WO2016174238A1 - Anordnung mit einem substrat und einem halbleiterlaser - Google Patents

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Roland Enzmann
Markus Arzberger
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Definitions

  • the invention relates to an arrangement with a substrate and with a semiconductor laser according to patent claim 1 and a method for producing the arrangement according to patent claim 12.
  • EP 1 792 373 B1 discloses mounting a semiconductor laser on a carrier. The production is relatively expensive.
  • the object of the invention is to provide an arrangement with a substrate and a laser, which can be produced easily and inexpensively.
  • An advantage of the proposed arrangement is that the output from the semiconductor laser electromagnetic Strah ⁇ lung is less affected by the substrate. This is achieved in that the region of the semiconductor laser which emits the electromagnetic radiation is arranged above a first recess of the substrate. In this case, in the region in which the electromagnetic radiation is emitted, the side surface of the semiconductor laser has a projection with respect to the upper side of the substrate. The substrate has the first recess, which is introduced into the top of the sub ⁇ strates. The recess provides more freedom for the electromagnetic radiation. Further embodiments are given in the dependent claims.
  • the first recess is disposed adjacent to a side surface of the substrate, the first recess being open laterally on the side surface.
  • a first contact surface is formed on the upper side of the substrate, wherein the first contact surface extends from the upper side at least to the first recess, and wherein a first electrical connection of the semiconductor laser is connected to the first contact surface.
  • the first recess from the top surface of the substrate to Untersei ⁇ te of the substrate extends.
  • the first contact surface is guided from the upper side of the substrate via the first recess to the underside of the substrate.
  • At least one second recess is introduced into the upper side, wherein the second recess adjoins a side surface of the substrate and / or is guided from the upper side of the substrate to the underside of the substrate.
  • a second Druckflä ⁇ surface on the upper surface of the substrate is formed, wherein the second contact surface from the top surface of the substrate GR at least extends into the second recess.
  • a second electrical connection of the semiconductor laser is connected to the second contact surface.
  • the second recess from the top surface of the substrate to Untersei ⁇ te of the substrate and the second contact surface extends is guided from the top of the substrate via the second recess to the underside of the substrate. This can be done via the bottom of the substrate a simple electrical contacting of the second electrical connection of the semiconductor laser.
  • a third From ⁇ recess is at least introduced into the top of the substrate, wherein the third recess is adjacent to a side surface of the substrate at ⁇ or is guided from the top side of the substrate up to the bottom side of the substrate ⁇ .
  • a third contact surface on the upper surface of the substrate is formed, where ⁇ the third contact surface extends for at least up to the drit ⁇ th recess, and wherein said third contact surface is connected to the second electrical connection of the semiconductor laser. In this way, a reduction of the electrical impedance of the semiconductor laser is achieved.
  • the substrate is mounted on a support with the side surface on which the first recess is formed.
  • the carrier has a further first electrical contact with the first
  • the carrier has a second further electrical contact, wherein the second contact surface of the substrate with the second further
  • the carrier has a third further electrical contact, wherein the third contact surface of the substrate is electrically conductively connected to the third further electrical contact of the carrier, in particular directly mechanically connected.
  • the third contact surface is electrically and / or in particular mechanically connected to the third further electrical contact of the carrier in a simple and reliable manner.
  • the first, the second and / or the third recess in the form of a Lo ⁇ ches or in the form of a longitudinally laterally open hole may be formed in the substrate.
  • the formation of a hole can be made inexpensively by simple means. The hole can be guided from the top to the bottom of the substrate.
  • the proposed method has the advantage that the arrangement with the substrate and with the semiconductor laser can be easily produced. This is achieved by providing a substrate plate that has several
  • a plurality of semiconductor lasers are mounted on the substrate plate in such a way that the semicon ⁇ conductor laser with a portion of the side surface, the emits electromagnetic radiation, respectively, are arranged above the first recess.
  • the substrate ⁇ plate is divided into substrates with at least one semiconductor laser ⁇ .
  • a plurality of mutually separate first contact surfaces are applied to the upper side of the substrate plate in such a way that the first contact surfaces extend from the upper side of the substrate plate into an assigned first recess.
  • first electrical terminals of the semiconductor laser, each having a first contact surface electrically conductive verbun ⁇ in particular the semiconductor laser are mounted on first contact surfaces and thereby first electrical connections of the semiconductor laser directly mechanically and electrically connected to the first contact surfaces. This provides a simple and reliable electrical contacting of the semiconductor laser.
  • the substrate is arranged with the side surface, on which the first recess adjacent, or with the underside on a support.
  • the Trä ⁇ ger has a first further electrical contact, wherein the first contact surface of the substrate with the first further electrical contact of the carrier is electrically conductive, in particular directly mechanically connected.
