WO2019044177A1 - パワー半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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誉 久保木
河原　敬二
雄志 金野
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日立オートモティブシステムズ株式会社
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    • H02M7/003—Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections

Definitions

  • the present invention relates to a power semiconductor device and a method of manufacturing the same, and more particularly to a power semiconductor device and a method of manufacturing the same particularly regarding a hybrid vehicle and an electric vehicle.
  • Power semiconductor devices using power semiconductor elements are required to be mass-produced in a short period of time as the trend toward higher power advances.
  • power semiconductor devices used in hybrid vehicles and electric vehicles are increasing in power, and their power loss is required to have high heat dissipation due to heat generation.
  • modularized power semiconductor devices are required to be mass-produced at low cost.
  • the power semiconductor device of Patent Document 1 has a conductor (lead frame) provided with a convex portion formed of a drawn material (deformed strip), and the convex portion of the conductor is a power semiconductor element through a conductive bonding material. Connected
  • An object of the present invention is to improve productivity while suppressing a decrease in heat radiation performance.
  • a conductive member having a first surface and a second surface provided on the opposite side to the first surface, and a power semiconductor connected to the conductive member through a bonding material
  • a first step of pressing the conductor member to form a portion, and the power semiconductor element is opposed to the top surface of the convex portion and the concave portion of the first surface and the portion where the concave portion is not formed
  • a second step of connecting the protrusion and the power semiconductor element through the bonding material and a third step of filling the sealing material in the at least the recess.
  • productivity can be improved while suppressing a decrease in heat radiation performance.
  • FIG. 10 is an overall perspective view after over-molding a sealing resin 122A on a circuit body 150.
  • 5B is a cross-sectional view of the circuit body 150 to which the heat dissipating fins 201 and the insulating member 200 are connected, viewed from the arrow direction of the plane passing through GG in FIG. It is sectional drawing of the circuit body 150 seen from the arrow direction of the plane which passes BB of FIG. It is a cross-sectional photograph of the periphery of the 1st dent 120 and the 2nd dent 121 of Drawing 4 (c).
  • FIG. 1 is an exploded perspective view of a power semiconductor device according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of the circuit body 120 from which the sealing resin 122A is removed.
  • the power semiconductor device includes a circuit body 150, an insulating member 200 sandwiching the circuit body 150, and a module case 202 accommodating the insulating member 200 sandwiching the circuit body 150.
  • the third conductor portion 102 is sealed by a sealing resin 122A. A part of the third conductor portion 102 is exposed on the side opposite to the side connected to the power semiconductor element and the diode.
  • the fourth conductor portion 103 is sealed by a sealing resin 122A. A part of the fourth conductor portion 103 is exposed on the side opposite to the side connected to the power semiconductor element and the diode.
  • the sealing resin 122A includes the first positive electrode terminal 104, the second positive electrode terminal 105, the first negative electrode terminal 106, the second, the negative electrode terminal 107, the alternating current terminal 108, and the upper arm signal connection terminal 109U.
  • the lower arm signal connection terminal 109L is partially sealed.
  • the sealing resin 122B seals the recessed portions of the third conductor portion 102 and the fourth conductor portion 103 shown in FIG.
  • the exposed surface of the sealing resin 122B is flush with the exposed third conductor portion 102 and the exposed fourth conductor portion 103 surface.
  • the insulating member 200 is arranged to cover the exposed first conductor portion 100, the second conductor portion 101, the third conductor portion 102, and the conductor portion 103. Further, the insulating member 200 is in contact with the inner wall of the module case 202, and is held between the module case 202 and the circuit body 150.
  • the module case 202 is a cooling container disposed in the refrigerant, and is provided with heat radiation fins 201.
  • the heat dissipating fins 201 are formed in a matrix.
  • the module case 202 has a role of efficiently transmitting the heat generated in the power semiconductor element, and therefore, uses a material such as copper or aluminum having a large thermal conductivity and a small electric resistance.
  • the first conductor portion 100 is joined to the collector electrode of the first power semiconductor element 112 and the cathode electrode of the first diode 114 via the conductive bonding material 116.
  • the collector electrode of the second power semiconductor element 113 and the cathode electrode of the second diode 115 are bonded by the conductive bonding material 116.
  • the emitter electrode of the first power semiconductor element 112 and the anode electrode of the second diode 114 are bonded by the conductive bonding material 116.
  • the emitter electrode of the second power semiconductor element 113 and the anode electrode of the second diode 115 are bonded by the conductive bonding material 116.
  • the first positive electrode terminal 104 and the second positive electrode terminal 105 are connected to the first conductor portion 100.
  • the first negative electrode terminal 106 is connected to the fourth conductor portion 103 via the relay conductor portion 111.
  • the second negative electrode terminal 107 is connected to the fourth conductor portion 103 via the relay conductor portion 111.
  • the AC terminal 108 is provided near the second power semiconductor element 113 and connected to the second conductor portion 101.
  • the AC terminal 108 is a terminal of the middle point portion (intermediate electrode) of the inverter circuit.
  • the upper arm signal connection terminal 109U is connected to the signal electrode of the first power semiconductor element 112 via a wire (not shown) of aluminum (Al) or gold (Au).
