WO2018110397A1 - モジュール - Google Patents

モジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2018110397A1
WO2018110397A1 PCT/JP2017/043916 JP2017043916W WO2018110397A1 WO 2018110397 A1 WO2018110397 A1 WO 2018110397A1 JP 2017043916 W JP2017043916 W JP 2017043916W WO 2018110397 A1 WO2018110397 A1 WO 2018110397A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
trench
resin layer
sealing resin
module
main surface
Prior art date
Application number
PCT/JP2017/043916
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
新 古矢
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to JP2018556614A priority Critical patent/JP6760397B2/ja
Priority to KR1020197016496A priority patent/KR102246040B1/ko
Priority to CN201780077561.3A priority patent/CN110073488B/zh
Publication of WO2018110397A1 publication Critical patent/WO2018110397A1/ja
Priority to US16/427,843 priority patent/US10849257B2/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/002Casings with localised screening
    • H05K9/0022Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/315Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the encapsulation having a cavity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/04Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135Double encapsulation or coating and encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657Stacked arrangements of devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06Hermetically-sealed casings
    • H05K5/064Hermetically-sealed casings sealed by potting, e.g. waterproof resin poured in a rigid casing
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K5/00Casings, cabinets or drawers for electric apparatus
    • H05K5/06Hermetically-sealed casings
    • H05K5/065Hermetically-sealed casings sealed by encapsulation, e.g. waterproof resin forming an integral casing, injection moulding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/002Casings with localised screening
    • H05K9/0022Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0024Shield cases mounted on a PCB, e.g. cans or caps or conformal shields
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0007Casings
    • H05K9/002Casings with localised screening
    • H05K9/0022Casings with localised screening of components mounted on printed circuit boards [PCB]
    • H05K9/0037Housings with compartments containing a PCB, e.g. partitioning walls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15313Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19042Component type being an inductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19043Component type being a resistor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/18Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09972Partitioned, e.g. portions of a PCB dedicated to different functions; Boundary lines therefore; Portions of a PCB being processed separately or differently
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/10522Adjacent components
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/10545Related components mounted on both sides of the PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1572Processing both sides of a PCB by the same process; Providing a similar arrangement of components on both sides; Making interlayer connections from two sides

