WO2017094611A1 - 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法 - Google Patents

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    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Definitions

  • the present invention relates to a laminate substrate, a conductive substrate, a laminate substrate manufacturing method, and a conductive substrate manufacturing method.
  • a non-light-emitting display device requires a light source in order to make a display object visible, but can be classified into a transmission type and a reflection type depending on the light source.
  • the transmission type has a structure in which, for example, light is supplied by a backlight disposed on the back surface of the display device, and the light is transmitted from the back surface of the display device toward the display surface which is the surface.
  • the reflection type has a structure in which, for example, light incident from the display surface side, which is the surface of the display device, is reflected by a reflection plate provided on the back surface and is transmitted again toward the surface side.
  • Patent Document 1 describes an electrophoretic display device using an electrophoretic phenomenon as follows.
  • Electrophoresis is a phenomenon in which particles (electrophoretic particles) that are naturally charged by dispersion migrate by Coulomb force when an electric field is applied to a dispersion in which fine particles are dispersed in a liquid phase dispersion medium.
  • one electrode and the other electrode are opposed to each other at a predetermined interval, and the dispersion liquid (electrophoretic dispersion liquid) is sealed therebetween. Further, at least one of the electrodes is transparent, and the transparent electrode side is used as an observation surface. When a potential difference is applied between the two electrodes, the electrophoretic particles are attracted to one of the electrodes depending on the direction of the electric field.
  • the dispersion medium when the dispersion medium is dyed with a dye and the electrophoretic particles are composed of pigment particles, the color of the electrophoretic particles or the color of the dye can be seen from the transparent observation surface according to the direction of the electric field. Therefore, an image can be displayed by forming electrodes in a pattern corresponding to each pixel and controlling the voltage applied to each pixel electrode.
  • a microcapsule type electrophoretic display device which is known as one type of electronic paper and is a type of electrophoretic display device, is composed of a plurality of microcapsules enclosing an electrophoretic dispersion as an electrophoretic layer between opposing electrodes. It has the structure where the layer which becomes is arranged.
  • Such an electrophoretic display device has a simple configuration and has advantages such as a wide viewing angle, low power consumption, display image holding performance (memory property), and the like.
  • Patent Document 2 electronic ink provided between an upper substrate and a lower substrate; an upper electrode provided on a lower surface of the upper substrate to drive the electronic ink and generate a signal; provided on an upper surface of the lower substrate A lower electrode that drives the electronic ink; and a sensing electrode that is provided on the upper substrate and forms a capacitance with the upper electrode according to a signal and senses a change in the capacitance when the input means touches.
  • An electronic paper integrated with a touch panel is disclosed. It is also disclosed that the sensing electrode is formed of a conductive polymer.
  • a display device having a touch panel As a display device having a touch panel, a display device in which a touch panel is arranged on a transmissive liquid crystal display having a backlight has been widely used.
  • an ITO (indium oxide-tin oxide) film which is a transparent conductive film made of a metal oxide, is formed on a transparent substrate such as a polymer film.
  • a transparent conductive film for a touch panel provided with is conventionally used.
  • the enlargement of the screen of the transmissive liquid crystal display provided with the touch panel has been particularly advanced in recent years, and in response to this, the conductive substrate such as the transparent conductive film for the touch panel is required to have a large area.
  • ITO has a high electric resistance value, there is a problem that it cannot cope with an increase in the area of the conductive substrate.
  • Patent Documents 4 and 5 it is considered to use a metal wiring such as copper instead of the wiring of the ITO film.
  • a metal wiring such as copper instead of the wiring of the ITO film.
  • copper since copper has a metallic luster, there is a problem that the visibility of the display decreases due to reflection.
  • a conductive substrate in which a blackened layer composed of a black material is formed on a surface parallel to the surface of a transparent base material of a metal wiring together with a metal wiring such as copper has been studied. According to such a conductive substrate, even when applied to a transmissive liquid crystal display or the like, it is possible to suppress the reflection of light on the surface of the metal wiring by the blackening layer and to improve the visibility of the display.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-258370 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2012-027890 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-151358 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-018194 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-0669261
  • the visibility of the display may be lowered.
  • an object of the present invention is to provide a laminate substrate that includes a copper layer and can suppress a decrease in the visibility of the display even when applied to a reflective display.
  • the present invention A transparent substrate; A laminate formed on at least one surface side of the transparent substrate, The laminate is An alloy layer containing copper and nickel; A copper layer, Provided is a laminate substrate in which the proportion of nickel is 10% by mass or more and 25% by mass or less among the metal components contained in the alloy layer.
  • the present invention can provide a laminate substrate that includes a copper layer and can suppress a decrease in the visibility of the display even when applied to a reflective display.
  • substrate which concerns on embodiment of this invention Sectional drawing of the laminated body board
  • Sectional drawing in the AA 'line of FIG. Explanatory drawing of a roll-to-roll sputtering apparatus.
  • the laminate substrate of the present embodiment can include a transparent substrate and a laminate formed on at least one surface side of the transparent substrate. And a laminated body has the alloy layer containing copper and nickel, and a copper layer, and among the metal components contained in an alloy layer, the ratio of nickel shall be 10 to 25 mass% Can do.
  • substrate in this embodiment is a board
  • the conductive substrate is a wiring substrate having a copper wiring layer or an alloy wiring layer that is patterned into a wiring shape on the surface of a transparent base material.
  • the transparent substrate is not particularly limited, and a polymer film that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used.
  • a resin film such as a polyamide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a cycloolefin film, a polyimide film, or a polycarbonate film can be preferably used.
  • the thickness of the transparent base material is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the strength required when the conductive substrate is used, the light transmittance, and the like.
  • the thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less.
  • the thickness is preferably 20 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less.
  • the thickness of the transparent substrate is preferably 20 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • a laminated body is formed in the at least one surface side of a transparent base material, and can have an alloy layer and a copper layer.
  • the copper layer is not particularly limited, but it is preferable not to dispose an adhesive between the copper layer and the transparent substrate or between the copper layer and the alloy layer in order not to reduce the light transmittance. That is, the copper layer is preferably formed directly on the upper surface of another member.
  • a copper thin film layer may be formed using a dry plating method such as a sputtering method, an ion plating method, or a vapor deposition method, and the copper thin film layer may be used as a copper layer. it can.
  • the copper layer is made thicker, it is preferable to use the wet plating method after forming the copper thin film layer by the dry plating method. That is, for example, a copper thin film layer can be formed on a transparent substrate or an alloy layer by a dry plating method, and the copper thin film layer can be formed as a power feeding layer by a wet plating method. In this case, the copper layer has a copper thin film layer and a copper plating layer.
  • the copper layer can be directly formed on the transparent substrate or the alloy layer without using an adhesive by forming the copper layer only by the dry plating method or by combining the dry plating method and the wet plating method. .
  • the thickness of the copper layer is not particularly limited, and when the copper layer is used as a wiring, it can be arbitrarily selected according to the electrical resistance value, the wiring width, etc. of the wiring.
  • the copper layer preferably has a thickness of 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and even more preferably 150 nm or more so that electricity flows sufficiently.
  • the upper limit value of the thickness of the copper layer is not particularly limited. However, when the copper layer is thick, side etching occurs because etching takes time when performing etching to form a wiring, and the resist peels off during the etching. Etc. are likely to occur.
  • the thickness of a copper layer is 5000 nm or less, and it is more preferable that it is 3000 nm or less.
  • the sum total of the thickness of a copper thin film layer and the thickness of a copper plating layer is the said range.
  • the copper layer Since the copper layer has a metallic luster, the copper reflects light as described above only by forming a copper wiring layer that is a wiring obtained by etching the copper layer on a transparent substrate. For example, for a reflective display such as electronic paper When used as a wiring board, there is a problem that the visibility of the display is lowered.
  • the conductive substrate used in the transmissive display has a blackened layer made of a black material on a surface parallel to the surface of the transparent substrate of the metal wiring, together with a metal wiring such as copper.
  • the formed conductive substrate has been studied. However, when a conductive substrate on which a blackening layer related to a reflective display is arranged is applied, the visibility of the display may be lowered.
  • an alloy layer containing copper and nickel it can be a laminate substrate that can suppress reflection of long-wavelength light on the surface of the copper layer, for example, light with a wavelength of 600 nm or more and 780 nm or less, It has been found that the use of the laminate substrate can suppress a reduction in the visibility of the reflective display. Then, by disposing an alloy layer having a predetermined composition in which a * of light having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less is 9 or less and L * is 80 or more in the laminated substrate, reflection of light having a long wavelength on the surface of the copper layer The present invention has been completed.
  • the alloy layer arranged on the laminate substrate of the present embodiment can be composed of an alloy containing copper and nickel as essential components.
  • the proportion of nickel is preferably 10% by mass or more and 25% by mass or less.
  • the ratio of nickel has shown the ratio of nickel when the sum total of content of the metal component in the alloy which comprises an alloy layer is 100 mass%.
  • the content ratio of nickel when the total content of copper and nickel is 100% by mass is within the above range. It is preferable that
  • the alloy layer can also contain copper, nickel, and zinc. That is, the alloy constituting the alloy layer can contain zinc in addition to copper and nickel.
  • the ratio of nickel is 10 mass% or more and 25 mass% or less among the metal components contained in an alloy layer, and the ratio of zinc is 10 mass% or more and 30 mass% or less.
  • the ratio of nickel is 10% by mass to 25% by mass, and the proportion of zinc is 10% by mass to 30% by mass. % Or less is preferable.
  • the sum total of the metal component in the alloy which comprises the alloy layer in this case means the sum total of content of copper, nickel, and zinc, for example.
  • the alloy constituting the alloy layer contains copper, nickel, and zinc as described above, and the proportion of nickel when the content of the metal component in the alloy is 100% by mass is 10% by mass or more and 25% by mass.
  • white copper, white or the like can be suitably used as the alloy.