  • the lower arm signal connection terminal 109L is connected to the signal electrode of the second power semiconductor element 113 via a wire (not shown) of aluminum (Al) or gold (Au).
  • the first intermediate conductor portion 110 extends from the third conductor portion 102 and is connected to the second conductor portion 101 via the conductive bonding material 116.
  • the relay conductor portion 111 extends from the fourth conductor portion 103 and is connected to the first negative electrode terminal 106 and the second negative electrode terminal 107 via the conductive bonding material 116.
  • the first power semiconductor device 112 is a semiconductor device having a collector electrode on one side and an emitter and a gate electrode on the other side.
  • the second power semiconductor device 113 is a semiconductor device having a collector electrode on one side and an emitter and a gate electrode on the other side.
  • the anode electrode of the first diode 114 is connected to the first conductor portion 100, and the first diode 114 is disposed at a position far from the positive electrode terminal and the negative electrode terminal.
  • the first diode 114 is electrically connected in parallel to the first power semiconductor device 112.
  • the cathode electrode of the second diode 115 is connected to the second conductor portion 101, and the second diode 115 is disposed at a position far from the positive electrode terminal and the negative electrode terminal.
  • the second diode 115 is electrically connected in parallel to the second power semiconductor device 113.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the third conductor portion 102 seen from the direction of the arrow in the plane passing AA of FIG.
  • the convex portion 117 is connected to the first power semiconductor element 112 and the first diode 114 via the conductive convenient material 116.
  • the convex portion 117 is formed by pressing a part of the third conductor portion 102.
  • the first recessed portion 120 and the second recessed portion 121 are molded by pressing a part of the third conductor portion 102. At this time, the first recess 120 and the second recess 121 are provided so as to leave the protrusion 119 protruding from the bottom of the recess.
  • the protrusion 119 has a role of efficiently releasing the heat generated by the first power semiconductor element 112 and the first diode 114 to the heat radiation fin 201.
  • FIG. 4A is a front view of the third conductor portion 102 before the formation of the convex portion 117 in the upper view, and a lower view is a cross-sectional view of the third conductor portion 102 seen from the arrow direction of the plane passing DD .
  • the third conductor portion 102 before molding is formed of a single plate, and the first intermediate conductor portion 110 is integrally provided.
  • FIG. 4B is a cross-sectional view of the state where the third conductor portion 102 before formation is disposed in the press.
  • the first press jig 300A contacts the upper surfaces of the first press unit 300B, the second press unit 300C, the third press unit 300D, and the fourth press unit 300E, which function as press units.
  • the first fixing jig 300F forms a through hole for allowing the first press unit 300B and the second press unit 300C to pass through, contacts the lower surface of the third press unit 300D and the fourth press unit 300E, and the third conductor unit Contact with the top surface of 102. Thereby, the upper surface of the third conductor portion 102 or the like on the side to be pressed is prevented from flowing.
  • the second fixing jig 300G fixes the side surface of the third conductor portion 102 and the like and also fixes the surface on which the convex portion 117 is not formed.
  • the second fixing jig 300 ⁇ / b> G functions as a receiving jig in which the third conductor portion 102 and the like flow and the convex portion 117 can be molded.
  • FIG. 4C is a cross-sectional view of the state where the third conductor portion 102 in the first pressing step is disposed in the press.
  • the protrusion 118 is formed to face the protrusion 119.
  • the raised portion 118 may cause a depression on the top surface of the protruding portion 117 during plastic flow. When a depression is formed on the top surface of the convex portion 117, the conductive bonding material and the sealing resin enter the depression to reduce the heat radiation performance.
  • the generation of the raised portion 118 can suppress the decrease in heat radiation performance by suppressing the insufficient plastic flow.
  • FIG. 4D is a cross-sectional view of the third conductor portion 102 immediately before the second pressing step.
  • the fifth press portion 301 presses the raised portion 118 to form the top surface of the convex portion 117.
  • the third fixing jig 302 is a receiving surface of the press by the fifth pressing unit 301, and contacts the surface of the third conductor 102 and the like opposite to the surface on which the semiconductor element and the diode are mounted and the protrusion 119.
  • FIG. 4E is a front view of the third conductor portion 102 after the formation of the convex portion 117 in the upper view, and a lower view is a cross-sectional view of the third conductor portion 102 viewed from the arrow direction of the plane passing through the FF.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the circuit body 150 viewed from the arrow direction in the plane passing through BB in FIG.
  • the third conductor portion 102 has a first area 141 that protrudes from the second surface 132 and is recessed from the first surface 131, and a bottom surface of the first recess 120 and the bottom surface of the second recess 121 of the first region 141. And a protruding second region 142.
  • the power semiconductor element 112 When viewed from the direction perpendicular to the electrode surface of the power semiconductor element 112, the power semiconductor element 112 overlaps with both the first region 141 and the second region 142. Furthermore, the power semiconductor element 112 is connected to the first region 141 and the second region 142 via the conductive bonding material 116 such as a solder material.
  • the first intermediate conductor portion 110 is provided with a first region 110A, a second region 110B, and a third region 110C.
  • the first region 110A forms a flush surface with the heat dissipation surface of the third conductor portion 102, and functions as a heat dissipation surface. Thereby, the area of the heat dissipation surface can be expanded, and the heat dissipation is improved.