Definitions

  • the present invention relates to a module in which a trench is formed in a sealing resin layer that seals a component mounted on a wiring board.
  • a trench 104 is formed between the circuit board 101, the mounting parts 102a and 102b mounted on the one main surface 101a of the circuit board 101, and the mounting parts 102a and 102b. , 102b and a shield 105 are provided.
  • the shield 105 includes an outer shield part 105 a that covers the upper surface and side surfaces of the sealing body 103 and an inner shield part 105 b formed inside the trench 104.
  • the circuit module 100 described above can reduce interference due to unnecessary electromagnetic waves between the mounting component 102a and the mounting component 102b, but cannot sufficiently cope with the high integration of the mounting components.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems, and can reduce interference due to unnecessary electromagnetic waves between a plurality of components mounted on a wiring board, and further improve the components mounted on the wiring board.
  • An object is to provide a module that can be highly integrated.
  • a module of the present invention includes a wiring board having one main surface and the other main surface, a first component and a second component mounted on the one main surface, and the one A first sealing resin layer for sealing the main surface with the first component and the second component; a third component and a fourth component mounted on the other main surface; and the other main A second sealing resin layer for sealing the surface and the third component and the fourth component, wherein the first sealing resin layer is perpendicular to the one main surface.
  • a first trench is formed between the first component and the second component in a plan view as viewed from any direction, and the second sealing resin layer has the third trench in the plan view.
  • a second trench is formed between the first part and the fourth part, and is disposed in the first trench.
  • a first shield section which is characterized by further comprising a second shield portion disposed on the second trench.
  • the components mounted on the wiring board can be further highly integrated. Thereby, the layout design freedom can be improved.
  • first trench and the second trench are formed so as to overlap each other in plan view, and at least one of the first trench and the second trench overlaps each other.
  • the first trench is formed so as not to penetrate the first sealing resin layer, or the second trench is formed so as not to penetrate the second sealing resin layer. May be.
  • the first trench and the second trench are formed by, for example, laser processing, the first trench and the second trench overlap with each other on the one main surface side of the wiring substrate in a plan view. It is possible to prevent at least one of the portion and the portion on the other main surface side from being damaged. Thereby, a wiring board crack can be suppressed.
  • first trench and the second trench may be formed so as not to overlap each other in plan view.
  • first trench and the second trench are formed by, for example, laser processing, at least a portion on the other main surface side of the wiring board is damaged in a portion where the first trench is formed in a plan view. It is possible to prevent this, and it is possible to prevent the portion on the one main surface side of the wiring board from being damaged in the portion where the second trench is formed in plan view. Thereby, a wiring board crack can be suppressed.
  • a fourth shield part laminated on each side surface of the first sealing resin layer, the second sealing resin layer, and the wiring board may be further provided. According to this configuration, the fourth shield part can prevent unnecessary electromagnetic waves from entering the module from the outside and leakage of unnecessary electromagnetic waves from the module to the outside.
  • the present invention it is possible to reduce interference caused by unnecessary electromagnetic waves between a plurality of components mounted on both surfaces of a wiring board, and to further increase the integration of components mounted on the wiring board. it can. Thereby, the layout design freedom can be improved.
  • FIG. 1 It is the perspective view of the module which concerns on 1st Embodiment of this invention, Comprising: (a) is the perspective view which looked at the module from the upper diagonal direction, (b) is the perspective view which looked at the module from the downward diagonal direction. . It is the perspective view seen from the upper diagonal direction before resin sealing of the module of FIG. (A) is a top view before resin sealing of the module of FIG. 1, (b) is a top view after trench formation of the module of FIG. (A) is a bottom view of the module of FIG. 1 before resin sealing, and (b) is a bottom view of the module of FIG. 1 after trench formation. It is a figure which shows the positional relationship of the trench formed in the upper and lower sides of the wiring board of the module of FIG. FIG.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of one of the modules of FIG.
  • FIG. 4 is another cross-sectional view of the module of FIG. 1.
  • FIG. 1A is a perspective view of the module 1 viewed from the upper oblique direction
  • FIG. 1B is a perspective view of the module 1 viewed from the lower oblique direction
  • FIG. 2 is a perspective view of the module 1 shown in FIG. 1 as viewed from the upper oblique direction before resin sealing
  • 3A is a plan view of the module 1 of FIG. 1 before resin sealing
  • FIG. 3B is a plan view of the module 1 of FIG. 1 after trench formation.
  • FIG. 3A does not actually exist in the plan view of the module 1 before resin sealing, but the first trench 5, the first electronic component 3 a, and the second in plan view. This is shown for convenience in order to clarify the positional relationship with the electronic component 3b.
  • 4A is a bottom view of the module 1 of FIG. 1 before resin sealing
  • FIG. 4B is a bottom view of the module 1 of FIG. 1 after trench formation. Note that the second trench 11 in FIG. 4A does not actually exist in the bottom view before the resin sealing of the module 1, but the second trench 11, the third electronic component 9 a, and the fourth in plan view. This is shown for convenience in order to clarify the positional relationship with the electronic component 9b.
  • FIG. 4A is a bottom view of the module 1 of FIG. 1 before resin sealing
  • FIG. 4B is a bottom view of the module 1 of FIG. 1 after trench formation. Note that the second trench 11 in FIG. 4A does not actually exist in the bottom view before the resin sealing of the module 1, but the second trench 11, the third electronic component 9 a
  • FIG. 5 is a diagram showing a positional relationship in a plan view of trenches (first trench 5 and second trench 11) formed above and below the wiring substrate of the module 1 of FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of one of the modules 1 in FIG. 1, which is a cross-sectional view of a portion including a portion where trenches formed on the upper and lower sides of the wiring substrate overlap in plan view.
  • FIG. 7 is another cross-sectional view of the module 1 of FIG. 1, and is a cross-sectional view of a portion not including a portion where trenches formed on the upper and lower sides of the wiring board overlap in plan view.
  • the “plan view” in the embodiment for carrying out the invention means a plan view as viewed from a direction perpendicular to the one main surface 2 a of the wiring board 2.
  • the module 1 according to the first embodiment is mounted on, for example, a mother board of an electronic device that uses a high-frequency signal.
  • the module 1 includes a wiring board 2 (see FIGS. 2, 3A, 4A, 6, and 7) having one main surface 2a and the other main surface 2b, and one main surface of the wiring board 2.
  • a plurality of first electronic components 3a and a plurality of second electronic components 3b mounted on 2a and a first trench 5 are formed.
  • 1st sealing resin layer 4 (refer FIG.3 (b), FIG.6, FIG.7) which seals 3a, 3b etc. is provided.
  • the module 1 includes a plurality of third electronic components 9a and a plurality of fourth electronic components 9b (see FIGS. 4A and 7) mounted on the other main surface 2b of the wiring board 2, and a second The trench 11 is formed and includes a second sealing resin layer 10 (see FIGS. 4B, 6 and 7) for sealing the electronic components 9a and 9b and the like.
  • the module 1 includes a first shield layer 6 that covers a part of the surface of the first sealing resin layer 4, the side surface of the wiring board 2, and the side surface of the second sealing resin layer 10 (FIG. ), FIG. 6 and FIG. 7), and the second shield layer 12 (FIGS. 1A and 1B) covering a part of the surface of the second sealing resin layer 10 and the side surface of the first shield layer 6. b) and FIG. 6 and FIG. 7).
  • the wiring board 2 is formed of, for example, low-temperature co-fired ceramics or glass epoxy resin, and a plurality of first electronic components 3a are mounted on the main surface 2a as shown in FIG.
  • a plurality of second land electrodes 7b on which the land electrodes 7a and the respective second electronic components 3b are mounted are formed.
  • a plurality of third land electrodes 14a on which the respective third electronic components 9a are mounted and a plurality of second electrodes on which the fourth electronic components 9b are mounted are mounted on the other main surface 2b.
  • 4 land electrodes 14b are formed, and a plurality of mounting terminal electrodes 13 for transmitting and receiving signals to and from an external device are arranged as shown in FIGS. 2, 4A, and 7.
  • the first metal film 8 is disposed on one main surface 2a of the wiring board 2, and the second metal film 15 is disposed on the other main surface 2b. ing. However, the first metal film 8 is disposed at a position corresponding to the first trench 5 formed in the first sealing resin layer 4, and the second metal film 15 is formed on the second sealing resin layer 10. It arrange
  • a plurality of ground electrodes (not shown), a plurality of types of wiring electrodes (not shown), and a plurality of via conductors (not shown) are formed on the inner layer or the like of the wiring board 2. Here, each ground electrode is formed so as to be exposed from the side surface of the wiring substrate 2, for example, and is electrically connected to the first shield layer 6.
