WO2019107395A1 - 実装装置 - Google Patents

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WO2019107395A1
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mounting
film
cover film
semiconductor chip
mounting head
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耕平 瀬山
哲弥 歌野
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株式会社新川
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    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Definitions

  • the present specification discloses a mounting apparatus for mounting a semiconductor chip on a substrate or other substrate that is a semiconductor chip via an adhesive material.
  • flip chip bonder technology is widely known in which a semiconductor chip is mounted on an object to be mounted, which is a substrate or another semiconductor chip, without the use of wires.
  • an adhesive material made of a thermosetting resin may be applied to the substrate in advance, and the semiconductor chip may be fixed to the substrate via the adhesive material.
  • the adhesive material extruded by the semiconductor chip may creep up and adhere to the mounting head.
  • fume gas generated from the heated adhesive material may intrude into the mounting head.
  • Patent Document 1 discloses a mounting apparatus in which the bottom surface of the thermocompression bonding tool is covered with a film member (cover film) in order to prevent the adhesion of the adhesive material to the thermocompression bonding tool (mounting head). That is, in the mounting apparatus of Patent Document 1, the bonding head is provided with a thermocompression bonding tool and a film member transport mechanism that feeds film members sequentially. According to the mounting apparatus, the adhesion of the adhesive material to the thermocompression bonding tool is effectively prevented.
  • Patent Document 2 discloses a mounting apparatus in which a resin film (cover film) is provided separately from a bonding tool.
  • the resin film is for protecting the chip (semiconductor chip) from the vibration of the bonding tool, and is not for preventing adhesion of the adhesive material to the bonding tool.
  • the joining tool of patent document 2 presses the chip
  • the mounting apparatus disclosed in this specification is a mounting apparatus for mounting a semiconductor chip on a substrate or other object to be mounted, which is a semiconductor chip via an adhesive material, comprising: a bonding stage on which the substrate is mounted; A mounting head that performs a base bonding supporting a bonding stage, a temporary pressure bonding process for sucking and holding the semiconductor chip and temporarily pressing on the mounted body, and a main pressure bonding process for final pressing of the temporarily bonded semiconductor chip; A film disposing mechanism provided on the bonding stage or the base and interposing a cover film between the temporarily crimped semiconductor chip and the mounting head at the time of the main pressure bonding, the mounting head, and the film disposing
  • a control unit that controls driving of a mechanism, and the film placement mechanism includes a pair of rollers on which the cover film is stretched. Has, sequentially, a film feed mechanism for feeding a new cover film, the cover film, and a film moving mechanism for moving in a horizontal direction with respect to the substrate, it is characterized.
  • the control unit is positioned at a retracted position where the cover film is horizontally separated from the mounting section to which the semiconductor chip is temporarily crimped at the time of the temporary crimping process, and at the time of the final crimping process, the semiconductor chip to be fully crimped
  • the film moving mechanism may be controlled to be located at an intermediate position, which is directly above.
  • the film delivery mechanism spans the cover film so that the cover film covers the upper side of the plurality of mounting sections at the intermediate position, and the control unit is configured to cover the plurality of cover films covered by the cover film.
  • the film moving mechanism is driven to move the cover film to a position covering the top of a plurality of new mounting sections, and the film delivery mechanism is driven.
  • the cover film may be fed by a distance corresponding to the plurality of mounting sections.
  • the mounting sections for mounting the semiconductor chips are defined in a two-dimensional array on the substrate, and the film delivery mechanism is configured to cover the two-dimensional array mounting sections in a row unit.
  • the cover film may be stretched.
  • the cover film covers the mounting section in row units, thereby simplifying the control of the feed and movement of the cover film.
  • control unit causes the mounting head to continuously execute the temporary pressure bonding of the semiconductor chips in the plurality of mounting sections
  • main pressure bonding of the plurality of semiconductor chips temporarily compressed is continuously performed. You may run it.
  • the number of times of movement of the cover film by the film movement mechanism can be reduced, and therefore the tact time can be further reduced.
  • the film arrangement mechanism may further include an elevation mechanism that raises and lowers the cover film with respect to the bonding stage.
  • the cover film can be more reliably separated from the upper surface of the semiconductor chip. Further, in the case of stacking and mounting semiconductor chips, the arrangement height of the cover film can be changed according to the number of stacking steps, so that the versatility of the mounting apparatus is improved.
  • the film delivery mechanism may include an interference member that assists in the elimination of the deflection by interfering with a part of the cover film which is pressed by the mounting head and bent downward.
  • the cover film can be more reliably separated from the upper surface of the semiconductor chip, although the configuration is simple.
  • the cover film and the mounting head are separated, it is not necessary to open the cover film. As a result, contamination of the mounting head with the adhesive material can be effectively prevented while reducing the tact time.
  • FIG. 1 It is a figure which shows the structure of a mounting apparatus. It is a schematic plan view of a mounting apparatus. It is a side view which shows the mode of temporary pressure bonding. It is a side view which shows the mode of main pressure bonding. It is a top view which shows the mode of temporary pressure bonding. It is a top view which shows the mode of temporary pressure bonding. It is a top view which shows the mode of temporary pressure bonding. It is a top view which shows the mode of main pressure bonding. It is a top view which shows the mode of main pressure bonding. It is a side view which shows the mode of main pressure bonding. It is a side view which shows the mode of main pressure bonding. It is a figure which compares the processing time of a prior art and this example. It is a figure which shows an example of another mounting apparatus.
  • FIG. 11A It is a figure which shows the other state of the mounting apparatus of FIG. 11A. It is a perspective view of an interference member used with other mounting devices. It is a figure which shows an example of the mounting apparatus using the interference member of FIG. 12A. It is a figure which shows an example of another mounting apparatus. It is a top view which shows a mode that a circular board
  • FIG. 7 is a side view showing how semiconductor chips are stacked and mounted. It is a figure which shows an example of another mounting apparatus. It is a figure which shows an example of the conventional mounting apparatus.
  • FIG. 1 is a schematic view showing the configuration of the mounting apparatus 10.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the mounting apparatus 10.
  • FIG. 3 is a figure which shows the mode of a temporary pressure bonding process
  • FIG. 4 is a figure which shows the mode of this pressure bonding process.
  • the mounting apparatus 10 is an apparatus for manufacturing a semiconductor device by mounting a plurality of semiconductor chips 100 on a substrate 104 or another semiconductor chip 100 (hereinafter referred to as “mounted body” when the two are not distinguished from each other). It is.
  • the semiconductor chip 100 is mounted on the substrate 104 by flip chip bonder technology. Specifically, a protrusion made of a conductive material called a bump 102 is formed on the bottom surface of each semiconductor chip 100, and the bump 102 is bonded to an electrode 105 formed on the surface of the substrate 104.
  • the semiconductor chip 100 and the substrate 104 are electrically connected.
  • mounting sections 106 for mounting the semiconductor chip 100 are defined in a two-dimensional array. In the illustrated example, fifteen mounting sections 106 are defined in three rows and five columns on one substrate 104. A plurality of electrodes 105 electrically connected to the bumps 102 of the semiconductor chip 100 are formed on the surface of each mounting section 106.
  • an adhesive material 108 called a nonconductive paste (NCP) or a nonconductive film (NCF) is applied to each mounting section 106 in advance.
  • the adhesive material 108 is made of a thermosetting resin having an insulating property and a thermosetting property.
  • pre-application method By mounting the semiconductor chip 100 on the adhesive material 108 and pressing it against the substrate 104 and heating the semiconductor chip 100, the adhesive material 108 is cured and the semiconductor chip 100 is mechanically adhered and fixed to the substrate 104. Be done.
  • the method of applying the adhesive material 108 to the substrate 104 in advance in this manner is generally referred to as a "pre-application method".
  • the mounting apparatus 10 temporarily mounts the semiconductor chips 100 and then mounts the semiconductor chips 100 on the substrate 104 by the main pressure bonding.
  • the temporary pressure bonding is to temporarily place the semiconductor chip 100 in the corresponding mounting section 106 (adhesive material 108) of the substrate 104.
  • the semiconductor chip 100 is mechanically and electrically connected to the mounting target (the substrate 104 or the other semiconductor chip 100) by heating and pressurizing the temporarily pressure-bonded semiconductor chip 100. It is.
  • the semiconductor chip 100 is heated at a temperature equal to or higher than the curing temperature of the adhesive material 108 and equal to or higher than the melting temperature of the bumps 102.
  • main bonding of the plurality of semiconductor chips 100 temporarily bonded is continuously performed.
  • the mounting apparatus 10 is an apparatus for mounting the semiconductor chip 100 on the substrate 104 (mounted body) in the procedure described above.
  • the mounting apparatus 10 includes a bonding stage 14, a mounting head 12, a base 16, a film arrangement mechanism 18, and a control unit 20 that controls the driving of these components.
  • the bonding stage 14 is a stage on which the substrate 104 is mounted.
  • the bonding stage 14 is provided with, for example, a suction hole (not shown) for sucking and holding the substrate 104, a heater (not shown) for heating the substrate 104, and the like.
  • the bonding stage 14 is supported by a base 16.
  • the mounting head 12 is provided to face the bonding stage 14, and is movable in the horizontal and vertical directions with respect to the bonding stage 14.
  • the mounting head 12 performs a temporary pressure bonding process and a main pressure bonding process.
  • the mounting head 12 receives and conveys the semiconductor chip 100 from a chip supply source (not shown), places each semiconductor chip 100 in the corresponding mounting section 106, and heats and presses it temporarily. It is desirable that the heating temperature at the time of this temporary pressure bonding be equal to or higher than the temperature at which the adhesive material 108 starts to soften and equal to or lower than the curing temperature of the adhesive material 108.
  • the mounting head 12 applies pressure and heat to the semiconductor chip 100 temporarily pressure-bonded to the substrate 104 to perform the pressure bonding. It is desirable that the heating temperature at the time of the final pressure bonding be equal to or higher than the melting temperature of the bumps 102 and equal to or higher than the curing temperature of the adhesive material 108. Moreover, the pressure at the time of main pressure bonding is larger than the pressure at the time of temporary pressure bonding.
  • suction holes 22 for sucking and holding the semiconductor chip 100 are formed on the bottom surface of the mounting head 12.
  • the suction holes 22 communicate with a suction pump (not shown), and the semiconductor chip 100 is suctioned and held on the bottom surface of the mounting head 12 by the negative pressure generated by the suction pump.
  • a heater (not shown) is incorporated in the mounting head 12 in order to heat the semiconductor chip 100 during temporary pressure bonding and full pressure bonding.
  • the mounting head 12 moves in the horizontal direction in this example, the bonding stage 14 may move in the horizontal direction as described later.
