JP7482104B2 - 積層体及び積層体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層体及び積層体の製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、薄く軽量で、可撓性を有し、屈曲を繰り返しても優れた耐久性を持つフレキシブルプリント回路基板(FlexiblePrintedCircuits;以下、ＦＰＣと示す。)の需要が増大している。
ＦＰＣの製造には、基材としての絶縁フィルムと薄い銅箔とを積層したフレキシブル銅張積層板（Flexible Cupper Clad Laminate;以下、ＦＣＣＬと示す。）等の、可撓性を有する材料が用いられており、携帯電話及びスマートフォン等のモバイル型通信機器の可動部分の配線や、これらの基地局装置、サーバー・ルーター等のネットワーク関連電子機器、大型コンピュータ等の部品にその用途が拡大しつつある（例えば特許文献１～３）。

これらの通信機器やネットワーク関連電子機器においては、大容量の情報を低損失かつ高速で伝送、処理する必要があり、ＦＰＣで扱う電気信号も高周波化が進んでいる。
高周波の電気信号を伝送する際に伝送損失が大きいと、電気信号のロスや信号の遅延時間の増大等の問題が生じる。このため、ＦＰＣに用いるＦＣＣＬには、低誘電特性（低誘電率、低誘電正接）を示し、高周波伝送における伝送損失が低減された、良好な電気特性を有することが求められる。

例えば特許文献１には、液晶ポリマーフィルムのプラズマ処理面と銅めっき層を含む銅層（第２金属層）との間に、スパッタ成膜による下地層（第１金属層）を介在させることで、液晶ポリマーフィルムが有する電気特性（低伝送損失）の損失が抑制された、液晶ポリマーフィルム／下地層／銅層の積層体を得られることが開示されている。特許文献１によれば、上記の構造を有する積層体全体を、所定温度でアニール処理することで、銅層と液晶ポリマーフィルムとの密着強度が高められるとしているが、特許文献１の銅層の密着性は、必ずしも十分でない。また、スパッタ成膜や電解めっき法による成膜が必須であるため、製造工程が煩雑であり、量産には適しない。

特許文献２、３には、絶縁フィルムと銅箔とを、接着層を介して積層するＦＣＣＬに用いる接着剤組成物に関して、所定のポリイミド樹脂を用いることで、低誘電特性（低誘電率、低誘電正接）を示し、且つ優れた接着力を示す接着剤組成物を得られることが開示されている。
しかしながら、特許文献２、３の接着剤組成物を用いて接着層を形成しても、ＦＣＣＬとしての電気特性は必ずしも良好でなく、より高周波の用途に用いるには、更なる電気特性の改善が求められている。

特開２０１４－１６０７３８号公報 特開２００３－１４７３２０号公報 特開２０１６－６９６５１号公報

本発明の目的は、基材と銅層との接着性に優れ、且つ高周波伝送における伝送損失が低減された、積層体を提供することである。

本発明によれば、以下の積層体が提供される。
１．フッ素系樹脂を含む基材と、
前記基材の少なくとも一方の面に形成された接着層と、を有し、
前記基材の一の面に形成された前記接着層の厚さと前記基材の厚さとを合計した厚さに対する、前記接着層の厚さの比率が、下記式（１）の関係を満たす積層体。
接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００≦３０％ …（１）
２．前記接着層が、前記基材の一の面と、当該面の反対面である他の面とに設けられ、
前記一の面に設けられた前記接着層の厚さと前記他の面に設けられた前記接着層の厚さとの合計厚さと前記基材の厚さとを合計した厚さに対する、前記接着層の合計厚さの比率が、下記式（２）の関係を満たす、１に記載の積層体。
接着層合計厚さ／（基材厚さ＋接着層合計厚さ）×１００≦３０％ …（２）
３．前記接着層の上に積層された銅箔を有する、１又は２に記載の積層体。
４．前記銅箔の前記接着層側の表面粗さＲｚが１．３μｍ以下である、３に記載の積層体。
５．前記接着層の厚さが０．１μｍ以上５．０μｍ未満である、１～４のいずれかに記載の積層体。
６．前記接着層が、ポリイミド、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド、及びスチレン系熱可塑性エラストマーからなる群から選択される１種以上を主成分として含む、１～５のいずれかに記載の積層体。
７．前記フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である、１～６のいずれかに記載の積層体。
８．前記基材の周波数１０ＧＨｚでの比誘電率が２．４以下であり、周波数１０ＧＨｚでの誘電正接が０．００１以下である、１～７のいずれかに記載の積層体。
９．前記積層体の厚さが１０～５００μｍである、１～８のいずれかに記載の積層体。
１０．１～９のいずれかに記載の積層体を用いた高速通信用の回路基板用材料。
１１．１０に記載の回路基板用材料を用いた回路基板。
１２．フッ素系樹脂を含む基材の少なくとも一方の面に、接着層を形成する工程を有し、
前記基材の一の面に形成された前記接着層の厚さと前記基材の厚さとを合計した厚さに対する、前記接着層の厚さの比率が、下記式（１）の関係を満たす、積層体の製造方法。
接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００≦３０％ …（１）
１３．前記接着層の上に銅箔を積層して積層構造体を形成する工程と、
前記積層構造体を加圧する工程と、を有する、１２に記載の積層体の製造方法。
１４．前記銅箔の表面粗さＲｚが１．３μｍ以下である、１３に記載の積層体の製造方法。
１５．前記基材の少なくとも一方の面に、プラズマによる表面処理を行い、
前記基材のプラズマによる表面処理面に、前記接着層を形成する、１２～１４のいずれかに記載の積層体の製造方法。

