JPH088616A - 高周波伝送線路及び平面アンテナ並びに高周波回路 - Google Patents
高周波伝送線路及び平面アンテナ並びに高周波回路Info
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- JPH088616A JPH088616A JP6162752A JP16275294A JPH088616A JP H088616 A JPH088616 A JP H088616A JP 6162752 A JP6162752 A JP 6162752A JP 16275294 A JP16275294 A JP 16275294A JP H088616 A JPH088616 A JP H088616A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は高周波伝送線路及び平面アンテナ並び
に高周波回路に関し、部品実装や量産性の面で優れた作
業性を維持しながら、伝送損失を低減し得る高周波伝送
線路及び平面アンテナ並びに高周波回路を実現する。 【構成】線路導体２と第２の接地導体２１との距離ｈ2
を、線路導体２と第１の接地導体３との間の誘電体層４
の厚みｈ1 と比誘電率εr とに応じて設定するようにし
たことにより、高周波伝送線路２０の伝送損失を低減し
得る。またこの高周波伝送線路によつて平面アンテナの
給電線路を形成したことにより、当該平面アンテナの伝
送損失を低減し得る。さらにこの高周波伝送線路によつ
て高周波回路の接続線路を形成したことにより、当該高
周波回路の伝送損失を低減し得る。
に高周波回路に関し、部品実装や量産性の面で優れた作
業性を維持しながら、伝送損失を低減し得る高周波伝送
線路及び平面アンテナ並びに高周波回路を実現する。 【構成】線路導体２と第２の接地導体２１との距離ｈ2
を、線路導体２と第１の接地導体３との間の誘電体層４
の厚みｈ1 と比誘電率εr とに応じて設定するようにし
たことにより、高周波伝送線路２０の伝送損失を低減し
得る。またこの高周波伝送線路によつて平面アンテナの
給電線路を形成したことにより、当該平面アンテナの伝
送損失を低減し得る。さらにこの高周波伝送線路によつ
て高周波回路の接続線路を形成したことにより、当該高
周波回路の伝送損失を低減し得る。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術（図７及び図８） 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図１、図４〜図６） 作用（図２） 実施例 （１）第１実施例（図１〜図３） （２）第２実施例（図４） （３）第３実施例（図５） （４）第４実施例（図６） （５）他の実施例 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は高周波伝送線路及び平面
アンテナ並びに高周波回路に関し、特にマイクロ波帯又
はミリ波帯の無線周波信号を扱うものに適用して好適な
ものである。
アンテナ並びに高周波回路に関し、特にマイクロ波帯又
はミリ波帯の無線周波信号を扱うものに適用して好適な
ものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、マイクロ波帯又はミリ波帯無線通
信の分野においては、無線周波信号の伝送線路としてマ
イクロストリツプ線路が広く知られている。このマイク
ロストリツプ線路は、高周波回路部品との接続性に優
れ、かつ量産に好適な構成を有しており、これまで実用
化されてきた数多くのハイブリツト高周波回路や高周波
集積回路に適用されている。またこのマイクロストリツ
プ線路は、近年実用化が盛んな平面アンテナの給電線路
としても広く用いられている。
信の分野においては、無線周波信号の伝送線路としてマ
イクロストリツプ線路が広く知られている。このマイク
ロストリツプ線路は、高周波回路部品との接続性に優
れ、かつ量産に好適な構成を有しており、これまで実用
化されてきた数多くのハイブリツト高周波回路や高周波
集積回路に適用されている。またこのマイクロストリツ
プ線路は、近年実用化が盛んな平面アンテナの給電線路
としても広く用いられている。
【０００４】通常、このマイクロストリツプ線路は、例
えば図７（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、電磁的シールド
や機械的強度などの点から金属製のカバーが付加されて
いる。因みに、図７（Ａ）はこのマイクロストリツプ線
路１の正面図を示し、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＡ−
Ａ’断面図を示し、さらに図７（Ｃ）は図７（Ａ）のＢ
−Ｂ’断面図を示す。なお、このマイクロストリツプ線
路の構成については、K.C.Gupta,Ramesh Garg,I.J.Bahl
著、「MICROSTRIP LINES and SLOTLINES」（ARTECH HOU
SE INC.,1979）等の文献に開示されている。
えば図７（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、電磁的シールド
や機械的強度などの点から金属製のカバーが付加されて
いる。因みに、図７（Ａ）はこのマイクロストリツプ線
路１の正面図を示し、図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＡ−
Ａ’断面図を示し、さらに図７（Ｃ）は図７（Ａ）のＢ
−Ｂ’断面図を示す。なお、このマイクロストリツプ線
路の構成については、K.C.Gupta,Ramesh Garg,I.J.Bahl
著、「MICROSTRIP LINES and SLOTLINES」（ARTECH HOU
SE INC.,1979）等の文献に開示されている。
【０００５】マイクロストリツプ線路１では、細い板状
の線路導体２と同じく板状の接地導体３とが誘電体層４
（比誘電率εr ）を介して積層されている。この構成が
マイクロストリツプ線路としての基本的な構成であり、
この構成によつて直流から高周波までの広い周波数範囲
にわたる信号が準ＴＥＭモード（Transverse ElectoroM
agnetic mode：電磁波の伝搬形態の１つで、自由空間を
伝搬する電磁波のように進行方向に電界成分も磁界成分
も持たないモード）でＺ軸方向に伝送される。またマイ
クロストリツプ線路１では、上述のように主に電磁シー
ルドを目的として、金属製のカバー５が、線路導体２及
び誘電体層４を覆い、かつ接地導体３と電気的に接続す
るように設けられている。
の線路導体２と同じく板状の接地導体３とが誘電体層４
（比誘電率εr ）を介して積層されている。この構成が
マイクロストリツプ線路としての基本的な構成であり、
この構成によつて直流から高周波までの広い周波数範囲
にわたる信号が準ＴＥＭモード（Transverse ElectoroM
agnetic mode：電磁波の伝搬形態の１つで、自由空間を
伝搬する電磁波のように進行方向に電界成分も磁界成分
も持たないモード）でＺ軸方向に伝送される。またマイ
クロストリツプ線路１では、上述のように主に電磁シー
ルドを目的として、金属製のカバー５が、線路導体２及
び誘電体層４を覆い、かつ接地導体３と電気的に接続す
るように設けられている。
【０００６】この場合、カバー５は、伝搬モードに影響
を及ぼさないように線路導体２に対して十分離されて配
設される。すなわち線路導体２とカバー５の間に形成さ
れる空気層６の厚みｈ2 が、誘電体層４の厚みｈ1 に対
して例えば数倍から数十倍程度に設定される。これによ
りカバー５は、線路導体２に対して接地導体にならな
い。
を及ぼさないように線路導体２に対して十分離されて配
設される。すなわち線路導体２とカバー５の間に形成さ
れる空気層６の厚みｈ2 が、誘電体層４の厚みｈ1 に対
して例えば数倍から数十倍程度に設定される。これによ
りカバー５は、線路導体２に対して接地導体にならな
い。
【０００７】またマイクロストリツプ線路としては、こ
のマイクロストリツプ線路１の他にも、例えば図８
（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、ストリツプ線路の特徴を
