JPWO2020031838A1 - バンドパスフィルタ - Google Patents
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Abstract
Description
第1の実施形態に係るバンドパスフィルタは、通過帯域の高周波側の減衰極の生成に関するものであり、後述する第1の中間回路と第2の中間回路とを接続するキャパシタを備えることに特徴がある。
第1の実施形態の第1の例であるバンドパスフィルタ100について、図1ないし図3を用いて説明する。
第1の実施形態の第2の例であるバンドパスフィルタ100Aについて、図4ないし図6を用いて説明する。
第2の実施形態に係るバンドパスフィルタは、通過帯域の低周波側の減衰極の生成に関するものであり、第1のビア導体V1と第2のビア導体V2と接地ビア導体V3との位置関係に特徴がある。
第2の実施形態の第1の例であるバンドパスフィルタ100Bについて、図7ないし図9を用いて説明する。
第2の実施形態の第2の例であるバンドパスフィルタ100Cについて、図10ないし図12を用いて説明する。
第1のフィルタ回路における第1の線路電極P1および第2のフィルタ回路における第1の線路電極P5の形状は、前述した2つの矩形が接続された形状に限られない。図13では、幾つかの変形例が示されている。なお、下記で説明するもの以外の構成要素については、バンドパスフィルタ100Aと同様である。
第1のフィルタ回路における接地ビア導体V3の中心が仮想線IL1からずれる方向、および第2のフィルタ回路における接地ビア導体V6の中心が仮想線IL2からずれる方向は、前述した方向に限られない。図14では、第6の例が示されている。なお、下記で説明するもの以外の構成要素については、バンドパスフィルタ100Aと同様である。
第3の実施形態に係るバンドパスフィルタは、第2の実施形態と同様の特徴を有している。
第1の実施形態および第2の実施形態においては2つの中間回路を備えるバンドパスフィルタについて説明し、第3の実施形態においては1つの中間回路を備えるバンドパスフィルタについて説明した。実施形態に係るバンドパスフィルタが備える中間回路の数は、3以上であってもよい。第4の実施形態においては、3つの中間回路を備えるバンドパスフィルタについて説明する。
Claims (15)
- 第1のインダクタと第3のインダクタと第1のキャパシタとを有する第1の共振回路と、第2のインダクタと前記第3のインダクタと第2のキャパシタとを有する第2の共振回路とを含む第1のフィルタ回路と、
第4のインダクタと第6のインダクタと第3のキャパシタとを有する第3の共振回路と、第5のインダクタと前記第6のインダクタと第4のキャパシタとを有する第4の共振回路とを含む第2のフィルタ回路と、
グランドに接続された第5のキャパシタおよびグランドに接続された第6のキャパシタと、前記第5のキャパシタと前記第6のキャパシタとの間に接続された第7のインダクタとを有する第1の中間回路と、
グランドに接続された第7のキャパシタおよびグランドに接続された第8のキャパシタと、前記第7のキャパシタと前記第8のキャパシタとの間に接続された第8のインダクタとを有する第2の中間回路と、
第9のキャパシタとを備え、
前記第7のインダクタは、前記第1ないし第3のインダクタの各々と電磁界結合し、前記第8のインダクタは、前記第4ないし第7のインダクタの各々と電磁界結合しており、
前記第9のキャパシタは、前記第1の中間回路と前記第2の中間回路との間に接続されている、バンドパスフィルタ。 - 前記第9のキャパシタは、前記第5のキャパシタと前記第7のインダクタとの接続点と、前記第7のキャパシタと前記第8のインダクタとの接続点との間に接続されていることを特徴とする、請求項1に記載のバンドパスフィルタ。
- 第10のキャパシタをさらに備え、
