第２のキャパシタ電極Ｐ４はＬ字状である。ただし、各電極の形状はこれらに限られない。例えば、第１の接地電極Ｐ２は、第１の部分と第２の部分とに分割されていてもよい。
　第１の線路電極Ｐ１は、誘電体層ＤＬ２に形成されている。すなわち、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３の積層方向に対して垂直方向に延びている。積層方向から見たとき、第１のキャパシタ電極Ｐ３と第２のキャパシタ電極Ｐ４とは、各々の少なくとも一部と第１の接地電極Ｐ２とが重なるように、誘電体層ＤＬ１０を介して第１の接地電極Ｐ２と対向配置されている。
　すなわち、前述の第１のキャパシタＣ１１は、第１のキャパシタ電極Ｐ３と第１の接地電極Ｐ２と含んで構成されている。前述の第２のキャパシタＣ１２は、第２のキャパシタ電極Ｐ４と第１の接地電極Ｐ２と含んで構成されている。なお、第１の接地電極Ｐ２が第１の部分と第２の部分とに分割されている場合、第１のキャパシタＣ１１は第１の部分を含み、第２のキャパシタＣ１２は第２の部分を含むようにしてもよい。
　第１のビア導体Ｖ１は、誘電体層ＤＬ２からＤＬ９を貫通し、第１の線路電極Ｐ１と第１のキャパシタ電極Ｐ３とを接続している。第２のビア導体Ｖ２は、誘電体層ＤＬ２からＤＬ９を貫通し、第１の線路電極Ｐ１と第２のキャパシタ電極Ｐ４とを接続している。そして、接地ビア導体Ｖ３は、第１のビア導体Ｖ１と第２のビア導体Ｖ２との間に配置され、誘電体層ＤＬ２からＤＬ１０を貫通し、第１の線路電極Ｐ１と第１の接地電極Ｐ２とを接続している。
　具体的には、図２上で各電極の下側の面を一方主面、上側の面を他方主面としたとき、第１のビア導体Ｖ１は、一方端が第１の線路電極Ｐ１の一方主面に接続されているとともに、他方端が第１のキャパシタ電極Ｐ３の他方主面に接続されている。第２のビア導体Ｖ２は、一方端が第１の線路電極Ｐ１の一方主面に接続されているとともに、他方端が第２のキャパシタ電極Ｐ４の他方主面に接続されている。そして、接地ビア導体Ｖ３は、一方端が第１の線路電極Ｐ１の一方主面に接続されているとともに、他方端が第１の接地電極Ｐ２の他方主面に接続されている。
　すなわち、前述の第１のインダクタＬ１１は、第１のビア導体Ｖ１を含んで構成されている。前述の第２のインダクタＬ１２は、第２のビア導体Ｖ２を含んで構成されている。前述の第３のインダクタＬ１３は、接地ビア導体Ｖ３を含んで構成されている。
　なお、第１のビア導体Ｖ１には、引き出し電極ＰＬ１が接続されている。詳細には、引き出し電極ＰＬ１は、誘電体層の外周縁部に設けられた第１のビア導体Ｖ１を、誘電体中央部分に設けられた信号電極ＰＳ１へ接続するために、設けられている。バンドパスフィルタ１００において、引き出し電極ＰＬ１は、角張ったＳ字状であるが、形状はこれに限られない。第１のビア導体Ｖ１と引き出し電極ＰＬ１との接続箇所は、前述の第１のインダクタＬ１１のインダクタンス設計に応じて設定される。引き出し電極ＰＬ１は、誘電体層ＤＬ１３の外表面（図面下側）に設けられている信号電極ＰＳ１に接続されている。
　第２のフィルタ回路は、第１の線路電極Ｐ５と、第１の接地電極Ｐ６と、第１のキャパシタ電極Ｐ７と、第２のキャパシタ電極Ｐ８と、第１のビア導体Ｖ４と、第２のビア導体Ｖ５と、接地ビア導体Ｖ６とを含んでいる。第１の線路電極Ｐ５および第１のキャパシタ電極Ｐ７は矩形状であり、第１の接地電極Ｐ６は、角張ったＣ字状であり、第２のキャパシタ電極Ｐ８はＬ字状である。ただし、各電極の形状はこれらに限られない。例えば、第１の接地電極Ｐ６は、第１の部分と第２の部分とに分割されていてもよい。
　第１の線路電極Ｐ５は、誘電体層ＤＬ２に形成されている。すなわち、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３の積層方向に対して垂直方向に延びている。積層方向から見たとき、第１のキャパシタ電極Ｐ７と第２のキャパシタ電極Ｐ８とは、各々の少なくとも一部と第１の接地電極Ｐ６とが重なるように、誘電体層ＤＬ１０を介して第１の接地電極Ｐ２と対向配置されている。
　すなわち、前述の第３のキャパシタＣ２１は、第１のキャパシタ電極Ｐ７と第１の接地電極Ｐ６と含んで構成されている。前述の第４のキャパシタＣ２２は、第２のキャパシタ電極Ｐ８と第１の接地電極Ｐ６と含んで構成されている。なお、第１の接地電極Ｐ６が第１の部分と第２の部分とに分割されている場合、第３のキャパシタＣ２１は第１の部分を含み、第４のキャパシタＣ２２は第２の部分を含むようにしてもよい。
　第１のビア導体Ｖ４は、誘電体層ＤＬ２からＤＬ９を貫通し、第１の線路電極Ｐ５と第１のキャパシタ電極Ｐ７とを接続している。第２のビア導体Ｖ５は、誘電体層ＤＬ２からＤＬ９を貫通し、第１の線路電極Ｐ５と第２のキャパシタ電極Ｐ８とを接続している。接地ビア導体Ｖ６は、第１のビア導体Ｖ４と第２のビア導体Ｖ５との間に配置され、誘電体層ＤＬ２からＤＬ１０を貫通し、第１の線路電極Ｐ５と第１の接地電極Ｐ６とを接続している。
　具体的には、第１のビア導体Ｖ４は、一方端が第１の線路電極Ｐ５の一方主面に接続されているとともに、他方端が第１のキャパシタ電極Ｐ７の他方主面に接続されている。第２のビア導体Ｖ５は、一方端が第１の線路電極Ｐ５の一方主面に接続されているとともに、他方端が第２のキャパシタ電極Ｐ８の他方主面に接続されている。そして、接地ビア導体Ｖ６は、一方端が第１の線路電極Ｐ５の一方主面に接続されているとともに、他方端が第１の接地電極Ｐ６の他方主面に接続されている。
　すなわち、前述の第４のインダクタＬ２１は、第１のビア導体Ｖ４を含んで構成されている。前述の第５のインダクタＬ２２は、第２のビア導体Ｖ５を含んで構成されている。前述の第６のインダクタＬ２３は、接地ビア導体Ｖ６を含んで構成されている。
　なお、第１のビア導体Ｖ４には、引き出し電極ＰＬ２が接続されている。詳細には、引き出し電極ＰＬ２は、第１のビア導体Ｖ１が設けられた誘電体層の外周縁部とは反対側の外周縁部に設けられた第１のビア導体Ｖ４を、誘電体中央部分に設けられた信号電極ＰＳ２へ接続するために、設けられている。バンドパスフィルタ１００において、引き出し電極ＰＬ２は、角張ったＳ字状であるが、形状はこれに限られない。第１のビア導体Ｖ４と引き出し電極ＰＬ２との接続箇所は、前述の第４のインダクタＬ２１のインダクタンス設計に応じて設定される。引き出し電極ＰＬ２は、誘電体層ＤＬ１３の外表面（図面下側）に設けられている信号電極ＰＳ２に接続されている。
