JP2005244038A

JP2005244038A - 光送受信モジュール

Info

Publication number: JP2005244038A
Application number: JP2004053758A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Nakamoto; 健一中本; Tamotsu Akashi; 保赤司; Kazuyuki Mori; 和行森; Shinichi Sakuramoto; 慎一桜元
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2004-02-27
Filing date: 2004-02-27
Publication date: 2005-09-08
Also published as: CN1661815A; CN100456501C; US20050191057A1

Abstract

【課題】光送受信モジュールにおいて、LD及びPD等の光デバイスのリードピン・筐体・内部の部品による浮遊容量及び浮遊インダクタンスを除去して、高周波駆動時に生じるLD筐体(GND)電位の揺れを抑圧し、送受間の電気的クロストークを大幅に抑圧できるようにする。
【解決手段】光送信モジュール１と、光受信モジュール２と、これらの光送信モジュール１及び光受信モジュール２を駆動する駆動回路基板３と、上記各モジュール１，２の筺体間を電気的に短絡するか、又は上記各モジュール１，２のグラウンド（GND）端子間を駆動回路基板３に対して上記各モジュール１，２側で電気的に短絡する短絡手段４とをそなえるように構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、光送受信モジュールに関し、特に、光ファイバ通信に用いる部品（例えば、LD、PD、回路基板）が一体に構成され、高周波駆動される小型の光送受信モジュールに用いて好適な技術に関する。

従来の伝送速度の遅い〔1.0 Gbps（ギガビット毎秒）以下の〕光送受信モジュールでは、送受間の電気的クロストークは駆動回路基板でのGND（グラウンド）強化といった対策で改善できた。しかし、伝送速度が1.0 Gbpsを超えるような高周波領域では、レーザダイオード（LD）及びフォトダイオード（PD）等の光デバイスのリードピン、筐体、内部の部品のもつ浮遊容量、浮遊インダクタンス等の寄生的な効果により、GND電位が理想から大きくずれてしまう。

そのため、高周波駆動時にLD筐体(GND)電位がゆれ、送受間（LD−PD間）の電気的クロストークが発生する。そのため、LD素子、PD素子を基板上に直接実装する表面実装型光モジュールに関しては、基板に低抵抗のSi基板を使用し、それをGNDに接続することで送受間クロストークを抑圧する内容の公知技術(下記特許文献１参照)がある。しかし、主にCAN型に代表される独立したLDモジュール及びPDモジュールを一体に構成する光送受信モジュールに関しては、これまで決定的な対策はなかった。

・クロストークの発生原理について
図１０は従来のCAN型の光送受信（LD及びPD）モジュールの構成を示す模式的斜視図であり、図１１はこの図１０の矢印Ａ方向からみたときの光送受信モジュールの模式的正面図である。これらの図１０及び図１１に示すように、従来のCAN型の光送受信モジュールは、互いに独立したレーザダイオード（LD）モジュール（光送信モジュール）１００とフォトダイオード（PD）モジュール（光受信モジュール）２００とをそなえるとともに、これらの各モジュール１００，２００が近接して回路基板３００に接続されて構成されている。

ここで、LDモジュール１００は、例えば図１２に示すように、LD１１１と出力光パワーモニタ用のPD１１２とを内蔵し、外部接続端子としてGND端子１０１〔LDモジュール１００の筺体（金属ケース）〕，LDアノード（PDカソード）端子１０２，LDカソード端子１０３及びPDアノード端子１０４を有しており、PDモジュール２００は、PD２１１とプリアンプ２１２とを内蔵し、外部接続端子としてPD逆バイアス電圧端子２０１，プリアンプ電源電圧端子２０２，正（＋）側出力端子２０３，負（−）側出力端子２０４及びGND端子２０５〔PDモジュール２００の筺体（金属ケース）〕を有している。

そして、図１０，図１１及び図１２に示すように、LDモジュール１００は、LDリードピン４１１〜４１４により回路基板３００上のLD接続端子３１１〜３１４と接続され、PDモジュール２００は、PDリードピン４２１〜４２５により回路基板３００上のPD接続端子３２１〜３２５に接続されている。なお、これらの接続は例えば半田付け等により行なわれる。また、図１１では各リードピン４１１〜４１４，４２１〜４２５の図示は省略している。さらに、図１０及び図１１において、符号５１２〜５１４はLDモジュール１００の筺体（以下、LD筺体１００とも表記する）に設けられた孔部、５２１〜５２５はPDモジュール２００の筺体（以下、PD筺体２００とも表記する）に設けられた孔部をそれぞれ示す。

上記の接続関係をより詳細に説明すると、LDリードピン（GNDリードピン）４１１によりLD筺体（金属ケース）１００（GND端子１０１）と回路基板３００上のLD接続端子（GND端子）３１１とが接続され、LDリードピン（LDアノードリードピン）４１２によりLD筺体１００の孔部５１２を通じてLDアノード（PDカソード）端子１０２と回路基板３００上のLD接続端子３１２とが接続され、LDリードピン（LDカソードリードピン）４１３によりLD筺体１００の孔部５１３を通じてLDカソード端子１０３と回路基板３００上のLD接続端子３１３とが接続され、LDリードピン（PDアノードリードピン）４１４によりLD筺体１００の孔部５１４を通じてPDアノード端子１０４と回路基板３００上のLD接続端子３１４とが接続されている。