  • the laminate substrate of this embodiment is a conductive substrate having a desired wiring pattern and is used as a wiring substrate for a reflective display
  • an L * a * b * table is used to increase the visibility of the display.
  • the a * of light having a wavelength of 380 nm to 780 nm of the alloy layer is preferably 9 or less.
  • L * of light having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less is preferably 80 or more.
  • the proportion of nickel is less than 10% by mass of copper and nickel contained in the alloy layer, the a * of light having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less of the alloy layer may not be 9 or less.
  • the proportion of nickel exceeds 25% by mass, nickel is excessive, and the L * of the light having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less of the alloy layer is 80 or more. It may not be possible.
  • the alloy constituting the alloy layer of the laminate substrate of the present embodiment has a nickel content of 10% by mass or more and 25% by mass when the total content of metal components is 100% by mass.
  • the following is preferable.
  • the alloy which comprises an alloy layer can contain copper and nickel as above-mentioned as a metal seed
  • species which the alloy which comprises an alloy layer contains can also be comprised only from copper and nickel.
  • the alloy constituting the alloy layer may further contain zinc as a metal species as described above, or may contain 1% by mass or less of inevitable impurities.
  • the alloy constituting the alloy layer only needs to contain copper and nickel, and the state in which each component is contained is not particularly limited.
  • the copper wiring layer and the alloy wiring layer of the conductive substrate obtained from the laminated substrate of the present embodiment can maintain the characteristics of the copper layer and the alloy layer of the laminated substrate of the present embodiment, respectively.
  • the method for forming the alloy layer disposed on the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited.
  • the alloy layer is preferably formed by, for example, a dry film forming method such as a sputtering method.
  • a copper-nickel alloy target can be used while supplying an inert gas used as a sputtering gas into the chamber.
  • the proportion of nickel in the copper and nickel, which are metal components contained in the copper-nickel alloy is preferably 10% by mass or more and 25% by mass or less.
  • the ratio of nickel indicates the ratio of nickel when the total content of copper, which is a metal component in the copper-nickel alloy, and nickel is 100% by mass.
  • the inert gas for forming the alloy layer is not particularly limited, and for example, argon gas or xenon gas can be used, but argon gas can be preferably used.
  • the thickness of the alloy layer formed in the laminate substrate of the present embodiment is not particularly limited.
  • long-wavelength light on the surface of the copper layer required for the laminate substrate for example, a wavelength of 600 nm or more and 780 nm or less. It can be arbitrarily selected depending on the degree of suppressing the reflection of light.
  • the lower limit value of the thickness of the alloy layer is, for example, preferably 10 nm or more, and more preferably 15 nm or more.
  • the upper limit value of the thickness of the alloy layer is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
  • the alloy layer can function as a layer that suppresses reflection of particularly long wavelength light on the surface of the copper layer, but when the alloy layer is thin, reflection of long wavelength light by the copper layer. May not be sufficiently suppressed.
  • the thickness of the alloy layer is 10 nm or more, reflection of light having a long wavelength on the surface of the copper layer can be more reliably suppressed.
  • the upper limit of the thickness of the alloy layer is not particularly limited, but even if it is thicker than necessary, the time required for film formation and the time required for etching when forming the wiring become longer, resulting in an increase in cost. Will be invited.
  • the thickness of the alloy layer is preferably 70 nm or less as described above, and more preferably 50 nm or less.
  • the laminate substrate of this embodiment can have a transparent base material and a laminate having a copper layer and an alloy layer.
  • the order in which the copper layer and the alloy layer in the laminate are arranged on the transparent substrate and the number of the layers are not particularly limited. That is, for example, the copper layer and the alloy layer can be laminated in any order on at least one surface side of the transparent substrate. Also, a plurality of copper layers and / or alloy layers can be arranged in the laminate.
  • the alloy layer should be placed on the surface of the copper layer where the reflection of long-wavelength light is particularly desired to be suppressed in order to suppress the reflection of light on the copper layer surface. Is preferably arranged.
  • the laminated body includes two alloys of the first alloy layer and the second alloy layer as the alloy layer.
  • the copper layer is disposed between the first alloy layer and the second alloy layer.
  • FIGS. 1A, 1B, 2A, and 2B show examples of cross-sectional views in a plane parallel to the lamination direction of the transparent base material, the copper layer, and the alloy layer of the laminate substrate of this embodiment.
  • the copper layer 12 and the alloy layer 13 can be laminated one layer at a time on the one surface 11a side of the transparent base material 11.
  • copper layers 12A and 12B and alloys are formed on one surface 11a side of the transparent base material 11 and the other surface (the other surface) 11b side, respectively.
  • the layers 13A and 13B can be stacked one by one in that order.
  • stacks the copper layer 12 (12A, 12B) and the alloy layer 13 (13A, 13B) is not limited to the example of FIG. 1A and FIG. 1B, From the transparent base material 11 side, the alloy layer 13 (13A 13B) and the copper layer 12 (12A, 12B) in this order.
  • a plurality of alloy layers may be provided on one surface side of the transparent substrate 11.
  • the first alloy layer 131, the copper layer 12, and the second alloy layer 132 are arranged in that order on the one surface 11a side of the transparent base material 11. Can be stacked.
  • the alloy layer includes the first alloy layer 131 and the second alloy layer 132, and the copper layer 12 is disposed between the first alloy layer 131 and the second alloy layer 132.
  • reflection of light incident from the upper surface side and the lower surface side of the copper layer 12 can be more reliably suppressed.
  • the first alloy layer 131A is formed on one surface 11a side and the other surface (the other surface) 11b side of the transparent base material 11, respectively.
  • the copper layers 12A and 12B, and the second alloy layers 132A and 132B can be stacked in this order.
  • the first alloy layer 131 (131A, 131B) and the second alloy layer 132 (132A, 132B) can both be an alloy layer containing copper and nickel, and can be manufactured by the same manufacturing method. Can be manufactured.
  • the layers laminated on the top and bottom of the transparent substrate 11 with the transparent substrate 11 as a symmetry plane are symmetrical.
  • positioned so was shown, it is not limited to the form which concerns.
  • the structure on the one surface 11a side of the transparent base material 11 is formed in the form in which the copper layer 12A and the alloy layer 13A are laminated in that order in the same manner as the structure in FIG.
  • the other surface is formed by laminating the first alloy layer 131B, the copper layer 12B, and the second alloy layer 132B in that order on the 11b side, and the layers laminated above and below the transparent substrate 11 are asymmetrical. It is good.
  • the L * a * b * color system chromaticity a * and lightness L * of the alloy layer of the laminated substrate of the present embodiment sufficiently reflect long wavelength light on the surface of the copper layer.
  • a * of light having a wavelength of 380 nm to 780 nm is 9 or less and L * is 80 or more.
  • the laminate substrate of this embodiment is used as a conductive substrate for a reflective display such as electronic paper. This is because even when used, a reduction in the visibility of the reflective display can be particularly suppressed.
  • the measurement of a * and L * of the laminate substrate can be calculated from the reflectance measured by irradiating the alloy layer with light. That is, it can be calculated from the reflectance measured by irradiating light from the alloy layer side of the copper layer and the alloy layer included in the multilayer substrate. Specifically, for example, as shown in FIG. 1A, when the copper layer 12 and the alloy layer 13 are laminated in this order on one surface 11a of the transparent substrate 11, the surface A of the alloy layer 13 is irradiated so that the alloy layer 13 can be irradiated with light. Can be measured by irradiating with light.
  • the arrangement of the copper layer 12 and the alloy layer 13 is changed, and when the alloy layer 13 and the copper layer 12 are laminated in this order on one surface 11a of the transparent substrate 11, the surface 11b of the transparent substrate 11 is obtained. From the side, the alloy layer 13 is irradiated with light, and a * and L * can be calculated from the measured reflectance.
  • a * and L * of light having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less of the alloy layer of the laminate substrate of FIG. 2A are the first alloy layer 131 disposed on the outermost surface when the transparent substrate is removed.
  • At least one of the alloy layers located on the surface has a wavelength of 380 nm or more and 780 nm. It is preferable that a * of the following light is 9 or less and L * is 80 or more. In particular, for both alloy layers located on the surface, it is more preferable that a * of light having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less is 9 or less and L * is 80 or more.
  • a * and L * of light having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less are chromaticity and lightness calculated from reflectance measurement results when measurement is performed while changing the wavelength within a range of 380 nm or more and 780 nm or less.
  • the width for changing the wavelength is not particularly limited. For example, it is preferable to measure the light in the wavelength range by changing the wavelength every 10 nm, and changing the wavelength every 1 nm. It is more preferable to measure the light in the wavelength range.
  • the laminated substrate can be formed into a conductive substrate by forming a thin metal wire by wiring a copper layer and an alloy layer by etching.
  • the light a * and L * of the alloy wiring layer in the conductive substrate is based on the reflectance on the light incident surface of the alloy wiring layer disposed on the outermost surface when the transparent base material is removed. It means calculated a * and L * .
  • the measured value at the portion where the copper layer and the alloy layer remain satisfies the above range if the conductive substrate is subjected to the etching treatment.
  • the conductive substrate of the present embodiment can include a transparent base material and fine metal wires formed on at least one surface side of the transparent base material.
  • the thin metal wire is a laminate including an alloy wiring layer containing copper and nickel, and a copper wiring layer. Of the metal components contained in the alloy wiring layer, the proportion of nickel is 10% by mass or more. It can be 25 mass% or less.
  • the conductive substrate of this embodiment can be obtained, for example, by wiring the above-described laminated substrate. And in the electroconductive board
  • the conductive substrate of this embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a reflective display such as electronic paper.
  • the conductive substrate can be configured to have a wiring pattern formed by providing openings in the copper layer and the alloy layer in the above-described laminate substrate. More preferably, it can be set as the structure provided with the mesh-shaped wiring pattern.