前記第10のキャパシタは、前記第6のキャパシタと前記第7のインダクタとの接続点と、前記第8のキャパシタと前記第8のインダクタとの接続点との間に接続されていることを特徴とする、請求項2に記載のバンドパスフィルタ。 - 積層されている複数の誘電体層と、
前記複数の誘電体層の積層方向と直交する方向に並んで配置された第1のフィルタ回路および第2のフィルタ回路と、
前記第1のフィルタ回路と前記第2のフィルタ回路との間に並んで配置され、前記第1のフィルタ回路と電磁界結合する第1の中間回路ならびに前記第2のフィルタ回路および前記第1の中間回路の各々と電磁界結合する第2の中間回路と、
第1の中間キャパシタ電極とを備え、
前記第1のフィルタ回路および前記第2のフィルタ回路の各々は、
前記積層方向に対して垂直方向に延びる第1の線路電極と、
第1の接地電極と、
前記第1の接地電極と対向配置された第1のキャパシタ電極と、
前記第1の接地電極と対向配置された第2のキャパシタ電極と、
前記積層方向に通り、前記第1の線路電極と前記第1のキャパシタ電極とを接続する第1のビア導体と、
前記積層方向に通り、前記第1の線路電極と前記第2のキャパシタ電極とを接続する第2のビア導体と、
前記第1のビア導体と前記第2のビア導体との間に配置され、前記積層方向に通り、前記第1の線路電極と前記第1の接地電極とを接続する接地ビア導体とを含み、
前記第1の中間回路および前記第2の中間回路の各々は、
前記垂直方向に延びる第2の線路電極と、
第2の接地電極と、
前記第2の接地電極と対向配置された第3のキャパシタ電極と、
前記第2の接地電極と対向配置された第4のキャパシタ電極と、
前記積層方向に通り、前記第2の線路電極と前記第3のキャパシタ電極とを接続する第3のビア電極と、
前記積層方向に通り、前記第2の線路電極と前記第4のキャパシタ電極とを接続する第4のビア電極とを含み、
前記第1の中間キャパシタ電極は、前記第1の中間回路の前記第3のキャパシタ電極と、前記第2の中間回路の前記第3のキャパシタ電極とに対向配置されることを特徴とする、バンドパスフィルタ。 - 第2の中間キャパシタ電極をさらに有し、
前記第2の中間キャパシタ電極は、前記第1の中間回路の前記第4のキャパシタ電極と、前記第2の中間回路の前記第4のキャパシタ電極とに対向配置されることを特徴とする、請求項4に記載のバンドパスフィルタ。 - 第3の接地電極と、第5のビア導体と、第6のビア導体と、第7のビア導体とをさらに有し、
前記第1の接地電極と前記第2の接地電極とは、互いに離れて配置され、
前記第1のフィルタ回路における前記第1の接地電極と前記第3の接地電極とが、前記第5のビア導体により接続され、
前記第2のフィルタ回路における前記第1の接地電極と前記第3の接地電極とが、前記第6のビア導体により接続され、
前記第1および第2の中間回路における前記第2の接地電極と前記第3の接地電極とが、前記第7のビア導体により接続されることを特徴とする請求項4または5に記載のバンドパスフィルタ。 - 積層されている複数の誘電体層と、
前記複数の誘電体層の積層方向と直交する方向に並んで配置された第1のフィルタ回路および第2のフィルタ回路と、
前記第1のフィルタ回路と前記第2のフィルタ回路との間に配置され、前記第1のフィルタ回路および前記第2のフィルタ回路の各々と電磁界結合する少なくとも1つの中間回路とを備え、
前記第1のフィルタ回路および前記第2のフィルタ回路の各々は、
前記積層方向に対して垂直方向に延びる第1の線路電極と、
第1の接地電極と、
前記第1の接地電極と対向配置された第1のキャパシタ電極と、
前記第1の接地電極と対向配置された第2のキャパシタ電極と、
前記積層方向に通り、前記第1の線路電極と前記第1のキャパシタ電極とを接続する第1のビア導体と、
前記積層方向に通り、前記第1の線路電極と前記第2のキャパシタ電極とを接続する第2のビア導体と、
