JP2001358530A - 円偏波マイクロストリップアンテナ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 円偏波特性の良好な円偏波マイクロスト
リップアンテナを提供すること。 【解決手段】 誘電体薄膜１０６には、電波の放射およ
び入射を行う正方パッチ１０１と、高周波回路（図示し
ない）と、正方パッチと高周波回路との間の高周波信号
の伝送を行う線路（すなわち、給電線路Ａ１０３、１／
４波長インピーダンス変成器１０５および給電線路Ｂ１
０４）と、が形成されている。一方の面が、高周波回
路、線路および正方パッチ１０１と対向し、かつ、誘電
体薄膜１０６の一方の面と略平行となるように、導体地
板が設けらる。誘電体薄膜１０６と導体地板との間に
は、空気層が設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、円偏波電波の送受
信が可能なマイクロストリップアンテナに関し、特に、
ディジタル移動体通信等の各種無線通信に用いられるマ
イクロストリップアンテナに関する。

【０００２】

【従来の技術】円偏波の送受信が可能なマイクロストリ
ップアンテナ（以下単に「円偏波ＭＳＡ」という。）と
しては、既に多くの適用例が開示されているが、例え
ば、「小型・平面アンテナ」（（社）電子情報通信学会
編、羽石 操他著）の１４６ページ図５.４に記載され
たものが広く知られている。上記引用に記載の１点給電
による円偏波ＭＳＡは、構造および動作原理が極めて単
純であり、実際の応用に適するものである。以下、従来
の１点給電による円偏波ＭＳＡについて、図３および図
４を参照して説明する。

【０００３】図３は、従来の１点給電による円偏波ＭＳ
Ａの概略構造を示す上面図である。図４は、従来の１点
給電による円偏波ＭＳＡに用いられる基板および給電点
の概略構造を示す断面図である。

【０００４】図３において、誘電体基板（図示しない）
上にパターンニングされた面積Ｓを有する正方形の正方
パッチ１１には、この正方パッチ１１へ高周波信号を供
給するための給電点１２が設けられている。また、正方
パッチ１１における相対する２つの角から、それぞれ面
積δＳ１およびδＳ２を有する第１摂動１３および第２
摂動１４が切りかかれている。

【０００５】次に、給電点１２の構造について、図４を
参照して説明する。図４は、図３中に示す線ＡＡ’にお
ける切断を示し、従来の一点給電による円偏波ＭＳＡの
給電構造を示している。図４において、誘電体基板２１
上に正方パッチ１１が設けられている。誘電体基板２１
における正方パッチ１１が設けられた面と反対の面は、
導体地板２２により被覆されている。誘電体基板２１と
は別の場所に設けられた高周波回路（図示しない）から
供給された高周波信号は、スルーホール２３を通じて正
方パッチ１１上の給電点１２に給電される。なお、スル
ーホール２３と上記高周波回路とは、図示しない線路に
より接続されている。

【０００６】以上の構成を有する従来の円偏波ＭＳＡの
動作原理について説明する。図３において、正方パッチ
１１は、第１摂動１３および第２摂動１４を無視すれ
ば、給電点１２の位置を除いて、紙面上、左右方向と上
下方向に全く対称な構造を有している。そのため、ある
周波数において正方パッチ１１の左右方向に電流が振動
する共振現象が生じたすると、全く同じ周波数において
正方パッチ１１の上下方向に電流が振動する共振も生じ
ることになり、給電点１２の位置を考慮しない場合に
は、２つの独立な共振現象が縮退している。

【０００７】ところが、２つの摂動すなわち第１摂動１
３および第２摂動１４を付加することにより、前述の正
方パッチ１１の対称性が崩される。これにより、正方パ
ッチ１１において２重縮退している共振を解くことがで
きる。

【０００８】図３に示すように摂動を設けた場合には、
摂動のある対角線方向とそれと直交する対角線方向で共
振器の長さが変化することにより、摂動を付加した対角
線方向の共振周波数が高くなり２つの共振現象が分離す
る。