  • the mounting head 12 presses the semiconductor chip 100 against the substrate 104 during the pressure bonding.
  • a part of the bonding material 108 pushed out by the semiconductor chip 100 may protrude and creep up. If the raised adhesive material 108 adheres to the mounting head 12, the subsequent mounting process may not be properly performed. Further, even if the adhesive material 108 does not adhere to the mounting head 12, the fume gas generated from the heated adhesive material 108 enters the suction holes 22 of the mounting head 12, thereby contaminating the mounting head 12. There was also.
  • the cover film 110 is interposed between the mounting head 12 and the semiconductor chip 100 at the time of the main pressure bonding. As shown in FIG. 4, the provision of the cover film 110 effectively prevents the adhesion of the adhesive material 108 to the mounting head 12 and the penetration of the fume gas into the suction holes 22 of the mounting head 12.
  • the base 16 of the mounting apparatus 10 is provided with a film placement mechanism 18 for interposing the cover film 110 between the semiconductor chip 100 temporarily pressure-bonded and the mounting head 12 at the time of main pressure bonding.
  • a strip-like cover film 110 which is long in one direction is used.
  • a material of the cover film 110 a material excellent in heat resistance and having high releasability of the adhesive material 108 is suitable. Therefore, as a material of the cover film 110, for example, a fluorine resin such as polytetrafluoroethylene (PTFE) or tetrafluoroethylene / perfluoroalkylvinylether copolymer (PFA) can be used.
  • PTFE polytetrafluoroethylene
  • PFA perfluoroalkylvinylether copolymer
  • the film placement mechanism 18 has a film delivery mechanism 24 for sequentially delivering the strip-like cover film 110 above the substrate 104.
  • the film delivery mechanism 24 simply refers to the feed roller 28a and the take-up roller 28b provided on both sides of the bonding stage 14 (hereinafter, when the delivery / take-up rollers 28a and 28b are not distinguished from each other). )have.
  • the cover film 110 is stretched between the pair of feed rollers 28. As the delivery roller 28 a rotates in a predetermined delivery direction (direction of arrow A in FIG. 1), new cover films 110 are delivered one by one.
  • take-up roller 28b rotates in the same direction as the delivery roller 28a in conjunction with the delivery roller 28a, whereby the used cover film 110 is taken up and collected by the take-up roller 28b. That is, as the pair of feed rollers 28 rotate in the same direction, the cover film 110 is fed.
  • the cover film 110 traverses the substrate 104 in one direction. Also, the cover film 110 is sufficiently wider than the width of the mounting section 106. Therefore, the cover film 110 can cover the upper one of the mounting sections 106 corresponding to one row of the mounting sections 106 arranged in 3 rows and 5 columns, that is, a plurality of (three in the illustrated example) mounting sections 106.
  • the take-up roller 28 b is connected to a drive source such as a motor, and is a drive roller that rotates with the drive of the motor or the like.
  • the delivery roller 28a may be a drive roller that can rotate independently of the winding roller 28b, or may be a driven roller that rotates with the rotation of the winding roller 28b.
  • the delivery roller 28a is a driven roller, it is desirable to provide a biasing member capable of biasing the delivery roller 28a in the direction opposite to the delivery direction so that an appropriate tension can be applied to the cover film 110 to be stretched. Further, in any form, it is desirable to provide a sensor for sensing the amount of the cover film 110 wound around each feed roller 28 in the vicinity of at least one of the two feed rollers 28.
  • the replacement time of the cover film 110 may be estimated or the rotational speed of the feed roller 28 may be adjusted.
  • the feed / rolling distance (feed amount) of the cover film 110 per rotation of the feed roller 28 is the amount of the cover film 110 wound on each feed roller 28 (more precisely, each feed roller 28 Changes according to the diameter of the film roll 110a formed by winding the cover film 110). Therefore, in order to appropriately control the feed amount of the cover film 110, the tension of the cover film 110, etc., the number of rotations of the feed roller is adjusted according to the amount of the cover film 110 wound around each feed roller 28. Is desirable.
  • the film placement mechanism 18 further includes a film moving mechanism 30 for moving the cover film 110 in the horizontal direction along with the film delivery mechanism 24.
  • the film moving mechanism 30 has a pair of rails 32 extending in a first direction (longitudinal direction of the rectangular substrate 104 in the illustrated example), and a moving block 34 sliding along the rails 32. .
  • the pair of rails 32 is provided on both sides of the bonding stage 14.
  • a feed roller 28 is disposed on the moving block 34, and along with the slide movement of the moving block 34, the feed roller 28 and the cover film 110 move in a first direction.
  • the two moving blocks 34 attached to the two rails 32 move in an interlocking manner so that the relative position between the delivery roller 28a and the winding roller 28b is always fixed.
  • the film moving mechanism 30 moves the feed roller 28 in the first direction, whereby the mounting section 106 (semiconductor chip 100) covered with the cover film 110 is sequentially changed.
  • the mechanism for sliding the moving block 34 may be, for example, a mechanism combining a motor (a rotating electric machine) and a ball spline, or a direct acting drive source such as a hydraulic cylinder or a linear motor. It may be a mechanism.
  • the film placement mechanism 18 further includes a film lifting mechanism (not shown) that raises and lowers the cover film 110 together with the film delivery mechanism 24.
  • the film lifting mechanism is not particularly limited as long as the height of the feed roller 28 can be varied. Accordingly, the film lifting mechanism may have, for example, a cam member that rotates while in contact with the rotation shaft of the feed roller 28.
  • the film lifting mechanism may be connected to the rotation shaft of the feed roller 28, and may have a movable body movable in the vertical direction by a driving source such as a motor or a hydraulic cylinder.
  • the cover film 110 is positioned in the height direction with respect to the substrate 104 and the semiconductor chip 100 by the film lifting mechanism.
  • the control unit 20 controls the driving of the mounting head 12, the film placement mechanism 18, and the bonding stage 14 described above.
  • the control unit 20 includes, for example, a CPU that performs various calculations, and a memory that stores various data and programs. Detection results of various sensors are input to the control unit 20, and the control unit 20 performs drive control of each unit according to the detection results. More specifically, the control unit 20 performs movement control of the mounting head 12, temperature control of the heaters of the mounting head 12 and the bonding stage 14, drive control of the suction mechanism, and the like. The control unit 20 also performs drive control of the film placement mechanism 18 in order to place the cover film 110 at an appropriate position.
  • 5 to 8 are schematic plan views showing a state in the middle of mounting, and FIGS. 5 and 6 show a state of temporary pressure bonding, and FIGS. 7 and 8 show a state of main pressure bonding.
  • the substrate 104 is mounted on the bonding stage 14.
  • An adhesive material 108 is applied to the mounting section 106 of the substrate 104 beforehand or after mounting on the bonding stage 14.
  • the control unit 20 drives the mounting head 12 to temporarily press-bond the semiconductor chip 100 to each mounting section 106 of the substrate 104.
  • the mounting head 12 moves to a chip supply source (not shown), and suctions and holds a new semiconductor chip on its bottom surface. Subsequently, the mounting head 12 moves directly above the corresponding mounting section 106. Thereafter, as shown in FIG. 3, the mounting head 12 is lowered toward the substrate 104, and the semiconductor chip 100 sucked and held is pressed onto the corresponding mounting section 106 (and thus the adhesive material 108) to obtain a semiconductor.
  • the chip 100 is temporarily crimped. If one semiconductor chip 100 can be temporarily pressure-bonded, the mounting head 12 lifts after releasing the suction of the semiconductor chip 100.
  • the mounting head 12 sequentially performs temporary pressure bonding of all the semiconductor chips 100 in the same procedure.
  • the numerals attached to the respective semiconductor chips 100 indicate the order of temporary pressure bonding.
  • the semiconductor chip 100 is temporarily crimped from the lower left corner. Then, temporary crimping of the semiconductor chip 100 is performed in a zigzag while reversing the traveling direction for each row.
  • the control unit 20 drives the film moving mechanism 30 to move the cover film 110 to the retracted position.
  • the retracted position is a position horizontally separated from the mounting section 106 to which the semiconductor chip 100 is temporarily pressure-bonded.
  • the retracted position may be a specific fixed position, or may be a variable position that is changed as the mounting section 106 to be temporarily crimped is changed.
  • the cover film 110 can be moved to the outside of the substrate 104, the outside of the substrate 104 may be set as the retracted position.
  • the cover film 110 is horizontally separated from the mounting section 106 to be temporarily crimped, regardless of which mounting section 106 is temporarily crimped. Therefore, the outside of the substrate 104 is a position-invariant retraction position.
  • the position immediately above the mounting section 106 at which the temporary pressure bonding is not performed may be set as the retracted position at this time.
  • the mounting section 106 of the substrate 104 is divided into 3 rows on one side (3 rows on the lower side in the drawing) and 2 rows on the opposite side (2 rows on the upper side in the drawing) During the operation, set the position immediately above the other two rows as the retraction position (see Fig. 5), and during the temporary crimping in the other two rows, set the position immediately above the three rows on one side You may set as (refer FIG. 6).
  • the film transfer mechanism 30 moves the cover film 110 just above the two opposite rows during temporary compression bonding to the three rows on one side, and temporarily crimps the three rows on one side.
  • the moving block 34 is slid to move the cover film 110 directly above the three opposing rows.
  • interference between the cover film 110 and the mounting head 12 is prevented by separating the cover film 110 from the mounting section 106 to be temporarily crimped during the temporary pressure bonding process, so that the semiconductor chip 100 is prevented. Can be temporarily crimped properly.
  • the control unit 20 causes the mounting head 12 to carry out the main crimping process. Specifically, the mounting head 12 sequentially applies pressure and heat to the substrate 104 to perform main pressure bonding on the semiconductor chip 100 temporarily pressure-bonded.
  • the numbers attached to the respective semiconductor chips 100 in FIG. 7 and FIG. 8 indicate the order of the main pressure bonding. In the illustrated example, the main pressure bonding is started from the lower left corner as in the temporary pressure bonding, and then advanced in a zigzag manner while reversing the traveling direction for each row.
  • the control unit 20 drives the film moving mechanism 30 to move the cover film 110 to the intermediate position.
  • the intermediate position is a position directly above the semiconductor chip 100 to be fully crimped and between the semiconductor chip 100 and the mounting head 12.
  • the cover film 110 is interposed between the semiconductor chip 100 and the mounting head 12 as shown in FIG. And thereby, adhesion to the mounting head 12 of the adhesive material 108 which has crawled up and the penetration
  • the semiconductor chip 100 subjected to the main pressure bonding changes sequentially. Therefore, the position of the cover film 110 also has to be sequentially changed in accordance with the progress of the pressure bonding process.
