WO2019054802A1 - 발광소자 패키지 - Google Patents

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WO2019054802A1
WO2019054802A1 PCT/KR2018/010861 KR2018010861W WO2019054802A1 WO 2019054802 A1 WO2019054802 A1 WO 2019054802A1 KR 2018010861 W KR2018010861 W KR 2018010861W WO 2019054802 A1 WO2019054802 A1 WO 2019054802A1
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light emitting
emitting device
resin
package body
opening
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PCT/KR2018/010861
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English (en)
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김원중
김기석
송준오
임창만
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엘지이노텍 주식회사
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Definitions

  • the embodiments relate to a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device.
  • Semiconductor devices including compounds such as GaN and AlGaN have many merits such as wide and easy bandgap energy, and can be used variously as light emitting devices, light receiving devices, and various diodes.
  • a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group II-VI compound semiconductor material can be used for a variety of applications such as red, Blue and ultraviolet rays can be realized.
  • a light emitting device such as a light emitting diode or a laser diode using a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconductor material can realize a white light source having high efficiency by using a fluorescent material or combining colors.
  • Such a light emitting device has advantages of low power consumption, semi-permanent lifetime, fast response speed, safety, and environment friendliness compared with conventional light sources such as fluorescent lamps and incandescent lamps.
  • a light-receiving element such as a photodetector or a solar cell
  • a Group III-V or Group-VI-VI compound semiconducting material development of a device material absorbs light of various wavelength regions to generate a photocurrent , It is possible to use light in various wavelength ranges from the gamma ray to the radio wave region. Further, such a light receiving element has advantages of fast response speed, safety, environmental friendliness and easy control of element materials, and can be easily used for power control or microwave circuit or communication module.
  • the semiconductor device can be replaced with a transmission module of an optical communication means, a light emitting diode backlight replacing a cold cathode fluorescent lamp (CCFL) constituting a backlight of an LCD (Liquid Crystal Display) display device, White light emitting diode (LED) lighting devices, automotive headlights, traffic lights, and gas and fire sensors.
  • CCFL cold cathode fluorescent lamp
  • LED White light emitting diode
  • semiconductor devices can be applied to high frequency application circuits, other power control devices, and communication modules.
  • the light emitting device can be provided as a pn junction diode having a characteristic in which electric energy is converted into light energy by using a group III-V element or a group II-VI element in the periodic table, Various wavelengths can be realized by adjusting the composition ratio.
  • nitride semiconductors have received great interest in the development of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy.
  • a blue light emitting element, a green light emitting element, an ultraviolet (UV) light emitting element, and a red (RED) light emitting element using a nitride semiconductor are commercially available and widely used.
  • an ultraviolet light emitting device it is a light emitting diode that generates light distributed in a wavelength range of 200 nm to 400 nm. It is used for sterilizing and purifying in the wavelength band, short wavelength, Can be used.
  • UV-A 315nm ⁇ 400nm
  • UV-B 280nm ⁇ 315nm
  • UV-C 200nm ⁇ 280nm
  • UV-A 315nm ⁇ 400nm
  • UV-B 280nm ⁇ 315nm
  • UV-C 200nm ⁇ 280nm
  • studies are being made on a method for improving the light extraction efficiency of a semiconductor device and improving the light intensity at a package end in a semiconductor device package.
  • studies have been made on a method for improving the bonding strength between a package electrode and a semiconductor device in a semiconductor device package.
  • Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device capable of improving light extraction efficiency and electrical characteristics.
  • Embodiments can provide a semiconductor device package, a method of manufacturing a semiconductor device package, and a light source device, which can improve the process efficiency and provide a new package structure to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield.
  • Embodiments can provide a semiconductor device package and a method of manufacturing a semiconductor device package that can prevent a re-melting phenomenon from occurring in a bonding region of a semiconductor device package in a process of re-bonding the semiconductor device package to a substrate or the like have.
  • a light emitting device package includes: a first package body including first and second openings; A light emitting device disposed on the first package body and including first and second bonding portions; And a first resin disposed between the first package body and the light emitting element; Wherein the first bonding portion includes a first side and a bottom surface facing the first package body, and the second bonding portion includes a first bonding portion and a second bonding portion, A second side facing the first side, and a bottom surface facing the first package body, wherein the first resin has a top surface disposed on one surface of the light emitting device, a first surface on the top surface of the first bonding surface, And a fourth side extending from the upper surface to a lower surface of the second bonding portion along a second side of the second bonding portion at the upper surface, Wherein the first surface is disposed between the first bonding portion and the second bonding portion, the first resin has a first surface disposed below the first bonding portion, a second surface disposed below the second bonding portion, The first bonding portion
  • a light emitting device package includes: a second package body disposed on the first package body; And an adhesive layer disposed between the first package body and the second package body; As shown in FIG.
  • the light emitting device package according to the embodiment may further include a second resin disposed in the third opening, wherein an upper surface of the second resin is in contact with the first resin, and a side surface of the second resin is in contact with the third opening To the side of the first package body.
  • the upper surface of the second resin may be in contact with the lower surface of the first and second bonding portions.
  • the light emitting device package according to the embodiment may further include a third resin disposed between the light emitting device and the first package body and disposed in contact with the side surfaces of the first and second bonding units.
  • the side surface of the first resin may be disposed in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions.
  • the interval between the facing side surfaces of the first and second bonding portions may be several tens of micrometers.
  • the first package body and the second package body may include different materials.
  • a light emitting device package includes a first conductive layer disposed in the first opening and electrically connected to the first bonding portion; And a second conductive layer disposed in the second opening and electrically connected to the second bonding portion. As shown in FIG.
  • the first package body and the second package body include different materials selected from PPA, PCT, EMC, SMC and PI, the first package body is made of a transparent resin,
  • the package body may comprise at least one of a wavelength conversion material or a reflective material.
  • the light extraction efficiency, electrical characteristics and reliability can be improved.
  • the process efficiency is improved and a new package structure is presented, which is advantageous in that the manufacturing cost can be reduced and the manufacturing yield can be improved.
  • the semiconductor device package according to the embodiment has an advantage that the reflector can be prevented from being discolored by providing the body with high reflectance, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.
  • the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiments it is possible to prevent the re-melting phenomenon from occurring in the bonding region of the semiconductor device package in the process of re-bonding or heat- There are advantages to be able to.
  • FIG. 1 is a view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a view for explaining the arrangement of the openings and the light emitting devices of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
  • FIGS. 4 to 8 are views illustrating a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a view for explaining an arrangement of the light emitting elements and the openings of the light emitting device package shown in FIG.
  • FIG. 12 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG.
  • FIG. 13 is a view illustrating a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being “on” or “under” the substrate, each layer Quot; on “ and “ under “ are intended to include both “directly” or “indirectly” do.
  • the criteria for the top, bottom, or bottom of each layer will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device package according to an embodiment of the present invention. The opening of the package and the arrangement relationship of the light emitting elements.
  • the light emitting device package 100 may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIGS.
  • the package body 110 may include a first package body 113 and a second package body 117.
  • the second package body 117 may be disposed on the first package body 113.
  • the second package body 117 may be disposed around the upper surface of the first package body 113.
  • the second package body 117 may provide a cavity C on the upper surface of the first package body 113.
  • the second package body 117 may include an opening that passes through the upper surface and the lower surface.
  • the first package body 113 may be referred to as a lower body, and the second package body 117 may be referred to as an upper body.
  • the package body 110 may not include the second package body 117 providing the cavity, but may include only the first package body 113 providing a flat upper surface .
  • the second package body 117 may reflect upward the light emitted from the light emitting device 120.
  • the second package body 117 may be inclined with respect to the upper surface of the first package body 113.
  • the package body 110 may include the cavity C.
  • the cavity may include a bottom surface and a side surface inclined to the top surface of the package body 110 from the bottom surface.
  • the package body 110 may be provided with a cavity C, or may be provided with a flat upper surface without a cavity C.
  • the package body 110 may be formed of a material selected from the group consisting of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T, silicone, epoxy molding compound (EMC) , Silicon molding compound (SMC), ceramics, polyimide (PI), photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like.
  • the package body 110 may include a reflective material of high refractive index fillers such as TiO 2 and SiO 2 .
  • the package body 110 may include a wavelength converting material such as a quantum dot or a fluorescent material.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may include different materials.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may be formed of different materials in different processes and then joined together.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may be coupled to each other through the adhesive layer 160.
  • the adhesive layer 160 may be disposed between the first package body 113 and the second package body 117.
  • the adhesive layer 160 may be disposed on the upper surface of the first package body 113.
  • the adhesive layer 160 may be disposed on the lower surface of the second package body 117.
  • the adhesive layer 160 may be disposed around the light emitting device 120 to provide the cavity.
  • the adhesive layer 160 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material.
  • the adhesive layer 160 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the adhesive layer 160 may include white silicone.
  • Each of the first package body 113 and the second package body 117 may be formed of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T , An epoxy molding compound (EMC), a silicone molding compound (SMC), a polyimide (PI), or the like, as a base material.
  • PPA polyphthalamide
  • PCT polychloro tri phenyl
  • LCP liquid crystal polymer
  • EMC epoxy molding compound
  • SMC silicone molding compound
  • PI polyimide
  • each of the first package body 113 and the second package body 117 may include at least one of a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may not include a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may be made of transparent resin.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may include different base materials.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may include different resin materials.
  • the first package body 113 may include a reflective material
  • the second package body 117 may include a wavelength conversion material
  • the first package body 113 may include a wavelength conversion material
  • the second package body 117 may include a reflective material.
  • the first package body 113 may include a reflective material
  • the second package body 117 may include a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first package body 113 may include a reflective material and a wavelength conversion material
  • the second package body 117 may include a wavelength conversion material.
  • the light emitting device package 100 may include a first package body 113 including a different base material and a second package body 117 formed separately from each other, And can be manufactured in a modular fashion through an optional combination that can be met.
  • a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment will be described in further detail.
  • the light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124.
  • the light emitting device 120 may include the light emitting structure 123 disposed under the substrate 124.
  • the light emitting structure 123 may include a first conductive semiconductor layer, a second conductive semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive semiconductor layer and the second conductive semiconductor layer.
  • the first bonding portion 121 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer.
  • the second bonding portion 122 may be electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer.
  • the light emitting device 120 may be disposed on the package body 110.
  • the light emitting device 120 may be disposed on the first package body 113.
  • the light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the second package body 117.
  • the first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120.
  • the second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120.
  • the first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.
  • the first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first package body 113.
  • the second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first package body 113.
  • the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 may be formed of any one selected from the group consisting of Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, At least one material or alloy selected from the group consisting of Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx / ITO, Ni / IrOx / Au, Ni / IrOx / Or may be formed as a single layer or multiple layers.
  • the light emitting device package 100 may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2, as shown in FIGS.
  • the package body 110 may include the first opening TH1 passing through a bottom surface of the package body 110 on the bottom surface of the cavity C.
  • the package body 110 may include the second opening TH2 through the lower surface of the package body 110 on the bottom surface of the cavity C.
  • the first package body 113 may include a flat bottom surface and an upper surface parallel to the bottom surface.
  • the first and second openings TH1 and TH2 may pass through the upper surface and the lower surface of the first package body 113, respectively.
  • the first opening TH1 may be provided in the first package body 113. [ The first opening TH1 may be provided through the first package body 113. [ The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first package body 113 in a first direction.
  • the first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113. [
  • the second opening TH2 may be provided in the first package body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the first package body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first package body 113 in a first direction.
  • the second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • the second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • the second opening TH2 may be provided in a manner overlapping with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113.
  • the first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other.
  • the first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120.
  • the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width of the first bonding portion 121.
  • the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be less than or equal to the width of the second bonding portion 122.
  • the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1.
  • the width of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower area of the second opening TH2.
  • the first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
  • the second opening portion TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
  • the inclined surface between the upper region and the lower region of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes, and the inclined surfaces may be arranged with a curvature have.
  • the width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the bottom area of the first package body 113 may be several hundred micrometers.
  • a width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the first package body 113 may be 100 to 150 micrometers.
  • the depth of the first opening TH1 may be provided corresponding to the thickness of the first package body 113. [ The depth of the first opening TH1 may be such that the first package body 113 can maintain a stable strength.
  • the depth of the first opening TH1 may be several hundred micrometers.
  • the depth of the first opening TH1 may be 180 to 220 micrometers.
  • the depth of the first opening TH1 may be 200 micrometers.
  • the width between the first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 in the lower surface region of the first package body 113 can be set to be shorter than the width of the light emitting device package 100 in the circuit board, It may be selected so as to be provided over a certain distance in order to prevent an electrical short between the bonding portions.
  • the light emitting device package 100 may include a third opening TH3, as shown in FIGS.
  • the third opening (TH3) may be provided in the first package body (113).
  • the third opening TH3 may be provided through the first package body 113.
  • the third opening TH3 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first package body 113 in a first direction.
  • the third opening TH3 may be disposed below the light emitting device 120. [ The third opening TH3 may be provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The third opening TH3 may be provided spaced apart from the first opening TH1. The third opening TH3 may be provided spaced apart from the second opening TH2.
  • a portion of the third opening TH3 may be provided in a superimposed manner with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ A part of the third opening TH3 may be provided in a superimposed manner with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113 have.
  • a part of the third opening TH3 may be provided to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • a portion of the third opening TH3 may be provided in a superimposed manner with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113 have.
  • the length of the third opening TH3 provided along the minor axis direction of the light emitting device 120 as viewed from the upper direction of the light emitting device 120 is longer than the length of the first opening 130 provided along the minor axis direction of the light emitting device 120.
  • the length of the first and second bonding portions 121 and 122 provided along the minor axis direction of the light emitting device 120 as viewed from the upper direction of the light emitting device 120 may be longer than the length of the light emitting device 120, Can be provided to be larger than the lengths of the first and second openings TH1 and TH2 provided along the short axis direction.
  • the length of the third opening TH3 provided along the minor axis direction of the light emitting device 120 as viewed from the upper direction of the light emitting device 120 is longer than the length of the third opening TH3 provided along the minor axis direction of the light emitting device 120. [ The length of the first and second bonding portions 121 and 122 can be increased.
  • the light emitting device package 100 may include a first resin 130, as shown in FIG.
  • the first resin 130 may be disposed between the first bonding part 121 and the second bonding part 122.
  • the first resin 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding part 121.
  • the first resin 130 may be disposed in contact with a side surface of the second bonding portion 122.
  • the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the light emitting structure 123 between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122.
  • the first resin 130 may prevent an electrical short between the first bonding part 121 and the second bonding part 122.
  • the first resin 130 may include an insulating material.
  • the first resin 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material .
  • the first resin 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the first resin 130 may include white silicone.
  • the first resin 130 may be formed of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.
  • the first resin 130 may be referred to as an adhesive.
  • the upper surface of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the light emitting structure 123.
  • One side of the first resin 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding part 121.
  • the other side of the first resin 130 may be disposed in contact with the side surface of the second bonding portion 122.
  • the lower surface of the first resin 130 may be disposed lower than the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. A portion of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the first bonding portion 121. A portion of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the lower surface of the first resin 130 may be disposed lower than the upper surface of the first package body 113.
  • the first resin 130 may be provided so as to overlap with the third opening TH3 in the first direction.
  • the first bonding part 121 may include a first side and a bottom surface facing the first package body 113.
  • the second bonding portion 122 may include a second side facing the first side and a bottom surface facing the first package body 1130.
  • the first resin 130 may be disposed on one surface of the light emitting device 120 and may be disposed on the lower surface of the first bonding portion 121 along the first surface of the first bonding portion 121, And a fourth side extending from the top surface to a bottom surface of the second bonding portion 122 along a second side of the second bonding portion 122.
  • the upper surface of the first resin 130 may be disposed between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122.
  • the upper surface of the first resin 130 may be disposed to face the lower surface of the light emitting device 120.
  • the first resin 130 may include a first lower surface disposed under the first bonding portion 121 and a second lower surface disposed under the second bonding portion 122.
  • the first resin 130 may include a third lower surface connecting the first lower surface and the second lower surface.
  • the light emitting device package 100 may include a second resin 133 as shown in FIG.
  • the second resin 133 may be provided in the third opening TH3.
  • the second resin 133 may be disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2.
  • the second resin 133 may be disposed under the first resin 130.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the first resin 130.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the first bonding portion 121.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the side surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the side surface of the first package body 113 in the third opening TH3.
  • the second resin 133 may provide a stable fixing force between the first package body 113 and the light emitting device 120.
  • the second resin 133 may provide a stable fixing force between the first package body 113 and the first and second bonding parts 121 and 122.
  • the second resin 133 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material .
  • the second resin 133 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the second resin 133 may include white silicone.
