JP2021145098A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】一つの実施形態は、適切にボンディングを行うことができる半導体製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】一つの実施形態によれば、ボンディングツールと加熱部と第１の付与機構と第２の付与機構とを有する半導体製造装置が提供される。ボンディングツールは、フィルムを介して半導体チップを吸着する。加熱部は、半導体チップを加熱する。第１の付与機構は、ボンディングツールに対してフィルムの送り方向の上流側に配されている。第１の付与機構は、フィルムに張力を付与する。第２の付与機構は、ボンディングツールに対してフィルムの送り方向の下流側に配されている。第２の付与機構は、フィルムに張力を付与する。【選択図】図１

Description

本実施形態は、半導体製造装置に関する。

半導体チップをボンディングする半導体製造装置では、ボンディングツールの表面と半導体チップとの間にフィルム（フィルム）を介在させボンディングツールがフィルム越しに半導体チップを押圧することで基板に複数のバンプ電極を介してボンディングすることがある。このとき、適切にボンディングを行うことが望まれる。

特許第３４５９３０６号公報 特許第５８２７０４３号公報

一つの実施形態は、適切にボンディングを行うことができる半導体製造装置を提供することを目的とする。

一つの実施形態によれば、ボンディングツールと加熱部と第１の付与機構と第２の付与機構とを有する半導体製造装置が提供される。ボンディングツールは、フィルムを介して半導体チップを吸着する。加熱部は、半導体チップを加熱する。第１の付与機構は、ボンディングツールに対してフィルムの送り方向の上流側に配されている。第１の付与機構は、フィルムに張力を付与する。第２の付与機構は、ボンディングツールに対してフィルムの送り方向の下流側に配されている。第２の付与機構は、フィルムに張力を付与する。

図１は、実施形態にかかる半導体製造装置の構成を示す図である。 図２は、実施形態にかかる付与機構を動作させない場合の半導体製造装置の動作を示す図である。 図３は、実施形態における付与機構を動作させない場合の半導体チップの実装状態を示す図である。 図４は、実施形態にかかる半導体製造装置の動作を示すフローチャートである。 図５は、実施形態にかかる半導体製造装置の動作を示す図である。 図６は、実施形態にかかる半導体製造装置の動作を示す図である。 図７は、実施形態にかかる半導体製造装置の動作を示すタイミングチャートである。 図８は、実施形態にかかる半導体製造装置の動作を示す図である。 図９は、実施形態にかかる半導体製造装置の動作を示すシーケンスチャートである。 図１０は、実施形態にかかる半導体製造装置の動作を示す図である。 図１１は、実施形態にかかる半導体製造装置の動作を示す図である。 図１２は、実施形態の変形例にかかる半導体製造装置の構成を示す図である。

以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。

（実施形態）
実施形態にかかる半導体製造装置は、隙間が接着樹脂（アンダーフィル）で埋められた複数のバンプ電極を介して配線基板上に半導体チップを熱圧着（ボンディング）して半導体チップを構成するフリップチップ実装を行う。半導体製造装置は、半導体チップ裏面（回路が施された面と逆の裏面）と熱圧着ツール（以下、ボンディングツール）との間にフィルムを介在させたＦＡＢ（Ｆｉｌｍ Ａｓｓｉｓｔ Ｂｏｎｄｉｎｇ）を行う。これにより、熱圧着時にチップの外形よりはみだした接着樹脂がボンディングツールに付着しないようにする。

ＦＡＢでは、フリップチップ時のボンディングツールと半導体チップとの間に介在するフィルムがボンディングツールの熱でフィルムにしわがよることがある。チップの外形よりはみだした接着樹脂は、フィルムのしわを伝わり、顕著に飛び出すことがある。すなわち、ＦＡＢを用いたフリップチップ実装において、チップ外周の基板上にフィルムのしわが原因で、基板上に接着樹脂の一部が飛び出したフィレット（以下、飛び出したフィレット）、チップと離れた場所に島状にフィレット（以下、島状のフィレット）が発生し得る。すなわち、飛び出したフィレット、チップと離れた場所に発生する島状のフィレットは、フィルムが垂れて基板に接触した状態で、接着樹脂がフィルムおよび基板表面を伝って基板と接触した場所に発生し得る。これにより、安定した接着樹脂のはみ出しが得られずチップの剥離などが生じたり、接着樹脂が隣接チップまたは隣接部品へ汚染し不良となったりする可能性がある。

そこで、本実施形態では、半導体製造装置において、ボンディングツールがフィルム越しに半導体チップを押圧する際にボンディングツールの上流側及び下流側のそれぞれについてフィルムの張力を付与する付与機構を設けることで、フィルムのしわの低減を図る。

具体的には、半導体製造装置において、ボンディングツールに対してフィルムの送り方向の上流側でフィルムに張力を付与する付与機構とフィルムの送り方向の下流側でフィルムに張力を付与する付与機構とを設ける。半導体製造装置は、１回目のボンディングにおいて、フィルムを介してボンディングツールに半導体チップを吸着させ、半導体チップをステージ上に載置された基板へ接触させ、ステージ及び基板を介して半導体チップを加熱する。半導体製造装置は、加熱によりフィルムが伸び始めると、上流側の付与機構及び下流側の付与機構によりフィルムの張力が所望の範囲内に維持されるようにそれぞれ制御する。このとき、半導体製造装置は、上流側の付与機構の動作量に応じて、加熱によるフィルムの上流側の伸び量を求め、下流側の付与機構の動作量に応じて、加熱によるフィルムの下流側の伸び量を求める。その後、半導体製造装置は、チップ用の吸着構造による半導体チップの吸着を解除し、ボンディングツールをステージから遠ざけ、フィルム用の吸着構造によるフィルムの吸着を解除し、フィルムを送る。半導体製造装置は、２回目以降のボンディングにおいて、フィルムを介してボンディングツールに半導体チップを吸着させ、半導体チップをステージ上に載置された基板へ接触させ、ステージ及び基板を介して導体装置を加熱する。このとき、半導体製造装置は、加熱によりフィルムが伸び始めるタイミングにおいて、１回目のボンディングで求められた上流側の伸び量に応じた動作量で上流側の付与機構をフィードフォワード動作させ、１回目のボンディングで求められた下流側の伸び量に応じた動作量で下流側の付与機構をフィードフォワード動作させる。その後、半導体製造装置は、チップ用の吸着構造による半導体チップの吸着を解除し、ボンディングツールをステージから遠ざけ、フィルム用の吸着構造によるフィルムの吸着を解除し、フィルムを送る。これにより、２回目以降のボンディングにおいて、１回目のボンディングで求めた上流側及び下流側の各伸び量に応じた付与機構のフィードフォワード動作を行うので、ボンディングツールの上流側及び下流側のそれぞれについてフィルムの張力を所望の範囲内に維持することができる。この結果、ボンディング時におけるフィルムのしわを低減できる。