  • the cover film 110 is stretched so as to cover one row (three pieces) of semiconductor chips 100 (mounting section 106). Therefore, the film moving mechanism 30 does not move the cover film 110 until the main pressure bonding of one row (three pieces) of the semiconductor film 100 located immediately below the cover film 110 is finished, and the film moving mechanism 30 moves directly below the cover film 110.
  • the cover film 110 is moved right above the next adjacent row. According to the example of FIGS.
  • the film moving mechanism 30 mounts the cover film 110 in the second row. Position it directly above the compartment 106.
  • the film moving mechanism 30 positions the cover film 110 right above the mounting section 106 in the first row from the drawing as shown in FIG. .
  • the film delivery mechanism 24 feeds the cover film 110. Specifically, the film delivery mechanism 24 feeds the cover film 110 by a distance corresponding to one row of the mounting sections 106 when the final crimping of the semiconductor chips 100 for one row is completed.
  • the position P1 on the cover film 110 is located near one end of the row of the mounting sections 106, and the position P2 on the cover film 110 is located near the other end of the row. The distance from the position P1 to the position P2 is one feed distance.
  • cover film 110 When the semiconductor chip 100 is heated and pressed with the mounting head 12 via the cover film 110, the cover film 110 is in close contact with the upper surface of the semiconductor chip 100 as shown in FIG. A portion of material 108 contacts cover film 110. If the cover film 110 is in close contact with the upper surface of the semiconductor chip 100, the cover film 110 can not be fed properly.
  • the cover film 110 may be lifted and lowered by the film lifting mechanism as needed. Specifically, when the semiconductor chip 100 is fully crimped, as shown in FIG. 9A, the cover film 110 is moved by the film lifting mechanism so that the cover film 110 is at substantially the same height position as the upper surface of the semiconductor chip 100. Let down. Further, when feeding the cover film 110, as shown in FIG. 9B, the cover film 110 is lifted by the film lifting mechanism so that the cover film 110 is separated from the upper surface of the semiconductor chip 100.
  • a process of arranging the cover film 110 at an appropriate position is required each time the main pressure bonding to the mounting section 106 for one row is completed.
  • the process of arranging the cover film 110 includes the elevation of the cover film 110, the feed of the cover film 110, the horizontal movement of the cover film 110, and the lowering of the cover film 110. Of these processes, the feed of the cover film 110 and the horizontal movement may be performed in parallel.
  • the film placement mechanism 18 is provided on the base 16 as is apparent from the above description.
  • the cover film 110 is disposed so as to cover the upper sides of the plurality of mounting sections 106 simultaneously. The reason for this configuration will be described in comparison with the prior art.
  • FIG. 17 is a diagram showing an example of such a conventional mounting apparatus 10.
  • many of the conventional mounting apparatuses 10 have provided the cover film 110 on the mounting head 12. That is, the feed roller 28 for feeding the cover film 110 is attached to the mounting head 12. In this case, the weight of the mounting head 12 that requires high-speed and high-precision movement is increased, causing a problem of increasing the size and cost of the moving mechanism that moves the mounting head 12.
  • the cover film 110 in the case of a configuration in which the cover film 110 is attached to the mounting head 12, the cover film 110 always covers the bottom surface of the mounting head 12. In this case, since the suction holes 22 of the mounting head 12 are covered with the cover film 110, the semiconductor chip 100 can not be held by suction via the suction holes 22. Therefore, in the conventional mounting apparatus 10, before the suction holding of the semiconductor chip 100, the hole is formed in the portion of the cover film 110 corresponding to the suction hole 22 using a needle 70 or the like. Further, in the case of the configuration in which the cover film 110 is attached to the mounting head 12, it is necessary to feed the cover film 110 every time the main pressure bonding to one semiconductor chip 100 is finished. Since such hole-piercing and feed processes are time-consuming, the tact time is increased.
  • the time required for the hole drilling process and the feed process is several times to 10 times longer.
  • such a drilling process occurs, and the number of feed processes increases, resulting in an increase in the tact time of semiconductor device manufacture.
  • the film placement mechanism 18 is installed on the base 16 as described above.
  • the mounting head 12 can be reduced in weight, and the mounting head 12 can be moved at high speed and with high accuracy even with a relatively small and inexpensive moving mechanism.
  • the cover film 110 and the mounting head 12 can be separated. Therefore, the semiconductor chip 100 can be suctioned and held by the mounting head 12 without opening the hole in the cover film 110. As a result, the time-consuming drilling process becomes unnecessary, and tact time can be significantly reduced. Moreover, since the complicated mechanism for drilling can be eliminated, the price of the mounting apparatus 10 can also be reduced.
  • the cover film 110 covers the plurality of semiconductor chips 100 during the main pressure bonding process. Therefore, the number of times of feeding of the cover film 110 can be significantly reduced as compared with the prior art, and consequently, the tact time can be significantly reduced.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example of a time chart in the case of mounting the semiconductor chip 100 in an arrangement of 3 rows and 5 columns.
  • Condition 1 and Condition 2 show a time chart in the conventional mounting apparatus 10
  • Condition 3 shows a time chart in the mounting apparatus 10 disclosed in the present specification.
  • the time required for bonding (temporary pressure bonding or full pressure bonding) of one semiconductor chip 100 is 1 second
  • the time required for the hole formation of the cover film 110 is 3 seconds
  • the time required for the feed of the cover film 110 is 2 It is said to be seconds.
  • temporary compression bonding is illustrated by thin ink, final compression by dark ink, perforation by diagonal hatching, and feed by cross hatching.
  • Condition 1 in FIG. 10 shows a time chart in this procedure. In this case, each time the semiconductor chip 100 is fully crimped, it is necessary to make holes (diagonally hatching) and feeds (cross hatching) of the cover film 110. Therefore, the time for the entire implementation process becomes very long.
  • Condition 2 in FIG. 10 shows a time chart in this procedure.
  • the total time required for the hole formation (diagonal hatching) as compared to the first-step procedure. Can be significantly reduced.
  • the feed (cross hatching) of the cover film 110 is required every time one semiconductor chip 100 is fully crimped. In other words, the feed of the cover film 110 is required the same number of times as the number of semiconductor chips 100. As a result, the overall implementation process time can not be significantly reduced.
  • the perforation (diagonal hatching) of the cover film 110 is completely unnecessary. Further, the cover film 110 simultaneously covers a plurality of (three in this example) mounting sections 106. Therefore, it is sufficient to feed the cover film 110 (cross hatching) every time the main pressure bonding is performed three times.
  • the number of mounting sections 106 that the cover film 110 simultaneously covers is N
  • the number of times of feeding of the cover film 110 is (total number of mounting sections 106 / N). That is, according to this example, the number of times of feeding of the cover film 110 can be significantly reduced as compared with the prior art, and consequently, the overall time of the mounting process can be significantly reduced.
  • the number N of the mounting sections 106 covered by the cover film 110 that is, the number N of the mounting sections 106 aligned in a line in the substrate 104 is three.
  • the number N of mounting sections 106 aligned in a row in the substrate 104 is often greater. As the number N is larger, the number of times of feeding is reduced, so that it is understood that the effect of shortening the tact time is higher as the substrate 104 is larger and the number of mounting sections 106 is larger.
  • the bonding stage 14 or the base 16 supporting the bonding stage 14 is provided with the film placement mechanism 18 for placing the cover film 110 at an appropriate position as necessary.
  • the other configurations may be changed as appropriate.
  • the film elevating mechanism for moving the cover film 110 up and down is provided in order to contact / separate the cover film 110 and the upper surface of the semiconductor chip 100.
  • the film lifting mechanism may not be necessary.
  • the elasticity of the cover film 110 may be used to return the cover film 110 from the state in contact with the semiconductor chip 100 to the separated state. Specifically, as shown in FIG.
  • the cover film 110 is stretched at a height position spaced apart from the top surface of the semiconductor chip 100. Then, at the time of the full pressure bonding, as shown in FIG. 11A, the cover film 110 is bent by being pressed by the mounting head 12 and contacts the upper surface of the semiconductor chip 100. At this time, if the cover film 110 has sufficient elasticity (stiffness) and appropriate tension is applied, when the pressing by the mounting head 12 is released, the cover film 110 is bent before being flexed by an elastic restoring force. Automatically, i.e., being separated from the semiconductor chip 100. Then, in this state, the cover film 110 may be fed. With this configuration, it is not necessary to raise and lower the cover film 110 each time the feed is performed, and control of the mounting process can be further simplified.
  • the interference member 40 that interferes with a part of the cover film 110 that is bent downward by being pressed by the mounting head 12 is provided. Good.
  • the interference member 40 is required to interfere with part of the cover film 110 that is bent downward, but not to interfere with the mounting head 12 that descends toward the semiconductor chip 100. Therefore, as the interference member 40, for example, as shown in FIG. 12A, it is possible to use a substantially ladder-like member in which rectangular holes 42 larger than the bottom surface of the mounting head 12 are formed at the disposition intervals of the mounting sections 106. . When such an interference member 40 is provided, as shown in FIG.
  • the cover film 110 pressed by the mounting head 12 is bent more sharply than in the case where the interference member 40 is not provided, and the elastic restoring force Works harder. As a result, the cover film 110 is more reliably separated from the semiconductor chip 100.
  • the shape of the interference member 40 shown to FIG. 12A and FIG. 12B is an example, and, of course, may be another shape.
  • the width of the cover film 110 is the width of one row of the mounting sections 106 in the above description, the width of the cover film 110 may be larger.
  • the cover film 110 may have a width of two rows of mounting sections 106.
  • the film delivery mechanism 24 hooks the cover film 110 so that the cover film 110 covers the two-dimensional array of mounting sections 106 in units of rows. It is desirable to deliver.
  • the mounting apparatus 10 disclosed herein may be applied to a chip on wafer (CoW) that bonds the semiconductor chip 100 to a substantially circular wafer.
  • CoW chip on wafer
  • the number of mounting sections 106 that can be covered by the cover film 110 changes at the same time.
  • the feed distance of the cover film 110 may be changed according to the horizontal position of the cover film 110 (the number of mounting sections 106 that can be covered simultaneously). With this configuration, the loss of the cover film 110 can be reduced.
  • the feed distance of the cover film 110 may be fixed to the maximum value, that is, the diameter of the substrate 104. In this case, although the cover film 110 to be wound is increased without being used, the feed control of the cover film 110 can be simplified.
  • the substrate 104 is a mounted body for the first stage semiconductor chip 100
  • the first stage semiconductor chip 100 is the mounting body for the second stage semiconductor chip 100.
