WO2019124268A1 - 処理回路基板、多層回路基板及びカバーレイフィルム付き回路基板の製造方法、並びに接着剤層付きフィルム - Google Patents

Abstract

処理回路基板の製造方法と接着剤層付きフィルムの提供。　テトラフルオロエチレン系ポリマーを含むポリマー層と前記ポリマー層の表面に設けられた導体回路とを有する回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、次いで、該前記回路基板のプラズマ処理面と接着剤層を有する基板の接着剤層とを２６０℃未満で熱圧着させる処理回路基板の製造方法と、テトラフルオロエチレン系ポリマーのフィルムと熱硬化性接着剤層がこの順に積層され、プレス温度１６０℃、プレス圧力４ＭＰａ、プレス時間９０分間の条件で前記熱硬化性接着剤層を硬化させたときに、前記フィルムと硬化後の前記熱硬化性接着剤層との界面の剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上である接着剤層付きフィルム。

Description

処理回路基板、多層回路基板及びカバーレイフィルム付き回路基板の製造方法、並びに接着剤層付きフィルム

　本発明は、処理回路基板、多層回路基板及びカバーレイフィルム付き回路基板の製造方法、並びに接着剤層付きフィルムに関する。

　電子機器、電気機器の小型化、高機能化に伴い、導体回路が多層化された多層回路基板やカバーレイフィルム付き回路基板の需要が増えている。これらの回路基板の製造には、ポリイミドフィルムの表面に導体回路が設けられた元の回路基板と、熱硬化性接着剤層を有する基板（接着剤シート（ボンディングシート）又はカバーレイフィルム。）とを、熱圧着させる手法が採用されている。

　さらに近年は、これらの回路基板には、高周帯域の周波数に対応する電気特性（低誘電率等）と、はんだリフローに耐え得る耐熱性との具備が求められる。しかし、従来のポリイミドフィルムは、電気特性が不充分である。
　そこで、特許文献１には、元の回路基板の絶縁材料層、接着剤シート又はカバーレイフィルムとして液晶ポリマーフィルムを用いた多層回路基板が提案されている。

　特許文献２には、ポリイミドフィルムと、ポリイミドフィルムの表面に設けられた、接着性基を有する融点２８０～３２０℃のフッ素ポリマーの層と、該層の表面に設けられた金属箔とを有するフレキシブル金属積層板、それを用いたフレキシブルプリント基板が提案されている。

　特許文献３、４、５及び６には、電気特性に優れ、回路基板の伝送損失が低減されるカバーレイフィルムとして、ポリイミドフィルムとフッ素ポリマーを含む接着剤層とを有するカバーレイフィルムが提案されている。

日本特開２０１４－０４２０４３号公報 国際公開第２０１５／０８０２６０号 日本特開２０１４－０３２９８０号公報 日本特開２０１４－１９７６１１号公報 日本特開２０１５－１３３４８０号公報 日本特開２０１５－１７６９２１号公報

　耐熱性の液晶ポリマーは、その融点が、例えば２７０℃以上と高いため、これらの回路基板の製造に際しては、元の回路基板と接着性の基板とを２７０℃以上の高温で熱圧着する必要がある。
　そのため、液晶ポリマーフィルムを用いた場合、熱硬化性接着剤を接着剤層成分とする接着性の基板に使用される通常のプレス装置は、その熱圧着の設定温度が、例えば２２０℃未満と低いため対応できず、高温の熱圧着に対応したプレス装置が新たに必要となる。また、２７０℃以上の高温で熱圧着すると、液晶ポリマーフィルムが溶融してしまい、導体回路の位置がずれる場合もある。

　特許文献２のフレキシブルプリント基板と接着性の基板とを熱圧着する際も、フッ素ポリマーの融点以上の高温（例えば２８０℃以上）が必要となり、液晶ポリマーを用いた場合と同様の問題が生じる。
　比較的低い温度にて、元の回路基板と接着性基板を熱圧着して、多層回路基板やカバーレイフィルム付き回路基板を製造する方法が求められている。

　カバーレイフィルム等の接着性の基板に関しても、比較的低い温度の熱圧着での接着性と電気特性とを具備する基板が求められている。つまり、特許文献３、４、５及び６の、フッ素ポリマーを含む接着剤層を有するカバーレイフィルムにおいても、接着性を発現させるために、熱圧着におけるフッ素ポリマーの融点以上の高温加熱が必要であり、通常のプレス装置では対応できず、高温熱圧着が可能な特殊なプレス装置が必要となる。

　本発明は、比較的低い温度で接着性の基板と回路基板を熱圧着して、多層回路基板やカバーレイフィルム付き回路基板等を製造できる方法と、電気特性及び比較的低い温度での熱圧着でも接着性を充分に発現する接着性の基板との提供を目的とする。

　本発明は、下記の態様を有する。
　（１）テトラフルオロエチレン系ポリマーを含むポリマー層と前記ポリマー層の表面に設けられた導体回路とを有する回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、次いで、該回路基板のプラズマ処理面と接着剤層を有する基板の接着剤層とを２６０℃未満で熱圧着させて処理回路基板を製造することを特徴とする、処理回路基板の製造方法。
　（２）前記処理回路基板における熱圧着面の剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上である上記（１）の製造方法。
　（３）前記接着剤層を有する基板が接着剤層付きカバーレイフィルムであり、前記処理回路基板がカバーレイフィルム付き回路基板であるか、又は前記接着剤層を有する基板が接着剤シートであり前記処理回路基板が接着層付き回路基板である上記（１）又は（２）の製造方法。

　（４）前記プラズマ処理によって、前記プラズマ処理面を有する回路基板の前記ポリマー層の露出面のぬれ張力を３０ｍＮ／ｍ以上とする上記（１）～（３）の製造方法。
　（５）前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミド基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する上記（１）～（４）の製造方法。
　（６）前記テトラフルオロエチレン系ポリマーの融点が２６０℃以上である上記（１）～（５）の製造方法。
　（７）前記接着剤層が、ゴム変性エポキシ樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性接着剤層である上記（１）～（６）の製造方法。
　（８）前記接着剤層を有する基板が、プレス温度１６０℃、プレス圧力４ＭＰａ、プレス時間９０分間の条件で、前記回路基板のプラズマ処理面と前記接着剤層を有する基板の接着剤層とを熱圧着させたときに、前記処理回路基板における熱圧着面の剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上となる基板である上記（１）～（７）の製造方法。

　（９）テトラフルオロエチレン系ポリマーを含むポリマー層と該ポリマー層の表面に設けられた導体回路とを有する回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、次いで、複数の前記プラズマ処理面を有する回路基板のプラズマ処理面をそれぞれ対向させ、それぞれのプラズマ処理面の間に接着剤シートを配置して、２６０℃未満で熱圧着させて複数層の導体回路を有する多層回路基板を製造することを特徴とする、多層回路基板の製造方法。
　（１０）テトラフルオロエチレン系ポリマーを含むポリマー層と前記ポリマー層の表面に設けられた導体回路とを有する回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、次いで、該回路基板のプラズマ処理面と接着剤層付きカバーレイフィルムの接着剤層とを２６０℃未満で熱圧着させてカバーレイフィルム付き回路基板を製造することを特徴とする、カバーレイフィルム付き回路基板の製造方法。
　（１１）テトラフルオロエチレン系ポリマーのフィルムと熱硬化性接着剤層がこの順に積層され、プレス温度１６０℃、プレス圧力４ＭＰａ、プレス時間９０分間の条件で前記熱硬化性接着剤層を硬化させたときに、前記フィルムと硬化後の前記熱硬化性接着剤層との界面の剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする、接着剤層付きフィルム。

　（１２）前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミド基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する上記（１１）の接着剤層付きフィルム。
　（１３）前記テトラフルオロエチレン系ポリマーの融点が、２６０℃以上である上記（１１）又は（１２）の接着剤層付きフィルム。
　（１４）前記熱硬化性接着剤層が、ゴム変性エポキシ樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性接着剤層である上記（１１）～（１３）の接着剤層付きフィルム。
　（１５）カバーレイフィルム又は層間絶縁フィルムである上記（１１）～（１４）の接着剤層付きフィルム。

　本発明の製造方法によれば、比較的低い温度で回路基板と接着性の基板を熱圧着して、多層回路基板やカバーレイフィルム付き回路基板等の処理回路基板を製造できる。
　本発明によれば、比較的低い温度で、電気特性に優れ、充分な接着性を発現する、カバーレイフィルムや層間絶縁フィルムとして有用な接着剤層付きフィルムが得られる。

多層回路基板の一例を示す断面図である。 多層回路基板の他の例を示す断面図である。 多層回路基板の他の例を示す断面図である。 図１の多層回路基板を製造する様子を示す断面図である。 図２の多層回路基板を製造する様子を示す断面図である。 図３の多層回路基板を製造する様子を示す断面図である。 接着フィルムをカバーレイフィルムとする一例を示した断面図である。

