JP2002240195A - ポリイミド銅張板 - Google Patents
ポリイミド銅張板Info
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Abstract
件下に置いた後に良好な電気特性及び高耐熱性を兼ね備
えたポリイミド銅張板を提供する。 【解決手段】非結晶性でガラス転移温度が200〜33
0℃の熱融着性ポリイミド層が高耐熱性ポリイミド層の
片面又は両面に設けられた熱融着性多層ポリイミドフィ
ルム(熱融着性多層ポリイミド層を含む、以下同じ)と
銅層とが熱融着性ポリイミド層を介して積層されてな
り、85℃、85%の加湿条件下、750時間以上経過
後測定した層間絶縁抵抗が1012Ω以上である電気特
性を有し、かつ30℃以上の温度、少なくとも80%の
加湿条件下で24時間以上吸湿後、最高温度240℃以
上でリフロ−処理して発泡が生じない耐吸湿リフロ−性
を有するポリイミド銅張板。
Description
板に関するものであり、さらに詳しくは加湿条件下に保
持可能な電気特性及び高耐熱性を有し、ファインピッチ
回路を形成する基板材料として好適なポリイミド銅張板
に関するものである。この明細書において非結晶性と
は、広角X線回折法によりX線回折スペクトルを測定し
結晶性散乱に由来するピ−クが明確に観測されないもの
をいう。
どの電子機器類への用途として芳香族ポリイミドフィル
ムは広く使用されている。芳香族ポリイミドフィルムを
フレキシブルプリント板(FPC)やテ−プ・オ−トメ
イティッド・ボンディング(TAB)などの基板材料と
して使用するためには、エポキシ樹脂などの接着剤を用
いて銅箔を張り合わせる方法が採用されている。
械的強度、電気的特性などが優れているが、接着剤の高
耐熱性等が劣るため、本来のポリイミドの特性を損なう
ことが指摘されている。このような問題を解決するため
に、接着剤を使用しないでポリイミドフィルムに銅を電
気メッキしたり、銅箔にポリアミック酸溶液を塗布し、
乾燥、イミド化したり、熱可塑性ポリイミドを熱圧着さ
せたオ−ルポリイミド基材が開発されている。しかし、
これらオ−ルポリイミドの銅層積層体は、接着強度が小
さいとか電気特性が損なわれるという問題点が指摘され
ている。
ポリイミド接着剤をサンドイッチ状に接合したポリイミ
ドラミネ−トが知られている(米国特許第454329
5号)。しかし、このポリイミドラミネ−トでは、低熱
線膨張のビフェニルテトラカルボン酸系ポリイミドフィ
ルムについては接着強度が小さく使用できないという問
題がある。このため、ロ−ルラミネ−ト法でラミネ−ト
ロ−ルの材質として特定の硬度を有する金属を使用する
方法や、熱融着性のポリイミドとして特定の芳香族ジア
ミンによって得られたものを使用する方法が提案されて
いる。しかし、これらの方法によって得られるポリイミ
ド銅張板でも、加湿条件下に置いた後の電気特性及び耐
吸湿リフロ−性を兼ね備えたものを見出すことは困難で
あった。
リイミドと銅層とが積層されてなる、加湿条件下に置い
た後に良好な電気特性及び高耐熱性を兼ね備えたポリイ
ミド銅張板を提供することである。
非結晶性でガラス転移温度が200〜330℃の熱融着
性ポリイミド層が高耐熱性ポリイミド層の片面又は両面
に設けられた熱融着性多層ポリイミドフィルム(熱融着
性多層ポリイミド層を含む、以下同じ)と銅層とが熱融
着性ポリイミド層を介して積層されてなり、85℃、8
5%の加湿条件下、750時間以上経過後測定した層間
絶縁抵抗が1012Ω以上である電気特性を有し、かつ
30℃以上の温度、少なくとも80%の加湿条件下で2
4時間以上吸湿後、最高温度240℃でリフロ−処理し
て発泡が生じない耐吸湿リフロ−性を有するポリイミド
銅張板に関する。
列記する。 1) 銅層が、電解銅箔あるいは圧延銅箔である前記の
ポリイミド銅張板。 2) 銅層が、厚み3μm〜35μmである前記のポリ
イミド銅張板。 3) 熱融着性多層ポリイミドフィルムが厚み7〜50