  • each first land electrode 7a, each second land electrode 7b, each third land electrode 14a, each fourth land electrode 14b, each ground electrode, and each wiring electrode are Cu, Al, etc. It is made of a metal generally used as a wiring electrode.
  • Each via conductor is formed of a metal such as Ag or Cu.
  • Each first land electrode 7a, each second land electrode 7b, each third land electrode 14a, each fourth land electrode 14b, and each mounting terminal electrode 13 are subjected to Ni / Au plating. It may be.
  • the first metal film 8 and the second metal film 15 are each formed of a metal such as Ag or Cu.
  • Each mounting terminal electrode 13 is made of a metal such as Ag or Cu.
  • the semiconductor element formed with semiconductors such as Si and GaAs, a chip inductor
  • semiconductors such as Si and GaAs
  • chip inductor examples include chip components such as chip capacitors and chip resistors.
  • the first sealing resin layer 4 is formed on one side of the wiring board 2 except for a part of the first metal film 8 disposed on the one main surface 2 a of the wiring board 2.
  • the main surface 2a, the first electronic components 3a, and the second electronic components 3b are provided to cover the main surface 2a.
  • the first sealing resin layer 4 is formed with a first trench 5. That is, the first trench 5 is provided from the upper surface side of the first sealing resin layer 4 toward the one main surface 2 a of the wiring substrate 2.
  • the 1st sealing resin layer 4 can be formed with resin generally employ
  • the first shield layer 6 has an upper surface 4 a of the first sealing resin layer 4 (the side opposite to the surface facing the one main surface 2 a of the first sealing resin layer 4). And the side surface of the wiring board 2 and the side surface of the second sealing resin layer 10 so as to fill the first trench 5.
  • the first shield layer 6 reduces leakage of unnecessary electromagnetic waves radiated from the first electronic components 3a, the second electronic components 3b, the wiring electrodes, and the like of the module 1 to the outside or from external devices. This is to reduce the arrival of unnecessary electromagnetic waves radiated from the first electronic components 3a, the second electronic components 3b, the wiring electrodes, etc. of the module 1.
  • the first shield layer 6 can be formed of a conductive material such as Cu, Ag, Al, for example.
  • the portion 6a of the first shield layer 6 filling the first trench 5 corresponds to the “first shield portion” of the present invention.
  • the second sealing resin layer 10 includes a part of the second metal film 15 disposed on the other main surface 2 b of the wiring substrate 2 and the other main surface 2 b of the wiring substrate 2. Except for the surface 13a opposite to the surface of each mounting terminal electrode 13 facing the other main surface 2b, each third electronic component 9a, each fourth electronic component 9b, and each mounting terminal electrode 13 of the wiring board 2. And is provided so as to cover.
  • a second trench 11 is formed in the second sealing resin layer 10 as shown in FIGS. 4B, 6, and 7. That is, the second trench 11 is provided from the lower surface side of the second sealing resin layer 10 toward the other main surface 2 b of the wiring substrate 2.
  • the 2nd sealing resin layer 10 can be formed with resin generally employ
  • adopted as sealing resin such as an epoxy resin.
  • the surface 13a of each mounting terminal electrode 13 is exposed from the second sealing resin layer 10 as shown in FIGS. Details of the formation position and the like of the second trench 11 will be described later.
  • the second shield layer 12 has a lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10 (the side opposite to the surface facing the other main surface 2 b of the second sealing resin layer 10). Is provided so as to cover the second trench 11 and cover a partial region of the first surface) and the side surface of the first shield layer 6.
  • the second shield layer 12 reduces leakage of unnecessary electromagnetic waves radiated from the third electronic components 9a, the fourth electronic components 9b, the wiring electrodes, and the like of the module 1 to the outside or from external devices. This is to reduce the arrival of electromagnetic waves radiated from the third electronic components 9a, the fourth electronic components 9b, the wiring electrodes, etc. of the module 1.
  • the second shield layer 12 can be formed of a conductive material such as Cu, Ag, Al, for example.
  • the portion 12a of the second shield layer 12 that fills the second trench 11 corresponds to the “second shield portion” of the present invention.
  • the second shield layer 12 includes a region where the surface 13 a of each mounting terminal electrode 13 exists in the lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10 and the surface.
  • a covering region (corresponding to a partial region of the lower surface 10a of the second sealing resin layer 10) not including the peripheral region of the region where 13a exists is covered.
  • the second shield layer 12 does not have a region overlapping the surface 13a of each mounting terminal electrode 13 in plan view, and does not have a periphery overlapping with the periphery of the surface 13a of each mounting terminal electrode 13.
  • each mounting terminal electrode 13 and the second shield layer 12 are electrically insulated.
  • a portion 12b of the second shield layer 12 that covers a partial region of the lower surface 10a of the second sealing resin layer 10 corresponds to the “third shield portion” of the present invention.
  • the first trench 5 has the first sealing so as to be positioned between the first electronic component 3a and the second electronic component 3b in plan view. It is formed on the stop resin layer 4.
  • the second trench 11 is positioned between the third electronic component 9a and the fourth electronic component 9b in a plan view. It is formed on the stop resin layer 10.
  • the first trench 5 and the second trench 11 have portions that overlap each other in plan view.
  • the part of the 1st trench 5 corresponding to the overlapping part is described as the overlapping part 5a
  • the part of the second trench 11 corresponding to the overlapping part is described as the overlapping part 11a.
  • the first trench 5 is opposite from the upper surface 4 a of the first sealing resin layer 4 toward the surface opposite to the upper surface 4 a of the first sealing resin layer 4. It is formed until it reaches the side surface. That is, the first trench 5 penetrates the first sealing resin layer 4.
  • the 1st trench 5 has penetrated the 1st sealing resin layer 4 also in the superposition
  • the second trench 11 is a surface on the opposite side of the lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10 from the lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10 in the portion including the overlapping portion 11 a. As shown in FIG. 6 and FIG. 7, it is formed until it reaches the opposite surface at a portion not including the overlapping portion 11 a. That is, the second trench 11 does not penetrate the second sealing resin layer 10 in the portion including the overlapping portion 11a, and penetrates the second sealing resin layer 10 in the portion not including the overlapping portion 11a. Yes.
  • Module manufacturing method Next, a method for manufacturing the module 1 will be described.
  • the wiring board 2 is prepared.
  • a plurality of first land electrodes 7 a and second land electrodes 7 b are formed on one main surface 2 a of the wiring substrate 2, and a first metal film 8 is disposed.
  • a plurality of third land electrodes 14a and a plurality of fourth land electrodes 14b are formed on the other main surface 2b of the wiring board 2, and a plurality of mounting terminal electrodes 13 are disposed.
  • a second metal film 15 is disposed.
  • a plurality of ground electrodes, a plurality of types of wiring electrodes, a plurality of via conductors, and the like are formed on the inner layer or the like of the wiring board 2.
  • the electrodes can be formed by screen printing a conductive paste containing a metal such as Ag or Cu.
  • Each via conductor can be formed by a well-known method after forming a via hole using a laser or the like.
  • Each mounting terminal electrode 13 can be formed of a columnar metal.
  • a plurality of first electronic components 3a and a plurality of second electronic components 3b are mounted on one main surface 2a of the wiring board 2 using a known surface mounting technique. Further, the plurality of third electronic components 9a and the plurality of fourth electronic components 9b are mounted on the other main surface 2b of the wiring board 2 by using a known surface mounting technique.
  • a first sealing resin layer 4 is formed on one main surface 2 a of the wiring board 2. Further, the other main surface 2b of the wiring board 2, each third electronic component 9a and each fourth electronic component 9b mounted on the other main surface 2b, each mounting terminal electrode 13, and the second metal film 15 are connected. A second sealing resin layer 10 is formed on the other main surface 2b of the wiring board 2 so as to cover it.
  • a coating method, a printing method, a compression mold method, a transfer mold method, or the like can be used for forming the first sealing resin layer 4.
  • the surface of the first sealing resin layer 4 is polished or ground. Further, in order to flatten the surface of the second sealing resin layer 10, the surface of the second sealing resin layer 10 is polished or ground. At this time, the surface of the second sealing resin layer 10 is polished or ground until the surface 13 a of each mounting terminal electrode 13 is exposed from the lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10.
  • the first sealing resin layer 4 is irradiated to the first sealing resin layer 4 by irradiating a laser between the first electronic component 3a and the second electronic component 3b in a plan view.
  • the first trench 5 is formed between the first electronic component 3a and the second electronic component 3b in plan view.
  • the formation of the first trench 5 by this laser irradiation is performed until the first trench 5 reaches the surface opposite to the upper surface 4a of the first sealing resin layer 4 from the upper surface 4a of the first sealing resin layer 4.
  • the first metal film 8 is for preventing the laser beam from being directly irradiated on the one main surface 2a of the wiring board 2 and damaging the one main surface 2a of the wiring board 2.
