JPH11354596A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents

半導体装置の検査方法

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JPH11354596A
JPH11354596A JP15486998A JP15486998A JPH11354596A JP H11354596 A JPH11354596 A JP H11354596A JP 15486998 A JP15486998 A JP 15486998A JP 15486998 A JP15486998 A JP 15486998A JP H11354596 A JPH11354596 A JP H11354596A
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temperature
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stage
reference wafer
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハに所定の温度がかかった状態で、正し
く測定できるようにすること。 【解決手段】 基準ウエハを用いて、温度分布の温度補
正値を予め求め、正確な温度状態にすること。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、温度変化に比例
して出力が変化する半導体装置ＩＣ（以下ＩＣと称す
る）を測定する半導体装置の検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、温度の変化に比例した出力を示す
ＩＣの測定方法として、プローバ装置とＩＣ検査装置を
使用した方法が知られている。プローバ装置にはウエハ
を乗せるステージ部とステージに温度を加える部分とで
構成されており、このステージにウエハを乗せステージ
を加熱、冷却する事で、ウエハにも熱が伝わり、ウエハ
上の複数チップにも同時に、同じ様に熱が伝わる様にな
っている。
【０００３】熱が加えられたウエハは、接触子を付けた
プローブカードを介し（図３参照）ＩＣ検査装置に接続
され、温度変化に対する比に換算したＩＣの出力を、Ｉ
Ｃ検査装置で選別する温度検査方法であった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような温
度検査方法では、設定した温度に対してステージ部内で
温度分布がある為、この影響で精度良くウエハに温度が
加えられないこの為、とりわけ±１℃の温度保証をする
測定においては、温度に対して正しくＩＣが出力されて
いる検査方法の検証が困難であるという問題があった。
【０００５】
【課題を解決する為の手段】上記問題点を解決する為
に、この発明は、予め面内の温度分布が知れている基準
ウエハを温度を加えたステージ部上に乗せ、温度に比例
したＩＣの出力値を測定し、予め面内の分布が知れてい
る基準ウエハの温度特性データと比較しステージ部内の
温度分布補正値を求め、その値から、計算した結果と、
本来のＩＣからの出力とを比較して、良品判定を行える
様にしたものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明は、ウエハ内の各チップに
対し、ステージの面内分布が不均一な場合においても、
予め算出した補正値をもちよることにより、適正かつ正
確に温度特性検査を可能にするものである。
【０００７】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
説明する。図３は検査を行うプローバ装置とＩＣ検査装
置の接続図、図１はステージ部上の温度分布例、図２は
基準ウエハ上の測定点図である。本実施例においてプロ
ーバ装置は加熱冷却部７、ステージ部６、接触子４を含
むプローブカード３を備え、ウエハ５のＩＣの出力値
を、接続されたＩＣ検査装置とテストプログラムで測定
を行う様に構成されている。
【０００８】まず、ステージ部６に、基準ウエハをの
せ、ステージ部に温度を加え、ステージ部上の温度分布
点ａ付近に対応する、基準ウエハ上の測定チップ点ａ、
の出力値を測定する（図１、図２参照）。次に、ステー
ジ部上の温度分布点ｂ付近に対応する、基準ウエハ上の
測定チップ点ｂの出力値を測定する、次にステージ部上
の温度分布点ｃというように、この操作を順次繰り返し
て行き、ウエハの全てのチップに対し出力値を測定し、
この出力データ値と、予め知れていた基準ウエハの温度
特性データ値とを比較することでステージ部上の面内温
度分布に対応する温度補正値を算出する。
【０００９】検査装置２を稼動させるテストプログラム
１４中に、たとえステージの温度分布のばらつきが有っ
ても、予め知れているステージの位置に依存する温度分
布の補正値を検査規格に用いる事で、適正に測定が行え
る。ここで、基準ウエハは、ウエハの中に存在する、各
々のチップの温度特性が詳細に知れているチップの集合
体のことである。このウエハを測定後、各々のチップを
実装し、温度を正確に印加できる液槽恒温槽などでを用
いて、面内分布に対応したチップの温度特性に対する電
気的な特性を測定し、ウエハ面内の各々のチップの特性
を予め知る事ができる。
【００１０】
【発明の効果】この発明は、基準ウエハで得られた、ス
テージ部の温度補正値を使用して、測定を行う構成にし
た事により、温度変動に対し温度精度を向上させた温度
測定検査が可能になり、高精度な測定ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ステージ部上の温度分布図１である。
【図２】基準ウエハ上の測定点を示す図２である。
【図３】プローバ装置とＩＣ検査装置の接続図を示す図
３である。
【符号の説明】
１ ステージ上の温度分布点ａ ２ ステージ上の温度分布点ｂ ３ ステージ上の温度分布点ｃ ４ 基準ウエハ上の測定チップ点ａ ５ 基準ウエハ上の測定チップ点ｂ ６ 基準ウエハ上の測定チップ点ｃ ７ プローバ装置 ８ ＩＣ検査装置 ９ プローブカード １０ 接触子 １１ 接触子 １２ ウエハ １３ ステージ部 １４ 加熱冷却部 １５ テストプログラム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プローバ装置のステージ部に温度を加え
    て、ウエハの温度変化に対する測定を行う半導体装置の
    検査方法において、基準ウエハを用いて、前記ステージ
    部の面内温度分布の温度補正値を予め求め、その温度補
    正値によって、前記ステージ部内の面内温度の補正を行
    い測定することを特徴とする半導体装置の検査方法。
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