接着フィルムを層間絶縁フィルムとする一例を示した断面図である。 カバーレイフィルム付き回路基板の一例を示す断面図である。 カバーレイフィルム付き回路基板の他の例を示す断面図である。 カバーレイフィルム付き回路基板の他の例を示す断面図である。 カバーレイフィルム付き多層回路基板の一例を示す断面図である。 カバーレイフィルム付き多層回路基板の他の例を示す断面図である。 図９の回路基板を製造する様子を示す断面図である。

図１０の回路基板を製造する様子を示す断面図である。 図１１の回路基板を製造する様子を示す断面図である。 図１２の多層回路基板を製造する様子を示す断面図である。 図１３の多層回路基板を製造する様子を示す断面図である。

　以下の用語の定義は、本明細書及び特許請求の範囲にわたって適用される。
　「熱圧着の温度」は、プレス装置における熱盤の設定温度である。
　「融点」は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）法で測定した融解ピークの最大値に対応する温度である。
　「ぬれ張力」は、ＪＩＳ　Ｋ　６７６８：１９９９（対応国際規格ＩＳＯ　８２９６：１９８７）にしたがって測定される値である。ぬれ張力の測定においては、試験片上に、ぬれ張力既知の試験液に浸した綿棒を素早くこすりつけ、６ｃｍ^２の液膜を形成し、塗布２秒後の液膜の状態を観察し、破れが生じていなければ、ぬれているとする。液膜の破れが起こらない最大のぬれ張力が、その試験片のぬれ張力とされる。なお、ＪＩＳ　Ｋ　６７６８：１９９９で規定されている試験液のぬれ張力の下限は２２．６ｍＮ／ｍである。

　「処理回路基板の剥離強度」は、次のようにして測定された値である。処理回路基板を長さ１５０ｍｍ、幅１０ｍｍに切り出し、評価サンプルを作製する。評価サンプルの長さ方向の一端から５０ｍｍの位置までポリマー層及び導体回路と接着層との間を剥離する。引張試験機を用いて引張速度５０ｍｍ／分で９０°となるように剥離し、測定距離２０ｍｍから８０ｍｍまでの平均荷重を剥離強度（Ｎ／ｃｍ）とする。

　「接着剤層付きフィルムの剥離強度」は、次のようにして測定された値である。熱硬化後の接着剤層付きフィルムを長さ１５０ｍｍ、幅１０ｍｍに切り出し、評価サンプルを作製する。評価サンプルの長さ方向の一端から５０ｍｍの位置までポリマー層と熱硬化後の熱硬化性接着層との間を剥離する。引張試験機を用いて引張速度５０ｍｍ／分で９０°となるように剥離し、測定距離２０ｍｍから８０ｍｍまでの平均荷重を剥離強度（Ｎ／ｃｍ）とする。

　「溶融成形可能なポリマー」とは、荷重４９Ｎの条件下、樹脂の融点よりも２０℃以上高い温度において、溶融流れ速度が０．１～１０００ｇ／１０分となる温度が存在するポリマーを意味する。
　「溶融流れ速度」は、ＪＩＳ　Ｋ　７２１０－１：２０１４（対応国際規格ＩＳＯ　１１３３－１：２０１１）に規定されるメルトマスフローレイト（ＭＦＲ）である。
　「十点平均粗さ（Ｒｚ_ＪＩＳ）」は、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２０１３の附属書ＪＡで規定される値である。

　「単位」は、単量体１分子が重合して直接形成される原子団と、該原子団の一部を化学変換して得られる原子団との総称である。単量体に基づく単位を、単に、「単位」とも記す。
　「圧力」の値は、特に、言及のない限り、「絶対圧」を示す。
　図１～図１８は、いずれも模式的図面であり、それらにおける寸法比は、説明の便宜上、実際のものとは異なる。

　本発明における処理回路基板は、テトラフルオロエチレン系ポリマー（以下、Ｆポリマーとも記す。）を含むポリマー層（以下、Ｆ層とも記す。）とＦ層の表面に設けられた導体回路とを有する回路基板（以下、元の回路基板とも記す。）の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、さらに前記回路基板のプラズマ処理面と接着剤層を有する基板（以下、接着性基板とも記す。）の接着剤層を２６０℃未満で熱圧着させて得られる。

　処理回路基板は、Ｆ層と、Ｆ層の表面に設けられた導体回路と、前記導体回路の表面及び前記導体回路が設けられた部分以外のＦ層の表面に接する接着層（以下、接着層とも記す。）を有する。接着層は、熱圧着により接着性基板から形成される層であり、具体的には、後述する接着剤シートや接着剤層付きカバーレイフィルムの接着剤層に由来する層である。
　処理回路基板は、接着性基板が接着剤層付きカバーレイフィルムであり処理回路基板がカバーレイフィルム付き回路基板であるか、又は接着性基板が接着剤シートであり処理回路基板が接着層付き回路基板であるのが好ましい。

　後者の処理回路基板においては、処理回路基板の表面に接するカバーレイ層をさらに有していてもよい。カバーレイ層は、導体回路を保護する層であり、具体的には、後述する接着剤層付きカバーレイフィルムから形成されるカバーレイ層が挙げられる。
　処理回路基板は、Ｆ層の導体回路が設けられた側とは反対側の表面に接する耐熱性基材層を有していてもよい。
　処理回路基板は、Ｆ層を２層以上有してもよく、耐熱性基材層を２層以上有してもよく、カバーレイ層を２層以上有してもよい。

　処理回路基板には、スルーホール、ビアホール等が形成されていてもよい。
　処理回路基板における熱圧着面の剥離強度は、５Ｎ／ｃｍ以上が好ましく、８Ｎ／ｃｍ以上がより好ましく、１０Ｎ／ｃｍ以上が特に好ましい。剥離強度が前記範囲の下限値以上であれば、Ｆ層と接着層との接着性に優れる。剥離強度は高ければ高いほどよく、上限値は限定されない。なお、熱圧着面とは、Ｆ層及び導体回路と接着層との界面である。
　耐熱性基材層は、耐熱性基材を含む層であり、単層構造であってもよく、多層構造であってもよい。

　耐熱性基材としては、ポリイミド（芳香族ポリイミド等）、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリアリルスルホン（ポリエーテルスルホン等）、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェニレンスルファイド、ポリアリルエーテルケトン、ポリアミドイミド、液晶ポリエステル、繊維強化基材が挙げられる。
　繊維強化基材は、マトリックス樹脂（エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の硬化物、耐熱性樹脂等）とマトリックス樹脂に埋設された強化繊維（ガラス繊維、カーボン繊維、アラミド繊維、ポリベンゾオキサゾール繊維、ポリアリレート繊維等。織布でもあってもよく、不織布であってもよい。）を有する基材である。
　耐熱性基材層の厚さは、通常５～１５０μｍであり、７．５～１００μｍが好ましく、１２～７５μｍがより好ましい。

　本発明における導体回路としては、金属箔とＦ層と必要に応じて耐熱性基材層とを有する金属張積層板の金属箔をエッチング等によって加工した所定の回路パターンが形成された導体回路、前記金属張積層板の金属箔を後述するＳＡＰ法又はＭＳＡＰ法によって加工した所定の回路パターンが形成された電解銅めっきの導体回路等が挙げられる。
　金属箔の材質としては、銅、銅合金、ステンレス鋼、ニッケル、ニッケル合金（４２合金も含む。）、アルミニウム、アルミニウム合金等が挙げられる。電子機器に用いられる通常の回路基板においては、圧延銅箔、電解銅箔等の銅箔が多用されており、本発明における金属箔も銅箔が好適である。

　金属箔の表面には、防錆層（クロメート等の酸化物皮膜等）、耐熱層等が形成されていてもよい。金属箔の表面には、接着層との接着性を高めるための表面処理（カップリング剤処理等）が施されていてもよい。
　金属箔の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ_ＪＩＳ）は、０．２～２．０μｍが好ましく、０．３～１．５μｍがより好ましい。この場合、接着層との接着力と、電気的伝送損失の低減とをバランスさせやすい。
　金属箔の厚さは、５～７５μｍが好ましい。
　導体回路は、前記金属張積層板を、セミアディティブ法（ＳＡＰ法）又はモディファイドセミアディティブ法（ＭＳＡＰ法）によって加工して形成するのが好ましい。

　ＳＡＰ法の第１の形態としては、下記の工程を有する方法が挙げられる。
　金属張積層板の金属箔のすべてをエッチングによって除去する工程、
　スルーホール及びビアホールのいずれか一方又は両方を設ける工程、
　全表面（スルーホール及びビアホールを含む）についてデスミア処理する工程、
　全表面（スルーホール及びビアホールを含む）について無電解めっき層を設ける工程、
　無電解めっき層の表面の非回路領域にめっきレジストを設ける工程、
　めっきレジストを設けた後、電解めっきによって導体回路を形成する工程、
　めっきレジストを除去する工程、
　めっきレジストを除去して露出した無電解めっき層をフラッシュエッチングによって除去する工程。