  • the second sealing resin layer 10 is irradiated with a laser between the third electronic component 9a and the fourth electronic component 9b in plan view with respect to the second sealing resin layer 10.
  • the second trench 11 is formed between the third electronic component 9a and the fourth electronic component 9b in plan view.
  • the lower surface 10a of the second sealing resin layer 10 is changed from the lower surface 10a of the second sealing resin layer 10 in a portion where the second trench 11 does not include the overlapping portion 11a.
  • the opposite side is directed from the lower surface 10a of the second sealing resin layer 10 to the surface opposite to the lower surface 10a of the second sealing resin layer 10. Go to the position before reaching the side surface.
  • the second metal film 15 is for preventing the other main surface 2b of the wiring board 2 from being damaged by direct laser irradiation on the other main surface 2b of the wiring board 2.
  • the upper surface 4 a and the side surface of the first sealing resin layer 4, the side surface of the wiring substrate 2, and the side surface of the second sealing resin layer 10 are covered so as to fill the first trench 5.
  • 1 shield layer 6 is formed.
  • a sputtering method, a vapor deposition method, a paste coating method, or the like can be used for forming the first shield layer 6.
  • the second shield layer 12 is formed so as to cover the covering region of the lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10 and the side surface of the first shield layer 6 and fill the second trench 11.
  • a sputtering method, a vapor deposition method, a paste coating method, or the like can be used.
  • Each opening 16 can be formed in the second shield layer 12 by applying a mask to a region excluding the covering region of the lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10.
  • the first electronic component 3a and the second electronic component 3b are mounted on the one main surface 2a of the wiring board 2, and the third electronic component 9a and the other main surface 2b are mounted on the other main surface 2b.
  • a fourth electronic component 9b is mounted.
  • the first sealing resin layer 4 is formed with a first trench 5 between the first electronic component 3 a and the second electronic component 3 b in a plan view. In plan view, a second trench 11 is formed between the third electronic component 9a and the fourth electronic component 9b.
  • the first shield layer covers the upper surface 4 a and the side surface of the first sealing resin layer 4, the side surface of the wiring substrate 2, and the side surface of the second sealing resin layer 10 and fills the first trench 5. 6 is formed.
  • the lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10 is covered so as to isolate the surface 13 a of the mounting terminal electrode 13, the side surface of the first shield layer 6 is covered, and the second trench 11 is filled.
  • a second shield layer 12 is formed.
  • the interference of unnecessary electromagnetic waves between the first electronic component 3a and the second electronic component 3b is reduced, and the interference of unnecessary electromagnetic waves between the third electronic component 9a and the fourth electronic component 9b is reduced. Reduction can be achieved. Further, it is possible to further increase the integration of components mounted on the wiring board 2.
  • a plurality of components that generate large unnecessary electromagnetic waves can be separately disposed on the one main surface 2a side and the other main surface 2b side, and further, the first shield portion disposed in the first trench 5
  • 6a it can be arranged separately on one main surface 2a
  • second shield part 12a arranged in the second trench 11 it can also be arranged separately on the other main surface 2b. become. Thereby, the layout design freedom can be improved.
  • the second trench 11 is formed so as not to penetrate the second sealing resin layer 10. For this reason, when the first trench 5 and the second trench 11 are formed by, for example, laser processing, the other main surface of the wiring board 2 in a portion where the first trench 5 and the second trench 11 overlap in a plan view. It is possible to prevent the 2b portion from being damaged. Thereby, a wiring board crack can be suppressed.
  • the thickness of the first shield layer 6 on the side surface of the module 1 tends to be thinner than the thickness on the upper surface
  • the thickness of the second shield layer 12 on the side surface of the module 1 tends to be thinner than the thickness on the lower surface. is there.
  • the module 1 since the side surface of the module 1 is covered with the two layers of the first shield layer 6 and the second shield layer 12, the thickness of the shield layer on the side surface of the module 1 (the first shield layer 6). And the total thickness of the second shield layer 12) can be increased. For this reason, the module 1 can effectively reduce electromagnetic waves that enter the inside of the module 1 from the side surface of the module 1 and electromagnetic waves that leak from the side surface of the module 1 to the outside of the module 1.
  • the ratio of the thickness of the upper surface and the side surface of the shield layer of the module 1 is approximately 4: 1.
  • the ratio of the thickness of the upper surface and the side surface of the shield layer of the module 1 is approximately 2: 1.
  • the shield film having a sufficient thickness can be provided also on the side surface of the module 1, the shielding effect on the side surface can be improved.
  • the side part of the module 1 of the first shield layer 6 and the side part of the module 1 of the second shield layer 12 correspond to the “fourth shield part” of the present invention.
  • FIG. 8A is a plan view of the module 1A according to the second embodiment before resin sealing
  • FIG. 8B is a bottom view of the module 1A before resin sealing.
  • the first trench 5A in FIG. 8A does not actually exist in the plan view of the module 1A before resin sealing
  • the first trench 5A, the first electronic component 3a, and the second electronic component are not present. It is shown for convenience in order to clarify the positional relationship with 3b.
  • 8B does not actually exist in the bottom view before the resin sealing of the module 1A, the second trench 11A, the third electronic component 9a, and the fourth electronic component are not present.
  • FIG. 9 is a diagram showing a positional relationship between trenches (first trench 5A, second trench 11A) formed above and below the wiring substrate of module 1A.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the module 1A.
  • the module 1A according to the second embodiment differs from the module 1 according to the first embodiment described with reference to FIGS. 1 to 7 in the following points.
  • the first trench 5 on the upper side of the wiring board 2 and the second trench 11 on the lower side of the wiring board 2 have portions that overlap each other.
  • the first trench 5A on the upper side of the wiring board 2 and the second trench 11A on the lower side of the wiring board 2 overlap each other. There is no part. Since other configurations are the same as those of the module 1 according to the first embodiment, the description thereof is omitted by giving the same reference numerals.
  • the first trench 5A is first sealed so as to be positioned between the first electronic component 3a and the second electronic component 3b in plan view. It is formed on the resin layer 4.
  • the second trench 11 ⁇ / b> A is formed between the third electronic component 9 a and the fourth electronic component 9 b in plan view.
  • the first trench 5A and the second trench 11A have no overlapping portion in plan view.
  • the first trench 5 ⁇ / b> A is provided on the opposite surface from the upper surface 4 a of the first sealing resin layer 4 toward the surface opposite to the upper surface 4 a of the first sealing resin layer 4. It is formed until it reaches. That is, the first trench 5 ⁇ / b> A penetrates the first sealing resin layer 4.
  • the second trench 11 ⁇ / b> A is formed on the opposite surface from the lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10 toward the surface opposite to the lower surface 10 a of the second sealing resin layer 10. It is formed until it reaches. That is, the second trench 11 ⁇ / b> A penetrates the second sealing resin layer 10.
  • the first trench 5A and the second trench 11A are formed by, for example, laser processing
  • at least the wiring substrate in the portion where the first trench 5A is formed in plan view. 2 can be prevented from being damaged on the other main surface 2b side.
  • the first trench 5 penetrates the first sealing resin layer 4 and the second trench
  • the trench 11 is formed so as not to penetrate the second sealing resin layer 10, but is not limited to this.
  • the second trench 11 is the second trench 11 so that the first trench 5 does not penetrate the first sealing resin layer 4. It may be formed so as to penetrate the sealing resin layer 10.
  • the second trench 11 is the second trench 11 so that the first trench 5 does not penetrate the first sealing resin layer 4. It may be formed so as not to penetrate the sealing resin layer 10.
  • the first trench 5 ⁇ / b> A penetrates the first sealing resin layer 4, and the second trench 11 ⁇ / b> A penetrates the second sealing resin layer 10.
  • the first trench 5 ⁇ / b> A may be formed so as not to penetrate the first sealing resin layer 4, and the second trench 11 ⁇ / b> A may be formed so as to penetrate the second sealing resin layer 10.
  • the first trench 5A may be formed so as to penetrate the first sealing resin layer 4, and the second trench 11A may be formed so as not to penetrate the second sealing resin layer 10.
  • the first trench 5A may be formed so as not to penetrate the first sealing resin layer 4, and the second trench 11A may be formed so as not to penetrate the second sealing resin layer 10.
  • the second metal film 15 is also provided in a portion where the first trench 5 and the second trench 11 overlap in a plan view, but the present invention is not limited to this.
  • the second metal film 15 may not be provided in a portion where the first trench 5 and the second trench 11 overlap in plan view.
  • the present invention can be applied to a module in which a trench is formed in a sealing resin layer for sealing a component mounted on a wiring board.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