  • the third region 110C is formed so as to have an area in which the entire circumferential fillet can be formed in order to stabilize the bondability of the conductive bonding material 116 in the connection to the second conductor portion 101.
  • the area of the second area 110B is smaller than the area of each of the first area 110A and the third area 110C. For example, pressing more than half of the plate thickness reduces the accuracy and strength after pressing. In addition, the cross-sectional area through which current flows is reduced and the main circuit inductance is also increased.
  • the first intermediate conductor portion is pressed in multiple stages so that the first region 110A, the second region 110B, and the third region 110C are formed in order to suppress a decrease in accuracy after pressing and an increase in main circuit inductance. Mold 110.
  • the first intermediate conductor portion 110 of the third conductor portion 102 is connected to the second conductor portion 101 via the conductive bonding material 116.
  • the second intermediate conductor portion 111 is configured to provide the first region, the second region, and the third region in the second intermediate conductor portion 111.
  • FIG. 4F is a cross-sectional view showing a first step of the process of forming the first intermediate conductor portion 110 shown in FIG. 4E.
  • the sixth press portion 303A is a press portion for molding the second region 110B of the first intermediate conductor portion 110.
  • the first molding jig 304A is a receiving jig for molding the second region 110B.
  • the intermediate member 110D of the first intermediate conductor portion 110 is formed.
  • FIG. 4G is a cross-sectional view showing a second stage of the step of forming the first intermediate conductor portion 110 shown in FIG. 4E.
  • the seventh press portion 303B is a press portion for molding the third region 110C of the first intermediate conductor portion 110.
  • the second molding jig 304B is a receiving jig for molding the third region 110C.
  • FIG. 5A is an overall perspective view of the circuit body 150 after over-molding the sealing resin 122A.
  • the sealing resin 122A seals the third conductor portion 102 and the fourth conductor portion 103 shown in FIG. 2 so as to be overmolded. That is, the sealing resin 122A is filled in the first recess 120 and the second recess 121 shown in FIG. 4C.
  • the sealing resin 122A includes the first positive electrode terminal 104, the second positive electrode terminal 105, the second negative electrode terminal 106, the second negative electrode terminal 107, the alternating current terminal 108, the upper arm signal connection terminal 109U, and the lower arm signal connection terminal 109L. Seal a part of the
  • FIG. 5B is a whole perspective view of the circuit body 150 after grinding a part of the sealing resin 122A.
  • each of the sealing resin 122A, the third conductor portion 102, and the fourth conductor portion 103 is ground. Thereby, the third conductor portion 102, the fourth conductor portion 103, and the sealing resin 122B are exposed.
  • the sealing resin 122B seals the recessed portions of the third conductor portion 102 and the fourth conductor portion 103, and is flush with the exposed third conductor portion 102 and the exposed conductor portion 103 surface.
  • the insulating member 200 shown in FIG. 1 is disposed so as to cover the exposed first conductor portion 100, second conductor portion 101, third conductor portion 102 and fourth conductor portion 103.
  • the first recess 120 and the second recess 121 are connected to the insulating member 200 via the sealing resin 122B.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the circuit body 150 to which the heat radiation fins 201 and the insulating member 200 are connected, viewed from the direction of the arrow in the plane passing GG in FIG. 5B.
  • the heat radiation direction 400 indicates the flow of heat radiation of the generated power semiconductor element 113 or the like.
  • the high density portion 401 is formed by pressing the raised portion 118 as shown in FIG. 4D, and is higher in density than the other portion of the fourth conductor portion 103.
  • the high density portion 401 has a smaller thermal resistance than the other portions of the fourth conductor portion 103.
  • the high density portion 401 is formed at a position facing the protrusion 119. As a result, the amount of heat generated by the power semiconductor element 113 and the like is dissipated to the facing protrusion 119 as in the heat dissipation direction 400.
  • FIG. 8 is a cross-sectional photograph of the periphery of the first recess 120 and the second recess 121 in FIG. 4C.
  • the third conductor portion 102 is formed by the pressing step according to the present embodiment as shown in FIG. 4C, the bottom end portion of the first recess portion 120 or the second recess portion 121 to which a large press load is applied The plastic fluidity 500 can be confirmed.
  • first conductor portion 101 second conductor portion 102: third conductor portion 103: fourth conductor portion 104: first positive electrode terminal 105: second positive electrode terminal 106: first negative electrode terminal 107 ... second negative terminal, 108 ... AC terminal, 109U ... upper arm signal connecting terminals, 109L ... signal connecting terminals for the lower arm, 110 ... first intermediate conductor unit, 110A ... first region, 110B ... second region, 110C ...
  • Third region 110D intermediate member 111 relay conductor portion 112 first power semiconductor element 113 second power semiconductor element 114 first diode 115 second diode 116 conductive bonding material , 117: convex portion, 118: protruding portion, 119: protruding portion, 120: first concave portion, 121: second concave portion, 122B: resin sealing, 131: first surface, 132: second surface, 141: First area, 1 2 ... 2nd area, 150 ... circuit body, 200 ... insulation member, 201 ... radiation fin, 202 ... module case, 300A ... 1st press jig, 300B ... 1st press part, 300C ... 2nd press part, 300D ...
