JP4343144B2 - 赤外線センサ - Google Patents
赤外線センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4343144B2 JP4343144B2 JP2005151312A JP2005151312A JP4343144B2 JP 4343144 B2 JP4343144 B2 JP 4343144B2 JP 2005151312 A JP2005151312 A JP 2005151312A JP 2005151312 A JP2005151312 A JP 2005151312A JP 4343144 B2 JP4343144 B2 JP 4343144B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- amplification transistor
- column
- infrared sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 101
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 101
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 44
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 35
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 12
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 12
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 31
- LVOBTCONHRNJJA-UHFFFAOYSA-N tert-butyl n-[4-(4-amino-1-propan-2-ylpyrazolo[3,4-d]pyrimidin-3-yl)-2-methoxyphenyl]carbamate Chemical compound C1=C(NC(=O)OC(C)(C)C)C(OC)=CC(C=2C3=C(N)N=CN=C3N(C(C)C)N=2)=C1 LVOBTCONHRNJJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 101100102456 Arabidopsis thaliana VCL1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000713385 Idiodes Species 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
- H04N5/33—Transforming infrared radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/023—Particular leg structure or construction or shape; Nanotubes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/0225—Shape of the cavity itself or of elements contained in or suspended over the cavity
- G01J5/024—Special manufacturing steps or sacrificial layers or layer structures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14649—Infrared imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/63—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to dark current
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/67—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response
- H04N25/671—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to fixed-pattern noise, e.g. non-uniformity of response for non-uniformity detection or correction
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
前記熱的無感度画素行の選択時に、前記クランプ回路を導通させるステップであって、前記クランプ回路の動作と同期して、前記第1の電流源からの電流をパルス状に制御するステップを具備する。
)が発生することになる。1行目の出力は増幅トランジスタ75のゲート電圧がクランプ電圧VCLに相当する場合の出力であり、基準となる無信号状態の暗時出力を得ることになる。
り、有効画素信号と暗時出力信号との差分に応じた電圧変動がVN2には現れることになる。