配線基板に実装された複数の部品間の干渉の低減および更なる部品の高集積化を図ることができるモジュールを提供する。 配線基板2の一方主面2aに実装された第1の電子部品3a、第2の電子部品3bを封止する第1の封止樹脂層4には第1のトレンチ5が形成され、他方主面2bに実装された第3の電子部品9a、第4の電子部品9bを封止する第2の封止樹脂層10には第2のトレンチ11が形成され、第1のトレンチ5は平面視において第1の電子部品3aと第2の電子部品3bとの間であって、第1の封止樹脂層4の上面4aから第1の封止樹脂層4の一方主面2aと対向する面に向かって形成され、第2のトレンチ11は平面視において第3の電子部品9aと第4の電子部品9bとの間であって、第2の封止樹脂層10の下面10aから第2の封止樹脂層10の他方主面2bと対向する面に向かって形成されている。

Description

モジュール
 本発明は、配線基板に実装された部品を封止する封止樹脂層にトレンチが形成されたモジュールに関する。
 配線基板の実装面に半導体素子等の電子部品が複数実装されたモジュールでは、電子部品の高集積化が望まれている。一方で、電子部品の集積化が進むと、各電子部品間において電磁波の不要な干渉が発生してしまうことが懸念される。そこで、この種のモジュールでは、電子部品間における電磁波の干渉を抑制することを目的として、配線基板の実装面に実装された複数の電子部品を封止樹脂層で被覆し、封止樹脂層に対して一部の電子部品と別の電子部品との間にトレンチが形成されたものが提案されている。このようなモジュールとして、例えば、図11に示す特許文献1に記載の回路モジュール100がある。
 回路モジュール100は、回路基板101と、回路基板101の一方主面101a上に搭載された実装部品102a,102bと、実装部品102aと実装部品102bとの間にトレンチ104が形成され、実装部品102a,102bを封止する封止体103と、シールド105とを具備する。シールド105は、封止体103の上面および側面を覆う外部シールド部105aとトレンチ104内部に形成された内部シールド部105bとを有する。
特開2015-57802号公報(段落0022~0042、図4参照)
 しかしながら、上記した回路モジュール100は、実装部品102aと実装部品102bとの間の不要な電磁波による干渉を低減することはできているが、実装部品の高集積化に十分対応できない。
 本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、配線基板に実装された複数の部品間の不要な電磁波による干渉の低減を図ることができるとともに、配線基板に実装する部品の更なる高集積化を図ることができるモジュールを提供することを目的とする。
 上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、一方主面と他方主面とを有する配線基板と、前記一方主面に実装された第1の部品および第2の部品と、前記一方主面と前記第1の部品および前記第2の部品とを封止する第1の封止樹脂層と、前記他方主面に実装された第3の部品および第4の部品と、前記他方主面と前記第3の部品および前記第4の部品とを封止する第2の封止樹脂層とを備えるモジュールであって、前記第1の封止樹脂層には、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において前記第1の部品と前記第2の部品との間に、第1のトレンチが形成され、前記第2の封止樹脂層には、前記平面視において前記第3の部品と前記第4の部品との間に、第2のトレンチが形成されており、前記第1のトレンチに配置された第1のシールド部と、前記第2のトレンチに配置された第2のシールド部とをさらに備えることを特徴としている。
 この構成によれば、第1の部品と第2の部品との間の不要な電磁波による干渉の低減および第3の部品と第4の部品との間の不要な電磁波による干渉の低減を図ることができるとともに、配線基板に実装する部品の更なる高集積化を図ることができる。これにより、レイアウトの設計自由度の向上が図られる。
 また、平面視において前記第1のトレンチと前記第2のトレンチとは互いに重なり合う部分があるように形成されており、前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチの少なくとも一方は、前記互いに重なり合う部分において、前記第1のトレンチが前記第1の封止樹脂層を貫通しないように、または、前記第2のトレンチが前記第2の封止樹脂層を貫通しないように、形成されているようにしてもよい。この構成によれば、第1のトレンチおよび第2のトレンチを例えばレーザ加工により形成する際に、平面視で第1のトレンチと第2のトレンチとが重なり合う部分において配線基板の一方主面側の部分と他方主面側の部分の少なくとも一方が損傷することを防ぐことができる。これにより、配線基板割れを抑制することができる。
 また、前記他方主面に形成された実装端子電極であって、前記第2の封止樹脂層から露出している前記実装端子電極と、前記実装端子電極の露出している面を隔離するように、前記第2の封止樹脂層を被覆する第3のシールド部とをさらに備えるようにしてもよい。この構成によれば、実装端子電極を第3のシールド部に電気的に接続しないようにしつつ、第3のシールド部により外部からモジュール内への不要な電磁波の侵入およびモジュール内から外部への不要な電磁波の漏洩を防止することができる。
 また、平面視において、前記第1のトレンチと前記第2のトレンチとは互いに重なり合わないように形成されているようにしてもよい。この構成によれば、第1のトレンチおよび第2のトレンチを例えばレーザ加工により形成する際に、平面視で第1のトレンチが形成される部分において少なくとも配線基板の他方主面側の部分が損傷することを防ぐことができ、平面視で第2のトレンチが形成される部分において配線基板の一方主面側の部分が損傷することを防ぐことができる。これにより、配線基板割れを抑制することができる。
 また、前記第1の封止樹脂層、前記第2の封止樹脂層及び前記配線基板それぞれの側面に積層された第4のシールド部をさらに備えるようにしてもよい。この構成によれば、第4のシールド部により外部からモジュール内への不要な電磁波の侵入およびモジュール内から外部への不要な電磁波の漏洩を防止することができる。
 本発明によれば、配線基板の両面に実装された、複数の部品間における不要な電磁波による干渉の低減を図ることができるとともに、配線基板に実装する部品の更なる高集積化を図ることができる。これにより、レイアウトの設計自由度の向上が図られる。
本発明の第1実施形態に係るモジュールの斜視図であって、(a)はモジュールを上斜め方向から見た斜視図であり、(b)はモジュールを下斜め方向から見た斜視図である。 図1のモジュールの樹脂封止前の上斜め方向から見た斜視図である。 (a)は図1のモジュールの樹脂封止前の平面図であり、(b)は図1のモジュールのトレンチ形成後の平面図である。 (a)は図1のモジュールの樹脂封止前の底面図であり、(b)は図1のモジュールのトレンチ形成後の底面図である。 図1のモジュールの配線基板の上下に形成されたトレンチの位置関係を示す図である。 図1のモジュールの一の断面図である。 図1のモジュールの他の断面図である。 本発明の第2実施形態に係るモジュールを示す図であって、(a)は樹脂封止前の平面図であり、(b)は樹脂封止前の底面図である。 第2の実施形態に係るモジュールの配線基板の上下に形成されたトレンチの位置関係を示す図である。 第2の実施形態に係るモジュールの断面図である。 従来のモジュールの断面図である。
 <第1実施形態>
 本発明の第1実施形態に係るモジュール1について、図1ないし図7を参照して説明する。なお、図1はモジュール1の斜視図であり、(a)はモジュール1を上斜め方向から見た斜視図であり、(b)はモジュール1を下斜め方向から見た斜視図である。図2は図1のモジュール1の樹脂封止前の上斜め方向から見た斜視図である。図3(a)は図1のモジュール1の樹脂封止前の平面図であり、図3(b)は図1のモジュール1のトレンチ形成後の平面図である。なお、図3(a)の第1のトレンチ5はモジュール1の樹脂封止前の平面図では実際には存在しないが、平面視で第1のトレンチ5と第1の電子部品3aおよび第2の電子部品3bとの位置関係を明確にするために便宜上図示したものである。図4(a)は図1のモジュール1の樹脂封止前の底面図であり、図4(b)は図1のモジュール1のトレンチ形成後の底面図である。なお、図4(a)の第2のトレンチ11はモジュール1の樹脂封止前の底面図では実際には存在しないが、平面視で第2のトレンチ11と第3の電子部品9aおよび第4の電子部品9bとの位置関係を明確にするために便宜上図示したものである。図5は図1のモジュール1の配線基板の上下に形成されたトレンチ(第1のトレンチ5、第2のトレンチ11)の平面視での位置関係を示す図である。図6は図1のモジュール1の一の断面図であって、配線基板の上下に形成されたトレンチが平面視で重なり合う部分を含む箇所の断面図である。図7は図1のモジュール1の他の断面図であって、配線基板の上下に形成されたトレンチが平面視で重なり合う部分を含まない箇所の断面図である。なお、発明を実施するための形態での「平面視」は、配線基板2の一方主面2aに垂直な方向から見た平面視を意味する。
 第1実施形態に係るモジュール1は、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載されるものである。モジュール1は、一方主面2aおよび他方主面2bを有する配線基板2(図2、図3(a)、図4(a)、図6、図7参照)と、配線基板2の一方主面2aに実装された複数の第1の電子部品3aおよび複数の第2の電子部品3b(図2、図3(a)、図7参照)と、第1のトレンチ5が形成され、各電子部品3a,3bなどを封止する第1の封止樹脂層4(図3(b)、図6、図7参照)とを備える。また、モジュール1は、配線基板2の他方主面2bに実装された複数の第3の電子部品9aおよび複数の第4の電子部品9b(図4(a)、図7参照)と、第2のトレンチ11が形成され、各電子部品9a,9bなどを封止する第2の封止樹脂層10(図4(b)、図6、図7参照)とを備える。また、モジュール1は、第1の封止樹脂層4の表面の一部、配線基板2の側面および第2の封止樹脂層10の側面を被覆する第1のシールド層6(図1(a)、図6、図7参照)と、第2の封止樹脂層10の表面の一部および第1のシールド層6の側面を被覆する第2のシールド層12(図1(a),(b)、図6、図7参照)とを備える。