　第１の中間回路は、第２の線路電極Ｐ９と、第２の接地電極Ｐ１０と、第３のキャパシタ電極Ｐ１１と、第４のキャパシタ電極Ｐ１２と、第３のビア導体Ｖ７と、第４のビア導体Ｖ８とを含んでいる。第２の線路電極Ｐ９、第２の接地電極Ｐ１０、第３のキャパシタ電極Ｐ１１および第４のキャパシタ電極Ｐ１２の各々は、矩形状である。ただし、各電極の形状はこれらに限られない。
　第２の線路電極Ｐ９は、誘電体層ＤＬ２に形成されている。すなわち、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３の積層方向に対して垂直方向に延びている。積層方向から見たとき、第３のキャパシタ電極Ｐ１１と第４のキャパシタ電極Ｐ１２とは、各々の少なくとも一部と第２の接地電極Ｐ１０とが重なるように、誘電体層ＤＬ１０を介して第２の接地電極Ｐ１０と対向配置されている。
　すなわち、前述の第５のキャパシタＣ３１は、第３のキャパシタ電極Ｐ１１と第２の接地電極Ｐ１０と含んで構成されている。前述の第６のキャパシタＣ３２は、第４のキャパシタ電極Ｐ１２と第２の接地電極Ｐ１０と含んで構成されている。
　第３のビア導体Ｖ７は、誘電体層ＤＬ２からＤＬ９を貫通し、第２の線路電極Ｐ９と第３のキャパシタ電極Ｐ１１とを接続している。第４のビア導体Ｖ８は、誘電体層ＤＬ２からＤＬ９を貫通し、第２の線路電極Ｐ９と第４のキャパシタ電極Ｐ１２とを接続している。具体的には、第３のビア導体Ｖ７は、一方端が第２の線路電極Ｐ９の一方主面に接続されているとともに、他方端が第３のキャパシタ電極Ｐ１１の他方主面に接続されている。第４のビア導体Ｖ８は、一方端が第２の線路電極Ｐ９の一方主面に接続されているとともに、他方端が第４のキャパシタ電極Ｐ１２の他方主面に接続されている。
　すなわち、前述の第７のインダクタＬ３１は、第２の線路電極Ｐ９と、第３のビア導体Ｖ７と、第４のビア導体Ｖ８とを含んで構成されている。
　第２の中間回路は、第２の線路電極Ｐ１３と、第２の接地電極Ｐ１０と、第３のキャパシタ電極Ｐ１４と、第４のキャパシタ電極Ｐ１５と、第３のビア導体Ｖ９と、第４のビア導体Ｖ１０とを含んでいる。第２の接地電極Ｐ１０は、第１の中間回路および第２の中間回路において、共通の構成要素となっている。第２の線路電極Ｐ１３、第３のキャパシタ電極Ｐ１４および第４のキャパシタ電極Ｐ１５の各々は、矩形状である。ただし、各電極の形状はこれらに限られない。
　第２の線路電極Ｐ１３は、誘電体層ＤＬ２に形成されている。すなわち、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３の積層方向に対して垂直方向に延びている。積層方向から見たとき、第３のキャパシタ電極Ｐ１４と第４のキャパシタ電極Ｐ１５とは、各々の少なくとも一部と第２の接地電極Ｐ１０とが重なるように、誘電体層ＤＬ１０を介して第２の接地電極Ｐ１０と対向配置されている。
　すなわち、前述の第７のキャパシタＣ４１は、第３のキャパシタ電極Ｐ１４と第２の接地電極Ｐ１０と含んで構成されている。前述の第８のキャパシタＣ４２は、第４のキャパシタ電極Ｐ１５と第２の接地電極Ｐ１０と含んで構成されている。
　第３のビア導体Ｖ９は、誘電体層ＤＬ２からＤＬ９を貫通し、第２の線路電極Ｐ１３と第３のキャパシタ電極Ｐ１４とを接続している。第４のビア導体Ｖ１０は、誘電体層ＤＬ２からＤＬ９を貫通し、第２の線路電極Ｐ１３と第４のキャパシタ電極Ｐ１５とを接続している。具体的には、第３のビア導体Ｖ９は、一方端が第２の線路電極Ｐ１３の一方主面に接続されているとともに、他方端が第３のキャパシタ電極Ｐ１４の他方主面に接続されている。第４のビア導体Ｖ１０は、一方端が第２の線路電極Ｐ１３の一方主面に接続されているとともに、他方端が第４のキャパシタ電極Ｐ１５の他方主面に接続されている。
　すなわち、前述の第８のインダクタＬ４１は、第２の線路電極Ｐ１３と第３のビア導体Ｖ９と第４のビア導体Ｖ１０とを含んで構成されている。
　そして、第１の中間キャパシタ電極Ｐ１６は、誘電体層ＤＬ９を介して、第１の中間回路の第３のキャパシタ電極Ｐ１１と、第２の中間回路の第３のキャパシタ電極Ｐ１４とに対向配置されている。詳細には、第１の中間キャパシタ電極Ｐ１６の一方主面と第１の中間回路の第３のキャパシタ電極Ｐ１１の他方主面とが、誘電体層ＤＬ９を介して対向配置されている。また、第１の中間キャパシタ電極Ｐ１６の一方主面と第２の中間回路の第３のキャパシタ電極Ｐ１４の他方主面とが、誘電体層ＤＬ９を介して対向配置されている。
　なお、第２の接地電極Ｐ１０は、複数に分割されていてもよい。その場合、前述の第５のキャパシタＣ３１、第６のキャパシタＣ３２、第７のキャパシタＣ４１および第８のキャパシタＣ４２が、分割された第２の接地電極Ｐ１０の部分をそれぞれ含むようにしてもよい。
　図３に、各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを所定の値としたときの、バンドパスフィルタ１００のフィルタ特性を示す。フィルタ特性のＳ２１に着目すると、通過帯域を、挿入損失が平坦部から３ｄＢ減少した周波数で定義した場合、バンドパスフィルタ１００では、約６．３ＧＨｚから約８．７ＧＨｚまでを通過帯域と見なすことができる。そして、通過帯域の低周波側の約５．７ＧＨｚに約－５５ｄＢまで急峻に減衰する減衰極があり、高周波側の約９.４ＧＨｚに約－６０ｄＢまで急峻に減衰する減衰極がある。高周波側の減衰が得られるのは、第１のフィルタ回路と第２のフィルタとの間に、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路の各々とグランドが異なる中間回路を配置する構造としているため、グランドを介する信号の伝搬が最小になることによる。さらに、中間キャパシタ電極Ｐ１６を設けることにより、よりおおきな減衰極を所望の周波数に設定することができる。
　＜第２の例＞
　第１の実施形態の第２の例であるバンドパスフィルタ１００Ａについて、図４ないし図６を用いて説明する。
