WO2019234966A1 - 赤外線撮像素子およびそれを備えた空気調和機 - Google Patents

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倫宏 前川
大介 藤澤
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三菱電機株式会社
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    • G01J2005/0077Imaging

Definitions

  • the present invention relates to a thermal infrared solid-state imaging device that detects a temperature change caused by incident infrared rays using a two-dimensionally arranged semiconductor sensor and an air conditioner including the same, and in particular, an electric signal from the semiconductor sensor is transmitted by a signal processing circuit.
  • the present invention relates to a thermal infrared solid-state imaging device that outputs after integration processing and an air conditioner including the same.
  • pixels having a heat insulation structure are two-dimensionally arranged, and an infrared image is captured by utilizing the change in pixel temperature due to incident infrared rays.
  • a temperature sensor that constitutes a pixel uses a semiconductor element such as a diode or a transistor in addition to a bolometer such as polysilicon, amorphous silicon, silicon carbide, or vanadium oxide.
  • pixels are arranged two-dimensionally, connected by a drive line for each row, and connected by a signal line for each column.
  • Each drive line is selected in turn by the vertical scanning circuit and the switch, and the pixel is energized from the power source through the selected drive line.
  • the output of the pixel is transmitted to the integration circuit via the signal line, integrated and amplified by the integration circuit, and sequentially output to the output terminal by the horizontal scanning circuit and the switch.
  • Patent Document 1 discloses a thermal infrared solid-state imaging device in which a temperature detection unit including a diode that is a temperature sensor has a hollow heat insulation.
  • the temperature detector generates heat due to infrared radiation emitted from the subject.
  • the heat generated by the temperature detector is converted into an electric signal by a diode that is operated at a constant current, and the electric signal is output to an output terminal through an integrating circuit arranged for each pixel column.
  • a reading method capable of thinning out and intermittent output is adopted for improving the frame rate, improving the S / N by averaging the weight reading, and reducing the power consumption.
  • Patent Document 2 discloses that an imaging region having a plurality of pixels arranged two-dimensionally and a number and timing of clock signals given in one horizontal period can be varied, so that among the plurality of pixels in the imaging region, Disclosed is a solid-state imaging device including a vertical shift register circuit capable of selecting an arbitrary pixel row and a pulse selector circuit for supplying a driving pulse to an arbitrary pixel row selected by the vertical shift register circuit.
  • a readout circuit is arranged for each pixel column. With this configuration, it is possible to arbitrarily select a selected pixel row to be read.
  • Patent Literature 1 and Patent Literature 2 the same number of readout circuits as pixel columns are arranged, and the readout circuit arrangement area is restricted by the pixel arrangement pitch, which causes an increase in cost due to an increase in chip area.
  • An object of the present invention is to provide an infrared imaging device capable of reducing the circuit area and manufacturing cost, and an air conditioner equipped with the infrared imaging device.
  • An infrared imaging device includes a pixel array unit including diodes, and temperature detection pixels that generate an electrical signal corresponding to infrared light received from the outside, which are two-dimensionally arranged in the row and column directions; A plurality of drive lines that are provided for each row, and one end of the temperature detection pixel is commonly connected for each row; a plurality of signal lines that are provided for each column and the other end of the temperature detection pixel is commonly connected for each column; and a drive line A temperature scanning connected to both the vertical scanning circuit for sequentially selecting the signal line, the signal line selecting circuit for sequentially selecting the signal line, the drive line selected by the vertical scanning circuit and the signal line selected by the signal line selecting circuit And at least one readout circuit for amplifying an electrical signal from the pixel.
  • the number of readout circuits (7) is smaller than the number of signal lines provided for each column.
  • the number of readout circuits is made smaller than the number of columns of temperature detection pixels. As a result, the cost can be reduced by reducing the chip area.
  • FIG. 4 is a diagram showing a pixel array number, a vertical scanning circuit number, and a signal line selection circuit number according to the first embodiment. It is the figure which showed the 1st example of the read-out order of a pixel. It is the figure which showed the 2nd example of the read-out order of a pixel. It is the figure which showed the 3rd example of the read-out order of a pixel. It is the figure which showed the 4th example of the read-out order of a pixel. It is a block diagram of the infrared imaging element which concerns on Embodiment 2 of this invention. FIG.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a first example of a pixel reading order in the second embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a second example of the pixel reading order in the second embodiment. It is a block diagram of the infrared imaging element which concerns on Embodiment 3 of this invention. It is the figure which showed the example of the read-out order of the pixel in the structure shown in FIG.
  • FIG. 10 is a diagram showing another configuration of the signal line selection circuit in the third embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating an example of a pixel reading order in the configuration illustrated in FIG. 15. It is a block diagram of the infrared imaging element containing the reference pixel based on Embodiment 4 of this invention.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of an infrared imaging device according to the first embodiment.
  • the infrared imaging device includes a pixel array unit 100, a vertical scanning circuit 4, a signal line selection circuit 6, a clock variable output unit 8, a readout circuit 7, an analog / digital converter (ADC) 9, and an image calculation unit 10.
  • ADC analog / digital converter
  • the pixel array unit 100 includes a plurality of temperature detection pixels 3 arranged two-dimensionally in the row and column directions.
  • the temperature detection pixel 3 includes a diode 1 that converts the intensity of received infrared light into an electrical signal.
  • a plurality of temperature detection pixels 3 are commonly connected by pixel row drive lines 12 (an example of drive lines)
  • a plurality of temperature detection pixels 3 are commonly connected by a pixel column signal line 13 (an example of signal lines). Is done.
  • the pixel row drive line 12 electrically connects the anode side of the temperature detection diode 1 and the vertical scanning circuit 4 via the support leg wiring 2.
  • One pixel row drive line 12 is connected to all the temperature detection pixels 3 in one row arranged in the pixel array unit 100.
  • the pixel column signal line 13 electrically connects the cathode side of the temperature detection diode 1, the signal line selection circuit 6, and the constant current source 5 (an example of a current source) via the support leg wiring 2.
  • One pixel column signal line 13 is connected to all the temperature detection pixels 3 in one column arranged in the pixel array unit 100.
  • the vertical scanning circuit 4 selects only the pixel row drive line 12 of the row to be read out from among the plurality of pixel row drive lines 12.
  • the vertical scanning circuit 4 connects the selected pixel row drive line 12 to a power supply voltage terminal (not shown) that supplies a power supply voltage.
  • the power supply voltage is supplied to the temperature detection pixel 3 connected to the pixel row driving line 12 via the selected pixel row driving line 12. Therefore, the vertical scanning circuit 4 includes drive line selection switches 4-1 to 4-4 that selectively connect power supply voltage terminals to the pixel row drive lines 12, respectively.
  • the signal line selection circuit 6 selects only the pixel column signal line 13 of the column to be read from among the plurality of pixel column signal lines 13 and connects it to the readout circuit 7 at the subsequent stage. That is, the output of the signal line selection circuit 6 is input to the readout circuit 7.
  • the number of installation stages of the readout circuit 7 is made smaller than the number of pixel columns. Further, the arrangement pitch of the readout circuits 7 may not be equal to the arrangement pitch of the pixel array. In the example of FIG. 1, only one stage of the readout circuit 7 is provided.
  • the signal line selection circuit 6 selects only one of the pixel column signal lines 13 and connects it to the readout circuit 7 at the subsequent stage. Therefore, the signal line selection circuit 6 includes signal line selection switches 6-1 to 6-4 that selectively connect each of the pixel column signal lines 13 to the readout circuit 7.
  • the variable clock output unit 8 is a circuit that outputs a control signal for controlling the operation of the signal line selection circuit 6. That is, the clock variable output unit 8 generates a control signal for switching the signal line selection switches 6-1 to 6-4 in the signal line selection circuit 6 at a predetermined timing, and outputs the control signal to the signal line selection circuit 6.
  • the reading circuit 7 amplifies the signal read from each temperature detection pixel 3 (that is, the signal component due to infrared incidence) to generate an infrared incident signal.
  • the analog / digital converter 9 converts the infrared incident signal input from the readout circuit 7 into a digital signal.
