WO2017017955A1 - 光モジュール - Google Patents

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WO2017017955A1
WO2017017955A1 PCT/JP2016/003487 JP2016003487W WO2017017955A1 WO 2017017955 A1 WO2017017955 A1 WO 2017017955A1 JP 2016003487 W JP2016003487 W JP 2016003487W WO 2017017955 A1 WO2017017955 A1 WO 2017017955A1
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optical
frequency transmission
optical module
module
frequency
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PCT/JP2016/003487
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English (en)
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清史 菊池
福田　浩
才田　隆志
亀井　新
都築　健
Original Assignee
日本電信電話株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B3/00—Line transmission systems
    • H04B3/02—Details
    • H04B3/32—Reducing cross-talk, e.g. by compensating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
    • H01P3/08—Microstrips; Strip lines
    • H01P3/081—Microstriplines
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/646—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00 specially adapted for high-frequency, e.g. structures providing an impedance match or phase match
    • H01R13/6461—Means for preventing cross-talk
    • H01R13/6464—Means for preventing cross-talk by adding capacitive elements
    • H01R13/6466—Means for preventing cross-talk by adding capacitive elements on substrates, e.g. printed circuit boards [PCB]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0239—Combinations of electrical or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0228—Compensation of cross-talk by a mutually correlated lay-out of printed circuit traces, e.g. for compensation of cross-talk in mounted connectors