μmである前記のポリイミド銅張板。
押出−流延製膜成形法によって高耐熱性の芳香族ポリイ
ミド層の少なくとも片面、好ましくは両面に熱融着性の
芳香族ポリイミド層を積層一体化して得られるものであ
る前記のポリイミド銅張板。 5) 常温でのエッチング工程による寸法変化率がM
D、TDともに|±0.05|%以下、特に|±0.0
4|%以下である前記のポリイミド銅張板。なお、前記
の記載において、|±0.05|%とは絶対値が0.0
5%であることを意味する。
としては、例えば次の組み合わせが挙げられる。次の記
載でTPI−Fは熱融着性ポリイミド層を示す。 銅層/TPI−F 銅層/TPI−F/銅層
結晶性でガラス転移温度が200〜330℃の熱融着性
ポリイミド層が高耐熱性ポリイミド層の片面又は両面に
設けられた熱融着性多層ポリイミドフィルムと銅層とを
熱融着性ポリイミド層を介してダブルベルト法によって
熱圧着する工程と、圧着前に熱融着性多層ポリイミドフ
ィルムを加熱するかあるいは圧着後に積層体を加熱する
熱処理の工程とを組み合わせることによって得ることが
できる。
有する熱融着性ポリイミド層を有する熱融着性多層ポリ
イミドフィルム、好適には300〜500℃に加熱して
乾燥・イミド化を完了し、冷却された熱融着性多層ポリ
イミドフィルムを150〜350℃で0.1〜180分
間程度、無荷重下あるいは小荷重下に加熱処理する処理
法が挙げられる。また、前記の熱処理としては、ダブル
ベルト法によって熱融着性多層ポリイミドフィルムと銅
箔とを熱圧着して長尺状の積層体を得た積層体を得た
後、150℃以上の温度で熱処理を施す方法が挙げられ
る。
は、好適には高耐熱性ポリイミドの前駆体(ポリアミッ
ク酸ともいう)溶液乾燥膜の片面あるいは両面に非結晶
性でガラス転移温度が200〜330℃の熱融着性ポリ
イミドを与えるポリイミドの前駆体溶液を積層した後、
あるいは好ましくは、共押出し−流延製膜法によって高
耐熱性ポリイミドの前駆体溶液の片面あるいは両面に熱
融着性ポリイミドまたはその前駆体溶液を積層した後、
乾燥、イミド化して熱融着性多層ポリイミドフィルムを
得る方法によって得ることができる。
おける高耐熱性ポリイミドとして、好適には3,3’,
4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(以下
単にs−BPDAと略記することもある。)とパラ−フ
ェニレンジアミン(以下単にPPDと略記することもあ
る。)と場合によりさらに4,4’−ジアミノジフェニ
ルエ−テル(以下単にDADEと略記することもあ
る。)および/またはピロメリット酸二無水物(以下単
にPMDAと略記することもある。)とを、PPD/D
ADE(モル比)は100/0〜85/15で、s−B
PDA/PMDAは100:0〜50/50として製造
される芳香族ポリイミドが挙げられる。
ロメリット酸二無水物とパラフェニレンジアミンおよび
4,4’−ジアミノジフェニルエ−テルとを、DADE
/PPD(モル比)は90/10〜10/90として製
造される芳香族ポリイミドが挙げられる。さらに、高耐
熱性ポリイミドとして、3,3’,4,4’−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)およびピ
ロメリット酸二無水物(PMDA)とパラフェニレンジ
アミン(PPD)および4,4’−ジアミノジフェニル
エ−テル(DADE)とを、酸二無水物中BTDAが2
0〜90モル%、PMDAが10〜80モル%、ジアミ
ン中PPDが30〜90モル%、DADEが10〜70
モル%として製造される芳香族ポリイミドが挙げられ
る。
ない範囲で、他の種類の芳香族テトラカルボン酸二無水
物や芳香族ジアミン、例えば4,4’−ジアミノジフェ
ニルメタン等を使用してもよい。また、前記の芳香族テ
トラカルボン酸二無水物や芳香族ジアミンの芳香環にフ
ッ素基、水酸基、メチル基あるいはメトキシ基などの置
換基を導入してもよい。
のポリイミドフィルムの場合にガラス転移温度が約35
