WO2017212860A1 - 合成樹脂成形体及びその製造方法 - Google Patents

合成樹脂成形体及びその製造方法 Download PDF

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WO2017212860A1
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synthetic resin
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distal
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素美 石川
吉田 典史
龍介 泉
山川 裕之
穂高 森
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株式会社デンソー
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Definitions

  • the present disclosure relates to a synthetic resin molded body and a manufacturing method thereof.
  • the electronic device disclosed in Japanese Patent No. 5772846 includes a mold IC and a connector case.
  • the mold IC includes a sensor chip and a mold resin.
  • the sensor chip has one end protruding from the mold resin and the other end sealed with the mold resin.
  • the connector case is configured based on a connector resin portion corresponding to a secondary molded product.
  • the sealing part by the connector resin part in the mold resin is in a state of being in direct contact with the connector resin part.
  • the sensor chip side of the mold resin is exposed from the connector resin portion.
  • a secondary molded body is obtained by secondary molding in which a part of the primary molded body is covered with a synthetic resin.
  • a defect is, for example, a crack or interface peeling.
  • the synthetic resin molded body includes an electric element portion and a primary mold portion.
  • the electric element portion is a semiconductor substrate extending in a distal direction from the proximal end portion toward the distal end portion.
  • the primary mold portion is a synthetic resin portion that partially covers the electric element portion, and includes an element covering portion and a main body portion.
  • the element covering portion has a tip surface and a first side surface.
  • the tip surface is a surface exposed in the tip direction.
  • the first side surface is a surface extending along the proximal direction from the outer edge of the distal end surface.
  • the proximal direction is a direction opposite to the distal direction.
  • the element covering portion is provided so as to protrude the distal end portion side from the distal end surface while covering the proximal end portion side of the electric element portion and exposing the distal end portion in the distal end direction.
  • the main body has an intermediate surface and a second side surface.
  • the intermediate surface is a surface exposed in the distal direction, and extends in a direction intersecting the proximal direction from an end portion of the first side surface in the proximal direction.
  • the second side surface is a surface extending from the outer edge of the intermediate surface along the proximal direction.
  • the main body portion is integrally connected to the element covering portion while being disposed closer to the proximal direction side than the element covering portion.
  • the electric element portion is a mode in which the tip portion is exposed in the tip direction, and a part (that is, a portion on the tip portion side) of the element covering portion of the primary mold portion from the tip surface. It protrudes. Therefore, in the portion where the electric element portion of the primary mold portion protrudes, various defects (for example, occurrence of cracks, etc.) may be concerned during secondary molding.
  • the main body portion is further provided on the proximal direction side of the element covering portion in the primary mold portion.
  • the main body has the intermediate surface exposed in the distal direction.
  • the intermediate surface extends in a direction intersecting the base end direction from the end portion in the base end direction of the first side surface of the element covering portion. Therefore, the intermediate surface extends outward from the element covering portion. That is, a convex portion that protrudes outward from the element covering portion is formed in a portion of the primary mold portion where the intermediate surface of the main body portion is formed.
  • the portion of the primary mold portion where the electric element portion protrudes Utilizing such a shape of the primary mold portion, that is, for example, by using the intermediate surface as a mold contact surface during secondary molding, the portion of the primary mold portion where the electric element portion protrudes.
  • the occurrence of the problem can be suppressed as much as possible.
  • Another aspect of the present disclosure includes an electrical element portion that is a semiconductor substrate extending in a distal direction from the base end portion toward the distal end portion, and a primary mold portion that is a synthetic resin portion that partially covers the electrical element portion. It is a method for producing a synthetic resin molded body by covering the provided primary molded body with a synthetic resin. Specifically, this manufacturing method includes a step of preparing the primary molded body, a step of setting the primary molded body in a mold for secondary molding, and a step of performing secondary molding.
  • the primary molded body includes the primary mold portion having an element covering portion and a main body portion.
  • the element covering portion has a tip surface and a first side surface.
  • the tip surface is a surface exposed in the tip direction.
  • the first side surface is a surface extending along the proximal direction from the outer edge of the distal end surface.
  • the proximal direction is a direction opposite to the distal direction.
  • the element covering portion is provided so as to protrude the distal end portion side from the distal end surface while covering the proximal end portion side of the electric element portion.
  • the main body has an intermediate surface and a second side surface.
  • the intermediate surface is a surface exposed in the distal direction, and extends in a direction intersecting the proximal direction from an end portion of the first side surface in the proximal direction.
  • the second side surface is a surface extending from the outer edge of the intermediate surface along the proximal direction.
  • the main body portion is integrally connected to the element covering portion while being disposed closer to the proximal direction side than the element covering portion.
  • the secondary molding die has an insertion hole and a molded body contact surface.
  • the insertion hole is a hole through which the element covering portion can be inserted.
  • the molded body contact surface is a surface provided in connection with the opening of the insertion hole.
  • the primary molded body is set in the secondary molding die so that the intermediate surface is in contact with the molded body contact surface.
  • the tip portion side of the electronic element portion protrudes in the tip direction from the tip surface of the element covering portion in the primary mold portion.
  • the base end side of the electronic element part is covered with the primary mold part.
  • the main body portion is provided on the base end direction side of the element covering portion in the primary mold portion.
  • the main body has the intermediate surface exposed in the distal direction. The intermediate surface extends in a direction intersecting the base end direction from the end portion in the base end direction of the first side surface of the element covering portion.
  • the intermediate surface extends outward from the element covering portion. That is, a convex portion that protrudes outward from the element covering portion is formed in a portion of the primary mold portion where the intermediate surface of the main body portion is formed. Therefore, the primary molded body can be set in the secondary molding die so that the intermediate surface is in contact with the molded body contact surface of the secondary molding die. Thereby, generation
  • FIG. It is a sectional side view which shows schematic structure of the secondary molded object which concerns on embodiment. It is a front view of the primary molded object shown by FIG. It is the schematic of the manufacturing method of the secondary molded object shown by FIG. It is the schematic of the manufacturing method of the secondary molded object shown by FIG. It is the schematic of the manufacturing method of the secondary molded object shown by FIG. It is the schematic of the manufacturing method of the secondary molded object shown by FIG. It is the schematic of the manufacturing method of the secondary molded object shown by FIG. It is a front view which shows the modification of the primary molded object shown by FIG. It is a front view which shows the modification of the primary molded object shown by FIG. It is a sectional side view which shows the modification of the primary molded object shown by FIG. It is a sectional side view which shows schematic structure of the primary molded object which concerns on the manufacturing method of a modification.