 配線基板2は、例えば、低温同時焼成セラミックスやガラスエポキシ樹脂などで形成され、一方主面2aには、図7に示すように、各第1の電子部品3aが実装される複数の第1のランド電極7aおよび各第2の電子部品3bが実装される複数の第2のランド電極7bが形成されている。また、他方主面2bには、図7に示すように、各第3の電子部品9aが実装される複数の第3のランド電極14a、各第4の電子部品9bが実装される複数の第4のランド電極14bが形成されているとともに、図2、図4(a)、図7に示すように、外部機器と信号を送受信するための複数の実装端子電極13が配置されている。また、図6、図7に示すように、配線基板2の一方主面2aには第1の金属膜8が配置されているとともに、他方主面2bには第2の金属膜15が配置されている。ただし、第1の金属膜8は第1の封止樹脂層4に形成される第1のトレンチ5に対応する位置に配置され、第2の金属膜15は第2の封止樹脂層10に形成される第2のトレンチ11に対応する位置に配置される。なお、配線基板2の内層等には、複数のグランド電極(不図示)、複数種類の配線電極(不図示)、および複数のビア導体(不図示)が形成されている。ここで、各グランド電極は、例えば、配線基板2の側面から露出するように形成されており、第1のシールド層6と電気的に接続されている。
 また、各第1のランド電極7a、各第2のランド電極7b、各第3のランド電極14a、各第4のランド電極14b、各グランド電極、および各配線電極は、それぞれ、CuやAl等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体は、AgやCu等の金属で形成されている。なお、各第1のランド電極7a、各第2のランド電極7b、各第3のランド電極14a、各第4のランド電極14b、各実装端子電極13には、Ni/Auめっきがそれぞれ施されていてもよい。また、第1の金属膜8、第2の金属膜15は、それぞれ、AgやCu等の金属で形成されている。また、各実装端子電極13はAgやCu等の金属で形成されている。
 各第1の電子部品3a、各第2の電子部品3b、各第3の電子部品9a、各電子部品9bとしては、それぞれ、SiやGaAs等の半導体で形成された半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品などが挙げられる。
 第1の封止樹脂層4は、図6、図7に示すように、配線基板2の一方主面2aに配置された第1の金属膜8の一部を除いて、配線基板2の一方主面2aと各第1の電子部品3aと各第2の電子部品3bとを被覆するように設けられている。この第1の封止樹脂層4には、図3(b)、図6、図7に示すように、第1のトレンチ5が形成されている。すなわち、第1の封止樹脂層4の上面側から、配線基板2の一方主面2aに向かって、第1のトレンチ5が設けられている。また、第1の封止樹脂層4は、エポキシ樹脂等の、封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。なお、第1のトレンチ5の形成位置等の詳細については後述する。
 第1のシールド層6は、図6、図7に示すように、第1の封止樹脂層4の上面4a(第1の封止樹脂層4の一方主面2aと対向する面と反対側の面)および側面、配線基板2の側面、並びに、第2の封止樹脂層10の側面を被覆し、第1のトレンチ5を埋めるように設けられている。第1のシールド層6は、モジュール1の各第1の電子部品3a、各第2の電子部品3bおよび各配線電極等から放射される不要な電磁波の外部への漏洩を低減したり、外部機器から放射される不要な電磁波のモジュール1の各第1の電子部品3a、各第2の電子部品3bおよび各配線電極等への到来を低減したりするためのものである。また、第1のシールド層6は、例えば、Cu、Ag、Alなどの導電性の材料により形成することができる。なお、第1のシールド層6の第1のトレンチ5を埋める部分6aが本発明の「第1のシールド部」に相当する。
 第2の封止樹脂層10は、図6、図7に示すように、配線基板2の他方主面2bに配置された第2の金属膜15の一部および配線基板2の他方主面2bと対向する各実装端子電極13の面と反対側の面13aを除いて、配線基板2の他方主面2bと各第3の電子部品9aと各第4の電子部品9bと各実装端子電極13とを被覆するように設けられている。この第2の封止樹脂層10には、図4(b)、図6、図7に示すように、第2のトレンチ11が形成されている。すなわち、第2の封止樹脂層10の下面側から、配線基板2の他方主面2bに向かって、第2のトレンチ11が設けられている。また、第2の封止樹脂層10は、エポキシ樹脂等の、封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。各実装端子電極13の面13aは、図1(b)、図7に示すように、第2の封止樹脂層10から露出している。なお、第2のトレンチ11の形成位置等の詳細については後述する。
 第2のシールド層12は、図6、図7に示すように、第2の封止樹脂層10の下面10a(第2の封止樹脂層10の他方主面2bと対向する面と反対側の面)の一部領域および第1のシールド層6の側面を被覆し、第2のトレンチ11を埋めるように設けられている。第2のシールド層12は、モジュール1の各第3の電子部品9a、各第4の電子部品9bおよび各配線電極等から放射される不要な電磁波の外部への漏洩を低減したり、外部機器から放射される電磁波のモジュール1の各第3の電子部品9a、各第4の電子部品9bおよび各配線電極等への到来を低減したりするためのものである。また、第2のシールド層12は、例えば、Cu、Ag、Alなどの導電性の材料により形成することができる。なお、第2のシールド層12の第2のトレンチ11を埋める部分12aが本発明の「第2のシールド部」に相当する。
 ここで、第2のシールド層12が被覆する第2の封止樹脂層10の下面10aの一部領域について記載する。第2のシールド層12は、図1(b)、図7に示すように、第2の封止樹脂層10の下面10aのうちの各実装端子電極13の面13aが存在する領域と当該面13aが存在する領域の周辺領域とを含まない被覆領域(第2の封止樹脂層10の下面10aの一部領域に相当)を被覆する。言い換えると、第2のシールド層12には、平面視において、各実装端子電極13の面13aと重なり合う領域がなく、かつ、各実装端子電極13の面13aの周囲と重なる周囲がないように各開口16が形成され、第2のシールド層12と実装端子電極13の面13aとの間には、第2の封止樹脂層10の下面10aが露出している。つまり、第2のシールド層12は各実装端子電極13を隔離するように第2の封止樹脂層10の下面10aを被覆している。このように、各実装端子電極13と第2のシールド層12とは電気的に絶縁されている。なお、第2のシールド層12の第2の封止樹脂層10の下面10aの一部領域を被覆する部分12bが本発明の「第3のシールド部」に相当する。
 続いて、第1のトレンチ5と第2のトレンチ11の形成位置等の詳細について説明する。
 第1のトレンチ5は、図3(a),(b)に示すように、平面視において、第1の電子部品3aと第2の電子部品3bとの間に位置するように第1の封止樹脂層4に形成されている。第2のトレンチ11は、図4(a),(b)に示すように、平面視において、第3の電子部品9aと第4の電子部品9bとの間に位置するように第2の封止樹脂層10に形成されている。第1のトレンチ5および第2のトレンチ11は、図5、図6に示すように、互いに、平面視において重なり合う部分がある。なお、重なり合う部分に対応する第1のトレンチ5の部分を重合部5aと記載し、重なり合う部分に対応する第2のトレンチ11の部分を重合部11aと記載する。
 第1のトレンチ5は、図6、図7に示すように、第1の封止樹脂層4の上面4aから第1の封止樹脂層4の上面4aと反対側の面に向かって当該反対側の面に達するまで形成されている。つまり、第1のトレンチ5は第1の封止樹脂層4を貫通している。なお、第1のトレンチ5は、図6に示すように、重合部5aにおいても、第1の封止樹脂層4を貫通している。
 第2のトレンチ11は、重合部11aを含む部分において、図6に示すように、第2の封止樹脂層10の下面10aから第2の封止樹脂層10の下面10aと反対側の面に向かって当該反対側の面に達しないように形成され、重合部11aを含まない部分では、図6、図7に示すように、当該反対側の面に達するまで形成されている。つまり、第2のトレンチ11は重合部11aを含む部分では第2の封止樹脂層10を貫通しておらず、重合部11aを含まない部分では第2の封止樹脂層10を貫通している。
 (モジュールの製造方法)
 次に、モジュール1の製造方法について説明する。
 まず、配線基板2を用意する。この配線基板2の一方主面2aには、複数の第1のランド電極7aおよび第2のランド電極7bが形成されているとともに、第1の金属膜8が配置されている。また、この配線基板2の他方主面2bには、複数の第3のランド電極14aおよび複数の第4のランド電極14bが形成されているとともに、複数の実装端子電極13が配置され、さらに、第2の金属膜15が配置されている。さらに、この配線基板2の内層等には、複数のグランド電極、複数種類の配線電極、および複数のビア導体等が形成されている。各第1のランド電極7a、第2のランド電極7b、第3のランド電極14a、第4のランド電極14b、第1の金属膜8、第2の金属膜15、各グランド電極、および各配線電極については、Ag、Cu等の金属を含有する導電性ペーストをスクリーン印刷するなどしてそれぞれ形成することができる。また、各ビア導体については、レーザ等を用いてビアホールを形成した後、周知の方法により形成することができる。また、各実装端子電極13は柱状の金属により形成することができる。
 次に、配線基板2の一方主面2aに、周知の表面実装技術を用いて複数の第1の電子部品3aおよび複数の第2の電子部品3bを実装する。また、配線基板2の他方主面2bに、周知の表面実装技術を用いて複数の第3の電子部品9aおよび複数の第4の電子部品9bを実装する。
 次に、配線基板2の一方主面2aとこの一方主面2aに実装された各第1の電子部品3aおよび各第2の電子部品3bと第1の金属膜8とを被覆するように、配線基板2の一方主面2aに第1の封止樹脂層4を形成する。また、配線基板2の他方主面2bとこの他方主面2bに実装された各第3の電子部品9aおよび各第4の電子部品9bと各実装端子電極13と第2の金属膜15とを被覆するように、配線基板2の他方主面2bに第2の封止樹脂層10を形成する。第1の封止樹脂層4の形成に、例えば、塗布方式、印刷方式、コンプレッションモールド方式、トランスファモールド方式等を用いることができる。さらに、第1の封止樹脂層4の表面を平坦化するために、第1の封止樹脂層4の表面を研磨または研削する。また、第2の封止樹脂層10の表面を平坦化するために、第2の封止樹脂層10の表面を研磨または研削する。この際、各実装端子電極13の面13aが第2の封止樹脂層10の下面10aから露出するまで第2の封止樹脂層10の表面を研磨または研削する。
