WO2017146489A1 - 발광모듈 제조방법 및 표시장치 - Google Patents

발광모듈 제조방법 및 표시장치 Download PDF

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WO2017146489A1
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light emitting
substrate
light
black matrix
emitting module
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현승한
김현준
박재석
이금태
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엘지이노텍 주식회사
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    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • Embodiments relate to a light emitting module, a light emitting module manufacturing method, a light emitting cabinet, and a display device.
  • Light Emitting Device is a pn junction diode that converts electrical energy into light energy. It can be produced by compound semiconductors such as Group III and Group V on the periodic table, and various colors can be realized by adjusting the composition ratio of compound semiconductors. It is possible.
  • the n-layer electrons and the p-layer holes combine to emit energy corresponding to the bandgap energy of the conduction band and the valence band. Is mainly emitted in the form of heat or light, and emits light in the form of light emitting elements.
  • nitride semiconductors are receiving great attention in the field of optical devices and high power electronic devices due to their high thermal stability and wide bandgap energy.
  • blue light emitting devices, green light emitting devices, and ultraviolet light emitting devices using nitride semiconductors are commercially used and widely used.
  • the luminance problem of the light emitting diode has been greatly improved, and has been applied to various devices such as a backlight unit, a display board, a display, and a home appliance of a liquid crystal display.
  • a liquid crystal display device displays an image or an image with light passing through a color filter by controlling the light transmittance of the plurality of light emitting units in which the light emitting devices are mounted and the transmittance of the liquid crystal.
  • a general liquid crystal display device includes a backlight unit including a light source module and optical sheets, and a liquid crystal display panel including a TFT array substrate, a color filter substrate, and a liquid crystal layer.
  • a general light source module includes a plurality of light emitting device packages on which a light emitting chip is mounted on a lead frame substrate, a printed circuit board on which the plurality of light emitting device packages are mounted, and includes a driving circuit for driving the light source module and the liquid crystal display panel. It further comprises a drive substrate.
  • the embodiment provides a light emitting module, a light emitting module manufacturing method, a light emitting cabinet, and a display device which can provide full color.
  • the embodiment provides a light emitting module, a light emitting module manufacturing method, a light emitting cabinet, and a display device capable of realizing uniform color and uniform brightness.
  • the embodiment provides a light emitting module, a light emitting module manufacturing method, a light emitting cabinet, and a display device that can simplify a configuration in a COB (Chip On Board) type and can realize slimming and high brightness.
  • COB Chip On Board
  • the embodiment provides a low power driving light emitting module, a light emitting module manufacturing method, a light emitting cabinet, and a display device.
  • the embodiment provides a light emitting module, a light emitting module manufacturing method, a light emitting cabinet, and a display device which can improve productivity and improve a yield.
  • the embodiment provides a display device having excellent straightness of an image and an image.
  • the embodiment provides a display device capable of implementing a high resolution large display device.
  • the embodiment provides a display device having excellent color purity and color reproduction.
  • the display device of the embodiment includes a support frame; And a plurality of light emitting cabinets including a plurality of light emitting modules disposed on the support frame, wherein the plurality of light emitting modules includes a substrate, a plurality of light emitting units directly mounted on the substrate, and a plurality of light emitting modules disposed on the substrate. It may include a black matrix surrounding each of the light emitting portion of the.
  • the embodiment can provide a full color light emitting module to realize uniform color and uniform brightness, and can slim down and high brightness by simplifying the configuration of the light emitting module in a COB (Chip On Board) type.
  • the embodiment can implement low power driving by simplifying the configuration of the light emitting module, can improve productivity, and improve yield.
  • the embodiment can provide a full color light emitting module to realize uniform color and uniform brightness.
  • the embodiment can simplify the configuration of the light emitting module with a chip on board (COB) type, and can realize slimming and high brightness.
  • COB chip on board
  • the embodiment can implement low power driving by simplifying the configuration of the light emitting module.
  • the embodiment can improve the productivity and simplify the yield by simplifying the configuration of the thin-film module.
  • the display device has high linearity of an image and an image, and may implement high resolution in a large display device of 100 inches or more.
  • the display device can implement a display device having excellent color purity and color reproduction by implementing images and images of a full color light emitting unit.
  • FIG. 1 is a perspective view illustrating a light emitting module according to a first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a light emitting part of the first embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a light emitting module cut along the line II ′ of FIG. 1.
  • FIG. 4 is a plan view illustrating a light emitting unit and a black matrix of the light emitting module according to the first embodiment.
  • 5 to 9 are views illustrating a light emitting module manufacturing method of the first embodiment.
  • FIGS. 10 to 14 are views illustrating a light emitting module manufacturing method according to a second embodiment.
  • 15 to 18 illustrate a method of manufacturing a light emitting module according to a third embodiment.
  • 19 to 21 illustrate a method of manufacturing a light emitting module according to a fourth embodiment.
  • 22 to 25 are views illustrating a light emitting module manufacturing method of the fifth embodiment.
  • FIG. 26 is a plan view illustrating a light emitting unit and a black matrix of the light emitting module according to the second embodiment.
  • 27 is a plan view illustrating a light emitting unit and a black matrix of the light emitting module according to the third embodiment.
  • FIG. 28 is a plan view illustrating a light emitting unit and a black matrix of the light emitting module according to the fourth embodiment.
  • 29 is a perspective view illustrating the light emitting cabinet of the embodiment.
  • FIG. 30 is a perspective view illustrating a lower portion of the light emitting cabinet according to the embodiment.
  • 31 is a plan view illustrating lower portions of the first and second light emitting cabinets according to the embodiment.
  • FIG. 32 is a view illustrating lower portions of corners of the light emitting cabinet according to the embodiment.
  • FIG. 33 is a view illustrating a state in which the first and second light emitting cabinets of the embodiment are coupled;
  • FIG. 34 is a perspective view illustrating a fastening structure of the first and second light emitting cabinets according to the embodiment.
  • 35 is a perspective view illustrating a coupling part of the first and second light emitting cabinets of another embodiment.
  • 36 is a perspective view illustrating a display device according to an embodiment.
  • the above (on) or below (on) or under) when described as being formed on the "on or under” of each element, the above (on) or below (on) or under) includes two elements in which the two elements are in direct contact with each other or one or more other elements are formed indirectly between the two elements.
  • the above (on) or below when expressed as “on” or "under”, it may include the meaning of the downward direction as well as the upward direction based on one element.
  • the semiconductor device may include various electronic devices such as a light emitting device and a light receiving device, and the light emitting device and the light receiving device may both include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer.
  • the semiconductor device according to the present embodiment may be a light emitting device.
  • the light emitting device emits light by recombination of electrons and holes, and the wavelength of the light is determined by the energy band gap inherent in the material. Thus, the light emitted may vary depending on the composition of the material.
  • FIG. 1 is a perspective view illustrating a light emitting module according to a first embodiment
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting unit according to a first embodiment
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing a light emitting module cut along a line II ′ of FIG. 1.
  • 4 is a plan view illustrating a light emitting part and a black matrix of the light emitting module according to the first embodiment.
  • the light emitting module 10 of the first embodiment may implement a simplified structure, slimming, and high brightness to implement a full color image or image.
  • the light emitting module 10 of the first embodiment may include a light emitting part 100 having a width of less than 500 ⁇ m.
  • the light emitting part 100 is formed on a substrate 120 in a COB (Chip on Board) type. Can be directly mounted on.
  • a driving circuit (not shown) for driving the light emitting part 100 may be mounted on a lower surface of the substrate 120.
  • the light emitting unit 100 may include first to third light emitting elements 151, 152, and 153 and a molding unit 170.
  • Each of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may have a width of 200 ⁇ m or less. That is, each of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 is a micro light emitting device having a width of 200 ⁇ m or less, and may provide the light emitting part 100 having a width of less than 500 ⁇ m. According to the embodiment, a light emitting module 10 having a single cell of 0.5 ⁇ 0.5 (mm) may be provided to implement a simplified structure, a slimness, and a high brightness display device for implementing a full color image or image. The first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be disposed at regular intervals from each other.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be arranged side by side in one direction, but are not limited thereto.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be directly mounted on the substrate 120.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be directly mounted on the substrate 120 in a chip on board (COB) type.
  • COB chip on board
  • the light emitting module 10 of the first embodiment is a COB type, and the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 are directly mounted on the substrate 120 to simplify the configuration, and to reduce the weight and brightness. Can be implemented.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be mounted on the substrate 120 by surface mounter technology (SMT).
  • SMT is a method of mounting the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 on the substrate 120 using the solder paste 130.
  • the solder paste 130 may be a metal paste.
  • the solder paste 130 may include an alloy such as AuSn, NiSn, but is not limited thereto.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may emit light of different colors.
  • the first light emitting device 151 may emit light having a red wavelength
  • the second light emitting device 152 may emit light having a green wavelength
  • the third light emitting device 153 may emit light having a blue wavelength. It can emit light.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may include a UV light emitting layer and a fluorescent layer.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may include a sapphire substrate 51, a light emitting layer 53, and first and second light emitting device electrodes 57 and 59.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may have a flip chip structure in which the first and second light emitting device electrodes 57 and 59 are disposed below and directly mounted on the substrate 120.
  • the light emitting module 10 of the first embodiment may implement full color by mixing light emitted from the first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the heights of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be the same.
  • the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 may have the same height, and the sapphire substrate 51 of the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 may be 100 ⁇ m or more.
  • light mixing may be improved and volume emission may be realized by the sapphire substrate 51 having a thickness of 100 ⁇ m or more and the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 having the same height.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be disposed at intervals of 50 ⁇ m or more.
  • the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 are disposed at intervals of 50 ⁇ m or more, thereby improving damage caused by friction of the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 in a mounting process. can do.
  • the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 are disposed at intervals of 50 ⁇ m or more, so that the light loss of each of the first to third light emitting devices 151, 152 and 153 is lost due to interference with each other. Can be improved.
  • the molding part 170 may be disposed on the substrate 120.
  • the molding unit 170 may be disposed on the upper and side surfaces of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the molding part 170 may directly contact the substrate 120 and the first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the molding unit 170 may have a top view having a square structure, but is not limited thereto.
  • the top view shape of the molding unit 170 may correspond to the pixel structure of the display device.
  • the top view of the molding unit 170 may be variously changed, such as rectangular, polygonal, elliptical, circular.
  • the molding part 170 may include a black filler 171.
  • the black filler 171 may improve the appearance quality by implementing the entire light emitting surface in a black color when the light emitting module 10 does not emit light.