0℃未満程度の温度では確認不可能であるものが好まし
く、特に線膨張係数(50〜200℃)(MD、TDお
よびこれらの平均のいずれも)が5×10-6〜25×1
0-6cm/cm/℃であるものが好ましい。この高耐熱
性ポリイミドの合成は、最終的に各成分の割合が前記範
囲内であればランダム重合、ブロック重合、ブレンド、
あるいはあらかじめ2種類以上のポリアミック酸溶液を
合成しておき各ポリアミック酸溶液を混合してポリアミ
ック酸の再結合によって共重合体を得る、いずれの方法
によっても達成される。
おける熱融着性ポリイミドとしては、好適には1,3−
ビス(4−アミノフェノキシベンゼン)(以下、TPE
Rと略記することもある。)と2,3,3’,4’−ビ
フェニルテトラカルボン酸二無水物(以下、a−BPD
Aと略記することもある。)とから、あるいは1,3−
ビス(4−アミノフェノキシ)−2,2−ジメチルプロ
パン(DANPG)と4,4’−オキシジフタル酸二無
水物(ODPA)とから製造される芳香族ポリイミドが
挙げられる。あるいは、4,4’−オキシジフタル酸二
無水物(ODPA)およびピロメリット酸二無水物と
1,3−ビス(4−アミノフェノキシベンゼン)とから
製造される芳香族ポリイミドが挙げられる。
トラカルボン酸二無水物と2,3,3’,4’−ビフェ
ニルテトラカルボン酸二無水物とが50:50〜90:
10のモル比である芳香族テトラカルボン酸二無水物と
1、3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼンとp−
フェニレンジアミンおよび/またはジアミノジフェニル
エ−テルとが10:90〜100:0のモル比である芳
香族ジアミンとから製造される芳香族ポリイミドが挙げ
られる。
ない範囲で他のジアミン、例えば4,4’−ジアミノジ
フェニルエ−テル、4,4’−ジアミノベンゾフェノ
ン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビ
ス(4−アミノフェニル)プロパン、1,4−ビス(4
−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−
アミノフェニル)ジフェニルエ−テル、4,4’−ビス
(4−アミノフェニル)ジフェニルメタン、4,4’−
ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニルエ−テル、
4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニルメ
タン、2,2−ビス〔4−(アミノフェノキシ)フェニ
ル〕プロパンなどの複数のベンゼン環を有する柔軟な芳
香族ジアミン、1,4−ジアミノブタン、1,6−ジア
ミノヘキサン、1,8−ジアミノオクタン、1,10−
ジアミノデカン、1,12−ジアミノドデカンなどの脂
肪族ジアミン、ビス(3−アミノプロピル)テトラメチ
ルジシロキサンなどのジアミノジシロキサンによって置
き換えられてもよい。前記の熱融着性ポリイミドのアミ
ン末端を封止するためにジカルボン酸類、例えば、無水
フタル酸およびその置換体、ヘキサヒドロ無水フタル酸
およびその置換体、無水コハク酸およびその置換体やそ
れらの誘導体など、特に、無水フタル酸を使用してもよ
い。
と、さらに場合により他のテトラカルボン酸二無水物お
よび他のジアミンとを、有機溶媒中、約100℃以下、
特に20〜60℃の温度で反応させてポリアミック酸の
溶液とし、このポリアミック酸の溶液をド−プ液として
使用できる。この発明における熱融着性ポリイミドを得
るためには、前記の有機溶媒中、酸の全モル数(テトラ
酸二無水物とジカルボン酸の総モルとして)の使用量が
ジアミン(モル数として)に対する比として、好ましく
は0.92〜1.1、特に0.98〜1.1、そのなか
でも特に0.99〜1.1であり、ジカルボン酸の使用
量がテトラカルボン酸二無水物のモル量に対する比とし
て、好ましくは0.00〜0.1、特に0.02〜0.
