CN109311198B - 合成树脂成形体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

合成树脂成形体(1)具备作为沿前端方向(D1)延伸的半导体基板的电气元件部(43)、和作为将电气元件部部分性地覆盖的合成树脂部的一次铸型部(5)。一次铸型部具有元件覆盖部(51)和主体部(52)。元件覆盖部被设置为将电气元件部的基端部侧覆盖、并且以前端部在前端方向上露出的形态使前端部侧从前端面突出，具有在前端方向上露出的前端面(54)、和从前端面的外缘沿与前端方向相反的基端方向(D2)延伸的第一侧面(55)。主体部配置在比元件覆盖部靠基端方向侧并与元件覆盖部一体地连接，具有作为在前端方向上露出的面、且从第一侧面的基端方向上的端部沿与基端方向交叉的方向延伸的中间面(56)、和从中间面的外缘沿着基端方向延伸的第二侧面(57)。

Description

合成树脂成形体及其制造方法
相关申请的相互参照
本申请基于2016年6月9日提出的日本专利申请第2016－115433号，在此引用其全部内容。
技术领域
本公开涉及合成树脂成形体及其制造方法。
背景技术
日本特许第5772846号公报中公开的电子装置具备铸型IC和连接器壳体。铸型IC具备传感器芯片和铸型树脂。传感器芯片其一端侧的部位从铸型树脂突出，另一端侧的部位被用铸型树脂封固。连接器壳体以相当于二次成形物的连接器树脂部为基础而构成。铸型树脂中的由连接器树脂部形成的封固部位成为与连接器树脂部直接接触的状态。铸型树脂中的传感器芯片侧从连接器树脂部露出。
发明内容
如上述那样，在通过将一次成形体的一部分用合成树脂覆盖的二次成形得到二次成形体的情况下，有应留意的事项。例如，在二次成形时，要求尽可能抑制一次成形体中的不良状况的发生。该不良状况例如是裂纹或界面剥离等。本公开是鉴于上述例示的情况而做出的。
根据本公开的1个技术方案，合成树脂成形体具备电气元件部和一次铸型部。上述电气元件部是从基端部沿朝向前端部的前端方向延伸的半导体基板。上述一次铸型部是将上述电气元件部部分性地覆盖的合成树脂部，具有元件覆盖部和主体部。上述元件覆盖部具有前端面和第一侧面。上述前端面是在上述前端方向上露出的面。上述第一侧面是从上述前端面的外缘沿着基端方向延伸的面。上述基端方向是与上述前端方向相反的方向。上述元件覆盖部设置为，将上述电气元件部的上述基端部侧覆盖并且以上述前端部在上述前端方向上露出的形态使上述前端部侧从上述前端面突出。上述主体部具有中间面和第二侧面。上述中间面是在上述前端方向上露出的面，从上述第一侧面的上述基端方向上的端部沿与上述基端方向交叉的方向延伸。上述第二侧面是从上述中间面的外缘沿着上述基端方向延伸的面。上述主体部配置在比上述元件覆盖部更靠上述基端方向侧，并且与上述元件覆盖部一体地连接。
在上述结构中，上述电气元件部以上述前端部在上述前端方向上露出的形态，一部分(即上述前端部侧的部分)从上述一次铸型部的上述元件覆盖部的上述前端面突出。所以，有可能在上述一次铸型部的上述电气元件部突出的部分，在二次成形时会有各种的不良状况的发生(例如裂纹发生等)。
对此，在上述结构中，还在上述一次铸型部的比上述元件覆盖部靠上述基端方向侧设置有上述主体部。上述主体部具有在上述前端方向上露出的上述中间面。上述中间面从上述元件覆盖部的上述第一侧面的上述基端方向上的上述端部沿与上述基端方向交叉的方向延伸。所以，上述中间面从上述元件覆盖部向外侧延伸。即，在上述一次铸型部的上述主体部的形成有上述中间面的部分上，形成从上述元件覆盖部向外侧突出的凸部。通过利用这样的上述一次铸型部的形状，即，例如通过将上述中间面作为二次成形时的模具抵接面，能够尽可能抑制上述一次铸型部的上述电气元件部突出的部分处的不良状况的发生。