  • the second resin 133 may be formed of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.
  • the second resin 133 may be referred to as an adhesive.
  • the light emitting device package 100 may include a third resin 135 as shown in FIG.
  • the third resin 135 may be disposed around the first bonding portion 121.
  • the third resin 135 may seal the upper region of the first opening TH1 together with the first resin 130.
  • the third resin 135 may be disposed around the second bonding portion 122.
  • the third resin 135 may seal the upper region of the second opening TH1 together with the first resin 130.
  • the third resin 135 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the first package body 113.
  • the third resin 135 may be disposed in direct contact with the upper surface of the first package body 113, for example.
  • the third resin 135 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.
  • the third resin 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material .
  • the first resin 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the third resin 135 may include white silicone.
  • the third resin 135 may be made of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.
  • the third resin 135 may also be referred to as an adhesive.
  • the light emitting device package 100 may include a fourth resin 140, as shown in FIG.
  • the fourth resin 140 may be provided on the light emitting device 120.
  • the fourth resin 140 may be disposed on the first package body 113.
  • the fourth resin 140 may be disposed in the cavity C provided by the second package body 117.
  • the fourth resin 140 may include an insulating material.
  • the fourth resin 140 may include a wavelength conversion material that receives light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light.
  • the fourth resin 140 may include a phosphor, a quantum dot, and the like.
  • the light emitting structure 123 may be provided as a compound semiconductor.
  • the light emitting structure 123 may be formed of, for example, a Group 2-VI-VI or Group III-V compound semiconductor.
  • the light emitting structure 123 may include at least two elements selected from aluminum (Al), gallium (Ga), indium (In), phosphorus (P), arsenic (As) .
  • the light emitting structure 123 may include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer.
  • the first and second conductivity type semiconductor layers may be formed of at least one of Group III-V-Vs or Group V-VIs compound semiconductors.
  • the first and second conductivity type semiconductor layers are formed of a semiconductor material having a composition formula of In x Al y Ga 1-xy N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? .
  • the first and second conductive semiconductor layers may include at least one selected from the group consisting of GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP, .
  • the first conductive semiconductor layer may be an n-type semiconductor layer doped with an n-type dopant such as Si, Ge, Sn, Se or Te.
  • the second conductive semiconductor layer may be a p-type semiconductor layer doped with a p-type dopant such as Mg, Zn, Ca, Sr or Ba.
  • the active layer may be formed of a compound semiconductor.
  • the active layer may be implemented, for example, in at least one of Group 3-Group-5 or Group-6-Group compound semiconductors.
  • the active layer may include a plurality of alternately arranged well layers and a plurality of barrier layers, and may be In x Al y Ga 1 -x- y N , 0? Y? 1, 0? X + y? 1).
  • the active layer may be selected from the group consisting of InGaN / GaN, GaN / AlGaN, AlGaN / AlGaN, InGaN / InGaN, InGaN / InGaN, AlGaAs / GaAs, InGaAs / GaAs, InGaP / GaP, AlInGaP / InGaP, And may include at least one.
  • the light emitting device package 100 may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322, as shown in FIG.
  • the first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322.
  • the first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1.
  • the first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121.
  • the width of the first conductive layer 321 may be smaller than the width of the first bonding portion 121.
  • the first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening portion TH1 is formed.
  • the width of the first bonding portion 121 may be greater than the width of the first opening TH1 in the second direction.
  • the first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121.
  • the first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121.
  • the first conductive layer 321 may be surrounded by the first package body 113.
  • the second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2.
  • the second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122.
  • the width of the second conductive layer 322 may be smaller than the width of the second bonding portion 122.
  • the second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening portion TH2 is formed.
  • the width of the second bonding portion 122 may be greater than the width of the second opening TH2 in the second direction.
  • the second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122.
  • the second conductive layer 322 may be surrounded by the first package body 113.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include at least one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste.
  • the conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn-Ag-Cu) material.
  • the first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122 .
  • external power may be supplied to the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322, so that the light emitting device 120 may be driven.
  • the first resin 130 and the second resin 133 may function to stably fix the light emitting device 120 to the package body 110.
  • the third resin 133 may be disposed around the first and second bonding portions 121 and 122 in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the third resin 133 is disposed such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region provided with the fourth resin 140 when seen from the upper direction of the light emitting device 120 .
  • first and second conductive layers 321 and 322 When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved in the outer direction of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120, 321, and 322 may be diffused on the side surface of the light emitting device 120. When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 and the second conductive semiconductor layer May be electrically short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 may be lowered.
  • the peripheral regions of the first and second bonding portions 121 and 122 can be sealed by the first and third resins 130 and 133,
  • the layers 321 and 322 can be prevented from moving outward beyond the first and second openings TH1 and TH2.
  • the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from moving to the side of the light emitting device 120, 120 can be prevented from being electrically short-circuited and the light extraction efficiency can be improved.
  • the light emitting device package 100 when the light emitting device 120 is fixed to the first package body 113 by the first and second resins 130 and 133, The upper regions of the first and second openings TH1 and TH2 may be sealed by the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the third resin 135 may not be provided
  • the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from being diffused and moved to the regions around the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the first resin 130 is disposed between the first and second bonding portions 121 and 122, Electrical shorting between the first and second bonding portions 121 and 122 can be prevented.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 can be set small.
  • the interval between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to several hundreds of micrometers to prevent an electrical short circuit.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to several tens of micrometers.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to less than one hundred micrometers.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to 40 micrometers to 80 micrometers.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be selected from 50 micrometers to 60 micrometers.
  • the gap between the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 can be reduced, the size of the light emitting device package 100 can be reduced, There are advantages.
  • FIGS. 4 to 8 a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
  • FIG. 4 to 8 a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
  • FIG. 4 to 8 a method of manufacturing a light emitting device package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
  • a plurality of first body arrays A1 and A2 arranged in the support frame B and a plurality of second body arrays A1 and A2 arranged in the support frame B, , A3, A4) may be provided.
  • the support frame B can stably support the plurality of first body arrays A1, A2, A3, and A4.
  • the support frame B may be provided as an insulating frame or as a conductive frame.
  • the plurality of first body arrays A1, A2, A3, and A4 may be formed through an injection process or the like.
  • first body arrays A1, A2, A3, and A4 are disposed on the support frame B, but the plurality of first body arrays may be three or less And may be provided in more than five. Further, the plurality of first body arrays may be arranged in a shape having a plurality of rows and a plurality of rows, or may be arranged in a shape having a row and a plurality of rows.
  • Each of the plurality of first body arrays A1, A2, A3, and A4 may include a plurality of sub body arrays A11, A12, ....
  • Each of the sub-body arrays A11, A12, ... may include a first package body 113, first through third openings TH1, TH2, TH3 as described with reference to Figs. have. Further, each of the sub body arrays A11, A12, ... may be formed in a similar structure to each other.
  • the first opening TH1 may be provided in the first package body 113. [ The first opening TH1 may be provided through the first package body 113. [ The first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first package body 113 in a first direction.
  • the second opening TH2 may be provided in the first package body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the first package body 113. [ The second opening TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first package body 113 in a first direction.
  • the first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other.
  • the third opening (TH3) may be provided in the first package body (113).
  • the third opening TH3 may be provided through the first package body 113.
  • the third opening TH3 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first package body 113 in a first direction.
  • the third opening TH3 may be disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2.
  • the light emitting device 120 may be provided as shown in FIG.
  • the light emitting device 120 includes the first and second bonding portions 121 and 122, the light emitting structure 123, and the substrate 124, as described with reference to FIGS. can do.
  • the first resin 130 may be provided between the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the first resin 130 may be disposed between the first and second bonding portions 121 and 122 and may be disposed in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122 . In addition, a part of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the first bonding portion 121. Another part of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the second bonding part 122.
  • the light emitting devices 120 may be disposed in each of the sub body arrays A11, A12,.
  • a second resin 133 may be provided in the third opening TH3, and the light emitting device 120 may be mounted.
  • the second resin 133 may be provided in the third opening TH3 through a dotting method or the like.
  • the second resin 133 may be provided in the third opening TH3 in a state where a supporting substrate or a supporting sheet is provided below the plurality of first body arrays A1, A2, A3, . After the second resin 133 is cured at a later time, the supporting machine or the supporting sheet can be removed.
  • the light emitting device 120 may be provided on the first package body 113.
  • the light emitting device 120 may be fixed to the first package body 113 by the second resin 133.
  • a part of the second resin 133 provided in the third opening TH3 may be moved in the direction of the first bonding part 121 and the second bonding part 122 to be cured.
  • the second resin 133 may be provided between the lower surface of the light emitting device 120 and the upper surface of the first package body 113 and the light emitting device 120 and the first package body 113 113 can be provided with a stable fixing force.
  • the first opening TH1 may be disposed under the first bonding portion 121 of the light emitting device 120.
  • the first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120.
  • the first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113.
  • the second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • the second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • the second opening TH2 may be provided in a manner overlapping with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the first resin 130.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the first bonding portion 121.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the side surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the side surface of the first package body 113 in the third opening TH3.
  • the second resin 133 may provide a stable fixing force between the first package body 113 and the light emitting device 120.
  • the second resin 133 may provide a stable fixing force between the first package body 113 and the first and second bonding parts 121 and 122.
  • the first and second conductive layers 321 and 322 may be formed on the first conductive layer 321.
  • the first conductive layer 321 may be provided on the first opening TH1.
  • the first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121.
  • the width of the first conductive layer 321 may be smaller than the width of the first bonding portion 121.
  • the first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening portion TH1 is formed.
  • the width of the first bonding portion 121 may be greater than the width of the first opening TH1 in the second direction.
  • the first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121.
  • the first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121.
  • the first conductive layer 321 may be surrounded by the first package body 113.
  • the second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2.
  • the second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122.
  • the width of the second conductive layer 322 may be smaller than the width of the second bonding portion 122.
  • the second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening portion TH2 is formed.
  • the width of the second bonding portion 122 may be greater than the width of the second opening TH2 in the second direction.
  • the second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122.
  • the second conductive layer 322 may be enclosed by the first package body 113.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include at least one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste.
  • the conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn-Ag-Cu) material.
  • the first and second conductors 321 and 322 may be formed.
  • a second body array D can be provided.
  • the second body array D may include a plurality of sub body arrays E11, E12, ....
  • the second body array D may include a plurality of sub-body arrays E11, E12, ... arranged in one direction as shown in FIG.
  • the second body array D may include a plurality of sub-body arrays E11, E12, ... having a matrix shape arranged in a plurality of rows and a plurality of rows.
  • Each of the plurality of sub body arrays E11, E12, ... may include an opening penetrating from the upper surface to the lower surface as shown in FIG.
  • the second body array D may be provided on the first body arrays A1, A2, A3, and A4. In this case, have.
  • the first body arrays A1, A2, A3, and A4 and the second body array D may be coupled through the adhesive layer 160, as described with reference to FIGS.
  • the sub-body array E11 may be disposed on the sub-body array A11
  • the sub-body array E12 may be disposed on the sub-body array A12.
  • the first body arrays A1, A2, A3, and A4 and the second body array D may include different materials.
  • the first body arrays A1, A2, A3, and A4 and the second body array D may be formed of different materials in different processes and then coupled to each other through the adhesive layer 160 .
  • the adhesive layer 160 may be disposed between the first body arrays A1, A2, A3, and A4 and the second body array D. [ The adhesive layer 160 may be disposed on the upper surfaces of the first body arrays A1, A2, A3, and A4. The adhesive layer 160 may be disposed on the lower surface of the second body array D.
  • the adhesive layer 160 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material.
  • the adhesive layer 160 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the adhesive layer 160 may include white silicone.
  • Each of the first body arrays A1, A2, A3, and A4 and the second body arrays D may be formed of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP)
  • PPA polyphthalamide
  • PCT polychloro tri phenyl
  • LCP liquid crystal polymer
  • PA9T Polyamide9T
  • silicon silicon
  • EMC epoxy molding compound
  • SMC silicon molding compound
  • PI polyimide
  • Each of the first body arrays A1, A2, A3, and A4 and the second body array D may include at least one of a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first body arrays A1, A2, A3, and A4 and the second body array D may not include a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first body arrays A1, A2, A3, and A4 and the second body array D may include different base materials.
  • first body arrays A1, A2, A3, and A4 may include a reflective material and the second body array D may include a wavelength conversion material.
  • first body arrays A1, A2, A3, and A4 may include a wavelength conversion material, and the second body array D may include a reflective material.
  • the first body arrays A1, A2, A3, and A4 may include a reflective material and the second body array D may include a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first body arrays A1, A2, A3, and A4 may include a reflective material and a wavelength conversion material
  • the second body array D may include a wavelength conversion material.
  • the light emitting device package according to the embodiment is formed by separately forming the first body arrays A1, A2, A3, and A4 including the different base materials and the second body array D in different processes, And can be fabricated in a modular fashion through an optional combination that can meet the requirements of a < Desc / Clms Page number 2 >
  • a fourth resin 140 may be formed on the cavity provided by the opening of the second body array D, as described with reference to FIGS.
  • the fourth resin 140 may be provided on the light emitting device 120.
  • the fourth resin 140 may be disposed on the first body arrays A1, A2, A3, and A4.
  • the fourth resin 140 may be disposed in the cavity C provided by the second body array D.
  • the fourth resin 140 may include an insulating material.
  • the fourth resin 140 may include a wavelength conversion material that receives light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light.
  • the fourth resin 140 may include a phosphor, a quantum dot, and the like.
  • the first body arrays A1, A2, A3, and A4 and the second body arrays D are combined with each other to form dicing or scribing
  • the individual light emitting device package as shown in FIG. 1 can be manufactured.
  • a light emitting device package 100 includes a first package body 113 and a second package body 117 manufactured and coupled through a modular method, 110).
  • the conventional lead frame is not applied to the package body 110.
  • a process of forming a lead frame is further required.
  • a process of forming a lead frame is not required.
  • the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment of the present invention not only the process time is shortened but also the material is also reduced.
  • a plating process such as silver should be added to prevent deterioration of the lead frame.
  • additional processes such as silver plating may be omitted.
  • manufacturing costs can be reduced and manufacturing yield can be improved.
  • power is connected to the first bonding portion 121 through the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1, and power is supplied to the second opening portion TH2
  • the second bonding portion 122 may be connected to the power supply via the second conductive layer 322.
  • the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding part 121 and the second bonding part 122.
  • the light emitted from the light emitting device 120 may be provided in an upward direction of the package body 110.
  • the light emitting device package 100 may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.
  • a high temperature process such as a reflow process or a heat treatment process can be applied.
  • a reflow process or the heat treatment process re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
  • the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 according to the embodiment are formed by the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122, And the second conductive layers 321 and 322, respectively.
  • the melting point of the first and second conductive layers 321 and 322 may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
  • the light emitting device 120 is mounted on the first body arrays A1, A2, A3, and A4 using conductive paste ,
  • the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discolored.
  • the package body 110 may include a group including a PPA (polyphthalamide) resin, a PCC (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, an EMC (Epoxy Molding Compound) resin, a SMC (Silicone Molding Compound) , ≪ / RTI >
  • PPA polyphthalamide
  • PCC PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate
  • EMC Epoxy Molding Compound
  • SMC Silicone Molding Compound
  • FIG. 9 is a view showing another example of the light emitting device package according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 shows an example in which the light emitting device package 100 described with reference to FIGS. 1 to 8 is mounted on the circuit board 310 and supplied.
  • the light emitting device package may include a circuit board 310, a package body 110, and a light emitting device 120, as shown in FIG.
  • the circuit board 310 may include a first pad 311, a second pad 312, and a support substrate 313.
  • a power supply circuit for controlling driving of the light emitting device 120 may be provided on the support substrate 313.
  • the package body 110 may be disposed on the circuit board 310.
  • the first pad 311 and the first bonding portion 121 may be electrically connected to each other.
  • the second pad 312 and the second bonding portion 122 may be electrically connected to each other.
  • the first pad 311 and the second pad 312 may include a conductive material.
  • the first pad 311 and the second pad 312 may be formed of a material selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, At least one selected material or alloy thereof.
  • the first pad 311 and the second pad 312 may be provided as a single layer or a multilayer.
  • the package body 110 may include a first package body 113 and a second package body 117.
  • the package body 110 may include a first opening TH1 and a second opening TH2 extending from the upper surface to the lower surface in a first direction.
  • the first opening TH1 and the second opening TH2 may be provided through the first package body 113 in a first direction from an upper surface to a lower surface.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may include different materials.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may be formed of different materials in different processes and then bonded to each other through the adhesive layer 160.
  • the adhesive layer 160 may be disposed between the first package body 113 and the second package body 117.