  • a secondary molded body 1 which is an example of a synthetic resin molded body has a primary molded body 2 and a secondary mold portion 3. That is, the secondary molded body 1 is formed by partially covering the primary molded body 2 with the secondary mold portion 3.
  • the secondary mold portion 3 is formed by molding a synthetic resin such as polyphenylene sulfide.
  • the right direction in FIG. 1 is referred to as “tip direction”, and the left direction in FIG. 1 is referred to as “proximal direction”.
  • the distal direction is the D1 direction in the figure
  • the proximal direction is the D2 direction in the figure.
  • an end portion in the distal direction may be referred to as a “distal end portion”
  • an end portion in the proximal direction may be referred to as a “proximal end portion”.
  • a part of the primary molded body 2 that is, the portion on the base end side
  • the secondary mold part 3 is covered.
  • the primary molded body 2 includes an electric circuit portion 4 and a primary mold portion 5.
  • the electric circuit unit 4 is formed by mounting a large number of circuit elements 42 on a circuit board 41.
  • a semiconductor element portion 43 is mounted on the tip portion of the circuit board 41.
  • the semiconductor element portion 43 is a semiconductor substrate that extends in the distal direction from the proximal end portion 44 toward the distal end portion 45. That is, the base end portion 44 of the semiconductor element portion 43 is fixed to the circuit board 41 via a lead frame or the like (not shown).
  • the tip 45 of the semiconductor element 43 protrudes outside the circuit board 41.
  • the semiconductor element part 43 which is an electric element part has a detection part 46 at the tip part 45.
  • the detection unit 46 is configured to generate an electrical output (for example, electric charge) according to the surrounding fluid pressure.
  • the fluid pressure is, for example, fuel pressure, brake oil pressure, hydrogen gas pressure, or the like. That is, the electric circuit unit 4 and the semiconductor element unit 43 of the present embodiment are configured to function as a so-called pressure sensor that generates an electric output (for example, voltage) corresponding to the fluid pressure applied to the detection unit 46. ing. Note that illustration of bonding wires is omitted for simplification of illustration and description.
  • the primary mold portion 5 is a synthetic resin portion that partially covers the electric circuit portion 4 and is formed by molding a synthetic resin such as polyphenylene sulfide. Specifically, in the present embodiment, the primary mold part 5 is provided so as to cover most of the electric circuit part 4 excluding the tip part 45 and the vicinity thereof in the semiconductor element part 43.
  • the primary mold part 5 has an element covering part 51 and a main body part 52.
  • the element covering portion 51 is a columnar portion provided so as to protrude from the main body portion 52 in the distal direction, and is formed in a substantially hexagonal column shape in the present embodiment.
  • the main body portion 52 is integrally connected to the element covering portion 51 while being disposed on the proximal direction side of the element covering portion 51.
  • the element covering portion 51 and the main body portion 52 are integrally formed without a seam.
  • the element covering portion 51 has a front end face 54 and a first side face 55.
  • the element covering portion 51 is provided so as to project the distal end portion 45 side from the distal end surface 54 in such a manner that the distal end portion 45 is exposed in the distal end direction while covering the base end portion 44 side of the semiconductor element portion 43.
  • the tip surface 54 is a surface exposed in the tip direction.
  • the “surface exposed in the tip direction” is a surface that faces in a direction along the tip direction.
  • the angle formed by the outward normal direction and the tip direction in the “surface exposed in the tip direction” is 0 degree or more and less than 90 degrees.
  • the distal end surface 54 is formed as a tapered surface that is separated from the central axis CA toward the proximal direction in a side view.
  • the side view in this case means that the front end surface 54 is viewed along a direction orthogonal to the thickness direction of the semiconductor element portion 43 and orthogonal to the central axis CA.
  • the central axis CA is a straight line that is parallel to the distal direction and passes through the element covering portion 51, and is typically the central axis of the primary mold portion 5.
  • the tip surface 54 is formed in a planar shape in which ⁇ 1 in FIG. 1 is about 75 to 85 degrees. This angle ⁇ 1 is an angle formed between the intersection of the flat surface including the central axis CA and parallel to the thickness direction of the semiconductor element portion 43 and the tip surface 54 and the central axis CA on the inner side of the primary mold portion 5. Can be defined.
  • the first side surface 55 is a surface extending from the outer edge of the distal end surface 54 along the proximal direction. In the present embodiment, the first side surface 55 is formed in a hexagonal columnar shape parallel to the central axis CA.
  • the main body 52 has an intermediate surface 56 and a second side surface 57.
  • the intermediate surface 56 is a surface exposed in the distal direction, and is provided so as to extend from an end portion of the first side surface 55 in the proximal direction in a direction crossing the proximal direction. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the intermediate surface 56 is provided over the entire circumference surrounding the central axis CA.
  • the intermediate surface 56 is a secondary molding die 60 to be described later (see FIG. 3C) at the time of secondary molding in which the secondary mold part 3 is formed around a portion of the main body 52 that is closer to the proximal direction than the intermediate surface 56. It is formed so that it may contact.
  • the intermediate surface 56 is formed in a tapered surface that is separated from the central axis CA toward the proximal direction, specifically, a truncated conical surface in which ⁇ 2 in FIG. 1 is about 45 to 70 degrees. ing.
  • This angle ⁇ ⁇ b> 2 is an angle formed on the inner side of the primary mold portion 5 by the intersection of the plane including the central axis CA and parallel to the thickness direction of the semiconductor element portion 43 and the intermediate surface 56 and the central axis CA.
  • the tip surface 54 and the intermediate surface 56 are formed so that ⁇ 2 ⁇ 1.
  • the second side surface 57 is a surface extending from the outer edge of the intermediate surface 56 along the proximal direction.
  • the second side surface 57 is formed in a cylindrical surface shape parallel to the central axis CA.
  • This manufacturing method is a method for manufacturing the secondary molded body 1 by covering the primary molded body 2 including the semiconductor element portion 43 and the primary mold portion 5 with a synthetic resin.
  • the electric circuit unit 4 having the above configuration is prepared (see FIG. 3A).