一方、PDリードピン（PDバイアスリードピン）４２１によりPD筺体２００の孔部５２１を通じてPD逆バイアス電圧端子２０１と回路基板３００上のPD接続端子３２１とが接続され、PDリードピン（プリアンプ電源電圧リードピン）４２２によりPD筺体２００の孔部５２２を通じてプリアンプ電源電圧端子２０２と回路基板３００上のPD接続端子３２２とが接続され、PDリードピン（PD正出力リードピン）４２３によりPD筺体２００の孔部５２３を通じて正側出力端子２０３と回路基板３００上のPD接続端子３２３とが接続され、PDリードピン（PD負出力リードピン）４２４によりPD筺体２００の孔部５２４を通じて負側出力端子２０４と回路基板３００上のPD接続端子３２４とが接続され、PDリードピン（GNDリードピン）４２５によりPD筺体（金属ケース）２００（GND端子２０５）と回路基板３００上のPD接続端子（GND端子）３２５とが接続されている。

ここで、LD１１１の変調方式には、変調器を外付けする外部変調方式やLD直接変調方式があるが、小型の光送受信モジュールに使用するCAN型に代表されるLDモジュール１００の場合はサイズの制約から、通常はLD直接変調方式が用いられる。このLD直接変調方式では、LDカソード端子１０３に印加する電圧を一定に保ち、LDアノード端子１０２に印加する電圧を回路基板３００に設けられたLDドライバ（図示省略）により変調し、LD１１１の出力光を変調する。この際、LDアノード電圧の変調がGND電位に揺れを生じさせ、これがノイズとなってPDモジュール２００側に結合することでクロストークが発生する。以下、より詳細に説明する。

GND端子１０１及び３１１間を接続するLDリードピン（GNDリードピン）４１１と、LDアノード（PDカソード）端子１０４と接続されるLDリードピン（LDアノードリードピン）４１２との間には、元々浮遊容量が存在し、1/2πfCなるインピーダンスが見える。ここで、fは周波数(Hz)、Cは浮遊容量(F)である。伝送速度が上がるにつれて、周波数fも上昇し、インピーダンスは０、つまり短絡に近づき、LDアノード電圧の変調によるGND電位の揺れが激しくなる。このため、伝送速度が上がるほど、GND電位の揺れが激しくなり、クロストークが大きくなることが分かる。

ここで、LDモジュール１００の筺体とPDモジュール２００の筐体とは、GNDリードピン４１１及び４２５と回路基板３００のGND端子３１１及び３２５を介して、短絡されており、共通のGNDとなっている。しかし、LDモジュール１００やPDモジュール２００等の光デバイスの各種リードピン、筐体、回路基板３００上のパターンには元々浮遊インダクタンスが存在し、2πfLなるインピーダンスが見える。ここで、fは周波数(Hz)、Lは浮遊インダクタンス(H)である。

したがって、伝送速度が上がるにつれて、周波数fも上昇し、インピーダンスは無限大（∞）、つまりオープンに近づき、理想的な電位の安定した広いベタのGNDからずれてゆく。このため、伝送速度が上がるほど、GND電位は不安定になり、GND電位の揺れが激しくなり、クロストークが大きくなることが分かる。
クロストークの伝播形態としては、LD筐体(GND)電位の揺れ(ノイズ)が空間的にPD筐体(GND)にアンテナ結合するものや、基板上のGNDパターンを通じて結合するものが考えられる。

なお、従来、パッケージ化された高周波電子装置における寄生効果を除去するために、高容量のコンデンサを金属製筺体とアノードリード線との間のアノードのできるだけ近くに結合して、高周波における漂遊容量を短絡する技術が下記特許文献２により提案されている（下記特許文献２の図４及び図５参照）。
特開２００１−２１０８４１号公報特開２００２−３２４８６６号公報

上述したように、LDモジュール１００，PDモジュール２００及び回路基板３００が一体となった小型の光送受信モジュールでは、送受信部が非常に近接しており、高周波駆動時にその相互干渉が大きく、ノイズの影響も受けやすい。そのため、送受間の電気的クロストークが大きく、受信感度劣化の要因となる。送受のGNDパターンを回路基板上で別々に構成し（共通GNDとせずに）、その距離を離すことで当該電気的クロストークを減らすことも可能ではあるが、2.4 Gbpsで約１ｃｍ程度離す必要があるため、現状の小型の光送受信モジュールでは実現不可能と思われる。