  • a conductive substrate on which a wiring pattern having openings is formed can be obtained by etching the copper layer and alloy layer of the multilayer substrate described so far. And it can be set as the electroconductive board
  • FIG. FIG. 3 shows a view of the conductive substrate 30 having a mesh-like wiring pattern as viewed from the upper surface side in the stacking direction of the copper wiring layer and the alloy wiring layer.
  • the conductive substrate 30 shown in FIG. 3 includes a transparent substrate 11, a plurality of copper wiring layers 31B parallel to the X-axis direction in the drawing, and a copper wiring layer 31A parallel to the Y-axis direction.
  • the copper wiring layers 31A and 31B can be formed by etching the above-described laminate substrate, and an alloy wiring layer (not shown) is formed on the upper surface and / or the lower surface of the copper wiring layers 31A and 31B. Further, the alloy wiring layer is etched in substantially the same shape as the copper wiring layers 31A and 31B.
  • the arrangement of the transparent substrate 11 and the copper wiring layers 31A and 31B is not particularly limited.
  • An example of the arrangement of the transparent substrate 11 and the copper wiring layer is shown in FIG. 4 corresponds to a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
  • copper wiring layers 31 ⁇ / b> A and 31 ⁇ / b> B may be disposed on the upper and lower surfaces of the transparent substrate 11, respectively.
  • a first alloy wiring layer 321A etched in substantially the same shape as the copper wiring layers 31A and 31B, 321B is arranged on the transparent base material 11 side of the copper wiring layers 31A and 31B.
  • second alloy wiring layers 322A and 322B are disposed on the surface of the copper wiring layers 31A and 31B opposite to the transparent substrate 11.
  • the fine metal wire has two layers of the first alloy wiring layers 321A and 321B and the second alloy wiring layers 322A and 322B as the alloy wiring layers.
  • the copper wiring layers 31A and 31B are arranged between the first alloy wiring layers 321A and 321B and the second alloy wiring layers 322A and 322B.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring pattern shown in FIG. 3 includes, for example, copper layers 12A, 12B and alloy layers 13A, 13B (131A, 132A, 131B on both sides of the transparent substrate 11 as shown in FIGS. 1B and 2B. 131B, 132B).
  • the conductive substrate provided with the first alloy wiring layer and the second alloy wiring layer shown in FIG. 4 can be formed from the laminate substrate shown in FIG. 2B.
  • the copper layer 12A, the first alloy layer 131A, and the second alloy layer 132A on the one surface 11a side of the transparent substrate 11 have a plurality of linear patterns parallel to the Y-axis direction in FIG. Etching is performed so as to be arranged at predetermined intervals along the X-axis direction.
  • the Y-axis direction in FIG. 2B indicates a direction perpendicular to the paper surface.
  • the X-axis direction in FIG. 2B means a direction parallel to the width direction of each layer.
  • the copper layer 12B, the first alloy layer 131B, and the second alloy layer 132B on the other surface 11b side of the transparent base material 11 have a plurality of linear patterns parallel to the X-axis direction in FIG. Etching is performed so as to be arranged at predetermined intervals along the axial direction.
  • a conductive substrate having the mesh-like wiring pattern shown in FIGS. 3 and 4 can be formed. Note that the etching of both surfaces of the transparent substrate 11 can be performed simultaneously. That is, the copper layers 12A and 12B, the first alloy layers 131A and 131B, and the second alloy layers 132A and 132B may be etched at the same time.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring pattern shown in FIG. 3 can also be formed by using two laminate substrates shown in FIG. 1A or FIG. 2A. 2A is used as an example.
  • the copper layer 12, the first alloy layer 131, and the second alloy layer 132 are respectively represented by X Etching is performed so that a plurality of linear patterns parallel to the axial direction are arranged at predetermined intervals along the Y-axis direction.
  • the conductive layer having the mesh-like wiring pattern is formed by bonding the two conductive substrates so that the linear patterns formed on the respective conductive substrates formed by the etching process cross each other. It can be a substrate.
  • the surface to be bonded when the two conductive substrates are bonded is not particularly limited.
  • the configuration shown in FIG. 4 can be obtained by bonding the surfaces 11b of the transparent base material 11 in FIG.
  • a mesh-like wiring pattern is formed by combining linear thin metal wires
  • the present invention is not limited to such a form, and the fine metal wires constituting the wiring pattern are It can be of any shape.
  • the shape of the fine metal wires constituting the mesh-like wiring pattern can be changed to various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so that moire (interference fringes) does not occur between the images on the display. .
  • the width of the fine metal wires in the conductive substrate having the mesh-like wiring pattern shown in FIG. 3 and the distance between the fine metal wires are not particularly limited.
  • the electrical resistance value required for the fine metal wires is Can be selected accordingly.
  • the copper wiring layer and the alloy wiring layer of the conductive substrate of the present embodiment can maintain the characteristics of the copper layer and the alloy layer of the laminated substrate described above, respectively.
  • the ratio of nickel is 10 mass% or more and 25 mass% or less among the metal components contained in an alloy wiring layer, ie, the metal components contained in the alloy which comprises an alloy wiring layer. Is preferred.
  • the ratio of nickel has shown the ratio of nickel when the sum total of content of the metal component in the alloy which comprises an alloy wiring layer is 100 mass%.
  • the content ratio of nickel is 100% by mass when the total content of copper and nickel is 100% by mass.
  • a range is preferable.
  • the alloy wiring layer can contain copper, nickel and zinc. That is, the alloy constituting the alloy wiring layer can contain zinc in addition to copper and nickel.
  • the proportion of nickel is 10% by mass to 25% by mass, and the proportion of zinc is 10% by mass to 30% by mass.
  • the following is preferable. That is, when the total content of the metal components in the alloy constituting the alloy wiring layer is 100% by mass, the proportion of nickel is 10% by mass to 25% by mass, and the proportion of zinc is 10% by mass to 30%. It is preferable that it is below mass%.
  • the sum total of the metal component in the alloy which comprises the alloy wiring layer in this case means the sum total of content of copper, nickel, and zinc, for example.
  • the chromaticity a * and lightness L * of the alloy wiring layer of the conductive substrate of this embodiment are, for example, a * of light having a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less.
  • L * is preferably 80 or more. This is because when the a * of the light with a wavelength of 380 nm or more and 780 nm or less of the alloy wiring layer is 9 or less and L * is 80 or more, even when used as a conductive substrate for a reflective display such as electronic paper, the display is visually recognized. This is because deterioration of the property can be particularly suppressed.
  • the conductive substrate of the present embodiment described so far that is, a conductive substrate having a mesh-like wiring pattern composed of, for example, two layers of wiring, for example, for a reflective display such as a projection capacitive electronic paper. It can preferably be used as a conductive substrate.
  • Manufacturing method of laminate substrate, manufacturing method of conductive substrate Next, the structural example of the manufacturing method of the laminated body board
  • substrate of this embodiment can have the following processes.
  • the said laminated body formation process can include the following steps.
  • the alloy layer forming step is preferably performed under a reduced pressure atmosphere. Moreover, it is preferable that the ratio of nickel is 10 mass% or more and 25 mass% or less among the metal components contained in an alloy layer.
  • the manufacturing method of the multilayer substrate according to the present embodiment will be described, but the description thereof is omitted because the configuration can be the same as that of the above-described multilayer substrate except for the points described below.
  • the order of lamination when the copper layer and the alloy layer are arranged on the transparent base material is not particularly limited. Further, a plurality of copper layers and alloy layers can be formed. For this reason, the order of performing the copper layer forming step and the alloy layer forming step and the number of times of performing the step are not particularly limited, and any number of times and timings may be selected according to the structure of the laminate substrate to be formed. Can be implemented.
  • the step of preparing the transparent base material is a step of preparing a transparent base material composed of, for example, a polymer film that transmits visible light or a glass substrate, and the specific operation is not particularly limited. For example, it can be cut into an arbitrary size as necessary for use in the subsequent steps and steps.
  • transmits visible light is already stated, description is abbreviate
  • a laminated body formation process is a process of forming a laminated body on at least one surface side of the transparent substrate, and includes a copper layer forming step and an alloy layer forming step. For this reason, each step will be described below.
  • the copper layer can be formed by a copper layer forming means for depositing copper on at least one surface side of the transparent substrate.
  • the copper layer forming step it is preferable to form a copper thin film layer using a dry plating method. Moreover, when making a copper layer thicker, it is preferable to form a copper plating layer further using a wet plating method after forming a copper thin film layer by a dry plating method.
  • the copper layer forming step can include a copper thin film layer forming step of forming a copper thin film layer by, for example, a dry plating method.
  • the copper layer forming step includes a copper thin film layer forming step for forming a copper thin film layer by a dry plating method, and a copper plating layer forming step for forming a copper plating layer by a wet plating method using the copper thin film layer as a power feeding layer. , May be included.
  • the above copper layer film forming means is not limited to one film forming means, and a plurality of film forming means can be used in combination.
  • the copper layer can be directly formed on the transparent substrate or the alloy layer without using an adhesive by forming the copper layer only by the dry plating method or by combining the dry plating method and the wet plating method. .
  • the dry plating method is not particularly limited, but a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, or the like can be preferably used in a reduced pressure atmosphere.
  • sputtering film forming means can be preferably used as the copper layer film forming means for depositing copper in the copper layer forming step.
  • the copper thin film layer can be suitably formed using, for example, the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG.
  • the process of forming a copper thin film layer will be described below using a roll-to-roll sputtering apparatus as an example.
  • FIG. 5 shows a configuration example of the roll-to-roll sputtering apparatus 50.
  • the roll-to-roll sputtering apparatus 50 includes a housing 51 that houses most of the components.
  • the shape of the housing 51 is shown as a rectangular parallelepiped shape, but the shape of the housing 51 is not particularly limited, and may be any shape depending on the device accommodated therein, the installation location, the pressure resistance performance, and the like. It can be.
  • the shape of the housing 51 can be a cylindrical shape.
