WO2017057139A1 - 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a laminate substrate, a conductive substrate, a laminate substrate manufacturing method, and a conductive substrate manufacturing method.
  • a transparent conductive film for a touch panel in which an ITO (indium tin oxide) film is formed as a transparent conductive film on the surface of a transparent base material such as a transparent polymer film has been conventionally used. It has been.
  • a display with a touch panel has been increased in screen size, and in response to this, a conductive substrate such as a transparent conductive film for a touch panel is required to have a large area.
  • ITO has a high electric resistance value, there is a problem that it cannot cope with an increase in the area of the conductive substrate.
  • the conductive substrate provided with the copper wiring on the transparent base material is obtained by etching the copper layer so as to obtain a desired wiring pattern after obtaining the laminate substrate in which the copper layer is formed on the surface of the transparent base material. It is obtained by forming a copper wiring.
  • the conductive substrate having the blackened layer and the copper wiring on the transparent base material is obtained by obtaining a laminate substrate in which the blackened layer and the copper layer are laminated in this order on the surface of the transparent base material, and then the desired wiring. It is obtained by etching the blackened layer and the copper layer so as to form a pattern to form a wiring.
  • the blackened layer 2 patterned on the transparent substrate 1 and the copper wiring 3 patterned on the copper layer are laminated.
  • the conductive substrate can be made.
  • the etching rate of the blackened layer is significantly slower than that of the copper layer, as shown in FIG. 1B, the copper wiring 3 which is a patterned copper layer is etched on the side surface, so-called side Etching occurs.
  • the cross-sectional shape of the copper wiring 3 tends to be a trapezoid with a wide base, and if the etching is performed until electrical insulation between the copper wirings 3 is ensured, the wiring pitch width becomes too wide.
  • the patterned black layer 2 having a width as shown in FIG. 1C (bottom width) W A width W of the copper wiring 3
  • a state smaller than B that is, so-called undercut occurs.
  • Such undercuts are generated, depending on the degree, the width W B of a predetermined copper wiring 3, a contact width of the transparent substrate 1, a blackening layer 2 patterned bottom width W A
  • the ratio of the contact width decreases more than necessary, there is a problem that sufficient wiring contact strength cannot be obtained.
  • an object of the present invention is to provide a laminate substrate including a copper layer that can be simultaneously etched and a low-reflectance alloy layer.
  • the present invention A transparent substrate; A laminate formed on at least one surface side of the transparent substrate, The laminate is A low reflectivity alloy layer containing copper and nickel; A copper layer, Provided is a laminate substrate in which the proportion of nickel in the copper and nickel contained in the low reflectivity alloy layer is 30% by mass or more and 85% by mass or less.
  • a laminate substrate including a copper layer that can be simultaneously etched and a low reflectivity alloy layer.
  • the laminate substrate of the present embodiment can include a transparent substrate and a laminate formed on at least one surface side of the transparent substrate. And the laminated body has the low reflectance alloy layer containing copper and nickel, and a copper layer, and the ratio of nickel is 30 mass% among the copper and nickel which are contained in a low reflectance alloy layer. The content can be made 85 mass% or less.
  • substrate in this embodiment is a board
  • the conductive substrate is a wiring substrate having a copper wiring layer or a low reflectance alloy wiring layer patterned on the surface of a transparent base material to form a wiring.
  • the transparent substrate is not particularly limited, and a polymer film that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used.
  • a resin film such as a polyamide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a cycloolefin film, a polyimide film, or a polycarbonate film can be preferably used.
  • the thickness of the transparent base material is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the strength required when the conductive substrate is used, the light transmittance, and the like.
  • the thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less. In particular, when used for touch panel applications, it is preferably 20 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less. In the case of use for touch panel applications, for example, particularly in applications where it is required to reduce the thickness of the entire display, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • a laminated body is formed in the at least one surface side of a transparent base material, and can have a low-reflectance alloy layer and a copper layer.
  • the copper layer in order not to reduce the transmittance
  • a copper thin film layer may be formed using a dry plating method such as a sputtering method, an ion plating method, or a vapor deposition method, and the copper thin film layer may be used as a copper layer. it can.
  • a copper thin film layer can be formed by a dry plating method on a transparent substrate or a low reflectance alloy layer, and the copper plating layer can be formed by a wet plating method using the copper thin film layer as a power feeding layer.
  • the copper layer has a copper thin film layer and a copper plating layer.
  • a copper layer is formed directly on a transparent substrate or a low-reflectance alloy layer by using only a dry plating method or a combination of a dry plating method and a wet plating method without using an adhesive. This is preferable because it is possible.
  • the thickness of the copper layer is not particularly limited, and when the copper layer is used as a wiring, it can be arbitrarily selected according to the electrical resistance value, the wiring width, etc. of the wiring.
  • the copper layer preferably has a thickness of 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, and even more preferably 150 nm or more so that electricity flows sufficiently.
  • the upper limit value of the thickness of the copper layer is not particularly limited. However, when the copper layer is thick, side etching occurs because etching takes time when performing etching to form a wiring, and the resist peels off during the etching. Etc. are likely to occur.
  • the thickness of a copper layer is 5000 nm or less, and it is more preferable that it is 3000 nm or less.
  • the sum total of the thickness of a copper thin film layer and the thickness of a copper plating layer is the said range.
  • the copper layer Since the copper layer has a metallic luster, the copper layer reflects the light as described above only by forming the copper wiring layer as a wiring by etching the copper layer on the transparent base material. For example, as a wiring board for a touch panel When used, there is a problem that the visibility of the display is lowered. Therefore, a method of providing a blackened layer has been studied, but the blackened layer may not have sufficient reactivity with the etching solution, and the copper layer and the blackened layer are simultaneously etched into a desired shape. It was difficult.
  • the low reflectivity alloy layer disposed on the laminate substrate of the present embodiment contains copper and nickel.
  • substrate of this embodiment has almost no difference with the reactivity with respect to the etching liquid of a copper layer, and etching property is also favorable. Therefore, in the laminate substrate of this embodiment, the copper layer and the low reflectance alloy layer containing copper and nickel can be etched simultaneously.
  • the inventors of the present invention initially studied a method of forming a copper oxide layer obtained by oxidizing a part of the copper layer as a blackened layer capable of suppressing light reflection on the surface of the copper layer. And when a part of copper layer was oxidized and it was set as the blackening layer, it discovered that the non-stoichiometric copper oxide and the copper which are not oxidized may be contained in the blackening layer concerned.
  • an etchant capable of etching the copper layer can be suitably used as the etchant.
  • the blackened layer contains non-stoichiometric copper oxide, the copper layer tends to be eluted into an etchable solution.
  • the blackened layer contains a non-stoichiometric copper oxide that easily elutes with respect to the etching solution
  • the blackened layer is highly reactive with the etching solution, and compared with the copper layer, The etching rate is greatly increased. For this reason, when the copper layer and the blackened layer were simultaneously etched, the blackened layer was likely to be undercut.
  • the blackened layer in order to suppress undercutting, does not use oxygen, and in addition to copper, has a low reflectance that contains a nickel component that is difficult to dissolve in an etching solution. It can be an alloy layer.
  • the low reflectivity alloy layer of the laminate substrate of the present embodiment does not use oxygen and contains copper and nickel, so that the reactivity to the etching solution can be made equivalent to that of the copper layer. It is possible to etch the low reflectivity alloy layer and the copper layer simultaneously.
  • oxygen since oxygen is not used for the low-reflectance alloy layer, it does not contain oxygen, but it does not exclude the inclusion of a trace amount as an inevitable component.
  • the proportion of nickel is not particularly limited.
  • the proportion of nickel is 30% by mass or more and 85%. It is preferable that it is below mass%.
  • the ratio of nickel has shown the ratio when the sum total of content of the copper in a low-reflectance alloy layer and nickel is 100 mass% as mentioned above.
  • the low reflectance alloy layer can be formed by, for example, a sputtering method. However, if the ratio of nickel exceeds 85 mass%, magnetron sputtering film formation may be impossible.
  • a low-reflectance alloy layer and a copper layer can be laminated on a transparent base material as will be described later, and the low-reflectance alloy layer and the copper layer can be patterned by patterning. It can be a substrate. And when the ratio of nickel exceeds 85 mass% among copper and nickel contained in the low reflectivity alloy layer, when the low reflectivity alloy layer or the copper layer is etched to form an opening, it is removed by etching. May not be sufficient, and the surface of the transparent substrate may appear yellow. For this reason, it is preferable that the ratio of nickel is 85 mass% or less among copper and nickel contained in a low reflectance alloy layer as mentioned above.
  • the low reflectivity alloy layer can contain copper and nickel as metal species, and the metal species contained in the low reflectivity alloy layer can be composed only of copper and nickel, but is limited to copper and nickel only Is not to be done.
  • the low reflectance alloy layer may further contain 1% by mass or less of inevitable impurities as a metal species.
  • the low reflectance alloy layer only needs to contain copper and nickel, and the state in which each component is contained is not particularly limited.
  • the copper wiring layer and the low-reflectance alloy wiring layer of the conductive substrate obtained from the multilayer substrate of the present embodiment maintain the characteristics of the copper layer and the low-reflectance alloy layer of the multilayer substrate of the present embodiment, respectively.
  • the method for forming the low reflectivity alloy layer disposed on the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited.
  • the low reflectance alloy layer is preferably formed by, for example, a dry film forming method such as a sputtering method.
  • the low reflectivity alloy layer is formed by a sputtering method
  • a copper-nickel alloy target can be used while forming an inert gas used as a sputtering gas in the chamber.
  • the proportion of nickel in the copper-nickel alloy contained in the copper-nickel alloy is preferably 30% by mass or more and 85% by mass or less. This is the ratio of nickel in copper and nickel contained in the low-reflectance alloy layer to be deposited, and the copper-nickel target of the copper-nickel alloy target used for depositing the low-reflectance alloy layer. This is because the ratio of nickel in copper and nickel contained in the alloy is the same.
  • the inert gas for forming the low reflectance alloy layer is not particularly limited.
  • argon gas or xenon gas can be used, but argon gas can be preferably used.