  • the appearance quality of the light emitting module 10 may be improved by implementing the black color display surface when the display device is stopped.
  • the molding part 170 may protect the first to third light emitting devices 151, 152, and 153, and may improve light loss from the first to third light emitting devices 151, 152, and 153. It may have a thickness. For example, a height between an upper surface of the molding unit 170 and an upper surface of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be greater than each of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153. It may be lower than the height of the sapphire substrate 51.
  • the height of the sapphire substrate 51 may be 100 ⁇ m, and the height between the upper surface of the molding part 170 and the upper surfaces of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be 100 ⁇ m or less. have. A height between an upper surface of the molding unit 170 and an upper surface of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be 50 ⁇ m or less. The height of the molding unit 170 on the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be smaller than the height of the sapphire substrate 51.
  • the height of the molding unit 170 on the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be less than 50% of the height of the sapphire substrate 51.
  • the linearity of light may be improved.
  • the height between the upper surface of the molding unit 170 and the upper surfaces of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 is formed to be lower than the height of the sapphire substrate 51 so that the mixing of light and Straightness can be improved.
  • the height of the sapphire substrate 51 of 100 ⁇ m may be a height for volume emission from each of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153, but is not limited thereto.
  • the height of the sapphire substrate 51 may be 100 ⁇ m or less.
  • the molding unit 170 may have a predetermined distance between the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 and adjacent side surfaces thereof.
  • the gap may be between the side surfaces of the molding unit 170 closest to the first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the interval may be 25 ⁇ m or more.
  • the gap may prevent damage to the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 during a sawing process of forming the molding unit 170 and then separating the unit light emitting unit 100 into the unit light emitting unit 100. .
  • the black matrix BM may include a function of preventing light leakage and improving appearance quality.
  • the black matrix BM may be an opaque organic material.
  • the black matrix BM may be black resin.
  • the black matrix BM may include openings corresponding to the first to third light emitting devices 151, 152, and 153. One opening may correspond to one pixel of the display device and accommodate one light emitting unit 100.
  • the cross-sectional thickness of the black matrix BM may be the same as the cross-sectional thickness of the light emitting part 100.
  • the black matrix BM may have a matrix structure covering all outer surfaces of the plurality of light emitting parts 100. The black matrix BM may improve appearance quality by blocking interference of light between adjacent light emitters 100 and providing a black screen when the display device is stopped.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 and the molding unit 170 which may be individually driven on the substrate 120, are directly mounted, and the side surfaces of each light emitting unit 100 are provided.
  • the matrix type black matrix BM may be provided to provide the light emitting module 10 having a simplified structure disposed on the substrate 120. That is, the first embodiment may provide a light emitting module 10 capable of realizing an image and an image by implementing full color, but may implement slimming and high brightness by simplifying the configuration of the light emitting module 10.
  • the power connection can be reduced by simplifying the electrical connection by the COB type light emitting module 10.
  • 5 to 9 are views illustrating a light emitting module manufacturing method of the first embodiment.
  • a plurality of first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be disposed on the first carrier film 101.
  • the plurality of first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be disposed at regular intervals from each other.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may emit light of different colors.
  • the first light emitting device 151 may emit light having a red wavelength
  • the second light emitting device 152 may emit light having a green wavelength
  • the third light emitting device 153 may emit light having a blue wavelength. It can emit light.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may include a UV light emitting layer and a fluorescent layer.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be flip chips in which electrodes are disposed on a lower surface of the first to third light emitting devices 151 contacting the first carrier film 101, but is not limited thereto.
  • the heights of the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be the same.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be disposed at intervals of 50 ⁇ m or more.
  • the first carrier film 101 may include an adhesive layer on one surface.
  • the first carrier film 101 may be silicon based, but is not limited thereto.
  • a molding layer 170a may be formed on the first carrier film 101 and the plurality of first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the molding layer 170a may include a translucent resin material such as epoxy or silicon.
  • the molding layer 170a may directly contact the first carrier film 101 and the first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the molding layer 170a may include a black filler.
  • the black filler may improve appearance quality by implementing the entire light emitting surface in a black color when the light emitting module is not emitting light. For example, black filler can improve appearance quality in light emitting module used in signage, indoor / outdoor display board, public display, etc.
  • a unit light emitting part 100 may be formed by a cutting process.
  • the molding part 170 may be formed by etching or physically removing the molding layer.
  • the light emitting part 100 may include an alignment step of aligning the second carrier film 103.
  • the light emitting part 100 may be separated from the first carrier film and aligned on the second carrier film 103.
  • the aligning step may be a step of arranging the light emitting unit 100 separated by a cutting process on the first carrier film on the second carrier film 103 to implement a block unit.
  • a black matrix BM may be formed on the second carrier film 103 to manufacture the light emitting device block 100-1.
  • the black matrix BM may be formed to surround outer surfaces of the first to third light emitting parts 151, 152, and 153.
  • the black matrix BM may be formed by screen printing, dispensing, or injection process, but is not limited thereto.
  • the light emitting device block 100-1 including the first to third light emitting units 151, 152, and 153 may improve the yield by improving the processability in a light emitting module manufacturing process, and thus, the plurality of light emitting units 100 may be used. Since the structure is aligned, it is possible to improve the misalignment.
  • the light emitting device block 100-1 may be directly mounted on the substrate 100 in a COB type.
  • the light emitting device block 100-1 may be separated from the second carrier film and mounted on the substrate 120 by SMT.
  • the SMT may use a solder paste.
  • the solder paste may be a metal paste.
  • the solder paste may include an alloy such as AuSn or NiSn, but is not limited thereto.
  • the light emitting device block 100-1 is manufactured using the first and second carrier films 101 and 103, and the light emitting device block 100-1 is manufactured.
  • the light emitting module of the first embodiment can simplify the configuration to the COB type, can realize slimming and high brightness, and can also reduce the power consumption by simplifying the electrical connection configuration.
  • FIGS. 10 to 14 are views illustrating a light emitting module manufacturing method according to a second embodiment.
  • the light emitting module manufacturing method of the second embodiment may employ technical features of the light emitting module manufacturing method of the first embodiment of FIGS. 5 and 6.
  • a unit light emitting part 100 may be formed on the first carrier film 101 by a cutting process.
  • the molding part 170 may be formed by etching or physically removing the molding layer.
  • a unit light emitting part 100 may be directly mounted on the substrate 120 in a COB type.
  • the light emitting part 100 may be separated from the first carrier film and mounted on the substrate 120 by SMT.
  • the SMT may use a solder paste.
  • the solder paste may be a metal paste.
  • the solder paste may include an alloy such as AuSn or NiSn, but is not limited thereto.
  • a black matrix BM may be formed on the substrate 120 to manufacture the light emitting device block 100-1.
  • the black matrix BM may be formed to surround outer surfaces of the first to third light emitting parts 151, 152, and 153.
  • the black matrix BM may be formed by screen printing, dispensing, or injection process, but is not limited thereto.
  • the unit light emitting unit 100 is formed on the substrate 120 in a COB type. It can be directly mounted and form a black matrix (BM).
  • BM black matrix
  • the light emitting module of the second embodiment can simplify the configuration to the COB type, can realize slimming and high brightness, and can also reduce the power consumption by simplifying the electrical connection configuration.
  • 15 to 18 illustrate a method of manufacturing a light emitting module according to a third embodiment.
  • the plurality of first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be directly mounted on the substrate 120 in a COB type.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be mounted on the substrate 120 by SMT.
  • the SMT may use a solder paste.
  • the solder paste may be a metal paste.
  • the solder paste may include an alloy such as AuSn or NiSn, but is not limited thereto.
  • a molding layer 170a may be formed on the substrate 120 and the plurality of first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the molding layer 170a may include a translucent resin material such as epoxy or silicon.
  • the molding layer 170a may directly contact the substrate 120 and the first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the molding layer 170a may include a black filler. The black filler may improve appearance quality by implementing the entire light emitting surface in a black color when the light emitting module is not emitting light.
  • a unit light emitting part 100 may be formed on the substrate 120 by a cutting process.
  • the molding part 170 may be formed by etching or physically removing the molding layer.
  • a black matrix BM may be formed on the substrate 120.
  • the black matrix BM may be formed to surround the outer surface of the light emitting part 100.
  • the black matrix BM may be formed by screen printing, dispensing, or injection process, but is not limited thereto.
  • the light emitting module manufacturing method of the third embodiment of FIGS. 15 to 18 directly mounts the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 in a COB type on the substrate 120, and the molding unit 170 and the black.
  • the matrix BM may be formed to simplify the manufacturing process.
  • the light emitting module of the third embodiment can simplify the configuration to the COB type, can realize slimming and high brightness, and can also reduce the power consumption by simplifying the electrical connection configuration.
  • 19 to 21 illustrate a method of manufacturing a light emitting module according to a fourth embodiment.
  • the plurality of first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be directly mounted on the substrate 120 in a COB type.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be mounted on the substrate 120 by SMT.
  • the SMT may use a solder paste.
  • the solder paste may be a metal paste.
  • the solder paste may include an alloy such as AuSn or NiSn, but is not limited thereto.
  • a black matrix BM may be formed on the substrate 120.
  • the black matrix BM may be spaced apart from the plurality of first to third light emitting devices 151, 152, and 153 by a predetermined distance.
  • the black matrix BM may form a cavity 131 including one first to third light emitting elements 151, 152, and 153, respectively.
  • the black matrix BM may form a partition 131 in a matrix type to form a cavity 131.
  • the black matrix BM may be formed by screen printing, dispensing, or injection process, but is not limited thereto.
  • the molding unit 170 may be formed in a cavity formed by the black matrix BM.
  • the molding unit 170 may be formed on the substrate 120 by one of transfer molding, dispensing molding, compression molding, and screen printing.
  • the molding layer 170a may directly contact the black matrix BM, the substrate 120, and the first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the molding layer 170a may include a black filler. The black filler may improve appearance quality by implementing the entire light emitting surface in a black color when the light emitting module is not emitting light.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 are directly mounted on the substrate 120 in a COB type to form a black matrix BM.
  • the molding unit 170 is formed to eliminate the cutting process of the light emitting module manufacturing method of the third embodiment, thereby simplifying the manufacturing process.
  • the light emitting module according to the fourth embodiment can simplify the configuration to the COB type, can realize slimming and high brightness, and can reduce the power consumption by simplifying the electrical connection configuration.
  • 22 to 25 are views illustrating a light emitting module manufacturing method of the fifth embodiment.
  • a black matrix BM may be formed on the substrate 220.
  • the black matrix BM may be spaced apart from each other by a predetermined interval.