  • the inside of the casing 51 can be depressurized to 1 Pa or less, more preferably 10 ⁇ 3 Pa or less, more preferably 10 ⁇ 4 Pa or less. More preferably, it can be done. Note that it is not necessary that the entire interior of the casing 51 can be reduced to the above pressure, and it can be configured such that only the lower region in the figure in which a can roll 53 (to be described later) where sputtering is performed can be reduced to the above pressure. .
  • an unwinding roll 52 a can roll 53, sputtering cathodes 54a to 54d, a front feed roll 55a, a rear feed roll 55b, tension rolls 56a and 56b, which supply a substrate for forming a copper thin film layer,
  • a winding roll 57 can be arranged.
  • guide rolls 58a to 58h, a heater 59, and the like can be arbitrarily provided on the transport path of the base material on which the copper thin film layer is formed.
  • the unwinding roll 52, the can roll 53, the front feed roll 55a, and the winding roll 57 can be provided with power by a servo motor.
  • the unwinding roll 52 and the winding roll 57 are configured to maintain the tension balance of the base material on which the copper thin film layer is formed by torque control using a powder clutch or the like.
  • the structure of the can roll 53 is not particularly limited, for example, the surface thereof is finished with hard chrome plating, and a coolant or a heating medium supplied from the outside of the housing 51 circulates inside the can roll 53 so that the temperature can be adjusted to a constant temperature. It is preferable that it is comprised.
  • the tension rolls 56a and 56b have, for example, a surface finished with hard chrome plating and provided with a tension sensor.
  • the front feed roll 55a, the rear feed roll 55b, and the guide rolls 58a to 58h are preferably finished with hard chrome plating.
  • the sputtering cathodes 54a to 54d are preferably magnetron cathode type and are arranged to face the can roll 53.
  • the size of the sputtering cathodes 54a to 54d is not particularly limited, but the width dimension of the substrate on which the copper thin film layer of the sputtering cathodes 54a to 54d is formed is wider than the width of the substrate on which the opposing copper thin film layer is formed. It is preferable.
  • the substrate on which the copper thin film layer is formed is transported through a roll-to-roll sputtering apparatus 50, which is a roll-to-roll vacuum film forming apparatus, and the copper thin film is formed by sputtering cathodes 54a to 54d facing the can roll 53. A layer is deposited.
  • a copper target is mounted on the sputtering cathodes 54a to 54d, and the inside of the casing 51 in which the base material for forming the copper thin film layer is set on the unwinding roll 52 is evacuated by the vacuum pumps 60a and 60b.
  • an inert gas for example, a sputtering gas such as argon is introduced into the casing 51 by the gas supply means 61.
  • the configuration of the gas supply means 61 is not particularly limited, but can have a gas storage tank (not shown).
  • mass flow controllers (MFC) 611a and 611b and valves 612a and 612b are provided for each gas type between the gas storage tank and the casing 51 so that the supply amount of each gas into the casing 51 can be controlled.
  • MFC mass flow controllers
  • FIG. 5 shows an example in which two sets of mass flow controllers and valves are provided, the number to be installed is not particularly limited, and the number to be installed can be selected according to the number of gas types to be used.
  • the sputtering gas When the sputtering gas is supplied into the casing 51 by the gas supply means 61, the flow rate of the sputtering gas and the opening of the pressure adjustment valve 62 provided between the vacuum pump 60b and the casing 51 are adjusted. Then, it is preferable to carry out film formation while maintaining the inside of the apparatus at, for example, 0.13 Pa or more and 1.3 Pa or less.
  • various members can be arranged in the roll-to-roll sputtering apparatus 50 as necessary.
  • pressure gauges 63a and 63b for measuring the pressure in the casing 51 and vent valves 64a and 64b may be provided.
  • a copper layer (copper plating layer) can be further formed using a wet plating method after dry plating.
  • the copper thin film layer formed by the dry plating described above can be used as a power feeding layer.
  • electroplating film forming means can be preferably used as the copper layer forming means for depositing copper in the copper layer forming step.
  • the conditions in the step of forming the copper plating layer by the wet plating method using the copper thin film layer as the power feeding layer that is, the conditions of the electroplating treatment are not particularly limited, and various conditions according to ordinary methods may be adopted.
  • a copper plating layer can be formed by supplying a base material on which a copper thin film layer is formed in a plating tank containing a copper plating solution and controlling the current density and the conveyance speed of the base material.
  • the alloy layer forming step is a step of forming an alloy layer by an alloy layer forming means for forming an alloy layer containing copper and nickel on at least one surface side of the transparent substrate. is there.
  • the alloy layer film forming means for depositing an alloy layer containing copper and nickel in the alloy layer forming step is not particularly limited, but for example, a sputtering film forming means in a reduced pressure atmosphere, that is, a sputtering film forming method. It is preferable.
  • the alloy layer can be suitably formed using, for example, the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG. Since the configuration of the roll-to-roll sputtering apparatus has already been described, the description thereof is omitted here.
  • a copper-nickel alloy target is mounted on the sputtering cathodes 54a to 54d, and the inside of the casing 51 in which the base material for forming the alloy layer is set on the unwinding roll 52 is evacuated by the vacuum pumps 60a and 60b.
  • an inert gas for example, a sputtering gas made of argon is introduced into the casing 51 by the gas supply means 61.
  • the flow rate of the sputtering gas and the opening of the pressure adjustment valve 62 provided between the vacuum pump 60b and the housing 51 are adjusted to maintain the inside of the housing 51 at, for example, 0.13 Pa or more and 13 Pa or less. It is preferable to perform film formation.
  • the alloy layer can contain copper and nickel.
  • the proportion of nickel is preferably 10% by mass or more and 25% by mass or less. .
  • the alloy layer can also contain copper, nickel, and zinc.
  • the proportion of nickel in the metal component contained in the alloy layer is 10% by mass or more and 25% by mass or less.
  • the ratio of zinc is preferably 10% by mass or more and 30% by mass or less.
  • the target used when forming the alloy layer is not limited to the above-described copper-nickel alloy target, and a target suitable for the composition of the alloy layer to be formed can be used.
  • a copper-nickel-zinc alloy target containing zinc can be used.
  • the copper layer preferably has a thickness of 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, as in the above-described laminate substrate. More preferably, it is 150 nm or more.
  • the upper limit value of the thickness of the copper layer is not particularly limited, but the thickness of the copper layer is preferably 5000 nm or less, and more preferably 3000 nm or less.
  • the sum total of the thickness of a copper thin film layer and the thickness of a copper plating layer is the said range.
  • the thickness of the alloy layer is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more, for example, and more preferably 15 nm or more.
  • the upper limit value of the thickness of the alloy layer is not particularly limited, but is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
  • a conductive substrate in which a wiring pattern having openings in copper layers and alloy layers is formed can be obtained. More preferably, the conductive substrate can be configured to have a mesh-like wiring pattern.
  • the method for manufacturing a conductive substrate according to this embodiment includes etching the copper layer and the alloy layer of the multilayer substrate obtained by the above-described method for manufacturing a multilayer substrate. It is possible to have an etching process for forming a wiring pattern having a fine metal wire which is a laminate including And the opening part can be formed in a copper layer and an alloy layer by the etching process which concerns.
  • a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is formed on the outermost surface of the multilayer substrate.
  • a resist can be formed on the exposed surface A of the second alloy layer 132 disposed on the multilayer substrate.
  • a method for forming a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is not particularly limited.
  • the resist can be formed by a photolithography method.
  • the copper layer 12, the first alloy layer 131, and the second alloy layer 132 can be etched by supplying an etching solution from the upper surface of the resist.
  • a resist having openings of a predetermined shape is formed on the surface A and the surface B of the laminate substrate.
  • the copper layer and alloy layer formed on both surfaces of the transparent substrate 11 may be etched simultaneously.
  • the copper layer and the alloy layer formed on both sides of the transparent base material 11 can be etched on one side. That is, for example, after etching the copper layer 12A, the first alloy layer 131A, and the second alloy layer 132A, the copper layer 12B, the first alloy layer 131B, and the second alloy layer 132B are etched. It can also be done.
  • the etching solution used in the etching step is not particularly limited, and an etching solution generally used for etching the copper layer can be preferably used.
  • an aqueous solution used in the etching process for example, an aqueous solution containing one type selected from sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid, cupric chloride, and ferric chloride, or two or more types selected from the above sulfuric acid, etc.
  • a mixed aqueous solution containing can be more preferably used.
  • the content of each component in the etching solution is not particularly limited.
  • the etching solution can be used at room temperature, but it can also be used by heating in order to increase the reactivity.
  • two laminated substrates having a copper layer and an alloy layer on one surface side of the transparent base material 11 are subjected to an etching process to form a conductive substrate.
  • a step of bonding the conductive substrate can be further provided.
  • a method for bonding the two conductive substrates is not particularly limited, and the bonding can be performed using, for example, an optical adhesive (OCA) or the like.
  • the conductive substrate obtained by the conductive substrate manufacturing method of the present embodiment is an L * a * b * color system, and the a * of the light having a wavelength of 380 nm to 780 nm of the alloy wiring layer is 9 or less.
  • L * is preferably 80 or more.
  • the laminated substrate of this embodiment the electroconductive board
  • substrate were demonstrated. According to the laminate substrate obtained by the laminate substrate or the laminate substrate manufacturing method, long-wavelength light reflection by the copper layer can be suppressed by providing the alloy layer.
  • the laminated substrate when used as a conductive substrate for a reflective display such as electronic paper, a reduction in display visibility can be suppressed. For this reason, it can be set as the electroconductive board
  • the measurement was performed by installing an integrating sphere attachment device on an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, model: UV-2600).