  • the electric circuit portion 4 is fixed to a molding die (not shown), and a primary molded body 2 is obtained by molding using a synthetic resin such as polyphenylene sulfide (see FIG. 3B).
  • the primary molded body 2 configured as described above is set in a secondary molding die 60 (see FIGS. 3C and 3D).
  • the schematic configuration of the secondary molding die 60 will be described.
  • An insertion hole 61 and a recess 62 are formed in the secondary molding die 60.
  • the insertion hole 61 is a through hole provided so that the element covering portion 51 and the semiconductor element portion 43 in the primary molded body 2 can be inserted. Referring to FIGS. 3C and 3D, when the primary molded body 2 is set in the secondary molding die 60, the first side surface 55 of the element covering portion 51 in the primary molding portion 5, and the secondary molding die 60. A predetermined gap is formed between the inner wall surface of the insertion hole 61 in FIG.
  • the recess 62 is formed so as to accommodate and support the main body 52 in the primary molded body 2 when the primary molded body 2 is set in the secondary molding die 60. That is, the recess 62 has a molded body abutting surface 63.
  • the molded body abutting surface 63 is a surface provided to be connected to the opening of the insertion hole 61, and comes into close contact with the intermediate surface 56 when the primary molded body 2 is set in the secondary molding die 60. Is formed.
  • the molded body abutting surface 63 is formed in a truncated conical inner surface corresponding to the intermediate surface 56. Referring to FIG. 3C and FIG.
  • the second side surface 57 of the main body 52 in the primary molding portion 5 and the secondary molding die 60 when the primary molded body 2 is set in the secondary molding die 60, the second side surface 57 of the main body 52 in the primary molding portion 5 and the secondary molding die 60.
  • the inner wall surface of the recess 62 and the surface facing the second side surface 57 are formed so as to be in close contact with each other with a predetermined fitting tolerance due to gap fitting.
  • the primary molded body 2 is set in the secondary molding die 60 so that the intermediate surface 56 contacts the molded body contact surface 63 (see FIG. 3D). Thereafter, molding is performed in which a synthetic resin such as polyphenylene sulfide is injected into the cavity 64 of the secondary molding die 60. That is, in the secondary molding die 60, secondary molding is performed in which the periphery of the base end side portion of the main body 52 with respect to the intermediate surface 56 is covered with the synthetic resin. At this time, as indicated by an arrow in FIG. 3D, a molding pressure associated with the casting of the synthetic resin acts on the primary molded body 2. Due to the molding pressure, the intermediate surface 56 and the molded product contact surface 63 are brought into close contact with each other.
  • a synthetic resin such as polyphenylene sulfide
  • the element covering portion 51 positioned on the tip side of the intermediate surface 56 is accommodated in the insertion hole 61 without contacting the inner wall surface of the secondary molding die 60. For this reason, the above-described molding pressure does not act on the element covering portion 51.
  • the semiconductor element portion 43 is partially (ie, the tip portion 45) from the tip surface 54 of the element covering portion 51 in the primary mold portion 5 in such a manner that the tip portion 45 is exposed in the tip direction.
  • the side part is protruding. Therefore, in the portion where the semiconductor element portion 43 protrudes in the primary mold portion 5, the following problems may occur. For example, a crack or interface peeling may occur at a position in the vicinity of the semiconductor element portion 43 due to a molding pressure acting on the tip surface 54 of the element covering portion 51 during the secondary molding.
  • the operating characteristics (that is, sensor characteristics) of the semiconductor element portion 43 can be changed carelessly.
  • the tip 45 of the semiconductor element portion 43 exposed to the outside collides with the die, so that the semiconductor element portion 43 is damaged or operated. Characteristic changes can occur.
  • the main body 52 is provided on the proximal direction side of the element covering portion 51 in the primary mold portion 5.
  • the main body 52 has an intermediate surface 56 exposed in the distal direction.
  • the intermediate surface 56 extends from the end of the first side surface 55 of the element covering portion 51 in the base end direction in a direction crossing the base end direction. Therefore, the intermediate surface 56 extends outward from the element covering portion 51. That is, a convex portion that protrudes outward from the element covering portion 51 is formed in a portion of the primary mold portion 5 where the intermediate surface 56 in the main body portion 52 is formed.
  • a concave portion 62 is formed in the secondary molding die 60 corresponding to the convex portion. Further, in the secondary molding die 60, an insertion hole 61 for inserting the element covering portion 51 and the semiconductor element portion 43 is formed so as to communicate with the recess 62.
  • the intermediate surface 56 is a mold contact surface during secondary molding. For this reason, it can be satisfactorily avoided that the tip surface 54 abuts against the secondary molding die 60 and a molding pressure acts on the element covering portion 51. Therefore, the occurrence of various problems as described above due to the tip surface 54 coming into contact with the secondary molding die 60 can be avoided well.
  • the primary molded body 2 when the primary molded body 2 is set in the secondary molding die 60, the first side surface 55 of the element covering portion 51 in the primary mold portion 5 and the inner wall surface of the insertion hole 61 in the secondary molding die 60. A predetermined gap is formed between the two. For this reason, workability at the time of accommodating the front-end
  • the intermediate surface 56 is formed as a tapered surface that is separated from the central axis CA toward the proximal direction. That is, the angle between the first side surface 55 and the intermediate surface 56 (180 ⁇ 2) degrees is larger than 90 degrees. Therefore, according to such a configuration, the occurrence of cracks at the connection portion between the element covering portion 51 and the main body portion 52 (that is, the end portion in the proximal direction of the first side surface 55) can be suppressed satisfactorily.
  • the intermediate surface 56 is provided over the entire circumference surrounding the central axis CA. Therefore, in a state where the primary molded body 2 is set in the secondary molding die 60, the contact and contact state between the intermediate surface 56 and the molded body contact surface 63 is formed over the entire circumference surrounding the central axis CA. . Therefore, according to this structure, generation
  • molding can be suppressed favorably.
  • the taper angle ⁇ 1 at the tip surface 54 is set to a large angle that is less than 90 degrees and close to 90 degrees. This angle is such an angle that the releasability at the time of primary molding is improved.
