JP6837071B2 - 発光モジュール製造方法および表示装置 - Google Patents

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Description

実施例は、発光モジュール、発光モジュール製造方法、発光キャビネットおよび表示装置に関する。
発光素子（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）は、電気エネルギーが光エネルギーに変換される特性のｐ−ｎ接合ダイオードであって、周期律表上でＩＩＩ族とＶ族などの化合物半導体で生成され得、化合物半導体の組成比を調節することによって多様な色の具現が可能である。
発光素子は、順方向電圧認可時、ｎ層の電子とｐ層の正孔（ｈｏｌｅ）が結合して伝導帯（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ ｂａｎｄ）と価電子帯（Ｖａｌａｎｃｅ ｂａｎｄ）のバンドギャップエネルギーに該当するだけのエネルギーを発散するが、このエネルギーは、主に熱や光の形態に放出され、光の形態で発散されると発光素子となる。
例えば、窒化物半導体は、高い熱的安定性と幅広いバンドギャップエネルギーによって光素子および高出力電子素子の開発分野で大きい関心を集めている。特に、窒化物半導体を利用した 青色（ｂｌｕｅ）発光素子、緑色（ｇｒｅｅｎ）発光素子、および紫外線（ＵＶ）発光素子などは商用化されて広く使用されている。
最近、発光ダイオードの輝度問題が大きく改善されて、液晶表示装置のバックライトユニット（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ Ｕｎｉｔ）、電光掲示板、表示器、家電製品などのような各種機器に適用されている。
一般的な液晶表示装置は、発光素子が実装された複数の発光部の光および液晶の透過率を制御してカラーフィルタを通過する光でイメージまたは、映像を表示する。一般的な液晶表示装置は、光源モジュールおよび光学シートを含むバックライトユニットと、ＴＦＴアレイ基板、カラーフィルタ基板および液晶層を含む液晶表示パネルとを含む。一般的な光源モジュールは、リードフレーム基板上に発光チップが実装された複数の発光素子パッケージと、複数の発光素子パッケージが実装される印刷回路基板とを含み、光源モジュールおよび液晶表示パネルを駆動させる駆動回路を含む駆動基板をさらに含む。
最近は、ＨＤ以上の高画質および１００インチ以上の表示装置が要求されているが、一般的に主に使用されている複雑な構成を有する液晶表示装置および有機電界表示装置は、収率および費用によって高画質の１００インチ以上の表示装置を具現することに困難があった。
実施例は、フルカラーを提供できる発光モジュール、発光モジュール製造方法、発光キャビネットおよび表示装置を提供する。
実施例は、均一なカラーおよび均一な輝度を具現することができる発光モジュール、発光モジュール製造方法、発光キャビネットおよび表示装置を提供する。
実施例は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）タイプで構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができる発光モジュール、発光モジュール製造方法、発光キャビネットおよび表示装置を提供する。
実施例は、低電力駆動の発光モジュール、発光モジュール製造方法、発光キャビネットおよび表示装置を提供する。
実施例は、生産性を向上させることができ、収率を向上させることができる発光モジュール、発光モジュール製造方法、発光キャビネットおよび表示装置を提供する。
実施例は、イメージおよび映像の直進性に優れる表示装置を提供する。
実施例は、高解像度の大型表示装置を具現することができる表示装置を提供する。
実施例は、色純度（ｃｏｌｏｒ ｐｕｒｉｔｙ）および色再現性（ｃｏｌｏｒ ｒｅｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ）に優れる表示装置を提供する。
実施例の表示装置は、支持フレーム；および前記支持フレーム上に配置される複数の発光モジュールを含む複数の発光キャビネットを含み、前記複数の発光モジュールは、基板と、前記基板の上に直接実装された複数の発光部および前記基板の上に配置されて前記複数の発光部それぞれを囲むブラックマトリクスを含むことができる。実施例は、フルカラーの発光モジュールを提供して均一なカラーおよび均一な輝度を具現することができ、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）タイプで発光モジュールの構成を簡素化してスリム化および高輝度を具現することができる。実施例は、発光モジュールの構成を簡素化して低電力駆動を具現することができ、生産性を向上させることができて、収率を向上させることができる。
実施例は、フルカラーの発光モジュールを提供して均一なカラーおよび均一な輝度を具現することができる。
実施例は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）タイプで発光モジュールの構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができる。
実施例は、発光モジュールの構成を簡素化して低電力駆動を具現することができる。
実施例は、発光モジュールの構成を簡素化して生産性を向上させることができ、収率を向上させることができる。
実施例の表示装置は、イメージおよび映像の直進性が優れて１００インチ以上の大型表示装置に高解像度を具現することができる。
実施例の表示装置は、フルカラー発光部のイメージおよび映像の具現で色純度（ｃｏｌｏｒ ｐｕｒｉｔｙ）および色再現性（ｃｏｌｏｒ ｒｅｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ）に優れる表示装置を具現することができる。
第１実施例の発光モジュールを示す斜視図である。 第１実施例の発光部を示す断面図である。 図１のＩ−Ｉ’ラインに沿って切断した発光モジュールを示す断面図である 第１実施例の発光モジュールの発光部およびブラックマトリクスを示す平面図である。 第１実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第１実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第１実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第１実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第１実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第２実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第２実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第２実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第２実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第２実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第３実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第３実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第３実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第３実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第４実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第４実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第４実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第５実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第５実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第５実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第５実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。 