また、高周波駆動時には、その高周波ノイズが送信部の光出力波形の劣化も招いてしまう。上記特許文献２に記載の技術では、LDモジュール１００（あるいはPDモジュール２００）単体についての金属製筺体とアノードリード線との間との漂遊容量をコンデンサにより短絡することはできるが、LDモジュール１００，PDモジュール２００及び回路基板３００が一体に構成される光送受信モジュールの送受間の電気的クロストークを抑制することはできない。

本発明は、上記のような課題に鑑み創案されたもので、LD及びPD等の光デバイスのリードピン、筐体、内部の部品による浮遊容量や浮遊インダクタンスを除去して、高周波駆動時に生じるLD筐体(GND)電位の揺れを抑圧し、送受間の電気的クロストークを大幅に抑圧できるようにすることを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の光送受信モジュール（請求項１）は、光送信モジュールと、光受信モジュールと、該光送信モジュール及び該光受信モジュールを駆動する駆動回路基板と、上記各モジュールの筺体間を電気的に短絡するか、又は上記各モジュールのグラウンド（GND）端子間を該駆動回路基板に対して上記各モジュール側で電気的に短絡する短絡手段とをそなえたことを特徴としている。

ここで、該光送信モジュールは、少なくともアノード端子，カソード端子及びグラウンド（GND）端子を有するレーザダイオード（LD）をそなえて構成されるとともに、該光受信モジュールは、少なくともグラウンド（GND）端子を有するフォトダイオード（PD）をそなえて構成されていてもよい（請求項２）。
また、該短絡手段は、一方の面に該光送信モジュールと該光受信モジュールとが取り付けられるとともに他方の面にグラウンド（GND）パターンが形成されたモジュール実装基板により構成され、該レーザダイオード及び該フォトダイオードの各グラウンド（GND）端子がスルーホールを介して該モジュール実装基板の前記一方の面から前記他方の面に形成された該グラウンド（GND）パターンと接続されているのが好ましい（請求項３）。

さらに、該モジュール実装基板上において、該レーザダイオード近傍の該アノード端子と該グラウンド（GND）パターンとの間にバイパスコンデンサを設けてもよく（請求項４）、また、該モジュール実装基板上において、該レーザダイオード近傍の該アノード端子と該カソード端子との間に、抵抗とコンデンサとを直列接続したＲＣフィルタを設けてもよい（請求項５）。

上記の本発明によれば、光送信モジュール及び光受信モジュール間を電気的に短絡するので、LD、PDなどの光デバイスのGND電位の安定度を強化することができ、光デバイスのリードピン、筐体、内部の部品による浮遊容量、浮遊インダクタンスの影響を抑制することができる。したがって、高周波駆動時に生じるLD筐体(GND)電位の揺れを抑圧することができ、送受間の電気的クロストークを大幅に抑圧することが可能となる。

〔Ａ〕第１実施形態の説明
図１は本発明の第１実施形態としての光送受信モジュールの構成を示す模式的斜視図、図２はこの図１の矢印Ａ方向からみたときの光送受信モジュールの模式的正面図である。これらの図１及び図２に示すように、本実施形態の光送受信モジュールは、筒状金属筺体内にLD（光送信素子）を有する光送信モジュールとしてのCAN型のLDモジュール１と、筒状金属筺体内にPD（光受信素子）を有する光受信モジュールとしてのCAN型のPDモジュール２と、LDモジュール１及びPDモジュール２を駆動する回路基板（駆動回路基板）３とをそなえて構成され、図１０及び図１１により前述したものと同様にして、LDモジュール１がLDリードピン（リード線）４１１〜４１４により回路基板３（LD接続端子３１１〜３１４）と接続されるとともに、PDモジュール２がPDリードピン（リード線）４２１〜４２５により回路基板３（PD接続端子３２１〜３２５）に接続されている。

ここで、LDモジュール１及びPDモジュール２の内部構成は図１２により前述したものと同様であり、回路基板３との電気的接続関係も図１２により前述したものと同様である。
即ち、LDリードピン（GNDリードピン）４１１によりLDモジュール１の筺体（以下、LD筺体１又はLD金属筺体１ともいう）（GND端子１０１）と回路基板３上のLD接続端子（GND端子）３１１とが接続され、LDリードピン（LDアノードリードピン）４１２によりLD筺体１の孔部５１２を通じてLDアノード（PDカソード）端子１０２と回路基板３上のLD接続端子３１２とが接続され、LDリードピン（LDカソードリードピン）４１３によりLD筺体１の孔部５１３を通じてLDカソード端子１０３と回路基板３上のLD接続端子３１３とが接続され、LDリードピン（PDアノードリードピン）４１４によりLD筺体１の孔部５１４を通じてPDアノード端子１０４と回路基板３上のLD接続端子３１４とが接続されている。