  • Carrier achieved, wherein in addition a secure electrical Kontak ⁇ tion between the first contact surface of the substrate and a first further electrical contact surface of the carrier is achieved.
  • the substrate plate is divided into the individual substrates by means of a breaking process.
  • a predetermined breaking ⁇ edge introduced by means of a laser. Subsequently, the substrate plate is broken along the predetermined breaking edge. So ⁇ with a simple and reliable method for winding share the substrate plate into individual substrates surgege ⁇ provides.
  • Fig. 3 is a view on an underside of the substrate plate
  • Fig. 4 is a perspective side view of a sectionabschnit ⁇ tes of the substrate plate
  • FIG. 6 shows a further substrate with a semiconductor laser
  • FIG. 7 shows the arrangement of FIG. 6 with a view of the second longitudinal side
  • FIG. 9 shows a carrier with a substrate with a semiconductor laser
  • FIG. 9 shows a carrier with a substrate with a semiconductor laser
  • FIG. 10 shows a further substrate with a semiconductor laser and FIG. 11 shows a schematic diagram for the lateral projection of the semiconductor relative to the substrate
  • Fig. 1 shows a schematic representation of a section of a substrate plate 1, which is made of an electrically iso ⁇ insulating material.
  • the substrate plate 1 can be made of aluminum nitride, silicon, silicon carbide or aluminum oxide, for example.
  • the substrate plate 1 has recesses 7, 8, 9.
  • the recesses 7, 8, 9 are of a top page 3 up to a bottom of the substrate plate 1 out ⁇ performed and formed in the form of through holes.
  • the recesses 7, 8, 9 may also be introduced only to a specified depth in the top 3 of the substrate plate 1 and not be formed to the bottom of the substrate plate 1.
  • the substrate plate 1 has a first contact surface 4, a second contact surface 5 and a third contact surface 6 on the upper side 3.
  • the first contact surface 4 is formed as an elongated, rectangular surface on the top 3 ⁇ and guided to a first recess 7.
  • the first contact surface 4 is formed in the illustrated exporting ⁇ approximate shape on an inner side of the first recess 7 and to the underside of the substrate plate 1 ge ⁇ leads.
  • the first contact surface 4 is not guided to the underside of the substrate plate 1.
  • a second Maisflä ⁇ surface 5 is arranged on the upper side 3 of the substrate plate. 1
  • the second contact surface 5 is formed in the illustrated Ausry ⁇ tion form as a stepped strip which is arranged parallel to the longitudinal direction of the first contact surface 4.
  • the second contact surface 5 is led to the wider Stenderab ⁇ section up to a second recess 8, wherein the second contact surface 5 is formed in the illustrated embodiment also on an inner wall of the second recess 8 and is guided to the underside of the substrate plate 1.
  • the second contact surface 5 is not guided to the bottom of the substrate ⁇ plate 1. Moreover, it is opposite to the second contact surface 5 is formed in Be ⁇ train on the first contact surface 4, a third contact surface 6 on the upper side 3 of the substrate plate. 1
  • the third contact surface 6 is arranged in the illustrated embodiment ⁇ example mirror-symmetrical to the second contact surface 5 with respect to the first contact surface 4 and savedbil ⁇ det.
  • the third contact surface 6 extends to a third recess 9. In the illustrated embodiment, the third contact surface 6 extends along an inner wall of the third recess 9 to a lower side of the substrate plate 1.
  • the third contact surface 6 and the third recess 9 are dispensed with.
  • a plurality of units 10 with a first, second and third recess 7, 8, 9 and with a first, second and third contact surface 4, 5, 6 are formed on the substrate plate 1, a plurality of units 10 with a first, second and third recess 7, 8, 9 and with a first, second and third contact surface 4, 5, 6 are formed on the substrate plate 1, a plurality of units 10 with a first, second and third recess 7, 8, 9 and with a first, second and third contact surface 4, 5, 6 are formed.
  • the units 10 are arranged in a fixed grid, wherein in the illustrated embodiment, the distances between the recesses 7, 8, 9 are the same size in an x-direction and are equal in a y-direction.
  • the x and y directions are perpendicular to one another and are shown in FIG.
  • the distances between the AusEnglishun ⁇ gene in the y-direction are larger than in the x-direction.
  • contact surfaces 4, 5, 6 extend parallel to the y-axis.
  • the graduated design of the second and the third contact surface 5, 6 provides for a saving of Maismate ⁇ rial for the formation of the contact surfaces 5, 6.
  • later breaking edges 19 are shown in the form of lines.
  • Fig. 2 shows the arrangement of Fig. 1, wherein on the first contact surfaces 4 each have a semiconductor laser 11 is applied.
  • the semiconductor lasers 11 are arranged with a first end 12 at least partially over a first recess 7.
