WO2018211775A1 - 検査システムおよび検査システムにおける温度測定方法 - Google Patents

検査システムおよび検査システムにおける温度測定方法 Download PDF

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望月 純
禎人 山▲崎▼
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an inspection system for inspecting electrical characteristics of a device formed on a substrate such as a semiconductor wafer and a temperature measurement method in the inspection system.
  • a probe card having a probe needle to be brought into contact with a semiconductor device formed on the wafer is arranged opposite to a stage (chuck top) for sucking and holding the wafer, and the stage is placed on the probe card.
  • a device is known in which each contact probe of a probe card is brought into contact with an electrode of a device by pressing the upper wafer to inspect electrical characteristics (for example, Patent Document 1).
  • the temperature and temperature distribution of the wafer are important. For this reason, the temperature of the stage surface is measured with a contact-type or non-contact-type thermometer before the inspection is started.
  • the temperature of the stage surface is measured with a contact or non-contact type thermometer, it must be performed with the apparatus stopped, resulting in a decrease in throughput. Further, since the actual wafer temperature is not measured, the measurement accuracy is not necessarily high.
  • Patent Document 3 is highly accurate because it is directly attached to a temperature measurement object by an inspection apparatus having a means for detecting temperature. However, even if this technique is applied to device inspection, the apparatus is also stopped. Must be done in state.
  • an object of the present invention is to provide an inspection system capable of grasping the temperature of a substrate to be inspected at the time of inspection without using new equipment with high accuracy online, and a temperature measurement method in the inspection system. There is to do.
  • an inspection apparatus having a stage on which a substrate is placed and inspecting the substrate on the stage, a temperature adjustment mechanism for adjusting the temperature of the stage, and a substrate are accommodated.
  • a temperature measurement member whose state changes depending on the temperature of the surface of the temperature measurement substrate, comprising: a transport device that transports the temperature measurement substrate on the stage; and a camera used for alignment of the substrate on the stage.
  • the temperature measurement board is transferred from the temperature measurement board standby unit to the stage by the transfer device, the temperature measurement member is photographed by the camera, and the temperature is changed from the state change.
  • Inspection system characterized by measuring the temperature of a constant substrate.
  • a stage for placing a substrate an inspection apparatus for inspecting the substrate on the stage, a temperature adjustment mechanism for adjusting the temperature of the stage,
  • a temperature measurement method in an inspection system comprising: a substrate storage unit that stores a substrate; a transport device that transports the substrate stored in the substrate storage unit onto the stage; and a camera used for alignment of the substrate on the stage.
  • the temperature measurement board having a temperature measurement member whose state changes depending on the temperature on the surface, the temperature measurement board being transported to the stage by the transport device at a predetermined timing, and the camera
  • a temperature measurement method in an inspection system comprising photographing the temperature measurement member and measuring the temperature of the temperature measurement substrate from a state change of the temperature measurement member.
  • a plurality of the inspection devices may be provided, and the transport device may transport the substrate and the temperature measurement substrate to a chuck top of each inspection device.
  • the temperature measurement substrate may have the same shape as the substrate.
  • substrate may be formed by the said temperature measurement member being formed on a base material.
  • the material and the thickness of the base material are preferably adjusted so that the temperature measurement substrate has a heat capacity close to that of the substrate, and the base material is the same material as the substrate. Is preferred.
  • the camera can take an image of the temperature measuring part of the temperature measuring member. It is preferable that a plurality of the temperature measuring units exist in the temperature measuring member, and the camera measures the temperature distribution of the temperature measuring substrate by photographing the plurality of temperature measuring units.
  • the temperature measuring member a member whose color changes with temperature can be used.
  • the temperature measuring member may be a temperature indicating material whose color changes reversibly when a certain temperature is reached.
  • the temperature measuring member is formed by laminating a plurality of transparent sheets on which a coloring material that reacts at a predetermined temperature and develops color in a predetermined pattern, with different positions and reaction temperatures of the coloring material.
  • the temperature data can be acquired by recognizing the difference in the position and number of patterns due to the difference in temperature by pattern matching.
  • the temperature measuring member is formed by laminating a plurality of transparent sheets each having a predetermined pattern of a color developing material that reacts at a predetermined temperature to develop a color, and each of the plurality of transparent sheets is laminated.
  • the applied color-developing material is the same material, and the camera acquires temperature data by recognizing the difference in pattern position and number due to the difference in temperature based on the position of the plurality of transparent sheets by pattern matching. can do.
  • the temperature measurement substrate can be transported to the stage of the inspection device by the same transport device as a normal substrate, and the surface temperature of the temperature measurement substrate can be measured by the alignment camera.
  • the temperature of the substrate can be grasped online without stopping.
  • the surface temperature of the temperature measurement substrate simulating the substrate is measured, the temperature of the substrate on the stage can be grasped with high accuracy.
  • the temperature can be measured by the alignment camera originally installed in the system, existing equipment may be used, and the cost is not increased.