図22は、本発明による第6の実施形態に従った非冷却赤外線センサの全体構成図である。第6の実施形態は、OB画素列の垂直信号線に接続された第1の電流源CS1と、その他の有感度画素列の垂直信号線に接続された第2の電流源CS2とが別個に設けられている点で第2の実施形態と異なる。第1の電流源CS1および第2の電流源CS2は、互いに独立して制御可能である。また、第6の実施形態は、OB信号生成器8の増幅トランジスタ75’のソースに接地電位(0V)よりも高いソース電圧Vs(OB)が印加される点で第2の実施形態と異なる。第6の実施形態の他の構成は、第2の実施形態と同様でよい。従って、カラムアンプ7、OB信号生成器およびカラムバッファ9については、図12〜図14を参照して説明する。尚、図14の増幅トランジスタ75’のソースには、GNDに代えてソース電圧Vs(OB)が接続されている。
Gain=(Ti/Cs)・gm (式1)
ここで、Csは、積分容量73の容量値、Tiは、積分容量73の積分時間、gmは、増幅トランジスタ75のコンダクタンスである。さらに、gmは、(Vgs−Vth)に比例する。
図24は、本発明に係る第7の実施形態に従った赤外線センサのカラムアンプの回路図である。図25は、第7の実施形態に従った赤外線センサのカラムバッファの回路図である。第7の実施形態は、増幅トランジスタ75のVgsにオフセットを与える手法において第6の実施形態と異なる。
2 … 熱的無感度画素
3 … 光学的無感度画素
4 … pn接合
5 … 行選択線
50 … 行選択回路
6 … 垂直信号線
7 … カラムアンプ
8 … OB信号生成器
9 … カラムバッファ
11 … 水平読み出し回路
12 … 水平選択トランジスタ
13 … 水平信号線
14 … 水平シフトレジスタ
71 … 第1の結合容量
72 … クランプ入力
73 … 積分容量
75 … 増幅トランジスタ
76 … クランプトランジスタ
77 … リセットトランジスタ
79 … 第2のクランプトランジスタ
81 … 第2の結合容量
82 … クランプ容量
91 … 負荷トランジスタ
92 … バイアス入力
93 … 駆動トランジスタ
94 … OB信号入力端子
Claims (17)
- 半導体基板上に赤外線検出画素が配列され、少なくとも熱的無感度画素行と、光学的無感度画素行をそれぞれ一行ずつ有し、かつ、前記熱的無感度画素行と光学的無感度画素行を除く領域において、少なくとも一列の光学的無感度画素列を有する撮像領域と、
前記撮像領域内に行方向に配置される行選択線と、
前記撮像領域内に列方向に配置される信号線と、
前記行選択線に接続される行選択回路と、
第1の結合容量を介してゲートが前記信号線に接続されている第1の増幅トランジスタ、前記第1の増幅トランジスタのゲート電圧を所定の電圧にクランプするための第1のクランプ回路、前記第1の増幅トランジスタのドレインに接続される積分容量、及び前記第1の増幅トランジスタのドレインおよび前記積分容量の蓄積ノードに接続されるリセット手段を有し、前記信号線のそれぞれに接続され、前記信号線に発生した信号電圧を増幅するカラムアンプと、
駆動トランジスタを有し、前記駆動トランジスタのドレインが前記第1の増幅トランジスタのソースに接続されたカラムバッファと、
前記積分容量の蓄積ノードに接続され、前記カラムアンプからの出力信号を読み出すための読み出し回路と、
前記カラムアンプと同等の回路構成を有し、前記第1の増幅トランジスタと同等な第2の増幅トランジスタのゲートが前記駆動トランジスタのゲートと接続されている光学的無感度画素列信号生成回路とを具備することを特徴とする赤外線センサ。 - 前記カラムバッファが、前記第2の増幅トランジスタのゲート電圧を入力としたソースフォロア回路であることを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサ。
- 前記駆動トランジスタのしきい値が、前記増幅トランジスタのしきい値と同等であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の赤外線センサ。
- 前記第1のクランプ回路は第1のクランプトランジスタからなり、そのクランプ電圧が前記増幅トランジスタの閾値電圧であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の赤外線センサ。
- 前記カラムアンプは第2のクランプ回路をさらに有し、前記第2のクランプ回路は前記増幅トランジスタのドレインに接続された第2の結合容量とクランプ容量と、前記第2の結合容量及びクランプ容量との接続部に接続された第2のクランプトランジスタにより構成されていることを特徴とする、請求項1から請求項4のいずれかに記載の赤外線センサ。
- 前記光学的無感度画素列の信号線に接続された第1の電流源と、前記光学的無感度画素列以外の有感度画素列の信号線に接続された第2の電流源とをさらに備え、
前記第1の電流源は前記第2の電流源とは独立に制御されることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の赤外線センサ。 - 前記第1の増幅トランジスタのゲート電圧をクランプするときに、前記第1の電流源は前記第2の電流源よりも小さい電流を供給することを特徴とする請求項6に記載の赤外線センサ。
- 前記第1の増幅トランジスタのゲート電圧をクランプするときに、前記第2の増幅トランジスタのソース電圧に正電圧が印加されることを特徴とする請求項6に記載の赤外線センサ。
- 前記第2の増幅トランジスタのソース電圧に印加される正電圧は、前記光学無感度画素列に接続された信号線の電位と前記有感度画素列に接続された信号線の電位との差に等しいことを特徴とする請求項8に記載の赤外線センサ。
- 前記駆動トランジスタのドレインと前記第1の増幅トランジスタのソースとの間に設けられた第1のスイッチング素子と、
前記第1の増幅トランジスタのソースと可変の電圧を供給可能な電源との間に設けられた第2のスイッチング素子とをさらに備え、