  • the taper angle ⁇ ⁇ b> 2 on the intermediate surface 56 is, as described above, at the workability when the primary molded body 2 is set in the secondary molding die 60, and at the connection portion between the element covering portion 51 and the main body portion 52. From the viewpoint of suppressing the occurrence of cracks, the angle is set to a relatively small angle. Therefore, ⁇ 2 ⁇ 1. According to such a configuration, workability at the time of secondary molding and securing of the quality of the secondary molded body 1 can be satisfactorily achieved.
  • the primary molded body 2 is set on the secondary molding die 60 so that the intermediate surface 56 comes into contact with the molded body contact surface 63 of the secondary molding die 60.
  • production of the malfunction in the part which the semiconductor element part 43 protrudes in the primary mold part 5 can be suppressed as much as possible.
  • the primary molded body 2 may be a secondary molded product obtained by performing secondary molding by molding with a synthetic resin such as polyphenylene sulfide on a primary molded product that is a synthetic resin molded body.
  • a synthetic resin such as polyphenylene sulfide
  • the expression “primary molded body” in this specification is merely used in a relative relationship with the “secondary molded body”.
  • the shape of the primary mold part 5 is not limited to the specific mode shown in the above embodiment.
  • the main body 52 may be formed in a prismatic shape.
  • the element covering portion 51 may be formed in a cylindrical shape.
  • the tip surface 54 and / or the intermediate surface 56 are not limited to a tapered surface. That is, for example, the tip surface 54 and / or the intermediate surface 56 may be a surface perpendicular to the central axis CA.
  • the first side surface 55 and / or the second side surface 57 may be a surface that is not parallel to the central axis CA. That is, for example, the element covering portion 51 may be formed in a truncated polygonal cone shape or a truncated cone shape. Similarly, portions other than the portion where the intermediate surface 56 is formed in the main body portion 52 may be formed in a truncated polygonal cone shape or a truncated cone shape.
  • the intermediate surface 56 may be provided on a part of the entire circumference surrounding the central axis CA.
  • the primary mold portion 5 may be provided with an extending portion 511 extending in the tip direction from the tip surface 54 along the semiconductor element portion 43.
  • the extending portion 511 can be provided to a position closer to the base end side than the distal end portion 45 in order to expose the distal end portion 45 of the semiconductor element portion 43 in the distal end direction.
  • the configuration of the present disclosure is not limited to the pressure sensor. However, it may be preferable to expose the detection unit 46 in a wide range with respect to the detection target space. Alternatively, there may be a case where the front end portion 45 of the semiconductor element portion 43 needs to be exposed in the front end direction due to the structure of the detection unit 46, for example, in relation to forming a diaphragm and a pressure reference chamber. For this reason, the configuration of the present disclosure can typically be applied well to a pressure sensor.
  • the manufacturing method of the present disclosure is not limited to the above embodiment.
  • the manufacturing method of the present disclosure is also applied to the primary molded body 2 having a configuration in which the distal end side end surface of the distal end portion 45 in the semiconductor element portion 43 is covered with the extending portion 511 as illustrated in FIG. Applicable.