  • the black matrix BM may be formed by screen printing, dispensing, or injection process, but is not limited thereto.
  • the black matrix BM may form a partition wall in a matrix type.
  • the substrate 220 may be etched with the black matrix BM as a mask to form a cavity 231.
  • a substrate pad (not shown) may be exposed on the bottom surface of the cavity 231.
  • the plurality of first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be directly mounted in a COB type on the substrate 220 on the bottom surface of the cavity 231.
  • the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 may be mounted on the substrate 220 by SMT.
  • the SMT may use a solder paste.
  • the solder paste may be a metal paste.
  • the solder paste may include an alloy such as AuSn or NiSn, but is not limited thereto.
  • the molding unit 170 may be formed in a cavity formed by the black matrix BM.
  • the molding unit 170 may be formed on the substrate 220 by one of transfer molding, dispensing molding, compression molding, and screen printing.
  • the molding part 170 may directly contact the black matrix BM, the substrate 220, and the first to third light emitting devices 151, 152, and 153.
  • the molding unit 170 may include a black filler.
  • the black filler may improve appearance quality by implementing the entire light emitting surface in a black color when the light emitting module is not emitting light.
  • 22 to 25 illustrate a method of manufacturing a light emitting module according to a fifth embodiment, after forming a black matrix BM on a substrate 220, etching the substrate 220 to form a cavity 231, and then a cavity 231.
  • Cutting process of the light emitting module manufacturing method of the third embodiment by mounting the first to third light emitting devices (151, 152, 153) in the COB type directly on the bottom substrate 220, and forming the molding unit 170 This eliminates the need to simplify the manufacturing process.
  • the light emitting module according to the fifth embodiment can simplify the configuration to the COB type, can realize slimming and high brightness, and can reduce the power consumption by simplifying the electrical connection configuration.
  • 26 to 28 are plan views illustrating light emitters and a black matrix of the second to fourth embodiments.
  • the light emitting part 200 of the second exemplary embodiment may include the light emitting part 100 of the first exemplary embodiment of FIG. 1 to FIG. 4.
  • Technical features can be employed.
  • the first to third light emitting devices 251, 252, and 253 may be disposed in a direction orthogonal to the first to third light emitting devices 151, 152, and 153 of the first embodiment.
  • the light emitting part 300 of the third embodiment may include the light emitting part 100 of the first embodiment of FIGS. 1 to 4.
  • Technical features can be employed.
  • the first to third light emitting devices 351, 352, and 353 may have overlapping regions overlapped in one direction or may not have overlapping regions.
  • the overlapping areas are the first to third light emitting devices 351, 352, and 353. It may be less than 1/3 of the width of.
  • the overlap area may be equal to or less than 1/4 of the width of each of the first to third light emitting devices 351, 352, and 353.
  • the overlapping area may be 10% or less of the width of each of the first to third light emitting devices 351, 352, and 353.
  • the overlap region is smaller, light interference and light efficiency may be improved.
  • the first to third light emitting devices 351, 352, and 353 do not have overlapping regions in one direction, light efficiency is reduced by reducing light interference between the first to third light emitting devices 351, 352, and 353. Can be improved.
  • the first light emitting device 351 may be disposed adjacent to the first corner of the light emitting unit 300, and the second light emitting device 352 may be disposed adjacent to the second corner of the light emitting unit 300. .
  • the first and second corners may be arranged side by side in one direction.
  • the third light emitting device 353 may be disposed adjacent to the side of the light emitting part 300 connecting the third and fourth corners symmetrical with the first and second corners.
  • the light emitting unit 400 of the fourth embodiment may include the light emitting unit 100 of the first embodiment of FIGS. 1 to 4.
  • Technical features can be employed.
  • the first light emitting device 451 may be a vertical type in which electrodes are disposed above and below.
  • the first light emitting device 451 may emit light having a red wavelength.
  • the first light emitting device 451 may be a vertical type in order to improve red light extraction efficiency and reliability.
  • the first light emitting device 451 may further include a wire 451W connecting the light emitting device electrode (not shown) exposed to the upper surface of the substrate.
  • the light emitting units 200, 300, and 400 according to the second to fourth embodiments have been described with limited shapes, arrangements, and types of light emitting devices, but are not limited thereto.
  • the arrangement may vary.
  • FIG. 29 is a perspective view illustrating a light emitting cabinet of an embodiment
  • FIG. 30 is a perspective view showing a lower part of a light emitting cabinet of an embodiment
  • FIG. 31 is a plan view showing a lower part of a first and a second light emitting cabinet of an embodiment
  • FIG. 33 is a view illustrating lower portions of corners of the light emitting cabinet of the embodiment
  • FIG. 33 is a view showing a state in which the first and second light emitting cabinets of the embodiment are coupled
  • FIG. 34 is a fastening structure of the first and second light emitting cabinets of the embodiment. It is a perspective view showing.
  • the light emitting cabinet 1000 of the embodiment may include a plurality of light emitting modules 10a and 10b. In the embodiment, a structure including two first and second light emitting modules 10a and 10b is described, but embodiments are not limited thereto.
  • the light emitting cabinet 1000 may be a display device of a minimum unit.
  • the light emitting cabinet 1000 may include first and second light emitting modules 10a and 10b and a support frame 1010 supporting lower surfaces of the first and second light emitting modules 10a and 10b.
  • upper surfaces of the first and second light emitting modules 10a and 10b may be display areas in which light emitting parts are disposed, and lower surfaces may be non-display areas in which a driving circuit is mounted.
  • Each of the first and second light emitting modules 10a and 10b may employ technical features of the light emitting module of FIGS. 1 to 28.
  • the support frame 1010 may support the first and second light emitting modules 10a and 10b and include a heat dissipation function.
  • the support frame 1010 may include a plurality of openings 1015.
  • the opening 1015 reduces the weight of the support frame 1010 and prevents contact with the driving circuit exposed to the lower surfaces of the first and second light emitting parts 10a and 10b, as well as heat dissipation efficiency. Can improve.
  • the support frame 1010 may include one surface 1011 having a flat structure, and the one surface 1011 may directly contact lower surfaces of the first and second light emitting modules 10a and 10b.
  • the support frame 1010 may include four outer surfaces 1013, and a plurality of protrusions 1018 and a plurality of receiving grooves 1019 may be disposed on the four outer surfaces 1013.
  • the support frame 1010 includes a plurality of protrusions 1018 disposed on first outer surfaces symmetrical to each other, and a plurality of receiving grooves on second outer surfaces perpendicular to the first outer surfaces and symmetrical to each other. 1019 may be deployed.
  • the plurality of protrusions 1018 and the receiving groove 1019 may have a function for primary fixing the support frames adjacent to each other.
  • the support frame 1010 may include a plurality of fastening portions 1017 protruding to the other surface along the edge.
  • the plurality of protrusions 1018 of the support frame 1010 of the first light emitting cabinet 1000a may be formed. 2 may be inserted into the plurality of receiving grooves 1019 of the support frame 1010 of the light emitting cabinet 1000b.
  • the depth of the accommodating groove 1019 and the protruding length of the protrusion 1018 may be changed such that the first and second light emitting modules 10a and 10b may be in contact with each other without bending.
  • the side portions of the first and second light emitting modules 10a and 10b that contact each other may be substrates included in each of the first and second light emitting modules 10a and 10b.
  • the four edge sides of the light emitting module 10 may protrude outward from the four edge sides of the support frame 1010.
  • An interval W between one side of the light emitting module 10 and a side of the support frame 1010 corresponding thereto may be 0.5 mm to 2.0 mm.
  • Side portions of the light emitting module 10 protruding outward from the side of the support frame 1010 when the first and second light emitting cabinets 1000a and 1000b are adjacent to each other, are connected to the first and second light emitting modules 10a and 10b.
  • Side can be directly contacted.
  • the protrusions 1018 and the receiving grooves 1019 may be disposed to face each other along the outer surface of the first to second light emitting cabinets 1000a and 1000b adjacent to each other.
  • the length of the protrusion 1018 and the depth of the receiving groove 1019 may be changed so that side portions of the first and second light emitting modules 10a and 10b adjacent to each other may be contacted without bending.
  • the length of the protrusion 1018 may be 1.0 mm greater than the depth of the receiving groove 1019. Referring to FIG. 33, 1.0 mm of the protrusion 1018 may be exposed.
  • the length of the protrusion 1018 and the depth of the receiving groove 1019 of the embodiment may be changed according to the gap W so that side portions of the first and second light emitting modules 10a and 10b adjacent to each other may be in contact without bending.
  • the light emitting module 10 protruding outward from the support frame 1010 may be adjacent to the first and second light emitting modules 10a and 10b through side contact of the first and second light emitting modules 10a and 10b. You can implement seamless.
  • the embodiment may include first and second fastening parts 1017a and 1017b connecting the first and second light emitting cabinets 1000a and 1000b adjacent to each other.
  • the first and second fastening parts 1017a and 1017b may employ technical features of the fastening part 1017 of FIG. 30.
  • the first and second fastening portions 1017a and 1017b may face each other.
  • Fastening members 1100 penetrating through the fastening holes of the first and second fastening parts 1017a and 1017b may be inserted into and fixed to the first and second light emitting cabinets 1000a and 1000b.
  • 35 is a perspective view illustrating a coupling part of the first and second light emitting cabinets of another embodiment.
  • the first and second light emitting cabinets 1000a and 1000b of another example may include a slit groove 1014 and a protrusion (not shown) along an outer surface thereof.
  • the slit grooves 1014 and the projections (not shown) may have a larger contact area than the plurality of accommodation grooves 1019 and the plurality of projections 1018 provided in the light emitting cabinet 1000 of FIG. 2 It is possible to implement a stable fixing of the light emitting cabinet (1000a, 1000b).
  • the light emitting cabinet 1000 supports a plurality of light emitting modules 10a and 10b and defines a coupling structure for stably fixing the adjacent first and second light emitting cabinets 1000a and 1000b.
  • the present invention is not limited thereto, and the coupling structure may be variously changed.
  • the light emitting cabinet 1000 may include a light emitting module 10 capable of providing full color to implement uniform color and uniform brightness.
  • the light emitting cabinet 1000 may include a COB type light emitting module 10 to simplify the configuration, implement slimming and high brightness, and simplify the electrical connection configuration, thereby reducing power consumption.
  • the light emitting cabinet 1000 may include a COB type light emitting module 10 to improve productivity, and improve yield.
  • the light emitting cabinet 1000 includes a light emitting module 10 capable of providing full color to provide a display device having excellent linearity of an image and an image.