一方、PDリードピン（PDバイアスリードピン）４２１によりPDモジュール２の筺体（以下、PD筺体２又はPD金属筺体２ともいう）の孔部５２１を通じてPD逆バイアス電圧端子２０１と回路基板３上のPD接続端子３２１とが接続され、PDリードピン（プリアンプ電源電圧リードピン）４２２によりPD筺体２の孔部５２２を通じて電源電圧端子２０２と回路基板３上のPD接続端子３２２とが接続され、PDリードピン（PD正出力リードピン）４２３によりPD筺体２の孔部５２３を通じて正（＋）側出力端子２０３と回路基板３上のPD接続端子３２３とが接続され、PDリードピン（PD負出力リードピン）４２４によりPD筺体２の孔部５２４を通じて負（−）側出力端子２０４と回路基板３上のPD接続端子３２４とが接続され、PDリードピン（GNDリードピン）４２５によりPD筺体２（GND端子２０５）と回路基板３上のPD接続端子（GND端子）３２５とが接続されている。

なお、以上の接続関係は、特に断らない限り、後述する実施形態においても同一である。また、各リードピンの数や用途は、上記に限定されない（光送信モジュール１，光受信モジュール２の内部構成は上記と異なっていてもよい）。
そして、本実施形態では、図１及び図２に示すように、LD金属筺体１とPD金属筺体２とがLD−PD間接続金具（短絡手段）４により接続されて短絡されている。なお、この接続は例えば半田付け等により行なう。また、この接続金具４は、GNDリードピン４１１，４２５に引っ掛ける形状にすることで、取り付けの作業性を向上することもできる。リード線にて接続する際も、同様の構成となる。

LD筐体１とPD筐体２はそれぞれのGNDリードピン４１１及び４２５（GND端子１０１及び２０５）と回路基板３のGND端子３１１及び３２５とを介して元々短絡されており、共通のGNDとなっているが、CAN型に代表されるLD、PDなどの光デバイスのリードピン、筐体、内部の部品は浮遊容量、浮遊インダクタンスを形成しており、理想的なGND電位から大きくずれているのが通常である。そのため、前述したように高周波駆動時にGND電位が揺れてしまう。

そこで、上述のごとく、LD筺体１及びPD筐体２間を接続金具４により電気的に短絡することで、高周波駆動時の浮遊インダクタンスが低減されGNDを強化できるので、安定した理想的なGND電位に近づけて高周波駆動時のGND電位の揺れを抑圧でき、各モジュール１，２間（送受間）の電気的クロストークを大幅に低減できる。特に、LD筐体１(GND)電位の安定化はクロストーク抑制に大きな効果がある。

なお、接続金具４には、リード線のようなライン状のものよりも、できるだけ幅広の面積の大きなものを用いて、各モジュール１，２と接続金具４との接触面積が大きくなるものを用いた方がより大きなGND安定効果及びクロストーク抑圧効果が得られる。
そこで、例えば図３に模式的に示すように、各モジュール１，２間の距離及び各モジュール（筒状筺体）１，２の上部各曲面形状に合わせて一方の面にそれぞれ形成された半円状の窪み部４１，４２を有する平板状の曲面型金具４ａを、各モジュール１，２の上方から嵌合し、半田や導電性接着剤等で各モジュール１，２に密着固定することにより、各モジュール（筺体）１，２間を短絡する構成を採れば、より大きなGND安定効果及びクロストーク抑圧効果が得られる。なお、金具４ａ（窪み部４１，４２）の形状は取り付けられるモジュール（筺体）１，２の形状に合わせて適宜変更すれば対応できる。

〔Ｂ〕第２実施形態の説明
図４は本発明の第２実施形態としての光送受信モジュールの構成を示す模式的斜視図、図５はこの図４の矢印Ａ方向からみたときの光送受信モジュールの模式的正面図である。これらの図４及び図５に示すように、本実施形態の光送受信モジュールは、CAN型のLDモジュール１と、CAN型のPDモジュール２と、回路基板（駆動回路基板）３と、別の回路基板（サブ基板）５とをそなえて構成されている。

ここで、サブ基板（モジュール実装基板）５には、その一方の面に、各モジュール１及び２が取り付けられるとともに、他方の面に、各モジュール１及び２の各リードピン４１１〜４１４及び４２１〜４２５の配置位置に合わせて設けられた各リードピン４１１〜４１４及び４２１〜４２５のための孔部（スルーホール）５１〜５４及び６１〜６５が設けられ、かつ、これらのスルーホール孔５１〜５４及び６１〜６５を避けるようにして当該他方の面一面又は略一面に広い面積のGNDパターン５０が形成されている。なお、サブ基板５には、リジット基板やフレキシブル基板等を用いることができる。

そして、各リードピン４１１〜４１４及び４２１〜４２５は、対応するスルーホール５１〜５４及び６１〜６５を通じて回路基板３上の対応する接続端子３１１〜３１５及び３２１〜３２５に接続され、GNDリードピン４１１及び４２５（GND端子１０１及び２０５）は、それぞれ、サブ基板５に設けられたスルーホールを介してサブ基板５の前記他方の面に形成されたGNDパターン５０にも半田等により接続（接合）されている。なお、本実施形態においても、各モジュール１，２の内部構成及び回路基板３との電気的な接続関係は図１２により前述したものと同様である。