  • the element covering portion 51 only needs to be provided so as to protrude the distal end portion 45 side from the distal end surface 54 while covering the base end portion 44 side of the semiconductor element portion 43.
  • the second side surface 57 of the main body 52 in the primary molding portion 5 and the secondary molding die 60 when the primary molded body 2 is set in the secondary molding die 60, the second side surface 57 of the main body 52 in the primary molding portion 5 and the secondary molding die 60.
  • a predetermined gap may be formed between the inner wall surface of the recess 62 and the surface facing the second side surface 57.
  • the first side surface 55 of the element covering portion 51 in the primary mold portion 5 and the inner wall surface of the insertion hole 61 in the secondary molding die 60 are in close contact with each other with a predetermined fitting tolerance due to gap fitting. It may be formed as follows.
  • the plurality of constituent elements that are integrally formed with each other seamlessly may be formed by bonding separate members to each other.
  • a plurality of constituent elements formed by sticking separate members to each other may be formed integrally with each other without a seam.
  • the plurality of constituent elements formed of the same material may be formed of different materials.
  • a plurality of constituent elements formed of different materials may be formed of the same material.
  • modified examples are not limited to the above examples. A plurality of modifications may be combined with each other. Furthermore, all or a part of the above-described embodiment and all or a part of the modified examples can be combined with each other.

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Abstract

合成樹脂成形体(1)は、先端方向(D1)に延びる半導体基板である電気素子部(43)と、電気素子部を部分的に覆う合成樹脂部である一次モールド部(5)とを備える。一次モールド部は、素子被覆部(51)と本体部(52)とを有する。素子被覆部は、先端方向に露出する先端面(54)と、先端面の外縁から先端方向とは反対の基端方向(D2)に沿って延びる第一側面(55)とを有し、電気素子部における基端部側を覆いつつ先端部が先端方向に露出する態様で先端部側を先端面から突出させるように設けられる。本体部は、先端方向に露出する面であって第一側面の基端方向における端部から基端方向と交差する方向に延びる中間面(56)と、中間面の外縁から基端方向に沿って延びる第二側面(57)とを有し、素子被覆部よりも基端方向側に配置されつつ素子被覆部と一体的に接続される。

Description

合成樹脂成形体及びその製造方法 関連出願への相互参照
 本出願は、2016年6月9日に出願された日本特許出願番号2016-115433号に基づくもので、ここにその記載内容が参照により組み入れられる。
 本開示は、合成樹脂成形体及びその製造方法に関する。
 特許第5772846号公報に開示された電子装置は、モールドICとコネクタケースとを備えている。モールドICは、センサチップとモールド樹脂とを備えている。センサチップは、一端側の部位がモールド樹脂から突出し、他端側の部位がモールド樹脂で封止されている。コネクタケースは、二次成形物に相当するコネクタ樹脂部をベースとして構成されている。モールド樹脂における、コネクタ樹脂部による封止部位は、コネクタ樹脂部と直接接触した状態とされている。モールド樹脂におけるセンサチップ側は、コネクタ樹脂部から露出している。
 上記のように、一次成形体の一部を合成樹脂によって覆う二次成形によって二次成形体を得る場合、留意すべき事項がある。例えば、二次成形時において、一次成形体における不具合の発生を、可及的に抑制することが求められている。この不具合は、例えば、クラック又は界面剥離等である。本開示は、上記に例示した事情に鑑みてなされたものである。
 本開示の1つの観点によれば、合成樹脂成形体は、電気素子部と一次モールド部とを備えている。前記電気素子部は、基端部から先端部に向かう先端方向に延びる半導体基板である。前記一次モールド部は、前記電気素子部を部分的に覆う合成樹脂部であって、素子被覆部と本体部とを有している。前記素子被覆部は、先端面と第一側面とを有している。前記先端面は、前記先端方向に露出する面である。前記第一側面は、前記先端面の外縁から基端方向に沿って延びる面である。前記基端方向は、前記先端方向とは反対の方向である。前記素子被覆部は、前記電気素子部における前記基端部側を覆いつつ、前記先端部が前記先端方向に露出する態様で前記先端部側を前記先端面から突出させるように設けられている。前記本体部は、中間面と第二側面とを有している。前記中間面は、前記先端方向に露出する面であって、前記第一側面の前記基端方向における端部から前記基端方向と交差する方向に延びる。前記第二側面は、前記中間面の外縁から前記基端方向に沿って延びる面である。前記本体部は、前記素子被覆部よりも前記基端方向側に配置されつつ、前記素子被覆部と一体的に接続されている。
 上記構成においては、前記電気素子部は、前記先端部が前記先端方向に露出する態様で、前記一次モールド部における前記素子被覆部の前記先端面から一部(即ち前記先端部側の部分)が突出している。故に、前記一次モールド部における前記電気素子部が突出する部分にて、二次成形の際に、種々の不具合の発生(例えばクラック発生等)が懸念されるかもしれない。
 この点、上記構成においては、更に、前記一次モールド部における前記素子被覆部よりも前記基端方向側に、前記本体部が設けられている。前記本体部は、前記先端方向に露出する前記中間面を有する。前記中間面は、前記素子被覆部における前記第一側面の、前記基端方向における前記端部から、前記基端方向と交差する方向に延びる。故に、前記中間面は、前記素子被覆部から外側に延びる。即ち、前記一次モールド部の、前記本体部における前記中間面が形成された部分には、前記素子被覆部から外側に突出する凸部が形成される。このような前記一次モールド部の形状を利用する、即ち、例えば、前記中間面を二次成形時の金型当接面とすることにより、前記一次モールド部における前記電気素子部が突出する部分での不具合の発生が可及的に抑制され得る。