Definitions

  • the present invention relates to an optical module for transmitting and processing high-frequency electrical signals and optical signals, and more particularly to an optical module in which high-frequency crosstalk is reduced by a three-dimensional ground structure in the module.
  • a conventional optical modulation format mainly uses an amplitude shift keying (ASK) method in which one channel of a high-frequency electric signal is assigned to one channel of light.
  • ASK amplitude shift keying
  • the ASK method can only give a 1-bit signal to a certain frequency band. Therefore, in recent years, a quadrature phase shift keying (QPSK) system and a quadrature amplitude modulation (QAM) system have been actively researched and developed and put into practical use.
  • QPSK quadrature phase shift keying
  • QAM quadrature amplitude modulation
  • an IQ modulator In order to generate a QPSK signal or a QAM signal, an IQ modulator is usually used that individually amplitude-modulates the real axis and the imaginary axis when light is complexly expressed.
  • the IQ modulator can modulate one channel of light with two channels of high-frequency electrical signals corresponding to the real axis and the imaginary axis.
  • a polarization multiplexing system in which separate signals are transmitted for light X-polarized light and light Y-polarized light is generally used. When IQ modulation and polarization multiplexing are used together to improve frequency utilization efficiency for increasing communication capacity, one channel of light can be modulated by four channels of high-frequency electrical signals.
  • the transmission capacity per unit volume is increased by downsizing the transmitting / receiving device.
  • the number of devices mounted in the transmission apparatus can be increased, and the transmission capacity as the transmission apparatus can be increased.
  • FIGS. 1A and 1B are diagrams showing a configuration of a conventional optical module 100.
  • FIG. FIG. 1A is a top perspective view of the optical module 100
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along 1B-1B of FIG. 1A.
  • the optical module 100 shown in FIGS. 1A and 1B is disposed at the bottom of the housing 101 and covered with a lid 110.
  • FIG. 1A is a diagram in a state where the lid 110 of the optical module 100 is removed
  • FIG. 1B is a diagram in a state where the lid 110 of the optical module 100 is attached.
  • an optical processing circuit 103 In the optical module 100, an optical processing circuit 103, an electro-optical conversion element 104 connected to the optical processing circuit 103, and a lower substrate 109 are arranged at the bottom of the housing 101.
  • a lower ground 108 is formed on the lower substrate 109, and a high-frequency substrate 107 is formed on the lower ground 108.
  • Four high-frequency transmission lines 105 connected to the electro-optic conversion element 104 are formed on the high-frequency substrate 107, and the four high-frequency transmission lines 105 constitute a microstrip line.
  • the housing 101 is provided with one optical port 102 and four electrical ports 106, the optical port 102 is connected to the optical processing circuit 103, and the four electrical ports 106 are respectively connected to the high-frequency transmission line 105. .
  • An optical signal transmission module or an optical signal reception module is provided by an optical port 102, an optical processing circuit 103, an electro-optical conversion element 104, a high-frequency transmission line 105, and an electric port 106.
  • An optical signal transmission module is provided by an optical port 102, an optical processing circuit 103, an electro-optical conversion element 104, a high-frequency transmission line 105, and an electric port 106.
  • a high frequency electrical signal is input from the electrical port 106 of the optical module 100.
  • the high-frequency electric signal passes through the high-frequency transmission line 105, is converted into an optical signal by the electro-optical conversion element 104, is combined in the optical processing circuit 103, and is output from the optical port 102 as a wavelength multiplexed optical signal. .
  • high-frequency electrical signals are transmitted as electromagnetic fields spread around the high-frequency transmission line, so that crosstalk is likely to occur due to interference with adjacent channels. Therefore, as the size of the housing 101 is reduced, the high-frequency transmission lines 105 are densely packed and the interval is narrowed, so that the crosstalk between the high-frequency transmission lines is increased and the transmitted signal characteristics are affected. There was a problem.
  • the present invention has been made in view of the prior art as described above, and an object thereof is to provide an optical module that suppresses crosstalk between high-frequency transmission lines.
  • an aspect of the present invention includes an optical port, an optical processing circuit optically connected to the optical port, and an electro-optical conversion element optically connected to the optical processing circuit. And an optical module comprising at least one set of two or more high-frequency transmission lines connected to the electro-optic conversion element and an electric port connected to the high-frequency transmission line, wherein the high-frequency transmission line has the high-frequency transmission line on the high-frequency transmission line.
  • a conductive cover block is provided so as to cover at least a part of the transmission line and is grounded.
  • the present invention has an effect of reducing crosstalk between transmission lines in a plurality of dense high-frequency transmission lines in an optical module.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line 1B-1B of FIG. 1A.
  • 1 is a top perspective view showing an optical module according to a first embodiment of the present invention. It is sectional drawing in 2B-2B of FIG. 2A. It is an upper surface perspective view which shows the optical module which concerns on 2nd Embodiment of this invention. It is sectional drawing in 3B-3B of FIG. 3A. It is an upper surface perspective view which shows the optical module which concerns on 3rd Embodiment of this invention. It is sectional drawing in 4B-4B of FIG. 4A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 4th Embodiment of this invention.
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along 5B-5B in FIG. 5A. It is a figure showing the crosstalk suppression effect of 4th Embodiment of this invention. It is a top perspective view showing an optical module according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view taken along 7B-7B in FIG. 7A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 6th Embodiment of this invention.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view taken along 8B-8B in FIG. 8A.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view taken along 8B-8B in FIG. 8A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 7th Embodiment of this invention.
  • FIG. 7B is a cross-sectional view taken along 7B-7B in FIG. 7A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 6th Embodiment of this invention.
  • FIG. 8B is
  • FIG. 9B is a cross-sectional view taken along 9B-9B of FIG. 9A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 8th Embodiment of this invention.
  • FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line 10B-10B of FIG. 10A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 9th Embodiment of this invention. It is sectional drawing in 11B-11B of FIG. 11A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 10th Embodiment of this invention.
  • FIG. 12B is a cross-sectional view taken along 12B-12B in FIG. 12A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 11th Embodiment of this invention.
  • FIG. 13B is a cross-sectional view taken along 13B-13B of FIG. 13A. It is a figure showing the crosstalk suppression effect of the 11th Embodiment of this invention. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 12th Embodiment of this invention.
  • FIG. 15B is a cross-sectional view taken along the line 15B-15B of FIG. 15A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 13th Embodiment of this invention.
  • FIG. 16B is a cross-sectional view taken along 16B-16B of FIG. 16A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 14th Embodiment of this invention.
  • FIG. 17B is a cross-sectional view taken along 17B-17B of FIG.
  • FIG. 17A It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 15th Embodiment of this invention.
  • FIG. 18B is a cross-sectional view taken along the line 18B-18B of FIG. 18A. It is a top perspective view which shows the optical module which concerns on 16th Embodiment of this invention.
  • FIG. 19B is a cross-sectional view taken along 19B-19B of FIG. 19A.
  • FIGS. 2A and 2B are diagrams showing the configuration of the optical module 200 according to the first embodiment of the present invention.
  • 2A is a top perspective view of the optical module 200
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along 2B-2B in FIG. 2A.
  • the optical module 200 of FIGS. 2A and 2B is disposed at the bottom of the housing 201 and covered with a lid 214.
  • FIG. 2A is a diagram in a state in which the lid 214 of the optical module 200 is removed
  • FIG. 2B is a diagram in a state in which the lid 214 of the optical module 200 is attached.
  • an optical processing circuit 203 In the optical module 200, an optical processing circuit 203, an electro-optical conversion element 204 connected to the optical processing circuit 203, and a lower substrate 213 are disposed at the bottom of the housing 201.
  • a lower ground 208 is formed on the lower substrate 213, and a high-frequency substrate 207 is formed on the lower ground 208.
  • Four high-frequency transmission lines 205 connected to the electro-optic conversion element 204 are formed on the high-frequency substrate 207, and the four high-frequency transmission lines 205 constitute a microstrip line.
  • the housing 201 is provided with one optical port 202 and four electrical ports 206, the optical port 202 is connected to the optical processing circuit 203, and the four electrical ports 206 are each connected to the high-frequency transmission line 205. .
  • the optical module 200 is provided with a conductive cover block 209 so as to cover the high-frequency transmission line 205, and the cover block 209 is fixed to the high-frequency substrate 207 via a spacer 210.
  • the spacer 210 maintains a certain space between the cover block 209 and the high-frequency substrate 207 and the high-frequency transmission line 205 on the high-frequency substrate 207.
  • the cover block 209 is made of copper.
  • the material of the housing 201 is copper tungsten.
  • the optical module 200 according to the present invention is not limited to this material, and may be, for example, a general metal.
  • the cover block 209 is grounded.
  • the spacer 210 and the housing 201 are electrically conductive parts and then electrically connected to the lower ground 208. Further, the housing 201 may be connected to the ground of the electro-optical conversion element 204 or the ground of the electrical port 206 (for example, the ground of the GPPO connector).
  • An optical signal transmission module or an optical signal reception module is provided by an optical port 202, an optical processing circuit 203, an electro-optical conversion element 204, a high-frequency transmission line 205, and an electric port 206.
  • the optical processing circuit 203 combines a plurality of input optical signals and converts them into wavelength multiplexed optical signals.
  • the optical module 200 functions as an optical signal receiving module, the input wavelength division multiplexed optical signal is converted into a plurality of optical signals.
  • a high frequency electrical signal is input from the electrical port 206 of the optical module 200.
  • the high-frequency electrical signal passes through the high-frequency transmission line 205, is converted into an optical signal by the electro-optical conversion element 204, is combined in the optical processing circuit 203, and is output from the optical port 202 as a wavelength multiplexed optical signal.
  • a wavelength multiplexed optical signal is input from the optical port 202 of the optical module 200.
  • the wavelength multiplexed optical signal is divided into respective wavelengths in the optical processing circuit 203, converted into a high frequency electrical signal by the electro-optical conversion element 204, passes through the high frequency transmission line 205, and is output as a high frequency electrical signal from the electrical port 206. .
  • a high-frequency electric signal passing through the high-frequency transmission line 205 is generally propagated in a mode that spreads around the line.
  • the lines of electric force emitted from the high-frequency transmission line 205 are directed in the direction in which the electric field lines spread around.
  • the high-frequency crosstalk is generated when electric lines of force emitted from a certain high-frequency transmission line are terminated at the adjacent high-frequency transmission line. Therefore, if a grounded conductor cover block 209 is provided above the high-frequency transmission line 205, electric lines of force emitted from a certain high-frequency transmission line are attracted to the cover block 209, and it is difficult to go to the adjacent high-frequency transmission line. Therefore, when the cover block 209 is provided, the crosstalk between the transmission lines of the high-frequency transmission line 205 can be reduced.
  • this embodiment reduces high-frequency crosstalk of the high-frequency transmission line 205, which is a microstrip line, even when a cover block is provided on the upper part of the coplanar line, crosstalk between transmission lines is reduced. Is possible.
  • FIGS. 3A and 3B are diagrams showing the configuration of the optical module 300 according to the second embodiment of the present invention.
  • 3A is a top perspective view of the optical module 300
  • FIG. 3B is a cross-sectional view taken along 3B-3B in FIG. 3A.
  • the optical module 300 in FIGS. 3A and 3B is disposed at the bottom of the housing 301 and covered with a lid 314.
  • FIG. 3A is a diagram with the cover 314 of the optical module 300 removed
  • FIG. 3B is a diagram with the cover 314 of the optical module 300 attached.
  • an optical processing circuit 303 In the optical module 300, an optical processing circuit 303, an electro-optical conversion element 304 connected to the optical processing circuit 303, and a lower substrate 313 are disposed at the bottom of the housing 301.
  • a lower ground 308 is formed on the lower substrate 313, and a high-frequency substrate 307 is formed on the lower ground 308.
  • Four high-frequency transmission lines 305 connected to the electro-optic conversion element 304 are formed on the high-frequency substrate 307, and the four high-frequency transmission lines 305 constitute a microstrip line.
  • the housing 301 is provided with one optical port 302 and four electrical ports 306, the optical port 302 is connected to the optical processing circuit 303, and the four electrical ports 306 are each connected to the high-frequency transmission line 305. .
  • the optical module 300 is provided with a conductive cover block 309 so as to cover the high-frequency transmission line 305, and the cover block 309 is fixed to the high-frequency substrate 307 through the spacer 310.
  • the spacer 310 maintains a certain space between the cover block 309 and the high-frequency substrate 307 and the high-frequency transmission line 305 on the high-frequency substrate 307.
  • the material of the cover block 309 is copper.
  • the material of the housing 301 is copper tungsten, but it may be a general metal.
  • a ground electrode 311 is formed in the longitudinal direction of the casing between two adjacent high-frequency transmission lines of the four high-frequency transmission lines 305 formed on the high-frequency substrate 307.
  • the cover block 309 and the ground electrode 311 are grounded.
  • the cover block 309 is connected to the ground by electrically connecting the spacer 310 and the housing 301 to the ground of the lower ground 308 after making the spacer 310 and the housing 301 conductive.
  • the ground electrode 311 is electrically connected to the lower ground 308 through a metal via provided in the high-frequency substrate 307.
  • the housing 301 may be connected to the ground of the electro-optical conversion element 304 or the ground of the electrical port 306.
  • the high-frequency electric signal passing through the high-frequency transmission line 305 is generally propagated in a mode that spreads around the line. That is, it can be said that the electric lines of force emitted from the high-frequency transmission line 305 are directed in the direction in which the electric field lines spread around.
  • the high-frequency crosstalk is generated when electric lines of force emitted from a certain high-frequency transmission line are terminated at the adjacent high-frequency transmission line. Therefore, when the grounded conductor cover block 309 and the ground electrode 311 are provided, the electric lines of force emitted from a certain high-frequency transmission line are attracted to the cover block 309 and the ground electrode 311, and are not easily directed to the adjacent high-frequency transmission line. . Therefore, when the cover block 309 and the ground electrode 311 are provided, crosstalk between the transmission lines of the high-frequency transmission line 305 can be reduced.
  • the cover block 309 and the ground electrode 311 are made of copper.
  • FIGS. 4A and 4B are diagrams showing the configuration of an optical module 400 according to the third embodiment of the present invention.
  • 4A is a top perspective view of the optical module 400
  • FIG. 4B is a cross-sectional view taken along 4B-4B of FIG. 4A.
  • the optical module 400 of FIGS. 4A and 4B is disposed at the bottom of the housing 401 and is covered with a lid 414.
  • FIG. 4A is a diagram with the cover 414 of the optical module 400 removed
  • FIG. 4B is a diagram with the cover 414 of the optical module 400 attached.
  • an optical processing circuit 403, an electro-optical conversion element 404 connected to the optical processing circuit 403, and a lower substrate 413 are arranged at the bottom of the housing 401.
  • a lower ground 408 is formed on the lower substrate 413, and a high-frequency substrate 407 is formed on the lower ground 408.
  • Four high-frequency transmission lines 405 connected to the electro-optic conversion element 404 are formed on the high-frequency substrate 407, and the four high-frequency transmission lines 405 constitute a microstrip line.
  • the housing 401 is provided with one optical port 402 and four electrical ports 406, the optical port 402 is connected to the optical processing circuit 403, and the four electrical ports 406 are each connected to the high-frequency transmission line 405. .
  • the optical module 400 is provided with a conductive cover block 409 so as to cover the high-frequency transmission line 405, and a ground electrode 411 is provided in each gap between the four high-frequency transmission lines 405 formed on the high-frequency substrate 407. It is formed.
  • the cover block 409 is fixed to the high frequency substrate 407 through the ground electrode 411.
  • the ground electrode 411 maintains a certain space between the cover block 409 and the high-frequency substrate 407 and the high-frequency transmission line 405 on the high-frequency substrate 407.
  • the cover block 409 is made of copper.
  • the material of the housing 401 is copper tungsten, but it may be a general metal.
  • the cover block 409 and the ground electrode 411 are grounded.
  • the ground electrode 411 is electrically connected to the lower ground 408 after a metal via is provided in the high-frequency substrate 407.
  • the housing 401 may be connected to the ground of the electro-optical conversion element 404 or the ground of the electrical port 406.
  • FIGS. 5A and 5B are diagrams showing the configuration of an optical module 500 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • 5A is a top perspective view of the optical module 500
  • FIG. 5B is a cross-sectional view taken along 5B-5B of FIG. 5A.
  • the optical module 500 in FIGS. 5A and 5B is disposed at the bottom of the housing 513 and is covered with a lid 519.
  • FIG. 5A is a diagram with the lid 519 of the optical module 500 removed
  • FIG. 5B is a diagram with the lid 519 of the optical module 500 attached.