  • the first end 12 has the side surface of the semiconductor laser 11, on which electromagnetic radiation is emitted.
  • a mirror is formed, which allows a reflection of the laser radiation.
  • the semiconductor laser 11 projects beyond an edge region of the upper side 3 of the substrate plate 1, as can be seen particularly clearly on the lower row of the semiconductor laser 11 in FIG. 2.
  • the semiconductor laser 11 can also be arranged in such a way that the first end 12, via which electromagnetic radiation is emitted by the semiconductor laser 11, is also arranged above a first recess 7 of an adjacent unit 10.
  • FIG. 3 shows a detail of a lower side 14 of a substrate plate 1. In this case, electrically conductive contact strips are used
  • first contact strip 15 is electrically conductively connected via the first recesses 7, each having a first contact surface 4.
  • the contact strips 15 may be made of the same material as the first contact surfaces 4.
  • the second contact strips 16 are electrically connected via second recesses 8 with the second contact surfaces 5 in connection.
  • the third contact strips 17 are electrically conductively connected via the third recesses 9 to the third contact surfaces 6.
  • the contact surfaces 4, 5, 6 and the contact strips 15, 16, 17 can be applied by means of a deposition method to the upper side 3, into the recesses 7, 8, 9 or onto the lower side 14 of the substrate plate 1.
  • the semiconductor lasers 11 are mounted, for example, with a p-side on the substrate plate 1.
  • the semiconductor lasers 11 have an active region located near the surface of the p-side of the semiconductor laser.
  • ⁇ sondere at a p-down mounting to ensure that a emitted from the semiconductor laser 11 electromagnetic Strah ⁇ lung not by adjacent materials, such as will be affected, for example, an upper surface of the substrate plate 1 or a contact surface in the spread.
  • the advantage of the unimpaired radiation of the electromagnetic radiation can also be achieved independently of the shape and the arrangement of the contact surfaces 4, 5, 6 by means of the first recess 7.
  • the contact surfaces 4, 5, 6 and the contact strips 15, 16, 17 are for example made of a metal layer which on the upper side 3 of the substrate plate 1, on the inner sides of the recesses 7, 8, 9 and on the underside 14 of the substrate plate applied, in particular vapor-deposited.
  • the semiconductor lasers 11 are fixed, for example, by means of gluing, silver sintering or with a eutectic gold / tin solder on the upper side 3 of the substrate plate 1, in particular fastened to the first contact surfaces 4.
  • crushing trench 18 are introduced into the bottom 14. These can ⁇ example, be produced using a scoring process or by using a laser beam. Depending can be dispensed with the refractive trench 18 on the selected embodiment, when the substrate plate 1 is divided, for example, using a saw ⁇ process into individual substrates having at least a semi-conductor laser ⁇ . 11
  • Fig. 4 shows a perspective view of a portion of a substrate plate 1, which is formed in the shape of a ⁇ L Lucas union bolt with a plurality of units 10.
  • the subsection is z. B. made by sawing or breaking the substrate plate 1.
  • the units 10 are arranged in a row and mechanically connected to each other. Between the units 10 desired break edges 19 are shown as lines.
  • On the underside 14 of the substrate plate te 1 are formed along the desired breaking edges 19 crushing trench 18.
  • a breaking tool 20 with a breaking edge along the desired breaking edge 19 is placed on the upper side 3 of the substrate plate 1.
  • the breaking tool 20 is shown only schematically in the form of a pointed triangle.
  • the sub ⁇ stratplatte 1 is pressed by means of two pressure plates 21, 22 up against the crushing tool 20.
  • the substrate ⁇ plate 1 is broken into the desired units 10.
  • the portion of the substrate ⁇ plate 1 can be produced.
  • Fig. 5 shows a substrate 23 with a semiconductor laser 11, which has been separated from the substrate plate of Figures 2 to 4. It can be clearly seen that a side surface 24 of the semiconductor laser 11, via which the electromagnetic radiation is emitted by the semiconductor laser 11, is arranged above a first recess 7. Thus, the electro-magnetic radiation may be ⁇ undisturbed strates from the top of sub 23 emitted from the semiconductor laser. 11 Depending on the selected embodiment, the lateral projection between the area of the side surface 24 through which the electromagnetic radiation is emitted and the upper ⁇ page 3 of the substrate 23 may for example be in the range between 0.1 and 20 .mu.m or more. In the embodiment shown in Fig.
  • the side surface 24 of the Halbleiterla ⁇ sers 11 is disposed over the first recess 7, in which also the first contact surface 4 is guided.
  • a first bonding wire 25 is provided, which connects a second 37 electrical connections circuit of the semiconductor laser 11 with the second contact surface 5 ⁇ electrically conductive.
