JP2017217868A - 合成樹脂成形体及びその製造方法 - Google Patents

合成樹脂成形体及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017217868A
JP2017217868A JP2016115433A JP2016115433A JP2017217868A JP 2017217868 A JP2017217868 A JP 2017217868A JP 2016115433 A JP2016115433 A JP 2016115433A JP 2016115433 A JP2016115433 A JP 2016115433A JP 2017217868 A JP2017217868 A JP 2017217868A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
molded body
synthetic resin
tip
primary
intermediate surface
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016115433A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6519533B2 (ja
Inventor
素美 石川
Motomi Ishikawa
素美 石川
吉田　典史
Norifumi Yoshida
典史 吉田
龍介 泉
Ryusuke Izumi
龍介 泉
山川　裕之
Hiroyuki Yamakawa
裕之 山川
穂高 森
Hodaka Mori
穂高 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2016115433A priority Critical patent/JP6519533B2/ja
Priority to PCT/JP2017/017872 priority patent/WO2017212860A1/ja
Priority to US16/097,697 priority patent/US10696544B2/en
Priority to CN201780035191.7A priority patent/CN109311198B/zh
Publication of JP2017217868A publication Critical patent/JP2017217868A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6519533B2 publication Critical patent/JP6519533B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
    • B81B7/0048—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the MEMS die and the substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/16—Making multilayered or multicoloured articles
    • B29C45/1671—Making multilayered or multicoloured articles with an insert
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14336—Coating a portion of the article, e.g. the edge of the article
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14836—Preventing damage of inserts during injection, e.g. collapse of hollow inserts, breakage
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2081/00—Use of polymers having sulfur, with or without nitrogen, oxygen or carbon only, in the main chain, as moulding material
    • B29K2081/04—Polysulfides, e.g. PPS, i.e. polyphenylene sulfide or derivatives thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0264—Pressure sensors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/01—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS
    • B81B2207/015—Microstructural systems or auxiliary parts thereof comprising a micromechanical device connected to control or processing electronics, i.e. Smart-MEMS the micromechanical device and the control or processing electronics being integrated on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】一次成形体における不具合（例えばクラック又は界面剥離等）の発生を可及的に抑制する。【解決手段】二次成形体１は、半導体素子部４３と一次モールド部５とを備える。一次モールド部５は、素子被覆部５１と本体部５２とを有する。素子被覆部５１は、先端面５４と第一側面５５とを有する。先端面５４は先端方向に露出する。第一側面５５は、先端面５４の外縁から基端方向に沿って延びる。素子被覆部５１は、半導体素子部４３における基端部４４側を覆いつつ、先端部４５が先端方向に露出する態様で先端部４５側を先端面５４から突出させる。本体部５２は、中間面５６と第二側面５７とを有している。中間面５６は、先端方向に露出する面であって、第一側面５５の基端方向における端部から基端方向と交差する方向に延びる。【選択図】図１