【０００９】分離した２つの共振の間の位相差は、正方
パッチ１１の面積Ｓ、摂動面積の総和（すなわち第１摂
動１３の面積（δＳ１）と第２摂動１４の面積（δＳ
２）との総和）、および、正方パッチ１１の無負荷Ｑに
依存するため、適当な面積の摂動を設けることにより、
２つの共振の位相差を９０°にすることができる。２つ
の共振の各々が直線偏波放射器として作用するので、正
方パッチ１１からは、９０°の位相差を有する直交した
直線偏波成分すなわち円偏波が放射されることになる。

【００１０】円偏波実現時における各パラメータ間の関
係は、次に示す式により表現できる。すなわち、第１摂
動１３および第２摂動１４は、次に示す式により決定さ
れる。

【００１１】 ２Ｑ（δＳ１＋δＳ２）／Ｓ＝１ − 共振時における各々共振に対する電流の方向は、正方パ
ッチ１１の相対する角を結ぶ対角線方向である。よっ
て、２つの電流に同じ強度と位相で結合可能な中心線Ａ
Ａ‘上に、給電点１２を設けることにより、円偏波条件
を乱すことなく給電を行うことが可能となる。すなわ
ち、給電点を中心線ＡＡ’上に沿って移動させて放射抵
抗と入力端との整合を実現することにより、円偏波条件
を乱すことなく給電を行うことができる。

【００１２】以上のようにして、１点給電による円偏波
ＭＳＡを構成することができる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の円偏波ＭＳＡにおいては、次に示すような問題があ
る。すなわち、従来のように、円偏波ＭＳＡと高周波回
路を別個に作成し、両者を長い線路で結合した場合に
は、線路損失および接続損失が顕著になるので、円偏波
ＭＳＡの特性が劣化する。このような長い線路を用いた
結合に起因する特性の劣化を防ぐために、円偏波ＭＳＡ
と高周波回路を同一誘電体基板上に設けることが望まし
い。

【００１４】円偏波ＭＳＡと高周波回路を同一誘電体基
板に設ける際には、円偏波ＭＳＡ（における正方パッチ
１１）への給電は、図４に示したように誘電体基板２１
の基板裏面から行うのではなく、正方パッチ１１が設け
られた面と同一の平面で行うこと（すなわち、高周波回
路、正方パッチ１１、および、高周波回路と正方パッチ
１１における給電点とを接続する線路を同一平面に設け
ること）により簡便に実現することができる。

【００１５】ところが、円偏波ＭＳＡへの給電を、正方
パッチ１１が設けられた面と同一の平面で行う場合に
は、さらに以下のような問題が生ずる。すなわち、高周
波回路の線路の特性インピーダンスは通常約５０Ω程度
であるのに対して、図３に示した正方パッチ１１におけ
るエッジ（縁）部分の入力インピーダンスは約５００Ω
程度である。よって、エッジ部分を給電点として高周波
回路と正方パッチ１１におけるエッジ部分とを線路で直
接結合すると、高周波回路からの高周波信号が正方パッ
チ１１に供給される際の損失が大きくなる。

【００１６】そこで、正方パッチ１１におけるＡ−Ａ’
線上をエッジ部分から中心部に向かうにつれて入力イン
ピーダンスが減少する性質を利用して、図５に示すよう
に、給電点１２を適当な位置に設けるとともに、高周波
回路からの高周波信号を伝送するマイクロストリップ線
路（以下「ＭＳＬ」という。）３２を給電点１２にまで
引き伸ばす必要がある。このとき、正方パッチ１１とＭ
ＳＬ３２との短絡を避けるために、切りこみ３１が必要
となる。

【００１７】ところが、共振時に円偏波ＭＳＡの正方パ
ッチ１１上を流れる電流の方向は、放射電波または入射
電波の偏波面と同様に、一定の角速度で正方パッチ上を
回転している。そのため、正方パッチ１１上に切りこみ
３１が存在すると、電流の流れる方向が切りこみ３１と
平行でない限り、正方パッチ１１上の電流分布が影響を
受ける。この結果、上式の円偏波条件を満足しても、
円偏波特性が劣化することになる。