  • the image calculation unit 10 performs predetermined image processing (image composition, image determination, etc.) on the signal from the readout circuit 7 converted into a digital signal.
  • the image calculation unit 10 is a circuit that generates an output signal by adjusting the pixel arrangement in the output signal based on the signal from the readout circuit 7 converted into a digital signal.
  • FIG. 2 is a diagram schematically showing the pixel configuration of the pixel array unit 100 for the explanation of the reading operation.
  • the pixel array unit 100 has a configuration in which the temperature detection pixels 3 are arranged in 4 rows ⁇ 4 columns, but the number of rows and the number of columns of the pixel array unit 100 is not limited thereto.
  • the temperature detection pixel 3 at the coordinates (x, y) is represented as a pixel (x, y).
  • one signal line selection switch (in FIG. 2, the signal line selection switch 6-1) is selected.
  • the terminal of the selected switch is connected to the readout circuit 7.
  • a signal component due to incidence of infrared rays is input from the pixel column signal line 13 connected to the selected signal line selection switch, amplified, and output.
  • the signal component output from the readout circuit 7 is converted into a digital signal by an analog / digital converter (ADC) 9 in the subsequent stage.
  • ADC analog / digital converter
  • the image calculation unit 10 performs image composition or image determination based on the digitally converted signal from the readout circuit 7. For example, the image calculation unit 10 generates an output image by obtaining an average value of the signal from the readout circuit 7 for each pixel or rearranging the signal from the readout circuit 7 in an arbitrary arrangement.
  • the number of installation stages of the readout circuit 7 is smaller than the number of pixel columns. Thereby, the chip cost can be reduced by reducing the chip area. Further, since the arrangement pitch of the readout circuits 7 is not limited by the pitch of the temperature detection pixels 3, the degree of freedom in circuit configuration is increased and the device performance is easily improved.
  • FIG. 3 shows an example of the pixel reading order in the infrared imaging device of the present embodiment.
  • the signal line selection switch 6-1 is selected, and the drive line selection switch to be turned on in the vertical scanning circuit 4 in that state is sequentially switched from the switch 4-1 to the switch 4-4.
  • the process returns to the drive line selection switch 4-1.
  • the signal line selection circuit 6 switches to the next signal line selection switch. That is, the signal line selection switch 6-2 is selected in the signal line selection circuit 6.
  • the drive line selection switch 4-1 is sequentially switched to the drive line selection switch 4-4.
  • the signal line selection switches 6-1 to 6-4 of the signal line selection circuit 6 may be selected in any order.
  • the energization cycle of all the temperature detection pixels 3 arranged in the pixel array unit 100 is constant.
  • the energization cycle and the non-energization cycle are irregular, the self-heating state of the pixel differs for each reading. If this difference in self-heating state is not negligible as compared with the minute heat generation of the temperature detection unit due to the incidence of infrared rays, a temperature detection error may occur as a result.
  • the pixel readout method (that is, the driving method) can be changed according to the moving speed of the object to be observed. For example, when the speed of the object to be observed is low, the pixel readout method is set to full screen readout as shown in FIG. 3, and when a high-speed moving object is observed, the high-speed moving object is followed. It is possible to switch to intermittent reading as shown in FIG.
  • These controls can be realized by changing the clock pattern input from the variable clock output unit 8 to the signal line selection circuit 6. That is, since the control signal input to the signal line selection circuit 6 can be changed by the variable clock output unit 8, switching to various operation modes is possible.
  • reading in an oblique direction is also possible. According to this readout method, it is possible to determine a moving object that crosses the pixel being read out as a boundary line at a high frame rate.
  • the same pixel column may be read out continuously a plurality of times. Specifically, for one pixel column in the pixel array unit 100, pixels connected to the pixel column are scanned in the column direction a plurality of times (M times: M is an integer of 2 or more) to read data. That is, for a certain pixel column, the signal line selection circuit (6) selects the same pixel column during a period in which scanning from the first row (for example, the bottom row) to the last row (for example, the top row) is repeated M times. Continue to select and read out the image data. When M scans for one pixel column are completed, the pixel pixel moves to the next pixel column and performs a similar readout operation. At this time, the image calculation unit 10 obtains an output signal of the pixel by averaging the M output signals obtained for the same pixel.
  • the pixel (1, 1) is output first in the nth frame, and the number of pixel rows ⁇ number of pixel columns in the next n + 1 frame. Output after being delayed by minutes. When the moving object is high speed, this time delay may cause image blurring.
  • the pixel (1,1) is output in the n + 1th frame at a timing delayed by the number of pixel rows. The Therefore, the delay time is reduced as compared with the reading method shown in FIG. 3, and the possibility of image blurring can be reduced.
  • the time for the vertical scanning circuit 4 to scan from the first row to the last row of the pixel row drive lines 12 can be set shorter than the frame rate for one screen. Therefore, since the output signals can be averaged between pieces of information with a small time lag, it is possible to achieve both high-speed moving subject imaging and high-accuracy imaging.
  • the reading methods shown in FIGS. 3 to 6 are examples. If the vertical scanning circuit 4 is sequentially selected, the energization period of all the temperature detection pixels 3 arranged in the pixel array unit 100 is constant regardless of the selection order of the signal line selection circuit 6. For this reason, the effect that the temperature detection error due to the irregularity of the energization cycle and the non-energization cycle described above does not occur is maintained. That is, the selection method of the signal line selection circuit 6 may be freely changed for each use application, and is not limited to the reading method shown in FIGS.
  • the area of the temperature detection unit 15 becomes the infrared light receiving area, so that the sensitivity is lowered and the infrared light receiving sensitivity is lowered.
  • the infrared absorption structure 14 is not an essential configuration.
  • FIG. FIG. 7 is a circuit diagram of the infrared solid-state imaging device according to the second embodiment.
  • the difference from the first embodiment is the position of the constant current source 5.
  • the constant current source 5 is connected to the pixel column signal line 13.
  • the constant current source 5 is connected to the connection point between the output of the signal line selection circuit 6 and the readout circuit 7.
  • the temperature detection pixels 3 connected to the pixel row drive line 12 selected by the vertical scanning circuit 4 are connected to the pixel column signal line 13 selected by the signal line selection circuit 6. Only the pixels are in constant current operation, and the other pixels are in a non-energized state.
  • the selection order (selection cycle) of the pixels in the vertical scanning circuit 4 and the signal line selection circuit 6 is fixed, and the energization period / non-energization period for each pixel is adjusted to be constant.
  • the energization period / non-energization period for each pixel is adjusted to be constant.
  • FIG. 3 for example, when reading is performed by sequentially selecting all the pixels in the row direction and the column direction, each temperature detection pixel 3 is energized only in one pixel reading period in one screen output period. Therefore, there is no temperature detection error due to irregularity of the energization cycle and the non-energization cycle.
  • the selection order of the vertical scanning circuit 4 and the signal line selection circuit 6 is fixed to be constant, and it is only necessary to adjust the energization / non-energization period for each pixel, and the readout method is the above example. It is not limited to.
  • the number of installation stages of the readout circuit 7 can be smaller than the number of pixel columns, and the chip cost can be reduced by reducing the chip area. Furthermore, since the arrangement area of the constant current source 5 can be reduced, the chip area can be further reduced. In addition, since only one constant current source 5 is connected to the plurality of pixel column signal lines 13, variation in characteristics due to variation in performance of the constant current source 5 can be suppressed.
  • the first embodiment includes high frame rate readout / low frame readout, S / N improvement by averaging multiple readouts, and possibility of changing readout methods such as thinning out and intermittent output to reduce power consumption. Similar effects can be obtained.
  • FIG. 10 is a circuit diagram of an infrared imaging device according to the third embodiment.
  • the readout circuits 7-1 and 7-2 are arranged in two stages (a plurality of stages), and each readout circuit 7-1 and downstream of the readout circuits 7-1 and 7-2 are arranged.
  • the horizontal scanning circuit 11 that serially outputs the output signal from 7-2 is provided.