  • the thickness of the low-reflectance alloy layer formed in the laminate substrate of the present embodiment is not particularly limited, and may be arbitrarily selected according to, for example, the degree to suppress light reflection on the copper layer surface. it can.
  • the lower limit of the thickness of the low reflectance alloy layer is preferably 10 nm or more, and more preferably 15 nm or more.
  • the upper limit is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
  • the low reflectivity alloy layer functions as a layer that suppresses the reflection of light on the surface of the copper layer as described above.
  • the thickness of the low reflectivity alloy layer is thin, the reflection of light by the copper layer is sufficiently suppressed. There are cases where it is not possible.
  • the thickness of the low reflectance alloy layer is 10 nm or more, reflection of light on the surface of the copper layer can be more reliably suppressed.
  • the upper limit of the thickness of the low-reflectance alloy layer is not particularly limited, but even if it is thicker than necessary, the time required for film formation and the time required for etching when forming a wiring become longer, resulting in a cost increase. Will lead to an increase.
  • the thickness of the low reflectance alloy layer is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
  • the laminate substrate of this embodiment can have a transparent base material and a laminate having a copper layer and a low reflectance alloy layer.
  • the order in which the copper layer and the low reflectance alloy layer in the laminate are arranged on the transparent substrate and the number of the layers are not particularly limited. That is, for example, the copper layer and the low-reflectance alloy layer can be laminated in any order on at least one surface side of the transparent substrate. Also, a plurality of copper layers and / or low reflectivity alloy layers can be formed in the laminate.
  • the surface of the copper layer has a low reflection on the surface of the copper layer where light reflection is particularly desired to be suppressed.
  • a rate alloy layer is preferably disposed.
  • the low reflectance alloy layer has a laminated structure in which the surface of the copper layer is formed.
  • the laminated body includes a first low reflectance alloy layer and a low reflectance alloy layer.
  • the copper layer has two layers of the second low reflectance alloy layer, and the copper layer is disposed between the first low reflectance alloy layer and the second low reflectance alloy layer.
  • FIG. 2A, FIG. 2B, FIG. 3A, and FIG. 3B show examples of sectional views in a plane parallel to the lamination direction of the transparent base material, the copper layer, and the low-reflectance alloy layer of the laminate substrate of this embodiment. Yes.
  • the copper layer 12 and the low reflectance alloy layer 13 can be laminated one layer at a time on the one surface 11a side of the transparent substrate 11.
  • the copper layers 12A and 12B are respectively formed on one surface 11a side of the transparent base material 11 and the other surface (the other surface) 11b side.
  • the reflectance alloy layers 13A and 13B can be stacked one by one in that order.
  • the order in which the copper layer 12 (12A, 12B) and the low reflectivity alloy layer 13 (13A, 13B) are stacked is not limited to the example of FIGS.
  • the reflectance alloy layer 13 (13A, 13B) and the copper layer 12 (12A, 12B) can also be laminated in this order.
  • a structure in which a plurality of low-reflectance alloy layers are provided on one surface side of the transparent substrate 11 may be employed.
  • the first low reflectance alloy layer 131, the copper layer 12, and the second low reflectance alloy layer are formed on the one surface 11a side of the transparent base material 11.
  • 132 can be stacked in that order.
  • the low-reflectance alloy layer includes the first low-reflectance alloy layer 131 and the second low-reflectance alloy layer 132
  • the copper layer 12 includes the first low-reflectance alloy layer 131 and the second low-reflectance alloy layer 131. It is possible to more reliably suppress reflection of light incident from the upper surface side and the lower surface side of the copper layer 12.
  • a configuration in which a copper layer, a first low reflectance alloy layer, and a second low reflectance alloy layer are laminated on both surfaces of the transparent substrate 11 can be adopted.
  • the first low reflectivity is respectively provided on the one surface 11a side and the other surface (the other surface) 11b side of the transparent base material 11.
  • Alloy layers 131A and 131B, copper layers 12A and 12B, and second low reflectance alloy layers 132A and 132B can be stacked in that order.
  • the first low reflectivity alloy layer 131 (131A, 131B) and the second low reflectivity alloy layer 132 (132A, 132B) are both low reflectivity alloy layers containing copper and nickel. Can be manufactured by the same manufacturing method.
  • the layers are laminated on the upper and lower sides of the transparent substrate 11 with the transparent substrate 11 as a symmetry plane.
  • positioned so that becomes symmetrical was shown, it is not limited to the form which concerns.
  • the configuration on the one surface 11a side of the transparent substrate 11 is a configuration in which a copper layer 12A and a low-reflectance alloy layer 13A are stacked in that order, similarly to the configuration of FIG.
  • the surface (the other surface) 11b side of the transparent substrate 11 is formed by laminating the first low reflectance alloy layer 131B, the copper layer 12B, and the second low reflectance alloy layer 132B in that order.
  • the layers stacked one above the other may be asymmetrical.
  • the degree of light reflection of the laminate substrate of the present embodiment is not particularly limited.
  • the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is preferably 55% or less, and 40% or less. It is more preferable that it is 30% or less. This is because when the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 55% or less, for example, when the laminate substrate of this embodiment is used as a conductive substrate for a touch panel, the visibility of the display is reduced. It is because it can suppress especially.
  • the regular reflectance of the laminate substrate can be measured by irradiating the low reflectance alloy layer with light. That is, measurement can be performed by irradiating light from the low reflectance alloy layer side of the copper layer and the low reflectance alloy layer included in the multilayer substrate. Specifically, for example, when the copper layer 12 and the low reflectance alloy layer 13 are laminated in this order on one surface 11a of the transparent substrate 11 as shown in FIG. 2A, the low reflectance alloy layer 13 can be irradiated with light. It can be measured by irradiating the surface A of the low reflectance alloy layer 13 with light.
  • the arrangement of the copper layer 12 and the low reflectance alloy layer 13 is changed, and when the low reflectance alloy layer 13 and the copper layer 12 are laminated in this order on one surface 11a of the transparent substrate 11, the low
  • the regular reflectance can be measured by irradiating the low reflectance alloy layer with light from the surface 11b side of the transparent substrate 11 so that the reflectance alloy layer 13 can be illuminated with light.
  • the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less means an average value of measurement results when the wavelength is changed within a range of 400 nm or more and 700 nm or less.
  • the width for changing the wavelength is not particularly limited. For example, it is preferable to measure the light in the wavelength range by changing the wavelength every 10 nm, and changing the wavelength every 1 nm to change the wavelength in the wavelength range. More preferably, the measurement is performed on light.
  • the laminated substrate can be formed into a conductive substrate by forming a thin metal wire by wiring a copper layer and a low reflectance alloy layer by etching.
  • the regular reflectance of light on the conductive substrate means the regular reflectance on the light incident surface of the low reflectance alloy layer disposed on the outermost surface when the transparent substrate is removed.
  • the conductive substrate of the present embodiment can include a transparent base material and fine metal wires formed on at least one surface side of the transparent base material.
  • the thin metal wire is a laminate comprising a low-reflectance alloy wiring layer containing copper and nickel, and a copper wiring layer, and among the copper and nickel contained in the low-reflectance alloy wiring layer, The ratio of nickel can be 30% by mass or more and 85% by mass or less.
  • the conductive substrate of this embodiment can be obtained, for example, by wiring the above-described laminated substrate. And in the electroconductive board
  • the conductive substrate of this embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a touch panel, for example.
  • the conductive substrate can have a wiring pattern formed by providing openings in the copper layer and the low reflectivity alloy layer in the above-described laminated body substrate. More preferably, it can be set as the structure provided with the mesh-shaped wiring pattern.
  • a conductive substrate on which a wiring pattern having openings is formed can be obtained by etching the copper layer and the low-reflectance alloy layer of the laminate substrate described so far. And it can be set as the electroconductive board
  • FIG. FIG. 4 shows a view of the conductive substrate 30 having a mesh-like wiring pattern as viewed from the upper surface side in the stacking direction of the copper wiring layer and the low-reflectance alloy wiring layer.
  • the conductive substrate 30 shown in FIG. 4 includes a transparent substrate 11, a plurality of copper wiring layers 31B parallel to the X-axis direction in the drawing, and a copper wiring layer 31A parallel to the Y-axis direction.
  • the copper wiring layers 31A and 31B can be formed by etching the above-described laminated substrate, and a low reflectance alloy wiring layer (not shown) is formed on the upper surface and / or the lower surface of the copper wiring layers 31A and 31B. Yes. Further, the low reflectance alloy wiring layer is etched in substantially the same shape as the copper wiring layers 31A and 31B.
  • the arrangement of the transparent substrate 11 and the copper wiring layers 31A and 31B is not particularly limited.
  • positioning with the transparent base material 11 and a copper wiring layer is shown in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG.
  • copper wiring layers 31 ⁇ / b> A and 31 ⁇ / b> B may be disposed on the upper and lower surfaces of the transparent substrate 11, respectively.
  • the first low-reflectance alloy wiring etched in substantially the same shape as the copper wiring layers 31A and 31B is formed on the transparent substrate 11 side of the copper wiring layers 31A and 31B.
  • Layers 321A and 321B are disposed.
  • second low-reflectance alloy wiring layers 322A and 322B are disposed on the surface of the copper wiring layers 31A and 31B opposite to the transparent substrate 11.
  • the fine metal wires include the first low reflectance alloy wiring layers 321A and 321B and the second low reflectance alloy wiring layers 322A and 322B as the low reflectance alloy wiring layers.
  • the copper wiring layers 31A and 31B are disposed between the first low reflectance alloy wiring layers 321A and 321B and the second low reflectance alloy wiring layers 322A and 322B. .
  • the example which provided the 1st low reflectance alloy wiring layer and the 2nd low reflectance alloy wiring layer was shown here, it is not limited to the form which concerns.
  • only one of the first low reflectance alloy wiring layer and the second low reflectance alloy wiring layer may be provided.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIG. 4 includes, for example, copper layers 12A and 12B and low-reflectance alloy layers 13A and 13B (131A, 131A, 131B on both sides of the transparent base 11 as shown in FIGS. 2B and 3B. 132A, 131B, 132B).
  • the conductive substrate provided with the first low reflectance alloy wiring layer and the second low reflectance alloy wiring layer shown in FIG. 5 can be formed from the laminate substrate shown in FIG. 3B. .