 次に、第1の封止樹脂層4に対して平面視において第1の電子部品3aと第2の電子部品3bとの間にレーザを照射することによって、第1の封止樹脂層4に対して平面視において第1の電子部品3aと第2の電子部品3bとの間に第1のトレンチ5を形成する。このレーザ照射による第1のトレンチ5の形成を、第1のトレンチ5が第1の封止樹脂層4の上面4aから第1の封止樹脂層4の上面4aと反対側の面に達するまで行う。なお、第1の金属膜8は、レーザが配線基板2の一方主面2aに直接照射されて配線基板2の一方主面2aが損傷するのを防止するためのものである。また、第2の封止樹脂層10に対して平面視において第3の電子部品9aと第4の電子部品9bとの間にレーザを照射することによって、第2の封止樹脂層10に対して平面視において第3の電子部品9aと第4の電子部品9bとの間に第2のトレンチ11を形成する。このレーザ照射による第2のトレンチ11の形成を、第2のトレンチ11が重合部11aを含まない部分では第2の封止樹脂層10の下面10aから第2の封止樹脂層10の下面10aと反対側の面に達するまで行い、重合部11aを含む部分では第2の封止樹脂層10の下面10aから第2の封止樹脂層10の下面10aと反対側の面に向かって当該反対側の面に達する前の位置まで行う。なお、第2の金属膜15は、レーザが配線基板2の他方主面2bに直接照射されて配線基板2の他方主面2bが損傷するのを防止するためのものである。
 次に、第1の封止樹脂層4の上面4aおよび側面、配線基板2の側面、並びに、第2の封止樹脂層10の側面を被覆し、第1のトレンチ5を埋めるように、第1のシールド層6を形成する。第1のシールド層6の形成に、例えば、スパッタ方式、蒸着方式、ペースト塗布方式等を用いることができる。また、第2の封止樹脂層10の下面10aの被覆領域および第1のシールド層6の側面を被覆し、第2のトレンチ11を埋めるように、第2のシールド層12を形成する。第2のシールド層12の形成に、例えば、スパッタ方式、蒸着方式、ペースト塗布方式等を用いることができる。なお、第2の封止樹脂層10の下面10aの被覆領域を除く領域にマスクをかけることにより、第2のシールド層12に各開口16を形成することができる。
 したがって、上述した第1実施形態によれば、配線基板2の一方主面2aに第1の電子部品3aおよび第2の電子部品3bが実装され、他方主面2bに第3の電子部品9aおよび第4の電子部品9bが実装される。また、第1の封止樹脂層4には平面視で第1の電子部品3aと第2の電子部品3bとの間に第1のトレンチ5が形成され、第2の封止樹脂層10には平面視で第3の電子部品9aと第4の電子部品9bとの間に第2のトレンチ11が形成される。また、第1の封止樹脂層4の上面4aおよび側面、配線基板2の側面並びに第2の封止樹脂層10の側面を被覆するとともに第1のトレンチ5を埋めるように第1のシールド層6が形成されている。また、第2の封止樹脂層10の下面10aを実装端子電極13の面13aを隔離するように被覆し、第1のシールド層6の側面を被覆するとともに第2のトレンチ11を埋めるように第2のシールド層12が形成される。これにより、第1の電子部品3a、第2の電子部品3b、第3の電子部品9a、第4の電子部品9b、配線電極等が発生する不要な電磁波がモジュール1の上面、側面、下面からモジュール1外へ漏洩することを防止することができるとともに、外部の機器が発生する不要な電磁波がモジュール1の上面、側面、下面からモジュール1内に進入することを防止することができる。また、第1の電子部品3aと第2の電子部品3bとの間の不要な電磁波による干渉の低減および第3の電子部品9aと第4の電子部品9bとの間の不要な電磁波による干渉の低減を図ることができる。また、配線基板2に実装する部品の更なる高集積化を図ることができる。
 また、大きな不要な電磁波を発生させる複数の部品を、一方主面2a側と他方主面2b側に分けて配置することができるとともに、さらに第1のトレンチ5に配置される第1のシールド部6aを利用することにより一方主面2aにおいても分けて配置し、第2のトレンチ11に配置される第2のシールド部12aを利用することにより他方主面2bにおいても分けて配置することが可能になる。これにより、レイアウトの設計自由度の向上が図られる。
 また、平面視で第1のトレンチ5と第2のトレンチ11とが重なり合う部分では、第2のトレンチ11は第2の封止樹脂層10を貫通しないように形成される。このため、第1のトレンチ5および第2のトレンチ11を例えばレーザ加工により形成する際に、平面視で第1のトレンチ5と第2のトレンチ11とが重なり合う部分において配線基板2の他方主面2b部分が損傷することを防ぐことができる。これにより、配線基板割れを抑制することができる。
 また、通常、第1のシールド層6のモジュール1の側面における厚みは上面における厚みより薄くなる傾向があり、第2のシールド層12のモジュール1の側面における厚みは下面における厚みより薄くなる傾向がある。しかしながら、モジュール1では、モジュール1の側面は、第1のシールド層6および第2のシールド層12の2層で被覆されるため、モジュール1の側面のシールド層の厚み(第1のシールド層6と第2のシールド層12とを合わせた厚み)を大きくすることができる。このため、モジュール1は、モジュール1の側面からモジュール1内部に侵入する電磁波およびモジュール1の側面からモジュール1外部へ漏洩する電磁波を効果的に低減することができる。さらに記載すると、モジュール1の下面側にシールド層(第2のシールド層12)が設けられない場合、モジュール1のシールド層の上面の厚みと側面の厚みの比はほぼ4:1となるが、モジュール1に2つシールド層(第1のシールド層6、第2のシールド層12)を設けることにより、モジュール1のシールド層の上面の厚みと側面の厚みの比はほぼ2:1となる。このように、モジュール1の側面にも十分な厚さのシールド膜を設けることができるため、側面のシールド効果も改善することができる。なお、第1のシールド層6のモジュール1の側面部分および第2のシールド層12のモジュール1の側面部分が本発明の「第4のシールド部」に相当する。
 <第2実施形態>
 本発明の第2実施形態に係るモジュールについて、図8ないし図10を参照して説明する。なお、図8(a)は第2実施形態に係るモジュール1Aの樹脂封止前の平面図であり、図8(b)はモジュール1Aの樹脂封止前の底面図である。なお、図8(a)の第1のトレンチ5Aはモジュール1Aの樹脂封止前の平面図では実際には存在しないが、第1のトレンチ5Aと第1の電子部品3aおよび第2の電子部品3bとの位置関係を明確にするために便宜上図示したものである。また、図8(b)の第2のトレンチ11Aはモジュール1Aの樹脂封止前の底面図では実際には存在しないが、第2のトレンチ11Aと第3の電子部品9aおよび第4の電子部品9bとの位置関係を明確にするために便宜上図示したものである。図9はモジュール1Aの配線基板の上下に形成されたトレンチ(第1のトレンチ5A、第2のトレンチ11A)の位置関係を示す図である。図10はモジュール1Aの断面図である。
 第2実施形態に係るモジュール1Aは、図1ないし図7を用いて説明した第1実施形態に係るモジュール1とは、次の点で異なる。第1実施形態に係るモジュール1では、図5に示すように、配線基板2の上側の第1のトレンチ5と配線基板2の下側の第2のトレンチ11とは互いに重なり合う部分がある。これに対して、第2実施形態に係るモジュール1Aでは、図9に示すように、配線基板2の上側の第1のトレンチ5Aと配線基板2の下側の第2のトレンチ11Aとは互いに重なり合う部分がない。その他の構成は第1実施形態に係るモジュール1と同様であるため、同一符号を付すことによりその説明を省略する。
 第1のトレンチ5Aは、図8(a)、図10に示すように、平面視において、第1の電子部品3aと第2の電子部品3bとの間に位置するように第1の封止樹脂層4に形成されている。第2のトレンチ11Aは、図8(b)、図10に示すように、平面視において、第3の電子部品9aと第4の電子部品9bとの間に位置するように形成されている。第2の実施形態では、第1のトレンチ5Aと第2のトレンチ11Aとは、図9に示すように、平面視において重なり合う部分がない。
 第1のトレンチ5Aは、図10に示すように、第1の封止樹脂層4の上面4aから第1の封止樹脂層4の上面4aと反対側の面に向かって当該反対側の面に達するまで形成されている。つまり、第1のトレンチ5Aは第1の封止樹脂層4を貫通している。
 第2のトレンチ11Aは、図10に示すように、第2の封止樹脂層10の下面10aから第2の封止樹脂層10の下面10aと反対側の面に向かって当該反対側の面に達するまで形成されている。つまり、第2のトレンチ11Aは第2の封止樹脂層10を貫通している。
 したがって、上述した第2実施形態によれば、第1のトレンチ5Aおよび第2のトレンチ11Aを例えばレーザ加工により形成する際に、平面視で第1のトレンチ5Aが形成される部分において少なくとも配線基板2の他方主面2b側の部分が損傷することを防ぐことができる。また、平面視で第2のトレンチ11Aが形成される部分において配線基板2の一方主面2a側の部分が損傷することを防ぐことができる。これにより、配線基板割れを抑制することができる。
 なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行うことができる。
 例えば、上記した第1実施形態では、平面視で第1のトレンチ5と第2のトレンチ11が重なり合う部分では、第1のトレンチ5は第1の封止樹脂層4を貫通し、第2のトレンチ11は第2の封止樹脂層10を貫通しないように形成されているが、これに限定されるものではない。例えば、平面視で第1のトレンチ5と第2のトレンチ11が重なり合う部分では、第1のトレンチ5は第1の封止樹脂層4を貫通しないように、第2のトレンチ11は第2の封止樹脂層10を貫通するように形成されていてもよい。また、平面視で第1のトレンチ5と第2のトレンチ11が重なり合う部分では、第1のトレンチ5は第1の封止樹脂層4を貫通しないように、第2のトレンチ11は第2の封止樹脂層10を貫通しないように形成されていてもよい。
 また、上記した第2実施形態では、第1のトレンチ5Aは第1の封止樹脂層4を貫通し、第2のトレンチ11Aは第2の封止樹脂層10を貫通するように形成されているが、これに限定されるものではない。例えば、第1のトレンチ5Aは第1の封止樹脂層4を貫通しないように形成し、第2のトレンチ11Aは第2の封止樹脂層10を貫通するように形成してもよい。また、第1のトレンチ5Aは第1の封止樹脂層4を貫通するように形成し、第2のトレンチ11Aは第2の封止樹脂層10を貫通しないように形成してもよい。また、第1のトレンチ5Aは第1の封止樹脂層4を貫通しないように形成し、第2のトレンチ11Aは第2の封止樹脂層10を貫通しないように形成してもよい。
 また、上記した第1実施形態では第2の金属膜15は平面視で第1のトレンチ5と第2のトレンチ11が重なり合う部分にも設けられているが、これに限定されるものではなく、第2の金属膜15は平面視で第1のトレンチ5と第2のトレンチ11が重なり合う部分には設けないようにしてもよい。
 また、上記した各実施形態の内容や変形例の内容を組み合わせてもよい。
 本発明は配線基板に実装された部品を封止する封止樹脂層にトレンチが形成されたモジュールに適用することができる。
 1,1A モジュール
 2 配線基板
 3a 第1の電子部品
 3b 第2の電子部品
 4 第1の封止樹脂層
 5 第1のトレンチ
 6 第1のシールド層
 6a 第1のシールド部
 9a 第3の電子部品
 9b 第4の電子部品
 10 第2の封止樹脂層
 11 第2のトレンチ
 12 第2のシールド層
 12a 第2のシールド部
 12b 第3のシールド部
 13 実装端子電極