  • a second bonding wire 26 is provided, which connects the second electrical terminal 37 of the semiconductor laser 11 with the third contact surface 6 ⁇ electrically conductive.
  • a first electrical connection 36 of the semiconductor laser 11 is via the first contact surface 4 and a speaking on the bottom of the semiconductor laser 11 out ⁇ formed electrical contact electrically contacted.
  • FIG. 6 shows a further embodiment of a substrate 23, which is essentially constructed according to the embodiment of FIG. 5, but the side surface 24 which emits the electromagnetic radiation of the semiconductor laser 11 is arranged opposite to the embodiment of FIG.
  • the side surface 24 is arranged over a further first recess 7, to which the first con ⁇ tact surface 4 is not performed.
  • the further first recess 7 is arranged opposite the first recess 7.
  • the substrate 23 has two opposite longitudinal sides 28, 29, wherein on each longitudinal side 28, 29 in each case three recesses 7, 8, 9 are introduced.
  • the three recesses 7, 8, 9 extend from the upper side 3 of the substrate 23 to the lower side 14 of the substrate 23.
  • the recesses 7, 8, 9 are in the form of half-cylinders, which are aligned perpendicular to the upper side 3. In addition, the recesses 7, 8, 9 have the same shape. Furthermore, the distance Zvi ⁇ rule is the one longitudinal side recesses 28, 29 of equal size. The recesses 7, 8, 9 of the two longitudinal sides 28, 29 are identical. The recesses 7, 8, 9 of the second longitudinal side 29 are covered on the inside with an electrically conductive contact surface 34. In addition, the contact surfaces 34 of the oppositely arranged recesses of the two longitudinal sides 28, 29 are connected to one another via the arranged on the bottom contact strips 15, 16, 17, as can be seen with reference to FIG.
  • the first contact surface 4 is not guided up to the first recess 7 of the second longitudinal side 29.
  • the side surface 24 of the Halbleitla ⁇ sers 11 have a lesser projection to the inside of the first recess 7, since the top 3 adjacent to the first recess 7 of the second longitudinal side 29 is not covered with a contact surface.
  • the risk of contamination Ver ⁇ the side surface 24 is formed by material of the first con- 4 reduced in this embodiment.
  • the contamination can Ver ⁇ clock face 4 made, for example during the assembly of the semi-conductor laser ⁇ 11, ie in the mechanical and the electrical connection to the substrate 3 or to the first con-.
  • FIG. 6 shows a view of the second longitudinal side 29.
  • FIG. 8 shows an arrangement with a substrate 23, which is designed according to the embodiments of FIGS. 5 or 6 and mounted with the underside 14 on a carrier 30 is.
  • Fig. 8 shows the substrate 23 facing the first longitudinal side ⁇ 28.
  • the carrier 30 has a first, second and third parties th further electrical contact 31, 32, 33 on the upper side.
  • the first, second and third further electrical con ⁇ tact 31, 32, 33 may be formed, for example in the form of a Maisflä ⁇ che.
  • the second contact strip 16 which is formed on the bottom side 14 of the substrate 23 and is electrically connected to the second Kon ⁇ clock area 5, rests on the second further electrical contact 32nd
  • the third contact ⁇ strip 17, which is ⁇ arranged on the bottom side 14 of the substrate 23 and conductively connected to the third contact surface 6 ver ⁇ connected is rests on the third further electrical contact 33rd
  • the substrate 23 via an appropriate mechanical connection of Kon can ⁇ timing strip 15, 16, 17 with the further electrical contacting th 31, 32, 33 are mounted on the carrier 30.
  • a further bonding layer in particular an adhesive layer between the bottom side 14 of the substrate 23 and the top of the beam 30 may be dependent or additionally formed to the substrate 23 mechanically Fixed To ⁇ gene on the carrier 30th
  • FIG. 9 shows a further embodiment in which a substrate 23 according to the embodiment of FIG. 6 with the first longitudinal side 28 is fastened on an upper side of a carrier 30.
  • the first additional electrical contact 31 of the carrier 30 with the first contact surface 4 is electrically connected in the first off ⁇ recess. 7
  • the third further electrical contact 33 is electrically conductively connected to the third contact surface 6 of the third recess 9.
  • the side surface 24 of the semiconductor laser 11 projects beyond the edge region of the first recess 7, which is formed on the second longitudinal side 29.
  • the semiconductor laser 11 radiates opposite to the carrier 30, the elec ⁇ romagnetician radiation.
  • the semiconductor laser 11 may also be mounted so that the side surface 24 is disposed on the side of the carrier 30, but in this embodiment, the semiconductor laser 11 must be arranged offset in height to the carrier 30 so that the electromagnetic Radiation of the semiconductor laser 11 can be radiated over the carrier 30 away.