  • 300 E fourth press part
  • 300 F first fixed jig
  • 300 G second fixed jig
  • 301 fifth press part
  • 302 third fixed jig
  • 303 A sixth press part
  • 303 B seventh Press part
  • 304A first molding jig
  • 304B second molding jig
  • 400 heat radiation direction
  • 401 high density part
  • 500 plastic flowability

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Abstract

本発明の課題は、パワー半導体装置の放熱性能の低下を抑制しながら生産性を向上させることである。　本発明に係るパワー半導体装置の製造方法は、第１面及び当該第１面とは反対側に設けられる第２面を有する導電部材と、接合材を介して前記導電部材と接続されるパワー半導体素子と、を備えるパワー半導体装置の製造方法であって、前記第１面の一部を押圧して当該第１面と面一となる部分を残して凹部を形成させ、前記第２面に凸部を形成させるように当該導体部材をプレスさせる第１工程と、前記パワー半導体素子を前記凸部の頂面であって前記第１面の前記凹部及び当該凹部が形成されていない部分と対向するように配置し、前記接合材を介して当該凸部と前記パワー半導体素子を接続する第２工程と、前記少なくとも前記凹部に封止材を充填する第３工程と、を備える。

Description

パワー半導体装置及びその製造方法
　本発明は、パワー半導体装置及びその製造方法に係り、特に特にハイブリッド自動車や電気自動車に関するパワー半導体装置及びその製造方法に係る。
　パワー半導体素子を用いたパワー半導体装置は、大電力化の傾向が進むとともに短期間の大量生産が求められるようになっている。特にハイブリッド自動車や電気自動車に用いられるパワー半導体装置は、大電力化が進み、その電力損失に発熱により高い放熱性が求められている。また、モジュール化されたパワー半導体装置は、低コストで大量生産させることが求められている。
　特許文献１のパワー半導体装置は、引き抜き材（異形条）により形成された凸部を設けた導体（リードフレーム）を有し、この導体の凸部は導電性接合材を介してパワー半導体素子と接続される。
特開２０１２－７４６４８号公報
　本発明の課題は、放熱性能の低下を抑制しながら生産性を向上させることである。
　本発明に係るパワー半導体装置の製造方法は、第１面及び当該第１面とは反対側に設けられる第２面を有する導電部材と、接合材を介して前記導電部材と接続されるパワー半導体素子と、を備えるパワー半導体装置の製造方法であって、前記第１面の一部を押圧して当該第１面と面一となる部分を残して凹部を形成させ、前記第２面に凸部を形成させるように当該導体部材をプレスさせる第１工程と、前記パワー半導体素子を前記凸部の頂面であって前記第１面の前記凹部及び当該凹部が形成されていない部分と対向するように配置し、前記接合材を介して当該凸部と前記パワー半導体素子を接続する第２工程と、前記少なくとも前記凹部に封止材を充填する第３工程と、を備える。
　本発明により、放熱性能の低下を抑制しながら生産性を向上させることができる。
本実施形態に係るパワー半導体装置の展開斜視図である。 封止樹脂１２２Ａを除いた回路体１２０の展開斜視図である。 図２のＡＡを通る平面の矢印方向から見た第３導体部１０２の断面図である。 上図は凸部１１７の形成前の第３導体部１０２の正面図であり、下図はＤＤを通る平面の矢印方向から見た第３導体部１０２の断面図である。 形成前の第３導体部１０２をプレス機に配置された状態の断面図である。 第１プレス工程中における第３導体部１０２をプレス機に配置された状態の断面図である。 第２プレス工程直前における第３導体部１０２の断面図である。 上図は凸部１１７の形成後の第３導体部１０２の正面図であり、下図はＦＦを通る平面の矢印方向から見た第３導体部１０２の断面図である。 図４（ｅ）に示された第１中間導体部１１０の形成工程の第１段階を示す断面図である。 図４（ｅ）に示された第１中間導体部１１０の形成工程の第２段階を示す断面図である。 回路体１５０に封止樹脂１２２Ａをオーバーモールドした後の全体斜視図である。 封止樹脂１２２Ａの一部を研削後した後の回路体１５０の全体斜視図である。 放熱用フィン２０１及び絶縁部材２００が接続された回路体１５０において、図５（ｂ）のＧＧを通る平面の矢印方向から見た断面図である。 図２のＢＢを通る平面の矢印方向から見た回路体１５０の断面図である。 図４（ｃ）の第１凹み部１２０や第２凹み部１２１の周辺の断面写真である。
　以下、図面を参照して、本発明に係る電力変換装置の実施の形態について説明する。なお、各図において同一要素については同一の符号を記し、重複する説明は省略する。本発明は以下の実施形態に限定されることなく、本発明の技術的な概念の中で種々の変形例や応用例をもその範囲に含むものである。
　図１は、本実施形態に係るパワー半導体装置の展開斜視図である。図２は、封止樹脂１２２Ａを除いた回路体１２０の展開斜視図である。
　パワー半導体装置は、回路体１５０と、回路体１５０を挟む絶縁部材２００と、回路体１５０を挟む絶縁部材２００を収納するモジュールケース２０２とに、より構成される。
　第３導体部１０２は、封止樹脂１２２Ａにより封止される。第３導体部１０２の一部は、パワー半導体素子及びダイオードと接続している面との反対面は露出する。