  • the light emitting cabinet 1000 of the embodiment may include an light emitting module 10 capable of providing full color to provide an image or an image having excellent color purity and color reproduction.
  • 36 is a perspective view illustrating a display device according to an embodiment.
  • the display device 2000 may include a plurality of light emitting cabinets 1000.
  • the display device 2000 according to the embodiment will be described as an example of a large display device of 100 inches or more such as an electronic display.
  • the plurality of light emitting cabinets 1000 may include light emitting modules 10a and 10b in which a full color light emitting unit in which a plurality of light emitting devices are directly mounted on a driving substrate in a COB type is disposed in a receiving portion of a black matrix.
  • the light emitting modules 10a and 10b may employ the technical features of FIGS. 1 to 28.
  • the display device 2000 may include a light emitting module including a light emitting unit capable of providing full color, thereby simplifying the configuration of the display device and simultaneously slimming the display device.
  • the display device 2000 implements an image and an image including a light emitting device that provides full color, color display and color reproduction are excellent.
  • the display device 2000 can include a COB type light emitting module, which can simplify the configuration, implement slimming and high brightness, and simplify the electrical connection configuration, thereby reducing power consumption.
  • the display device 2000 may include a COB type light emitting module to improve productivity and to improve a yield.
  • the display device 2000 includes light emitting modules 10a and 10b capable of providing full color to provide a display device having excellent straightness of an image and an image.
  • the display device 2000 may include light emitting modules 10a and 10b capable of providing full color to provide an image or an image having excellent color purity and color reproduction.
  • the display device 2000 implements an image and an image by a light emitting device having excellent linearity, it is possible to implement a clear large display device of 100 inches or more.
  • the embodiment can realize a high resolution 100 inch or larger display device at low cost.
  • An image or an image may be displayed, but is not limited thereto, but may be applied to a lighting unit, a backlight unit, an indicator, a lamp, a street lamp, a vehicle lighting device, a vehicle display device, a smart watch, and the like, but is not limited thereto.
  • a backlight unit of an image display device When used as a backlight unit of an image display device, it can be used as an edge type backlight unit or a direct type backlight unit, when used as a light source of a lighting device can be used as a luminaire or bulb type, and also used as a light source of a mobile terminal It may be.
  • the semiconductor device includes a laser diode in addition to the light emitting diode described above.
  • the laser diode may include the first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer having the above-described structure, similarly to the semiconductor element.
  • an electro-luminescence phenomenon is used in which light is emitted when a current flows, but the direction of emitted light is used.
  • a laser diode may emit light having a specific wavelength (monochromatic beam) in the same direction with the same phase by using a phenomenon called stimulated emission and a constructive interference phenomenon. Due to this, it can be used for optical communication, medical equipment and semiconductor processing equipment.
  • a photodetector may be a photodetector, which is a type of transducer that detects light and converts its intensity into an electrical signal.
  • Such photodetectors include photovoltaic cells (silicon, selenium), photoconductive elements (cadmium sulfide, cadmium selenide), photo process diodes (e.g. PD having peak wavelength in visible blind or true blind spectral regions) Process transistors, photomultipliers, phototubes (vacuum, gas encapsulation), infrared (Infra-Red) detectors, and the like, but embodiments are not limited thereto.
  • a semiconductor device such as a photodetector may generally be manufactured using a direct bandgap semiconductor having excellent light conversion efficiency.
  • the photodetector has various structures, and the most common structures include a pin photodetector using a pn junction, a Schottky photodetector using a Schottky junction, a metal semiconductor metal (MSM) photodetector, and the like. have.
  • MSM metal semiconductor metal
  • the photodiode may include a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer having the above-described structure, and have a pn junction or pin structure, similarly to a semiconductor device.
  • the photo process diode is operated by applying reverse bias or zero bias. When light is incident on the photo process diode, electrons and holes are generated and current flows. In this case, the magnitude of the current may be approximately proportional to the intensity of light incident on the photo process diode.
  • Photovoltaic cells or solar cells are a type of photo process diodes that can convert light into electrical current.
  • the solar cell may include the first conductive semiconductor layer, the active layer, and the second conductive semiconductor layer having the above-described structure, similarly to the semiconductor element.
  • a general diode using a p-n junction it may be used as a rectifier of an electronic circuit, it may be applied to an ultra-high frequency circuit and an oscillation circuit.
  • the semiconductor device described above is not necessarily implemented as a semiconductor and may further include a metal material in some cases.
  • a semiconductor device such as a light receiving device may be implemented using at least one of Ag, Al, Au, In, Ga, N, Zn, Se, P, or As, and may be implemented by a p-type or n-type dopant. It may also be implemented using a doped semiconductor material or an intrinsic semiconductor material.

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Abstract

실시 예는 발광모듈, 발광모듈 제조방법, 발광 캐비닛 및 표시장치에 관한 것이다. 실시 예의 표시장치는 지지프레임; 및 상기 지지 프레임 상에 배치되는 복수의 발광모듈을 포함하는 복수의 발광 캐비닛을 포함하고, 상기 복수의 발광모듈은 기판과, 상기 기판 위에 직접 실장된 복수의 발광부 및 상기 기판 위에 배치되어 상기 복수의 발광부 각각을 감싸는 블랙 매트릭스를 포함하고, 발광부는 500㎛ 미만의 너비를 가질 수 있다. 실시 예는 풀 컬러의 발광모듈을 제공하여 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있고, COB(Chip On Board) 타입으로 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다. 실시 예는 발광모듈의 구성을 간소화하여 저전력 구동을 구현할 수 있고, 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

발광모듈 제조방법 및 표시장치
실시 예는 발광모듈, 발광모듈 제조방법, 발광 캐비닛 및 표시장치에 관한 것이다.
발광소자(Light Emitting Device)는 전기에너지가 빛 에너지로 변환되는 특성의 p-n 접합 다이오드로서, 주기율표상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족 등의 화합물 반도체로 생성될 수 있고 화합물 반도체의 조성비를 조절함으로써 다양한 색상구현이 가능하다.
발광소자는 순방향전압 인가 시 n층의 전자와 p층의 정공(hole)이 결합하여 전도대(Conduction band)와 가전대(Valance band)의 밴드갭 에너지에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지는 주로 열이나 빛의 형태로 방출되며, 빛의 형태로 발산되면 발광소자가 되는 것이다.
예를 들어, 질화물 반도체는 높은 열적 안정성과 폭넓은 밴드갭 에너지에 의해 광소자 및 고출력 전자소자 개발 분야에서 큰 관심을 받고 있다. 특히, 질화물 반도체를 이용한 청색(Blue) 발광소자, 녹색(Green) 발광소자, 자외선(UV) 발광소자 등은 상용화되어 널리 사용되고 있다.
최근, 발광 다이오드의 휘도 문제가 크게 개선되어, 액정표시장치의 백라이트 유닛(Backlight Unit), 전광판, 표시기, 가전 제품 등과 같은 각종 기기에 적용되고 있다.
일반적인 액정표시장치는 발광소자가 실장된 복수의 발광부의 광 및 액정의 투과율을 제어하여 컬러필터를 통과하는 빛으로 이미지 또는 영상을 표시한다. 일반적인 액정표시장치는 광원모듈 및 광학 시트들을 포함하는 백라이트 유닛과, TFT 어레이 기판, 컬러필터 기판 및 액정층을 포함하는 액정표시패널을 포함한다. 일반적인 광원 모듈은 리드프레임 기판 상에 발광 칩이 실장된 복수의 발광소자 패키지와, 복수의 발광소자 패키지가 실장되는 인쇄회로기판을 포함하고, 광원 모듈 및 액정표시패널을 구동시키는 구동회로를 포함하는 구동 기판을 더 포함한다.
최근에는 HD 이상의 고화질 및 100인치 이상의 표시장치가 요구되고 있으나, 일반적으로 주로 사용되고 있는 복잡한 구성들을 갖는 액정표시장치 및 유기전계 표시장치는 수율 및 비용에 의해 고화질의 100인치 이상의 표시장치를 구현하기에 어려움이 있었다.
실시 예는 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법, 발광 캐비닛 및 표시장치를 제공한다.
실시 예는 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법, 발광 캐비닛 및 표시장치를 제공한다.
실시 예는 COB(Chip On Board) 타입으로 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법, 발광 캐비닛 및 표시장치를 제공한다.
실시 예는 저전력 구동의 발광모듈, 발광모듈 제조방법, 발광 캐비닛 및 표시장치를 제공한다.
실시 예는 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있는 발광모듈, 발광모듈 제조방법, 발광 캐비닛 및 표시장치를 제공한다.
실시 예는 이미지 및 영상의 직진성이 우수한 표시장치를 제공한다.
실시 예는 고해상도의 대형 표시장치를 구현할 수 있는 표시장치를 제공한다.
실시 예는 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 표시장치를 제공한다.
실시 예의 표시장치는 지지프레임; 및 상기 지지 프레임 상에 배치되는 복수의 발광모듈을 포함하는 복수의 발광 캐비닛을 포함하고, 상기 복수의 발광모듈은 기판과, 상기 기판 위에 직접 실장된 복수의 발광부 및 상기 기판 위에 배치되어 상기 복수의 발광부 각각을 감싸는 블랙 매트릭스를 포함할 수 있다. 실시 예는 풀 컬러의 발광모듈을 제공하여 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있고, COB(Chip On Board) 타입으로 발광모듈의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다. 실시 예는 발광모듈의 구성을 간소화하여 저전력 구동을 구현할 수 있고, 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다.
실시 예는 풀 컬러의 발광모듈을 제공하여 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있다.
실시 예는 COB(Chip On Board) 타입으로 발광모듈의 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.
실시 예는 발광모듈의 구성을 간소화하여 저전력 구동을 구현할 수 있다.
실시 예는 박광모듈의 구성을 간소화하여 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다.
실시 예의 표시장치는 이미지 및 영상의 직진성이 우수하여 100인치 이상의 대형 표시장치에 고해상도를 구현할 수 있다.
실시 예의 표시장치는 풀 컬러 발광부의 이미지 및 영상 구현으로 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 표시장치를 구현할 수 있다.
도 1은 제1 실시 예의 발광모듈을 도시한 사시도이다.
도 2는 제1 실시 예의 발광부를 도시한 단면도이다.
도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광모듈을 도시한 단면도이다.
도 4는 제1 실시 예의 발광모듈의 발광부 및 블랙 매트릭스를 도시한 평면도이다.
