JP2009259935A - 電子部品、照明装置、密着型イメージセンサ及び画像読取装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 LEDチップ等の素子で発生した熱を効果的に放出できる電子部品を提供する。
【解決手段】 発光ユニット1は、銅またはアルミニウム製の基板2の表面に絶縁層3が形成され、この絶縁層3の上に回路パターン4,5が形成されている。この回路パターン4,5の上にLEDチップ6がハンダ7によって実装されている。LEDチップ6はセラミックス製基板9に電極10,11が形成され、一方の電極11の上に発光部としてのLEDダイス12が設置されている。そしてLEDダイス12の上面には端子部13,14が設けられ、一方の端子部13と前記電極10とがボンディングワイヤ15にて接続され、他方の端子部14と前記電極11とがボンディングワイヤ16にて接続されている。
【選択図】 図2

Description

本発明は電子部品、この電子部品を発光ユニットとして組み込んだ照明装置及びこの照明装置を組み込んだ密着型イメージセンサ或いは画像読取装置に関する。
ファクシミリ装置、複写機、イメージスキャナ装置等の画像読取装置では、原稿面を主走査範囲に亘って線状に照明するライン照明装置を備えている。このライン照明装置は棒状または板状をなす透明導光体の端部(一端または両端)に発光ユニットを配置し、導光体の端面から入射した光を内面で反射させながら長さ方向に沿って設けた出射面から出射せしめるようにしている。
最近では画像読み取りの高速化の要望があり、このためには照明装置の輝度を上げ、これにより原稿の読取面を照明する照明光の輝度を上げることが必要になる。しかしながら、照明装置の輝度を上げるために発光素子の通電電流を増加すると、発光と同時にジャンクション温度が上昇する(発光素子自体から発熱する)。
一般に照明装置に搭載される発光ユニットの光変換効率は発光体の環境温度に依存し、環境温度が上がると効率は低下し、温度が上昇すると発光ユニットの抵抗値が下がり、定電圧駆動すると電流値が増えるので一般的には定電流駆動することにより輝度の安定化を図っている。またアレイニウス10℃2倍則(温度が10℃下がると寿命が2倍になる)から考えても、発光ユニットの温度は低く抑えた方が寿命が延びることが知られている。
特に、画像読取装置において、通常よりも高速で画像を読み取ろうとすると、照明装置の明るさを増すためにLEDチップに流す電流を増やすことが考えられる。しかしながら、LEDチップは半導体デバイスであるので、高温になるほど被輻射再結合が生じる確率が高くなり、発光効率が低下してしまう。従って、LEDチップチップから発生する熱を適切に外部に放熱して、LEDチップの温度が過度に上昇することを防止する必要がある。
放熱に関し、特許文献1では、板状コモン電極に拡張部を設けてこの部分を放熱部とすることが提案されている。特に放熱効率を高めるために放熱部の面積を大きくすると、他の部品との干渉が生じるため、透明導光体を収納したケースに沿って放熱部を折り曲げた構成が開示されている。
特開2005−217644号公報
特許文献1の発光ユニットを含め、従来の発光ユニットの構造は図5に示すように、金属製基板100の表面に絶縁層101を形成し、この絶縁層101の上に回路パターン102を形成し、この回路パターン102以外の部分にソルダーレジスト103を塗布して、回路パターン102にLEDチップ104をハンダ105によって取付けるようにしている。
従来の構造ではLEDチップ104で発生した熱を放熱板から放出するには、基板100を介して放熱板に熱を伝達することになる。しかしながら、基板100とLEDチップ104との間には絶縁層101が介在している。この絶縁層101の熱伝導率はおよそ3W/m・Kで、端子(Cu)の熱伝導率(およそ389W/m・K)と比較すると、100倍以上異なる。その結果、従来の放熱構造では、十分な放熱効果が期待できない。
上記課題を解決するため、本発明に係る電子部品は、金属基板表面に絶縁層を介して回路が形成され、この回路に素子が実装された電子部品であって、前記絶縁層の一部には基板が露出する開口部が形成され、この開口部を介して回路の一部が短絡を起こさない条件で直接金属基板に接触した構成とした。
前記電子部品としては、素子をLEDチップとし且つ短絡を起こさない条件は、LEDチップの一方の電極のみを直接金属基板に接触させた構成の発光ユニットが考えられる。
前記開口部を形成する位置としては、前記LEDチップの電極が前記回路と接触する部分の真下が好ましい。この位置に形成することで、発熱部分と近くなるため放熱効果が高くなる。
また、前記回路に接触している電極は前記LEDチップを構成するLEDダイスが設置されている電極とすることが好ましい。LEDダイスは発熱体であるので、この発熱体が直接接触している側の電極を回路に接触させることで放熱効果が高まる。
また、前記開口部の大きさは前記回路と接触しているLEDチップの電極よりも大面積にすることが好ましい。設置面積が大きいほど放熱が効果的に行われ、熱が伝達される面積以上に開口部の面積を大きくすることで熱の移動がスムーズになる。
また、本発明には上記の発光ユニットを導光体の端部に設けた照明装置、この照明装置を組み込んだイメージセンサ及び画像読取装置も含まれる。
本発明によれば、LEDチップなどの素子から発生する熱を直接金属製基板に伝達することができる。このため、放熱ブロックや放熱板を設けなくても放熱効果は高まり、更に放熱ブロックや放熱板を設けた場合には、これらへの伝熱効率が高まり、更に冷却効果を高めることができる。
以下に本発明の好適な実施例を添付図面に基づいて説明する。図1は本発明に係る電子部品としての発光ユニットの斜視図、図2は同発光ユニットの断面図、図3は同発光ユニットを取付けた照明装置の斜視図、図4は本発明に係る照明装置を組み込んだ密着型イメージセンサの断面図である。
発光ユニット1は、銅またはアルミニウム製の基板2の表面に絶縁層3が形成され、この絶縁層3の上に回路パターン4,5が形成されている。この回路パターン4,5の上にLEDチップ6がハンダ7によって実装されている。尚、端子部4、5以外にはハンダ7が付着しないように端子部4、5以外の部分はソルダーレジスト8にて覆われている。
LEDチップ6はセラミックス製基板9に電極10,11が形成され、一方の電極11の上に発光部としてのLEDダイス12が設置されている。そしてLEDダイス12の上面には端子部13,14が設けられ、一方の端子部13と前記電極10とがボンディングワイヤ15にて接続され、他方の端子部14と前記電極11とがボンディングワイヤ16にて接続されている。
前記回路パターン4,5のうち一方の回路パターン5は予め絶縁層3に形成した開口部3aを介して、基板2の上に直接形成されている。そして、回路パターン5にはハンダ7を介して前記LEDダイス12が設置された電極11が接続されている。このように回路パターン5が基板2に直接接触し、この回路パターン5に電極11が接続されているので、LEDダイス12で発生した熱は効率よく基板2に伝達される。尚、電極10,11を回路パターン5に接続すると短絡するため、一方のみを接続する。
ここで、前記開口部3aは電極11の真下となる位置、つまり平面視で電極11とオーバーラップする位置に形成することで、発熱部であるLEDダイス12と開口部3aとの距離を小さくし、放熱効果を高めている。
図3は前記発光ユニット1を取付けた照明装置20の斜視図であり、照明装置20は棒状または板状をなすアクリル樹脂製の透明導光体21を白色ケース22に装填し、このケース22の端部に発光ユニット1を取付けている。尚、図示例では発光ユニット1をケース22の一端に取付けているがケース22の両端に発光ユニット1を取付けてもよい。
図4は上記の照明装置20を組み込んだ密着型イメージセンサ30の断面図であり、密着型イメージセンサ30は原稿載置用のガラス板31に平行に移動して原稿を読み取る。この移動方向が副走査方向で、移動方向と直交する方向(密着型イメージセンサ30の長手方向)が主走査方向になる。
密着型イメージセンサ30は収納フレーム(筺体)32に凹部32a,32bを形成し、一方の凹部32aには照明装置20を配置し、また他方の凹部32bには光電変換素子(ラインイメージセンサ)33を備えたセンサ基板34を取り付け、更に収納フレーム32内に等倍結像用のレンズアレイ35を保持している。
上記は、密着型イメージセンサ(コンタクトイメージセンサ)における実施形態を示したが、本発明の照明装置は、縮小型イメージセンサに用いることもできる。
本発明に係る電子部品としての発光ユニットの斜視図 同発光ユニットの断面図 同発光ユニットを取付けた照明装置の斜視図 本発明に係る照明装置を組み込んだ密着型イメージセンサの断面図 従来の発光ユニットの断面図
符号の説明
1…発光ユニット、2…基板、3…絶縁層、3a…開口部、4,5…端子部、6…LEDチップ、7…ハンダ、8…ソルダーレジスト、9…セラミックス製基板、10,11…電極、12…LEDダイス、13,14…端子部、15,16…ボンディングワイヤ、20…照明装置、21…透明導光体、22…白色ケース、30…密着型イメージセンサ、31…ガラス板、32…収納フレーム(筺体),32a,32b…凹部、33…光電変換素子(ラインイメージセンサ)、34…センサ基板、35…レンズアレイ。