  • FIG. 1 It is a horizontal sectional view showing roughly the composition of an example of the inspection system concerning one embodiment of the present invention. It is a longitudinal cross-sectional view by the II-II 'line of the inspection system of FIG. It is a schematic block diagram which shows an inspection apparatus. It is sectional drawing which shows the state in which the temperature measurement wafer was mounted on the chuck
  • FIG. 1 shows a temperature measurement wafer using a temperature measurement member in which a plurality of transparent sheets, each of which has a predetermined pattern (dot) applied with a color forming material 55 that reacts at a predetermined temperature and has a predetermined pattern (dot), are stacked at different positions and reaction temperatures.
  • FIG. 1 is a horizontal sectional view schematically showing a configuration of an example of an inspection system according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along line II-II ′ of FIG.
  • the inspection system 10 has a housing 11, in which the inspection region 12 for inspecting the electrical characteristics of the semiconductor device of the wafer W, the wafer W with respect to the inspection region 12, etc.
  • inspection apparatus rows in which a plurality (six in this example) of inspection apparatuses (probers) 30 are arranged along the X direction are arranged in three stages in the Z direction (up and down direction). Further, an alignment upper camera 16 for recognizing the position of the wafer W and the like corresponding to each inspection apparatus row is provided. The upper camera 16 moves horizontally along the corresponding inspection apparatus row.
  • the loading / unloading area 13 is partitioned into a plurality of ports, and a container for storing a plurality of wafers W, for example, a wafer loading / unloading port 17a for storing a FOUP 41, a loader port for storing a loader 42 for loading and unloading the probe card 23. 17b, a temperature measurement wafer standby port 17c that waits for a temperature measurement wafer (temperature measurement substrate) TW that simulates the wafer W, and a control unit accommodation port 17d that accommodates a control unit 43 that controls the operation of each component of the inspection system 10.
  • a wafer loading / unloading port 17a for storing a FOUP 41
  • a loader port for storing a loader 42 for loading and unloading the probe card 23.
  • 17b a temperature measurement wafer standby port 17c that waits for a temperature measurement wafer (temperature measurement substrate) TW that simulates the wafer W
  • One or more temperature measurement wafers TW may be made to wait in advance in the temperature measurement wafer standby port 17c, or the temperature measurement wafer TW is inserted into the temperature measurement wafer standby port 17c from the outside at the temperature measurement timing. You may make it wait.
  • a transfer device 18 that is movable along the X direction is disposed in the transfer area 14.
  • Three conveying devices 18 are provided corresponding to each inspection device row.
  • the wafer W is received from the FOUP 41 of the wafer carry-in / out port 17a in the carry-in / out region 13 and transferred to each inspection apparatus 30, and the wafer W that has been inspected for the electrical characteristics of the device is transferred from the corresponding inspection apparatus 30 to the wafer carry-in / out port 17a.
  • the transfer device 18 receives the temperature measurement wafer TW from the temperature measurement wafer standby port 17c in the carry-in / out area 13 and transfers it to each inspection device 30.
  • the transfer device 18 waits for the temperature measurement wafer. Transport to port 17c. Further, the transport device 18 transports probe cards requiring maintenance from each inspection device 30 to the loader 42 of the loader port 17b, and transports a new or maintained probe card to each inspection device 30.
  • the control unit 43 includes a main control unit having a CPU (computer) and an input device (keyboard, mouse, etc.) for controlling each component constituting the inspection system 10, for example, each unit of each inspection device 30, the transport device 18, and the like. ), An output device (printer or the like), a display device (display or the like), and a storage device (storage medium).
  • the main control unit of the control unit 43 causes the inspection system 10 to execute a predetermined operation based on, for example, a processing recipe stored in a storage medium built in the storage device or a storage medium set in the storage device.
  • the inspection apparatus 30 has a chuck top (stage) 21 that sucks and supports the wafer W by vacuum suction and controls the temperature of the wafer W, an XY table mechanism, a Z-direction moving mechanism, and a ⁇ -direction.
  • An aligner 22 that moves the chuck top 21 in the X, Y, Z, and ⁇ directions by a moving mechanism (none of which is shown) to position the wafer W at a predetermined position, and a probe that is provided facing the chuck top 21.
  • a test head 27 provided.
  • the tester motherboard 25 and the test head 27 constitute a tester 28.
  • the probe card 23 has a plurality of probes 23 a that are in contact with electrodes of a plurality of devices formed on the wafer W.
  • a large number of pogo pins 26 a for electrically connecting the probe card 23 and the tester motherboard 25 are provided on the upper and lower surfaces of the contact block 26.
  • An electrical signal is sent from a tester module board (not shown) built in the test head 27 to the device on the wafer W via the tester motherboard 25 and the probe 23a of the probe card 23, and from the signal returned to the tester module board. Inspect electrical characteristics.
  • the inspection space between the support plate 24 and the chuck top 21 is sealed with a seal or bellows, and the space is closed.
  • the chuck top 21 may be attracted to the support plate 24 in a reduced pressure state, and in that case, one aligner 22 can be used in common for the plurality of inspection devices 30 in each inspection device row.
  • the aligner 22 is provided with a lower camera (not shown) for recognizing the probe card 23.
