JP6014406B2 - 高周波回路基板用カバーレイの取り付け方法及びそのカバーレイ - Google Patents
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Description
回路の接着剤にポリイミド系接着剤を用いる、所謂疑似2層CCLを用いた場合でも、ポリイミドとフッ素樹脂からなるカバーレイを取り付ける際の高温暴露により、高温加熱によるCCLの熱膨張の影響で寸法安定性が低下するといった問題があった。
[1]ポリイミドフィルム層とフッ素樹脂層からなるカバーレイのフッ素樹脂側を銅張積層体の回路に接するように積層し、カバーレイと銅張積層体とを仮止めし、前記積層前におけるカバーレイのポリイミドフィルム層とフッ素樹脂層間の接着強度が3.0N/cm以下であり、アニール処理を行い、前記アニール処理後の高周波回路基板の密着力をアニール処理前と比較して30倍以上に増大させること特徴とするカバーレイの取り付け方法。
[2]アニール処理の対象が前記仮止めした銅張積層体とカバーレイであって、仮止め工程の最大温度がカバーレイに使用するフッ素樹脂の融点より低く、アニール処理工程での最大温度が前記仮止め工程の最大温度より30℃以上高いことを特徴とする前記[1]記載の方法。
[3]仮止め工程における最大温度が150〜200℃の範囲である前記[2]記載の方法。
[4]アニール処理工程を、フリーテンションで行うことを特徴とする前記[1]〜[3]のいずれかに記載の方法。
[5]カバーレイを配線加工した銅張積層体に取り付けて得られ、前記カバーレイがポリイミド層とフッ素樹脂層との積層体からなる高周波回路基板。
[6]前記フッ素樹脂の融点が250℃以下であることを特徴とする前記[5]記載の高周波回路基板。
[7]ポリイミドフィルムとフッ素樹脂とを積層してなり、ポリイミドフィルムが、主として、パラフェニレンジアミン、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル及び4,4’−ジアミノジフェニルエーテルからなる群から選ばれる1以上の芳香族ジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物及び3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物からなる群から選ばれる1以上の酸無水物成分とからなり、ポリイミド層とフッ素樹脂層間の接着強度が3.0N/cm以下である、高周波回路基板用カバーレイ。
[8]ポリイミドフィルムとフッ素樹脂からなるカバーレイであって、前記フッ素樹脂の融点が250℃以下であることを特徴とする前記[7]記載のカバーレイ。
サンプルを10mm幅で短冊状へ裁断し、島津製作所製万能引張試験器オートグラフAG−ISを用いて、90℃引き試験(引張速度:50mm/min、測定長:20mm、測定範囲:5.0−20.0mm)にてピール強度を測定した(単位:N/cm)。
基板作製後、目視にて撚れ性を確認した。
表1に記載の構成にて、真空プレス機を用いて320℃雰囲気にて3.0MPaで5分間プレスを実施して銅張積層体を作製した。その後、Line/Space(L/S):120μm/70μmにて回路を作製し、表2に記載のカバーレイを、フッ素樹脂層側を銅張積層体の回路に接するように積層した後、175℃、3.0MPa、3分間プレスした。その後、回路をフリーテンションで230℃、15分間アニール処理して回路基板を得た。カバーレイと得られた回路のピール強度の試験結果を表3に示す。
表1に記載の構成にて、真空プレス機を用いて320℃雰囲気にて3.0MPaで5分間プレスを実施して銅張積層体を作製した。その後、L/S:120μm/70μmにて回路を作製し、表2に記載のカバーレイを、フッ素樹脂層側を銅張積層体の回路に接するように積層した後、175℃、3.0MPa、3分間プレスした。その後、回路をフリーテンションで230℃、15分間アニール処理して回路基板を得た。カバーレイと得られた回路のピール強度試験の結果を表3に示す。
表1に記載の構成にて、真空プレス機を用いて175℃雰囲気にて1.0MPaで30分間プレスを実施して銅張積層体を作製した。その後、L/S:120μm/70μmにて回路を作製し、表2に記載のカバーレイを、フッ素樹脂層側を銅張積層体の回路に接するように積層した後、175℃、3.0MPa、3分間プレスした。その後、回路をフリーテンションで230℃、15分間アニール処理して回路基板を得た。カバーレイと得られた回路のピール強度の試験結果を表3に示す。
表1に記載の構成にて、真空プレス機を用いて280℃雰囲気にて3.0MPaで5分間プレスを実施して銅張積層体を作製した。その後、L/S:120μm/70μmにて回路を作製し、表2に記載のカバーレイを、フッ素樹脂層側を銅張積層体の回路に接するように積層した後、280℃、3.0MPa、3分間プレスした。その後、回路をフリーテンションで310℃、15分間アニール処理して回路基板を得た。カバーレイと得られた回路のピール強度の試験結果を表3に示す。
2 フッ素樹脂
3 銅(配線)
4 高周波回路基板
Claims (3)
- ポリイミドフィルム層と融点が250℃以下のフッ素樹脂層からなるカバーレイのフッ素樹脂側を銅張積層体の回路に接するように積層し、カバーレイと銅張積層体とを、カバーレイに使用するフッ素樹脂の融点より低く、150〜200℃の範囲の最大温度で仮止めし、前記積層前におけるカバーレイのポリイミドフィルム層とフッ素樹脂層間の接着強度が3.0N/cm以下であり、最大温度が前記仮止め工程の最大温度より30℃以上高い温度で、フリーテンションでアニール処理を行い、前記アニール処理後の高周波回路基板の密着力をアニール処理前と比較して30倍以上に増大させること特徴とするカバーレイの取り付け方法。
- ポリイミドフィルムと融点が250℃以下のフッ素樹脂とを積層してなり、ポリイミドフィルムが、主として、パラフェニレンジアミン、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル及び4,4’−ジアミノジフェニルエーテルからなる群から選ばれる1以上の芳香族ジアミン成分と、ピロメリット酸二無水物及び3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物からなる群から選ばれる1以上の酸無水物成分とからなり、ポリイミド層とフッ素樹脂層間の接着強度が3.0N/cm以下である、高周波回路基板用カバーレイ。
- 請求項2に記載のカバーレイを配線加工した銅張積層体に取り付けて得られる高周波回路基板。
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