　図４は、バンドパスフィルタ１００Ａの等価回路図である。バンドパスフィルタ１００Ａは、第１０のキャパシタＣ５２をさらに備えている。バンドパスフィルタ１００Ａにおいて、第９のキャパシタＣ５１は、前述の接続点Ａ１と接続点Ｂ１との間に接続されている。また、第１０のキャパシタＣ５２は、第６のキャパシタＣ３２と第７のインダクタＬ３１との接続点Ａ２と、前述の接続点Ｂ２との間に接続されている。それら以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００と同様である。
　図５は、バンドパスフィルタ１００Ａの一部の分解斜視図である。具体的には、誘電体層ＤＬ９、ＤＬ１０と、第１のキャパシタ電極Ｐ３、Ｐ７と、第２のキャパシタ電極Ｐ４、Ｐ８と、第３のキャパシタ電極Ｐ１１、Ｐ１４と、第４のキャパシタ電極Ｐ１２、Ｐ１５と、第１の中間キャパシタ電極Ｐ１６と、第２の中間キャパシタ電極Ｐ１８とが図示されている。すなわち、バンドパスフィルタ１００Ａは、矩形状の第２の中間キャパシタ電極Ｐ１８をさらに備えている。ただし、形状はこれに限られない。バンドパスフィルタ１００Ａにおいて、第１の中間キャパシタ電極Ｐ１６は、バンドパスフィルタ１００と同様に配置されている。
　また、第２の中間キャパシタ電極Ｐ１８は、誘電体層ＤＬ９を介して、第１の中間回路の第４のキャパシタ電極Ｐ１２と、第２の中間回路の第４のキャパシタ電極Ｐ１５とに対向配置されている。詳細には、第２の中間キャパシタ電極Ｐ１８の一方主面と第１の中間回路の第４のキャパシタ電極Ｐ１２の他方主面とが、誘電体層ＤＬ９を介して対向配置されている。また、第２の中間キャパシタ電極Ｐ１８の一方主面と第２の中間回路の第４のキャパシタ電極Ｐ１５の他方主面とが、誘電体層ＤＬ９を介して対向配置されている。それら以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００と同様である。
　図６に、各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを所定の値としたときの、バンドパスフィルタ１００Ａのフィルタ特性を示す。フィルタ特性のＳ２１に着目すると、バンドパスフィルタ１００Ａの通過帯域は約６．３ＧＨｚから約８．７ＧＨｚであり、バンドパスフィルタ１００の通過帯域と実質的に変化していないと見なすことができる。そして、通過帯域の低周波側の約５．７ＧＨｚに約－５０ｄＢまで急峻に減衰する減衰極があり、高周波側の約９．４ＧＨｚに約－５５ｄＢまで急峻に減衰する減衰極がある。
　以上で説明した第１および第２の例から、第１の実施形態に係るバンドパスフィルタでは、通過帯域を維持しながら、通過帯域の高周波側に、必要な減衰量の減衰極を生成することができる。
　また、第２の例のように、第９のキャパシタＣ５１と第１０のキャパシタＣ５２を備えるようにした場合、高周波側の減衰極での減衰量に対する、さらに高周波側での減衰量の低下の度合いＴを小さくし、通過帯域周波数の高周波側の減衰量を大きくすることができる（図３、図６参照）。
　なお、バンドパスフィルタ１００，１００Ａの各々は、第３の接地電極Ｐ１７と、第５のビア導体Ｖ１１と、第６のビア導体Ｖ１２と、第７のビア導体Ｖ１３とをさらに有している。また、第１の接地電極Ｐ２と第２の接地電極Ｐ１０とは、互いに離れて配置されている。第３の接地電極Ｐ１７は、外部接地電極ＰＧ１ないしＰＧ４に接続されている。
　そして、第１のフィルタ回路ＦＣ１における第１の接地電極Ｐ２と第３の接地電極Ｐ１７とは、第５のビア導体Ｖ１１により接続されている。第２のフィルタ回路ＦＣ２における第１の接地電極Ｐ６と第３の接地電極Ｐ１７とは、第６のビア導体Ｖ１２により接続されている。第１の中間回路ＭＣ１および第２の中間回路ＭＣ２における第２の接地電極Ｐ１０と第３の接地電極Ｐ１７とは、第７のビア導体Ｖ１３により接続されている。図２では、第５のビア導体Ｖ１１、第６のビア導体Ｖ１２および第７のビア導体Ｖ１３の各々は、複数となっているが、単数であってもよい。
　上記の構造とすることにより、第１のフィルタ回路とグランドとの間のインダクタンスを独立して調整することができる。同様に、第２のフィルタ回路とグランドとの間のインダクタンス、ならびに第１の中間回路および第２の中間回路とグランドとの間のインダクタンスも、独立して調整することができる。
　－バンドパスフィルタの第２の実施形態－
　第２の実施形態に係るバンドパスフィルタは、通過帯域の低周波側の減衰極の生成に関するものであり、第１のビア導体Ｖ１と第２のビア導体Ｖ２と接地ビア導体Ｖ３との位置関係に特徴がある。
　＜第１の例＞
　第２の実施形態の第１の例であるバンドパスフィルタ１００Ｂについて、図７ないし図９を用いて説明する。
　バンドパスフィルタ１００Ｂの等価回路図は、バンドパスフィルタ１００Ａの等価回路図と同じであるため図示を省略する。バンドパスフィルタ１００Ｂは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第１の中間回路ＭＣ１と、第２の中間回路ＭＣ２と、第９のキャパシタＣ５１と、第１０のキャパシタＣ５２とを備えている。ただし、バンドパスフィルタ１００Ｂにおいて、第９のキャパシタＣ５１と第１０のキャパシタＣ５２とは、必須の構成要素ではない。
　図７は、バンドパスフィルタ１００Ｂの分解斜視図である。また、図８は、バンドパスフィルタ１００Ｂの一部の平面図である。バンドパスフィルタ１００Ｂは、積層されている誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３と、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路と、第１の中間回路および第２の中間回路と、第１の中間キャパシタ電極Ｐ１６および第２の中間キャパシタ電極Ｐ１８とを備えている。バンドパスフィルタ１００Ｂの基本的な構造は、バンドパスフィルタ１００Ａと同様である。
　ここで、バンドパスフィルタ１００Ｂの第１のフィルタ回路における第１のビア導体Ｖ１、第２のビア導体Ｖ２および接地ビア導体Ｖ３の各々を、中心を有する円柱と見なす。同様に、第２のフィルタ回路における第１のビア導体Ｖ４、第２のビア導体Ｖ５および接地ビア導体Ｖ６の各々を、中心を有する円柱と見なす。