取り入れたストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０
が提案されている。因みに、図８（Ａ）はストリツプ性
−マイクロストリツプ線路１０の正面図を示し、図８
（Ｂ）は図８（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図を示し、さらに図
８（Ｃ）は図８（Ａ）のＤ−Ｄ’断面図を示す。なお、
このストリツプ性−マイクロストリツプ線路について
は、Ramesh Garg 著、「Stripline-Like Microstrip Co
nfiguration 」、MICROWAVE JOURNAL 1979年４月号等の
文献にも開示されている。
のマイクロストリツプ線路１の他にも、例えば図８
（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、ストリツプ線路の特徴を
取り入れたストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０
が提案されている。因みに、図８（Ａ）はストリツプ性
−マイクロストリツプ線路１０の正面図を示し、図８
（Ｂ）は図８（Ａ）のＣ−Ｃ’断面図を示し、さらに図
８（Ｃ）は図８（Ａ）のＤ−Ｄ’断面図を示す。なお、
このストリツプ性−マイクロストリツプ線路について
は、Ramesh Garg 著、「Stripline-Like Microstrip Co
nfiguration 」、MICROWAVE JOURNAL 1979年４月号等の
文献にも開示されている。
【０００８】ストリツプ性−マイクロストリツプ線路１
０では、上述のマイクロストリツプ線路１と同様に、細
い板状の線路導体２と同じく板状の接地導体３とが誘電
体層４（比誘電率εr ）を介して積層されている。この
場合、ストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０で
は、上述のマイクロストリツプ線路１と異なり、カバー
５の代わりに第２の接地導体１１が線路導体２を中心と
して接地導体３と対象の位置に配設されている。すなわ
ち線路導体２と第２の接地導体１１の間に形成される空
気層６の厚みｈ2 が、誘電体層４の厚みｈ1 と等しく設
定されている。これによりストリツプ性−マイクロスト
リツプ線路１０では、電界分布が線路導体２の上側と下
側とに分散され、伝搬形態としては上下対称のストリツ
プ線路に近いＴＥＭモードになる。因みに、接地導体３
と第２の接地導体１１は、導体板１２Ａ、１２Ｂによつ
て電気的に接続され、互いに同電位になるようになされ
ている。
０では、上述のマイクロストリツプ線路１と同様に、細
い板状の線路導体２と同じく板状の接地導体３とが誘電
体層４（比誘電率εr ）を介して積層されている。この
場合、ストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０で
は、上述のマイクロストリツプ線路１と異なり、カバー
５の代わりに第２の接地導体１１が線路導体２を中心と
して接地導体３と対象の位置に配設されている。すなわ
ち線路導体２と第２の接地導体１１の間に形成される空
気層６の厚みｈ2 が、誘電体層４の厚みｈ1 と等しく設
定されている。これによりストリツプ性−マイクロスト
リツプ線路１０では、電界分布が線路導体２の上側と下
側とに分散され、伝搬形態としては上下対称のストリツ
プ線路に近いＴＥＭモードになる。因みに、接地導体３
と第２の接地導体１１は、導体板１２Ａ、１２Ｂによつ
て電気的に接続され、互いに同電位になるようになされ
ている。
【０００９】このように構成されたストリツプ性−マイ
クロストリツプ線路１０は、上述のマイクロストリツプ
線路１と同様に、高周波回路部品の実装が容易であると
共に、量産性に優れており、しかもストリツプ線路に近
いＴＥＭモードによつて信号が伝送される。このためス
トリツプ性−マイクロストリツプ線路１０は、周波数分
散が小さく、例えば方向性結合器に適用すると高い方向
性が得られるなどの利点がある。
クロストリツプ線路１０は、上述のマイクロストリツプ
線路１と同様に、高周波回路部品の実装が容易であると
共に、量産性に優れており、しかもストリツプ線路に近
いＴＥＭモードによつて信号が伝送される。このためス
トリツプ性−マイクロストリツプ線路１０は、周波数分
散が小さく、例えば方向性結合器に適用すると高い方向
性が得られるなどの利点がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところでマイクロスト
リツプ線路１及びストリツプ性−マイクロストリツプ線
路１０では、信号を伝送する際に伝送損失が生じる問題
がある。この伝送損失は、Ｓ／Ｎ比低下の要因の１つで
あり、特に受信系高周波回路のアンテナ出力端からロー
ノイズアンプ入力端までの伝送経路においては、機器全
体の性能を左右するほどの重要な要素になつている。こ
のようにマイクロストリツプ線路１は、部品実装や量産
性の面で優れた作業性を有する反面、伝送損失特性の点
で他の様々な高周波伝送線路に対して性能が劣る問題が
ある。また主として周波数分散の抑制を目的に改良され
たストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０も、伝送
損失特性の点で未だ不十分な問題がある。
リツプ線路１及びストリツプ性−マイクロストリツプ線
路１０では、信号を伝送する際に伝送損失が生じる問題
がある。この伝送損失は、Ｓ／Ｎ比低下の要因の１つで
あり、特に受信系高周波回路のアンテナ出力端からロー
ノイズアンプ入力端までの伝送経路においては、機器全
体の性能を左右するほどの重要な要素になつている。こ
のようにマイクロストリツプ線路１は、部品実装や量産
性の面で優れた作業性を有する反面、伝送損失特性の点
で他の様々な高周波伝送線路に対して性能が劣る問題が
ある。また主として周波数分散の抑制を目的に改良され
たストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０も、伝送
損失特性の点で未だ不十分な問題がある。
【００１１】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、部品実装や量産性の面で優れた作業性を維持しなが
ら、伝送損失を低減し得る高周波伝送線路及び平面アン
テナ並びに高周波回路を提案しようとするものである。
で、部品実装や量産性の面で優れた作業性を維持しなが
ら、伝送損失を低減し得る高周波伝送線路及び平面アン
テナ並びに高周波回路を提案しようとするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、線路導体２と第１の接地導体３と
が誘電体層４を介して配設され、線路導体２を挟んで第
１の接地導体３と対向するように第２の接地導体２１
（又は３１）が配設されるマイクロストリツプ形の高周
波伝送線路２０（又は３０）において、線路導体２と第
２の接地導体２１（又は３１）との距離ｈ2 を、誘電体
層４の厚みｈ1 と誘電体層４の比誘電率εr とに応じて
設定するようにした。
め本発明においては、線路導体２と第１の接地導体３と
が誘電体層４を介して配設され、線路導体２を挟んで第
１の接地導体３と対向するように第２の接地導体２１
（又は３１）が配設されるマイクロストリツプ形の高周
波伝送線路２０（又は３０）において、線路導体２と第
２の接地導体２１（又は３１）との距離ｈ2 を、誘電体
層４の厚みｈ1 と誘電体層４の比誘電率εr とに応じて
設定するようにした。
【００１３】また本発明においては、高周波伝送線路２
０（又は３０）は、線路導体２及び第２の接地導体２１
（又は３１）の間に空気層を有し、線路導体２と第２の
接地導体２１（又は３１）との距離ｈ2 を、ほぼ、誘電
体層４の比誘電率εr の平方根と誘電体層４の厚みｈ1
との積に設定するようにした。
０（又は３０）は、線路導体２及び第２の接地導体２１
（又は３１）の間に空気層を有し、線路導体２と第２の
接地導体２１（又は３１）との距離ｈ2 を、ほぼ、誘電
体層４の比誘電率εr の平方根と誘電体層４の厚みｈ1
との積に設定するようにした。
【００１４】また本発明においては、高周波伝送線路２
０は、線路導体２を挟んで対向し、第１の接地導体３と
第２の接地導体２１とを電気的に接続する第１及び第２