このような構成を採ることにより、各モジュール１，２のGNDリードピン４１１及び４２５（GND端子１０１及び２０５）がサブ基板５上に形成された面積の広いGNDパターン５０に接続されて各モジュール１，２間が接続（短絡）されることになる。つまり、本例のサブ基板５は、各モジュール１及び２のGND端子１０１及び２０５間を回路基板３に対して各モジュール１，２側で電気的に短絡する短絡手段としての役割を果たしているのである。したがって、GND電位の大幅な安定化を図ることができ、大きなクロストーク抑圧効果を得ることができる。また、上記のようなサブ基板５を用いることで、光送受信モジュールの組み立て作業も容易になり、光送受信モジュールの製造コストの削減にも大きく寄与する。

なお、本実施形態においても、第１実施形態と同様に、各モジュール１，２の筺体間を短絡するようにしてもよい。
（Ｂ１）第１変形例の説明
図６は図４及び図５により上述した光送受信モジュールの第１変形例の構成を示す模式的正面図で、この図６に示す光送受信モジュールは、上述したサブ基板５上に、LDモジュール１のLDアノードリードピン４１２（LDアノード端子１０２）のための電極部（LDアノード電極パターン）５５が構成されるとともに、スルーホール５１〜５３及び６１〜６５を避けるようにして当該他方の面一面又は略一面に広い面積のGNDパターン５０が形成されている。

そして、LDアノードリードピン４１２は、LDアノード電極パターン５５に半田等により接続されており、この場合も、サブ基板５のスルーホール５１，６５を通過する各モジュール１，２のGNDリードピン４１１，４２５はそれぞれGNDパターン５０に半田等により接続されており、これにより、各モジュール（金属ケース）１，２が接続（短絡）されている。さらに、この図６に示すように、LDアノード電極パターン５５とGNDパターン５０との間には、バイパスコンデンサ６が設けられている。

このバイパスコンデンサ６は、LDアノード端子１０２にのった余分な高周波成分（ノイズ成分）をGNDに短絡する役割をもつものである。一般に、バイパスコンデンサは、元々、回路基板３上に挿入されているものであるが、LD１１１（図１２参照）から離れて配置すると、そこからLD１１１までの回路基板３のパターン及びLDアノードリードピン４１２のもつ浮遊インダクタンスや浮遊容量により、容量値が理論値と合わなくなる影響で、バイパスコンデンサが効果を発揮しなくなる。

そこで、上記のようにLDアノードリードピン４１２（LDアノード電極パターン５５）とGNDリードピン４１１(サブ基板５のGNDパターン５０)との間にバイパスコンデンサ６を設けることにより、LD１１１の近傍（アノードリードピン４１４の根元にできるだけ近い場所）にバイパスコンデンサ６を挿入することができ、その効果を引き出すことができる。
バイパスコンデンサ６は、LDアノード電圧成分から余分な高周波成分をGNDパターン５０にバイパスするため、高周波駆動時のLDアノード電圧により生じたGND電位の揺れを低減してLD−PD間（送受間）の電気的クロストークを抑制することができる。特に、本例ではサブ基板５上にGNDパターン５０を広くとって各モジュール１，２間を短絡することによりGNDの高安定化を図っているので、その効果は極めて大きく、また、バイパスした高周波ノイズによって別のクロストークが発生するおそれも極めて少ない。さらに、LDアノード電圧成分から余分な高周波成分を除去できるため、変調した光出力波形の改善が実現する。

なお、バイパスコンデンサ６は、必ずしもサブ基板５上に設ける必要はなく、サブ基板５を用いない場合等においては、少なくともLD１１１近傍に設けられていればよい。
（Ｂ２）第２変形例の説明
図７は図４及び図５により上述した光送受信モジュールの第２変形例の構成を示す模式的正面図で、この図７に示す光送受信モジュールは、サブ基板５上に、前記のLDアノード電極パターン５５と、LDカソードリードピン５１３（LDカソード端子１０３）が半田付け等により接続される電極部（LDカソード電極パターン）５６と、LDアノード電極パターン５５とLDカソード電極パターン５６との間を接続するための電極パターン５７と、LDアノード電極パターン５５と電極パターン５７との間に半田付け等により介装されたコンデンサ７と、LDカソード電極５６と電極５７との間に半田付け等により介装された抵抗８と、これらの電極パターン５５，５６，５７，コンデンサ７及び抵抗８を避けるように形成されたGNDパターン５０とが設けられている。

つまり、本例では、サブ基板５上において、LDアノードリードピン４１２とLDカソードリードピン４１３との間に、コンデンサ７及び抵抗８を直列接続したＲＣフィルタが挿入されているのである。このＲＣフィルタは、その時定数を調整して、LDアノード端子１０２に印加される変調電圧の立上り時間や立下り時間を変える目的で使用されるもので、これも通常は前記バイパスコンデンサと同様に元々回路基板３上に挿入されるものであるが、LD１１１（図１２参照）から離れて配置すると、時定数値が理論値と合わなくなる影響で、効果を発揮しなくなる。そこで、上述のごとくサブ基板５上に電極パターン５５，５６，５７，コンデンサ７及び抵抗８を配置して接続することにより、LD１１１近傍（リードピン４１２，４１４の根元にできるだけ近い場所）にＲＣフィルタを挿入することができ、変調した光出力波形の歪みを大幅に改善することができるのである。