前記第1の増幅トランジスタのゲート電圧をクランプするときに、前記第1のスイッチング素子はオフであり、前記第2のスイッチング素子はオンであることを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサ。 - 熱的無感度画素行、光学的無感度画素行、有効画素行に接続された信号線がゲートと容量結合されている増幅トランジスタ、前記増幅トランジスタのゲート電圧を所定の電圧にクランプするためのクランプ回路、前記増幅トランジスタのドレインに接続され、この増幅トランジスタからの信号電荷を蓄積する容量、前記増幅トランジスタのドレイン電位および蓄積容量の電位をリセットするリセット手段、及び、前記信号線のそれぞれに接続され、前記信号線に発生した信号電圧を増幅するカラムアンプを備えた赤外線センサにおいて、
前記熱的無感度画素行の選択時にのみ前記クランプ回路を導通させるステップを具備することを特徴とする赤外線センサの駆動方法。 - 熱的無感度画素行、光学的無感度画素行、有効画素行に接続された信号線がゲートと容量結合されている第1の増幅トランジスタ、前記第1の増幅トランジスタのゲート電圧を所定の電圧にクランプするためのクランプ回路、前記第1の増幅トランジスタのドレインに接続され、該第1の増幅トランジスタからの信号電荷を蓄積する容量、該第1の増幅トランジスタのドレイン電位および蓄積容量の電位をリセットするリセット手段、前記信号線のそれぞれに接続され、前記信号線に発生した信号電圧を増幅するカラムアンプ、光学的無感度画素列の信号線に接続された第1の電流源、および、有効画素列の信号線に接続された第2の電流源を備えた赤外線センサにおいて、
前記熱的無感度画素行の選択時に、前記クランプ回路を導通させるステップであって、前記クランプ回路の動作と同期して、前記第1の電流源からの電流をパルス状に制御するステップを具備した赤外線センサの駆動方法。 - 前記第1の電流源は前記第2の電流源とは独立に制御されることを特徴とする請求項12に記載の赤外線センサの駆動方法。
- 前記第1の増幅トランジスタのゲート電圧をクランプするときに、前記第1の電流源は前記第2の電流源よりも小さい電流を供給することを特徴とする請求項12に記載の赤外線センサの駆動方法。
- 駆動トランジスタを有し、前記駆動トランジスタのドレインが前記第1の増幅トランジスタのソースに接続されたカラムバッファと、
前記第1の増幅トランジスタと同じ構成を有する第2の増幅トランジスタのゲートが前記駆動トランジスタのゲートと接続されている光学的無感度画素列信号生成回路とをさらに備え、
前記第1の増幅トランジスタのゲート電圧をクランプするときに、前記第2の増幅トランジスタのソース電圧に正電圧が印加されることを特徴とする請求項12に記載の赤外線センサの駆動方法。 - 前記第2の増幅トランジスタのソース電圧に印加される正電圧は、前記光学無感度画素列に接続された信号線の電位と前記有効画素列に接続された信号線の電位との電位差に等しいことを特徴とする請求項15に記載の赤外線センサの駆動方法。
- 前記駆動トランジスタのドレインと前記第1の増幅トランジスタのソースとの間に設けられた第1のスイッチング素子と、
前記第1の増幅トランジスタのソースと電源との間に設けられた第2のスイッチング素子とをさらに備え、
前記第1の増幅トランジスタのゲート電圧をクランプするときに、前記第1のスイッチング素子をオフとし、前記第2のスイッチング素子をオンにすることを特徴とする請求項12に記載の赤外線センサの駆動方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005151312A JP4343144B2 (ja) | 2004-09-24 | 2005-05-24 | 赤外線センサ |
US11/228,344 US7569820B2 (en) | 2004-09-24 | 2005-09-19 | Infrared sensor and method of driving thereof |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004278265 | 2004-09-24 | ||
JP2005151312A JP4343144B2 (ja) | 2004-09-24 | 2005-05-24 | 赤外線センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006121652A JP2006121652A (ja) | 2006-05-11 |
JP4343144B2 true JP4343144B2 (ja) | 2009-10-14 |
Family
ID=36539074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005151312A Expired - Fee Related JP4343144B2 (ja) | 2004-09-24 | 2005-05-24 | 赤外線センサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7569820B2 (ja) |
JP (1) | JP4343144B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187594A (ja) * | 2010-03-08 | 2011-09-22 | Hitachi Displays Ltd | フォトセンサ装置 |
CN102147292B (zh) * | 2011-01-12 | 2012-10-24 | 北京广微积电科技有限公司 | 红外焦平面阵列及其读出电路 |
DE102012208220A1 (de) * | 2012-05-16 | 2013-11-21 | Robert Bosch Gmbh | Infrarot-Sensorvorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Infrarot-Sensorvorrichtung |