　第４導体部１０３は、封止樹脂１２２Ａにより封止される。第４導体部１０３の一部は、パワー半導体素子及びダイオードと接続している面との反対面は露出する。
　また封止樹脂１２２Ａは、第１正極端子１０４と、第２正極端子１０５と、第１負極端子１０６と第２と、負極端子１０７と、交流端子１０８と、上アーム用信号接続端子１０９Ｕと、下アーム用信号接続端子１０９Ｌ、のそれぞれの一部を封止する。
　封止樹脂１２２Ｂは、図２に示される第３導体部１０２と第４導体部１０３の凹ませた部分を封止する。封止樹脂１２２Ｂの露出面は、露出した第３導体部１０２と露出した第４導体部１０３面と同一面になる。
　絶縁部材２００は、露出した第１導体部１００と第２導体部１０１と第３導体部１０２と導体部１０３を覆うように配置される。また絶縁部材２００は、モジュールケース２０２の内壁に接触して、モジュールケース２０２と回路体１５０との間に狭持される。
　モジュールケース２０２は、冷媒中に配置される冷却容器であって、放熱用フィン２０１が設けられている。放熱用フィン２０１は、マトリクス状に配列されて形成される。モジュールケース２０２は、パワー半導体素子で発生する発熱を効率的に伝達させる役割があるため、銅やアルミなど、熱伝導率が大きく、電気抵抗が小さい材料を用いる。
　図２に示されるように、第１導体部１００は、第１パワー半導体素子１１２のコレクタ電極と第１ダイオード１１４のカソード電極と導電性接合材１１６を介して接合される。
　第２導体部１０１は、第２パワー半導体素子１１３のコレクタ電極と第２ダイオード１１５のカソード電極が導電性接合材１１６で接合される。
　第３導体部１０２は、第１パワー半導体素子１１２のエミッタ電極と第２ダイオード１１４のアノード電極が導電性接合材１１６で接合される。
　第４導体部１０３は、第２パワー半導体素子１１３のエミッタ電極と第２ダイオード１１５のアノード電極が導電性接合材１１６で接合される。
　第１正極端子１０４と第２正極端子１０５は、第１導体部１００と接続される。第１負極端子１０６は、中継導体部１１１を介して第４導体部１０３に接続される。第２負極端子１０７は、中継導体部１１１を介して第４導体部１０３に接続される。
　交流端子１０８は、第２パワー半導体素子１１３の近くに位置に設けられ、第２導体部１０１と接続される。交流端子１０８は、インバータ回路の中点部分（中間電極）の端子である。
　上アーム用信号接続端子１０９Ｕは、アルミ（Ａｌ）または金（Ａｕ）のワイヤ（不図示）を介して第１パワー半導体素子１１２の信号電極と接続される。下アーム用信号接続端子１０９Ｌは、アルミ（Ａｌ）または金（Ａｕ）のワイヤ（不図示）を介して第２パワー半導体素子１１３の信号電極と接続される。
　第１中間導体部１１０は、第３導体部１０２から伸び、導電性接合材１１６を介して第２導体部１０１に接続される。
　中継導体部１１１は、第４導体部１０３から伸び、導電性接合材１１６を介して第１負極端子１０６と第２負極端子１０７に接続される。
　第１パワー半導体素子１１２は、一方の面にコレクタ電極を、他方の面にエミッタ及びゲート電極を有する半導体素子である。第２パワー半導体素子１１３は、一方の面にコレクタ電極を、他方の面にエミッタ及びゲート電極を有する半導体素子である。
　第１ダイオード１１４は、アノード電極が第１導体部１００に接続され、正極端子及び負極端子から遠い位置に配置される。第１ダイオード１１４は、電気的に前記第１パワー半導体素子１１２と並列に接続される。
　第２ダイオード１１５は、カソード電極が第２導体部１０１に接続され、正極端子及び負極端子から遠い位置に配置される。第２ダイオード１１５は、電気的に前記第２パワー半導体素子１１３と並列に接続される。
　図３は、図２のＡＡを通る平面の矢印方向から見た第３導体部１０２の断面図である。
　凸部１１７は、導電性都合材１１６を介して第１パワー半導体素子１１２や第１ダイオード１１４と接続される。　凸部１１７は、第３導体部１０２の一部がプレスされることにより成型される。
　第１凹み部１２０と第２凹み部１２１は、第３導体部１０２の一部がプレスされることにより成型される。この時、第１凹み部１２０と第２凹み部１２１は、凹み部の底面から突出する突起部１１９残すように設けられる。突起部１１９は、第１パワー半導体素子１１２や第１ダイオード１１４で発生した熱を放熱用フィン２０１に効率的に放熱できる役割がある。
　図４（ａ）は、上図は凸部１１７の形成前の第３導体部１０２の正面図であり、下図はＤＤを通る平面の矢印方向から見た第３導体部１０２の断面図である。成型前の第３導体部１０２は、一枚板で構成され、第１中間導体部１１０を一体に設ける、
　図４（ｂ）は、形成前の第３導体部１０２をプレス機に配置された状態の断面図である。
　第１プレスジグ３００Ａは、プレス部として機能する第１プレス部３００Ｂと第２プレス部３００Ｃと第３プレス部３００Ｄと第４プレス部３００Ｅのそれぞれの上面と接触する。
　第１固定ジグ３００Ｆは、第１プレス部３００Ｂと第２プレス部３００Ｃの貫通させるための貫通孔を形成し、第３プレス部３００Ｄと第４プレス部３００Ｅの下面と接触し、第３導体部１０２の上面と接触する。これにより、プレスされる面側の第３導体部１０２等の上面が流動しないようにする。
　第２固定ジグ３００Ｇは、第３導体部１０２等の側面を固定するとともに、凸部１１７を形成させない面を固定する。第２固定ジグ３００Ｇは、第３導体部１０２等が流動して凸部１１７が成型できる受けジグとして機能する。
　図４（ｃ）は、第１プレス工程中における第３導体部１０２をプレス機に配置された状態の断面図である。