　ＳＡＰ法の第２の形態としては、下記の工程を有する方法が挙げられる。
　金属張積層板にスルーホール及びビアホールのいずれか一方又は両方を設ける工程、
　全表面（スルーホール及びビアホールを含む）についてデスミア処理する工程、
　金属箔のすべてをエッチングによって除去する工程、
　全表面（スルーホール及びビアホールを含む）について無電解めっき層を設ける工程、
　無電解めっき層の表面の非回路領域にめっきレジストを設ける工程、
　めっきレジストを設けた後、電解めっきによって導体回路を形成する工程、
　めっきレジストを除去する工程、
　めっきレジストを除去して露出した無電解めっき層をフラッシュエッチングによって除去する工程。

　ＭＳＡＰ法の第１の形態としては、下記の工程を有する方法が挙げられる。
　金属張積層板にスルーホール及びビアホールのいずれか一方又は両方を設ける工程、
　全表面（スルーホール及びビアホールを含む）についてデスミア処理する工程、
　全表面（スルーホール及びビアホールを含む）について無電解めっき層を設ける工程、
　無電解めっき層の表面の非回路領域にめっきレジストを設ける工程、
　めっきレジストを設けた後、電解めっきによって導体回路を形成する工程、
　めっきレジストを除去する工程、
　めっきレジストを除去して露出した無電解めっき層及び金属箔をフラッシュエッチングによって除去する工程。

　ＭＳＡＰ法の第２の形態としては、下記の工程を有する方法が挙げられる。
　金属張積層板の金属箔の表面の非回路領域にめっきレジストを設ける工程、
　めっきレジストを設けた後、電解めっきによって導体回路を形成する工程、
　めっきレジストを除去する工程、
　めっきレジストを除去して露出した金属箔をフラッシュエッチング等によって除去する工程。

　本発明における接着性基板は、接着剤シート又は接着剤層付きカバーレイフィルムが好ましい。また、接着性基板の接着剤層は、熱可塑性であってもよく熱硬化性であってもよく、熱硬化性が好ましい。つまり、接着性基板は、熱硬化性接着剤層を有する基板が好ましい。この場合、処理回路基板における接着層には、これらの接着成分の硬化物（熱硬化性接着剤の硬化物。）が含まれる。

　接着剤シートは、シート状の接着剤であり、接着剤のみからなるシートであってもよく、耐熱性樹脂フィルムの両面に接着剤層が設けられてなるシートであってもよい。接着剤シートにおける接着剤が熱硬化性接着剤である場合、熱硬化性接着剤は半硬化状態の半硬化物が好ましい。
　接着剤層付きカバーレイフィルムは、カバーレイ層（カバーレイフィルム）と、カバーレイ層の片面に設けられた接着剤層とを有する。接着剤層付きカバーレイフィルムの接着剤層における接着剤が熱硬化性接着剤である場合、熱硬化性接着剤は半硬化状態の半硬化物が好ましい。

　カバーレイ層の材質としては、耐熱性樹脂、Ｆポリマー等が挙げられる。
　カバーレイ層の厚さは、１２～１００μｍが好ましい。接着性基板の接着剤層の厚さは、５～５０μｍが好ましい。熱硬化性接着剤層は、熱硬化性樹脂を含むのが好ましい。
　熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和ポリフェニレンエーテル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビニルエステル樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、２種以上を併用してもよい。　　。

　熱硬化性接着剤層は、通常、硬化剤と硬化促進剤とを含む。
　硬化剤は、熱硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択される。たとえば、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合の硬化剤としては、アミン系硬化剤、フェノール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、ジシアンジアミド、低分子量ポリフェニレンエーテル化合物が挙げられる。　硬化剤は２種以上を併用してもよい。
　硬化促進剤としては、イミダゾール、３級アミン、有機ホスフィン、金属石鹸等が挙げられる。硬化促進剤は２種以上を併用してもよい。

　熱硬化性接着剤層は、フィラー、熱可塑性樹脂、他の添加剤を更に含んでいてもよい。
　フィラーとしては、シリカ、金属酸化物（酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン等。）、金属水酸化物（水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等。）、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、タルク、クレー、雲母粉、硬化樹脂粉、ゴム粒子（アクリルゴム粒子、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリルニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子等。）が挙げられる。フィラーは２種以上を併用してもよい。

　熱可塑性樹脂としては、アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、カルボジイミド樹脂が挙げられる。
　他の添加剤としては、難燃剤、難燃助剤、レベリング剤、着色剤等が挙げられる。
　本発明における熱硬化性接着剤層は、ゴム変性エポキシ樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性接着剤層が好ましい。

　ゴム変性エポキシ樹脂は、エポキシ基を２個以上有し、樹脂構造にゴム骨格が形成されたエポキシ樹脂である。ゴム骨格を形成するゴムとしては、ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエンゴム、スチレン系エラストマー、ウレタンゴム、アクリルゴムが挙げられる。アクリロニトリルブタジエンゴムは、カルボキシル基末端を有していてもよい。スチレン系エラストマーはスチレン－ブタジエンブロック共重合体、スチレン－エチレンプロピレンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－エチレンブチレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－エチレンプロピレン－スチレンブロック共重合体が挙げられる。ウレタンゴムはポリカーボネートジオールとイソシアネートの共重合体が挙げられる。アクリルゴムはグリシジル（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリレート及び芳香族ビニル化合物の共重合体が挙げられる。

　ゴム変性エポキシ樹脂のエポキシ当量は、２００～３５０ｇ／ｅｑが好ましい。
　ゴム変性エポキシ樹脂は、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂又は酸化型エポキシ樹脂が好ましい。
　グリシジルエーテル型エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂又はアルコール型エポキシ樹脂が好ましい。

　グリシジルエステル型エポキシ樹脂は、ヒドロフタル酸型エポキシ樹脂又はダイマー酸型エポキシ樹脂が好ましい。
　硬化剤は、ジシアンジアミド、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、フェノールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂、アミノトリアジンノボラック樹脂、又は酸無水物が好ましい。耐熱性の観点から、アミノトリアジンノボラック樹脂が好ましい。

　本発明におけるＦ層は、テトラフルオロエチレン（以下、ＴＦＥとも記す。）に基づく単位（以下、ＴＦＥ単位とも記す。）を有するテトラフルオロエチレン系ポリマー（Ｆポリマー）を含む層である。
　Ｆ層は、無機フィラー、Ｆポリマー以外の樹脂、添加剤等を含んでいてもよい。Ｆ層中のＦポリマーの割合は、９０質量％以上がより好ましく、その上限値は１００質量％である。

　Ｆ層の厚さは、通常１～１０００μｍであり、５～５００μｍが好ましく、１０～５００μｍがより好ましく、１０～３００μｍが更に好ましく、１０～２００μｍが特に好ましい。
　Ｆポリマーとしては、溶融成形可能なＦポリマーが好ましい。前記Ｆポリマーの溶融流れ速度は、０．１～１０００ｇ／１０分が好ましく、０．５～１００ｇ／１０分がより好ましく、５～２０ｇ／１０分が特に好ましい。

　Ｆポリマーの融点は、２６０℃以上が好ましく、２６０～３２５℃がより好ましく、２８０～３２０℃がさらに好ましく、２８０～３１５℃が特に好ましい。この場合、Ｆ層の耐熱性が優れ、導体回路等を形成する際の熱圧着における位置ずれを抑制しやすい。また、汎用的な装置を使用できる。
　Ｆポリマーのフッ素含有量は、７０～７８質量％が好ましい。なお、フッ素含有量は、Ｆポリマーの総質量に対するフッ素原子の合計質量の割合であり、^１９Ｆ－ＮＭＲによって求められる。

　Ｆポリマーは、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミド基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基（以下、官能基とも記す。）を有していてもよく、官能基を有していなくてもよい。Ｆ層と、他の層（接着層、導体回路、耐熱性基材層等。以下同様。）との接着性がさらに優れる点から、官能基を有するＦポリマーが好ましい。
　官能基を有するＦポリマーとしては、官能基を有する単量体に基づく単位又は官能基を有する末端基を有するＦポリマーが挙げられる。具体的には、官能基を有するＴＦＥとＰＡＶＥのコポリマー、官能基を有するＴＦＥとＨＦＰのコポリマー、官能基を有するエチレンとＴＦＥのコポリマー等が挙げられる。

　Ｆポリマー中の官能基の種類は、２種以上であってもよい。
　官能基としては、Ｆ層と他の層との接着性がさらに優れる点から、カルボニル基含有基が好ましい。カルボニル基含有基としては、ケト基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基、酸無水物残基を例示できる。なお、「酸無水物残基」とは、－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－で表される基を意味する。
　ケト基は、炭素数２～８のアルキレン基中の炭素原子間に含まれるのが好ましい。なお、前記アルキレン基の炭素数は、ケト基の炭素原子を含まない炭素数である。
　ハロホルミル基は、－Ｃ（＝Ｏ）Ｆ、－Ｃ（＝Ｏ）Ｃｌ、－Ｃ（＝Ｏ）Ｂｒ、－Ｃ（＝Ｏ）Ｉを例示でき、－Ｃ（＝Ｏ）Ｆが好ましい。

　アルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基は、炭素数１～８のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基又はエトキシ基が特に好ましい。
　カルボニル基含有基としては、酸無水物残基又はカルボキシ基が好ましい。
　Ｆポリマー中の官能基の含有量は、Ｆポリマーの主鎖炭素数１×１０^６個に対し１０～６００００個が好ましく、３００～５０００個が特に好ましい。この場合、Ｆ層と他の層との接着性、特に低温接着性が優れる。
　接着性官能基の含有量は、日本特開２００７－３１４７２０号公報に記載の方法によって測定できる。

　Ｆポリマー中の官能基は、Ｆ層と他の層の接着性の観点から、Ｆポリマーの主鎖の末端基又はＦポリマーの主鎖のペンダント基として存在するのが好ましく、Ｆポリマーの主鎖のペンダント基として存在するのが特に好ましい。これらのＦポリマーは、ＴＦＥと官能基を有する単量体を共重合させる方法や、官能基をもたらす連鎖移動剤や重合開始剤を用いてＴＦＥを重合させる方法で製造できる。

　官能基を有するモノマーとしては、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミド基、アミノ基、又はイソシアネート基を有するモノマーが好ましく、酸無水物残基又はカルボキシ基を有するモノマーが特に好ましい。かかるモノマーとしては、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸、ウンデシレン酸、無水イタコン酸（以下、「ＩＡＨ」とも記す。）、無水シトラコン酸（以下、ＣＡＨとも記す。）、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物（以下、ＮＡＨとも記す。）、無水マレイン酸、ヒドロキシアルキルビニルエーテル、エポキシアルキルビニルエーテルを例示できる。
　官能基をもたらす連鎖移動剤としては、酢酸、無水酢酸、酢酸メチル、エチレングリコール、プロピレングリコールを例示できる。

　官能基をもたらす重合開始剤としては、ジ－ｎ－プロピルペルオキシジカーボネート、ジイソプロピルペルオキシカーボネート、ｔｅｒｔ－ブチルペルオキシイソプロピルカーボネート、ビス（４－ｔｅｒｔ－ブチルシクロヘキシル）ペルオキシジカーボネート、ジ－２－エチルヘキシルペルオキシジカーボネートを例示できる。
　官能基が主鎖のペンダント基として存在するＦポリマーとしては、その接着性の観点から、ＴＦＥ単位と、酸無水物残基を有するモノマーに基づく単位と、ＴＦＥ以外のフルオロオレフィンに基づく単位とを有するＦポリマーを例示できる。

　前記モノマーは、ＩＡＨ、ＣＡＨ、ＮＡＨ、又は無水マレイン酸が好ましく、ＩＡＨ、ＣＡＨ又はＮＡＨがより好ましく、ＩＡＨ又はＮＡＨが特に好ましい。この場合、Ｆ層と他の層の接着性に優れる。
　なお、前記Ｆポリマーには、酸無水物残基の一部が加水分解して形成される、１，２－ジカルボン酸残基が含まれる場合もある。この場合、１，２－ジカルボン酸単位の含有量は、酸無水物残基を有するモノマーに基づく単位の含有量に含まれるものとする。
　ＴＦＥ以外のフルオロオレフィンとしては、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン（以下、ＨＦＰとも記す。）、ヘキサフルオロイソブチレン、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）（以下、ＰＡＶＥとも記す。）、官能基を有するフルオロビニルエーテル、フルオロ（ジビニルエーテル）、ポリフルオロ（アルキルエチレン）（以下、ＦＡＥとも記す。）、環構造を有するフルオロモノマーが挙げられ、Ｆポリマーの成形性、Ｆ層の耐屈曲性等に優れる点から、ＨＦＰ、ＰＡＶＥ、ＦＡＥが好ましい。

　ＰＡＶＥとしては、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３（以下、ＰＰＶＥとも記す。）、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_６Ｆを例示できる。
　ＦＡＥとしては、ＣＨ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_２Ｆ、ＣＨ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_４Ｆ、ＣＨ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_６Ｆ、ＣＨ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_２Ｈ、ＣＨ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_４Ｈ、ＣＨ_２＝ＣＦ（ＣＦ_２）_６Ｈ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｆ（以下、ＰＦＥＥとも記す。）、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４Ｆ（以下、ＰＦＢＥとも記す。）、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_６Ｆ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_２Ｈ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_４Ｈ、ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＦ_２）_６Ｈを例示できる。

　環構造を有するフルオロモノマーとしては、ペルフルオロ（２，２－ジメチル－１，３－ジオキソール）、２，２，４－トリフルオロ－５－トリフルオロメトキシ－１，３－ジオキソール、ペルフルオロ（２－メチレン－４－メチル－１，３－ジオキソラン）を例示できる。
　官能基を有するフルオロビニルエーテルとしては、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ(ＣＦ_３)ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＳＯ_２Ｆ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＳＯ_２Ｆ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ(ＣＦ_３)ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＳＯ_３Ｈ、ＣＦ_２＝ＣＦＯＣＦ_２ＣＦ_２ＳＯ_３Ｈ、ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３ＣＯＯＣＨ_３、ＣＦ_２＝ＣＦＯ（ＣＦ_２）_３ＣＯＯＨを例示できる。
　フルオロ（ジビニルエーテル）としては、ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２ＣＦ_２ＯＣＦ＝ＣＦ_２、ＣＦ_２＝ＣＦＣＦ_２ＯＣＦ＝ＣＦ_２を例示できる。

　Ｆポリマーは、前述したモノマー以外の非フッ素モノマーに基づく単位をさらに有していてもよい。
　非フッ素単量体としては、エチレン、プロピレン、１－ブテン、ビニルエステル（酢酸ビニル等）が挙げられる。
　Ｆポリマーの好ましい具体例としては、ＴＦＥとＮＡＨとＰＰＶＥのコポリマー、ＴＦＥとＩＡＨとＰＰＶＥのコポリマー、ＴＦＥとＣＡＨとＰＰＶＥのコポリマー、ＴＦＥとＩＡＨとＨＦＰのコポリマー、ＴＦＥとＣＡＨとＨＦＰのコポリマー、ＴＦＥとＩＡＨとＰＦＢＥとエチレンのコポリマー、ＴＦＥとＣＡＨとＰＦＢＥとエチレンのコポリマー、ＴＦＥとＩＡＨとＰＦＥＥとエチレンのコポリマー、ＴＦＥとＣＡＨとＰＦＥＥとエチレンのコポリマー、ＴＦＥとＩＡＨとＨＦＰとＰＦＢＥとエチレンのコポリマーを例示できる。

　Ｆポリマーは、ポリマーを構成する全単位の内、ＴＦＥ単位を５０～９９．８９モル％（より好ましくは、５０～９８．９モル％）含むのが好ましく、官能基を有するモノマーに基づく単位を０．０１～５モル％（より好ましくは、０．１～２モル％）含むのが好ましく、ＨＦＰ、ＰＡＶＥ又はＦＡＥに基づく単位を０．１～４９．９９モル％（より好ましくは、１～４９．９モル％）含むのが好ましい。
　この場合、Ｆ層の耐熱性、耐薬品性及び高温弾性率と、Ｆ層及び他の層の接着性と、Ｆポリマーの成形性及び耐屈曲性とが優れる。

　ＦポリマーがＴＦＥ単位と官能基を有するモノマーに基づく単位とＨＦＰ、ＰＡＶＥ又はＦＡＥに基づく単位とエチレンに基づく単位とを含む場合、ポリマーを構成する全単位の内、ＴＦＥ単位を２５～８０モル％（より好ましくは、４５～６３モル％）含むのが好ましく、官能基を有するモノマーに基づく単位を０．０１～５モル％（より好ましくは、０．０５～１モル％）含むが好ましく、ＨＦＰ、ＰＡＶＥ又はＦＡＥに基づく単位を０．２～２０モル％（より好ましくは、０．５～１５モル％）含むのが好ましく、エチレンに基づく単位を２０～７５モル％（より好ましくは、３７～５５モル％）含むのが好ましい。
　この場合、Ｆ層の耐薬品性及び耐屈曲性と、Ｆ層及び接着層、導体回路、耐熱性基材層等との接着性と、Ｆポリマーの成形性により優れる。

　官能基を有しないフッ素樹脂としては、ＴＦＥとＰＡＶＥのコポリマー、ＴＦＥとＨＦＰのコポリマー、エチレンとＴＦＥのコポリマー、フッ化ビニリデンのホモポリマー、クロロトリフルオロエチレンのホモポリマー、エチレンとクロロトリフルオロエチレンのコポリマー等が挙げられる。
　本発明の製造方法においては、Ｆ層とＦ層の表面に設けられた導体回路とを有する回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理する。
　プラズマ処理としては、大気圧プラズマ処理、真空プラズマ処理等が挙げられ、真空プラズマ処理が好ましい。