06であるような割合が好ましい。
目的でリン系安定剤、例えば亜リン酸トリフェニル、リ
ン酸トリフェニル等をポリアミック酸重合時に固形分
(ポリマ−)濃度に対して0.01〜1%の範囲で添加
することができる。また、イミド化促進の目的で、ド−
プ液中に塩基性有機化合物系触媒を添加することができ
る。例えば、イミダゾ−ル、2−イミダゾ−ル、1,2
−ジメチルイミダゾ−ル、2−フェニルイミダゾ−ルな
どをポリアミック酸(固形分)に対して0.01〜20
重量%、特に0.5〜10重量%の割合で使用すること
ができる。これらは比較的低温でポリイミドフィルムを
形成するため、イミド化が不十分となることを避けるた
めに使用する。
性ポリイミド原料ド−プに有機アルミニウム化合物、無
機アルミニウム化合物または有機錫化合物を添加しても
よい。例えば水酸化アルミニウム、アルミニウムトリア
セチルアセトナ−トなどをポリアミック酸(固形分)に
対してアルミニウム金属として1ppm以上、特に1〜
1000ppmの割合で添加することができる。
る有機溶媒は、高耐熱性ポリイミドおよび熱融着性ポリ
イミドのいずれに対しても、N−メチル−2−ピロリド
ン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチル
アセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、ジメチ
ルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、N−メ
チルカプロラクタム、クレゾ−ル類などが挙げられる。
これらの有機溶媒は単独で用いてもよく、2種以上を併
用してもよい。
製造においては、好適には共押出し−流延製膜法、例え
ば上記の高耐熱性ポリイミドのポリアミック酸溶液の片
面あるいは両面に熱融着性ポリイミドまたはその前駆体
の溶液を共押出して、これをステンレス鏡面、ベルト面
等の支持体面上に流延塗布し、100〜200℃で半硬
化状態またはそれ以前の乾燥状態とする方法が採用でき
る。200℃を越えた高い温度で流延フィルムを処理す
ると、熱融着性多層ポリイミドフィルムの製造におい
て、接着性の低下などの欠陥を来す傾向にある。この半
硬化状態またはそれ以前の状態とは、加熱および/また
は化学イミド化によって自己支持性の状態にあることを
意味する。
ック酸の溶液と熱融着性ポリイミドを与えるポリアミッ
ク酸の溶液との共押出しは、例えば特開平3−1803
43号公報(特公平7−102661号公報)に記載の
共押出法によって二層あるいは三層の押出し成形用ダイ
スに供給し、支持体上にキャストしておこなうことがで
きる。
物層の片面あるいは両面に、熱融着性ポリイミドを与え
るポリアミック酸溶液を積層して多層フィルム状物を形
成して乾燥後、熱融着性ポリイミドのガラス転移温度以
上で劣化が生じる温度以下の温度、好適には300〜5
00℃の温度(表面温度計で測定した表面温度)まで加
熱して(好適にはこの温度で1〜60分間加熱して)乾
燥およびイミド化して、高耐熱性ポリイミド層(基体
層)の片面あるいは両面に熱融着性ポリイミドを有する
熱融着性多層ポリイミドフィルムを製造することができ
る。
前記の酸成分とジアミン成分とを使用することによっ
て、ガラス転移温度が200〜330℃、特に200〜
275℃であって、好適には前記の条件で乾燥・イミド
化して熱融着性ポリイミドのゲル化を実質的に起こさせ
ないことによって得られる、ガラス転移温度以上で35
0℃以下の範囲内の温度で液状化せず、かつ弾性率が、
通常275℃での弾性率が室温付近の温度(50℃)で
の弾性率の0.0002〜0.2倍程度を保持している
ものが好ましい。
5〜120μm、特に5〜70μm、その中でも5〜4
0μmであることが好ましい。5μm未満では作成した
熱融着性多層ポリイミドフィルムの機械的強度、寸法安
