TWI743068B - 積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法、導電性基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種積層體基板，其具備透明基材及形成於該透明基材的至少一面側的積層體，該積層體具有合金層與銅層，該合金層含有銅與鎳，該合金層所含的金屬成份中鎳的比率為10質量%以上且25質量%以下。

Description

積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法、導電性基板之製造方法
本發明係關於一種積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法、導電性基板之製造方法。
歷來研究各種顯示設備，例如已知自發光型的電漿顯示面板、非發光型的液晶顯示器、電子紙等。其中，近年特別對作為非發光型顯示設備的液晶顯示器、或電子紙等的需求在提高，正在進行各種研究。
在此，非發光型顯示設備中，為了識別顯示物而需要光源，根據光源可分為透射型及反射型。透射型具有下述結構：例如由配置在顯示設備背面的背光燈提供光，使光從顯示設備的背面朝向作為表面的顯示面透射。此外，反射型具有下述結構：例如從作為顯示設備的表面的顯示面側射入的光，由設在背面的反射板將其進行反射，使該光再次朝向表面側透射。
作為非發光型顯示設備的電子紙，例如已知作為電泳顯示裝置之一種的微膠囊型電泳顯示裝置。專利文獻1中關於利用電泳現象的電泳顯示裝置說明如下。
電泳現象是指，對液相分散媒中分散有微粒子的分散液施加電場時，經分散而自然帶電的粒子(電泳粒子)因庫倫力(Coulomb force) 進行泳動的現象。
電泳顯示裝置之基本結構為，以規定間隔使一方電極及另一方電極對向，並在兩個電極之間封入上述分散液(電泳分散液)。此外，使至少一方之電極為透明電極，並以該透明電極側作為觀察面。若於該兩個電極之間有電位差，則根據電場方向，電泳粒子會被某一方的電極吸引。
因此，在該結構中，若用染料對分散媒進行染色並由顏料粒子構成電泳粒子時，從透明的觀察面可看到與電場方向相應的電泳粒子顏色或染料顏色。由此，藉由使電極形成與各像素對應的圖案，並控制施加於各像素電極的電壓，能夠顯示圖像。
另外，關於作為電子紙之一方式廣為人知並且是電泳顯示裝置之一種的微膠囊型電泳顯示裝置，其具有如下結構：在相對的電極之間配置有由內包電泳分散液的複數個微膠囊構成的層來作為電泳層。
這種電泳顯示裝置具有結構簡單、視角廣、消耗電力低及顯示圖像保持性能(記憶性)佳等優點。
然而，電子紙中也是直觀的信息輸入，因此在研究具備觸控面板的電子紙。
例如，專利文獻2公開了一種觸控面板一體型電子紙，其特徵在於包括：設於上部基板與下部基板之間的電子墨水；設於上部基板的下表面並驅動電子墨水，以生成信號的上部電極；設於下部基板的上表面並驅動電子墨水的下部電極；及，設於上部基板的上側，根據信號而與上部電極形成静電容量，並在輸入手段接觸時感知静電容量變化的感測電極。並公開了感測電極由導電性高分子形成。
並且，作為具備觸控面板的顯示設備，至今已廣泛使用下述之顯示設備，即在具備背光燈的透射型液晶顯示器配置觸控面板而成的顯示設備。
具備觸控面板的液晶顯示器，例如如專利文獻3所公開般，至今使用如下述的觸控面板用透明導電性薄膜，即，該觸控面板用透明導電性薄膜為於高分子薄膜等透明基材上設置ITO(氧化銦-氧化錫)膜而成者，並且該ITO膜是由金屬氧化物構成的透明導電膜。
在此，近年特別地正發展具備觸控面板的透射型液晶顯示器之大畫面化，與其對應地，亦對觸控面板用透明導電性薄膜等導電性基板要求大面積化。然而，ITO電阻值高，因此存在無法對應導電性基板的大面積化的問題。
對此，例如如專利文獻4、5公開般，研究使用銅等的金屬配線來代替ITO膜配線。然而，例如將銅用於金屬配線的情況下，由於銅具有金屬光澤，因此會發生反射而導致顯示器之識別性降低的問題。
因此，正研究如下之導電性基板：形成銅等的金屬配線，並且在金屬配線的與透明基材的表面平行的面上形成有由黑色材料構成的黑化層的導電性基板。根據該導電性基板，即便應用於透射型液晶顯示器等時，由黑化層可抑制金屬配線表面的光反射，從而能夠提高顯示器的識別性。
並且，由於在透射型液晶顯示器之外的顯示裝置例如反射型顯示器中，亦對應畫面的大型化等，因此觸控面板用透明導電性薄膜中正要求降低電阻值。因此，正在研究採用上述的導電性基板，該導電性基板 為：形成銅等的金屬配線的同時，在金屬配線的與透明基材的表面平行的面上形成有由黑色材料構成的黑化層。
專利文獻1：日本特開2004-258370號公報
專利文獻2：日本特開2012-027890號公報
專利文獻3：日本特開2003-151358號公報
專利文獻4：日本特開2011-018194號公報
專利文獻5：日本特開2013-069261號公報
然而，反射型顯示器中，在金屬配線的與透明基材的表面平行的面上形成由黑色材料構成的黑化層的情況下，有時反而會有顯示器的識別性降低之情況。
鑑於上述歷來技術的問題，本發明的目的在於提供一種含有銅層，且在應用於反射型顯示器時也能夠抑制顯示器的識別性降低的積層體基板。
為了解決上述問題，本發明提供一種積層體基板，其具備透明基材及形成於該透明基材的至少一個面側的積層體，該積層體具有合金層與銅層，該合金層含有銅與鎳，該合金層所含的金屬成份中鎳的比率為10質量%以上且25質量%以下。
根據本發明，能夠提供一種含有銅層，且在應用於反射型顯示器時也能夠抑制顯示器的識別性降低的積層體基板。
10A、10B、20A、20B‧‧‧積層體基板
11‧‧‧透明基材
12、12A、12B‧‧‧銅層
13、13A、13B、131、132、131A、131B、132A、132B‧‧‧合金層
30‧‧‧導電性基板
31A、31B‧‧‧銅配線層
321A、321B、322A、322B‧‧‧合金配線層
圖1A是本發明的實施方式的積層體基板的剖面圖。