　その場合、第１のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ３の中心は、第１のビア導体Ｖ１の中心と第２のビア導体Ｖ２の中心とを結ぶ仮想線ＩＬ１から、第１の中間回路と反対側にずれた位置にある。また、第２のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ６の中心は、第１のビア導体Ｖ４の中心と第２のビア導体Ｖ５の中心とを結ぶ仮想線ＩＬ２から、第２の中間回路と反対側にずれた位置にある（図８参照）。なお、「ビア導体の中心」とは、円柱形状のビア導体を平面視した場合の円の中心を指す。
　なお、バンドパスフィルタ１００Ｂの第１のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ１および第２のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ５は、バンドパスフィルタ１００Ａと同様に矩形状である。また、それら以外の構成要素についても、バンドパスフィルタ１００Ａと同様である。
　図９に、各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを所定の値としたときの、バンドパスフィルタ１００Ｂのフィルタ特性を示す。フィルタ特性のＳ２１に着目すると、バンドパスフィルタ１００Ｂの通過帯域は約６．３ＧＨｚから約８．７ＧＨｚであり、バンドパスフィルタ１００の通過帯域と実質的に変化していないと見なすことができる。そして、通過帯域の低周波側の約３．８ＧＨｚ付近において急峻に減衰する減衰極があるとともに、高周波側の約９．３ＧＨｚに約－６０ｄＢまで急峻に減衰する減衰極を有している。
　＜第２の例＞
　第２の実施形態の第２の例であるバンドパスフィルタ１００Ｃについて、図１０ないし図１２を用いて説明する。
　バンドパスフィルタ１００Ｃの等価回路図は、バンドパスフィルタ１００Ａの等価回路図と同じであるため図示を省略する。バンドパスフィルタ１００Ｃは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第１の中間回路ＭＣ１と、第２の中間回路ＭＣ２と、第９のキャパシタＣ５１と、第１０のキャパシタＣ５２とを備えている。ただし、バンドパスフィルタ１００Ｂと同様に、第９のキャパシタＣ５１と第１０のキャパシタＣ５２とは、必須の構成要素ではない。
　図１０は、バンドパスフィルタ１００Ｃの分解斜視図である。また、図１１は、バンドパスフィルタ１００Ｃの一部の平面図である。バンドパスフィルタ１００Ｃの基本的な構造は、バンドパスフィルタ１００Ｂと同様である。すなわち、第１のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ３の中心は、仮想線ＩＬ１から第１の中間回路側にずれた位置にある。また、第２のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ６の中心は、仮想線ＩＬ２から第２の中間回路側にずれた位置にある。
　図１２に、各キャパシタのキャパシタンスおよび各インダクタのインダクタンスを所定の値としたときの、バンドパスフィルタ１００Ｃのフィルタ特性を示す。フィルタ特性のＳ２１に着目すると、バンドパスフィルタ１００Ｃの通過帯域は約６．３ＧＨｚから約８．７ＧＨｚであり、バンドパスフィルタ１００の通過帯域と実質的に変化していないと見なすことができる。そして、通過帯域の低周波側の約５．８ＧＨｚに約－６０ｄＢまで急峻に減衰する減衰極があり、高周波側の約９．４ＧＨｚに約－６０ｄＢまで急峻に減衰する減衰極を有している。
　以上で説明した第１および第２の例から、第２の実施形態に係るバンドパスフィルタでは、通過帯域を維持しながら、通過帯域の低周波側に、必要な減衰量の減衰極を生成することができる。
　また、第２の例のように、各フィルタ回路の第１の線路電極が隣接する中間回路側に突出した第２の部分を含んでいる場合、各接地ビア導体の中心が仮想線からずれる距離を大きくできる。その結果、図１２に示されるように、通過帯域の低周波側の減衰極における減衰量を大きくすることができる。
　＜第３～第５の例＞
　第１のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ１および第２のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ５の形状は、前述した２つの矩形が接続された形状に限られない。図１３では、幾つかの変形例が示されている。なお、下記で説明するもの以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００Ａと同様である。
　図１３（Ａ）は、第２の実施形態の第３の例であるバンドパスフィルタ１００Ｄの一部の平面図である。具体的には、誘電体層ＤＬ２と、第１の線路電極Ｐ１、Ｐ５と、第２の線路電極Ｐ９、Ｐ１３とが図示されている。バンドパスフィルタ１００Ｄでは、第１のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ１が、第１の中間回路側の辺が全体に湾曲している。すなわち、第１の線路電極Ｐ１は、矩形状の第１の部分Ｐ１ａと、湾曲した辺と第１の部分の１辺とにより囲まれた領域である第２の部分Ｐ１ｂとを含んでいる。第２のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ５も同様である。
　図１３（Ｂ）は、第２の実施形態の第４の例であるバンドパスフィルタ１００Ｅの一部の平面図である。具体的には、図１３（Ａ）と同様の構成要素が図示されている。バンドパスフィルタ１００Ｅでは、第１のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ１が、屈曲した帯状となっている。すなわち、第１の線路電極Ｐ１における第２の部分Ｐ１ｂは、屈曲して第１の中間回路側に突出している部分である。第２のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ５も同様である。