本発明によれば、基材と銅層との接着性に優れ、且つ高周波伝送における伝送損失が低減された、積層体が提供できる。

本発明の一実施形態に係る積層体の概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の概略断面図である。 本発明の一実施形態に係る積層体の概略断面図である。 実施例１～２及び比較例１についてのＳ２１特性の測定結果を示す図である。 実施例１及び参考例についてのＳ２１特性の測定結果を示す図である。 実施例１及び実施例３についてのＳ２１特性の測定結果を示す図である。

以下、本発明に係る積層体及び積層体の製造方法について説明する。本明細書において、「ｘ～ｙ」は「ｘ以上、ｙ以下」の数値範囲を表すものとする。一の技術的事項に関して、「ｘ以上」等の下限値が複数存在する場合、又は「ｙ以下」等の上限値が複数存在する場合、当該上限値及び下限値から任意に選択して組み合わせることができるものとする。

本発明の一態様に係る積層体は、フッ素系樹脂を含む基材と、前記基材の少なくとも一方の面に形成された接着層と、を有し、前記基材の一の面に形成された前記接着層の厚さと前記基材の厚さとを合計した厚さに対する、前記接着層の厚さの比率が、下記式（１）の関係を満たす。
接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００≦３０％ …（１）

一実施形態に係る積層体は、フッ素系樹脂を含む基材と、前記基材の少なくとも一方の面に形成された接着層と、を有し、前記接着層が、前記基材の一の面と、当該面の反対面である他の面とに設けられ、前記一の面に設けられた前記接着層の厚さと前記他の面に設けられた前記接着層の厚さとの合計厚さと前記基材の厚さとを合計した厚さに対する、前記接着層の合計厚さの比率が、下記式（２）の関係を満たす。
接着層合計厚さ／（基材厚さ＋接着層合計厚さ）×１００≦３０％ …（２）

ＦＣＣＬにおいて、接着層を介して基材と銅層とを積層すると、基材が低誘電特性（低比誘電率、低誘電正接）であっても、接着層によってその特性が損なわれ易く、基材と銅層とを直接積層した場合と比較して、高周波伝送における伝送損失が増大し易い傾向がある。このため、ＦＣＣＬの基材として汎用されているポリイミド等の樹脂成分と比較して、より低誘電特性（低比誘電率、低誘電正接）を示し電気特性に優れた樹脂であるフッ素系樹脂を、高周波伝送用のＦＣＣＬの基材として用いる場合には、通常、基材と銅層との間に接着層を設けない。
一方、フッ素系樹脂は接着性に乏しい素材であるため、接着層を設けないと銅箔との接着が困難である。またさらに、高周波伝送用途に用いる基板では、表皮効果と呼ばれる現象を抑制するために、銅箔として低粗度のものが使用される。このため、基材と銅箔との接着はより困難となっており、直接回路加工に耐え得る接着力を発現することは困難である。
本発明者らが鋭意研究した結果、接着層を介して基材と銅層とを積層した構成において、基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（上述した式（１）の左辺で表される比率）を所定の値以下とすることで、接着層としての機能を維持しつつ、基材の低誘電特性を損なうことを抑制でき、回路基板に使用したときの高周波伝送における伝送損失を、基材と銅層とを直接積層した構成としたときと、略同等のレベルに抑えられることを見出した。

本態様の積層体は、基材として、低誘電特性（低比誘電率、低誘電正接）を示し電気特性に優れたフッ素系樹脂を用いており、且つ、基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（上述した式（１）の左辺で表される比率）が上記所定の値以下であるため、積層体を回路基板に使用したときの高周波伝送における伝送損失が低減された、良好な電気特性を有する。
また、本態様の積層体は、基材のフッ素系樹脂上に接着層を積層しているため、当該接着層上にさらに銅箔を積層することで、金属成分との接着性が必ずしも良好でないフッ素系樹脂と銅箔との間で、優れた接着性を示す。

本態様における積層体の形状は特に限定されないが、例えばシート状又はフィルム状であり、典型的にはシート状である。

本態様の積層体は、基材の少なくとも一方の面に接着層が積層されていればよい。具体的には、接着層は基材の片方の面だけに積層されていてもよく、基材の両方の面に積層されていてもよい。
また、銅層は、接着層を介して基材に積層されていればよく、基材の片方の面だけに積層されていてもよく、基材の両方の面に積層されていてもよい。

［積層体］
図１は本発明の一実施形態に係る積層体の概略断面図である。
図１に示す積層体１０は、フッ素系樹脂を含む基材１１と、基材１１の両方の面に積層された接着層１２ａ、１２ｂと、接着層１２ａ、１２ｂを介して、それぞれ基材１１上に積層された銅箔１３ａ、１３ｂとを有する。
なお、図１及び後述する図２～図４は、単に一態様に係る積層体の層構成を説明するためのものであり、縦横比や膜厚比は必ずしも正確ではない。

（基材）
基材１１の形状は特に限定されないが、例えばシート状又はフィルム状であり、典型的にはシート状である。

基材１１に用いるフッ素系樹脂としては、一般に用いられているものを特に限定なく使用できる。
フッ素系樹脂としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、変性ポリテトラフルオロエチレン（変性ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＥＰＥ）、エチレン－テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、ポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ）、エチレン－クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等が挙げられる。
これらのフッ素系樹脂は、単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。

前述したフッ素系樹脂の中でも、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、変性ＰＴＦＥは、低誘電特性（低比誘電率、低誘電正接）であるため、基材として好適に用いることができ、中でもポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を好適に用いることができる。なお、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）は、テトラフルオロエチレンの単独重合体である。

基材１１は、前述したフッ素系樹脂単独で構成されるものに限定されず、フッ素系樹脂以外の樹脂成分や、その他の成分を、フッ素系樹脂とともに含んでいてもよい。

フッ素系樹脂以外の樹脂成分としては、例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、シリコーン樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。