도 5 내지 도 9는 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 10 내지 도 14는 제2 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 15 내지 도 18은 제3 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 19 내지 도 21은 제4 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 22 내지 도 25는 제5 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 26은 제2 실시 예의 발광모듈의 발광부 및 블랙 매트릭스를 도시한 평면도이다.
도 27은 제3 실시 예의 발광모듈의 발광부 및 블랙 매트릭스를 도시한 평면도이다.
도 28은 제4 실시 예의 발광모듈의 발광부 및 블랙 매트릭스를 도시한 평면도이다.
도 29는 실시 예의 발광 캐비닛을 도시한 사시도이다.
도 30은 실시 예의 발광 캐비닛의 하부를 도시한 사시도이다.
도 31은 실시 예의 제1 및 제2 발광 캐비닛의 하부를 도시한 평면도이다.
도 32는 실시 예의 발광 캐비닛의 모서리 하부를 도시한 도면이다.
도 33은 실시 예의 제1 및 제2 발광 캐비닛이 결합된 상태를 도시한 도면이다.
도 34는 실시 예의 제1 및 제2 발광 캐비닛의 체결구조를 도시한 사시도이다.
도 35는 다른 실시 예의 제1 및 제2 발광 캐비닛의 결합부를 도시한 사시도이다.
도 36은 실시 예의 표시장치를 도시한 사시도이다.
본 실시 예들은 다른 형태로 변형되거나 여러 실시 예가 서로 조합될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 각각의 실시 예로 한정되는 것은 아니다.
특정 실시 예에서 설명된 사항이 다른 실시 예에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 실시 예에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 실시 예에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
예를 들어, 특정 실시 예에서 구성 A에 대한 특징을 설명하고 다른 실시 예에서 구성 B에 대한 특징을 설명하였다면, 구성 A와 구성 B가 결합된 실시 예가 명시적으로 기재되지 않더라도 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 본 발명의 권리범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 element의 " 상(위) 또는 하(아래)(on or under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, 상(위) 또는 하(아래)(on or under)는 두 개의 element가 서로 직접(directly)접촉되거나 하나 이상의 다른 element가 상기 두 element사이에 배치되어(indirectly) 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 "상(위) 또는 하(아래)(on or under)"으로 표현되는 경우 하나의 element를 기준으로 위쪽 방향뿐만 아니라 아래쪽 방향의 의미도 포함할 수 있다.
반도체 소자는 발광소자, 수광 소자 등 각종 전자 소자 포함할 수 있으며, 발광소자와 수광소자는 모두 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 반도체 소자는 발광소자일 수 있다.
발광소자는 전자와 정공이 재결합함으로써 빛을 방출하게 되고, 이 빛의 파장은 물질 고유의 에너지 밴드갭에 의해서 결정된다. 따라서, 방출되는 빛은 상기 물질의 조성에 따라 다를 수 있다.
도 1은 제1 실시 예의 발광모듈을 도시한 사시도이고, 도 2는 제1 실시 예의 발광부를 도시한 단면도이고, 도 3은 도 1의 Ⅰ-Ⅰ'라인을 따라 절단한 발광모듈을 도시한 단면도이고, 도 4는 제1 실시 예의 발광모듈의 발광부 및 블랙 매트릭스를 도시한 평면도이다.
도 1 내지 도 4에 도시된 바와 같이,
제1 실시 예의 발광모듈(10)은 풀 컬러의 영상 또는 이미지를 구현하는 간소화된 구조, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다. 이를 위해 제1 실시 예의 발광모듈(10)은 500㎛ 미만의 너비를 갖는 발광부(100)를 포함할 수 있다.상기 발광부(100)는 COB(Chip on Board) 타입으로 기판(120) 상에 직접 실장될 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 상기 기판(120)의 하부면에는 상기 발광부(100)를 구동시키는 구동회로(미도시)가 실장될 수 있다.
상기 발광부(100)는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)를 포함할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각은 200㎛ 이하의 너비를 가질 수 있다. 즉, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각은 200㎛ 이하의 너비를 갖는 마이크로 발광소자로써, 500㎛ 미만의 너비를 갖는 발광부(100)를 제공할 수 있다. 실시 예는 0.5 x 0.5(㎜)의 단일 셀의 발광모듈(10)을 제공하여 풀 컬러의 영상 또는 이미지를 구현하는 간소화된 구조, 슬림화 및 고휘도의 표시장치를 구현할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 서로 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 상기 기판(120) 상에 직접 실장될 수 있다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 COB(Chip on Board) 타입으로 기판(120) 상에 직접 실장될 수 있다. 제1 실시 예의 발광모듈(10)은 COB 타입으로 상기 기판(120) 상에 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)가 직접 실장되어 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 기판(120) 상에 SMT(Surface Mounter Technology)에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트(130)를 이용하여 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 기판(120)에 실장하는 방법으로 상기 솔더 페이스트(130)는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트(130)는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 서로 다른 컬러를 발광할 수 있다. 예컨대 제1 발광소자(151)는 적색 파장의 광을 발광할 수 있고, 제2 발광소자(152)는 녹색 파장의 광을 발광할 수 있고, 제3 발광소자(153)는 청색 파장의 광을 발광할 수 있다. 다른 예로 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 UV 발광층과 형광층을 포함할 수도 있다.
제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 사파이어 기판(51), 발광층(53), 제1 및 제2 발광소자전극(57, 59)을 포함할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 상기 제1 및 제2 발광소자전극(57, 59)이 하부에 배치되어 기판(120)에 직접 실장되는 플립 칩 구조일 수 있다.
제1 실시 예의 발광모듈(10)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)로부터 발광된 광이 혼합되어 풀 컬러를 구현할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 높이는 서로 같을 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 서로 같은 높이를 가지며, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 사파이어 기판(51)은 100㎛ 이상일 수 있다. 제1 실시 예는 100㎛ 이상의 사파이어 기판(51) 및 동일한 높이의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)에 의해 광 혼합을 향상시키고, 볼륨 발광을 구현할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 50㎛이상의 간격을 두고 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 50㎛이상의 간격을 두고 배치됨으로써, 실장 공정에서 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 마찰에 의한 파손을 개선할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 50㎛이상의 간격을 두고 배치됨으로써, 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 광이 서로 간섭되어 손실되는 광 손실을 개선할 수 있다.
상기 몰딩부(170)는 상기 기판(120)상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 상부 및 측면들을 상에 배치될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 상기 기판(120) 및 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 직접 접할 수 있다.
상기 몰딩부(170)는 탑뷰가 정사각형 구조일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 몰딩부(170)의 탑뷰 형상은 표시장치의 화소구조와 대응될 수 있다. 예컨대 상기 몰딩부(170)의 탑뷰는 직사각형, 다각형, 타원형, 원형 등 다양하게 변경될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 블랙 필러(filler, 171)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러(171)는 발광모듈(10)의 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다. 예컨대 상기 발광모듈(10)은 표시장치에 포함되는 경우, 표시장치의 구동 정지 시에 블랙 컬러의 표시면을 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다.
상기 몰딩부(170)는 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 보호하고, 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)로부터의 광 손실을 개선할 수 있는 두께를 가질 수 있다. 예컨대, 상기 몰딩부(170)의 상부면과 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면 사이의 높이가 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 각각의 사파이어 기판(51)의 높이보다 낮을 수 있다. 예컨대 상기 사파이어 기판(51)의 높이는 100㎛일 수 있고, 상기 몰딩부(170)의 상부면과 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면 사이의 높이는 100㎛ 이하일 수 있다. 상기 몰딩부(170)의 상부면과 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면 사이의 높이는 50㎛이하일 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 위의 상기 몰딩부(170)의 높이는 사파이어 기판(51)의 높이보다 작을 수 있다. 예컨대 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)위의 상기 몰딩부(170)의 높이는 사파이어 기판(51)의 높이의 50% 미만일 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 위의 상기 몰딩부(170)의 높이는 사파이어 기판(51)의 높이보다 낮을수록 광의 직진성이 향상될 수 있다. 제1 실시 예는 몰딩부(170)의 상부면과 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 상부면 사이의 높이가 사파이어 기판(51)의 높이보다 낮게 형성되어 광의 혼합 및 직진성을 개선할 수 있다. 여기서, 100㎛의 상기 사파이어 기판(51)의 높이는 각각의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)로부터의 볼륨 발광을 위한 높이일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 상기 사파이어 기판(51)의 높이는 100㎛이하일 수도 있다.
상기 몰딩부(170)는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 인접한 측면 사이에 일정한 간격을 가질 수 있다. 상기 간격은 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 가장 인접한 상기 몰딩부(170)의 측면 사이일 수 있다. 상기 간격은 25㎛ 이상일 수 있다. 상기 간격은 몰딩부(170)를 형성한 후에 단위 발광부(100)로 분리하는 쏘잉(sawing) 공정 시에 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 손상을 방지할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 빛샘을 방지하고, 외관 품질을 개선하는 기능을 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 불투명한 유기물질일 수 있다. 예컨대 상기 블랙 매트릭스(BM)는 블랙 레진일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 대응되는 개구부를 포함할 수 있다. 하나의 개구부는 표시장치의 하나의 화소와 대응되고, 하나의 발광부(100)를 수용할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)의 단면 두께는 상기 발광부(100)의 단면 두께와 같을 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 다수의 발광부(100)의 외측면을 모두 감싸는 매트릭스 구조일 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 인접한 발광부(100) 사이의 빛의 간섭을 차단하고, 표시장치의 구동 정지 시에 블랙 컬러의 화면을 제공함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다.
제1 실시 예는 기판(120) 상에 개별 구동될 수 있는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 및 몰딩부(170)가 직접 실장되고, 각각의 발광부(100)의 측면을 감싸는 매트릭스 타입의 블랙 매트릭스(BM)가 기판(120) 상에 배치된 간소화된 구조의 발광모듈(10)을 제공할 수 있다. 즉, 제1 실시 예는 풀 컬러를 구현하여 영상 및 이미지를 구현할 수 있는 발광모듈(10)을 제공하되 발광모듈(10)의 구성을 간소화하여 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있다.
제1 실시 예는 COB 타입의 발광모듈(10) 구조에 의해 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.
도 5 내지 도 9는 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 5를 참조하면, 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법은 제1 캐리어 필름(101) 상에 복수의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 배치할 수 있다.
상기 복수의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 서로 일정한 간격을 두고 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 서로 다른 컬러를 발광할 수 있다. 예컨대 제1 발광소자(151)는 적색 파장의 광을 발광할 수 있고, 제2 발광소자(152)는 녹색 파장의 광을 발광할 수 있고, 제3 발광소자(153)는 청색 파장의 광을 발광할 수 있다. 다른 예로 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 UV 발광층과 형광층을 포함할 수도 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 상기 제1 캐리어 필름(101)과 접하는 하부면 상에 전극들이 배치된 플립 칩일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)의 높이는 서로 같을 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 50㎛이상의 간격을 두고 배치될 수 있다.