  • the adhesive layer 160 may be disposed on the upper surface of the first package body 113.
  • the adhesive layer 160 may be disposed on the lower surface of the second package body 117.
  • the adhesive layer 160 may be disposed around the light emitting device 120 to provide the cavity.
  • the adhesive layer 160 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material.
  • the adhesive layer 160 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the adhesive layer 160 may include white silicone.
  • Each of the first package body 113 and the second package body 117 may be formed of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T , An epoxy molding compound (EMC), a silicone molding compound (SMC), a polyimide (PI), or the like, as a base material.
  • PPA polyphthalamide
  • PCT polychloro tri phenyl
  • LCP liquid crystal polymer
  • EMC epoxy molding compound
  • SMC silicone molding compound
  • PI polyimide
  • each of the first package body 113 and the second package body 117 may include at least one of a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may not include a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may include different base materials.
  • the first package body 113 may include a reflective material
  • the second package body 117 may include a wavelength conversion material
  • the first package body 113 may include a wavelength conversion material
  • the second package body 117 may include a reflective material.
  • the first package body 113 may include a reflective material
  • the second package body 117 may include a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first package body 113 may include a reflective material and a wavelength conversion material
  • the second package body 117 may include a wavelength conversion material.
  • the light emitting device package 100 may include a first package body 113 including a different base material and a second package body 117 formed separately from each other, And can be manufactured in a modular fashion through an optional combination that can be met.
  • the light emitting device 120 may include a first bonding part 121, a second bonding part 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124.
  • the light emitting device 120 may be disposed on the package body 110.
  • the light emitting device 120 may be disposed on the first package body 113.
  • the light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the second package body 117.
  • the first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120.
  • the second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120.
  • the first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.
  • the first bonding part 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first package body 113.
  • the second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first package body 113.
  • the first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113. [
  • the second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • the second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • the second opening TH2 may be provided in a manner overlapping with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113.
  • the first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other.
  • the first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120.
  • the light emitting device package 100 may include a third opening TH3, as shown in FIG.
  • the third opening (TH3) may be provided in the first package body (113).
  • the third opening TH3 may be provided through the first package body 113.
  • the third opening TH3 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first package body 113 in a first direction.
  • the third opening TH3 may be disposed below the light emitting device 120. [ The third opening TH3 may be provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The third opening TH3 may be provided spaced apart from the first opening TH1. The third opening TH3 may be provided spaced apart from the second opening TH2.
  • a portion of the third opening TH3 may be provided in a superimposed manner with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ A part of the third opening TH3 may be provided in a superimposed manner with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113 have.
  • a part of the third opening TH3 may be provided to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • a portion of the third opening TH3 may be provided in a superimposed manner with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113 have.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322, as shown in FIG.
  • the first conductive layer 321 may be disposed in the first opening TH1.
  • the first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121.
  • the first conductive layer 321 may be provided so as to overlap with the first bonding portion 121 in the vertical direction.
  • the upper surface of the first conductive layer 321 may be flush with the upper surface of the first package body 113.
  • the lower surface of the first conductive layer 321 may be provided on the same plane as the lower surface of the first package body 113.
  • the second conductive layer 322 may be disposed in the second opening TH2.
  • the second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the second conductive layer 322 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 in the vertical direction.
  • the upper surface of the second conductive layer 322 may be flush with the upper surface of the first package body 113.
  • the lower surface of the second conductive layer 322 may be provided on the same plane as the lower surface of the first package body 113.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include at least one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include a metal layer 430, as shown in FIG.
  • the metal layer 430 may be disposed below the first and second conductive layers 321 and 322.
  • the metal layer 430 may be disposed on the lower surfaces of the first and second conductive layers 321 and 322.
  • the metal layer 430 may be provided on the lower surface of the first package body 113 adjacent to the first and second openings TH1 and TH2.
  • the metal layer 430 may be formed of one selected from the group consisting of Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag ), Phosphorus (P), or the like, or a selective alloy.
  • the first pad 311 of the circuit board 310 and the first conductive layer 321 may be electrically connected by the metal layer 430.
  • the second pad 312 of the circuit board 310 and the second conductive layer 322 may be electrically connected by the metal layer 430.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include the first resin 130, as shown in FIG.
  • the first resin 130 may be disposed between the first bonding part 121 and the second bonding part 122.
  • the first resin 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding part 121.
  • the first resin 130 may be disposed in contact with a side surface of the second bonding portion 122.
  • the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the light emitting structure 123 between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122.
  • the first resin 130 may prevent an electrical short between the first bonding part 121 and the second bonding part 122.
  • the first resin 130 may include an insulating material.
  • the first resin 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material .
  • the upper surface of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the light emitting structure 123.
  • One side of the first resin 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding part 121.
  • the other side of the first resin 130 may be disposed in contact with the side surface of the second bonding portion 122.
  • the lower surface of the first resin 130 may be disposed lower than the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. A portion of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the first bonding portion 121. A portion of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the lower surface of the first resin 130 may be disposed lower than the upper surface of the first package body 113.
  • the first resin 130 may be provided so as to overlap with the third opening TH3 in the first direction.
  • the light emitting device package 100 may include a second resin 133 as shown in FIG.
  • the second resin 133 may be provided in the third opening TH3.
  • the second resin 133 may be disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2.
  • the second resin 133 may be disposed under the first resin 130.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the first resin 130.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the first bonding portion 121.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the side surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the side surface of the first package body 113 in the third opening TH3.
  • the second resin 133 may provide a stable fixing force between the first package body 113 and the light emitting device 120.
  • the second resin 133 may provide a stable fixing force between the first package body 113 and the first and second bonding parts 121 and 122.
  • the light emitting device package 100 may include a third resin 135 as shown in FIG.
  • the third resin 135 may be disposed around the first bonding portion 121.
  • the third resin 135 may seal the upper region of the first opening TH1 together with the first resin 130.
  • the third resin 135 may be disposed around the second bonding portion 122.
  • the third resin 135 may seal the upper region of the second opening TH1 together with the first resin 130.
  • the third resin 135 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the first package body 113.
  • the third resin 135 may be disposed in direct contact with the upper surface of the first package body 113, for example.
  • the third resin 135 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include a fourth resin 140 as shown in FIG.
  • the fourth resin 140 may be provided on the light emitting device 120.
  • the fourth resin 140 may be disposed on the first package body 113.
  • the fourth resin 140 may be disposed in the cavity C provided by the second package body 117.
  • the first resin 130 is disposed between the first and second bonding portions 121 and 122, Electrical shorting between the first and second bonding portions 121 and 122 can be prevented.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 can be set small.
  • the interval between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to several hundreds of micrometers to prevent an electrical short circuit.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to several tens of micrometers.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to less than one hundred micrometers.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to 40 micrometers to 80 micrometers.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be selected from 50 micrometers to 60 micrometers.
  • the gap between the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 can be reduced, the size of the light emitting device package 100 can be reduced, There are advantages.
  • the conventional lead frame is not applied in forming the package body 110.
  • a process of forming a lead frame is further required.
  • a process of forming a lead frame is not required.
  • the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment of the present invention not only the process time is shortened but also the material is also reduced.
  • the embodiments of the light emitting device package can solve the problem of discoloration of materials such as silver plating, and the manufacturing cost can be reduced by omitting the process. Therefore, according to the method of manufacturing a light emitting device package according to the embodiment of the present invention, it is possible to reduce the manufacturing cost and improve the manufacturing yield and the reliability of the product.
  • power is connected to the first bonding portion 121 through the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1, and power is supplied to the second opening portion TH2
  • the second bonding portion 122 may be connected to the power supply via the second conductive layer 322.
  • the light emitting device 120 can be driven by the driving power supplied through the first bonding part 121 and the second bonding part 122.
  • the light emitted from the light emitting device 120 may be provided in an upward direction of the package body 110.
  • the light emitting device package 100 may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.
  • a high temperature process such as a reflow process can be applied.
  • a re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
  • the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 according to the embodiment are formed by the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122, And the second conductive layers 321 and 322, respectively.
  • the melting point of the first and second conductive layers 321 and 322 may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
  • the light emitting device 120 is mounted on the first body arrays A1, A2, A3, and A4 using conductive paste ,
  • the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperature and being damaged or discolored.
  • the package body 110 may be formed from a group including a PPA (polyphthalamide) resin, a PCC (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, an EMC (Epoxy Molding Compound) resin, a SMC (Silicone Molding Compound) At least one selected material.
  • a PPA polyphthalamide
  • PCC PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate
  • EMC Epoxy Molding Compound
  • SMC Silicone Molding Compound
  • a plurality of openings may be provided under each opening. Further, the plurality of openings may be provided as openings having different widths.
  • the shape of the opening according to the embodiment may be provided in various shapes.
  • the opening according to the embodiment may be provided with the same width from the upper region to the lower region.
  • the opening according to the embodiment may be provided in a multi-step structure.
  • the openings may be provided in a shape having a different inclination angle of the two-stage structure.
  • the openings may be provided in a shape having three or more different inclination angles.
  • the opening may be provided in a shape in which the width changes from the upper region to the lower region.
  • the opening may be provided in a shape having a curvature from the upper region to the lower region.
  • the package body 110 includes only the first package body 113 having a flat upper surface, and the second package body 117 disposed on the first package body 113 May not be included.
  • FIG. 10 Another example of the light emitting device package according to the embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 12.
  • FIG. 10 is a diagrammatic representation of the light emitting device package according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a view illustrating still another example of a light emitting device package according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 11 is a view for explaining an arrangement of the light emitting device and the opening of the light emitting device package shown in FIG. 10
  • FIG. 10 is a bottom view of the light emitting device package shown in FIG. 10;
  • FIGS. 10 to 12 a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may be omitted from the description of the same elements as those described with reference to FIGS. 1 to 9.
  • FIG. 10 to 12 a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may be omitted from the description of the same elements as those described with reference to FIGS. 1 to 9.
  • FIG. 10 to 12 a light emitting device package according to an embodiment of the present invention may be omitted from the description of the same elements as those described with reference to FIGS. 1 to 9.
  • the light emitting device package may include a package body 110 and a light emitting device 120, as shown in FIGS. 10 to 12.
  • the package body 110 may include a first package body 113 and a second package body 117.
  • the second package body 117 may be disposed on the first package body 113.
  • the second package body 117 may be disposed around the upper surface of the first package body 113.
  • the second package body 117 may provide a cavity C on the upper surface of the first package body 113.
  • the second package body 117 may include an opening that passes through the upper surface and the lower surface.
  • the first package body 113 may be referred to as a lower body, and the second package body 117 may be referred to as an upper body.
  • the package body 110 may not include the second package body 117 providing the cavity, but may include only the first package body 113 providing a flat upper surface .
  • the second package body 117 may reflect upward the light emitted from the light emitting device 120.
  • the second package body 117 may be inclined with respect to the upper surface of the first package body 113.
  • the package body 110 may include the cavity C.
  • the cavity may include a bottom surface and a side surface inclined to the top surface of the package body 110 from the bottom surface.
  • the package body 110 may be provided with a cavity C, or may be provided with a flat upper surface without a cavity C.
  • the first package body 113 may include a first frame 111 and a second frame 112.
  • the first frame 111 and the second frame 112 may be spaced apart from each other.
  • the first package body 113 may include a first body 115.
  • the first body 115 may be disposed between the first frame 111 and the second frame 112.
  • the first body 115 may function as an electrode separation line.
  • the first body 115 may be referred to as an insulating member.
  • the first body 115 may be disposed on the first frame 111. In addition, the first body 115 may be disposed on the second frame 112.
  • the first frame 111 and the second frame 112 may be provided as an insulating frame.
  • the first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110.
  • first frame 111 and the second frame 112 may be provided as a conductive frame.
  • the first frame 111 and the second frame 112 can stably provide the structural strength of the package body 110 and can be electrically connected to the light emitting device 120.
  • the package body 110 may be formed of a material selected from the group consisting of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T, silicone, epoxy molding compound (EMC) , Silicon molding compound (SMC), ceramics, polyimide (PI), photo sensitive glass (PSG), sapphire (Al 2 O 3 ), and the like.
  • the package body 110 may include a reflective material of high refractive index fillers such as TiO 2 and SiO 2 .
  • the package body 110 may include a wavelength converting material such as a quantum dot or a fluorescent material.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may include different materials.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may be formed of different materials in different processes and then joined together.
  • the first package body 113 and the second package body 117 may be coupled to each other through the adhesive layer 160.
  • the adhesive layer 160 may be disposed between the first package body 113 and the second package body 117.
  • the adhesive layer 160 may be disposed on the upper surface of the first package body 113.
  • the adhesive layer 160 may be disposed on the lower surface of the second package body 117.
  • the adhesive layer 160 may be disposed around the light emitting device 120 to provide the cavity.
  • the adhesive layer 160 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material.
  • the adhesive layer 160 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the adhesive layer 160 may include white silicone.
  • Each of the first body 115 and the second package body 117 may be formed of polyphthalamide (PPA), polychloro tri phenyl (PCT), liquid crystal polymer (LCP), polyamide 9T, A resin material including an epoxy molding compound (EMC), a silicone molding compound (SMC), a polyimide (PI), a polyimide (PI) have.
  • PPA polyphthalamide
  • PCT polychloro tri phenyl
  • LCP liquid crystal polymer
  • EMC epoxy molding compound
  • SMC silicone molding compound
  • PI polyimide
  • PI polyimide
  • each of the first body 115 and the second package body 117 may include at least one of a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first body 115 and the second package body 117 may not include a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first body 115 and the second package body 117 may be made of transparent resin.
  • the first body 115 and the second package body 117 may include different base materials.
  • the first body 115 and the second package body 117 may include different resins.
  • the first body 115 may comprise a reflective material and the second package body 117 may comprise a wavelength converting material.
  • the first body 115 may include a wavelength conversion material
  • the second package body 117 may include a reflective material.
  • the first body 115 may include a reflective material
  • the second package body 117 may include a reflective material and a wavelength conversion material.
  • the first body 115 may include a reflective material and a wavelength conversion material
  • the second package body 117 may include a wavelength conversion material.
  • the light emitting device 120 may include a first bonding portion 121, a second bonding portion 122, a light emitting structure 123, and a substrate 124.
  • the light emitting device 120 may be disposed on the package body 110.
  • the light emitting device 120 may be disposed on the first frame 111 and the second frame 112.
  • the light emitting device 120 may be disposed in the cavity C provided by the package body 110.
  • the first bonding portion 121 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120.
  • the second bonding portion 122 may be disposed on the lower surface of the light emitting device 120.
  • the first bonding part 121 and the second bonding part 122 may be spaced apart from each other on the lower surface of the light emitting device 120.
  • the first bonding part 121 may be disposed on the first frame 111.
  • the second bonding portion 122 may be disposed on the second frame 112.
  • the first bonding portion 121 may be disposed between the light emitting structure 123 and the first frame 111.
  • the second bonding portion 122 may be disposed between the light emitting structure 123 and the second frame 112.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include a first opening portion TH1 and a second opening portion TH2.
  • the first frame 111 may include the first opening TH1.
  • the second frame 112 may include the second opening TH2.
  • the first package body 113 may include a flat bottom surface and an upper surface parallel to the bottom surface.
  • the first and second openings TH1 and TH2 may pass through the upper surface and the lower surface of the first package body 113, respectively.
  • the first opening (TH1) may be provided in the first frame (111).
  • the first opening (TH1) may be provided through the first frame (111).
  • the first opening TH1 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first frame 111 in a first direction.
  • the first opening TH1 may be disposed below the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided to overlap with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ The first opening TH1 may be provided in a manner overlapping with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first frame 111. [
  • the second opening (TH2) may be provided in the second frame (112).
  • the second opening (TH2) may be provided through the second frame (112).
  • the second opening portion TH2 may be provided through the upper surface and the lower surface of the second frame 112 in a first direction.
  • the second opening TH2 may be disposed below the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • the second opening portion TH2 may be provided so as to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • the second opening portion TH2 may be provided in a manner overlapping with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the second frame 112.
  • the first opening TH1 and the second opening TH2 may be spaced apart from each other.
  • the first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 may be spaced apart from each other below the lower surface of the light emitting device 120.
  • the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width of the first bonding portion 121.
  • the width of the upper region of the second opening portion TH2 may be less than or equal to the width of the second bonding portion 122.
  • first bonding portion 121 of the light emitting device 120 and the first frame 111 can be more firmly attached.
  • second bonding portion 122 of the light emitting device 120 and the second frame 112 can be more firmly attached.
  • the width W1 of the upper region of the first opening TH1 may be less than or equal to the width W2 of the lower region of the first opening TH1.
  • the width of the upper area of the second opening TH2 may be smaller than or equal to the width of the lower area of the second opening TH2.