より具体的には、半導体製造装置１は、図１に示すように構成され得る。図１は、半導体製造装置１の構成を示す図である。

半導体製造装置１は、ステージ１０、ボンディングツール２０、コントローラ３０、駆動機構４１、駆動機構４２、送りリール５１、巻き取りリール５２、フィルム５３、付与機構７０、付与機構８０、温度センサ６１、加圧センサ６２、排気系９０を有する。付与機構７０は、可動ローラ７１、ローラ７２、可動ニップローラ７５、ニップローラ７３、押え７４、駆動機構７６、駆動機構７７を有する。付与機構８０は、可動ローラ８１、ローラ８２、可動ニップローラ８３、ニップローラ８４、押え８５、駆動機構８６、駆動機構８７を有する。排気系９０は、排気管９１及び真空装置９２を有する。以下では、ステージ１０の主面１０ａに垂直な方向をＺ方向とし、Ｚ方向に垂直な面内で互いに直交する２方向をＸ方向及びＹ方向とする。

ステージ１０は、その表面１０ａにおける−Ｙ側の領域に針部１１が配され、表面１０ａにおける＋Ｙ側の領域に基板１００が載置される。またステージ１０に針部１１が配置されていなく、ステージ１０と針部のユニットが別でも構わない。基板１００は、配線基板又はプリント回路基板（ＰＣＢ）とも呼ばれる。基板１００は、ステージ１０の表面１０ａに載置された姿勢において、表面１００ａにおける半導体チップのバンプ電極に対応した位置に基板のＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ Ｒｅｓｉｓｔ）開口を有する。表面１００ａは、基板１００における＋Ｚ側の主面である。ＳＲ開口の底面には、半導体チップのバンプ電極が接合されるべき配線が配されている。基板１００の表面１００ａ、基板のＳＲ開口の底面、及び配線は、接着樹脂（アンダーフィル）１１０で部分的に覆われる。接着樹脂１１０は、例えば、ＮＣＰ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｐａｓｔｅ）であってもよいし、ＮＣＦ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ Ｆｉｌｍ）であってもよい。またＮＣＦにおいては、基板側を部分に覆うのではなく、予め半導体チップ側の電極が施されたチップ表面（全面）を覆っていても良い。

ステージ１０内には、ヒータ等の加熱素子（加熱部）１２が埋め込まれている。加熱素子１２は、コントローラ３０による制御に従い、ステージ１０を介して基板１００を加熱し、基板１００に半導体チップ２００がボンディングされる際に、基板１００を介して半導体チップ２００を加熱する。なお、加熱素子（加熱部）は、ステージ１０に代えてボンディングヘッド２内に埋め込まれていてもよい。

ボンディングツール２０は、半導体チップ２００を吸着固定する。ボンディングツール２０は、その＋Ｚ側に配されたボンディングヘッド２により吸着等で保持されている。ボンディングツール２０は、半導体チップのサイズよりも大きく、半導体チップ２００のサイズよりも大きい外周位置にフィルム５３を吸着できる吸着構造が付与されている。

ボンディングツール２０は、ベース部２１及び突起部２２を有する。ボンディングツール２０は一つの材料から切削加工等を施し、ベース部２１及び突起部２２を有するようにしてもよい。この場合ベース部２１と突起部２２とは一体のツールである。

ベース部２１は、ＸＹ方向に沿って延びた板形状を有する。ベース部２１は、ＸＹ平面視において、略矩形状を有していてもよい。突起部２２は、ベース部２１の表面に台座状に隆起している。ベース部２１の表面は、ベース部２１における−Ｚ側の主面である。

突起部２２は、ベース部２１の表面における中心を含む領域に配され、ベース部２１の表面に固定されていてもよい。突起部２２は、ＸＹ平面視において、略矩形状を有していてもよい。突起部２２は、表面、吸着構造２３、吸着構造２４を有する。突起部２２の表面は、突起部２２における−Ｚ側の主面である。

吸着構造２３は、吸着穴２３ａ及び排気孔２３ｂを有する。吸着穴２３ａは、突起部２２の表面における中心付近に配されている。排気孔２３ｂは、Ｚ方向に延び、吸着穴２３ａをボンディングヘッド２の排気孔２ａに連通させる。吸着構造２３は、突起部２２の表面における中心付近に複数の吸着穴２３ａを有していてもよい。

吸着構造２４は、複数の吸着穴２４ａ及び排気孔２４ｂ，２４ｃを有する。各吸着穴２４ａは、突起部２２の表面における吸着穴２３ａより外側に配されている。排気孔２４ｂは、ＸＹ方向に延び、吸着穴２４ａを排気孔２４ｃに連通させる。排気孔２４ｃは、Ｚ方向に延び、排気孔２４ｂをボンディングヘッド２の排気孔２ａに連通させる。吸着構造２４の排気孔２４ｃは、吸着構造２３の排気孔２３ｂと共通化されていてもよい。

駆動機構４１及び駆動機構４２は、コントローラ３０による制御に従い、ステージ１０及びボンディングツール２０をＸ方向、Ｙ方向、及びＺ方向に相対的に移動可能である。例えば、駆動機構４１は、コントローラ３０による制御に従い、ステージ１０をＸ方向及びＹ方向に移動可能である。駆動機構４２は、コントローラ３０による制御に従い、ステージ１０をＺ方向の移動も可能である。

送りリール５１は、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配されている。巻き取りリール５２は、ボンディングツール２０の＋Ｙ側に配されている。フィルム５３は、送りリール５１から＋Ｙ側に送り出され、ボンディングツール２０の突起部２２の表面（−Ｚ側の面）の−Ｚ側を通り、＋Ｙ側に進んで巻き取りリール５２で巻き取られる。すなわち、フィルム５３がボンディングツール２０の突起部２２の表面に介在する状態で設けられている。これにより、接着樹脂１１０がボンディングツール２０の突起部２２の表面に付着し無いようにすることができる。