Claims (5)

  1.  一方主面と他方主面とを有する配線基板と、
     前記一方主面に実装された第1の部品および第2の部品と、
     前記一方主面と前記第1の部品および前記第2の部品とを封止する第1の封止樹脂層と、
     前記他方主面に実装された第3の部品および第4の部品と、
     前記他方主面と前記第3の部品および前記第4の部品とを封止する第2の封止樹脂層と
     を備えるモジュールであって、
     前記第1の封止樹脂層には、前記一方主面に垂直な方向から見た平面視において前記第1の部品と前記第2の部品との間に、第1のトレンチが形成され、
     前記第2の封止樹脂層には、前記平面視において前記第3の部品と前記第4の部品との間に、第2のトレンチが形成されており、
     前記第1のトレンチに配置された第1のシールド部と、
     前記第2のトレンチに配置された第2のシールド部と
     をさらに備えることを特徴とするモジュール。
  2.  平面視において前記第1のトレンチと前記第2のトレンチとは互いに重なり合う部分があるように形成されており、
     前記第1のトレンチおよび前記第2のトレンチの少なくとも一方は、前記互いに重なり合う部分において、前記第1のトレンチが前記第1の封止樹脂層を貫通しないように、または、前記第2のトレンチが前記第2の封止樹脂層を貫通しないように、形成されている
     ことを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
  3.  前記他方主面に形成された実装端子電極であって、前記第2の封止樹脂層から露出している前記実装端子電極と、
     前記実装端子電極の露出している面を隔離するように、前記第2の封止樹脂層を被覆する第3のシールド部と
     をさらに備えることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のモジュール。
  4.  平面視において、前記第1のトレンチと前記第2のトレンチとは互いに重なり合わないように形成されている
     ことを特徴とする請求項1に記載のモジュール。
  5.  前記第1の封止樹脂層、前記第2の封止樹脂層及び前記配線基板それぞれの側面に積層された第4のシールド部をさらに備えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のモジュール。
PCT/JP2017/043916 2016-12-14 2017-12-07 モジュール WO2018110397A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018556614A JP6760397B2 (ja) 2016-12-14 2017-12-07 モジュール
KR1020197016496A KR102246040B1 (ko) 2016-12-14 2017-12-07 회로 모듈
CN201780077561.3A CN110073488B (zh) 2016-12-14 2017-12-07 模块
US16/427,843 US10849257B2 (en) 2016-12-14 2019-05-31 Module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016242334 2016-12-14
JP2016-242334 2016-12-14

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/427,843 Continuation US10849257B2 (en) 2016-12-14 2019-05-31 Module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018110397A1 true WO2018110397A1 (ja) 2018-06-21

Family

ID=62558415

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/043916 WO2018110397A1 (ja) 2016-12-14 2017-12-07 モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10849257B2 (ja)
JP (1) JP6760397B2 (ja)
KR (1) KR102246040B1 (ja)
CN (1) CN110073488B (ja)
WO (1) WO2018110397A1 (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3611763A1 (en) * 2018-08-13 2020-02-19 MediaTek Inc. Semiconductor device with an em-integrated damper
WO2020067468A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 株式会社村田製作所 電子部品モジュールおよび電子部品モジュールの製造方法
WO2020262457A1 (ja) * 2019-06-27 2020-12-30 株式会社村田製作所 モジュールおよびその製造方法
WO2021002157A1 (ja) * 2019-07-03 2021-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2021006141A1 (ja) * 2019-07-08 2021-01-14 株式会社村田製作所 モジュールおよびその製造方法
WO2021049521A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 株式会社村田製作所 モジュール
WO2022209730A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2022209755A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11246246B2 (en) * 2018-03-23 2022-02-08 Hitachi Astemo, Ltd. Electronic control device
US11089673B2 (en) * 2019-07-19 2021-08-10 Raytheon Company Wall for isolation enhancement
JP2021129194A (ja) * 2020-02-13 2021-09-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US11776917B2 (en) * 2020-07-16 2023-10-03 Advanced Semiconductor Engineering Korea, Inc. Electronic package
US20220066036A1 (en) * 2020-08-25 2022-03-03 Lumentum Operations Llc Package for a time of flight device
CN111816629B (zh) * 2020-09-14 2020-12-15 甬矽电子(宁波)股份有限公司 电磁屏蔽封装结构和电磁屏蔽封装结构制作方法
US11729897B1 (en) * 2022-06-27 2023-08-15 Meta Platforms Technologies, Llc Electromagnetic shielding structure for an overmolded printed circuit board

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0458596A (ja) * 1990-06-28 1992-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電磁シールド方法
US20140361428A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 Soojeoung PARK Semiconductor packages
JP2015057803A (ja) * 2013-08-09 2015-03-26 太陽誘電株式会社 回路モジュールの製造方法
US20150131231A1 (en) * 2013-11-08 2015-05-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component module and manufacturing method thereof
US20160035678A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor package and method of manufacturing the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6037846A (en) * 1998-10-09 2000-03-14 Nortel Networks Corporation Surface mount EMI gasket filter
WO2005078796A1 (ja) * 2004-02-13 2005-08-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. 電子部品及びその製造方法
CN101800215B (zh) * 2009-02-11 2012-07-04 日月光半导体制造股份有限公司 无线通讯模组封装构造
JP2012019091A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Sony Corp モジュールおよび携帯端末
JP5837515B2 (ja) * 2011-01-27 2015-12-24 株式会社村田製作所 回路モジュール
JP5614566B2 (ja) * 2011-06-03 2014-10-29 株式会社村田製作所 多層基板の製造方法および多層基板
WO2013035715A1 (ja) * 2011-09-07 2013-03-14 株式会社村田製作所 モジュールの製造方法およびモジュール
JP2014107372A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Taiyo Yuden Co Ltd 回路モジュール及びその製造方法
JP5756500B2 (ja) * 2013-08-07 2015-07-29 太陽誘電株式会社 回路モジュール
JP5576542B1 (ja) 2013-08-09 2014-08-20 太陽誘電株式会社 回路モジュール及び回路モジュールの製造方法
JP5466785B1 (ja) * 2013-08-12 2014-04-09 太陽誘電株式会社 回路モジュール及びその製造方法
TWI603456B (zh) * 2016-09-30 2017-10-21 矽品精密工業股份有限公司 電子封裝結構及其製法
US10381300B2 (en) * 2016-11-28 2019-08-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package including filling mold via

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0458596A (ja) * 1990-06-28 1992-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電磁シールド方法
US20140361428A1 (en) * 2013-06-05 2014-12-11 Soojeoung PARK Semiconductor packages
JP2015057803A (ja) * 2013-08-09 2015-03-26 太陽誘電株式会社 回路モジュールの製造方法
US20150131231A1 (en) * 2013-11-08 2015-05-14 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Electronic component module and manufacturing method thereof
US20160035678A1 (en) * 2014-07-30 2016-02-04 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Semiconductor package and method of manufacturing the same

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3611763A1 (en) * 2018-08-13 2020-02-19 MediaTek Inc. Semiconductor device with an em-integrated damper
JP7063390B2 (ja) 2018-09-28 2022-05-09 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
WO2020067468A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 株式会社村田製作所 電子部品モジュールおよび電子部品モジュールの製造方法
US11510311B2 (en) 2018-09-28 2022-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component module and method for manufacturing electronic component module
JPWO2020067468A1 (ja) * 2018-09-28 2021-08-30 株式会社村田製作所 電子部品モジュール
WO2020262457A1 (ja) * 2019-06-27 2020-12-30 株式会社村田製作所 モジュールおよびその製造方法
US11889625B2 (en) 2019-06-27 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module and method of manufacturing the same
WO2021002157A1 (ja) * 2019-07-03 2021-01-07 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
US11962090B2 (en) 2019-07-03 2024-04-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Radio frequency module and communication apparatus
US11837555B2 (en) 2019-07-08 2023-12-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Module and method of manufacturing the same
WO2021006141A1 (ja) * 2019-07-08 2021-01-14 株式会社村田製作所 モジュールおよびその製造方法
WO2021049521A1 (ja) * 2019-09-13 2021-03-18 株式会社村田製作所 モジュール
WO2022209730A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2022209755A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2018110397A1 (ja) 2019-10-24
KR102246040B1 (ko) 2021-04-29
CN110073488B (zh) 2023-05-02
KR20190077076A (ko) 2019-07-02
US10849257B2 (en) 2020-11-24
CN110073488A (zh) 2019-07-30
US20190289758A1 (en) 2019-09-19
JP6760397B2 (ja) 2020-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2018110397A1 (ja) モジュール
JP7120295B2 (ja) 高周波モジュール
JP6806166B2 (ja) 高周波モジュール
US10667381B2 (en) High frequency module
US9177881B2 (en) High-frequency semiconductor package and high-frequency semiconductor device
US10674648B2 (en) High-frequency module
US11398436B2 (en) Module having sealing layer with recess
JPH08306820A (ja) 半導体装置、半導体装置用パッケージ及びその製造方法
US20150235966A1 (en) Wiring board and semiconductor device using the same
JP7046723B2 (ja) 無線モジュールおよびその製造方法並びに電子装置
WO2017047539A1 (ja) 高周波モジュール
JPWO2019167908A1 (ja) 高周波モジュール
WO2017043621A1 (ja) 高周波モジュール
WO2018181709A1 (ja) 高周波モジュール
JP6900660B2 (ja) シールド層を有するモジュール
JP7320923B2 (ja) モジュール
JPWO2020085380A1 (ja) 電子部品モジュール及び電子部品モジュールの製造方法
JP7130958B2 (ja) モジュール
TWI811764B (zh) 半導體電磁干擾屏蔽元件、半導體封裝結構及其製造方法
JP2677213B2 (ja) 半導体集積回路装置
JP6414639B2 (ja) 高周波モジュールおよびその製造方法
JP2009231480A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17879951

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018556614

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197016496

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17879951

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1