　図１３（Ｃ）は、第２の実施形態の第５の例であるバンドパスフィルタ１００Ｆの一部の平面図である。具体的には、図１３（Ａ）と同様の構成要素が図示されている。バンドパスフィルタ１００Ｆでは、第１のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ１が、第１の部分Ｐ１ａと、第１の部分Ｐ１ａから第１の中間回路側に突出した第２の部分Ｐ１ｂとを含んでいる。すなわち、第１の線路電極Ｐ１は、２つの矩形が接続されたような形状を有している。そして、接地ビア導体Ｖ３は、第１の部分Ｐ１ａと第２の部分Ｐ１ｂとの両方に接続されている。第２のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ５も同様である。
　＜第６の例＞
　第１のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ３の中心が仮想線ＩＬ１からずれる方向、および第２のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ６の中心が仮想線ＩＬ２からずれる方向は、前述した方向に限られない。図１４では、第６の例が示されている。なお、下記で説明するもの以外の構成要素については、バンドパスフィルタ１００Ａと同様である。
　図１４は、第２の実施形態の第６の例であるバンドパスフィルタ１００Ｇの一部の分解斜視図である。バンドパスフィルタ１００Ｇでは、第１のフィルタ回路の第１の線路電極Ｐ１および第２のフィルタ回路の第１の線路電極Ｐ５が２つの矩形が接続された形状であり、バンドパスフィルタ１００Ｆと類似の構造を有している。
　一方、バンドパスフィルタ１００Ｇでは、接地ビア導体Ｖ３の中心が仮想線ＩＬ１からずれる方向、および接地ビア導体Ｖ６の中心が仮想線ＩＬ２からずれる方向は、バンドパスフィルタ１００Ｆとは逆になっている。
　上記のように、各接地ビア導体の中心が前述の仮想線からずれる方向を変えることによっても、通過帯域を維持しながら、通過帯域の低周波側に、必要な減衰量の減衰極を生成できることが確認されている。
　なお、バンドパスフィルタ１００Ｂないし１００Ｇの各々は、第１の実施形態で説明されたように、第３の接地電極Ｐ１７と、第５のビア導体Ｖ１１と、第６のビア導体Ｖ１２と、第７のビア導体Ｖ１３とをさらに有している。また、第１の接地電極Ｐ２と第２の接地電極Ｐ１０とは、互いに離れて配置されている。第３の接地電極Ｐ１７は、外部接地電極ＰＧ１ないしＰＧ４に接続されている。
　そして、第１のフィルタ回路における第１の接地電極Ｐ２と第３の接地電極Ｐ１７とは、第５のビア導体Ｖ１１により接続されている。第２のフィルタ回路における第１の接地電極Ｐ６と第３の接地電極Ｐ１７とは、第６のビア導体Ｖ１２により接続されている。第１および第２の中間回路における第２の接地電極Ｐ１０と第３の接地電極Ｐ１７とは、第７のビア導体Ｖ１３により接続されている。
　上記の構造とすることにより、第１のフィルタ回路とグランドとの間のインダクタンスを独立して調整することができる。同様に、第２のフィルタ回路とグランドとの間のインダクタンス、ならびに第１の中間回路および第２の中間回路とグランドとの間のインダクタンスも、独立して調整することができる。
　また、図７および図１０で示されているように、各接地ビア導体の中心を前述の仮想線から隣接する中間回路側にずらして、かつ第１の中間回路と第２の中間回路とを接続するキャパシタを備えることが好ましい。そのようにすることで、通過帯域を維持しながら、通過帯域の低周波側および高周波側の両方に、必要な減衰量の減衰極を生成することができる。
　さらに、図７および図１０で示されているように、中間回路同士の接続を２つの中間キャパシタ電極を用いて行なうようにすることが好ましい。その場合、高周波側の減衰極での減衰量に対する、さらに高周波側での減衰量の低下の度合いＴを小さくすることができる。
　－バンドパスフィルタの第３の実施形態－
　第３の実施形態に係るバンドパスフィルタは、第２の実施形態と同様の特徴を有している。
　第３の実施形態に係るバンドパスフィルタ１００Ｈについて、図１５および図１６を用いて説明する。
　図１５は、バンドパスフィルタ１００Ｈの等価回路図である。バンドパスフィルタ１００Ｈは、第１のフィルタ回路ＦＣ１と、第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第１の中間回路ＭＣ１とを備えている。
　第１のフィルタ回路ＦＣ１および第２のフィルタ回路ＦＣ２と、第１の中間回路ＭＣ１とは、他の実施形態に係るバンドパスフィルタの第１および第２の態様と同様の構成を有している。バンドパスフィルタ１００Ｈでは、第１の中間回路ＭＣ１は、第１のフィルタ回路ＦＣ１と第２のフィルタ回路ＦＣ２との間に配置される。また、第１の中間回路ＭＣ１は、第１のフィルタ回路ＦＣ１および第２のフィルタ回路ＦＣ２の各々と電磁界結合する。
　図１６は、バンドパスフィルタ１００Ｈの分解斜視図である。バンドパスフィルタ１００Ｈは、積層されている誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３と、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路と、第１の中間回路とを備えている。第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路と、第１の中間回路とは、図１６中には明示されていないが、図１５のバンドパスフィルタ１００Ｈの等価回路図において説明されたものと同じものである。
　第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路は、誘電体層ＤＬ１ないしＤＬ１３の積層方向と直交する方向に並んで配置されている。第１の中間回路は、第１のフィルタ回路と第２のフィルタ回路との間に並んで配置されている。また、第１の中間回路は、第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路の各々と電磁界結合する。