本公开的另1个技术方案，是通过将具备作为从基端部向朝向前端部的前端方向延伸的半导体基板的电气元件部、和作为将上述电气元件部部分性地覆盖的合成树脂部的一次铸型部的一次成形体用合成树脂来覆盖，从而制造合成树脂成形体的方法。具体而言，该制造方法具有准备上述一次成形体的工序、将上述一次成形体向二次成形用模具设置的工序、和进行二次成形的工序。
上述一次成形体具备具有元件覆盖部和主体部的上述一次铸型部。上述元件覆盖部具有前端面和第一侧面。上述前端面是在上述前端方向上露出的面。上述第一侧面是从上述前端面的外缘沿着基端方向延伸的面。上述基端方向是与上述前端方向相反的方向。上述元件覆盖部设置为，将上述电气元件部的上述基端部侧覆盖并且使上述前端部侧从上述前端面突出。上述主体部具有中间面和第二侧面。上述中间面是在上述前端方向上露出的面，从上述第一侧面的上述基端方向上的端部沿与上述基端方向交叉的方向延伸。上述第二侧面是从上述中间面的外缘沿着上述基端方向延伸的面。上述主体部配置在比上述元件覆盖部更靠上述基端方向侧，并且与上述元件覆盖部一体地连接。
上述二次成形用模具具有插通孔和成形体抵接面。上述插通孔是能够供上述元件覆盖部插通的孔。上述成形体抵接面是与上述插通孔的开口部连接而设置的面。上述一次成形体以上述中间面与上述成形体抵接面抵接的方式被设置于上述二次成形用模具。在进行上述二次成形的工序中，进行在上述二次成形用模具内将上述主体部的比上述中间面靠上述基端方向侧的部分的周围用上述合成树脂覆盖的工序。
如上述那样，在上述一次成形体中，上述电子元件部的上述前端部侧从上述一次铸型部的上述元件覆盖部的上述前端面向上述前端方向突出。另一方面，上述电子元件部的上述基端部侧被上述一次铸型部覆盖。进而，在上述一次铸型部的比上述元件覆盖部靠上述基端方向侧设置有上述主体部。上述主体部具有在上述前端方向上露出的上述中间面。上述中间面从上述元件覆盖部的上述第一侧面的上述基端方向上的上述端部沿与上述基端方向交叉的方向延伸。
所以，上述中间面从上述元件覆盖部向外侧延伸。即，在上述一次铸型部的形成有上述主体部的上述中间面的部分上，形成从上述元件覆盖部向外侧突出的凸部。因而，能够以上述中间面与上述二次成形用模具的上述成形体抵接面抵接的方式，将上述一次成形体设置于上述二次成形用模具。由此，能够尽可能地抑制上述一次铸型部的上述电气元件部突出的部分处的不良状况的发生。
附图说明
图1是表示有关实施方式的二次成形体的概略结构的侧剖视图。
图2是图1所示的一次成形体的正视图。
图3A是图1所示的二次成形体的制造方法的概略图。
图3B是图1所示的二次成形体的制造方法的概略图。
图3C是图1所示的二次成形体的制造方法的概略图。
图3D是图1所示的二次成形体的制造方法的概略图。
图4是表示图2所示的一次成形体的一变形例的正视图。
图5是表示图2所示的一次成形体的一变形例的正视图。
图6是表示图1所示的一次成形体的一变形例的侧剖视图。
图7是表示有关变形例的制造方法的一次成形体的概略结构的侧剖视图。
具体实施方式
以下，基于附图说明实施方式。另外，在实施方式和后述的变形例中，对于相互相同或等同的部分赋予相同的标号。
(实施方式的成形体的结构)
参照图1，作为合成树脂成形体的一例的二次成形体1具有一次成形体2和二次铸型部3。即，二次成形体1是通过将一次成形体2部分性地用二次铸型部3覆盖而形成。二次铸型部3是通过将聚苯硫醚等的合成树脂进行模成形而形成。
以下，将图1中的右方称作“前端方向”，将图1中的左方称作“基端方向”。前端方向是图中D1方向，基端方向是图中D2方向。此外，在各部件中，有分别将前端方向上的端部称作“前端部”、将基端方向上的端部称作“基端部”的情况。在本实施方式的二次成形体1中，以一次成形体2的前端部侧在二次铸型部3的外部露出的方式，一次成形体2的一部分(即基端部侧的部分)被二次铸型部3覆盖。