  • the copper layer 12A, the first low reflectivity alloy layer 131A, and the second low reflectivity alloy layer 132A on the one surface 11a side of the transparent substrate 11 are arranged in a plurality of parallel directions in the Y-axis direction in FIG. 3B. Etching is performed so that the linear pattern is arranged at a predetermined interval along the X-axis direction.
  • the Y-axis direction in FIG. 3B indicates a direction perpendicular to the paper surface.
  • the X-axis direction in FIG. 3B means a direction parallel to the width direction of each layer.
  • the copper layer 12B, the first low reflectivity alloy layer 131B, and the second low reflectivity alloy layer 132B on the other surface 11b side of the transparent substrate 11 are arranged in a plurality of parallel to the X-axis direction in FIG. 3B. Etching is performed so that the linear patterns are arranged at predetermined intervals along the Y-axis direction.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIGS. 4 and 5 can be formed by the above operation. Note that the etching of both surfaces of the transparent substrate 11 can be performed simultaneously. That is, the etching of the copper layers 12A and 12B, the first low reflectance alloy layers 131A and 131B, and the second low reflectance alloy layers 132A and 132B may be performed simultaneously.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIG. 4 can be formed by using two stacked substrates shown in FIG. 2A or FIG. 3A.
  • the case where the conductive substrate of FIG. 3A is used will be described as an example.
  • the alloy layer 132 is etched so that a plurality of linear patterns parallel to the X-axis direction are arranged at predetermined intervals along the Y-axis direction.
  • the conductive substrate having mesh-like wiring is obtained by bonding the two conductive substrates so that the linear patterns formed on the respective conductive substrates intersect with each other by the etching process. be able to.
  • the surface to be bonded when the two conductive substrates are bonded is not particularly limited.
  • the configuration shown in FIG. 5 can be obtained by bonding the surfaces 11b of the transparent base material 11 in FIG.
  • the width of the fine metal wires and the distance between the fine metal wires in the conductive substrate having the mesh-like wiring shown in FIG. 4 are not particularly limited, and for example, according to the electrical resistance value required for the fine metal wires, etc. Can be selected.
  • the width of the fine metal wire so that the transparent substrate and the fine metal wire have sufficient adhesion.
  • the conductive substrate of this embodiment has a wiring pattern formed by wiring the above-described laminated substrate and providing openings in the copper layer and the low reflectance alloy layer in the laminated substrate. For this reason, the opening part which exposes a transparent base material is provided between the metal fine wires contained in a wiring pattern.
  • permeability of the light with a wavelength of 400 to 700 nm of a transparent base material is 3.0% or less. Is preferred.
  • the average reduction rate of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of the opening is 3.0% from the average of transmittance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less of the transparent base material used for the laminate substrate. This is because when the content exceeds 50%, the transparent base material may appear yellow when visually observed.
  • the above reduction rate exceeds 3.0% because the etching rate of the low reflectance alloy layer is slow when etching the low reflectance alloy layer and the copper layer, and the low reflectance alloy layer and the copper layer can be etched simultaneously. Because it is not. For this reason, it is preferable that the ratio of nickel is 85 mass% or less among copper and nickel contained in the low reflectance alloy layer as described above.
  • a blackening layer containing a chemically non-stoichiometric oxide of nickel and copper is used in place of the low-reflectance alloy layer, the etching property is lowered due to the content ratio of nickel and copper and their oxidation state.
  • the reduction rate exceeds 3.0% and the transparent substrate is visually observed, the color may appear yellow.
  • a laminate substrate having a blackened layer using a chemically non-stoichiometric oxide requires control of the sputtering atmosphere when forming the blackened layer, and thus it is difficult to optimize manufacturing conditions. There is also.
  • the laminated substrate according to this embodiment uses a low-reflectance alloy layer for the blackened layer, it is only necessary to control the composition of nickel and copper, so that the manufacturing conditions can be easily optimized.
  • the degree of light reflection of the conductive substrate of the present embodiment is not particularly limited.
  • the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is preferably 55% or less. % Or less is more preferable, and it is further more preferable that it is 30% or less. This is because, when the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm or more and 700 nm or less is 55% or less, for example, when it is used as a conductive substrate for a touch panel, a reduction in display visibility can be particularly suppressed.
  • the conductive substrate having a mesh-like wiring composed of the two-layer wiring of the present embodiment described so far can be preferably used as a conductive substrate for a projected capacitive touch panel, for example.
  • Manufacturing method of laminate substrate, manufacturing method of conductive substrate Next, the structural example of the manufacturing method of the laminated body board
  • substrate of this embodiment can have the following processes.
  • the said laminated body formation process can include the following steps.
  • the low reflectivity alloy layer forming step is preferably performed in a reduced pressure atmosphere. Moreover, it is preferable that the ratio of nickel is 30 to 85 mass% among copper and nickel contained in the low reflectance alloy layer.
  • the manufacturing method of the multilayer substrate according to the present embodiment will be described, but the description thereof is omitted because the configuration can be the same as that of the above-described multilayer substrate except for the points described below.
  • the order of lamination when the copper layer and the low reflectance alloy layer are arranged on the transparent substrate is not particularly limited. Further, a plurality of copper layers and low-reflectance alloy layers can be formed. For this reason, the order in which the copper layer forming step and the low reflectance alloy layer forming step are performed and the number of times of performing the steps are not particularly limited, and are arbitrary according to the structure of the laminate substrate to be formed. It can be implemented at times and timings.
  • the step of preparing the transparent base material is a step of preparing a transparent base material composed of, for example, a polymer film that transmits visible light or a glass substrate, and the specific operation is not particularly limited. For example, it can be cut into an arbitrary size as necessary for use in the subsequent steps and steps.
  • transmits visible light is already stated, description is abbreviate
  • the laminated body forming step is a step of forming a laminated body on at least one surface side of the transparent substrate, and includes a copper layer forming step and a low reflectance alloy layer forming step. For this reason, each step will be described below.
  • the copper layer can be formed by a copper layer forming means for depositing copper on at least one surface side of the transparent substrate.
  • the copper layer forming step it is preferable to form a copper thin film layer using a dry plating method. Moreover, when making a copper layer thicker, it is preferable to form a copper plating layer further using a wet plating method after forming a copper thin film layer by a dry plating method.
  • the copper layer forming step can include a step of forming a copper thin film layer by, for example, a dry plating method.
  • the copper layer forming step may include a step of forming a copper thin film layer by a dry plating method and a step of forming a copper plating layer by a wet plating method using the copper thin film layer as a power feeding layer. .
  • the above copper layer film forming means is not limited to one film forming means, and a plurality of film forming means can be used in combination.
  • a copper layer is formed directly on a transparent substrate or a low-reflectance alloy layer by using only a dry plating method or a combination of a dry plating method and a wet plating method without using an adhesive. This is preferable because it is possible.
  • the dry plating method is not particularly limited, but a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, or the like can be preferably used in a reduced pressure atmosphere.
  • sputtering film forming means can be preferably used as the copper layer film forming means for depositing copper in the copper layer forming step.
  • the copper thin film layer can be suitably formed using, for example, the roll-to-roll sputtering apparatus 60 shown in FIG.
  • the process of forming a copper thin film layer will be described below using a roll-to-roll sputtering apparatus as an example.
  • FIG. 6 shows a configuration example of a roll-to-roll sputtering apparatus 60.
  • the roll-to-roll sputtering apparatus 60 includes a housing 61 that houses most of the components.
  • the shape of the housing 61 is shown as a rectangular parallelepiped shape, but the shape of the housing 61 is not particularly limited, and may be any shape depending on the device accommodated therein, the installation location, the pressure resistance performance, and the like. It can be.
  • the shape of the housing 61 can be a cylindrical shape.
  • the inside of the housing 61 can be depressurized to 1 Pa or less, more preferably 10 ⁇ 3 Pa or less, and more preferably 10 ⁇ 4 Pa or less. More preferably, it can be done. Note that it is not necessary that the entire inside of the casing 61 can be depressurized to the above pressure, and it can be configured such that only the lower region in the drawing where the can roll 63 described later is disposed can be depressurized to the above pressure. .
  • an unwinding roll 62 a can roll 63, sputtering cathodes 64a to 64d, a front feed roll 65a, a rear feed roll 65b, tension rolls 66a and 66b, which supply a substrate for forming a copper thin film layer,
  • a winding roll 67 can be arranged.
  • guide rolls 68a to 68h, a heater 69, and the like can be optionally provided on the transport path of the base material on which the copper thin film layer is formed.
  • the unwinding roll 62, the can roll 63, the front feed roll 65a, and the winding roll 67 can be provided with power by a servo motor.
  • the unwinding roll 62 and the winding roll 67 are configured to maintain the tension balance of the base material on which the copper thin film layer is formed by torque control using a powder clutch or the like.
  • the structure of the can roll 63 is not particularly limited, for example, the surface thereof is finished with hard chrome plating, and a coolant or a heating medium supplied from the outside of the casing 61 circulates inside the can roll 63 so that the temperature can be adjusted to a constant temperature. It is preferable that it is comprised.
  • the tension rolls 66a and 66b are preferably finished with hard chrome plating, for example, and provided with a tension sensor.
  • the front feed roll 65a, the rear feed roll 65b, and the guide rolls 68a to 68h are preferably finished with hard chrome plating.
  • the sputtering cathodes 64a to 64d are of a magnetron cathode type and face the can roll 63.
  • the size of the sputtering cathodes 64a to 64d is not particularly limited, but the width dimension of the substrate on which the copper thin film layer of the sputtering cathodes 64a to 64d is formed is wider than the width of the substrate on which the opposing copper thin film layer is formed. It is preferable.
  • the substrate on which the copper thin film layer is formed is transported through a roll-to-roll sputtering apparatus 60 that is a roll-to-roll vacuum film forming apparatus, and the copper thin film is formed by sputtering cathodes 64 a to 64 d facing the can roll 63.
  • a layer is deposited.
  • a copper target is mounted on the sputtering cathodes 64a to 64d, and the inside of the casing 61 in which the base material for forming the copper thin film layer is set on the unwinding roll 62 is evacuated by the vacuum pumps 70a and 70b.