圖1B是本發明的實施方式的積層體基板的剖面圖。
圖2A是本發明的實施方式的積層體基板的剖面圖。
圖2B是本發明的實施方式的積層體基板的剖面圖。
圖3是本發明的實施方式的具備網格狀配線的導電性基板的俯視圖。
圖4是圖3的A-A’線的剖面圖。
圖5是輥對輥濺鍍裝置的說明圖。
以下，關於本發明的積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法及導電性基板之製造方法的實施方式進行說明。
(積層體基板、導電性基板)
本實施方式的積層體基板可具備透明基材及形成於透明基材的至少一個面側的積層體。且，積層體可具有合金層及銅層，該合金層含有銅及鎳，合金層所含的金屬成份中鎳的比率為10質量%以上25質量%以下。
在此，本實施方式的積層體基板是指在透明基材的表面上具有圖案化之前的銅層或合金層的基板。另外，導電性基板是指，在透明基材的表面上具有經圖案化而形成配線形狀的銅配線層或合金配線層的配線基板。
以下，首先關於本實施方式的積層體基板包括的各部件進行說明。
作為透明基材並無特別限定，可優選使用可使可見光透射的高分子薄膜、玻璃基板等。
作為可使可見光透射的高分子薄膜，例如可以優選使用聚醯胺類薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯類薄膜、聚萘二甲酸乙二酯類薄膜、環烯烴類薄膜、聚醯亞胺類薄膜、聚碳酸酯類薄膜等的樹脂薄膜。
關於透明基材的厚度並無特別限定，可根據製成導電性基板時被要求的強度或光透射率等，任意選擇。作為透明基材的厚度，例如可以是10μm以上250μm以下。尤其在用於電子紙等的反射型顯示器的用途的情況下，優選為20μm以上200μm以下，更優選為20μm以上120μm以下。用於電子紙等的反射型顯示器的用途的情況下，例如格外要求減小顯示器整體厚度的用途中，透明基材的厚度優選為20μm以上100μm以下。
接下來關於積層體進行說明。積層體可具有形成於透明基材的至少一個面側的合金層及銅層。
在此，首先關於銅層進行說明。
關於銅層並無特別限定，為了防止光透射率降低，在銅層與透明基材之間或銅層與合金層之間，最好不配置接著劑。即，優選將銅層直接形成在其他部件的上表面。
為了在其他部件的上表面直接形成銅層，優選採用濺鍍法、離子鍍法或蒸鍍法等乾式鍍法來形成銅薄膜層，可將該銅薄膜層作為銅層。
另外，欲進一步增厚銅層之情況，優選在乾式鍍法之後採用 湿式鍍法。即，例如能夠在透明基材或合金層上採用乾式鍍法形成銅薄膜層，並以該銅薄膜層作為供電層，以湿式鍍法形成銅鍍層。這種情況下，銅層具有銅薄膜層及銅鍍層。
如上所述，藉由僅採用乾式鍍法或組合乾式鍍法及湿式鍍法來形成銅層，就能夠在透明基材或合金層上不經由接著劑地直接形成銅層，因此優選該方法。
關於銅層的膜厚並無特別限定，將銅層用為配線的情況下，可根據該配線的電阻值及配線寬度等任意選擇。尤其是，為了充分地使電流過，銅層的膜厚優選為50nm以上，更優選為60nm以上，進而優選為150nm以上。關於銅層膜厚的上限值並無特別限定，然而隨著銅層增厚，通過蝕刻來形成配線時需要更多的蝕刻時間，因此容易發生側蝕及造成蝕刻中途抗蝕層剝離等的問題。由此，銅層的膜厚優選為5000nm以下，更優選為3000nm以下。另外，如上所述，在銅層具有銅薄膜層及銅鍍層的情況下，銅薄膜層厚度及銅鍍層厚度之合計優選在上述範圍。
以下，關於合金層進行說明。
銅層具有金屬光澤，因此，若只是在透明基材上形成對銅層進行蝕刻的配線即銅配線層，則如上所述，銅會反射光，例如用為電子紙等的反射型顯示器用配線基板時，會有顯示器的識別性降低的問題。
因此，如上所述，關於用於透射型顯示器的導電性基板正研究下述之導電性基板，該導電性基板係：形成銅等的金屬配線的同時還在金屬配線的與透明基材的表面平行的面上形成有由黑色材料構成的黑化層者。然而，當使用反射型顯示器中配置有黑化層的導電性基板的情況下， 有時反而會有顯示器的識別性降低之情形。
對此，本發明的發明人等針對「應用於反射型顯示器時也能夠抑制顯示器的識別性降低，且含有銅層」的積層體基板進行了探討。
其結果發現，通過設置含有銅與鎳的合金層，可獲得能夠抑制銅層表面的長波長光，例如600nm以上780nm以下波長的光的反射的積層體基板，藉由使用該積層體基板，能夠抑制反射型顯示器的識別性降低。還發現，藉由在積層體基板中配置波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下、L*為80以上的規定組成的合金層，尤其能夠抑制銅層表面的長波長光的反射，從而完成了本發明。
因此，本實施方式的積層體基板中配置的合金層，可由含有銅與鎳作為必要成份的合金來構成。
此外，合金層所含的金屬成份中，即構成合金層的合金所含的金屬成份中，鎳的比率優選為10質量%以上且25質量%以下。在此，鎳的比率是指，構成合金層的合金中的金屬成份的合計含有量為100質量%時的鎳的比率。
具體而言，例如合金層作為金屬成份僅含有銅與鎳的情況下，銅與鎳的合計含有量為100質量%時，鎳的含有比率優選為上述範圍。
另外，合金層還可以含有銅、鎳及鋅。即，構成合金層的合金除了銅及鎳之外，還可含有鋅。
構成合金層的合金還含有鋅的情況下，合金層所含的金屬成份中，鎳的比率優選為10質量%以上25質量%以下，鋅的比率優選為10質量%以上30質量%以下。即，該構成合金層的合金中的金屬成份的合計 含有量為100質量%時，鎳的比率優選為10質量%以上25質量%以下，鋅的比率優選為10質量%以上30質量%以下。
並且，在此情況下，構成合金層的合金中的金屬成份的合計是指例如銅、鎳及鋅的合計含有量。
構成合金層的合金如上所述含有銅、鎳及鋅，並且該合金中的金屬成份的含有量為100質量%時的鎳的比率為10質量%以上25質量%的情況下，作為該合金可以適當使用例如白銅或鎳銀等。