Description

本発明は、合成樹脂成形体及びその製造方法に関する。
特許文献１に開示された電子装置は、モールドＩＣとコネクタケースとを備えている。モールドＩＣは、センサチップとモールド樹脂とを備えている。センサチップは、一端側の部位がモールド樹脂から突出し、他端側の部位がモールド樹脂で封止されている。コネクタケースは、二次成形物に相当するコネクタ樹脂部をベースとして構成されている。モールド樹脂における、コネクタ樹脂部による封止部位は、コネクタ樹脂部と直接接触した状態とされている。モールド樹脂におけるセンサチップ側は、コネクタ樹脂部から露出している。
特許第５７７２８４６号公報
上記のように、一次成形体の一部を合成樹脂によって覆う二次成形によって二次成形体を得る場合、留意すべき事項がある。例えば、二次成形時において、一次成形体における不具合（例えばクラック又は界面剥離等）の発生を、可及的に抑制することが求められている。本発明は、上記に例示した課題に鑑みてなされたものである。
請求項１に記載の発明に係る合成樹脂成形体（１）は、電気素子部（４３）と一次モールド部（５）とを備えている。前記電気素子部は、基端部（４４）から先端部（４５）に向かう先端方向（Ｄ１）に延びる半導体基板である。前記一次モールド部は、前記電気素子部を部分的に覆う合成樹脂部であって、素子被覆部（５１）と本体部（５２）とを有している。前記素子被覆部は、先端面（５４）と第一側面（５５）とを有している。前記先端面は、前記先端方向に露出する面である。前記第一側面は、前記先端面の外縁から基端方向（Ｄ２）に沿って延びる面である。前記基端方向は、前記先端方向とは反対の方向である。前記素子被覆部は、前記電気素子部における前記基端部側を覆いつつ、前記先端部が前記先端方向に露出する態様で前記先端部側を前記先端面から突出させるように設けられている。前記本体部は、中間面（５６）と第二側面（５７）とを有している。前記中間面は、前記先端方向に露出する面であって、前記第一側面の前記基端方向における端部から前記基端方向と交差する方向に延びる。前記第二側面は、前記中間面の外縁から前記基端方向に沿って延びる面である。前記本体部は、前記素子被覆部よりも前記基端方向側に配置されつつ、前記素子被覆部と一体的に接続されている。
上記構成においては、前記電気素子部は、前記先端部が前記先端方向に露出する態様で、前記一次モールド部における前記素子被覆部の前記先端面から一部（即ち前記先端部側の部分）が突出している。故に、前記一次モールド部における前記電気素子部が突出する部分にて、二次成形の際に、種々の不具合の発生（例えばクラック発生等）が懸念される。
この点、上記構成においては、更に、前記一次モールド部における前記素子被覆部よりも前記基端方向側に、前記本体部が設けられている。前記本体部は、前記先端方向に露出する前記中間面を有する。前記中間面は、前記素子被覆部における前記第一側面の、前記基端方向における前記端部から、前記基端方向と交差する方向に延びる。故に、前記中間面は、前記素子被覆部から外側に延びる。即ち、前記一次モールド部の、前記本体部における前記中間面が形成された部分には、前記素子被覆部から外側に突出する凸部が形成される。このような前記一次モールド部の形状を利用する（即ち例えば前記中間面を二次成形時の金型当接面とする）ことにより、前記一次モールド部における前記電気素子部が突出する部分での不具合の発生が可及的に抑制され得る。
請求項７に記載の発明は、基端部（４４）から先端部（４５）に向かう先端方向（Ｄ１）に延びる半導体基板である電気素子部（４３）と、前記電気素子部を部分的に覆う合成樹脂部である一次モールド部（５）とを備えた一次成形体（２）を、合成樹脂で覆うことで、合成樹脂成形体（１）を製造する方法である。具体的には、この製造方法は、前記一次成形体を用意する工程と、前記一次成形体を二次成形用金型（６０）にセットする工程と、二次成形を行う工程とを有する。
前記一次成形体は、素子被覆部（５１）と本体部（５２）とを有する前記一次モールド部を備える。前記素子被覆部は、先端面（５４）と第一側面（５５）とを有する。前記先端面は、前記先端方向に露出する面である。前記第一側面は、前記先端面の外縁から基端方向（Ｄ２）に沿って延びる面である。前記基端方向は、前記先端方向とは反対の方向である。前記素子被覆部は、前記電気素子部における前記基端部側を覆いつつ、前記先端部側を前記先端面から突出させるように設けられている。前記本体部は、中間面（５６）と第二側面（５７）とを有している。前記中間面は、前記先端方向に露出する面であって、前記第一側面の前記基端方向における端部から前記基端方向と交差する方向に延びる。前記第二側面は、前記中間面の外縁から前記基端方向に沿って延びる面である。前記本体部は、前記素子被覆部よりも前記基端方向側に配置されつつ、前記素子被覆部と一体的に接続されている。