  • an inert gas for example, a sputtering gas such as argon is introduced into the casing 61 by the gas supply means 71.
  • the configuration of the gas supply means 71 is not particularly limited, but can have a gas storage tank (not shown).
  • mass flow controllers (MFC) 711a and 711b and valves 712a and 712b are provided for each gas type between the gas storage tank and the casing 61 so that the supply amount of each gas into the casing 61 can be controlled.
  • MFC mass flow controllers
  • FIG. 6 shows an example in which two sets of mass flow controllers and valves are provided, the number to be installed is not particularly limited, and the number to be installed can be selected according to the number of gas types to be used.
  • the sputtering gas When the sputtering gas is supplied into the casing 61 by the gas supply means 71, the flow rate of the sputtering gas and the opening degree of the pressure adjustment valve 72 provided between the vacuum pump 70b and the casing 61 are adjusted. Then, it is preferable to carry out film formation while maintaining the inside of the apparatus at, for example, 0.13 Pa or more and 1.3 Pa or less.
  • various members can be arranged in the roll-to-roll sputtering apparatus 60 as necessary.
  • pressure gauges 73a and 73b for measuring the pressure in the housing 61 and vent valves 74a and 74b can be provided.
  • a copper layer (copper plating layer) can be further formed using a wet plating method after dry plating.
  • the copper thin film layer formed by the dry plating described above can be used as a power feeding layer.
  • electroplating film forming means can be preferably used as the copper layer forming means for depositing copper in the copper layer forming step.
  • the conditions in the step of forming the copper plating layer by the wet plating method using the copper thin film layer as the power feeding layer that is, the conditions of the electroplating treatment are not particularly limited, and various conditions according to ordinary methods may be adopted.
  • a copper plating layer can be formed by supplying a base material on which a copper thin film layer is formed in a plating tank containing a copper plating solution and controlling the current density and the conveyance speed of the base material.
  • the low-reflectance alloy layer forming step is a low-reflectance alloy layer forming means for forming a low-reflectance alloy layer containing copper and nickel on at least one surface side of the transparent substrate. This is a step of forming a low reflectivity alloy layer.
  • the low-reflectance alloy layer forming means for depositing the low-reflectance alloy layer containing copper and nickel in the low-reflectance alloy layer forming step is not particularly limited, but, for example, sputtering film formation in a reduced-pressure atmosphere A means, that is, a sputtering film forming method is preferable.
  • the low reflectivity alloy layer can be suitably formed using, for example, the roll-to-roll sputtering apparatus 60 shown in FIG. Since the configuration of the roll-to-roll sputtering apparatus has already been described, the description thereof is omitted here.
  • a copper-nickel alloy target is mounted on the sputtering cathodes 64a to 64d, and the inside of the casing 61 in which the base material on which the low reflectance alloy layer is formed is set on the unwinding roll 62 is evacuated by the vacuum pumps 70a and 70b. . Thereafter, an inert gas, for example, a sputtering gas made of argon is introduced into the casing 61 by the gas supply means 71. At this time, the flow rate of the sputtering gas and the opening of the pressure adjustment valve 72 provided between the vacuum pump 70b and the housing 61 are adjusted to maintain the inside of the housing 61 at, for example, 0.13 Pa or more and 13 Pa or less. It is preferable to perform film formation.
  • an inert gas for example, a sputtering gas made of argon
  • the copper layer preferably has a thickness of 50 nm or more, more preferably 60 nm or more, as in the above-described laminate substrate. More preferably, it is 150 nm or more.
  • the upper limit value of the thickness of the copper layer is not particularly limited, but the thickness of the copper layer is preferably 5000 nm or less, and more preferably 3000 nm or less.
  • the sum total of the thickness of a copper thin film layer and the thickness of a copper plating layer is the said range.
  • the thickness of the low reflectance alloy layer is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more, and more preferably 15 nm or more, for example.
  • the upper limit of the thickness of the low reflectance alloy layer is not particularly limited, but is preferably 70 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
  • the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is preferably 55% or less, and preferably 40% or less. More preferably, it is more preferably 30% or less.
  • a conductive substrate in which a wiring pattern having openings in copper layers and low-reflectance alloy layers can be obtained. More preferably, the conductive substrate can be configured to include mesh-like wiring.
  • the conductive substrate manufacturing method according to the present embodiment is obtained by etching the copper layer and the low-reflectance alloy layer of the multilayer substrate obtained by the above-described multilayer substrate manufacturing method.
  • An etching process for forming a wiring pattern having a fine metal wire that is a laminate including a reflectance alloy wiring layer can be provided.
  • an opening part can be formed in a copper layer and a low reflectance alloy layer by the etching process which concerns.
  • a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is formed on the outermost surface of the multilayer substrate.
  • a resist can be formed on the exposed surface A of the low reflectance alloy layer 13 disposed on the laminated substrate 10A.
  • a method for forming a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is not particularly limited.
  • the resist can be formed by a photolithography method.
  • the copper layer 12 and the low reflectivity alloy layer 13 can be etched by supplying an etching solution from the upper surface of the resist.
  • the copper layer and the low reflectance alloy layer that are formed and formed on both surfaces of the transparent substrate 11 may be etched simultaneously.
  • the copper layer and the low reflectivity alloy layer formed on both sides of the transparent substrate 11 can be subjected to an etching process on one side. That is, for example, after the copper layer 12A and the low reflectance alloy layer 13A are etched, the copper layer 12B and the low reflectance alloy layer 13B can be etched.
  • the low-reflectance alloy layer formed by the method for manufacturing a laminate substrate according to the present embodiment exhibits the same reactivity with an etching solution as the copper layer.
  • the etching solution used in the etching step is not particularly limited, and an etching solution generally used for etching the copper layer can be preferably used.
  • an aqueous solution used in the etching process for example, an aqueous solution containing one type selected from sulfuric acid, hydrogen peroxide solution, hydrochloric acid, cupric chloride, and ferric chloride, or two or more types selected from the above sulfuric acid, etc.
  • a mixed aqueous solution containing can be more preferably used.
  • the content of each component in the etching solution is not particularly limited.
  • the etching solution can be used at room temperature, it is preferably heated to increase the reactivity. For example, it is preferably heated to 40 ° C. or more and 50 ° C. or less.
  • FIG. 2A and FIG. 3A are used to form a conductive substrate by subjecting two laminated substrates having a copper layer and a low-reflectance alloy layer to one surface side of the transparent base material 11 shown in FIGS.
  • a step of bonding the conductive substrates can be further provided.
  • a method for bonding the two conductive substrates is not particularly limited, and the bonding can be performed using, for example, an optical adhesive (OCA) or the like.
  • the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is preferably 55% or less, and preferably 40% or less. More preferably, it is more preferably 30% or less.
  • substrate were demonstrated.
  • the copper layer and the low reflectivity alloy layer exhibit substantially the same reactivity with the etching solution.
  • substrate provided with the copper layer which can perform an etching process simultaneously, and a low reflectance alloy layer can be provided.
  • the copper wiring layer of a desired shape and a low reflectance alloy wiring layer can be formed easily.
  • the low-reflectance alloy wiring layer it is possible to suppress the reflection of light by the copper wiring layer. For example, when a conductive substrate for a touch panel is used, a decrease in visibility can be suppressed. For this reason, it can be set as the electroconductive board
  • the measurement was performed by installing a reflectance measurement unit in an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, model: UV-2550).
  • a laminate substrate having the structure of FIG. 3A was produced.
  • the reflectance was measured at an incident angle of 5 ° with respect to the surface C exposed to the outside of the second low reflectance alloy layer 132 in FIG.
  • the measurement was performed by irradiating light having a wavelength of 400 nm to 700 nm with a light receiving angle of 5 °.
  • the light irradiated to the laminate substrate is measured for regular reflectance with respect to light of each wavelength by changing the wavelength every 1 nm within a wavelength range of 400 nm or more and 700 nm or less, and the average of the measurement results is obtained.
  • the average of the regular reflectance of the substrate was used.
  • (2) Reduction rate of total light transmittance of opening part The total light transmittance was measured about the opening part between the metal fine wires which expose the transparent base material of the electroconductive board
  • the measurement was performed by installing an integrating sphere attachment device on the ultraviolet-visible spectrophotometer when measuring the regular reflectance.
  • the irradiated light is measured for the transmittance of each wavelength light by changing the wavelength every 1 nm within the wavelength range of 400 nm to 700 nm, and the average of the measurement results is the total light of the opening of the conductive substrate.
  • the average transmittance was used.
  • the average of the total light transmittance was measured in the same manner for the transparent base material used when the laminate substrate was manufactured in advance.
  • a transparent substrate made of optical polyethylene terephthalate resin (PET) having a width of 500 mm and a thickness of 100 ⁇ m was prepared.
  • the 1st low reflectance alloy layer formation step, the copper layer formation step, and the 2nd low reflectance alloy layer formation step were implemented. This will be specifically described below.
  • the first low reflectivity alloy layer forming step was performed.
  • the prepared transparent base material was set in the roll-to-roll sputtering apparatus 60 shown in FIG. Further, a copper-30 mass% Ni alloy target (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.) was attached to the sputtering cathodes 64a to 64d.
  • the heater 69 of the roll-to-roll sputtering apparatus 60 was heated to 100 ° C., the transparent base material was heated, and water contained in the base material was removed.
  • the argon gas was introduced into the casing 61 by the gas supply means 71 so that the flow rate of argon gas was 240 sccm. .
  • power is supplied from the direct current power source for sputtering connected to the sputtering cathodes 64a to 64d, and sputtering discharge is performed.
  • the first low reflectivity alloy layer was continuously formed. By this operation, the first low reflectance alloy layer 131 was formed on the transparent substrate so as to have a thickness of 20 nm.
  • the first low-reflectivity layer is the same as the first low-reflectance alloy layer except that the target mounted on the magnetron sputtering cathode is changed to a copper target (manufactured by Sumitomo Metal Mining Co., Ltd.).
  • a copper layer was formed on the upper surface of the rate alloy layer so as to have a thickness of 200 nm.
  • the base material which formed the 1st low reflectance alloy layer on the transparent base material at the 1st low reflectance alloy layer formation process was used as a base material which forms a copper layer.