EP2988492B1 (en) | 2013-04-18 | 2017-12-13 | Olympus Corporation | Image-capturing element, image-capturing device, and endoscope system |
JP6727830B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP6661061B1 (ja) * | 2018-06-06 | 2020-03-11 | 三菱電機株式会社 | 赤外線撮像素子およびそれを備えた空気調和機 |
JP7396554B1 (ja) | 2023-06-12 | 2023-12-12 | 三菱電機株式会社 | 撮像装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0787399A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Mitsubishi Electric Corp | 焦電型赤外撮像装置 |
US6759657B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Infrared sensor |
US7184085B2 (en) * | 2001-08-20 | 2007-02-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Charge multiplying solid-state electronic image sensing device and method of controlling same |
JP3866069B2 (ja) | 2001-09-26 | 2007-01-10 | 株式会社東芝 | 赤外線固体撮像装置 |
JP3948956B2 (ja) | 2001-12-27 | 2007-07-25 | 三菱電機株式会社 | 赤外線カメラ |
JP2004245692A (ja) | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Toshiba Corp | 赤外線撮像素子 |
JP4372097B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社東芝 | 赤外線センサ、赤外線カメラ、赤外線センサの駆動方法および赤外線カメラの駆動方法 |
-
2005
- 2005-05-24 JP JP2005151312A patent/JP4343144B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-19 US US11/228,344 patent/US7569820B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060208188A1 (en) | 2006-09-21 |
US7569820B2 (en) | 2009-08-04 |
JP2006121652A (ja) | 2006-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7361899B2 (en) | Infrared sensor, infrared camera, method of driving infrared sensor, and method of driving infrared camera | |
US6759657B2 (en) | Infrared sensor | |
JP5127278B2 (ja) | 熱型赤外線固体撮像素子及び赤外線カメラ | |
JP3866069B2 (ja) | 赤外線固体撮像装置 | |
JP4343144B2 (ja) | 赤外線センサ | |
US8344321B2 (en) | Infrared imaging device | |
JP2993557B2 (ja) | 熱型赤外線撮像装置およびその駆動方法 | |
JP5685927B2 (ja) | 赤外線検出回路、センサーデバイス及び電子機器 | |
US7737400B2 (en) | Bolometer type uncooled infrared ray sensor and method for driving the same | |
JP2011174918A (ja) | 検出装置、センサーデバイス及び電子機器 | |
JP3793033B2 (ja) | 赤外線センサ及びその駆動方法 | |
JP4153861B2 (ja) | 赤外線センサ | |
JP2008022315A (ja) | 熱型赤外線検出回路 | |
JP4331160B2 (ja) | 赤外線センサおよびその駆動方法 | |
JP3974902B2 (ja) | 熱型赤外線検出素子 | |
JP3657885B2 (ja) | 赤外線センサ装置およびその駆動方法 | |
JP2007096913A (ja) | 撮像デバイス回路、固体撮像装置、撮像デバイス回路の感度調整方法 | |
JP5443800B2 (ja) | 赤外線固体撮像素子 | |
JP5321843B2 (ja) | 赤外線固体撮像素子 | |
JP2011015334A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090616 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090708 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130717 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |