JP2011187594A - フォトセンサ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】複数のフォトダイオードがアレイ状に配置されたフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイの各行のフォトダイオードの第1電極に接続される複数の走査線と、前記フォトダイオードアレイの各列のフォトダイオードの第2電極に接続される複数の読出線と、前記複数の走査線に接続され、1水平走査期間毎に、前記各走査線に順次選択走査信号を供給する走査回路と、前記複数の読出線に接続され、信号読み出し時に、1水平走査期間の前記各読出線の電圧変動を信号電圧として取り込む信号処理回路とを備え、前記各フォトダイオードは、アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンで作製されており、信号読み出し時に、前記各フォトダイオードに対して、順方向のバイアス電圧が印加される。
【選択図】図1
Description
これらのフォトエリアセンサとしては、現在、CCDやCMOSセンサが使用されている。CCDやCMOSセンサは、単結晶シリコンを使用して作られており、感度、解像度など非常に優れている。
しかし、少し大きなエリアのセンサを作製すると、コストが高くなるという問題点がある。たとえば、指の静脈や指紋をレンズなしで直接みようとすると数インチのエリアセンサが必要となる。これらを生体認証用のエリアセンサとしてパソコンや携帯電話などに使用するとかなりのコスト高となる。
そこで、単結晶シリコンではなく、下地に、薄膜トランジスタ(TFT)などのガラス基板を使用してコストを下げたセンサを作ることができないか検討されている。一部用途には成功したものがあるが、感度等の面で劣るので一部を除きまだ実用化には至っていない。
感度向上のため、CMOSセンサのように、個々の画素内に増幅アンプを作る方法もあるが、単結晶シリコンで作製しないとトランジスタの性能が低く増幅アンプのばらつき補正があまりうまく働かず、固定ノイズとして残ってしまうという問題点がある。
従って、アモルファスシリコンや微結晶シリコンの特性を生かした新しい感度向上策が必要となってくる。
そこで、アモルファスシリコンや微結晶シリコンで作製したフォトダイオードの特性を調べたところ、これらで作製したフォトダイオードは入射光によりフォトダイオード内のチャンル抵抗が変わることがわかってきた。
本発明は、前述の知見に基づきなされたものであり、本発明の目的は、アモルファスシリコン、あるいは微結晶シリコンで作製したフォトダイオードを使用し、構造が簡単で、かつ低電圧で駆動可能なフォトセンサ装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
(1)複数のフォトダイオードがアレイ状に配置されたフォトダイオードアレイと、前記フォトダイオードアレイの各行のフォトダイオードの第1電極に接続される複数の走査線と、前記フォトダイオードアレイの各列のフォトダイオードの第2電極に接続される複数の読出線と、前記複数の走査線に接続され、1水平走査期間毎に、前記各走査線に順次選択走査信号を供給する走査回路と、前記複数の読出線に接続され、信号読み出し時に、1水平走査期間の前記各読出線の電圧変動を信号電圧として取り込む信号処理回路とを備え、前記各フォトダイオードは、アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンで作製されており、信号読み出し時に、前記各フォトダイオードに対して、順方向のバイアス電圧が印加される。
(2)(1)において、前記信号処理回路は、1水平走査期間のブランキング期間に、前記各読出線の電位を第1の電圧にリセットする。
(3)(2)において、前記走査回路は、選択された走査線に接続されているフォトダイオードに対して、順方向のバイアス電圧となる第1電圧レベルの選択走査信号を、順次各走査線に供給する置。
(4)(1)ないし(3)の何れかにおいて、前前記走査回路から前記各走査線に順次供給される選択走査信号の第1電圧レベル期間を可変して、フォトセンサ装置のセンサ感度を可変する。
本発明によれば、アモルファスシリコン、あるいは微結晶シリコンで作製したフォトダイオードを使用し、構造が簡単で、かつ低電圧で駆動可能なフォトセンサ装置を提供することが可能となる。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施例は、本発明の特許請求の範囲の解釈を限定するためのものではない。
[実施例1]
図1は、本発明の実施例1のフォトセンサ装置の回路構成を示す回路図である。
図1に示すように、本実施例のフォトセンサ装置は、複数のフォトダイオードPDがマトリクス状に配置され、光受光面を構成するダイオードマトリクスアレイと、フォトダイオードアレイの各行のフォトダイオードPDのアノードに接続される複数の走査線(G1,G2,G3,..)と、フォトダイオードアレイの各列のフォトダイオードPDのカソードに接続される複数の読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)と、各走査線(G1,G2,G3,..)に接続され、1水平走査期間毎に順次走査線(G1,G2,G3,..)を選択する垂直ゲートドライバ10と、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)に接続され、1水平走査期間の読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の電圧変動を信号電圧として取り込み、処理する信号処理回路11とで構成される。
各フォトダイオードPDは、アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンで作製されており、各フォトダイオードPDは、単結晶シリコン基板、あるいは、ガラス基板等上に作製される。
垂直ゲートドライバ10と信号処理回路11は、通常、半導体チップ内に搭載される回路で構成され、ダイオードアレイが作製される基板上に配置される。なお、図2に示すように、垂直ゲートドライバ10と信号処理回路11とを、同一の半導体チップ内に搭載される回路で構成することも可能である。
以下、図3を用いて、本実施例のフォトセンサ装置の駆動方法について説明する。
まず、1水平走査期間HSYNCのブランキング期間に、信号RGがHighレベル(以下Hレベル)となり、信号処理回路11内のスイッチ回路SW1がオンとなる。これにより、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)がリセットされ、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)は、一定電位(例えば、接地電位)に揃えられる。この信号RGがHレベルの期間は、各走査線(G1,G2,G3,..)はLowレベル(以下、Lレベル)となっている。
次に、信号RGがLレベルとなると、G1の走査線の電圧レベルがHレベルとなる。これにより、走査線G1に、アノードが接続されているフォトダイオードPDがONとなり、G1の走査線から、各フォトダイオードPDを通して、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)に電流が流れる。
各フォトダイオードPDには、光が入射しており、入射光に応じてフォトダイオードPDのチャンネル抵抗が変化する。これにより、走査線G1から各フォトダイオードPDに流れる電流が変化し、この電流が、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)に電荷として蓄積される。この電圧変化を、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の信号電圧として読み取る。この様子を、図3の、読出線波形S1〜として図示する。
1水平走査期間HSYN後、次のRG信号がHレベルとなる前に、SPLの信号がHレベルとなり、信号処理回路11内のスイッチ回路SW2がオンとなる。これにより、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の電位を、バッファ回路BA1を介して信号電圧として、信号処理回路11に取り込む。
この信号電圧の最大値は、フォトダイオードPDに印加される電圧、つまり走査線G1のHレベルの電圧で決定される。信号電圧としては、後の信号処理を考えると1〜2Vで良く、フォトダイオードPDの閾値電圧Vthを考慮しても3Vくらいあれば良い。
アモルファスシリコンや微結晶シリコンで、薄膜トランジスタを作製すると10V以上のパルス電圧が必要であり、また、CCDで10V、CMOSセンサでも5Vくらい必要である。それに比べ、本実施例のフォトダイオードでは、3V単一という低電圧で駆動できる。
G3,G4…の走査線についても、同様の処理を行い信号電圧を取り込む。
また、信号処理回路11に並列に取り込まれた信号電圧は、1水平映像期間HSYNCに順次Hレベルとなる信号SOLにより、バッファ回路BA2を介して、順次シリアルに信号処理回路11から出力される。
図4は、本発明の実施例2のフォトセンサ装置の回路構成を示す回路図である。
本実施例は、前述の実施例1において、フォトダイオードPDの極性を逆にしたものである。この場合、駆動電圧や信号電圧の極性も逆となる。
即ち、本実施例のフォトセンサ装置の駆動方法では、1水平走査期間HSYNCのブランキング期間に、信号RGがHレベルとなり、信号処理回路11内のスイッチ回路SW1がオンとなったときに、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)は、例えば、Hレベルの電位に揃えられる。
また、信号RGがHレベルの期間は、各走査線(G1,G2,G3,..)の電圧レベルはHレベルとなり、信号RGがLレベルとなると、G1,G2,G3・・・の各走査線の電圧レベルがLレベルとなる。
したがって、選択された走査線に、カソードが接続されているフォトダイオードPDがONとなり、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)から、各フォトダイオードPDを通して、選択された走査線に電流が流れる。
各フォトダイオードPDには、光が入射しており、入射光に応じてフォトダイオードPDのチャンネル抵抗が変化する。これにより、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)から、各フォトダイオードPDを通して、選択された走査線に流れる電流が変化し、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の電位が低下する。
したがって、本実施例では、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の電位低下を、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の信号電圧として読み取ることになる。
図5は、本発明の実施例3のフォトセンサ装置の駆動方法を説明するためのタイミング図である。
本実施例は、前述の実施例1の走査線(G1,G2,G3,..)の選択期間(図3のHレベル期間)を変更して、感度を可変する実施例である。
なお、図5では、G1の走査線のみについて図示すが、他の走査線についても同様である。また、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の電圧をリセットする信号RG、信号取り込みの用の信号SPLは、前述の実施例1と同じである。
図5中、期間1では、G1の走査線のHレベル期間は、1水平映像期間HSYNCとなっており、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の電位の立ち上がり時間が一番長くなる。そのため、信号処理回路11に取り込まれる信号電圧は、いちばん大きな電圧となるので、感度が一番良くなる。
これに対して、期間2では、G1の走査線のHレベル期間は、期間1より短くなっており、それに伴い、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の電位の立ち上がり時間も短くなる。そのため、信号処理回路11に取り込まれる信号電圧は、期間1よりも小さな電圧となるので、感度が低くなる。
さらに、期間3では、G1の走査線のHレベル期間が更に短くなっており、それに伴い、各読出線(S1,S2,S3,S4,S5,..)の電位の立ち上がり時間もさらに短くなる。そのため、信号処理回路11に取り込まれる信号電圧は、期間2よりも小さな電圧となるので、さらに、感度が低下する。
このように、走査線(G1,G2,G3,..)の選択期間(図3のHレベルの期間)を変更することにより、信号電圧の感度が調整ができ、ダイナミックレンジを広げることが出来る。
図6において、91は、ガラス基板等の基板、92,96は、メタル電極、93は、n型アモルファスシリコン層、94は、i型アモルファスシリコン層、95は、p型アモルファスシリコン層である。なお、図6に示す構造のアモルファスシリコンフォトダイオードの等価回路も一緒に図示している。
以上説明したように、本実施例によれば、フォトダイオードを、アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンで作製し、フォトエリアセンサを、例えば、ガラス基板上に作製することができるため、既存のCCDやCMOSセンサに比べ安価で大面積のフォトセンサ装置を作製することができる。
また、本実施例のフォトセンサ装置は、構造も簡単であり、しかも、低電圧で駆動でき、さらに、感度やダイナミックレンジも高いという作用・効果を得ることもできる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
11 信号処理回路
91 基板
92,96 メタル電極
93 n型アモルファスシリコン層
94 i型アモルファスシリコン層
95 p型アモルファスシリコン層
SW1〜SW3 スイッチ回路
BA1,BA2 バッファ回路
PD フォトダイオード
G 走査線
S 読出線
Claims (6)
- 複数のフォトダイオードがアレイ状に配置されたフォトダイオードアレイと、
前記フォトダイオードアレイの各行のフォトダイオードの第1電極に接続される複数の走査線と、
前記フォトダイオードアレイの各列のフォトダイオードの第2電極に接続される複数の読出線と、
前記複数の走査線に接続され、1水平走査期間毎に、前記各走査線に順次選択走査信号を供給する走査回路と、
前記複数の読出線に接続され、信号読み出し時に、1水平走査期間の前記各読出線の電圧変動を信号電圧として取り込む信号処理回路とを備え、
前記各フォトダイオードは、アモルファスシリコンあるいは微結晶シリコンで作製されており、
信号読み出し時に、前記各フォトダイオードに対して、順方向のバイアス電圧が印加されることを特徴とするフォトセンサ装置。 - 前記信号処理回路は、1水平走査期間のブランキング期間に、前記各読出線の電位を第1の電圧にリセットすることを特徴とする請求項1に記載のフォトセンサ装置。
- 前記走査回路は、選択された走査線に接続されているフォトダイオードに対して、順方向のバイアス電圧となる第1電圧レベルの選択走査信号を、順次各走査線に供給することを特徴とする請求項2に記載のフォトセンサ装置。
- 前記走査回路から前記各走査線に順次供給される選択走査信号の第1電圧レベル期間を可変して、フォトセンサ装置のセンサ感度を可変することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のフォトセンサ装置。
- 前記信号処理回路と前記走査回路とは、同一の半導体チップ内に搭載された回路であり、
前記半導体チップは、前記フォトダイオードアレイが形成される基板上に実装されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のフォトセンサ装置。 - 前記信号処理回路と前記走査回路は、それぞれ異なる2つの半導体チップ内に搭載された回路であり、
前記2つの半導体チップは、前記フォトダイオードアレイが形成される基板上に実装されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のフォトセンサ装置。
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