前記二次成形用金型は、挿通孔（６１）と成形体当接面（６３）とを有する。前記挿通孔は、前記素子被覆部を挿通可能な孔である。前記成形体当接面は、前記挿通孔の開口部に接続して設けられた面である。前記一次成形体は、前記中間面が前記成形体当接面と当接するように、前記二次成形用金型にセットされる。前記二次成形を行う工程においては、前記二次成形用金型内にて、前記本体部における前記中間面よりも前記基端方向側の部分の周囲を前記合成樹脂で覆う工程が行われる。
上記のように、前記一次成形体においては、前記電子素子部における前記先端部側は、前記一次モールド部における前記素子被覆部の前記先端面から前記先端方向に突出している。一方、前記電子素子部における前記基端部側は、前記一次モールド部によって覆われている。更に、前記一次モールド部における前記素子被覆部よりも前記基端方向側に、前記本体部が設けられている。前記本体部は、前記先端方向に露出する前記中間面を有する。前記中間面は、前記素子被覆部における前記第一側面の、前記基端方向における前記端部から、前記基端方向と交差する方向に延びる。
故に、前記中間面は、前記素子被覆部から外側に延びる。即ち、前記一次モールド部の、前記本体部における前記中間面が形成された部分には、前記素子被覆部から外側に突出する凸部が形成される。したがって、前記中間面が前記二次成形用金型における前記成形体当接面と当接するように、前記一次成形体を前記二次成形用金型にセットすることにより、前記一次モールド部における前記電気素子部が突出する部分での不具合の発生が可及的に抑制され得る。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
実施形態に係る二次成形体の概略構成を示す側断面図である。 図１に示された一次成形体の正面図である。 図１に示された二次成形体の製造方法の概略図である。 図１に示された二次成形体の製造方法の概略図である。 図１に示された二次成形体の製造方法の概略図である。 図１に示された二次成形体の製造方法の概略図である。 図２に示された一次成形体の一変形例を示す正面図である。 図２に示された一次成形体の一変形例を示す正面図である。 図１に示された一次成形体の一変形例を示す側断面図である。 変形例の製造方法に係る一次成形体の概略構成を示す側断面図である。
以下、本発明の実施形態を、図面に基づいて説明する。なお、実施形態と後述の変形例とにおいて、互いに同一又は均等である部分には同一符号が付されているものとする。
（実施形態の成形体の構成）
図１を参照すると、合成樹脂成形体の一例である二次成形体１は、一次成形体２と二次モールド部３とを有している。即ち、二次成形体１は、一次成形体２を部分的に二次モールド部３で覆うことで形成されている。二次モールド部３は、ポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂を型成形することにより形成されている。
以下、図１における右方向を「先端方向」と称し、図１における左方向を「基端方向」と称する。先端方向は図中Ｄ１方向であり、基端方向は図中Ｄ２方向である。また、各部材において、先端方向における端部を「先端部」、基端方向における端部を「基端部」とそれぞれ称することがある。本実施形態の二次成形体１においては、一次成形体２の先端部側が二次モールド部３の外部に露出するように、一次成形体２の一部（即ち基端部側の部分）が二次モールド部３で覆われている。
一次成形体２は、電気回路部４と一次モールド部５とを備えている。電気回路部４は、回路基板４１の上に多数の回路要素４２を実装することにより形成されている。また、回路基板４１の先端部には、半導体素子部４３が実装されている。半導体素子部４３は、基端部４４から先端部４５に向かう先端方向に延びる半導体基板である。即ち、半導体素子部４３の基端部４４は、図示しないリードフレーム等を介して、回路基板４１に固定されている。半導体素子部４３の先端部４５は、回路基板４１の外側に突出している。
電気素子部である半導体素子部４３は、先端部４５に検知部４６を有している。本実施形態においては、検知部４６は、周囲の流体圧力（例えば、燃料圧、ブレーキ油圧、水素ガス圧力、等。）に応じた電気出力（例えば電荷）を発生するように構成されている。即ち、本実施形態の電気回路部４及び半導体素子部４３は、検知部４６に作用した流体圧力に応じた電気出力（例えば電圧）を発生する、いわゆる圧力センサとしての機能を奏するように構成されている。なお、図示及び説明の簡略化のため、ボンディングワイヤの図示は省略されている。
一次モールド部５は、電気回路部４を部分的に覆う合成樹脂部であって、ポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂を型成形することにより形成されている。具体的には、本実施形態においては、一次モールド部５は、半導体素子部４３における先端部４５及びその近傍の部分を除く、電気回路部４の大部分を覆うように設けられている。