また、基材１１は、フッ素系樹脂以外の成分として、例えばアルミナ、酸化チタン、シリカ、硫酸バリウム、炭化珪素、窒化珪素、ガラスファイバー、ガラスビーズ、マイカ等の充填材を含んでもよい。これら充填材は、１種又は２種以上を使用できる。
基材１１中におけるアルミナ、酸化チタン、シリカ、硫酸バリウム、炭化珪素、窒化珪素、ガラスファイバー、ガラスビーズ及びマイカから選択される１種以上の充填材を含む場合、その含有量は、例えば１～６０質量％である。なお、シート中には必ずしも充填剤を含んでいなくてもよい。

基材１１におけるフッ素系樹脂の含有割合は、５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８５質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９８質量％以上、９９質量％以上、９９．５質量％以上、又は９９．９質量％以上であってもよく、実質的に１００質量％がフッ素系樹脂であってもよい。
基材１１におけるフッ素系樹脂の含有割合が５０質量％以上であることで、積層体を回路基板に使用したときに、高周波伝送における伝送損失が低減された、良好な電気特性を示す。

例えばＦＣＣＬの基材として汎用されているモディファイポリイミドは、周波数１０ＧＨｚでの比誘電率が３．３、誘電正接が０．００７である。
これに対して、例えばフッ素系樹脂であるポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）は、周波数１０ＧＨｚでの比誘電率が２．１、誘電正接が０．０００２であり、モディファイポリイミドと比較して低誘電特性である。
従って、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素系樹脂を基材として用いた積層体は、回路基板に使用したときに、高周波伝送における伝送損失が低減された、良好な電気特性を示し得る。

基材１１は、周波数１０ＧＨｚでの比誘電率が３．０以下、２．５以下、２．４以下、２．３以下、又は２．２以下であってもよい。周波数１０ＧＨｚでの比誘電率の下限値は、特に限定されないが、通常、２．０以上である。
また、基材１１は、周波数１０ＧＨｚでの誘電正接が０．００１以下、０．０００８以下、０．０００６以下、又は０．０００４以下であってもよい。周波数１０ＧＨｚでの誘電正接の下限値は、特に限定されないが、通常、０．０００１以上である。
基材１１の周波数１０ＧＨｚでの比誘電率及び誘電正接が上記範囲にあることで、積層体を回路基板に使用したときに、高周波伝送における伝送損失が低減された、良好な電気特性を示す。

基材１１は、単層であってもよく複層であってもよい。
基材１１の厚さは、特に限定されないが、例えば１～５００μｍであってもよく、２～３５０μｍであってもよく、３～３００μｍであってもよく、４～２００μｍであってもよい。
基材１１の厚さが１μｍ以上であることで、積層体を回路基板に使用したときに、銅層と他の部材との電気絶縁性を十分に確保することができる。また、基材１１の厚さが５００μｍ以下であることで、積層体において、ＦＰＣとして求められる柔軟性を担保し易い。
なお、基材１１が複層である場合、基材１１の厚さは、複数の層の全体の厚さをいう。

（接着層）
接着層１２としては、基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（上述した式（１）の左辺で表される比率）を、所定の値以下とすることで、基材の低誘電特性を損なうことを抑制できるため、接着剤の誘電特性に制約されることなく、ＦＣＣＬの接着剤として一般に用いられる樹脂を、特に限定なく用いて形成できる。
接着層としては、例えば、ポリイミド、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド、及びスチレン系熱可塑性エラストマーからなる群から選択される１種以上の樹脂成分を含むものが挙げられる。
接着層は、これらの樹脂成分を単独で含んでいてもよく、２種類以上の組み合わせで含んでいてもよい。
上記の樹脂成分の中でも、取り扱い易さの点から、ポリイミド、ウレタン樹脂を、接着層の樹脂として好適に用いることができる。

接着層１２は、前述した樹脂成分単独で構成されるものに限定されず、任意で、二酸化ケイ素や酸化アルミニウム等の充填剤や、シランカップリング剤、その他公知の添加剤等を、前述した樹脂成分とともに含んでいてもよい。

接着層１２における、前述した樹脂成分の含有割合は、５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８５質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、９８質量％以上、９９質量％以上、９９．５質量％以上、又は９９．９質量％以上であってもよく、実質的に１００質量％が、前述した樹脂成分であってもよい。

接着層１２は、基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率が、下記式（１）の関係を満たす。
接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００≦３０％ …（１）
式（１）における接着層厚さとは、基材の一の面に形成された接着層の厚さであり、例えば図１に示す例において、接着層１２ａの厚さと接着層１２ｂの厚さとが異なる場合には、より厚い方の層の厚さをいい、接着層１２ａの厚さと接着層１２ｂの厚さとが同じである場合には、接着層１２ａ又は接着層１２ｂのうちのいずれか一方の層の厚さをいう。
また、式（１）における接着層厚さとは、後述する図２に示す例（基材の片面にだけ接着層が形成された積層体）の場合には、接着層１２ａの厚さを、接着層の厚さという。

基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（式（１）の左辺で表される比率）を３０％以下とし、接着層の厚さを薄く設計することにより、積層体内における伝送損失に大きく影響する接着層への電磁波の通過距離が短くなり伝送損失が低減される。即ち銅箔に対する誘電体である接着層１２と基材１１との複合体（積層体）に対する、接着層による誘電特性の寄与を低減することができる。このため、本態様の積層体は、接着層を有していても、低誘電特性が損なわれるのを抑制でき、積層体を回路基板に使用したときに、高周波伝送における伝送損失が低減された、良好な電気特性を得られる。さらに、本態様の積層体では、この良好な電気特性の他、当該接着層により一定程度の接着性（例えば金属（回路基板用の銅箔等）と剥離しない程度の接着性）を有することができ、即ち良好な電気特性と接着性の両立を図ることもできる。
基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率は、好ましくは２５％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、又は９％以下であり、さらに好ましくは８％以下である。
基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率の下限値は、例えば０．５％以上、又は１％以上である。これにより、フッ素系樹脂を含む基材と銅層とを良好に接着でき、銅箔における回路パターン形成を円滑に行うことができる。