　第１のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ３の中心は、第１のビア導体Ｖ１の中心と第２のビア導体Ｖ２の中心とを結ぶ仮想線ＩＬ１から、第１の中間回路側にずれた位置にある。また、第２のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ６の中心は、第１のビア導体Ｖ４の中心と第２のビア導体Ｖ５の中心とを結ぶ仮想線ＩＬ２から、第１の中間回路側にずれた位置にある。
　上記のように、中間回路が１つの場合でも、各接地ビア導体の中心が前述の仮想線からずれるように配置することにより、通過帯域を維持しながら、通過帯域の低周波側に、必要な減衰量の減衰極を生成できることが確認されている。
　－バンドパスフィルタの第４の実施形態－
　第１の実施形態および第２の実施形態においては２つの中間回路を備えるバンドパスフィルタについて説明し、第３の実施形態においては１つの中間回路を備えるバンドパスフィルタについて説明した。実施形態に係るバンドパスフィルタが備える中間回路の数は、３以上であってもよい。第４の実施形態においては、３つの中間回路を備えるバンドパスフィルタについて説明する。
　第４の実施形態に係るバンドパスフィルタは、第２の実施形態と同様の特徴を有している。当該バンドパスフィルタについて、図１７を用いて説明する。
　図１７は、第４の実施形態の一例であるバンドパスフィルタ１００Ｊの一部の平面図である。バンドパスフィルタ１００Ｊの構成は、図７および図８に示されるバンドパスフィルタ１００Ｂに、第１の中間回路および第２の中間回路の各々に電磁界結合する第３の中間回路が追加された構成である。具体的には、図１７の誘電体層ＤＬ２と、第１の線路電極Ｐ１、Ｐ５と、第２の線路電極Ｐ９、Ｐ１３とは、図８の誘電体層ＤＬ２と、第１の線路電極Ｐ１、Ｐ５と、第２の線路電極Ｐ９、Ｐ１３とにそれぞれ対応する。また、図８の誘電体層ＤＬ２に第３の中間回路に含まれる第２の線路電極Ｐ１９が追加されている。
　バンドパスフィルタ１００Ｊでは、第１のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ１は、部分Ｐ１ｃ～Ｐ１ｅを含む。部分Ｐ１ｃおよびＰ１ｅの各々は、第２の線路電極Ｐ９の長手方向に延在している。部分Ｐ１ｄは、当該長手方向に直交する方向に延在している。部分Ｐ１ｃは、部分Ｐ１ｄの一方端に接続されている。部分Ｐ１ｅは、部分Ｐ１ｄの他方端に接続されている。第１の線路電極Ｐ１は、部分Ｐ１ｃとＰ１ｄとの接続部分において屈曲しているとともに、部分Ｐ１ｅとＰ１ｄとの接続部分において屈曲している。部分Ｐ１ｄの延在方向において、部分Ｐ１ｃと第２の線路電極Ｐ９との間の距離Ｗ１は、部分Ｐ１ｅと第２の線路電極Ｐ９との間の距離Ｗ２よりも短い。なお、距離Ｗ１は、距離Ｗ２より長くてもよい。
　第１のビア導体Ｖ１は、部分Ｐ１ｃに接続されている。第２のビア導体Ｖ２は、部分Ｐ１ｅに接続されている。接地ビア導体Ｖ３は、部分Ｐ１ｃに接続されている。第１のビア導体Ｖ１と接地ビア導体Ｖ３との距離は、第２のビア導体Ｖ２と接地ビア導体Ｖ３との距離よりも短い。接地ビア導体Ｖ３は、部分Ｐ１ｄに接続されてもよいし、部分Ｐ１ｅに接続されてもよい。そして、第１のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ３の中心は、第１のビア導体Ｖ１の中心と第２のビア導体Ｖ２の中心とを結ぶ仮想線ＩＬ１から、第１の中間回路側にずれた位置にある。また、上述のとおり、接地ビア導体Ｖ３は、中間回路により近い側である、部分Ｐ１ｃに設けられている。
　第２のフィルタ回路における第１の線路電極Ｐ５は、部分Ｐ５ｃ～Ｐ５ｅを含む。部分Ｐ５ｃおよびＰ５ｅの各々は、第２の線路電極Ｐ１３の長手方向に延在している。部分Ｐ５ｄは、当該長手方向に直交する方向に延在している。部分Ｐ５ｃは、部分Ｐ５ｄの一方端に接続されている。部分Ｐ５ｅは、部分Ｐ５ｄの他方端に接続されている。第１の線路電極Ｐ５は、部分Ｐ５ｃとＰ５ｄとの接続部分において屈曲しているとともに、部分Ｐ５ｅとＰ５ｄとの接続部分において屈曲している。部分Ｐ５ｄの延在方向において、部分Ｐ５ｃと第２の線路電極Ｐ１３との間の距離Ｗ３は、部分Ｐ５ｅと第２の線路電極Ｐ１３との間の距離Ｗ４よりも短い。なお、距離Ｗ３は、距離Ｗ４より長くてもよい。
　第１のビア導体Ｖ４は、部分Ｐ５ｃに接続されている。第２のビア導体Ｖ５は、部分Ｐ５ｅに接続されている。接地ビア導体Ｖ６は、部分Ｐ５ｃに接続されている。第１のビア導体Ｖ４と接地ビア導体Ｖ６との距離は、第２のビア導体Ｖ５と接地ビア導体Ｖ６との距離よりも短い。接地ビア導体Ｖ６は、部分Ｐ５ｄに接続されてもよいし、部分Ｐ５ｅに接続されてもよい。そして、第２のフィルタ回路における接地ビア導体Ｖ６の中心は、第１のビア導体Ｖ４の中心と第２のビア導体Ｖ５の中心とを結ぶ仮想線ＩＬ２から、第２の中間回路側にずれた位置にある。また、上述のとおり、接地ビア導体Ｖ６は、中間回路により近い側である、部分Ｐ５ｃに設けられている。
　第２の線路電極Ｐ１９は、第２の線路電極Ｐ９とＰ１３との間に配置され、第２の線路電極Ｐ９およびＰ１３の長手方向に延在している。第２の線路電極Ｐ１９の長さＨ１は、第２の線路電極Ｐ９の長さＨ２よりも長く、第２の線路電極Ｐ１３の長さＨ３よりも長い。長さＨ１は、長さＨ２よりも短くてもよいし、長さＨ３よりも短くてもよい。
　以上、第４の実施形態に係るバンドパスフィルタによっても、各接地ビア導体の中心が前述の仮想線からずれるように当該接地ビア導体を配置することにより、通過帯域を維持しながら、通過帯域の低周波側に、必要な減衰量の減衰極を生成することが確認されている。
　この明細書に記載の実施形態は、例示的なものであって、この発明は上記の実施形態および変形例に限定されるものではなく、この発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。