  • the first opening TH1 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
  • the second opening portion TH2 may be provided in an inclined shape in which the width gradually decreases from the lower region to the upper region.
  • the inclined surfaces between the upper and lower regions of the first and second openings TH1 and TH2 may have a plurality of inclined surfaces having different slopes and the inclined surfaces may be arranged with a curvature .
  • the width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame 112 may be several hundred micrometers.
  • the width between the first opening TH1 and the second opening TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame 112 may be, for example, 100 to 150 micrometers .
  • the width between the first opening portion TH1 and the second opening portion TH2 in the lower surface region of the first frame 111 and the second frame portion 112 is set to be larger than that of the light emitting device package 100 according to the embodiment
  • the pad When the pad is mounted on a circuit board, a submount or the like in the future, it may be selected to be provided over a certain distance to prevent an electrical short between the pads.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include a third opening TH3, as shown in FIGS.
  • the third opening (TH3) may be provided in the first package body (113).
  • the third opening TH3 may be provided through the first package body 113.
  • the third opening TH3 may be provided through the upper surface and the lower surface of the first package body 113 in a first direction.
  • the third opening (TH3) may be provided in the first body (115).
  • the third opening (TH3) may be provided through the first body (115).
  • the third opening (TH3) may be provided through the upper surface and the lower surface of the first body (115) in a first direction.
  • the third opening TH3 may be disposed below the light emitting device 120. [ The third opening TH3 may be provided between the first opening TH1 and the second opening TH2. The third opening TH3 may be provided spaced apart from the first opening TH1. The third opening TH3 may be provided spaced apart from the second opening TH2.
  • a portion of the third opening TH3 may be provided in a superimposed manner with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120. [ A part of the third opening TH3 may be provided in a superimposed manner with the first bonding portion 121 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113 have.
  • a part of the third opening TH3 may be provided to overlap with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120.
  • a portion of the third opening TH3 may be provided in a superimposed manner with the second bonding portion 122 of the light emitting device 120 in a first direction toward the lower surface from the upper surface of the first package body 113 have.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include the first resin 130.
  • the first resin 130 may be disposed between the first bonding part 121 and the second bonding part 122.
  • the first resin 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding part 121.
  • the first resin 130 may be disposed in contact with a side surface of the second bonding portion 122.
  • the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the light emitting structure 123 between the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122.
  • the first resin 130 may prevent an electrical short between the first bonding part 121 and the second bonding part 122.
  • the first resin 130 may include an insulating material.
  • the first resin 130 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material .
  • the first resin 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the first resin 130 may include white silicone.
  • the first resin 130 may be formed of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.
  • the first resin 130 may be referred to as an adhesive.
  • the upper surface of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the light emitting structure 123.
  • One side of the first resin 130 may be disposed in contact with a side surface of the first bonding part 121.
  • the other side of the first resin 130 may be disposed in contact with the side surface of the second bonding portion 122.
  • the lower surface of the first resin 130 may be disposed lower than the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122. A portion of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the first bonding portion 121. A portion of the first resin 130 may be disposed in contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the lower surface of the first resin 130 may be disposed lower than the upper surface of the first package body 113.
  • the first resin 130 may be provided so as to overlap with the third opening TH3 in the first direction.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include a second resin 133, as shown in FIG.
  • the second resin 133 may be provided in the third opening TH3.
  • the second resin 133 may be disposed between the first opening TH1 and the second opening TH2.
  • the second resin 133 may be disposed under the first resin 130.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the first resin 130.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the first bonding portion 121.
  • the upper surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the side surface of the second resin 133 may be disposed in contact with the side surface of the first package body 113 in the third opening TH3.
  • the second resin 133 may provide a stable fixing force between the first package body 113 and the light emitting device 120.
  • the second resin 133 may provide a stable fixing force between the first package body 113 and the first and second bonding parts 121 and 122.
  • the second resin 133 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material .
  • the second resin 133 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the second resin 133 may include white silicone.
  • the second resin 133 may be formed of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.
  • the second resin 133 may be referred to as an adhesive.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include a third resin 135 as shown in FIG.
  • the third resin 135 may be disposed around the first bonding portion 121.
  • the third resin 135 may seal the upper region of the first opening TH1 together with the first resin 130.
  • the third resin 135 may be disposed around the second bonding portion 122.
  • the third resin 135 may seal the upper region of the second opening TH1 together with the first resin 130.
  • the third resin 135 may provide a stable fixing force between the light emitting device 120 and the first package body 113.
  • the third resin 135 may be disposed in direct contact with the upper surface of the first package body 113, for example.
  • the third resin 135 may be disposed in direct contact with the lower surface of the light emitting device 120.
  • the third resin 135 may include at least one of an epoxy-based material, a silicone-based material, a hybrid material including an epoxy-based material and a silicon-based material .
  • the first resin 130 may reflect light emitted from the light emitting device 120.
  • the third resin 135 may include white silicone.
  • the third resin 135 may be made of a material including TiO 2 , SiO 2 , and the like.
  • the third resin 135 may also be referred to as an adhesive.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include a fourth resin 140, as shown in FIG.
  • the fourth resin 140 may be provided on the light emitting device 120.
  • the fourth resin 140 may be disposed on the first package body 113.
  • the fourth resin 140 may be disposed in the cavity C provided by the second package body 117.
  • the fourth resin 140 may include an insulating material.
  • the fourth resin 140 may include a wavelength conversion material that receives light emitted from the light emitting device 120 and provides wavelength-converted light.
  • the fourth resin 140 may include a phosphor, a quantum dot, and the like.
  • the light emitting device package 100 may include a first conductive layer 321 and a second conductive layer 322, as shown in FIGS. 10 to 12.
  • the first conductive layer 321 may be spaced apart from the second conductive layer 322.
  • the first conductive layer 321 may be provided in the first opening TH1.
  • the first conductive layer 321 may be disposed below the first bonding portion 121.
  • the width of the first conductive layer 321 may be smaller than the width of the first bonding portion 121.
  • the first bonding portion 121 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the first opening portion TH1 is formed.
  • the width of the first bonding portion 121 may be greater than the width of the first opening TH1 in the second direction.
  • the first conductive layer 321 may be disposed in direct contact with the lower surface of the first bonding portion 121.
  • the first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121.
  • the first conductive layer 321 may be surrounded by the first frame 111.
  • the second conductive layer 322 may be provided in the second opening TH2.
  • the second conductive layer 322 may be disposed under the second bonding portion 122.
  • the width of the second conductive layer 322 may be smaller than the width of the second bonding portion 122.
  • the second bonding portion 122 may have a width in a second direction perpendicular to the first direction in which the second opening portion TH2 is formed.
  • the width of the second bonding portion 122 may be greater than the width of the second opening TH2 in the second direction.
  • the second conductive layer 322 may be disposed in direct contact with the lower surface of the second bonding portion 122.
  • the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122.
  • the second conductive layer 322 may be disposed to be surrounded by the second frame 112.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include at least one material selected from the group consisting of Ag, Au, Pt, Sn, Cu, and the like, or an alloy thereof. However, the present invention is not limited thereto, and the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed of a material capable of ensuring a conductive function.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may be formed using a conductive paste.
  • the conductive paste may include a solder paste, a silver paste, or the like, and may be composed of a multi-layer or an alloy composed of different materials or a single layer.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 may include a SAC (Sn-Ag-Cu) material.
  • the light emitting device package according to the embodiment may include a first lower recess R11 and a second lower recess R12, as shown in FIGS. 10 to 12.
  • the first lower recess R11 and the second lower recess R12 may be spaced apart from each other.
  • the first lower recess R11 may be provided on a lower surface of the first frame 111. [ The first lower recess R11 may be concave in the upper surface direction of the lower surface of the first frame 111. [ The first lower recess R11 may be spaced apart from the first opening TH1.
  • the first lower recess R11 may be provided with a width of several micrometers to several tens of micrometers.
  • a resin part may be provided in the first lower recess R11.
  • the resin part filled in the first lower recess R11 may be provided with the same material as the first body 115, for example.
  • the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322.
  • the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.
  • a resin part filled in the first lower recess R11 is formed in a process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the first body 115 through an injection process or the like Can be provided.
  • the resin portion filled in the first lower recess R11 may be disposed around the lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1.
  • the lower surface of the first frame 111 providing the first opening TH1 may be disposed in a shape of an island in a state separated from a lower surface of the first frame 111 surrounding the first frame 111.
  • the lower surface region of the first frame 111 providing the first opening TH1 may include a resin portion filled in the first lower recess R11, May be isolated from the first frame (111) by the second frame (115).
  • the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322
  • the first conductive layer 321 provided in the first opening TH1 is displaced from the first opening TH1 and the resin portion filled in the first lower recess R11, 115). ≪ / RTI >
  • the first conductive layer 321 may flow over the first opening TH1 in the direction of the area provided with the resin part or the first body 115 to prevent the resin part or the first body 115, And the first conductive layer 321 can be stably disposed in the region provided with the first opening TH1.
  • the first conductive layer 321 disposed in the first opening TH1 overflows, the first conductive layer 321 is exposed to the outside region of the first lower recess R11 provided with the resin portion or the first body 115 The first conductive layer 321 can be prevented from expanding.
  • the first conductive layer 321 can be stably connected to the lower surface of the first bonding portion 121 in the first opening TH1. Therefore, when the light emitting device package is mounted on the circuit board, it is possible to prevent the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 from contacting each other and electrically short-circuiting, It is very easy to control the amounts of the first and second conductive layers 321 and 322 in the step of disposing the conductive layers 321 and 322.
  • the second lower recess R12 may be provided on the lower surface of the second frame 112.
  • the second lower recess R12 may be concave in the upper surface direction on the lower surface of the second frame 112.
  • the second lower recess R12 may be spaced apart from the second opening TH2.
  • the second lower recess R12 may be provided with a width of several micrometers to tens of micrometers.
  • a resin part may be provided in the second lower recess R12.
  • the resin part filled in the second lower recess R12 may be provided with the same material as the first body 115, for example.
  • the present invention is not limited thereto, and the resin part may be selected from materials having poor adhesive force and wettability with the first and second conductive layers 321 and 322.
  • the resin portion may be selected and provided from a material having a low surface tension with respect to the first and second conductive layers 321 and 322.
  • a resin portion filled in the second lower recess R12 is formed in a process of forming the first frame 111, the second frame 112, and the first body 115 through an injection process or the like Can be provided.
  • a resin portion filled in the second lower recess R12 may be disposed around a lower surface region of the second frame 112 providing the second opening TH2.
  • the lower surface of the second frame 112 providing the second opening TH2 may be disposed in a form of an island in a shape separated from the lower surface of the second frame 112 surrounding the second frame 112.
  • the lower surface of the second frame 112, which provides the second opening TH2 has a resin part filled in the second lower recess R12, And may be isolated from the surrounding second frame 112 by the first frame 115.
  • the resin part may be formed of a material having poor adhesion to the first and second conductive layers 321 and 322, a poor wettability, or a material having a low surface tension between the resin part and the first and second conductive layers 321 and 322
  • the second conductive layer 322 provided in the second opening portion TH2 is displaced from the second opening portion TH2 and the resin portion filled in the second lower recess R12, It can be prevented that it spreads beyond the contact hole 115.
  • the second conductive layer 322 overflows from the second opening portion TH2 in the direction of the region where the resin portion or the first body 115 is provided so that the resin portion or the first body 115, And the second conductive layer 322 can be stably disposed in the region where the second opening portion TH2 is provided.
  • the resin portion or the first package body 113 is exposed to the outside region of the second lower recess R12 provided with the resin body
  • the second conductive layer 322 can be prevented from being extended.
  • the second conductive layer 322 can be stably connected to the lower surface of the second bonding portion 122 in the second opening portion TH2.
  • the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322 can be prevented from being electrically short-circuited when the light emitting device package is mounted on the circuit board, 321 and 322 can be controlled, the amount of the first and second conductive layers 321 and 322 can be very easily controlled.
  • the first conductive layer 321 may be electrically connected to the first bonding portion 121 and the second conductive layer 322 may be electrically connected to the second bonding portion 122 .
  • external power may be supplied to the first conductive layer 321 and the second conductive layer 322, so that the light emitting device 120 may be driven.
  • the first resin 130 and the second resin 133 may function to stably fix the light emitting device 120 to the package body 110.
  • the third resin 133 may be disposed around the first and second bonding portions 121 and 122 in contact with the side surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the third resin 133 is disposed such that the first and second openings TH1 and TH2 are isolated from the outer region provided with the fourth resin 140 when seen from the upper direction of the light emitting device 120 .
  • first and second conductive layers 321 and 322 When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved in the outer direction of the light emitting device 120 when viewed from above the light emitting device 120, 321, and 322 may be diffused on the side surface of the light emitting device 120. When the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the first conductive semiconductor layer of the light emitting device 120 and the second conductive semiconductor layer May be electrically short-circuited. In addition, when the first and second conductive layers 321 and 322 are moved to the side of the light emitting device 120, the light extraction efficiency of the light emitting device 120 may be lowered.
  • the peripheral regions of the first and second bonding portions 121 and 122 can be sealed by the first and third resins 130 and 133,
  • the layers 321 and 322 can be prevented from moving outward beyond the first and second openings TH1 and TH2.
  • the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from moving to the side of the light emitting device 120, Electrical shorting can be prevented and the light extraction efficiency can be improved.
  • the light emitting device package when the light emitting device 120 is fixed to the first package body 113 by the first and second resins 130 and 133, The upper regions of the second openings TH1 and TH2 may be sealed by the lower surfaces of the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the third resin 135 may not be provided
  • the first and second conductive layers 321 and 322 can be prevented from being diffused and moved to the regions around the first and second bonding portions 121 and 122.
  • the first resin 130 is disposed between the first and second bonding portions 121 and 122, And the second bonding portions 121 and 122 can be prevented.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 can be set small.
  • the interval between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to several hundreds of micrometers to prevent an electrical short circuit.
  • the width W3 between the second bonding portions 121 and 122 may be set to several tens of micrometers.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to less than one hundred micrometers.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be set to 40 micrometers to 80 micrometers.
  • the width W3 between the first and second bonding portions 121 and 122 may be selected from 50 micrometers to 60 micrometers.
  • the gap between the first and second bonding portions 121 and 122 of the light emitting device 120 can be reduced, the size of the light emitting device package can be reduced .
  • the light emitting device package according to the embodiment described above may be mounted on a submount, a circuit board, or the like.
  • a high temperature process such as a reflow process or a heat treatment process can be applied.
  • a reflow process or the heat treatment process re-melting phenomenon occurs in the bonding region between the lead frame and the light emitting device provided in the light emitting device package, so that the stability of electrical connection and physical coupling can be weakened.
  • the electrode portion of the light emitting device according to the embodiment can receive driving power through the conductive layer disposed in the opening portion.
  • the melting point of the conductive layer disposed in the opening may be selected to have a higher value than the melting point of the common bonding material.
  • the light emitting device package according to the embodiment has advantages such that the electrical connection and the physical bonding force are not deteriorated because the re-melting phenomenon does not occur even when the light emitting device package according to the embodiment is bonded to the main substrate through a reflow process have.
  • the package body 110 does not need to be exposed to high temperatures in the process of manufacturing the light emitting device package. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent the package body 110 from being exposed to high temperatures to be damaged or discolored.
  • the selection range for the material constituting the first body 115 can be widened.
  • the first body 115 may be provided using not only expensive materials such as ceramics but also relatively inexpensive resin materials.
  • the first body 115 may include a resin such as PPA (Polyphthalamide) resin, PCC (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, SMC (Silicone Molding Compound) And at least one material selected from the group.
  • a resin such as PPA (Polyphthalamide) resin, PCC (PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) resin, EMC (Epoxy Molding Compound) resin, SMC (Silicone Molding Compound) And at least one material selected from the group.
  • FIG. 13 is a view illustrating a light emitting device applied to a light emitting device package according to an embodiment of the present invention.
  • the light emitting device shown in Fig. 13 can be mounted in a flip chip bonding manner in the light emitting device package described above.
  • the light emitting device may include the light emitting structure 123 disposed on the substrate 124, as shown in FIG.
  • the light emitting structure 123 may include a first conductive semiconductor layer 123a, an active layer 123b, and a second conductive semiconductor layer 123c.
  • the light emitting device may include a first electrode 127 and a second electrode 128.
  • the first electrode 127 may include a first bonding portion 121 and a first branched electrode 125.
  • the first electrode 127 may be electrically connected to the second conductive semiconductor layer 123c.
  • the first branched electrodes 125 may be branched from the first bonding portion 121.
  • the first branched electrode 125 may include a plurality of branched electrodes branched from the first bonding portion 121.