一実施形態において、接着層が、基材の一の面と、当該面の反対面である他の面とに設けられる場合（即ち、基材の両面に接着層が設けられる場合）、基材の一の面に設けられた接着層の厚さと基材の他の面に設けられた接着層の厚さとの合計厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の合計厚さの比率が、下記式（２）の関係を満たすことが好ましい。
接着層合計厚さ／（基材厚さ＋接着層合計厚さ）×１００≦３０％ …（２）
式（２）における接着層合計厚さとは、基材に接して形成された接着層の各々の厚さを合計した厚さをいう。
例えば図１に示す例では、接着層１２ａの厚さと接着層１２ｂの厚さを合計した厚さを、接着層の合計厚さという。

基材の一の面に設けられた接着層の厚さと基材の他の面に設けられた接着層の厚さとの合計厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の合計厚さの比率（式（２）の左辺で表される比率）は、より好ましくは２５％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、又は９％以下であり、さらに好ましくは８％以下である。
基材の一の面に設けられた接着層の厚さと基材の他の面に設けられた接着層の厚さとの合計厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の合計厚さの比率（式（２）の左辺で表される比率）の下限値は、例えば０．５％以上、又は１％以上である。
上記の上限値を好適とする理由は、上述した式（１）の左辺で表される比率（基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率）について説明した、各上限値を好適とする理由と同様である。
また、上記の下限値を好適とする理由は、上述した式（１）の左辺で表される比率（基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率）について説明した、各下限値を好適とする理由と同様である。

接着層１２の厚さは、上述した式（１）を満たす範囲において、後述する銅箔１３と基材１１との間で目的とする接着性を発現し得る厚さを、適宜選択することができる。
接着層１２の厚さは、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ未満である。
接着層１２の厚さが５．０μｍ未満であることで、基材１１の低誘電特性が損なわれるのを抑制でき、積層体を回路基板に使用したときに、高周波伝送における伝送損失がより低減された、良好な電気特性を得られる。
また、接着層１２の厚さが０．１μｍ以上であることで、フッ素系樹脂を含む基材と銅層とをより良好に接着でき、銅層における回路パターン形成を円滑に行うことができる。
接着層１２の厚さは、０．３μｍ以上、０．５μｍ以上、０．７μｍ以上、又は０．９μｍ以上であってもよく、４．５μｍ以下、４．０μｍ以下、３．０μｍ以下、又は２．０μｍ以下であってもよい。
また、接着層の厚さは、例えば０．３～４．５μｍであり、好ましくは０．５～４．０μｍであり、より好ましくは０．７～３．０μｍであり、さらに好ましくは０．９～２．０μｍである。

接着層１２は、単層であってもよく、複数の層を積層した複層であってもよい。
接着層１２が複層である場合、前述した接着層１２の厚さは、複数の層全体の厚さをいう。

接着層１２は、周波数１０ＧＨｚでの比誘電率が１０以下、８以下、５以下、又は４以下であってもよい。周波数１０ＧＨｚでの比誘電率の下限値は、特に限定されないが、通常、２．０以上である。
また、接着層１２は、周波数１０ＧＨｚでの誘電正接が０．０３以下、０．０２以下、又は０．０１５以下であってもよい。周波数１０ＧＨｚでの誘電正接の下限値は、特に限定されないが、通常、０．００００５以上、又は０．０００１以上である。
接着層１２の周波数１０ＧＨｚでの比誘電率及び誘電正接が上記範囲にあることで、積層体を回路基板に使用したときに、高周波伝送における伝送損失がより低減された、良好な電気特性を示す。

（銅層）
銅箔１３ａ、１３ｂ（以下、単に銅層１３と示す。）は、銅又は銅合金を主として含む。
銅箔１３は、典型的には、銅又は銅合金からなるものであるが、銅又は銅合金以外の金属成分を含んでいてもよい。

銅箔１３の厚さは、特に限定されないが、例えば１～５０μｍであってもよく、２～４０μｍであってもよく、３～３０μｍであってもよい。
銅箔１３の厚さが１μｍ以上であることで、積層体としての生産安定性に優れ、また良好なハンドリング性を得られる。
また、銅箔１３の厚さが５０μｍ以下であることで、積層体において、ＦＰＣとして求められる柔軟性を担保し易い。

銅箔の接着層側の表面粗さ（最大高さ）Ｒｚは、例えば１．３μｍ以下であり、好ましくは１．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以下である。銅箔の接着層側の表面粗さ（最大高さ）Ｒｚの下限値は特に限定されないが、例えば０．０１μｍ以上又は０．１μｍ以上である。
銅箔の接着層側の表面粗さ（最大高さ）Ｒｚは、積層体を断面観察したときの最大深さを計測して得られる値とすることができる。

積層体１０全体の厚さは、特に限定されないが、１０～５００μｍであってもよく、６０～４５０μｍであってもよい。
積層体１０の厚さが５００μｍ以下であることで、ＦＣＣＬに適した、良好な可撓性を得ることができ、ＦＰＣ等の回路基板の製造時や使用時の取り扱い性に優れる。
また、積層体１０の厚さが１０μｍ以上であることで、ＦＣＣＬとして十分な強度を得ることができ、ＦＰＣ等の回路基板の製造時や使用時の取り扱い性に優れる。

積層体１０における、基材１１と接着層１２との間のピール強度は、好ましくは０．１Ｎ／ｍｍ以上、より好ましくは０．２Ｎ／ｍｍ以上、さらに好ましくは０．３Ｎ／ｍｍ以上である。
なお、基材１１と接着層１２との間のピール強度は、実施例に記載の方法によって測定する。