  • a laminate substrate having the structure of FIG. 2A was produced, and the reflectance was measured within a wavelength range of 380 nm to 780 nm with respect to the surface A exposed to the outside of the second alloy layer 132 in FIG. 2A. It was carried out by irradiating light. In addition, the light irradiated to the laminated body substrate was measured about the light of each wavelength by changing a wavelength for every 1 nm within the range of wavelength 380 nm or more and 780 nm or less. Then, a * and L * of the conductive substrate were calculated from the measured reflectance. (Sample preparation conditions) As examples and comparative examples, laminate substrates were produced under the conditions described below and evaluated by the above-described evaluation methods. [Example 1] A laminate substrate having the structure shown in FIG. 2A was produced.
  • a transparent substrate made of optical polyethylene terephthalate resin (PET) having a width of 500 mm and a thickness of 100 ⁇ m was prepared.
  • a first alloy layer forming step As the laminated body forming process, a first alloy layer forming step, a copper layer forming step, and a second alloy layer forming step were performed. This will be specifically described below.
  • the first alloy layer forming step was performed.
  • the prepared transparent base material was set in the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG. Further, a copper-10 mass% Ni alloy target (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.) was attached to the sputtering cathodes 54a to 54d.
  • the heater 59 of the roll-to-roll sputtering apparatus 50 was heated to 100 ° C., the transparent base material was heated, and water contained in the base material was removed.
  • the inside of the housing 51 was evacuated to 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa by the vacuum pumps 60 a and 60 b, and then the argon gas was introduced into the housing 51 by the gas supply means 61 so that the flow rate of argon gas was 240 sccm. .
  • power is supplied from the direct current power source for sputtering connected to the sputtering cathodes 54a to 54d, and sputtering discharge is performed to form a desired material on the base material.
  • the first alloy layer was continuously formed. By this operation, the first alloy layer 131 was formed on the transparent substrate so as to have a thickness of 20 nm.
  • copper is formed on the upper surface of the first alloy layer in the same manner as in the case of the first alloy layer except that the target attached to the sputtering cathode is changed to a copper target (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.).
  • the layer was formed to a thickness of 200 nm.
  • the base material which formed the 1st alloy layer on the transparent base material at the 1st alloy layer formation process was used as a base material which forms a copper layer.
  • the second alloy layer 132 was formed on the upper surface of the copper layer 12 under the same conditions as the first alloy layer 131 (see FIG. 2A).
  • the a * and L * of the light with a wavelength of 380 nm to 780 nm of the manufactured laminate substrate were measured and calculated according to the above procedure. As a result, the a * of the light with a wavelength of 380 nm to 780 nm was 7 and L * was 85. It was.
  • Example 2 to Example 6 A laminated substrate was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the composition of the sputtering target used when forming the first and second alloy layers was changed as shown in Table 1. It was.
  • the ratio of nickel is 10 out of copper and nickel, which are metal components included in the sputtering target used when forming the alloy layer.
  • the mass is 25% by mass or more.
  • the ratio of nickel is 10 mass% or more and 25 mass in copper, nickel, and zinc which are metal components contained in the sputtering target used when forming the alloy layer. % Or less.
  • the alloy composition formed also has the same composition. For this reason, in the L * a * b * color system, it was confirmed that the a * of the light having a wavelength of 380 nm to 780 nm of the alloy layer is 9 or less and L * is 80 or more.
  • the ratio of nickel is less than 10% by mass of copper and nickel, which are metal components contained in the sputtering target used when forming the alloy layer, and the formed alloy Since the composition was the same in the layers, a * exceeded 9. Further, in Comparative Example 2, the ratio of nickel exceeds 25% by mass of copper and nickel contained in the sputtering target used for forming the alloy layer, and the same composition is formed in the formed alloy layer. Therefore, L * was less than 80.
  • the laminated body substrate, the conductive substrate, the manufacturing method of the laminated body substrate, and the manufacturing method of the conductive substrate have been described in the above embodiments and examples, the present invention is not limited to the above embodiments and examples. . Various modifications and changes are possible within the scope of the gist of the present invention described in the claims.

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Abstract

発明が解決しようとする課題は、銅層を含み、反射型ディスプレイに適用した場合でもディスプレイの視認性の低下を抑制できる、積層体基板を提供することである。本発明の積層体基板は、透明基材（１１）と、前記透明基材（１１）の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、前記積層体が、銅と、ニッケルとを含有する合金層（１３）と、銅層（１２）とを有し、前記合金層（１３）に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下である。

Description

積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法
　本発明は、積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法に関する。
　従来から各種表示デバイスが検討されており、例えば自発光型のプラズマディスプレイパネルや、非発光型の液晶ディスプレイ、電子ペーパー等が知られている。中でも、非発光型の表示デバイスである液晶ディスプレイや、電子ペーパー等については近年特に需要が高まっており、各種検討がなされている。
　なお、非発光型の表示デバイスでは、表示物を視認させるためには光源が必要となるが、光源により透過型と、反射型とに分けることができる。透過型は、例えば表示デバイスの背面に配置したバックライトにより光を供給し、表示デバイスの背面から表面である表示面に向かって光を透過させる構造を有する。また、反射型は、例えば表示デバイスの表面である表示面側から入射した光を、背面に設けた反射板で反射させ、再び表面側に向かって光を透過させる構造を有する。
　非発光型の表示デバイスである電子ペーパーとしては、例えば電気泳動表示装置の一種であるマイクロカプセル型電気泳動表示装置が知られている。特許文献１には、電気泳動現象を利用した電気泳動表示装置について以下のように説明がなされている。
　電気泳動現象とは、液相分散媒中に微粒子を分散させた分散液に電界を加えたときに、分散によって自然に帯電した粒子（電気泳動粒子）がクーロン力により泳動する現象である。
　電気泳動表示装置の基本的な構造では、一方の電極と他方の電極とを所定の間隔で対向させ、その間に前記分散液（電気泳動分散液）を封入している。また、少なくとも一方の電極を透明にして、この透明電極側を観察面としている。この両電極間に電位差を与えると、電気泳動粒子が電界の向きによってどちらか一方の電極に引きつけられる。
　そのため、この構造で、分散媒を染料で染色するとともに電気泳動粒子を顔料粒子で構成すれば、透明な観察面から、電界の方向に応じて電気泳動粒子の色または染料の色が見える。したがって、電極を各画素に対応させたパターンで形成して、各画素電極に加える電圧を制御することにより、画像を表示することができる。
　そして、電子ペーパーの一方式として知られ、電気泳動表示装置の一種であるマイクロカプセル型電気泳動表示装置は、対向する電極間に電気泳動層として、電気泳動分散液を内包する複数のマイクロカプセルからなる層が配置された構造を有している。
　このような電気泳動表示装置は、構成が簡便であり、広視野角、低消費電力、並びに表示画像保持性能（メモリー性）等の利点を有する。
　ところで、電子ペーパーにおいても直観的な情報入力のため、タッチパネルを備えた電子ペーパーが検討されている。
　例えば、特許文献２には上部基板と下部基板の間に備えられた電子インク；上部基板の下面に備えられて電子インクを駆動し、信号を発生させる上部電極；下部基板の上面に備えられて電子インクを駆動する下部電極；及び上部基板の上側に備えられて、信号によって上部電極と静電容量が形成され、入力手段がタッチする時に静電容量の変化を感知するセンシング電極；を含むことを特徴とするタッチパネル一体型電子ペーパーが開示されている。また、センシング電極は導電性高分子で形成されている旨も開示されている。
　そして、タッチパネルを備えた表示デバイスとして、バックライトを備えた透過型液晶ディスプレイにタッチパネルを配置した表示デバイスが、従来から広く用いられている。
　タッチパネルを備えた液晶ディスプレイでは、例えば特許文献３に開示されているように、高分子フィルム等の透明基材上に、金属酸化物からなる透明導電膜であるＩＴＯ（酸化インジウム－酸化スズ）膜を設けたタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
　ところで、タッチパネルを備えた透過型液晶ディスプレイの大画面化が近年は特に進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
　このため、例えば特許文献４、５に開示されているようにＩＴＯ膜の配線にかえて、銅等の金属配線を用いることが検討されている。しかし、例えば金属配線に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
　そこで、銅等の金属配線と共に、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。係る導電性基板によれば、透過型液晶ディスプレイ等に適用した場合でも、黒化層により金属配線表面での光の反射を抑制し、ディスプレイの視認性を高めることが可能になる。
　そして、透過型液晶ディスプレイ以外の表示装置、例えば反射型ディスプレイにおいても画面の大型化等に対応するため、タッチパネル用の透明導電性フィルムにおいて、電気抵抗値を低くすることが求められている。このため、上述の、銅等の金属配線と共に、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板を適用することが検討されている。
日本国特開２００４－２５８３７０号公報 日本国特開２０１２－０２７８９０号公報 日本国特開２００３－１５１３５８号公報 日本国特開２０１１－０１８１９４号公報 日本国特開２０１３－０６９２６１号公報
　しかしながら、反射型ディスプレイでは、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した場合、かえってディスプレイの視認性が低下する場合があった。
　上記従来技術の問題に鑑み、本発明は、銅層を含み、反射型ディスプレイに適用した場合でもディスプレイの視認性の低下を抑制できる、積層体基板を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため本発明は、
　透明基材と、
　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
　前記積層体が、
　銅と、ニッケルとを含有する合金層と、
　銅層とを有し、
　前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下である積層体基板を提供する。
　本発明によれば、本発明は、銅層を含み、反射型ディスプレイに適用した場合でもディスプレイの視認性の低下を抑制できる、積層体基板を提供することができる。
本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ－Ａ´線における断面図。 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。
　以下、本発明の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（積層体基板、導電性基板）
　本実施形態の積層体基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備えることができる。そして、積層体が、銅と、ニッケルとを含有する合金層と、銅層とを有し、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合を１０質量％以上２５質量％以下とすることができる。
　なお、本実施形態における積層体基板とは、透明基材の表面に、パターニングする前の銅層や合金層を有する基板である。また、導電性基板とは、透明基材の表面に、パターニングして配線の形状にした銅配線層や合金配線層を有する配線基板である。
　ここでまず、本実施形態の積層体基板に含まれる各部材について以下に説明する。
　透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
　可視光を透過する高分子フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルムを好ましく用いることができる。