の導体板２２Ａ、２２Ｂを備え、第１及び第２の導体板
２２Ａ、２２Ｂによつて第１の接地導体３と第２の接地
導体２１とを同電位にするようにした。
０は、線路導体２を挟んで対向し、第１の接地導体３と
第２の接地導体２１とを電気的に接続する第１及び第２
の導体板２２Ａ、２２Ｂを備え、第１及び第２の導体板
２２Ａ、２２Ｂによつて第１の接地導体３と第２の接地
導体２１とを同電位にするようにした。
【００１５】また本発明においては、高周波伝送線路３
０は、第１の接地導体３と第２の接地導体３１とを電気
的に接続する少なくとも１つ以上の導体棒３２ＡＢ〜３
２ＡＮ、３２ＢＡ〜３２ＢＮを備え、導体棒３２ＡＢ〜
３２ＡＮ、３２ＢＡ〜３２ＢＮによつて第１の接地導体
３と第２の接地導体３１とを同電位にするようにした。
０は、第１の接地導体３と第２の接地導体３１とを電気
的に接続する少なくとも１つ以上の導体棒３２ＡＢ〜３
２ＡＮ、３２ＢＡ〜３２ＢＮを備え、導体棒３２ＡＢ〜
３２ＡＮ、３２ＢＡ〜３２ＢＮによつて第１の接地導体
３と第２の接地導体３１とを同電位にするようにした。
【００１６】また本発明においては、線路導体４５と第
１の接地導体４６とが誘電体層４４を介して配設され、
線路導体４５を挟んで第１の接地導体４６と対向するよ
うに第２の接地導体４７が配設されるマイクロストリツ
プ形の高周波伝送線路４１によつて、給電線路が形成さ
れる平面アンテナ４０において、高周波伝送線路４１
は、線路導体４５と第２の接地導体４７との距離を、誘
電体層４４の厚みと誘電体層４４の比誘電率εr とに応
じて設定するようにした。
１の接地導体４６とが誘電体層４４を介して配設され、
線路導体４５を挟んで第１の接地導体４６と対向するよ
うに第２の接地導体４７が配設されるマイクロストリツ
プ形の高周波伝送線路４１によつて、給電線路が形成さ
れる平面アンテナ４０において、高周波伝送線路４１
は、線路導体４５と第２の接地導体４７との距離を、誘
電体層４４の厚みと誘電体層４４の比誘電率εr とに応
じて設定するようにした。
【００１７】また本発明においては、線路導体５３と第
１の接地導体５４とが誘電体層５２を介して配設され、
線路導体５３を挟んで第１の接地導体５４と対向するよ
うに第２の接地導体５５が配設されるマイクロストリツ
プ形の高周波伝送線路５１によつて、回路部品の接続線
路が形成される高周波回路５０において、高周波伝送線
路５１は、線路導体５３と第２の接地導体５５との距離
を、誘電体層５２の厚みと誘電体層５２の比誘電率εr
とに応じて設定するようにした。
１の接地導体５４とが誘電体層５２を介して配設され、
線路導体５３を挟んで第１の接地導体５４と対向するよ
うに第２の接地導体５５が配設されるマイクロストリツ
プ形の高周波伝送線路５１によつて、回路部品の接続線
路が形成される高周波回路５０において、高周波伝送線
路５１は、線路導体５３と第２の接地導体５５との距離
を、誘電体層５２の厚みと誘電体層５２の比誘電率εr
とに応じて設定するようにした。
【００１８】
【作用】線路導体２と第１の接地導体３とが誘電体層４
を介して配設され、線路導体２を挟んで第１の接地導体
３と対向するように第２の接地導体２１（又は３１）が
配設されるマイクロストリツプ形の高周波伝送線路２０
（又は３０）において、線路導体２と第２の接地導体２
１（又は３１）との距離ｈ2 を、誘電体層４の厚みｈ1
と誘電体層４の比誘電率εr とに応じて設定するように
したことにより、線路導体２から第２の接地導体２１
（又は３１）までの距離ｈ2 と誘電体層４の厚みｈ1 と
が、電磁波の伝搬速度の観点上、ほぼ等価的に等しくな
り、これにより電流密度分布が線路導体２の上下両表面
上でほぼ均一化する。
を介して配設され、線路導体２を挟んで第１の接地導体
３と対向するように第２の接地導体２１（又は３１）が
配設されるマイクロストリツプ形の高周波伝送線路２０
（又は３０）において、線路導体２と第２の接地導体２
１（又は３１）との距離ｈ2 を、誘電体層４の厚みｈ1
と誘電体層４の比誘電率εr とに応じて設定するように
したことにより、線路導体２から第２の接地導体２１
（又は３１）までの距離ｈ2 と誘電体層４の厚みｈ1 と
が、電磁波の伝搬速度の観点上、ほぼ等価的に等しくな
り、これにより電流密度分布が線路導体２の上下両表面
上でほぼ均一化する。
【００１９】また線路導体４５と第２の接地導体４７と
の距離が線路導体４５と第１の接地導体４６との間の誘
電体層４４の厚みと比誘電率εr とに応じて設定された
高周波伝送線路４１によつて、平面アンテナ４０の給電
線路を形成したことにより、給電線路の電流密度分布が
上下両表面上でほぼ均一化する。
の距離が線路導体４５と第１の接地導体４６との間の誘
電体層４４の厚みと比誘電率εr とに応じて設定された
高周波伝送線路４１によつて、平面アンテナ４０の給電
線路を形成したことにより、給電線路の電流密度分布が
上下両表面上でほぼ均一化する。
【００２０】また線路導体５３と第２の接地導体５５と
の距離が線路導体５３と第１の接地導体５４との間の誘
電体層５２の厚みと比誘電率εr とに応じて設定された
高周波伝送線路５１によつて、高周波回路５０の接続線
路を形成したことにより、接続線路の電流密度分布が上
下両表面上でほぼ均一化する。
の距離が線路導体５３と第１の接地導体５４との間の誘
電体層５２の厚みと比誘電率εr とに応じて設定された
高周波伝送線路５１によつて、高周波回路５０の接続線
路を形成したことにより、接続線路の電流密度分布が上
下両表面上でほぼ均一化する。
【００２１】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００２２】（１）第１実施例 図８との対応部分に同一符号を付して示す図１におい
て、２０は全体として高周波伝送線路としてのマイクロ
ストリツプ形伝送線路を示し、この実施例の場合も、細
い板状の線路導体２と同じく板状の接地導体３とが誘電
体層４（比誘電率εr ）を介して積層されている。また
第２の接地導体２１は、線路導体２を挟んで接地導体３
と対向するように配設されている。因みに、図１（Ａ）
はこのマイクロストリツプ形伝送線路２０の正面図を示
し、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＥ−Ｅ’断面図を示し、
さらに図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＦ−Ｆ’断面図を示
す。
て、２０は全体として高周波伝送線路としてのマイクロ
ストリツプ形伝送線路を示し、この実施例の場合も、細
い板状の線路導体２と同じく板状の接地導体３とが誘電
体層４（比誘電率εr ）を介して積層されている。また
第２の接地導体２１は、線路導体２を挟んで接地導体３
と対向するように配設されている。因みに、図１（Ａ）
はこのマイクロストリツプ形伝送線路２０の正面図を示
し、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＥ−Ｅ’断面図を示し、
さらに図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＦ−Ｆ’断面図を示
す。
【００２３】この実施例の場合、線路導体２と第２の接
地導体２１との間に形成される空気層６の厚みｈ2 は、
ほぼ次式
地導体２１との間に形成される空気層６の厚みｈ2 は、
ほぼ次式
【数１】 で表されるように、誘電体層４の厚みｈ1 と、誘電体層
４の比誘電率εr の平方根との積に設定されている。す
なわちマイクロストリツプ形伝送線路２０では、第２の
接地導体２１と線路導体２との距離ｈ2 が、誘電体層４
の厚みｈ1 と、誘電体層４の比誘電率εr の平方根との
積に設定されている。また第２の接地導体２１は導体板
２２Ａ、２２Ｂによつて支持固定され、これにより第２
の接地導体２１と接地導体３とが電気的に接続されて同
電位になる。この場合、導体板２２Ａ、２２Ｂは、マイ
クロストリツプ形伝送線路２０の正常な動作を妨げるパ
ラレルプレートモード（２つの平行板の間で信号が伝送
されるモード）を抑制する働きも兼ねている。
４の比誘電率εr の平方根との積に設定されている。す
なわちマイクロストリツプ形伝送線路２０では、第２の
接地導体２１と線路導体２との距離ｈ2 が、誘電体層４
の厚みｈ1 と、誘電体層４の比誘電率εr の平方根との