【００１８】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、円偏波特性の良好な円偏波マイクロストリップ
アンテナを提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の円偏波マイクロ
ストリップアンテナは、絶縁体により平板状となるよう
に形成された保持手段と、前記保持手段の一方の面に形
成された高周波回路と、前記一方の面に設けられ、前記
高周波回路との間で高周波信号の伝送を行う伝送手段
と、前記一方の面に設けられ、所定の摂動を有し、前記
伝送手段により伝送された高周波信号を用いて電波を出
射し、かつ、入射した電波を前記伝送手段に伝送する略
正方形状となるように形成されたアンテナ素子と、一方
の面が、前記高周波回路、前記伝送手段および前記アン
テナ素子と対向し、かつ、前記保持手段の一方の面と略
平行となるように設けられた板状を有する導電手段と、
誘電体により形成され、前記伝送手段、アンテナ素子、
および、前記導電手段により形成される静電容量を減少
させ、かつ、前記アンテナ素子の放射抵抗を増大させる
ために前記保持手段と前記導電手段との間に設けられた
誘電体層と、を具備する構成を採る。

【００２０】この構成によれば、伝送手段の特性インピ
ーダンスを大きくするとともに、アンテナ素子の入力イ
ンピーダンスを小さくすることができるので、伝送手段
とアンテナ素子との整合を、高周波回路からの高周波信
号がアンテナ素子に供給される際の損失を抑えつつ行う
ことができる。これにより、アンテナ素子、伝送手段お
よび高周波回路を同一平面に設けた状態で、アンテナ素
子への給電を行うことができる。したがって、線路損失
および接続損失を低減することができるので、円偏波特
性が良好な円偏波ＭＳＡを提供することができる。

【００２１】本発明の通信端末装置は、上記円偏波マイ
クロストリップアンテナを備えた構成を採る。

【００２２】この構成によれば、良好な無線通信を行う
通信端末装置を提供することができる。

【００２３】本発明の円偏波マイクロストリップアンテ
ナ製造方法は、誘電体基板の一方の面に、電波の送受信
を行うための高周波回路およびアンテナ素子を少なくと
も含むパターンを形成する工程と、一方の面が、前記パ
ターンと対向し、かつ、前記誘電体基板の一方の面と略
平行となるように、前記誘電体基板と所定の間隔をおい
て位置する板状の導体を形成する工程と、を具備する。

【００２４】この方法によれば、円偏波特性が良好な円
偏波マイクロストリップアンテナを提供することができ
る。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明の骨子は、高周波回路、正
方形状のアンテナ素子、および、このアンテナ素子と高
周波回路との間の高周波信号の伝送を行う給電線路を誘
電体基板における同一の面に設け、この誘電体基板にお
ける高周波回路、アンテナ素子および給電線路と対向
し、かつ、上記誘電体基板と略平行となるように導体地
板を設け、さらに、上記アンテナ素子、上記給電線路お
よび導体地板により形成される静電容量を減少させる誘
電体層を、上記誘電体基板と上記導体地板との間に設け
るようにしたことである。

【００２６】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照して詳細に説明する。

【００２７】（実施の形態）図１は、本発明の実施の形
態にかかる円偏波ＭＳＡの構成を示す上面図である。図
１において、平板状となるように誘電体（絶縁体）によ
り形成された誘電体薄膜１０６の一方の面には、正方パ
ッチ１０１、給電線路Ａ１０３、１／４波長インピーダ
ンス変成器１０５、給電線路Ｂ１０４、および、高周波
回路（図示しない）が形成（パターンニング）されてい
る。

【００２８】この誘電体薄膜１０６を形成するための誘
電体として、薄膜化が可能な誘電体であればどのような
物質でも用いることが可能である。薄膜化が可能な誘電
体として、例えば、ベンゾシクロブテンやポリイミド等
が挙げられるが、吸水時における安定性の見地から、ポ
リイミドに比べてベンゾシクロブテンを用いることがよ
り好ましい。また、誘電体薄膜１０６の厚さは、１波長
の５〜１０％程度とすることが好ましい。