　透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。特に電子ペーパー等の反射型ディスプレイの用途に用いる場合、２０μｍ以上２００μｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下である。電子ペーパー等の反射型ディスプレイの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
　次に積層体について説明する。積層体は、透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、合金層と、銅層とを有することができる。
　ここではまず銅層について説明する。
　銅層については特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、銅層と合金層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
　他の部材の上面に銅層を直接形成するため、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を銅層とすることができる。
　また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法で銅薄膜層を形成した後に湿式めっき法を用いることが好ましい。すなわち、例えば透明基材または合金層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することができる。この場合、銅層は銅薄膜層と、銅めっき層とを有することになる。
　上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または合金層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
　銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線の電気抵抗値や配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に充分に電気が流れるように銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチングが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
　次に、合金層について説明する。
　銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線である銅配線層を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。
　このため、既述の様に、透過型ディスプレイに用いる導電性基板では、銅等の金属配線と共に、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。しかしながら、反射型ディスプレイに係る黒化層を配置した導電性基板を適用した場合、かえってディスプレイの視認性が低下する場合があった。
　そこで、本発明の発明者らが反射型ディスプレイに適用した場合に、ディスプレイの視認性の低下を抑制できる、銅層を含む積層体基板について検討を行った。
　その結果、銅と、ニッケルとを含有する合金層を有することで、銅層表面における長波長の光、例えば６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長の光の反射を抑制できる積層体基板とすることができ、該積層体基板を用いることにより、反射型ディスプレイの視認性の低下を抑制できることを見出した。そして、積層体基板において波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下、Ｌ＊が８０以上となる所定の組成の合金層を配置することで、銅層表面での長波長の光の反射を特に抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
　このため、本実施形態の積層体基板に配置した合金層は、銅とニッケルとを必須成分として含有する合金により構成できる。
　そして、合金層に含まれる金属成分のうち、すなわち合金層を構成する合金に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。なお、ニッケルの割合とは、合金層を構成する合金中の金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの割合を示している。
　具体的には、例えば合金層が金属成分として、銅と、ニッケルとのみを含有する場合には、銅とニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの含有割合が上記範囲であることが好ましい。
　また、合金層は、銅とニッケルと亜鉛とを含むこともできる。すなわち、合金層を構成する合金は、銅及びニッケルに加えて、亜鉛を含有することもできる。
　合金層を構成する合金が亜鉛をさらに含有する場合、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。つまり、該合金層を構成する合金中の金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。
　なお、この場合の合金層を構成する合金中の金属成分の合計とは、例えば銅とニッケルと亜鉛との含有量の合計を意味する。
　合金層を構成する合金が、上述の様に銅、ニッケル、及び亜鉛を含有し、該合金中の金属成分の含有量を１００質量％とした場合のニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下の場合、係る合金としては例えば白銅や洋白等を好適に用いることができる。
　既述の様に、本実施形態の積層体基板を所望の配線パターンを有する導電性基板とし、反射型ディスプレイ用の配線基板とする場合、ディスプレイの視認性を高めるためＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で、合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は９以下が好ましい。また、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のＬ＊は８０以上が好ましい。
　ところが、合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１０質量％未満では、合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊を９以下とすることができない場合がある。一方、合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が２５質量％を超えて配合されるとニッケルが過剰で、合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のＬ＊を８０以上とすることができない場合がある。
　このため上述の様に、本実施形態の積層体基板の合金層を構成する合金は、金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。
　なお、合金層を構成する合金は、金属種として上述の様に銅及びニッケルを含有することができ、合金層を構成する合金が含有する金属種は、銅及びニッケルのみから構成することもできるが、銅、及びニッケルのみに限定されるものではない。例えば合金層を構成する合金は、金属種として上述の様にさらに亜鉛を含有したり、１質量％以下の不可避不純物を含有していてもよい。
　また、合金層を構成する合金は、銅、及びニッケルを含有していればよく、各成分がどのような状態で含まれているかは特に限定されるものではない。
　本実施形態の積層体基板から得られる導電性基板の銅配線層と合金配線層とはそれぞれ、本実施形態の積層体基板の銅層と合金層との特徴を維持することができる。
　本実施形態の導電性基板に配置する合金層の成膜方法は特に限定されるものではない。合金層は例えば、スパッタリング法等の乾式成膜法により形成することが好ましい。
　合金層をスパッタリング法により成膜する場合、例えば銅－ニッケル合金のターゲットを用い、チャンバー内にスパッタリングガスとして用いられる不活性ガスを供給しながら成膜することができる。
　スパッタリング時に銅－ニッケル合金のターゲットを用いた場合、銅－ニッケル合金中に含まれる金属成分である銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。なお、ニッケルの割合とは、銅－ニッケル合金中の金属成分である銅と、ニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの割合を示している。
　これは成膜する合金層に含まれる金属成分である銅及びニッケルのうちの、ニッケルの割合と、該合金層を成膜する際に用いた銅－ニッケル合金のターゲットの、銅－ニッケル合金中に含まれる金属成分である銅及びニッケルのうちのニッケルの割合が同じになるためである。
　合金層を成膜する際の不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、例えばアルゴンガスやキセノンガス等を用いることができるが、アルゴンガスを好適に用いることができる。
　本実施形態の積層体基板において形成する合金層の厚さは特に限定されるものではなく、例えば、積層体基板に要求される銅層表面での長波長の光、例えば６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長の光の反射を抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。
　合金層の厚さの下限値は、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。合金層の厚さの上限値は例えば７０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
　合金層は上述のように銅層表面における特に長波長の光の反射を抑制する層として機能することができるが、合金層の厚さが薄い場合には、銅層による長波長の光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、合金層の厚さを１０ｎｍ以上とすることにより、銅層表面における長波長の光の反射をより確実に抑制できる。
　合金層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、合金層の厚さは上述の様に７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
　次に、本実施形態の積層体基板の構成例について説明する。
　上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層及び合金層を有する積層体と、を有することができる。この際、積層体内の銅層と合金層とを透明基材上に配置する順番や、その層の数は特に限定されるものではない。つまり、例えば透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と合金層と一層ずつ任意の順番に積層することもできる。また、積層体内で銅層および／または合金層を複数層配置することもできる。
　ただし、積層体内で銅層と、合金層とを配置する際、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち長波長の光の反射を特に抑制したい面に合金層が配置されていることが好ましい。
　特に合金層が銅層の表面に形成された積層構造を有することがより好ましい、具体的には例えば、積層体は、合金層として、第１の合金層及び第２の合金層の２つの合金層を有し、銅層は第１の合金層と、第２の合金層との間に配置されていることが好ましい。
　具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、および図２Ｂは、本実施形態の積層体基板の、透明基材、銅層、合金層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
　例えば、図１Ａに示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、合金層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１Ｂに示した積層体基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、合金層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び合金層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１Ａ、図１Ｂの例に限定されず、透明基材１１側から、合金層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
　また、既述のように例えば合金層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２Ａに示した積層体基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の合金層１３１と、銅層１２と、第２の合金層１３２と、をその順に積層することができる。
　このように合金層として、第１の合金層１３１及び第２の合金層１３２を有し、銅層１２を第１の合金層１３１と、第２の合金層１３２との間に配置することで、銅層１２の上面側、及び下面側から入射する光の反射をより確実に抑制することが可能になる。
　この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の合金層、第２の合金層を積層した構成とすることができる。具体的には図２Ｂに示した積層体基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の合金層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の合金層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
　なお、第１の合金層１３１（１３１Ａ、１３１Ｂ）と、第２の合金層１３２（１３２Ａ、１３２Ｂ）とは、共に銅と、ニッケルとを含有する合金層とすることができ、同じ製造方法により製造することができる。
　透明基材の両面に銅層と、合金層と、を積層した、図１Ｂ、図２Ｂの構成例においては、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ｂの構成と同様に、銅層１２Ａと、合金層１３Ａと、をその順に積層した形態とし、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側を第１の合金層１３１Ｂと、銅層１２Ｂと、第２の合金層１３２Ｂと、をその順に積層した形態として、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
　本実施形態の積層体基板の合金層のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系の色度ａ＊、及び明度Ｌ＊は、既述のように銅層表面での長波長の光の反射を十分に抑制するため、例えば波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上であることが好ましい。これは合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下、Ｌ＊が８０以上の場合、例えば本実施形態の積層体基板を、電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板として用いた場合でも反射型ディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
　積層体基板のａ＊、Ｌ＊の測定は、合金層に光を照射するようにして測定した反射率から算出することができる。すなわち、積層体基板に含まれる銅層及び合金層のうち、合金層側から光を照射して測定した反射率から算出できる。具体的には例えば図１Ａのように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、合金層１３の順に積層した場合、合金層１３に光を照射できるように、合金層１３の表面Ａに対して光を照射して測定できる。また、図１Ａの場合と銅層１２と合金層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに合金層１３、銅層１２の順に積層した場合、透明基材１１の面１１ｂ側から合金層１３に光を照射し、測定した反射率からａ＊、Ｌ＊を算出できる。
　さらに、図２Ａの積層体基板の合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊、Ｌ＊とは、透明基材を除いた場合に最表面に配置されている、第１の合金層１３１、または第２の合金層１３２のいずれかにおいて、表面光が入射する側の表面における反射率から算出したａ＊、Ｌ＊を意味する。
　すなわち、図２Ａのような、透明基材を除いた場合の表面に複数の合金層を有する積層体基板においては、表面に位置する合金層のうち、少なくとも一方の合金層について、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上であることが好ましい。特に、表面に位置する両方の合金層について、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上であることがより好ましい。
　また、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊、Ｌ＊とは、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲内で波長を変化させて測定を行った際の反射率の測定結果から、算出した色度、明度を意味している。反射率の測定の際、波長を変化させる幅は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことが好ましく、１ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことがより好ましい。
　なお、後述のように積層体基板は銅層及び合金層をエッチングにより配線加工することにより金属細線を形成して導電性基板とすることができる。導電性基板における合金配線層の光のａ＊、Ｌ＊とは、透明基材を除いた場合に、最表面に配置されている合金配線層の、光が入射する側の表面における反射率から算出したａ＊、Ｌ＊を意味する。
　このため、エッチング処理を行った後の導電性基板であれば、銅層及び合金層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。
　次に、本実施形態の導電性基板について説明する。
　本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備えることができる。そして、金属細線が、銅と、ニッケルとを含有する合金配線層と、銅配線層とを備えた積層体であり、合金配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合を１０質量％以上２５質量％以下とすることができる。
　本実施形態の導電性基板は、例えば既述の積層体基板を配線加工して得ることができる。そして、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅配線層と、合金配線層と、を設けているため、銅配線層の表面での長波長の光の反射を抑制することができる。従って、合金配線層を設けることにより、例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイに用いた場合に良好なディスプレイの視認性を有することができる。