なお、本態様の積層体は、必ずしも図１に示すように、基材１１の両面に接着層１２ａ、１２ｂ及び銅箔１３ａ、１３ｂが設けられた構成には限られない。
例えば図２に示すように、基材１１の片面だけに、接着層１２ａ及び銅箔１３ａが設けられた構成であってもよい。
一実施形態に係る積層体１０は、図２に示すように、フッ素系樹脂を含む基材１１と、基材１１の片方の面に積層された接着層１２ａと、接着層１２ａを介して基材１１上に積層された銅層１３ａとを有する。

また、本態様の積層体は、必ずしも銅箔を有していなくてもよく、例えば図３又は図４に示す構成であってもよい。
一実施形態に係る積層体１０は、図３に示すように、フッ素系樹脂を含む基材１１と、基材１１の片方の面に積層された接着層１２ａを有する。
一実施形態に係る積層体１０は、図４に示すように、フッ素系樹脂を含む基材１１と、基材１１の両方の面に積層された接着層１２ａ、１２ｂを有する。

［積層体の製造方法］
本発明の一態様に係る積層体の製造方法は、フッ素系樹脂を含む基材の少なくとも一方の面に、接着層を形成する工程を有する。
本態様における接着層は、基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率が、下記式（１）の関係を満たす。
接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００≦３０％ …（１）

一実施形態に係る積層体の製造方法は、下記（１）～（３）の工程を含む。
（１）フッ素系樹脂を含む基材の少なくとも一方の面に接着剤を塗布して、接着層を形成する工程
（２）前記接着層の上に銅箔を積層して、積層構造体を形成する工程
（３）前記積層構造体を加圧して、基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率が３０％以下である接着層を有する積層体を形成する工程

（工程（１））
まず、基材の少なくとも一方の面に接着剤を塗布する。
基材としては、前述した積層体の項目で説明した、フッ素系樹脂を含むものを用いることができる。
例えば、前述したフッ素系樹脂を含む原料組成物を溶融混錬した後、圧延等してシート状又はフィルム状に成形して得られるものを、基材として用いてもよい。また、フッ素系樹脂として、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等の、高溶融粘度を有する樹脂を用いる場合には、フッ素系樹脂を含む原料組成物を圧縮成形後、焼成して得られた成形体を、例えばスカイブ加工して得られるシート状又はフィルム状のものを、基材として用いてもよい。

接着剤としては、前述した積層体の項目で説明した、接着層に含まれる樹脂成分、並びに溶剤及び任意でその他の助剤を含む組成物を用いることができる。
溶剤としては、例えば、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサン、水、トルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、酢酸エチル、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）等が挙げられる。溶剤としては、これらを単独で用いてもよいし、これらの２種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、助剤としては、例えば、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等を用いることができる。

接着剤を塗布する方法としては、例えば、ディップコーティング、スプレーコーティング、スピンコーティング、バーコーティング、コンマコーティング、キスリバースグラビア等の方法を用いることができる。

次いで、基材上に塗布した接着剤を、例えば熱風循環オーブン等で乾燥して溶媒除去することにより、基材上に接着層を形成する。

工程（１）において、基材上に形成する接着層は、基材の一の面に形成する接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００）が、３０％以下であることが好ましい。
これにより、後述する加圧工程の加圧条件を適宜調整することにより、最終的に得られる接着層の厚さについて、上述した式（１）を満たす範囲に容易に調整することができる。

工程（１）において基材上に形成する接着層は、基材の一の面に形成する接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００）が、好ましくは２５％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、又は９％以下であり、さらに好ましくは８％以下である。
基材の一の面に形成する接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００）は、例えば０．５％以上、又は１％以上である。

一実施形態において、接着層を、基材の一の面と、当該面の反対面である他の面とに形成する場合（即ち、基材の両面に接着層を形成する場合）、工程（１）において基材上に形成する接着層は、基材の一の面に形成する接着層の厚さと基材の他の面に形成する接着層の厚さとの合計厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の合計厚さの比率が、下記式（２）の関係を満たすことが好ましい。
接着層合計厚さ／（基材厚さ＋接着層合計厚さ）×１００≦３０％ …（２）

基材の一の面に形成する接着層の厚さと基材の他の面に形成する接着層の厚さとの合計厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の合計厚さの比率（式（２）の左辺で表される比率）は、好ましくは２５％以下、２０％以下、１５％以下、１０％以下、又は９％以下であり、さらに好ましくは８％以下である。
基材の一の面に形成する接着層の厚さと基材の他の面に形成する接着層の厚さとの合計厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の合計厚さの比率（式（２）の左辺で表される比率）の下限値は、例えば０．５％以上、又は１％以上である。

工程（１）における接着層の厚さは、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ未満である。
これにより、後述する加圧工程の加圧条件を適宜調整することにより、最終的に得られる接着層の厚さを、０．１μｍ以上５．０μｍ未満の範囲に容易に調整することができる。
工程（１）における接着層の厚さは、０．３μｍ以上、０．５μｍ以上、０．７μｍ以上、又は０．９μｍ以上であってもよく、４．５μｍ以下、４．０μｍ以下、３．０μｍ以下、又は２．０μｍ以下であってもよい。
また、工程（１）における接着層の厚さは、例えば０．３～４．５μｍであり、好ましくは０．５～４．０μｍであり、より好ましくは０．７～３．０μｍであり、さらに好ましくは０．９～２．０μｍである。