  • the second electrode 128 may include a second bonding portion 122 and a second branched electrode 126.
  • the second electrode 128 may be electrically connected to the first conductive semiconductor layer 123a.
  • the second branched electrode 126 may be branched from the second bonding portion 122.
  • the second branched electrode 126 may include a plurality of branched electrodes branched from the second bonding portion 122.
  • the first branched electrode 125 and the second branched electrode 126 may be arranged to be shifted from each other in a finger shape.
  • the power supplied through the first bonding portion 121 and the second bonding portion 122 by the first branched electrode 125 and the second branched electrode 126 is supplied to the entire light emitting structure 123 It can be spread and provided.
  • light generated in the active layer 123b may be emitted in six directions of the light emitting device.
  • Light generated in the active layer 123b may be emitted in six directions through the upper and lower surfaces of the light emitting device.
  • the light emitting device package according to the embodiment described above can be applied to the light source device.
  • the light source device may include a display device, a lighting device, a head lamp, and the like depending on an industrial field.
  • An example of the light source device includes a bottom cover, a reflector disposed on the bottom cover, a light emitting module that emits light and includes a light emitting element, a light emitting module disposed in front of the reflector,
  • An optical sheet including a light guide plate, prism sheets disposed in front of the light guide plate, a display panel disposed in front of the optical sheet, an image signal output circuit connected to the display panel and supplying an image signal to the display panel, And may include a color filter disposed in front thereof.
  • the bottom cover, the reflection plate, the light emitting module, the light guide plate, and the optical sheet may form a backlight unit.
  • the display device may have a structure in which light emitting elements emitting red, green, and blue light are disposed, respectively, without including a color filter.
  • the head lamp includes a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, A lens that refracts light forward, and a shade that reflects off a portion of the light that is reflected by the reflector and that is directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.
  • a light emitting module including a light emitting device package disposed on a substrate, a reflector that reflects light emitted from the light emitting module in a predetermined direction, for example, forward, A lens that refracts light forward, and a shade that reflects off a portion of the light that is reflected by the reflector and that is directed to the lens to provide the designer with a desired light distribution pattern.
  • the lighting device which is another example of the light source device, may include a cover, a light source module, a heat sink, a power supply, an inner case, and a socket. Further, the light source device according to the embodiment may further include at least one of a member and a holder.
  • the light source module may include the light emitting device package according to the embodiment.
  • the light extraction efficiency, electrical characteristics and reliability can be improved.
  • the process efficiency is improved and a new package structure is presented, which is advantageous in that the manufacturing cost can be reduced and the manufacturing yield can be improved.
  • the semiconductor device package according to the embodiment has an advantage that the reflector can be prevented from being discolored by providing the body with high reflectance, thereby improving the reliability of the semiconductor device package.
  • the semiconductor device package and the method for manufacturing a semiconductor device according to the embodiments it is possible to prevent the re-melting phenomenon from occurring in the bonding region of the semiconductor device package in the process of re-bonding or heat- There are advantages to be able to.

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Abstract

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 및 제2 개구부를 포함하는 제1 패키지 몸체; 제1 패키지 몸체 상에 배치되고, 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및 제1 패키지 몸체와 발광소자 사이에 배치되는 제1 수지; 를 포함할 수 있다. 발광소자는 제1 및 제2 본딩부가 배치되는 일면을 포함하고, 제1 본딩부는 제1 측면, 및 제1 패키지 몸체를 향하는 하면을 포함하고, 제2 본딩부는 제1 측면과 마주보는 제2 측면, 및 제1 패키지 몸체를 향하는 하면을 포함할 수 있다. 제1 수지는 발광소자의 일면에 배치되는 상면, 상면에서 제1 본딩부의 제1 측면을 따라 제1 본딩부의 하면까지 연장되는 제3 측면, 및 상면에서 제2 본딩부의 제2 측면을 따라 제2 본딩부의 하면까지 연장되는 제4 측면을 포함할 수 있다.

Description

발광소자 패키지
실시 예는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치에 관한 것이다.
GaN, AlGaN 등의 화합물을 포함하는 반도체 소자는 넓고 조정이 용이한 밴드 갭 에너지를 가지는 등의 많은 장점을 가져서 발광 소자, 수광 소자 및 각종 다이오드 등으로 다양하게 사용될 수 있다.
특히, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드(Light Emitting Diode)나 레이저 다이오드(Laser Diode)와 같은 발광소자는 박막 성장 기술 및 소자 재료의 개발로 적색, 녹색, 청색 및 자외선 등 다양한 파장 대역의 빛을 구현할 수 있는 장점이 있다. 또한, 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용한 발광 다이오드나 레이저 다이오드와 같은 발광소자는, 형광 물질을 이용하거나 색을 조합함으로써 효율이 좋은 백색 광원도 구현이 가능하다. 이러한 발광소자는, 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저 소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성의 장점을 가진다.
뿐만 아니라, 광검출기나 태양 전지와 같은 수광 소자도 3족-5족 또는 2족-6족 화합물 반도체 물질을 이용하여 제작하는 경우 소자 재료의 개발로 다양한 파장 영역의 빛을 흡수하여 광 전류를 생성함으로써 감마선부터 라디오 파장 영역까지 다양한 파장 영역의 빛을 이용할 수 있다. 또한, 이와 같은 수광 소자는 빠른 응답속도, 안전성, 환경 친화성 및 소자 재료의 용이한 조절의 장점을 가져 전력 제어 또는 초고주파 회로나 통신용 모듈에도 용이하게 이용될 수 있다.
따라서, 반도체 소자는 광 통신 수단의 송신 모듈, LCD(Liquid Crystal Display) 표시 장치의 백라이트를 구성하는 냉음극관(CCFL: Cold Cathode Fluorescence Lamp)을 대체하는 발광 다이오드 백라이트, 형광등이나 백열 전구를 대체할 수 있는 백색 발광 다이오드 조명 장치, 자동차 헤드 라이트 및 신호등 및 가스(Gas)나 화재를 감지하는 센서 등에까지 응용이 확대되고 있다. 또한, 반도체 소자는 고주파 응용 회로나 기타 전력 제어 장치, 통신용 모듈에까지 응용이 확대될 수 있다.
발광소자(Light Emitting Device)는 예로서 주기율표상에서 3족-5족 원소 또는 2족-6족 원소를 이용하여 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로 제공될 수 있고, 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 파장 구현이 가능하다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭 넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자, 적색(RED) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
예를 들어, 자외선 발광소자의 경우, 200nm~400nm의 파장대에 분포되어 있는 빛을 발생하는 발광 다이오드로서, 상기 파장대역에서, 단파장의 경우, 살균, 정화 등에 사용되며, 장파장의 경우 노광기 또는 경화기 등에 사용될 수 있다.
자외선은 파장이 긴 순서대로 UV-A(315nm~400nm), UV-B(280nm~315nm), UV-C (200nm~280nm) 세 가지로 나뉠 수 있다. UV-A(315nm~400nm) 영역은 산업용 UV 경화, 인쇄 잉크 경화, 노광기, 위폐 감별, 광촉매 살균, 특수조명(수족관/농업용 등) 등의 다양한 분야에 응용되고 있고, UV-B(280nm~315nm) 영역은 의료용으로 사용되며, UV-C(200nm~280nm) 영역은 공기 정화, 정수, 살균 제품 등에 적용되고 있다.
한편, 고 출력을 제공할 수 있는 반도체 소자가 요청됨에 따라 고 전원을 인가하여 출력을 높일 수 있는 반도체 소자에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 반도체 소자의 광 추출 효율을 향상시키고, 패키지 단에서의 광도를 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다. 또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 패키지 전극과 반도체 소자 간의 본딩 결합력을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
또한, 반도체 소자 패키지에 있어, 공정 효율 향상 및 구조 변경을 통하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있다.
실시 예는 광 추출 효율 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.
실시 예는 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법, 광원 장치를 제공할 수 있다.
실시 예는 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법을 제공할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 제1 및 제2 개구부를 포함하는 제1 패키지 몸체; 상기 제1 패키지 몸체 상에 배치되고, 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및 상기 제1 패키지 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치되는 제1 수지; 를 포함하고, 상기 발광소자는 상기 제1 및 제2 본딩부가 배치되는 일면을 포함하고, 상기 제1 본딩부는 제1 측면, 및 상기 제1 패키지 몸체를 향하는 하면을 포함하고, 상기 제2 본딩부는 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면, 및 상기 제1 패키지 몸체를 향하는 하면을 포함하고, 상기 제1 수지는 상기 발광소자의 일면에 배치되는 상면, 상기 상면에서 상기 제1 본딩부의 제1 측면을 따라 상기 제1 본딩부의 하면까지 연장되는 제3 측면, 및 상기 상면에서 상기 제2 본딩부의 제2 측면을 따라 상기 제2 본딩부의 하면까지 연장되는 제4 측면을 포함하고, 상기 제1 수지의 상면은 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이에 배치되고, 상기 제1 수지는 상기 제1 본딩부 아래에 배치된 제1 하면, 상기 제2 본딩부 아래에 배치된 제2 하면, 상기 제1 하면과 상기 제2 하면을 연결하는 제3 하면을 포함하고, 상기 제1 개구부와 상기 제1 본딩부는 수직으로 서로 중첩되고, 상기 제2 개구부와 상기 제2 본딩부는 수직으로 서로 중첩될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 패키지 몸체 위에 배치된 제2 패키지 몸체; 및 상기 제1 패키지 몸체와 상기 제2 패키지 몸체 사이에 배치된 접착층; 을 더 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제3 개구부에 배치된 제2 수지를 더 포함하고, 상기 제2 수지의 상면은 상기 제1 수지와 접촉되고, 상기 제2 수지의 측면은 상기 제3 개구부를 제공하는 상기 제1 패키지 몸체의 측면에 접촉될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제2 수지의 상면은 상기 제1 및 제2 본딩부의 하면과 접촉될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 발광소자와 상기 제1 패키지 몸체 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2 본딩부의 측면에 접촉되어 배치된 제3 수지를 더 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 수지의 측면은 상기 제1 및 제2 본딩부의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부의 서로 마주보는 측면 사이의 간격은 수십 마이크로 미터로 제공될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 패키지 몸체와 상기 제2 패키지 몸체는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 상기 제1 개구부에 배치되어 상기 제1 본딩부와 전기적으로 연결된 제1 도전층; 및 상기 제2 개구부에 배치되어 상기 제2 본딩부와 전기적으로 연결된 제2 도전층; 을 더 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 패키지 몸체와 상기 제2 패키지 몸체는 PPA, PCT, EMC, SMC, PI 중에서 선택된 서로 다른 물질을 포함하고, 상기 제1 패키지 몸체는 투명 수지로 구성되고, 상기 제2 패키지 몸체는 파장 변환 물질 또는 반사 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되거나 열 처리 되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개구부 및 발광소자의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 4 내지 도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 발광소자 패키지의 개구부 및 발광소자의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
도 12는 도 10에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자를 설명하는 도면이다.
이하 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명한다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on/over)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on/over)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한, 각 층의 상/위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다. 이하에서는 반도체 소자의 예로서 발광소자가 적용된 경우를 기반으로 설명한다.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하기로 한다. 도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명하는 분해 사시도이고, 도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 개구부 및 발광소자의 배치 관계를 설명하는 도면이다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 제1 패키지 몸체(113)와 제2 패키지 몸체(117)를 포함할 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 제1 패키지 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상부 면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상부 면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상면과 하면을 관통하는 오프닝을 포함할 수 있다.
다른 표현으로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 하부 몸체, 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. 또한, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티를 제공하는 제2 패키지 몸체(117)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 상기 제1 패키지 몸체(113)만을 포함할 수도 있다.
상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티는 바닥면과, 상기 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 상면으로 경사진 측면을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.
예로서, 상기 패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PI(Poly Imide), PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(110)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러의 반사 물질을 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 양자점, 형광체 등의 파장 변환 물질을 포함할 수 있다.
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 공정에서 서로 다른 물질로 형성된 후 결합될 수 있다. 예로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 접착층(160)을 통하여 서로 결합될 수 있다.
상기 접착층(160)은 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 제2 패키지 몸체(117)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치되어 상기 캐비티를 제공할 수 있다.
상기 접착층(160)은 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착층(160)은 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착층(160)이 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수도 있다.
한편, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117) 각각은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), PI(Poly Imide) 등을 포함하는 수지 물질 중에서 선택된 적어도 하나를 베이스 물질로 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117) 각각은 반사 물질과 파장 변환 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함하지 않을 수도 있다. 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 투명 수지로 구성될 수도 있다.
상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 베이스 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 수지 물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 반사 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 파장 변환 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 반사 물질을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 반사 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 파장 변환 물질을 포함할 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서로 다른 베이스 물질을 포함하는 제1 패키지 몸체(113)와 제2 패키지 몸체(117)가 서로 다른 공정에서 별도로 형성되고, 응용 제품에서 필요로 하는 특성을 충족시킬 수 있는 선택적인 조합을 통하여 모듈라(modular) 방식으로 제조될 수 있다. 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법은 뒤에서 더 살펴 보기로 한다.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)는, 상기 기판(124) 아래에 배치된 상기 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 배치된 활성층을 포함할 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 패키지 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 패키지 몸체(117)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 패키지 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 패키지 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 Ti, Al, Sn, In, Ir, Ta, Pd, Co, Cr, Mg, Zn, Ni, Si, Ge, Ag, Ag alloy, Au, Hf, Pt, Ru, Rh, ZnO, IrOx, RuOx, NiO, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au, Ni/IrOx/Au/ITO를 포함하는 그룹 중에서 선택된 하나 이상의 물질 또는 합금을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티(C)의 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 하면을 관통하는 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 평평한 하면을 포함할 수 있으며, 상기 하면과 평행한 상면을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 관통할 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패키지 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패키지 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다.
다만, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다.
상기 제1 패키지 몸체(113)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 패키지 몸체(113)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 두께에 대응되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 안정적인 강도를 유지할 수 있는 두께로 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 180 마이크로 미터 내지 220 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 제1 개구부(TH1)의 깊이는 200 마이크로 미터로 제공될 수 있다.
상기 제1 패키지 몸체(113)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 본딩부 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제3 개구부(TH3)를 포함할 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 제공될 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
또한, 상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 단축 방향을 따라 제공된 상기 제3 개구부(TH3)의 길이는 상기 발광소자(120)의 단축 방향을 따라 제공된 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 길이에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 단축 방향을 따라 제공된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 길이는 상기 발광소자(120)의 단축 방향을 따라 제공된 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 길이에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
또한, 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 발광소자(120)의 단축 방향을 따라 제공된 상기 제3 개구부(TH3)의 길이는 상기 발광소자(120)의 단축 방향을 따라 제공된 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 길이에 비해 더 크게 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에서 상기 발광 구조물(123)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 간의 전기적인 단락을 방지할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 절연물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 수지(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 수지(130)는 예로서 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.
상기 제1 수지(130)의 상면은 상기 발광 구조물(123)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 일 측면은 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)의 다른 측면은 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)의 하면은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 일부 영역은 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 일부 영역은 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)의 하면은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 방향에서 상기 제3 개구부(TH3)와 중첩되어 제공될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 본딩부(121)는 제1 측면과, 상기 제1 패키지 몸체(113)를 향하는 하면을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면과, 상기 제1 패키지 몸체(1130를 향하는 하면을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)의 일면에 배치되는 상면, 상기 상면에서 상기 제1 본딩부(121)의 제1 측면을 따라 상기 제1 본딩부(121)의 하면까지 연장되는 제3 측면, 및 상기 상면에서 상기 제2 본딩부(122)의 제2 측면을 따라 상기 제2 본딩부(122)의 하면까지 연장되는 제4 측면을 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)의 상기 상면은 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 상기 상면은 상기 발광소자(120)의 하면에 대향되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치된 제1 하면, 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치된 제2 하면을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 하면과 상기 제2 하면을 연결하는 제3 하면을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제2 수지(133)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(133)는 상기 제3 개구부(TH3)에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 수지(130) 아래에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제1 수지(130)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 측면은 상기 제3 개구부(TH3) 내에서 상기 제1 패키지 몸체(113)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(133)는 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 안정적인 고정력을 제공할 수 있다.
예로서, 상기 제2 수지(133)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 수지(133)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제2 수지(133)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제2 수지(133)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(133)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제2 수지(133)는 예로서 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 접착제로 지칭될 수도 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제3 수지(135)를 포함할 수 있다.
상기 제3 수지(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 상기 제1 수지(130)와 함께 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 상기 제1 수지(130)와 함께 상기 제2 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있다.