如上所述，以本實施方式的積層體基板作為具有所希望的配線圖案的導電性基板，並設為反射型顯示器用配線基板的情況下，為了提高顯示器的識別性，在L*a*b*表色系統中，優選合金層的波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下。另外，優選波長380nm以上780nm以下的光的L*為80以上。
然而，在合金層所含的銅及鎳中的鎳的比率小於10質量%時，有時無法使合金層的波長380nm以上780nm以下的光的a*成為9以下。相對而言，若以合金層所含的銅及鎳中鎳的比率超過25質量%之方式進行摻合，則因鎳過剩，有時無法使合金層的波長380nm以上780nm以下的光的L*成為80以上。
因此，如上所述，構成本實施方式的積層體基板的合金層的合金，金屬成份的合計含有量為100質量%的情況下，鎳的比率優選為10質量%以上25質量%以下。
另外，構成合金層的合金其金屬種類如上所述可以含有銅及鎳，構成合金層的合金含有的金屬種類可以僅由銅及鎳構成，但並不僅限 於銅及鎳。例如，構成合金層的合金其金屬種類如上所述還可以含有鋅，或是亦可含有1質量%以下的不可避免的雜質。
另外，構成合金層的合金含有銅及鎳即可，關於以何種狀態含有各成份並無特別限定。
根據本實施方式的積層體基板獲得的導電性基板，其銅配線層及合金配線層能夠分別維持本實施方式的積層體基板的銅層及合金層的特徵。
關於配置於本實施方式的導電性基板之合金層的成膜方法並無特別限定。例如優選採用濺鍍法等乾式成膜法來形成合金層。
採用濺鍍法進行合金層成膜時，例如使用銅-鎳合金的靶，可以向腔室內提供作為濺鍍氣體的惰性氣體並進行成膜。
濺鍍時使用銅-鎳合金的靶的情況下，在作為銅-鎳合金中所含的金屬成份的銅及鎳中，鎳的比率優選為10質量%以上25質量%以下。另外，鎳的比率是指，銅-鎳合金中作為金屬成份的銅與鎳的合計含有量為100質量%時的鎳的比率。
其理由在於，成膜的合金層所含的金屬成份即銅及鎳中的鎳的比率，與該合金層成膜時使用的銅-鎳合金靶的銅-鎳合金中所含的金屬成份銅及鎳中的鎳的比率相同。
關於合金層成膜時的惰性氣體並無特別限定，例如可以使用氬氣或氙氣等，在此可適當使用氬氣。
關於本實施方式的積層體基板中形成的合金層的厚度並無特別限定，例如可根據積層體基板被要求的銅層表面對長波長光(例如 600nm以上780nm以下的波長光)的反射抑制程度等，任意選擇。
合金層厚度的下限值例如優選為10nm以上，更優選為15nm以上。合金層厚度的上限值例如優選為70nm以下，更優選為50nm以下。
如上所述，合金層能夠作為抑制銅層表面的尤其是長波長光反射的層而發揮功能，但合金層厚度薄的情況下，有時無法充分地抑制銅層的長波長光反射。對此，藉由將合金層厚度設為10nm以上，能夠更確實抑制銅層表面的長波長光的反射。
關於合金層厚度的上限值並無特別限定，但增厚至必要以上則會使成膜所需時間、或形成配線時的蝕刻所需時間延長，造成成本上升。因此，如上所述，合金層的厚度優選為70nm以下，更優選為50nm以下。
其次，關於本實施方式的積層體基板的結構例進行說明。
如上所述，本實施方式的積層體基板可以具有透明基材及積層體，該積層體具有銅層及合金層。在此，關於在透明基材上配置積層體內的銅層及合金層的順序、層數並無特別限定。即，例如可以在透明基材的至少一個面側，以任意順序積層銅層及合金層各一層。另外，也可以在積層體內配置複數層的銅層及/或合金層。
然而，在積層體內配置銅層及合金層時，為了抑制銅層表面的光反射，優選在銅層表面當中的尤其想抑制長波長光的反射的面上配置合金層。
特別是，具有合金層形成於銅層表面的積層結構更為佳，具體而言，例如優選積層體具有第1合金層及第2合金層的2個合金層來作為合金層，銅層被配置在第1合金層與第2合金層之間。
關於具體的結構例，以下使用圖1A、圖1B、圖2A、圖2B進行說明。圖1A、圖1B、圖2A及圖2B顯示本實施方式的積層體基板在與透明基材、銅層、合金層的積層方向平行的面的剖面圖之例子。
例如，可以像圖1A所示的積層體基板10A那樣，在透明基材11的一個面11a側依序積層銅層12及合金層13各一層。另外，也可以像圖1B所示的積層體基板10B那樣，在透明基材11的一個面11a側及另一個面(另一面)11b側分別依序積層銅層12A、12B及合金層13A、13B各一層。另外，銅層12(12A、12B)及合金層13(13A、13B)的積層順序並不限定於圖1A、圖1B的例子，還可以從透明基材11側開始依序積層合金層13(13A、13B)、銅層12(12A、12B)。
另外，如上所述，例如也可以成為：在透明基材11的1個面側設置複數層的合金層的結構。例如像圖2A所示的積層體基板20A那樣，可以在透明基材11的一個面11a側依序積層第1合金層131、銅層12及第2合金層132。
作為這種合金層，由於具有第1合金層131及第2合金層132，且銅層12被配置在第1合金層131與第2合金層132之間，因此能夠確實抑制從銅層12的上表面側及下表面側射入的光之反射。
在此情況下，也可以成為：在透明基材11的兩面積層銅層、第1合金層、第2合金層的結構。具體而言，像圖2B所示的積層體基板20B那樣，可以在透明基材11的一個面11a側及另一個面(另一面)11b側分別依序積層第1合金層131A、131B、銅層12A、12B、第2合金層132A、132B。
另外，第1合金層131(131A、131B)與第2合金層132(132A、132B)可以都是含有銅與鎳的合金層，可以採用相同的製造方法製造。
在透明基材的兩面積層銅層與合金層的圖1B、圖2B的結構例中，表示了被積層於透明基材11上下側的層以透明基材11作為對稱面彼此對稱的配置例，但並不限定於該形態。例如，在圖2B中，透明基材11的一個面11a側的結構可以是與圖1B相同的結構，採用依序積層銅層12A及合金層13A的形態，另一個面(另一面)11b側採用依序積層第1合金層131B、銅層12B及第2合金層132B的形態，在透明基材11的上下側積層的層可以是非對稱的結構。