送りリール５１は、ボンディングに使用されていないフィルム５３が巻かれている。送りリール５１は、コントローラ３０による制御に従い、フィルム５３を送り出し可能である。巻き取りリール５２は、コントローラ３０による制御に従い、フィルム５３を巻き取り可能である。巻き取りリール５２は、半導体チップの実装が１つ終了する毎に回転してフィルム５３を巻き取っていく。フィルム５３は、ボンディングツール２０の突起部２２の表面と半導体チップ２００との間に挟まれ、半導体チップ２００が基板１００に実装されるときに接着樹脂１１０がボンディングツール２０の突起部２２の表面に付着することを防止する。

付与機構７０は、ボンディングツール２０に対してフィルム５３の送り方向の上流側に配され、送りリール５１及びボンディングツール２０の間に配されている。付与機構７０は、フィルム５３に張力を付与する。付与機構７０は、フィルム５３への接触箇所に対して近づく方向又は遠ざかる方向にフィルム５３を部分的に移動させて、フィルム５３に張力を付与する。付与機構７０は、フィルム５３の送り方向と逆方向にフィルム５３を巻き取って、フィルム５３に張力を付与する。

付与機構７０は、可動ローラ７１、ローラ７２、可動ニップローラ７５、ニップローラ７３、押え７４、駆動機構７６、駆動機構７７、駆動機構７８を有する。

可動ローラ７１は、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、突起部２２の表面に対してフィルム５３の送り方向の上流側に配される。可動ローラ７１は、フィルム５３に＋Ｙ側から接触し得る。駆動機構７６は、例えばリニアモータであり、コントローラ３０からの制御のもと、一点鎖線の矢印で示すように、可動ローラ７１の回転軸を＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に移動可能である。すなわち、駆動機構７６は、可動ローラ７１の回転軸をフィルム５３への接触箇所に対して近づく方向（−Ｙ方向）と遠ざかる方向（＋Ｙ方向）とに移動（水平駆動）可能である。これにより、可動ローラ７１がフィルム５３への接触箇所でフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に垂直な方向の応力を調整し得る。なお、可動ローラ７１は、その回転については駆動されず、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

ローラ７２は、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、可動ローラ７１に対してフィルム５３の送り方向の上流側に配される。ローラ７２は、フィルム５３に−Ｙ側から接触し得る。ローラ７２は、回転軸の位置が固定されている。ローラ７２は、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

可動ニップローラ７５は、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、ローラ７２に対してフィルム５３の送り方向の上流側に配される。可動ニップローラ７５は、フィルム５３に−Ｚ側から接触し得る。可動ニップローラ７５は、回転軸の位置が固定されている。駆動機構７７は、例えば回転モータであり、送り方向の逆方向に対応した回転方向（ＹＺ平面視で左回り）に可動ニップローラ７５を回転駆動可能である。これにより、可動ニップローラ７５がフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に沿った方向における上流側の応力を調整し得る。

ニップローラ７３は、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、ローラ７２に対してフィルム５３の送り方向の上流側に配される。ニップローラ７３は、フィルム５３に＋Ｚ側から接触し得る。ニップローラ７３は、回転軸の位置が固定されている。ニップローラ７３は、フィルム５３を間にして可動ニップローラ７５の反対側に配され、可動ニップローラ７５との間にフィルム５３が非接触となるようなクリアランスを有する。

押え７４は、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、ニップローラ７３の＋Ｚ側に配される。押え７４は、ニップローラ７３から＋Ｚ側に離間して位置する。駆動機構７８は、例えばリニアモータであり、押え７４を−Ｚ側へ押圧駆動可能である。

定常時において、駆動機構７６は、可動ローラ７１の回転軸の水平駆動を解除しており、可動ローラ７１は、その回転軸の位置が一定である。駆動機構７８は、押え７４の−Ｚ側へ押圧駆動を解除しており、ニップローラ７３は、可動ニップローラ７５との間にフィルム５３が非接触となるクリアランスを有する。駆動機構７７は、可動ニップローラ７５の回転駆動を解除しており、可動ニップローラ７５は、フィルム５３の送り方向に対応した回転方向（ＹＺ平面視で右回り）に受動的に回転され得る。

半導体チップ２００のボンディングの際の加熱素子１２による加熱時に、駆動機構７６は、可動ローラ７１の回転軸を−Ｙ方向又は＋Ｙ方向に移動（水平駆動）させる。これにより、可動ローラ７１がフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に垂直な方向の応力を調整し得る。駆動機構７８は、押え７４を−Ｚ側へ押圧駆動する。これにより、押え７４がニップローラ７３を−Ｚ側へ押圧し、ニップローラ７３及び可動ニップローラ７５がフィルム５３をＺ方向の両側から押圧するようにすることができる。駆動機構７７は、送り方向の逆方向に対応した回転方向に可動ニップローラ７５を回転駆動する。これにより、可動ニップローラ７５がフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に沿った方向における上流側の応力を調整し得る。

例えば、コントローラ３０は、可動ローラ７１のＹ位置が−Ｙ方向の可動限界位置と＋Ｙ方向の可動限界位置との中間になるように駆動機構７６を制御しつつ、駆動機構７７による駆動トルクを監視する。コントローラ３０は、駆動機構７７の制御量と駆動トルクとの関係を示すテーブルが予め実験的に決められて設定されており、駆動機構７７の制御量とそのテーブルとから駆動トルクを求めて監視することができる。コントローラ３０は、駆動トルクに基づいて、ボンディングツール２０の上流側（−Ｙ側）のフィルム５３の張力を推定する。コントローラ３０は、推定される張力が所望の範囲内に収まるように、駆動機構７７を動作させる。このとき、コントローラ３０は、可動ニップローラ７５の直径と可動ニップローラ７５の回転角とに応じて、フィルム５３の伸び量を求める。可動ニップローラ７５の直径をｄ_７５、円周率をπ、回転角度をθ_７５（°）とすると、コントローラ３０は、次の数式１により、フィルム５３の上流側の伸び量ΔＬ_７０を求めてもよい。
ΔＬ_７０＝ｄ_７５×π×（θ_７５／３６０°）・・・数式１

付与機構８０は、ボンディングツール２０に対してフィルム５３の送り方向の下流側に配され、ボンディングツール２０及び巻き取りリール５２の間に配されている。付与機構８０は、フィルム５３に張力を付与する。付与機構８０は、フィルム５３への接触箇所に対して近づく方向又は遠ざかる方向にフィルム５３を部分的に移動させて、フィルム５３に張力を付与する。付与機構８０は、フィルム５３の送り方向にフィルム５３を巻き取って、フィルム５３に張力を付与する。