Claims (9)

  1. 金属基板表面に絶縁層を介して回路が形成され、この回路に素子が実装された電子部品であって、前記絶縁層の一部には基板が露出する開口部が形成され、この開口部を介して回路の一部が短絡を起こさない条件で直接金属基板に接触していることを特徴とする電子部品。
  2. 請求項1に記載の電子部品において、前記素子はLEDチップであり、短絡を起こさない条件はLEDチップの一方の電極のみを回路を介して金属基板に接触させることを特徴とする電子部品。
  3. 請求項2に記載の電子部品において、前記開口部は前記LEDチップの電極が前記回路と接触する部分の真下に形成されていることを特徴とする電子部品。
  4. 請求項3に記載の電子部品において、前記回路に接触している電極は前記LEDチップを構成するLEDダイスが設置されている電極としたことを特徴とする電子部品。
  5. 請求項2乃至請求項4に記載の電子部品において、前記開口部の大きさは前記回路と接触しているLEDチップの電極よりも大面積であることを特徴とする電子部品。
  6. 請求項2乃至請求項5に記載の電子部品を発光ユニットとして導光体の端部に設けたことを特徴とする照明装置。
  7. 請求項6に記載の照明装置と、イメージセンサと、原稿からの反射光または透過光を前記イメージセンサに収束させるためのレンズアレイをフレーム内に組み込んだ密着型イメージセンサ。
  8. 請求項7に記載の密着型イメージセンサを備えたことを特徴とする画像読取装置。
  9. 請求項6に記載の照明装置と、イメージセンサと、原稿からの反射光または透過光を前記イメージセンサに収束させるためのミラー及びレンズをフレーム内に組み込んだ縮小光学系画像読取装置。
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