상기 제1 캐리어 필름(101)은 일면에 점착층을 포함할 수 있다. 상기 제1 캐리어 필름(101)은 실리콘 계열일 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 캐리어 필름(101) 및 복수의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 상에 몰딩층(170a)이 형성될 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 상기 제1 캐리어 필름(101) 및 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 직접 접할 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 블랙 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러는 발광모듈의 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다. 예컨대 블랙 필러는 사이니지, 실내외 전광판, public display 등에 사용되는 발광모듈에서 외관 품질을 향상시킬 수 있습니다.
도 7을 참조하면, 커팅공정에 의해 단위 발광부(100)를 형성할 수 있다. 상기 커팅공정은 몰딩층을 에칭 또는 물리적으로 제거하여 몰딩부(170)를 형성할 수 있다. 이후, 상기 발광부(100)는 제2 캐리어 필름(103)에 얼라인하는 얼라인 단계를 포함할 수 있다. 상기 발광부(100)는 제1 캐리어 필름으로부터 분리되어 상기 제2 캐리어 필름(103) 상에 얼라인될 수 있다. 상기 얼라인 단계는 제1 캐리어 필름 상에서 커팅공정을 통해 분리된 발광부(100)를 블록단위로 구현하기 위해 상기 제2 캐리어 필름(103) 상에 배치하는 단계일 수 있다.
도 8을 참조하면, 제2 캐리어 필름(103) 상에 블랙 매트릭스(BM)가 형성되어 발광소자 블록(100-1)이 제조될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 제1 내지 제3 발광부(151, 152, 153)의 외측면을 감싸도록 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 내지 제3 발광부(151, 152, 153)를 포함하는 발광소자 블록(100-1)은 이후 발광모듈 제조 공정에서 공정성을 향상시켜 수율을 향상시킬 수 있고, 복수의 발광부(100)가 얼라인된 구조이므로 얼라인 불량을 개선할 수 있다.
도 9를 참조하면, 제1 실시 예의 발광모듈은 발광소자 블록(100-1)이 COB 타입으로 기판(100) 상에 직접 실장될 수 있다. 예컨대 상기 발광소자 블록(100-1)은 상기 제2 캐리어 필름으로부터 분리되어 상기 기판(120) 상에 SMT에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트를 이용할 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5 내지 도 9의 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법은 제1 및 제2 캐리어 필름(101, 103)을 이용하여 발광소자 블록(100-1)을 제조하고, 상기 발광소자 블록(100-1)을 COB 타입으로 기판(120) 상에 직접 실장하여 공정성 및 수율을 향상시킬 수 있고, 발광부(100)의 얼라인 불량을 개선할 수 있다.
제1 실시 예의 발광모듈은 COB 타입으로 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.
도 10 내지 도 14는 제2 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 제2 실시 예의 발광모듈 제조방법은 도 5 및 도 6의 제1 실시 예의 발광모듈 제조방법의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
도 12를 참조하면, 커팅공정에 의해 제1 캐리어 필름(101) 상에 단위 발광부(100)를 형성할 수 있다. 상기 커팅공정은 몰딩층을 에칭 또는 물리적으로 제거하여 몰딩부(170)를 형성할 수 있다.
도 13을 참조하면, 단위 발광부(100)는 상기 기판(120) 상에 COB 타입으로 직접 실장될 수 있다. 예컨대 상기 발광부(100)는 상기 제1 캐리어 필름으로부터 분리되어 상기 기판(120) 상에 SMT에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트를 이용할 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 14를 참조하면, 기판(120) 상에 블랙 매트릭스(BM)가 형성되어 발광소자 블록(100-1)이 제조될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 제1 내지 제3 발광부(151, 152, 153)의 외측면을 감싸도록 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 10 내지 도 14의 제2 실시 예의 발광모듈 제조방법은 제1 캐리어 필름(101) 상에 단위 발광부(100)를 제조한 후에 단위 발광부(100)를 COB 타입으로 기판(120) 상에 직접 실장하고, 블랙 매트릭스(BM)를 형성할 수 있다.
제2 실시 예의 발광모듈은 COB 타입으로 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.
도 15 내지 도 18은 제3 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 15를 참조하면, 복수의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 기판(120) 상에 COB 타입으로 직접 실장될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 기판(120) 상에 SMT에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트를 이용할 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 16을 참조하면, 기판(120) 및 복수의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153) 상에 몰딩층(170a)이 형성될 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성 수지 재질을 포함할 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 상기 기판(120) 및 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 직접 접할 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 블랙 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러는 발광모듈의 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다.
도 17를 참조하면, 커팅공정에 의해 기판(120) 상에 단위 발광부(100)를 형성할 수 있다. 상기 커팅공정은 몰딩층을 에칭 또는 물리적으로 제거하여 몰딩부(170)를 형성할 수 있다.
도 18을 참조하면, 상기 기판(120) 상에 블랙 매트릭스(BM)가 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 발광부(100)의 외측면을 감싸도록 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 15 내지 도 18의 제3 실시 예의 발광모듈 제조방법은 기판(120) 상에 COB 타입으로 직접 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 실장하고, 몰딩부(170) 및 블랙 매트릭스(BM)를 형성하여 제조공정을 간소화할 수 있다.
제3 실시 예의 발광모듈은 COB 타입으로 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.
도 19 내지 도 21은 제4 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 19를 참조하면, 복수의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 기판(120) 상에 COB 타입으로 직접 실장될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 기판(120) 상에 SMT에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트를 이용할 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 20을 참조하면, 상기 기판(120) 상에 블랙 매트릭스(BM)가 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 복수의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)로부터 일정간격 이격될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 각각 하나씩 포함하는 캐비티(131)를 형성할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 매트릭스 타입으로 격벽을 형성하여 캐비티(131)를 형성할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 21을 참조하면, 몰딩부(170)는 상기 블랙 매트릭스(BM)에 의해 형성된 캐비티 내에 형성될 수 있다. 몰딩부(170)는 트랜스퍼(transfer) 몰딩, 디스펜싱(dispensing) 몰딩, 컴프레션(compression) 몰딩, 스크린 프린팅(screen printing) 중 하나의 방법으로 상기 기판(120) 상에 형성될 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 상기 블랙 매트릭스(BM), 기판(120) 및 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 직접 접할 수 있다. 상기 몰딩층(170a)은 블랙 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러는 발광모듈의 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다.
도 19 내지 도 21의 제4 실시 예의 발광모듈 제조방법은 기판(120) 상에 COB 타입으로 직접 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 실장하고, 블랙 매트릭스(BM)를 형성한 후에 몰딩부(170) 를 형성하여 제3 실시 예의 발광모듈 제조방법의 커팅 공정을 삭제하므로 제조공정을 간소화할 수 있다.
제4 실시 예의 발광모듈은 COB 타입으로 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.
도 22 내지 도 25는 제5 실시 예의 발광모듈 제조방법을 도시한 도면이다.
도 22를 참조하면, 기판(220) 상에 블랙 매트릭스(BM)가 형성될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 서로 일정 간격 이격될 수 있다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 스크린 프린팅, 디스펜싱 또는 사출 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 매트릭스 타입으로 격벽을 형성할 수 있다.
도 23을 참조하면, 기판(220)은 블랙 매트릭스(BM)를 마스크로 에칭되어 캐비티(231)를 형성할 수 있다. 도면에는 도시되지 않았지만, 캐비티(231)의 바닥면에는 기판 패드(미도시)가 노출될 수 있다.
도 24를 참조하면, 복수의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 캐비티(231) 바닥면의 기판(220) 상에 COB 타입으로 직접 실장될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)는 기판(220) 상에 SMT에 의해 실장될 수 있다. 상기 SMT는 솔더 페이스트를 이용할 수 있다. 상기 솔더 페이스트는 금속 페이스트일 수 있다. 예컨대 상기 솔더 페이스트는 AuSn, NiSn 등의 합금을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 25를 참조하면, 몰딩부(170)는 상기 블랙 매트릭스(BM)에 의해 형성된 캐비티 내에 형성될 수 있다. 몰딩부(170)는 트랜스퍼(transfer) 몰딩, 디스펜싱(dispensing) 몰딩, 컴프레션(compression) 몰딩, 스크린 프린팅(screen printing) 중 하나의 방법으로 상기 기판(220) 상에 형성될 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 상기 블랙 매트릭스(BM), 기판(220) 및 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 직접 접할 수 있다. 상기 몰딩부(170)는 블랙 필러(filler)를 포함할 수 있다. 상기 블랙 필러는 발광모듈의 비발광 시에 발광면 전체를 블랙 컬러로 구현함으로써, 외관 품질을 향상시킬 수 있다.
도 22 내지 도 25는 제5 실시 예의 발광모듈 제조방법은 기판(220) 상에 블랙 매트릭스(BM)를 형성하고, 기판(220)을 에칭하여 캐비티(231)를 형성한 후, 캐비티(231) 바닥면의 기판(220) 상에 COB 타입으로 직접 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)를 실장하고, 몰딩부(170)를 형성하여 제3 실시 예의 발광모듈 제조방법의 커팅 공정을 삭제하므로 제조공정을 간소화할 수 있다.
제5 실시 예의 발광모듈은 COB 타입으로 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.
도 26 내지 도 28은 제2 내지 제4 실시 예의 발광부 및 블랙 매트릭스를 도시한 평면도이다.
도 26을 참조하면, 제2 실시 예의 발광부(200)는 제1 내지 제3 발광소자(251, 252, 253)를 제외하고, 도 1 내지 도 4의 제1 실시 예의 발광부(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(251, 252, 253)는 상기 제1 실시 예의 제1 내지 제3 발광소자(151, 152, 153)와 직교하는 방향으로 배치될 수 있다.