一次成形体2具备电路部4和一次铸型部5。电路部4是通过在电路基板41之上安装多个电路元件42而形成。此外，在电路基板41的前端部上安装着半导体元件部43。半导体元件部43是向从基端部44朝向前端部45的前端方向延伸的半导体基板。即，半导体元件部43的基端部44经由未图示的引线框等固定在电路基板41上。半导体元件部43的前端部45向电路基板41的外侧突出。
作为电气元件部的半导体元件部43在前端部45具有检测部46。在本实施方式中，检测部46构成为，产生与周围的流体压力对应的电输出(例如电荷)。流体压力例如是燃料压、制动液压、氢气压力等。即，本实施方式的电路部4及半导体元件部43构成为，起到作为产生与作用在检测部46上的流体压力对应的电输出(例如电压)的、所谓压力传感器的功能。另外，为了图示及说明的简略化，省略了接合线的图示。
一次铸型部5是将电路部4部分性地覆盖的合成树脂部，通过将聚苯硫醚等的合成树脂进行模成形而形成。具体而言，在本实施方式中，一次铸型部5设置为，将除了半导体元件部43的前端部45及其附近的部分以外的电路部4的大部分覆盖。
一次铸型部5具有元件覆盖部51和主体部52。参照图1及图2，元件覆盖部51是以从主体部52向前端方向突出的方式设置的柱状部，在本实施方式中形成为大致六棱柱状。主体部52配置在比元件覆盖部51更靠基端方向侧，并且与元件覆盖部51一体地连接。具体而言，在本实施方式中，元件覆盖部51和主体部52没有接缝地一体成形。
元件覆盖部51具有前端面54和第一侧面55。元件覆盖部51设置为，将半导体元件部43的基端部44侧覆盖，并且以前端部45在前端方向上露出的形态使前端部45侧从前端面54突出。
前端面54是在前端方向上露出的面。“在前端方向上露出的面”，是指朝向沿着前端方向的方向的面。具体而言，“在前端方向上露出的面”的外法线方向与前端方向所成的角为0度以上且不到90度。在本实施方式中，前端面54形成为，在侧视时越是朝向基端方向越从中心轴线CA远离的锥面。该情况下的侧视，是指沿着与半导体元件部43的厚度方向正交且与中心轴线CA正交的方向观察前端面54。中心轴线CA是与前端方向平行地穿过元件覆盖部51的直线，典型的是一次铸型部5的中心轴线。在本实施方式中，前端面54形成为图1中的θ1大致为75～85度的平面状。该角度θ1可以定义为，包含中心轴线CA且与半导体元件部43的厚度方向平行的平面与前端面54的交线，和中心轴线CA在一次铸型部5的内部侧所成的角。第一侧面55是从前端面54的外缘沿着基端方向延伸的面。在本实施方式中，第一侧面55被形成为与中心轴线CA平行的六棱柱面状。
主体部52具有中间面56和第二侧面57。中间面56是在前端方向上露出的面，设置为，从第一侧面55的基端方向上的端部沿与基端方向交叉的方向延伸。此外，在本实施方式中，如图2所示，中间面56遍及将中心轴线CA包围的整周而设置。中间面56形成为，在主体部52的比中间面56更靠基端方向侧的部分的周围形成二次铸型部3的二次成形时，抵接在后述的二次成形用模具60(参照图3C)上。
在本实施方式中，中间面56形成为越是朝向基端方向越从中心轴线CA远离的锥面，具体而言形成为图1中的θ2大致为45～70度的切头圆锥面状。该角度θ2可以定义为，包含中心轴线CA且与半导体元件部43的厚度方向平行的平面与中间面56的交线，和中心轴线CA在一次铸型部5的内部侧所成的角。即，在本实施方式中，以θ2<θ1的方式形成前端面54及中间面56。
第二侧面57是从中间面56的外缘沿着基端方向延伸的面。在本实施方式中，第二侧面57形成为与中心轴线CA平行的圆柱面状。
(实施方式的成形体的制造方法)
使用图3A～图3D在以下说明有关本实施方式的二次成形体1的制造方法的概略。该制造方法，是通过将具备半导体元件部43和一次铸型部5的一次成形体2用合成树脂覆盖来制造二次成形体1的方法。