（工程（２））
次に、接着層の上に銅箔を積層して、積層構造体（銅箔／接着層／基材／接着層／銅箔）を形成する。

銅箔としては、圧延銅箔を用いてもよく、電解銅箔を用いてもよい。

銅箔としては、接着性の観点では凹凸が付与されているものが好適であるが、高周波用途においては、凹凸が大きいと表皮効果の影響により電気特性が損なわれ易くなる。このため、銅箔としては低粗度銅箔が好ましく、表面粗さ（最大高さ）Ｒｚは、例えば１．３μｍ以下であり、好ましくは１．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以下である。低粗度銅箔の表面粗さ（最大高さ）Ｒｚの下限値は特に限定されないが、例えば０．０１μｍ以上又は０．１μｍ以上である。
表面粗さ（最大高さ）Ｒｚが上記範囲にある面を、接着層と対向させて、銅箔を接着層に積層することが好ましい。
これにより、銅箔と接着層との間で、十分な接着強度（ピール強度）を得ることができる。また、接着層と接する側の銅箔の面の表面粗さ（最大高さ）Ｒｚが上記範囲にある銅箔を用いることで、最終的に得られる積層体を回路基板に使用したときの、高周波伝送における伝送損失を低減できる。

（工程（３））
次に、工程（２）で得られた積層構造体（銅箔／接着層／基材／接着層／銅箔）を加圧する。
加圧は、例えば、上記の積層構造体をステンレス製板で挟み込むことで行うことができる。
加圧条件は、特に限定されないが、加圧後に得られる接着層において、基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（式（１）の左辺で表される比率）が３０％以下となるように、適宜調整して行う。
加圧条件は、例えば加圧圧力を１～１０ＭＰａで、加圧時の温度を４０～３５０℃の条件下で、通常１～２４０分間熱プレスすることにより、行うことができる。

上記加圧工程を行うことで、接着層が、基材の一の面に形成された接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（式（１）の左辺で表される比率）が３０％以下の条件を満たす接着層となり、銅箔が銅層となる。これにより、銅箔／接着層／基材／接着層／銅箔の積層構造を有する積層体を得る。

なお、前述した工程（１）を行う前に、基材の少なくとも一方の面に表面処理を行ってもよい。表面処理としては、例えばプラズマによる表面処理が挙げられる。
プラズマ表面処理に用いるガス種としては、例えば窒素ガス、水素ガスが挙げられる。また、これら以外のガス種として、例えば酸素ガス、アルゴンガス、二酸化炭素ガス、水蒸気、ヘリウムガス、アンモニアガス等を用いてもよい。
これらのガスは、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。

プラズマ表面処理におけるガス圧の好適な範囲は、使用するガス種によって異なるが、例えば、窒素ガスと水素ガスの混合ガスを用いる場合、ガス圧は１～１０００Ｐａであることが好ましい。

プラズマ表面処理は、基材を設置した真空装置内を所定の圧力になるまで真空引きした後、例えば、プラズマ処理用のガスを真空装置内に導入し、適切なガス圧で直流放電プラズマを発生させることにより行うことができる。

なお、工程（１）の前に基板の表面処理を行う場合、工程（１）の接着剤の塗布は、基材の表面処理面に対して行うことがよい。

以上説明した方法により、前述した本態様の積層体を得られる。
なお、上記した製造方法は、本態様の積層体を得るための一製造例を示したものであり、本態様の積層体を得る方法は、必ずしもこのような方法に限定されない。
例えば、上記した製造方法では、基材の表面に直接塗布した液状の接着剤を乾燥させることで、接着層を形成する方法を例に説明しているが、本態様の積層体の製造方法は、必ずしもこれに限定されない。
例えば、ＰＥＴ等の別の支持体上で、接着剤の層を乾燥し、フィルム状に成形したものを支持体から剥離して、基材に積層するようにしてもよい。
また、例えば、接着剤を銅箔上に塗布して接着剤の塗布層を形成した後、その上に基材を積層するようにしてもよい。

［回路基板用材料］
以上説明した本態様の積層体を用いて、高速通信用の回路基板用材料を得ることができる。ここで、回路基板用材料とは、例えばＦＰＣ等の回路基板に適用可能な材料をいう。また高速通信とは、周波数帯が例えば１０ＧＨｚ以上や、２０ＧＨｚ以上のデータ通信をいう。

［回路基板］
前述した回路基板用材料の積層体の銅層を、エッチング等の一般に用いられる方法でパターン加工して回路形成することで、ＦＰＣ等の回路基板を得られる。

実施例１
＜基板の表面処理＞
厚さ１００μｍのポリテトラフルオロエチレンシート（ニチアス株式会社製、ＰＴＦＥテープ「ナフロン（登録商標）」、以下、ＰＴＦＥシートと示す。比誘電率εｒ（測定周波数：１０ＧＨｚ）；２．１、誘電正接ｔａｎδ（測定周波数：１０ＧＨｚ）；０．０００２）、を１００ｍｍ×１００ｍｍのサイズに切り出し、下記の手順でプラズマ処理を行った。
まず、真空プラズマ装置にＰＴＦＥシートを設置し、真空装置内を真空引きした後、窒素ガス及び水素ガスの混合ガスを導入し、装置内におけるガス圧力を５Ｐａとした混合ガス雰囲気下で、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を用いて１０秒間プラズマ処理を行い、ＰＴＦＥシートの両面にプラズマ処理を行った。

＜接着剤の塗布＞
ＰＴＦＥシートのプラズマ処理面（ＰＴＦＥシートの両面）に、接着剤として熱可塑性ポリイミドワニス（荒川化学工業株式会社製、「ＰＩＡＤ（登録商標）１５０Ｈ」、比誘電率εｒ（測定周波数：１０ＧＨｚ）；２．５、誘電正接ｔａｎδ（測定周波数：１０ＧＨｚ）；０．００２）をディップコート法により基材の両面に塗布し、熱風循環オーブンにて乾燥して溶媒除去して、基材の両面に接着剤の塗布層を形成した。接着剤の塗布層の各々の厚さは１μｍであった。