一次モールド部５は、素子被覆部５１と本体部５２とを有している。図１及び図２を参照すると、素子被覆部５１は、本体部５２から先端方向に突出するように設けられた柱状部であって、本実施形態においては略六角柱状に形成されている。本体部５２は、素子被覆部５１よりも基端方向側に配置されつつ、素子被覆部５１と一体的に接続されている。具体的には、本実施形態においては、素子被覆部５１と本体部５２とは、継ぎ目無く一体に成形されている。
素子被覆部５１は、先端面５４と第一側面５５とを有している。素子被覆部５１は、半導体素子部４３における基端部４４側を覆いつつ、先端部４５が先端方向に露出する態様で先端部４５側を先端面５４から突出させるように設けられている。
先端面５４は、先端方向に露出する面である。「先端方向に露出する面」とは、先端方向に沿った方向を向く面である。具体的には、「先端方向に露出する面」における外向き法線方向と先端方向とのなす角は、０度以上９０度未満となる。本実施形態においては、先端面５４は、側面視（即ち半導体素子部４３の厚さ方向と直交し且つ中心軸線ＣＡと直交する方向に沿って見た場合）にて、基端方向に向かう程中心軸線ＣＡから離隔するテーパ面として形成されている。中心軸線ＣＡは、先端方向と平行で素子被覆部５１を通る直線であって、典型的には一次モールド部５の中心軸線である。本実施形態においては、先端面５４は、図１におけるθ１が７５〜８５度程度となる平面状に形成されている。この角度θ１は、中心軸線ＣＡを含み且つ半導体素子部４３の厚さ方向と平行な平面と先端面５４との交線と、中心軸線ＣＡとが、一次モールド部５の内部側にてなす角と定義付けることができる。第一側面５５は、先端面５４の外縁から基端方向に沿って延びる面である。本実施形態においては、第一側面５５は、中心軸線ＣＡと平行な六角柱面状に形成されている。
本体部５２は、中間面５６と第二側面５７とを有している。中間面５６は、先端方向に露出する面であって、第一側面５５の基端方向における端部から基端方向と交差する方向に延びるように設けられている。また、本実施形態においては、図２に示されているように、中間面５６は、中心軸線ＣＡを囲む全周にわたって設けられている。中間面５６は、本体部５２における中間面５６よりも基端方向側の部分の周囲に二次モールド部３を形成する二次成形時に、後述する二次成形用金型６０（図３Ｃ参照）に当接するように形成されている。
本実施形態においては、中間面５６は、基端方向に向かう程中心軸線ＣＡから離隔するテーパ面、具体的には図１におけるθ２が４５〜７０度程度となる切頭円錐面状に形成されている。この角度θ２は、中心軸線ＣＡを含み且つ半導体素子部４３の厚さ方向と平行な平面と中間面５６との交線と、中心軸線ＣＡとが、一次モールド部５の内部側にてなす角と定義付けることができる。即ち、本実施形態においては、θ２＜θ１となるように、先端面５４及び中間面５６が形成されている。
第二側面５７は、中間面５６の外縁から基端方向に沿って延びる面である。本実施形態においては、第二側面５７は、中心軸線ＣＡと平行な円柱面状に形成されている。
（実施形態の成形体の製造方法）
本実施形態に係る二次成形体１の製造方法の概略を、図３Ａ〜図３Ｄを用いて以下説明する。この製造方法は、半導体素子部４３と一次モールド部５とを備えた一次成形体２を、合成樹脂で覆うことで、二次成形体１を製造する方法である。
まず、上記構成の電気回路部４を用意する（図３Ａ参照）。次に、この電気回路部４を図示しない成形型に固定し、ポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂を用いた型成形により、一次成形体２を得る（図３Ｂ参照）。このようにして用意された、上記構成の一次成形体２は、二次成形用金型６０にセットされる（図３Ｃ及び図３Ｄ参照）。
ここで二次成形用金型６０の概略構成について説明する。二次成形用金型６０には、挿通孔６１と凹部６２とが形成されている。挿通孔６１は、一次成形体２における素子被覆部５１及び半導体素子部４３を挿通可能に設けられた貫通孔である。図３Ｃ及び図３Ｄを参照すると、一次成形体２を二次成形用金型６０にセットした場合に、一次モールド部５における素子被覆部５１の第一側面５５と、二次成形用金型６０における挿通孔６１の内壁面との間には、所定のギャップが形成される。
凹部６２は、一次成形体２を二次成形用金型６０にセットする際に、一次成形体２における本体部５２を収容しつつ支持するように形成されている。即ち、凹部６２は、成形体当接面６３を有している。成形体当接面６３は、挿通孔６１の開口部に接続して設けられた面であって、一次成形体２を二次成形用金型６０にセットした場合に中間面５６と密着するように形成されている。具体的には、本実施形態においては、成形体当接面６３は、中間面５６に対応した切頭円錐内面状に形成されている。図３Ｃ及び図３Ｄを参照すると、一次成形体２を二次成形用金型６０にセットした場合に、一次モールド部５における本体部５２の第二側面５７と、二次成形用金型６０における凹部６２の内壁面であって第二側面５７と対向する面とは、隙間嵌めによる所定の嵌め合い公差（例えばＨ７−ｈ７）で対向しつつ密着するように形成されている。