　真空プラズマ処理は、減圧容器内のグロー放電によるプラズマ処理であり、コロナ放電に比べて印加電圧が低く、消費電力を低減できる。また、低圧での処理のため、Ｆポリマー表面の酸化劣化が少なく、処理による汚染物質（Ｆポリマーの分解物である低分子量体等。）の発生が少ないため、ＷＢＬ（Ｗｅａｋ　Ｂｏｕｎｄａｒｙ　Ｌａｙｅｒ）の発生を抑制でき、Ｆ層と接着層との剥離強度がさらに向上できる。
　処理ガスとしては、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、窒素ガス、酸素ガス、二酸化炭素ガス、メタンガス、四フッ化炭素ガス、水素ガス等が挙げられる。処理ガスは単独のガスを使用してもよく、混合ガスを使用してもよい。処理ガスは、好適なぬれ張力を有するプラズマ処理面が形成される観点から、アルゴンガス、二酸化炭素ガス、窒素ガスと水素ガスとの混合ガス、アルゴンガスと水素ガスとの混合ガスが好ましい。

　ガス圧力は、０．１～１３３０Ｐａが好ましく、１～２６６Ｐａがより好ましい。
　プラズマ処理における処理ガスと処理圧力の好適な組み合せとしては、処理ガスが窒素ガス又はアルゴンガスと水素ガスとの混合ガスであるか又は二酸化炭素ガスであり、処理圧力が１～２６６Ｐａである、組み合せが挙げられる。この場合、濡れ張力に優れたプラズマ処理面を特に形成し易く、剥離強度の高い処理基板が得られやすい。
　前記ガス圧力下において電極間に、例えば、周波数１０ｋＨｚ～２ＧＨｚの高周波で１０Ｗ～１００ｋＷの電力を与えれば、グロー放電が安定する。周波数帯域としては、高周波以外に低周波、マイクロ波、直流等も使用できる。

　Ｆ層の露出面のぬれ張力を好適な範囲とするためには、放電電力を１０～５００Ｗとし、処理時間を１０～１００秒とすることが好ましい。
　真空プラズマ発生装置としては、内部電極型が好ましい。場合によっては、外部電極型であってもよく、コイル炉等の容量結合型又は誘導結合型であってもよい。
　電極の形状としては、平板状、リング状、棒状、シリンダー状等が挙げられる。処理装置の金属内壁を一方の電極としてアースした形状であってもよい。
　電極間に１０００Ｖ以上の電圧を印加し、安定なプラズマ状態を維持するためには、入力電極にかなりの耐電圧を持った絶縁被覆を施すのが好ましい。銅、鉄、アルミニウム等の金属むき出しの電極の場合、アーク放電となりやすいため、電極の表面にホーローコート、ガラスコート、セラミックコート等を施すことが好ましい。

　プラズマ処理面におけるＦ層の露出面のぬれ張力は、３０ｍＮ／ｍ以上が好ましく、３０～６０ｍＮ／ｍがより好ましく、３０～５０ｍＮ／ｍ以下がさらに好ましい。プラズマ処理面におけるＦ層の露出面のぬれ張力は、Ｆ層の表面における接着性基の量が多いほど高くなる傾向がある。濡れ張力が前記範囲の下限値以上であれば、熱圧着の温度を低くしてもＦ層と接着層との接剥離強度がさらに向上する。濡れ張力が前記範囲の上限値以下であれば、表面処理による汚染物質が少なく、汚染物質による密着阻害を抑制できる。

　本発明の製造方法においては、さらにプラズマ処理面を有する回路基板のプラズマ処理面と接着性基板の接着剤層とを２６０℃未満で熱圧着させる。たとえば、前記プラズマ処理面と接着剤シートとを熱圧着させるか、前記プラズマ処理面とカバーレイフィルムの接着剤層とを熱圧着させる。
　熱圧着の温度は、２６０℃未満であり、２２０℃未満が好ましく、２００℃以下がより好ましい。熱圧着の温度が２６０℃未満であれば、熱圧着における導体回路等の位置がずれにくく、また、従来の接着性基板を対象とするプレス装置を使用できる。

　熱圧着の温度は、Ｆ層と接着層との剥離強度に優れる点から、１２０℃以上が好ましく、１４０℃以上がより好ましく、１６０℃以上がさらに好ましい。熱圧着の圧力は、１～８ＭＰａが好ましく、２～６ＭＰａがより好ましい。熱圧着の時間は、３０～１５０分間が好ましく、６０～１２０分間がより好ましい。
　本発明の製造方法の好適な第１態様としては、元の回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、複数の前記プラズマ処理面を有する回路基板のプラズマ処理面をそれぞれ対向させ、それぞれのプラズマ処理面の間に接着剤シートを配置して、２６０℃未満で熱圧着させる、複数層の導体回路を有する多層回路基板の製造方法が挙げられる。

　本発明の製造方法の好適な第２態様としては、元の回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、さらに前記回路基板のプラズマ処理面と接着剤層付きカバーレイフィルムの接着剤層とを２６０℃未満で熱圧着させる、カバーレイフィルム付き回路基板の製造方法が挙げられる。
　図１は、多層回路基板の一例を示す断面図である。多層回路基板１は、耐熱性基材層１０と、その両面に設けられたＦ層１２と、Ｆ層１２の表面に設けられた導体回路１４と、導体回路１４の表面及びＦ層１２の表面に接する接着層１６と、接着層１６に接するカバーレイ層１８とを有する。

　図２は、多層回路基板の一例を示す断面図である。多層回路基板２は、２層の耐熱性基材層１０と、その各両面に設けられたＦ層１２と、Ｆ層１２の表面に設けられた導体回路１４と、両面が導体回路１４の表面及びＦ層１２の表面に接する接着層１６Ａと、片面が導体回路１４の表面及びＦ層１２の表面に接する接着層１６Ｂと、接着層１６Ｂに接するカバーレイ層１８とを有する。
　図３は、多層回路基板の一例を示す断面図である。多層回路基板３は、２層の耐熱性基材層１０と、その各片面に設けられたＦ層１２と、Ｆ層１２の表面に設けられた導体回路１４と、片方の表面が下側の導体回路１４の表面及びＦ層１２の表面に接し他方の表面が上側の耐熱性基材層１０に接する接着層１６Ａと、片面が上側の導体回路１４の表面及びＦ層１２の表面に接する接着層１６Ｂと、接着層１６Ｂに接するカバーレイ層１８とを有する。

　図４は、図１の多層回路基板を製造する様子を示す断面図である。
　回路基板２０は、耐熱性基材層１０と、その両面に設けられたＦ層１２と、Ｆ層１２の表面に設けられた導体回路１４とを有する。回路基板２０の両方の表面はプラズマ処理がされている。
　接着剤層付きカバーレイフィルム２２は、Ｆ層からなるカバーレイ層１８と、カバーレイ層１８の片面に設けられた接着剤層２６とを有する。
　下から順に、接着剤層付きカバーレイフィルム２２、回路基板２０、接着剤層付きカバーレイフィルム２２を、回路基板２０のプラズマ処理面に接着剤層２６が接するように積み重ねた後、これらを２６０℃未満で熱圧着する。

　図５は、図２の多層回路基板を製造する様子を示す断面図である。
　下から順に、接着剤層付きカバーレイフィルム２２、回路基板２０、接着剤シート２４、回路基板２０、接着剤層付きカバーレイフィルム２２を、回路基板２０のプラズマ処理面に接着剤層２６が接するように積み重ねた後、これらを２６０℃未満で熱圧着する。
　図６は、図３の多層回路基板を製造する様子を示す断面図である。
　回路基板３０は、耐熱性基材層１０と、その片面に設けられたＦ層１２と、Ｆ層１２の表面に設けられた導体回路１４とを有する。回路基板３０の導体回路１４側の表面はプラズマ処理がされている。
　下から順に、回路基板３０、接着剤シート２４、回路基板３０、接着剤層付きカバーレイフィルム２２を、回路基板３０のプラズマ処理面に接着剤層２６が接するように積み重ねた後、これらを２６０℃未満で熱圧着する。

　以上説明した本発明の製造方法においては、元の回路基板の、導体回路が設けられた側の表面をプラズマ処理しているため、２６０℃未満であっても、元の回路基板と接着性基板の接着剤層とが充分に熱圧着する。その結果、Ｆ層と接着層との接着性に優れ、Ｆ層及び導体回路の剥離強度が、例えば５Ｎ／ｃｍ以上である処理回路基板（多層回路基板、カバーレイフィルム付き回路基板等。）が得られる。