積に設定されている。また第２の接地導体２１は導体板
２２Ａ、２２Ｂによつて支持固定され、これにより第２
の接地導体２１と接地導体３とが電気的に接続されて同
電位になる。この場合、導体板２２Ａ、２２Ｂは、マイ
クロストリツプ形伝送線路２０の正常な動作を妨げるパ
ラレルプレートモード（２つの平行板の間で信号が伝送
されるモード）を抑制する働きも兼ねている。
【００２４】以上の構成において、マイクロストリツプ
形伝送線路２０では、直流から高周波までの広い周波数
範囲にわたる信号がＴＥＭモードでＺ軸方向に伝送され
る。このときマイクロストリツプ形伝送線路２０では、
空気層６の厚みｈ2 が誘電体層４の厚みｈ1 に対してほ
ぼ比誘電率εr の平方根倍の大きさに設定されているた
め、電界分布が線路導体２の上側と下側でほぼ均一に分
布し、電流密度分布が線路導体２の上下両表面上で均一
化する。このためマイクロストリツプ形伝送線路２０で
は、導体損失が最小になり、良好な伝送損失特性が得ら
れる。
形伝送線路２０では、直流から高周波までの広い周波数
範囲にわたる信号がＴＥＭモードでＺ軸方向に伝送され
る。このときマイクロストリツプ形伝送線路２０では、
空気層６の厚みｈ2 が誘電体層４の厚みｈ1 に対してほ
ぼ比誘電率εr の平方根倍の大きさに設定されているた
め、電界分布が線路導体２の上側と下側でほぼ均一に分
布し、電流密度分布が線路導体２の上下両表面上で均一
化する。このためマイクロストリツプ形伝送線路２０で
は、導体損失が最小になり、良好な伝送損失特性が得ら
れる。
【００２５】ここでマイクロストリツプ形伝送線路２０
の伝送損失について、以下に具体的に説明する。一般
に、高周波伝送線路の伝送損失は、主に導体損失と誘電
体損失からなるが、ほとんどの場合、導体損失が支配的
要因になつている。特に、Ｘバンド（7.5〜13.0〔GHz
〕）を超えるほどの高い周波数帯では、この傾向が顕
著になつている。導体損失は線路導体幅を拡大すること
によつて低減し得るが、回路レイアウト、伝搬モードの
安定性等を考慮すると、線路導体幅を拡大することは必
然的に限界がある。従つて、高周波伝送線路の伝送損失
は、同一の線路導体幅における導体損失が重要な要素に
なると考えられる。なお、導体損失は、線路導体の電流
密度分布が部分的に集中する程大きくなる傾向にある。
の伝送損失について、以下に具体的に説明する。一般
に、高周波伝送線路の伝送損失は、主に導体損失と誘電
体損失からなるが、ほとんどの場合、導体損失が支配的
要因になつている。特に、Ｘバンド（7.5〜13.0〔GHz
〕）を超えるほどの高い周波数帯では、この傾向が顕
著になつている。導体損失は線路導体幅を拡大すること
によつて低減し得るが、回路レイアウト、伝搬モードの
安定性等を考慮すると、線路導体幅を拡大することは必
然的に限界がある。従つて、高周波伝送線路の伝送損失
は、同一の線路導体幅における導体損失が重要な要素に
なると考えられる。なお、導体損失は、線路導体の電流
密度分布が部分的に集中する程大きくなる傾向にある。
【００２６】ここで図２において、同一の線路導体幅を
有する場合の電界分布を模式的に示し、従来のマイクロ
ストリツプ線路１及びストリツプ性−マイクロストリツ
プ線路１０と、本発明のマイクロストリツプ形伝送線路
２０の伝送損失を比較する。図２（Ａ）に示すように、
マイクロストリツプ線路１では、空気層６の厚みｈ2が
誘電体層の厚みｈ1 に比べて十分大きいため、金属製の
カバー５は伝送線路の接地導体として働かない。従つ
て、マイクロストリツプ線路１では、電界分布は線路導
体２の下側に集中し、電流密度分布も線路導体２の下側
表面上に集中して導体損失は比較的大きくなる。
有する場合の電界分布を模式的に示し、従来のマイクロ
ストリツプ線路１及びストリツプ性−マイクロストリツ
プ線路１０と、本発明のマイクロストリツプ形伝送線路
２０の伝送損失を比較する。図２（Ａ）に示すように、
マイクロストリツプ線路１では、空気層６の厚みｈ2が
誘電体層の厚みｈ1 に比べて十分大きいため、金属製の
カバー５は伝送線路の接地導体として働かない。従つ
て、マイクロストリツプ線路１では、電界分布は線路導
体２の下側に集中し、電流密度分布も線路導体２の下側
表面上に集中して導体損失は比較的大きくなる。
【００２７】図２（Ｂ）に示すように、ストリツプ性−
マイクロストリツプ線路１０では、空気層６の厚みｈ2
が誘電体層の厚みｈ1 と等しく設定されているため、電
界分布は線路導体２の上側と下側に分散される。これに
よりストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０では、
電流密度分布も線路導体２の上下両表面上に分布し、マ
イクロストリツプ線路１に比較して導体損失は低減され
る。しかしながら空気層６と誘電体層４では誘電率が異
なるため、物理的に厚みが等しい場合でも、電磁波の伝
搬速度の観点から考えると、実質的には空気層６の厚み
ｈ2 のほうが薄くなる。このためストリツプ性−マイク
ロストリツプ線路１０では、線路導体２の上側が電束の
立ちやすい状態になり、電界分布は上側に偏る。その結
果、ストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０では、
電流密度は最適に均一化されず、線路導体２の上側に偏
る。
マイクロストリツプ線路１０では、空気層６の厚みｈ2
が誘電体層の厚みｈ1 と等しく設定されているため、電
界分布は線路導体２の上側と下側に分散される。これに
よりストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０では、
電流密度分布も線路導体２の上下両表面上に分布し、マ
イクロストリツプ線路１に比較して導体損失は低減され
る。しかしながら空気層６と誘電体層４では誘電率が異
なるため、物理的に厚みが等しい場合でも、電磁波の伝
搬速度の観点から考えると、実質的には空気層６の厚み
ｈ2 のほうが薄くなる。このためストリツプ性−マイク
ロストリツプ線路１０では、線路導体２の上側が電束の
立ちやすい状態になり、電界分布は上側に偏る。その結
果、ストリツプ性−マイクロストリツプ線路１０では、
電流密度は最適に均一化されず、線路導体２の上側に偏
る。
【００２８】これに対して図２（Ｃ）に示すように、マ
イクロストリツプ形伝送線路２０では、空気層６の厚み
ｈ2 が誘電体層４の厚みｈ1 に対してほぼ比誘電率εr
の平方根倍の大きさに設定されており、空気層６の厚み
ｈ2 は、電磁波の伝搬速度の観点から考えると、等価的
に誘電体層４の厚みｈ1 と等しくなる。このためマイク
ロストリツプ形伝送線路２０では、電界分布は線路導体
２の上側と下側でほぼ均一に分布し、電流密度分布も線
路導体２の上下両表面上にほぼ均一化する。これにより
マイクロストリツプ形伝送線路２０では、マイクロスト
リツプ線路１やストリツプ性−マイクロストリツプ線路
１０に比して導体損失が小さくなり、良好な伝送損失特
性が得られる。このようにしてマイクロストリツプ形伝
送線路２０では、線路導体２の電流密度分布と導体損失
の関係に着目して、マイクロストリツプ形伝送線路２０
全体としての伝送損失を低減するようになされている。
イクロストリツプ形伝送線路２０では、空気層６の厚み
ｈ2 が誘電体層４の厚みｈ1 に対してほぼ比誘電率εr
の平方根倍の大きさに設定されており、空気層６の厚み
ｈ2 は、電磁波の伝搬速度の観点から考えると、等価的
に誘電体層４の厚みｈ1 と等しくなる。このためマイク
ロストリツプ形伝送線路２０では、電界分布は線路導体
２の上側と下側でほぼ均一に分布し、電流密度分布も線
路導体２の上下両表面上にほぼ均一化する。これにより
マイクロストリツプ形伝送線路２０では、マイクロスト
リツプ線路１やストリツプ性−マイクロストリツプ線路
１０に比して導体損失が小さくなり、良好な伝送損失特
性が得られる。このようにしてマイクロストリツプ形伝
送線路２０では、線路導体２の電流密度分布と導体損失
の関係に着目して、マイクロストリツプ形伝送線路２０
全体としての伝送損失を低減するようになされている。
【００２９】ここで具体例として図３に伝送損失特性の
実測結果を示す。図３において、横軸は空気層６の厚み
ｈ2 〔mm〕を示し、縦軸は空気層６の厚みｈ2 に対する
メートル当たりの伝送損失Ｌ〔dB/m〕を示す。なお、こ