＜銅箔の積層＞
ＰＴＦＥシートの両面に形成された、乾燥後の接着剤の塗布層上に、１００ｍｍ×１００ｍｍに切出した厚さ１８μｍの低粗度電解銅箔（三井金属鉱業株式会社製、「ＴＱ－Ｍ４－ＶＳＰ」、最大高さＲｚ；０．６μｍ）を積層し、得られた積層構造体を、ＳＵＳ３０４ステンレス製板（１２０ｍｍ×１２０ｍｍ、厚さ５ｍｍ）で挟み込み、温度１８０℃、圧力２．５ＭＰａの条件で９０分間加熱加圧して熱プレスすることにより、積層体（銅箔／接着層／ＰＴＦＥシート（基材）／接着層／銅箔）を得た。
熱プレス後の積層体の厚さは１３８μｍであり、接着層の各々の厚さは１μｍであった。
また、ＪＩＳ Ｃ６４８１に準拠して、得られた積層体の銅箔と接着層との間のピール強度を測定した。ピール強度は０．６Ｎ／ｍｍであった。

実施例２
接着剤の塗布工程において、両面に塗布された接着剤の塗布層の各々の厚さが４μｍとなるように、接着剤の塗布を行ったこと以外は、実施例１と同様にして、積層体を得た。
熱プレス後の積層体の厚さは１４４μｍであり、接着層の各々の厚さは４μｍであった。

実施例３
接着剤として、熱可塑性ポリイミドワニスに代えて、水系ポリウレタン樹脂（第一工業製薬株式会社製、商品名「スーパーフレックス（登録商標）１７０（ＳＦ－１７０）」、比誘電率εｒ（測定周波数：１０ＧＨｚ）；７、誘電正接ｔａｎδ（測定周波数：１０ＧＨｚ）；０．０１７）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、積層体を得た。接着層の各々の厚さは１μｍであった。

比較例１
接着剤の塗布工程において、両面に塗布された接着剤の塗布層の各々の厚さが２５μｍとなるように、接着剤の塗布を行ったこと以外は、実施例１と同様にして、積層体を得た。接着層の各々の厚さは２５μｍであった。

比較例２
ＰＴＦＥシートに接着剤の塗布を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして、積層体を得た。
また、得られた積層体の銅箔とＰＴＦＥシートとの間のピール強度を、実施例１と同様にして測定した。ピール強度は０Ｎ／ｍｍであった。

参考例
実施例１で用いたのと同じＰＴＦＥシートの両面に、無電解銅めっきを施した後に、電流密度２．５Ａ／ｄｍ^２で電気銅めっき（めっき液：硫酸銅溶液）処理を行い、膜厚１８μｍの銅めっき層を形成した。

実施例１～３、比較例１～２、及び参考例で得られた積層体について、以下の評価を行った。

［回路加工性（接着性）］
積層体の片面をエッチング加工して、マイクロストリップライン（回路幅０．３１ｍｍ、回路長４５ｍｍ）の回路加工を行った。
回路加工面における回路の浮き（ＰＴＦＥシートと銅箔の剥離）の有無を、目視にて確認し、下記評価基準に基づき、回路加工性（ＰＴＦＥシートと銅箔との接着性）を評価した。評価結果を表１に示す。
〇：回路加工面における回路の浮き（ＰＴＦＥシートと銅箔の剥離）が無かった。
△：回路加工面における回路の浮き（ＰＴＦＥシートと銅箔の剥離）が確認され、回路形成が困難であった。
×：回路加工面における回路の浮き（ＰＴＦＥシートと銅箔の剥離）が著しく、殆ど回路加工を行えなかった。

［Ｓ２１特性評価（伝送損失の評価）］
［回路加工性（接着性）］の評価において回路加工した後の積層体を、４５ｍｍ×４５ｍｍの外形サイズに切出し、Ｓ２１特性測定用の試料を作製した。
各測定用試料の伝送路に、発信機としてのネットワークアナライザ（ＫｅｙｓｉｇｈｔＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、「Ｎ５２４７Ａ」）、及び測定ジグ（アンリツ株式会社製、「ＭＯＤＥＬ ３６８０Ｖ」）を用いて、高周波信号を伝送し、Ｓ２１特性を測定した。
Ｓ２１特性の測定は、インピーダンスを５０Ωとし、１～６０ＧＨｚの範囲の周波数帯について、測定点数を１０００点として行った。
図５に、実施例１～２及び比較例１についてのＳ２１特性の測定結果を示す。図５中、横軸は周波数であり、縦軸はＳ２１特性［ｄＢ］である。
Ｓ２１特性とは、入力端子から出力端子への電力量の絶対量であり、Ｓ２１特性の絶対値が小さいほど伝送損失が少なく、積層体の高周波特性が良好であることを意味する。実施例１～３、比較例１～２、及び参考例のＳ２１特性の測定結果について、下記評価基準に基づき高周波特性を評価した。評価結果を表１に示す。
〇：３０ＧＨｚ未満の周波数では、－２．６５ｄＢ未満のＳ２１特性（伝送損失５０％以上に相当する）を示さなかった。（即ち、３０ＧＨｚ以上の周波数帯で、－２．６５ｄＢ未満のＳ２１特性を示した。）
×：３０ＧＨｚ未満の周波数帯で、－２．６５ｄＢ未満のＳ２１特性（伝送損失が５０％以上）を示した。
なお、Ｓ２１特性は、例えば、３０ＧＨｚ未満において、その最小値が－２．６５ｄＢ以上であり、好ましくは－２．６ｄＢ以上であり、より好ましくは－２．５ｄＢ以上である。