  • the second low reflectance alloy layer 132 was formed on the upper surface of the copper layer 12 under the same conditions as the first low reflectance alloy layer 131 (see FIG. 3A).
  • the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm of the produced laminate substrate was measured by the above-described procedure, and the average regular reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm was 55%.
  • etching step first, a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching was formed on the surface C in FIG. 3A of the manufactured laminate substrate. Then, the substrate was immersed for 1 minute in an etching solution consisting of 10% by weight of ferric chloride, 10% by weight of hydrochloric acid, and the balance water.
  • the total light transmittance of the opening was measured for the produced conductive substrate.
  • Example 2 to Example 6 A laminated substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the composition of the sputtering target used when forming the first and second low reflectance alloy layers was changed as shown in Table 1. Evaluation was performed.
  • a conductive substrate was produced from the produced laminate substrate in the same manner as in Example 1 and evaluated.
  • Comparative Example 1 a laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the composition of the sputtering target used when forming the first and second low reflectance alloy layers was changed as shown in Table 1. A substrate was prepared and evaluated.
  • first and second blackening layers were formed in place of the first and second low reflectance alloy layers.
  • the first and second blackening layers were supplied with oxygen in addition to the argon gas when the composition of the sputtering target used when forming the film was changed as shown in Table 1 and when the blackening layer was formed. Except for the points, the film was formed in the same manner as in the case of the low reflectance alloy layer of Example 1. Further, a laminate substrate was produced in the same manner as in Example 1 except for the blackened layer.
  • a conductive substrate was produced from the laminate substrate produced in Comparative Examples 1 to 3 in the same manner as in Example 1 and evaluated.
  • the reduction rate of the total light transmittance of the opening was 3.0% or less. That is, the copper layer and the first and second low reflectance alloy layers could be etched simultaneously.
  • the ratio of nickel is 30% by mass or more and 85% by mass or less among the copper and nickel contained in the sputtering target used when forming the first and second low reflectance alloy layers. This is probably because the low-reflectance alloy layer also had the same composition. That is, it is considered that the reactivity of the low-reflectance alloy layer to the etching solution can be made equal to that of the copper layer.
  • Comparative Example 1 the ratio of nickel is less than 30% by mass of copper and nickel contained in the sputtering target used when the low-reflectance alloy layer is formed.
  • the rate alloy layer also had the same composition. For this reason, the regular reflectance has exceeded 55%.
  • the reduction rate of the total light transmittance of the opening exceeds 3.0%, and it can be confirmed that the etching rate of the blackened layer was slow compared to the copper layer. It was confirmed that the reduction rate of the total light transmittance of the opening was 3.5% and it looked yellow visually.
  • the laminated body substrate, the conductive substrate, the manufacturing method of the laminated body substrate, and the manufacturing method of the conductive substrate have been described in the above embodiments and examples, the present invention is not limited to the above embodiments and examples. Various modifications and changes are possible within the scope of the gist of the present invention described in the claims.

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Abstract

透明基材と、　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、　前記積層体が、　銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金層と、　銅層とを有し、　前記低反射率合金層に含まれる前記銅、及び前記ニッケルのうち、前記ニッケルの割合が３０質量％以上８５質量％以下である積層体基板を提供する。

Description

積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法
　本発明は、積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法に関する。
　特許文献１に開示されているように、透明な高分子フィルム等の透明基材の表面に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム－スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
　ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
　このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯの配線にかえて、銅等の配線を用いることが検討されている。しかし、例えば配線に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
　そこで、銅等の配線と共に、配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。
日本国特開２００３－１５１３５８号公報 日本国特開２０１１－０１８１９４号公報 日本国特開２０１３－０６９２６１号公報
　ところで、透明基材上に銅配線を備えた導電性基板は、透明基材の表面に銅層を形成した積層体基板を得た後に、所望の配線パターンとなるように銅層をエッチングして銅配線を形成することで得られる。また、透明基材上に黒化層と銅配線とを有する導電性基板は、透明基材の表面に黒化層と銅層とをその順に積層した積層体基板を得た後に、所望の配線パターンとなるように黒化層と銅層とをエッチングして配線を形成することで得られる。
　黒化層、及び銅層をエッチングすることで、例えば、図１Ａに示すように、透明基材１上にパターン化された黒化層２と、銅層をパターン化した銅配線３とが積層された導電性基板とすることができる。この場合、パターン化された黒化層２の幅ＷＡと、銅配線３の幅ＷＢとを略同一とすることが好ましい。
　しかし、エッチング液に対する反応性が銅層と黒化層とで大きく異なるという問題があった。すなわち、銅層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が図１Ａに示したような目的の形状にエッチングできないという問題であった。
　例えば、銅層と比較して、黒化層のエッチング速度が大幅に遅い場合は、図１Ｂに示すように、パターン化された銅層である銅配線３はその側面がエッチングされる、いわゆるサイドエッチングが生じる。このため、銅配線３の断面形状が裾広がりの台形になり易く、銅配線３間の電気的絶縁性を確保するまでエッチングを行うと配線ピッチ幅が広くなり過ぎてしまうという問題であった。
　また、銅層と比較して、黒化層のエッチング速度が大幅に速い場合は、図１Ｃに示すようにパターン化した黒化層２の幅（底部幅）ＷＡが銅配線３の幅ＷＢよりも小さくなった状態、いわゆるアンダーカットが発生する場合がある。このようなアンダーカットが発生し、その程度によっては、所定の銅配線３の幅ＷＢに対して、透明基材１への密着幅である、パターン化した黒化層２の底部幅ＷＡが小さくなり、密着幅の比率が必要以上に低下すると充分な配線密着強度が得られないという問題があった。
　また、銅層と黒化層とを同時にエッチングせず、銅層のエッチングと黒化層のエッチングとを別々の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。
　上記従来技術の問題に鑑み、本発明は同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、低反射率合金層と、を備えた積層体基板を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため本発明は、
　透明基材と、
　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
　前記積層体が、
　銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金層と、
　銅層とを有し、
　前記低反射率合金層に含まれる前記銅、及び前記ニッケルのうち、前記ニッケルの割合が３０質量％以上８５質量％以下である積層体基板を提供する。
　本発明によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、低反射率合金層と、を備えた積層体基板を提供することができる。
従来の導電性基板において、銅層と黒化層とを同時にエッチングした場合の説明図。 従来の導電性基板において、銅層と黒化層とを同時にエッチングした場合の説明図。 従来の導電性基板において、銅層と黒化層とを同時にエッチングした場合の説明図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。 図４のＡ－Ａ´線における断面図。 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。
　以下、本発明の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（積層体基板、導電性基板）
　本実施形態の積層体基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備えることができる。そして、積層体が、銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金層と、銅層とを有し、低反射率合金層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合を３０質量％以上８５質量％以下とすることができる。
　なお、本実施形態における積層体基板とは、透明基材の表面に、パターニングする前の銅層や低反射率合金層を有する基板である。また、導電性基板とは、透明基材の表面に、パターニングして配線の形状にした銅配線層や低反射率合金配線層を有する配線基板である。
　ここでまず、本実施形態の積層体基板に含まれる各部材について以下に説明する。
　透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
　可視光を透過する高分子フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルムを好ましく用いることができる。
　透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、２０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下である。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
　次に積層体について説明する。積層体は、透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、低反射率合金層と、銅層とを有することができる。
　ここではまず銅層について説明する。
　銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、銅層と低反射率合金層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
　他の部材の上面に銅層を直接形成するため、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を銅層とすることができる。
　また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法で銅薄膜層を形成した後に湿式めっき法を用いることが好ましい。すなわち、例えば透明基材または低反射率合金層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することができる。この場合、銅層は銅薄膜層と、銅めっき層とを有することとなる。
　上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または低反射率合金層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
　銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線の電気抵抗値や配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に充分に電気が流れるように銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチングが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
　次に、低反射率合金層について説明する。
　銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングして、配線である銅配線層を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されてきたが、黒化層がエッチング液に対する反応性を充分に有していない場合があり、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングすることは困難であった。
　これに対して、本実施形態の積層体基板に配置した低反射率合金層は、銅、及びニッケルを含有している。このため、本実施形態の積層体基板に配置した低反射率合金層のエッチング液に対する反応性は、銅層のエッチング液に対する反応性とほとんど差がなくエッチング性も良好である。従って、本実施形態の積層体基板においては、銅層と、銅、及びニッケルを含有する低反射率合金層と、を同時にエッチングすることができる。
　本実施形態の積層体基板に配置した低反射率合金層が、銅層と同時にエッチングできる点について以下に説明する。