第２実施例の発光モジュールの発光部およびブラックマトリクスを示す平面図である。 第３実施例の発光モジュールの発光部およびブラックマトリクスを示す平面図である。 第４実施例の発光モジュールの発光部およびブラックマトリクスを示す平面図である。 実施例の発光キャビネットを示す斜視図である。 実施例の発光キャビネットの下部を示す斜視図である。 実施例の第１および第２発光キャビネットの下部を示す平面図である。 実施例の発光キャビネットの角の下部を示す図である。 実施例の第１および第２発光キャビネットが結合された状態を示す図である。 実施例の第１および第２発光キャビネットの締結構造を示す斜視図である。 他の実施例の第１および第２発光キャビネットの結合部を示す斜視図である。 実施例の表示装置を示す斜視図である。
本実施例は、他の形態に変形されたり多様な実施例が互いに組み合わされ得、本発明の範囲が以下説明するそれぞれの実施例で限定されるものではない。
特定実施例で説明された事項が異なる実施例で説明されていなくても、他の実施例でその事項と反対になったり矛盾する説明がない限り、他の実施例に関連した説明と理解され得る。
例えば、特定実施例で構成Ａに対する特徴を説明して他の実施例で構成Ｂに対する特徴を説明したとすれば、構成Ａと構成Ｂが結合された実施例が明らかに記載されなくても反対になったり矛盾する説明がない限り、本発明の技術的範囲に属することと理解されるべきである。
以下、前記の目的を具体的に実現できる本発明の実施例を添付した図面を参照して説明する。
本発明による実施例の説明において、各ｅｌｅｍｅｎｔの“上（うえ）または下（した）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）”に形成されるものと記載される場合において、上（うえ）または下（した）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）は、二つのｅｌｅｍｅｎｔが互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり一つ以上の他のｅｌｅｍｅｎｔが前記二つのｅｌｅｍｅｎｔの間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されるものをすべて含む。また“上（うえ）または下（した）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）”と表現される場合、一つのｅｌｅｍｅｎｔを基準に上側方向だけでなく下側方向の意味も含むことができる。
半導体素子は、発光素子、受光素子など各種電子素子を含むことができ、発光素子と受光素子は、両方とも第１導電型半導体層と活性層および第２導電型半導体層とを含むことができる。
本実施例による半導体素子は、発光素子であり得る。
発光素子は、電子と正孔が再結合することによって光を放出することになり、この光の波長は、物質固有のエネルギーバンドギャップによって決定される。したがって、放出される光は、前記物質の組成により異なることがある。
図１は第１実施例の発光モジュールを示す斜視図であり、図２は第１実施例の発光部を示す断面図であり、図３は図１のＩ−Ｉ’ラインに沿って切断した発光モジュールを示す断面図であり、図４は第１実施例の発光モジュールの発光部およびブラックマトリクスを示す平面図である。
図１ないし図４に示された通り、第１実施例の発光モジュール１０は、フルカラーの映像またはイメージを具現する簡素化された構造、スリム化および高輝度を具現することができる。このために第１実施例の発光モジュール１０は、５００μｍ未満の幅を有する発光部１００を含むことができる。前記発光部１００は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）タイプで基板１２０上に直接実装され得る。図面には示されなかったが、前記基板１２０の下部面には、前記発光部１００を駆動させる駆動回路（図示せず）が実装され得る。
前記発光部１００は、第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３およびモルディング部１７０を含むことができる。
前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３それぞれは、２００μｍ以下の幅を有することができる。すなわち、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３それぞれは、２００μｍ以下の幅を有するマイクロ発光素子であって、５００μｍ未満の幅を有する発光部１００を提供することができる。実施例は、０． ５ × ０．５ｍｍの単一セルの発光モジュール１０を提供してフルカラーの映像またはイメージを具現する簡素化された構造、スリム化および高輝度の表示装置を具現することができる。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、互いに一定の間隔を置いて配置され得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、一方向に並んで配置され得るが、これに限定されるものではない。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、前記基板１２０上に直接実装され得る。例えば、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）タイプで基板１２０上に直接実装され得る。第１実施例の発光モジュール１０は、ＣＯＢタイプで前記基板１２０上に前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３が直接実装されて構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができる。
前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、基板１２０上にＳＭＴ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｅｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）により実装され得る。前記ＳＭＴは、ソルダーペースト１３０を用いて第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３を基板１２０に実装する方法であり、前記ソルダーペースト１３０は、金属ペーストであり得る。例えば、前記ソルダーペースト１３０は、ＡｕＳｎ、ＮｉＳｎなどの合金を含めるが、これに限定されるものではない。
前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、それぞれ異なるカラーを発光することができる。例えば、第１発光素子１５１は、赤色波長の光を発光でき、第２発光素子１５２は、緑色波長の光を発光でき、第３発光素子１５３は、青色波長の光を発光することができる。他の例として、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、ＵＶ発光層と蛍光層とを含むこともできる。
第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、サファイア基板５１、発光層５３、第１および第２発光素子電極５７、５９を含むことができる。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、前記第１および第２発光素子電極５７、５９が下部に配置されて基板１２０に直接実装されるフリップチップ構造であり得る。