  • the wafer W is transferred from the wafer carry-in / out port 17 a by the transfer device 18 to each inspection device 30, an electrical inspection is performed, and the wafer W after the inspection is transferred by the transfer device 18.
  • the operation of returning to the carry-in / out port 17a is performed continuously in parallel.
  • the temperature measurement wafer TW is transferred from the temperature measurement wafer standby port 17c by the transfer device 18 onto the chuck top 21 of the inspection device 30, and the surface temperature of itself is measured as will be described later. .
  • the temperature measurement wafer TW is returned to the temperature measurement wafer standby port 17c by the transfer device 18.
  • the temperature measurement may be performed on the chuck top 21 of the specific inspection device 30 or the temperature measurement on the chuck tops 21 of all the inspection devices 30 may be performed continuously.
  • the temperature of the wafer W on the chuck top 21 can be grasped online.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in which the temperature measurement wafer TW is placed on the chuck top 21.
  • a vacuum suction groove 61 is formed in a circumferential shape on the periphery of the chuck top 21, and an exhaust passage 62 is provided in the vacuum suction groove 61 so as to penetrate the chuck top 21. Then, the temperature measurement wafer TW is adsorbed by evacuation by a vacuum pump (not shown) through the exhaust passage 62. When inspection is performed, the wafer W as the object to be inspected is similarly vacuum-sucked.
  • a temperature control mechanism 63 is provided in the chuck top 21 so that the device can be inspected at a predetermined temperature.
  • a heater is used as the temperature adjustment mechanism 63 in a high temperature inspection up to about 120 ° C.
  • a refrigerant flow mechanism is used as the temperature adjustment mechanism 63 in a low temperature inspection of about ⁇ 40 to ⁇ 20 ° C.
  • the temperature may be adjusted even at room temperature inspection. When the temperature is adjusted in this way, it is important to check the temperature of the wafer W on the chuck top 21 at the time of inspection.
  • the temperature measurement wafer TW is placed on the chuck top 21 and the temperature is measured.
  • the temperature measurement wafer TW of the present embodiment has a plate-like base material 51 and a temperature measurement member 52 whose state changes depending on the temperature formed on the base material 51. By photographing the temperature measuring member 52 with the upper camera 16 for alignment for recognizing the position of the wafer W, the temperature can be measured from the state change.
  • the temperature measurement wafer TW has a disk shape similar to the wafer W.
  • the temperature measurement wafer TW may be approximately the same size as the chuck top 21.
  • the temperature measurement member 52 may be provided on the entire surface of the base material 51, or may be provided only in a temperature measurement portion that actually measures temperature with the upper camera 16.
  • the temperature measuring portion may be provided only at one location, as shown in FIG. 5, the temperature distribution within the wafer surface can be grasped by providing a plurality of temperature measuring portions 53 as shown in FIG. In the example of FIG. 5, the temperature measuring portion 53 has nine places in total including the center and eight peripheral portions. When there are a plurality of temperature measuring portions 53, the upper camera 16 may shoot each temperature measuring portion 53 sequentially to measure the temperature.
  • thermo label As the temperature measuring member 52, a thermo label, a thermo sheet, or a thermo paint using a temperature indicating material whose color changes depending on the temperature, or a color that reversibly changes when a certain temperature is reached (both are NOF Corporation). Can be used. In these cases, it is preferable to use a color camera as the upper camera 16 in order to acquire temperature data by color.
  • a transparent sheet 54 in which a coloring material 55 that reacts at a predetermined temperature and develops color in a predetermined pattern (for example, dots) is used.
  • a plurality of stacked layers can be used at different temperatures.
  • the position of the pattern (dot) of the coloring material 55 of each transparent sheet 54 is varied, and the pattern position and number difference due to the temperature difference are recognized by pattern matching. By doing so, temperature data can be acquired.
  • temperature data can be acquired by the same pattern matching depending on the temperature difference due to the difference in the position of the plurality of transparent sheets 54 in the stacking direction.
  • the upper camera 16 may be a black-and-white camera because it is only necessary to recognize whether or not the color is generated.
  • the material and thickness of the substrate 51 are preferably adjusted so that the temperature measurement wafer TW has a heat capacity close to that of the wafer W. If the temperature measurement member 52 is thin, the heat capacity of the temperature measurement wafer TW is substantially close to the heat capacity of the substrate 51.
  • the material of the substrate 51 is preferably the same as that of the wafer W, typically silicon.
  • the temperature measurement wafer TW is transferred to the chuck top 21 of the inspection apparatus 30 by the transfer apparatus 18 similar to the normal wafer W, and the surface temperature of the temperature measurement wafer TW is measured by the upper camera 16 for alignment. Therefore, the temperature of the wafer W can be grasped online without stopping the apparatus (system). Further, since the surface temperature of the temperature measurement wafer TW that simulates the wafer W is measured, the temperature of the wafer on the chuck top 21 can be grasped with high accuracy. Furthermore, since the temperature can be measured by the upper camera 16 for alignment originally installed in the system, existing equipment may be used and the cost is not increased.