　本発明の発明者らは当初、銅層表面の光の反射を抑制できる黒化層として、銅層の一部を酸化した酸化銅の層を形成する方法について検討を行った。そして、銅層の一部を酸化して黒化層とした場合、係る黒化層には不定比の銅酸化物や、酸化されていない銅が含まれている場合があることを見出した。
　銅層、及び黒化層を備えた積層体基板の銅層、及び黒化層を同時にエッチングする場合、エッチング液として例えば銅層をエッチング可能なエッチング液を好適に用いることができる。そして、本発明の発明者らの検討によれば、黒化層が不定比の銅酸化物を含有する場合、銅層をエッチング可能なエッチング液に溶出しやすい。
　このように、黒化層がエッチング液に対して溶出しやすい不定比の銅酸化物を含有する場合、黒化層はエッチング液に対する反応性が高く、銅層と比較して、黒化層のエッチング速度が大幅に速くなる。このため、銅層と黒化層とを同時にエッチング処理した場合、黒化層はアンダーカットになりやすかった。
　そこで、本実施形態の積層体基板においては、アンダーカットを抑制する為に、黒化層は、酸素を使用せず、銅に加えて、エッチング液で溶解しにくいニッケル成分を含有する低反射率合金層とすることができる。このように、本実施形態の積層体基板の低反射率合金層が、酸素を使用せず、銅、及びニッケルを含有することで、エッチング液への反応性を銅層と同等にすることができ、低反射率合金層と、銅層とを同時にエッチングすることが可能になる。なお、低反射率合金層には酸素を使用しないため、酸素を含有しないが、不可避成分として極微量含有することを排除するものではない。
　低反射率合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は特に限定されるものではないが、低反射率合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は３０質量％以上８５質量％以下であることが好ましい。なお、ニッケルの割合とは、上述の様に、低反射率合金層中の銅と、ニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合の割合を示している。
　これは、低反射率合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が３０質量％未満では、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下とすることができないからである。
　一方、低反射率合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が８５質量％を超えて配合されるとニッケルが過剰で、低反射率合金層のエッチングが困難になるからである。すなわち低反射率合金層のエッチング液への溶解速度が銅層と比較して遅く、銅層と同時にエッチングできる低反射率合金層とすることができないためである。また、後述のように低反射率合金層は、例えばスパッタリング法により形成できるが、ニッケルの割合が８５質量％を超えると、マグネトロンスパッタリング成膜が不可能となることがあるためである。
　さらに、積層体基板においては、後述のように透明基材上に、低反射率合金層、及び銅層を積層することができ、係る低反射率合金層、銅層をパターニングすることで導電性基板とすることができる。そして、低反射率合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が８５質量％を超えると、低反射率合金層や銅層をエッチングして開口部を形成した際に、エッチングによる除去が十分にできずに、透明基材の表面が黄色に変色したように見える場合がある。このため、上述の様に低反射率合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は、８５質量％以下であることが好ましい。
　低反射率合金層は金属種として銅及びニッケルを含有することができ、低反射率合金層が含有する金属種は、銅及びニッケルのみから構成することもできるが、銅、及びニッケルのみに限定されるものではない。例えば低反射率合金層は、金属種としてさらに１質量％以下の不可避不純物が存在していてもよい。
　また、低反射率合金層は、銅、及びニッケルを含有していればよく、各成分がどのような状態で含まれているかは特に限定されるものではない。
　本実施形態の積層体基板から得られる導電性基板の銅配線層と低反射率合金配線層とはそれぞれ、本実施形態の積層体基板の銅層と低反射率合金層との特徴が維持される。
　本実施形態の導電性基板に配置する低反射率合金層の成膜方法は特に限定されるものではない。低反射率合金層は例えば、スパッタリング法等の乾式成膜法により形成することが好ましい。
　低反射率合金層をスパッタリング法により成膜する場合、例えば銅－ニッケル合金のターゲットを用い、チャンバー内にスパッタリングガスとして用いられる不活性ガスを供給しながら成膜することができる。
　スパッタリング時に銅－ニッケル合金のターゲットを用いた場合、銅－ニッケル合金中に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は３０質量％以上８５質量％以下であることが好ましい。これは成膜する低反射率合金層に含まれる銅及びニッケルのうちの、ニッケルの割合と、該低反射率合金層を成膜する際に用いた銅－ニッケル合金のターゲットの、銅－ニッケル合金中に含まれる銅及びニッケルのうちのニッケルの割合が同じになるためである。
　なお、低反射率合金層を成膜する際の不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、例えばアルゴンガスやキセノンガスを用いることができるが、アルゴンガスを好適に用いることができる。
　本実施形態の積層体基板において形成する低反射率合金層の厚さは特に限定されるものではなく、例えば銅層表面での光の反射を抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。
　低反射率合金層の厚さは、下限値は例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。上限値は例えば７０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
　低反射率合金層は上述のように銅層表面における光の反射を抑制する層として機能するが、低反射率合金層の厚さが薄い場合には、銅層による光の反射を充分に抑制できない場合がある。これに対して、低反射率合金層の厚さを１０ｎｍ以上とすることにより、銅層表面における光の反射をより確実に抑制できる。
　低反射率合金層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、低反射率合金層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
　次に、本実施形態の積層体基板の構成例について説明する。
　上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層及び低反射率合金層を有する積層体と、を有することができる。この際、積層体内の銅層と低反射率合金層とを透明基材上に配置する順番や、その層の数は特に限定されるものではない。つまり、例えば透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と低反射率合金層と一層ずつ任意の順番に積層することもできる。また、積層体内で銅層および／または低反射率合金層は複数層形成することもできる。
　ただし、積層体内で銅層と、低反射率合金層とを配置する際、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に低反射率合金層が配置されていることが好ましい。
　特に低反射率合金層が銅層の表面に形成された積層構造を有することがより好ましい、具体的には例えば、積層体は、低反射率合金層として、第１の低反射率合金層及び第２の低反射率合金層の２つの層を有し、銅層は第１の低反射率合金層と、第２の低反射率合金層との間に配置されていることが好ましい。
　具体的な構成例について、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、図３Ｂを用いて以下に説明する。図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ、および図３Ｂは、本実施形態の積層体基板の、透明基材、銅層、低反射率合金層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
　例えば、図２Ａに示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、低反射率合金層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図２Ｂに示した積層体基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、低反射率合金層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、低反射率合金層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図２Ａ、図２Ｂの例に限定されず、透明基材１１側から、低反射率合金層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
　また、既述のように例えば低反射率合金層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図３Ａに示した積層体基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の低反射率合金層１３１と、銅層１２と、第２の低反射率合金層１３２と、をその順に積層することができる。
　このように低反射率合金層として、第１の低反射率合金層１３１及び第２の低反射率合金層１３２を有し、銅層１２を第１の低反射率合金層１３１と、第２の低反射率合金層１３２との間に配置することで、銅層１２の上面側、及び下面側から入射する光の反射をより確実に抑制することが可能になる。
　この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の低反射率合金層、第２の低反射率合金層を積層した構成とすることができる。具体的には図３Ｂに示した積層体基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の低反射率合金層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の低反射率合金層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
　なお、第１の低反射率合金層１３１（１３１Ａ、１３１Ｂ）と、第２の低反射率合金層１３２（１３２Ａ、１３２Ｂ）とは、共に銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金層とすることができ、同じ製造方法により製造することができる。
　透明基材の両面に銅層と、低反射率合金層と、を積層した、図２Ｂ、図３Ｂの構成例においては、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図３Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図２Ｂの構成と同様に、銅層１２Ａと、低反射率合金層１３Ａと、をその順に積層した形態とし、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側を第１の低反射率合金層１３１Ｂと、銅層１２Ｂと、第２の低反射率合金層１３２Ｂと、をその順に積層した形態として、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
　本実施形態の積層体基板の光の反射の程度は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下の場合、例えば本実施形態の積層体基板を、タッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
　積層体基板の正反射率の測定は、低反射率合金層に光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、積層体基板に含まれる銅層及び低反射率合金層のうち、低反射率合金層側から光を照射して測定を行うことができる。具体的には例えば図２Ａのように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、低反射率合金層１３の順に積層した場合、低反射率合金層１３に光を照射できるように、低反射率合金層１３の表面Ａに対して光を照射して測定できる。また、図２Ａの場合と銅層１２と低反射率合金層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに低反射率合金層１３、銅層１２の順に積層した場合、低反射率合金層１３に光を照射できるように、透明基材１１の面１１ｂ側から低反射率合金層に光を照射して正反射率を測定できる。
　また、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均とは、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で波長を変化させて測定を行った際の測定結果の平均値を意味している。測定の際、波長を変化させる幅は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことが好ましく、１ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことがより好ましい。
　なお、後述のように積層体基板は銅層及び低反射率合金層をエッチングにより配線加工することにより金属細線を形成して導電性基板とすることができる。導電性基板における光の正反射率とは、透明基材を除いた場合に、最表面に配置されている低反射率合金層の、光が入射する側の表面における正反射率を意味する。
　このため、エッチング処理を行った後の導電性基板であれば、銅層及び低反射率合金層が残存している部分での測定結果の平均値が上記範囲を満たしていることが好ましい。
　次に、本実施形態の導電性基板について説明する。
　本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備えることができる。そして、金属細線が、銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金配線層と、銅配線層とを備えた積層体であり、低反射率合金配線層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合を３０質量％以上８５質量％以下とすることができる。
　本実施形態の導電性基板は、例えば既述の積層体基板を配線加工して得ることができる。そして、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅配線層と、低反射率合金配線層と、を設けているため、銅配線層による光の反射を抑制することができる。従って、低反射率合金配線層を設けることにより、例えばタッチパネル等に用いた場合に良好なディスプレイの視認性を有することができる。
　本実施形態の導電性基板は例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板は既述の積層体基板における銅層、及び低反射率合金層に開口部を設けることで形成した配線パターンを有する構成とすることができる。より好ましくは、メッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。
　開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板は、ここまで説明した積層体基板の銅層及び低反射率合金層をエッチングすることにより得ることができる。そして、例えば二層の金属細線によりメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板とすることができる。具体的な構成例を図４に示す。図４はメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板３０を銅配線層、及び低反射率合金配線層の積層方向の上面側から見た図を示している。図４に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の銅配線層３１ＢとＹ軸方向に平行な銅配線層３１Ａとを有している。なお、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、既述の積層体基板をエッチングすることで形成でき、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない低反射率合金配線層が形成されている。また、低反射率合金配線層は銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状にエッチングされている。
　透明基材１１と銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と銅配線層との配置の構成例を図５に示す。図５は図４のＡ－Ａ´線での断面図に当たる。
　例えば、図５に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ銅配線層３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図５に示した導電性基板の場合、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１側には、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状にエッチングされた第１の低反射率合金配線層３２１Ａ、３２１Ｂが配置されている。また、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１とは反対側の面には、第２の低反射率合金配線層３２２Ａ、３２２Ｂが配置されている。
　従って、図５に示した導電性基板においては、金属細線は、低反射率合金配線層として第１の低反射率合金配線層３２１Ａ、３２１Ｂ及び第２の低反射率合金配線層３２２Ａ、３２２Ｂを有しており、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、第１の低反射率合金配線層３２１Ａ、３２１Ｂと、第２の低反射率合金配線層３２２Ａ、３２２Ｂとの間に配置されていることとなる。
　なお、ここでは第１の低反射率合金配線層、及び第２の低反射率合金配線層を設けた例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば第１の低反射率合金配線層、または第２の低反射率合金配線層のいずれか一方のみを設けることもできる。
　図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図２Ｂ、図３Ｂのように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、低反射率合金層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた積層体基板から形成することができる。