　隆起部１１８は、突起部１１９と対向するように形成される。隆起部１１８は、塑性流動する際に凸部１１７の頂面に窪みが生じる懸念がある。凸部１１７の頂面に窪みが生じると、この窪みに導電性接合材や封止樹脂が入り込み放熱性能が低下する。
　そこで隆起部１１８を生成させることにより、塑性流動不足を抑制することで放熱性能の低下を抑制することができる。
　図４（ｄ）は、第２プレス工程直前における第３導体部１０２の断面図である。
　第５プレス部３０１は、隆起部１１８をプレスして凸部１１７の頂面を成型する。第３固定ジグ３０２は、第５プレス部３０１によるプレスの受け面であり、半導体素子及びダイオードが搭載される面とは反対側の第３導体部１０２等の面及び突起部１１９と接触する。
　図４（ｅ）は、上図は凸部１１７の形成後の第３導体部１０２の正面図であり、下図はＦＦを通る平面の矢印方向から見た第３導体部１０２の断面図である。図７は、図２のＢＢを通る平面の矢印方向から見た回路体１５０の断面図である。
　第３導体部１０２は、第２面１３２よりも突出しかつ第１面１３１よりも凹む第１領域１４１と、第１領域１４１の第１凹み部１２０の底面と第２凹み部１２１の底面よりも突出する第２領域１４２と、を有する。
　パワー半導体素子１１２の電極面の直角方向から見たとき、パワー半導体素子１１２は、第１領域１４１及び第２領域１４２の両方と重なっている。さらにパワー半導体素子１１２は、はんだ材等の導電性接合材１１６を介して第１領域１４１及び第２領域１４２と接続される。
　第１中間導体部１１０には、第１領域１１０Ａと第２領域１１０Ｂと第３領域１１０Ｃが設けられる。第１領域１１０Ａは、第３導体部１０２の放熱面と面一を形成して、放熱面として機能する。これにより、放熱面の面積を拡大させることができ、放熱性が向上する。
　また第３領域１１０Ｃは、第２導体部１０１への接続において、導電性接合材１１６の接合性安定化のため全周フィレットが形成できる面積となるように形成される。
　第２領域１１０Ｂの面積は、第１領域１１０Ａと第３領域１１０Ｃのそれぞれの面積よりも小さい。例えば、板厚の半分以上プレスすることは、プレス後の精度や強度が低下する。また、電流が流れる断面積を小さくなり主回路インダクタンスも増加する。
　そこで、プレス後の精度低下の抑制や主回路インダクタンスの増加の抑制のため、第１領域１１０Ａと第２領域１１０Ｂと第３領域１１０Ｃが形成されるように多段でプレスして第１中間導体部１１０を成型する。
　図７に示されるように、第３導体部１０２の第１中間導体部１１０は導電性接合材１１６を介し第２導体部１０１と接続される。第２中間導体部１１１も第１中間導体部１１０と同様に、第２中間導体部１１１に第１領域と第２領域と第３領域を設けるように構成される。
　図４（ｆ）は、図４（ｅ）に示された第１中間導体部１１０の形成工程の第１段階を示す断面図である。
　第６プレス部３０３Ａは、第１中間導体部１１０の第２領域１１０Ｂを成型するためのプレス部である。第１成型ジグ３０４Ａは、第２領域１１０Ｂを成型するための受けジグである。第１段階の工程により、第１中間導体部１１０の中間部材１１０Ｄが形成される。
　図４（ｇ）は、図４（ｅ）に示された第１中間導体部１１０の形成工程の第２段階を示す断面図である。
　第７プレス部３０３Ｂは、第１中間導体部１１０の第３領域１１０Ｃを成型するためのプレス部である。第２成型ジグ３０４Ｂは、第３領域１１０Ｃを成型するための受けジグである。
　図５（ａ）は、封止樹脂１２２Ａをオーバーモールドした後の回路体１５０の全体斜視図である。
　封止樹脂１２２Ａは、図２に示された第３導体部１０２と第４導体部１０３をオーバーモールドとなるように封止する。つまり図４（ｃ）に示された第１凹み部１２０及び第２凹み部１２１には、封止樹脂１２２Ａが充填される。
　また封止樹脂１２２Ａは、第１正極端子１０４と第２正極端子１０５と第２負極端子１０６と第２負極端子１０７と交流端子１０８および上アーム用信号接続端子１０９Ｕと下アーム用信号接続端子１０９Ｌの一部を封止する。
　図５（ｂ）は、封止樹脂１２２Ａの一部を研削後した後の回路体１５０の全体斜視図である。
　封止樹脂１２２Ａと第３導体部１０２と第４導体部１０３のそれぞれの一部が研削される。これにより、第３導体部１０２と第４導体部１０３及び封止樹脂１２２Ｂが露出される。また封止樹脂１２２Ｂは、第３導体部１０２と第４導体部１０３の凹ませた部分を封止し、露出した第３導体部１０２と露出した導体部１０３面と同一面になる。
　図１に示される絶縁部材２００は、露出した第１導体部１００と第２導体部１０１と第３導体部１０２と第４導体部１０３を覆うように配置される。第１凹み部１２０と第２凹み部１２１は、封止樹脂１２２Ｂを介して、絶縁部材２００と接続される。
　図６は、放熱用フィン２０１及び絶縁部材２００が接続された回路体１５０において、図５（ｂ）のＧＧを通る平面の矢印方向から見た断面図である。
　放熱方向４００は、発熱したパワー半導体素子１１３等の放熱の流れを示す。
　高密度箇所４０１は、図４（ｄ）に示されたように隆起部１１８がプレスされることによって形成され、第４導体部１０３の他の部分よりも密度が高くなっている。高密度箇所４０１は、第４導体部１０３の他の部分よりも熱抵抗が小さくなる。
　高密度箇所４０１は、突起部１１９と対向する位置に形成される。これにより、発熱したパワー半導体素子１１３等の熱は放熱方向４００のように対面する突起部１１９への放熱量が大きくなる。
　図８は、図４（ｃ）の第１凹み部１２０や第２凹み部１２１の周辺の断面写真である。