  • the signal line selection circuit 6 is connected to the two readout circuits 7-1 and 7-2, respectively, in an arbitrary column of the odd columns and an arbitrary column of the even columns of the pixel column signal lines 13. Different.
  • FIG. 11 is a diagram showing a readout pixel order in the configuration of the infrared imaging element shown in FIG.
  • the signal line selection circuit 6-A connects the odd-numbered column (that is, first column or third column) pixel column signal line 13 to the first readout circuit 7-1.
  • the signal line selection circuit 6-A connects the pixel column signal lines 13 of even columns (that is, the second column or the fourth column) to the second readout circuit 7-2.
  • the pixel column signal lines 13 are divided into groups of odd columns and even columns. Then, the pixel column signal lines 13 in the odd-numbered column group are connected to the readout circuit 7-1, and the pixel column signal lines 13 in the even-numbered group are connected to the readout circuit 7-2.
  • FIG. 12 is a diagram showing another configuration of the circuit diagram of the infrared imaging device according to the third embodiment.
  • the signal line selection circuit 6-B selects one pixel column signal line 13 connected to the readout circuit 7-1.
  • the signal line selection circuit 6-B connects the first and second column pixel column signal lines 13 to the readout circuit 7-1 and the third and fourth column pixel column signal lines 13 to the readout circuit 7-2. Connecting.
  • the pixel column signal lines 13 are divided into a first half group and a second half group.
  • the pixel column signal lines 13 in the first half group are connected to the readout circuit 7-1, and the pixel column signal lines 13 in the second half group are connected to the readout circuit 7-2.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating the order of readout pixels in the configuration shown in FIG.
  • the selection method of the signal line selection circuit 6 can be freely arranged for each area.
  • the number of groupings of the pixel column signal lines 13, that is, the number of stages of the readout circuit 7 is not limited to two, and may be an arbitrary (N) number as long as it is smaller than the number of pixel columns.
  • the frame rate can be improved and various image acquisition methods are possible. For example, by simultaneously selecting continuous pixel columns, the movement of the subject across the pixel array section can be detected at a high frame rate, or intermittent pixel columns can be selected simultaneously, covering a wide range of angles. Detection at a high frame rate is possible. Further, by arranging the horizontal scanning circuit 11 at the subsequent stage of the readout circuits 7-1 and 7-2, it becomes possible to output the signal component at one output terminal.
  • FIG. 14 is a circuit diagram of an infrared imaging device according to the fourth embodiment.
  • the difference from the first embodiment is that a reference pixel 18 that is not affected by infrared light incident from the outside is arranged in the pixel array unit 100.
  • the signal component of the reference pixel 18 is input to the readout circuit 7.
  • the readout circuit 7 amplifies and outputs a differential signal between the signal component of the reference pixel 18 and the signal component of the temperature detection pixel 3.
  • at least one reference pixel 18 may be provided.
  • the anode terminal of the temperature detection diode 1 in the reference pixel 18 is connected to the pixel row drive line 12, and the cathode terminal is connected to the pixel column signal line 13.
  • 15 to 17 are diagrams showing examples of cross-sectional structures of the temperature detection pixel 3 and the reference pixel 18, and show different cross-sectional structures of the reference pixel 18, respectively.
  • the temperature detection pixel 3 includes a temperature detection unit 15 including the temperature detection diode 1, an infrared absorption structure 14 configured to be connected to the temperature detection unit 15, and a support leg wiring 2 that holds the temperature detection unit 15. It is out.
  • the support leg wiring 2 electrically connects the temperature detection unit 15 to the pixel row drive line 12 and the pixel column signal line 13.
  • the support leg wiring 2 holds the temperature detection unit 15 in a hollow state so that the substrate 16 and the temperature detection unit 15 are not directly thermally connected. For this reason, the substrate 16 is provided with a hollow portion 17.
  • the temperature detection diode 1 in the temperature detection unit 15 operates at a constant current by the action of the constant current source 5, the voltage difference between the anode and the cathode of the temperature detection diode 1 changes due to a temperature change. With these actions, the voltage of the pixel column signal line 13 includes a voltage component corresponding to the incident infrared light.
  • the reference pixel 18 includes a temperature detection unit 15 including the temperature detection diode 1 and a support leg wiring 2.
  • the reference pixel 18 further includes an infrared non-absorbing structure 19 that absorbs infrared rays on the light receiving surface side of the infrared absorbing structure 14 in addition to the configuration of the temperature detection pixel 3.
  • the infrared non-absorbing structure 19 is made of a material having a high reflectance with respect to the infrared wavelength region.
  • the reference pixel 18 includes an infrared light shielding film 20 that shields the incidence of infrared rays on the temperature detection unit 15 in addition to the configuration of the temperature detection pixel 3.
  • the infrared light shielding film 20 is disposed on the light receiving surface side of the infrared absorbing structure 14 so that infrared light is not incident on the light receiving surface of the infrared absorbing structure 14.
  • the reference pixel 18 constitutes the reference pixel 18 by not providing a hollow heat insulating structure in the configuration of the temperature detection pixel 3. That is, in the reference pixel 18, the hollow portion 17 is not provided in the substrate 16.
  • the reference pixel 18 is not affected by infrared light incident from the outside.
  • the energization period and the non-energization period of the reference pixel 18 shown in FIGS. 15 and 16 coincide with the energization period and the non-energization period of the temperature detection pixel 3 as long as the scanning of the vertical scanning circuit 4 is constant from the first stage to the last stage. . That is, the reference pixel 18 generates an output signal having the same tendency as the temperature detection pixel 3 with respect to self-heating generated by energization / non-energization. Therefore, when the differential signal between the reference pixel 18 and the temperature detection pixel 3 is acquired by the readout circuit 7, the signal component due to self-heating and the substrate temperature can be removed, and an output with a small output change with respect to the change in the substrate temperature can be obtained.
  • the self-heating temperature is determined by the relationship between the heat capacity of the temperature detector 15 and the infrared absorption structure 14 and the thermal conductance of the support leg wiring 2.
  • the common mode noise from the power supply terminal is superimposed on the signal component from the reference pixel 18 and the signal component from the temperature detection pixel 3. For this reason, the influence of power supply noise can be reduced by taking the difference between the two signals.
  • the infrared light shielding film 20 is disposed in a thermally non-contact state with the temperature detection unit 15 in the reference pixel 18, so that the structure of the reference pixel 18 and the temperature detection pixel 3 is configured. Can be the same. Therefore, the configuration shown in FIG. 16 is more preferable because the effect of removing signal components due to self-heating and substrate temperature is higher than the configuration shown in FIG. Further, the noise component inherent in the power supply voltage applied from the vertical scanning circuit 4 to the pixel row drive line 12 also takes the difference between the signal component from the reference pixel 18 and the signal component from the temperature detection pixel 3 in the readout circuit 7. Therefore, S / N is improved.
  • the reference pixel 18 having the configuration shown in FIG. 17 does not have the hollow portion 17 and does not have a hollow heat insulating structure, self-heating does not occur at all, and a signal component due to the substrate temperature is generated. Therefore, when the differential signal between the reference pixel 18 and the temperature detection pixel 3 is acquired by the readout circuit 7, the signal component due to the substrate temperature can be removed, and an output with a small output change with respect to the substrate temperature change can be obtained. . In addition, since the noise component inherent in the voltage of the power supply terminal Vd can be removed by making a differential output in the readout circuit 7, S / N is improved.
  • the reference pixel 18 is not limited to the reference pixel structure shown in FIGS.
  • the reference pixel 18 is connected to the power supply terminal by the vertical scanning circuit 4, operates in the same energization / non-energization cycle as the temperature detection pixel 3, and has any configuration as long as it is not affected by infrared light incident from the outside. good.
  • the reference pixels 18 are arranged outside the pixel array unit 100, but the arrangement of the reference pixels 18 is not limited thereto.
  • the reference pixels 18 may be arranged at the left and right ends of the pixel array unit 100 in the row direction. Thereby, the accuracy of the differential signal can be improved.