도 27을 참조하면, 제3 실시 예의 발광부(300)는 제1 내지 제3 발광소자(351, 352, 353)를 제외하고, 도 1 내지 도 4의 제1 실시 예의 발광부(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
상기 제1 내지 제3 발광소자(351, 352, 353)는 일 방향으로 중첩된 중첩영역을 갖거나, 중첩영역을 갖지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 내지 제3 발광소자(351, 352, 353)는 일 방향으로 중첩영역을 갖는 경우, 상기 중첩영역은 각각의 상기 제1 내지 제3 발광소자(351, 352, 353)의 너비의 1/3 이하일 수 있다. 상기 중첩영역은 각각의 상기 제1 내지 제3 발광소자(351, 352, 353)의 너비의 1/4 이하일 수 있다. 상기 중첩영역은 각각의 상기 제1 내지 제3 발광소자(351, 352, 353)의 너비의 10% 이하일 수 있다. 상기 중첩영역은 작을수록 빛 간섭 및 광효율을 개선할 수 있다. 상기 제1 내지 제3 발광소자(351, 352, 353)는 일 방향으로 중첩영역을 갖지 않을 경우, 상기 제1 내지 제3 발광소자(351, 352, 353) 사이의 빛 간섭을 줄여 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 제1 발광소자(351)는 발광부(300)의 제1 모서리에 인접하게 배치될 수 있고, 제2 발광소자(352)는 발광부(300)의 제2 모서리에 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제1 및 제2 모서리는 일 방향으로 나란하게 배치될 수 있다. 상기 제3 발광소자(353)는 상기 제1 및 지2 모서리와 대칭되는 제3 및 제4 모서리를 연결하는 발광부(300)의 측부에 인접하게 배치될 수 있다.
도 28을 참조하면, 제4 실시 예의 발광부(400)는 제1 내지 제3 발광소자(451, 452, 453)를 제외하고, 도 1 내지 도 4의 제1 실시 예의 발광부(100)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
상기 제1 발광소자(451)는 상부 및 하부에 전극이 배치된 수직타입일 수 있다. 상기 제1 발광소자(451)는 적색 파장의 광을 발광할 수 있다. 상기 제1 발광소자(451)는 적색 광 추출 효율 및 신뢰도를 향상시키기 위해 수직 타입일 수 있다. 상기 제1 발광소자(451)는 상부에 노출되는 발광소자전극(미도시)과 기판을 연결하는 와이어(451W)를 더 포함할 수 있다.
도 26 내지 도 28을 참조하여 제2 내지 제4 실시 예의 발광부(200, 300, 400)는 발광소자들의 형상, 배열, 타입을 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 발광소자들의 형상, 배치구조는 다양하게 변경될 수 있다.
도 29는 실시 예의 발광 캐비닛을 도시한 사시도이고, 도 30은 실시 예의 발광 캐비닛의 하부를 도시한 사시도이고, 도 31은 실시 예의 제1 및 제2 발광 캐비닛의 하부를 도시한 평면도이고 도 32는 실시 예의 발광 캐비닛의 모서리 하부를 도시한 도면이고, 도 33은 실시 예의 제1 및 제2 발광 캐비닛이 결합된 상태를 도시한 도면이고, 도 34는 실시 예의 제1 및 제2 발광 캐비닛의 체결구조를 도시한 사시도이다.
도 29 내지 도 30에 도시된 바와 같이, 실시 예의 발광 캐비닛(1000)은 복수의 발광모듈(10a, 10b)을 포함할 수 있다. 실시 예에서는 2개의 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)을 포함하는 구조를 설명하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 발광 캐비닛(1000)은 최소단위의 표시장치일 수 있다.
상기 발광 캐비닛(1000)은 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)과, 상기 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)의 하부면을 지지하는 지지 프레임(1010)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)의 상부면은 발광부가 배치된 표시 영역일 수 있고, 하부면은 구동회로가 실장된 비표시 영역일 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b) 각각은 도 1 내지 도 28의 발광모듈의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
상기 지지 프레임(1010)은 상기 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)을 지지하고, 방열 기능을 포함할 수 있다. 상기 지지 프레임(1010)은 복수의 개구부(1015)를 포함할 수 있다. 상기 개구부(1015)는 상기 지지 프레임(1010)의 무게를 줄이고, 상기 제1 및 제2 발광부(10a, 10b)의 하부면에 노출되는 구동회로와의 접촉을 방지할 수 있을 뿐만 아니라 방열효율을 향상시킬 수 있다.
상기 지지 프레임(1010)은 평평한 구조의 일면(1011)을 포함하고, 상기 일면(1011)은 상기 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)의 하부면과 직접 접할 수 있다.
상기 지지 프레임(1010)은 4개의 외측면(1013)을 포함하고, 상기 4개의 외측면(1013) 상에는 복수의 돌기(1018) 및 복수의 수용홈(1019)이 배치될 수 있다. 예컨대 상기 지지 프레임(1010)은 서로 대칭되는 제1 외측면들에 복수의 돌기(1018)이 배치되고, 상기 제1 외측면들과 직교하고 서로 대칭되는 제2 외측면들에 복수의 수용홈(1019)가 배치될 수 있다. 상기 복수의 돌기(1018) 및 수용홈(1019)은 서로 인접한 지지 프레임들을 1차 고정을 위한 기능을 가질 수 있다.
상기 지지 프레임(1010)은 가장자리를 따라 타면으로 돌출된 복수의 체결부(1017)를 포함할 수 있다.
예컨대 도 30 및 도 31을 참조하면, 제1 및 제2 발광 캐비닛(1000a, 1000b)이 서로 연결될 경우, 제1 발광 캐비닛(1000a)의 지지 프레임(1010)의 복수의 돌기(1018)는 상기 제2 발광 캐비닛(1000b)의 지지 프레임(1010)의 복수의 수용홈(1019)에 삽입될 수 있다. 상기 수용홈(1019)의 깊이 및 돌기(1018)의 돌출길이는 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)가 휘어짐 없이 서로 측부가 접할 수 있도록 변경될 수 있다. 여기서, 상기 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)의 서로 접하는 측부는 상기 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b) 각각에 포함된 기판들일 수 있다.
도 30 내지 도 33을 참조하여 보다 구체적으로 설명하도록 한다.
도 30 내지 도 33을 참조하면, 발광모듈(10)의 4개의 가장자리 측부는 지지 프레임(1010)의 4개의 가장자리 측부보다 외측으로 돌출될 수 있다. 상기 발광모듈(10)의 하나의 측부와 이와 대응되는 상기 지지 프레임(1010)의 측부 사이의 간격(W)은 0.5㎜~2.0㎜일 수 있다. 상기 지지 프레임(1010)의 측부보다 외측으로 돌출된 발광모듈(10)의 측부는 서로 인접한 제1 및 제2 발광 캐비닛(1000a, 1000b)의 연결 시에 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)의 측면이 직접 접할 수 있다. 서로 인접한 상기 제1 내지 제2 발광 캐비닛(1000a, 1000b)은 외측면을 따라 돌기(1018) 및 수용홈(1019)이 서로 대면되게 배치될 수 있다. 상기 돌기(1018)의 길이 및 수용홈(1019) 깊이는 서로 인접한 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)의 측부들이 휘어짐 없이 접할 수 있도록 변경될 수 있다. 예컨대 상기 간격(W)이 0.5㎜일 경우, 상기 돌기(1018)의 길이는 상기 수용홈(1019)의 깊이보다 1.0㎜ 클 수 있다. 도 33을 참조하면 상기 돌기(1018)의 1.0㎜ 노출될 수 있다. 실시 예의 돌기(1018)의 길이 및 수용홈(1019)의 깊이는 상기 간격(W)에 따라 변경되어 서로 인접한 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)의 측부들이 휘어짐 없이 접할 수 있다.
즉, 상기 지지 프레임(1010)보다 외측으로 돌출된 발광모듈(10)은 인접한 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)의 측면 접촉을 통해서 인접한 제1 및 제2 발광모듈(10a, 10b)의 심레스(Seamless)를 구현할 수 있다.
도 33 및 34를 참조하면, 실시 예는 서로 인접한 제1 및 제2 발광 캐비닛(1000a, 1000b)을 연결하는 제1 및 제2 체결부(1017a, 1017b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2 체결부(1017a, 1017b)는 도 30의 체결부(1017)의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
상기 제1 및 제2 체결부(1017a, 1017b)는 서로 대면될 수 있다.
상기 제1 및 제2 발광 캐비닛(1000a, 1000b)은 상기 제1 및 제2 체결부(1017a, 1017b)의 체결 홀을 관통하는 체결부재(1100)가 삽입되어 2차 고정될 수 있다.
도 35는 다른 실시 예의 제1 및 제2 발광 캐비닛의 결합부를 도시한 사시도이다.
도 35를 참조하면, 다른 예의 제1 및 제2 발광 캐비닛(1000a, 1000b)은 외측면을 따라 슬릿 홈(1014) 및 돌기(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 슬릿 홈(1014) 및 돌기(미도시)는 도 30의 실시 예의 발광 캐비닛(1000)에 구비된 복수의 수용홈(1019) 및 복수의 돌기(1018)보다 접촉면적을 넓혀 인접한 제1 및 제2 발광 캐비닛(1000a, 1000b)의 안정적인 고정을 구현할 수 있다.
도 29 내지 도 35의 발광 캐비닛(1000)은 복수의 발광모듈(10a, 10b)을 지지하고, 인접한 제1 및 제2 발광 캐비닛(1000a, 1000b) 사이에 안정적인 고정을 위한 결합 구조를 한정하여 설명하고 있지만, 이에 한정하지 않고, 결합구조는 다양하게 변경될 수 있다.
실시 예의 발광 캐비닛(1000)은 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광모듈(10)을 포함하여 균일한 컬러 및 균일한 휘도를 구현할 수 있다.
실시 예의 발광 캐비닛(1000)은 COB타입의 발광모듈(10)을 포함하여 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있고, 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.
실시 예의 발광 캐비닛(1000)은 COB타입의 발광모듈(10)을 포함하여 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다.
실시 예의 발광 캐비닛(1000)은 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광모듈(10)을 포함하여 이미지 및 영상의 직진성이 우수한 표시장치를 제공한다.
실시 예의 발광 캐비닛(1000)은 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광모듈(10)을 포함하여 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 영상 또는 이미지를 제공할 수 있다.
도 36은 실시 예의 표시장치를 도시한 사시도이다.
도 29 내지 36에 도시된 바와 같이, 실시 예의 표시장치(2000)는 복수의 발광 캐비닛(1000)을 포함할 수 있다. 실시 예의 표시장치(2000)는 전광판과 같은 100인치 이상의 대형 표시장치를 일 예로 설명하도록 한다.
상기 복수의 발광 캐비닛(1000)은 복수의 발광소자가 COB 타입으로 구동 기판 상이 직접 실장된 풀 컬러 발광부가 블랙 매트릭스의 수용부에 배치된 발광모듈(10a, 10b)을 포함할 수 있다. 상기 발광모듈(10a, 10b)은 도1 내지 도 28의 기술적 특징을 채용할 수 있다.