　本実施形態の導電性基板は例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板は既述の積層体基板における銅層、及び合金層に開口部を設けることで形成した配線パターンを有する構成とすることができる。より好ましくは、メッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。
　開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板は、ここまで説明した積層体基板の銅層及び合金層をエッチングすることにより得ることができる。そして、例えば二層の金属細線によりメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板３０を銅配線層、及び合金配線層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の銅配線層３１ＢとＹ軸方向に平行な銅配線層３１Ａとを有している。なお、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、既述の積層体基板をエッチングすることで形成でき、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない合金配線層が形成されている。また、合金配線層は銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状にエッチングされている。
　透明基材１１と銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と銅配線層との配置の構成例を図４に示す。図４は図３のＡ－Ａ´線での断面図に当たる。
　例えば、図４に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ銅配線層３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４に示した導電性基板の場合、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１側には、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状にエッチングされた第１の合金配線層３２１Ａ、３２１Ｂが配置されている。また、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１とは反対側の面には、第２の合金配線層３２２Ａ、３２２Ｂが配置されている。
　従って、図４に示した導電性基板においては、金属細線は、合金配線層として第１の合金配線層３２１Ａ、３２１Ｂ及び第２の合金配線層３２２Ａ、３２２Ｂの２つの層を有しており、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、第１の合金配線層３２１Ａ、３２１Ｂと、第２の合金配線層３２２Ａ、３２２Ｂとの間に配置されていることになる。
　なお、ここでは第１の合金配線層、及び第２の合金配線層を設けた例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば第１の合金配線層、または第２の合金配線層いずれか一方のみを設けることもできる。
　図３に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は例えば、図１Ｂ、図２Ｂのように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、合金層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた積層体基板から形成できる。
　なお、例えば図４に示した第１の合金配線層と第２の合金配線層とを備えた導電性基板は、図２Ｂに示した積層体基板から形成することができる。
　そこで、図２Ｂの積層体基板を用いて形成した場合を例に説明する。
　まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ、第１の合金層１３１Ａ、及び第２の合金層１３２Ａを、図２Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンが、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングする。なお、図２Ｂ中のＹ軸方向とは、紙面と垂直な方向を指す。また、図２Ｂ中のＸ軸方向とは各層の幅方向と平行な方向を意味している。
　そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ、第１の合金層１３１Ｂ、及び第２の合金層１３２Ｂを図２Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。
　以上の操作により図３、図４に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、第１の合金層１３１Ａ、１３１Ｂ、及び第２の合金層１３２Ａ、１３２Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
　図３に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した積層体基板を２枚用いることにより形成することもできる。図２Ａの積層体基板を用いた場合を例に説明すると、図２Ａに示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２、第１の合金層１３１、及び第２の合金層１３２を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により形成した各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。
　例えば、２枚の導電性基板について、図２Ａにおける透明基材１１の銅層１２等が積層されていない面１１ｂ同士を貼り合せることで、図４に示した構成とすることができる。
　ここまで図３、図４においては、直線形状の金属細線を組み合わせてメッシュ状の配線パターンを形成した例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する金属細線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する金属細線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
　なお、図３に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板における金属細線の幅や、金属細線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、金属細線に必要な電気抵抗値等に応じて選択することができる。
　また、本実施形態の導電性基板の銅配線層と合金配線層とはそれぞれ、既述の積層体基板の銅層と合金層との特徴を維持することができる。
　このため、上述のように、合金配線層に含まれる金属成分のうち、すなわち合金配線層を構成する合金に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。なお、ニッケルの割合とは、合金配線層を構成する合金中の金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの割合を示している。
　具体的には、例えば合金配線層が金属成分として、銅と、ニッケルとのみを含有する場合には、銅とニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの含有割合が上記範囲であることが好ましい。
　また、合金配線層は、銅とニッケルと亜鉛とを含むこともできる。すなわち、合金配線層を構成する合金は、銅及びニッケルに加えて、亜鉛を含有することもできる。
　合金配線層を構成する合金が亜鉛をさらに含有する場合、合金配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。つまり、該合金配線層を構成する合金中の金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。
　なお、この場合の合金配線層を構成する合金中の金属成分の合計とは、例えば銅とニッケルと亜鉛との含有量の合計を意味する。
　また、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、本実施形態の導電性基板の合金配線層の色度ａ＊、及び明度Ｌ＊は、例えば波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は９以下であり、Ｌ＊は８０以上であることが好ましい。これは、合金配線層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下、Ｌ＊が８０以上の場合、例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
　ここまで説明した本実施形態の導電性基板、すなわち例えば２層の配線から構成されるメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式の電子ペーパー等反射型ディスプレイ用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法）
　次に本実施形態の積層体基板の製造方法の構成例について説明する。
　本実施形態の積層体基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。　
　透明基材を準備する透明基材準備工程。　
　透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程。　
　そして、上記積層体形成工程は以下のステップを含むことができる。　
　銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップ。　
　銅と、ニッケルとを含有する合金層を堆積する合金層成膜手段により合金層を成膜する合金層形成ステップ。
　そして、合金層形成ステップは減圧雰囲気下において実施することが好ましい。また、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。
　以下に本実施形態の積層体基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の積層体基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略している。
　上述のように、本実施形態の積層体基板においては、銅層と、合金層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、合金層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成ステップと、合金層形成ステップと、を実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する積層体基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。
　透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程、ステップに供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。なお、可視光を透過する高分子フィルムとして好適に用いることができるものについては既述のため、ここでは説明を省略する。
　次に積層体形成工程について説明する。積層体形成工程は透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する工程であり、銅層形成ステップと、合金層形成ステップとを有する。このため、各ステップについて以下に説明する。
　まず、銅層形成ステップについて説明する。
　銅層形成ステップでは透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成することができる。
　銅層形成ステップでは、乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成することが好ましい。また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法により銅薄膜層を形成後に湿式めっき法を用いてさらに銅めっき層を形成することが好ましい。
　このため、銅層形成ステップは、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成ステップを有することができる。また、銅層形成ステップは、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成ステップと、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する銅めっき層形成ステップと、を有していてもよい。
　従って、上述の銅層成膜手段としては１つの成膜手段に限定されるものではなく、複数の成膜手段を組み合わせて用いることもできる。
　上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または合金層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
　乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、減圧雰囲気下において、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。
　特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、厚さの制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわちこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段としてスパッタリング成膜手段（スパッタリング成膜法）を好ましく用いることができる。
　銅薄膜層は、例えば図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。以下にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。
　図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。図５において筐体５１の形状は直方体形状として示しているが、筐体５１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体５１の形状は円筒形状とすることもできる。ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体５１内部は１Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０－３Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましく、１０－４Ｐａ以下まで減圧できることがさらに好ましい。なお、筐体５１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール５３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
　筐体５１内には、銅薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄ、前フィードロール５５ａ、後フィードロール５５ｂ、テンションロール５６ａ、５６ｂ、巻取ロール５７を配置することができる。また、銅薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール５８ａ～５８ｈや、ヒーター５９等を設けることもできる。
　巻出ロール５２、キャンロール５３、前フィードロール５５ａ、巻取ロール５７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール５２、巻取ロール５７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって銅薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっている。
　キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
　テンションロール５６ａ、５６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。また、前フィードロール５５ａや、後フィードロール５５ｂ、ガイドロール５８ａ～５８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。
　スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄの銅薄膜層を成膜する基材の巾方向の寸法は、対向する銅薄膜層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。
　銅薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄで銅薄膜層が成膜される。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて銅薄膜層を成膜する場合の手順について説明する。
　まず、銅ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに装着し、銅薄膜層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。
　そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段６１により筐体５１内に導入する。なお、気体供給手段６１の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体５１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）６１１ａ、６１１ｂ、及びバルブ６１２ａ、６１２ｂを設け、各ガスの筐体５１内への供給量を制御できるように構成できる。図５ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。
　そして、気体供給手段６１によりスパッタリングガスを筐体５１内に供給した際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２の開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
　この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。
　なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０には上述した以外にも必要に応じて各種部材を配置できる。例えば筐体５１内の圧力を測定するための圧力計６３ａ、６３ｂや、ベントバルブ６４ａ、６４ｂを設けることもできる。
　また、既述のように乾式めっき後に湿式めっき法を用いてさらに銅層（銅めっき層）を成膜することができる。
　湿式めっき法により銅めっき層を成膜する場合、上述した乾式めっきにより成膜した銅薄膜層を給電層とすることができる。そしてこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段として、電気めっき成膜手段を好ましく用いることができる。
　銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。
　次に、合金層形成ステップについて説明する。
　合金層形成ステップは既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に、銅と、ニッケルとを含有する合金層を成膜する合金層成膜手段により合金層を成膜するステップである。合金層形成ステップにおける銅と、ニッケルとを含有する合金層を堆積する合金層成膜手段は特に限定されるものではないが、例えば減圧雰囲気下におけるスパッタリング成膜手段、すなわちスパッタリング成膜法であることが好ましい。