なお、この場合も、上記ＲＣフィルタは、必ずしもサブ基板５上に設ける必要はなく、サブ基板５を用いない場合等においては、少なくともLD１１１近傍に設けられていればよい。
（Ｂ３）第３変形例の説明
図８は第２実施形態の第３変形例としての光送受信モジュールの構成を説明するための模式的斜視図で、（Ａ）はサブ基板、（Ｂ）は接続金具、（Ｃ）は光送受信モジュールの構成をそれぞれ示している。

ここで、サブ基板５は、図８（Ａ）に示すように、例えば図６により前述したバイパスコンデンサ６付きのものである。もっとも、図４及び図５、あるいは、図７により前述したサブ基板５を適用してもよい。
図８（Ｂ）に示す接続金具９は、サブ基板５の長辺側の一方の側面５ａと当接する当接部９０と、階段状に成形された脚部９１，９２，９３と、両端の脚部９１，９３にそれぞれ設けられサブ基板５の短辺側の各側面５ｂ，５ｃとそれぞれ当接する当接部９４，９５とをそなえて構成されている。なお、脚部９１，９２，９３は、浮遊容量や浮遊インダクタンスを抑圧するためになるべくライン状ではなくある程度の幅（面積）をもって形成されている方が好ましい。

そして、図８（Ｃ）に示すように、回路基板３上には、各脚部９１，９２，９３に対応してGND端子（GNDパターン）３３１，３３２，３３３が回路基板３の両端付近及び中心付近にそれぞれ設けられており、接続金具９の当接部９０，９４，９５をそれぞれサブ基板５の側面５ａ，５ｂ，５ｃにそれぞれ当接させて係止した上で各脚部９１，９２，９３をそれぞれサブ基板５上のGNDパターン５０と半田９６等により接続することにより一体化し、これらの脚部９１，９２，９３の端部９１ａ，９２ａ，９３ａと、回路基板３上の対応するGND端子３３１，３３２，３３３とを半田付け等により接続することにより、LDモジュール１と、PDモジュール２と、回路基板３と、サブ基板５とを一体的に構成することができる。

この場合、接続金具９の脚部９１，９２，９３により回路基板３上のGND端子３３１，３３２，３３３と、サブ基板５上のGNDパターン５０とが接続されるので、前記のGNDリードピン４１１及び４２５（例えば図４参照）と回路基板３との接続は不要になる。つまり、本例における接続金具９は、LD筺体１及びPD筐体２間の接続（短絡）と、各筺体１及び２と回路基板３とのGND接続とを兼用しているのである。

したがって、サブ基板５を用いて光送受信モジュールを構成する際の組み立て作業効率を大幅に向上することができ、光送受信モジュールの製造コストのさらなる削減を図ることが可能となる。
なお、上記の例では、サブ基板５上GNDパターン５０と各脚部９１，９２，９３との接合を先に行なっているが、脚部９１，９２，９３の端部９１ａ，９２ａ，９３ａと回路基板３上のGND端子３３１，３３２，３３３との接合を先に行なってもよい。また、本例では、サブ基板５上にバイパスコンデンサ６のみが配置されているが、前記のＲＣフィルタが配置されていてもよいし、これらのバイパスコンデンサ６とＲＣフィルタの両方が配置されていてもよい。

さらに、上記の接続金具９の脚部の数は上記のように３本に限定されず、適宜に変更してよい。例えば、回路基板３の両端に配置した２つのGND端子３３１，３３３のみでLD筐体１とPD筺体２との接続を行なってもよい。また、組み立て作業効率及び浮遊容量や浮遊インダクタンスの影響を考慮して、あまり数は多くしない方が好ましいと考えられる。さらに、本例では、回路基板３の一方の面にのみGND端子３３１，３３２，３３３が配置されているが、回路基板３の他方の面あるいは両面にGND端子を設けることもできる。

また、接続金具９の形状は図８（Ｂ）に示すような形状に限定されず、サブ基板５と一体化可能で、PDモジュール１及びLDモジュール２をGND接続するとともに、回路基板３とGND接続できる形状であれば、適宜、変更可能である。
〔Ｃ〕その他
図９はLD筺体及びPD筐体を同一の金属性筐体に固定して構成する一体型デバイスとしての光送受信モジュールの構成を示すブロック図で、この図９に示す光送受信モジュールは、ケース１０と、ケース１０内に収容された金属製筺体１１と回路基板１２とをそなえて構成され、金属製筺体１１には、LD筺体１，受光レンズ１４付きのPD筺体２及びフェルール等のファイバコネクタ１６が嵌合固定されるとともに、LD１１１からの光をファイバコネクタ１６により接続された光ファイバ１６１に結合するためのレンズ１３と、光ファイバ１６１から受光される光をPD筺体２の受光レンズ１４に結合してPD２１１に受光させるためのＷＤＭフィルタ１５とが内蔵されている。