の伝送損失Ｌの実測に際しては、比誘電率εr を２、誘
電体層４の厚みｈ1 を１〔mm〕、線路導体２の幅を２
〔mm〕に設定している。
実測結果を示す。図３において、横軸は空気層６の厚み
ｈ2 〔mm〕を示し、縦軸は空気層６の厚みｈ2 に対する
メートル当たりの伝送損失Ｌ〔dB/m〕を示す。なお、こ
の伝送損失Ｌの実測に際しては、比誘電率εr を２、誘
電体層４の厚みｈ1 を１〔mm〕、線路導体２の幅を２
〔mm〕に設定している。
【００３０】マイクロストリツプ線路１のように空気層
６の厚みｈ2 を誘電体層４の厚みｈ1 に対して十分に大
きくした場合（図中Ａ点、ｈ2 ＝20〔mm〕）、伝送損失
Ｌは約 6.0〔dB/m〕になる。またストリツプ性−マイク
ロストリツプ線路１０のように空気層６の厚みｈ2 を誘
電体層４の厚みｈ1 と等しくした場合（図中Ｂ点、ｈ2
＝ 1.0〔mm〕）、伝送損失Ｌは約 3.6〔dB/m〕になる。
一方、マイクロストリツプ形伝送線路２０のように空気
層６の厚みｈ2 を誘電体層４の厚みｈ1 に対してほぼ比
誘電率εr の平方根倍に設定した場合（図中Ｃ点、ｈ2
＝ 1.4〔mm〕）、伝送損失Ｌは約 3.1〔dB/m〕になり、
マイクロストリツプ線路１やストリツプ性−マイクロス
トリツプ線路１０の場合に比して伝送損失が低減されて
いる。なお、ここでは特に図示していないが、実用上重
要となる数〔mm〕程度以下の線路導体幅についても同様
の結果になる。
６の厚みｈ2 を誘電体層４の厚みｈ1 に対して十分に大
きくした場合（図中Ａ点、ｈ2 ＝20〔mm〕）、伝送損失
Ｌは約 6.0〔dB/m〕になる。またストリツプ性−マイク
ロストリツプ線路１０のように空気層６の厚みｈ2 を誘
電体層４の厚みｈ1 と等しくした場合（図中Ｂ点、ｈ2
＝ 1.0〔mm〕）、伝送損失Ｌは約 3.6〔dB/m〕になる。
一方、マイクロストリツプ形伝送線路２０のように空気
層６の厚みｈ2 を誘電体層４の厚みｈ1 に対してほぼ比
誘電率εr の平方根倍に設定した場合（図中Ｃ点、ｈ2
＝ 1.4〔mm〕）、伝送損失Ｌは約 3.1〔dB/m〕になり、
マイクロストリツプ線路１やストリツプ性−マイクロス
トリツプ線路１０の場合に比して伝送損失が低減されて
いる。なお、ここでは特に図示していないが、実用上重
要となる数〔mm〕程度以下の線路導体幅についても同様
の結果になる。
【００３１】このようにしてマイクロストリツプ形伝送
線路２０では、線路導体２から第２の接地導体２１まで
の距離（すなわち空気層６の厚み）ｈ2 を、誘電体層４
の厚みｈ1 と比誘電率εr の平方根との積に設定するよ
うにしたことにより、線路導体２から第２の接地導体２
１までの距離ｈ2 と線路導体２から接地導体３までの距
離（すなわち誘電体層４の厚み）ｈ1 とが、電磁波の伝
搬速度の観点上、ほぼ等価的に等しくなる。これにより
マイクロストリツプ形伝送線路２０では、電流密度分布
が線路導体２の上下両表面上でほぼ均一化して伝送損失
が低減する。
線路２０では、線路導体２から第２の接地導体２１まで
の距離（すなわち空気層６の厚み）ｈ2 を、誘電体層４
の厚みｈ1 と比誘電率εr の平方根との積に設定するよ
うにしたことにより、線路導体２から第２の接地導体２
１までの距離ｈ2 と線路導体２から接地導体３までの距
離（すなわち誘電体層４の厚み）ｈ1 とが、電磁波の伝
搬速度の観点上、ほぼ等価的に等しくなる。これにより
マイクロストリツプ形伝送線路２０では、電流密度分布
が線路導体２の上下両表面上でほぼ均一化して伝送損失
が低減する。
【００３２】またマイクロストリツプ形伝送線路２０で
は、線路導体２から第２の接地導体２１までの距離ｈ2
によつて伝送損失を低減するようにしたことにより、従
来のマイクロストリツプ線路１やストリツプ性−マイク
ロストリツプ線路１０と同様に、部品実装や量産性の面
で優れた作業性を有する。
は、線路導体２から第２の接地導体２１までの距離ｈ2
によつて伝送損失を低減するようにしたことにより、従
来のマイクロストリツプ線路１やストリツプ性−マイク
ロストリツプ線路１０と同様に、部品実装や量産性の面
で優れた作業性を有する。
【００３３】以上の構成によれば、線路導体２から第２
の接地導体２１までの距離ｈ2 を、誘電体層４の厚みｈ
1 と比誘電率εr の平方根との積に設定するようにした
ことにより、電流密度分布を線路導体２の上下両表面上
でほぼ均一化し得、かくしてマイクロストリツプ形伝送
線路２０の伝送損失を低減し得る。
の接地導体２１までの距離ｈ2 を、誘電体層４の厚みｈ
1 と比誘電率εr の平方根との積に設定するようにした
ことにより、電流密度分布を線路導体２の上下両表面上
でほぼ均一化し得、かくしてマイクロストリツプ形伝送
線路２０の伝送損失を低減し得る。
【００３４】（２）第２実施例 図１との対応部分に同一符号を付して示す図４におい
て、３０は全体として高周波伝送路としてのマイクロス
トリツプ形伝送線路を示し、接地導体３と第２の接地導
体３１との接続方法を除いて第１実施例のマイクロスト
リツプ形伝送線路２０と同様に構成されている。因み
に、図４（Ａ）はこのマイクロストリツプ形伝送線路３
０の正面図を示し、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＧ−Ｇ’
断面図を示し、さらに図４（Ｃ）は図４（Ａ）のＨ−
Ｈ’断面図を示す。
て、３０は全体として高周波伝送路としてのマイクロス
トリツプ形伝送線路を示し、接地導体３と第２の接地導
体３１との接続方法を除いて第１実施例のマイクロスト
リツプ形伝送線路２０と同様に構成されている。因み
に、図４（Ａ）はこのマイクロストリツプ形伝送線路３
０の正面図を示し、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＧ−Ｇ’
断面図を示し、さらに図４（Ｃ）は図４（Ａ）のＨ−
Ｈ’断面図を示す。
【００３５】この実施例の場合、第２の接地導体３１は
柱状に形成された複数の導体棒３２ＡＡ〜３２ＡＮ及び
３２ＢＡ〜３２ＢＮによつて支持固定され、これにより
第２の接地導体３１と接地導体３とが電気的に接続され
て同電位になる。このとき複数の導体棒３２ＡＡ〜３２
ＡＮ及び３２ＢＡ〜３２ＢＮは、マイクロストリツプ形
伝送線路３０の伝搬モードに影響を与えない程度の間隔
で設置される。
柱状に形成された複数の導体棒３２ＡＡ〜３２ＡＮ及び
３２ＢＡ〜３２ＢＮによつて支持固定され、これにより
第２の接地導体３１と接地導体３とが電気的に接続され
て同電位になる。このとき複数の導体棒３２ＡＡ〜３２
ＡＮ及び３２ＢＡ〜３２ＢＮは、マイクロストリツプ形
伝送線路３０の伝搬モードに影響を与えない程度の間隔
で設置される。
【００３６】ここで第２の接地導体３１と接地導体３と
を同電位にする場合、一般的に、線路導体２の近傍で第
２の接地導体３１と接地導体３とを接続することが望ま
しい。この点を考慮すると、線路導体２が入り組んでい
るような場合には、板状の導体板を用いるよりも上述の
ように導体棒３２ＡＡ〜３２ＡＮ及び３２ＢＡ〜３２Ｂ
Ｎを用いる方が接続が容易である。
を同電位にする場合、一般的に、線路導体２の近傍で第
２の接地導体３１と接地導体３とを接続することが望ま
しい。この点を考慮すると、線路導体２が入り組んでい
るような場合には、板状の導体板を用いるよりも上述の
ように導体棒３２ＡＡ〜３２ＡＮ及び３２ＢＡ〜３２Ｂ
Ｎを用いる方が接続が容易である。
【００３７】なお、この実施例の場合も第１実施例と同
様に、線路導体２から第２の接地導体３１までの距離
（すなわち空気層６の厚み）ｈ2 は、誘電体層４の厚み
ｈ1 と比誘電率εr の平方根との積にほぼ設定されてお
り、電磁波の伝搬速度の観点上、距離ｈ2 が誘電体層４
の厚みｈ1 と等価的にほぼ等しくなつている。
様に、線路導体２から第２の接地導体３１までの距離
（すなわち空気層６の厚み）ｈ2 は、誘電体層４の厚み
ｈ1 と比誘電率εr の平方根との積にほぼ設定されてお
り、電磁波の伝搬速度の観点上、距離ｈ2 が誘電体層４
の厚みｈ1 と等価的にほぼ等しくなつている。
【００３８】以上の構成によれば、線路導体２から第２
の接地導体３１までの距離ｈ2 を、誘電体層４の厚みｈ
1 と比誘電率εr の平方根との積に設定するようにした
ことにより、電流密度分布を線路導体２の上下両表面上
でほぼ均一化し得、かくしてマイクロストリツプ形伝送