　合金層は例えば図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて合金層を成膜する場合の手順の構成例について説明する。
　まず、例えば銅－ニッケル合金ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに装着し、合金層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴンからなるスパッタリングガスを気体供給手段６１により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２の開度とを調整して筐体５１内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持して成膜を実施することが好ましい。
　この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下程度の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の合金層を連続成膜することができる。
　なお、既述のように、合金層は銅と、ニッケルとを含有することができ、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。
　また、合金層は、銅とニッケルと亜鉛とを含むこともでき、合金層が亜鉛をさらに含有する場合、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。
　このため、合金層を成膜する際に用いるターゲットは、上述の銅－ニッケル合金ターゲットに限定されるものではなく、成膜する合金層の組成にあったターゲットを用いることができる。例えばさらに亜鉛を含有する銅－ニッケル－亜鉛合金ターゲット等を用いることができる。
　ここまで、本実施形態の積層体基板の製造方法に含まれる各工程、ステップについて説明した。
　本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、既述の積層体基板と同様に、銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
　また、合金層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上とすることがより好ましい。合金層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
　本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板を用いて、銅層及び合金層に開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板とすることができる。導電性基板は、より好ましくは、メッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。
　係る本実施形態の導電性基板の製造方法は、上述の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の銅層と、合金層と、をエッチングし、銅配線層と、合金配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有することができる。そして、係るエッチング工程により、銅層及び合金層に開口部を形成できる。
　エッチング工程では例えばまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、積層体基板の最表面に形成する。例えば、図２Ａに示した積層体基板の場合、積層体基板に配置した第２の合金層１３２の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
　次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、第１の合金層１３１、及び第２の合金層１３２のエッチングを実施することができる。
　なお、図２Ｂのように透明基材１１の両面に銅層、及び合金層を配置した場合には、積層体基板の表面Ａ及び表面Ｂにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、合金層を同時にエッチングしてもよい。また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び合金層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ、第１の合金層１３１Ａ、及び第２の合金層１３２Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ、第１の合金層１３１Ｂ、及び第２の合金層１３２Ｂのエッチングを行うこともできる。
　エッチング工程で用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。
　エッチング工程で用いるエッチング液としては例えば、硫酸、過酸化水素水、塩酸、塩化第二銅、及び塩化第二鉄から選択された１種類を含む水溶液、または上記硫酸等から選択された２種類以上を含む混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の各成分の含有量は、特に限定されるものではない。
　エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもでき、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることができる。
　上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線パターンの具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。
　また、図１Ａ、図２Ａに示した、透明基材１１の一方の面側に銅層、合金層を有する２枚の積層体基板をエッチング工程に供して導電性基板とした後、２枚の導電性基板を貼り合せてメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板とする場合、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば光学接着剤（ＯＣＡ）等を用いて接着することができる。
　なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、合金配線層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は９以下であり、Ｌ＊は８０以上であることが好ましい。
　これは合金配線層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下、Ｌ＊が８０以上の場合、例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。また、ａ＊が９を超えると、赤みを帯び視覚上好ましくない場合があるからである。
　以上に本実施形態の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法について説明した。係る積層体基板、または積層体基板の製造方法により得られる積層体基板によれば、合金層を設けることで銅層による長波長の光の反射を抑制することができる。
　そして、係る積層体基板から例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板とした場合に、ディスプレイの視認性の低下を抑制することができる。このため、良好な視認性を有する導電性基板とすることができる。
　以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
　以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板についてａ＊、Ｌ＊の測定を行った。
　測定は、紫外可視分光光度計（株式会社　島津製作所製　型式：ＵＶ－２６００）に積分球付属装置を設置して行った。
　各実施例で図２Ａの構造を有する積層体基板を作製したが、反射率の測定は図２Ａにおける第２の合金層１３２の外部に露出した表面Ａに対して、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。なお、積層体基板に照射した光は、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について測定を行った。そして、測定した反射率から該導電性基板のａ＊、Ｌ＊を算出した。
（試料の作製条件）
　実施例、比較例として、以下に説明する条件で積層体基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
　図２Ａに示した構造を有する積層体基板を作製した。
　まず、透明基材準備工程を実施した。
　具体的には、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍの光学用ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備した。
　次に、積層体形成工程を実施した。
　積層体形成工程として、第１の合金層形成ステップ、銅層形成ステップ、第２の合金層形成ステップを実施した。以下に具体的に説明する。
　まず第１の合金層形成ステップを実施した。
　準備した透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０にセットした。また、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに、銅－１０質量％Ｎｉ合金ターゲット（住友金属鉱山（株）製）を装着した。
　そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター５９を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。
　続いて筐体５１内を１×１０－４Ｐａまで真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより排気した後、気体供給手段６１によりアルゴンガスの流量が２４０ｓｃｃｍとなるようにしてアルゴンガスを筐体５１内に導入した。そして、透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の第１の合金層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１の合金層１３１を厚さ２０ｎｍとなるように形成した。
　続いて、銅層形成ステップを実施した。
　銅層形成ステップでは、スパッタリングカソードに装着するターゲットを銅ターゲット（住友金属鉱山（株）製）に変えた点以外は第１の合金層の場合と同様にして第１の合金層の上面に銅層を厚さ２００ｎｍとなるように形成した。
　なお、銅層を形成する基材としては、第１の合金層形成工程で、透明基材上に第１の合金層を形成した基材を用いた。
　そして次に第２の合金層形成ステップを実施した。
　第２の合金層形成ステップでは、第１の合金層１３１と同条件で銅層１２の上面に第２の合金層１３２を形成した（図２Ａ参照）。
　作製した積層体基板の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊、Ｌ＊を、上述の手順により測定、算出したところ、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は７、Ｌ＊は８５であった。
　評価結果を表１に示す。
［実施例２～実施例６］
　第１、第２の合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
　結果を表１に示す。
［比較例１、比較例２］
　第１、第２の合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
　結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　表１に示した結果によると、実施例１～実施例４においては、合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる金属成分である銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下である。また、実施例５、実施例６においては、合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる金属成分である銅、ニッケル、及び亜鉛のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下である。そして、成膜した合金層においても同様の組成となっている。このため、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は９以下であり、かつＬ＊は８０以上となることが確認された。従って、係る積層体基板をエッチングにより配線加工を行い、導電性基板とし、電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板とした場合、ディスプレイの視認性を特に高めることができる。　
　これに対して、比較例１は、合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる金属成分である銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１０質量％未満であり、成膜した合金層においても同様の組成であったため、ａ＊が９を超えてしまった。また、比較例２は、合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が２５質量％を超えており、成膜した合金層においても同様の組成であったため、Ｌ＊が８０未満となった。
　このため、比較例１、比較例２で作製した積層体基板をエッチングにより配線加工を行い、導電性基板とし、電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板とした場合、ディスプレイの視認性が低下することになる。
　以上に積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、および導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
　本出願は、２０１５年１１月３０日に日本国特許庁に出願された特願２０１５－２３４１０７号、および２０１６年２月８日に日本国特許庁に出願された特願２０１６－０２２２６５号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５－２３４１０７号、および特願２０１６－０２２２６５号の全内容を本国際出願に援用する。
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　積層体基板
１１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ　合金層
３０　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　導電性基板
３１Ａ、３１Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　銅配線層
３２１Ａ、３２１Ｂ、３２２Ａ、３２２Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　合金配線層

Claims (13)

  1. 　透明基材と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
    　前記積層体が、
    　銅と、ニッケルとを含有する合金層と、
    　銅層とを有し、
    　前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下である積層体基板。
  2. 　前記合金層が、銅とニッケルと亜鉛とを含み、前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、亜鉛の割合が１０質量％以上３０質量％以下である請求項１に記載の積層体基板。
  3. 　前記積層体は、前記合金層として、第１の合金層及び第２の合金層を有し、
    　前記銅層は、前記第１の合金層と、前記第２の合金層との間に配置された請求項１または２に記載の積層体基板。
  4. 　Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、前記合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上である請求項１乃至３のいずれか一項に記載の積層体基板。
  5. 　透明基材と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、
    　前記金属細線が、
    　銅と、ニッケルとを含有する合金配線層と、
    　銅配線層とを備えた積層体であり、
    　前記合金配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下である導電性基板。
  6. 　前記合金配線層が、銅とニッケルと亜鉛とを含み、前記合金配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、亜鉛の割合が１０質量％以上３０質量％以下である請求項５に記載の導電性基板。
  7. 　前記金属細線は、前記合金配線層として、第１の合金配線層及び第２の合金配線層を有し、
    　前記銅配線層は、前記第１の合金配線層と、前記第２の合金配線層との間に配置された請求項５または６に記載の導電性基板。
  8. 　透明基材を準備する透明基材準備工程と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、
    　前記積層体形成工程は、
    　銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、
    　銅と、ニッケルと含有する合金層を堆積する合金層成膜手段により合金層を成膜する合金層形成ステップと、を含み、
    　前記合金層形成ステップは減圧雰囲気下において実施し、前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下である積層体基板の製造方法。
  9. 　前記合金層が、銅とニッケルと亜鉛とを含み、前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、亜鉛の割合が１０質量％以上３０質量％以下である請求項８に記載の積層体基板の製造方法。
  10. 　前記合金層成膜手段がスパッタリング成膜法である請求項８または９に記載の積層体基板の製造方法。
  11. 　前記合金層は厚さが１０ｎｍ以上である請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法。
  12. 　請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の前記銅層と、前記合金層とをエッチングし、銅配線層と、合金配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有し、
    　前記エッチング工程により、前記銅層及び前記合金層に開口部を形成する導電性基板の製造方法。
  13. 　Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、前記合金配線層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上である請求項１２に記載の導電性基板の製造方法。
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