　図４（ｃ）に示されるような本実施形態に係るプレス工程により第３導体部１０２が形成された場合、プレス荷重が大きくかかる第１凹み部１２０や第２凹み部１２１の底面端部には塑性流動性５００が確認できる。
１００…第１導体部、１０１…第２導体部、１０２…第３導体部、１０３…第４導体部、１０４…第１正極端子、１０５…第２正極端子、１０６…第１負極端子、１０７…第２負極端子、１０８…交流端子、１０９Ｕ…上アーム用信号接続端子、１０９Ｌ…下アーム用信号接続端子、１１０…第１中間導体部、１１０Ａ…第１領域、１１０Ｂ…第２領域、１１０Ｃ…第３領域、１１０Ｄ…中間部材、１１１…中継導体部、１１２…第１パワー半導体素子、１１３…第２パワー半導体素子、１１４…第１ダイオード、１１５…第２ダイオード、１１６…導電性接合材、１１７…凸部、１１８…隆起部、１１９…突起部、１２０…第１凹み部、１２１…第２凹み部、１２２Ｂ…樹脂封止、１３１…第１面、１３２…第２面、１４１…第１領域、１４２…第２領域、１５０…回路体、２００…絶縁部材、２０１…放熱用フィン、２０２…モジュールケース、３００Ａ…第１プレスジグ、３００Ｂ…第１プレス部、３００Ｃ…第２プレス部、３００Ｄ…第３プレス部、３００Ｅ…第４プレス部、３００Ｆ…第１固定ジグ、３００Ｇ…第２固定ジグ、３０１…第５プレス部、３０２…第３固定ジグ、３０３Ａ…第６プレス部、３０３Ｂ…第７プレス部、３０４Ａ…第１成型ジグ、３０４Ｂ…第２成型ジグ、４００…放熱方向、４０１…高密度箇所、５００…塑性流動性

Claims (10)

  1. 　第１面及び当該第１面とは反対側に設けられる第２面を有する導電部材と、接合材を介して前記導電部材と接続されるパワー半導体素子と、を備えるパワー半導体装置の製造方法であって、
    　前記第１面の一部を押圧して当該第１面と面一となる部分を残して凹部を形成させ、前記第２面に凸部を形成させるように当該導体部材をプレスさせる第１工程と、
    　前記パワー半導体素子を前記凸部の頂面であって前記第１面の前記凹部及び当該凹部が形成されていない部分と対向するように配置し、前記接合材を介して当該凸部と前記パワー半導体素子を接続する第２工程と、
    　前記少なくとも前記凹部に封止材を充填する第３工程と、を備えるパワー半導体装置の製造方法。
  2. 　請求項１に記載されたパワー半導体装置の製造方法であって、
    　前記第１工程は、前記導電部材を塑性流動させた後に前記凸部の頂面に形成された突起部の高さを低くする工程を含むパワー半導体装置の製造方法。
  3. 　請求項２に記載されたパワー半導体装置の製造方法であって、
    　前記凸部の頂面に形成された前記突起部の高さをプレス工程により低くするパワー半導体装置の製造方法。
  4. 　請求項１ないし３に記載されたいずれかのパワー半導体装置の製造方法であって、
    　前記第３工程は、前記導電部材の前記第１面に前記封止材を覆わせ、かつ前記凹部内の前記封止材を残すように当該封止材を除去するパワー半導体装置の製造方法。
  5. 　請求項２に記載されたパワー半導体装置の製造方法であって、
    　前記第１工程において、
    　前記第１面側の前記凹部が第１凹部と第２凹部が形成され、かつ、前記突起部が前記第１凹部と前記第２凹部の間の空間と対向するように形成されるパワー半導体装置の製造方法。
  6. 　請求項１ないし５に記載されたいずれかのパワー半導体装置の製造方法であって、
    　前記第１工程において、
    　前記導電部材の縁部から伸びる端子をプレス加工により形成する工程を含むパワー半導体装置の製造方法。
  7. 　請求項６に記載されたパワー半導体装置の製造方法であって、
    　前記導電部材は、インバータ回路の上アーム回路を構成するパワー半導体素子を挟む第１導体部材及び第３導体部材と、当該インバータ回路の下アーム回路を構成するパワー半導体素子を挟む第２導体部材及び第４導体部材と、　
    　前記第３導体部材は、前記端子を形成し、
    　前記端子は、前記第２導体部材の一部と対向しかつ当該第２導体部材と接続されるパワー半導体装置の製造方法。
  8. 　請求項７に記載されたパワー半導体装置の製造方法であって、
    　前記端子は、前記第２面と面一で形成される非プレス面と、当該非プレス面とは高さが異なりかつプレスにより形成されるプレス面と、を形成し、
    　前記非プレス面は、前記プレス面よりも大きいパワー半導体装置の製造方法。
  9. 　請求項６に記載されたパワー半導体装置の製造方法であって、
    　前記端子は、前記パワー半導体素子に流れる電流を伝達する主端子を形成するパワー半導体装置の製造方法。
  10. 　パワー半導体素子と、
    　第１面及び当該第１面とは反対側に設けられる第２面を有する導体部と、
    　前記パワー半導体素子と前記導体部を接続する半田材と、
    　前記導体部を封止する封止材と、を備え、
    　前記導体部は、前記第２面よりも突出しかつ前記第１面よりも凹む第１領域と、当該第１領域の前記凹みの底面よりも突出する第２領域と、を有し、
    　前記パワー半導体素子の電極面の直角方向から見たとき、前記パワー半導体素子は、前記第１領域及び前記第２領域の両方と重なっており、
    　前記パワー半導体素子は、前記はんだを介して前記第１領域及び前記第２領域と接続され、
    　前記封止材の一部は、前記第１領域の凹部に充填されるパワー半導体装置。
    　
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114628347B (zh) * 2022-05-16 2022-07-22 山东中清智能科技股份有限公司 一种半导体封装结构及其制备方法