  • a temporary laminated body 120 in which a plurality of semiconductor chips 100 are stacked while being temporarily pressure bonded in the thickness direction is formed in each mounting section 106.
  • the upper surface of the temporary stack 120 is heated and pressurized by the mounting head 12 so that the plurality of semiconductor chips 100 constituting the temporary stack 120 are full pressure bonded in a batch.
  • the cover film 110 is retracted to the retracted position at the time of temporary pressure bonding, and at the time of main pressure bonding, the cover film 110 is used as the semiconductor chip 100 to be fully pressure bonded and the mounting head 12. It may be placed at an intermediate position between
  • FIG. 16 is a view showing an example of the mounting apparatus 10 in which the bonding stage 14 moves horizontally.
  • the bonding stage 14 includes an XY table 48 that allows movement in the first direction (longitudinal direction of the substrate 104) and movement in the second direction (shorter direction of the substrate 104).
  • the control unit 20 drives the XY table 48 to horizontally move the bonding stage 14 such that the mounting section 106 to be subjected to temporary pressure bonding and full pressure bonding is positioned immediately below the mounting head 12.
  • the mounting head 12 temporarily presses or fully crimps the semiconductor chip 100 in the mounting section 106 by being lowered directly below.
  • the mounting head 12 since the mounting head 12 only moves up and down and does not move horizontally, it is desirable to provide the mounting head 12 with a supply mechanism 50 for supplying a new semiconductor chip 100 and the like. Also, in this case, it is desirable that the film placement mechanism 18 be installed on the bonding stage 14 so that it can move horizontally in conjunction with the substrate 104.
  • the mounting apparatus 10 disclosed by this specification is not limited to the pre-coating system, but via the adhesive material 108 As long as the semiconductor chip 100 is mounted on a mounting target, it may be applied to another bonding method.
  • an adhesive called a DAF die attach film
  • the DAF may be heat-cured to mount the semiconductor chip 100 on the object .
  • the cover film 110 between the semiconductor chip 100 and the mounting head 12 it is possible to effectively prevent the fume gas from entering the mounting head 12.
  • SYMBOLS 10 mounting apparatus 12 mounting head, 14 bonding stage, 16 base, 18 film arrangement mechanism, 20 control part, 22 suction hole, 24 film delivery mechanism, 28a delivery roller, 28b take-up roller, 30 film moving mechanism, 40 interference Members, 42 rectangular holes, 48 XY tables, 50 supply mechanisms, 70 needles, 100 semiconductor chips, 102 bumps, 104 substrates, 105 electrodes, 106 mounting sections, 108 adhesive materials, 110 cover films, 120 temporary laminates.

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Abstract

実装装置１０は、ボンディングステージ１４と、基台１６と、半導体チップ１００を吸引保持して被実装体に仮圧着する仮圧着処理と、仮圧着された半導体チップ１００を本圧着する本圧着処理と、を行う実装ヘッド１２と、ボンディングステージ１４または基台１６に設けられるフィルム配置機構１８と、実装ヘッド１２およびフィルム配置機構１８の駆動を制御する制御部２０と、を備え、フィルム配置機構１８は、カバーフィルム１１０が掛け渡された一対のフィードローラ２８を有し、順次、新たなカバーフィルム１１０を送り出すフィルム送出機構２４と、カバーフィルム１１０を、基板１０４に対して水平方向に移動させるフィルム移動機構３０と、を備える。

Description

実装装置
　本明細書は、半導体チップを接着材料を介して基板または他の半導体チップである被実装体に実装する実装装置を開示する。
　従来から、半導体チップを、ワイヤを介することなく、基板または他の半導体チップである被実装体に実装するフリップチップボンダ技術が広く知られている。かかるフリップチップボンダでは、被実装体に、予め、熱硬化性樹脂からなる接着材料を塗布しておき、この接着材料を介して、半導体チップを被実装体に固着することがある。この場合、実装ヘッドで半導体チップを加熱および加圧する際に、半導体チップで押し出された接着材料が、上方に這い上がり、実装ヘッドに付着することがあった。また、実装ヘッドに付着しない場合であっても、加熱された接着材料から生じるヒュームガスが、実装ヘッド内に侵入することがあった。
　特許文献１には、こうした接着材料の熱圧着ツール（実装ヘッド）への付着を防止するために、熱圧着ツールの底面を、フィルム部材（カバーフィルム）で覆った実装装置が開示されている。すなわち、特許文献１の実装装置では、ボンディングヘッドに、熱圧着ツールと、フィルム部材を順次フィードするフィルム部材搬送機構と、を設けている。かかる実装装置によれば、熱圧着ツールへの接着材料の付着が効果的に防止される。
特開２０１５－３５４９３号公報 特開２００４－１６５５３６号公報
　しかしながら、特許文献１等の従来技術において、半導体チップは、熱圧着ツールの底面で吸引保持されるが、この吸引面は、常に、フィルム部材で覆われる。そして、フィルム部材は、一つの半導体チップを圧着する度に新たなフィルム部材に交換される。その結果、従来技術では、半導体チップの吸引に先立って、フィルム部材に吸引用の孔を形成する必要があった。ここで、半導体チップを加熱および加圧して被実装体にボンディングするのに要する時間に比べて、フィルム部材の孔開けや、フィルム部材のフィードに要する時間は、数倍～十倍ほどかかる。したがって、特許文献１等の従来技術では、タクトタイムの増加を招いていた。
　なお、特許文献２には、樹脂フィルム（カバーフィルム）を、接合ツールとは分離して設けた実装装置が開示されている。しかし、特許文献２の実装装置において、樹脂フィルムは、接合ツールの振動から、チップ（半導体チップ）を保護するためのものであり、接着材料の接合ツールへの付着を防止するためのものではない。また、特許文献２の接合ツールは、すでに仮置きされたチップを押圧するものの、仮置き前のチップを吸引保持して仮置きするものではない。したがって、特許文献２の技術は、一つの実装ヘッドで、半導体チップの仮圧着および本圧着を行う実装装置には、適用困難であった。
　そこで、本明細書では、一つの実装ヘッドで仮圧着処理および本圧着処理を行う実装装置であって、タクトタイムをより短縮できる実装装置を開示する。
　本明細書で開示する実装装置は、半導体チップを接着材料を介して基板または他の半導体チップである被実装体に実装する実装装置であって、前記基板が載置されるボンディングステージと、前記ボンディングステージを支える基台と、前記半導体チップを吸引保持して前記被実装体に仮圧着する仮圧着処理と、前記仮圧着された半導体チップを本圧着する本圧着処理と、を行う実装ヘッドと、前記ボンディングステージまたは前記基台に設けられ、前記本圧着処理時に、前記仮圧着された半導体チップと前記実装ヘッドとの間にカバーフィルムを介在させるフィルム配置機構と、前記実装ヘッドおよび前記フィルム配置機構の駆動を制御する制御部と、を備え、前記フィルム配置機構は、前記カバーフィルムが掛け渡された一対のローラを有し、順次、新たなカバーフィルムを送り出すフィルム送出機構と、前記カバーフィルムを、前記基板に対して水平方向に移動させるフィルム移動機構と、を備える、ことを特徴とする。
　かかる構成とした場合、カバーフィルムと、実装ヘッドとが分離されているため、カバーフィルムの孔開けが不要となる。その結果、タクトタイムを低減しつつ、接着材料による実装ヘッドの汚染を効果的に防止できる。
　前記制御部は、前記カバーフィルムが、前記仮圧着処理時には、前記半導体チップが仮圧着される実装区画から水平方向に離間した退避位置に位置し、前記本圧着処理時には、本圧着対象の半導体チップの真上である仲介位置に位置するように、前記フィルム移動機構を制御してもよい。
　かかる構成とすることで、仮圧着処理時には、カバーフィルムと実装ヘッドとの干渉が防止され、本圧着処理時には、カバーフィルムが、実装ヘッドと半導体チップとの間に介在するため、接着材料による実装ヘッドの汚染が効果的に防止される。