  • the reference pixels 18 may be arranged in a plurality of columns in the pixel array unit 100. As a result, the accuracy of the differential signal can be further increased.
  • FIG. 18 is a circuit diagram of an infrared imaging device according to the fifth embodiment.
  • the difference from the fourth embodiment is that reference pixels 18 that are not affected by infrared light incident from the outside are arranged at both ends of the pixel row drive line 12 of the pixel array unit 100.
  • the signal component of the reference pixel 18 is input to the readout circuit 7.
  • the readout circuit 7 amplifies and outputs a differential signal between the signal component of the reference pixel 18 and the signal component of the temperature detection pixel 3.
  • the difference signal is output.
  • the columns of the reference pixels 18 may be provided at least one column at both ends of the pixel row drive line 12.
  • FIG. 19 is a schematic diagram illustrating the configuration of an air conditioner according to Embodiment 6 of the present invention, the entirety of which is represented by 300.
  • an air conditioner 300 includes a position detection unit that detects the position of the human body based on a signal from the infrared imaging device 200, a main control unit that performs main control of the air conditioner 300, and a set temperature change that changes the set temperature Means, a wind direction changing means for changing the air blowing direction from the air conditioner 300 by a wind direction control blade, and a wind speed changing means for changing the air blowing speed from the air conditioner 300.
  • the position detection means detects the position of the human body from the output of the infrared imaging element 200 having a certain infrared detection area.
  • the main control means controls the set temperature changing means, the wind speed changing means, and the wind direction changing means, and the set temperature, wind speed, The wind direction is set.
  • the air conditioner 300 is automatically controlled in accordance with the movement of the human body in accordance with the movement of the human body without performing a troublesome setting operation, and a comfortable and convenient air conditioner control can be obtained.

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Abstract

熱型赤外線撮像素子は、ダイオード(1)を含み、外部から受けた赤外線光に応じた電気信号を生成する温度検知画素(3)が行及び列方向において二次元状に配列されて成る画素アレイ部(100)と、行毎に設けられ、温度検知画素(3)の一端を行毎に共通接続した複数の駆動線(12)と、列毎に設けられ、温度検知画素(3)の他端を列毎に共通接続する複数の信号線(13)と、駆動線を順次選択する垂直走査回路(4)と、信号線を順次選択する信号線選択回路(6)と、垂直走査回路により選択された駆動線及び信号線選択回路により選択された信号線の双方に接続された温度検知画素からの電気信号を増幅する、少なくとも1つの読出し回路(7)と、を備える。読出し回路(7)の数は、列毎に設けられた信号線の数よりも少ない。

Description

赤外線撮像素子およびそれを備えた空気調和機
 この発明は、入射赤外線による温度変化を2次元配列された半導体センサで検出する熱型赤外線固体撮像素子およびそれを備えた空気調和機に関し、特に、半導体センサからの電気信号を信号処理回路にて積分処理した後に出力する熱型赤外線固体撮像素子およびそれを備えた空気調和機に関する。
 一般的な熱型赤外線固体撮像素子では、断熱構造を有する画素を2次元に配列し、入射した赤外線によって画素の温度が変化することを利用して赤外線像を撮像する。非冷却型の熱型赤外線固体撮像素子の場合、画素を構成する温度センサに、ポリシリコン、アモルファスシリコン、炭化ケイ素や酸化バナジウム等のボロメータの他、ダイオードやトランジスタ等の半導体素子を用いたものが知られている。
 また、ダイオードを温度センサとして用いる熱型赤外線固体撮像素子では、画素は二次元に配列されており、行ごとに駆動線によって接続され、列ごとに信号線によって接続されている。垂直走査回路とスイッチにより各駆動線が順番に選択され、選択された駆動線を介して電源から画素に通電される。画素の出力は信号線を介して積分回路に伝えられ、積分回路で積分及び増幅され、水平走査回路とスイッチによって順次出力端子へ出力される。
 例えば、特許文献1は、温度センサであるダイオードを含む温度検知部を中空断熱とした熱型赤外線固体撮像素子を開示する。この熱型赤外線固体撮像素子では、被写体から射出される赤外線放射光により温度検知部が発熱する。温度検知部の発熱は定電流動作されるダイオードにより電気信号に変換され、電気信号は画素列ごとに配置された積分回路を経て出力端子に出力される。
 また、CMOSセンサに代表される画像センサ分野では、フレームレート向上や体重読出し平均化によるS/N向上、低消費電力化のために間引きや間欠出力が可能な読出し方式が採用されている。
 例えば、特許文献2は、二次元に配置された複数の画素を有する撮像領域と、一水平期間内に与えるクロック信号の数とタイミングとを可変することによって、撮像領域における複数の画素のうち、任意の画素行を選択することが可能な垂直シフトレジスタ回路と、垂直シフトレジスタ回路で選択された任意の画素行に駆動パルスを供給するパルスセレクタ回路とを備える固体撮像装置を開示する。この固体撮像装置は、画素列それぞれに読出し回路を配置している。この構成により、読出しを行う選択画素行を任意に選択することが可能になる。
特開2004-233313 特開2010-183435
 特許文献1および特許文献2の構成では、読出し回路を画素列と同数配置しており、また、読出し回路配置面積は画素配列ピッチの制約を受けるため、チップ面積増大によるコスト増加を引き起こす。
 この発明は、回路面積を縮小し、製造コストを低減できる赤外線撮像素子およびそれを備えた空気調和機を提供することを目的とする。
 本発明に係る赤外線撮像素子は、ダイオードを含み、外部から受けた赤外線光に応じた電気信号を生成する温度検知画素が行及び列方向において二次元状に配列されて成る画素アレイ部と、行毎に設けられ、温度検知画素の一端を行毎に共通接続した複数の駆動線と、列毎に設けられ、温度検知画素の他端を列毎に共通接続する複数の信号線と、駆動線を順次選択する垂直走査回路と、信号線を順次選択する信号線選択回路と、垂直走査回路により選択された駆動線及び前記信号線選択回路により選択された信号線の双方に接続された温度検知画素からの電気信号を増幅する、少なくとも1つの読出し回路と、を備える。読出し回路(7)の数は、列毎に設けられた信号線の数よりも少ない。
 この発明によれば、読出し回路の数を温度検知画素の列数よりも少なくする。これにより、チップ面積縮小による低コスト化が可能となる。
本発明の実施の形態1に係る赤外線撮像素子の構成図である。 実施の形態1に係る、画素アレイ番号、垂直走査回路番号、信号線選択回路番号を示した図である。 画素の読出し順序の第1の例を示した図である。 画素の読み出し順序の第2の例を示した図である。 画素の読出し順序の第3の例を示した図である。 画素の読出し順序の第4の例を示した図である。 本発明の実施の形態2に係る赤外線撮像素子の構成図である。 実施の形態2における、画素の読出し順序の第1の例を示した図である。 実施の形態2における、画素の読出し順序の第2の例を示した図である。 本発明の実施の形態3に係る赤外線撮像素子の構成図である。 図13に示す構成における画素の読出し順序の例を示した図である。 実施の形態3における、信号線選択回路の別の構成を示した図である。 図15に示す構成における画素の読出し順序の例を示した図である。 本発明の実施の形態4に係る、参照画素を含む赤外線撮像素子の構成図である。 温度検知画素と参照画素の断面構造の第一例を示す図である。 温度検知画素と参照画素の断面構造の第二例を示す図である。 温度検知画素と参照画素の断面構造の第三例を示す図である。 本発明の実施の形態5に係る、参照画素を含む赤外線撮像素子の構成図である。 本発明の実施の形態6に係る、空気調和機の構成を示す図である。
実施の形態1.