  • the in-plane temperature distribution of the wafer W on the chuck top 21 can also be grasped.
  • the temperature of the wafer W on the chuck top 21 is increased. It can be grasped with accuracy.
  • the present invention is not limited thereto, and the present invention may be applied to an inspection system of a single inspection apparatus.

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Abstract

検査システム(10)は、基板(W)を載置するステージ(21)を有し、ステージ(21)上の基板(W)の検査を行う検査装置(30)と、ステージ(21)の温調を行う温調機構(63)と、基板収容部(17a)と、温度測定基板(TW)を待機させる温度測定基板待機部(17c)と、基板(W)および温度測定基板(TW)をステージ(21)上に搬送する搬送装置(18)と、ステージ(21)上での基板(W)のアライメントに用いるカメラ(16)とを具備する。温度測定基板(TW)は、表面に温度によって状態が変化する温度測定部材(52)を有し、搬送装置(18)により温度測定基板(TW)を前記ステージに搬送し、カメラ(16)により温度測定部材(52)を撮影し、その状態変化から温度測定基板(TW)の温度を測定する。

Description

検査システムおよび検査システムにおける温度測定方法
 本発明は、半導体ウエハ等の基板上に形成されたデバイスの電気的特性を検査する検査システムおよび検査システムにおける温度測定方法に関する。
 半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエハ(以下単にウエハと記す)における全てのプロセスが終了した段階で、ウエハに形成されている複数の半導体デバイス(以下単にデバイスと記す)の電気的検査が行われている。このような検査を行う検査装置としては、ウエハを吸着保持するステージ(チャックトップ)に対向して、ウエハに形成された半導体デバイスに接触させるプローブ針を有するプローブカードを配置し、プローブカードへステージ上のウエハを押圧させることにより、プローブカードの各コンタクトプローブをデバイスの電極と接触させて電気的特性を検査するものが知られている(例えば特許文献1)。
 一方、近時、多数の半導体ウエハに対して、高速で検査を行うことが求められており、複数の検査装置と、複数のウエハを収納する収納容器と、収納容器から各検査装置にウエハを搬送する搬送装置とを備えた検査システムが提案されている(例えば特許文献2)。
 ところで、このような検査装置や検査システムにおいては、特に高温検査や低温検査を行う場合、ウエハの温度や温度分布が重要である。このため、検査を開始する前等にステージ表面の温度を接触型あるいは非接触型の温度計で測定している。
 また、デバイスの検査を行う装置の例ではないが、特許文献3には、太陽電池モジュールの検査装置として、太陽電池モジュールを遮蔽する手段と、遮蔽した状態で太陽電池モジュールの温度を検知する手段とを有するものが開示されており、温度を検知する手段として、感熱紙や温度変化によって変色する塗料を塗布したラベル等を用いたることが記載されている。
特開2004-140241号公報 特開2013-254812号公報 特開2001-24204号公報
 しかしながら、ステージ表面の温度を接触型あるいは非接触型の温度計で測定する場合は、装置を止めた状態で行わなければならず、スループットが低下してしまう。また、実際のウエハの温度を測定するものでないため、必ずしも測定精度が高くない。
 また、特許文献3の技術では、温度を検知する手段を有する検査装置により直接測温対象に装着するので高精度であるが、この技術をデバイスの検査に適用しようとしても、やはり装置を止めた状態で行わなければならない。
 検査システムに赤外線カメラを搭載することにより、装置を止めずにオンラインの温度測定は可能になるが、新しい装置設計が必要となり、コストが高くなってしまう。
 したがって、本発明の目的は、オンラインでかつ高精度で、かつ新たな設備を用いることなく、検査の際の被検査基板の温度を把握することができる検査システムおよび検査システムにおける温度測定方法を提供することにある。
 本発明の第1の観点によれば、基板を載置するステージを有し、前記ステージ上の基板の検査を行う検査装置と、前記ステージの温調を行う温調機構と、基板を収容する基板収容部と、前記ステージ上に載置されて温度を測定するための温度測定基板を待機させる温度測定基板待機部と、前記基板収容部に収容された基板および前記温度測定基板待機部で待機している温度測定基板を前記ステージ上に搬送する搬送装置と、前記ステージ上での基板のアライメントに用いるカメラとを具備し、前記温度測定基板は、表面に温度によって状態が変化する温度測定部材を有し、前記搬送装置により前記温度測定基板を前記温度測定基板待機部から前記ステージに搬送し、前記カメラにより前記温度測定部材を撮影し、その状態変化から前記温度測定基板の温度を測定することを特徴とする検査システムが提供される。
 本発明の第2の観点によれば、基板を載置するステージを有し、前記ステージ上の基板の検査を行う検査装置と、前記ステージの温調を行う温調機構と、