図６は、実施例１及び参考例の各測定用試料についての、Ｓ２１特性の測定結果を示す図である。図６中、横軸は周波数であり、縦軸はＳ２１特性である。
なお、図６中の（ａ）は、ＦＣＣＬの汎用基材である液晶ポリマーフィルム単体（厚さ１００μｍ）についてのＳ２１特性の測定結果を示しており、図６中の（ｂ）は、ＦＣＣＬの汎用基材であるモディファイポリイミドフィルム単体（厚さ１００μｍ）についてのＳ２１特性の測定結果を示している。
図６に示すように、実施例１のＳ２１特性は、参考例１のＳ２１特性と、略同様の推移を示しており、液晶ポリマーフィルム（厚さ１００μｍ）やモディファイポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）が示しているような、高周波帯におけるＳ２１特性の大幅な低下を生じていない。
したがって、接着層を介して基材と銅箔とを積層した積層体において、接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００）が３０％以下の範囲にあれば、積層体を回路基板に使用したときの高周波伝送における伝送損失を、参考例の構成（基材に銅めっき層とを直接積層した構成）と略同等のレベルに抑えられることが確認できる。

図７は、実施例１及び実施例３の各測定用試料についての、Ｓ２１特性の測定結果を示す図である。図７中、横軸は周波数であり、縦軸はＳ２１特性である。
なお、図７中の（ｃ）は、ＦＣＣＬの汎用基材であるモディファイポリイミドフィルム（厚さ１００μｍ）についての、Ｓ２１特性の測定結果を示している。
実施例１の接着層の形成に用いた熱可塑性ポリイミドワニスと、実施例３の接着層の形成に用いた水系ポリウレタン樹脂の誘電特性を比較すると、水系ポリウレタン樹脂の比誘電率εｒ；７（測定周波数：１０ＧＨｚ）は、熱可塑性ポリイミドワニスの比誘電率εｒ；２．５（測定周波数：１０ＧＨｚ）の３倍の値を示している。
一方、図７に示すように、実施例３のＳ２１特性は、実施例１のＳ２１特性と、略同様の推移を示しており、モディファイポリイミドフィルム（比誘電率εｒ；３．３（測定周波数：１０ＧＨｚ））が示しているような、高周波帯におけるＳ２１特性の大幅な低下を生じていない。
したがって、接着層を介して基材と銅箔とを積層した積層体において、接着層の厚さと基材の厚さとを合計した厚さに対する、接着層の厚さの比率（接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００）が３０％以下の範囲にあれば、接着層を構成する樹脂成分自体の誘電特性は、高周波伝送における伝送損失に殆ど影響しないことが確認できる。

本発明の積層体は、例えば、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）等の回路基板用材料として、基材と接着層からなるもの、及びフレキシブル銅張積層板（ＦＣＣＬ）等に好適に使用される。

１０ 積層体
１１ 基材
１２ａ、１２ｂ 接着層
１３ａ、１３ｂ 銅箔

Claims (13)

1. フッ素系樹脂を含む基材と、
   前記基材の少なくとも一方の面に形成された接着層と、
   前記接着層の上に積層された銅箔と、を有し、
   前記基材の一の面に形成された前記接着層の厚さと前記基材の厚さとを合計した厚さに対する、前記接着層の厚さの比率が、下記式（１）の関係を満たし、
   前記基材の周波数１０ＧＨｚでの比誘電率が２．４以下であり、周波数１０ＧＨｚでの誘電正接が０．００１以下である積層体。
   接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００≦１５％ …（１）
2. 前記接着層が、前記基材の一の面と、当該面の反対面である他の面とに設けられ、
   前記一の面に設けられた前記接着層の厚さと前記他の面に設けられた前記接着層の厚さとの合計厚さと前記基材の厚さとを合計した厚さに対する、前記接着層の合計厚さの比率が、下記式（２）の関係を満たす、請求項１に記載の積層体。
   接着層合計厚さ／（基材厚さ＋接着層合計厚さ）×１００≦３０％ …（２）
3. 前記銅箔の前記接着層側の表面粗さＲｚが１．３μｍ以下である、請求項１又は２に記載の積層体。
4. 前記接着層の厚さが０．１μｍ以上５．０μｍ未満である、請求項１～３のいずれかに記載の積層体。
5. 前記接着層が、ポリイミド、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミド、及びスチレン系熱可塑性エラストマーからなる群から選択される１種以上を主成分として含む、請求項１～４のいずれかに記載の積層体。
6. 前記フッ素系樹脂がポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）である、請求項１～５のいずれかに記載の積層体。
7. 前記積層体の厚さが１０～５００μｍである、請求項１～６のいずれかに記載の積層体。
8. 請求項１～７のいずれかに記載の積層体を用いた高速通信用の回路基板用材料。
9. 請求項８に記載の回路基板用材料を用いた回路基板。
10. フッ素系樹脂を含み、周波数１０ＧＨｚでの比誘電率が２．４以下であり、周波数１０ＧＨｚでの誘電正接が０．００１以下である基材の少なくとも一方の面に、接着層を形成する工程、及び
    前記接着層の上に銅箔を積層する工程を有し、
    前記基材の一の面に形成された前記接着層の厚さと前記基材の厚さとを合計した厚さに対する、前記接着層の厚さの比率が、下記式（１）の関係を満たす、積層体の製造方法。
    接着層厚さ／（基材厚さ＋接着層厚さ）×１００≦１５％ …（１）
11. 前記接着層の上に銅箔を積層して積層構造体を形成する工程と、
    前記積層構造体を加圧する工程と、を有する、請求項１０に記載の積層体の製造方法。
12. 前記銅箔の表面粗さＲｚが１．３μｍ以下である、請求項１０又は１１に記載の積層体の製造方法。
13. 前記基材の少なくとも一方の面に、プラズマによる表面処理を行い、
    前記基材のプラズマによる表面処理面に、前記接着層を形成する、請求項１０～１２のいずれかに記載の積層体の製造方法。
    

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