  • the optical module 500 includes an optical modulator 505, a driver IC 506 connected to the optical modulator 505, an optical receiver 507, and a TIA (Transimpedance Amplifier) IC 508 connected to the optical receiver 507. Located at the bottom.
  • the optical modulator 505 and the optical receiver 507 have both functions of an optical processing circuit and an electro-optical signal conversion element.
  • the optical modulator 505 and the driver IC 506 are connected by wire bonding, and the optical receiver 507 and the TIA IC 508 are also connected by wire bonding.
  • the lower substrate 512 is disposed at the bottom of the housing 513.
  • a lower ground 516 is formed on the lower substrate 512
  • a high-frequency substrate 515 is formed on the lower ground 516.
  • four high-frequency transmission lines 514-1 connected to the driver IC 506 and four high-frequency transmission lines 514-2 connected to the TIA IC 508 are formed, and four high-frequency transmission lines are formed.
  • 514-1 and 514-2 constitute a microstrip line.
  • the housing 513 is provided with a sapphire window 503-1 for light output, a sapphire window 503-2 for light input, and eight GPPO connectors 511 and 511-2.
  • An output optical fiber 502-1 is connected to the sapphire window 503-1 for light output, and an output optical connector 501-1 is connected to the output optical fiber 502-1.
  • An input optical fiber 502-2 is connected to the sapphire window 503-2 for optical input, and an input optical connector 501-2 is connected to the input optical fiber 502-2.
  • a lens 504-1 is disposed between the sapphire window 503-1 for light output and the light modulator 505, and a lens 504 is disposed between the sapphire window 503-2 for light input and the light receiver 507. -2 is arranged.
  • the GPPO connector 511-1 is connected to the high-frequency transmission line 514-1, and the GPPO connector 511-2 is connected to the 514-2, respectively.
  • the optical module 500 includes a DC pin 509-1 connected to the optical receiver 507 and a DC pin 509-2 electrically connected to the TIAIC 508.
  • the optical module 500 includes a DC block capacitor 510-1 provided in the high frequency transmission line 514-1 and a DC block capacitor 510-2 provided in the high frequency transmission line 514-2.
  • the optical module 500 is provided with a cover block 517 so as to cover the high-frequency transmission lines 514-1 and 514-2, and the cover block 517 is fixed to the high-frequency substrate 515 via a spacer 518.
  • the spacer 518 maintains a certain space between the cover block 517 and the high-frequency substrate 515 and the high-frequency transmission lines 514-1 and 514-2 on the high-frequency substrate 515.
  • the cover block 517 is made of copper.
  • the material of the housing 513 is copper tungsten.
  • the cover block 517 is grounded.
  • the spacer 518 and the housing 513 are conductive components, and a metal via is provided in the lower substrate 512, and then electrically connected to the lower ground 516.
  • the optical module 500 has a parallel configuration of an optical signal transmission module and an optical signal reception module. That is, an optical connector 501-1, an optical fiber 502-1, a sapphire window 503-1, a lens 504-1, an optical modulator 505, a driver IC 506-1, a high-frequency transmission line 514-1, a DC
  • the block capacitor 510-1 and the GPPO connector 511-1 constitute an optical signal transmission module.
  • the block capacitor 510-2 and the GPPO connector 511-2 constitute an optical signal receiving module.
  • a high-frequency voltage signal is input from each of the GPPO connectors 511-1 of the optical module 500.
  • the high frequency voltage signal passes through each of the DC block capacitors 510 and each of the high frequency transmission lines 514-1 and is input to the driver IC 506.
  • the high-frequency voltage signal is converted into a high-frequency current signal by the driver IC 506, converted into an optical signal by the optical modulator 505, and then combined to become a wavelength multiplexed optical signal.
  • the wavelength multiplexed optical signal from the optical modulator 505 is collected on the sapphire window 503-1 by the lens 504-1, passes through the sapphire window 503-1, and reaches the optical connector 501-1 through the optical fiber 502-1. Propagate.
  • the wavelength multiplexed optical signal input from the optical connector 501-2 propagates to the sapphire window 503-2 through the optical fiber 502-2.
  • the wavelength multiplexed optical signal transmitted through the sapphire window 503-2 is collimated by the lens 504-2 and input to the optical receiver 507.
  • the wavelength multiplexed optical signal is demultiplexed by the optical receiver 507, converted into a high frequency current signal, and converted into a high frequency voltage signal by the TIAIC 508.
  • the high frequency voltage signal passes from the TIAIC 508 through each of the high frequency transmission line 514 and each of the DC block capacitors 510 and is output from the GPPO connector 511-2.
  • the optical module 500 has a parallel configuration of an optical signal transmission module and an optical signal reception module. Also in the optical module having the parallel configuration as in the present embodiment, by providing the cover block 517, from the transmission side (514-1) to the reception side (514-2) and the reception side (514-2) of the high-frequency transmission line. ) To the transmission side (514-1) can be reduced.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating the crosstalk suppression effect of the present embodiment.
  • FIG. 6A shows the crosstalk characteristic in the conventional optical module
  • FIG. 6B shows the crosstalk characteristic in the optical module 500.
  • the optical module 500 according to the present embodiment has a crosstalk suppression effect of a maximum of 7 dB compared to the conventional signal frequency range of 0 to 20 GHz. I understand that.
  • the material of the housing 513 is copper tungsten, which is because copper tungsten has a high thermal conductivity and excellent exhaust heat.
  • the optical module 500 according to the present invention is not limited to this material, and may be a general metal, for example.
  • the cover block 517 is made of copper.
  • the optical module 500 according to the present invention is not limited to this example.
  • a conductor material other than copper may be used, or ceramic.
  • it may be a block in which a conductor film is provided on the surface of an insulator material.
  • the lower ground 516 and the cover block 517 are provided below the high-frequency substrate 515 and the high-frequency transmission lines 514-1 and 514-2, but the optical module 500 according to the present invention is provided. Is not limited to this example, and the positional relationship between the ground and the cover block may be upside down, or may be in the horizontal direction.
  • FIGS. 7A and 7B are diagrams showing the configuration of an optical module 700 according to the fifth embodiment of the present invention.
  • 7A is a top perspective view of the optical module 700
  • FIG. 7B is a cross-sectional view taken along 7B-7B in FIG. 7A.
  • the optical module 700 of FIGS. 7A and 7B is disposed at the bottom of the housing 713 and is covered with a lid 719.
  • FIG. 7A is a diagram in a state where the lid 719 of the optical module 700 is removed
  • FIG. 7B is a diagram in a state where the lid 719 of the optical module 700 is attached.
  • the optical module 700 includes an optical modulator 705, a driver IC 706 connected to the optical modulator 705, an optical receiver 707, and a TIA (Transimpedance Amplifier) IC 708 connected to the optical receiver 707. Located at the bottom.
  • the optical modulator 705 and the optical receiver 707 have both functions of an optical processing circuit and an electro-optical signal conversion element.
  • the optical modulator 705 and the driver IC 706 are connected by wire bonding, and the optical receiver 707 and the TIA IC 708 are also connected by wire bonding.
  • the lower substrate 712 is disposed at the bottom of the housing 713.
  • a lower ground 716 is formed on the lower substrate 712, and a high-frequency substrate 715 is formed on the lower ground 716.
  • four high-frequency transmission lines 714-1 connected to the driver IC 706 and four high-frequency transmission lines 714-2 connected to the TIA IC 708 are formed to constitute a microstrip line. ing.
  • the housing 713 is provided with a sapphire window for light output 703-1, a sapphire window for light input 703-2, and eight GPPO connectors 711-1 and 711-2.
  • An output optical fiber 702-1 is connected to the optical output sapphire window 703-1, and an output optical connector 701-1 is connected to the output optical fiber 702-1.
  • An input optical fiber 702-2 is connected to the sapphire window 703-2 for optical input, and an input optical connector 701-2 is connected to the input optical fiber 702-2.
  • a lens 704-1 is disposed between the sapphire window 703-1 for light output and the light modulator 705, and a lens 704 is disposed between the sapphire window 703-2 for light input and the light receiver 707. -2 is arranged.
  • the GPPO connector 711-1 is connected to the high-frequency transmission line 714-1, and the GPPO connector 711-2 is connected to the 714-2, respectively.
  • the optical module 700 also includes a DC pin 709-1 connected to the optical receiver 707 and a DC pin 709-2 electrically connected to the TIA IC 708.
  • the optical module 700 also includes a DC block capacitor 710-1 provided on the high frequency transmission line 714-1 and a DC block capacitor 710-2 provided on the high frequency transmission line 714-2.
  • the optical module 700 covers the high-frequency transmission lines 714-1 and 714-2, the driver IC 706 and the TIA IC 708, the connection wire between the driver IC 706 and the optical modulator 705, and the connection wire between the TIA ICIC 708 and the optical receiver 707.
  • a cover block 717 is provided.
  • the cover block 717 is fixed to the high frequency substrate 715 via the spacer 718.
  • the spacer 718 maintains a constant space between the cover block 717 and the high-frequency substrate 715 and the high-frequency transmission lines 714-1 and 714-2 on the high-frequency substrate 715.
  • the cover block 717 is made of copper.
  • casing 713 is copper tungsten, a common metal may be sufficient.
  • the cover block 717 is grounded.
  • the spacer 718 and the housing 713 are conductive parts, and a metal via is provided in the lower substrate 712, and then electrically connected to the lower ground 716.
  • the optical module 700 has a parallel configuration of an optical signal transmission module and an optical signal reception module. That is, optical connector 701-1, optical fiber 702-1, sapphire window 703-1, lens 704-1, optical modulator 705, driver IC 706-1, high frequency transmission line 714-1, DC
  • the block capacitor 710-1 and the GPPO connector 711-1 constitute an optical signal transmission module.
  • the block capacitor 710-2 and the GPPO connector 711-2 constitute an optical signal receiving module.
  • the transmission side (714-1) to the reception side (714-2) and the reception side (714-2) of the high-frequency transmission line are provided.
  • crosstalk can be reduced.
  • crosstalk between the wires generated in the connection wire between the driver IC 706 and the optical modulator 705 and the connection wire between the TIA IC 708 and the optical receiver 707 can be suppressed at the same time.
  • FIGS. 8A and 8B are diagrams showing a configuration of an optical module 800 according to the sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 8C is a diagram showing a configuration of an optical module 800 according to a modification of the sixth embodiment of the present invention.
  • 8A is a top perspective view of the optical module 800
  • FIGS. 8B and 8C are cross-sectional views taken along line 8B-8B in FIG. 8A.
  • the optical module 800 of FIGS. 8A, 8B, and 8C is disposed at the bottom of the housing 813 and is covered with a lid 819.
  • FIG. 8A is a diagram with the lid 819 of the optical module 800 removed, and FIGS.
  • the optical module 800 includes an optical modulator 805, a driver IC 806 connected to the optical modulator 805, an optical receiver 807, and a TIA (Transimpedance Amplifier) IC 808 connected to the optical receiver 807. Located at the bottom.
  • the optical modulator 805 and the optical receiver 807 have both functions of an optical processing circuit and an electro-optical signal conversion element.
  • the optical modulator 805 and the driver IC 806 are connected by wire bonding, and the optical receiver 807 and the driver IC 808 are also connected by wire bonding.
  • the lower substrate 812 is disposed at the bottom of the housing 813.
  • a lower ground 816 is formed on the lower substrate 812, and a high-frequency substrate 815 is formed on the lower ground 816.
  • four high-frequency transmission lines 814-1 connected to the driver IC 806 and four high-frequency transmission lines 814-2 connected to the TIA IC 808 are formed to constitute a microstrip line. ing.
  • the housing 813 is provided with a sapphire window 803-1 for light output, a sapphire window 803-2 for light input, and eight GPPO connectors 811 and 811-2.
  • An output optical fiber 802-1 is connected to the sapphire window 803-1 for optical output, and an output optical connector 801-1 is connected to the output optical fiber 802-1.
  • An input optical fiber 802-2 is connected to the sapphire window 803-2 for optical input, and an input optical connector 801-2 is connected to the input optical fiber 802-2.
  • a lens 804-1 is disposed between the sapphire window 803-1 for light output and the light modulator 805, and a lens 804 is disposed between the sapphire window 803-2 for light input and the light receiver 807. -2 is arranged.
  • the GPPO connector 811-1 is connected to the high-frequency transmission line 814-1, and the GPPO connector 811-2 is connected to the 814-2, respectively.
  • the optical module 800 also includes a DC pin 809-1 connected to the optical receiver 807 and a DC pin 809-2 electrically connected to the TIA IC 808.
  • the optical module 800 includes a DC block capacitor 810-1 provided in the high frequency transmission line 814-1 and a DC block capacitor 810-2 provided in the high frequency transmission line 814-2.
  • the optical module 800 covers the high-frequency transmission lines 814-1 and 814-2, the driver IC 806 and the TIA IC 808, the connection wire between the driver IC 806 and the optical modulator 805, and the connection wire between the TIA IC 808 and the optical receiver 807.
  • a cover block 817 is provided.
  • the cover block 817 is fixed to the high frequency substrate 815 via a spacer 818.
  • the spacer 818 maintains a constant space between the cover block 817 and the high-frequency substrate 815 and the high-frequency transmission lines 814-1 and 814-2 on the high-frequency substrate 815.
  • the cover block 817 may be large enough to cover only the high-frequency transmission lines 814-1 and 814-2.
  • the cover block 817 is made of copper.
  • the material of the housing 813 is copper tungsten, it may be a general metal.
  • the optical module 800 includes a transmission-side high-frequency transmission line 814-1 and a reception-side high-frequency transmission line 814-2 formed between the transmission-side driver IC 806 and the reception-side TIA IC 808 and on the high-frequency substrate 815. In between, a ground electrode 820 is formed.
  • the cover block 817 and the ground electrode 820 are grounded.
  • the cover block 817 is connected to the ground by using the spacer 810 and the housing 801 as conductive parts and providing a metal via on the lower substrate 812 and then electrically connecting the lower ground 816.
  • the ground electrode 820 is electrically connected to the lower ground 816 after a metal via is provided on the high-frequency substrate 815.
  • a cover block 817 is fixed to a high-frequency substrate 815 via a ground electrode 820 having a predetermined thickness instead of the spacer 818. Also good.
  • a metal via is provided in the high-frequency substrate 815, and then the lower ground 816 and the ground electrode 820 are electrically connected.
  • the optical module 800 has a parallel configuration of an optical signal transmission module and an optical signal reception module. That is, optical connector 801-1, optical fiber 802-1, sapphire window 803-1, lens 804-1, optical modulator 805, driver IC 806-1, high frequency transmission line 814-1, DC
  • the block capacitor 810-1 and the GPPO connector 811-1 constitute an optical signal transmission module.
  • the block capacitor 810-2 and the GPPO connector 811-2 constitute an optical signal receiving module.
  • the transmission side (814-1) to the reception side (814-2) and the reception side of the high frequency transmission line are provided.
  • Crosstalk from (814-2) to the transmission side (814-1) can be reduced.
  • the present embodiment is effective when there is a signal level difference between the signal flowing on the transmission side (814-1) and the signal flowing on the reception side (814-2).
  • crosstalk between the wires generated in the connection wire between the driver IC 806 and the optical modulator 805 and the connection wire between the TIA IC 808 and the optical modulator 807 can be suppressed at the same time.
  • FIGS. 9A and 9B are diagrams showing the configuration of an optical module 900 according to the seventh embodiment of the present invention.
  • 9A is a top perspective view of the optical module 900
  • FIG. 9B is a cross-sectional view taken along 9B-9B of FIG. 9A.
  • the optical module 900 of FIGS. 9A and 9B is disposed at the bottom of the housing 913 and is covered with a lid 919.
  • FIG. 9A is a diagram with the lid 919 of the optical module 900 removed
  • FIG. 9B is a diagram with the lid 919 of the optical module 900 attached.
  • the optical module 900 includes an optical modulator 905, a driver IC 906 connected to the optical modulator 905, an optical receiver 907, and a TIA (Transimpedance Amplifier) IC 908 connected to the optical receiver 907. Located at the bottom.
  • the optical modulator 905 and the optical receiver 907 have both functions of an optical processing circuit and an electro-optical signal conversion element.
  • the optical modulator 905 and the driver IC 906 are connected by wire bonding, and the optical receiver 907 and the driver IC 908 are also connected by wire bonding.
  • the lower substrate 912 is disposed at the bottom of the housing 913.
  • a lower ground 916 is formed on the lower substrate 912, and a high-frequency substrate 915 is formed on the lower ground 916.
  • four high-frequency transmission lines 914-1 connected to the driver IC 906 and four high-frequency transmission lines 914-2 connected to the TIA IC 908 are formed to constitute a microstrip line. ing.
  • the housing 913 is provided with a sapphire window 903-1 for light output, a sapphire window 903-2 for light input, and eight GPPO connectors 911 and 811-2.
  • An output optical fiber 902-1 is connected to the sapphire window 903-1 for light output, and an output optical connector 901-1 is connected to the output optical fiber 902-1.
  • An input optical fiber 902-2 is connected to the sapphire window 903-2 for optical input, and an input optical connector 901-2 is connected to the input optical fiber 902-2.
  • a lens 904-1 is disposed between the sapphire window 903-1 for light output and the light modulator 905, and a lens 904 is disposed between the sapphire window 903-2 for light input and the light receiver 907. -2 is arranged.
  • the GPPO connector 911-1 is connected to the high-frequency transmission line 914-1, and the GPPO connector 911-2 is connected to the 914-2, respectively.
  • the optical module 900 includes a DC pin 909-1 connected to the optical receiver 907 and a DC pin 909-2 electrically connected to the TIA IC 908.
  • the optical module 900 includes a DC block capacitor 910-1 provided on the high frequency transmission line 914-1 and a DC block capacitor 910-2 provided on the high frequency transmission line 914-2.
  • the optical module 900 covers high-frequency transmission lines 914-1 and 914-2, driver IC 906 and TIA IC 908, connection wires between the driver IC 906 and the optical modulator 905, and connection wires between the TIA IC 908 and the optical receiver 907.
  • a cover block 917 is provided.
  • the optical module 900 includes a transmission-side high-frequency transmission line 914-1 and a reception-side high-frequency transmission line 914-2 formed between the transmission-side driver IC 906 and the reception-side TIA IC 908 and on the high-frequency substrate 915.