上述のように、一次成形体２は、中間面５６が成形体当接面６３と当接するように、二次成形用金型６０にセットされる（図３Ｄ参照）。その後、二次成形用金型６０におけるキャビティ６４内にポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂が注入される、型成形が行われる。即ち、二次成形用金型６０内にて、本体部５２における中間面５６よりも基端方向側の部分の周囲を合成樹脂で覆う、二次成形が行われる。このとき、図３Ｄにて矢印で示されているように、一次成形体２には、合成樹脂の注型に伴う成形圧が作用する。かかる成形圧により、中間面５６と成形体当接面６３とが密着する。一方、中間面５６よりも先端側に位置する素子被覆部５１は、二次成形用金型６０の内壁面に接触することなく、挿通孔６１内に収容されている。このため、上述の成形圧は、素子被覆部５１には作用しない。
（実施形態の効果）
上記構成を有する一次成形体２においては、半導体素子部４３は、先端部４５が先端方向に露出する態様で、一次モールド部５における素子被覆部５１の先端面５４から一部（即ち先端部４５側の部分）が突出している。故に、一次モールド部５における半導体素子部４３が突出する部分にて、下記のような不具合の発生が懸念される。例えば、二次成形時に、素子被覆部５１の先端面５４に成形圧が作用することにより、半導体素子部４３の近傍位置にてクラック又は界面剥離が発生し得る。あるいは、上述の成形圧により半導体素子部４３に応力が作用することで、半導体素子部４３の動作特性（即ちセンサ特性）が不用意に変化し得る。あるいは、二次成形のために一次成形体２を金型にセットする際に、外部に露出した半導体素子部４３の先端部４５が金型に衝突することで、半導体素子部４３における破損又は動作特性変化が生じ得る。
この点、本実施形態の構成においては、一次モールド部５における素子被覆部５１よりも基端方向側に、本体部５２が設けられている。この本体部５２は、先端方向に露出する中間面５６を有する。中間面５６は、素子被覆部５１における第一側面５５の、基端方向における端部から、基端方向と交差する方向に延びる。故に、中間面５６は、素子被覆部５１から外側に延びる。即ち、一次モールド部５の、本体部５２における中間面５６が形成された部分には、素子被覆部５１から外側に突出する凸部が形成される。また、この凸部に対応して、二次成形用金型６０に凹部６２が形成される。さらに、二次成形用金型６０には、凹部６２に連通するように、素子被覆部５１及び半導体素子部４３を挿通するための挿通孔６１が形成される。
上述のような一次モールド部５の形状、及びこれに対応した二次成形用金型６０の形状を利用することにより、一次モールド部５における半導体素子部４３が突出する部分での不具合の発生が可及的に抑制され得る。具体的には、例えば、中間面５６が、二次成形時の金型当接面とされる。このため、先端面５４が二次成形用金型６０に当接して素子被覆部５１に成形圧が作用することが、良好に回避され得る。故に、先端面５４が二次成形用金型６０に当接することに起因する、上述のような各種の不具合の発生が、良好に回避され得る。また、一次成形体２を二次成形用金型６０にセットする際に、一次モールド部５における素子被覆部５１の第一側面５５と、二次成形用金型６０における挿通孔６１の内壁面との間には、所定のギャップが形成される。このため、一次モールド部５の外部に露出した半導体素子部４３の先端部４５を挿通孔６１に収容する際の作業性が良好となる。故に、一次成形体２を二次成形用金型６０にセットする際の、半導体素子部４３における破損又は動作特性変化が、良好に回避され得る。
本実施形態の構成においては、中間面５６は、基端方向に向かう程中心軸線ＣＡから離隔するテーパ面として形成されている。即ち、第一側面５５と中間面５６との間の角度である（１８０−θ２）度が、９０度よりも大きくなる。したがって、かかる構成によれば、素子被覆部５１と本体部５２との接続箇所（即ち第一側面５５の基端方向における端部）におけるクラックの発生が、良好に抑制され得る。
本実施形態の構成においては、中間面５６は、中心軸線ＣＡを囲む全周にわたって設けられている。故に、一次成形体２を二次成形用金型６０にセットした状態で、中間面５６と成形体当接面との当接及び密着状態が、中心軸線ＣＡを囲む全周にわたって形成される。したがって、かかる構成によれば、二次成形時の成形バリの発生が、良好に抑制され得る。
本実施形態の構成においては、先端面５４におけるテーパ角度θ１が、９０度未満であって且つ９０度に近い大きな角度（即ち一次成形時の離型性が良好になる程度の角度）に設定されている。一方、中間面５６におけるテーパ角度θ２は、上述のように、一次成形体２を二次成形用金型６０にセットする際の作業性、及び素子被覆部５１と本体部５２との接続箇所におけるクラックの発生抑制の観点から、比較的小さな角度に設定されている。このため、θ２＜θ１となる。かかる構成によれば、二次成形時の作業性と、二次成形体１の品質確保とが、良好に達成され得る。