상기 제3 수지(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 패키지 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 예로서 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 수지(135)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제3 수지(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제3 수지(135)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제3 수지(135)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제3 수지(135)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제3 수지(135)는 예로서 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 접착제로 지칭될 수도 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제4 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제4 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제4 수지(140)는 상기 제1 패키지 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 제4 수지(140)는 상기 제2 패키지 몸체(117)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제4 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제4 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제4 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 의하면, 상기 발광 구조물(123)은 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 상기 발광 구조물(123)은 예로서 2족-6족 또는 3족-5족 화합물 반도체로 제공될 수 있다. 예로서, 상기 발광 구조물(123)은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 인(P), 비소(As), 질소(N)로부터 선택된 적어도 두 개 이상의 원소를 포함하여 제공될 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층, 활성층, 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 예컨대 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1 및 제2 도전형 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층은 Si, Ge, Sn, Se, Te 등의 n형 도펀트가 도핑된 n형 반도체층일 수 있다. 상기 제2 도전형 반도체층은 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층일 수 있다.
상기 활성층은 화합물 반도체로 구현될 수 있다. 상기 활성층은 예로서 3족-5족 또는 2족-6족의 화합물 반도체 중에서 적어도 하나로 구현될 수 있다. 상기 활성층이 다중 우물 구조로 구현된 경우, 상기 활성층은 교대로 배치된 복수의 우물층과 복수의 장벽층을 포함할 수 있고, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 배치될 수 있다. 예컨대, 상기 활성층은 InGaN/GaN, GaN/AlGaN, AlGaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaP/GaP, AlInGaP/InGaP, InP/GaAs을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패키지 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.
상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제1 패키지 몸체(113)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)에 외부 전원이 공급될 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있다.
상기 제1 수지(130) 및 상기 제2 수지(133)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제3 수지(133)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제3 수지(133)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 제4 수지(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.
상기 제3 수지(133)에 의하여, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제3 수지(130, 133)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역이 밀봉될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 있어서, 상기 제1 및 제2 수지(130, 133)에 의하여 상기 발광소자(120)가 상기 제1 패키지 몸체(113)에 고정되는 경우, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에 의하여 밀봉될 수도 있다.
이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에 의하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 밀봉되는 경우, 상기 제3 수지(135)가 제공되지 않을 수 있으며, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 주변 영역으로 확산되이 이동되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 배치되므로, 상기 제1 수지(130)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락이 방지될 수 있다.
이에 따라, 실시 예에 의하면 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)이 작게 설정될 수 있다. 종래 발광소자(120)에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 간격은 전기적인 단락이 발생되는 것을 방지하기 위하여 수백 마이크로 미터로 설정될 수 있다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 수지(130)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락이 발생되는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)이 수십 마이크로 미터로 설정될 수 있다.
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)은 백 마이크로 미터 이하로 설정될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)은 40 마이크로 미터 내지 80 마이크로 미터로 설정될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)은 50 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 선택될 수 있다.
이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 간격이 작게 제공될 수 있으므로, 발광소자 패키지(100)의 크기를 작게 구현할 수 있는 장점이 있다.
그러면, 도 4 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명하기로 한다.
도 4 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법을 설명함에 있어, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.
먼저, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 4에 도시된 바와 같이, 지지 프레임(B)과 상기 지지 프레임(B) 내에 배치된 복수의 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)가 제공될 수 있다.
상기 지지 프레임(B)은 상기 복수의 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)를 안정적으로 지지할 수 있다. 상기 지지 프레임(B)은 절연성 프레임으로 제공될 수도 있으며, 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다.
예로서, 상기 복수의 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)는 사출 공정 등을 통하여 형성될 수 있다.
도 4는 상기 지지 프레임(B)에 4개의 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)가 배치된 경우를 기준으로 도시되었으나, 상기 복수의 제1 몸체 어레이는 3개 이하로 제공될 수도 있으며, 5개 이상으로 제공될 수도 있다. 또한, 상기 복수의 제1 몸체 어레이는 복수의 행과 복수의 열을 갖는 형상으로 배치될 수도 있으며, 하나의 행과 복수의 열을 갖는 형상으로 배치될 수도 있다.
복수의 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4) 각각은 복수의 서브 몸체 어레이(A11, A12, …)를 포함할 수 있다.
각각의 서브 몸체 어레이(A11, A12, …)는 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이 제1 패키지 몸체(113), 제1 내지 제3 개구부(TH1, TH2, TH3)를 포함할 수 있다. 또한, 각각의 서브 몸체 어레이(A11, A12, …)는 서로 유사한 구조로 형성될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패키지 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패키지 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치될 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이 발광소자(120)가 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 상기 발광소자(120)는, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 제1 및 제2 본딩부(121, 122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 제1 수지(130)가 제공될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 배치될 수 있으며, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)의 일부 영역은 상기 제1 본딩부(121) 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 다른 일부 영역은 상기 제2 본딩부(122) 하면에 접촉되어 배치될 수 있다.
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 6에 도시된 바와 같이, 각각의 서브 몸체 어레이(A11, A12, …)에 상기 발광소자(120)가 각각 배치될 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 제3 개구부(TH3)에 제2 수지(133)가 제공되고 상기 발광소자(120)가 실장될 수 있다.
상기 제2 수지(133)는 상기 제3 개구부(TH3) 영역에 도팅(dotting) 방식 등을 통하여 제공될 수 있다.
예로서, 상기 복수의 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4) 아래에 지지 기판 또는 지지 시트(sheet)가 제공된 상태에서 상기 제2 수지(133)가 상기 제3 개구부(TH3) 내에 제공될 수 있다. 추후 상기 제2 수지(133)가 경화된 후, 상기 지지 기파나 또는 지지 시트는 제거될 수 있다.
그리고, 상기 제1 패키지 몸체(113) 위에 상기 발광소자(120)가 제공될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 상기 제2 수지(133)에 의하여 상기 제1 패키지 몸체(113)에 고정될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)에 제공된 상기 제2 수지(133)의 일부는 상기 제1 본딩부(121)와 제2 본딩부(122) 방향으로 이동되어 경화될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광소자(120)의 하면과 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면 사이에 상기 제2 수지(133)가 제공될 수 있으며, 상기 발광소자(120)와 상기 제1 패키지 몸체(113) 사이에 안정적인 고정력이 제공될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제1 수지(130)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 측면은 상기 제3 개구부(TH3) 내에서 상기 제1 패키지 몸체(113)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(133)는 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 안정적인 고정력을 제공할 수 있다.
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 각각의 서브 몸체 어레이(A11, A12, …)의 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 각각 형성될 수 있다.상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 패키지 몸체(113)에 의하여 둘러싸이게 배치될 수 있다.
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.
상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제1 패키지 몸체(113)에 의하여 둘러싸이게 배치될 수 있다.
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
또한, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)와 상기 제1 패키지 몸체(113) 사이에 제3 수지(135)가 추가로 형성된 후에, 상기 제1 및 제2 도전체(321, 322)가 형성될 수도 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 몸체 어레이(D)가 제공될 수 있다.
상기 제2 몸체 어레이(D)는 복수의 서브 몸체 어레이(E11, E12, …)를 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제2 몸체 어레이(D)는 도 7에 도시된 바와 같이 일 방향으로 배치된 복수의 서브 몸체 어레이(E11, E12, …)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 몸체 어레이(D)는 복수의 열과 복수의 행으로 배열된 매트릭스 형상을 갖는 복수의 서브 몸체 어레이(E11, E12, …)를 포함할 수도 있다.
상기 복수의 서브 몸체 어레이(E11, E12, …) 각각은, 도 7에 도시된 바와 같이, 상면에서 하면 방향으로 관통하는 개구부를 포함할 수 있다.
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4) 위에 상기 제2 몸체 어레이(D)가 제공될 수 있다.
상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 상기 제2 몸체 어레이(D)는, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 접착층(160)을 통하여 결합될 수 있다.
예로서, 서브 몸체 어레이 A11 위에 서브 몸체 어레이 E11이 배치될 수 있으며, 서브 몸체 어레이 A12 위에 서브 몸체 어레이 E12가 배치될 수 있다.
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 상기 제2 몸체 어레이(D)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 상기 제2 몸체 어레이(D)는 서로 다른 공정에서 서로 다른 물질로 형성된 후, 상기 접착층(160)을 통하여 서로 결합될 수 있다.
상기 접착층(160)은 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 상기 제2 몸체 어레이(D) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 제2 몸체 어레이(D)의 하면에 배치될 수 있다.
상기 접착층(160)은 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착층(160)은 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착층(160)이 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수도 있다.
한편, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 상기 제2 몸체 어레이(D) 각각은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), PI(Poly Imide) 등을 포함하는 수지 물질 중에서 선택된 적어도 하나를 베이스 물질로 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 상기 제2 몸체 어레이(D) 각각은 반사 물질과 파장 변환 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 상기 제2 몸체 어레이(D)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함하지 않을 수도 있다.
상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 상기 제2 몸체 어레이(D)는 서로 다른 베이스 물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)는 반사 물질을 포함하고 상기 제2 몸체 어레이(D)는 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)는 파장 변환 물질을 포함하고 상기 제2 몸체 어레이(D)는 반사 물질을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)는 반사 물질을 포함하고 상기 제2 몸체 어레이(D)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함하고 상기 제2 몸체 어레이(D)는 파장 변환 물질을 포함할 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서로 다른 베이스 물질을 포함하는 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 제2 몸체 어레이(D)가 서로 다른 공정에서 별도로 형성되고, 응용 제품에서 필요로 하는 특성을 충족시킬 수 있는 선택적인 조합을 통하여 모듈라(modular) 방식으로 제조될 수 있다.
다음으로, 상기 제2 몸체 어레이(D)의 개구부에 의하여 제공된 캐비티에, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명된 바와 같이, 제4 수지(140)가 형성될 수 있다.
상기 제4 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제4 수지(140)는 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4) 위에 배치될 수 있다. 상기 제4 수지(140)는 상기 제2 몸체 어레이(D)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제4 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제4 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제4 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
다음으로, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)와 상기 제2 몸체 어레이(D)가 결합된 상태에서, 다이싱 또는 스크라이빙 등의 분리 공정을 통하여 도 1에 도시된 바와 같은 개별 발광소자 패키지를 제조할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 모듈라(modular) 방식을 통하여 제1 패키지 몸체(113)와 제2 패키지 몸체(117)가 제조되고 결합된 패키지 몸체(110)를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110)가 형성됨에 있어, 종래 리드 프레임이 적용되지 않는다.
종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임을 형성하는 공정이 추가로 필요하지만, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 리드 프레임을 형성하는 공정이 필요 없게 된다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 공정 시간이 단축될 뿐만 아니라 재료도 절감될 수 있는 장점이 있다.
또한, 종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임의 열화 방지를 위해 은 등의 도금 공정이 추가되어야 하지만, 본 발명의 실시 예에 다른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 리드 프레임이 필요하지 않으므로, 은 도금 등의 추가 공정이 없어도 된다. 이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 제조 원가를 절감하고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지에 비해 소형화가 가능한 장점이 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 또는 열처리 공정 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 또는 열처리 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전성 페이스트를 이용하여 상기 발광소자(120)를 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)에 실장하므로, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 패키지 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지, PI(Poly Imide) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
다음으로, 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 설명하도록 한다. 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 9에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 발광소자 패키지(100)가 회로기판(310)에 실장되어 공급되는 예를 나타낸 것이다.
도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 회로기판(310), 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 회로기판(310)은 제1 패드(311), 제2 패드(312), 지지기판(313)을 포함할 수 있다. 상기 지지기판(313)에 상기 발광소자(120)의 구동을 제어하는 전원 공급 회로가 제공될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 상기 회로기판(310) 위에 배치될 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 본딩부(121)가 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 본딩부(122)가 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 Ti, Cu, Ni, Au, Cr, Ta, Pt, Sn, Ag, P, Fe, Sn, Zn, Al를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 패드(311)와 상기 제2 패드(312)는 단층 또는 다층으로 제공될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 제1 패키지 몸체(113)와 제2 패키지 몸체(117)를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 상면으로부터 하면까지 제1 방향으로 관통하는 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면으로부터 하면까지 제1 방향으로 관통되어 제공될 수 있다.
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 공정에서 서로 다른 물질로 형성된 후, 접착층(160)을 통하여 서로 결합될 수 있다.
상기 접착층(160)은 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 제2 패키지 몸체(117)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치되어 상기 캐비티를 제공할 수 있다.
상기 접착층(160)은 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착층(160)은 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착층(160)이 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착제는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수도 있다.
한편, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117) 각각은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), PI(Poly Imide) 등을 포함하는 수지 물질 중에서 선택된 적어도 하나를 베이스 물질로 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117) 각각은 반사 물질과 파장 변환 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함하지 않을 수도 있다.
상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 베이스 물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 반사 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 파장 변환 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 반사 물질을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 반사 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 파장 변환 물질을 포함할 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서로 다른 베이스 물질을 포함하는 제1 패키지 몸체(113)와 제2 패키지 몸체(117)가 서로 다른 공정에서 별도로 형성되고, 응용 제품에서 필요로 하는 특성을 충족시킬 수 있는 선택적인 조합을 통하여 모듈라(modular) 방식으로 제조될 수 있다.
상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 패키지 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제2 패키지 몸체(117)에 의해 제공되는 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 패키지 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 패키지 몸체(113) 사이에 배치될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제3 개구부(TH3)를 포함할 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 제공될 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
또한, 상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 수직 방향에서 서로 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제1 도전층(321)의 상면은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 동일 평면에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 하면은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 하면과 동일 평면에 제공될 수 있다.
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 수직 방향에서 서로 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제2 도전층(322)의 상면은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 동일 평면에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 하면은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 하면과 동일 평면에 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 금속층(430)을 포함할 수 있다.
상기 금속층(430)은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322) 아래에 배치될 수 있다. 상기 금속층(430)은 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 하면에 배치될 수 있다. 또한, 실시 예에 의하면, 상기 금속층(430)은 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)와 인접한 상기 제1 패키지 몸체(113)의 하면에도 제공될 수 있다.
상기 금속층(430)은 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P)을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 선택적 합금으로 형성될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 금속층(430)에 의하여 상기 회로기판(310)의 상기 제1 패드(311)와 상기 제1 도전층(321)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 상기 금속층(430)에 의하여 상기 회로기판(310)의 상기 제2 패드(312)와 상기 제2 도전층(322)이 전기적으로 연결될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에서 상기 발광 구조물(123)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 간의 전기적인 단락을 방지할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 절연물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)의 상면은 상기 발광 구조물(123)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 일 측면은 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)의 다른 측면은 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)의 하면은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 일부 영역은 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 일부 영역은 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)의 하면은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 방향에서 상기 제3 개구부(TH3)와 중첩되어 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 수지(133)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(133)는 상기 제3 개구부(TH3)에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 수지(130) 아래에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제1 수지(130)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 측면은 상기 제3 개구부(TH3) 내에서 상기 제1 패키지 몸체(113)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(133)는 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 안정적인 고정력을 제공할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제3 수지(135)를 포함할 수 있다.
상기 제3 수지(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 상기 제1 수지(130)와 함께 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 상기 제1 수지(130)와 함께 상기 제2 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있다.
상기 제3 수지(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 패키지 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 예로서 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 수지(135)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9에 도시된 바와 같이, 제4 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제4 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제4 수지(140)는 상기 제1 패키지 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 제4 수지(140)는 상기 제2 패키지 몸체(117)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 배치되므로, 상기 제1 수지(130)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락이 방지될 수 있다.
이에 따라, 실시 예에 의하면 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)이 작게 설정될 수 있다. 종래 발광소자(120)에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 간격은 전기적인 단락이 발생되는 것을 방지하기 위하여 수백 마이크로 미터로 설정될 수 있다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)에 의하면, 상기 제1 수지(130)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락이 발생되는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)이 수십 마이크로 미터로 설정될 수 있다.
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)은 백 마이크로 미터 이하로 설정될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)은 40 마이크로 미터 내지 80 마이크로 미터로 설정될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)은 50 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 선택될 수 있다.
이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 간격이 작게 제공될 수 있으므로, 발광소자 패키지(100)의 크기를 작게 구현할 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 9를 참조하여 설명된 바와 같이, 상기 패키지 몸체(110)가 형성됨에 있어, 종래 리드 프레임이 적용되지 않는다.
종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임을 형성하는 공정이 추가로 필요하지만, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 리드 프레임을 형성하는 공정이 필요 없다. 이에 따라, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 공정 시간이 단축될 뿐만 아니라 재료도 절감될 수 있는 장점이 있다.