　また、前記フィルム送出機構は、前記仲介位置において、前記カバーフィルムが複数の実装区画の上方を覆うように、前記カバーフィルムを掛け渡しており、前記制御部は、前記カバーフィルムが覆う前記複数の実装区画全てにおいて前記半導体チップの本圧着が終了すれば、前記フィルム移動機構を駆動して前記カバーフィルムが新たな複数の実装区画の上方を覆う位置に移動させるとともに、前記フィルム送出機構を駆動して前記カバーフィルムを前記複数の実装区画に応じた距離だけフィードさせてもよい。
　かかる構成とすることで、カバーフィルムのフィード回数を低減できるため、タクトタイムをより低減できる。
　この場合、前記基板には、半導体チップを実装する実装区画が二次元アレイ状に規定されており、前記フィルム送出機構は、前記二次元アレイ状の実装区画を、列単位で覆うように、前記カバーフィルムを掛け渡していてもよい。
　カバーフィルムが、実装区画を列単位で覆うことで、カバーフィルムのフィード・移動制御を簡易化できる。
　また、前記制御部は、前記実装ヘッドに、複数の前記実装区画において前記半導体チップの仮圧着を連続して実行させた後、前記仮圧着された複数の前記半導体チップの本圧着を連続して実行させてもよい。
　かかる構成とすることで、フィルム移動機構によるカバーフィルムの移動回数を低減できるため、タクトタイムをより低減できる。
　また、前記フィルム配置機構は、さらに、前記カバーフィルムを、前記ボンディングステージに対して昇降させる昇降機構を備えてもよい。
　かかる構成とすることで、カバーフィルムを半導体チップの上面からより確実に離間させることができる。また、半導体チップを積層実装する場合、当該積層段数に応じてカバーフィルムの配置高さを変更できるため、実装装置の汎用性が向上する。
　また、前記フィルム送出機構は、前記実装ヘッドにより押圧されて下方に撓んだ前記カバーフィルムの一部と干渉することで、前記撓みの解消を支援する干渉部材を備えてもよい。
　かかる構成とすれば、簡易な構成でありながら、カバーフィルムを半導体チップの上面からより確実に離間させることができる。
　本明細書で開示する実装装置によれば、カバーフィルムと、実装ヘッドとが分離されているため、カバーフィルムの孔開けが不要となる。その結果、タクトタイムを低減しつつ、接着材料による実装ヘッドの汚染を効果的に防止できる。
実装装置の構成を示す図である。 実装装置の概略平面図である。 仮圧着の様子を示す側面図である。 本圧着の様子を示す側面図である。 仮圧着の様子を示す平面図である。 仮圧着の様子を示す平面図である。 本圧着の様子を示す平面図である。 本圧着の様子を示す平面図である。 本圧着の様子を示す側面図である。 本圧着の様子を示す側面図である。 従来技術と本例との処理時間を比較する図である。 他の実装装置の一例を示す図である。 図１１Ａの実装装置の他の状態を示す図である。 他の実装装置で使用する干渉部材の斜視図である。 図１２Ａの干渉部材を用いる実装装置の一例を示す図である。 他の実装装置の一例を示す図である。 円形基板を用いた様子を示す平面図である。 半導体チップを積層実装する様子を示す側面図である。 他の実装装置の一例を示す図である。 従来の実装装置の一例を示す図である。
　以下、実装装置１０の構成について図面を参照して説明する。図１は、実装装置１０の構成を示す概略図である。また、図２は、実装装置１０の概略平面図である。また、図３は、仮圧着処理の様子を示す図であり、図４は、本圧着処理の様子を示す図である。
　この実装装置１０は、複数の半導体チップ１００を、基板１０４または他の半導体チップ１００（以下、両者を区別しない場合は、「被実装体」と呼ぶ）に実装することで半導体装置を製造する装置である。半導体チップ１００は、フリップチップボンダ技術で、基板１０４に実装される。具体的には、各半導体チップ１００の底面には、バンプ１０２と呼ばれる導電性材料からなる突起が形成されており、このバンプ１０２を、基板１０４の表面に形成された電極１０５に接合することで、半導体チップ１００と基板１０４とが電気的に接続される。
　基板１０４には、半導体チップ１００を実装する実装区画１０６が二次元アレイ状に規定されている。図示例では、一つの基板１０４に１５個の実装区画１０６が３行５列で規定されている。各実装区画１０６の表面には、半導体チップ１００のバンプ１０２と電気的に接続される電極１０５が複数形成されている。また、各実装区画１０６には、あらかじめ、非導電性ペースト（ＮＣＰ）または非導電性フィルム（ＮＣＦ）と呼ばれる接着材料１０８が塗布されている。接着材料１０８は、絶縁性を有するとともに熱硬化性を有する熱硬化性樹脂からなる。この接着材料１０８の上に半導体チップ１００を載置して基板１０４に押し付けるとともに半導体チップ１００を加熱することで、接着材料１０８が硬化し、半導体チップ１００が、基板１０４に機械的に接着、固定される。なお、このように基板１０４に、予め接着材料１０８を塗布しておく方式は、一般に、「先塗布方式」と呼ばれる。
　実装装置１０は、各半導体チップ１００を、仮圧着した後に、本圧着することで、基板１０４に実装する。仮圧着は、半導体チップ１００を、基板１０４のうち、対応する実装区画１０６（接着材料１０８）に仮置きすることである。また、本圧着は、仮圧着された半導体チップ１００を、加熱するとともに加圧することで、半導体チップ１００を被実装体（基板１０４または他の半導体チップ１００）に機械的・電気的に接続することである。この本圧着の際、半導体チップ１００は、接着材料１０８の硬化温度以上、かつ、バンプ１０２の溶融温度以上の温度で加熱される。本例では、複数の実装区画１０６において半導体チップ１００の仮圧着を連続して実行した後、この仮圧着された複数の半導体チップ１００の本圧着を連続して実行する。
　実装装置１０は、上述した手順で、半導体チップ１００を基板１０４（被実装体）に実装するための装置である。この実装装置１０は、ボンディングステージ１４、実装ヘッド１２、基台１６、フィルム配置機構１８、および、これら各部の駆動を制御する制御部２０等を有している。
　ボンディングステージ１４は、基板１０４が載置されるステージである。このボンディングステージ１４には、例えば、基板１０４を吸引保持する吸引孔（図示せず）や、基板１０４を加熱するためのヒータ（図示せず）などが設けられている。このボンディングステージ１４は、基台１６によって支えられている。
　実装ヘッド１２は、ボンディングステージ１４と対向して設けられており、ボンディングステージ１４に対して水平方向および垂直方向に移動可能となっている。この実装ヘッド１２は、仮圧着処理と本圧着処理とを行う。仮圧着処理では、実装ヘッド１２は、図示しないチップ供給源から半導体チップ１００を受け取って搬送し、各半導体チップ１００を対応する実装区画１０６に載置したうえで加熱および加圧して仮圧着する。この仮圧着時の加熱温度は、接着材料１０８が軟化開始する温度以上、かつ、接着材料１０８の硬化温度以下であることが望ましい。また、本圧着処理では、実装ヘッド１２は、基板１０４に仮圧着された半導体チップ１００を加圧および加熱して本圧着する。この本圧着時の加熱温度は、バンプ１０２の溶融温度以上、かつ、接着材料１０８の硬化温度以上であることが望ましい。また、本圧着時の加圧力は、仮圧着時の加圧力よりも大きい。
　図３に示すとおり、実装ヘッド１２の底面には、半導体チップ１００を吸引保持するための吸引孔２２が形成されている。この吸引孔２２は、図示しない吸引ポンプに連通されており、当該吸引ポンプによって発生する負圧により、半導体チップ１００が、実装ヘッド１２の底面に吸引保持される。また、実装ヘッド１２には、仮圧着および本圧着の際の半導体チップ１００を加熱するために、ヒータ（図示せず）が内蔵されている。なお、本例では、実装ヘッド１２が水平方向に移動するが、後に説明するとおり、ボンディングステージ１４が水平方向に移動する構成としてもよい。
　ところで、上述したとおり、本圧着の際、実装ヘッド１２は、半導体チップ１００を、基板１０４に押圧する。このとき、図４に示すように、半導体チップ１００により外側に押し出された接着材料１０８の一部が、はみ出て、這い上がることがある。この這い上がった接着材料１０８が実装ヘッド１２に付着すると、その後の実装処理が適切に行えないおそれがある。また、実装ヘッド１２に接着材料１０８が付着しない場合であっても、加熱された接着材料１０８から生じるヒュームガスが、実装ヘッド１２の吸引孔２２に入り込み、これにより実装ヘッド１２が汚染される場合もあった。
　そこで、本明細書で開示する実装装置１０では、本圧着の際に、実装ヘッド１２と半導体チップ１００との間にカバーフィルム１１０を介在させている。図４に示すとおり、かかるカバーフィルム１１０を設けることで、実装ヘッド１２への接着材料１０８の付着、および、実装ヘッド１２の吸引孔２２へのヒュームガスの侵入が効果的に防止される。
　実装装置１０の基台１６には、本圧着処理時に、仮圧着された半導体チップ１００と実装ヘッド１２との間にカバーフィルム１１０を介在させるフィルム配置機構１８が設置されている。本例では、一方向に長尺な帯状のカバーフィルム１１０を用いている。このカバーフィルム１１０の素材としては、耐熱性に優れ、接着材料１０８の剥離性が高い素材が適している。したがって、カバーフィルム１１０の素材としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）などのフッ素樹脂を用いることができる。
　フィルム配置機構１８は、帯状のカバーフィルム１１０を順次、基板１０４の上方に送出するフィルム送出機構２４を有している。フィルム送出機構２４は、ボンディングステージ１４を挟んで両側に設けられた送出ローラ２８ａおよび巻取ローラ２８ｂ（以下、送出／巻取ローラ２８ａ，２８ｂを区別しない場合は、単に「フィードローラ２８」と呼ぶ）を有している。カバーフィルム１１０は、この一対のフィードローラ２８の間に掛け渡されている。送出ローラ２８ａが、所定の送出方向（図１における矢印Ａ方向）に回転することで、新たなカバーフィルム１１０が、順次、送出される。また、送出ローラ２８ａと連動して巻取ローラ２８ｂが、送出ローラ２８ａと同方向に回転することで、使用済みのカバーフィルム１１０が、巻取ローラ２８ｂに巻き取られて回収される。つまり、一対のフィードローラ２８が同方向に回転することで、カバーフィルム１１０がフィードされる。
　ここで、上述したとおり、一対のフィードローラ２８は、ボンディングステージ１４の両側に配されているため、カバーフィルム１１０は、基板１０４を一方向に横断することになる。また、カバーフィルム１１０は、実装区画１０６の幅よりも十分に広い。したがって、カバーフィルム１１０は、３行５列に並ぶ実装区画１０６のうち、その一列分の実装区画１０６、すなわち、複数（図示例では３つ）の実装区画１０６の上方を覆うことができる。
　巻取ローラ２８ｂは、モータ等の駆動源に連結されており、当該モータ等の駆動に伴い回転する駆動ローラである。送出ローラ２８ａは、巻取ローラ２８ｂと独立して回転できる駆動ローラであってもよいし、巻取ローラ２８ｂの回転に伴い回転する従動ローラであってもよい。送出ローラ２８ａを従動ローラとする場合、掛け渡されるカバーフィルム１１０に適度なテンションを付与できるように、送出ローラ２８ａを送出方向と逆方向に付勢できる付勢部材を設けておくことが望ましい。また、いずれの形態であっても、二つのフィードローラ２８の少なくとも一方の近傍には、各フィードローラ２８に巻回されているカバーフィルム１１０の量をセンシングするセンサを設けることが望ましい。そして、このセンサでの検知結果に応じて、カバーフィルム１１０の交換時期を推定したり、フィードローラ２８の回転速度を調整したりしてもよい。特に、フィードローラ２８の１回転あたりのカバーフィルム１１０の送出／巻取距離（フィード量）は、各フィードローラ２８に巻回されているカバーフィルム１１０の量（より正確には、各フィードローラ２８にカバーフィルム１１０を巻回してなるフィルムロール１１０ａの径）に応じて変化する。そのため、カバーフィルム１１０のフィード量、カバーフィルム１１０のテンション等を適切に制御するために、各フィードローラ２８に巻回されているカバーフィルム１１０の量に応じて、フィードローラの回転数を調整することが望ましい。