定性に問題が生じる。また120μmより厚くなると溶
媒の除去、イミド化に難点が生じる。また、前記熱融着
性ポリイミド層の厚みは各々2〜10μm、特に2〜8
μm程度が好ましい。2μm未満では接着性能が低下
し、10μmを超えても使用可能であるがとくに効果は
なく、むしろポリイミド銅張板の耐熱性が低下する。
厚みが7〜125μm、特に7〜5μm、その中でも7
〜50μmであることが好ましい。7μm未満では作成
したフィルムの取り扱いが難しく、125μmより厚く
なると溶媒の除去、イミド化に難点が生じる。前記の共
押出し−流延製膜法によれば、高耐熱性ポリイミド層と
その片面あるいは両面の熱融着性ポリイミドとを比較的
低温度でキュアして熱融着性ポリイミドの劣化を来すこ
となく、自己支持性フィルムのイミド化、乾燥を完了さ
せることができ、良好な電気特性および接着強度を有す
る熱融着性多層ポリイミドフィルムを得ることができ
る。
は、金属層の厚みの90%以上が銅によって形成されて
いるものであって、好適には圧延銅箔、電解銅箔などが
あげられる。銅箔として、表面粗度の余り大きくなくか
つ余り小さくない、好適にはRzが7μm以下、特にR
zが5μm以下、特に0.5〜5μmであるものが好ま
しい。このような銅箔、例えば銅箔はVLP、LP(ま
たはHTE)として知られている。銅層の厚さは特に制
限はないが、70μm以下、特に3〜35μmであるこ
とが好ましい。また、Raが小さい場合には、銅箔表面
を表面処理したものを使用してもよい。
前記の熱融着性多層ポリイミドフィルムと銅箔とを、ダ
ブルベルトプレスなどの連続ラミネ−ト装置に導入し、
好適には導入する直前のインラインで150℃以上、好
適には150〜250℃程度に予熱して、加熱圧着して
張り合わせて得ることができる。特に、ダブルベルトプ
レスは、加圧下に高温加熱−冷却を行うことができるも
のが好ましい。また、ダブルベルトによる積層において
は、1組に限定されず、同時に2組以上を熱圧着してポ
リイミド銅張板を得ることが可能である。
ンの温度が熱融着性ポリイミドのガラス転移温度より2
0℃以上高く400℃以下の温度、特にガラス転移温度
より30℃以上高く400℃以下の温度で加圧下に熱圧
着し、特にダブルベルトプレスの場合には引き続いて冷
却ゾ−ンで加圧下に冷却して、好適には熱融着性ポリイ
ミドのガラス転移温度より20℃以上低い温度、特に3
0℃以上低い温度まで冷却して、積層体を得ることが好
ましい。
熱融着性ポリイミド層を有する熱融着性多層ポリイミド
フィルムとを積層する場合には、剥離容易な高耐熱性フ
ィルム、例えば前記のRzが2μm未満の高耐熱性フィ
ルムまたは銅箔、好適にはポリイミドフィルム(宇部興
産社製、ユ−ピレックスS)やフッ素樹脂フィルムなど
の高耐熱性樹脂フィルムや圧延銅箔などであって表面粗
さが小さく表面平滑性の良好な銅箔を保護材として、熱
融着性ポリイミド層と他の金属面との間に介在させても
よい。この保護材は積層後、積層体から除いて巻き取っ
ても良く、保護材を積層したままで巻き取って使用時に
取り除いてもよい。
に熱圧着−冷却して積層することによって、長尺で幅が
約400mm以上、特に約500mm以上の幅広の、接
着強度が大きく(90°ピ−ル強度:0.7kg/cm
以上、特に0.8kg/cm以上)、銅箔表面に皺が実
質的に認めれられない程外観が良好なポリイミド銅張板
を得ることができる。
前記熱融着性多層ポリイミドフィルムおよび銅箔がロ−
ル巻きの状態でダブルベルトプレスなどの連続ラミネ−
ト装置で熱圧着して積層し、ロ−ル巻きの状態で長尺状
の積層体とし、切断して枚葉としたあるいはアルミニウ
ムやステンレス(SUS)などのコア材に巻いたコア巻
状態にある積層体を、150℃以上の温度、特に150
℃以上で熱融着性ポリイミドのガラス転移温度より低い
温度で熱アニ−ル処理を施すことが好ましい。これによ
って、前記電気特性および耐吸湿リフロ−性とともにエ