 基板を収容する基板収容部と、前記基板収容部に収容された基板を前記ステージ上に搬送する搬送装置と、前記ステージ上での基板のアライメントに用いるカメラとを具備する検査システムにおける温度測定方法であって、表面に温度によって状態が変化する温度測定部材を有する温度測定基板を待機させることと、所定のタイミングで前記搬送装置により前記温度測定基板を前記ステージに搬送することと、前記カメラにより前記温度測定部材を撮影し、前記温度測定部材の状態変化から前記温度測定基板の温度を測定することとを有することを特徴とする検査システムにおける温度測定方法が提供される。
 上記第1および第2の観点において、前記検査装置を複数有し、前記搬送装置は、前記基板および前記温度測定基板を各検査装置のチャックトップに搬送するようにしてもよい。
 前記温度測定基板は、前記基板と同様の形状を有するものであってよい。また、前記温度測定基板は、前記温度測定部材が基材上に形成されてなるものであってよい。この場合に、前記基材は、前記温度測定基板が前記基板に近い熱容量となるように、その材質および厚さが調整されることが好ましく、前記基材は、前記基板と同じ材質であることが好ましい。
 前記カメラは、前記温度測定部材の測温部を撮影するものとすることができる。前記測温部は前記温度測定部材に複数存在し、前記カメラが前記複数の測温部を撮影することにより、前記温度測定基板の温度分布を測定することが好ましい。
 前記温度測定部材は、温度によって色が変化するものを用いることができる。また、前記温度測定部材は、ある温度に達すると色が可逆的に変化する示温材を用いたものとすることができる。
 前記温度測定部材は、所定の温度で反応して発色する発色物質を所定パターンで施した透明シートを、前記発色物質の位置および反応温度を異ならせて複数積層したものであり、前記カメラにより、温度の違いによるパターンの位置や数の違いをパターンマッチングで認識することにより温度データを取得するものとすることができる。
 前記温度測定部材は、所定の温度で反応して発色する発色物質を所定パターンで施した透明シートを、前記発色物質の位置を異ならせて複数積層したものであり、前記複数の透明シートにそれぞれ施された発色物質は同じ物質であり、前記カメラにより、前記複数の透明シートの位置に基づく温度の違いによるパターンの位置や数の違いをパターンマッチングで認識することにより温度データを取得するものとすることができる。
 本発明によれば、温度測定基板を、通常の基板と同様の搬送装置で検査装置のステージに搬送して、アライメント用のカメラにより温度測定基板の表面温度を測定することができるので、システムを止めることなくオンラインで基板の温度を把握することができる。また、基板を模擬した温度測定基板の表面温度を測定するので、ステージ上の基板の温度を高精度で把握することができる。さらに、元々システムに搭載されているアライメント用のカメラにより温度測定を行うことができるので、既存の設備でよく、コストを上昇させることがない。
本発明の一実施形態に係る検査システムの一例の構成を概略的に示す水平断面図である。 図1の検査システムのII-II′線による縦断面図である。 検査装置を示す概略構成図である。 温度測定ウエハがチャックトップ上に載置された状態を示す断面図である。 温度測定部材に複数の測温部分が存在する状態を示す図である。 所定の温度で反応して発色する発色物質55を所定パターン(ドット)で施した透明シートを、発色物質の位置および反応温度を異ならせて複数積層した温度測定部材を用いた温度測定ウエハを示す断面図である。 所定の温度で反応して発色する発色物質55を所定パターン(ドット)で施した透明シートを、発色物質の位置および反応温度を異ならせて複数積層した温度測定部材の一例を示す平面図である。
 以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
 <検査システム>
 まず、本発明の一実施形態に係る検査システムの全体構成の一例について説明する。
 図1は、本発明の一実施形態に係る検査システムの一例の構成を概略的に示す水平断面図であり、図2は図1のII-II′線による縦断面図である。
 図1および図2において、検査システム10は筐体11を有し、筐体11内には、ウエハWの半導体デバイスの電気的特性の検査を行う検査領域12と、検査領域12に対するウエハW等の搬出入を行う搬入出領域13と、検査領域12及び搬出入領域13の間に設けられた搬送領域14とを有する。
 検査領域12は、X方向に沿って複数(本例では6つ)の検査装置(プローバ)30が配置された検査装置列がZ方向(上下方向)に3段に配置されている。また、各検査装置列に対応してウエハWの位置等を認識するアライメント用の上カメラ16が設けられている。上カメラ16は、対応する検査装置列に沿って水平に移動する。
 搬入出領域13は複数のポートに区画され、複数のウエハWを収容する容器、例えば、FOUP41を収容するウエハ搬入出ポート17a、プローブカード23が搬入されかつ搬出されるローダ42を収容するローダポート17b、ウエハWを模擬した温度測定ウエハ(温度測定基板)TWを待機させる温度測定ウエハ待機ポート17c、検査システム10の各構成要素の動作を制御する制御部43を収容する制御部収容ポート17dを有する。
 温度測定ウエハ待機ポート17cには、あらかじめ一つまたは複数の温度測定ウエハTWを待機させておいてもよいし、温度測定のタイミングで外部から温度測定ウエハTWを温度測定ウエハ待機ポート17cに挿入して待機させるようにしてもよい。
 搬送領域14にはX方向に沿って移動自在な搬送装置18が配置される。搬送装置18は各検査装置列に対応して3つ設けられている。搬入出領域13のウエハ搬入出ポート17aのFOUP41からウエハWを受け取って各検査装置30へ搬送し、デバイスの電気的特性の検査が終了したウエハWを対応する検査装置30からウエハ搬入出ポート17aのFOUP41へ搬送する。また、搬送装置18は、温度測定を行う際には、搬入出領域13の温度測定ウエハ待機ポート17cから温度測定ウエハTWを受け取って各検査装置30へ搬送し、温度測定後は温度測定ウエハ待機ポート17cへ搬送する。さらに、搬送装置18は各検査装置30からメンテナンスを必要とするプローブカードをローダポート17bのローダ42へ搬送し、また、新規やメンテナンス済みのプローブカードを各検査装置30へ搬送する。