また、ＬＤ筺体１は、LDリードピン４１１〜４１４により回路基板１２上のランド（LD接続端子）３１１〜３１４とそれぞれ接続され、PD筺体２は、PDリードピン４２１〜４２５により回路基板１３上のランド（PD接続端子）３２１〜３２５とそれぞれ接続されている。なお、LD筺体１及びPD筐体２と金属性筐体１１との間は主にレーザ溶接等で接続される。

これにより、LD筺体１とPD筺体２とが金属製筺体１１により短絡されるので、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
そして、本発明は、上述した実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できることはいうまでもない。
例えば、上述した例では、光送信モジュールとしてLDモジュール、光受信モジュールとしてPDモジュールを適用した構成について説明したが、他の光モジュール（デバイス）により構成されていても、上記の例と同様の作用効果を得ることができる。

〔Ｄ〕付記
（付記１）
光送信モジュールと、
光受信モジュールと、
該光送信モジュール及び該光受信モジュールを駆動する駆動回路基板と、
上記各モジュールの筺体間を電気的に短絡するか、又は上記各モジュールのグラウンド端子間を該駆動回路基板に対して上記各モジュール側で電気的に短絡する短絡手段とをそなえたことを特徴とする、光送受信モジュール。

（付記２）
該短絡手段としての平板状の金属製部材により該光送信モジュールの筺体と該光受信モジュールの筺体とが接続されていることを特徴とする、付記１記載の光送受信モジュール。
（付記３）
該光送信モジュールの筺体及び該光受信モジュールの筺体がそれぞれ筒状筺体により構成されるとともに、
該短絡手段として、該筒状筺体間の距離及び該筒状筺体の各曲面形状に合わせて半円状に形成された窪み部を一方の面に有する平板状の金属製部材をそなえ、
該金属製部材の該窪み部に該筒状筺体が嵌合固定されていることを特徴とする、付記１記載の光送受信モジュール。

（付記４）
該筒状筺体と該窪み部とが半田又は導電性接着剤により接合されていることを特徴とする、付記３記載の光送受信モジュール。
（付記５）
該短絡手段と該駆動回路基板とがグラウンド（GND）接続されていることを特徴とする、付記１記載の光送受信モジュール。

（付記６）
該光送信モジュールが、少なくともアノード端子，カソード端子及びグラウンド（GND）端子を有するレーザダイオード（LD）をそなえて構成されるとともに、
該光受信モジュールが、少なくともグラウンド（GND）端子を有するフォトダイオード（PD）をそなえて構成されたことを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載の光送受信モジュール。

（付記７）
該短絡手段が、一方の面に該光送信モジュールと該光受信モジュールとが取り付けられるとともに他方の面にグラウンド（GND）パターンが形成されたモジュール実装基板により構成され、
該レーザダイオード及び該フォトダイオードの各グラウンド（GND）端子がスルーホールを介して該モジュール実装基板の前記一方の面から前記他方の面に形成された該グラウンド（GND）パターンと接続されていることを特徴とする、付記６記載の光送受信モジュール。

（付記８）
該レーザダイオードの該アノード端子近傍に、該アノード端子と該レーザダイオードの該グラウンド（GND）端子とを接続するバイパスコンデンサを設けたことを特徴とする、付記１記載の光送受信モジュール。
（付記９）
該レーザダイオードの該アノード端子と該カソード端子との間に、抵抗とコンデンサとを直列接続したＲＣフィルタを設けたことを特徴とする、付記１記載の光送受信モジュール。

（付記１０）
該モジュール実装基板上において、該レーザダイオード近傍の該アノード端子と該グラウンド（GND）パターンとの間にバイパスコンデンサを設けたことを特徴とする、付記７記載の光送受信モジュール。
（付記１１）
該モジュール実装基板上において、該レーザダイオード近傍の該アノード端子と該カソード端子との間に、抵抗とコンデンサとを直列接続したＲＣフィルタを設けたことを特徴とする、付記７記載の光送受信モジュール。

（付記１２）
該モジュール実装基板上の該グラウンド（GND）パターンと該駆動回路基板上のグラウンド（GND）端子とが、リード線により接続されていることを特徴とする、付記７記載の光送受信モジュール。
（付記１３）
該モジュール実装基板の該グラウンド（GND）パターンと該駆動回路基板上のグラウンド（GND）端子とが、該モジュール実装基板と一体化する接続金具により接続されていることを特徴とする、付記７記載の光送受信モジュール。

（付記１４）
該モジュール実装基板が、リジット基板又はフレキシブル基板により構成されたことを
特徴とする、付記７，１０〜１３のいずれか１項に記載の光送受信モジュール。

以上詳述したように、本発明の光送受信モジュールによれば、高周波駆動時の送受間の電気的クロストークを大幅に抑圧することができるので、光通信技術分野において極めて有用と考えられる。