 図1は、実施の形態1に係る赤外線撮像素子の構成図である。赤外線撮像素子は、画素アレイ部100と、垂直走査回路4と、信号線選択回路6と、クロック可変出力部8と、読出し回路7と、アナログ・デジタルコンバータ(ADC)9と、画像演算部10とを備える。
 画素アレイ部100は、行及び列方向において二次元的に配列された複数の温度検知画素3を含む。温度検知画素3は、受光した赤外線光の強度を電気信号に変換するダイオード1を含む。水平方向において画素行駆動線12(駆動線の一例)により複数の温度検知画素3が共通接続され、垂直方向において画素列信号線13(信号線の一例)により複数の温度検知画素3が共通接続される。
 より具体的には、画素行駆動線12は、温度検知ダイオード1の陽極側と垂直走査回路4を、支持脚配線2を介して電気的に接続する。一本の画素行駆動線12は画素アレイ部100に配置されている一行すべての温度検知画素3に接続されている。画素列信号線13は、温度検知ダイオード1の陰極側と、信号線選択回路6と、定電流源5(電流源の一例)とを、支持脚配線2を介して電気的に接続する。一本の画素列信号線13は画素アレイ部100に配置されている一列すべての温度検知画素3に接続されている。
 垂直走査回路4は、複数の画素行駆動線12のうち、読出しを行う行の画素行駆動線12のみを選択する。垂直走査回路4は、選択した画素行駆動線12を、電源電圧を供給する電源電圧端子(図示せず)に接続する。これにより、選択された画素行駆動線12を介して、その画素行駆動線12に接続される温度検知画素3に電源電圧が供給される。このため、垂直走査回路4は、画素行駆動線12のそれぞれに電源電圧端子を選択的に接続する駆動線選択スイッチ4-1~4-4を備える。
 信号線選択回路6は、複数の画素列信号線13のうち、読出しを行う列の画素列信号線13のみを選択して、後段の読出し回路7に接続する。すなわち、信号線選択回路6の出力は、読出し回路7に入力される。読出し回路7の設置段数は、画素列の数よりも少なくする。また、読出し回路7の配置ピッチは画素配列の配置ピッチと等しくなくてもよい。図1の例では、読出し回路7は一段のみ設けている。信号線選択回路6で、画素列信号線13のうちの任意の一本のみを選択し、後段の読出し回路7に接続する。このため、信号線選択回路6は、画素列信号線13のそれぞれを読出し回路7に選択的に接続する信号線選択スイッチ6-1~6-4を備える。
 クロック可変出力部8は、信号線選択回路6の動作を制御するための制御信号を出力する回路である。すなわち、クロック可変出力部8は、信号線選択回路6における信号線選択スイッチ6-1~6-4を所定のタイミングで切り替えるための制御信号を生成し、信号線選択回路6へ出力する。
 読出し回路7は、各温度検知画素3から読み出された信号(すなわち、赤外線入射による信号成分)を増幅処理し、赤外線入射信号を生成する。
 アナログ・デジタルコンバータ9は、読出し回路7から入力した赤外線入射信号をデジタル信号に変換する。画像演算部10は、デジタル信号に変換された読出し回路7からの信号に対して所定の画像処理(画像合成、画像判定等)を実施する。例えば、画像演算部10は、デジタル信号に変換された読出し回路7からの信号に基づき、出力信号における画素の配列を調整することで出力信号を生成する回路である。
 以下、赤外線撮像素子による画素データの読出し動作について説明する。図2は、読出し動作の説明のために、画素アレイ部100の画素構成を模式的に示した図である。本実施の形態では、一例として、画素アレイ部100は、温度検知画素3が4行×4列に配置された構成を有するが、画素アレイ部100の行数、列数はこれに限定されない。以下の説明では、座標(x、y)にある温度検知画素3を画素(x,y)と表記する。
 まず、垂直走査回路4において駆動線選択スイッチ4-1がオンにされることで、画素(1,1)(2,1)(3,1)(4,1)に接続されている画素行駆動線12に電源電圧が印加される。このとき、すべての列に定電流源5が接続されているため、垂直走査回路4の駆動線選択スイッチ4-1で選択されたすべての画素(1,1)(2,1)(3,1)(4,1)に電流が流れる。つまり、画素(1,1)から画素(4,1)のすべての画素における赤外線入射による信号成分が、それぞれの画素列信号線13に出力される。
 一方、信号線選択回路6において、一つの信号線選択スイッチ(図2では、信号線選択スイッチ6-1)が選択される。選択されたスイッチの端子は読出し回路7に接続される。これにより、読出し回路7において、選択された信号線選択スイッチに接続する画素列信号線13から、赤外線入射による信号成分が入力され、増幅処理されて出力される。
 ここで、垂直走査回路4で選択された行に配置されているすべての温度検知画素3は通電状態となる。このため、垂直走査回路4の駆動線選択スイッチ4-1~4-6を順次選択した状態であれば、信号線選択回路6の選択の順序に関わらず、画素アレイ部100に配置されているすべての温度検知画素3の通電周期は一定となる。このため、前述した通電周期と非通電周期の不規則による温度検知誤差は発生しないことになる。
 読出し回路7から出力された信号成分は後段のアナログ・デジタルコンバータ(ADC)9でデジタル信号に変換される。その後、画像演算部10において、デジタル変換された読出し回路7からの信号に基づき画像合成もしくは画像判定が行われる。例えば、画像演算部10は、画素毎に読出し回路7からの信号の平均値を求めたり、読出し回路7からの信号を任意の配列に再配置したりすることで出力画像を生成する。
 上記の赤外線撮像素子の構成によれば、読出し回路7の設置段数は画素列数よりも少なくしている。これにより、チップ面積縮小によるチップコスト低減が可能である。また、読出し回路7の配置ピッチは温度検知画素3のピッチの制約を受けることがないため、回路構成の自由度が上がり、素子性能の向上が容易となる。
 本実施の形態の赤外線撮像素子における、画素の読出し順序の一例を図3に示す。まず、信号線選択スイッチ6-1を選択し、その状態で垂直走査回路4においてオンさせる駆動線選択スイッチを、スイッチ4-1からスイッチ4-4へ順次切り替える。垂直走査回路4において駆動線選択スイッチ4-4がオンされた後、再度、駆動線選択スイッチ4-1に戻る。それと同時に信号線選択回路6において、次の信号線選択スイッチに切り替える。つまり、信号線選択回路6において信号線選択スイッチ6-2を選択する。その後、同様に、駆動線選択スイッチ4-1から駆動線選択スイッチ4-4へ順次切り替えていく。このような信号線選択スイッチ6-1~6-4と駆動線選択スイッチ4-1の切り替えを繰り返すことにより、一画面(フレーム)分のデータを順次読み出すことが可能になる。
 ここで、垂直走査回路4の駆動線選択スイッチ4-1~4-4を順次選択すれば、信号線選択回路6の信号線選択スイッチ6-1~6-4を任意の順に選択しても、画素アレイ部100に配置されているすべての温度検知画素3の通電周期は一定となる。通電周期と非通電周期が不規則な場合、読み出し毎に画素の自己発熱状況が異なる。赤外線入射による温度検知部の微小発熱と比べ、この自己発熱状況の差が無視できない場合、結果的に温度検知誤差が生じ得る。これに対して、前述したように温度検知画素3の通電周期を一定とすることで、通電周期と非通電周期の不規則性に起因する基づく自己発熱状況の差による温度検知誤差は発生しない。
 この利点を生かし、図4に示すような列方向の間欠的な出力も可能となる。これにより、高フレームレートでの読出しが可能となる。この読み出し方式では、例えば観測する物体の移動速度に応じて、画素の読み出し方法(すなわち、駆動方法)を変更することが可能になる。例えば、観測対象の物体の速度が低速の場合は、画素の読み出し方法を図3に示すような全画面読み出しに設定し、高速の移動物体が観測された場合に、高速移動物体を追従するように図4に示すような間欠的な読み出しに切り替えることができる。それらの制御は、クロック可変出力部8から信号線選択回路6に入力するクロックパターンの変更により実現できる。すなわち、クロック可変出力部8により信号線選択回路6に入力される制御信号を変更できるため、様々な動作モードへの切り替えが可能となる。