線路３０の伝送損失を低減し得る。またマイクロストリ
ツプ形伝送線路３０では、導体棒３２ＡＡ〜３２ＡＮ及
び３２ＢＡ〜３２ＢＮによつて第２の接地導体３１と接
地導体３とを接続するようにしたことにより、マイクロ
ストリツプ形伝送線路３０の製作を一段と容易にし得る
と共に、マイクロストリツプ形伝送線路３０のコストを
低減し得る。
の接地導体３１までの距離ｈ2 を、誘電体層４の厚みｈ
1 と比誘電率εr の平方根との積に設定するようにした
ことにより、電流密度分布を線路導体２の上下両表面上
でほぼ均一化し得、かくしてマイクロストリツプ形伝送
線路３０の伝送損失を低減し得る。またマイクロストリ
ツプ形伝送線路３０では、導体棒３２ＡＡ〜３２ＡＮ及
び３２ＢＡ〜３２ＢＮによつて第２の接地導体３１と接
地導体３とを接続するようにしたことにより、マイクロ
ストリツプ形伝送線路３０の製作を一段と容易にし得る
と共に、マイクロストリツプ形伝送線路３０のコストを
低減し得る。
【００３９】（３）第３実施例 図５において、４０は全体として受信用マイクロストリ
ツプ形平面アンテナを示し、給電線路がマイクロストリ
ツプ形伝送線路４１で形成されている。すなわち放射導
体（マイクロストリツプアンテナ）４２Ａ〜４２Ｄと、
信号の出入口となるアンテナ端部４３とが、マイクロス
トリツプ形伝送線路４１によつて接続されている。この
場合、マイクロストリツプ形伝送線路４１は、誘電体層
（比誘電率εr ）４４を介して積層された線路導体４５
及び接地導体４６と、線路導体４５を挟んで接地導体４
６と対向する受信用マイクロストリツプ形平面アンテナ
４０のカバー４７と、導体棒４８とによつて形成されて
いる。すなわちマイクロストリツプ形伝送線路４１は、
ほぼ第２実施例のマイクロストリツプ形伝送線路３０と
同様に形成されている。
ツプ形平面アンテナを示し、給電線路がマイクロストリ
ツプ形伝送線路４１で形成されている。すなわち放射導
体（マイクロストリツプアンテナ）４２Ａ〜４２Ｄと、
信号の出入口となるアンテナ端部４３とが、マイクロス
トリツプ形伝送線路４１によつて接続されている。この
場合、マイクロストリツプ形伝送線路４１は、誘電体層
（比誘電率εr ）４４を介して積層された線路導体４５
及び接地導体４６と、線路導体４５を挟んで接地導体４
６と対向する受信用マイクロストリツプ形平面アンテナ
４０のカバー４７と、導体棒４８とによつて形成されて
いる。すなわちマイクロストリツプ形伝送線路４１は、
ほぼ第２実施例のマイクロストリツプ形伝送線路３０と
同様に形成されている。
【００４０】この場合、金属製のカバー４７を合体する
と、カバー４７と接地導体４６とが導体棒４８によつて
電気的に接続されて同電位になり、カバー４７が第２の
接地導体として機能する。またこの実施例の場合も、線
路導体４５から第２の接地導体としてのカバー４７まで
の距離（すなわち空気層の厚み）は、誘電体層４４の厚
みと比誘電率εrの平方根との積にほぼ設定されてお
り、電磁波の伝搬速度の観点上、線路導体４５からカバ
ー４７までの距離が誘電体層４４の厚みと等価的にほぼ
等しくなつている。因みに、カバー４７は放射導体４２
Ａ〜４２Ｄに対応する位置に放射開口部４９Ａ〜４９Ｄ
が形成されており、マイクロストリツプ形平面アンテナ
４０では、この放射開口部４９Ａ〜４９Ｄを介して信号
が受信される。またアンテナ端部４３はコネクタ（図示
せず）を介して受信用高周波回路（図示せず）に接続さ
れる。
と、カバー４７と接地導体４６とが導体棒４８によつて
電気的に接続されて同電位になり、カバー４７が第２の
接地導体として機能する。またこの実施例の場合も、線
路導体４５から第２の接地導体としてのカバー４７まで
の距離（すなわち空気層の厚み）は、誘電体層４４の厚
みと比誘電率εrの平方根との積にほぼ設定されてお
り、電磁波の伝搬速度の観点上、線路導体４５からカバ
ー４７までの距離が誘電体層４４の厚みと等価的にほぼ
等しくなつている。因みに、カバー４７は放射導体４２
Ａ〜４２Ｄに対応する位置に放射開口部４９Ａ〜４９Ｄ
が形成されており、マイクロストリツプ形平面アンテナ
４０では、この放射開口部４９Ａ〜４９Ｄを介して信号
が受信される。またアンテナ端部４３はコネクタ（図示
せず）を介して受信用高周波回路（図示せず）に接続さ
れる。
【００４１】以上の構成によれば、線路導体４５からカ
バー４７までの距離が誘電体層４４の厚みと比誘電率ε
r の平方根との積に設定されたマイクロストリツプ形伝
送線路４１によつて、受信用マイクロストリツプ形平面
アンテナ４０の給電線路を形成したことにより、当該受
信用マイクロストリツプ形平面アンテナ４０の伝送損失
を低減し得る。
バー４７までの距離が誘電体層４４の厚みと比誘電率ε
r の平方根との積に設定されたマイクロストリツプ形伝
送線路４１によつて、受信用マイクロストリツプ形平面
アンテナ４０の給電線路を形成したことにより、当該受
信用マイクロストリツプ形平面アンテナ４０の伝送損失
を低減し得る。
【００４２】（４）第４実施例 図６において、５０は全体として受信系の高周波回路と
しての高周波集積回路を示し、接続線路がマイクロスト
リツプ形伝送線路５１で形成されている。すなわち高周
波集積回路５０では、高周波回路を形成する各回路部品
（図示せず）がマイクロストリツプ形伝送線路５１によ
つて接続されている。この場合、マイクロストリツプ形
伝送線路５１は、誘電体層（比誘電率εr ）５２を介し
て積層された線路導体５３及び金属製の下カバー５４
と、線路導体５３を挟んで下カバー５４と対向する同じ
く金属製の上カバー５５と、導体棒５６とによつて形成
されている。すなわちマイクロストリツプ形伝送線路５
１は、ほぼ第２実施例のマイクロストリツプ形伝送線路
３０と同様に形成されている。
しての高周波集積回路を示し、接続線路がマイクロスト
リツプ形伝送線路５１で形成されている。すなわち高周
波集積回路５０では、高周波回路を形成する各回路部品
（図示せず）がマイクロストリツプ形伝送線路５１によ
つて接続されている。この場合、マイクロストリツプ形
伝送線路５１は、誘電体層（比誘電率εr ）５２を介し
て積層された線路導体５３及び金属製の下カバー５４
と、線路導体５３を挟んで下カバー５４と対向する同じ
く金属製の上カバー５５と、導体棒５６とによつて形成
されている。すなわちマイクロストリツプ形伝送線路５
１は、ほぼ第２実施例のマイクロストリツプ形伝送線路
３０と同様に形成されている。
【００４３】この場合、下カバー５４と上カバー５５と
を合体すると、下カバー５４と上カバー５５とが導体棒
５６によつて電気的に接続されて同電位になり、下カバ
ー５４、上カバー５５がそれぞれ接地導体として機能す
る。またこの実施例の場合も、線路導体５３から接地導
体としての上カバー５５までの距離（すなわち空気層の
厚み）は、誘電体層５２の厚みと比誘電率εr の平方根
との積にほぼ設定されており、電磁波の伝搬速度の観点
上、線路導体５３から上カバー５５までの距離が誘電体
層５２の厚みと等価的にほぼ等しくなつている。因み
に、線路導体５３はそれぞれプローブ５７Ａ、５７Ｂに
接続されており、高周波集積回路５０は、このプローブ
５７Ａ、５７Ｂによつて他の所定回路に接続される。
を合体すると、下カバー５４と上カバー５５とが導体棒
５６によつて電気的に接続されて同電位になり、下カバ
ー５４、上カバー５５がそれぞれ接地導体として機能す
る。またこの実施例の場合も、線路導体５３から接地導
体としての上カバー５５までの距離（すなわち空気層の
厚み）は、誘電体層５２の厚みと比誘電率εr の平方根
との積にほぼ設定されており、電磁波の伝搬速度の観点
上、線路導体５３から上カバー５５までの距離が誘電体
層５２の厚みと等価的にほぼ等しくなつている。因み
に、線路導体５３はそれぞれプローブ５７Ａ、５７Ｂに
接続されており、高周波集積回路５０は、このプローブ
５７Ａ、５７Ｂによつて他の所定回路に接続される。
【００４４】以上の構成によれば、線路導体５３から上
カバー５５までの距離が誘電体層５２の厚みと比誘電率
εr の平方根との積に設定されたマイクロストリツプ形
伝送線路５１によつて、高周波集積回路５０の接続線路
を形成したことにより、当該高周波集積回路５０の伝送
損失を低減し得る。
カバー５５までの距離が誘電体層５２の厚みと比誘電率
εr の平方根との積に設定されたマイクロストリツプ形