ッチング処理を加えて寸法変化率が小さい、良好なポリ
イミド銅張板を得ることができる。
法変化率|±0.05|%以下、好適には|±0.04
|%以下、その中でも|±0.001|〜|±0.04
|であるポリイミド銅張板を得ることができる。ポリイ
ミド銅張板の前記寸法変化率が前記範囲内であると、特
に電子回路のファインピッチ化に適用することが容易で
ある。この発明のポリイミド銅張板は、そのままあるい
はロ−ル巻き、エッチング、および場合によりカ−ル戻
し等の各処理を行った後、必要ならば所定の大きさに切
断して、電子部品用基板として使用できる。例えば、F
PC、TAB、多層FPC、フレックスリジッド基板の
基板として好適に使用することができる。
性多層ポリイミドフィルム層の厚みが7〜50μmであ
る片面銅層のポリイミド銅張板(全体厚みが15〜85
μm)あるいは両面銅層のポリイミド銅張板全体厚みが
25〜120μm)から、エポキシ系接着剤あるいは熱
可塑性ポリイミドや熱可塑性ポリアミドイミドあるいは
ポリイミドシロキサン−エポキシ系などの耐熱性ポリイ
ミド系接着剤から選ばれる耐熱性接着剤(厚み5〜50
μm、好ましくは5〜15μm、特に7〜12μm)を
用いて複数のポリイミド銅張板を接着することによって
ポリイミド銅張板が2〜10層で、高耐熱性・低吸水・
低誘電率・高電気特性を満足する多層基板を好適に得る
ことができる。
のものだけでなく前記のように長尺状のものを所定の大
きさに切断したものも含まれる。この発明のポリイミド
銅張板には、それ自体公知のエッチング工程および加熱
工程の逐次処理を加えて、回路基板として使用される。
前記のエッチング工程としては、例えばポリイミド銅張
板の銅層を常温で塩化第二鉄水溶液などのエッチング処
理液によってエッチング処理する方法が挙げられる。
説明する。以下の各例において、物性評価は以下の方法
に従って行った。 エッチング後の寸法変化率:ポリイミド銅張板のエッ
チング前と常温エッチング(43℃、エッチング剤:塩
化第二鉄水溶液)後の寸法変化を求め、%で表示した。 熱線膨張係数:50〜200℃、5℃/分で測定(T
D、MDの平均値)、cm/cm/℃
ポリイミドのX線回折スペクトルを測定し結晶性散乱に
由来するピ−クが明確に観測されないものを非結晶性と
し、明確にピ−クが観測されるものを結晶性とした。 ガラス転移温度(Tg):粘弾性より測定。 接着強度:90°剥離強度を測定し、平均値で評価し
た。 層間絶縁抵抗:両面に対向した直径10mmの円形の
電極をエッチングで形成し、85℃、85%の環境下で
250V印可して電極間の抵抗を測定した。 耐吸湿リフロ−性試験:1mm幅および5mm幅のラ
インが表裏で直角に交差するようにパタ−ンエッチング
したの試料を、40℃、90%で96時間吸湿させた
後、予熱160℃で30秒、200℃以上が40秒で最
高温度240℃の条件でリフロ−処理を行って、発泡の
有無を観察した。
2−ピロリドンを加え、さらに、パラフェニレンジアミ
ンと3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物(s−BPDA)とを1000:998のモル
比でモノマ−濃度が18%(重量%、以下同じ)になる
ように加えた。添加終了後50℃を保ったまま3時間反
応を続けた。得られたポリアミック酸溶液は褐色粘調液
体であり、25℃における溶液粘度は約1500ポイズ
であった。この溶液をド−プとして使用した。
1 攪拌機、窒素導入管を備えた反応容器に、N−メチル−
2−ピロリドンを加え、さらに、1,3−ビス(4−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン(TPE−R)と2,3,
3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(a