　本発明の接着剤層付きフィルム（以下、接着フィルムとも記す。）は、Ｆポリマーのフィルム（以下、Ｆフィルムとも記す。）と熱硬化性接着剤層がこの順に積層されたフィルムである。接着フィルムの熱硬化性接着剤層を、プレス温度１６０℃、プレス圧力４ＭＰａ、プレス時間９０分間の条件で硬化させたときの、Ｆフィルムと硬化後の前記熱硬化性接着剤層との界面の剥離強度は、５Ｎ／ｃｍ以上である。

　接着フィルムは、Ｆフィルムの片面のみに熱硬化性接着剤層が積層されていてもよく、Ｆフィルムの両面に熱硬化性接着剤層が積層されていてもよい。Ｆフィルムの片面のみに熱硬化性接着剤層が積層されたＦフィルムは、カバーレイフィルムとして有用である。Ｆフィルムの両面に熱硬化性接着剤層が積層されたＦフィルムは、層間絶縁フィルムとして有用である。接着フィルムがＦフィルムの両面に熱硬化性接着剤層を有する場合、いずれの熱硬化性接着剤層についても、Ｆフィルムと硬化後の熱硬化性接着剤層との界面の剥離強度は５Ｎ／ｃｍ以上である。

　Ｆフィルムと硬化後の前記熱硬化性接着剤層との界面の剥離強度は、８Ｎ／ｃｍ以上が好ましく、１０Ｎ／ｃｍ以上がより好ましい。前記剥離強度が前記範囲の下限値以上であれば、Ｆフィルムと硬化後の熱硬化性接着剤層との接着性が優れる。前記剥離強度は高ければ高いほどよく、上限値は限定されない。
　接着フィルムにおける熱硬化性接着剤層は、熱硬化性接着剤を含む。
　接着フィルムにおける熱硬化性接着剤層の厚さは、５～５０μｍが好ましい。接着フィルムがＦフィルムの両面に熱硬化性接着剤層を有する場合、それぞれの熱硬化性接着剤層の厚さは、前記範囲であることが好ましい。

　熱硬化性接着剤層は、熱硬化性樹脂を含むのが好ましい。熱硬化性接着剤層は、硬化剤と硬化促進剤とを、さらに含むのが好ましい。
　接着フィルムにおける熱硬化性樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の種類は、上述した本発明の処理回路基板の製造方法における、それらと同様であり、その好適な範囲も同様である。
　接着フィルムにおけるＦフィルムは、テトラフルオロエチレンに基づく単位を有するテトラフルオロエチレン系ポリマー（Ｆポリマー）を含むフィルムである。

　Ｆフィルムは、無機フィラー、Ｆポリマー以外の樹脂、添加剤等を含んでいてもよい。Ｆフィルム中のＦポリマーの割合は、９０質量％以上がより好ましい。Ｆポリマーの割合の上限値は１００質量％である。
　Ｆフィルムの厚さは、１２～１００μｍが好ましい。
　接着フィルムにおけるＦポリマーは、上述した本発明の処理回路基板の製造方法におけるＦポリマーと同様であり、その好適な範囲も同様である。
　接着フィルムの製造方法としては、Ｆフィルムの一方又は両方の表面に熱硬化性接着剤を塗布する方法、Ｆフィルムの一方又は両方の表面に熱硬化性接着剤シートを積層する方法が挙げられる。接着フィルムをカバーレイフィルムとして使用する場合は、Ｆフィルムの一方の表面に熱硬化性接着剤層を形成する。接着フィルムを層間絶縁フィルムとして使用する場合は、Ｆフィルムの両方の面に熱硬化性接着剤層を形成する。

　熱硬化性接着剤の塗布方法としては、ダイコート法、スプレー法、ロールコート法、スピンコート法、グラビアコート法、マイクログラビアコート法、グラビアオフセット法、ナイフコート法、キスコート法、バーコート法、ファウンテンメイヤーバー法、スロットダイコート法等が挙げられる。
　Ｆフィルムと熱硬化性接着剤シートとを積層する方法としては、プレス、ロールラミネート、ダブルベルトプレス等が挙げられる。

　接着フィルムの製造においては、Ｆフィルムの一方又は両方の表面にプラズマ処理し、Ｆフィルムのプラズマ処理された側の表面に熱硬化性接着剤層を形成することが好ましい。これにより、Ｆフィルムと熱硬化性接着剤層との接着性がさらに優れる。プラズマ処理の諸条件は、本発明の処理回路基板の製造方法におけるプラズマ処理で記載した内容と同様であり、その好適な範囲も同様である。
　接着フィルムにおけるＦフィルムのプラズマ処理面のぬれ張力は、３０ｍＮ／ｍ以上が好ましく、３０～６０ｍＮ／ｍがより好ましく、３０～５０ｍＮ／ｍがさらに好ましい。Ｆフィルムのプラズマ処理面のぬれ張力は、Ｆフィルムの表面における官能基の量が多いほど高くなる傾向がある。ぬれ張力が前記範囲の下限値以上であれば、熱圧着の温度を低くしてもＦフィルムと熱硬化性接着剤層との接着性がさらに優れる。ぬれ張力が前記範囲の上限値以下であれば、表面処理により生成する汚染物質が少なく、汚染物質による密着阻害が起こりにくい。

　以上説明したように、本発明の接着フィルムは、Ｆフィルムと熱硬化性接着剤層とが積層されている。Ｆフィルムはポリイミドフィルムに比べて電気特性に優れるため、高周波数用途のプリント基板材料として使用した場合に、伝送損失を低減できる。また、本発明の接着フィルムは、温度１６０℃、圧力４ＭＰａ及び時間９０分間の条件で熱プレスして熱硬化性接着剤層を硬化したときに、Ｆフィルムと硬化後の熱硬化性接着剤層との界面の剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上である。そのため、本発明の接着フィルムと回路基板とは比較的低温（２６０℃未満）の熱圧着であっても、強固に接着できる。

　さらに、本発明の接着フィルムにおいては、Ｆポリマーとして官能基を有するＦポリマーを使用すれば、Ｆフィルムと硬化後の熱硬化性接着剤層との界面の剥離強度を５Ｎ／ｃｍ以上に調整しやすい。また、プラズマ処理により表面の濡れ性が調整されたＦフィルムの表面に熱硬化性接着剤層を形成すれば、Ｆフィルムと硬化後の熱硬化性接着剤層との界面の剥離強度を５Ｎ／ｃｍ以上に調整しやすい。
　本発明の接着フィルムは、カバーレイフィルム又は層間絶縁フィルムとして使用するのが好ましく、上述した本発明の処理基板の製造方法における接着性基材として使用するのが特に好ましい。
　図７は、接着フィルムをカバーレイフィルムとして使用する一例を示す断面図である。接着フィルム１０’は、Ｆフィルム１２’と、Ｆフィルム１２’の表面に設けられた熱硬化性接着剤層１４’とを有する。Ｆフィルム１２’の熱硬化性接着剤層１４’側の表面はプラズマ処理されている。

　図８は、接着フィルムを層間絶縁フィルムとして使用する一例を示す断面図である。接着フィルム１１’は、Ｆフィルム１２’と、その両面に設けられた熱硬化性接着剤層１４’とを有する。Ｆフィルム１２’の熱硬化性接着剤層１４’側の表面はプラズマ処理されている。
　図９は、接着フィルムをカバーレイフィルムとするカバーレイフィルム付き回路基板の一例を示す断面図である。カバーレイフィルム付き回路基板１’は、絶縁層２０’と、その両面に設けられた導体回路２２’と、導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’の表面に接する硬化後の接着フィルム１０’である接着フィルム１０’’とを有する。接着フィルム１０’’では、接着フィルム１０’の熱硬化性接着剤層１４’が熱硬化して形成された接着層１４’’が導体回路２２’の表面及び導体回路２２’が設けられた部分以外の絶縁層２０’の表面に接している。

　図１０は、接着フィルムをカバーレイフィルムとするカバーレイフィルム付き回路基板の他の例を示す断面図である。カバーレイフィルム付き回路基板２’は、２つの絶縁層２０’と、その両面に設けられた導体回路２２’と、両面が導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’の表面に接する接着層２４’ ’と、導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’の表面に接する接着フィルム１０’’とを有する。
　図１１は、接着フィルムをカバーレイフィルムとするカバーレイフィルム付き回路基板の他の例を示す断面図である。カバーレイフィルム付き回路基板３’は、２つの絶縁層２０’と、その片面に設けられた導体回路２２’と、片方の表面が下側の導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’の表面に接し、他方の表面が上側の絶縁層２０’に接する接着層２４’ ’と、上側の導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’の表面に接する接着フィルム１０’’とを有する。

　図１２は、接着フィルムをカバーレイフィルム及び層間絶縁フィルムとするカバーレイフィルム付き多層回路基板の一例を示す断面図である。カバーレイフィルム付き多層回路基板４’は、２つの絶縁層２０’と、その各両面に設けられた導体回路２２’と、両面が導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’の表面に接する硬化後の接着フィルム１１’である接着フィルム１１’’と、導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’の表面に接する接着フィルム１０’’を有する。
　接着フィルム１０’’では、接着フィルム１０’の熱硬化性接着剤層１４’が熱硬化して形成された接着層１４’’が導体回路２２’の表面及び導体回路２２が設けられた部分以外の絶縁層２０’の表面に接している。
　接着フィルム１１’’ の両面では、接着フィルム１１の両面の熱硬化性接着剤層１４が熱硬化して形成された接着層１４’’が導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’のそれぞれの表面に接している。

　図１３は、接着フィルムをカバーレイフィルム及び層間絶縁フィルムとするカバーレイフィルム付き多層回路基板の他の例を示す断面図である。カバーレイフィルム付き回路基板５は、２つの絶縁層２０’と、その各片面に設けられた導体回路２２’と、一方の表面が下側の導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’の表面に接し、他方の表面が上側の絶縁層２０’に接する接着フィルム１１’’と、上側の導体回路２２’の表面及び絶縁層２０’の表面に接する接着フィルム１０’’とを有する。

　図１４は、図９の回路基板を製造する様子を示す断面図である。
　回路基板３０’は、絶縁層２０’と、その両面に設けられた導体回路２２’とを有する。回路基板３０’の両面の絶縁層２０’の表面はプラズマ処理されている。下から順に、接着フィルム１０’、回路基板３０’、接着フィルム１０’を、回路基板３０’のプラズマ処理面に熱硬化性接着剤層１４’が接するように積み重ねた後、これらを熱圧着する。

　図１５は、図１０の回路基板を製造する様子を示す断面図である。
　下から順に、接着フィルム１０’、回路基板３０’、接着剤シート２４’、回路基板３０’、接着フィルム１０’を、回路基板３０’のプラズマ処理面に熱硬化性接着剤層１４’が接するように積み重ねた後、これらを熱圧着する。
　図１６は、図１１の回路基板を製造する様子を示す断面図である。
　回路基板３２’は、絶縁層２０’と、その片面に設けられた導体回路２２とを有する。回路基板３２’の絶縁層２０’の導体回路２２’が設けられた側の表面は、プラズマ処理されている。下から順に、回路基板３２’、接着剤シート２４’、回路基板３２’、接着フィルム１０’を、回路基板３２’のプラズマ処理面に熱硬化性接着剤層１４’が接するように積み重ねた後、これらを熱圧着する。

　図１７は、図１２の回路基板を製造する様子を示す断面図である。
　下から順に、接着フィルム１０’、回路基板３０’、接着フィルム１１’、回路基板３０’、接着フィルム１０’を、回路基板３０’のプラズマ処理面に熱硬化性接着剤層１４’が接するように積み重ねた後、これらを熱圧着する。
　図１８は、図１３の回路基板を製造する様子を示す断面図である。
　下から順に、回路基板３２’、接着フィルム１１’、回路基板３２’、接着フィルム１０’を、回路基板３２’のプラズマ処理面に熱硬化性接着剤層１４’が接するように積み重ねた後、これらを熱圧着する。

　なお、回路基板３０’及び３２’としては、上述した本発明の製造方法における元の回路基板の導体回路側の表面を少なくともプラズマ処理して得られる、プラズマ処理面を有する回路基板であるのが好ましい。
　以上説明したように、本発明の接着フィルムは、カバーレイフィルム、層間絶縁フィルム等として、電気特性に優れた、高周波数用途においても伝送損失を低減でき、また比較的低温使用（２６０℃未満）が可能なフィルムである。

　以下、実施例によって本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定して解釈されない。なお、実施例などで使用した材料と、物性及び評価方法は、以下の通りである。
　（ポリマーの融点）
　示差走査熱量計（セイコーインスツル社製、ＤＳＣ－７０２０）を用い、ポリマーを１０℃／分の速度で昇温したときの融解ピークを記録し、極大値に対応する温度（℃）を融点とした。

　（ポリマーの溶融流れ速度）
　メルトインデクサー（テクノセブン社製）を用い、３７２℃、４９Ｎ荷重下で、直径２ｍｍ、長さ８ｍｍのノズルから１０分間に流出するポリマーの質量（ｇ）を測定して溶融流れ速度とした。
　（ぬれ張力）
　プラズマ処理後のポリマー層の露出面のぬれ張力は、ぬれ張力試験用混合液（和光純薬工業社製）を用い、ＪＩＳ　Ｋ　６７６８：１９９９にしたがって求めた。
　（剥離強度）
　対象物（フィルム又は処理回路基板）を長さ１５０ｍｍ、幅１０ｍｍに切り出し、評価サンプルを作製した。評価サンプルの長さ方向の一端から５０ｍｍの位置までポリマー層と接着層との間を剥離した。引張試験機を用いて引張速度５０ｍｍ／分で９０°となるように剥離し、測定距離２０ｍｍから８０ｍｍの平均荷重を剥離強度（Ｎ／ｃｍ）とした。

　＜ＴＦＥ系ポリマー＞
　ポリマーＦ１：国際公開第２０１６／１０４２９７号の段落［０１１１］～［０１１３］の記載にしたがって製造したポリマー（各単位の割合（モル比）：ＴＦＥ単位／ＮＡＨ単位／ＰＰＶＥ単位＝９７．９／０．１／２．０、接着性基の含有量：ポリマーの主鎖炭素数１×１０^６個に対し１０００個、融点：３０５℃、溶融流れ速度：１１．０ｇ／１０分、フッ素含有量：７５質量％。）。
　ポリマーＦ２：市販のＰＦＡ（各単位の割合（モル比）：ＴＦＥ単位／ＰＰＶＥ単位＝９８．０／２．０、融点：３１０℃、溶融流れ速度：１１．０ｇ／１０分、フッ素含有量：７５質量％）。

　＜フィルムＦ１＞
　フィルムＦ１：７５０ｍｍ巾のコートハンガーダイを有する６５ｍｍφ単軸押出機を用い、ダイ温度３４０℃でポリマーＦ１をフィルム状に押出成形して得られるフィルム（厚さ１２μｍ）。
　＜フィルムＦ２＞
　フィルムＦ２：７５０ｍｍ巾のコートハンガーダイを有する６５ｍｍφ単軸押出機を用い、ダイ温度３４０℃でポリマーＦ２をフィルム状に押出成形して得られるフィルム（厚さ１２μｍ）。

　＜ポリイミドフィルム＞
　フィルムＰＩ：東レ・デュポン社製のカプトン（商品名）１００ＥＮ　（厚さ：２５μｍ）。
　＜銅箔＞
　銅箔：電解銅箔（福田金属箔粉工業社製、ＣＦ－Ｔ４Ｘ－ＳＶ－１２、厚さ：１２μｍ、表面の算術平均粗さ（Ｒｚ_ＪＩＳ）：１．１μｍ）。

　＜熱硬化性接着剤シート＞
　接着剤シート１：ニッカン工業社製のＮＩＫＡＦＬＥＸ（商品名）ＳＡＦＧ（厚さ：２５μｍ）。
　接着剤シート１１：アクリロニトリルブタジエン変性エポキシ樹脂、水酸化アルミニウム、アクリルゴム、アミノトリアジンノボラック樹脂（硬化剤）及びイミダゾール（硬化促進剤）を含む、接着剤シート（厚さ：１５μｍ）。

　［例１］接着層付フィルムの製造例及び評価例
　［例１－１］
　ガス圧力２０Ｐａの二酸化炭素ガス雰囲気下、１１０ｋＨｚの高周波電圧を電極間に印加し、放電電力３００Ｗ、６０秒間の条件でフィルムＦ１の片面をプラズマ処理した。フィルムＦ１のプラズマ処理面のぬれ張力は、５０ｍＮ／ｍであった。
　フィルムＦ１のプラズマ処理面に接着剤シート１を重ねて積層し、熱硬化性の接着層付きフィルムＡｄ１を得た。真空プレスによって、フィルムＡｄ１をプレス処理（温度１６０℃、圧力４ＭＰａ、時間９０分）し、処理後のフィルムＡｄ１における、フィルムＦ１と硬化後の接着層との界面の剥離強度を測定した結果、８Ｎ／ｃｍであった。

　［例１－２］～［例１－７］
　フィルムの種類とプラズマ処理条件を変更する以外は、例１－１と同様にして、熱硬化性の接着層付きフィルムＡｄ２～Ａｄ７をそれぞれ得た。
　それぞれの接着層付きフィルムの製造条件と、ぬれ張力と、剥離強度とを、まとめて表１に示す。

　なお、例１－３（比較例）では、プラズマ処理後のフィルムＦ１と接着剤シート１を重ね、プレス処理条件を温度２８０℃、圧力４ＭＰａ、時間３０分としてプレス処理した場合、その界面の剥離強度は０．２Ｎ／ｃｍ未満であった。これは、プレス処理における温度が２８０℃であり、接着層が熱分解したためと思われる。