伝送線路５１によつて、高周波集積回路５０の接続線路
を形成したことにより、当該高周波集積回路５０の伝送
損失を低減し得る。
【００４５】（５）他の実施例 なお上述の第３実施例においては、受信用マイクロスト
リツプ形平面アンテナ４０の給電線路にマイクロストリ
ツプ形伝送線路４１を適用した場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、その他の構成でなるアンテナの
給電線路にマイクロストリツプ形伝送線路を適用した場
合にも上述の場合と同様の効果を得ることができる。
リツプ形平面アンテナ４０の給電線路にマイクロストリ
ツプ形伝送線路４１を適用した場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、その他の構成でなるアンテナの
給電線路にマイクロストリツプ形伝送線路を適用した場
合にも上述の場合と同様の効果を得ることができる。
【００４６】また上述の第３実施例においては、導体棒
４８によつて接地導体４６とカバー４７とを電気的に接
続した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
導体板によつて接地導体４６とカバー４７とを電気的に
接続するようにしても良い。
４８によつて接地導体４６とカバー４７とを電気的に接
続した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
導体板によつて接地導体４６とカバー４７とを電気的に
接続するようにしても良い。
【００４７】また上述の第４実施例においては、マイク
ロストリツプ形伝送線路５１を高周波集積回路５０の接
続線路に適用した場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えば受信系のハイブリツト高周波回路の接
続線路に適用しても良く、要は高周波信号を取り扱う高
周波回路の接続線路に広く適用し得る。
ロストリツプ形伝送線路５１を高周波集積回路５０の接
続線路に適用した場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えば受信系のハイブリツト高周波回路の接
続線路に適用しても良く、要は高周波信号を取り扱う高
周波回路の接続線路に広く適用し得る。
【００４８】また上述の第４実施例においては、導体棒
５６によつて下カバー５４と上カバー５５とを電気的に
接続した場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、導体板によつて下カバー５４と上カバー５５とを電
気的に接続するようにしても良い。
５６によつて下カバー５４と上カバー５５とを電気的に
接続した場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、導体板によつて下カバー５４と上カバー５５とを電
気的に接続するようにしても良い。
【００４９】また上述の実施例においては、導体板や導
体棒を用いて接地導体と第２の接地導体を接続した場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、他の構成の
接続導体を用いても良く、要は接地導体と第２の接地導
体とを電気的に接続するものであれば良い。
体棒を用いて接地導体と第２の接地導体を接続した場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、他の構成の
接続導体を用いても良く、要は接地導体と第２の接地導
体とを電気的に接続するものであれば良い。
【００５０】また上述の実施例においては、線路導体と
第２の接地導体との間に空気層が形成される場合、線路
導体から第２の接地導体までの距離ｈ2 を誘電体層の厚
みと比誘電率εr の平方根との積に設定した場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、線路導体と第２の
接地導体との間に空気層以外の他の層が形成される場合
にも、電磁波の伝搬速度の観点上、線路導体から第２の
接地導体までの距離ｈ2 と線路導体から接地導体までの
距離ｈ1 とが等しくなるように、誘電体層と比誘電率ε
r に応じて当該距離ｈ2 を設定すれば上述の場合と同様
の効果を得ることができる。
第２の接地導体との間に空気層が形成される場合、線路
導体から第２の接地導体までの距離ｈ2 を誘電体層の厚
みと比誘電率εr の平方根との積に設定した場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、線路導体と第２の
接地導体との間に空気層以外の他の層が形成される場合
にも、電磁波の伝搬速度の観点上、線路導体から第２の
接地導体までの距離ｈ2 と線路導体から接地導体までの
距離ｈ1 とが等しくなるように、誘電体層と比誘電率ε
r に応じて当該距離ｈ2 を設定すれば上述の場合と同様
の効果を得ることができる。
【００５１】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、線路導体
と第２の接地導体との距離を、線路導体と第１の接地導
体との間の誘電体層の厚みと比誘電率とに応じて設定す
るようにしたことにより、電流密度分布を線路導体の上
下両表面上でほぼ均一化し得、高周波伝送線路の伝送損
失を低減し得る。また線路導体と第２の接地導体との距
離が線路導体と第１の接地導体との間の誘電体層の厚み
と比誘電率とに応じて設定された高周波伝送線路によつ
て、平面アンテナの給電線路を形成したことにより、当
該平面アンテナの伝送損失を低減し得る。また線路導体
と第２の接地導体との距離が線路導体と第１の接地導体
との間の誘電体層の厚みと比誘電率とに応じて設定され
た高周波伝送線路によつて、高周波回路の接続線路を形
成したことにより、当該高周波回路の伝送損失を低減し
得る。かくするつき部品実装や量産性の面で優れた作業
性を維持しながら、伝送損失を低減し得る高周波伝送線
路及び平面アンテナ並びに高周波回路を実現し得る。
と第２の接地導体との距離を、線路導体と第１の接地導
体との間の誘電体層の厚みと比誘電率とに応じて設定す
るようにしたことにより、電流密度分布を線路導体の上
下両表面上でほぼ均一化し得、高周波伝送線路の伝送損
失を低減し得る。また線路導体と第２の接地導体との距
離が線路導体と第１の接地導体との間の誘電体層の厚み
と比誘電率とに応じて設定された高周波伝送線路によつ
て、平面アンテナの給電線路を形成したことにより、当
該平面アンテナの伝送損失を低減し得る。また線路導体
と第２の接地導体との距離が線路導体と第１の接地導体
との間の誘電体層の厚みと比誘電率とに応じて設定され
た高周波伝送線路によつて、高周波回路の接続線路を形
成したことにより、当該高周波回路の伝送損失を低減し
得る。かくするつき部品実装や量産性の面で優れた作業
性を維持しながら、伝送損失を低減し得る高周波伝送線
路及び平面アンテナ並びに高周波回路を実現し得る。
【図１】本発明の一実施例によるマイクロストリツプ形
伝送線路を示す略線図である。
伝送線路を示す略線図である。
【図２】伝送損失の比較説明に供する略線図である。
【図３】伝送損失の説明に供する伝送損失特性図であ
る。
る。
【図４】第２実施例によるマイクロストリツプ形伝送線
路を示す略線図である。
路を示す略線図である。
【図５】第３実施例による受信用マイクロストリツプ形
平面アンテナを示す略線図である。
平面アンテナを示す略線図である。
【図６】第４実施例による高周波集積回路を示す略線図
である。
である。
【図７】従来のマイクロストリツプ線路を示す略線図で
ある。
ある。
【図８】従来のストリツプ性−マイクロストリツプ線路
を示す略線図である。
を示す略線図である。
１……マイクロストリツプ線路、２、４５、５３……線
路導体、３、４６……接地導体、４、４４、５２……誘
電体層、５、４７……カバー、６……空気層、１０……
ストリツプ性−マイクロストリツプ線路、１１、２１、
３１……第２の接地導体、１２Ａ、１２Ｂ、２２Ａ、２
２Ｂ……導体板、２０、３０、４１、５１……マイクロ
ストリツプ形伝送線路、３２ＡＡ〜３２ＡＮ、３２ＢＡ
〜３２ＢＮ、４８、５６……導体棒、５４……下カバ
ー、５５……上カバー。
路導体、３、４６……接地導体、４、４４、５２……誘
電体層、５、４７……カバー、６……空気層、１０……