前記第1のビア導体と前記第2のビア導体との間に配置され、前記積層方向に通り、前記第1の線路電極と前記第1の接地電極とを接続する接地ビア導体とを含み、
前記少なくとも1つの中間回路は、
前記垂直方向に延びる第2の線路電極と、
第2の接地電極と、
前記第2の接地電極と対向配置された第3のキャパシタ電極と、
前記第2の接地電極と対向配置された第4のキャパシタ電極と、
前記積層方向に通り、前記第2の線路電極と前記第3のキャパシタ電極とを接続する第3のビア電極と、
前記積層方向に通り、前記第2の線路電極と前記第4のキャパシタ電極とを接続する第4のビア電極とを含み、
前記接地ビア導体の中心は、前記第1のビア導体の中心と前記第2のビア導体の中心とを結ぶ仮想線からずれた位置にあることを特徴とする、バンドパスフィルタ。 - 前記少なくとも1つの中間回路は、前記第1のフィルタ回路と前記第2のフィルタ回路との間に並んで配置され、前記第1のフィルタ回路と電磁界結合する第1の中間回路と、前記第2のフィルタ回路および前記第1の中間回路の各々と電磁界結合する第2の中間回路とを含む、請求項7に記載のバンドパスフィルタ。
- 前記第1のフィルタ回路における前記接地ビア導体の中心は、前記第1のフィルタ回路における第1のビア導体の中心と前記第2のビア導体の中心とを結ぶ仮想線から前記第1の中間回路側にずれた位置にあり、
前記第2のフィルタ回路における前記接地ビア導体の中心は、前記第2のフィルタ回路における第1のビア導体の中心と前記第2のビア導体の中心とを結ぶ仮想線から前記第2の中間回路側にずれた位置にあることを特徴とする、請求項8に記載のバンドパスフィルタ。 - 前記第1の線路電極は、第1の部分と、前記第1の部分から前記第1の中間回路側に突出した第2の部分とを含み、
前記接地ビア導体は、前記第1の部分と前記第2の部分との両方に接続されていることを特徴とする、請求項9に記載のバンドパスフィルタ。 - 第3の接地電極と、第5のビア導体と、第6のビア導体と、第7のビア導体とをさらに有し、
前記第1の接地電極と前記第2の接地電極とは、互いに離れて配置され、
前記第1のフィルタ回路における前記第1の接地電極と前記第3の接地電極とが、前記第5のビア導体により接続され、
前記第2のフィルタ回路における前記第1の接地電極と前記第3の接地電極とが、前記第6のビア導体により接続され、
前記第1および第2の中間回路における前記第2の接地電極と前記第3の接地電極とが、前記第7のビア導体により接続されることを特徴とする請求項8ないし10のいずれか1項に記載のバンドパスフィルタ。 - 第1の中間キャパシタ電極をさらに備え、
前記第1の中間キャパシタ電極は、前記第1の中間回路の前記第3のキャパシタ電極と、前記第2の中間回路の前記第3のキャパシタ電極とに対向配置されることを特徴とする、請求項8ないし11のいずれか1項に記載のバンドパスフィルタ。 - 第2の中間キャパシタ電極をさらに備え、
前記第2の中間キャパシタ電極は、前記第1の中間回路の前記第4のキャパシタ電極と、前記第2の中間回路の前記第4のキャパシタ電極とに対向配置されることを特徴とする、請求項12に記載のバンドパスフィルタ。 - 前記少なくとも1つの中間回路は、前記第1のフィルタ回路と前記第2のフィルタ回路との間に配置され、前記第1のフィルタ回路および前記第2のフィルタ回路の各々と電磁界結合する第1の中間回路を含む、請求項7に記載のバンドパスフィルタ。
- 前記少なくとも1つの中間回路は、前記第1のフィルタ回路と前記第2のフィルタ回路との間に並んで配置され、前記第1のフィルタ回路と電磁界結合する第1の中間回路と、前記第2のフィルタ回路と電磁界結合する第2の中間回路と、前記第1の中間回路および前記第2の中間回路の各々と電磁界結合する第3の中間回路とを含む、請求項7に記載のバンドパスフィルタ。
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