本実施形態の製造方法においては、中間面５６が二次成形用金型６０における成形体当接面６３と当接するように、一次成形体２が二次成形用金型６０にセットされる。これにより、一次モールド部５における半導体素子部４３が突出する部分での不具合の発生が、可及的に抑制され得る。
（変形例）
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、上記実施形態に対しては適宜変更が可能である。以下、代表的な変形例について説明する。以下の変形例の説明においては、上記実施形態と異なる部分についてのみ説明する。したがって、以下の変形例の説明において、上記実施形態と同一の符号を有する構成要素に関しては、技術的に矛盾しない限り、上記実施形態における説明が適宜援用され得る。
本発明の構成は、上記実施形態に限定されない。例えば、一次成形体２は、合成樹脂成形体である一次成形品に対して、ポリフェニレンサルファイド等の合成樹脂による型成形で二次成形を行うことによって得られた、二次成形品であってもよい。即ち、本明細書における「一次成形体」という表現は、「二次成形体」との相対的な関係で用いられているにすぎない。
一次モールド部５の形状も、上記実施形態に示された具体的態様に限定されない。例えば、図４に示されているように、本体部５２は、角柱状に形成されてもよい。あるいは、素子被覆部５１は、円柱状に形成されてもよい。
先端面５４及び／又は中間面５６は、テーパ面に限定されない。即ち、例えば、先端面５４及び／又は中間面５６は、中心軸線ＣＡに対して垂直な面であってもよい。
第一側面５５及び／又は第二側面５７は、中心軸線ＣＡと非平行な面であってもよい。即ち、例えば、素子被覆部５１は、切頭多角錐状又は切頭円錐状に形成されていてもよい。同様に、本体部５２における中間面５６が形成された部分以外の部分は、切頭多角錐状又は切頭円錐状に形成されていてもよい。
図５に示されているように、中間面５６は、中心軸線ＣＡを囲む全周に対する一部に設けられていてもよい。
図６に示されているように、一次モールド部５には、先端面５４から半導体素子部４３に沿って先端方向に延びる延伸部５１１が設けられていてもよい。この場合、延伸部５１１は、図６に示されているように、半導体素子部４３の先端部４５を先端方向に露出させるべく、先端部４５よりも基端側の位置まで設けられ得る。
本発明の構成は、圧力センサに限定されない。但し、検知部４６を検知対象空間に対して広範囲に露出することが好適な場合があり得る。あるいは、検知部４６の構造上（例えばダイアフラム及び圧力基準室等を形成する関係上）、半導体素子部４３の先端部４５を先端方向に露出させる必要がある場合があり得る。このため、本発明の構成は、典型的には、圧力センサに対して良好に適用され得る。
本発明の製造方法も、上記実施形態に限定されない。例えば、本発明の製造方法は、図７に示されているような、半導体素子部４３における先端部４５の先端側端面が延伸部５１１によって覆われている構成の一次成形体２に対しても適用可能である。即ち、本発明の製造方法においては、素子被覆部５１は、半導体素子部４３における基端部４４側を覆いつつ、先端部４５側を先端面５４から突出させるように設けられていればよい。
図３Ｃ及び図３Ｄを参照すると、一次成形体２を二次成形用金型６０にセットした場合に、一次モールド部５における本体部５２の第二側面５７と、二次成形用金型６０における凹部６２の内壁面であって第二側面５７と対向する面との間には、所定のギャップが形成されてもよい。この場合、一次モールド部５における素子被覆部５１の第一側面５５と、二次成形用金型６０における挿通孔６１の内壁面とは、隙間嵌めによる所定の嵌め合い公差（例えばＨ７−ｈ７）で対向しつつ密着するように形成されてもよい。
上記の説明において、互いに継目無く一体に形成されていた複数の構成要素は、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されてもよい。同様に、互いに別体の部材を貼り合わせることによって形成されていた複数の構成要素は、互いに継目無く一体に形成されてもよい。
上記の説明において、互いに同一の材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに異なる材料によって形成されてもよい。同様に、互いに異なる材料によって形成されていた複数の構成要素は、互いに同一の材料によって形成されてもよい。
変形例も、上記の例示に限定されない。また、複数の変形例が、互いに組み合わされ得る。更に、上記実施形態の全部又は一部と、変形例の全部又は一部とが、互いに組み合わされ得る。
１ 二次成形体 ２ 一次成形体
３ 二次モールド部 ４ 電気回路部
４３ 半導体素子部 ４４ 基端部
４５ 先端部 ５ 一次モールド部
５１ 素子被覆部 ５２ 本体部
５４ 先端面 ５５ 第一側面
５６ 中間面 ５７ 第二側面
Ｄ１ 先端方向 Ｄ２ 基端方向