【００２９】ＭＳＬすなわち給電線路Ｂ１０４および給
電線路Ａ１０３、ならびに、１／４波長インピーダンス
変成器１０５は、高周波回路と正方パッチ１０１との間
で高周波信号の伝送を行うものである。給電線路Ｂ１０
４は、高周波回路の特性インピーダンスと略同一となる
ような特性インピーダンスを有する。なお、高周波回路
の特性インピーダンスは、通常５０Ω程度であることに
鑑みて、給電線路Ｂ１０４の特性インピーダンスは、約
５０Ω程度とされる。

【００３０】給電線路Ａ１０３は、正方パッチ１０１の
エッジ（縁）部における入力インピーダンスと略同一と
なるような特性インピーダンスを有する。これにより、
正方パッチ１０１のエッジ部を給電点１０２として、正
方パッチ１０１と給電線路Ａ１０３とを接続すれば、両
者の間で良好な整合が実現される。

【００３１】１／４波長インピーダンス変成器１０５
は、給電線路Ａ１０３と給電線路Ｂ１０４との整合を行
う。ここで、一般に、インピーダンス変成器としてはス
タブが常用されるが、本実施の形態でスタブを用いた場
合には、このスタブのエッジ部が正方パッチ１０１のエ
ッジ部に平行に位置することにより、スタブのエッジ部
からの回折波に起因する円偏波特性と放射指向性の劣化
が生ずる。そこで、本実施の形態では、インピーダンス
変成器として、エッジ部の少ない１／４波長インピーダ
ンス変成器１０５を用いる。なお、１／４波長インピー
ダンス変成器１０５の特性インピーダンスとしては、給
電線路Ａ１０３と給電線路Ｂ１０４の特性インピーダン
スの相乗平均値とすることが好ましい。

【００３２】正方パッチ１０１は、高周波回路から、給
電線路Ｂ１０４、１／４波長インピーダンス変成器１０
５および給電線路Ａ１０３を介して伝送された高周波信
号を用いて電波の放射を行うとともに、入射した電波を
給電線路Ｂ１０４、１／４波長インピーダンス変成器１
０５および給電線路Ａ１０３を介して高周波回路に伝送
するアンテナ素子である。この正方パッチは、略正方形
状となるように導体により形成され、また、上式に従
って第１摂動１０７および第２摂動１０８が切りかかれ
ている。

【００３３】図２は、図１に示す線ＢＢ’における円偏
波ＭＳＡの断面構造を示す断面図である。図２におい
て、誘電体薄膜１０６における、正方パッチ１０１、給
電線路Ａ１０３、１／４波長インピーダンス変成器１０
５、および、給電線路Ｂ１０４と対向し、かつ、誘電体
薄膜１０６における正方パッチ等が設けられた面と略平
行となるように、導体地板（平面状導体）２０１が設け
られている。

【００３４】導体地板２０１は、誘電体薄膜１０６と一
致するような大きさとなるように設けられる。すなわ
ち、導体地板２０１は、誘電体薄膜１０６に形成された
正方パッチ１０１、給電線路Ａ１０３、１／４波長イン
ピーダンス変成器１０５、給電線路Ｂ１０４、および、
高周波回路を覆うような大きさとなるように設けられ
る。なお、正方パッチ１０１、給電線路Ａ１０３、１／
４波長インピーダンス変成器１０５、および、給電線路
Ｂ１０４のための導体地板と、高周波回路のための導体
地板とを個別に設けることも可能であるが、この場合に
は、両導体地板が、電気的に接続され、高周波回路の観
点からみて短絡されていることが必要である。

【００３５】また、導体地板２０１の厚さは、表皮深さ
以上の大きさとなるように設けられている。すなわち、
高周波においては、導体部分で金属の抵抗により発生す
る損失（導体損失）が存在する。この導体損失は、電磁
界分布が変わらない場合には、導体の抵抗値に依存する
ものである。したがって、導体損失を最小とするために
は、導体地板２０１の厚さを表皮深さ以上とする必要が
ある。このように導体地板２０１を設けることにより、
低損失な円偏波ＭＳＡを実現することができる。

【００３６】なお、導体地板２０１として、シリコンの
表面を導体薄膜で覆うことにより構成されたものを用い
てもよい（このとき、導体薄膜が誘電体薄膜１０６に対
向することになる）。このような導体地板を用いること
により、マイクロマシニング時の切削精度が良好となる
ので、導体地板２０１と誘電体薄膜１０６との間に形成
される空気層２０２の厚みを略一定に保つことができ
る。したがって、円偏波ＭＳＡの円偏波特性を良好に保
つことができる。

【００３７】正方パッチ１０１からは電波２０４が出射
し、また、正方パッチ１０１には電波が入射する。

【００３８】誘電体薄膜１０６と導体地板２０１との間
に形成される空間には、所定の誘電体により形成される
誘電体層が設けられる。本実施の形態では、一例とし
て、誘電率が略１である空気により形成される空気層が
設けられている。なお、誘電体層としては、その他の誘
電体により形成される誘電体層を用いることも可能であ
るが、誘電率が１に近い誘電体により形成される誘電体
層を用いることが好ましい。

【００３９】次いで、本実施の形態にかかる円偏波ＭＳ
Ａの製造方法の一例について、同様に図１および図２を
参照して説明する。まず、第１ステップでは、誘電体平
行平面基板の一方の面に誘電体薄膜１０６が形成され
る。形成された誘電体薄膜１０６の上面に、高周波回
路、正方パッチ１０１、給電線路Ａ１０３、１／４波長
インピーダンス変成器１０５および給電線路Ｂ１０４等
が、写真転写法やエッチング等の微細加工技術を用いて
形成される。

【００４０】第２ステップでは、上記誘電体平行平面基
板の他方の面がエッチング技術等を用いて掘り込まれ、
正方パッチ１０１等が形成されたアンテナ領域について
誘電体薄膜１０６のみが残される。これにより、アンテ
ナ領域について誘電体薄膜１０６のみが残された基板が
得られる。

【００４１】第３ステップでは、空気層２０２の厚さに
等しい深さだけ掘り込まれた基板を用意し、この基板の
表面に良導性の金属が被覆される。これが導体地板２０
１に相当する。この金属が被覆された基板は、掘り込ま
れた面が上記誘電体平行平板の一方の面（高周波回路や
正方パッチ１０１等が形成された面）と対向するよう
に、上記誘電体平行平面基板上のアンテナ領域にかぶせ
られる。この後、金属が被覆された基板と上記誘電体平
行平面基板とは、はんだや銀ペースト等により接合され
て接地が十分に取れられる。

【００４２】なお、高周波回路、正方パッチ１０１、給
電線路Ａ１０３、１／４波長インピーダンス変成器１０
５および給電線路Ｂ１０４等があらかじめパターンニン
グされた誘電体薄膜１０６を、アンテナ領域だけ貫通穴
加工された誘電体基板上に接着することにより、第２ス
テップで説明した基板を形成することも可能である。

【００４３】次いで、上記構成を有する円偏波ＭＳＡの
具体的な作用および効果を、正方パッチ１０１とＭＳＬ
のそれぞれに着目して説明する。

【００４４】まず、正方パッチ１０１に着目して説明す
る。正方パッチの共振時付近における等価回路は、近似
的に、コンデンサ、コイル、および、放射抵抗に比例す
るコンダクタンスが並列に接続された並列型共振回路と
考えることができるものである。このため、正方パッチ
のエッジ部における（共振時の）入力インピーダンス
は、放射抵抗に反比例する。

【００４５】放射抵抗は、アンテナの放射のし易さに依
存し、正方パッチのエッジ部からどれだけの電力が漏洩
されるかにより決定されるものである（このような電力
の漏洩現象は、一般に「フリンジング効果」と呼ばれ
る）。このフリンジング効果は、誘電体基板の厚さ（図
２においては、誘電体薄膜１０６と空気層２０２の厚さ
に相当し、図４においては、誘電体基板２１の厚さに相
当する）が一定の場合には、この誘電体基板の誘電率が
低いものほど顕著となる。すなわち、放射抵抗は、誘電
体基板の誘電率に反比例する。

【００４６】したがって、より誘電率の低い誘電体によ
り形成された誘電体基板を用いるほど、放射抵抗が増大
するので、正方パッチのエッジ部における入力インピー
ダンスは減少することになる。

【００４７】通常使用されるテフロン系の誘電体基板を
用いて従来方式の円偏波ＭＳＡを構成した場合には、正
方パッチのエッジ部分における入力インピーダンスは３
００Ω以上となる。正方パッチのエッジ部分と給電線路
との整合を実現するためには、給電線路の特性インピー
ダンスを３００Ωにしなければならない。例えば、誘電
率２．２，基板厚２００μｍの誘電体基板上に３００Ω
のＭＳＬを構成すると、４０ＧＨｚにおける線路幅は、
０．８５μｍという現実には構成不可能な幅となる。

【００４８】一方、本実施の形態においては、正方パッ
チ１０１と導体地板２０１との間に設けられる誘電体層
の誘電率を最も低い１としているので、正方パッチ１０
１に供給された電力の大部分が放射される電力成分とな
る。これにより、放射抵抗が増大するので、正方パッチ
１０１のエッジ部における入力インピーダンスが減少す
る。この結果、正方パッチ１０１の入力インピーダンス
を、約１４０オーム程度にまで低くすることができる。
例えば、誘電体薄膜１０６を誘電率２．４、厚さ２５μ
ｍにより構成し、空気層２０２の厚みを２００μｍとす
ると、給電線路Ａ１０３の４０ＧＨｚにおける線路幅
は、１５０μｍという十分構成可能な幅となる。

【００４９】次に、ＭＳＬに着目して説明する。ＭＳＬ
の特性インピーダンスは、線路における電流密度と単位
長さ当りのコンデンサの容量との比に依存する。すなわ
ち、ＭＳＬの特性インピーダンスは、線路における電流
密度が大きく（小さく）なるにつれて高く（低く）な
り、コンデンサの容量が大きく（小さく）なるにつれて
小さく（大きく）なる。なお、コンデンサとは、ＭＳＬ
とこれに対向する導体地板により形成されるコンデンサ
に相当する。したがって、ＭＳＬの特性インピーダンス
は、線路幅および基板の厚さを一定としたときには、Ｍ
ＳＬとこれに対向する導体地板との間に設けられる誘電
体の誘電率が小さい（大きい）ほど大きく（小さく）な
る。

【００５０】本実施の形態においては、ＭＳＬ（すなわ
ち、給電線路Ａ１０３および給電線路Ｂ１０４）および
１／４波長インピーダンス変成器１０５と、導体地板２
０１との間に設けられる誘電体層の誘電率を最も低い１
としている。これにより、ＭＳＬおよび１／４波長イン
ピーダンス変成器１０５の特性インピーダンスは、従来
方式のＭＳＬよりも高くすることができる。

【００５１】最後に、図５に示した切りこみ３１を有す
る共平面給電による円偏波ＭＳＡの軸比と、図１に示し
た本実施の形態にかかる円偏波ＭＳＡの軸比とを、実際
の設計値を参照することにより比較する。誘電体薄膜の
誘電率および厚さをそれぞれ２．４および２５μｍと
し、空気層２０２の厚みを２００μｍとする。なお、軸
比とは円偏波特性を示す指標であり、軸比が小さいほど
円偏波特性が良好である。

【００５２】上式の円偏波条件を満足する摂動を付加
した正方パッチに対して、図５に示した給電方式に従っ
て５０Ω線路を結合させた場合には、正方パッチの法線
方向の軸比は３３ｄＢとなり、ほとんど直線偏波が放射
されてしまう。一方、本発明の給電方式を採用した場合
には、軸比は０．８４ｄＢまで飛躍的に改善される。こ
れにより、本発明の給電方式の優位性を確認することが
できる。