付与機構８０は、可動ローラ８１、ローラ８２、可動ニップローラ８５、ニップローラ８３、押え８４、駆動機構８６、駆動機構８７、駆動機構８８を有する。

可動ローラ８１は、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、突起部２２の表面に対してフィルム５３の送り方向の下流側に配される。可動ローラ８１は、フィルム５３に−Ｙ側から接触し得る。駆動機構８６は、例えばリニアモータであり、コントローラ３０からの制御のもと、一点鎖線の矢印で示すように、可動ローラ８１の回転軸を＋Ｙ方向及び−Ｙ方向に移動可能である。すなわち、駆動機構８６は、可動ローラ８１の回転軸をフィルム５３への接触箇所に対して近づく方向（＋Ｙ方向）と遠ざかる方向（−Ｙ方向）とに移動（水平駆動）可能である。これにより、可動ローラ８１がフィルム５３への接触箇所でフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に垂直な方向の応力を調整し得る。なお、可動ローラ８１は、その回転については駆動されず、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

ローラ８２は、ボンディングツール２０の＋Ｙ側に配され、可動ローラ８１に対してフィルム５３の送り方向の下流側に配される。ローラ８２は、フィルム５３に＋Ｙ側から接触し得る。ローラ８２は、回転軸の位置が固定されている。ローラ８２は、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

可動ニップローラ８５は、ボンディングツール２０の＋Ｙ側に配され、ローラ８２に対してフィルム５３の送り方向の下流側に配される。可動ニップローラ８５は、フィルム５３に−Ｚ側から接触し得る。可動ニップローラ８５は、回転軸の位置が固定されている。駆動機構８７は、例えば回転モータであり、送り方向に対応した回転方向（ＹＺ平面視で右回り）に可動ニップローラ８５を回転駆動可能である。これにより、可動ニップローラ８５がフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に沿った方向における下流側の応力を調整し得る。

ニップローラ８３は、ボンディングツール２０の＋Ｙ側に配され、ローラ８２に対してフィルム５３の送り方向の下流側に配される。ニップローラ８３は、フィルム５３に＋Ｚ側から接触し得る。ニップローラ８３は、回転軸の位置が固定されている。ニップローラ８３は、フィルム５３を間にして可動ニップローラ８５の反対側に配され、可動ニップローラ８５との間にフィルム５３が非接触となるようなクリアランスを有する。

押え８４は、ボンディングツール２０の＋Ｙ側に配され、ニップローラ８３の＋Ｚ側に配される。押え８４は、ニップローラ８３から＋Ｚ側に離間して位置する。駆動機構８８は、例えばリニアモータであり、押え８４を−Ｚ側へ押圧駆動可能である。

定常時において、駆動機構８６は、可動ローラ８１の回転軸の水平駆動を解除しており、可動ローラ８１は、その回転軸の位置が一定である。駆動機構８８は、押え８４の−Ｚ側へ押圧駆動を解除しており、ニップローラ８３は、可動ニップローラ８５との間にフィルム５３が非接触となるクリアランスを有する。駆動機構８７は、可動ニップローラ８５の回転駆動を解除しており、可動ニップローラ８５は、フィルム５３の送り方向に対応した回転方向（ＹＺ平面視で右回り）に受動的に回転され得る。

半導体チップ２００のボンディングの際の加熱素子１２による加熱時に、駆動機構８６は、可動ローラ８１の回転軸を−Ｙ方向又は＋Ｙ方向に移動（水平駆動）させる。これにより、可動ローラ８１がフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に垂直な方向の応力を調整し得る。駆動機構８８は、押え８４を−Ｚ側へ押圧駆動する。これにより、押え８４がニップローラ８３を−Ｚ側へ押圧し、ニップローラ８３及び可動ニップローラ８５がフィルム５３をＺ方向の両側から押圧するようにすることができる。駆動機構８７は、送り方向に対応した回転方向に可動ニップローラ８５を回転駆動する。これにより、可動ニップローラ８５がフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に沿った方向における下流側の応力を調整し得る。

例えば、コントローラ３０は、可動ローラ８１のＹ位置が−Ｙ方向の可動限界位置と＋Ｙ方向の可動限界位置との中間になるように駆動機構８６を制御しつつ、駆動機構８７による駆動トルクを監視する。コントローラ３０は、駆動機構８７の制御量と駆動トルクとの関係を示すテーブルが予め実験的に決められて設定されており、駆動機構８７の制御量とそのテーブルとから駆動トルクを求めて監視することができる。コントローラ３０は、駆動トルクに基づいて、ボンディングツール２０の下流側（−Ｙ側）のフィルム５３の張力を推定する。コントローラ３０は、推定される張力が所望の範囲内に収まるように、駆動機構８７を動作させる。このとき、コントローラ３０は、可動ニップローラ８５の直径と可動ニップローラ８５の回転角とに応じて、フィルム５３の伸び量を求める。可動ニップローラ８５の直径をｄ_８５、円周率をπ、回転角度をθ_８５（°）とすると、コントローラ３０は、次の数式２により、フィルム５３の下流側の伸び量ΔＬ_８０を求めてもよい。
ΔＬ_８０＝ｄ_８５×π×（θ_８５／３６０°）・・・数式２

温度センサ６１は、ボンディングヘッド２のボンディングツール２０を保持する表面に配され得る。またボンディングツール２０内に埋め込まれている場合もある。温度センサ６１は、ボンディングツール２０の温度を検知し、検知結果をコントローラ３０へ供給する。

加圧センサ６２は、ボンディングツール２０又はボンディングヘッド２に配されている。加圧センサ６２は、ボンディングツール２０が半導体チップ２００を吸着固定する際に、ボンディングツール２０から半導体チップ２００への加圧力を検知し、検知結果をコントローラ３０へ供給する。

排気系９０は、排気管９１及び真空装置９２を有する。排気管９１は、ボンディングヘッド２及び真空装置９２の間に配され、ボンディングヘッド２の排気孔２ａを真空装置９２へ連通させる。

真空装置９２は、排気管９１、排気孔２ａ、排気孔２３ｂを介して吸着穴２３ａの負圧を供給する。これにより、吸着穴２３ａによる半導体チップ２００の真空吸着が可能である。