ストリツプ性−マイクロストリツプ線路、１１、２１、
３１……第２の接地導体、１２Ａ、１２Ｂ、２２Ａ、２
２Ｂ……導体板、２０、３０、４１、５１……マイクロ
ストリツプ形伝送線路、３２ＡＡ〜３２ＡＮ、３２ＢＡ
〜３２ＢＮ、４８、５６……導体棒、５４……下カバ
ー、５５……上カバー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鳥山 一郎 東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー 株式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】線路導体と第１の接地導体とが誘電体層を
介して配設され、上記線路導体を挟んで上記第１の接地
導体と対向するように第２の接地導体が配設されるマイ
クロストリツプ形の高周波伝送線路において、 上記線路導体と上記第２の接地導体との距離を、上記誘
電体層の厚みと上記誘電体層の比誘電率とに応じて設定
するようにしたことを特徴とする高周波伝送線路。 - 【請求項２】上記高周波伝送線路は、 上記線路導体及び上記第２の接地導体の間に空気層を有
し、 上記線路導体と上記第２の接地導体との距離を、ほぼ、
上記誘電体層の比誘電率の平方根と上記誘電体層の厚み
との積に設定するようにしたことを特徴とする請求項１
に記載の高周波伝送線路。 - 【請求項３】上記高周波伝送線路は、 上記線路導体を挟んで対向し、上記第１の接地導体と上
記第２の接地導体とを電気的に接続する第１及び第２の
導体板を具え、上記第１及び第２の導体板によつて上記
第１の接地導体と上記第２の接地導体とを同電位にする
ようにしたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記
載の高周波伝送線路。 - 【請求項４】上記高周波伝送線路は、 上記第１の接地導体と上記第２の接地導体とを電気的に
接続する少なくとも１つ以上の導体棒を具え、上記導体
棒によつて上記第１の接地導体と上記第２の接地導体と
を同電位にするようにしたことを特徴とする請求項１又
は請求項２に記載の高周波伝送線路。 - 【請求項５】線路導体と第１の接地導体とが誘電体層を
介して配設され、上記線路導体を挟んで上記第１の接地
導体と対向するように第２の接地導体が配設されるマイ
クロストリツプ形の高周波伝送線路によつて、給電線路
が形成される平面アンテナにおいて、 上記高周波伝送線路は、 上記線路導体と上記第２の接地導体との距離を、上記誘
電体層の厚みと上記誘電体層の比誘電率とに応じて設定
するようにしたことを特徴とする平面アンテナ。 - 【請求項６】上記高周波伝送線路は、 上記線路導体及び上記第２の接地導体の間に空気層を有
し、 上記線路導体と上記第２の接地導体との距離を、ほぼ、
上記誘電体層の比誘電率の平方根と上記誘電体層の厚み
との積に設定するようにしたことを特徴とする請求項５
に記載の平面アンテナ。 - 【請求項７】上記高周波伝送線路は、 上記線路導体を挟んで対向し、上記第１の接地導体と上
記第２の接地導体とを電気的に接続する第１及び第２の
導体板を具え、上記第１及び第２の導体板によつて上記
第１の接地導体と上記第２の接地導体とを同電位にする
ようにしたことを特徴とする請求項５又は請求項６に記
載の平面アンテナ。 - 【請求項８】上記高周波伝送路は、 上記第１の接地導体と上記第２の接地導体とを電気的に
接続する少なくとも１つ以上の導体棒を具え、上記導体
棒によつて上記第１の接地導体と上記第２の接地導体と
を同電位にするようにしたことを特徴とする請求項５又
は請求項６に記載の平面アンテナ。 - 【請求項９】線路導体と第１の接地導体とが誘電体層を
介して配設され、上記線路導体を挟んで上記第１の接地
導体と対向するように第２の接地導体が配設されるマイ
クロストリツプ形の高周波伝送線路によつて、回路部品
の接続線路が形成される高周波回路において、 上記高周波伝送線路は、 上記線路導体と上記第２の接地導体との距離を、上記誘
電体層の厚みと上記誘電体層の比誘電率とに応じて設定
するようにしたことを特徴とする高周波回路。 - 【請求項１０】上記高周波伝送線路は、 上記線路導体及び上記第２の接地導体の間に空気層を有
し、 上記線路導体と上記第２の接地導体との距離を、ほぼ、
上記誘電体層の比誘電率の平方根と上記誘電体層の厚み
との積に設定するようにしたことを特徴とする請求項９
に記載の高周波回路。 - 【請求項１１】上記高周波伝送線路は、 上記線路導体を挟んで対向し、上記第１の接地導体と上
記第２の接地導体とを電気的に接続する第１及び第２の
導体板を具え、上記第１及び第２の導体板によつて上記
第１の接地導体と上記第２の接地導体とを同電位にする
ようにしたことを特徴とする請求項９又は請求項１０に
記載の高周波回路。 - 【請求項１２】上記高周波伝送線路は、 上記第１の接地導体と上記第２の接地導体とを電気的に
接続する少なくとも１つ以上の導体棒を具え、上記導体
棒によつて上記第１の接地導体と上記第２の接地導体と
を同電位にするようにしたことを特徴とする請求項９又
は請求項１０に記載の高周波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6162752A JPH088616A (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 高周波伝送線路及び平面アンテナ並びに高周波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6162752A JPH088616A (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 高周波伝送線路及び平面アンテナ並びに高周波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH088616A true JPH088616A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15760587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6162752A Pending JPH088616A (ja) | 1994-06-21 | 1994-06-21 | 高周波伝送線路及び平面アンテナ並びに高周波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH088616A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014006537A (ja) * | 2013-08-08 | 2014-01-16 | Dainippon Printing Co Ltd | ハードコート自己吸着ラベル |
| WO2017017955A1 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 日本電信電話株式会社 | 光モジュール |
-
1994
- 1994-06-21 JP JP6162752A patent/JPH088616A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014006537A (ja) * | 2013-08-08 | 2014-01-16 | Dainippon Printing Co Ltd | ハードコート自己吸着ラベル |
| WO2017017955A1 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 日本電信電話株式会社 | 光モジュール |
| JPWO2017017955A1 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-11-16 | 日本電信電話株式会社 | 光モジュール |
| US10277271B2 (en) | 2015-07-28 | 2019-04-30 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical module |
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