JP2010027729A - プローブ装置及びそれを用いた半導体ウェハの検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被検査物である半導体ウェハ80の電極パッドに接触するプローブピンを6備えるプローブカード4と、半導体ウェハ80を載置するとともにプローブカード4に対して相対的に移動するステージであって、半導体ウェハ80の載置部2dと、該載置部2dを囲んで設けられ、プローブカード4上でプローブピン6が設けられるプローブエリア7が、相対する半導体ウェハ80の領域からはみ出した際にプローブエリア7と対向する外周部2eが上面2aに設けられたステージ2と、ステージ2上に載置された半導体ウェハ80及び外周部2eの温度を調整する温度調整部3と、が備えられる。
【選択図】図2
Description
図14(a)に示すように、半導体ウェハ200は、通常、円筒形のインゴットから製造された円形とされており、プローブ装置に備えられる円形のステージ100上に載置される。また、図14(b)に示すように、プローブカード110の一面側には、プローブピン120がプローブエリア(針立てエリア)121上に設けられている。
そして、図15(a)に示すようにステージ100を水平方向に移動させ、半導体ウェハ200の検査対象チップとプローブエリア121を対応させた後、図15(b)に示すようにステージ100を垂直移動させ、半導体ウェハ200の図示略の電極パッドにプローブピン120を接触させる。この際、図15(b)に示すように、半導体ウェハ200の周縁部におけるチップを検査する場合、プローブエリア121の少なくとも一部の領域のプローブピン120が、ステージ100の外側にはみ出た状態となる。
係る構成の半導体ウェハの検査方法によれば、上記本発明のプローブ装置を用いて行なう方法なので、検査温度の変化に関わらず、誤差の無い電気的特性の検査を行なうことが可能となる。
また、本発明の半導体ウェハの検査方法によれば、上記本発明のプローブ装置を用いて行なう方法なので、検査温度の変化に関わらず、誤差無く高精度で電気的特性の検査を行なうことが可能となる。
以下に、本発明の第1の実施形態のプローブ装置1について、図1〜図3を適宜参照しながら説明する。ここで、図1(a)はプローブ装置1のステージ2上に半導体ウェハ80が載置された状態を示す平面図、図1(b)はプローブ装置1のプローブカード4をプローブピン6(プローブエリア7)側からみた平面図である。また、図2(a)、(b)はプローブ装置1の側面図であり、図3(a)、(b)はプローブ装置1を用いて半導体ウェハ80を検査する際の平面視状態を示す概略図である。
本発明に係るプローブ装置1は、図示略のテスタ装置とともに半導体ウェハ検査装置を構成する。
また、このような半導体ウェハの電気的特性の検査は、異なる検査温度で複数回にわたって実施する。
本実施形態のステージ2は、半導体ウェハ80を載置するとともにプローブカード4に対して相対的に移動する構成とされる。また、ステージ2は、半導体ウェハの載置部2dと、該載置部2dを囲んで設けられ、プローブカード4上でプローブピン6が設けられるプローブエリア7が、相対する半導体ウェハ80の領域からはみ出した際にプローブエリア7と対向する外周部2eが設けられてなる。
また、上述したように、本実施形態のプローブ装置1に備えられるステージ2は、平面視略正方形に構成され、上面2aに載置される円形の半導体ウェハ80よりも大きく、該半導体ウェハ80の周縁部に対して余裕を持った大きさとされている。
この温度調整部3は、詳細な図示を省略するが、例えば、ステージ2並びに後述のプローブカード(プローブピン6)を加熱するためのヒータや、冷却のための冷媒流通管の他、温度制御のための温度センサ等から構成される。また、本実施形態の温度調整部3は、図2(a)、(b)に示す例のように、ステージ2内部に備えられている。本実施形態のプローブ装置1は、このような温度調整部3が備えられることにより、ステージ2並びにプローブカード(プローブピン6)の温度を、所定の各検査温度、例えば、60〜125℃程度の範囲で変化させながら電気的特性の測定を行う。
また、この際のプローブピン6の針先間隔は、プローブカード4が、ステージ2及び半導体ウェハ80の温度に相当する温度に加熱又は冷却された際に、この温度における半導体ウェハ80上の電極パッド82配列間隔に対応するように設定することが好ましい。
また、プローブピン6は、図示略の電極パターンを介して、上述したテスタ装置に電気的に接続される。
そして、本実施形態のプローブ装置1は、ステージ2がプローブカード4と相対して、図示略の移動装置によって水平移動(図2(a)、(b)中の矢印X−Yを参照)、並びに垂直移動(図2(a)、(b)中の矢印Zを参照)が可能な構成とされている。