 本開示の他の1つの観点は、基端部から先端部に向かう先端方向に延びる半導体基板である電気素子部と、前記電気素子部を部分的に覆う合成樹脂部である一次モールド部とを備えた一次成形体を、合成樹脂で覆うことで、合成樹脂成形体を製造する方法である。具体的には、この製造方法は、前記一次成形体を用意する工程と、前記一次成形体を二次成形用金型にセットする工程と、二次成形を行う工程とを有する。
 前記一次成形体は、素子被覆部と本体部とを有する前記一次モールド部を備える。前記素子被覆部は、先端面と第一側面とを有する。前記先端面は、前記先端方向に露出する面である。前記第一側面は、前記先端面の外縁から基端方向に沿って延びる面である。前記基端方向は、前記先端方向とは反対の方向である。前記素子被覆部は、前記電気素子部における前記基端部側を覆いつつ、前記先端部側を前記先端面から突出させるように設けられている。前記本体部は、中間面と第二側面とを有している。前記中間面は、前記先端方向に露出する面であって、前記第一側面の前記基端方向における端部から前記基端方向と交差する方向に延びる。前記第二側面は、前記中間面の外縁から前記基端方向に沿って延びる面である。前記本体部は、前記素子被覆部よりも前記基端方向側に配置されつつ、前記素子被覆部と一体的に接続されている。
 前記二次成形用金型は、挿通孔と成形体当接面とを有する。前記挿通孔は、前記素子被覆部を挿通可能な孔である。前記成形体当接面は、前記挿通孔の開口部に接続して設けられた面である。前記一次成形体は、前記中間面が前記成形体当接面と当接するように、前記二次成形用金型にセットされる。前記二次成形を行う工程においては、前記二次成形用金型内にて、前記本体部における前記中間面よりも前記基端方向側の部分の周囲を前記合成樹脂で覆う工程が行われる。
 上記のように、前記一次成形体においては、前記電子素子部における前記先端部側は、前記一次モールド部における前記素子被覆部の前記先端面から前記先端方向に突出している。一方、前記電子素子部における前記基端部側は、前記一次モールド部によって覆われている。更に、前記一次モールド部における前記素子被覆部よりも前記基端方向側に、前記本体部が設けられている。前記本体部は、前記先端方向に露出する前記中間面を有する。前記中間面は、前記素子被覆部における前記第一側面の、前記基端方向における前記端部から、前記基端方向と交差する方向に延びる。
 故に、前記中間面は、前記素子被覆部から外側に延びる。即ち、前記一次モールド部の、前記本体部における前記中間面が形成された部分には、前記素子被覆部から外側に突出する凸部が形成される。したがって、前記中間面が前記二次成形用金型における前記成形体当接面と当接するように、前記一次成形体を前記二次成形用金型にセットすることが可能となる。これにより、前記一次モールド部における前記電気素子部が突出する部分での不具合の発生が可及的に抑制され得る。
 なお、請求の範囲に記載された各手段に対応して付与された括弧付きの参照符号は、同手段と後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
実施形態に係る二次成形体の概略構成を示す側断面図である。 図1に示された一次成形体の正面図である。 図1に示された二次成形体の製造方法の概略図である。 図1に示された二次成形体の製造方法の概略図である。 図1に示された二次成形体の製造方法の概略図である。 図1に示された二次成形体の製造方法の概略図である。 図2に示された一次成形体の一変形例を示す正面図である。 図2に示された一次成形体の一変形例を示す正面図である。 図1に示された一次成形体の一変形例を示す側断面図である。 変形例の製造方法に係る一次成形体の概略構成を示す側断面図である。
 以下、実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、実施形態と後述の変形例とにおいて、互いに同一又は均等である部分には同一符号が付されているものとする。
 (実施形態の成形体の構成)
 図1を参照すると、合成樹脂成形体の一例である二次成形体1は、一次成形体2と二次モールド部3とを有している。即ち、二次成形体1は、一次成形体2を部分的に二次モールド部3で覆うことで形成されている。二次モールド部3は、ポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂を型成形することにより形成されている。
 以下、図1における右方向を「先端方向」と称し、図1における左方向を「基端方向」と称する。先端方向は図中D1方向であり、基端方向は図中D2方向である。また、各部材において、先端方向における端部を「先端部」、基端方向における端部を「基端部」とそれぞれ称することがある。本実施形態の二次成形体1においては、一次成形体2の先端部側が二次モールド部3の外部に露出するように、一次成形体2の一部(即ち基端部側の部分)が二次モールド部3で覆われている。
 一次成形体2は、電気回路部4と一次モールド部5とを備えている。電気回路部4は、回路基板41の上に多数の回路要素42を実装することにより形成されている。また、回路基板41の先端部には、半導体素子部43が実装されている。半導体素子部43は、基端部44から先端部45に向かう先端方向に延びる半導体基板である。即ち、半導体素子部43の基端部44は、図示しないリードフレーム等を介して、回路基板41に固定されている。半導体素子部43の先端部45は、回路基板41の外側に突出している。
 電気素子部である半導体素子部43は、先端部45に検知部46を有している。本実施形態においては、検知部46は、周囲の流体圧力に応じた電気出力(例えば電荷)を発生するように構成されている。流体圧力は、例えば、燃料圧、ブレーキ油圧、水素ガス圧力、等である。即ち、本実施形態の電気回路部4及び半導体素子部43は、検知部46に作用した流体圧力に応じた電気出力(例えば電圧)を発生する、いわゆる圧力センサとしての機能を奏するように構成されている。なお、図示及び説明の簡略化のため、ボンディングワイヤの図示は省略されている。
 一次モールド部5は、電気回路部4を部分的に覆う合成樹脂部であって、ポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂を型成形することにより形成されている。具体的には、本実施形態においては、一次モールド部5は、半導体素子部43における先端部45及びその近傍の部分を除く、電気回路部4の大部分を覆うように設けられている。
 一次モールド部5は、素子被覆部51と本体部52とを有している。図1及び図2を参照すると、素子被覆部51は、本体部52から先端方向に突出するように設けられた柱状部であって、本実施形態においては略六角柱状に形成されている。本体部52は、素子被覆部51よりも基端方向側に配置されつつ、素子被覆部51と一体的に接続されている。具体的には、本実施形態においては、素子被覆部51と本体部52とは、継ぎ目無く一体に成形されている。
 素子被覆部51は、先端面54と第一側面55とを有している。素子被覆部51は、半導体素子部43における基端部44側を覆いつつ、先端部45が先端方向に露出する態様で先端部45側を先端面54から突出させるように設けられている。
 先端面54は、先端方向に露出する面である。「先端方向に露出する面」とは、先端方向に沿った方向を向く面である。具体的には、「先端方向に露出する面」における外向き法線方向と先端方向とのなす角は、0度以上90度未満となる。本実施形態においては、先端面54は、側面視にて、基端方向に向かう程中心軸線CAから離隔するテーパ面として形成されている。この場合の側面視とは、半導体素子部43の厚さ方向と直交し且つ中心軸線CAと直交する方向に沿って、先端面54を見ることをいう。中心軸線CAは、先端方向と平行で素子被覆部51を通る直線であって、典型的には一次モールド部5の中心軸線である。本実施形態においては、先端面54は、図1におけるθ1が75~85度程度となる平面状に形成されている。この角度θ1は、中心軸線CAを含み且つ半導体素子部43の厚さ方向と平行な平面と先端面54との交線と、中心軸線CAとが、一次モールド部5の内部側にてなす角と定義付けることができる。第一側面55は、先端面54の外縁から基端方向に沿って延びる面である。本実施形態においては、第一側面55は、中心軸線CAと平行な六角柱面状に形成されている。