  • the ground electrode 920 is formed in the longitudinal direction of the casing.
  • the cover block 914 is fixed to the high-frequency substrate 915 through a ground electrode 920 having a predetermined thickness.
  • the ground electrode 920 maintains a certain space between the cover block 917 and the high-frequency substrate 915 and the high-frequency transmission lines 914-1 and 914-2 on the high-frequency substrate 915.
  • the cover block 914 is made of copper.
  • casing 913 is taken as copper tungsten, a common metal may be sufficient.
  • the cover block 917 and the ground electrode 920 are grounded.
  • the lower ground 916 and the ground electrode 920 are electrically connected after providing a metal via on the high-frequency substrate 915.
  • the cover block 917 need not cover all of the high-frequency transmission lines 914-1 and 914-2. If the cover block 917 can reduce crosstalk from the transmission side (914-1) to the reception side (914-2) and from the reception side (914-2) to the transmission side (914-1) of the high-frequency transmission line, The high-frequency transmission lines 914-1 and 914-2 may partially protrude from the range covered by the cover block 917.
  • the transmission side (914-1) to the reception side (914-2) and the reception side (914-2) to the transmission side ( 914-1) can reduce crosstalk, especially when there is a signal level difference between the signal flowing through the transmission side (914-1) and the signal flowing through the reception side (914-2). It is.
  • FIGS. 10A and 10B are diagrams showing a configuration of an optical module 1000 according to the eighth embodiment of the present invention.
  • 10A is a top perspective view of the optical module 1000
  • FIG. 10B is a cross-sectional view taken along 10B-10B of FIG. 10A.
  • the optical module 1000 in FIGS. 10A and 10B is disposed at the bottom of the housing 1013 and is covered with a lid 1019.
  • FIG. 10A is a diagram with the lid 1019 of the optical module 1000 removed
  • FIG. 10B is a diagram with the lid 1019 of the optical module 1000 attached.
  • the optical module 1000 has a parallel configuration of two optical signal transmission modules.
  • the optical connector 1001-1, the optical fiber 1002-1, the sapphire window 1003-1, the lens 1004-1, the optical modulator 1005-1, the driver IC 1006-1, and the high-frequency transmission line 1014-1 The DC block capacitor 1010-1 and the GPPO connector 1011-1 constitute a first optical signal transmission module.
  • the DC block capacitor 1010-2 and the GPPO connector 1011-2 constitute a second optical signal transmission module.
  • the optical module 1000 by providing the grounded cover block 1017, it is possible to reduce crosstalk between the high-frequency transmission lines (1014-1 and 1014-2) constituting the microstrip line. .
  • the same method as in the fourth embodiment can be used.
  • FIGS. 11A and 11B are diagrams showing the configuration of an optical module 1100 according to the ninth embodiment of the present invention.
  • 11A shows a top perspective view of the optical module 1100
  • FIG. 11B shows a cross-sectional view taken along 11B-11B of FIG. 11A.
  • the optical module 1100 in FIGS. 11A and 11B is disposed at the bottom of the housing 1113 and covered with a lid 1119.
  • FIG. 11A is a diagram with the lid 1119 of the optical module 1100 removed
  • FIG. 11B is a diagram with the lid 1119 of the optical module 1100 attached.
  • the optical module 1100 according to this embodiment has a parallel configuration of two optical signal receiving modules.
  • the optical connector 1101-1, the optical fiber 1102-1, the sapphire window 1103-1, the lens 1104-1, the optical receiver 1107-1, the driver IC 1106-1, and the high-frequency transmission line 1114-1 The DC block capacitor 1110-1 and the GPPO connector 11111-1 constitute a first optical signal receiving module.
  • the DC block capacitor 1110-2 and the GPPO connector 111-2 constitute a second optical signal receiving module.
  • optical module 1100 by providing the grounded cover block 1117, crosstalk between the high-frequency transmission lines (1114-1 and 1114-2) constituting the microstrip line can be reduced. .
  • the same method as in the first to eighth embodiments can be used to connect the cover block 1117 to the ground.
  • FIGS. 12A and 12B are diagrams showing a configuration of an optical module 1200 according to the twelfth embodiment of the present invention.
  • 12A shows a top perspective view of the optical module 700
  • FIG. 12B shows a cross-sectional view taken along 12B-12B of FIG. 12A.
  • the optical module 1200 of FIGS. 12A and 12B is disposed at the bottom of the housing 1213 and is covered with a lid 1219.
  • FIG. 12A is a diagram with the lid 1219 of the optical module 1200 removed
  • FIG. 12B is a diagram with the lid 1219 of the optical module 1200 attached.
  • An optical module 1200 includes an optical transceiver chip 1205 in which the optical modulator 505 and the optical receiver 507 of the optical module 500 of the fourth embodiment shown in FIGS. 5A and 5B are integrated on one chip. It is characterized by having. That is, optical connector 1201-1, optical fiber 1202-1, sapphire window 1203-1, lens 1204-1, optical transceiver chip 1205, driver IC 1206-1, high-frequency transmission line 1214-1, DC The block capacitor 1210-1 and the GPPO connector 1211-1 constitute an optical signal transmission module.
  • the block capacitor 1210-2 and the GPPO connector 1211-2 constitute an optical signal receiving module.
  • the optical module 1200 by providing the grounded cover block 1217, it is possible to reduce crosstalk between the high-frequency transmission lines (1214-1 and 1214-2) constituting the microstrip line. .
  • the same method as in the fourth embodiment can be used.
  • the configuration of the present embodiment is advantageous in terms of cost reduction and size reduction, and achieves the effects of the present invention.
  • FIGS. 13A and 13B are diagrams showing the configuration of an optical module 1300 according to the eleventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 13A is a top perspective view of the optical module 1300
  • FIG. 13B is a cross-sectional view taken along 13B-13B in FIG. 13A.
  • the optical module 1300 in FIGS. 13A and 13B is disposed at the bottom of the housing 1301 and is covered with a lid 1314.
  • FIG. 13A is a diagram with the lid 1314 of the optical module 1300 removed
  • FIG. 13B is a diagram with the lid 1314 of the optical module 1300 attached.
  • an optical processing circuit 1303, an electro-optical conversion element 1304 connected to the optical processing circuit 1303, and a lower substrate 1313 are arranged at the bottom of the housing 1301.
  • a lower ground 1308 is formed on the lower substrate 1313
  • a high-frequency substrate 1307 is formed on the lower ground 1308.
  • four high-frequency transmission lines 1305 connected to the electro-optical conversion element 1304 are formed to constitute a microstrip line.
  • the housing 1301 is provided with one optical port 1302 and four electrical ports 1306, the optical port 1302 is connected to the optical processing circuit 1303, and the four electrical ports 1306 are each connected to the high-frequency transmission line 1305. .
  • the optical module 1300 is provided with a cover block 1309 above the high-frequency transmission line 1305, and the cover block 1309 is fixed to the high-frequency substrate 1307 by a spacer 1310 and grounded.
  • the spacer 1310 and the housing 1301 are electrically conductive parts and then electrically connected to the lower ground 1308.
  • the cover block 1309 has a groove formed in accordance with the high-frequency transmission line 1305, and the groove portion of the cover block 1309 is positioned directly above the high-frequency transmission line 1305.
  • the groove portion can be shaped so as to cover the high frequency transmission line 1305 from above, and the crosstalk reduction effect between the high frequency transmission lines 1305 of the cover block 1309 can be further enhanced. it can.
  • a gold high-frequency transmission line 1305 is formed on a ceramic high-frequency substrate 1307 having a thickness of 150 ⁇ m, and a copper cover block 1309 is disposed on the high-frequency transmission line 1305.
  • the high frequency transmission line 1305 has a pattern thickness of 2 ⁇ m, a width of 90 ⁇ m, a gap between transmission lines of 400 ⁇ m, and a distance between the cover block 1309 and the high frequency substrate 1307 of 200 ⁇ m.
  • FIG. 14 is a diagram showing the crosstalk suppression effect of this embodiment. 14A shows the crosstalk characteristic in the conventional optical module, and FIG. 14B shows the crosstalk characteristic in the optical module 1400. 14 (a) and 14 (b), it can be seen that the optical module 1400 according to the present embodiment has a crosstalk suppression effect of 12 dB compared to the conventional one.
  • FIGS. 15A and 15B are diagrams showing a configuration of an optical module 1500 according to the twelfth embodiment of the present invention.
  • 15A is a top perspective view of the optical module 1500
  • FIG. 15B is a cross-sectional view taken along 15B-15B in FIG. 15A.
  • the optical module 1500 in FIGS. 15A and 15B is disposed at the bottom of the housing 1501 and is covered with a lid 1514.
  • FIG. 15A is a diagram with the lid 1514 of the optical module 1500 removed
  • FIG. 15B is a diagram with the lid 1514 of the optical module 1500 attached.
  • an optical processing circuit 1503, an electro-optical conversion element 1504 connected to the optical processing circuit 1503, and a lower substrate 1513 are arranged at the bottom of the housing 1501.
  • a lower ground 1508 is formed on the lower substrate 1513, and a high-frequency substrate 1507 is formed on the lower ground 1508.
  • Four high-frequency transmission lines 1505 connected to the electro-optical conversion element 1504 are formed on the high-frequency substrate 1507, and constitute a microstrip line.
  • the four high-frequency transmission lines 155 are each equipped with a DC block capacitor 1510 for cutting the DC component of the signal.
  • the housing 1501 is provided with one optical port 1502 and four electrical ports 1506.
  • the optical port 1502 is connected to the optical processing circuit 1503, and the four electrical ports 1506 are each connected to the high-frequency transmission line 1505. .
  • the optical module 1500 is provided with a cover block 1509 above the high-frequency transmission line 1505, and the cover block 1509 is fixed to the high-frequency substrate 1507 by a spacer 1511 and grounded.
  • the spacer 1511 and the housing 1501 are electrically conductive parts and then electrically connected to the lower ground 1508.
  • the cover block 1509 has a groove formed in accordance with the high frequency transmission line 1505, and the groove portion of the cover block 1509 is positioned directly above the high frequency transmission line 1505 and the block capacitor 1511.
  • the groove portion can be shaped to cover the high-frequency transmission line 1505 and the block capacitor 1510 from above. Also in this embodiment, the cover block 1509 can further enhance the crosstalk reduction effect between the high-frequency transmission lines 1505.
  • the component mounted on the high-frequency transmission line is a DC block capacitor
  • the present invention is not limited to this.
  • the component may be a chip resistor or a component having a complicated function such as an integrated circuit.
  • the DC block capacitor 1510 is solder-mounted on the high frequency line.
  • the present invention is not limited to solder mounting.
  • a component mounted with silver paste, a component mounted with bumps, or a component mounted with wire bonding may be used. Of course, it doesn't matter.
  • FIGS. 16A and 16B are diagrams showing a configuration of an optical module 1600 according to the sixteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 16A shows a top perspective view of the optical module 1600 with the lid 1614 removed
  • FIG. 16B shows a cross-sectional view taken along 16B-16B in FIG. 16A.
  • the optical module 1600 in FIGS. 16A and 16B is disposed at the bottom of the housing 1601 and is covered with a lid 1614.
  • FIG. 16A is a diagram with the lid 1614 of the optical module 1600 removed
  • FIG. 16B is a diagram with the lid 1614 of the optical module 1600 attached.
  • an optical processing circuit 1603, an electro-optical conversion element 1604 connected to the optical processing circuit 1603, and a lower substrate 1613 are arranged on the bottom of the housing 1601 on a substrate 1613.
  • a lower ground 1608 is formed on the lower substrate 1613, and a high-frequency substrate 1607 is formed on the lower ground 1608.
  • four high-frequency transmission lines 1605 connected to the electro-optic conversion element 1604 are formed to constitute a microstrip line.
  • the housing 1601 is provided with one optical port 1602 and four electrical ports 1606.
  • the optical port 1602 is connected to the optical processing circuit 1603, and the four electrical ports 1606 are each connected to the high-frequency transmission line 1605. .
  • the optical module 1600 is provided with a cover block 1609 above the high-frequency transmission line 1605, and the cover block 1609 is fixed to the high-frequency substrate 1607 by a spacer 1610 and grounded.
  • the spacer 1610 and the housing 1601 are electrically conductive parts and then electrically connected to the lower ground 1608.
  • the cover block 1609 is formed with a groove in accordance with the high frequency transmission line 1605, and the groove portion of the cover block 1609 is positioned directly above the high frequency transmission line 1605.
  • the optical module 1600 is further provided with an opening 1611 in the cover block 1609 and a marker 1612 on the high-frequency substrate 1607.
  • the cover block 1609 is aligned so that the opening 1611 coincides with the upper portion of the marker 1612. Then, the grooves formed in the cover block 1609 and the high frequency transmission line 1605 formed on the high frequency substrate 1607 can be accurately aligned.
  • crosstalk can be suppressed without impairing the characteristics of the high-frequency transmission line.
  • FIGS. 17A and 17B are views showing the configuration of an optical module 1700 according to the fourteenth embodiment of the present invention.
  • 17A is a top perspective view of the optical module 1700
  • FIG. 17B is a cross-sectional view taken along line 17B-17B of FIG. 17A.
  • the optical module 1700 of FIGS. 17A and 17B is disposed at the bottom of the housing 1701 and is covered with a lid 1714.
  • FIG. 17A is a diagram with the lid 1714 of the optical module 1700 removed
  • FIG. 17B is a diagram with the lid 1714 of the optical module 1700 attached.
  • an optical processing circuit 1703, an electro-optical conversion element 1704 connected to the optical processing circuit 1703, and a lower substrate 1713 are arranged at the bottom of the housing 1701.
  • a lower ground 1708 is formed on the lower substrate 1713, and a high-frequency substrate 1707 is formed on the lower ground 1708.
  • four high-frequency transmission lines 1705 connected to the electro-optical conversion element 1704 are formed to constitute a microstrip line.
  • the housing 1701 is provided with one optical port 1702 and four electrical ports 1706, the optical port 1702 is connected to the optical processing circuit 1703, and the four electrical ports 1706 are each connected to the high-frequency transmission line 1705. .
  • a cover block 1709 is provided on the high frequency transmission line 1705, and the cover block 1709 is fixed to the housing 1701 with solder 1710.
  • the cover block 1709 is grounded. Connection to the ground is made by electrically connecting the lower ground 1708 after the housing 1701 is made of a conductive component.
  • a cover block 1709 serving as a ground for a high-frequency transmission line 1705 and a housing 1701 serving as a ground for an electrical port 1706 are electrically connected via a solder 1710. Yes.
  • a path of a return current flowing to the ground when a high-frequency signal passes through the high-frequency transmission line 1705 is secured, and crosstalk can be suppressed without impairing the characteristics of the high-frequency transmission line.
  • FIGS. 18A and 18B are diagrams showing a configuration of an optical module 1800 according to the fifteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 18A is a top perspective view of the optical module 1800
  • FIG. 18B is a view taken along 18B-18B in FIG. 18A.
  • a cross-sectional view is shown.
  • the optical module 1800 in FIGS. 18A and 18B is disposed at the bottom of the housing 1801 and is covered with a lid 1814.
  • FIG. 18A is a diagram with the lid 1814 of the optical module 1800 removed
  • FIG. 18B is a diagram with the lid 1814 of the optical module 1800 attached.
  • an optical processing circuit 1803, an electro-optical conversion element 1804 connected to the optical processing circuit 1803, and a lower substrate 1813 are arranged at the bottom of the housing 1801.
  • a lower ground 1808 is formed on the lower substrate 1813
  • a high-frequency substrate 1807 is formed on the lower ground 1808.
  • four high-frequency transmission lines 1805 connected to the electro-optic conversion element 1804 are formed to constitute a microstrip line.
  • the housing 1801 is provided with one optical port 1802 and four electrical ports 1806.
  • the optical port 1802 is connected to the optical processing circuit 1803, and the four electrical ports 1806 are each connected to the high-frequency transmission line 1805. .
  • the optical module 1800 is provided with a cover block 1809 above the high-frequency transmission line 1805, and the cover block 1809 is fixed to the ground of the electro-optic conversion element 1804 with solder 1810 and is grounded.
  • the ground of the electro-optical conversion element 1804 is connected to the lower ground 1808 by a metal wire or the like.
  • the optical module 1800 is characterized in that the cover block 1809 serving as the ground of the high-frequency transmission line 1805 and the ground of the electro-optic conversion element 1804 are electrically connected by solder 1801.
  • the cover block 1809 can be grounded even when the housing 1801 is not a conductive material.
  • a path of a return current flowing to the ground when a signal passes through the high-frequency transmission line 1805 is secured, and crosstalk can be suppressed without impairing the characteristics of the high-frequency transmission line.
  • FIGS. 19A and 19B are diagrams showing a configuration of an optical module 1900 according to the sixteenth embodiment of the present invention.
  • FIG. 19A shows a top perspective view of the optical module 1900
  • FIG. 19B shows a cross-sectional view taken along 19B-19B in FIG. 19A.
  • the optical module 1900 in FIGS. 19A and 19B is disposed at the bottom of the housing 1901 and is covered with a lid 1909.
  • an optical processing circuit 1903, an electro-optical conversion element 1904 connected to the optical processing circuit 1903, and a lower substrate 1913 are arranged at the bottom of the housing 1901.
  • a lower ground 1908 is formed on the lower substrate 1913, and a high-frequency substrate 1907 is formed on the lower ground 1908.
  • a high-frequency substrate 1907 is formed on the lower ground 1908.
  • four high-frequency transmission lines 1905 connected to the electro-optic conversion element 1904 are formed to constitute a microstrip line.
  • the housing 1901 is provided with one optical port 1902 and four electrical ports 1906, the optical port 1902 is connected to the optical processing circuit 1903, and the four electrical ports 1906 are respectively connected to the high-frequency transmission line 1905. .
  • the optical module 1900 is provided with a lid 1909 serving as a cover block on the upper part of the high-frequency transmission line 1905.
  • the housing 1901 is formed to a height that can maintain a certain space between the lid 1909 and the high-frequency substrate 1907 and the high-frequency transmission line 1905 on the high-frequency substrate 1907.
  • the lid 1909 is grounded.
  • the housing 1901 is made of a conductive component and then electrically connected to the lower ground 1908.
  • the housing material of the first to fourteenth and sixteenth embodiments is replaced with a conductive material (for example, copper tungsten), such as ceramic and resin. It can also be a non-conductive substance. However, it is necessary to electrically connect the cover block and the ground electrode to the lower ground.
  • a conductive material for example, copper tungsten