　なお、例えば図５に示した第１の低反射率合金配線層と第２の低反射率合金配線層とを備えた導電性基板は、図３Ｂに示した積層体基板から形成することができる。
　そこで、図３Ｂの積層体基板を用いて形成した場合を例に説明する。
　まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ、第１の低反射率合金層１３１Ａ、及び第２の低反射率合金層１３２Ａを、図３Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンが、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングする。なお、図３Ｂ中のＹ軸方向とは、紙面と垂直な方向を指す。また、図３Ｂ中のＸ軸方向とは各層の幅方向と平行な方向を意味している。
　そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ、第１の低反射率合金層１３１Ｂ、及び第２の低反射率合金層１３２Ｂを図３Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。
　以上の操作により図４、図５に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、第１の低反射率合金層１３１Ａ、１３１Ｂ、及び第２の低反射率合金層１３２Ａ、１３２Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
　図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図２Ａまたは図３Ａに示した積層体基板を２枚用いることにより形成することもできる。図３Ａの導電性基板を用いた場合を例に説明すると、図３Ａに示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２、第１の低反射率合金層１３１、及び第２の低反射率合金層１３２を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。
　例えば、２枚の導電性基板について、図３Ａにおける透明基材１１の銅層１２等が積層されていない面１１ｂ同士を貼り合せることで、図５に示した構成とすることができる。
　なお、図４に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における金属細線の幅や、金属細線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、金属細線に必要な電気抵抗値等に応じて選択することができる。
　ただし、透明基材と、金属細線とが十分な密着性を有するように、金属細線の幅等を選択することが好ましい。
　本実施形態の導電性基板は、既述の積層体基板を配線加工し、積層体基板における銅層、及び低反射率合金層に開口部を設けることで形成した配線パターンを有する。このため、配線パターンに含まれる金属細線間には透明基材を露出する開口部が設けられている。
　そして、該開口部の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均の、透明基材の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均からの減少率は、３．０％以下であることが好ましい。
　これは、上記開口部の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均の、積層体基板に供する透明基材の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均からの減少率が３．０％を超えると、透明基材を目視で観察すると黄色に変色して見える場合があるからである。上記減少率が３．０％を超えるのは、低反射率合金層、及び銅層をエッチングする際に低反射率合金層のエッチング速度が遅く低反射率合金層と銅層とを同時にエッチングできていないためである。このため、既述のように、低反射率合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合を８５質量％以下とすることが好ましい。
　なお、低反射率合金層にかえて、ニッケルと銅の化学的に不定比の酸化物を含む黒化層を用いた場合、ニッケルと銅との含有割合やこれらの酸化状態によりエッチング性が低下し、上記減少率が３．０％を超え、透明基材を目視で観察すると黄色に変色して見える場合もある。このように、化学的に不定比の酸化物を用いた黒化層を有する積層体基板は、黒化層成膜時にスパッタリング雰囲気の制御を必要とするので、製造条件の最適化が困難な場合もある。
　一方、本実施形態に係る積層体基板は、黒化層に低反射率合金層を用いるので、ニッケルと銅の組成のみを制御すればよいので、製造条件の最適化が容易である。
　また、本実施形態の導電性基板の光の反射の程度は特に限定されるものではないが、例えば波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
　ここまで説明した本実施形態の２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法）
　次に本実施形態の積層体基板の製造方法の構成例について説明する。
　本実施形態の積層体基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。　
　透明基材を準備する透明基材準備工程。　
　透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程。　
　そして、上記積層体形成工程は以下のステップを含むことができる。　
　銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップ。　
　銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金層を堆積する低反射率合金層成膜手段により低反射率合金層を成膜する低反射率合金層形成ステップ。
　そして、低反射率合金層形成ステップは減圧雰囲気下において実施することが好ましい。また、低反射率合金層に含まれる銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が３０質量％以上８５質量％以下であることが好ましい。
　以下に本実施形態の積層体基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の積層体基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略している。
　上述のように、本実施形態の積層体基板においては、銅層と、低反射率合金層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、低反射率合金層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成ステップと、低反射率合金層形成ステップと、を実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する積層体基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。
　透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程、ステップに供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。なお、可視光を透過する高分子フィルムとして好適に用いることができるものについては既述のため、ここでは説明を省略する。
　次に積層体形成工程について説明する。積層体形成工程は透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する工程であり、銅層形成ステップと、低反射率合金層形成ステップとを有する。このため、各ステップについて以下に説明する。
　まず、銅層形成ステップについて説明する。
　銅層形成ステップでは透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成することができる。
　銅層形成ステップでは、乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成することが好ましい。また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法により銅薄膜層を形成後に湿式めっき法を用いてさらに銅めっき層を形成することが好ましい。
　このため、銅層形成ステップは、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成するステップを有することができる。また、銅層形成ステップは、乾式めっき法により銅薄膜層を形成するステップと、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成するステップと、を有していてもよい。
　従って、上述の銅層成膜手段としては１つの成膜手段に限定されるものではなく、複数の成膜手段を組み合わせて用いることもできる。
　上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または低反射率合金層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
　乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、減圧雰囲気下において、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。
　特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、厚さの制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわちこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段としてスパッタリング成膜手段（スパッタリング成膜法）を好ましく用いることができる。
　銅薄膜層は、例えば図６に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０を用いて好適に成膜することができる。以下にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。
　図６はロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０の一構成例を示している。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体６１を備えている。図６において筐体６１の形状は直方体形状として示しているが、筐体６１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体６１の形状は円筒形状とすることもできる。ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体６１内部は１Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０－３Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましく、１０－４Ｐａ以下まで減圧できることがさらに好ましい。なお、筐体６１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール６３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
　筐体６１内には、銅薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール６２、キャンロール６３、スパッタリングカソード６４ａ～６４ｄ、前フィードロール６５ａ、後フィードロール６５ｂ、テンションロール６６ａ、６６ｂ、巻取ロール６７を配置することができる。また、銅薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール６８ａ～６８ｈや、ヒーター６９等を設けることもできる。
　巻出ロール６２、キャンロール６３、前フィードロール６５ａ、巻取ロール６７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール６２、巻取ロール６７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって銅薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっている。
　キャンロール６３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体６１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
　テンションロール６６ａ、６６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。また、前フィードロール６５ａや、後フィードロール６５ｂ、ガイドロール６８ａ～６８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。
　スパッタリングカソード６４ａ～６４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール６３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード６４ａ～６４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード６４ａ～６４ｄの銅薄膜層を成膜する基材の巾方向の寸法は、対向する銅薄膜層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。
　銅薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０内を搬送されて、キャンロール６３に対向するスパッタリングカソード６４ａ～６４ｄで銅薄膜層が成膜される。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０を用いて銅薄膜層を成膜する場合の手順について説明する。
　まず、銅ターゲットをスパッタリングカソード６４ａ～６４ｄに装着し、銅薄膜層を成膜する基材を巻出ロール６２にセットした筐体６１内を真空ポンプ７０ａ、７０ｂにより真空排気する。
　そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段７１により筐体６１内に導入する。なお、気体供給手段７１の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体６１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）７１１ａ、７１１ｂ、及びバルブ７１２ａ、７１２ｂを設け、各ガスの筐体６１内への供給量を制御できるように構成できる。図６ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。
　そして、気体供給手段７１によりスパッタリングガスを筐体６１内に供給した際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ７０ｂと筐体６１との間に設けられた圧力調整バルブ７２の開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
　この状態で、巻出ロール６２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード６４ａ～６４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。
　なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０には上述した以外にも必要に応じて各種部材を配置できる。例えば筐体６１内の圧力を測定するための圧力計７３ａ、７３ｂや、ベントバルブ７４ａ、７４ｂを設けることもできる。
　また、既述のように乾式めっき後に湿式めっき法を用いてさらに銅層（銅めっき層）を成膜することができる。
　湿式めっき法により銅めっき層を成膜する場合、上述した乾式めっきにより成膜した銅薄膜層を給電層とすることができる。そしてこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段として、電気めっき成膜手段を好ましく用いることができる。
　銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。
　次に、低反射率合金層形成ステップについて説明する。
　低反射率合金層形成ステップは既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に、銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金層を成膜する低反射率合金層成膜手段により低反射率合金層を成膜するステップである。低反射率合金層形成ステップにおける銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金層を堆積する低反射率合金層成膜手段は特に限定されるものではないが、例えば減圧雰囲気下におけるスパッタリング成膜手段、すなわちスパッタリング成膜法であることが好ましい。
　低反射率合金層は例えば図６に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０を用いて低反射率合金層を成膜する場合の手順の構成例について説明する。
　まず、銅－ニッケル合金ターゲットをスパッタリングカソード６４ａ～６４ｄに装着し、低反射率合金層を成膜する基材を巻出ロール６２にセットした筐体６１内を真空ポンプ７０ａ、７０ｂにより真空排気する。そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴンからなるスパッタリングガスを気体供給手段７１により筐体６１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ７０ｂと筐体６１との間に設けられた圧力調整バルブ７２の開度とを調整して筐体６１内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持して成膜を実施することが好ましい。
　この状態で、巻出ロール６２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下程度の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード６４ａ～６４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の低反射率合金層を連続成膜することができる。
　ここまで、本実施形態の積層体基板の製造方法に含まれる各工程、ステップについて説明した。
　本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、既述の積層体基板と同様に、銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