 本体部52は、中間面56と第二側面57とを有している。中間面56は、先端方向に露出する面であって、第一側面55の基端方向における端部から基端方向と交差する方向に延びるように設けられている。また、本実施形態においては、図2に示されているように、中間面56は、中心軸線CAを囲む全周にわたって設けられている。中間面56は、本体部52における中間面56よりも基端方向側の部分の周囲に二次モールド部3を形成する二次成形時に、後述する二次成形用金型60(図3C参照)に当接するように形成されている。
 本実施形態においては、中間面56は、基端方向に向かう程中心軸線CAから離隔するテーパ面、具体的には図1におけるθ2が45~70度程度となる切頭円錐面状に形成されている。この角度θ2は、中心軸線CAを含み且つ半導体素子部43の厚さ方向と平行な平面と中間面56との交線と、中心軸線CAとが、一次モールド部5の内部側にてなす角と定義付けることができる。即ち、本実施形態においては、θ2<θ1となるように、先端面54及び中間面56が形成されている。
 第二側面57は、中間面56の外縁から基端方向に沿って延びる面である。本実施形態においては、第二側面57は、中心軸線CAと平行な円柱面状に形成されている。
 (実施形態の成形体の製造方法)
 本実施形態に係る二次成形体1の製造方法の概略を、図3A~図3Dを用いて以下説明する。この製造方法は、半導体素子部43と一次モールド部5とを備えた一次成形体2を、合成樹脂で覆うことで、二次成形体1を製造する方法である。
 まず、上記構成の電気回路部4を用意する(図3A参照)。次に、この電気回路部4を図示しない成形型に固定し、ポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂を用いた型成形により、一次成形体2を得る(図3B参照)。このようにして用意された、上記構成の一次成形体2は、二次成形用金型60にセットされる(図3C及び図3D参照)。
 二次成形用金型60の概略構成について説明する。二次成形用金型60には、挿通孔61と凹部62とが形成されている。挿通孔61は、一次成形体2における素子被覆部51及び半導体素子部43を挿通可能に設けられた貫通孔である。図3C及び図3Dを参照すると、一次成形体2を二次成形用金型60にセットした場合に、一次モールド部5における素子被覆部51の第一側面55と、二次成形用金型60における挿通孔61の内壁面との間には、所定のギャップが形成される。
 凹部62は、一次成形体2を二次成形用金型60にセットする際に、一次成形体2における本体部52を収容しつつ支持するように形成されている。即ち、凹部62は、成形体当接面63を有している。成形体当接面63は、挿通孔61の開口部に接続して設けられた面であって、一次成形体2を二次成形用金型60にセットした場合に中間面56と密着するように形成されている。具体的には、本実施形態においては、成形体当接面63は、中間面56に対応した切頭円錐内面状に形成されている。図3C及び図3Dを参照すると、一次成形体2を二次成形用金型60にセットした場合に、一次モールド部5における本体部52の第二側面57と、二次成形用金型60における凹部62の内壁面であって第二側面57と対向する面とは、隙間嵌めによる所定の嵌め合い公差で対向しつつ密着するように形成されている。
 上述のように、一次成形体2は、中間面56が成形体当接面63と当接するように、二次成形用金型60にセットされる(図3D参照)。その後、二次成形用金型60におけるキャビティ64内にポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂が注入される、型成形が行われる。即ち、二次成形用金型60内にて、本体部52における中間面56よりも基端方向側の部分の周囲を合成樹脂で覆う、二次成形が行われる。このとき、図3Dにて矢印で示されているように、一次成形体2には、合成樹脂の注型に伴う成形圧が作用する。かかる成形圧により、中間面56と成形体当接面63とが密着する。一方、中間面56よりも先端側に位置する素子被覆部51は、二次成形用金型60の内壁面に接触することなく、挿通孔61内に収容されている。このため、上述の成形圧は、素子被覆部51には作用しない。
 (実施形態の効果)
 上記構成を有する一次成形体2においては、半導体素子部43は、先端部45が先端方向に露出する態様で、一次モールド部5における素子被覆部51の先端面54から一部(即ち先端部45側の部分)が突出している。故に、一次モールド部5における半導体素子部43が突出する部分にて、下記のような不具合の発生が懸念されるかもしれない。例えば、二次成形時に、素子被覆部51の先端面54に成形圧が作用することにより、半導体素子部43の近傍位置にてクラック又は界面剥離が発生し得る。あるいは、上述の成形圧により半導体素子部43に応力が作用することで、半導体素子部43の動作特性(即ちセンサ特性)が不用意に変化し得る。あるいは、二次成形のために一次成形体2を金型にセットする際に、外部に露出した半導体素子部43の先端部45が金型に衝突することで、半導体素子部43における破損又は動作特性変化が生じ得る。
 この点、本実施形態の構成においては、一次モールド部5における素子被覆部51よりも基端方向側に、本体部52が設けられている。この本体部52は、先端方向に露出する中間面56を有する。中間面56は、素子被覆部51における第一側面55の、基端方向における端部から、基端方向と交差する方向に延びる。故に、中間面56は、素子被覆部51から外側に延びる。即ち、一次モールド部5の、本体部52における中間面56が形成された部分には、素子被覆部51から外側に突出する凸部が形成される。また、この凸部に対応して、二次成形用金型60に凹部62が形成される。さらに、二次成形用金型60には、凹部62に連通するように、素子被覆部51及び半導体素子部43を挿通するための挿通孔61が形成される。
 上述のような一次モールド部5の形状、及びこれに対応した二次成形用金型60の形状を利用することにより、一次モールド部5における半導体素子部43が突出する部分での不具合の発生が可及的に抑制され得る。具体的には、例えば、中間面56が、二次成形時の金型当接面とされる。このため、先端面54が二次成形用金型60に当接して素子被覆部51に成形圧が作用することが、良好に回避され得る。故に、先端面54が二次成形用金型60に当接することに起因する、上述のような各種の不具合の発生が、良好に回避され得る。また、一次成形体2を二次成形用金型60にセットする際に、一次モールド部5における素子被覆部51の第一側面55と、二次成形用金型60における挿通孔61の内壁面との間には、所定のギャップが形成される。このため、一次モールド部5の外部に露出した半導体素子部43の先端部45を挿通孔61に収容する際の作業性が良好となる。故に、一次成形体2を二次成形用金型60にセットする際の、半導体素子部43における破損又は動作特性変化が、良好に回避され得る。
 本実施形態の構成においては、中間面56は、基端方向に向かう程中心軸線CAから離隔するテーパ面として形成されている。即ち、第一側面55と中間面56との間の角度である(180-θ2)度が、90度よりも大きくなる。したがって、かかる構成によれば、素子被覆部51と本体部52との接続箇所(即ち第一側面55の基端方向における端部)におけるクラックの発生が、良好に抑制され得る。
 本実施形態の構成においては、中間面56は、中心軸線CAを囲む全周にわたって設けられている。故に、一次成形体2を二次成形用金型60にセットした状態で、中間面56と成形体当接面63との当接及び密着状態が、中心軸線CAを囲む全周にわたって形成される。したがって、かかる構成によれば、二次成形時の成形バリの発生が、良好に抑制され得る。
 本実施形態の構成においては、先端面54におけるテーパ角度θ1が、90度未満であって且つ90度に近い大きな角度に設定されている。この角度は、一次成形時の離型性が良好になる程度の角度である。一方、中間面56におけるテーパ角度θ2は、上述のように、一次成形体2を二次成形用金型60にセットする際の作業性、及び素子被覆部51と本体部52との接続箇所におけるクラックの発生抑制の観点から、比較的小さな角度に設定されている。このため、θ2<θ1となる。かかる構成によれば、二次成形時の作業性と、二次成形体1の品質確保とが、良好に達成され得る。
 本実施形態の製造方法においては、中間面56が二次成形用金型60における成形体当接面63と当接するように、一次成形体2が二次成形用金型60にセットされる。これにより、一次モールド部5における半導体素子部43が突出する部分での不具合の発生が、可及的に抑制され得る。
 (変形例)
 本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対しては適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的に矛盾しない限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。
 本開示の構成は、上記実施形態に限定されない。例えば、一次成形体2は、合成樹脂成形体である一次成形品に対して、ポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂による型成形で二次成形を行うことによって得られた、二次成形品であってもよい。即ち、本明細書における「一次成形体」という表現は、「二次成形体」との相対的な関係で用いられているにすぎない。
 一次モールド部5の形状も、上記実施形態に示された具体的態様に限定されない。例えば、図4に示されているように、本体部52は、角柱状に形成されてもよい。あるいは、素子被覆部51は、円柱状に形成されてもよい。
 先端面54及び/又は中間面56は、テーパ面に限定されない。即ち、例えば、先端面54及び/又は中間面56は、中心軸線CAに対して垂直な面であってもよい。
 第一側面55及び/又は第二側面57は、中心軸線CAと非平行な面であってもよい。即ち、例えば、素子被覆部51は、切頭多角錐状又は切頭円錐状に形成されていてもよい。同様に、本体部52における中間面56が形成された部分以外の部分は、切頭多角錐状又は切頭円錐状に形成されていてもよい。
 図5に示されているように、中間面56は、中心軸線CAを囲む全周に対する一部に設けられていてもよい。
 図6に示されているように、一次モールド部5には、先端面54から半導体素子部43に沿って先端方向に延びる延伸部511が設けられていてもよい。この場合、延伸部511は、図6に示されているように、半導体素子部43の先端部45を先端方向に露出させるべく、先端部45よりも基端側の位置まで設けられ得る。
 本開示の構成は、圧力センサに限定されない。但し、検知部46を検知対象空間に対して広範囲に露出することが好適な場合があり得る。あるいは、検知部46の構造上、例えば、ダイアフラム及び圧力基準室等を形成する関係上、半導体素子部43の先端部45を先端方向に露出させる必要がある場合があり得る。このため、本開示の構成は、典型的には、圧力センサに対して良好に適用され得る。
 本開示の製造方法も、上記実施形態に限定されない。例えば、本開示の製造方法は、図7に示されているような、半導体素子部43における先端部45の先端側端面が延伸部511によって覆われている構成の一次成形体2に対しても適用可能である。即ち、本開示の製造方法においては、素子被覆部51は、半導体素子部43における基端部44側を覆いつつ、先端部45側を先端面54から突出させるように設けられていればよい。
 図3C及び図3Dを参照すると、一次成形体2を二次成形用金型60にセットした場合に、一次モールド部5における本体部52の第二側面57と、二次成形用金型60における凹部62の内壁面であって第二側面57と対向する面との間には、所定のギャップが形成されてもよい。この場合、一次モールド部5における素子被覆部51の第一側面55と、二次成形用金型60における挿通孔61の内壁面とは、隙間嵌めによる所定の嵌め合い公差で対向しつつ密着するように形成されてもよい。
 上記の説明において、互いに継目無く一体に形成されていた複数の構成要素は、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されてもよい。同様に、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されていた複数の構成要素は、互いに継目無く一体に形成されてもよい。
 上記の説明において、互いに同一の材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに異なる材料によって形成されてもよい。同様に、互いに異なる材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに同一の材料によって形成されてもよい。
 変形例も、上記の例示に限定されない。また、複数の変形例が、互いに組み合わされ得る。更に、上記実施形態の全部又は一部と、変形例の全部又は一部とが、互いに組み合わされ得る。

Claims (7)

  1.  合成樹脂成形体(1)において、
     基端部(44)から先端部(45)に向かう先端方向(D1)に延びる半導体基板である電気素子部(43)と、
     前記電気素子部を部分的に覆う合成樹脂部であって、
      前記先端方向に露出する面である先端面(54)と、前記先端面の外縁から前記先端方向とは反対の基端方向(D2)に沿って延びる面である第一側面(55)とを有し、前記電気素子部における前記基端部側を覆いつつ前記先端部が前記先端方向に露出する態様で前記先端部側を前記先端面から突出させるように設けられた、素子被覆部(51)と、
      前記先端方向に露出する面であって前記第一側面の前記基端方向における端部から前記基端方向と交差する方向に延びる中間面(56)と、前記中間面の外縁から前記基端方向に沿って延びる面である第二側面(57)とを有し、前記素子被覆部よりも前記基端方向側に配置されつつ前記素子被覆部と一体的に接続された、本体部(52)と、
     を有する一次モールド部(5)と、
     を備えた合成樹脂成形体。
  2.  前記中間面は、前記基端方向に向かう程、前記先端方向と平行で前記素子被覆部を通る中心軸線(CA)から離隔するテーパ面として形成された、請求項1に記載の合成樹脂成形体。
  3.  前記中間面は、前記先端方向と平行で前記素子被覆部を通る中心軸線(CA)を囲む全周にわたって設けられた、請求項1又は2に記載の合成樹脂成形体。
  4.  前記先端方向と平行で前記素子被覆部を通る中心軸線(CA)を含む平面と前記先端面との交線と前記中心軸線とが前記一次モールド部の内部側にてなす角をθ1とし、
     前記平面と前記中間面との交線と中心軸線とが前記一次モールド部の内部側にてなす角をθ2とした場合に、
     θ2<θ1
     となるように、前記先端面及び前記中間面が形成された、請求項1~3のいずれか1つに記載の合成樹脂成形体。
  5.  前記本体部における前記中間面よりも前記基端方向側の部分の周囲を覆う二次モールド部(3)をさらに備えた、請求項1~4のいずれか1つに記載の合成樹脂成形体。
  6.  前記中間面は、前記二次モールド部を形成する二次成形時に、二次成形用金型(60)に当接するように形成された、請求項5に記載の合成樹脂成形体。
  7.  基端部(44)から先端部(45)に向かう先端方向(D1)に延びる半導体基板である電気素子部(43)と、前記電気素子部を部分的に覆う合成樹脂部である一次モールド部(5)とを備えた一次成形体(2)を合成樹脂で覆うことで合成樹脂成形体(1)を製造する方法であって、
     前記先端方向に露出する面である先端面(54)と前記先端面の外縁から前記先端方向とは反対の基端方向(D2)に沿って延びる面である第一側面(55)とを有し前記電気素子部における前記基端部側を覆いつつ前記先端部側を前記先端面から突出させるように設けられた素子被覆部(51)と、前記先端方向に露出する面であって前記第一側面の前記基端方向における端部から前記基端方向と交差する方向に延びる中間面(56)と前記中間面の外縁から前記基端方向に沿って延びる面である第二側面(57)とを有し前記素子被覆部よりも前記基端方向側に配置されつつ前記素子被覆部と一体的に接続された本体部(52)とを有する前記一次モールド部を備えた前記一次成形体を用意し、
     前記素子被覆部を挿通可能な孔である挿通孔(61)と、前記挿通孔の開口部に接続して設けられた面である成形体当接面(63)とを有する二次成形用金型(60)に、前記中間面が前記成形体当接面と当接するように前記一次成形体をセットし、
     前記二次成形用金型内にて、前記本体部における前記中間面よりも前記基端方向側の部分の周囲を前記合成樹脂で覆う二次成形を行う、
     合成樹脂成形体の製造方法。
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