第１実施例の発光モジュール１０は、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３から発光された光が混合されてフルカラーを具現することができる。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の高さは互いに同じであり得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は互いに同じ高さを有し、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３のサファイア基板５１は１００μｍ以上であり得る。第１実施例は、１００μｍ以上のサファイア基板５１および同じ高さの第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３により光混合を向上させ、ボリューム発光を具現することができる。
前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、５０μｍ以上の間隔を置いて配置され得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、５０μｍ以上の間隔を置いて配置されることによって、実装工程で前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の摩擦による破損を改善することができる。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、５０μｍ以上の間隔を置いて配置されることによって、第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３それぞれの光が互いに干渉して損失される光損失を改善することができる。
前記モルディング部１７０は、前記基板１２０上に配置され得る。前記モルディング部１７０は、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の上部および側面の上に配置され得る。前記モルディング部１７０は、前記基板１２０および前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３と直接接することができる。
前記モルディング部１７０は、トップビューが正方形構造であり得るが、これに限定されるものではない。前記モルディング部１７０のトップビュー形状は、表示装置の画素構造と対応することができる。例えば、前記モルディング部１７０のトップビューは、長方形、多角形、楕円形、円形など多様に変更され得る。前記モルディング部１７０は、ブラックフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）１７１を含むことができる。前記ブラックフィラー１７１は、発光モジュール１０の非発光時に発光面全体をブラックカラーで具現することによって、外観品質を向上させることができる。例えば、前記発光モジュール１０は、表示装置に含まれる場合、表示装置の駆動停止時にブラックカラーの表示面を具現することによって、外観品質を向上させることができる。
前記モルディング部１７０は、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３を保護して、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３からの光損失を改善できる厚さを有することができる。例えば、前記モルディング部１７０の上部面と前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の上部面との間の高さが前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３それぞれのサファイア基板５１の高さより低いことがある。例えば、前記サファイア基板５１の高さは１００μｍであり得、前記モルディング部１７０の上部面と前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の上部面の間の高さは１００μｍ以下であり得る。前記モルディング部１７０の上部面と前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の上部面との間の高さは５０μｍ以下であり得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３上の前記モルディング部１７０の高さはサファイア基板５１の高さより小さいこともある。例えば、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３上の前記モルディング部１７０の高さはサファイア基板５１の高さの５０％未満であり得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３上の前記モルディング部１７０の高さは、サファイア基板５１の高さより低いほど光の直進性が向上することができる。第１実施例は、モルディング部１７０の上部面と前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の上部面との間の高さがサファイア基板５１の高さより低く形成されて光の混合および直進性を改善することができる。ここで、１００μｍの前記サファイア基板５１の高さは、それぞれの第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３からのボリューム発光のための高さであり得るが、これに限定されるものではない。例えば、前記サファイア基板５１の高さは１００μｍ以下であり得る。
前記モルディング部１７０は、第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３と隣接した側面の間に一定の間隔を有することができる。前記間隔は、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３と最も隣接した前記モルディング部１７０の側面との間であり得る。前記間隔は２５μｍ以上であり得る。前記間隔は、モルディング部１７０を形成した後に単位発光部１００で分離するソーイング（ｓａｗｉｎｇ）工程時に前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の損傷を防止することができる。
前記ブラックマトリックスＢＭは、光漏れを防止し、外観品質を改善する機能を含むことができる。前記ブラックマトリックスＢＭは、不透明な有機物質であり得る。例えば、前記ブラックマトリックスＢＭは、ブラックレジンであり得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３と対応する開口部を含むことができる。一つの開口部は、表示装置の一つの画素と対応し、一つの発光部１００を収容することができる。前記ブラックマトリックスＢＭの断面厚さは前記発光部１００の断面厚さと同じであり得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、前記多数の発光部１００の外側面をすべて囲むマトリックス構造であり得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、隣接した発光部１００の間の光の干渉を遮断し、表示装置の駆動停止時にブラックカラーの画面を提供することによって、外観品質を向上させることができる。
第１実施例は、基板１２０上に個別駆動され得る第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３およびモルディング部１７０が直接実装され、それぞれの発光部１００の側面を囲むマトリックスタイプのブラックマトリックスＢＭが基板１２０上に配置された簡素化された構造の発光モジュール１０を提供することができる。すなわち、第１実施例は、フルカラーを具現して映像およびイメージを具現することができる発光モジュール１０を提供しつつ発光モジュール１０の構成を簡素化してスリム化および高輝度を具現することができる。