Claims (7)

  1. 合成樹脂成形体（１）において、
    基端部（４４）から先端部（４５）に向かう先端方向（Ｄ１）に延びる半導体基板である電気素子部（４３）と、
    前記電気素子部を部分的に覆う合成樹脂部であって、
    前記先端方向に露出する面である先端面（５４）と、前記先端面の外縁から前記先端方向とは反対の基端方向（Ｄ２）に沿って延びる面である第一側面（５５）とを有し、前記電気素子部における前記基端部側を覆いつつ前記先端部が前記先端方向に露出する態様で前記先端部側を前記先端面から突出させるように設けられた、素子被覆部（５１）と、
    前記先端方向に露出する面であって前記第一側面の前記基端方向における端部から前記基端方向と交差する方向に延びる中間面（５６）と、前記中間面の外縁から前記基端方向に沿って延びる面である第二側面（５７）とを有し、前記素子被覆部よりも前記基端方向側に配置されつつ前記素子被覆部と一体的に接続された、本体部（５２）と、
    を有する一次モールド部（５）と、
    を備えた合成樹脂成形体。
  2. 前記中間面は、前記基端方向に向かう程、前記先端方向と平行で前記素子被覆部を通る中心軸線（ＣＡ）から離隔するテーパ面として形成された、請求項１に記載の合成樹脂成形体。
  3. 前記中間面は、前記先端方向と平行で前記素子被覆部を通る中心軸線（ＣＡ）を囲む全周にわたって設けられた、請求項１又は２に記載の合成樹脂成形体。
  4. 前記先端方向と平行で前記素子被覆部を通る中心軸線（ＣＡ）を含む平面と前記先端面との交線と前記中心軸線とが前記一次モールド部の内部側にてなす角をθ１とし、
    前記平面と前記中間面との交線と中心軸線とが前記一次モールド部の内部側にてなす角をθ２とした場合に、
    θ２＜θ１
    となるように、前記先端面及び前記中間面が形成された、請求項１〜３のいずれか１つに記載の合成樹脂成形体。
  5. 前記本体部における前記中間面よりも前記基端方向側の部分の周囲を覆う二次モールド部（３）をさらに備えた、請求項１〜４のいずれか１つに記載の合成樹脂成形体。
  6. 前記中間面は、前記二次モールド部を形成する二次成形時に、二次成形用金型（６０）に当接するように形成された、請求項５に記載の合成樹脂成形体。
  7. 基端部（４４）から先端部（４５）に向かう先端方向（Ｄ１）に延びる半導体基板である電気素子部（４３）と、前記電気素子部を部分的に覆う合成樹脂部である一次モールド部（５）とを備えた一次成形体（２）を合成樹脂で覆うことで合成樹脂成形体（１）を製造する方法であって、
    前記先端方向に露出する面である先端面（５４）と前記先端面の外縁から前記先端方向とは反対の基端方向（Ｄ２）に沿って延びる面である第一側面（５５）とを有し前記電気素子部における前記基端部側を覆いつつ前記先端部側を前記先端面から突出させるように設けられた素子被覆部（５１）と、前記先端方向に露出する面であって前記第一側面の前記基端方向における端部から前記基端方向と交差する方向に延びる中間面（５６）と前記中間面の外縁から前記基端方向に沿って延びる面である第二側面（５７）とを有し前記素子被覆部よりも前記基端方向側に配置されつつ前記素子被覆部と一体的に接続された本体部（５２）とを有する前記一次モールド部を備えた前記一次成形体を用意し、
    前記素子被覆部を挿通可能な孔である挿通孔（６１）と、前記挿通孔の開口部に接続して設けられた面である成形体当接面（６３）とを有する二次成形用金型（６０）に、前記中間面が前記成形体当接面と当接するように前記一次成形体をセットし、
    前記二次成形用金型内にて、前記本体部における前記中間面よりも前記基端方向側の部分の周囲を前記合成樹脂で覆う二次成形を行う、
    合成樹脂成形体の製造方法。
JP2016115433A 2016-06-09 2016-06-09 合成樹脂成形体及びその製造方法 Expired - Fee Related JP6519533B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016115433A JP6519533B2 (ja) 2016-06-09 2016-06-09 合成樹脂成形体及びその製造方法
PCT/JP2017/017872 WO2017212860A1 (ja) 2016-06-09 2017-05-11 合成樹脂成形体及びその製造方法
US16/097,697 US10696544B2 (en) 2016-06-09 2017-05-11 Synthetic resin molded article and method for producing the same
CN201780035191.7A CN109311198B (zh) 2016-06-09 2017-05-11 合成树脂成形体及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016115433A JP6519533B2 (ja) 2016-06-09 2016-06-09 合成樹脂成形体及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017217868A true JP2017217868A (ja) 2017-12-14
JP6519533B2 JP6519533B2 (ja) 2019-05-29