【００５３】以上のように、本実施の形態においては、
正方パッチ１０１、給電線路Ａ１０３、給電線路Ｂ１０
４および１／４波長インピーダンス変成器１０５と、導
体地板２０１との間に設けられる誘電体層の誘電率を最
も低い１とすることにより、正方パッチ１０１のエッジ
部分における入力インピーダンスを低くできるととも
に、給電線路Ａ１０３、給電線路Ｂ１０４および１／４
波長インピーダンス変成器１０５の特性インピーダンス
を高くすることができる。これにより、給電線路Ａ１０
３と正方パッチ１０１におけるエッジ部分との整合を、
高周波回路からの高周波信号が正方パッチ１０１に供給
される際の損失を抑えつつ行うことができる。

【００５４】この結果、正方パッチ１０１、給電線路Ａ
１０３、給電線路Ｂ１０４、１／４波長インピーダンス
変成器１０５および高周波回路を同一平面に設けた状態
で、正方パッチ１０１への給電を行うことができる。し
たがって、線路損失および接続損失を低減することがで
きるので、円偏波特性が良好な円偏波ＭＳＡを提供する
ことができる。

【００５５】なお、本発明にかかる円偏波マイクロスト
リップアンテナは、移動体通信システムにおける通信端
末装置や基地局装置に搭載可能なものである。このよう
な通信端末装置や基地局装置は、円偏波特性の良好な円
偏波マイクロストリップアンテナを搭載することによ
り、良好な無線通信を行うことができる。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
円偏波特性の良好な円偏波マイクロストリップアンテナ
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる円偏波ＭＳＡの構
成を示す上面図

【図２】図１に示す線ＢＢ’における円偏波ＭＳＡの断
面構造を示す断面図

【図３】従来の１点給電による円偏波ＭＳＡの概略構造
を示す上面図

【図４】従来の１点給電による円偏波ＭＳＡに用いられ
る基板および給電点の概略構造を示す断面図

【図５】従来の円偏波ＭＳＡにおける給電方式を示す模
式図

【符号の説明】

１０１ 正方パッチ １０２ 給電点 １０３ 給電線路Ａ １０４ 給電線路Ｂ １０５ １／４波長インピーダンス変成器 １０６ 誘電体薄膜 ２０１ 導体地板 ２０２ 空気層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁体により平板状となるように形成さ
   れた保持手段と、前記保持手段の一方の面に形成された
   高周波回路と、前記一方の面に設けられ、前記高周波回
   路との間で高周波信号の伝送を行う伝送手段と、前記一
   方の面に設けられ、所定の摂動を有し、前記伝送手段に
   より伝送された高周波信号を用いて電波を出射し、か
   つ、入射した電波を前記伝送手段に伝送する略正方形状
   となるように形成されたアンテナ素子と、一方の面が、
   前記高周波回路、前記伝送手段および前記アンテナ素子
   と対向し、かつ、前記保持手段の一方の面と略平行とな
   るように設けられた板状を有する導電手段と、誘電体に
   より形成され、前記伝送手段、前記アンテナ素子、およ
   び、前記導電手段により形成される静電容量を減少さ
   せ、かつ、前記アンテナ素子の放射抵抗を増大させるた
   めに前記保持手段と前記導電手段との間に設けられた誘
   電体層と、を具備することを特徴とする円偏波マイクロ
   ストリップアンテナ。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の円偏波マイクロストリ
   ップアンテナを備えたことを特徴とする通信端末装置。
3. 【請求項３】 誘電体基板の一方の面に、電波の送受信
   を行うための高周波回路およびアンテナ素子を少なくと
   も含むパターンを形成する工程と、一方の面が、前記パ
   ターンと対向し、かつ、前記誘電体基板の一方の面と略
   平行となるように、前記誘電体基板と所定の間隔をおい
   て位置する板状の導体を形成する工程と、を具備するこ
   とを特徴とする円偏波マイクロストリップアンテナ製造
   方法。