KR102661400B1 (ko) 2022-11-29 2024-04-26 주식회사 엠디엠 열전 플레이트 및 이를 포함하는 반도체 패키지

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005012163A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Denso Corp 半導体装置
JP2007006575A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Denso Corp 三相インバータ装置
JP2013027203A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Hitachi Automotive Systems Ltd 電力変換装置
JP2013059790A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Hitachi Automotive Systems Ltd 金属板の接合構造および金属板の接合方法
JP2013219194A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Sansha Electric Mfg Co Ltd 半導体装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3176028B2 (ja) * 1995-10-13 2001-06-11 松下電工株式会社 フリップチップ実装方法及びフリップチップ実装構造
JP3351324B2 (ja) * 1997-11-28 2002-11-25 松下電器産業株式会社 バンプ付電子部品の製造方法
US6208020B1 (en) 1999-02-24 2001-03-27 Matsushita Electronics Corporation Leadframe for use in manufacturing a resin-molded semiconductor device
JP3466145B2 (ja) * 2000-09-29 2003-11-10 沖電気工業株式会社 半導体装置とその製造方法
US6828661B2 (en) * 2001-06-27 2004-12-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lead frame and a resin-sealed semiconductor device exhibiting improved resin balance, and a method for manufacturing the same
JP2003204027A (ja) 2002-01-09 2003-07-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法、樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2006318996A (ja) * 2005-05-10 2006-11-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレームおよび樹脂封止型半導体装置
US8174096B2 (en) * 2006-08-25 2012-05-08 Asm Assembly Materials Ltd. Stamped leadframe and method of manufacture thereof
JP5427745B2 (ja) 2010-09-30 2014-02-26 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワー半導体モジュール及びその製造方法
KR101574135B1 (ko) * 2013-10-10 2015-12-03 (주)포인트엔지니어링 칩 실장 방법 및 칩 패키지
CN111066142B (zh) * 2017-08-25 2023-08-25 三菱电机株式会社 功率半导体装置及功率半导体装置的制造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005012163A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Denso Corp 半導体装置
JP2007006575A (ja) * 2005-06-22 2007-01-11 Denso Corp 三相インバータ装置
JP2013027203A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Hitachi Automotive Systems Ltd 電力変換装置
JP2013059790A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Hitachi Automotive Systems Ltd 金属板の接合構造および金属板の接合方法
JP2013219194A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Sansha Electric Mfg Co Ltd 半導体装置

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