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Abstract

高周波伝送線路間のクロストークを抑制する光モジュールを提供する。本発明の光モジュールは、光ポートと、光ポートに光学的に接続された光処理回路と、光処理回路に光学的に接続された電気光変換素子と、電気光変換素子に接続された２以上の高周波伝送線路と、高周波伝送線路に接続された電気ポートとを少なくとも一組備え、高周波伝送線路上に、高周波伝送線路の少なくとも一部を覆うように設けられ、接地された導電性のカバーブロックを備える。

Description

光モジュール
　本発明は、高周波電気信号及び光信号を伝達および信号処理するための光モジュールに関し、より詳細には、モジュール内の立体的なグランド構造により高周波クロストークが低減された光モジュールに関する。
　通信需要の急速な増大を背景として、通信網の大容量化に向けた検討が精力的に行われている。従来の光変調フォーマットは、１チャネルの光に対して１チャネルの高周波電気信号を割り当てる振幅変調（ＡＳＫ：Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ　Ｓｈｉｆｔ　Ｋｅｙｉｎｇ）方式が主流であった。しかし、ＡＳＫ方式は、ある周波数帯域に１ビットの信号しか付与することができない。従って、近年では、四位相偏移変調（ＱＰＳＫ：Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ　Ｐｈａｓｅ　ＳｈｉｆｔＫｅｙｉｎｇ）方式、及び直交振幅変調（ＱＡＭ：Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ　Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ　Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）方式が盛んに研究開発されており、実用化に至っている。
　ＱＰＳＫ信号又はＱＡＭ信号を生成するためには、通常は光を複素表記したときの実軸と虚軸を個別に振幅変調するＩＱ変調器の形態がとられる。ＩＱ変調器は、１チャネルの光を実軸と虚軸の分の２チャネルの高周波電気信号により変調することができる。また、光のＸ偏光と光のＹ偏光とに別個の信号を付与して伝送する偏波多重方式も一般的に多く用いられている。通信容量の大容量化のための周波数利用効率向上に向けて、ＩＱ変調と偏波多重を併せて用いる場合には、１チャネルの光を４チャネルの高周波電気信号により変調することができる。
　周波数利用効率を高めて通信容量増大を図る一方で、送受信デバイスの小型化により単位体積あたりの伝送容量を増大する営みも行われている。１デバイスあたりの伝送容量を変えずに小型化することにより、伝送装置に搭載されるデバイスの数を増加させ、伝送装置としての伝送容量を増大できる。
　しかしながら、１チャネルの光に対する高周波電気信号の多チャネル化や光送受信モジュールの小型化を行うと、電気信号が伝送される高周波伝送線路間の距離が短くなり、高周波伝送線路間のクロストークが大きくなるという課題がある（例えば特許文献１）。
　図１Ａ及び図１Ｂは、従来の光モジュール１００の構成を示す図である。図１Ａは、光モジュール１００の上面透視図を示し、図１Ｂは図１Ａの１Ｂ－１Ｂにおける断面図を示している。図１Ａ及び図１Ｂの光モジュール１００は、筐体１０１底部に配置され、蓋１１０に覆われている。ここで、図１Ａは、光モジュール１００の蓋１１０を外した状態の図であり、図１Ｂは、光モジュール１００の蓋１１０を取り付けた状態の図である。光モジュール１００は、光処理回路１０３と、光処理回路１０３に接続された電気光変換素子１０４と、下部基板１０９とが筐体１０１底部に配置されている。下部基板１０９上には、下部グランド１０８が形成され、下部グランド１０８上には高周波基板１０７が形成されている。高周波基板１０７上には、電気光変換素子１０４に接続された４本の高周波伝送線路１０５が形成され、４本の高周波伝送線路１０５はマイクロストリップ線路を構成している。筐体１０１には、１つの光ポート１０２及び４つの電気ポート１０６が設けられ、光ポート１０２は光処理回路１０３に接続され、４つの電気ポート１０６は、それぞれ高周波伝送線路１０５と接続されている。
　上記の構成は光モジュール一般に適用される形態であり、光ポート１０２と、光処理回路１０３と、電気光変換素子１０４と、高周波伝送線路１０５と、電気ポート１０６により光信号送信又は光信号受信モジュールを構成する。ここで、光信号送信モジュールを例に信号の流れを説明する。光モジュール１００の電気ポート１０６から、高周波電気信号が入力される。高周波電気信号は、高周波伝送線路１０５を通過し、電気光変換素子１０４により光信号に変換され、光処理回路１０３内において合波された上で、光ポート１０２から波長多重光信号として出力される。
　一般に、高周波電気信号は高周波伝送線路の周囲に拡がった電磁界として伝送されるため、隣接チャネルとの干渉によるクロストークを起こしやすい。したがって、筐体１０１のサイズを小さくしていくと、高周波伝送線路１０５が密集して間隔が狭くなるため、高周波伝送線路間のクロストークが大きくなって、伝送される信号特性に影響を与えるという問題があった。
　本発明は、上述のような従来技術に鑑みてなされたもので、その目的は、高周波伝送線路間のクロストークを抑制する光モジュールを提供することである。
特開２０１４－１５４６８６号公報
　このような目的を達成するために、本発明の態様は、光ポートと、前記光ポートに光学的に接続された光処理回路と、前記光処理回路に光学的に接続された電気光変換素子と、前記電気光変換素子に接続された２以上の高周波伝送線路と、前記高周波伝送線路に接続された電気ポートとを少なくとも一組備える光モジュールであって、前記高周波伝送線路上に、前記高周波伝送線路の少なくとも一部を覆うように設けられ、接地された導電性のカバーブロックを備えることを特徴とする。
　本発明は、光モジュール内の複数の密集した高周波伝送線路において伝送線路間のクロストークを低減する効果を奏する。
従来の光モジュールを示す上面透視図である。 図１Ａの１Ｂ－１Ｂにおける断面図である。 本発明の第１実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図２Ａの２Ｂ－２Ｂにおける断面図である。 本発明の第２実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図３Ａの３Ｂ－３Ｂにおける断面図である。 本発明の第３実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図４Ａの４Ｂ－４Ｂにおける断面図である。 本発明の第４実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図５Ａの５Ｂ－５Ｂにおける断面図である。 本発明の第４実施形態のクロストーク抑制効果を表す図である。 本発明の第５実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図７Ａの７Ｂ－７Ｂにおける断面図を示している。 本発明の第６実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図８Ａの８Ｂ－８Ｂにおける断面図である。 図８Ａの８Ｂ－８Ｂにおける断面図である。 本発明の第７実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図９Ａの９Ｂ－９Ｂにおける断面図である。 本発明の第８実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図１０Ａの１０Ｂ－１０Ｂにおける断面図を示している。 本発明の第９実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図１１Ａの１１Ｂ－１１Ｂにおける断面図である。 本発明の第１０実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図１２Ａの１２Ｂ－１２Ｂにおける断面図である。 本発明の第１１実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図１３Ａの１３Ｂ－１３Ｂにおける断面図を示している。 本発明の第１１の実施形態のクロストーク抑制効果を表す図である。 本発明の第１２実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図１５Ａの１５Ｂ－１５Ｂにおける断面図である。 本発明の第１３実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図１６Ａの１６Ｂ－１６Ｂにおける断面図である。 本発明の第１４実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図１７Ａの１７Ｂ－１７Ｂにおける断面図である。 本発明の第１５実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図１８Ａの１８Ｂ－１８Ｂにおける断面図である。 本発明の第１６実施形態に係る光モジュールを示す上面透視図である。 図１９Ａの１９Ｂ－１９Ｂにおける断面図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
　［第１の実施形態］
　図２Ａ及び図２Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る光モジュール２００の構成を示す図である。図２Ａは光モジュール２００の上面透視図を示し、図２Ｂは図２Ａの２Ｂ－２Ｂにおける断面図を示している。図２Ａ及び図２Ｂの光モジュール２００は、筐体２０１の底部に配置され、蓋２１４に覆われている。ここで、図２Ａは、光モジュール２００の蓋２１４を外した状態の図であり、図２Ｂは、光モジュール２００の蓋２１４を取り付けた状態の図である。光モジュール２００は、光処理回路２０３と、光処理回路２０３に接続された電気光変換素子２０４と、下部基板２１３とが筐体２０１底部に配置されている。下部基板２１３上には、下部グランド２０８が形成され、下部グランド２０８上には高周波基板２０７が形成されている。高周波基板２０７上には、電気光変換素子２０４に接続された４本の高周波伝送線路２０５が形成され、４本の高周波伝送線路２０５は、マイクロストリップ線路を構成している。筐体２０１には、１つの光ポート２０２及び４つの電気ポート２０６が設けられ、光ポート２０２は光処理回路２０３に接続され、４つの電気ポート２０６は、それぞれ高周波伝送線路２０５に接続されている。
　また、光モジュール２００は、高周波伝送線路２０５を覆うように導電性のカバーブロック２０９が設けられ、カバーブロック２０９はスペーサ２１０を介して高周波基板２０７に固定されている。スペーサ２１０により、カバーブロック２０９と、高周波基板２０７及び高周波基板２０７上の高周波伝送線路２０５との間に一定のスペースが維持される。本実施形態において、カバーブロック２０９の材料は銅としている。また、筐体２０１の材料は、銅タングステンとしている。ただし、本発明に係る光モジュール２００はこの材料に限定されるものではなく、たとえば、一般の金属であっても良い
　ここで、カバーブロック２０９は接地されている。グランドへの接続は、スペーサ２１０及び筐体２０１を導電性の部品とした上で、下部グランド２０８と電気的に接続する。また、筐体２０１を電気光変換素子２０４のグランド又は電気ポート２０６のグランド（例えばＧＰＰＯコネクタのグランド）と接続してもよい。
　上記の構成は光モジュール一般に適用される形態であり、光ポート２０２と、光処理回路２０３と、電気光変換素子２０４と、高周波伝送線路２０５と、電気ポート２０６により光信号送信又は光信号受信モジュールを構成する。光処理回路２０３は、光モジュール２００が光信号送信モジュールとして機能する場合、複数の入力光信号を合波して波長多重光信号に変換する。また、光モジュール２００が光信号受信モジュールとして機能する場合、入力した波長多重光信号を複数の光信号に変換する。
　光信号送信モジュールの信号の流れとしては、光モジュール２００の電気ポート２０６から、高周波電気信号が入力される。高周波電気信号は、高周波伝送線路２０５を通過し、電気光変換素子２０４により光信号に変換され、光処理回路２０３において合波された上で、光ポート２０２から波長多重光信号として出力される。また、光信号受信モジュールとしては、光モジュール２００の光ポート２０２から波長多重光信号が入力される。波長多重光信号は光処理回路２０３内でそれぞれの波長に分割され、電気光変換素子２０４により高周波電気信号に変換され、高周波伝送線路２０５を通過し、電気ポート２０６から高周波電気信号として出力される。
　高周波伝送線路２０５を通過する高周波電気信号は、一般に線路の周囲に拡がるモードで伝搬される。すなわち、高周波伝送線路２０５から出される電気力線が周囲に拡がる方向に向いているといえる。高周波クロストークは、ある高周波伝送線路から出される電気力線が隣の高周波伝送線路に終端されることにより発生する。従って、高周波伝送線路２０５上部に接地された導体のカバーブロック２０９を設けると、ある高周波伝送線路から出される電気力線はカバーブロック２０９に吸い寄せられ、隣の高周波伝送線路には向かいにくくなる。よって、カバーブロック２０９を設けると、高周波伝送線路２０５の伝送線路間のクロストークを低減することができる。
　なお、本実施形態はマイクロストリップ線路である高周波伝送線路２０５の高周波クロストークを低減するものであるが、コプレーナ線路上部にカバーブロックを設けた場合であっても、伝送線路間のクロストークを軽減することが可能である。
　［第２の実施形態］
　図３Ａ及び図３Ｂは、本発明の第２の実施形態に係る光モジュール３００の構成を示す図である。図３Ａは光モジュール３００の上面透視図を示し、図３Ｂは図３Ａの３Ｂ－３Ｂにおける断面図を示している。図３Ａ及び図３Ｂの光モジュール３００は、筐体３０１の底部に配置され、蓋３１４に覆われている。ここで、図３Ａは、光モジュール３００の蓋３１４を外した状態の図であり、図３Ｂは、光モジュール３００の蓋３１４を取り付けた状態の図である。光モジュール３００は、光処理回路３０３と、光処理回路３０３に接続された電気光変換素子３０４と、下部基板３１３とが筐体３０１底部に配置されている。下部基板３１３上には、下部グランド３０８が形成され、下部グランド３０８上には高周波基板３０７が形成されている。高周波基板３０７上には、電気光変換素子３０４に接続された４本の高周波伝送線路３０５が形成され、４本の高周波伝送線路３０５は、マイクロストリップ線路を構成している。筐体３０１には、１つの光ポート３０２及び４つの電気ポート３０６が設けられ、光ポート３０２は光処理回路３０３に接続され、４つの電気ポート３０６は、それぞれ高周波伝送線路３０５に接続されている。
　また、光モジュール３００は、高周波伝送線路３０５を覆うように導電性のカバーブロック３０９が設けられ、カバーブロック３０９はスペーサ３１０を介して高周波基板３０７に固定されている。スペーサ３１０により、カバーブロック３０９と、高周波基板３０７及び高周波基板３０７上の高周波伝送線路３０５との間に一定のスペースが維持される。本実施形態において、カバーブロック３０９の材料は銅としている。また、筐体３０１の材料は、銅タングステンとしているが、一般の金属であっても良い。
　さらに、光モジュール３００は、高周波基板３０７上に形成された４本の高周波伝送線路３０５の隣り合う２本の高周波伝送線路の間に、グランド電極３１１が筐体長手方向に形成される。
　ここで、カバーブロック３０９及びグランド電極３１１は接地されている。カバーブロック３０９のグランドへの接続は、スペーサ３１０及び筐体３０１を導電性の部品とした上で、下部グランド３０８のグランドと電気的に接続する。また、グランド電極３１１のグランドへの接続は、高周波基板３０７に設けられた金属製のビアを介して、下部グランド３０８と電気的に接続する。また、筐体３０１を電気光変換素子３０４のグランド又は電気ポート３０６のグランドと接続してもよい。
　高周波伝送線路３０５を通過する高周波電気信号は、一般に線路の周囲に拡がるモードで伝搬される。すなわち、高周波伝送線路３０５から出される電気力線が周囲に拡がる方向に向いているといえる。高周波クロストークは、ある高周波伝送線路から出される電気力線が隣の高周波伝送線路に終端されることにより発生する。従って、接地された導体のカバーブロック３０９及びグランド電極３１１を設けると、ある高周波伝送線路から出される電気力線はカバーブロック３０９及びグランド電極３１１に吸い寄せられ、隣の高周波伝送線路には向かいにくくなる。よって、カバーブロック３０９及びグランド電極３１１を設けると、高周波伝送線路３０５の伝送線路間のクロストークを低減することができる。なお、本実施形態において、カバーブロック３０９及びグランド電極３１１の材料は銅としている。
　［第３の実施形態］
　図４Ａ及び図４Ｂは、本発明の第３の実施形態に係る光モジュール４００の構成を示す図である。図４Ａは光モジュール４００の上面透視図を示し、図４Ｂは図４Ａの４Ｂ－４Ｂにおける断面図を示している。図４Ａ及び図４Ｂの光モジュール４００は、筐体４０１の底部に配置され、蓋４１４に覆われている。ここで、図４Ａは、光モジュール４００の蓋４１４を外した状態の図であり、図４Ｂは、光モジュール４００の蓋４１４を取り付けた状態の図である。光モジュール４００は、光処理回路４０３と、光処理回路４０３に接続された電気光変換素子４０４と、下部基板４１３とが筐体４０１底部に配置されている。下部基板４１３上には、下部グランド４０８が形成され、下部グランド４０８上には高周波基板４０７が形成されている。高周波基板４０７上には、電気光変換素子４０４に接続された４本の高周波伝送線路４０５が形成され、４本の高周波伝送線路４０５は、マイクロストリップ線路を構成している。筐体４０１には、１つの光ポート４０２及び４つの電気ポート４０６が設けられ、光ポート４０２は光処理回路４０３に接続され、４つの電気ポート４０６は、それぞれ高周波伝送線路４０５に接続されている。
　また、光モジュール４００は、高周波伝送線路４０５を覆うように導電性のカバーブロック４０９が設けられ、高周波基板４０７上に形成された４本の高周波伝送線路４０５のそれぞれの隙間に、グランド電極４１１が形成される。カバーブロック４０９は、グランド電極４１１を介して高周波基板４０７に固定されている。グランド電極４１１により、カバーブロック４０９と、高周波基板４０７及び高周波基板４０７上の高周波伝送線路４０５との間に一定のスペースが維持される。本実施形態において、カバーブロック４０９の材料は銅としている。また、筐体４０１の材料は、銅タングステンとしているが、一般の金属であっても良い。
　ここで、カバーブロック４０９及びグランド電極４１１は接地されている。グランドへの接続は、高周波基板４０７に金属製のビアを設けた上で、グランド電極４１１を下部グランド４０８と電気的に接続する。また、筐体４０１を電気光変換素子４０４のグランド又は電気ポート４０６のグランドと接続してもよい。
　［第４の実施形態］
　図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の第４の実施形態に係る光モジュール５００の構成を示す図である。図５Ａは光モジュール５００の上面透視図を示し、図５Ｂは図５Ａの５Ｂ－５Ｂにおける断面図を示す。図５Ａ及び図５Ｂの光モジュール５００は、筐体５１３の底部に配置され、蓋５１９に覆われている。ここで、図５Ａは、光モジュール５００の蓋５１９を外した状態の図であり、図５Ｂは、光モジュール５００の蓋５１９を取り付けた状態の図である。光モジュール５００は、光変調器５０５と、光変調器５０５に接続されたドライバＩＣ５０６と、光受信器５０７と、光受信器５０７に接続されたＴＩＡ（Ｔｒａｎｓｉｍｐｅｄａｎｃｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）ＩＣ５０８とが、筐体５１３の底部に配置されている。光変調器５０５及び光受信器５０７は、光処理回路及び電気光信号変換素子の機能を併せ持つものである。光変調器５０５とドライバＩＣ５０６とは、ワイヤボンディングにより接続され、光受信器５０７とＴＩＡ　ＩＣ５０８とについても、ワイヤボンディングにより接続される。
　また、光モジュール５００は、下部基板５１２が、筐体５１３の底部に配置されている。下部基板５１２上には下部グランド５１６が形成され、下部グランド５１６上には高周波基板５１５が形成されている。高周波基板５１５上には、ドライバＩＣ５０６に接続された４本の高周波伝送線路５１４－１と、ＴＩＡ　ＩＣ５０８に接続された４本の高周波伝送線路５１４－２とが形成され、４本の高周波伝送線路５１４－１及び５１４－２は、マイクロストリップ線路を構成している。
　また、筐体５１３には、光出力用のサファイア窓５０３－１と、光入力用のサファイア窓５０３－２と、及び８つのＧＰＰＯコネクタ５１１及び５１１－２が設けられている。光出力用のサファイア窓５０３－１には、出力用光ファイバ５０２－１が接続され、出力用光ファイバ５０２－１には、出力用光コネクタ５０１－１が接続される。光入力用のサファイア窓５０３－２には、入力用光ファイバ５０２－２が接続され、入力用光ファイバ５０２－２には、入力用光コネクタ５０１－２が接続される。光出力用のサファイア窓５０３－１と光変調器５０５との間には、レンズ５０４－１が配置され、光入力用のサファイア窓５０３－２と光受信器５０７との間には、レンズ５０４－２が配置される。ＧＰＰＯコネクタ５１１－１はそれぞれ、高周波伝送線路５１４－１に、ＧＰＰＯコネクタ５１１－２はそれぞれ５１４－２と接続される。
　また、光モジュール５００は、光受信器５０７に接続されたＤＣピン５０９－１と、ＴＩＡＩＣ５０８に電気的に接続されたＤＣピン５０９－２とを備える。また、光モジュール５００は、高周波伝送線路５１４－１に設けられたＤＣブロックコンデンサ５１０－１と、高周波伝送線路５１４－２に設けられたＤＣブロックコンデンサ５１０－２とを備える。
　また、光モジュール５００は、高周波伝送線路５１４－１及び５１４－２を覆うようにカバーブロック５１７が設けられ、カバーブロック５１７はスペーサ５１８を介して高周波基板５１５に固定されている。スペーサ５１８により、カバーブロック５１７と、高周波基板５１５及び高周波基板５１５上の高周波伝送線路５１４－１及び５１４－２との間に一定のスペースが維持される。本実施形態において、カバーブロック５１７の材料は銅としている。また、筐体５１３の材料は、銅タングステンとしている。
　カバーブロック５１７は接地されている。グランドへの接続は、スペーサ５１８及び筐体５１３を導電性の部品とし、下部基板５１２に金属製のビアを設けた上で、下部グランド５１６と電気的に接続する。
　光モジュール５００は、光信号送信モジュールと光信号受信モジュールの並列構成である。すなわち、光コネクタ５０１－１と、光ファイバ５０２－１と、サファイア窓５０３－１と、レンズ５０４－１と、光変調器５０５と、ドライバＩＣ５０６－１と、高周波伝送線路５１４－１と、ＤＣブロックコンデンサ５１０－１と、ＧＰＰＯコネクタ５１１－１とで光信号送信モジュールを構成している。また、光コネクタ５０１－２と、光ファイバ５０２－２と、サファイア窓５０３－２と、レンズ５０４－２と、光受信器５０７と、ドライバＩＣ５０６－２と、高周波伝送線路５１４－２と、ＤＣブロックコンデンサ５１０－２と、ＧＰＰＯコネクタ５１１－２とで光信号受信モジュールを構成している。
　光信号送信モジュールにおける信号の流れは、光モジュール５００のＧＰＰＯコネクタ５１１－１のそれぞれから、高周波電圧信号が入力される。高周波電圧信号は、ＤＣブロックコンデンサ５１０のそれぞれ及び高周波伝送線路５１４－１のそれぞれを通過し、ドライバＩＣ５０６に入力される。高周波電圧信号は、ドライバＩＣ５０６により高周波電流信号に変換され、光変調器５０５により光信号に変換された上で合波され、波長多重光信号となる。光変調器５０５からの波長多重光信号は、レンズ５０４－１によりサファイア窓５０３－１に集光され、サファイア窓５０３－１を透過して光ファイバ５０２－１を介して光コネクタ５０１－１まで伝搬する。
　一方で光信号受信モジュールにおける信号の流れは、光コネクタ５０１－２から入力した波長多重光信号が光ファイバ５０２－２を介してサファイア窓５０３－２まで伝搬する。サファイア窓５０３－２を透過した波長多重光信号は、レンズ５０４－２によりコリメートされ光受信器５０７に入力される。波長多重光信号は、光受信器５０７により分波された上で高周波電流信号に変換され、ＴＩＡＩＣ５０８により高周波電圧信号に変換される。高周波電圧信号はＴＩＡＩＣ５０８から高周波伝送線路５１４のそれぞれ及びＤＣブロックコンデンサ５１０のそれぞれを通過し、ＧＰＰＯコネクタ５１１－２から出力される。
　本実施形態に係る光モジュール５００は光信号送信モジュールと光信号受信モジュールの並列構成である。本実施形態のような並列構成の光モジュールおいても、カバーブロック５１７を設けることにより、高周波伝送線路の送信側（５１４－１）から受信側（５１４－２）、及び受信側（５１４－２）から送信側（５１４－１）のクロストークを低減することができる。
　本実施形態において、厚さ１５０μｍのセラミックの高周波基板５１５上に金の高周波伝送線路５１４－１及び５１４－２を形成し、高周波伝送線路５１４－１及び５１４－２の上部に銅製のカバーブロック５１７を設けた。高周波伝送線路５１４－１及び５１４－２のパタン厚は２μｍ、幅は１００μｍ、線路間ギャップは４００μｍ、カバーブロック５１７と高周波基板５１５との距離は２００μｍで作製した。図６は、本実施形態のクロストーク抑制効果を示す図である。図６（ａ）は従来の光モジュールにおけるクロストーク特性を示し、図６（ｂ）は光モジュール５００におけるクロストーク特性を示している。図６（ａ）及び（ｂ）より、本実施形態に係る光モジュール５００は、一般的に使用される信号周波数０～２０ＧＨｚの間で、従来と比較して最大７ｄＢのクロストーク抑制効果があることがわかる。
　本実施形態に係る光モジュール５００においては、筐体５１３の材料は銅タングステンとしたが、これは銅タングステンの熱伝導度が高く排熱に優れるためである。しかしながら、本発明に係る光モジュール５００はこの材料に限定されるものではなく、たとえば、一般の金属であっても良い。
　また、上記の説明ではカバーブロック５１７の材料を銅としたが、本発明に係る光モジュール５００はこの例に限定されるものではなく、例えば、銅以外の導体材料であっても良いし、セラミックなどの絶縁体材料の表面に導体膜が設けられているブロックであってももちろん構わない。
　また、上記の説明では高周波基板５１５及び高周波伝送線路５１４－１及び５１４－２の下部に下部グランド５１６が、上部にカバーブロック５１７が設けられている構成としたが、本発明に係る光モジュール５００はこの例に限定されるものではなく、グランドとカバーブロックの位置関係が上下逆であっても構わないし、左右方向の位置関係であっても、構わない。
　［第５の実施形態］
　図７Ａ及び図７Ｂは、本発明の第５の実施形態に係る光モジュール７００の構成を示す図である。図７Ａは光モジュール７００の上面透視図を示し、図７Ｂは図７Ａの７Ｂ－７Ｂにおける断面図を示す。図７Ａ及び図７Ｂの光モジュール７００は、筐体７１３の底部に配置され、蓋７１９に覆われている。ここで、図７Ａは、光モジュール７００の蓋７１９を外した状態の図であり、図７Ｂは、光モジュール７００の蓋７１９を取り付けた状態の図である。光モジュール７００は、光変調器７０５と、光変調器７０５に接続されたドライバＩＣ７０６と、光受信器７０７と、光受信器７０７に接続されたＴＩＡ（Ｔｒａｎｓｉｍｐｅｄａｎｃｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）ＩＣ７０８とが、筐体７１３の底部に配置されている。光変調器７０５及び光受信器７０７は、光処理回路及び電気光信号変換素子の機能を併せ持つものである。光変調器７０５とドライバＩＣ７０６とは、ワイヤボンディングにより接続され、光受信器７０７とＴＩＡ　ＩＣ７０８とについても、ワイヤボンディングにより接続される。
　また、光モジュール７００は、下部基板７１２が、筐体７１３の底部に配置されている。下部基板７１２上には下部グランド７１６が形成され、下部グランド７１６上には高周波基板７１５が形成されている。高周波基板７１５上には、ドライバＩＣ７０６に接続された４本の高周波伝送線路７１４－１と、ＴＩＡ　ＩＣ７０８に接続された４本の高周波伝送線路７１４－２とが形成され、マイクロストリップ線路を構成している。
　また、筐体７１３には、光出力用のサファイア窓７０３－１と、光入力用のサファイア窓７０３－２と、及び８つのＧＰＰＯコネクタ７１１－１及び７１１－２が設けられている。光出力用のサファイア窓７０３－１には、出力用光ファイバ７０２－１が接続され、出力用光ファイバ７０２－１には、出力用光コネクタ７０１－１が接続される。光入力用のサファイア窓７０３－２には、入力用光ファイバ７０２－２が接続され、入力用光ファイバ７０２－２には、入力用光コネクタ７０１－２が接続される。光出力用のサファイア窓７０３－１と光変調器７０５との間には、レンズ７０４－１が配置され、光入力用のサファイア窓７０３－２と光受信器７０７との間には、レンズ７０４－２が配置される。ＧＰＰＯコネクタ７１１－１はそれぞれ、高周波伝送線路７１４－１に、ＧＰＰＯコネクタ７１１－２はそれぞれ７１４－２と接続される。
　また、光モジュール７００は、光受信器７０７に接続されたＤＣピン７０９－１と、ＴＩＡ　ＩＣ７０８に電気的に接続されたＤＣピン７０９－２とを備える。また、光モジュール７００は、高周波伝送線路７１４－１に設けられたＤＣブロックコンデンサ７１０－１と、高周波伝送線路７１４－２に設けられたＤＣブロックコンデンサ７１０－２とを備える。
　また、光モジュール７００は、高周波伝送線路７１４－１及び７１４－２、ドライバＩＣ７０６及びＴＩＡ　ＩＣ７０８、ドライバＩＣ７０６と光変調器７０５との接続ワイヤ、並びにＴＩＡ　ＩＣＩＣ７０８と光受信器７０７との接続ワイヤを覆うようにカバーブロック７１７が設けられる。カバーブロック７１７はスペーサ７１８を介して高周波基板７１５に固定されている。スペーサ７１８により、カバーブロック７１７と、高周波基板７１５及び高周波基板７１５上の高周波伝送線路７１４－１及び７１４－２との間に一定のスペースが維持される。本実施形態において、カバーブロック７１７の材料は銅としている。また、筐体７１３の材料は、銅タングステンとしているが、一般の金属であっても良い。
　カバーブロック７１７は接地されている。グランドへの接続は、スペーサ７１８及び筐体７１３を導電性の部品とし、下部基板７１２に金属製のビアを設けた上で、下部グランド７１６と電気的に接続する。
　光モジュール７００は、光信号送信モジュールと光信号受信モジュールの並列構成である。すなわち、光コネクタ７０１－１と、光ファイバ７０２－１と、サファイア窓７０３－１と、レンズ７０４－１と、光変調器７０５と、ドライバＩＣ７０６－１と、高周波伝送線路７１４－１と、ＤＣブロックコンデンサ７１０－１と、ＧＰＰＯコネクタ７１１－１とで光信号送信モジュールを構成している。また、光コネクタ７０１－２と、光ファイバ７０２－２と、サファイア窓７０３－２と、レンズ７０４－２と、光受信器７０７と、ドライバＩＣ７０６－２と、高周波伝送線路７１４－２と、ＤＣブロックコンデンサ７１０－２と、ＧＰＰＯコネクタ７１１－２とで光信号受信モジュールを構成している。
　本実施形態のような並列構成の光モジュールおいては、カバーブロック７１７を設けることにより、高周波伝送線路の送信側（７１４－１）から受信側（７１４－２）、及び受信側（７１４－２）から送信側（７１４－１）のクロストークを低減することができる。また、ドライバＩＣ７０６と光変調器７０５との接続ワイヤ、並びにＴＩＡ　ＩＣ７０８と光受信器７０７との接続ワイヤにおいて発生するそれぞれのワイヤ間のクロストークも同時に抑制できる。
　［第６の実施形態］
　図８Ａ及び図８Ｂは、本発明の第６の実施形態に係る光モジュール８００の構成を示す図である。また、図８Ｃは、本発明の第６の実施形態の変形例に係る光モジュール８００の構成を示す図である。図８Ａは光モジュール８００の上面透視図を示し、図８Ｂ及び図８Ｃは、図８Ａの８Ｂ－８Ｂにおける断面図を示す。図８Ａ、図８Ｂおよび図８Ｃの光モジュール８００は、筐体８１３の底部に配置され、蓋８１９に覆われている。ここで、図８Ａは、光モジュール８００の蓋８１９を外した状態の図であり、図８Ｂおよび図８Ｃは、光モジュール８００の蓋８１９を取り付けた状態の図である。光モジュール８００は、光変調器８０５と、光変調器８０５に接続されたドライバＩＣ８０６と、光受信器８０７と、光受信器８０７に接続されたＴＩＡ（Ｔｒａｎｓｉｍｐｅｄａｎｃｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）ＩＣ８０８とが、筐体８１３の底部に配置されている。光変調器８０５及び光受信器８０７は、光処理回路及び電気光信号変換素子の機能を併せ持つものである。光変調器８０５とドライバＩＣ８０６とは、ワイヤボンディングにより接続され、光受信器８０７とドライバＩＣ８０８とについても、ワイヤボンディングにより接続される。
　また、光モジュール８００は、下部基板８１２が、筐体８１３の底部に配置されている。下部基板８１２上には下部グランド８１６が形成され、下部グランド８１６上には高周波基板８１５が形成されている。高周波基板８１５上には、ドライバＩＣ８０６に接続された４本の高周波伝送線路８１４－１と、ＴＩＡ　ＩＣ８０８に接続された４本の高周波伝送線路８１４－２とが形成され、マイクロストリップ線路を構成している。
　また、筐体８１３には、光出力用のサファイア窓８０３－１と、光入力用のサファイア窓８０３－２と、及び８つのＧＰＰＯコネクタ８１１及び８１１－２が設けられている。光出力用のサファイア窓８０３－１には、出力用光ファイバ８０２－１が接続され、出力用光ファイバ８０２－１には、出力用光コネクタ８０１－１が接続される。光入力用のサファイア窓８０３－２には、入力用光ファイバ８０２－２が接続され、入力用光ファイバ８０２－２には、入力用光コネクタ８０１－２が接続される。光出力用のサファイア窓８０３－１と光変調器８０５との間には、レンズ８０４－１が配置され、光入力用のサファイア窓８０３－２と光受信器８０７との間には、レンズ８０４－２が配置される。ＧＰＰＯコネクタ８１１－１はそれぞれ、高周波伝送線路８１４－１に、ＧＰＰＯコネクタ８１１－２はそれぞれ８１４－２と接続される。
　また、光モジュール８００は、光受信器８０７に接続されたＤＣピン８０９－１と、ＴＩＡ　ＩＣ８０８に電気的に接続されたＤＣピン８０９－２とを備える。また、光モジュール８００は、高周波伝送線路８１４－１に設けられたＤＣブロックコンデンサ８１０－１と、高周波伝送線路８１４－２に設けられたＤＣブロックコンデンサ８１０－２とを備える。
　また、光モジュール８００は、高周波伝送線路８１４－１及び８１４－２、ドライバＩＣ８０６及びＴＩＡ　ＩＣ８０８、ドライバＩＣ８０６と光変調器８０５との接続ワイヤ、並びにＴＩＡ　ＩＣ８０８と光受信器８０７との接続ワイヤを覆うようにカバーブロック８１７が設けられる。カバーブロック８１７はスペーサ８１８を介して高周波基板８１５に固定されている。スペーサ８１８により、カバーブロック８１７と、高周波基板８１５及び高周波基板８１５上の高周波伝送線路８１４－１及び８１４－２との間に一定のスペースが維持される。なお、カバーブロック８１７は、高周波伝送線路８１４－１及び８１４－２のみを覆う程度の大きさであってもよい。本実施形態において、カバーブロック８１７の材料は銅としている。また、筐体８１３の材料は、銅タングステンとしているが、一般の金属であっても良い。
　さらに、光モジュール８００は、送信側のドライバＩＣ８０６と受信側のＴＩＡ　ＩＣ８０８との間、及び高周波基板８１５上に形成された送信側の高周波伝送線路８１４－１と受信側の高周波伝送線路８１４－２との間に、グランド電極８２０が形成される。
　カバーブロック８１７及びグランド電極８２０は接地されている。カバーブロック８１７のグランドへの接続は、スペーサ８１０及び筐体８０１を導電性の部品とし、下部基板８１２に金属製のビアを設けた上で、下部グランド８１６と電気的に接続する。グランド電極８２０のグランドへの接続は、高周波基板８１５に金属製のビアを設けた上で、下部グランド８１６と電気的に接続する。
　また、図８Ｃに示すように、第６の実施形態の変形例として、スペーサ８１８の替わりに、所定の厚さを持たせたグランド電極８２０を介してカバーブロック８１７を高周波基板８１５に固定してもよい。グランドへの接続は、高周波基板８１５に金属製のビアを設けた上で、下部グランド８１６とグランド電極８２０とを電気的に接続する。
　光モジュール８００は、光信号送信モジュールと光信号受信モジュールの並列構成である。すなわち、光コネクタ８０１－１と、光ファイバ８０２－１と、サファイア窓８０３－１と、レンズ８０４－１と、光変調器８０５と、ドライバＩＣ８０６－１と、高周波伝送線路８１４－１と、ＤＣブロックコンデンサ８１０－１と、ＧＰＰＯコネクタ８１１－１とで光信号送信モジュールを構成している。また、光コネクタ８０１－２と、光ファイバ８０２－２と、サファイア窓８０３－２と、レンズ８０４－２と、光受信器８０７と、ドライバＩＣ８０６－２と、高周波伝送線路８１４－２と、ＤＣブロックコンデンサ８１０－２と、ＧＰＰＯコネクタ８１１－２とで光信号受信モジュールを構成している。
　本実施形態のような並列構成の光モジュールおいては、カバーブロック８１７及びグランド電極８２０を設けることにより、高周波伝送線路の送信側（８１４－１）から受信側（８１４－２）、及び受信側（８１４－２）から送信側（８１４－１）のクロストークを低減することができる。特に本実施形態は、送信側（８１４－１）を流れる信号と受信側（８１４－２）を流れる信号との間に信号のレベル差がある場合に、有効である。また、ドライバＩＣ８０６と光変調器８０５との接続ワイヤ、並びにＴＩＡ　ＩＣ８０８と光変調器８０７との接続ワイヤにおいて発生するそれぞれのワイヤ間のクロストークも同時に抑制できる。
　［第７の実施形態］
　図９Ａ及び図９Ｂは、本発明の第７の実施形態に係る光モジュール９００の構成を示す図である。図９Ａは光モジュール９００の上面透視図を示し、図９Ｂは、図９Ａの９Ｂ－９Ｂにおける断面図を示す。図９Ａおよび図９Ｂの光モジュール９００は、筐体９１３の底部に配置され、蓋９１９に覆われている。ここで、図９Ａは、光モジュール９００の蓋９１９を外した状態の図であり、図９Ｂは、光モジュール９００の蓋９１９を取り付けた状態の図である。光モジュール９００は、光変調器９０５と、光変調器９０５に接続されたドライバＩＣ９０６と、光受信器９０７と、光受信器９０７に接続されたＴＩＡ（Ｔｒａｎｓｉｍｐｅｄａｎｃｅ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）ＩＣ９０８とが、筐体９１３の底部に配置されている。光変調器９０５及び光受信器９０７は、光処理回路及び電気光信号変換素子の機能を併せ持つものである。光変調器９０５とドライバＩＣ９０６とは、ワイヤボンディングにより接続され、光受信器９０７とドライバＩＣ９０８とについても、ワイヤボンディングにより接続される。
　また、光モジュール９００は、下部基板９１２が、筐体９１３の底部に配置されている。下部基板９１２上には下部グランド９１６が形成され、下部グランド９１６上には高周波基板９１５が形成されている。高周波基板９１５上には、ドライバＩＣ９０６に接続された４本の高周波伝送線路９１４－１と、ＴＩＡ　ＩＣ９０８に接続された４本の高周波伝送線路９１４－２とが形成され、マイクロストリップ線路を構成している。
　また、筐体９１３には、光出力用のサファイア窓９０３－１と、光入力用のサファイア窓９０３－２と、及び８つのＧＰＰＯコネクタ９１１及び８１１－２が設けられている。光出力用のサファイア窓９０３－１には、出力用光ファイバ９０２－１が接続され、出力用光ファイバ９０２－１には、出力用光コネクタ９０１－１が接続される。光入力用のサファイア窓９０３－２には、入力用光ファイバ９０２－２が接続され、入力用光ファイバ９０２－２には、入力用光コネクタ９０１－２が接続される。光出力用のサファイア窓９０３－１と光変調器９０５との間には、レンズ９０４－１が配置され、光入力用のサファイア窓９０３－２と光受信器９０７との間には、レンズ９０４－２が配置される。ＧＰＰＯコネクタ９１１－１はそれぞれ、高周波伝送線路９１４－１に、ＧＰＰＯコネクタ９１１－２はそれぞれ９１４－２と接続される。
　また、光モジュール９００は、光受信器９０７に接続されたＤＣピン９０９－１と、ＴＩＡ　ＩＣ９０８に電気的に接続されたＤＣピン９０９－２とを備える。また、光モジュール９００は、高周波伝送線路９１４－１に設けられたＤＣブロックコンデンサ９１０－１と、高周波伝送線路９１４－２に設けられたＤＣブロックコンデンサ９１０－２とを備える。
　また、光モジュール９００は、高周波伝送線路９１４－１及び９１４－２、ドライバＩＣ９０６及びＴＩＡ　ＩＣ９０８、ドライバＩＣ９０６と光変調器９０５との接続ワイヤ、並びにＴＩＡ　ＩＣ９０８と光受信器９０７との接続ワイヤを覆うようにカバーブロック９１７が設けられる。さらに、光モジュール９００は、送信側のドライバＩＣ９０６と受信側のＴＩＡ　ＩＣ９０８との間、及び高周波基板９１５上に形成された送信側の高周波伝送線路９１４－１と受信側の高周波伝送線路９１４－２との間に、グランド電極９２０が筐体長手方向に形成される。カバーブロック９１４は、所定の厚さを持たせたグランド電極９２０を介して高周波基板９１５に固定されている。グランド電極９２０により、カバーブロック９１７と、高周波基板９１５及び高周波基板９１５上の高周波伝送線路９１４－１及び９１４－２との間に一定のスペースが維持される。本実施形態において、カバーブロック９１４の材料は銅としている。また、筐体９１３の材料は、銅タングステンとしているが、一般の金属であってもよい。