真空装置９２は、排気管９１、排気孔２ａ、排気孔２４ｃ、排気孔２４ｂを介して吸着穴２４ａの負圧を供給する。これにより、吸着穴２４ａによるフィルム５４の真空吸着が可能である。

半導体製造装置１は、半導体チップ２００の裏面とボンディングツール２０との間にフィルム５３を介在させながら、隙間が接着樹脂１１０で埋められた基板１００上の複数のバンプ電極に半導体チップ２００を熱圧着する。

例えば、付与機構７０，８０を動作させない場合、半導体チップ２００の加熱時に、図２に示すように、フィルム５３におけるボンディングツール２０の上流側及び下流側の各部分にしわＣＲ１，ＣＲ２がよる可能性がある。図２は、付与機構７０，８０を動作させない場合の半導体製造装置１の動作を示す図である。半導体チップ２００の外形よりはみだした接着樹脂１１０は、図３に示すように、フィルム５３のしわＣＲ１，ＣＲ２を伝わり、顕著に飛び出す可能性がある。図３は、付与機構７０，８０を動作させない場合の半導体装置の実装状態を示す図である。すなわち、ＦＡＢを用いたフリップチップ実装において、半導体チップ２００外周の基板１００上にフィルム５３のしわが原因で接着樹脂１１０の飛び出しフィレット１１０ａ、飛び島フィレット１１０ｂが発生し得る。すなわち、飛び出しフィレット１１０ａ、飛び島フィレット１１０ｂは、フィルム５３が垂れた状態で、接着樹脂１１０がフィルム５３を伝って基板１００に接触した場所に発生し得る。これにより、安定した接着樹脂１１０のはみ出しが得られず半導体チップの基板１００からの剥離などが生じたり、接着樹脂１１０が隣接チップまたは隣接部品へ汚染し不良となったりする可能性がある。

それに対して、半導体製造装置１では、加熱によりフィルム５３が伸び始めると、上流側の付与機構７０及び下流側の付与機構８０によりフィルム５３の張力が所望の範囲内に維持されるようにそれぞれ制御する。これにより、フィルム５３のしわＣＲ１，ＣＲ２の発生を抑制でき、実装の不良を防止し得る。

次に、半導体製造装置１の動作について図４〜図１１を用いて説明する。図４は、半導体製造装置１の動作を示すフローチャートである。図５、図６、図１０、図１１は、半導体チップの製造方法を示す工程断面図である。図７は、半導体製造装置１のボンディング時の動作を示すタイミングチャートである。図８は、半導体製造装置１のボンディング時の動作を示す図である。図９は、半導体製造装置１のボンディング時の動作を示すシーケンスチャートである。

半導体製造装置１は、１回目のボンディングを行う（Ｓ１０）。Ｓ１０では、Ｓ１〜Ｓ７の処理が行われる。

図５（ａ）に、予め所定の軌跡で接着樹脂１１０が塗布された基板１００及び、その一部の拡大部を示す。図５（ａ）では、複数の半導体チップに対応した複数の矩形領域を含む基板１００において、各矩形領域の対角線に沿った軌跡で接着樹脂１１０が塗布される場合が例示されている。接着樹脂１１０は、例えば、ＮＣＰである。基板１００は半導体製造装置１に投入される。半導体製造装置１は、半導体チップをフリップチップ実装するための装置である。投入された基板１００は、加熱素子１２により加温されているステージ（熱圧着ステージ）１０まで搬送される（Ｓ１）。

半導体ウエハをダイシングフィルムに貼り付けてダイシングを行い、複数の半導体チップへ個片化し、個片化された半導体チップ２００をダイシングフィルムから剥離する（Ｓ２）。

送りリール５１から、図５（ｂ）に点線の矢印で示す送り方向へ、ローラ７２、可動ローラ７１を介しながらフィルム５３が送られる（Ｓ３）。また、可動ローラ８１、ローラ８２を介しながらフィルム５３が巻き取りリール５２で巻き取られる（Ｓ３ａ）。

半導体製造装置１は、図５（ｂ）に示すように、ボンディングツール２０の吸着構造２３，２４でフィルム５３を真空吸着する。半導体製造装置１は、その吸着固定されたフィルム５３に、図５（ｃ）に示すように、所定の配置で針部（ピン）１１で穴５３ａを開ける（Ｓ４）。

その後、搬送系からボンディングツール２０への半導体チップの受け渡しを行い（Ｓ５）、図６（ａ）に示すように、半導体チップ２００をフィルム５３の穴５３ａ及びボンディングツール２０の吸着穴２３ａを介して裏面２００ｂから真空吸着し固定する。半導体チップ２００において、表面２００ａは、素子のパターンが形成された面であり、裏面２００ｂは、表面２００ａと反対側の面である。半導体チップ２００の表面２００ａには電極パッドが配され、その電極パッドにはバンプ電極２１０が接合されている。

そして、半導体製造装置１は、ボンディング動作を行う（Ｓ６）。具体的には、図７〜図９に示すような動作が行われる。図７は、半導体製造装置１の動作を示すタイミングチャートである。図８は、半導体製造装置１の動作を示す図である。図９は、半導体製造装置１の動作を示すシーケンスチャートである。

図７に示す期間ＴＰ１において、半導体製造装置１は、撮像素子（図示せず）で半導体チップ２００のアライメントマークを撮像し取得された画像を解析し半導体チップ２００のＸＹ方向の中心位置を演算することなどにより、半導体チップ２００の位置を認識する（Ｓ６ａ）。半導体製造装置１は、撮像素子（図示せず）で基板１００のアライメントマークを撮像し取得された画像を解析し基板１００のＸＹ方向の中心位置を演算することなどにより、基板１００の位置を認識する（Ｓ６ｂ）。半導体製造装置１は、半導体チップ２００のアライメントマークと基板１００のアライメントマークとが所定の位置関係になるようにステージ１０を稼働させて、半導体チップ２００及び基板１００のアライメントを行う。このとき、図８に示すように、加熱素子１２による１段階目の加温（加温１^ｓｔ）を行う加温制御（図９参照）が開始されるが、ボンディングヘッド２による半導体チップ２００及び基板１００への荷重（ヘッド荷重）が加えられておらず、荷重Ｆｈが初期値Ｆ０になっている。