　また、低反射率合金層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上とすることがより好ましい。低反射率合金層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
　さらに、本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
　本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板を用いて、銅層及び低反射率合金層に開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板とすることができる。導電性基板は、より好ましくは、メッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
　係る本実施形態の導電性基板の製造方法は、上述の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の銅層と、低反射率合金層と、をエッチングし、銅配線層と、低反射率合金配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有することができる。そして、係るエッチング工程により、銅層及び低反射率合金層に開口部を形成できる。
　エッチング工程では例えばまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、積層体基板の最表面に形成する。例えば、図２Ａに示した積層体基板１０Ａの場合、積層体基板１０Ａに配置した低反射率合金層１３の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
　次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、低反射率合金層１３のエッチングを実施することができる。
　なお、図２Ｂのように透明基材１１の両面に銅層、低反射率合金層を配置した場合には、積層体基板の表面Ａ及び表面Ｂにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、低反射率合金層を同時にエッチングしてもよい。また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び低反射率合金層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び低反射率合金層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び低反射率合金層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。
　本実施形態の積層体基板の製造方法で形成する低反射率合金層は、銅層と同様のエッチング液への反応性を示す。このため、エッチング工程で用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。
　エッチング工程で用いるエッチング液としては例えば、硫酸、過酸化水素水、塩酸、塩化第二銅、及び塩化第二鉄から選択された１種類を含む水溶液、または上記硫酸等から選択された２種類以上を含む混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の各成分の含有量は、特に限定されるものではない。
　エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温していること好ましく、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることが好ましい。
　上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線の具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。
　また、図２Ａ、図３Ａに示した透明基材１１の一方の面側に銅層、低反射率合金層を有する２枚の積層体基板をエッチング工程に供して導電性基板とした後、２枚の導電性基板を貼り合せてメッシュ状の配線を備えた導電性基板とする場合、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば光学接着剤（ＯＣＡ）等を用いて接着することができる。
　なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％以下であることが好ましく、４０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
　これは波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
　以上に本実施形態の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法について説明した。係る積層体基板、または積層体基板の製造方法により得られる積層体基板によれば、銅層と低反射率合金層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示す。このため、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、低反射率合金層とを備えた積層体基板を提供することができる。そして、銅層と低反射率合金層とを同時にエッチングすることができるため、容易に所望の形状の銅配線層、及び低反射率合金配線層を形成することができる。
　また、低反射率合金配線層を設けることで銅配線層による光の反射を抑制することができ、例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。このため、低反射率合金配線層を設けることで良好な視認性を有する導電性基板とすることができる。
　以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
（１）正反射率
　以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板について正反射率の測定を行った。
　測定は、紫外可視分光光度計（株式会社　島津製作所製　型式：ＵＶ－２５５０）に反射率測定ユニットを設置して行った。
　各実施例で図３Ａの構造を有する積層体基板を作製したが、反射率の測定は図３Ａにおける第２の低反射率合金層１３２の外部に露出した表面Ｃに対して入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。なお、積層体基板に照射した光は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について正反射率の測定を行い、測定結果の平均を該積層体基板の正反射率の平均とした。
（２）開口部の全光線透過率の減少率
　各実施例、比較例で作製した導電性基板の透明基材を露出する金属細線間の開口部について、全光線透過率の測定を行った。
　測定は、正反射率を測定した際の紫外可視分光光度計に積分球付属装置を設置して行った。照射した光は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について透過率の測定を行い、測定結果の平均を該導電性基板の開口部の全光線透過率の平均とした。
　また、予め積層体基板を製造する際に用いた透明基材について、同様にして全光線透過率の平均を測定しておいた。
　そして、各実施例、比較例で作製した導電性基板の開口部の全光線透過率の平均の、透明基材の全光線透過率の平均からの減少率（以下、および表１中では「開口部の全光線透過率の減少率」とも記載する）を算出した。
（試料の作製条件）
　実施例、比較例として、以下に説明する条件で積層体基板、及び導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
　図３Ａに示した構造を有する積層体基板を作製した。
　まず、透明基材準備工程を実施した。
　具体的には、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍの光学用ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備した。
　次に、積層体形成工程を実施した。
　積層体形成工程として、第１の低反射率合金層形成ステップ、銅層形成ステップ、第２の低反射率合金層形成ステップを実施した。以下に具体的に説明する。
　まず第１の低反射率合金層形成ステップを実施した。
　準備した透明基材を図６に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０にセットした。また、スパッタリングカソード６４ａ～６４ｄに、銅－３０質量％Ｎｉ合金ターゲット（住友金属鉱山（株）製）を装着した。
　そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置６０のヒーター６９を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。
　続いて筐体６１内を１×１０－４Ｐａまで真空ポンプ７０ａ、７０ｂにより排気した後、気体供給手段７１によりアルゴンガスの流量が２４０ｓｃｃｍとなるようにしてアルゴンガスを筐体６１内に導入した。そして、透明基材を巻出ロール６２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード６４ａ～６４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の第１の低反射率合金層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１の低反射率合金層１３１を厚さ２０ｎｍとなるように形成した。
　続いて、銅層形成ステップを実施した。
　銅層形成ステップでは、マグネトロンスパッタリングカソードに装着するターゲットを銅ターゲット（住友金属鉱山（株）製）に変えた点以外は第１の低反射率合金層の場合と同様にして第１の低反射率合金層の上面に銅層を厚さ２００ｎｍとなるように形成した。
　なお、銅層を形成する基材としては、第１の低反射率合金層形成工程で、透明基材上に第１の低反射率合金層を形成した基材を用いた。
　そして次に第２の低反射率合金層形成ステップを実施した。
　第２の低反射率合金層形成ステップでは、第１の低反射率合金層１３１と同条件で銅層１２の上面に第２の低反射率合金層１３２を形成した（図３Ａ参照）。
　作製した積層体基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均を、上述の手順により測定したところ、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均は５５％であった。
　また、得られた積層体基板について正反射率測定を行った後、エッチング工程を行い、導電性基板を作製した。
　エッチング工程ではまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、作製した積層体基板の図３Ａにおける表面Ｃ上に形成した。そして、塩化第二鉄１０重量％と、塩酸１０重量％と、残部が水と、からなるエッチング液に１分間浸漬して導電性基板を作製した。
　作製した導電性基板について、開口部の全光線透過率の測定を行った。
　評価結果を表１に示す。
［実施例２～実施例６］
　第１、第２の低反射率合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
　また、作製した積層体基板から実施例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。
　結果を表１に示す。
［比較例１～比較例３］
　比較例１では、第１、第２の低反射率合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
　また、比較例２、３では第１、第２の低反射率合金層に代えて、第１、第２の黒化層を形成した。第１、第２の黒化層は、成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点、及び黒化層成膜時にアルゴンガスに加えて酸素を供給した点以外は、実施例１の低反射率合金層の場合と同様にして成膜した。また、黒化層以外については実施例１の場合と同様にして積層体基板を作製した。
　なお、比較例２、３では低反射率合金層の成膜時、表１に示した酸素供給量となるように酸素を供給した。
　比較例１～比較例３で作製した積層体基板から実施例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。
　結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 　表１に示した結果によると、実施例１～実施例６については、開口部の全光線透過率の減少率が３．０％以下となった。すなわち、銅層と、第１、第２の低反射率合金層を同時にエッチングすることができた。
　これは、第１、第２の低反射率合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が３０質量％以上８５質量％以下であり、成膜した低反射率合金層においても同様の組成であったためと考えられる。すなわち、低反射率合金層のエッチング液に対する反応性を銅層と同等にすることができたためと考えられる。
　これに対して、比較例１は、低反射率合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が３０質量％未満であり、成膜した低反射率合金層においても同様の組成であった。このため、正反射率が５５％を超えてしまった。
　また、比較例２は、開口部の全光線透過率の減少率が３．０％を超えており、銅層と比較して黒化層のエッチング速度が遅かったことが確認でき、その為、開口部の全光線透過率減少率が３．５％となり目視で黄色く見えることが確認された。
　比較例３は、アンダーカットが確認され、銅層と比較して黒化層のエッチング速度が速いことが確認された。
　従って、比較例２、３については、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層とを形成できていないことが確認できた。
　以上に積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
　本出願は、２０１５年９月２８日に日本国特許庁に出願された特願２０１５－１８９９３６号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５－１８９９３６号の全内容を本国際出願に援用する。
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　積層体基板
１１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ　低反射率合金層
３０　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　導電性基板
３１Ａ、３１Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　銅配線層
３２１Ａ、３２１Ｂ、３２２Ａ、３２２Ｂ　　　　　　　　　　　　低反射率合金配線層

Claims (11)

  1. 　透明基材と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
    　前記積層体が、
    　銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金層と、
    　銅層とを有し、
    　前記低反射率合金層に含まれる前記銅、及び前記ニッケルのうち、前記ニッケルの割合が３０質量％以上８５質量％以下である積層体基板。
  2. 　前記積層体は、前記低反射率合金層として、第１の低反射率合金層及び第２の低反射率合金層を有し、
    　前記銅層は、前記第１の低反射率合金層と、前記第２の低反射率合金層との間に配置された請求項１に記載の積層体基板。
  3. 　波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下である請求項１または２に記載の積層体基板。
  4. 　透明基材と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、
    　前記金属細線が、
    　銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金配線層と、
    　銅配線層とを備えた積層体であり、
    　前記低反射率合金配線層に含まれる前記銅、及び前記ニッケルのうち、前記ニッケルの割合が３０質量％以上８５質量％以下である導電性基板。
  5. 　前記金属細線は、前記低反射率合金配線層として、第１の低反射率合金配線層及び第２の低反射率合金配線層を有し、
    　前記銅配線層は、前記第１の低反射率合金配線層と、前記第２の低反射率合金配線層との間に配置された請求項４に記載の導電性基板。
  6. 　前記金属細線間には前記透明基材を露出する開口部が設けられており、
    　前記開口部の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均の、前記透明基材の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の透過率の平均からの減少率が、３．０％以下である請求項４または５に記載の導電性基板。
  7. 　透明基材を準備する透明基材準備工程と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、
    　前記積層体形成工程は、
    　銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、
    　銅と、ニッケルとを含有する低反射率合金層を堆積する低反射率合金層成膜手段により低反射率合金層を成膜する低反射率合金層形成ステップと、を含み、
    　前記低反射率合金層形成ステップは減圧雰囲気下において実施し、前記低反射率合金層に含まれる前記銅、及び前記ニッケルのうち、前記ニッケルの割合が３０質量％以上８５質量％以下である積層体基板の製造方法。
  8. 　前記低反射率合金層成膜手段がスパッタリング成膜法である請求項７に記載の積層体基板の製造方法。
  9. 　前記低反射率合金層は厚さが１０ｎｍ以上である請求項７または８に記載の積層体基板の製造方法。
  10. 　請求項７乃至９のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の前記銅層と、前記低反射率合金層とをエッチングし、銅配線層と、低反射率合金配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有し、
    　前記エッチング工程により、前記銅層及び前記低反射率合金層に開口部を形成する導電性基板の製造方法。
  11. 　得られる導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均が５５％以下である請求項１０に記載の導電性基板の製造方法。
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