 制御部43は、検査システム10を構成する各構成部、例えば、各検査装置30の各部や搬送装置18等を制御する、CPU(コンピュータ)を有する主制御部と、入力装置(キーボード、マウス等)、出力装置(プリンタ等)、表示装置(ディスプレイ等)、記憶装置(記憶媒体)を有している。制御部43の主制御部は、例えば、記憶装置に内蔵された記憶媒体、または記憶装置にセットされた記憶媒体に記憶された処理レシピに基づいて、検査システム10に所定の動作を実行させる。
 検査装置30は、図3に示すように、ウエハWを真空吸着により吸着支持し、ウエハWの温調を行うチャックトップ(ステージ)21と、X-Yテーブル機構、Z方向移動機構およびθ方向移動機構(いずれも図示せず)によりチャックトップ21をX、Y、Z、θ方向に移動して、ウエハWを所定位置へ位置決めするアライナー22と、チャックトップ21と対向して設けられたプローブカード23と、プローブカード23を支持する支持プレート24、支持プレート24の上に設けられたテスタマザーボード25と、テスタマザーボード25とプローブカード23とを接続するコンタクトブロック26と、テスタマザーボード25の上に設けられたテストヘッド27とを有している。
 テスタマザーボード25とテストヘッド27により、テスタ28が構成される。プローブカード23は、ウエハWに形成された複数のデバイスの電極に接触する複数のプローブ23aを有している。また、コンタクトブロック26の上面および下面には、プローブカード23とテスタマザーボード25とを電気的に接続する多数のポゴピン26aが設けられている。
 そして、テストヘッド27に内蔵されたテスタモジュールボード(図示せず)からテスタマザーボード25、プローブカード23のプローブ23aを介してウエハWのデバイスに電気的信号を送り、テスタモジュールボードに戻った信号から電気特性の検査を行う。
 なお、プローブ23aをウエハWに形成されたデバイスの電極に接触させて検査を行っている際に、支持プレート24とチャックトップ21との間の検査空間をシールやベローズで密閉し、その空間を減圧状態としてチャックトップ21を支持プレート24に吸着させてもよく、その場合は、1つのアライナー22を、各検査装置列の複数の検査装置30に対して共通に用いることができる。また、アライナー22には、プローブカード23を認識するための下カメラ(図示せず)が設けられている。
 このように構成される検査システム10においては、ウエハ搬入出ポート17aから搬送装置18によりウエハWを各検査装置30に搬送し、電気的検査が行われ検査後のウエハWは搬送装置18によりウエハ搬入出ポート17aに戻されるという動作が同時並行的に連続して行われる。
 そして、所定のタイミングで、温度測定ウエハ待機ポート17cから搬送装置18により温度測定ウエハTWを検査装置30のチャックトップ21の上に搬送し、後述するように、それ自体の表面温度が測定される。温度測定後、温度測定ウエハTWは搬送装置18により温度測定ウエハ待機ポート17cに戻される。このとき、特定の検査装置30のチャックトップ21上で温度測定を行ってもよいし、全ての検査装置30のチャックトップ21上での温度測定を連続して行ってもよい。
 このように、適当なタイミングで温度測定ウエハTWにより温度測定することにより、オンラインでチャックトップ21上のウエハWの温度を把握することができる。
 <温度測定ウエハ>
 次に、温度測定ウエハTWについて説明する。
 図4は、温度測定ウエハTWがチャックトップ21上に載置された状態を示す断面図である。
 チャックトップ21の周縁部には、円周状に真空吸着溝61が形成されており、真空吸着溝61にはチャックトップ21を貫通するように排気流路62が設けられている。そして、排気流路62を介して真空ポンプ(図示せず)により真空引きすることにより、温度測定ウエハTWが吸着される。なお、検査を行うときには被検査体であるウエハWが同様に真空吸着される。
 チャックトップ21内には温調機構63が設けられており、所定の温度でデバイスの検査を行えるようになっている。例えば、120℃程度までの高温検査では温調機構63としてヒーターを用い、-40~-20℃程度の低温検査では温調機構63として冷媒通流機構を用いる。常温検査においても温調する場合がある。このように温調する場合は、検査時にチャックトップ21上のウエハWの温度を確認することが重要である。
 そこで、本実施形態では、チャックトップ21上に温度測定ウエハTWを載置してその温度の測定を行う。本実施形態の温度測定ウエハTWは、板状をなす基材51と、基材51上に形成された温度により状態が変化する温度測定部材52とを有する。温度測定部材52を、ウエハWの位置等を認識するアライメント用の上カメラ16で撮影することにより、その状態変化から温度を測定することができる。
 温度測定ウエハTWはウエハWと同様の円板状をなすことが好ましい。温度測定ウエハTWはチャックトップ21とほぼ同じ大きさであってもよい。温度測定部材52は、基材51の全面に設けてもよく、上カメラ16で実際に測温する測温部分のみに設けてもよい。
 測温部分は一箇所のみに設けてもよいが、図5に示すように、測温部分53を複数箇所とすることにより、ウエハ面内での温度分布を把握することができる。図5の例では、測温部分53を中央と周縁部8箇所の合計9箇所としている。測温部分53が複数箇所の場合は、上カメラ16により、各測温部分53を順次撮影して測温すればよい。