図７に示す期間ＴＰ２において、半導体製造装置１は、半導体チップ２００及び基板１００がアライメントされる（サーチ検知される）と、ボンディングヘッド２をＺ方向に移動させるヘッドＺ軸制御（図９参照）を開始し、図６（ｂ）に示すように、ボンディングヘッド２を−Ｚ方向に下降させて（Ｓ６ｃ）、半導体チップ２００の−Ｚ側のバンプ電極２１０が接着樹脂１１０に接触する位置までボンディングツール２０をステージ１０に近づける。バンプ電極２１０が接着樹脂１１０に接触すると、ボンディングツール２０の下降速度を若干緩め、ボンディングツール２０を−Ｚ方向にその緩めた速度で下降させ、半導体チップ２００のバンプ電極２１０を基板１００上の電極パッドに接触させる。

この状態で、加温制御（図９参照）に応じて、加熱素子１２によりステージ１０及び基板１００を介して半導体チップ２００を加熱する加温動作が行われ（Ｓ６ｄ）、半導体チップ２００の温度ＴｈがＴ１に制御される。また、ボンディングヘッド２により半導体チップ２００及び基板１００へ荷重を作用させるヘッド荷重制御（図９参照）が開始され、ヘッド荷重動作が行われ（Ｓ６ｃ）、半導体チップ２００及び基板１００への荷重ＦｈがＦ１に制御される。

図７に示す期間ＴＰ３において、半導体製造装置１は、半導体チップ２００及び基板１００へ荷重ＦｈがＦ１に維持されるようにボンディングツール２０及びステージ１０の距離を相対的に制御するとともに、半導体チップ２００の温度ＴｈをＴ１からＴ２（＞Ｔ１）へ上昇させる。

これにより、１段階目の加工（１^ｓｔ加工）が行われ、半導体チップ２００と基板１００の配線との間に介在するバンプ電極が適度に変形してバンプ電極と基板との接触面積がそれぞれ確保され得る。

図７に示す期間ＴＰ４において、半導体製造装置１は、半導体チップ２００及び基板１００へ荷重ＦｈがＦ１に維持されるようにボンディングツール２０及びステージ１０の距離を相対的に制御するとともに、半導体チップ２００の温度ＴｈをＴ２に保持する。このとき、加圧力が目標圧力Ｆｈ＝Ｆ１に維持されるようにボンディングツール２０のＺ位置を＋Ｚ方向又は−Ｚ方向に制御する。図７には、徐々に＋Ｚ方向にボンディングツール２０のＺ位置を制御する場合について例示されている。

これにより、２段階目の加工（２^ｎｄ加工）が行われ、バンプ電極と基板との接触面積が確保された状態でバンプ電極が溶融し得る。これにより、バンプ電極の周辺への溶出を抑制でき、バンプ電極と基板との接合が円滑に行われ得る。

また、期間ＴＰ３とほぼ同時に開始され期間ＴＰ４の途中で終了する期間ＴＰ１１において、半導体製造装置１は、加温動作（Ｓ６ｄ）及びヘッド荷重動作（Ｓ６ｃ）に並行して、フィルム５３の伸びについてのキャリブレーション量の取得を行う（Ｓ６ｆ）。

具体的には、半導体製造装置１は、図１０（ａ）に一点鎖線の矢印で示すように、可動ローラ７１のＹ位置が−Ｙ方向の可動限界位置と＋Ｙ方向の可動限界位置との中間になるように駆動機構７６を制御しつつ、押え７４がニップローラ７３をフィルム５３及び可動ニップローラ７５へ押し付けた状態で駆動機構７７による可動ニップローラ７５の駆動トルクを監視する。半導体製造装置１は、駆動機構７７の制御量と駆動トルクとの関係を示すテーブルが予め実験的に決められて設定されており、駆動機構７７の制御量とそのテーブルとから駆動トルクを求めて監視することができる。半導体製造装置１は、駆動トルクに基づいて、ボンディングツール２０の上流側（−Ｙ側）のフィルム５３の張力を推定する。半導体製造装置１は、図１０（ｂ）に点線の矢印で示すように、推定される張力が所望の範囲内に収まるように、駆動機構７６，７７を動作させる。これにより、ボンディングツール２０の上流側（−Ｙ側）のフィルム５３の巻き戻しが行われる（Ｓ６ｆ１）。このとき、コントローラ３０は、可動ニップローラ７５の直径と可動ニップローラ７５の回転角とに応じて、フィルム５３の伸び量を求める。可動ニップローラ７５の直径をｄ_７５、円周率をπ、回転角度をθ_７５（°）とすると、半導体製造装置１は、数式１により、フィルム５３の上流側の伸び量ΔＬ_７０を求める。すなわち、供給側のテンション力が監視され、供給側のフィルム５３が巻き取られるとともに、フィルムの巻き取り量が計測される（図９参照）。

また、半導体製造装置１は、図１０（ａ）に一点鎖線の矢印で示すように、可動ローラ８１のＹ位置が−Ｙ方向の可動限界位置と＋Ｙ方向の可動限界位置との中間になるように駆動機構８６を制御しつつ、押え８４がニップローラ８３をフィルム５３及び可動ニップローラ８５へ押し付けた状態で駆動機構８７による可動ニップローラ８５の駆動トルクを監視する。半導体製造装置１は、駆動機構８７の制御量と駆動トルクとの関係を示すテーブルが予め実験的に決められて設定されており、駆動機構８７の制御量とそのテーブルとから駆動トルクを求めて監視することができる。半導体製造装置１は、駆動トルクに基づいて、ボンディングツール２０の下流側（−Ｙ側）のフィルム５３の張力を推定する。半導体製造装置１は、推定される張力が所望の範囲内に収まるように、駆動機構８７を動作させる。これにより、ボンディングツール２０の下流側（＋Ｙ側）のフィルム５３の巻き取りが行われる（Ｓ６ｆ２）。このとき、半導体製造装置１は、可動ニップローラ８５の直径と可動ニップローラ８５の回転角とに応じて、フィルム５３の伸び量を求める。可動ニップローラ８５の直径をｄ_８５、円周率をπ、回転角度をθ_８５（°）とすると、半導体製造装置１は、数式２により、フィルム５３の下流側の伸び量ΔＬ_８０を求める。すなわち、回収側のテンション力が監視され、回収側のフィルム５３が巻き取られるとともに、フィルムの巻き取り量が計測される（図９参照）。