　今回開示された各実施の形態は、矛盾しない範囲で適宜組み合わされて実施されることも予定されている。今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１００，１００Ａ～１００Ｈ，１００Ｊ　バンドパスフィルタ、Ａ１，Ａ２，Ｂ１，Ｂ２　接続点、Ｃ１１　第１のキャパシタ、Ｃ１２　第２のキャパシタ、Ｃ２１　第３のキャパシタ、Ｃ２２　第４のキャパシタ、Ｃ３１　第５のキャパシタ、Ｃ３２　第６のキャパシタ、Ｃ４１　第７のキャパシタ、Ｃ４２　第８のキャパシタ、Ｃ５１　第９のキャパシタ、Ｃ５２　第１０のキャパシタ、ＤＬ１～ＤＬ１３　誘電体層、ＦＣ１　第１のフィルタ回路、ＦＣ２　第２のフィルタ回路、Ｐ９，Ｐ１３，Ｐ１９　第２の線路電極、ＩＬ１，ＩＬ２　仮想線、Ｌ１１　第１のインダクタ、Ｌ１２　第２のインダクタ、Ｌ１３　第３のインダクタ、Ｌ２１　第４のインダクタ、Ｌ２２　第５のインダクタ、Ｌ２３　第６のインダクタ、Ｌ３１　第７のインダクタ、Ｌ４１　第８のインダクタ、ＭＣ１　第１の中間回路、ＭＣ２　第２の中間回路、Ｐ１ａ　第１の部分、Ｐ１ｂ　第２の部分、Ｐ１，Ｐ５　第１の線路電極、Ｐ１ｃ，Ｐ１ｅ，Ｐ１ｄ，Ｐ５ｃ，Ｐ５ｅ，Ｐ５ｄ　部分、Ｐ２，Ｐ６　第１の接地電極、Ｐ３，Ｐ７　第１のキャパシタ電極、Ｐ４，Ｐ８　第２のキャパシタ電極、Ｐ１０　第２の接地電極、Ｐ１１，Ｐ１４　第３のキャパシタ電極、Ｐ１２，Ｐ１５　第４のキャパシタ電極、Ｐ１６　第１の中間キャパシタ電極、Ｐ１７　第３の接地電極、Ｐ１８　第２の中間キャパシタ電極、ＰＧ１　外部接地電極、ＰＬ１，ＰＬ２　引き出し電極、ＰＳ１，ＰＳ２　信号電極、ＰＴ１　第１のポート、ＰＴ２　第２のポート、ＲＣ１　第１の共振回路、ＲＣ２　第２の共振回路、ＲＣ３　第３の共振回路、ＲＣ４　第４の共振回路、Ｖ１，Ｖ４　第１のビア導体、Ｖ２，Ｖ５　第２のビア導体、Ｖ３，Ｖ６　接地ビア導体、Ｖ７，Ｖ９　第３のビア導体、Ｖ８，Ｖ１０　第４のビア導体、Ｖ１１　第５のビア導体、Ｖ１２　第６のビア導体、Ｖ１３　第７のビア導体。

Claims (15)

  1. 　第１のインダクタと第３のインダクタと第１のキャパシタとを有する第１の共振回路と、第２のインダクタと前記第３のインダクタと第２のキャパシタとを有する第２の共振回路とを含む第１のフィルタ回路と、
    　第４のインダクタと第６のインダクタと第３のキャパシタとを有する第３の共振回路と、第５のインダクタと前記第６のインダクタと第４のキャパシタとを有する第４の共振回路とを含む第２のフィルタ回路と、
    　グランドに接続された第５のキャパシタおよびグランドに接続された第６のキャパシタと、前記第５のキャパシタと前記第６のキャパシタとの間に接続された第７のインダクタとを有する第１の中間回路と、
    　グランドに接続された第７のキャパシタおよびグランドに接続された第８のキャパシタと、前記第７のキャパシタと前記第８のキャパシタとの間に接続された第８のインダクタとを有する第２の中間回路と、
    　第９のキャパシタとを備え、
    　前記第７のインダクタは、前記第１ないし第３のインダクタの各々と電磁界結合し、前記第８のインダクタは、前記第４ないし第７のインダクタの各々と電磁界結合しており、
    　前記第９のキャパシタは、前記第１の中間回路と前記第２の中間回路との間に接続されている、バンドパスフィルタ。
  2. 　前記第９のキャパシタは、前記第５のキャパシタと前記第７のインダクタとの接続点と、前記第７のキャパシタと前記第８のインダクタとの接続点との間に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
  3. 　第１０のキャパシタをさらに備え、
    　前記第１０のキャパシタは、前記第６のキャパシタと前記第７のインダクタとの接続点と、前記第８のキャパシタと前記第８のインダクタとの接続点との間に接続されていることを特徴とする、請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
  4. 　積層されている複数の誘電体層と、
    　前記複数の誘電体層の積層方向と直交する方向に並んで配置された第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路と、
    　前記第１のフィルタ回路と前記第２のフィルタ回路との間に並んで配置され、前記第１のフィルタ回路と電磁界結合する第１の中間回路ならびに前記第２のフィルタ回路および前記第１の中間回路の各々と電磁界結合する第２の中間回路と、
    　第１の中間キャパシタ電極とを備え、
    　前記第１のフィルタ回路および前記第２のフィルタ回路の各々は、
    　前記積層方向に対して垂直方向に延びる第１の線路電極と、
    　第１の接地電極と、
    　前記第１の接地電極と対向配置された第１のキャパシタ電極と、
    　前記第１の接地電極と対向配置された第２のキャパシタ電極と、
    　前記積層方向に通り、前記第１の線路電極と前記第１のキャパシタ電極とを接続する第１のビア導体と、
    　前記積層方向に通り、前記第１の線路電極と前記第２のキャパシタ電極とを接続する第２のビア導体と、
    　前記第１のビア導体と前記第２のビア導体との間に配置され、前記積層方向に通り、前記第１の線路電極と前記第１の接地電極とを接続する接地ビア導体とを含み、
    　前記第１の中間回路および前記第２の中間回路の各々は、
    　前記垂直方向に延びる第２の線路電極と、
    　第２の接地電極と、
    　前記第２の接地電極と対向配置された第３のキャパシタ電極と、
    　前記第２の接地電極と対向配置された第４のキャパシタ電極と、
    　前記積層方向に通り、前記第２の線路電極と前記第３のキャパシタ電極とを接続する第３のビア電極と、
    　前記積層方向に通り、前記第２の線路電極と前記第４のキャパシタ電極とを接続する第４のビア電極とを含み、
    　前記第１の中間キャパシタ電極は、前記第１の中間回路の前記第３のキャパシタ電極と、前記第２の中間回路の前記第３のキャパシタ電極とに対向配置されることを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  5. 　第２の中間キャパシタ電極をさらに有し、