首先，准备上述结构的电路部4(参照图3A)。接着，将该电路部4固定到未图示的成形模，通过使用了聚苯硫醚等的合成树脂的模成形，得到一次成形体2(参照图3B)。将这样准备的上述结构的一次成形体2设置到二次成形用模具60中(参照图3C及图3D)。
对二次成形用模具60的概略结构进行说明。在二次成形用模具60上形成有插通孔61和凹部62。插通孔61是能够供一次成形体2的元件覆盖部51及半导体元件部43插通而设置的贯通孔。参照图3C及图3D，在将一次成形体2设置于二次成形用模具60的情况下，在一次铸型部5的元件覆盖部51的第一侧面55与二次成形用模具60的插通孔61的内壁面之间，形成有规定的空隙。
凹部62形成为，在将一次成形体2设置于二次成形用模具60时，将一次成形体2的主体部52收容并支承。即，凹部62具有成形体抵接面63。成形体抵接面63是连接插通孔61的开口部而设置的面，形成为，在将一次成形体2设置于二次成形用模具60的情况下与中间面56密接。具体而言，在本实施方式中，成形体抵接面63形成为与中间面56对应的切头圆锥内面状。参照图3C及图3D，形成为，在将一次成形体2设置于二次成形用模具60的情况下，一次铸型部5的主体部52的第二侧面57、和二次成形用模具60的凹部62的内壁面且与第二侧面57对置的面，以由间隙嵌合带来的规定的嵌合公差而对置并且密接。
如上述那样，将一次成形体2以中间面56与成形体抵接面63抵接的方式设置于二次成形用模具60(参照图3D)。然后，向二次成形用模具60的腔室64内注入聚苯硫醚等的合成树脂，进行模成形。即，在二次成形用模具60内，进行用合成树脂将主体部52的比中间面56靠基端方向侧的部分的周围覆盖的二次成形。此时，如在图3D中用箭头表示那样，伴随着合成树脂的模注入(注型)的成形压作用在一次成形体2上。通过该成形压，中间面56与成形体抵接面63密接。另一方面，位于比中间面56靠前端侧的元件覆盖部51不与二次成形用模具60的内壁面接触地被收容在插通孔61内。因此，上述的成形压不作用在元件覆盖部51上。
(实施方式的效果)
在具有上述结构的一次成形体2中，半导体元件部43以前端部45在前端方向上露出的形态，一部分(即前端部45侧的部分)从一次铸型部5的元件覆盖部51的前端面54突出。所以，在一次铸型部5的半导体元件部43突出的部分处，可能会担心下述这样的不良状况的发生。例如，在二次成形时，由于成形压作用在元件覆盖部51的前端面54上，在半导体元件部43的附近位置可能发生裂纹或界面剥离。或者，由于上述成形压使应力作用在半导体元件部43上，从而半导体元件部43的动作特性(即传感器特性)可能会意外地变化。或者，在为了二次成形而将一次成形体2设置于模具时，由于露出在外部的半导体元件部43的前端部45碰撞在模具上，可能发生半导体元件部43的破损或动作特性变化。
对此，在本实施方式的结构中，在一次铸型部5的比元件覆盖部51更靠基端方向侧设置有主体部52。该主体部52具有在前端方向上露出的中间面56。中间面56从元件覆盖部51的第一侧面55的基端方向上的端部沿与基端方向交叉的方向延伸。所以，中间面56从元件覆盖部51向外侧延伸。即，在一次铸型部5的形成有主体部52的中间面56的部分上，形成有从元件覆盖部51向外侧突出的凸部。此外，与该凸部对应，在二次成形用模具60上形成凹部62。进而，在二次成形用模具60上，以与凹部62连通的方式形成供元件覆盖部51及半导体元件部43插通的插通孔61。