　［例２］処理回路基板の製造例及び評価例（その１）
　［例２－１］
　銅箔、フィルムＦ１、フィルムＰＩ、フィルムＦ１、銅箔の順に積み重ね、真空下、３２０℃、３０分間の条件にて、熱プレスして金属張積層板を得た。
　金属張積層板の片面をマスキングし、エッチング液（サンハヤト社製、Ｈ－１０００Ａ、塩化第二鉄水溶液）に浸漬し、片面の銅箔を完全に除去した。
　つぎに、ガス圧力２０Ｐａの二酸化炭素ガス雰囲気下で１１０ｋＨｚの高周波電圧を電極間に印加し、放電電力３００Ｗ、６０秒間の条件で、フィルムＦ１層の露出面をプラズマ処理して、プラズマ処理面を有する回路基板１を得た。プラズマ処理面のフィルムＦ１層の露出面のぬれ張力は、５０ｍＮ／ｍであった。

　２枚の回路基板１をそれぞれのプラズマ処理面が対向するように配置し、その間に接着剤シート１を差し入れて重ね、熱プレス処理（温度１６０℃、圧力４ＭＰａ、熱圧着９０分間）して熱圧着し、２枚の回路基板１が接着剤シート１の硬化物を介して接着された処理回路基板１を得た。フィルムＦ１と硬化後の接着層との界面の剥離強度を測定した結果、８Ｎ／ｃｍであった。

　［例２－２］～［例２－７］
　フィルムの種類とプラズマ処理条件を変更する以外は、例１－１と同様にして、処理回路基板２～４をそれぞれ得た。
　それぞれの処理回路基板の製造条件と、フィルム層のぬれ張力と、剥離強度とを、まとめて表２に示す。

　なお、例２－３（比較例）では、２枚の回路基板１をそれぞれのプラズマ処理面が対向するように配置し、その間に接着剤シート１を差し入れて重ね、熱プレス処理条件を温度２８０℃、圧力４ＭＰａ、時間３０分としてプレス処理した場合、その界面の剥離強度は０．２Ｎ／ｃｍ未満であった。プレス処理における温度が２８０℃であり、接着層が熱分解したためと思われる。
　なお、例２においては、ＴＦＥ系ポリマー層の表面に導体回路を設けずに評価したが、ＴＦＥ系ポリマー層の表面に導体回路を設けた場合でも、同様の結果が得られる。

　［例３］処理回路基板の製造例及び評価例（その２）
　銅箔、フィルムＦ１、フィルムＰＩ、フィルムＦ１、銅箔の順に積み重ね、真空下、３２０℃、３０分間の条件にて、熱プレスして金属張積層板を得た。
　金属張積層板の片面をマスキングし、エッチング液（サンハヤト社製、Ｈ－１０００Ａ、塩化第二鉄水溶液）に浸漬し、片面の銅箔から導体回路を形成する。
　ガス圧力２０Ｐａの二酸化炭素ガス雰囲気下で１１０ｋＨｚの高周波電圧を電極間に印加し、放電電力３００Ｗ、６０秒間の条件で、導体回路側（フィルムＦ１層の露出面）をプラズマ処理して、プラズマ処理面を有する回路基板１１を得る。

　２枚の回路基板１１の、それぞれのプラズマ処理面が対向するように配置し、その間に接着剤シート１１を差し入れて重ね、真空プレスによって、熱プレス処理（温度１６０℃、圧力４ＭＰａ、熱圧着９０分間）して熱圧着し、２枚の回路基板１１が接着剤シート１１の硬化物を介して接着された処理回路基板１１を得た。フィルムＦ１と硬化後の接着層との界面の剥離強度を測定した結果、９Ｎ／ｃｍである。
　なお、アクリロニトリルブタジエン変性エポキシ樹脂にかえて、ブタジエン変性エポキシ樹脂ゴム、スチレン系エラストマー変性エポキシ樹脂、ウレタン変性エポキシ樹脂又はアクリル変性エポキシ樹脂を使用した場合でも、同様の結果が得られる。

　本発明の製造方法により得られる処理回路基板は、多層回路基板、カバーレイフィルム付き回路基板等として、小型化、高機能化が要求される電子機器、電気機器の回路基板として有用である。本発明の接着性フィルムは、多層回路基板、カバーレイフィルム付き回路基板等の製造に使用される、カバーレイフィルム、層間絶縁フィルム等として有用である。

　なお、２０１７年１２月１９日に出願された日本特許出願２０１７－２４３１９１号及び２０１８年１月１８日に出願された日本特許出願２０１８－００６３２４号の明細書、特許請求の範囲、図面、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

　１、２、３：多層回路基板、１０：耐熱性基材層、１２：Ｆ層、１４：導体回路、１６、１６Ａ、１６Ｂ：接着層、１８：カバーレイ層、２０、３０：回路基板、２２：接着剤層付きカバーレイフィルム、２４：接着剤シート、２６：接着剤層、１’、２’、３’：カバーレイフィルム付き回路基板、４’５’：カバーレイフィルム付き多層回路基板、１０’、１１’：接着フィルム、１０’’、１１’’：硬化後の接着フィルム、１２’：Ｆフィルム、１４’：熱硬化性接着剤層、１４’’：熱硬化性接着剤層、２０’：絶縁層、２２’：導体回路、２４’：接着剤シート、３０’、３２’：回路基板

Claims (15)

1. 　テトラフルオロエチレン系ポリマーを含むポリマー層と前記ポリマー層の表面に設けられた導体回路とを有する回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、次いで、該回路基板のプラズマ処理面と接着剤層を有する基板の接着剤層とを２６０℃未満で熱圧着させて処理回路基板を製造することを特徴とする、処理回路基板の製造方法。
2. 　前記処理回路基板における熱圧着面の剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上である、請求項１に記載の製造方法。
3. 　前記接着剤層を有する基板が接着剤層付きカバーレイフィルムであり、前記処理回路基板がカバーレイフィルム付き回路基板であるか、又は前記接着剤層を有する基板が接着剤シートであり前記処理回路基板が接着層付き回路基板である、請求項１又は２に記載の製造方法。
4. 　前記プラズマ処理によって、前記プラズマ処理面を有する回路基板の前記ポリマー層の露出面のぬれ張力を３０ｍＮ／ｍ以上とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の製造方法。
5. 　前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミド基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の製造方法。
6. 　前記テトラフルオロエチレン系ポリマーの融点が２６０℃以上である、請求項１～５のいずれか１項に記載の製造方法。
7. 　前記接着剤層が、ゴム変性エポキシ樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性接着剤層である、請求項１～６のいずれか１項に記載の製造方法。
8. 　前記接着剤層を有する基板が、プレス温度１６０℃、プレス圧力４ＭＰａ、プレス時間９０分間の条件で、前記回路基板のプラズマ処理面と前記接着剤層を有する基板の接着剤層とを熱圧着させたときに、前記処理回路基板における熱圧着面の剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上となる基板である、請求項１～７のいずれか１項に記載の製造方法。
9. 　テトラフルオロエチレン系ポリマーを含むポリマー層と該ポリマー層の表面に設けられた導体回路とを有する回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、次いで、複数の前記プラズマ処理面を有する回路基板のプラズマ処理面をそれぞれ対向させ、それぞれのプラズマ処理面の間に接着剤シートを配置して、２６０℃未満で熱圧着させて複数層の導体回路を有する多層回路基板を製造することを特徴とする、多層回路基板の製造方法。
10. 　テトラフルオロエチレン系ポリマーを含むポリマー層と前記ポリマー層の表面に設けられた導体回路とを有する回路基板の導体回路側の表面をプラズマ処理してプラズマ処理面を有する回路基板を得て、次いで、該回路基板のプラズマ処理面と接着剤層付きカバーレイフィルムの接着剤層とを２６０℃未満で熱圧着させてカバーレイフィルム付き回路基板を製造することを特徴とする、カバーレイフィルム付き回路基板の製造方法。
11. 　テトラフルオロエチレン系ポリマーのフィルムと熱硬化性接着剤層がこの順に積層され、プレス温度１６０℃、プレス圧力４ＭＰａ、プレス時間９０分間の条件で前記熱硬化性接着剤層を硬化させたときに、前記フィルムと硬化後の前記熱硬化性接着剤層との界面の剥離強度が５Ｎ／ｃｍ以上であることを特徴とする、接着剤層付きフィルム。
12. 　前記テトラフルオロエチレン系ポリマーが、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミド基、アミノ基及びイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する、請求項１１に記載の接着剤層付きフィルム。
13. 　前記テトラフルオロエチレン系ポリマーの融点が、２６０℃以上である、請求項１１又は１２に記載の接着剤層付きフィルム。
14. 　前記熱硬化性接着剤層が、ゴム変性エポキシ樹脂及び硬化剤を含む熱硬化性接着剤層である、請求項１１～１３のいずれか１項に記載の接着剤層付きフィルム。
15. 　カバーレイフィルム又は層間絶縁フィルムである、請求項１１～１４のいずれか１項に記載の接着剤層付きフィルム。

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