 また、図5に示すように斜め方向の読出しも可能である。この読出し方法によれば、読出している画素を境界線として、それを横切る移動物体を高フレームレートで判定することができる。
 また、図6に示すように同一画素列を複数回連続して読出しを行ってもよい。具体的には、画素アレイ部100における一つの画素列について、その画素列に接続する画素を列方向に複数回(M回:Mは2以上の整数)走査してデータを読み出す。すなわち、ある画素列について、最初の行(例えば、最下行)から最後の行(例えば、最上行)までの走査をM回繰り返す期間の間、信号線選択回路(6)は、同一画素列を選択し続けて、画像データを読み出す。1つの画素列についてM回の走査が終了すると、次の画素列に移動して同様の読み出し動作を行う。このとき、画像演算部10は、同一画素について得られたM個の出力信号を平均して当該画素の出力信号を求める。
 このような読み出し方式によれば、例えば図3で示したような一画面出力の複数フレーム積分を行った際に発生し得る、時間的な誤差を抑えた画像を得ることができる。
 すなわち、図3に示すように一画面ずつ順次出力した場合、画素(1,1)は、第nフレームにおいて第一番目に出力され、その次の第n+1フレームにおいて、画素行数×画素列数分だけ時間的に遅延した後、出力される。移動物体が高速の場合、この時間遅延により画像のぼやけが発生する可能性がある。これに対して、図6に示すような読み出し方式では、画素(1,1)は、第nフレームにおいて出力した後、第n+1フレームにおいて、画素行数分だけ時間的に遅延したタイミングで出力される。よって、図3に示す読み出し方法に比べて遅延時間が小さくなり、画像のぼやけが発生する可能性を低減できる。すなわち、垂直走査回路4が画素行駆動線12の最初の行から最後の行まで走査する時間は、一画面分のフレームレートと比べて短く設定できる。よって、タイムラグの少ない情報どうしで出力信号の平均化を行うことができるため、高速移動被写体撮像と高精度撮像を両立することが可能となる。
 なお、図3から図6で示した読み出し方式は一例である。垂直走査回路4を順次選択した状態であれば、信号線選択回路6の選択の順序に関わらず、画素アレイ部100に配置されているすべての温度検知画素3の通電周期は一定となる。このため、前述した通電周期と非通電周期の不規則による温度検知誤差は発生しないという効果は保たれる。つまり、使用用途ごとに信号線選択回路6の選択方法は自由に変更してもよく、図3から図6に示す読出し方法に限定されるものではない。
 また、温度検知画素3は、赤外線吸収構造体14を有しない場合、温度検知部15の面積が赤外線受光面積となるため感度低下が発生し、赤外線受光感度が低下する。ただ、その場合でもS/N性能が使用用途の求める性能を満たせるのであれば問題なく、赤外線吸収構造体14は必須の構成ではない。
実施の形態2.
 図7は本実施の形態2に係る、赤外線固体撮像素子の回路図である。実施の形態1との相違点は、定電流源5の位置である。実施の形態1では、定電流源5は画素列信号線13に接続されていた。これに対して、実施の形態2では、定電流源5は信号線選択回路6の出力と、読出し回路7との接続点に接続されている。
 この構成によれば、垂直走査回路4により選択された画素行駆動線12に接続されている温度検知画素3の中で、信号線選択回路6により選択された画素列信号線13に接続された画素だけが定電流動作となり、それ以外の画素は非通電状態となる。
 この場合、垂直走査回路4および信号線選択回路6における画素の選択順序(選択周期)を一定に固定し、画素毎の通電期間/非通電期間をそれぞれ一定となるように調整する。図3に示すように、例えばすべての画素を行方向、列方向に順次選択して読出しを行う場合、各温度検知画素3は、一画面の出力期間中で一画素の読出し期間においてのみ通電されるため、通電周期と非通電周期の不規則による温度検知誤差は発生しない。
 同様に、図8に示すように信号線選択回路6の選択順序を変更した場合も、すべての温度検知画素3は、一画面の出力期間中で一つの画素の読出し期間においてのみ通電されるため、通電周期と非通電周期の不規則による温度検知誤差は発生しない。また、図9に示すように画素アレイ部100中で読出しを行う温度検知画素3を選択したとしても、同様の効果が得られる。
 なお、垂直走査回路4および信号線選択回路6の選択順序が一定に固定されており、画素毎の通電、非通電期間が一定となるように調整されていればよく、読み出し方式は上記の例に限定されない。
 本実施の形態2の回路構成により、実施の形態1と同様に、読出し回路7の設置段数は画素列数よりも少なくすることが可能であり、チップ面積縮小によるチップコスト低減が可能である。さらに、定電流源5の配置面積を縮小することができるため、さらなるチップ面積縮小が可能となる。また、複数の画素列信号線13に対して一つの定電流源5のみが接続されるため、定電流源5の性能のばらつきによる特性ばらつきを抑えることができる。
 また、高フレームレート読み出し/低フレーム読出し、複数回読出しの平均化によるS/N向上、低消費電力化のために間引きや間欠出力等の読み出し方式の変更可能性等の、実施の形態1と同様の効果も得られる。
実施の形態3.
 図10は実施の形態3に係る赤外線撮像素子の回路図である。実施の形態1との相違点は、読出し回路7-1、7-2を二段(複数段)配置し、さらに、読出し回路7-1、7-2の後段に各読出し回路7-1、7-2からの出力信号をシリアル出力する水平走査回路11を配置している点である。さらに信号線選択回路6は、画素列信号線13のうちの奇数列の任意の一列、および偶数列の任意の一列を二つの読出し回路7-1、7-2にそれぞれ接続している点が異なる。
 図11は、図10に示す赤外線撮像素子の構成における読出し画素順序を示す図である。信号線選択回路6-Aは、奇数列(すなわち、第一列または第三列)の画素列信号線13を第一の読出し回路7-1に接続している。また、信号線選択回路6-Aは、偶数列(すなわち、第二列または第四列)の画素列信号線13を第二の読出し回路7-2に接続している。換言すれば、画素列信号線13を奇数列と偶数列のグループに分けている。そして、奇数列のグループの画素列信号線13を読出し回路7-1に接続し、偶数列のグループの画素列信号線13を読出し回路7-2に接続している。このような接続により、一列目、二列目の画素列を同時に読み出すことが可能であり、フレームレートの向上を図れる。さらに、読出し回路7-1、7-2の設置段数を画素列の数よりも少なくすることが可能となる。よって、チップ面積縮小によるチップコスト低減が可能となる。同時に、高フレームレートや低フレーム読出し、複数回読出し平均化によるS/N向上、低消費電力化のために間引きや間欠出力等の読み出し方式変更が同一素子であっても可能となる。
 図12は、実施の形態3に係る赤外線撮像素子の回路図の別の構成を示した図である。図12の構成において、信号線選択回路6-Bは読出し回路7-1に接続する1つの画素列信号線13を選択する。信号線選択回路6-Bは、第一及び第二列の画素列信号線13を読出し回路7-1に接続し、第三及び第四列の画素列信号線13を読出し回路7-2に接続する。換言すれば、画素列信号線13を前半と後半のグループに分けている。そして、前半のグループの画素列信号線13を読出し回路7-1に接続し、後半のグループの画素列信号線13を読出し回路7-2に接続している。
 図13は、図12に示す構成における読出し画素の順序を説明した図である。このように、信号線選択回路6の選択方式は、エリアごとなど、自由に配置することが可能である。また、画素列信号線13のグループ分けの数、すなわち、読出し回路7の段数は二に限らず、画素列の数よりも少なければ任意(N)の数でよい。
 以上のように、読出し回路7を複数設けることで、フレームレートの向上を図れると共に、様々な画像取得方法が可能となる。例えば、連続する画素列を同時選択することで画素アレイ部のうち被写体が横切る動きを高フレームレートで検知したり、間欠した画素列を同時選択したりすることで、幅広い画角を網羅しつつ、高フレームレートでの検知が可能となる。また、水平走査回路11を読出し回路7-1、7-2の後段に配置することで、信号成分を一つの出力端子で出力することが可能となる。
実施の形態4.