　フィルム配置機構１８は、さらに、このフィルム送出機構２４ごと、カバーフィルム１１０を水平方向に移動させるフィルム移動機構３０を備えている。フィルム移動機構３０は、第一方向（図示例では、長方形の基板１０４の長尺方向）に延びる一対のレール３２と、当該レール３２に沿ってスライド移動する移動ブロック３４と、を有している。一対のレール３２は、ボンディングステージ１４を挟んで両側に設けられている。移動ブロック３４には、フィードローラ２８が設置されており、移動ブロック３４のスライド移動に伴い、フィードローラ２８およびカバーフィルム１１０が、第一方向に移動する。なお、二つのレール３２に取り付けられた二つの移動ブロック３４は、送出ローラ２８ａと巻取ローラ２８ｂとの相対位置が常に固定となるように、連動して動く。フィルム移動機構３０により、フィードローラ２８が第一方向に移動することで、カバーフィルム１１０で覆われる実装区画１０６（半導体チップ１００）が順次、変更される。なお、移動ブロック３４をスライド移動させる機構としては、例えば、モータ（回転電機）とボールスプラインとを組み合わせたような機構でもよいし、油圧シリンダやリニアモータ等の直動式の駆動源を用いた機構でもよい。
　フィルム配置機構１８は、さらに、フィルム送出機構２４ごと、カバーフィルム１１０を昇降させるフィルム昇降機構（図示せず）を備えている。フィルム昇降機構は、フィードローラ２８の高さを可変できる機構であれば特に限定されない。したがって、フィルム昇降機構としては、例えば、フィードローラ２８の回転軸と当接しながら回転するカム部材などを有していてもよい。また、別の形態として、フィルム昇降機構は、フィードローラ２８の回転軸と接続されるとともに、モータや油圧シリンダ等の駆動源により垂直方向に移動可能な移動体を有する構成としてもよい。いずれにしても、このフィルム昇降機構により、カバーフィルム１１０が、基板１０４および半導体チップ１００に対して高さ方向に位置決めされる。
　制御部２０は、上述した実装ヘッド１２やフィルム配置機構１８、ボンディングステージ１４の駆動を制御する。制御部２０は、例えば、各種演算を行うＣＰＵと、各種データおよびプログラムを記憶するメモリと、を備えている。制御部２０には、各種センサでの検知結果が入力されており、制御部２０は、この検知結果に応じて、各部の駆動制御を行う。より具体的には、制御部２０は、実装ヘッド１２の移動制御や、実装ヘッド１２およびボンディングステージ１４のヒータの温度制御、吸引機構の駆動制御などを行う。また、制御部２０は、カバーフィルム１１０を適切な位置に配置するべく、フィルム配置機構１８の駆動制御も行う。
　次に、こうした実装装置１０による半導体チップ１００の実装の流れについて図３～図８を参照して説明する。図５～図８は、実装途中の様子を示す概略平面図であり、図５、図６は、仮圧着の様子を、図７、図８は、本圧着の様子を示している。半導体チップ１００を実装する際には、ボンディングステージ１４に基板１０４が載置される。この基板１０４の実装区画１０６には、予め、または、ボンディングステージ１４に載置した後に、接着材料１０８が塗布される。
　制御部２０は、実装ヘッド１２を駆動して、基板１０４の各実装区画１０６に半導体チップ１００を仮圧着させる。具体的には、実装ヘッド１２は、図示しないチップ供給源に移動し、その底面で、新たな半導体チップを吸引保持する。続いて、実装ヘッド１２は、対応する実装区画１０６の真上に移動する。その後、実装ヘッド１２は、図３に示すように、基板１０４に向かって下降し、吸引保持した半導体チップ１００を、対応する実装区画１０６（ひいては接着材料１０８）の上に押し当てることで、半導体チップ１００を仮圧着する。一つの半導体チップ１００が仮圧着できれば、実装ヘッド１２は、当該半導体チップ１００の吸引を解除した上で上昇する。その後、実装ヘッド１２は、同様の手順で、全ての半導体チップ１００の仮圧着を順次、行っていく。図５、図６において、各半導体チップ１００に付された数字は、仮圧着の順番を示している。図５、図６から明らかなとおり、図示例では、半導体チップ１００は、左下隅から仮圧着される。そして、一列ごとに進行方向を反転しながらジグザグ状に、半導体チップ１００の仮圧着が行われる。
　ここで、この仮圧着処理の際、制御部２０は、フィルム移動機構３０を駆動して、カバーフィルム１１０を退避位置に移動させる。退避位置とは、半導体チップ１００が仮圧着される実装区画１０６から水平方向に離間した位置である。この退避位置とは、特定の固定位置であってもよいし、仮圧着される実装区画１０６の変更に伴い、変更される可変位置でもよい。例えば、カバーフィルム１１０を、基板１０４の外側まで移動できるのであれば、当該基板１０４の外側を退避位置としてもよい。カバーフィルム１１０が基板１０４の外側に位置していれば、どの実装区画１０６に仮圧着するとしても、カバーフィルム１１０は、仮圧着される実装区画１０６から水平方向に離間することになる。したがって、基板１０４の外側は、位置不変の退避位置となる。
　一方、実装装置１０のサイズ等の制限により、カバーフィルム１１０を、基板１０４の外側まで移動できない場合がある。この場合には、現時点で、仮圧着がされていない実装区画１０６の真上位置を、退避位置とすればよい。例えば、図５に示すとおり、基板１０４の実装区画１０６を、片側３列（図面下側３列）と、反対側２列（図面上側２列）とに分割し、片側３列に仮圧着を行っている期間中は、反対側２列の真上を退避位置として設定し（図５参照）、反対側２列に仮圧着を行っている期間中は、片側３列の真上を退避位置として設定してもよい（図６参照）。すなわち、この場合、フィルム移動機構３０は、片側３列への仮圧着を行っている期間中は、カバーフィルム１１０を反対側２列の真上に移動させ、片側３列のへの仮圧着が終われば、移動ブロック３４をスライド移動させて、カバーフィルム１１０を、反対側３列の真上に移動させる。いずれにしても、仮圧着処理の期間中、カバーフィルム１１０を、仮圧着対象の実装区画１０６から水平方向に離間させることで、カバーフィルム１１０と実装ヘッド１２との干渉が防止され、半導体チップ１００が適切に仮圧着できる。
　全ての半導体チップ１００を仮圧着できれば、続いて、制御部２０は、実装ヘッド１２に本圧着処理を実行させる。具体的には、実装ヘッド１２は、仮圧着された半導体チップ１００を、順次、基板１０４に加圧および加熱して本圧着する。図７、図８において各半導体チップ１００に付された数字は、本圧着の順番を示している。図示例では、本圧着も、仮圧着と同様に、左下隅から開始され、その後、一列ごとに進行方向を反転しながら、ジグザグ状に、進められる。
　ここで、本圧着処理の際、制御部２０は、フィルム移動機構３０を駆動して、カバーフィルム１１０を仲介位置に移動させる。仲介位置とは、本圧着対象の半導体チップ１００の真上であって、当該半導体チップ１００と実装ヘッド１２との間位置である。かかる位置にカバーフィルム１１０を配することで、本圧着の際、図４に示すように、カバーフィルム１１０が、半導体チップ１００と実装ヘッド１２との間に介在することになる。そして、これにより、這い上がってきた接着材料１０８の実装ヘッド１２への付着や、ヒュームガスの実装ヘッド１２への侵入を効果的に防止できる。
　ここで、本圧着対象の半導体チップ１００は、順次、変わっていく。したがって、カバーフィルム１１０の位置も、本圧着処理の進行状況に応じて、順次、変更しなければならない。ただし、本例では、カバーフィルム１１０は、一列分（３個）の半導体チップ１００（実装区画１０６）を覆うように掛け渡されている。したがって、フィルム移動機構３０は、カバーフィルム１１０の真下に位置する一列分（３個）の半導体チップ１００への本圧着が終了するまでは、カバーフィルム１１０を移動させず、カバーフィルム１１０の真下に位置する半導体チップ１００全ての本圧着が終了すれば、カバーフィルム１１０を隣接する次の列の真上に移動させる。図７、図８の例によれば、図面上から２列目の半導体チップ１００を本圧着する際、フィルム移動機構３０は、図７に示すとおり、カバーフィルム１１０を、当該２列目の実装区画１０６の真上に位置させる。また、２列目の半導体チップ１００全ての本圧着が終了すれば、フィルム移動機構３０は、図８に示すとおり、カバーフィルム１１０を図面上から１列目の実装区画１０６の真上に位置させる。
　また、このフィルム移動機構３０によるカバーフィルム１１０の水平移動に連動して、フィルム送出機構２４は、カバーフィルム１１０をフィードする。具体的には、フィルム送出機構２４は、一列分の半導体チップ１００の本圧着が終了すれば、実装区画１０６一列に対応する距離だけカバーフィルム１１０をフィードする。図７の例においては、カバーフィルム１１０上の位置Ｐ１が、実装区画１０６の列の一端近傍に位置し、カバーフィルム１１０上の位置Ｐ２が、当該列の他端近傍に位置している。この位置Ｐ１から位置Ｐ２までの距離が、１回のフィード距離である。
　カバーフィルム１１０が、図面上からみて、２列目から１列目に移動する際（図７の状態から図８の状態に変化する際）、フィルム送出機構２４は、図８に示すように、カバーフィルム１１０上の位置Ｐ２が、実装区画１０６の列の一端近傍になるように、カバーフィルム１１０をフィードする。
　なお、実装ヘッド１２で、カバーフィルム１１０を介して、半導体チップ１００を加熱加圧した場合、図４に示すとおり、カバーフィルム１１０は、半導体チップ１００の上面に密着し、また、這い上がった接着材料１０８の一部がカバーフィルム１１０に接触する。このカバーフィルム１１０が半導体チップ１００の上面に密着した状態のままでは、カバーフィルム１１０を適切にフィードできない。
　そこで、必要に応じて、フィルム昇降機構により、カバーフィルム１１０を昇降させてもよい。具体的には、半導体チップ１００を本圧着する際には、図９Ａに示すように、カバーフィルム１１０が半導体チップ１００の上面とほぼ同じ高さ位置になるように、フィルム昇降機構でカバーフィルム１１０を下降させる。また、カバーフィルム１１０をフィードさせる際には、図９Ｂに示すように、カバーフィルム１１０が半導体チップ１００の上面から離間するように、フィルム昇降機構で、カバーフィルム１１０を上昇させる。
　つまり、本圧着処理においては、１列分の実装区画１０６に対する本圧着が完了する度に、カバーフィルム１１０を適切な位置に配置する処理が必要となる。このカバーフィルム１１０の配置処理は、カバーフィルム１１０の上昇、カバーフィルム１１０のフィード、カバーフィルム１１０の水平移動、カバーフィルム１１０の下降が含まれる。これらの処理のうち、カバーフィルム１１０のフィードと水平移動は、並行して行ってもよい。
　ところで、これまでの説明で明らかなとおり、本明細書に開示の実装装置１０では、フィルム配置機構１８を、基台１６に設けている。また、カバーフィルム１１０は、複数の実装区画１０６の上方を同時に覆えるように配置されている。かかる構成とする理由について従来技術と比較して説明する。
　実装ヘッド１２と半導体チップ１００との間にカバーフィルム１１０を介在させる実装装置１０は、従来から、いくつか提案されている。図１７は、そうした従来の実装装置１０の一例を示す図である。図１７に示すとおり、従来の実装装置１０の多くは、カバーフィルム１１０を実装ヘッド１２に設けていた。すなわち、実装ヘッド１２に、カバーフィルム１１０をフィードするためのフィードローラ２８を取り付けていた。この場合、高速かつ高精度な移動が要求される実装ヘッド１２の重量が増加し、実装ヘッド１２を移動させる移動機構の大型化、高コスト化といった問題を招いていた。