−BPDA)とを997:1000のモル比でモノマ−
濃度が22%になるように、またトリフェニルホスフェ
−トをモノマ−重量に対して0.1%加えた。添加終了
後25℃を保ったまま1時間反応を続けた。このポリア
ミック酸溶液は、25℃における溶液粘度が約2000
ポイズであった。この溶液をド−プとして使用した。こ
のド−プから得たポリイミドフィルムは、非結晶性であ
った。
ド製造用ド−プとを三層押出し成形用ダイス(マルチマ
ニホ−ルド型ダイス)を設けた製膜装置を使用し、金属
製支持体上に流延し、140℃の熱風で連続的に乾燥
し、固化フィルムを形成した。この固化フィルムを支持
体から剥離した後、加熱炉で200℃から320℃まで
徐々に昇温して溶媒の除去、イミド化を行って、三層押
出しポリイミドフィルムを巻き取りロ−ルに巻き取っ
た。得られた三層押出しポリイミドフィルムは、次のよ
うな物性を示した。 熱融着性多層ポリイミドフィルム−1 厚み構成:4μm/17μm/4μm(合計25μm) 熱融着性ポリイミドは、Tgが250℃で、非結晶性で
あった。 体積抵抗>1×1015Ω・cm この熱融着性多層ポリイミドフィルムは、熱線膨張係数
(50〜200℃)が10×10-6〜25×10-6×c
m/cm/℃の範囲内であった。
ロ−ル巻きした電解銅箔(ジャパンエナジ−社製BHY
−13HT、厚さ18μm)との各々2組を、ダブルベ
ルトプレスに連続的に供給し、200℃で1分間予熱
後、加熱ゾ−ンの温度(最高加熱温度)380℃(設
定)、冷却ゾ−ンの温度(最低冷却温度)117℃)
で、連続的に加圧下に熱圧着−冷却して積層し、積層体
(幅:約530mm、以下同じ)であるロ−ル巻状物2
組を得た。得られたポリイミド銅張板は、90°剥離強
度>1kg/cmで、層間絶縁抵抗がn=5について1
670時間まで短絡がなく1012Ωを以上維持した。
図1に85℃、85%の環境下で250V印可して求め
た層間絶縁抵抗の時間変化を示す。また、耐吸湿リフロ
−性試験を2回繰り返したが、n=4で発泡が認められ
なかった。また、エッチィング後の寸法変化率は|±
0.04|%以下であった。
ついて評価した。 このポリイミド銅張板は、n=2で
735時間で短絡した。図2に層間絶縁抵抗の時間変化
を示す。また、実施例1と同様に吸湿した試料の耐吸湿
リフロ−性試験では、n=4でいずれも1回目で発泡し
た。
厚さ9μm)を使用した他は実施例1と同様に実施し
て、ポリイミド銅張板を得た。得られたポリイミド銅張
板は、90°剥離強度が0.8kg/cmで、層間絶縁
抵抗がn=5について1000時間まで短絡がなく、1
012Ωを以上維持した。また、耐吸湿リフロ−性試験
を2回繰り返したが、n=4で発泡が認められなかっ
た。また、エッチング後の寸法変化率は|±0.04|
%以下であった。
Aとa−BPDAとのモル比が8:2である芳香族テト
ラカルボン酸二無水物およびTPE−Rを固形分濃度1
8%で重合して得たものを使用した他は参考例1と同様
にして、熱融着性多層ポリイミドフィルム−2を得た。
得られた三層押出しポリイミドフィルムは、次のような
物性を示した。 熱融着性多層ポリイミドフィルム−2 厚み構成:4μm/17μm/4μm(合計25μm) 熱融着性の芳香族ポリイミドは、Tgが243℃で、非
結晶性であった。 体積抵抗>1×1015Ω・cm この熱融着性多層ポリイミドフィルムは、熱線膨張係数
(50〜200℃)が10×10-6〜25×10-6×c
m/cm/℃の範囲内であった。
ポリイミドフィルム−1に代えて熱融着性多層ポリイミ
ドフィルム−2を使用した他は実施例1と同様に実施し
て、ポリイミド銅張板を得た。得られたポリイミド銅張
板は、90°剥離強度が1kg/cmで、層間絶縁抵抗
および耐吸湿リフロ−性試験の結果が実施例1と同等で
あった。また、エッチング後の寸法変化率は|±0.0
4|%以下であった。
Aとa−BPDAとのモル比が8:2である芳香族テト