 温度測定部材52としては、温度によって色が変化するもの、またはある温度に達すると色が可逆的に変化する示温材を用いたサーモラベルやサーモシート、サーモ塗料(いずれも日油技研工業株式会社の登録商標)等を用いることができる。これらの場合は、色で温度データを取得するため、上カメラ16としてカラーカメラを用いることが好ましい。
 また、温度測定部材52としては、図6に示すように、所定の温度で反応して発色する発色物質55を所定パターン(例えばドット)で施した透明シート54を、発色物質55の位置および反応温度を異ならせて複数積層したものを用いることもできる。例えば、図7に示すように、測温部分53において、各透明シート54の発色物質55のパターン(ドット)の位置を異ならせ、温度の違いによるパターンの位置や数の違いをパターンマッチングで認識することにより温度データを取得することができる。また、同じ物質を施した透明シート54を積層した場合であっても、複数の透明シート54の積層方向の位置の違いによる温度の違いによって、同様のパターンマッチングで温度データを取得することが可能な場合もある。これらの場合は、発色しているか否かを認識すればよいので、上カメラ16は白黒カメラでよい。
 基材51は、温度測定ウエハTWがウエハWに近い熱容量となるように、その材質および厚さが調整されることが好ましい。温度測定部材52が薄いものであれば、温度測定ウエハTWの熱容量は、ほぼ基材51の熱容量に近いものとなる。基材51の材質としてはウエハWと同じもの、典型的にはシリコンであることが好ましい。
 このように、温度測定ウエハTWを、通常のウエハWと同様の搬送装置18で検査装置30のチャックトップ21に搬送して、アライメント用の上カメラ16により温度測定ウエハTWの表面温度を測定することができるので、装置(システム)を止めることなくオンラインでウエハWの温度を把握することができる。また、ウエハWを模擬した温度測定ウエハTWの表面温度を測定するので、チャックトップ21上のウエハの温度を高精度で把握することができる。さらに、元々システムに搭載されているアライメント用の上カメラ16により温度測定を行うことができるので、既存の設備でよく、コストを上昇させることがない。
 また、チャックトップ21上の温度測定ウエハTWに測温部分を複数設けて測温することにより、チャックトップ21上でのウエハWの面内温度分布も把握することができる。
 さらに、温度測定ウエハTWの基材51の材質や厚さを調整して、温度測定ウエハTWの熱容量をウエハWに近いものとすることにより、チャックトップ21上でのウエハWの温度をより高精度で把握することができる。
 <他の適用>
 以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。
 例えば、上記実施形態では、複数の検査装置を有する検査システムに本発明を適用した場合について説明したが、これに限らず、検査装置単体の検査システムに本発明を適用してもよい。
 また、上記実施の形態では、温度測定ウエハとして温度によって色が変化する物質や発色する物質を有する温度測定部材を用いた例を示したが、これに限らず温度により他の状態、例えば形状等が変化するものであってもよい。
 10;検査システム、16;上カメラ、17a;ウエハ搬入出ポート(基板収容部)、17c;温度測定ウエハ待機ポート(温度測定基板待機部)、18;搬送装置、21;チャックトップ、23;プローブカード、23a;プローブ、30;検査装置、51;基材、52;温度測定部材、53;測温部分、54;透明シート、55;発色物質、63;温調機構、TW;温度測定ウエハ(温度測定基板)、W;半導体ウエハ(基板)

Claims (24)

  1.  基板を載置するステージを有し、前記ステージ上の基板の検査を行う検査装置と、
     前記ステージの温調を行う温調機構と、
     基板を収容する基板収容部と、
     前記ステージ上に載置されて温度を測定するための温度測定基板を待機させる温度測定基板待機部と、
     前記基板収容部に収容された基板および前記温度測定基板待機部で待機している温度測定基板を前記ステージ上に搬送する搬送装置と、
     前記ステージ上での基板のアライメントに用いるカメラと
    を具備し、
     前記温度測定基板は、表面に温度によって状態が変化する温度測定部材を有し、
     前記搬送装置により前記温度測定基板を前記温度測定基板待機部から前記ステージに搬送し、前記カメラにより前記温度測定部材を撮影し、その状態変化から前記温度測定基板の温度を測定することを特徴とする検査システム。
  2.  前記検査装置を複数有し、前記搬送装置は、前記基板および前記温度測定基板を各検査装置のチャックトップに搬送することを特徴とする請求項1に記載の検査システム。
  3.  前記温度測定基板は、前記基板と同様の形状を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の検査システム。
  4.  前記温度測定基板は、前記温度測定部材が基材上に形成されてなることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の検査システム。
  5.  前記基材は、前記温度測定基板が前記基板に近い熱容量となるように、その材質および厚さが調整されることを特徴とする請求項4に記載の検査システム。
  6.  前記基材は、前記基板と同じ材質であることを特徴とする請求項5に記載の検査システム。
  7.  前記カメラは、前記温度測定部材の測温部を撮影することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の検査システム。
  8.  前記測温部は前記温度測定部材に複数存在し、前記カメラが前記複数の測温部を撮影することにより、前記温度測定基板の温度分布を測定することを特徴とする請求項7に記載の検査システム。