 図14は本実施の形態4に係る赤外線撮像素子の回路図である。実施の形態1との相違点は、画素アレイ部100に、外部から入射する赤外線光の影響を受けない参照画素18を配置した点である。参照画素18の信号成分は読出し回路7に入力される。読出し回路7は、参照画素18の信号成分と温度検知画素3の信号成分との差分信号を増幅して出力する。なお、画素アレイ部100において、参照画素18の列は少なくとも一列設ければよい。参照画素18における温度検知ダイオード1の陽極端子は画素行駆動線12に、陰極端子は画素列信号線13に接続されている。
 図15~図17は、温度検知画素3と参照画素18の断面構造の例を示した図であり、それぞれ参照画素18の異なる断面構造を示している。
 温度検知画素3は、温度検知ダイオード1を含む温度検知部15と、温度検知部15に接続されて構成された赤外線吸収構造体14と、温度検知部15を保持する支持脚配線2とを含んでいる。支持脚配線2は、温度検知部15と、画素行駆動線12および画素列信号線13とを電気的に接続する。支持脚配線2は、基板16と温度検知部15が直接熱的に接続しないように温度検知部15を中空状態に保持する。このため、基板16には中空部17が設けられている。赤外線が画素上部から入射した場合、赤外線吸収構造体14で吸収され、発熱し、温度検知部15の温度が変化する。温度検知部15内の温度検知ダイオード1は定電流源5の作用により一定電流動作しているため、温度検知ダイオード1の陽極と陰極間の電圧差は温度変化により変化する。これらの作用により、画素列信号線13の電圧には、入射する赤外線光に応じた電圧成分が含まれることになる。参照画素18は、温度検知画素3と同様に、温度検知ダイオード1を含む温度検知部15と支持脚配線2を有する。
 図15に示す例では、参照画素18は、温度検知画素3の構成に加えて、赤外線吸収構造体14の受光面側に赤外線を吸収する赤外線非吸収構造体19をさらに有している。赤外線非吸収構造体19は、赤外線の波長領域に対して高い反射率を有する材料で構成される。
 図16に示す例では、参照画素18は、温度検知画素3の構成に加えて、赤外線の温度検知部15への入射を遮光する赤外線遮光膜20を有している。赤外線遮光膜20は、赤外線吸収構造体14の受光面に赤外線光が入射されないように赤外線吸収構造体14の受光面側に配置される。
 図17に示す例では、参照画素18は、温度検知画素3の構成において中空断熱構造を設けないことで参照画素18を構成している。すなわち、参照画素18では、基板16に中空部17を設けていない。
 図15~図17に示す構成により、参照画素18は、外部から入射する赤外線光の影響を受けることがない。
 図15および図16に示す参照画素18の通電周期と非通電周期は、垂直走査回路4の走査を初段から最後段にかけて一定としている限り、温度検知画素3の通電周期と非通電周期と一致する。つまり、参照画素18は、通電/非通電によって発生する自己発熱に関して、温度検知画素3と同様の傾向を持った出力信号を発生する。このため、読出し回路7で参照画素18と温度検知画素3の差分信号を取得した場合、自己発熱および基板温度に起因する信号成分が除去でき、基板温度の変化に対して出力変化の小さい出力を得ることができる。ただし、自己発熱温度は温度検知部15および赤外線吸収構造体14の熱容量と、支持脚配線2の熱コンダクタンスの関係性で決定される。また、参照画素18からの信号成分と、温度検知画素3からの信号成分とには、電源端子からの同相雑音が重畳している。このため、二つの信号の差分を取ることで電源雑音の影響を低減できる。
 図16に示すように、参照画素18において、赤外線遮光膜20が参照画素18内の温度検知部15と熱的に非接触状態に配置されることで、参照画素18と温度検知画素3の構造を同一にすることができる。よって、図16に示す構成の方が、図15に示す構成よりも自己発熱および基板温度に起因する信号成分を除去する効果が高いため、より好ましい。また、垂直走査回路4から画素行駆動線12に印加される電源電圧に内在する雑音成分も、読出し回路7で、参照画素18からの信号成分と温度検知画素3からの信号成分の差分をとることにより除去できるため、S/Nが改善される。
 図17に示す構成の参照画素18は、中空部17がなく、中空断熱構造を有してないため、自己発熱が全く発生せず、基板温度に起因した信号成分が発生する。このため、読出し回路7で参照画素18と温度検知画素3の差分信号を取得した場合、基板温度に起因する信号成分が除去でき、基板温度変化に対して出力変化の小さい出力を得ることができる。また、電源端子Vdの電圧に内在する雑音成分も、読出し回路7で差分出力化することにより除去できるため、S/Nが改善される。
 参照画素18は、図15~17に示す参照画素構造に限らない。参照画素18は、垂直走査回路4により電源端子に接続され、温度検知画素3と同じ通電/非通電周期で動作し、外部から入射する赤外線光の影響を受けないものであれば任意の構成で良い。
 また、図14では参照画素18は画素アレイ部100の外側に配置しているが、参照画素18の配置はそれに限らない。例えば、参照画素18を、行方向において画素アレイ部100の左右両端に配置してもよい。これにより、差分信号の高精度化が図れる。もしくは、参照画素18を、画素アレイ部100内に複数列配置してもよい。これにより、差分信号の更なる高精度化が図れる。
実施の形態5.
 図18は、本実施の形態5に係る赤外線撮像素子の回路図である。実施の形態4との相違点は、画素アレイ部100の画素行駆動線12の両端に、外部から入射する赤外線光の影響を受けない参照画素18を配置した点である。参照画素18の信号成分は読出し回路7に入力される。読出し回路7は、参照画素18の信号成分と温度検知画素3の信号成分との差分信号を増幅して出力する。
 本実施の形態5では、信号を読み出す温度検知画素3に接続された画素行駆動線12の、両端に接続された参照画素18のうち、いずれか近い方の参照画素18とこの温度検知画素3との差分信号を出力する。これにより、自己発熱および基板温度に起因する信号成分が除去でき、基板温度の変化に対して出力変化の小さい出力をより精度よく得ることができる。なお、画素アレイ部100において、参照画素18の列は、少なくとも画素行駆動線12の両端に一列ずつ設ければよい。
実施の形態6.