　ここで、カバーブロック９１７及びグランド電極９２０は接地されている。グランドへの接続は、高周波基板９１５に金属製のビアを設けた上で、下部グランド９１６とグランド電極９２０とを電気的に接続する。
　ただし、カバーブロック９１７は、高周波伝送線路９１４－１及び９１４－２の全てを覆う必要はない。カバーブロック９１７は、高周波伝送線路の送信側（９１４－１）から受信側（９１４－２）、及び受信側（９１４－２）から送信側（９１４－１）のクロストークを低減することができれば、高周波伝送線路９１４－１及び９１４－２の一部が、カバーブロック９１７が覆う範囲からはみ出していてもよい。
　本実施形態においても、カバーブロック９１７及びグランド電極９２０を設けることにより、高周波伝送線路の送信側（９１４－１）から受信側（９１４－２）、及び受信側（９１４－２）から送信側（９１４－１）のクロストークを低減することができ、特に送信側（９１４－１）を流れる信号と受信側（９１４－２）を流れる信号との間に信号のレベル差がある場合に、有効である。
　［第８の実施形態］
　図１０Ａ及び図１０Ｂは、本発明の第８の実施形態に係る光モジュール１０００の構成を示す図である。図１０Ａは光モジュール１０００の上面透視図を示し、図１０Ｂは図１０Ａの１０Ｂ－１０Ｂにおける断面図を示す。図１０Ａ及び図１０Ｂの光モジュール１０００は、筐体１０１３の底部に配置され、蓋１０１９に覆われている。ここで、図１０Ａは、光モジュール１０００の蓋１０１９を外した状態の図であり、図１０Ｂは、光モジュール１０００の蓋１０１９を取り付けた状態の図である。光モジュール１０００は、２個の光信号送信モジュールの並列構成である。つまり、光コネクタ１００１－１と、光ファイバ１００２－１と、サファイア窓１００３－１と、レンズ１００４－１と、光変調器１００５－１と、ドライバＩＣ１００６－１と、高周波伝送線路１０１４－１と、ＤＣブロックコンデンサ１０１０－１と、ＧＰＰＯコネクタ１０１１－１とで第１の光信号送信モジュールを構成している。また、光コネクタ１００１－２と、光ファイバ１００２－２と、サファイア窓１００３－２と、レンズ１００４－２と、光変調器１００５－２と、ドライバＩＣ１００６－２と、高周波伝送線路１０１４－２と、ＤＣブロックコンデンサ１０１０－２と、ＧＰＰＯコネクタ１０１１－２とで第２の光信号送信モジュールを構成している。
　本実施形態に係る光モジュール１０００においても、接地されたカバーブロック１０１７を設けることにより、マイクロストリップ線路を構成する高周波伝送線路（１０１４－１、１０１４－２）間のクロストークを低減することができる。カバーブロック１０１７のグランドへの接続は、第４の実施形態と同一の方法が使用できる。
　［第９の実施形態］
　図１１Ａ及び図１１Ｂは、本発明の第９の実施形態に係る光モジュール１１００の構成を示す図である。図１１Ａは光モジュール１１００の上面透視図を示し、図１１Ｂは図１１Ａの１１Ｂ－１１Ｂにおける断面図を示す。図１１Ａ及び図１１Ｂの光モジュール１１００は、筐体１１１３の底部に配置され、蓋１１１９に覆われている。ここで、図１１Ａは、光モジュール１１００の蓋１１１９を外した状態の図であり、図１１Ｂは、光モジュール１１００の蓋１１１９を取り付けた状態の図である。本実施形態に係る光モジュール１１００は、２個の光信号受信モジュールの並列構成である。つまり、光コネクタ１１０１－１と、光ファイバ１１０２－１と、サファイア窓１１０３－１と、レンズ１１０４－１と、光受信器１１０７－１と、ドライバＩＣ１１０６－１と、高周波伝送線路１１１４－１と、ＤＣブロックコンデンサ１１１０－１と、ＧＰＰＯコネクタ１１１１－１とで第１の光信号受信モジュールを構成している。また、光コネクタ１１０１－２と、光ファイバ１１０２－２と、サファイア窓１１０３－２と、レンズ１１０４－２と、光受信器１１０７－２と、ドライバＩＣ１１０６－２と、高周波伝送線路１１１４－２と、ＤＣブロックコンデンサ１１１０－２と、ＧＰＰＯコネクタ１１１１－２とで第２の光信号受信モジュールを構成している。
　本実施形態に係る光モジュール１１００においても、接地されたカバーブロック１１１７を設けることにより、マイクロストリップ線路を構成する高周波伝送線路（１１１４－１、１１１４－２）間のクロストークを低減することができる。カバーブロック１１１７のグランドへの接続は、第１乃至第８の実施形態と同一の方法が使用できる。
　［第１０の実施形態］
　図１２Ａ及び図１２Ｂは、本発明の第１２の実施形態に係る光モジュール１２００の構成を示す図である。図１２Ａは光モジュール７００の上面透視図を示し、図１２Ｂは図１２Ａの１２Ｂ－１２Ｂにおける断面図を示している。図１２Ａ及び図１２Ｂの光モジュール１２００は、筐体１２１３の底部に配置され、蓋１２１９に覆われている。ここで、図１２Ａは、光モジュール１２００の蓋１２１９を外した状態の図であり、図１２Ｂは、光モジュール１２００の蓋１２１９を取り付けた状態の図である。本実施形態に係る光モジュール１２００は、図５Ａ及び図５Ｂの第４の実施形態の光モジュール５００の光変調器５０５と光受信器５０７とを、１のチップに集積した光送受信チップ１２０５を備えていることを特徴としている。すなわち、光コネクタ１２０１－１と、光ファイバ１２０２－１と、サファイア窓１２０３－１と、レンズ１２０４－１と、光送受信チップ１２０５と、ドライバＩＣ１２０６－１と、高周波伝送線路１２１４－１と、ＤＣブロックコンデンサ１２１０－１と、ＧＰＰＯコネクタ１２１１－１とで光信号送信モジュールを構成している。また、光コネクタ１２０１－２と、光ファイバ１２０２－２と、サファイア窓１２０３－２と、レンズ１２０４－２と、光送受信チップ１２０５と、ドライバＩＣ１２０６－２と、高周波伝送線路１２１４－２と、ＤＣブロックコンデンサ１２１０－２と、ＧＰＰＯコネクタ１２１１－２とで光信号受信モジュールを構成している。
　本実施形態に係る光モジュール１２００においても、接地されたカバーブロック１２１７を設けることにより、マイクロストリップ線路を構成する高周波伝送線路（１２１４－１、１２１４－２）間のクロストークを低減することができる。カバーブロック１２１７のグランドへの接続は、第４の実施形態と同一の方法が使用できる。
　本実施形態の構成は、低コスト化、小型化に有利な構成で、本発明の効果を実現している。
　［第１１の実施形態］
　図１３Ａ及び図１３Ｂは、本発明の第１１の実施形態に係る光モジュール１３００の構成を示す図である。図１３Ａは光モジュール１３００の上面透視図を示し、図１３Ｂは図１３Ａの１３Ｂ－１３Ｂにおける断面図を示す。図１３Ａ及び図１３Ｂの光モジュール１３００は、筐体１３０１の底部に配置され、蓋１３１４に覆われている。ここで、図１３Ａは、光モジュール１３００の蓋１３１４を外した状態の図であり、図１３Ｂは、光モジュール１３００の蓋１３１４を取り付けた状態の図である。光モジュール１３００は、光処理回路１３０３と、光処理回路１３０３に接続された電気光変換素子１３０４と、下部基板１３１３とが筐体１３０１の底部に配置されている。下部基板１３１３上には下部グランド１３０８が形成され、下部グランド１３０８上には高周波基板１３０７が形成されている。高周波基板１３０７上には、電気光変換素子１３０４に接続された４本の高周波伝送線路１３０５が形成され、マイクロストリップ線路を構成している。筐体１３０１には、１つの光ポート１３０２及び４つの電気ポート１３０６が設けられ、光ポート１３０２は光処理回路１３０３に接続され、４つの電気ポート１３０６は、それぞれ高周波伝送線路１３０５と接続されている。
　また、光モジュール１３００は、高周波伝送線路１３０５の上部にカバーブロック１３０９が設けられ、カバーブロック１３０９はスペーサ１３１０により高周波基板１３０７に固定され、接地されている。グランドへの接続は、スペーサ１３１０及び筐体１３０１を導電性の部品とした上で、下部グランド１３０８と電気的に接続する。
　カバーブロック１３０９は、高周波伝送線路１３０５に合わせて溝が形成されており、高周波伝送線路１３０５の真上にカバーブロック１３０９の溝部分が位置する構成となっている。カバーブロック１３０９に溝を形成することにより、溝部分が高周波伝送線路１３０５を上から覆うような形状とすることができ、カバーブロック１３０９の高周波伝送線路１３０５間のクロストーク低減効果をさらに高めることができる。
　本実施形態において、厚さ１５０μｍのセラミックの高周波基板１３０７上に金の高周波伝送線路１３０５を形成し、高周波伝送線路１３０５上に銅製のカバーブロック１３０９が配置される。高周波伝送線路１３０５のパタン厚は２μｍ、幅は９０μｍ、伝送線路間ギャップは４００μｍ、カバーブロック１３０９と高周波基板１３０７との距離は２００μｍで作製している。図１４は本実施形態のクロストーク抑制効果を示す図である。図１４（ａ）は従来の光モジュールにおけるクロストーク特性を示し、図１４（ｂ）は光モジュール１４００におけるクロストーク特性を示している。図１４（ａ）及び（ｂ）より、本実施形態に係る光モジュール１４００は、従来と比較して１２ｄＢのクロストーク抑制効果があることがわかる。
　［第１２の実施形態］
　図１５Ａ及び図１５Ｂは、本発明の第１２の実施形態に係る光モジュール１５００の構成を示す図である。図１５Ａは光モジュール１５００の上面透視図を示し、図１５Ｂは図１５Ａの１５Ｂ－１５Ｂにおける断面図を示している。図１５Ａ及び図１５Ｂの光モジュール１５００は、筐体１５０１の底部に配置され、蓋１５１４に覆われている。ここで、図１５Ａは、光モジュール１５００の蓋１５１４を外した状態の図であり、図１５Ｂは、光モジュール１５００の蓋１５１４を取り付けた状態の図である。光モジュール１５００は、光処理回路１５０３と、光処理回路１５０３に接続された電気光変換素子１５０４と、下部基板１５１３とが、筐体１５０１の底部に配置されている。下部基板１５１３上には、下部グランド１５０８が形成され、下部グランド１５０８上には高周波基板１５０７が形成されている。高周波基板１５０７上に、電気光変換素子１５０４に接続された４本の高周波伝送線路１５０５が形成され、マイクロストリップ線路を構成している。４本の高周波伝送線路１５５には、それぞれ信号の直流成分をカットするためのＤＣブロックコンデンサ１５１０が実装されている。筐体１５０１には、１つの光ポート１５０２及び４つの電気ポート１５０６が設けられ、光ポート１５０２は光処理回路１５０３に接続され、４つの電気ポート１５０６は、それぞれ高周波伝送線路１５０５と接続されている。
　また、光モジュール１５００は、高周波伝送線路１５０５の上部にカバーブロック１５０９が設けられ、カバーブロック１５０９はスペーサ１５１１により高周波基板１５０７に固定され、接地されている。グランドへの接続は、スペーサ１５１１及び筐体１５０１を導電性の部品とした上で、下部グランド１５０８と電気的に接続する。
　カバーブロック１５０９は、高周波伝送線路１５０５に合わせて溝が形成されており、高周波伝送線路１５０５及びブロックコンデンサ１５１１の真上にカバーブロック１５０９の溝部分が位置する構成となっている。カバーブロック１５０９に溝を形成することにより、溝部分が高周波伝送線路１５０５及びブロックコンデンサ１５１０を上から覆うような形状とすることができる。本実施形態においても、カバーブロック１５０９により高周波伝送線路１５０５間のクロストーク低減効果をさらに高めることができる。
　本実施形態においては、高周波伝送線路上に実装された部品がＤＣブロックコンデンサである場合を例に説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、部品がチップ抵抗であっても構わないし、集積回路のように複雑な機能を持つ部品であっても、もちろん構わない。
　本実施形態において、ＤＣブロックコンデンサ１５１０は高周波線路上に半田実装されている。しかし、本発明は半田実装に限定されるものではなく、例えば銀ペーストで実装された部品であってもよいし、バンプ実装された部品であっても良いし、ワイヤボンディングで実装された部品であっても、もちろん構わない。
　［第１３の実施形態］
　図１６Ａ及び図１６Ｂは、本発明の第１６の実施形態に係る光モジュール１６００の構成を示す図である。図１６Ａは光モジュール１６００の蓋１６１４を外した状態での上面透視図を示し、図１６Ｂは図１６Ａの１６Ｂ－１６Ｂにおける断面図を示している。図１６Ａ及び図１６Ｂの光モジュール１６００は、筐体１６０１の底部に配置され、蓋１６１４に覆われている。ここで、図１６Ａは、光モジュール１６００の蓋１６１４を外した状態の図であり、図１６Ｂは、光モジュール１６００の蓋１６１４を取り付けた状態の図である。光モジュール１６００は、基板１６１３上に、光処理回路１６０３と、光処理回路１６０３に接続された電気光変換素子１６０４と、下部基板１６１３とが、筐体１６０１の底部に配置されている。下部基板１６１３上には、下部グランド１６０８が形成され、下部グランド１６０８上には、高周波基板１６０７が形成されている。高周波基板１６０７上には、電気光変換素子１６０４に接続された４本の高周波伝送線路１６０５が形成され、マイクロストリップ線路を構成している。筐体１６０１には、１つの光ポート１６０２及び４つの電気ポート１６０６が設けられ、光ポート１６０２は光処理回路１６０３に接続され、４つの電気ポート１６０６は、それぞれ高周波伝送線路１６０５と接続されている。
　また、光モジュール１６００は、高周波伝送線路１６０５の上部にカバーブロック１６０９が設けられ、カバーブロック１６０９はスペーサ１６１０により高周波基板１６０７に固定され、接地されている。グランドへの接続は、スペーサ１６１０及び筐体１６０１を導電性の部品とした上で、下部グランド１６０８と電気的に接続する。
　カバーブロック１６０９は、高周波伝送線路１６０５に合わせて溝が形成されており、高周波伝送線路１６０５の真上にカバーブロック１６０９の溝部分が位置する構成となっている。
　光モジュール１６００は、さらにカバーブロック１６０９に開口部１６１１が設けられており、高周波基板１６０７上にマーカ１６１２が設けられている。本実施形態において、高周波基板１６０７上にカバーブロック１６０９を実装する際、開口部１６１１がマーカ１６１２の上部に一致するようにカバーブロック１６０９を位置合わせする。そうすると、カバーブロック１６０９に形成された溝と高周波基板１６０７上に形成された高周波伝送線路１６０５とを正確に位置あわせすることができる。カバーブロック１６０９の正確な位置合わせにより、高周波伝送線路の特性を損なうことなくクロストークを抑制することができる。
　［第１４の実施形態］
　図１７Ａ及び図１７Ｂは、本発明の第１４の実施形態に係る光モジュール１７００の構成を示す図である。図１７Ａは光モジュール１７００の上面透視図を示し、図１７Ｂは図１７Ａの１７Ｂ－１７Ｂにおける断面図を示している。図１７Ａ及び図１７Ｂの光モジュール１７００は、筐体１７０１の底部に配置され、蓋１７１４に覆われている。ここで、図１７Ａは、光モジュール１７００の蓋１７１４を外した状態の図であり、図１７Ｂは、光モジュール１７００の蓋１７１４を取り付けた状態の図である。光モジュール１７００は、光処理回路１７０３と、光処理回路１７０３に接続された電気光変換素子１７０４と、下部基板１７１３とが、筐体１７０１の底部に配置されている。下部基板１７１３上には、下部グランド１７０８が形成され、下部グランド１７０８上には、高周波基板１７０７が形成されている。高周波基板１７０７上には、電気光変換素子１７０４に接続された４本の高周波伝送線路１７０５が形成され、マイクロストリップ線路を構成している。筐体１７０１には、１つの光ポート１７０２及び４つの電気ポート１７０６が設けられ、光ポート１７０２は光処理回路１７０３に接続され、４つの電気ポート１７０６は、それぞれ高周波伝送線路１７０５と接続されている。
　また、光モジュール１７００は、高周波伝送線路１７０５の上部にカバーブロック１７０９が設けられ、カバーブロック１７０９は半田１７１０により筐体１７０１に固定されている。カバーブロック１７０９は接地されている。グランドへの接続は、筐体１７０１を導電性の部品とした上で、下部グランド１７０８と電気的に接続する。
　本実施形態に係る光モジュール１７００は、高周波伝送線路１７０５のグランドの役割を果たすカバーブロック１７０９と、電気ポート１７０６のグランドの役割を果たす筐体１７０１とが半田１７１０を介して電気的に接続されている。そうすると、高周波伝送線路１７０５を高周波信号が透過する際にグランドに流れるリタン電流のパスが確保され、高周波伝送線路の特性を損なうことなくクロストークを抑制することができる。
　［第１５の実施形態］
　図１８Ａ及び図１８Ｂは、本発明の第１５の実施形態に係る光モジュール１８００の構成を示す図である図１８Ａは光モジュール１８００の上面透視図を示し、図１８Ｂは図１８Ａの１８Ｂ－１８Ｂにおける断面図を示している。図１８Ａ及び図１８Ｂの光モジュール１８００は、筐体１８０１の底部に配置され、蓋１８１４に覆われている。ここで、図１８Ａは、光モジュール１８００の蓋１８１４を外した状態の図であり、図１８Ｂは、光モジュール１８００の蓋１８１４を取り付けた状態の図である。光モジュール１８００は、光処理回路１８０３と、光処理回路１８０３に接続された電気光変換素子１８０４と、下部基板１８１３とが、筐体１８０１の底部に配置されている。下部基板１８１３上には、下部グランド１８０８が形成され、下部グランド１８０８上には、高周波基板１８０７が形成されている。高周波基板１８０７上には、電気光変換素子１８０４に接続された４本の高周波伝送線路１８０５が形成され、マイクロストリップ線路を構成している。筐体１８０１には、１つの光ポート１８０２及び４つの電気ポート１８０６が設けられ、光ポート１８０２は光処理回路１８０３に接続され、４つの電気ポート１８０６は、それぞれ高周波伝送線路１８０５と接続されている。
　また、光モジュール１８００は、高周波伝送線路１８０５の上部にカバーブロック１８０９が設けられ、カバーブロック１８０９は半田１８１０により電気光変換素子１８０４のグランドに固定され、接地されている。また、電気光変換素子１８０４のグランドは、金属線等により下部グランド１８０８と接続されている。
　本実施形態に係る光モジュール１８００は、高周波伝送線路１８０５のグランドの役割を果たすカバーブロック１８０９と、電気光変換素子１８０４のグランドとが半田１８０１によって電気的に接続されていることを特徴とする。このような構成とすることで、筐体１８０１が導電性材料でない場合でも、カバーブロック１８０９を接地させることができる。また、高周波伝送線路１８０５を信号が透過する際にグランドに流れるリタン電流のパスが確保され、高周波伝送線路の特性を損なうことなくクロストークを抑制することができる。
　［第１６の実施形態］
　図１９Ａ及び図１９Ｂは、本発明の第１６の実施形態に係る光モジュール１９００の構成を示す図である。図１９Ａは光モジュール１９００の上面透視図を示し、図１９Ｂは図１９Ａの１９Ｂ－１９Ｂにおける断面図を示している。図１９Ａ及び図１９Ｂの光モジュール１９００は、筐体１９０１の底部に配置され、蓋１９０９に覆われている。光モジュール１９００は、光処理回路１９０３と、光処理回路１９０３に接続された電気光変換素子１９０４と、下部基板１９１３とが、筐体１９０１の底部に配置されている。下部基板１９１３上には、下部グランド１９０８が形成され、下部グランド１９０８上には、高周波基板１９０７が形成されている。高周波基板１９０７上には、電気光変換素子１９０４に接続された４本の高周波伝送線路１９０５が形成され、マイクロストリップ線路を構成している。筐体１９０１には、１つの光ポート１９０２及び４つの電気ポート１９０６が設けられ、光ポート１９０２は光処理回路１９０３に接続され、４つの電気ポート１９０６は、それぞれ高周波伝送線路１９０５と接続されている。
　また、光モジュール１９００は、高周波伝送線路１９０５の上部にカバーブロックとなる蓋１９０９が設けられている。筐体１９０１は、蓋１９０９と、高周波基板１９０７及び高周波基板１９０７上の高周波伝送線路１９０５との間に一定のスペースを維持できる高さに形成される。蓋１９０９は接地されている。グランドへの接続は、筐体１９０１を導電性の部品とした上で、下部グランド１９０８と電気的に接続する。
　［第１７の実施形態］
　本発明の第１７の実施形態は、第１から第１４の実施形態、及び第１６の実施形態の筐体の材料を、導電性の材料（例えば銅タングステン）に替えて、セラミック及び樹脂等の非導電性物質とすることもできる。ただし、カバーブロック及びグランド電極を下部グランドと電気的に接続する必要がある。