第１実施例は、ＣＯＢタイプの発光モジュール１０構造によって電気的接続構成を簡素化することによって、消費電力を減らすことができる。
図５ないし図９は、第１実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。
図５を参照すると、第１実施例の発光モジュール製造方法は、第１キャリアフィルム１０１上に複数の第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３を配置することができる。
前記複数の第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、互いに一定の間隔を置いて配置され得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、それぞれ異なるカラーを発光することができる。例えば第１発光素子１５１は、赤色波長の光を発光でき、第２発光素子１５２は、緑色波長の光を発光でき、第３発光素子１５３は、青色波長の光を発光することができる。他の例として、前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、ＵＶ発光層と蛍光層とを含むこともできる。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、前記第１キャリアフィルム１０１と接する下部面上に電極が配置されたフリップチップであり得るが、これに限定されるものではない。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の高さは互いに同じであり得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、５０μｍ以上の間隔を置いて配置され得る。
前記第１キャリアフィルム１０１は、一面に粘着層を含むことができる。前記第１キャリアフィルム１０１は、シリコン系であり得るが、これに限定されるものではない。
図６を参照すると、前記第１キャリアフィルム１０１および複数の第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３上にモルディング層１７０ａが形成され得る。前記モルディング層１７０ａは、エポキシまたはシリコンのような透光性樹脂材質を含むことができる。前記モルディング層１７０ａは、前記第１キャリアフィルム１０１および前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３と直接接することができる。前記モルディング層１７０ａは、ブラックフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を含むことができる。前記ブラックフィラーは、発光モジュールの非発光時に発光面全体をブラックカラーで具現することによって、外観品質を向上させることができる。例えば、ブラックフィラーは、サイネージ、室内外電光掲示板、ｐｕｂｌｉｃ ｄｉｓｐｌａｙなどに使用される発光モジュールで外観品質を向上させることができる。
図７を参照すると、カッティング工程によって単位発光部１００を形成することができる。前記カッティング工程は、モルディング層をエッチングまたは物理的に除去してモルディング部１７０を形成することができる。以後、前記発光部１００は、第２キャリアフィルム１０３にアラインするアラインステップを含むことができる。前記発光部１００は、第１キャリアフィルムから分離されて前記第２キャリアフィルム１０３上にアラインすることができる。前記アラインステップは、第１キャリアフィルム上でカッティング工程を通じて分離した発光部１００をブロック単位で具現するために前記第２キャリアフィルム１０３上に配置するステップであり得る。
図８を参照すると、第２キャリアフィルム１０３上にブラックマトリックスＢＭが形成されて発光素子ブロック１００−１が製造され得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の外側面を囲むように形成され得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、スクリーンプリンティング、ディスペンシングまたは射出工程で形成されるが、これに限定されるものではない。第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３を含む発光素子ブロック１００−１は、以後の発光モジュール製造工程で工程性を向上させて収率を向上させることができ、複数の発光部１００がアラインされた構造であるのでアライン不良を改善することができる。
図９を参照すると、第１実施例の発光モジュールは、発光素子ブロック１００−１がＣＯＢタイプで基板１２０上に直接実装され得る。例えば、前記発光素子ブロック１００−１は、前記第２キャリアフィルムから分離されて前記基板１２０上にＳＭＴによって実装され得る。前記ＳＭＴはソルダーペーストを利用することができる。前記ソルダーペーストは金属ペーストであり得る。例えば、前記ソルダーペーストは、ＡｕＳｎ、ＮｉＳｎなどの合金を含めるが、これに限定されるものではない。
図５ないし図９の第１実施例の発光モジュール製造方法は、第１および第２キャリアフィルム１０１、１０３を用いて発光素子ブロック１００−１を製造し、前記発光素子ブロック１００−１をＣＯＢタイプで基板１２０上に直接実装して工程性および収率を向上させることができ、発光部１００のアライン不良を改善することができる。
第１実施例の発光モジュールは、ＣＯＢタイプで構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができるだけでなく電気的接続構成を簡素化することによって、消費電力を減らすことができる。
図１０ないし図１４は、第２実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。
図１０および図１１を参照すると、第２実施例の発光モジュール製造方法は、図５および図６の第１実施例の発光モジュール製造方法の技術的特徴を採用することができる。
図１２を参照すると、カッティング工程によって第１キャリアフィルム１０１上に単位発光部１００を形成することができる。前記カッティング工程は、モルディング層をエッチングまたは物理的に除去してモルディング部１７０を形成することができる。
図１３を参照すると、単位発光部１００は、前記基板１２０上にＣＯＢタイプで直接実装され得る。 例えば、前記発光部１００は、前記第１キャリアフィルムから分離されて前記基板１２０上にＳＭＴによって実装され得る。前記ＳＭＴはソルダーペーストを利用することができる。前記ソルダーペーストは金属ペーストであり得る。例えば前記ソルダーペーストはＡｕＳｎ、ＮｉＳｎなどの合金を含めるが、これに限定されるものではない。
図１４を参照すると、基板１２０上にブラックマトリックスＢＭが形成されて発光素子ブロック１００−１が製造され得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３の外側面を囲むように形成され得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、スクリーンプリンティング、ディスペンシングまたは射出工程で形成されるが、これに限定されるものではない。
図１０ないし図１４の第２実施例の発光モジュール製造方法は、第１キャリアフィルム１０１上に単位発光部１００を製造した後に単位発光部１００をＣＯＢタイプで基板１２０上に直接実装し、ブラックマトリックスＢＭを形成することができる。
第２実施例の発光モジュールは、ＣＯＢタイプで構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができるだけでなく電気的接続構成を簡素化することによって、消費電力を減らすことができる。
図１５ないし図１８は、第３実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。
図１５を参照すると、複数の第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、基板１２０上にＣＯＢタイプで直接実装され得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、基板１２０上にＳＭＴによって実装され得る。前記ＳＭＴはソルダーペーストを利用することができる。前記ソルダーペーストは金属ペーストであり得る。例えば、前記ソルダーペーストはＡｕＳｎ、ＮｉＳｎなどの合金を含めるが、これに限定されるものではない。
図１６を参照すると、基板１２０および複数の第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３上にモルディング層１７０ａが形成され得る。前記モルディング層１７０ａは、エポキシまたは、シリコンのような透光性樹脂材質を含むことができる。前記モルディング層１７０ａは、前記基板１２０および前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３と直接接することができる。前記モルディング層１７０ａは、ブラックフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を含むことができる。前記ブラックフィラーは、発光モジュールの非発光時に発光面全体をブラックカラーで具現することによって、外観品質を向上させることができる。
図１７を参照すると、カッティング工程によって基板１２０上に単位発光部１００を形成することができる。前記カッティング工程は、モルディング層をエッチングまたは物理的に除去してモルディング部１７０を形成することができる。
図１８を参照すると、前記基板１２０上にブラックマトリックスＢＭが形成され得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、前記発光部１００の外側面を囲むように形成され得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、スクリーンプリンティング、ディスペンシングまたは射出工程で形成されるが、これに限定されるものではない。
図１５ないし図１８の第３実施例の発光モジュール製造方法は、基板１２０上にＣＯＢタイプで直接第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３を実装し、モルディング部１７０およびブラックマトリックスＢＭを形成して製造工程を簡素化することができる。
第３実施例の発光モジュールは、ＣＯＢタイプで構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができるだけでなく電気的接続構成を簡素化することによって、消費電力を減らすことができる。
図１９ないし図２１は、第４実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。
図１９を参照すると、複数の第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、基板１２０上にＣＯＢタイプで直接実装され得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、基板１２０上にＳＭＴによって実装され得る。前記ＳＭＴはソルダーペーストを利用することができる。前記ソルダーペーストは金属ペーストであり得る。例えば、前記ソルダーペーストはＡｕＳｎ、ＮｉＳｎなどの合金を含めるが、これに限定されるものではない。
図２０を参照すると、前記基板１２０上にブラックマトリックスＢＭが形成され得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、複数の第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３から一定間隔離隔することができる。前記ブラックマトリックスＢＭは、第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３をそれぞれ一つずつ含むキャビティ１３１を形成することができる。前記ブラックマトリックスＢＭは、マトリックスタイプで隔壁を形成してキャビティ１３１を形成することができる。前記ブラックマトリックスＢＭは、スクリーンプリンティング、ディスペンシングまたは射出工程で形成されるが、これに限定されるものではない。
図２１を参照すると、モルディング部１７０は、前記ブラックマトリックスＢＭにより形成されたキャビティ内に形成され得る。モルディング部１７０は、トランスファー（ｔｒａｎｓｆｅｒ）モルディング、ディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）モルディング、コンプレッション（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ）モルディング、スクリーンプリンティング（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）の中の一つの方法で前記基板１２０上に形成され得る。前記モルディング層１７０ａは、前記ブラックマトリックスＢＭ、基板１２０および第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３と直接接することができる。前記モルディング層１７０ａは、ブラックフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を含むことができる。前記ブラックフィラーは、発光モジュールの非発光時に発光面全体をブラックカラーで具現することによって、外観品質を向上させることができる。
図１９ないし図２１の第４実施例の発光モジュール製造方法は、基板１２０上にＣＯＢタイプで直接第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３を実装し、ブラックマトリックスＢＭを形成した後にモルディング部１７０を形成して第３実施例の発光モジュール製造方法のカッティング工程を削除するので製造工程を簡素化することができる。
第４実施例の発光モジュールは、ＣＯＢタイプで構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができるだけでなく電気的接続構成を簡素化することによって、消費電力を減らすことができる。
図２２ないし図２５は、第５実施例の発光モジュール製造方法を示す図である。
図２２を参照すると、基板２２０上にブラックマトリックスＢＭが形成され得る。前記ブラックマトリックスＢＭは、互いに一定間隔離隔することができる。前記ブラックマトリックスＢＭは、スクリーンプリンティング、ディスペンシングまたは射出工程で形成されるが、これに限定されるものではない。前記ブラックマトリックスＢＭは、マトリックスタイプで隔壁を形成することができる。
図２３を参照すると、基板２２０は、ブラックマトリックスＢＭをマスクでエッチングしてキャビティ２３１を形成することができる。図面には示されなかったが、キャビティ２３１の底面には基板パッド（図示せず）が露出され得る。
図２４を参照すると、複数の第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、キャビティ２３１底面の基板２２０上にＣＯＢタイプで直接実装され得る。前記第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３は、基板２２０上にＳＭＴによって実装され得る。前記ＳＭＴはソルダーペーストを利用することができる。前記ソルダーペーストは金属ペーストであり得る。例えば、前記ソルダーペーストはＡｕＳｎ、ＮｉＳｎなどの合金を含めるが、これに限定されるものではない。