ラカルボン酸二無水物成分およびTPE−Rと4,4’
−ジアミノジフェニルエ−テル(ODA)とのモル比が
5:5である芳香族ジアミンを固形分濃度18%で重合
して得たものを使用した他は参考例1と同様にして、熱
融着性多層ポリイミドフィルム−3を得た。得られた三
層押出しポリイミドフィルムは、次のような物性を示し
た。 熱融着性多層ポリイミドフィルム−3 厚み構成:4μm/17μm/4μm(合計25μm) 熱融着性の芳香族ポリイミドは、Tgが262℃で、非
結晶性であった。 体積抵抗>1×1015Ω・cm この熱融着性多層ポリイミドフィルムは、熱線膨張係数
(50〜200℃)が10×10-6〜25×10-6×c
m/cm/℃の範囲内であった。
ポリイミドフィルム−1に代えて熱融着性多層ポリイミ
ドフィルム−3を使用した他は実施例1と同様に実施し
て、ポリイミド銅張板を得た。得られたポリイミド銅張
板は、90°剥離強度が1kg/cmで、層間絶縁抵抗
および耐吸湿リフロ−性試験の結果が実施例1と同等で
あった。また、エッチング後の寸法変化率は|±0.0
4|%以下であった。
有しているため、次のような効果を奏する。
間絶縁特性および耐リフロ−性を有するので、ファイン
ピッチ回路を形成する基板材料として好適なポリイミド
銅張板を得ることができる。
高温加湿の環境下で電圧を印可して求めた層間絶縁抵抗
の時間変化である。
高温加湿の環境下で電圧を印可して求めた層間絶縁抵抗
の時間変化である。
Claims (6)
- 【請求項1】 非結晶性でガラス転移温度が200〜3
30℃の熱融着性ポリイミド層が高耐熱性ポリイミド層
の片面又は両面に設けられた熱融着性多層ポリイミドフ
ィルムと銅層とが熱融着性ポリイミド層を介して積層さ
れてなり、85℃、85%の加湿条件下、750時間以
上経過後測定した層間絶縁抵抗が1012Ω以上である
電気特性を有し、かつ30℃以上の温度、少なくとも8
0%の加湿条件下で24時間以上吸湿後、最高温度24
0℃でリフロ−処理して発泡が生じない耐吸湿リフロ−
性を有するポリイミド銅張板。 - 【請求項2】 銅層が、電解銅箔あるいは圧延銅箔であ
る請求項1に記載のポリイミド銅張板。 - 【請求項3】 銅層が、厚み3μm〜35μmである請
求項1に記載のポリイミド銅張板。 - 【請求項4】 熱融着性多層ポリイミドフィルムが厚み
7〜50μmである請求項1に記載のポリイミド銅張
板。 - 【請求項5】 熱融着性多層ポリイミドフィルムが、共
押出−流延製膜成形法によって高耐熱性ポリイミド層の
少なくとも片面、好ましくは両面に熱融着性ポリイミド
層を積層一体化して得られるものである請求項1に記載
のポリイミド銅張板。 - 【請求項6】 常温でのエッチング工程後の寸法変化率
が|±0.05|%以下である請求項1に記載のポリイ
ミド銅張板。
Priority Applications (1)
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JP2001041447A JP2002240195A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | ポリイミド銅張板 |
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JP2001041447A JP2002240195A (ja) | 2001-02-19 | 2001-02-19 | ポリイミド銅張板 |
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- 2001-02-19 JP JP2001041447A patent/JP2002240195A/ja active Pending
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