    　前記第２の中間キャパシタ電極は、前記第１の中間回路の前記第４のキャパシタ電極と、前記第２の中間回路の前記第４のキャパシタ電極とに対向配置されることを特徴とする、請求項４に記載のバンドパスフィルタ。
  6. 　第３の接地電極と、第５のビア導体と、第６のビア導体と、第７のビア導体とをさらに有し、
    　前記第１の接地電極と前記第２の接地電極とは、互いに離れて配置され、
    　前記第１のフィルタ回路における前記第１の接地電極と前記第３の接地電極とが、前記第５のビア導体により接続され、
    　前記第２のフィルタ回路における前記第１の接地電極と前記第３の接地電極とが、前記第６のビア導体により接続され、
    　前記第１および第２の中間回路における前記第２の接地電極と前記第３の接地電極とが、前記第７のビア導体により接続されることを特徴とする請求項４または５に記載のバンドパスフィルタ。
  7. 　積層されている複数の誘電体層と、
    　前記複数の誘電体層の積層方向と直交する方向に並んで配置された第１のフィルタ回路および第２のフィルタ回路と、
    　前記第１のフィルタ回路と前記第２のフィルタ回路との間に配置され、前記第１のフィルタ回路および前記第２のフィルタ回路の各々と電磁界結合する少なくとも１つの中間回路とを備え、
    　前記第１のフィルタ回路および前記第２のフィルタ回路の各々は、
    　前記積層方向に対して垂直方向に延びる第１の線路電極と、
    　第１の接地電極と、
    　前記第１の接地電極と対向配置された第１のキャパシタ電極と、
    　前記第１の接地電極と対向配置された第２のキャパシタ電極と、
    　前記積層方向に通り、前記第１の線路電極と前記第１のキャパシタ電極とを接続する第１のビア導体と、
    　前記積層方向に通り、前記第１の線路電極と前記第２のキャパシタ電極とを接続する第２のビア導体と、
    　前記第１のビア導体と前記第２のビア導体との間に配置され、前記積層方向に通り、前記第１の線路電極と前記第１の接地電極とを接続する接地ビア導体とを含み、
    　前記少なくとも１つの中間回路は、
    　前記垂直方向に延びる第２の線路電極と、
    　第２の接地電極と、
    　前記第２の接地電極と対向配置された第３のキャパシタ電極と、
    　前記第２の接地電極と対向配置された第４のキャパシタ電極と、
    　前記積層方向に通り、前記第２の線路電極と前記第３のキャパシタ電極とを接続する第３のビア電極と、
    　前記積層方向に通り、前記第２の線路電極と前記第４のキャパシタ電極とを接続する第４のビア電極とを含み、
    　前記接地ビア導体の中心は、前記第１のビア導体の中心と前記第２のビア導体の中心とを結ぶ仮想線からずれた位置にあることを特徴とする、バンドパスフィルタ。
  8. 　前記少なくとも１つの中間回路は、前記第１のフィルタ回路と前記第２のフィルタ回路との間に並んで配置され、前記第１のフィルタ回路と電磁界結合する第１の中間回路と、前記第２のフィルタ回路および前記第１の中間回路の各々と電磁界結合する第２の中間回路とを含む、請求項７に記載のバンドパスフィルタ。
  9. 　前記第１のフィルタ回路における前記接地ビア導体の中心は、前記第１のフィルタ回路における第１のビア導体の中心と前記第２のビア導体の中心とを結ぶ仮想線から前記第１の中間回路側にずれた位置にあり、
    　前記第２のフィルタ回路における前記接地ビア導体の中心は、前記第２のフィルタ回路における第１のビア導体の中心と前記第２のビア導体の中心とを結ぶ仮想線から前記第２の中間回路側にずれた位置にあることを特徴とする、請求項８に記載のバンドパスフィルタ。
  10. 　前記第１の線路電極は、第１の部分と、前記第１の部分から前記第１の中間回路側に突出した第２の部分とを含み、
    　前記接地ビア導体は、前記第１の部分と前記第２の部分との両方に接続されていることを特徴とする、請求項９に記載のバンドパスフィルタ。
  11. 　第３の接地電極と、第５のビア導体と、第６のビア導体と、第７のビア導体とをさらに有し、
    　前記第１の接地電極と前記第２の接地電極とは、互いに離れて配置され、
    　前記第１のフィルタ回路における前記第１の接地電極と前記第３の接地電極とが、前記第５のビア導体により接続され、
    　前記第２のフィルタ回路における前記第１の接地電極と前記第３の接地電極とが、前記第６のビア導体により接続され、
    　前記第１および第２の中間回路における前記第２の接地電極と前記第３の接地電極とが、前記第７のビア導体により接続されることを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  12. 　第１の中間キャパシタ電極をさらに備え、
    　前記第１の中間キャパシタ電極は、前記第１の中間回路の前記第３のキャパシタ電極と、前記第２の中間回路の前記第３のキャパシタ電極とに対向配置されることを特徴とする、請求項８ないし１１のいずれか１項に記載のバンドパスフィルタ。
  13. 　第２の中間キャパシタ電極をさらに備え、
    　前記第２の中間キャパシタ電極は、前記第１の中間回路の前記第４のキャパシタ電極と、前記第２の中間回路の前記第４のキャパシタ電極とに対向配置されることを特徴とする、請求項１２に記載のバンドパスフィルタ。
  14. 　前記少なくとも１つの中間回路は、前記第１のフィルタ回路と前記第２のフィルタ回路との間に配置され、前記第１のフィルタ回路および前記第２のフィルタ回路の各々と電磁界結合する第１の中間回路を含む、請求項７に記載のバンドパスフィルタ。
  15. 　前記少なくとも１つの中間回路は、前記第１のフィルタ回路と前記第２のフィルタ回路との間に並んで配置され、前記第１のフィルタ回路と電磁界結合する第１の中間回路と、前記第２のフィルタ回路と電磁界結合する第２の中間回路と、前記第１の中間回路および前記第２の中間回路の各々と電磁界結合する第３の中間回路とを含む、請求項７に記載のバンドパスフィルタ。
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