図２５を参照すると、モルディング部１７０は、前記ブラックマトリックスＢＭにより形成されたキャビティ内に形成され得る。モルディング部１７０は、トランスファー（ｔｒａｎｓｆｅｒ）モルディング、ディスペンシング（ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）モルディング、コンプレッション（ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ）モルディング、スクリーンプリンティング（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）の中の一つの方法で前記基板２２０上に形成され得る。前記モルディング部１７０は、前記ブラックマトリックスＢＭ、基板２２０および第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３と直接接することができる。前記モルディング部１７０は、ブラックフィラー（ｆｉｌｌｅｒ）を含むことができる。前記ブラックフィラーは、発光モジュールの非発光時に発光面全体をブラックカラーで具現することによって、外観品質を向上させることができる。
図２２ないし図２５は第５実施例の発光モジュール製造方法は、基板２２０上にブラックマトリックスＢＭを形成し、基板２２０をエッチングしてキャビティ２３１を形成した後、キャビティ２３１の底面の基板２２０上にＣＯＢタイプで直接第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３を実装し、モルディング部１７０を形成して第３実施例の発光モジュール製造方法のカッティング工程を削除するので製造工程を簡素化することができる。
第５実施例の発光モジュールは、ＣＯＢタイプで構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができるだけでなく電気的接続構成を簡素化することによって、消費電力を減らすことができる。
図２６ないし図２８は、第２ないし第４実施例の発光部およびブラックマトリクスを示す平面図である。
図２６を参照すると、第２実施例の発光部２００は、第１ないし第３発光素子２５１、２５２、２５３を除いて、図１ないし図４の第１実施例の発光部１００の技術的特徴を採用することができる。
前記第１ないし第３発光素子２５１、２５２、２５３は、前記第１実施例の第１ないし第３発光素子１５１、１５２、１５３と直交する方向に配置され得る。
図２７を参照すると、第３実施例の発光部３００は、第１ないし第３発光素子３５１、３５２、３５３を除いて、図１ないし図４の第１実施例の発光部１００の技術的特徴を採用することができる。
前記第１ないし第３発光素子３５１、３５２、３５３は、一方向に重なった重複領域を有するか、または重複領域を有しないことがある。例えば、前記第１ないし第３発光素子３５１、３５２、３５３は、一方向に重複領域を有する場合、前記重複領域は、それぞれの前記第１ないし第３発光素子３５１、３５２、３５３の幅の１/３以下であり得る。前記重複領域は、それぞれの前記第１ないし第３発光素子３５１、３５２、３５３の幅の１/４以下であり得る。前記重複領域は、それぞれの前記第１ないし第３発光素子３５１、３５２、３５３の幅の１０％以下であり得る。前記重複領域は、小さいほど光干渉および光効率を改善することができる。前記第１ないし第３発光素子３５１、３５２、３５３は、一方向に重複領域を有しない場合、前記第１ないし第３発光素子３５１、３５２、３５３の間の光干渉を減らして光効率を向上させることができる。
前記第１発光素子３５１は、発光部３００の第１角に隣接するように配置され得、第２発光素子３５２は、発光部３００の第２角に隣接するように配置され得る。前記第１および第２角は、一方向に並んで配置され得る。前記第３発光素子３５３は、前記第１および第２角と対称する第３および第４角を連結する発光部３００の側部に隣接するように配置され得る。
図２８を参照すると、第４実施例の発光部４００は、第１ないし第３発光素子４５１、４５２、４５３を除いて、図１ないし図４の第１実施例の発光部１００の技術的特徴を採用することができる。
前記第１発光素子４５１は、上部および下部に電極が配置された垂直タイプであり得る。前記第１発光素子４５１は、赤色波長の光を発光することができる。前記第１発光素子４５１は、赤色光抽出効率および信頼度を向上させるために垂直タイプであり得る。前記第１発光素子４５１は、上部に露出する発光素子電極（図示せず）と基板を連結するワイヤー４５１Ｗとをさらに含むことができる。
図２６ないし図２８を参照して第２ないし第４実施例の発光部２００、３００、４００は、発光素子の形状、配列、タイプを限定して説明しているが、これに限定されず、発光素子の形状、配置構造は多様に変更され得る。
図２９は実施例の発光キャビネットを示す斜視図であり、図３０は実施例の発光キャビネットの下部を示す斜視図であり、図３１は実施例の第１および第２発光キャビネットの下部を示す平面図であり、図３２は実施例の発光キャビネットの角下部を示す図であり、図３３は実施例の第１および第２発光キャビネットが結合された状態を示す図であり、図３４は実施例の第１および第２発光キャビネットの締結構造を示す斜視図である。
図２９および図３０に示されたように、実施例の発光キャビネット１０００は、複数の発光モジュール１０ａ、１０ｂを含むことができる。実施例においては、２個の第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂを含む構造を説明しているが、これに限定されるものではない。前記発光キャビネット１０００は、最小単位の表示装置であり得る。
前記発光キャビネット１０００は、第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂと、前記第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂの下部面を支持する支持 フレーム１０１０とを含むことができる。ここで、前記第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂの上部面は、発光部が配置された表示領域であり得、下部面は、駆動回路が実装された非表示領域であり得る。
前記第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂそれぞれは、図１ないし図２８の発光モジュールの技術的特徴を採用することができる。
前記支持フレーム１０１０は、前記第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂを支持し、放熱機能を含むことができる。前記支持フレーム１０１０は、複数の開口部１０１５を含むことができる。前記開口部１０１５は、前記支持フレーム１０１０の重さを減らし、前記第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂの下部面に露出する駆動回路との接触を防止できるだけでなく放熱効率を向上させることができる。
前記支持フレーム１０１０は、平らな構造の一面１０１１を含み、前記一面１０１１は、前記第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂの下部面と直接接することができる。
前記支持フレーム１０１０は、４個の外側面１０１３を含み、前記４個の外側面１０１３上には、複数の突起１０１８および複数の収容溝１０１９が配置され得る。例えば、前記支持フレーム１０１０は、互いに対称される第１外側面に複数の突起１０１８が配置され、前記第１外側面と直交し、互いに対称する第２外側面に複数の収容溝１０１９が配置され得る。前記複数の突起１０１８および収容溝１０１９は、互いに隣接する支持フレームを１次固定のための機能を有することができる。
前記支持フレーム１０１０は、端部に沿って他面に突出した複数の締結部１０１７を含むことができる。
例えば、図３０および図３１を参照すると、第１および第２発光キャビネット１０００ａ、１０００ｂが互いに連結される場合、第１発光キャビネット１０００ａの支持フレーム１０１０の複数の突起１０１８は、前記第２発光キャビネット１０００ｂの支持フレーム１０１０の複数の収容溝１０１９に挿入され得る。前記収容溝１０１９の深さおよび突起１０１８の突出の長さは、第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂがそりなく互いに側部が接することができるように変更され得る。ここで、前記第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂの互いに接する側部は、前記第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂそれぞれに含まれた基板であり得る。