本實施方式的積層體基板的合金層的L*a*b*表色系統的色度a*及亮度L*，如上所述為了充分抑制銅層表面的長波長光的反射，例如優選波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下，L*為80以上。其理由在於，合金層的波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下、L*為80以上的情況下，例如將本實施方式的積層體基板用於電子紙等的反射型顯示器用導電性基板時，也能夠格外抑制反射型顯示器的識別性降低。
對積層體基板的a*、L*進行測定時，可以根據通過向合金層照射光並進行測定的反射率算出。即，可以從積層體基板所含的銅層及合金層中的合金層側照射光並測定反射率，根據該反射率算出a*、L*。具體而言，例如在圖1A所示的透明基材11的一個面11a上依序積層有銅層12、合金層13的情況下，以能夠向合金層13照射光的方式，對合金層13的表面A照射光並進行測定。另外，將圖1A中銅層12與合金層13的配置變更為透明基材11的一個面11a上依序積層合金層13、銅層12的情況下， 能夠從透明基材11的面11b側向合金層13照射光並測定反射率，根據該反射率算出a*、L*。
另外，圖2A的積層體基板的合金層的波長380nm以上780nm以下的光的a*、L*是指：在去除了透明基材時配置在最表面的第1合金層131或第2合金層132的任一個上，根據表面光的射入側的表面反射率算出的a*、L*。
即，如圖2A所示，在去除了透明基材時表面具有複數個合金層的積層體基板中，位於表面的合金層中的至少一個合金層優選其波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下，L*為80以上。尤其是，位於表面的兩個合金層，更優選其波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下，L*為80以上。
另外，波長380nm以上780nm以下的光的a*、L*是指：根據使波長在380nm以上780nm以下的範圍內發生變化並進行測定時之反射率測定結果，算出的色度、亮度。測定反射率時，關於使波長變化的幅度並無特別限定，例如，優選每10nm使波長變化並對上述波長範圍的光進行測定，更優選每1nm使波長變化並對上述波長範圍的光進行測定。
在此，如下所述，積層體基板可以是藉由蝕刻而對銅層及合金層進行配線加工而形成金屬細線的導電性基板。導電性基板中的合金配線層的光的a*、L*是指：根據去除了透明基材時配置於最表面的合金配線層的光射入側表面的反射率算出的a*、L*。
因此，如果是進行蝕刻処理之後的導電性基板，殘留有銅層及合金層的部分的測定值優選滿足上述範圍。
其次，關於本實施方式的導電性基板進行說明。
本實施方式的導電性基板可以具備透明基材及在透明基材的至少一個面側形成的金屬細線。並且，金屬細線可以是具備合金配線層及銅配線層的積層體，合金配線層含有銅與鎳，且合金配線層所含的金屬成份中鎳的比率為10質量%以上且25質量%以下。
例如，可對上述積層體基板進行配線加工而獲得本實施方式的導電性基板。並且，在本實施方式的導電性基板中，由於是在透明基材上設置銅配線層與合金配線層，因此能夠抑制銅配線層表面的長波長光的反射。從而，藉由設置合金配線層，例如用於電子紙等的反射型顯示器時可具有良好的顯示器識別性。
例如作為電子紙等的反射型顯示器用導電性基板，可優選使用本實施方式的導電性基板。在此情況下，導電性基板可以成為：具有藉由在上述之積層體基板的銅層及合金層設置開口部而形成的配線圖案的結構。更優選為，具有網格狀配線圖案的結構。
藉由對以上說明的積層體基板的銅層及合金層進行蝕刻，可獲得形成有具有開口部的配線圖案的導電性基板。並且，例如可由兩層金屬細線形成具有網格狀配線圖案的導電性基板。其具體結構例如圖3所示。圖3是表示從銅配線層及合金配線層的積層方向的上表面側觀察具有網格狀配線圖案的導電性基板30的圖。圖3所示的導電性基板30具有透明基材11、與圖中X軸方向平行的複數個銅配線層31B及與Y軸方向平行的銅配線層31A。另外，如上所述可通過對積層體基板進行蝕刻，形成銅配線層31A、31B，在銅配線層31A、31B的上表面及/或下表面形成有未圖示的合 金配線層。另外，合金配線層被蝕刻成與銅配線層31A、31B幾乎相同的形狀。
關於透明基材11與銅配線層31A、31B的配置並無特別限定。將透明基材11與銅配線層的配置結構例顯示於圖4。圖4相當於沿著圖3的A-A’線的剖面圖。
例如，如圖4所示，在透明基材11的上下表面可以分別配置銅配線層31A、31B。另外，圖4所示的導電性基板的情況下，在銅配線層31A、31B的透明基材11側，配置有被蝕刻成與銅配線層31A、31B幾乎相同形狀的第1合金配線層321A、321B。另外，在銅配線層31A、31B的與透明基材11為相反側的面配置有第2合金配線層322A、322B。
因此，圖4所示的導電性基板中，金屬細線作為合金配線層具有第1合金配線層321A、321B及第2合金配線層322A、322B的2個層，銅配線層31A、31B被配置在第1合金配線層321A、321B與第2合金配線層322A、322B之間。
另外，在此舉出了設置第1合金配線層及第2合金配線層的例子，但並不限定於該形態。例如，還可以僅設置第1合金配線層或第2合金配線層任一者。
例如，可由圖1B、圖2B所示的在透明基材11的兩面上具備銅層12A、12B及合金層13A、13B(131A、132A、131B、132B)的積層體基板，形成具有圖3所示的網格狀配線圖案的導電性基板。
另外，例如可由圖2B所示的積層體基板，形成圖4所示的具備第1合金配線層及第2合金配線層的導電性基板。
在此，以使用圖2B的積層體基板來進行形成的情況為例進行說明。
首先，對透明基材11的一個面11a側的銅層12A、第1合金層131A及第2合金層132A，以沿著X軸方向相離規定間隔地配置與圖2B中Y軸方向平行的複數個線狀的圖案之方式進行蝕刻。在此，圖2B中的Y軸方向是指與紙面垂直的方向。另外，圖2B中的X軸方向是指與各層的寬度方向平行的方向。