실시 예의 표시장치(2000)는 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광부를 포함하는 발광모듈을 포함하여 표시장치의 구성을 간소화함과 동시에 슬림화를 구현할 수 있다.
실시 예의 표시장치(2000)는 풀 컬러를 제공하는 발광소자를 포함하여 영상 및 이미지를 구현하므로 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 장점을 갖는다.
실시 예의 표시장치(2000)는 COB타입의 발광모듈을 포함하여 구성을 간소화할 수 있고, 슬림화 및 고휘도를 구현할 수 있고, 전기적 접속 구성을 간소화함으로써, 소비전력을 줄일 수 있다.
실시 예의 표시장치(2000)는 COB 타입의 발광모듈을 포함하여 생산성을 향상시킬 수 있고, 수율을 향상시킬 수 있다.
실시 예의 표시장치(2000)는 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광모듈(10a, 10b)을 포함하여 이미지 및 영상의 직진성이 우수한 표시장치를 제공한다.
실시 예의 표시장치(2000)는 풀 컬러를 제공할 수 있는 발광모듈(10a, 10b)을 포함하여 색순도(color purity) 및 색재현성(color reproduction)이 우수한 영상 또는 이미지를 제공할 수 있다.
실시 예의 표시장치(2000)는 직진성이 우수한 발광소자에 의해 영상 및 이미지를 구현하므로 선명한 100인치 이상의 대형 표시장치를 구현할 수 있다.
실시 예는 저비용으로 고해상도의 100인치 이상의 대형 표시장치를 구현할 수 있다.
이미지 또는 영상을 디스플레이할 수 있으나, 이에 한정하지 않고, 조명 유닛, 백라이트 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등, 차량용 조명장치, 차량용 표시장치, 스마트 시계 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
영상표시장치의 백라이트 유닛으로 사용될 때 에지 타입의 백라이트 유닛으로 사용되거나 직하 타입의 백라이트 유닛으로 사용될 수 있고, 조명 장치의 광원으로 사용될 때 등기구나 벌브 타입으로 사용될 수도 있으며, 또한 이동 단말기의 광원으로 사용될 수도 있다.
반도체 소자는 상술한 발광 다이오드 외에 레이저 다이오드가 있다.
레이저 다이오드는, 반도체 소자와 동일하게, 상술한 구조의 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다. 그리고, p-형의 제1 도전형 반도체와 n-형의 제2 도전형 반도체를 접합시킨 뒤 전류를 흘러주었을 때 빛이 방출되는 electro-luminescence(전계발광) 현상을 이용하나, 방출되는 광의 방향성과 위상에서 차이점이 있다. 즉, 레이저 다이오드는 여기 방출(stimulated emission)이라는 현상과 보강간섭 현상 등을 이용하여 하나의 특정한 파장(단색광, monochromatic beam)을 가지는 빛이 동일한 위상을 가지고 동일한 방향으로 방출될 수 있으며, 이러한 특성으로 인하여 광통신이나 의료용 장비 및 반도체 공정 장비 등에 사용될 수 있다.
수광 소자로는 빛을 검출하여 그 강도를 전기 신호로 변환하는 일종의 트랜스듀서인 광 검출기(photodetector)를 예로 들 수 있다. 이러한 광 검출기로서, 광전지(실리콘, 셀렌), 광도전 소자(황화 카드뮴, 셀렌화 카드뮴), 포토 공정 다이오드(예를 들어, visible blind spectral region이나 true blind spectral region에서 피크 파장을 갖는 PD), 포토 공정 트랜지스터, 광전자 증배관, 광전관(진공, 가스 봉입), IR(Infra-Red) 검출기 등이 있으나, 실시 예는 이에 국한되지 않는다.
또한, 광검출기와 같은 반도체 소자는 일반적으로 광변환 효율이 우수한 직접 천이 반도체(direct bandgap semiconductor)를 이용하여 제작될 수 있다. 또는, 광검출기는 구조가 다양하여 가장 일반적인 구조로는 p-n 접합을 이용하는 pin형 광검출기와, 쇼트키접합(Schottky junction)을 이용하는 쇼트키형 광검출기와, MSM(Metal Semiconductor Metal)형 광검출기 등이 있다.
포토 공정 다이오드(Photodiode)는 반도체 소자와 동일하게, 상술한 구조의 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있고, pn접합 또는 pin 구조로 이루어진다. 포토 공정 다이오드는 역바이어스 혹은 제로바이어스를 가하여 동작하게 되며, 광이 포토 공정 다이오드에 입사되면 전자와 정공이 생성되어 전류가 흐른다. 이때 전류의 크기는 포토 공정 다이오드에 입사되는 광의 강도에 거의 비례할 수 있다.
광전지 또는 태양 전지(solar cell)는 포토 공정 다이오드의 일종으로, 광을 전류로 변환할 수 있다. 태양 전지는, 반도체 소자와 동일하게, 상술한 구조의 제1 도전형 반도체층과 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함할 수 있다.
또한, p-n 접합을 이용한 일반적인 다이오드의 정류 특성을 통하여 전자 회로의 정류기로 이용될 수도 있으며, 초고주파 회로에 적용되어 발진 회로 등에 적용될 수 있다.
또한, 상술한 반도체 소자는 반드시 반도체로만 구현되지 않으며 경우에 따라 금속 물질을 더 포함할 수도 있다. 예를 들어, 수광 소자와 같은 반도체 소자는 Ag, Al, Au, In, Ga, N, Zn, Se, P, 또는 As 중 적어도 하나를 이용하여 구현될 수 있으며, p형이나 n형 도펀트에 의해 도핑된 반도체 물질이나 진성 반도체 물질을 이용하여 구현될 수도 있다.
이상에서 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (10)

  1. 지지프레임; 및
    상기 지지 프레임 상에 배치되는 복수의 발광모듈을 포함하는 복수의 발광 캐비닛을 포함하고,
    상기 복수의 발광모듈 각각은 기판과, 상기 기판 위의 발광부 및 상기 기판 위에 배치되어 상기 발광부를 감싸는 블랙 매트릭스를 포함하고,
    상기 발광부는 500㎛ 미만의 너비를 갖는 표시장치.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 발광부는,
    상기 기판에 직접 실장된 적색 파장을 발광하는 제1 발광소자;
    상기 기판에 직접 실장된 녹색 파장을 발광하는 제2 발광소자;
    상기 기판에 직접 실장된 청색 파장을 발광하는 제3 발광소자; 및
    상기 제1 내지 제3 발광소자를 덮는 몰딩부를 포함하고
    상기 제1 내지 제3 발광소자 각각은 200㎛ 이하의 너비를 갖고,
    상기 발광부 및 상기 블랙 매트릭스는 COB(Chip On board) 타입이고, 상기 지지 프레임은 상기 복수의 발광모듈과 직접 접하는 평평한 일면과, 상기 일면으로부터 타면을 관통하는 복수의 개구부 및 외측면들을 포함하고,
    상기 외측면들 상에는 복수의 돌기 및 복수의 홈을 포함하는 표시장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 기판의 4개의 가장자리는 상기 지지 프레임의 4개의 가장자리보다 외측으로 돌출되고,
    상기 복수의 발광모듈의 가장자리 끝단과 상기 지지 프레임의 가장자리 끝단 사이의 간격은 0.5㎜~2.0㎜인 표시장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 개구부는 상기 복수의 발광 캐비닛 각각에 배치되고,
    상기 복수의 발광모듈의 하부면에 배치된 구동회로를 포함하고,
    상기 복수의 개구부는 상기 구동회로와 대면되는 표시장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 발광 캐비닛은 서로 인접한 제1 및 제2 발광 캐비닛을 포함하고,
    상기 제1 발광 케비닛은 상기 지지 프레임의 타면에 배치된 제1 체결부 및 외측면을 따라 배치된 돌기를 포함하고,
    상기 제2 발광 케비닛은 상기 지지 프레임의 타면에 배치된 제2 체결부 및 외측면을 따라 배치된 슬릿 홈을 포함하과,
    상기 제1 및 제2 체결부는 서로 대면되는 홀을 갖고,
    상기 홀을 관통하는 체결부재를 포함하고,
    상기 돌기는 상기 슬릿 홈과 접하는 표시장치.
  6. 캐리어 필름 상에 복수의 제1 내지 제3 발광소자를 얼라인하는 단계;
    상기 캐리어 필름 및 상기 복수의 제1 내지 제3 발광소자 상에 몰딩층을 형성하는 단계;
    상기 몰딩층을 커팅하여 복수의 발광부를 형성하는 단계; 및
    상기 기판 상에 상기 복수의 발광부를 실장하는 단계를 포함하는 발광모듈 제조방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 복수의 발광부를 다른 캐리어 필름에 얼라인하는 단계; 및
    상기 다른 캐리어 필름 상의 복수의 발광부 사이에 블랙 매트릭스를 형성하여 발광소자 블록을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 제1 내지 제3 발광부는 상기 발광소자 블록과 대응되고, 상기 복수의 발광부 각각을 상기 기판 상에 실장하는 단계; 및
    상기 기판 및 상기 복수의 발광부 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 발광모듈 제조방법.
  8. 기판 상에 복수의 제1 내지 제3 발광소자를 실장하는 단계;
    상기 기판 및 상기 복수의 제1 내지 제3 발광소자 상에 몰딩층을 형성하는 단계;
    상기 몰딩층을 커팅하여 복수의 발광부를 형성하는 단계; 및
    상기 기판 및 상기 복수의 발광부 상에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 발광모듈 제조방법.
  9. 기판 상에 복수의 제1 내지 제3 발광소자를 실장하는 단계;
    상기 기판 상에 매트릭스 타입의 캐비티를 갖는 블랙 매트릭스를 형성하는 단계; 및
    상기 캐비티 내에 의해 몰딩부를 형성하는 단계를 포함하는 발광모듈 제조방법.
  10. 제7 항에 있어서,
    상기 캐비티 각각에는 하나의 제1 발광소자, 하나의 제2 발광소자 및 하나의 제3 발광소자가 배치되고,
    상기 제1 내지 제3 발광소자를 상기 기판 상에 실장하는 단계는 상기 블랙 매트릭스를 상기 기판상에 형성하는 단계 이후에 진행되고,
    상기 블랙 매트릭스를 상기 기판상에 형성하는 단계는 상기 블랙 매트릭스를 마스크로 상기 블랙 매트릭스로부터 노출된 상기 기판을 식각하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 내지 제3 발광소자는 식각된 상기 기판상에 실장되는 발광모듈 제조방법.
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