また、上記構成のプローブ装置1は、図示略の内部壁に全体が覆われ、この装置内部において半導体ウェハ80の検査を行なう構成とされている。
まず、ステージ2の載置部2dに被検査物である半導体ウェハ80を載置し、真空吸引等の方法によって固定する。そして、温度調整部3に備えられる図示略のヒータ又は冷媒流通管により、ステージ2を加熱又は冷却し、ステージ2上の半導体ウェハ80を所定の検査温度、例えば60℃に調整する。
これにより、各チップ81の電極パッド82とプローブピン6とが接触し、電気的特性の検査が可能な状態となる。
また、本実施形態のプローブ装置1によれば、プローブカード4全体を均一な温度に保持できることで、プローブピン6の先端の間隔と電極パッド82の間隔との間に、熱膨張率の違い等による差異が生じるのが抑制される。これにより、検査温度の変化に関わらず、プローブピン6と電極パッド82とを確実に接触させることができるので、半導体ウェハ80の各チップ81の電気的特性を高精度で検出することが可能となる。
以下に、本発明の第2の実施形態のプローブ装置10について、図4〜図6を適宜参照しながら説明する。ここで、図4はプローブ装置10のステージ12上に半導体ウェハ80が載置された状態を示す平面図であり、図5(a)、(b)はプローブ装置10の側面図、図6(a)、(b)はプローブ装置10を用いて半導体ウェハ80を検査する際の平面視状態を示す概略図である。
なお、本実施形態では、図1〜図3に示す第1の実施形態のプローブ装置1と共通する構成については同じ符号を付し、また、その詳しい説明を省略する。
本実施形態のプローブ装置10は、ステージ12上にシート18が設けられることにより、図4に示すように、半導体ウェハ80の電極パッド82と接触していない領域Gがプローブエリア7に生じた際に、この領域Gがシート18に接触する。これにより、上記領域Gから熱放出が生じるのが効果的に抑制される。
また、図4の平面図及び図6(a)、(b)に示すように、シート18は、ステージ12の上面12aにおいて、外周部12eの全体に設けることが、プローブエリア7の領域G全体がシート18に接触できる点で好ましい。
本実施形態のプローブ装置10によれば、上記作用により、検査温度に起因する測定誤差が生じるのを防止することができ、第1の実施形態のプローブ装置1と同様、誤差無く高精度で半導体ウェハ80の検査を行うことが可能となる。
以下に、本発明の第3の実施形態のプローブ装置20について、図7を適宜参照しながら説明する。図7は、プローブ装置20の側面図である。
図7に示すように、本実施形態のプローブ装置20は、主に、ステージ22内部に備えられる温度調整部23に加え、さらに、ステージ22の周辺に向けて温風又は冷風を送風するための送風部28が備えられている点で、上記第1の実施形態のプローブ装置1等とは異なる。
送風部28は、図7に示す例のように、ノズル状に構成され、吹出口28aからステージ22の上面22a側、図示例では、上面22aの斜め上方に向けて送風可能な構成とされている。
そして、送風部28は、温度調整部23に備えられるヒータ及び冷媒流通管等によって加熱又は冷却された空気が、図示略の送風ファンによって送り込まれ、この空気をステージ22及び半導体ウェハ80の周辺に向けて送風する。
本実施形態のプローブ装置20によれば、上記作用により、検査温度に起因する測定誤差が生じるのを防止することができ、第1及び第2の実施形態のプローブ装置1、10と同様、誤差無く高精度で半導体ウェハ80の検査を行うことが可能となる。
以下に、本発明の第4の実施形態のプローブ装置30について、図8を適宜参照しながら説明する。図8(a)は、プローブ装置30の側面図であり、図8(b)は、平面図である。
図8(a)、(b)に示すように、本実施形態のプローブ装置30は、主に、温度調整部33が、ステージ32の上面32aにおける外周部32eに、温風又は冷風を送風するための吹出口33aを備える点で、上記第1の実施形態のプローブ装置1等とは異なる。
また、プローブ装置30は、第3の実施形態のプローブ装置20と同様、装置内部の雰囲気温度を、ステージ22並びに半導体ウェハ80の温度により近づけることができ、プローブ装置30全体の温度を一定とすることができる。
従って、プローブピン6と接触する半導体ウェハ80に温度分布が生じるのを抑制することが可能となる。
以下に、本発明の第5の実施形態のプローブ装置40について、図9〜図11を適宜参照しながら説明する。図9はプローブ装置40のステージ42上に半導体ウェハ80が載置された状態を示す平面図であり、図10(a)、(b)はプローブ装置40の側断面図、図11(a)、(b)はプローブ装置40を用いて半導体ウェハ80を検査する際の平面視状態を示す概略図である。