然後，對透明基材11的另一個面11b側的銅層12B、第1合金層131B及第2合金層132B，以沿著Y軸方向相離規定間隔地配置與圖2B中X軸方向平行的複數個線狀的圖案之方式進行蝕刻。
通過上述操作，能夠形成具有如圖3、圖4所示的網格狀配線圖案的導電性基板。在此，可以同時進行透明基材11的兩面之蝕刻。即，可以同時進行銅層12A、12B、第1合金層131A、131B、及第2合金層132A、132B的蝕刻。
亦可使用2片圖1A或圖2A所示的積層體基板，來形成圖3所示的具有網格狀配線圖案的導電性基板。若以利用圖2A的積層體基板的情況為例進行說明，對2片圖2A所示的積層體基板，分別將銅層12、第1合金層131及第2合金層132，以沿著Y軸方向相離規定間隔地配置與X軸方向平行的複數個線狀圖案之方式進行蝕刻。然後，藉由將2片導電性基板，以使形成於經過上述蝕刻處理形成之各導電性基板上的線狀圖案彼此交叉之方式相對向地進行貼合，而能夠獲得具有網格狀配線的導電性基板。關於貼合2片導電性基板時的貼合面並無特別限定。
例如，關於2片導電性基板，藉由對圖2A中的透明基材11的未積層銅層12等的面即面11b彼此進行貼合，能夠獲得如圖4所示的結構。
上述圖3、圖4中表示了組合直線形狀的金屬細線來形成網格狀配線圖案的例子，但並不限定於該形態，構成配線圖案的金屬細線可以是任意形狀。例如，構成網格狀配線圖案的金屬細線的形狀可以分別是鋸齒型彎曲的線(z型直線)等各種形狀，以防止在顯示器圖像之間產生干涉紋(moire)。
另外，關於具有圖3所示的網格狀配線圖案的導電性基板中的金屬細線的寬度、金屬細線間的距離並無特別限定，例如可根據金屬細線所必要之電阻值等，進行選擇。
另外，本實施方式的導電性基板的銅配線層及合金配線層能夠分別維持上述積層體基板的銅層及合金層的特徵。
因此，如上所述，合金配線層所含的金屬成份中，即構成合金配線層的合金所含的金屬成份中，鎳的比率優選為10質量%以上25質量%以下。在此，鎳的比率是指，構成合金配線層的合金中的金屬成份的合計含有量為100質量%時的鎳的比率。
具體而言，例如合金配線層作為金屬成份僅含有銅與鎳的情況下，銅與鎳的合計含有量為100質量%時，鎳的含有比率優選在上述範圍。
另外，合金配線層還可以含有銅、鎳及鋅。即，構成合金配線層的合金，除了銅及鎳之外，還可以含有鋅。
構成合金配線層的合金還含有鋅的情況下，優選合金配線層 所含的金屬成份中鎳的比率為10質量%以上25質量%以下，鋅的比率為10質量%以上30質量%以下。即，構成該合金配線層的合金中的金屬成份的合計含有量為100質量%時，優選鎳的比率為10質量%以上25質量%以下，鋅的比率為10質量%以上30質量%以下。
在此，構成合金配線層的合金中的金屬成份的合計是指，例如銅、鎳及鋅的合計含有量。
另外，L*a*b*表色系統中，本實施方式的導電性基板的合金配線層的色度a*及亮度L*，例如波長380nm以上780nm以下的光的a*優選為9以下，L*優選為80以上。其理由在於，在合金配線層的波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下、L*為80以上的情況下，例如用於電子紙等的反射型顯示器用導電性基板時，也能夠格外抑制顯示器的識別性降低。
以上說明的本實施方式的導電性基板，即例如具有由2層配線構成的網格狀配線圖案的導電性基板，可優選應用於例如投影型静電容量方式的電子紙等反射型顯示器用導電性基板。
(積層體基板的製造方法、導電性基板的製造方法)
以下，關於本實施方式的積層體基板的製造方法結構例進行說明。
本實施方式的積層體基板的製造方法可具有以下步驟。
準備透明基材的透明基材準備步驟。
在透明基材的至少一個面側形成積層體的積層體形成步驟。
並且，上述積層體形成步驟可以包括以下階段。
由堆積銅的銅層成膜手段來形成銅層的銅層形成階段。
由堆積含有銅與鎳的合金層的合金層成膜手段來進行合金層成膜的合 金層形成階段。
並且，優選在減壓氛圍下實施合金層形成階段。另外，合金層所含的金屬成份中，鎳的比率優選為10質量%以上25質量%以下。
以下關於本實施方式的積層體基板的製造方法進行說明，除了以下說明的內容之外可採用與上述積層體基板相同的構成，因此省略說明。
如上所述，在本實施方式的積層體基板中，關於透明基材上配置銅層及合金層時的積層順序並無特別限定。另外，銅層與合金層分別可以形成複數層。因此，關於上述銅層形成階段、合金層形成階段的實施順序、實施次數並無特別限定，可根據欲形成的積層體基板的結構，以任意次數、時間實施。
準備透明基材的步驟是準備例如由可使可見光透射的高分子薄膜或玻璃基板等構成的透明基材的步驟，關於其具體操作並無特別限定。例如，可以根據提供至後續各步驟、次的需求，進行將透明基材切斷成任意尺寸等方法。在此，關於作為可使可見光透射的高分子薄膜能夠優選使用的材料，上文中已描述，在此省略說明。
以下關於積層體形成步驟進行說明。積層體形成步驟是在透明基材的至少一個面側形成積層體的步驟，具有銅層形成階段及合金層形成階段。因此，以下關於各階段進行說明。
首先，關於銅層形成步驟進行說明。
銅層形成階段中，可在透明基材的至少一個面側，藉由堆積銅的銅層成膜手段來形成銅層。
銅層形成階段中，優選採用乾式鍍法形成銅薄膜層。另外，欲使銅層進一步增厚時，採用乾式鍍法形成銅薄膜層之後，優選採用濕式鍍法進一步形成銅鍍層。
因此，銅層形成階段可以包括例如藉由乾式鍍法形成銅薄膜層的銅薄膜層形成階段。另外，銅層形成階段還可以具有如下階段：由乾式鍍法形成銅薄膜層的銅薄膜層形成階段，及以該銅薄膜層作為供電層並由濕式鍍法形成銅鍍層的銅鍍層形成階段。
從而，作為上述銅層成膜手段並不限定於1個成膜手段，可以組合使用複數個成膜手段。
如上所述，通過僅採用乾式鍍法或組合乾式鍍法及濕式鍍法形成銅層，無需經由接著劑就能夠在透明基材或合金層上直接形成銅層，因此優選該方法。
作為乾式鍍法並無特別限定，在減壓氛圍下，可優選使用濺鍍法、離子鍍法或蒸鍍法等。