  9.  前記温度測定部材は、温度によって色が変化するものであることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の検査システム。
  10.  前記温度測定部材は、ある温度に達すると色が可逆的に変化する示温材を用いたものであることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の検査システム。
  11.  前記温度測定部材は、所定の温度で反応して発色する発色物質を所定パターンで施した透明シートを、前記発色物質の位置および反応温度を異ならせて複数積層したものであり、前記カメラにより、温度の違いによるパターンの位置や数の違いをパターンマッチングで認識することにより温度データを取得することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の検査システム。
  12.  前記温度測定部材は、所定の温度で反応して発色する発色物質を所定パターンで施した透明シートを、前記発色物質の位置を異ならせて複数積層したものであり、前記複数の透明シートにそれぞれ施された発色物質は同じ物質であり、前記カメラにより、前記複数の透明シートの位置に基づく温度の違いによるパターンの位置や数の違いをパターンマッチングで認識することにより温度データを取得することを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の検査システム。
  13.  基板を載置するステージを有し、前記ステージ上の基板の検査を行う検査装置と、
     前記ステージの温調を行う温調機構と、
     基板を収容する基板収容部と、
     前記基板収容部に収容された基板を前記ステージ上に搬送する搬送装置と、
     前記ステージ上での基板のアライメントに用いるカメラと
    を具備する検査システムにおける温度測定方法であって、
     表面に温度によって状態が変化する温度測定部材を有する温度測定基板を待機させることと、
     所定のタイミングで前記搬送装置により前記温度測定基板を前記ステージに搬送することと、
     前記カメラにより前記温度測定部材を撮影し、前記温度測定部材の状態変化から前記温度測定基板の温度を測定することと
    を有することを特徴とする検査システムにおける温度測定方法。
  14.  前記検査システムは、前記検査装置を複数有し、前記搬送装置は、前記温度測定基板を各検査装置のチャックトップに搬送して前記温度測定基板の温度を測定することを特徴とする請求項13に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  15.  前記温度測定基板は、前記基板と同様の形状を有することを特徴とする請求項13または請求項14に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  16.  前記温度測定基板は、前記温度測定部材が基材上に形成されてなることを特徴とする請求項13から請求項15のいずれか1項に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  17.  前記基材は、前記温度測定基板が前記基板に近い熱容量となるように、その材質および厚さが調整されることを特徴とする請求項16に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  18.  前記基材は、前記基板と同じ材質であることを特徴とする請求項17に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  19.  前記カメラは、前記温度測定部材の測温部を撮影することを特徴とする請求項13から請求項18のいずれか1項に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  20.  前記測温部は前記温度測定部材に複数存在し、前記カメラが前記複数の測温部を撮影することにより、前記温度測定基板の温度分布を測定することを特徴とする請求項19に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  21.  前記温度測定部材は、温度によって色が変化するものであることを特徴とする請求項13から請求項20のいずれか1項に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  22.  前記温度測定部材は、ある温度に達すると色が可逆的に変化する示温材を用いたものであることを特徴とする請求項13から請求項20のいずれか1項に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  23.  前記温度測定部材は、所定の温度で反応して発色する発色物質を所定パターンで施した透明シートを、前記発色物質の位置および反応温度を異ならせて複数積層したものであり、前記カメラにより、温度の違いによるパターンの位置や数の違いをパターンマッチングで認識することにより温度データを取得することを特徴とする請求項13から請求項20のいずれか1項に記載の検査システムにおける温度測定方法。
  24.  前記温度測定部材は、所定の温度で反応して発色する発色物質を所定パターンで施した透明シートを、前記発色物質の位置を異ならせて複数積層したものであり、前記複数の透明シートにそれぞれ施された発色物質は同じ物質であり、前記カメラにより、前記複数の透明シートの位置に基づく温度の違いによるパターンの位置や数の違いをパターンマッチングで認識することにより温度データを取得することを特徴とする請求項13から請求項20のいずれか1項に記載の検査システムにおける温度測定方法。
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