Claims (13)

  1. 　光ポートと、
    　前記光ポートに光学的に接続された光処理回路と、
    　前記光処理回路に光学的に接続された電気光変換素子と、
    　前記電気光変換素子に接続された２以上の高周波伝送線路と、
    　前記高周波伝送線路に接続された電気ポートと
    　を少なくとも一組備える光モジュールであって、
    　前記高周波伝送線路上に、前記高周波伝送線路の少なくとも一部を覆うように設けられ、接地された導電性のカバーブロックを備えることを特徴とする光モジュール。
  2. 　光信号送信モジュールを構成する前記一組の光モジュールと、光信号受信モジュールを構成する前記一組の光モジュールとが並列に配置されることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
  3. 　光信号送信モジュールを構成する前記一組の光モジュールが並列に配置されることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
  4. 　光信号受信モジュールを構成する前記一組の光モジュールが並列に配置されることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
  5. 　前記光信号送信モジュールの光処理回路及び電気光変換素子と、前記光信号受信モジュールの光処理回路及び電気光変換素子とが１チップに集積されていることを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
  6. 　前記電気光変換素子と、前記高周波伝送線路との間に、ＩＣドライバが挿入されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光モジュール。
  7. 　前記２以上の高周波伝送線路の隣り合う高周波伝送線路の間に、グランド電極が挿入されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の光モジュール。
  8. 　前記光信号送信モジュールを構成する一組の光モジュールの前記高周波伝送線路と、前記光信号受信モジュールを構成する一組の光モジュールの前記高周波伝送線路との間に、グランド電極が挿入されることを特徴とする請求項２に記載の光モジュール。
  9. 　前記導電性のカバーブロックは、前記ＩＣドライバと前記電気光変換素子との接続部分まで覆うことを特徴とする請求項６に記載の光モジュール。
  10. 　前記導電性のカバーブロックは、前記グランド電極により支持され、前記導電性のカバーブロックは前記高周波伝送線路と所望の間隔を持って支持されることを特徴とする請求項７または８に記載の光モジュール。
  11. 　前記カバーブロックには、溝が形成され、前記溝は、前記高周波伝送線路を覆うように配置されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の光モジュール。
  12. 　前記カバーブロックは、位置合わせ用の開口を備え、
    　前記カバーブロックを支持するスペーサは、周辺に位置合わせ用のマーカを備え、
    　前記マーカが、前記位置合わせ用の開口と一致するように前記カバーブロックの位置合わせを行うことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の光モジュール。
  13. 　前記カバーブロックと前記電気ポートのグランドとが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の光モジュール。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019211538A (ja) * 2018-05-31 2019-12-12 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光デバイス、これを用いた光モジュール、及び光デバイスの試験方法
JP2020027846A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 富士通株式会社 光送信器
WO2021053764A1 (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 日本電信電話株式会社 光モジュール用パッケージ

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9536758B1 (en) 2016-05-26 2017-01-03 Anand Deo Time-varying frequency powered semiconductor substrate heat source
US11152232B2 (en) 2016-05-26 2021-10-19 Anand Deo Frequency and phase controlled transducers and sensing
CA3028361C (en) * 2016-06-20 2021-01-12 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical receiver
DE102018101198A1 (de) * 2018-01-19 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum herstellen eines gehäusedeckels für ein laserbauelement und gehäusedeckel für ein laserbauelement sowie laserbauelement
WO2020010247A1 (en) * 2018-07-03 2020-01-09 Deo Anand Planar transmission line resonator frequency control of localized transducers
US10895374B2 (en) 2018-08-08 2021-01-19 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light source device
CN208723309U (zh) * 2018-08-08 2019-04-09 光宝光电(常州)有限公司 光源装置
WO2023064873A1 (en) 2021-10-13 2023-04-20 Deo Anand Conformable polymer for frequency-selectable heating locations
EP4224249A1 (en) * 2022-02-04 2023-08-09 ETH Zurich Electrooptic or optoelectric integrated circuit enabling a bias-tee and method for fabricating the same

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088616A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sony Corp 高周波伝送線路及び平面アンテナ並びに高周波回路
JP2001185741A (ja) * 1999-10-12 2001-07-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 光モジュール
JP2002185408A (ja) * 2000-12-11 2002-06-28 Mitsubishi Electric Corp 光送受信器
JP2006073935A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
JP2009010149A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Kyocera Corp 接続端子及びこれを用いたパッケージ並びに電子装置
US20100098427A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-22 Finisar Corporation Emi shroud for a plastic receive optical subassembly
JP2012033615A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2014036100A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 光モジュール
JP2014165292A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Hitachi Ltd 発光素子及びその製造方法並びに光送受信器
JP2014179455A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多チャネルレーザアレイ光源

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3185852B2 (ja) 1996-03-12 2001-07-11 日本電信電話株式会社 光受信器およびそれを用いた光ネットワーク
JP4159778B2 (ja) * 2001-12-27 2008-10-01 三菱電機株式会社 Ｉｃパッケージ、光送信器及び光受信器
JP3738755B2 (ja) * 2002-08-01 2006-01-25 日本電気株式会社 チップ部品を備える電子装置
JP2005244038A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujitsu Ltd 光送受信モジュール
JP4774391B2 (ja) 2007-08-24 2011-09-14 株式会社日立製作所 光伝送システムおよび信号速度変換装置
JP4913093B2 (ja) * 2008-04-18 2012-04-11 日本オプネクスト株式会社 光通信モジュールおよび光学結合部被覆部材
US8439578B2 (en) * 2009-09-08 2013-05-14 Vi Systems Gmbh Opto-electronic assembly for high speed transmission
JP5947731B2 (ja) 2013-02-07 2016-07-06 日本電信電話株式会社 多チャネルレーザアレイ光源

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH088616A (ja) * 1994-06-21 1996-01-12 Sony Corp 高周波伝送線路及び平面アンテナ並びに高周波回路
JP2001185741A (ja) * 1999-10-12 2001-07-06 Furukawa Electric Co Ltd:The 光モジュール
JP2002185408A (ja) * 2000-12-11 2002-06-28 Mitsubishi Electric Corp 光送受信器
JP2006073935A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体パッケージ
JP2009010149A (ja) * 2007-06-28 2009-01-15 Kyocera Corp 接続端子及びこれを用いたパッケージ並びに電子装置
US20100098427A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-22 Finisar Corporation Emi shroud for a plastic receive optical subassembly
JP2012033615A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2014036100A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Furukawa Electric Co Ltd:The 光モジュール
JP2014165292A (ja) * 2013-02-25 2014-09-08 Hitachi Ltd 発光素子及びその製造方法並びに光送受信器
JP2014179455A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多チャネルレーザアレイ光源

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3331110A4 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019211538A (ja) * 2018-05-31 2019-12-12 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光デバイス、これを用いた光モジュール、及び光デバイスの試験方法
JP7192255B2 (ja) 2018-05-31 2022-12-20 富士通オプティカルコンポーネンツ株式会社 光デバイス、これを用いた光モジュール、及び光デバイスの試験方法
US11658738B2 (en) 2018-05-31 2023-05-23 Fujitsu Optical Components Limited Optical device, optical module using the same, and optical device testing method
JP2020027846A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 富士通株式会社 光送信器
JP7059865B2 (ja) 2018-08-10 2022-04-26 富士通株式会社 光送信器
WO2021053764A1 (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 日本電信電話株式会社 光モジュール用パッケージ
JPWO2021053764A1 (ja) * 2019-09-18 2021-03-25
JP7303457B2 (ja) 2019-09-18 2023-07-05 日本電信電話株式会社 光モジュール用パッケージ

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