또한, 종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지의 경우, 리드 프레임의 열화 방지를 위해 은 등의 도금 공정이 추가되어야 하지만, 본 발명의 실시 예에 다른 발광소자 패키지에 의하면 리드 프레임이 필요하지 않으므로, 은 도금 등의 추가 공정을 생략할 수 있다. 따라서, 상기 발광소자 패키지의 실시 예들은 은 도금 등의 물질이 변색되는 문제점을 해결할 수 있고, 공정을 생략할 수 있다는 장점으로 제조 원가를 절감할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지 제조방법에 의하면 제조 원가를 절감하고 제조 수율 및 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
또한, 종래 리드 프레임이 적용되는 발광소자 패키지에 비해 소형화가 가능한 장점이 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)을 통해 상기 제1 본딩부(121)에 전원이 연결되고, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)을 통해 상기 제2 본딩부(122)에 전원이 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 본딩부(121) 및 상기 제2 본딩부(122)을 통하여 공급되는 구동 전원에 의하여 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있게 된다. 그리고, 상기 발광소자(120)에서 발광된 빛은 상기 패키지 몸체(110)의 상부 방향으로 제공될 수 있게 된다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지(100)는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 도전성 페이스트를 이용하여 상기 발광소자(120)를 상기 제1 몸체 어레이(A1, A2, A3, A4)에 실장하므로, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 패키지 몸체(110)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound), PI(Poly Imide) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 경우, 각 본딩부 아래에 하나의 개구부가 제공된 경우를 기준으로 설명되었다.
그러나, 다른 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 각 개구부 아래에 복수의 개구부가 제공될 수도 있다. 또한, 복수의 개구부는 서로 다른 폭을 갖는 개구부로 제공될 수도 있다.
또한, 실시 예에 따른 개구부의 형상은 다양한 형상으로 제공될 수도 있다.
예를 들어, 실시 예에 따른 개구부는 상부 영역으로부터 하부 영역까지 동일한 폭으로 제공될 수도 있다.
또한, 실시 예에 따른 개구부는 다단 구조의 형상으로 제공될 수도 있다. 예로서, 개구부는 2단 구조의 서로 다른 경사각을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다. 또한, 개구부는 3단 이상의 서로 다른 경사각을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다.
또한, 개구부는 상부 영역에서 하부 영역으로 가면서 폭이 변하는 형상으로 제공될 수도 있다. 예로서, 개구부는 상부 영역에서 하부 영역으로 가면서 곡률을 갖는 형상으로 제공될 수도 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 패키지 몸체(110)는 상면이 평탄한 제1 패키지 몸체(113)만을 포함하고, 제1 패키지 몸체(113) 위에 배치된 제2 패키지 몸체(117)를 포함하지 않도록 제공될 수도 있다.
다음으로, 도 10 내지 도 12를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 설명하기로 한다.
도 10은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 또 다른 예를 나타낸 도면이고, 도 11은 도 10에 도시된 발광소자 패키지의 개구부 및 발광소자의 배치 관계를 설명하는 도면이고, 도 12는 도 10에 도시된 발광소자 패키지의 저면도이다.
도 10 내지 도 12를 참조하여 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 설명함에 있어, 도 1 내지 도 9를 참조하여 설명된 내용과 중복되는 사항에 대해서는 설명이 생략될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 패키지 몸체(110), 발광소자(120)를 포함할 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 제1 패키지 몸체(113)와 제2 패키지 몸체(117)를 포함할 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 제1 패키지 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상부 면 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상부 면 위에 캐비티(C)를 제공할 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상면과 하면을 관통하는 오프닝을 포함할 수 있다.
다른 표현으로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 하부 몸체, 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상부 몸체로 지칭될 수도 있다. 또한, 실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티를 제공하는 제2 패키지 몸체(117)를 포함하지 않고, 평탄한 상부면을 제공하는 상기 제1 패키지 몸체(113)만을 포함할 수도 있다.
상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 상부 방향으로 반사시킬 수 있다. 상기 제2 패키지 몸체(117)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.
상기 패키지 몸체(110)는 상기 캐비티(C)를 포함할 수 있다. 상기 캐비티는 바닥면과, 상기 바닥면에서 상기 패키지 몸체(110)의 상면으로 경사진 측면을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 패키지 몸체(110)는 캐비티(C)가 있는 구조로 제공될 수도 있으며, 캐비티(C) 없이 상면이 평탄한 구조로 제공될 수도 있다.
상기 제1 패키지 몸체(113)는 제1 프레임(111)과 제2 프레임(112)을 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 패키지 몸체(113)는 제1 몸체(115)를 포함할 수 있다. 상기 제1 몸체(115)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 몸체(115)는 일종의 전극 분리선의 기능을 수행할 수 있다. 상기 제1 몸체(115)는 절연부재로 지칭될 수도 있다.
상기 제1 몸체(115)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 몸체(115)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.
상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 절연성 프레임으로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있다.
또한, 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 도전성 프레임으로 제공될 수도 있다. 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112)은 상기 패키지 몸체(110)의 구조적인 강도를 안정적으로 제공할 수 있으며, 상기 발광소자(120)에 전기적으로 연결될 수 있다.
예로서, 상기 패키지 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), 세라믹, PI(Poly Imide), PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나로 형성될 수 있다. 또한, 상기 패키지 몸체(110)는 TiO2와 SiO2와 같은 고굴절 필러의 반사 물질을 포함할 수 있다. 상기 패키지 몸체(110)는 양자점, 형광체 등의 파장 변환 물질을 포함할 수 있다.
한편, 실시 예에 의하면, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 공정에서 서로 다른 물질로 형성된 후 결합될 수 있다. 예로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 접착층(160)을 통하여 서로 결합될 수 있다.
상기 접착층(160)은 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제2 패키지 몸체(117) 사이에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 제2 패키지 몸체(117)의 하면에 배치될 수 있다. 상기 접착층(160)은 상기 발광소자(120)의 둘레에 배치되어 상기 캐비티를 제공할 수 있다.
상기 접착층(160)은 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 접착층(160)은 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 접착층(160)이 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 접착층(160)이 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수도 있다.
한편, 상기 제1 몸체(115)와 상기 제2 패키지 몸체(117) 각각은 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide), PCT(Polychloro Tri phenyl), LCP(Liquid Crystal Polymer), PA9T(Polyamide9T), 실리콘, 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC: Epoxy molding compound), 실리콘 몰딩 컴파운드(SMC), PI(Poly Imide), 폴리 이미드(PI: Poly Imide) 등을 포함하는 수지 물질 중에서 선택된 적어도 하나를 베이스 물질로 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 몸체(115)와 상기 제2 패키지 몸체(117) 각각은 반사 물질과 파장 변환 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 몸체(115)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함하지 않을 수도 있다. 상기 제1 몸체(115)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 투명 수지로 구성될 수도 있다.
상기 제1 몸체(115)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 베이스 물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 몸체(115)와 상기 제2 패키지 몸체(117)는 서로 다른 수지를 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 몸체(115)는 반사 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 파장 변환 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 몸체(115)는 파장 변환 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 반사 물질을 포함할 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 몸체(115)는 반사 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함할 수도 있다. 또한, 상기 제1 몸체(115)는 반사 물질과 파장 변환 물질을 포함하고 상기 제2 패키지 몸체(117)는 파장 변환 물질을 포함할 수도 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서로 다른 베이스 물질을 포함하는 제1 패키지 몸체(113)와 제2 패키지 몸체(117)가 서로 다른 공정에서 별도로 형성되고, 응용 제품에서 필요로 하는 특성을 충족시킬 수 있는 선택적인 조합을 통하여 모듈라(modular) 방식으로 제조될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)는 제1 본딩부(121), 제2 본딩부(122), 발광 구조물(123), 기판(124)을 포함할 수 있다.
상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 제1 프레임(111)과 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)는 상기 패키지 몸체(110)에 의해 제공되는 상기 캐비티(C) 내에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 배치될 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 프레임(111) 위에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 프레임(112) 위에 배치될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제1 프레임(111) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)는 상기 발광 구조물(123)과 상기 제2 프레임(112) 사이에 배치될 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 개구부(TH1)와 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다. 상기 제1 프레임(111)은 상기 제1 개구부(TH1)를 포함할 수 있다. 상기 제2 프레임(112)은 상기 제2 개구부(TH2)를 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 패키지 몸체(113)는 평평한 하면을 포함할 수 있으며, 상기 하면과 평행한 상면을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 관통할 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)에 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)는 상기 제1 프레임(111)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)에 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)을 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 제2 프레임(112)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2)는 상기 발광소자(120)의 하부 면 아래에서 서로 이격되어 배치될 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.
따라서, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제1 프레임(111)이 더 견고하게 부착될 수 있다. 또한, 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 상기 제2 프레임(112)이 더 견고하게 부착될 수 있다.
또한, 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역의 폭(W1)이 상기 제1 개구부(TH1)의 하부 영역의 폭(W2)에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다. 또한, 상기 제2 개구부(TH2)의 상부 영역의 폭이 상기 제2 개구부(TH2)의 하부 영역의 폭에 비해 작거나 같게 제공될 수 있다.
상기 제1 개구부(TH1)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)는 하부 영역에서 상부 영역으로 가면서 폭이 점차적으로 작아지는 경사진 형태로 제공될 수 있다.
다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역과 하부 영역 사이의 경사면은 기울기가 서로 다른 복수의 경사면을 가질 수 있고, 상기 경사면은 곡률을 가지며 배치될 수 있다.
상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 수백 마이크로 미터로 제공될 수 있다. 상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은 예로서 100 마이크로 미터 내지 150 마이크로 미터로 제공될 수 있다.
상기 제1 프레임(111) 및 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역에서 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이의 폭은, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)가 추후 회로기판, 서브 마운트 등에 실장되는 경우에, 패드 간의 전기적인 단락(short)이 발생되는 것을 방지하기 위하여 일정 거리 이상으로 제공되도록 선택될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 제3 개구부(TH3)를 포함할 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)에 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 몸체(115)에 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 몸체(115)를 관통하여 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 몸체(115)의 상면과 하면을 제1 방향으로 관통하여 제공될 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)는 상기 발광소자(120) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 제공될 수 있다.
상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제1 본딩부(121)와 중첩되어 제공될 수 있다.
또한, 상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다. 상기 제3 개구부(TH3)의 일부 영역은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에서 하면으로 향하는 제1 방향으로 상기 발광소자(120)의 상기 제2 본딩부(122)와 중첩되어 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는 제1 수지(130)를 포함할 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 사이에서 상기 발광 구조물(123)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)는 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122) 간의 전기적인 단락을 방지할 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 절연물질을 포함할 수 있다.
예로서, 상기 제1 수지(130)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 수지(130)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제1 수지(130)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제1 수지(130)는 예로서 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 접착제로 지칭될 수도 있다.
상기 제1 수지(130)의 상면은 상기 발광 구조물(123)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 일 측면은 상기 제1 본딩부(121)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)의 다른 측면은 상기 제2 본딩부(122)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)의 하면은 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 일부 영역은 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)의 일부 영역은 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제1 수지(130)의 하면은 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 비해 더 낮게 배치될 수 있다. 상기 제1 수지(130)는 상기 제1 방향에서 상기 제3 개구부(TH3)와 중첩되어 제공될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10에 도시된 바와 같이, 제2 수지(133)를 포함할 수 있다.
상기 제2 수지(133)는 상기 제3 개구부(TH3)에 제공될 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 개구부(TH1)와 상기 제2 개구부(TH2) 사이에 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 수지(130) 아래에 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제1 수지(130)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 상면은 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 수지(133)의 측면은 상기 제3 개구부(TH3) 내에서 상기 제1 패키지 몸체(113)의 측면에 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 제2 수지(133)는 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 발광소자(120) 사이에 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 상기 제1 패키지 몸체(113)와 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 안정적인 고정력을 제공할 수 있다.
예로서, 상기 제2 수지(133)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 수지(133)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제2 수지(133)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제2 수지(133)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제2 수지(133)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제2 수지(133)는 예로서 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제2 수지(133)는 접착제로 지칭될 수도 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10에 도시된 바와 같이, 제3 수지(135)를 포함할 수 있다.
상기 제3 수지(135)는 상기 제1 본딩부(121)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 상기 제1 수지(130)와 함께 상기 제1 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 상기 제2 본딩부(122)의 둘레에 배치될 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 상기 제1 수지(130)와 함께 상기 제2 개구부(TH1)의 상부 영역을 밀봉시킬 수 있다.
상기 제3 수지(135)는 상기 발광소자(120)와 상기 제1 패키지 몸체(113) 간의 안정적인 고정력을 제공할 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 예로서 상기 제1 패키지 몸체(113)의 상면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 또한, 상기 제3 수지(135)는 상기 발광소자(120)의 하부 면에 직접 접촉되어 배치될 수 있다.
예로서, 상기 제3 수지(135)는 에폭시(epoxy) 계열의 물질, 실리콘(silicone) 계열의 물질, 에폭시 계열의 물질과 실리콘 계열의 물질을 포함하는 하이브리드(hybrid) 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 수지(130)는 상기 발광소자(120)에서 방출하는 광을 반사할 수 있다. 상기 제3 수지(135)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제3 수지(135)는 화이트 실리콘(white silicone)을 포함할 수 있다. 상기 제3 수지(135)가 반사 기능을 포함하는 경우, 상기 제3 수지(135)는 예로서 TiO2, SiO2 등을 포함하는 물질로 구성될 수 있다. 상기 제3 수지(135)는 접착제로 지칭될 수도 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10에 도시된 바와 같이, 제4 수지(140)를 포함할 수 있다.
상기 제4 수지(140)는 상기 발광소자(120) 위에 제공될 수 있다. 상기 제4 수지(140)는 상기 제1 패키지 몸체(113) 위에 배치될 수 있다. 상기 제4 수지(140)는 상기 제2 패키지 몸체(117)에 의하여 제공된 캐비티(C)에 배치될 수 있다.
상기 제4 수지(140)는 절연물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제4 수지(140)는 상기 발광소자(120)로부터 방출되는 빛을 입사 받고, 파장 변환된 빛을 제공하는 파장변환 물질을 포함할 수 있다. 예로서, 상기 제4 수지(140)는 형광체, 양자점 등을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지(100)는, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)을 포함할 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제2 도전층(322)과 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 개구부(TH1)에 제공될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)의 폭은 상기 제1 본딩부(121)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.
상기 제1 본딩부(121)는 상기 제1 개구부(TH1)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제1 본딩부(121)의 폭은 상기 제1 개구부(TH1)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 본딩부(121)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 도전층(321)은 상기 제1 프레임(111)에 의하여 둘러 싸이게 배치될 수 있다.
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 개구부(TH2)에 제공될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)의 폭은 상기 제2 본딩부(122)의 폭에 비해 더 작게 제공될 수 있다.
상기 제2 본딩부(122)는 상기 제2 개구부(TH2)가 형성된 제1 방향과 수직한 제2 방향의 폭을 가질 수 있다. 상기 제2 본딩부(122)의 폭은 상기 제2 개구부(TH2)의 상기 제2 방향의 폭보다 더 크게 제공될 수 있다.
상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)의 하면과 직접 접촉되어 배치될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 본딩부(122)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 도전층(322)은 상기 제2 프레임(112)에 의하여 둘러싸이게 배치될 수 있다.
상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 Ag, Au, Pt, Sn, Cu 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질 또는 그 합금을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정하지 않고, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)으로 전도성 기능을 확보할 수 있는 물질이 사용될 수 있다.
예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 도전성 페이스트를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 도전성 페이스트는 솔더 페이스트(solder paste), 실버 페이스트(silver paste) 등을 포함할 수 있고, 서로 다른 물질로 구성되는 다층 또는 합금으로 구성된 다층 또는 단층으로 구성될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)은 SAC(Sn-Ag-Cu) 물질을 포함할 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이, 제1 하부 리세스(R11)와 제2 하부 리세스(R12)를 포함할 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)와 상기 제2 하부 리세스(R12)는 서로 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 프레임(111)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)는 상기 제1 개구부(TH1)로부터 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제1 하부 리세스(R11)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 예로서 상기 제1 몸체(115)와 동일 물질로 제공될 수 있다.
다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 제1 몸체(115)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.
상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부는 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제1 프레임(111)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.
예로서, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 제1 개구부(TH1)를 제공하는 상기 제1 프레임(111)의 하면 영역은 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부와 상기 제1 몸체(115)에 의하여 주변의 상기 제1 프레임(111)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.
따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우 상기 제1 개구부(TH1)에 제공된 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)로부터 벗어나, 상기 제1 하부 리세스(R11)에 채워진 수지부 또는 상기 제1 몸체(115)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다.
이는 상기 제1 도전층(321)과 상기 수지부 및 상기 제1 몸체(115)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 제1 프레임(111)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제1 도전층(321)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 제1 몸체(115)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.