  • the substrate 23 with a semiconductor laser shows an embodiment of a substrate 23 with a semiconductor laser, the first, second and third recesses 7, 8, 9 also being in the form of a recess, but not guided to the underside 14 of the substrate 23.
  • the advantages described for the mounting of the semiconductor laser 11 be used.
  • the side surface 24 of the half- ⁇ -conductor laser 11, which emits the electromagnetic radiation through to the first longitudinal side 28 in the first recess 7 relative to the substrate 23, in which the first contact surface 4 is guided, as shown in Fig. 5 is.
  • the semiconductor laser 11 can also survive in this embodiment on the first recess 7 of the second longitudinal side 29, in which not the first contact surface 4 of the semi ⁇ conductor laser 11 is guided, as shown in Fig. 6.
  • FIG. 11 shows, in a schematic sketch, the lateral distance 35 which the side surface 24, which emits the laser radiation, has from the first recess 7.
  • the recesses 7, 8, 9 shown in the figures have a circular cross-section.
  • other cross-sections, in particular the first recess, a different cross-section as the second recess and the second recess may have a different cross-section as the third recess.
  • a substrate 23 isolated from the substrate plate 1 can also have a plurality of semiconductor lasers 11 and correspondingly a plurality of first, second, third recesses 7, 8, 9 and corresponding first, second and third contact surfaces 4, 5, 6.
  • the semiconductor laser 11 may face the substrate 23 or the substrate plate 1 with its p-side.
  • the active region which is arranged closer to the p-side than to the n-side of the semiconductor laser 11, is arranged closer to the upper side 3 of the substrate plate 1 or to the upper side 3 of the substrate 23.
  • the semiconductor laser 11 which is formed, for example, in the form of laser diodes
  • the formation of the contact surfaces 4, 5, 6 in the first, second and third recesses 7, 8, 9 can be dispensed with. It is particularly possible if the substrate 23 with the first longitudinal side 28 is mounted on the carrier 30.

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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Substrat (23) und einem Halbleiterlaser (11), wobei das Substrat eine Oberseite (3), Seitenflächen (28, 29) und eine Unterseite (14) aufweist, wobei wenigstens eine erste Ausnehmung (7) in die Oberseite eingebracht ist, wobei der Halbleiterlaser in der Weise auf der Oberseite des Substrates angeordnet ist, dass ein Bereich der Seitenfläche (24) des Halbleiterlasers, über den elektromagnetische Strahlung abgegeben wird, über der ersten Ausnehmung angeordnet ist. Ein Vorteil der vorgeschlagenen Anordnung besteht darin, dass die vom Halbleiterlaser abgegebene elektromagnetische Strahlung weniger von dem Substrat beeinflusst wird. Eine Kontaktfläche (4) für einen elektrischen Anschluss (36) des Halbleiterlasers kann von der Oberseite des Substrates über die erste Ausnehmung bis zur Unterseite des Substrates geführt werden, so dass der elektrische Anschluss des Halbleiterlasers über die Unterseite des Substrates elektrisch kontaktiert werden kann.

Description

ANORDNUNG MIT EINEM SUBSTRAT UND EINEM HALBLEITERLASER
BESCHREIBUNG Die Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Substrat und mit einem Halbleiterlaser gemäß Patentanspruch 1 und ein Ver- fahren zur Herstellung der Anordnung gemäß Patentanspruch 12.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2015 106 712.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Im Stand der Technik ist es beispielsweise aus
EP 1 792 373 Bl bekannt, einen Halbleiterlaser auf einem Träger zu montieren. Die Herstellung ist relativ aufwändig.
Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Anordnung mit einem Substrat und einem Laser bereitzustellen, die einfach und kostengünstig hergestellt werden kann.
Die Aufgabe wird durch die Ansprüche 1 und 12 gelöst.
Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben .
Ein Vorteil der vorgeschlagenen Anordnung besteht darin, dass die vom Halbleiterlaser abgegebene elektromagnetische Strah¬ lung weniger von dem Substrat beeinflusst wird. Dies wird dadurch erreicht, dass der Bereich des Halbleiterlasers, der die elektromagnetische Strahlung abgibt, über einer ersten Ausnehmung des Substrates angeordnet ist. Dabei weist die Seitenfläche des Halbleiterlasers in dem Bereich, in dem die elektromagnetische Strahlung abgegeben wird, einen Überstand gegenüber der Oberseite des Substrates auf. Das Substrat weist die erste Ausnehmung auf, die in die Oberseite des Sub¬ strates eingebracht ist. Durch die Ausnehmung steht mehr Freiraum für die elektromagnetische Strahlung zur Verfügung. Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben .
In einer Ausführungsform ist die erste Ausnehmung angrenzend an eine Seitenfläche des Substrates eingebracht, wobei die erste Ausnehmung seitlich an der Seitenfläche offen ist. Somit ist ein vergrößerter Freiraum zur Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung bereitgestellt. In einer weiteren Ausführungsform ist eine erste Kontaktfläche auf der Oberseite des Substrates ausgebildet, wobei sich die erste Kontaktfläche von der Oberseite wenigstens bis in die erste Ausnehmung erstreckt, und wobei ein erster elektrischer Anschluss des Halbleiterlasers mit der ersten Kontakt- fläche verbunden ist. Auf diese Weise ist eine erhöhte Fle¬ xibilität beim Anschluss des ersten elektrischen Kontaktes des Halbleiterlasers an einen Kontakt eines Trägers gegeben. Zudem ist die elektrische Kontaktierung des Halbleiterlasers durch die erste Kontaktfläche auf einfache Weise und zuver- lässig möglich.
In einer weiteren Ausführungsform erstreckt sich die erste Ausnehmung von der Oberseite des Substrates bis zur Untersei¬ te des Substrates. Zudem ist die erste Kontaktfläche von der Oberseite des Substrates über die erste Ausnehmung bis zur Unterseite des Substrates geführt. Somit kann der erste elektrische Anschluss des Halbleiterlasers über die Untersei¬ te des Substrates elektrisch kontaktiert werden. Damit ist eine einfache Montage und Kontaktierung des Halbleiterlasers über einen Träger möglich.
In einer weiteren Ausführungsform ist wenigstens eine zweite Ausnehmung in die Oberseite eingebracht, wobei die zweite Ausnehmung an eine Seitenfläche des Substrates angrenzt und/oder von der Oberseite des Substrates bis zur Unterseite des Substrates geführt ist. Zudem ist eine zweite Kontaktflä¬ che auf der Oberseite des Substrates ausgebildet, wobei sich die zweite Kontaktfläche von der Oberseite des Substrates we- nigstens bis in die zweite Ausnehmung erstreckt. Zudem ist ein zweiter elektrischer Anschluss des Halbleiterlasers mit der zweiten Kontaktfläche verbunden. Somit ist eine einfache und zuverlässige elektrische Kontaktierung des zweiten elektrischen Anschlusses des Halbleiterlasers gegeben, wobei zudem eine einfache und sichere Montage und elektrische Kon¬ taktierung des zweiten elektrischen Kontaktes des Halbleiterlasers über eine entsprechende Montage des Substrates über die Seitenfläche oder über die Unterseite möglich ist.
In einer weiteren Ausführungsform erstreckt sich die zweite Ausnehmung von der Oberseite des Substrates bis zur Untersei¬ te des Substrates und die zweite Kontaktfläche ist von der Oberseite des Substrates über die zweite Ausnehmung bis zur Unterseite des Substrates geführt. Damit kann eine einfache elektrische Kontaktierung des zweiten elektrischen Anschlusses des Halbleiterlasers über die Unterseite des Substrates erfolgen . In einer weiteren Ausführung ist wenigstens eine dritte Aus¬ nehmung in die Oberseite des Substrates eingebracht, wobei die dritte Ausnehmung an eine Seitenfläche des Substrates an¬ grenzt oder von der Oberseite des Substrates bis zur Unter¬ seite des Substrates geführt ist. Zudem ist eine dritte Kon- taktfläche auf der Oberseite des Substrates ausgebildet, wo¬ bei sich die dritte Kontaktfläche wenigstens bis in die drit¬ te Ausnehmung erstreckt, und wobei die dritte Kontaktfläche mit dem zweiten elektrischen Anschluss des Halbleiterlasers verbunden ist. Auf diese Weise wird eine Reduzierung der elektrischen Impedanz des Halbleiterlasers erreicht.
In einer weiteren Ausführungsform ist das Substrat mit der Seitenfläche, an der die erste Ausnehmung ausgebildet ist, auf einem Träger montiert. Zudem weist der Träger einen wei- teren ersten elektrischen Kontakt auf, der mit der ersten
Kontaktfläche elektrisch leitend, insbesondere direkt mecha¬ nisch verbunden ist. Somit wird eine einfache Montage der An¬ ordnung auf einem Träger ermöglicht, wobei gleichzeitig ein einfacher und sicherer elektrischer Kontakt zwischen dem Träger und dem ersten elektrischen Anschluss des Halbleiterla¬ sers hergestellt wird. In einer weiteren Ausführungsform weist der Träger einen zweiten weiteren elektrischen Kontakt auf, wobei die zweite Kontaktfläche des Substrates mit dem zweiten weiteren
elektrischen Kontakt des Trägers elektrisch leitend verbunden ist, insbesondere direkt mechanisch verbunden ist. Somit wird auch der zweite elektrische Anschluss des Halbleiterlasers auf einfache und zuverlässige Weise mit einem zweiten weite¬ ren elektrischen Kontakt des Trägers elektrisch leitend verbunden . Abhängig von der gewählten Ausführungsform weist der Träger einen dritten weiteren elektrischen Kontakt auf, wobei die dritte Kontaktfläche des Substrates mit dem dritten weiteren elektrischen Kontakt des Trägers elektrisch leitend verbunden ist, insbesondere direkt mechanisch verbunden ist. Somit wird auch die dritte Kontaktfläche auf einfache und zuverlässige Weise mit dem dritten weiteren elektrischen Kontakt des Trägers elektrisch und/oder insbesondere mechanisch verbunden.
Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die erste, die zweite und/oder die dritte Ausnehmung in Form eines Lo¬ ches oder in Form eines in Längsrichtung seitlich geöffneten Loches in dem Substrat ausgebildet sein. Die Ausbildung eines Loches kann mit einfachen Mitteln kostengünstig hergestellt werden. Das Loch kann von der Oberseite bis zur Unterseite des Substrates geführt sein.
Das vorgeschlagene Verfahren weist den Vorteil auf, dass die Anordnung mit dem Substrat und mit dem Halbleiterlaser einfach hergestellt werden kann. Dies wird dadurch erreicht, dass eine Substratplatte bereitgehalten wird, die mehrere
Ausnehmungen aufweist. Zudem werden mehrere Halbleiterlaser auf die Substratplatte in der Weise montiert, dass die Halb¬ leiterlaser mit einem Bereich der Seitenfläche, der die elektromagnetische Strahlung abgibt, jeweils über der ersten Ausnehmung angeordnet sind. Anschließend wird die Substrat¬ platte in Substrate mit wenigstens einem Halbleiterlaser auf¬ geteilt. Mithilfe des beschriebenen Verfahrens wird die Zeit zur Herstellung eines Substrates mit wenigstens einem Halb¬ leiterlaser gegenüber einer Einzelmontage eines Halbleiterla¬ sers auf einem Substrat verkürzt und vereinfacht.
In einer weiteren Ausführung des Verfahrens werden mehrere voneinander getrennte erste Kontaktflächen auf die Oberseite der Substratplatte in der Weise aufgebracht, dass sich die ersten Kontaktflächen von der Oberseite der Substratplatte bis in eine zugeordnete erste Ausnehmung erstrecken. Zudem werden erste elektrische Anschlüsse der Halbleiterlaser mit jeweils einer ersten Kontaktfläche elektrisch leitend verbun¬ den, insbesondere werden die Halbleiterlaser auf erste Kontaktflächen aufgesetzt und dabei erste elektrische Anschlüsse der Halbleiterlaser direkt mechanisch und elektrisch mit den ersten Kontaktflächen verbunden. Damit ist eine einfache und zuverlässige elektrische Kontaktierung des Halbleiterlasers gegeben .
In einer weiteren Ausführung des Verfahrens wird das Substrat mit der Seitenfläche, an der die erste Ausnehmung angrenzt, oder mit der Unterseite auf einem Träger angeordnet. Der Trä¬ ger weist einen ersten weiteren elektrischen Kontakt auf, wobei die erste Kontaktfläche des Substrates mit dem ersten weiteren elektrischen Kontakt des Trägers elektrisch leitend, insbesondere direkt mechanisch verbunden wird. Damit wird ei- ne einfache und zuverlässige Montage des Substrates auf dem
Träger erreicht, wobei zudem eine sichere elektrische Kontak¬ tierung zwischen der ersten Kontaktfläche des Substrates und einer ersten weiteren elektrischen Kontaktfläche des Trägers erreicht wird.
In einer weiteren Ausführungsform wird die Substratplatte mithilfe eines Brechvorganges in die einzelnen Substrate auf¬ geteilt. Dabei wird abhängig von der gewählten Ausführungs- form auf einer Unterseite der Substratplatte eine Sollbruch¬ kante mithilfe eines Lasers eingebracht. Anschließend wird die Substratplatte entlang der Sollbruchkante gebrochen. So¬ mit wird ein einfaches und zuverlässiges Verfahren zum Auf- teilen der Substratplatte in einzelne Substrate bereitge¬ stellt.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
Fig. 1 einen Teilausschnitt einer Substratplatte,
Fig. 2 einen Teilausschnitt der Substratplatte mit Halb¬ leiterlasern,
Fig. 3 eine Ansicht auf eine Unterseite der Substratplatte, Fig. 4 eine perspektivische Seitenansicht eines Teilabschnit¬ tes der Substratplatte,
Fig. 5 ein Substrat mit einem Halbleiterlaser,
Fig. 6 ein weiteres Substrat mit einem Halbleiterlaser, Fig. 7 die Anordnung von Fig. 6 mit Blick auf die zweite Längsseite,
Fig. 8 einen Träger mit einem Substrat mit Halbleiterlaser, Fig. 9 einen Träger mit einem Substrat mit einem Halbleiterlaser,
Fig. 10 ein weiteres Substrat mit einem Halbleiterlaser und Fig. 11 eine Prinzipskizze für den seitlichen Überstand des Halbleiters gegenüber dem Substrat
darstellt.