通过利用上述那样的一次铸型部5的形状、以及与其对应的二次成形用模具60的形状，能够尽可能抑制一次铸型部5的半导体元件部43突出的部分处的不良状况的发生。具体而言，例如将中间面56作为二次成形时的模具抵接面。因此，能够良好地避免前端面54抵接在二次成形用模具60上而在元件覆盖部51上作用成形压的情况。所以，能够良好地避免起因于前端面54抵接在二次成形用模具60上的上述那样的各种不良状况的发生。此外，当将一次成形体2设置于二次成形用模具60时，在一次铸型部5的元件覆盖部51的第一侧面55与二次成形用模具60的插通孔61的内壁面之间形成规定的空隙。因此，将露出到一次铸型部5的外部的半导体元件部43的前端部45收容到插通孔61时的作业性变得良好。所以，能够良好地避免将一次成形体2设置于二次成形用模具60时的半导体元件部43的破损或动作特性变化。
在本实施方式的结构中，中间面56形成为越是朝向基端方向越从中心轴线CA远离的锥面。即，作为第一侧面55与中间面56之间的角度的(180－θ2)度变得比90度大。因而，根据该结构，能够良好地抑制元件覆盖部51与主体部52的连接部位(即第一侧面55的基端方向上的端部)处的裂纹的发生。
在本实施方式的结构中，中间面56遍及将中心轴线CA包围的整周而设置。所以，在将一次成形体2设置于二次成形用模具60的状态下，遍及将中心轴线CA包围的整周形成中间面56与成形体抵接面63的抵接及密接状态。因而，根据该结构，能够良好地抑制二次成形时的成形毛刺的发生。
在本实施方式的结构中，前端面54的锥角度θ1被设定为不到90度且与90度接近的较大的角度。该角度是使一次成形时的脱模性良好的程度的角度。另一方面，将中间面56的锥角度θ2如上述那样，根据将一次成形体2设置于二次成形用模具60时的作业性、以及元件覆盖部51与主体部52的连接部位处的裂纹的发生抑制的观点，设定为比较小的角度。因此，为θ2<θ1。根据该结构，能够良好地实现二次成形时的作业性和二次成形体1的品质确保。
在本实施方式的制造方法中，以使中间面56与二次成形用模具60的成形体抵接面63抵接的方式，将一次成形体2设置于二次成形用模具60。由此，能够尽可能地抑制一次铸型部5的半导体元件部43突出的部分处的不良状况的发生。
(变形例)
本公开并不限定于上述实施方式，对于上述实施方式能够适当变更。以下，对代表性的变形例进行说明。在以下的变形例的说明中，仅对与上述实施方式不同的部分进行说明。因而，在以下的变形例的说明中，关于具有与上述实施方式相同的标号的构成要素，只要在技术上不矛盾，就能够适当援用上述实施方式的说明。
本公开的结构并不限定于上述实施方式。例如，一次成形体2也可以是通过对作为合成树脂成形体的一次成形品用聚苯硫醚等的合成树脂的模成形进行二次成形而得到的二次成形品。即，本说明书中的“一次成形体”只不过是以与“二次成形体”的相对的关系来进行表述的。
一次铸型部5的形状也并不限定于上述实施方式所示的具体的形态。例如，如图4所示，主体部52也可以形成为棱柱状。或者，元件覆盖部51也可以形成为圆柱状。
前端面54及/或中间面56并不限定于锥面。即，例如前端面54及/或中间面56也可以是相对于中心轴线CA垂直的面。
第一侧面55及/或第二侧面57也可以是与中心轴线CA不平行的面。即，例如元件覆盖部51也可以形成为切头多角锥状或切头圆锥状。同样，主体部52的形成有中间面56的部分以外的部分也可以形成为切头多角锥状或切头圆锥状。
如图5所示，中间面56也可以设置在与将中心轴线CA包围的整周相对的一部分上。
如图6所示，也可以在一次铸型部5上，设置从前端面54沿着半导体元件部43向前端方向延伸的延伸部511。在此情况下，延伸部511如图6所示，以使半导体元件部43的前端部45在前端方向上露出的方式，能够设置得直到比前端部45靠基端侧的位置。
本公开的结构并不限定于压力传感器。但是，可能有优选的是将检测部46相对于检测对象空间在大范围中露出的情况。或者，在检测部46的构造上、例如形成隔膜及压力基准室等的关系上，可能有需要使半导体元件部43的前端部45在前端方向上露出的情况。因此，本公开的结构典型的是能够良好地适用于压力传感器。