 図19は、全体が300で表される、本発明の実施の形態6に係る空気調和機の構成を示す概略図である。図19において、空気調和機300は、赤外線撮像素子200の信号により人体の存在位置を検知する位置検知手段、空気調和機300の主な制御を行う主制御手段、設定温度を変更する設定温度変更手段、空気調和機300からの送風方向を風向制御翼などにより変更する風向変更手段、空気調和機300からの送風速度を変更する風速変更手段を備える。
 空気調和機300では、一定の赤外線検知領域を有する赤外線撮像素子200の出力から、位置検知手段が人体の存在位置を検知する。人体が空調調和機300から一定距離内に進入したことを位置検知手段が検知した場合、主制御手段により、設定温度変更手段、風速変更手段、および風向変更手段が制御され、設定温度、風速、風向の設定が行われる。これにより、わずらわしい設定操作を行わなくても、人の動きに合わせて自動的に人体の移動に合わせて空気調和機300の制御が行われ、快適で且つ便利な空調機制御が得られる。
1.温度検知ダイオード、2.支持脚配線、3.温度検知画素、4.垂直走査回路、5.定電流源、6.信号線選択回路、7.読出し回路、8.クロック可変出力部、9.アナログ・デジタルコンバータ、10. 画像演算部、11.水平走査回路、12.画素行駆動線、13.画素列信号線、14.赤外線吸収構造体、15.温度検知部、16.基板、17.中空部、18.参照画素、19.赤外線非吸収構造体、20.赤外線遮光膜、100.画素アレイ部、200.赤外線撮像素子、300.空気調和機。

Claims (15)

  1.  ダイオードを含み、外部から受けた赤外線光に応じた電気信号を生成する温度検知画素が行及び列方向において二次元状に配列されて成る画素アレイ部と、
     行毎に設けられ、前記温度検知画素の一端を行毎に共通接続した複数の駆動線と、
     列毎に設けられ、前記温度検知画素の他端を列毎に共通接続する複数の信号線と、
     前記駆動線を順次選択する垂直走査回路と、
     前記信号線を順次選択する信号線選択回路と、
     前記垂直走査回路により選択された駆動線及び前記信号線選択回路により選択された信号線の双方に接続された温度検知画素からの電気信号を増幅する、少なくとも1つの読出し回路と、を備え、
     前記読出し回路の数は、列毎に設けられた前記信号線の数よりも少ない
    ことを特徴とする、赤外線撮像素子。
  2.  信号線選択回路の動作を制御するための制御信号を出力するクロック可変出力部と、
     前記読出し回路からの信号に基づき、出力信号における画素の配列を調整することで前記出力信号を生成する画像演算部と
    をさらに備えたことを特徴とする、請求項1に記載の赤外線撮像素子。
  3.  前記二次元状に配列されて成る画素アレイ部と、前記読出し回路との間に、信号線を順次選択する前記信号線選択回路が配置された、請求項1に記載の赤外線撮像素子。
  4.  前記クロック可変出力部と前記信号線選択回路とにより、読出す画素列が任意に切り替え可能な、請求項3に記載の赤外線撮像素子。
  5.  前記垂直走査回路と前記クロック可変出力部と前記信号線選択回路とにより、読出す画素が任意に切り替え可能な、請求項3に記載の赤外線撮像素子。
  6.  前記ダイオードの陰極側に接続された電流源をさらに備え、
     前記垂直走査回路は、前記駆動線を介して各ダイオードの正極側に接続されている、
     前記垂直走査回路は、各温度検知画素への通電周期が一定となるように前記駆動線の選択を行う、ことを特徴とする、請求項1に記載の赤外線撮像素子。
  7.  前記信号線選択回路と前記読出し回路の接続点に接続された電流源をさらに備え、
     前記垂直走査回路は、前記駆動線を介して各ダイオードの正極側に接続されており、
     前記信号線選択回路は、前記信号線を介して各ダイオードの負極側に接続されており、
     前記信号線選択回路は、一定間隔で前記信号線の選択を行うことを特徴とする、請求項1に記載の赤外線撮像素子。
  8.  N個(Nは2以上の整数)の読出し回路が設けられ、
     前記複数の信号線は、前記N個の読出し回路に対応してN個のグループに分割され、
     前記信号線選択回路は、前記グループ毎に1つの信号線を選択し、対応する読出し回路に接続する、請求項1に記載の赤外線撮像素子。
  9.  前記複数の読出し回路それぞれからの出力信号を入力し、前記複数の出力信号のうちの1つを順次選択して出力する水平走査回路をさらに備えた、ことを特徴とする、請求項8に記載の赤外線撮像素子。
  10.  前記垂直走査回路が前記画素アレイ部の画素配列において最初の行から最後の行までの走査をM(2以上の整数)回繰り返す期間の間、前記信号線選択回路は、同一画素列を選択し続け、
     前記赤外線撮像素子は、同一画素について得られたM個の出力信号を平均して当該温度検知画素の出力信号を求める画像演算部をさらに備える、
    ことを特徴とする請求項1に記載の赤外線撮像素子。
  11.  前記画素アレイ部は、少なくとも一つ以上の前記温度検知画素の列と、少なくとも一つ以上の、外部から入射する赤外線光の影響を受けない参照画素の列とを有し、
     前記垂直走査回路はさらに前記参照画素の一端を順次選択し、
     前記読出し回路は前記参照画素の他端に接続され、前記参照画素から信号を読み出し、
     読出し回路は、温度検知画素からの信号と前記参照画素からの信号との差分を演算する
    ことを特徴とする、請求項1に記載の赤外線撮像素子。
  12.  前記参照画素は、前記温度検知画素の構成に加えて、赤外線の入射を遮断する赤外線遮光膜をさらに備えた構成を有する、ことを特徴とする、請求項11に記載の赤外線撮像素子。
  13.  前記参照画素の列は、前記画素アレイ部の駆動線の両端に配置されることを特徴とする、請求項11または12に記載の赤外線撮像素子。
  14.  任意の行の前記温度検知画素からの信号と、前記温度検知画素の一端と同じ行の駆動線で接続された前記参照画素からの信号と、の差分を演算出力することを特徴とする、請求項11~13のいずれか1項に記載の赤外線撮像素子。
  15.  請求項1~14のいずれか1項に記載の赤外線撮像素子と、
     前記赤外線撮像素子の出力信号から人体の存在位置を検知する検知手段と、
     設定温度を変更する設定温度変更手段と、
     送風方向を変更する風向変更手段と、
     送風速度を変更する風速変更手段と、
     前記検知手段からの信号に基づき、前記設定温度変更手段、前記風向変更手段、および風速変更手段を制御する主制御手段と、
    を備えたことを特徴とする空気調和機。
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CN201980036494.XA CN112204953B (zh) 2018-06-06 2019-01-28 红外线拍摄元件以及具备该红外线拍摄元件的空调机
EP19814426.3A EP3806452A4 (en) 2018-06-06 2019-01-28 INFRARED IMAGING ELEMENT AND AIR CONDITIONER EQUIPPED WITH SUCH ELEMENT
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117369557B (zh) * 2023-11-29 2024-05-28 徐州盈胜微半导体有限公司 集成电路温度控制系统和方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05187682A (ja) * 1991-11-14 1993-07-27 Mitsubishi Electric Corp 空気調和機の制御装置及び人体検知センサー及び空気調和機
JP2004233313A (ja) 2003-02-03 2004-08-19 Mitsubishi Electric Corp 熱型赤外線固体撮像素子
JP2010183435A (ja) 2009-02-06 2010-08-19 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2011196992A (ja) * 2010-02-26 2011-10-06 Mitsubishi Electric Corp 赤外線固体撮像素子
JP2012026925A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Mitsubishi Electric Corp 赤外線固体撮像装置
WO2017183260A1 (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 三菱電機株式会社 赤外線撮像素子及び赤外線カメラ

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757008A (en) 1995-11-08 1998-05-26 Nikon Corporation Infrared-ray image sensor
JPH10122957A (ja) 1996-10-22 1998-05-15 Nikon Corp 熱型赤外線イメージセンサ
JP4343144B2 (ja) * 2004-09-24 2009-10-14 株式会社東芝 赤外線センサ
JP5272860B2 (ja) * 2009-04-08 2013-08-28 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
JP5421371B2 (ja) * 2009-07-28 2014-02-19 株式会社東芝 赤外線撮像装置
EP2405663A1 (en) * 2010-06-15 2012-01-11 Thomson Licensing Method of driving an image sensor
US20120038778A1 (en) * 2010-08-11 2012-02-16 United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Army Self-Scanning Passive Infrared Personnel Detection Sensor
JP5631129B2 (ja) 2010-09-07 2014-11-26 パナソニック株式会社 固体撮像装置及び撮像装置
JP5425127B2 (ja) * 2011-03-09 2014-02-26 株式会社東芝 固体撮像素子
US8970706B2 (en) * 2011-09-22 2015-03-03 Basil Henry Scott Dual pixel pitch imaging array with extended dynamic range
JP5794176B2 (ja) 2012-03-02 2015-10-14 カシオ計算機株式会社 撮像装置、撮像方法及びプログラム
JP6218787B2 (ja) * 2015-09-29 2017-10-25 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント 撮像装置、情報処理装置、表示装置、情報処理システム、画像データ送出方法、および画像表示方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05187682A (ja) * 1991-11-14 1993-07-27 Mitsubishi Electric Corp 空気調和機の制御装置及び人体検知センサー及び空気調和機
JP2004233313A (ja) 2003-02-03 2004-08-19 Mitsubishi Electric Corp 熱型赤外線固体撮像素子
JP2010183435A (ja) 2009-02-06 2010-08-19 Toshiba Corp 固体撮像装置
JP2011196992A (ja) * 2010-02-26 2011-10-06 Mitsubishi Electric Corp 赤外線固体撮像素子
JP2012026925A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Mitsubishi Electric Corp 赤外線固体撮像装置
WO2017183260A1 (ja) * 2016-04-19 2017-10-26 三菱電機株式会社 赤外線撮像素子及び赤外線カメラ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
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