尤其是，作為用於形成銅薄膜層的乾式鍍法，考慮到容易控制膜厚，更優選使用濺鍍法。即，在此情況下，作為在銅層形成階段中使銅堆積的銅層成膜手段，可優選使用濺鍍成膜手段(濺鍍成膜法)。
關於銅薄膜層，例如可以使用圖5所示的輥對輥濺鍍裝置50，適當進行成膜。以下，以使用輥對輥濺鍍裝置的情況為例來說明形成銅薄膜層的步驟。
圖5表示輥對輥濺鍍裝置50的一結構例。輥對輥濺鍍裝置50具備可收容其幾乎所有組成構件的殼體51。圖5中殼體51的形狀顯示為 長方體形狀，但關於殼體51的形狀並無特別限定，可根據其內部收容的裝置、設置場所、耐壓性能等，設為任意的形狀。例如，殼體51的形狀可為圓筒形狀。另外，為了在成膜開始時去除與成膜無關的殘留氣體，優選將殼體51內部減壓至1Pa以下，更優選減壓至10-3Pa以下，進而優選減壓至10-4Pa以下。在此，無需使殼體51內部整體都減壓至上述壓力，亦能以僅是進行濺鍍的配置有下述罐輥53的圖中下側區域減壓至上述壓力之方式構成。
在殼體51內，可以配置提供銅薄膜層成膜用基材的捲出輥52、罐輥53、濺鍍陰極54a-54d、前進給輥55a、後進給輥55b、張力輥56a、56b、捲取輥57。另外，在形成銅薄膜層之基材的輸送路徑上，除了上述各輥之外，還可以任意設置導向輥58a-58h、加熱器59等。
於捲出輥52、罐輥53、前進給輥55a、捲取輥57，可具備由伺服馬達所產生之動力。可利用由粉粒離合器等產生的扭矩控制，使捲出輥52、捲取輥57保持銅薄膜層成膜用基材的張力平衡。
關於罐輥53的構造並無特別限定，例如優選以下述方式構成：對其表面以硬質鉻鍍敷進行加工，內部有來自框體51外部的冷媒或熱媒循環，從而能夠保持大致恆定的溫度。
張力輥56a、56b例如優選對其表面以硬質鉻鍍敷進行加工，並具備張力感應器。另外，前進給輥(feed roller)55a、後進給輥55b、導向輥58a-58h也優選對其表面以硬質鉻鍍敷進行加工。
濺鍍陰極54a-54d優選為磁控管陰極式，並與罐輥53相對地配置。關於濺鍍陰極54a-54d的尺寸並無特別限定，但優選濺鍍陰極54a-54d 的形成銅薄膜層之基材的寬度方向的尺寸比對向之形成銅薄膜層之基材寬度大。
進行銅薄膜層成膜的基材被輸送到作為輥對輥真空成膜裝置的輥對輥濺鍍裝置50內，並在與罐輥53相對的濺鍍陰極54a-54d處進行銅薄膜層的成膜。
以下，關於使用輥對輥濺鍍裝置50進行銅薄膜層的成膜時的順序進行說明。
首先，使用真空泵60a、60b對殼體51內進行真空排氣，該殼體51係在濺鍍陰極54a-54d上安裝有銅靶，並且在捲出輥52設置有進行銅薄膜層成膜的基材者。
然後，由氣體提供手段61向殼體51內導入惰性氣體、例如氬等之濺鍍氣體。關於氣體提供手段61的結構並無特別限定，可具備未圖示的氣體儲藏罐。並且，為了能夠控制向殼體51內提供各氣體的提供量，可以在氣體儲藏罐與殼體51之間，按照氣體種類設置質量流量控制器(MFC)611a、611b，及閥612a、612b。圖5顯示了設有2組質量流量控制器與閥的例子，但關於設置數量並無特別限定，可以根據所使用的氣體種類數，選擇設置數量。
由氣體提供手段61向殼體51內提供濺鍍氣體時，優選調整濺鍍氣體的流量、設在真空泵60b與殼體51之間的壓力調整閥62的開度，使殼體內保持例如0.13Pa以上1.3Pa以下，並進行成膜。
在該狀態下，從捲出輥52例如按每分鐘1m以上20m以下的速度輸送基材，並由連接於濺鍍陰極54a-54d的濺鍍用直流電源提供電力 來進行濺鍍放電。由此，能夠在基材上連續形成所希望的銅薄膜層。
輥對輥濺鍍裝置50中，除了上述之外，還可以根據需要配置各種構件。例如，可以設置用於測定殼體51內的壓力的壓力計63a、63b及通氣閥64a、64b等。
並且，如上所述，乾式鍍法之後可以利用濕式鍍法進一步進行銅層(銅鍍層)成膜。
利用濕式鍍法進行銅鍍層成膜的情況下，可將上述藉由乾式鍍法形成的銅薄膜層用作供電層。另外，在此情況下，作為在銅層形成階段中使銅堆積的銅層成膜手段，可優選使用電鍍成膜手段。
關於以銅薄膜層作為供電層並採用濕式鍍法形成銅鍍層的步驟中的條件，即，電鍍処理的條件並無特別限定，可採用常規方法中採用的諸條件。例如，向裝有銅鍍液的鍍槽內提供形成有銅薄膜層的基材，並控制電流密度或基材的輸送速度，從而可形成銅鍍層。
以下，關於合金層形成階段進行說明。
合金層形成階段如上所述，是在透明基材的至少一個面側由合金層成膜手段進行含有銅與鎳的合金層的成膜，而實現合金層成膜的階段。關於合金層形成步驟中將含有銅與鎳的合金層堆積的合金層成膜手段並無特別限定，例如優選減壓氛圍下的濺鍍成膜手段，即，濺鍍成膜法。
例如能夠使用如圖5所示的輥對輥濺鍍裝置50來適當進行合金層的成膜。關於輥對輥濺鍍裝置的結構上文已描述，在此省略說明。
以下關於使用輥對輥濺鍍裝置50進行合金層成膜時的順序的構成例進行說明。
首先，例如對在濺鍍陰極54a-54d上安裝有銅-鎳合金靶，並且在捲出輥52設置有形成合金層之基材的殼體51內，使用真空泵60a、60b進行真空排氣。然後，由氣體提供手段61向殼體51內導入惰性氣體、例如由氬構成的濺鍍氣體。此時，優選調整濺鍍氣體的流量、設在真空泵60b與殼體51之間的壓力調整閥62的開度，以使殼體51內保持例如0.13Pa以上1.3Pa以下，並實施成膜。
在該狀態下，從捲出輥52例如按每分鐘0.5m以上10m以下的速度輸送基材，並由連接於濺鍍陰極54a-54d的濺鍍用直流電源提供電力來進行濺鍍放電。由此，能夠在基材上連續形成所希望的合金層。
另外，如上所述，合金層可以含有銅與鎳，合金層所含的金屬成份中的鎳的比率優選為10質量%以上25質量%以下。
此外，合金層還可以含有銅、鎳及鋅，在合金層還含有鋅的情況下，合金層所含的金屬成份中，鎳的比率優選為10質量%以上25質量%以下，鋅的比率優選為10質量%以上30質量%以下。
因此，進行合金層成膜時使用的靶並不限定於上述銅-鎳合金靶，可以使用與於成膜的合金層的組成相應的靶。例如，還可以使用含有鋅的銅-鎳-鋅合金靶等。
至此說明了本實施方式的積層體基板的製造方法中包含的各步驟、階段。