本発明の第１実施形態としての光送受信モジュールの構成を示す模式的斜視図である。図１の矢印Ａ方向からみたときの光送受信モジュールの模式的正面図である。図１及び図２に示すLD−PD間接続形態の変形例を示す模式的正面図である。本発明の第２実施形態としての光送受信モジュールの構成を示す模式的斜視図である。図４の矢印Ａ方向からみたときの光送受信モジュールの模式的正面図である。図４及び図５により上述した光送受信モジュールの第１変形例の構成を示す模式的正面図である。図４及び図５により上述した光送受信モジュールの第２変形例の構成を示す模式的正面図である。第２実施形態の第３変形例としての光送受信モジュールの構成を説明するための模式的斜視図で、（Ａ）はサブ基板、（Ｂ）は接続金具、（Ｃ）は光送受信モジュールの構成をそれぞれ示す模式的斜視図である。 LD筺体及びPD筐体を同一の金属性筐体に固定して構成する一体型デバイスとしての光送受信モジュールの構成を示すブロック図である。従来のCAN型の光送受信（LD及びPD）モジュールの構成を示す模式的斜視図である。図１０の矢印Ａ方向からみたときの光送受信モジュールの模式的正面図である。図１０及び図１１に示す従来の光送受信モジュールの電気回路図である。

符号の説明

１ LDモジュール（LD筺体）
２ PDモジュール（PD筺体）
３回路基板（メイン回路基板）
４ LD−PD間接続金具（短絡手段）
４ａ曲面型金具
５サブ回路基板
６バイパスコンデンサ
７コンデンサ
８抵抗
９接続金具
１０ケース
１１金属製筺体
１２回路基板
１３レンズ
１４受光レンズ
１５ＷＤＭフィルタ
１６ファイバコネクタ
５１〜５４，６１〜６５孔部（スルーホール）
５５電極部（LDアノード電極パターン）
５６電極部（LDカソード電極パターン）
５７電極パターン
９０，９４，９５当接部
９１，９２，９３脚部
９１ａ，９２ａ，９３ａ端部
９６半田
１０１ GND端子
１０２ LDアノード（PDカソード）端子１０２
１０３ LDカソード端子
１０４ PDアノード端子
１１１ LD
１１２出力光パワーモニタ用のPD
１６１光ファイバ
２０１ PD逆バイアス電圧端子
２０２プリアンプ電源電圧端子
２０３正（＋）側出力端子
２０４負（−）側出力端子
２０５ GND端子
２１１ PD
２１２プリアンプ
３１１〜３１４ LD接続端子
４１１ LDリードピン（GNDリードピン）
４１２ LDリードピン（LDアノードリードピン）
４１３ LDリードピン（LDカソードリードピン）
４１４ LDリードピン（PDアノードリードピン）
３２１〜３２５ PD接続端子
３３１，３３２，３３３ GND端子（GNDパターン）
４２１ PDリードピン（PDバイアスリードピン）
４２２ PDリードピン（プリアンプ電源電圧リードピン）４２２
４２３ PDリードピン（PD正出力リードピン）
４２４ PDリードピン（PD負出力リードピン）
４２５ PDリードピン（GNDリードピン）４２５
５１２〜５１４，５２１〜５２４孔部

Claims

光送信モジュールと、
光受信モジュールと、
該光送信モジュール及び該光受信モジュールを駆動する駆動回路基板と、
上記各モジュールの筺体間を電気的に短絡するか、又は上記各モジュールのグラウンド（GND）端子間を該駆動回路基板に対して上記各モジュール側で電気的に短絡する短絡手段とをそなえたことを特徴とする、光送受信モジュール。
該光送信モジュールが、少なくともアノード端子，カソード端子及びグラウンド（GND）端子を有するレーザダイオード（LD）をそなえて構成されるとともに、
該光受信モジュールが、少なくともグラウンド（GND）端子を有するフォトダイオード（PD）をそなえて構成されたことを特徴とする、請求項１記載の光送受信モジュール。
該短絡手段が、一方の面に該光送信モジュールと該光受信モジュールとが取り付けられるとともに他方の面にグラウンド（GND）パターンが形成されたモジュール実装基板により構成され、
該レーザダイオード及び該フォトダイオードの各グラウンド（GND）端子がスルーホールを介して該モジュール実装基板の前記一方の面から前記他方の面に形成された該グラウンド（GND）パターンと接続されていることを特徴とする、請求項２記載の光送受信モジュール。
該モジュール実装基板上において、該レーザダイオード近傍の該アノード端子と該グラウンド（GND）パターンとの間にバイパスコンデンサを設けたことを特徴とする、請求項３記載の光送受信モジュール。
該モジュール実装基板上において、該レーザダイオード近傍の該アノード端子と該カソード端子との間に、抵抗とコンデンサとを直列接続したＲＣフィルタを設けたことを特徴とする、請求項３記載の光送受信モジュール。