本公开的制造方法也并不限定于上述实施方式。例如，本公开的制造方法对于图7所示那样的、半导体元件部43的前端部45的前端侧端面被延伸部511覆盖的结构的一次成形体2也能够应用。即，在本公开的制造方法中，元件覆盖部51只要设置为，将半导体元件部43的基端部44侧覆盖，并且使前端部45侧从前端面54突出就可以。
参照图3C及图3D，在将一次成形体2设置于二次成形用模具60的情况下，也可以在一次铸型部5的主体部52的第二侧面57、和二次成形用模具60的凹部62的内壁面且与第二侧面57对置的面之间形成规定的空隙。在此情况下，也可以形成为，一次铸型部5的元件覆盖部51的第一侧面55和二次成形用模具60的插通孔61的内壁面一边以由间隙嵌合带来的规定的嵌合公差对置一边密接。
在上述说明中，相互没有接缝而一体地形成的多个构成要素也可以通过将相互分体的部件贴合而形成。同样，通过将相互分体的部件贴合而形成的多个构成要素也可以相互没有接缝而一体地形成。
在上述说明中，由相互相同的材料形成的多个构成要素也可以由相互不同的材料形成。同样，由相互不同的材料形成的多个构成要素也可以由相互相同的材料形成。
变形例也并不限定于上述的例示。此外，多个变形例可以相互组合。进而，可以将上述实施方式的全部或一部分与变形例的全部或一部分相互组合。

Claims (7)

1.一种合成树脂成形体(1)，
具备：
电气元件部(43)，是从基端部(44)沿朝向前端部(45)的前端方向(D1)延伸的半导体基板；
以及一次铸型部(5)；
上述一次铸型部(5)是将上述电气元件部部分性地覆盖的合成树脂部，该一次铸型部(5)具有：
元件覆盖部(51)，具有作为在上述前端方向上露出的面的前端面(54)、和作为从上述前端面的外缘沿着与上述前端方向相反的基端方向(D2)延伸的面的第一侧面(55)，该元件覆盖部(51)被设置为，将上述电气元件部的上述基端部侧覆盖并且以上述前端部在上述前端方向上露出的形态使上述前端部侧从上述前端面突出；以及
主体部(52)，具有中间面(56)、和作为从上述中间面的外缘沿着上述基端方向延伸的面的第二侧面(57)，上述中间面(56)是在上述前端方向上露出的面，且从上述第一侧面的上述基端方向上的端部沿与上述基端方向交叉的方向延伸，上述主体部(52)被配置在比上述元件覆盖部更靠上述基端方向侧，并且与上述元件覆盖部一体地连接，
上述中间面形成为越是朝向上述基端方向越从与上述前端方向平行且经过上述元件覆盖部的中心轴线(CA)远离的锥面。
2.如权利要求1所述的合成树脂成形体，
上述中间面遍及将中心轴线(CA)包围的整周而设置，上述中心轴线(CA)与上述前端方向平行且经过上述元件覆盖部。
3.如权利要求1或2所述的合成树脂成形体，
还具备将上述主体部的比上述中间面更靠上述基端方向侧的部分的周围覆盖的二次铸型部(3)。
4.一种合成树脂成形体(1)，
具备：
电气元件部(43)，是从基端部(44)沿朝向前端部(45)的前端方向(D1)延伸的半导体基板；
以及一次铸型部(5)；
上述一次铸型部(5)是将上述电气元件部部分性地覆盖的合成树脂部，该一次铸型部(5)具有：
元件覆盖部(51)，具有作为在上述前端方向上露出的面的前端面(54)、和作为从上述前端面的外缘沿着与上述前端方向相反的基端方向(D2)延伸的面的第一侧面(55)，该元件覆盖部(51)被设置为，将上述电气元件部的上述基端部侧覆盖并且以上述前端部在上述前端方向上露出的形态使上述前端部侧从上述前端面突出；以及
主体部(52)，具有中间面(56)、和作为从上述中间面的外缘沿着上述基端方向延伸的面的第二侧面(57)，上述中间面(56)是在上述前端方向上露出的面，且从上述第一侧面的上述基端方向上的端部沿与上述基端方向交叉的方向延伸，上述主体部(52)被配置在比上述元件覆盖部更靠上述基端方向侧，并且与上述元件覆盖部一体地连接，