藉由本實施方式的積層體基板之製造方法獲得的積層體基板，與上述積層體基板同樣，銅層的厚度優選為50nm以上，更優選為60nm以上，進而優選為150nm以上。關於銅層的厚度的上限值並無特別限定， 銅層的厚度優選為5000nm以下，更優選為3000nm以下。並且，銅層如上所述具有銅薄膜層及銅鍍層的情況下，銅薄膜層厚度與銅鍍層厚度的合計優選滿足上述範圍。
另外，關於合金層的厚度並無特別限定，例如優選為10nm以上，更優選為15nm。關於合金層的厚度的上限值並無特別限定，優選為70nm以下，更優選為50nm以下。
使用藉由本實施方式的積層體基板之製造方法獲得的積層體基板，能夠實現形成有「在銅層及合金層具有開口部之配線圖案」的導電性基板。導電性基板更優選是具有網格狀配線圖案的結構。
本實施方式的導電性基板的製造方法可具有下述之蝕刻步驟：對藉由上述積層體基板的製造方法獲得的積層體基板的銅層與合金層進行蝕刻，形成具有金屬細線的配線圖案，該金屬細線是具備銅配線層及合金配線層的積層體。並且，藉由該蝕刻步驟，可在銅層及合金層形成開口部。
在蝕刻步驟中，例如，首先在積層體基板的最表面形成具有開口部的抗蝕層，該開口部與蝕刻時將被去除的部分對應。例如，圖2A所示的積層體基板的情況，可以在積層體基板中配置的第2合金層132的被露出的表面A上形成抗蝕層。在此，關於具有與蝕刻時將被去除的部分對應的開口部的抗蝕層的形成方法並無特別限定，例如可以通過光刻法形成。
其次，可以從抗蝕層上表面開始提供蝕刻液，實施銅層12、第1合金層131及第2合金層132的蝕刻。
在此，如圖2B在透明基材11的兩面配置有銅層及合金層 的情況下，可以在積層體基板的表面A及表面B分別形成具有規定形狀之開口部的抗蝕層，並對形成於透明基材11兩面的銅層及合金層同時進行蝕刻。另外，關於形成於透明基材11兩側的銅層及合金層，也可以按每一側分別進行蝕刻処理。即，例如可以進行銅層12A、第1合金層131A及第2合金層132A之蝕刻之後，進行銅層12B、第1合金層131B及第2合金層132B之蝕刻。
關於蝕刻步驟中使用的蝕刻液並無特別限定，可優選使用一般用於銅層蝕刻的蝕刻液。
作為蝕刻步驟中使用的蝕刻液，例如可以優選使用包含從硫酸、過氧化氫水、鹽酸、二氯化銅及二氯化鐵中選擇的1種類的水溶液，或包含從上述硫酸等中選擇的2種類以上的混合水溶液。關於蝕刻液中各成份的含有量並無特別限定。
蝕刻液可以在室溫使用，為了提高反應性，也可以加溫使用，例如可以加溫至40℃以上50℃以下使用。
關於藉由上述蝕刻步驟而獲得的網格狀配線圖案的具體形態，上文中已描述，因此這裡省略說明。
並且，將圖1A、圖2A所示的在透明基材11的一個面側具有銅層及合金層的2片積層體基板提供給蝕刻步驟來形成導電性基板之後，並對2片導電性基板進行貼合而製為具有網格狀配線圖案的導電性基板的情況下，還可以進而設置對導電性基板進行貼合的步驟。此時，關於對2片導電性基板進行貼合的方法並無特別限定，例如可以使用光學接著劑(OCA)等進行貼合。
在此，藉由本實施方式的導電性基板的製造方法獲得的導電性基板，在L*a*b*表色系統中，優選合金配線層的波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下、L*為80以上。
其理由在於，合金配線層的波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下、L*為80以上的情況下，例如用於電子紙等的反射型顯示器用導電性基板時也尤其能夠抑制顯示器的識別性降低。另外，a*超過9時，有時會泛紅而不利於視覺。
以上關於本實施方式的積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法及導電性基板之製造方法進行了說明。根據上述積層體基板、或藉由積層體基板之製造方法獲得的積層體基板，由於設置合金層，因此能夠抑制由銅層所致的長波長光的反射。
並且，利用積層體基板形成例如電子紙等的反射型顯示器用導電性基板的情況下，能夠抑制顯示器的識別性降低。因此，能夠實現具有良好的識別性的導電性基板。
[實施例]
以下，根據本發明的實施例及比較例進一步詳細說明本發明，但本發明並不因這些實施例而受到任何限定。
(評價方法)
對以下各實施例、比較例中製作的積層體基板，進行了a*、L*測定。
在紫外可見分光光度計(株式會社 島津製作所製造 型號：UV-2600)設置積分球附屬裝置，以進行測定。
在各實施例中製作了具有圖2A結構的積層體基板，對圖2A 中的第2合金層132的露於外部的表面A照射波長380nm以上780nm以下範圍的光，以實施反射率測定。在此，使照射到積層體基板的光的波長，在波長380nm以上780nm以下的範圍內按每1nm變化波長，並對各波長的光進行了測定。然後，根據測定的反射率算出了該導電性基板的a*、L*。
(試樣的製作條件)
作為實施例、比較例，在以下說明的條件下製作了積層體基板，並以上述評價方法進行了評價。
〔實施例1〕
製作了具有圖2A所示的結構的積層體基板。
首先，實施了透明基材準備步驟。
具體而言，準備了寬度500mm、厚度100μm的光學用聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET)製的透明基材。
其次，實施了積層體形成步驟。
作為積層體形成步驟，實施了第1合金層形成階段、銅層形成步驟及第2合金層形成階段。以下進行具體說明。
首先，實施了第1合金層形成階段。
將準備的透明基材設置在圖5所示的輥對輥濺鍍裝置50。另外，在濺鍍陰極54a-54d上安裝了銅-10質量%Ni合金靶(住友金屬礦山(株)製造)。
然後，將輥對輥濺鍍裝置50的加熱器59加熱至100℃，對透明基材進行加熱，去除了基材中所含的水份。
接下來，使用真空泵60a、60b將殼體51內排氣至1×10-4Pa， 然後由氣體提供手段61向殼體51內導入氬氣，使氬氣流量成為240sccm。然後，由捲出輥52以每分2m的速度輸送透明基材，同時由連接於濺鍍陰極54a-54d的濺鍍用直流電源提供電力，進行濺鍍放電，在基材上連續形成所希望的第1合金層。藉由上述操作，在透明基材上形成了厚度20nm的第1合金層131。