이에 따라, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)에서 상기 수지부 또는 상기 제1 몸체(115)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 제1 몸체(115)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다.
따라서, 상기 제1 개구부(TH1)에 배치되는 제1 도전층(321)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 제1 몸체(115)가 제공된 제1 하부 리세스(R11)의 바깥 영역으로 상기 제1 도전층(321)이 확장되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 개구부(TH1) 내에서 상기 제1 본딩부(121)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다. 따라서, 상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우, 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 전기적으로 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.
또한, 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 프레임(112)의 하면에서 상면 방향으로 오목하게 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)는 상기 제2 개구부(TH2)로부터 이격되어 배치될 수 있다.
상기 제2 하부 리세스(R12)는 수 마이크로 미터 내지 수십 마이크로 미터의 폭으로 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)에 수지부가 제공될 수 있다. 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 예로서 상기 제1 몸체(115)와 동일 물질로 제공될 수 있다.
다만, 이에 한정하지 않고, 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다. 또는 상기 수지부는 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)과의 표면 장력이 낮은 물질 중에서 선택되어 제공될 수 있다.
예로서, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 상기 제1 프레임(111), 상기 제2 프레임(112), 상기 제1 몸체(115)가 사출 공정 등을 통하여 형성되는 과정에서 제공될 수 있다.
상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부는 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역 주위에 배치될 수 있다. 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 일종의 아일랜드(island) 형상으로 주위의 상기 제2 프레임(112)을 이루는 하면으로부터 분리되어 배치될 수 있다.
예로서, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 제2 개구부(TH2)를 제공하는 상기 제2 프레임(112)의 하면 영역은 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부와 상기 제1 몸체(115)에 의하여 주변의 상기 제2 프레임(112)으로부터 아이솔레이션(isolation)될 수 있다.
따라서, 상기 수지부가 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)과 접착력, 젖음성이 좋지 않은 물질 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 표면 장력이 낮은 물질로 배치되는 경우, 상기 제2 개구부(TH2)에 제공된 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)로부터 벗어나, 상기 제2 하부 리세스(R12)에 채워진 수지부 또는 상기 제1 몸체(115)를 넘어 확산되는 것이 방지될 수 있다.
이는 상기 제2 도전층(322)과 상기 수지부 및 상기 제1 몸체(115)의 접착 관계 또는 상기 수지부와 상기 제1 및 제2 도전층(321,322) 사이의 젖음성, 표면 장력 등이 좋지 않은 점을 이용한 것이다. 즉, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 제2 프레임(112)과 좋은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다. 그리고, 상기 제2 도전층(322)을 이루는 물질이 상기 수지부 및 상기 제1 몸체(115)와 좋지 않은 접착 특성을 갖도록 선택될 수 있다.
이에 따라, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)에서 상기 수지부 또는 상기 제1 몸체(115)가 제공된 영역 방향으로 흘러 넘쳐, 상기 수지부 또는 상기 제1 몸체(115)가 제공된 영역 외부로 넘치거나 퍼지는 것이 방지되고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2)가 제공된 영역에 안정적으로 배치될 수 있게 된다.
따라서, 상기 제2 개구부(TH2)에 배치되는 제2 도전층(322)이 흘러 넘치는 경우, 상기 수지부 또는 상기 제1 패키지 몸체(113)가 제공된 제2 하부 리세스(R12)의 바깥 영역으로 상기 제2 도전층(322)이 확장되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 개구부(TH2) 내에서 상기 제2 본딩부(122)의 하면에 안정적으로 연결될 수 있게 된다.
상기 발광소자 패키지가 회로 기판에 실장되는 경우 제1 도전층(321)과 제2 도전층(322)이 서로 접촉되어 전기적으로 단락되는 문제를 방지할 수 있고, 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)을 배치하는 공정에 있어서 상기 제1 및 제2 도전층(321,322)의 양을 제어하기 매우 수월해질 수 있다.
실시 예에 의하면, 상기 제1 도전층(321)이 상기 제1 본딩부(121)에 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 제2 도전층(322)이 상기 제2 본딩부(122)에 전기적으로 연결될 수 있다. 예로서, 상기 제1 도전층(321)과 상기 제2 도전층(322)에 외부 전원이 공급될 수 있고, 이에 따라 상기 발광소자(120)가 구동될 수 있다.
상기 제1 수지(130) 및 상기 제2 수지(133)는 상기 발광소자(120)를 상기 패키지 몸체(110)에 안정적으로 고정시키는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 상기 제3 수지(133)는 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 측면에 접촉되어 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제3 수지(133)는 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 상기 제4 수지(140)가 제공된 외측 영역으로부터 아이솔레이션 되도록 배치될 수 있다.
상기 제3 수지(133)에 의하여, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)에 제공된 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 흐르는 것이 방지될 수 있다.
상기 발광소자(120)의 상부 방향에서 보았을 때, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 외측 방향으로 이동되는 경우, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면을 타고 확산될 수도 있다. 이와 같이, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층이 전기적으로 단락될 수도 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 경우, 상기 발광소자(120)의 광 추출 효율이 저하될 수도 있다.
그러나, 실시 예에 의하면, 상기 제1 및 제3 수지(130, 133)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 둘레 영역이 밀봉될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2) 영역을 벗어나 외부 방향으로 이동되는 것이 방지될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 발광소자(120)의 측면으로 이동되는 것이 방지될 수 있으며, 상기 발광소자(120)가 전기적으로 단락되는 것이 방지되고 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
한편, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 있어서, 상기 제1 및 제2 수지(130, 133)에 의하여 상기 발광소자(120)가 상기 제1 패키지 몸체(113)에 고정되는 경우, 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)의 상부 영역이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에 의하여 밀봉될 수도 있다.
이와 같이, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122)의 하면에 의하여 상기 제1 및 제2 개구부(TH1, TH2)가 밀봉되는 경우, 상기 제3 수지(135)가 제공되지 않을 수 있으며, 상기 제1 및 제2 도전층(321, 322)이 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 주변 영역으로 확산되이 이동되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 수지(130)가 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 사이에 배치되므로, 상기 제1 수지(130)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락이 방지될 수 있다.
이에 따라, 실시 예에 의하면 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)이 작게 설정될 수 있다. 종래 발광소자(120)에 의하면, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 간격은 전기적인 단락이 발생되는 것을 방지하기 위하여 수백 마이크로 미터로 설정될 수 있다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 의하면, 상기 제1 수지(130)에 의하여 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 전기적인 단락이 발생되는 것이 방지될 수 있으므로, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)이 수십 마이크로 미터로 설정될 수 있다.
상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)은 백 마이크로 미터 이하로 설정될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)은 40 마이크로 미터 내지 80 마이크로 미터로 설정될 수 있다. 예로서, 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 폭(W3)은 50 마이크로 미터 내지 60 마이크로 미터로 선택될 수 있다.
이와 같이, 실시 예에 의하면, 상기 발광소자(120)의 상기 제1 및 제2 본딩부(121, 122) 간의 간격이 작게 제공될 수 있으므로, 발광소자 패키지의 크기를 작게 구현할 수 있는 장점이 있다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장되어 공급될 수도 있다.
그런데, 종래 발광소자 패키지가 서브 마운트 또는 회로기판 등에 실장됨에 있어 리플로우(reflow) 또는 열처리 공정 등의 고온 공정이 적용될 수 있다. 이때, 리플로우 또는 열처리 공정에서, 발광소자 패키지에 제공된 리드 프레임과 발광소자 간의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되어 전기적 연결 및 물리적 결합의 안정성이 약화될 수 있게 된다.
그러나, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 실시 예에 따른 발광소자의 전극부는 개구부에 배치된 도전층을 통하여 구동 전원을 제공 받을 수 있다. 그리고, 개구부에 배치된 도전층의 용융점이 일반적인 본딩 물질의 용융점에 비해 더 높은 값을 갖도록 선택될 수 있다.
따라서, 실시 예에 따른 발광소자 소자 패키지는 메인 기판 등에 리플로우(reflow) 공정을 통해 본딩되는 경우에도 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되지 않으므로 전기적 연결 및 물리적 본딩력이 열화되지 않는 장점이 있다.
또한, 실시 예에 따른 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조방법에 의하면, 발광소자 패키지를 제조하는 공정에서 패키지 몸체(110)가 고온에 노출될 필요가 없게 된다. 따라서, 실시 예에 의하면, 패키지 몸체(110)가 고온에 노출되어 손상되거나 변색이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 제1 몸체(115)를 구성하는 물질에 대한 선택 폭이 넓어질 수 있게 된다. 실시 예에 의하면, 상기 제1 몸체(115)는 세라믹 등의 고가의 물질뿐만 아니라, 상대적으로 저가의 수지 물질을 이용하여 제공될 수도 있다.
예를 들어, 상기 제1 몸체(115)는 PPA(PolyPhtalAmide) 수지, PCT(PolyCyclohexylenedimethylene Terephthalate) 수지, EMC(Epoxy Molding Compound) 수지, SMC(Silicone Molding Compound) 수지, PI(Poly Imide) 수지를 포함하는 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
다음으로, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 플립칩 발광소자의 예를 설명하기로 한다.
도 13은 본 발명의 실시 예에 따른 발광소자 패키지에 적용된 발광소자를 설명하는 도면이다. 예로서, 도 13에 도시된 발광소자는 이상에서 설명된 발광소자 패키지에 플립칩 본딩 방식으로 실장될 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 도 13에 도시된 바와 같이, 기판(124) 위에 배치된 발광 구조물(123)을 포함할 수 있다.
상기 발광 구조물(123)은 제1 도전형 반도체층(123a), 활성층(123b), 제2 도전형 반도체층(123c)을 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광소자는, 제1 전극(127)과 제2 전극(128)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 제1 본딩부(121)와 제1 가지전극(125)을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(127)은 상기 제2 도전형 반도체층(123c)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)은 상기 제1 본딩부(121)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.
상기 제2 전극(128)은 제2 본딩부(122)와 제2 가지전극(126)을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(128)은 상기 제1 도전형 반도체층(123a)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기되어 배치될 수 있다. 상기 제2 가지전극(126)은 상기 제2 본딩부(122)로부터 분기된 복수의 가지전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 가지전극(125)와 상기 제2 가지전극(126)은 핑거(finger) 형상으로 서로 엇갈리게 배치될 수 있다. 상기 제1 가지전극(125)과 상기 제2 가지전극(126)에 의하여 상기 제1 본딩부(121)와 상기 제2 본딩부(122)를 통하여 공급되는 전원이 상기 발광 구조물(123) 전체로 확산되어 제공될 수 있게 된다.
실시 예에 따른 발광소자는, 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 6면 방향으로 발광될 수 있다. 상기 활성층(123b)에서 생성된 빛이 발광소자의 상면, 하면, 4개의 측면을 통하여 6면 방향으로 방출될 수 있다.
한편, 이상에서 설명된 실시 예에 따른 발광소자 패키지는 광원 장치에 적용될 수 있다.
또한, 광원 장치는 산업 분야에 따라 표시 장치, 조명 장치, 헤드 램프 등을 포함할 수 있다.
광원 장치의 예로, 표시 장치는 바텀 커버와, 바텀 커버 위에 배치되는 반사판과, 광을 방출하며 발광 소자를 포함하는 발광 모듈과, 반사판의 전방에 배치되며 발광 모듈에서 발산되는 빛을 전방으로 안내하는 도광판과, 도광판의 전방에 배치되는 프리즘 시트들을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널과, 디스플레이 패널과 연결되고 디스플레이 패널에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로와, 디스플레이 패널의 전방에 배치되는 컬러 필터를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버, 반사판, 발광 모듈, 도광판, 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다. 또한, 표시 장치는 컬러 필터를 포함하지 않고, 적색(Red), 녹색(Gren), 청색(Blue) 광을 방출하는 발광 소자가 각각 배치되는 구조를 이룰 수도 있다.
광원 장치의 또 다른 예로, 헤드 램프는 기판 상에 배치되는 발광소자 패키지를 포함하는 발광 모듈, 발광 모듈로부터 조사되는 빛을 일정 방향, 예컨대, 전방으로 반사시키는 리플렉터(reflector), 리플렉터에 의하여 반사되는 빛을 전방으로 굴절시키는 렌즈, 및 리플렉터에 의하여 반사되어 렌즈로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 쉐이드(shade)를 포함할 수 있다.
광원 장치의 다른 예인 조명 장치는 커버, 광원 모듈, 방열체, 전원 제공부, 내부 케이스, 소켓을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 광원 장치는 부재와 홀더 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 포함할 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 실시 예를 한정하는 것이 아니며, 실시 예가 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시 예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 특허청구범위에서 설정하는 실시 예의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 광 추출 효율 및 전기적 특성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 패키지 제조방법에 의하면, 공정 효율을 향상시키고 새로운 패키지 구조를 제시하여 제조 단가를 줄이고 제조 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지는 반사율이 높은 몸체를 제공함으로써, 반사체가 변색되지 않도록 방지할 수 있어 반도체 소자 패키지의 신뢰성을 개선할 수 있는 장점이 있다.
실시 예에 따른 반도체 소자 패키지 및 반도체 소자 제조방법에 의하면, 반도체 소자 패키지가 기판 등에 재 본딩되거나 열 처리 되는 과정에서 반도체 소자 패키지의 본딩 영역에서 리멜팅(re-melting) 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.

Claims (10)

  1. 제1 및 제2 개구부를 포함하는 제1 패키지 몸체;
    상기 제1 패키지 몸체 상에 배치되고, 제1 및 제2 본딩부를 포함하는 발광소자; 및
    상기 제1 패키지 몸체와 상기 발광소자 사이에 배치되는 제1 수지;
    를 포함하고,
    상기 발광소자는 상기 제1 및 제2 본딩부가 배치되는 일면을 포함하고,
    상기 제1 본딩부는 제1 측면, 및 상기 제1 패키지 몸체를 향하는 하면을 포함하고,
    상기 제2 본딩부는 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면, 및 상기 제1 패키지 몸체를 향하는 하면을 포함하고,
    상기 제1 수지는 상기 발광소자의 일면에 배치되는 상면, 상기 상면에서 상기 제1 본딩부의 제1 측면을 따라 상기 제1 본딩부의 하면까지 연장되는 제3 측면, 및 상기 상면에서 상기 제2 본딩부의 제2 측면을 따라 상기 제2 본딩부의 하면까지 연장되는 제4 측면을 포함하고,
    상기 제1 수지의 상면은 상기 제1 본딩부와 상기 제2 본딩부 사이에 배치되고,
    상기 제1 수지는 상기 제1 본딩부 아래에 배치된 제1 하면, 상기 제2 본딩부 아래에 배치된 제2 하면, 상기 제1 하면과 상기 제2 하면을 연결하는 제3 하면을 포함하고,
    상기 제1 개구부와 상기 제1 본딩부는 수직으로 서로 중첩되고,
    상기 제2 개구부와 상기 제2 본딩부는 수직으로 서로 중첩되는 발광소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 패키지 몸체 위에 배치된 제2 패키지 몸체; 및
    상기 제1 패키지 몸체와 상기 제2 패키지 몸체 사이에 배치된 접착층;
    을 더 포함하는 발광소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3 개구부에 배치된 제2 수지를 더 포함하고,
    상기 제2 수지의 상면은 상기 제1 수지와 접촉되고, 상기 제2 수지의 측면은 상기 제3 개구부를 제공하는 상기 제1 패키지 몸체의 측면에 접촉된 발광소자 패키지.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 수지의 상면은 상기 제1 및 제2 본딩부의 하면과 접촉된 발광소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자와 상기 제1 패키지 몸체 사이에 배치되며, 상기 제1 및 제2 본딩부의 측면에 접촉되어 배치된 제3 수지를 더 포함하는 발광소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 수지의 측면은 상기 제1 및 제2 본딩부의 측면에 접촉되어 배치된 발광소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 본딩부의 서로 마주보는 측면 사이의 간격은 수십 마이크로 미터로 제공된 발광소자 패키지.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제1 패키지 몸체와 상기 제2 패키지 몸체는 서로 다른 물질을 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 개구부에 배치되어 상기 제1 본딩부와 전기적으로 연결된 제1 도전층; 및
    상기 제2 개구부에 배치되어 상기 제2 본딩부와 전기적으로 연결된 제2 도전층;
    을 더 포함하는 발광소자 패키지.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제1 패키지 몸체와 상기 제2 패키지 몸체는 PPA, PCT, EMC, SMC, PI 중에서 선택된 서로 다른 물질을 포함하고,
    상기 제1 패키지 몸체는 투명 수지로 구성되고, 상기 제2 패키지 몸체는 파장 변환 물질 또는 반사 물질 중에서 적어도 하나를 포함하는 발광소자 패키지.
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