図３０ないし図３３を参照してより具体的に説明する。
図３０ないし図３３を参照すると、発光モジュール１０の４個の端側部は、支持フレーム１０１０の４個の端側部より外側に突出することができる。前記発光モジュール１０の一つの側部とこれと対応する前記支持フレーム１０１０の側部の間の間隔Ｗは、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍであり得る。前記支持フレーム１０１０の側部より外側に突出した発光モジュール１０の側部は、互いに隣接した第１および第２発光キャビネット１０００ａ、１０００ｂの連結時に第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂの側面が直接接することができる。互いに隣接した前記第１および第２発光キャビネット１０００ａ、１０００ｂは、外側面に沿って突起１０１８および収容溝１０１９が互いに対面されるように配置され得る。前記突起１０１８の長さおよび収容溝１０１９深さは、互いに隣接した第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂの側部がそりなく接することができるように変更され得る。例えば、前記間隔Ｗが０．５ｍｍの場合、前記突起１０１８の長さは、前記収容溝１０１９の深さより１．０ｍｍ大きいことがある。図３３を参照すると、前記突起１０１８の１．０ｍｍ露出することができる。実施例の突起１０１８の長さおよび収容溝１０１９の深さは、前記間隔Ｗにより変更されて、互いに隣接した第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂの側部がそりなく接することができる。
すなわち、前記支持フレーム１０１０より外側に突出した発光モジュール１０は、隣接した第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂの側面接触を通じて隣接した第１および第２発光モジュール１０ａ、１０ｂのシームレス（Ｓｅａｍｌｅｓｓ）を具現することができる。
図３３および３４を参照すると、実施例は、互いに隣接した第１および第２発光キャビネット１０００ａ、１０００ｂを連結する第１および第２締結部１０１７ａ、１０１７ｂを含むことができる。前記第１および第２締結部１０１７ａ、１０１７ｂは、図３０の締結部１０１７の技術的特徴を採用することができる。
前記第１および第２締結部１０１７ａ、１０１７ｂは、互いに対面され得る。
前記第１および第２発光キャビネット１０００ａ、１０００ｂは、前記第１および第２締結部１０１７ａ、１０１７ｂの締結孔を貫通する締結部材１１００が挿入されて２次固定され得る。
図３５は、他の実施例の第１および第２発光キャビネットの結合部を示す斜視図である。
図３５を参照すると、他の例の第１および第２発光キャビネット１０００ａ、１０００ｂは、外側面に沿ってスリット溝１０１４および突起（図示せず）を含むことができる。前記スリット溝１０１４および突起（図示せず）は、図３０の実施例の発光キャビネット１０００に備わった複数の収容溝１０１９および複数の突起１０１８より接触面積を広げて隣接した第１および第２発光キャビネット１０００ａ、１０００ｂの安定した固定を具現することができる。
図２９ないし図３５の発光キャビネット１０００は、複数の発光モジュール１０ａ、１０ｂを支持し、隣接した第１および第２発光キャビネット１０００ａ、１０００ｂの間に安定した固定のための結合構造を限定して説明しているが、これに限定せず、結合構造は多様に変更され得る。
実施例の発光キャビネット１０００は、フルカラーを提供できる発光モジュール１０を含んで均一なカラーおよび均一な輝度を具現することができる。
実施例の発光キャビネット１０００は、ＣＯＢタイプの発光モジュール１０を含んで構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができ、電気的接続構成を簡素化することによって、消費電力を減らすことができる。
実施例の発光キャビネット１０００は、ＣＯＢタイプの発光モジュール１０を含んで生産性を向上させることができ、収率を向上させることができる。
実施例の発光キャビネット１０００は、フルカラーを提供できる発光モジュール１０を含んでイメージおよび映像の直進性に優れる表示装置を提供する。
実施例の発光キャビネット１０００は、フルカラーを提供できる発光モジュール１０を含んで色純度（ｃｏｌｏｒ ｐｕｒｉｔｙ）および色再現性（ｃｏｌｏｒ ｒｅｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ）に優れる映像またはイメージを提供することができる。
図３６は、実施例の表示装置を示す斜視図である。
図２９ないし３６に示されたように、実施例の表示装置２０００は、複数の発光キャビネット１０００を含むことができる。実施例の表示装置２０００は、電光掲示板のような１００インチ以上の大型表示装置を一例として説明するようにする。
前記複数の発光キャビネット１０００は、複数の発光素子がＣＯＢタイプで駆動基板上に直接実装されたフルカラー発光部がブラックマトリクスの収容部に配置された発光モジュール１０ａ、１０ｂを含むことができる。前記発光モジュール１０ａ、１０ｂは、図１ないし図２８の技術的特徴を採用することができる。
実施例の表示装置２０００は、フルカラーを提供できる発光部を含む発光モジュールを含んで表示装置の構成を簡素化すると同時にスリム化を具現することができる。
実施例の表示装置２０００は、フルカラーを提供する発光素子を含んで映像およびイメージを具現するので色純度（ｃｏｌｏｒ ｐｕｒｉｔｙ）および色再現性（ｃｏｌｏｒ ｒｅｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ）に優れるという長所を有する。
実施例の表示装置２０００は、ＣＯＢタイプの発光モジュールを含んで構成を簡素化でき、スリム化および高輝度を具現することができ、電気的接続構成を簡素化することによって、消費電力を減らすことができる。
実施例の表示装置２０００は、ＣＯＢタイプの発光モジュールを含んで生産性を向上させることができ、収率を向上させることができる。
実施例の表示装置２０００は、フルカラーを提供できる発光モジュール１０ａ、１０ｂを含んでイメージおよび映像の直進性に優れる表示装置を提供する。
実施例の表示装置２０００は、フルカラーを提供できる発光モジュール１０ａ、１０ｂを含んで色純度（ｃｏｌｏｒ ｐｕｒｉｔｙ）および色再現性（ｃｏｌｏｒ ｒｅｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ）に優れる映像またはイメージを提供することができる。
実施例の表示装置２０００は、直進性に優れる発光素子によって映像およびイメージを具現するので鮮明な１００インチ以上の大型表示装置を具現することができる。
実施例は、低費用で高解像度の１００インチ以上の大型表示装置を具現することができる。
イメージまたは、映像をディスプレーすることができるが、これに限定せず、照明ユニット、バックライトユニット、指示装置、ランプ、街灯、車両用照明装置、車両用表示装置、スマート時計などに適用されるが、これに限定されるものではない。
映像表示装置のバックライトユニットとして使用されるとき、エッジタイプのバックライトユニットにて使用されるか、または直下タイプのバックライトユニットにて使用され得、照明装置の光源として使用されるとき、照明器具やバルブタイプにて使用されることもあり、また、移動端末の光源として使用されることもある。
半導体素子は、上述した発光ダイオードの他にレーザーダイオードがある。