また、図示例のプローブ装置40は、第2及び第3の実施形態のプローブ装置10、20と同様、ステージ42の上面42aにおける半導体ウェハ80の外周部42eにシート18が設けられている。
また、上記構成により、図10(b)に示すように、ステージ42の水平方向での移動範囲において、最もステージ42の端面42c側にプローブエリア7が配された際、プローブピン6と壁部48とが接触することがある。このような場合には、ステージ42の熱が壁部48を通じてプローブピン6に伝わるので、プローブカード4の温度が、ステージ42並びに半導体ウェハ80の温度により近づくという効果が得られる。
以下に、本発明の第6の実施形態のプローブ装置50について、図12を適宜参照しながら説明する。図12(a)はプローブ装置50の側面図であり、図12(b)は平面図である。
図12(a)、(b)に示すように、本実施形態のプローブ装置50は、主に、温度調整部53が、ステージ52の周縁部52cに、ステージ52の上面52a側へ向けて温風又は冷風を送風するための吹出口58を備える点で、上記第1の実施形態のプローブ装置1等とは異なる。
以下に、本発明の第7の実施形態のプローブ装置60について、図13を適宜参照しながら説明する。図13(a)はプローブ装置60の側面図であり、図13(b)は平面図である。
本実施形態のプローブ装置60は、図13(a)、(b)に示すように、プローブピン6を備えるプローブカード4と、半導体ウェハ80を載置部62dに載置するとともに、該載置部62dを囲んで吹出口68が設けられたステージ62と、吹出口68に向けて温風又は冷風を供給する温度調整部63とが備えられ、概略構成される。
そして、本実施形態のプローブ装置60に備えられる吹出口68は、半導体ウェハ80の周囲に沿うように温風又は冷風を送風する構成とされている。
また、本発明に係る半導体ウェハの検査方法によれば、上記本発明に係るプローブ装置を用いて行なう方法なので、検査温度の変化に関わらず、誤差無く高精度で電気的特性の検査を行なうことが可能となる。
Claims (9)
- 被検査物である半導体ウェハの電極パッドに接触するプローブピンを備えるプローブカードと、
前記半導体ウェハを載置するとともに前記プローブカードに対して相対的に移動するステージであって、前記半導体ウェハの載置部と、該載置部を囲んで設けられ、前記プローブカード上で前記プローブピンが設けられるプローブエリアが、相対する前記半導体ウェハの領域からはみ出した際に前記プローブエリアと対向する外周部が上面に設けられたステージと、
前記ステージ上に載置された前記半導体ウェハ及び前記外周部の温度を調整する温度調整部と、が備えられることを特徴とするプローブ装置。 - 前記ステージの外周部に、前記プローブエリアが前記半導体ウェハの領域からはみ出した際、前記プローブピンが接触する接触面が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のプローブ装置。
- 前記ステージの前記外周部に、上面が前記半導体ウェハと同一面となり、且つ、前記プローブピンの接触面となるシートが設けられていることを特徴とする請求項2に記載のプローブ装置。
- 前記ステージの端面に、該ステージの上面を囲む壁部が設けられていることを特徴とする請求項1〜請求項3の何れか1項に記載のプローブ装置。
- 前記温度調整部は、前記ステージの前記外周部に、温風又は冷風を送風するための吹出口を備えることを特徴とする請求項1に記載のプローブ装置。
- 前記温度調整部は、前記ステージの周縁部に、該ステージ上面側へ向けて温風又は冷風を送風するための吹出口を備えることを特徴とする請求項2又は3に記載のプローブ装置。
- さらに、前記ステージの周辺に向けて温風又は冷風を送風するための送風部が備えられることを特徴とする請求項1〜請求項6の何れか1項に記載のプローブ装置。
- 被検査物である半導体ウェハの電極パッドに接触するプローブピンを備えるプローブカードと、
前記半導体ウェハを載置するとともに前記プローブカードに対して相対的に移動するステージであって、前記半導体ウェハの載置部と、該載置部を囲んで設けられ、前記プローブカード上で前記プローブピンが設けられるプローブエリアが、相対する前記半導体ウェハの領域からはみ出した際に、前記プローブエリアに向けて温風又は冷風を送風するための吹出口が設けられたステージと、
前記ステージ上に載置された前記半導体ウェハの温度を調整するとともに、前記吹出口に向けて温風又は冷風を供給する温度調整部と、が備えられることを特徴とするプローブ装置。 - 請求項1〜請求項8の何れか1項に記載のプローブ装置を用いて半導体ウェハの検査を行なうことを特徴とする半導体ウェハの検査方法。
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