　また、カバーフィルム１１０を実装ヘッド１２に取り付ける構成の場合、カバーフィルム１１０は、当該実装ヘッド１２の底面を常時、覆うことになる。この場合、実装ヘッド１２の吸引孔２２がカバーフィルム１１０で覆われるため、当該吸引孔２２を介して半導体チップ１００を吸引保持できない。そのため、従来の実装装置１０では、半導体チップ１００の吸引保持の前に、カバーフィルム１１０のうち吸引孔２２に対応する箇所に、針７０などを用いて、孔を形成していた。また、カバーフィルム１１０を実装ヘッド１２に取り付ける構成の場合、一つの半導体チップ１００への本圧着が終わるたびに、カバーフィルム１１０をフィードする必要がある。こうした孔開け処理、フィード処理は、時間がかかるため、タクトタイムの増加を招いていた。例えば、１回のボンディング（仮圧着、本圧着）に要する時間と比べて、孔開け処理およびフィード処理に要する時間は、数倍～１０倍ほどかかる。従来の実装装置１０では、かかる孔開け処理が発生し、また、フィード処理の回数が多くなるため、半導体装置製造のタクトタイムの増加を招いていた。
　一方、本明細書で開示する実装装置１０は、これまで説明したとおり、フィルム配置機構１８を、基台１６に設置している。その結果、実装ヘッド１２を軽量化でき、比較的、小型かつ安価な移動機構でも、実装ヘッド１２を高速かつ高精度に移動させることができる。
　また、フィルム配置機構１８を基台１６に設けることで、カバーフィルム１１０と実装ヘッド１２とを分離できる。そのため、カバーフィルム１１０に孔を開けなくても、実装ヘッド１２で半導体チップ１００を吸引保持できる。結果として、時間のかかる孔開け処理が不要となり、タクトタイムを大幅に低減できる。また、孔開けのための複雑な機構を無くすことができるため、実装装置１０の価格も低減できる。
　さらに、本例の実装装置１０では、本圧着処理時、カバーフィルム１１０が、複数の半導体チップ１００を覆う構成となっている。そのため、カバーフィルム１１０のフィードの回数を、従来技術に比べて大幅に低減でき、ひいては、タクトタイムを大幅に低減できる。
　これについて、具体例を挙げて説明する。図１０は、半導体チップ１００を、３行５列の配列で実装する場合のタイムチャートの一例を示す図である。図１０において、条件１、条件２は、従来の実装装置１０でのタイムチャートを、条件３は、本明細書で開示の実装装置１０でのタイムチャートを示している。図１０の例では、１つの半導体チップ１００のボンディング（仮圧着または本圧着）に要する時間を１秒、カバーフィルム１１０の孔開けに要する時間を３秒、カバーフィルム１１０のフィードに要する時間を２秒としている。また、図１０において、仮圧着は、薄墨、本圧着は、濃墨、孔開けは、斜めハッチング、フィードは、クロスハッチングで図示している。
　従来の実装装置１０で、半導体チップ１００を実装する手順としては、大きく二通りが考えられる。一つは、実装ヘッド１２で、半導体チップ１００を基板１０４上に搬送・載置した後、仮圧着することなく、即座に本圧着する手順である。図１０の条件１は、この手順におけるタイムチャートを示している。この場合、一つの半導体チップ１００を本圧着する度に、カバーフィルム１１０の孔開け（斜めハッチング）とフィード（クロスハッチング）とを行わなければならない。そのため、実装処理全体の時間が非常に長くなる。
　別の手順として、本明細書で開示した実装装置１０と同様に、全ての半導体チップ１００を連続して仮圧着した後に、全ての半導体チップ１００を連続して本圧着する手順がある。図１０の条件２は、この手順におけるタイムチャートを示している。この場合、カバーフィルム１１０の孔開けは、１つ目の半導体チップ１００を仮圧着する前に１回行うだけでよいため、一段目の手順に比べて、孔開け（斜めハッチング）に要する合計時間を大幅に低減できる。しかし、この場合であっても、一つの半導体チップ１００を本圧着する度に、カバーフィルム１１０のフィード（クロスハッチング）が必要である。換言すれば、カバーフィルム１１０のフィードが、半導体チップ１００の個数と同じ回数分、必要となる。その結果、実装処理全体の時間を大幅に低減することはできない。
　一方、本明細書で開示した実装装置１０では、これまで説明したとおり、カバーフィルム１１０の孔開け（斜めハッチング）が、完全に不要となる。また、カバーフィルム１１０は、複数個（本例では３個）の実装区画１０６を同時に覆っている。そのため、カバーフィルム１１０のフィード（クロスハッチング）は、本圧着が３回行われる度に行えば十分である。換言すれば、本例において、カバーフィルム１１０が同時に覆う実装区画１０６の個数をＮとした場合、カバーフィルム１１０のフィード回数は、（実装区画１０６の総数／Ｎ）となる。つまり、本例によれば、カバーフィルム１１０のフィード回数を、従来技術に比べて大幅に低減でき、ひいては、実装処理全体の時間を大幅に低減できる。なお、ここでは、説明を容易にするために、カバーフィルム１１０で覆う実装区画１０６の個数Ｎ、すなわち、基板１０４において一列に並ぶ実装区画１０６の個数Ｎを３個としている。しかし、実際には、基板１０４において、一列に並ぶ実装区画１０６の個数Ｎは、より多数であることが多い。そして、この個数Ｎが大きければ大きいほど、フィード回数が低減するため、大型で実装区画１０６の個数が大きい基板１０４ほど、タクトタイムの短縮効果が高いことがわかる。
　なお、これまでの説明は、一例であり、少なくとも、ボンディングステージ１４または当該ボンディングステージ１４を支える基台１６に、必要に応じてカバーフィルム１１０を適切な位置に配置するフィルム配置機構１８を設置するのであれば、その他の構成は、適宜、変更されてもよい。例えば、上述の説明では、カバーフィルム１１０と半導体チップ１００の上面とを接触／離間するために、カバーフィルム１１０を昇降させるフィルム昇降機構を設けていた。しかし、カバーフィルム１１０のフィード時に、カバーフィルム１１０と半導体チップ１００の上面とを離間できるのであれば、フィルム昇降機構は、なくてもよい。例えば、カバーフィルム１１０の弾性を利用して、カバーフィルム１１０を、半導体チップ１００と接触した状態から離間した状態に復帰させる構成としてもよい。具体的には、図１１Ｂに示すように、カバーフィルム１１０を、半導体チップ１００の上面より離間した高さ位置に掛け渡しておく。そして、本圧着の際は、図１１Ａに示すように、実装ヘッド１２で押圧されることで、カバーフィルム１１０が撓んで半導体チップ１００の上面に接触する。このとき、カバーフィルム１１０に十分な弾性（コシ）があり、適度な張力が作用していれば、実装ヘッド１２による押圧が解除されると、カバーフィルム１１０は、弾性復元力により、撓む前の状態、すなわち、半導体チップ１００から離間した状態に自動的に戻る。そして、この状態になれば、カバーフィルム１１０のフィードを行えばよい。かかる構成とすれば、フィードの度に、カバーフィルム１１０を昇降させる必要がなく、実装処理の制御をより簡易化できる。
　また、カバーフィルム１１０の半導体チップ１００からの離間をより確実に発生させるために、実装ヘッド１２に押圧されることで下方に撓むカバーフィルム１１０の一部と干渉する干渉部材４０を設けてもよい。この干渉部材４０は、下方に撓むカバーフィルム１１０の一部と干渉する一方で、半導体チップ１００に向かって下降する実装ヘッド１２とは干渉しないことが求められる。したがって、干渉部材４０としては、例えば、図１２Ａに示すように、実装区画１０６の配設間隔で、実装ヘッド１２の底面よりも大きい矩形孔４２が形成された略ハシゴ状部材を用いることができる。かかる干渉部材４０を設けた場合、図１２Ｂに示すとおり、実装ヘッド１２に押圧されたカバーフィルム１１０は、干渉部材４０がない場合に比べて、より急勾配で撓むことになり、弾性復元力がより強く働く。その結果、カバーフィルム１１０が半導体チップ１００から、より確実に離間する。なお、図１２Ａ、図１２Ｂに示した干渉部材４０の形状は、一例であり、当然ながら、他の形状でもよい。
　また、これまでの説明では、カバーフィルム１１０の幅を、実装区画１０６一列分の幅としているが、カバーフィルム１１０の幅は、より大きくてもよい。例えば、図１３に示すように、カバーフィルム１１０は、実装区画１０６二列分の幅を有していてもよい。かかる構成とすることで、カバーフィルム１１０で同時に覆える実装区画１０６の個数が増加するため、フィード回数をより低減でき、ひいては、タクトタイムをより短縮できる。なお、カバーフィルム１１０の配置制御を簡易化するためには、フィルム送出機構２４は、カバーフィルム１１０が、二次元アレイ状の実装区画１０６を、列単位で覆うように、当該カバーフィルム１１０を掛け渡すことが望ましい。
　また、これまでの説明では、略矩形の基板１０４に対する実装のみを例示したが、基板１０４は、矩形に限らず、他の形状、例えば、円形等でもよい。したがって、本明細書で開示する実装装置１０は、略円形のウェーハに半導体チップ１００をボンディングするＣｏＷ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｗａｆｅｒ）に適用されてもよい。なお、円形基板１０４の場合、図１４に示すとおり、カバーフィルム１１０の水平位置に応じて、当該カバーフィルム１１０が同時に覆える実装区画１０６の個数が変化する。この場合、カバーフィルム１１０の水平位置（同時に覆える実装区画１０６の個数）に応じて、カバーフィルム１１０のフィード距離を変化させてもよい。かかる構成とすれば、カバーフィルム１１０のロスを低減できる。また、別の形態として、カバーフィルム１１０のフィード距離を、最大値、すなわち、基板１０４の直径相当に固定してもよい。この場合、使用されることなく、巻き取られるカバーフィルム１１０が増えるが、カバーフィルム１１０のフィード制御を単純化できる。
　また、これまでは、基板１０４上に、半導体チップ１００を、一段ずつ実装する形態のみを例示したが、図１５に示すように、２以上の半導体チップ１００を、厚み方向に積層して実装してもよい。すなわち、この場合、１段目の半導体チップ１００にとっては、基板１０４が被実装体であり、２段目の半導体チップ１００にとっては、１段目の半導体チップ１００が被実装体となる。
　この場合、仮圧着処理では、まず、複数の半導体チップ１００を厚み方向に仮圧着しながら積層した仮積層体１２０を、各実装区画１０６に形成する。そして、その後、本圧着処理において、仮積層体１２０の上面を実装ヘッド１２で加熱加圧することで、当該仮積層体１２０を構成する複数の半導体チップ１００を一括で本圧着する。この製造形態においても、仮圧着処理の際には、カバーフィルム１１０を、退避位置に退避させ、本圧着処理の際には、カバーフィルム１１０を、本圧着対象の半導体チップ１００と実装ヘッド１２との間である仲介位置に配置すればよい。
　また、これまでは、実装ヘッド１２が水平方向に移動する構成を例示したが、実装ヘッド１２に替えて、ボンディングステージ１４が水平方向に移動する構成としてもよい。図１６は、ボンディングステージ１４が水平移動する実装装置１０の一例を示す図である。この例では、ボンディングステージ１４は、第一方向（基板１０４の長尺方向）への移動と、第二方向（基板１０４の短手方向）への移動を許容するＸＹテーブル４８を備えている。この場合、制御部２０は、仮圧着および本圧着の対象となる実装区画１０６が、実装ヘッド１２の真下に位置するように、ＸＹテーブル４８を駆動して、ボンディングステージ１４を水平移動させる。そして、実装ヘッド１２は、真下に下降することで、実装区画１０６に半導体チップ１００を仮圧着または本圧着する。なお、この場合、実装ヘッド１２は、昇降のみ行い、水平移動しないため、当該実装ヘッド１２に、新たな半導体チップ１００を供給する供給機構５０などを設けることが望ましい。また、この場合、フィルム配置機構１８は、基板１０４と連動して水平移動できるように、ボンディングステージ１４上に設置されることが望ましい。
　また、これまでは、実装区画１０６に、接着材料１０８を予め塗布する先塗布方式を例示したが、本明細書で開示する実装装置１０は、先塗布方式に限らず、接着材料１０８を介して半導体チップ１００を被実装体に実装するのであれば、他のボンディング方式に適用してもよい。例えば、被実装体ではなく、半導体チップ１００の裏面にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）と呼ばれる接着剤を貼り付けておき、このＤＡＦを加熱硬化させて半導体チップ１００を被実装体に実装してもよい。この場合であっても、半導体チップ１００と実装ヘッド１２との間にカバーフィルム１１０を介在させることで、ヒュームガスの実装ヘッド１２への侵入を効果的に防止できる。