レーザーダイオードは、半導体素子と同一に、上述した構造の第１導電型半導体層と活性層および第２導電型半導体層とを含むことができる。そして、ｐ−型の第１導電型半導体とｎ−型の第２導電型半導体とを接合させた後、電流を流したとき、光が放出される電界発光（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）現象を利用するが、放出される光の方向性と位相の差異点がある。すなわち、レーザーダイオードは、励起放出（ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）という現象と補強干渉現象などを用いて一つの特定の波長（単色光、ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｉｃ ｂｅａｍ）を有する光が同じ位相を持って同じ方向に放出され得、このような特性によって光通信や医療用装備および半導体工程装備などに使用され得る。
受光素子としては、光を検出してその強度を電気信号に変換する一種のトランスデューサーの光検出器（ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ）を例として挙げられる。このような光検出器として、光電池（シリコン、セレン）、光導電素子（硫化カドミウム、セレン化カドミウム）、フォト工程ダイオード（例えば、ｖｉｓｉｂｌｅ ｂｌｉｎｄ ｓｐｅｃｔｒａｌ ｒｅｇｉｏｎやｔｒｕｅ ｂｌｉｎｄ ｓｐｅｃｔｒａｌ ｒｅｇｉｏｎでピーク波長を有するＰＤ）、フォト工程トランジスター、光電子増倍管、光電管(真空、ガス封入)、ＩＲ（Ｉｎｆｒａ−Ｒｅｄ）検出器などがあるが、実施例はこれに限定されない。
また、光検出器のような半導体素子は、一般的に光変換効率に優れる直接遷移半導体（ｄｉｒｅｃｔ ｂａｎｄｇａｐ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）を用いて製作され得る。または、光検出器は、構造が多様であり、最も一般的な構造としては、ｐ−ｎ接合を利用するｐｉｎ型光検出器と、ショットキー接合（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用するショートキー型光検出器と、ＭＳＭ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）型光検出器などがある。
フォト工程ダイオード（Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ）は、半導体素子と同一に、上述した構造の第１導電型半導体層と活性層および第２導電型半導体層とを含むことができ、ｐｎ接合またはｐｉｎ構造で形成される。フォト工程ダイオードは、逆バイアスあるいはゼロバイアスを加えて動作することになり、光がフォト工程ダイオードに入射すると電子と正孔が生成されて電流が流れる。このとき、電流の大きさは、フォト工程ダイオードに入射する光の強度にほぼ比例することができる。
光電池または、太陽電池（ｓｏｌａｒ ｃｅｌｌ）は、フォト工程ダイオードの一種であって、光を電流に変換することができる。太陽電池は、半導体素子と同一に、上述した構造の第１導電型半導体層と活性層および第２導電型半導体層を含むことができる。
また、ｐ−ｎ接合を利用した一般的なダイオードの整流特性を通じて電子回路の整流器で利用することもでき、超高周波回路に適用されて発振回路などに適用され得る。
また、上述した半導体素子は、必ず半導体だけで具現されず、場合によって金属物質をさらに含むこともある。例えば、受光素子のような半導体素子は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｎ、Ｚｎ、Ｓｅ、Ｐ、またはＡｓのうちの少なくとも一つを用いて具現され得、ｐ型やｎ型ドーパントによってドーピングされた半導体物質や真性半導体物質を用いて具現されることもある。
以上、実施例を中心に説明しているが、これは単なる例示に過ぎず、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有した者であれば本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示されていない様々な変形と応用が可能であることが理解できるだろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができるものである。そして、このような変形と応用に係る差異点は、添付された請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

Claims (9)

  1. 支持フレームと、
    前記支持フレーム上に配置される複数の発光モジュールを含む複数の発光キャビネットと、を含み、
    前記複数の発光モジュールのそれぞれは、基板と、前記基板上の発光部および前記基板の上に配置されて前記発光部を囲むブラックマトリクスとを含み、
    前記発光部は、５００μｍ未満の幅を有し、
    前記基板に直接実装された赤色波長を発光する第１発光素子、
    前記基板に直接実装された緑色波長を発光する第２発光素子、
    前記基板に直接実装された青色波長を発光する第３発光素子、および、
    前記第１ないし第３発光素子を覆うモルディング部を含み、
    前記第１ないし第３発光素子のそれぞれは、２００μｍ以下の幅を有し、
    前記第１ないし第３発光素子のそれぞれは、
    サファイア基板と、
    前記サファイア基板に配置される発光層と、
    前記発光層と前記基板の間に配置される第１および第２発光素子電極とを含み、
    前記発光部および前記ブラックマトリクスは、ＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）タイプであり、
    前記モルディング部の上部面と前記第１ないし第３発光素子の上部面との間の高さは、前記第１ないし第３発光素子のそれぞれの前記サファイア基板の高さより低い、表示装置。
  2. 前記支持フレームは、前記複数の発光モジュールと直接接する平らな一面と、前記一面から他面を貫通する複数の開口部および外側面を含み、
    前記外側面上には複数の突起および複数の溝を含む、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記基板の４個の端部は、前記支持フレームの４個の端部より外側に突出し、
    前記複数の発光モジュールの端部の終端と前記支持フレームの端部の終端との間の間隔は、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍである、請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記複数の発光モジュールの下部面に配置される駆動回路をさらに含み、
    前記複数の開口部は、前記複数の発光キャビネットそれぞれに配置され、
    前記複数の開口部は前記駆動回路と対面される、請求項２に記載の表示装置。
  5. 前記第１ないし第３発光素子は、５０μｍ以上の間隔で配置される、請求項２に記載の表示装置。
  6. 前記第１ないし第３発光素子と最も隣接した前記モルディング部の側面との間の間隔は、２５μｍ以上である、請求項２に記載の表示装置。
  7. 前記ブラックマトリクスの断面厚さは、前記発光部の断面厚さと同一である、請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記モルディング部は、ブラックフィラーを含む、請求項２に記載の表示装置。
  9. 支持フレームと、
    前記支持フレーム上に配置される複数の発光モジュールを含む複数の発光キャビネットと、を含み、
    前記複数の発光モジュールのそれぞれは、基板と、前記基板上の発光部および前記基板の上に配置されて前記発光部を囲むブラックマトリクスとを含み、
    前記発光部は、５００μｍ未満の幅を有し、
    前記複数の発光キャビネットは、互いに隣接した第１および第２発光キャビネットを含み、
    前記第１発光キャビネットは、前記支持フレームの他面に配置された第１締結部および外側面に沿って配置された突起を含み、
    前記第２発光キャビネットは、前記支持フレームの他面に配置された第２締結部および外側面に沿って配置されたスリット溝を含み、
    前記第１および第２締結部は、互いに対面される孔を有し、
    前記孔を貫通する締結部材を含み、
    前記突起は、前記スリット溝と接する、表示装置。
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