在设包含与上述前端方向平行且经过上述元件覆盖部的中心轴线(CA)的平面与上述前端面的交线、和上述中心轴线在上述一次铸型部的内部侧所成的角为θ1，
设上述平面与上述中间面的交线、和中心轴线在上述一次铸型部的内部侧所成的角为θ2的情况下，
将上述前端面及上述中间面形成为，使得θ2<θ1。
5.如权利要求4所述的合成树脂成形体，
还具备将上述主体部的比上述中间面更靠上述基端方向侧的部分的周围覆盖的二次铸型部(3)。
6.一种合成树脂成形体(1)，
具备：
电气元件部(43)，是从基端部(44)沿朝向前端部(45)的前端方向(D1)延伸的半导体基板；
以及一次铸型部(5)；
上述一次铸型部(5)是将上述电气元件部部分性地覆盖的合成树脂部，该一次铸型部(5)具有：
元件覆盖部(51)，具有作为在上述前端方向上露出的面的前端面(54)、和作为从上述前端面的外缘沿着与上述前端方向相反的基端方向(D2)延伸的面的第一侧面(55)，该元件覆盖部(51)被设置为，将上述电气元件部的上述基端部侧覆盖并且以上述前端部在上述前端方向上露出的形态使上述前端部侧从上述前端面突出；以及
主体部(52)，具有中间面(56)、和作为从上述中间面的外缘沿着上述基端方向延伸的面的第二侧面(57)，上述中间面(56)是在上述前端方向上露出的面，且从上述第一侧面的上述基端方向上的端部沿与上述基端方向交叉的方向延伸，上述主体部(52)被配置在比上述元件覆盖部更靠上述基端方向侧，并且与上述元件覆盖部一体地连接，
上述合成树脂成形体还具备将上述主体部的比上述中间面更靠上述基端方向侧的部分的周围覆盖的二次铸型部(3)，
上述中间面被形成为，在形成上述二次铸型部的二次成形时与二次成形用模具(60)抵接。
7.一种合成树脂成形体的制造方法，是通过将具备电气元件部(43)和一次铸型部(5)的一次成形体(2)用合成树脂覆盖从而制造合成树脂成形体(1)的方法，上述电气元件部(43)是从基端部(44)沿朝向前端部(45)的前端方向(D1)延伸的半导体基板，上述一次铸型部(5)是将上述电气元件部部分性地覆盖的合成树脂部，
在合成树脂成形体的制造方法中，准备具备上述一次铸型部的上述一次成形体，该一次铸型部具有：
元件覆盖部(51)，具有作为在上述前端方向上露出的面的前端面(54)、和作为从上述前端面的外缘沿着与上述前端方向相反的基端方向(D2)延伸的面的第一侧面(55)，该元件覆盖部(51)被设置为，将上述电气元件部的上述基端部侧覆盖并且使上述前端部侧从上述前端面突出；以及
主体部(52)，具有中间面(56)、和作为从上述中间面的外缘沿着上述基端方向延伸的面的第二侧面(57)，上述中间面(56)是在上述前端方向上露出的面，且从上述第一侧面的上述基端方向上的端部沿与上述基端方向交叉的方向延伸，上述主体部(52)被配置在比上述元件覆盖部更靠上述基端方向侧，并且与上述元件覆盖部一体地连接，
在上述一次铸型部的上述主体部的形成有上述中间面的部分上，形成有从上述元件覆盖部向外侧突出的凸部，
上述中间面形成为越是朝向上述基端方向越从与上述前端方向平行且经过上述元件覆盖部的中心轴线(CA)远离的锥面，
以上述中间面与成形体抵接面(63)抵接的方式将上述一次成形体设置于二次成形用模具(60)，该二次成形用模具(60)具有作为能够供上述元件覆盖部插通的孔的插通孔(61)、和作为连接于上述插通孔的开口部而设置的面的上述成形体抵接面(63)；
进行在上述二次成形用模具内将上述主体部的比上述中间面更靠上述基端方向侧的部分的周围用上述合成树脂覆盖的二次成形。
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