半導体製造装置１は、フィルム５３の伸びについてのキャリブレーション量が取得されると、２回目以降のボンディングにおけるフィルムの巻き取り量の制御（図９参照）のために、キャリブレーション量を保持する。

図７に示す期間ＴＰ５において、図１１に示すように、その状態でボンディングツール２０を＋Ｚ方向に上昇させ（Ｓ７）、ボンディングツール２０をステージ１０から相対的に遠ざける。

半導体製造装置１は、ｎ回目のボンディングを行う（Ｓ２０）。ｎは、２以上の任意の整数である。Ｓ２０では、基本的にＳ１０と同様であるが、次の点でＳ１０と異なる動作が行われる。

Ｓ２の後に、真空装置９２の稼働が停止され、配管９１の減圧状態が解除され、ボンディングツール２０の吸着構造２３，２４による吸着が解除されて、使用済みのフィルム５３が剥離される（Ｓ２１）。そして、図１１に矢印で示すように、送りリール５１から巻き取りリール５２までテープ５３を所定量巻き取り、ボンディングツール２０の突起部２２の表面２２ａの−Ｚ側に、新しいテープ５３が位置するようにする（Ｓ２１ａ）。なお、ボンディング後の吸着構造２３，２４による吸着を解除するタイミングとボンディングヘッドをステージから遠ざけるタイミングは、半導体チップサイズ等により任意に変えられる。その後、Ｓ３が行われる。

Ｓ５の後に、半導体製造装置１は、ボンディング動作を行う（Ｓ２６）。ボンディング動作（Ｓ２６）では、図７に示す期間ＴＰ１〜ＴＰ５において、Ｓ１０と同様に、ヘッド下降動作（Ｓ６ｃ）、加温動作（Ｓ６ｄ）、ヘッド荷重動作（Ｓ６ｃ）、ヘッド上昇動作（Ｓ７）が行われる。

また、図７に示す期間ＴＰ１１において、Ｓ６ｆで取得されたキャリブレーション量を用いたフィルム５３の張力制御のための巻き取り動作等が行われる（Ｓ２６ｆ）。

具体的には、半導体製造装置１は、図１０（ｂ）に点線の矢印で示すように、可動ローラ７１のＹ位置が−Ｙ方向の可動限界位置と＋Ｙ方向の可動限界位置との中間になるように駆動機構７６を制御しつつ、押え７４がニップローラ７３をフィルム５３及び可動ニップローラ７５へ押し付けた状態で駆動機構７７によりキャリブレーション量に応じた動作量で可動ニップローラ７５を回転させる。これにより、ボンディングツール２０の上流側において、フィルム５３の張力が所望の範囲内に収まるように、フィルム５３が巻き戻される（Ｓ２６ｆ１）。

また、半導体製造装置１は、図１０（ｂ）に点線の矢印で示すように、可動ローラ８１のＹ位置が−Ｙ方向の可動限界位置と＋Ｙ方向の可動限界位置との中間になるように駆動機構８６を制御しつつ、押え８４がニップローラ８３をフィルム５３及び可動ニップローラ８５へ押し付けた状態で駆動機構８７によりキャリブレーション量に応じた動作量で可動ニップローラ８５を回転させる。これにより、ボンディングツール２０の下流側において、フィルム５３の張力が所望の範囲内に収まるように、フィルム５３が巻き取られる（Ｓ２６ｆ２）。

半導体製造装置１は、半導体基板の取り数分（指定分）の半導体チップが処理されるまで（Ｓ３０でＮｏ）、Ｓ２０（Ｓ２〜Ｓ７）を繰り返す。半導体基板の取り数分（指定分）の半導体チップが処理され、処理すべき他のチップがない状態になると、半導体基板内の全ての半導体チップの熱圧着が終了した（Ｓ３０でＹｅｓ）ものとして、終了した半導体基板が、装置から払い出され、次の工程に運ばれる。

以上のように、本実施形態では、半導体製造装置１において、ボンディングツール２０がフィルム５３越しに半導体チップ２００を押圧する際にボンディングツール２０の上流側及び下流側のそれぞれについてフィルム５３の張力を付与する付与機構７０，８０を設ける。これにより、ボンディング時のテープが伸びはじめる期間においてフィルム５３の張力が所望の範囲に収まるように制御でき、フィルムのしわを低減できる。この結果、ボンディング実装の不良を防止できる。

なお、半導体製造装置１０１における付与機構１７０，１８０は、図１２に示すように、水平駆動に代えて垂直駆動でフィルム５３に張力を付与してもよい。図１２は、実施形態の変形例にかかる半導体製造装置１０１の構成を示す図である。図１２では、図示の簡略化のため、駆動機構４１、駆動機構４２、温度センサ６１、加圧センサ６２、排気系９０の図示を省略している。

付与機構１７０は、可動ローラ７１、駆動機構７６（図１参照）に代えてローラ７１ａ、駆動機構１７６を有し、可動ローラ１７１、ローラ１７２ａ、ローラ１７２ｂをさらに有する。

ローラ７１ａは、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、突起部２２の表面に対してフィルム５３の送り方向の上流側に配される。ローラ７１ａは、フィルム５３に＋Ｙ側から接触し得る。ローラ７１ａは、回転軸の位置が固定されている。ローラ７１ａは、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

可動ローラ１７１は、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、突起部２２の表面に対してフィルム５３の送り方向の上流側に配される。可動ローラ１７１は、ローラ７２と可動ニップローラ７５、ニップローラ７３との間に配される。可動ローラ７１は、フィルム５３に＋Ｚ側から接触し得る。駆動機構１７６は、例えばリニアモータであり、コントローラ３０からの制御のもと、一点鎖線の矢印で示すように、可動ローラ１７１の回転軸を＋Ｚ方向及び−Ｚ方向に移動可能である。すなわち、駆動機構１７６は、可動ローラ１７１の回転軸をフィルム５３への接触箇所に対して近づく方向（−Ｚ方向）と遠ざかる方向（＋Ｚ方向）とに移動（垂直駆動）可能である。これにより、可動ローラ１７１がフィルム５３への接触箇所でフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に垂直な方向の応力を調整し得る。なお、可動ローラ１７１は、その回転については駆動されず、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

ローラ１７２ａは、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、可動ローラ１７１に対してフィルム５３の送り方向の上流側に配される。ローラ１７２ａは、フィルム５３に−Ｚ側から接触し得る。ローラ１７２ａは、回転軸の位置が固定されている。ローラ１７２ａは、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