Family

ID=60577725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016115433A Expired - Fee Related JP6519533B2 (ja) 2016-06-09 2016-06-09 合成樹脂成形体及びその製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10696544B2 (ja)
JP (1) JP6519533B2 (ja)
CN (1) CN109311198B (ja)
WO (1) WO2017212860A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020006521A (ja) * 2018-07-03 2020-01-16 株式会社翔栄 樹脂成形品及び射出成形用金型

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102613513B1 (ko) * 2019-05-17 2023-12-13 삼성전자주식회사 반도체 모듈

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009166368A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Denso Corp 樹脂成形品及びその製造方法
JP2015064331A (ja) * 2013-08-28 2015-04-09 株式会社デンソー 位置検出装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5318737B2 (ja) 2009-12-04 2013-10-16 株式会社デンソー センサ装置およびその製造方法
JP5494425B2 (ja) 2010-11-05 2014-05-14 株式会社デンソー センサ装置の製造方法
JP5533771B2 (ja) 2011-04-18 2014-06-25 株式会社デンソー 空気流量測定装置、および空気流量測定装置の製造方法
JP2013096970A (ja) 2011-11-07 2013-05-20 Denso Corp 半導体装置の製造方法
JP2013115023A (ja) * 2011-12-01 2013-06-10 Yazaki Corp 接続端子
US9789637B2 (en) 2012-07-16 2017-10-17 Denso Corporation Electronic device and method for manufacturing the same
JP2014106131A (ja) 2012-11-28 2014-06-09 Denso Corp 空気流量測定装置
CN104422379B (zh) * 2013-08-28 2020-01-03 株式会社电装 位置检测器装置
JP6361348B2 (ja) 2014-07-18 2018-07-25 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009166368A (ja) * 2008-01-16 2009-07-30 Denso Corp 樹脂成形品及びその製造方法
JP2015064331A (ja) * 2013-08-28 2015-04-09 株式会社デンソー 位置検出装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020006521A (ja) * 2018-07-03 2020-01-16 株式会社翔栄 樹脂成形品及び射出成形用金型

Also Published As

Publication number Publication date
US20190161339A1 (en) 2019-05-30
US10696544B2 (en) 2020-06-30
CN109311198A (zh) 2019-02-05
WO2017212860A1 (ja) 2017-12-14
JP6519533B2 (ja) 2019-05-29
CN109311198B (zh) 2021-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6032224B2 (ja) 電気コネクタおよびその製造方法
JP6551031B2 (ja) 内燃機関用の点火コイル
CN105977689A (zh) 具有允许检查直角压配合插脚的盖的电子控制模块
JP2020531762A (ja) 電動弁
JP5278143B2 (ja) 圧力センサ
WO2017212860A1 (ja) 合成樹脂成形体及びその製造方法
JP4909542B2 (ja) 筐体及び筐体の製造方法
JP2016509678A (ja) 加速度センサの製造方法
JP2007285750A (ja) 圧力センサ
JP6826519B2 (ja) 組み立て体
JP6642484B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2018151191A (ja) 圧力センサおよびその製造方法
JP4783166B2 (ja) 電気回路装置
JP5015830B2 (ja) 感知器
JP5910664B2 (ja) 電気コネクタの製造方法
JP2014170858A (ja) センサ装置
JP5769779B2 (ja) センサ
JP6479297B1 (ja) エンコーダの組み立て方法、エンコーダ及びサーボモータ
CN108779971A (zh) 烟火式点火器
JP2011060499A (ja) 中継コネクタ
JP2018096918A (ja) センサ
JP2018125465A (ja) 電解コンデンサ
JP2006310537A (ja) 半導体装置
JP6498566B2 (ja) パワー半導体モジュール及びその製造方法
JP2008026268A (ja) ケーブルホルダ付き変換器およびその製造方法。

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180518

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190115

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190326

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190408

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6519533

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees