JP2015114690A - 静電センサ - Google Patents
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Abstract
Description
(1)透明電極層31上に、電気抵抗の低い接続層32、導電層33、保護層34を積層し、特に抵抗の低い導電層33を形成したことにより、配線パターン16の配線抵抗を低減することができ、また、それぞれの配線パターン16の長さの差異による配線抵抗の差異をより小さくすることができる。
<実施例1>
実施例1においては、以下の条件で配線パターン16を形成した。実施例1は、保護層34より接続層32の方がニッケルの含有率が高く、接続層32の膜厚は保護層34の膜厚の4倍になっている。
透明電極層31:ITO、膜厚25nm
接続層32:CuNi、膜厚40nm、Niの含有率25%
導電層33:Cu、膜厚120nm
保護層34:CuNi、膜厚10nm、Niの含有率15%
レジスト40:ノボラック樹脂を使用
エッチング液:硫酸系エッチング液又は塩化鉄水溶液
エッチング時間:1〜3分程度
温度:常温
エッチング液:硫酸・硝酸の混合液又は塩酸系エッチング液
エッチング時間:1〜3分程度
温度:常温
剥離液:NMP(N−メチル−2−ピロリドン)
実施例2においては、以下の条件で配線パターン16を形成した。実施例2は、接続層32と保護層34のニッケル含有率が同一であり、接続層32と保護層34の膜厚の関係は実施例1と同じである。
基材20、透明電極層31、導電層33、保護層34、レジスト40については、実施例1と同じ材料を用いた。
図4は、比較例1に係る静電センサの配線パターン116の製造工程を示す断面図である。
保護層134:CuNi、膜厚30nm、Niの含有率25%
基材120、透明電極層131、導電層133、レジスト140については、実施例1の基材20、透明電極層31、導電層33、レジスト40とそれぞれ同じ材料を用いた。
13 X電極パターン
13a 幅広電極部
14 Y電極パターン
14a 幅広電極部
16 配線パターン
20 基材
31 透明電極層
32 接続層
33 導電層
34 保護層
Claims (4)
- 電極パターンと、前記電極パターンに電気的に接続された配線パターンとが基材の表面に形成された静電センサであって、
少なくとも前記配線パターンが、
前記基材上に形成された透明電極層と、
前記透明電極層上に形成され、銅とニッケルを含む接続層と、
前記接続層上に形成され、前記接続層よりも銅の含有率の高い導電層と、
前記導電層上に形成され、銅とニッケルを含む保護層とを備え、
前記接続層の方が前記保護層よりも厚く、
前記保護層におけるニッケルの含有率は前記導電層におけるニッケルの含有率よりも大きく、
前記導電層の方が前記保護層よりも厚いことを特徴とする静電センサ。 - 前記接続層の膜厚は、前記保護層の膜厚の2倍以上である
ことを特徴とする請求項1に記載の静電センサ。 - 前記接続層におけるニッケルの含有率は、前記保護層におけるニッケルの含有率よりも大きい
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の静電センサ。 - 電極パターンと、前記電極パターンに電気的に接続された配線パターンとが基材の表面に形成された静電センサであって、
少なくとも前記配線パターンが、
前記基材上に形成された透明電極層と、
前記透明電極層上に形成され、銅とニッケルを含む接続層と、
前記接続層上に形成され、前記接続層よりも銅の含有率の高い導電層と、
前記導電層上に形成され、銅とニッケルを含む保護層とを備え、
前記接続層におけるニッケルの含有率は、前記保護層に含まれるニッケルの含有率よりも大きく、
前記保護層におけるニッケルの含有率は前記導電層におけるニッケルの含有率よりも大きく、
前記導電層の方が前記保護層よりも厚い
ことを特徴とする静電センサ。
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