ローラ１７２ｂは、ボンディングツール２０の−Ｙ側に配され、可動ローラ１７１に対してフィルム５３の送り方向の下流側に配される。ローラ１７２ｂは、フィルム５３に−Ｚ側から接触し得る。ローラ１７２ｂは、回転軸の位置が固定されている。ローラ１７２ｂは、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

付与機構１８０は、可動ローラ８１、駆動機構８６（図１参照）に代えてローラ８１ａ、駆動機構１８６を有し、可動ローラ１８１、ローラ１８２ａ、ローラ１８２ｂをさらに有する。

ローラ８１ａは、ボンディングツール２０の＋Ｙ側に配され、突起部２２の表面に対してフィルム５３の送り方向の下流側に配される。ローラ８１ａは、フィルム５３に−Ｙ側から接触し得る。ローラ８１ａは、回転軸の位置が固定されている。ローラ８１ａは、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

可動ローラ１８１は、ボンディングツール２０の＋Ｙ側に配され、突起部２２の表面に対してフィルム５３の送り方向の下流側に配される。可動ローラ１８１は、ローラ８２と可動ニップローラ８５、ニップローラ８３との間に配される。可動ローラ８１は、フィルム５３に＋Ｚ側から接触し得る。駆動機構１８６は、例えばリニアモータであり、コントローラ３０からの制御のもと、一点鎖線の矢印で示すように、可動ローラ１８１の回転軸を＋Ｚ方向及び−Ｚ方向に移動可能である。すなわち、駆動機構１８６は、可動ローラ１８１の回転軸をフィルム５３への接触箇所に対して近づく方向（−Ｚ方向）と遠ざかる方向（＋Ｚ方向）とに移動（垂直駆動）可能である。これにより、可動ローラ１８１がフィルム５３への接触箇所でフィルム５３に作用させるフィルム５３の表面に垂直な方向の応力を調整し得る。なお、可動ローラ１８１は、その回転については駆動されず、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

ローラ１８２ａは、ボンディングツール２０の＋Ｙ側に配され、可動ローラ１８１に対してフィルム５３の送り方向の下流側に配される。ローラ１８２ａは、フィルム５３に−Ｚ側から接触し得る。ローラ１８２ａは、回転軸の位置が固定されている。ローラ１８２ａは、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

ローラ１８２ｂは、ボンディングツール２０の＋Ｙ側に配され、可動ローラ１８１に対してフィルム５３の送り方向の上流側に配される。ローラ１８２ｂは、フィルム５３に−Ｚ側から接触し得る。ローラ１８２ｂは、回転軸の位置が固定されている。ローラ１８２ｂは、フィルム５３の表面に沿った方向の応力を受けて受動的に回転する。

このように、半導体製造装置１０１における付与機構１７０，１８０は、可動ローラ１７１，１８１の回転軸を垂直駆動することによっても、フィルム５３に張力を付与することができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１，１０１ 半導体製造装置、１２ 加熱素子、２０ ボンディングツール、３０ コントローラ、７０，８０，１７０，１８０ 付与機構、７１，８１，１７１，１８１ 可動ローラ、７５，８５ 可動ニップローラ。

Claims (8)

1. フィルムを介して半導体チップを吸着するボンディングツールと、
   前記半導体チップを加熱する加熱部と、
   前記ボンディングツールに対して前記フィルムの送り方向の上流側に配され、前記フィルムに張力を付与する第１の付与機構と、
   前記ボンディングツールに対して前記フィルムの送り方向の下流側に配され、前記フィルムに張力を付与する第２の付与機構と、
   を備えた半導体製造装置。
2. 前記第１の付与機構及び前記第２の付与機構の動作量に応じて、前記フィルムの伸び量を求めるコントローラをさらに備えた
   請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記コントローラは、第１の半導体チップを処理する第１の期間に、前記フィルムの伸び量を求め、
   前記第１の付与機構及び前記第２の付与機構は、第２の半導体チップを処理する第２の期間に、前記求められた伸び量に応じて、前記フィルムに張力を付与する
   請求項２に記載の半導体製造装置。
4. 基板が載置されるステージをさらに備え、
   前記ボンディングツールは、前記フィルムを介して前記半導体チップを前記ステージの主面に対向した状態で吸着し、
   前記第１の付与機構及び前記第２の付与機構は、それぞれ、前記フィルムへの接触箇所に対して近づく方向又は遠ざかる方向に前記フィルムを部分的に移動させて張力を付与する
   請求項１に記載の半導体製造装置。
5. 前記第１の付与機構は、送り方向と逆方向に前記フィルムを巻き取って張力を付与し、
   前記第２の付与機構は、送り方向に前記フィルムを巻き取って張力を付与する
   請求項４に記載の半導体製造装置。
6. 前記第１の付与機構は、
   前記ボンディングツールに対して前記フィルムの送り方向の上流側に配され、前記フィルムに接触する第１のローラと、
   前記第１のローラの回転軸を前記フィルムへの接触箇所に対して近づく方向と遠ざかる方向とに移動可能である第１の駆動機構と、
   を有し、
   前記第２の付与機構は、
   前記ボンディングツールに対して前記フィルムの送り方向の下流側に配され、前記フィルムに接触する第２のローラと、
   前記第２のローラの回転軸を前記フィルムへの接触箇所に対して近づく方向と遠ざかる方向とに移動可能である第２の駆動機構と、
   を有する
   請求項４に記載の半導体製造装置。
7. 前記第１の付与機構は、
   前記ボンディングツールに対して前記フィルムの送り方向の上流側に配され、前記フィルムに接触する第３のローラと、
   送り方向の逆方向に対応した回転方向に前記第３のローラを回転駆動可能である第３の駆動機構と、
   をさらに有し、
   前記第２の付与機構は、
   前記ボンディングツールに対して前記フィルムの送り方向の下流側に配され、前記フィルムに接触する第４のローラと、
   送り方向に対応した回転方向に前記第４のローラを回転駆動可能である第４の駆動機構と、
   をさらに有する
   請求項６に記載の半導体製造装置。
8. 前記第１の駆動機構による前記第１のローラの移動量と前記第３の駆動機構による前記第３のローラの回転量とを連動制御し、前記第２の駆動機構による前記第２のローラの移動量と前記第４の駆動機構による前記第４のローラの回転量とを連動制御するコントローラをさらに備えた
   請求項７に記載の半導体製造装置。

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