然後，實施了銅層形成階段。
在銅層形成階段中，將安裝在濺鍍陰極的靶換成銅靶(住友金屬礦山(株)製造)，除此之外按照與第1合金層相同的方式，在第1合金層的上表面形成了厚度200nm的銅層。
在此，作為形成銅層的基材，使用了於第1合金層形成步驟中在透明基材上形成有第1合金層的基材。
然後，實施了第2合金層形成階段。
在第2合金層形成階段中，按照與第1合金層131相同的條件，在銅層12的上表面形成了第2合金層132(參照圖2A)。
按照上述順序對製成的積層體基板的波長380nm以上780nm以下的光的a*、L*進行測定及算出，結果波長380nm以上780nm以下的光的a*為7、L*為85。
評價結果如表1所示。
[實施例2~實施例6〕]
將第1、第2合金層的成膜時使用的濺鍍靶變更為表示1所示的組成，除此之外按照與實施例1相同的方式製作了積層體基板，並進行了評價。
結果示於表1。
[比較例1、比較例2〕]
將第1、第2合金層的成膜時使用的濺鍍靶變更為表1所示的組成，除此之外按照與實施例1相同的方式製作了積層體基板，並進行了評價。
結果示於表1。
Figure 105139021-A0202-12-0031-1
根據表1所示的結果，實施例1~實施例4中，合金層成膜時使用的濺鍍靶所含的金屬成份即銅及鎳中，鎳的比率為10質量%以上25質量%以下。另外，實施例5、實施例6中，合金層成膜時使用的濺鍍靶所含的金屬成份即銅、鎳及鋅中，鎳的比率為10質量%以上25質量%以下。並且，形成的合金層中也為相同組成。因此，確認到在L*a*b*表色系統中，合金層 的波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下且L*為80以上。因此，藉由蝕刻進行配線加工而將該積層體基板製為導電性基板，並作為電子紙等的反射型顯示器用導電性基板的情況下，尤其能夠提高顯示器的識別性。
相對而言，比較例1的合金層成膜時使用的濺鍍靶所含的金屬成份即銅及鎳中，鎳的比率小於10質量%，形成的合金層中也為相同組成，因此a*超過9。另外，比較例2的合金層成膜時使用的濺鍍靶所含的銅及鎳中，鎳的比率超過25質量%，形成的合金層中也為相同組成，因此L*小於80。
因此，藉由蝕刻來進行配線加工，而將比較例1、比較例2中製作的積層體基板製為導電性基板，並作為電子紙等的反射型顯示器用導電性基板的情況下，顯示器的識別性會降低。
以上，根據實施方式及實施例等說明了積層體基板、導電性基板、積層體基板之製造方法及導電性基板之製造方法，但本發明並不限定於上述實施方式及實施例等。在專利申請範圍記載的本發明要旨範圍內，可進行各種變形、變更。
本申請基於2015年11月30日向日本專利局提交的專利申請2015-234107號及2016年2月8日向日本專利局提交的專利申請2016-022265號，請求優先權，並引用專利申請2015-234107號及專利申請2016-022265號的全部內容。

Claims (9)

  1. 一種積層體基板，其具備：透明基材；及積層體，其形成於該透明基材的至少一個面側，該積層體具有合金層與銅層，該合金層含有銅、鎳與鋅，該合金層所含的金屬成份中鎳的比率為10質量%以上且25質量%以下，鋅的比率為10質量%以上且30質量%以下，在L*a*b*表色系統中，該合金層的波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下，L*為80以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之積層體基板，其中，該積層體具有作為該合金層的第1合金層及第2合金層，該銅層被配置在該第1合金層與該第2合金層之間。
  3. 一種導電性基板，其具備：透明基材；及金屬細線，其形成於該透明基材的至少一個面側，該金屬細線是具備合金配線層與銅配線層的積層體，該合金配線層含有銅、鎳與鋅，該合金配線層所含的金屬成份中，鎳的比率為10質量%以上且25質量%以下，鋅的比率為10質量%以上且30質量%以下，在L*a*b*表色系統中，該合金配線層的波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下，L*為80以上。
  4. 如申請專利範圍第3項之導電性基板，其中，該金屬細線具有作為 該合金配線層的第1合金配線層及第2合金配線層，該銅配線層被配置在該第1合金配線層與該第2合金配線層之間。
  5. 一種積層體基板之製造方法，其具有下述步驟：透明基材準備步驟，係準備透明基材；及積層體形成步驟，係在該透明基材的至少一個面側形成積層體，該積層體形成步驟包括下述階段：銅層形成階段，係由堆積銅的銅層成膜手段形成銅層；及合金層形成階段，係由將含有銅、鎳與鋅之合金層堆積的合金層成膜手段來形成合金層，該合金層形成階段是在減壓氛圍下實施，該合金層所含的金屬成份中，鎳的比率為10質量%以上且25質量%以下，鋅的比率為10質量%以上且30質量%以下。
  6. 如申請專利範圍第5項之積層體基板之製造方法，其中，該合金層成膜手段是濺鍍成膜法。
  7. 如申請專利範圍第5或6項之積層體基板之製造方法，其中，該合金層的厚度為10nm以上。
  8. 一種導電性基板之製造方法，其具有下述步驟，蝕刻步驟，係對採用申請專利範圍第5至第7項中的任一項之積層體基板的製造方法所獲得的積層體基板中之該銅層與該合金層進行蝕刻，形成具有金屬細線的配線圖案，該金屬細線是具備銅配線層與合金配線層的積層體，藉由該蝕刻步驟，在該銅層及該合金層形成開口部。
  9. 如申請專利範圍第8項之導電性基板之製造方法，其中，L*a*b*表色系統中，該合金配線層的波長380nm以上780nm以下的光的a*為9以下，L*為80以上。
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