　１０　実装装置、１２　実装ヘッド、１４　ボンディングステージ、１６　基台、１８　フィルム配置機構、２０　制御部、２２　吸引孔、２４　フィルム送出機構、２８ａ　送出ローラ、２８ｂ　巻取ローラ、３０　フィルム移動機構、４０　干渉部材、４２　矩形孔、４８　ＸＹテーブル、５０　供給機構、７０　針、１００　半導体チップ、１０２　バンプ、１０４　基板、１０５　電極、１０６　実装区画、１０８　接着材料、１１０　カバーフィルム、１２０　仮積層体。

Claims (7)

  1. 　半導体チップを接着材料を介して基板または他の半導体チップである被実装体に実装する実装装置であって、
    　前記基板が載置されるボンディングステージと、
    　前記ボンディングステージを支える基台と、
    　前記半導体チップを吸引保持して前記被実装体に仮圧着する仮圧着処理と、前記仮圧着された半導体チップを本圧着する本圧着処理と、を行う実装ヘッドと、
    　前記ボンディングステージまたは前記基台に設けられ、前記本圧着処理時に、前記仮圧着された半導体チップと前記実装ヘッドとの間にカバーフィルムを介在させるフィルム配置機構と、
    　前記実装ヘッドおよび前記フィルム配置機構の駆動を制御する制御部と、
    　を備え、
    　前記フィルム配置機構は、
    　前記カバーフィルムが掛け渡された一対のローラを有し、順次、新たなカバーフィルムを送り出すフィルム送出機構と、
    　前記カバーフィルムを、前記基板に対して水平方向に移動させるフィルム移動機構と、
    　を備える、ことを特徴とする実装装置。
  2. 　請求項１に記載の実装装置であって、
    　前記制御部は、前記カバーフィルムが、前記仮圧着処理時には、前記半導体チップが仮圧着される実装区画から水平方向に離間した退避位置に位置し、前記本圧着処理時には、本圧着対象の半導体チップの真上である仲介位置に位置するように、前記フィルム移動機構を制御する、ことを特徴とする実装装置。
  3. 　請求項２に記載の実装装置であって、
    　前記フィルム送出機構は、前記仲介位置において、前記カバーフィルムが複数の実装区画の上方を覆うように、前記カバーフィルムを掛け渡しており、
    　前記制御部は、前記カバーフィルムが覆う前記複数の実装区画全てにおいて前記半導体チップの本圧着が終了すれば、前記フィルム移動機構を駆動して前記カバーフィルムが新たな複数の実装区画の上方を覆う位置に移動させるとともに、前記フィルム送出機構を駆動して前記カバーフィルムを前記複数の実装区画に応じた距離だけフィードさせる、
    　ことを特徴とする実装装置。
  4. 　請求項３に記載の実装装置であって、
    　前記基板には、半導体チップを実装する実装区画が二次元アレイ状に規定されており、
    　前記フィルム送出機構は、前記二次元アレイ状の実装区画を、列単位で覆うように、前記カバーフィルムを掛け渡している、
    　ことを特徴とする実装装置。
  5. 　請求項１から４のいずれか１項に記載の実装装置であって、
    　前記制御部は、前記実装ヘッドに、複数の前記実装区画において前記半導体チップの仮圧着を連続して実行させた後、前記仮圧着された複数の前記半導体チップの本圧着を連続して実行させる、ことを特徴とする実装装置。
  6. 　請求項１から５のいずれか１項に記載の実装装置であって、
    　前記フィルム配置機構は、さらに、前記カバーフィルムを、前記ボンディングステージに対して昇降させる昇降機構を備える、ことを特徴とする実装装置。
  7. 　請求項１から６のいずれか１項に記載の実装装置であって、
    　前記フィルム送出機構は、前記実装ヘッドにより押圧されて下方に撓んだ前記カバーフィルムの一部と干渉することで、前記撓みの解消を支援する干渉部材を備える、ことを特徴とする実装装置。
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KR (1) KR102398994B1 (ja)
CN (1) CN111344848A (ja)
SG (1) SG11202006294RA (ja)
TW (1) TWI702695B (ja)
WO (1) WO2019107395A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022013995A1 (ja) * 2020-07-16 2022-01-20
JP2022017145A (ja) * 2020-07-13 2022-01-25 晃三朗 宮崎 キーボード上の汚染防止装置
US20220084981A1 (en) * 2020-09-14 2022-03-17 Infineon Technologies Austria Ag Diffusion Soldering with Contaminant Protection

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019107395A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 株式会社新川 実装装置
TWI743726B (zh) * 2019-04-15 2021-10-21 日商新川股份有限公司 封裝裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165536A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Nippon Avionics Co Ltd フリップチップ接合方法およびその装置
WO2013133015A1 (ja) * 2012-03-07 2013-09-12 東レ株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
WO2016125763A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 東レエンジニアリング株式会社 実装装置および実装方法
JP2017123423A (ja) * 2016-01-08 2017-07-13 東レエンジニアリング株式会社 半導体実装装置および半導体実装方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2984381B2 (ja) * 1991-01-31 1999-11-29 芝浦メカトロニクス株式会社 インナリードボンディング装置
JP3186925B2 (ja) * 1994-08-04 2001-07-11 シャープ株式会社 パネルの実装構造並びに集積回路搭載テープおよびその製造方法
JP2001135653A (ja) * 1999-11-02 2001-05-18 Mitsubishi Electric Corp ダイボンディング装置及び半導体装置
JP4693458B2 (ja) * 2005-03-31 2011-06-01 パナソニック株式会社 電子部品の実装方法および電子部品実装機
JP5054933B2 (ja) * 2006-05-23 2012-10-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
WO2010038425A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 パナソニック株式会社 圧着装置および圧着方法
JP5612963B2 (ja) * 2010-08-20 2014-10-22 新光電気工業株式会社 電子部品実装装置および電子部品実装方法
KR101141795B1 (ko) 2010-12-20 2012-05-04 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 칩 본딩 장치 및 방법
JP6140531B2 (ja) * 2013-05-30 2017-05-31 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 半導体チップ接合装置および半導体チップ接合方法
JP5508583B2 (ja) * 2013-06-27 2014-06-04 東レエンジニアリング株式会社 実装装置および実装方法
JP6151601B2 (ja) 2013-08-08 2017-06-21 東レエンジニアリング株式会社 実装装置
US10199349B2 (en) * 2015-02-03 2019-02-05 Toray Engineering Co., Ltd. Mounting device and mounting method
US9633883B2 (en) * 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
JP6349540B2 (ja) * 2016-10-06 2018-07-04 株式会社新川 半導体チップの実装装置、および、半導体装置の製造方法
EP3580778B1 (en) * 2017-02-07 2023-06-07 Rohinni, Inc. Apparatus and method for stacking semiconductor devices
WO2019107395A1 (ja) * 2017-12-01 2019-06-06 株式会社新川 実装装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004165536A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Nippon Avionics Co Ltd フリップチップ接合方法およびその装置
WO2013133015A1 (ja) * 2012-03-07 2013-09-12 東レ株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
WO2016125763A1 (ja) * 2015-02-03 2016-08-11 東レエンジニアリング株式会社 実装装置および実装方法
JP2017123423A (ja) * 2016-01-08 2017-07-13 東レエンジニアリング株式会社 半導体実装装置および半導体実装方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022017145A (ja) * 2020-07-13 2022-01-25 晃三朗 宮崎 キーボード上の汚染防止装置
JPWO2022013995A1 (ja) * 2020-07-16 2022-01-20
WO2022013995A1 (ja) * 2020-07-16 2022-01-20 株式会社新川 実装装置
JP7117805B2 (ja) 2020-07-16 2022-08-15 株式会社新川 実装装置
US20220084981A1 (en) * 2020-09-14 2022-03-17 Infineon Technologies Austria Ag Diffusion Soldering with Contaminant Protection
US11610861B2 (en) * 2020-09-14 2023-03-21 Infineon Technologies Austria Ag Diffusion soldering with contaminant protection
US12087723B2 (en) 2020-09-14 2024-09-10 Infineon Technologies Austria Ag Diffusion soldering with contaminant protection

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