Fig. 1 zeigt in einer schematischen Darstellung einen Ausschnitt einer Substratplatte 1, die aus einem elektrisch iso¬ lierenden Material hergestellt ist. Die Substratplatte 1 kann beispielsweise aus Aluminiumnitrit, Silicium, Siliciumcarbid oder Aluminiumoxid hergestellt sein. Die Substratplatte 1 weist Ausnehmungen 7, 8, 9 auf. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Ausnehmungen 7, 8, 9 von einer Ober- seite 3 bis zu einer Unterseite der Substratplatte 1 hin¬ durchgeführt und in Form von durchgehenden Löchern ausgebildet. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können die Ausnehmungen 7, 8, 9 auch nur bis zu einer festgelegten Tiefe in die Oberseite 3 der Substratplatte 1 eingebracht sein und nicht bis zur Unterseite der Substratplatte 1 ausgebildet sein. Weiterhin weist die Substratplatte 1 auf der Oberseite 3 eine erste Kontaktfläche 4, eine zweite Kontaktfläche 5 und eine dritte Kontaktfläche 6 auf. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auf die Kontaktflächen 4, 5, 6 verzichtet werden oder die Kontaktflächen 4, 5, 6 können in anderer Form ausgebildet sein. Die erste Kontaktfläche 4 ist als längliche, rechteckförmige Fläche auf der Oberseite 3 ausge¬ bildet und bis zu einer ersten Ausnehmung 7 geführt. Zudem ist die erste Kontaktfläche 4 in der dargestellten Ausfüh¬ rungsform auch auf einer Innenseite der ersten Ausnehmung 7 ausgebildet und bis zur Unterseite der Substratplatte 1 ge¬ führt. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann es ausreichend sein, wenn sich die erste Kontaktfläche 4 bis in die erste Ausnehmung 7 erstreckt. Insbesondere bei der Aus¬ führungsform der ersten Ausnehmung 7 in Form eines Sackloches ist die erste Kontaktfläche 4 nicht bis zur Unterseite der Substratplatte 1 geführt. Neben der ersten Kontaktfläche 4 ist eine zweite Kontaktflä¬ che 5 auf der Oberseite 3 der Substratplatte 1 angeordnet. Die zweite Kontaktfläche 5 ist in der dargestellten Ausfüh¬ rungsform als abgestufter Streifen ausgebildet, der parallel zur Längsrichtung der ersten Kontaktfläche 4 angeordnet ist. Die zweite Kontaktfläche 5 ist mit dem breiteren Streifenab¬ schnitt bis zu einer zweiten Ausnehmung 8 geführt, wobei die zweite Kontaktfläche 5 in der dargestellten Ausführungsform auch an einer Innenwand der zweiten Ausnehmung 8 ausgebildet ist und bis zur Unterseite der Substratplatte 1 geführt ist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann es ausreichen, wenn sich die zweite Kontaktfläche 5 bis in die zweite Ausnehmung 8 erstreckt, jedoch nicht bis zur Unterseite der Substratplatte 1 geführt ist. Insbesondere bei der Ausführung der zweiten Ausnehmung 8 in Form eines Sackloches ist die zweite Kontaktfläche 5 nicht bis zur Unterseite der Substrat¬ platte 1 geführt. Zudem ist gegenüberliegend zur zweiten Kontaktfläche 5 in Be¬ zug auf die erste Kontaktfläche 4 eine dritte Kontaktfläche 6 auf der Oberseite 3 der Substratplatte 1 ausgebildet. Die dritte Kontaktfläche 6 ist in dem dargestellten Ausführungs¬ beispiel spiegelsymmetrisch zur zweiten Kontaktfläche 5 in Bezug auf die erste Kontaktfläche 4 angeordnet und ausgebil¬ det. Zudem erstreckt sich die dritte Kontaktfläche 6 bis zu einer dritten Ausnehmung 9. In dem dargestellten Ausführungsbeispiel erstreckt sich die dritte Kontaktfläche 6 entlang einer Innenwand der dritten Ausnehmung 9 bis auf eine Unter- seite der Substratplatte 1. Abhängig von der gewählten Aus¬ führungsform kann auf die dritte Kontaktfläche 6 und auf die dritte Ausnehmung 9 verzichtet werden. Auf der Substratplatte 1 sind eine Vielzahl von Einheiten 10 mit einer ersten, zweiten und dritten Ausnehmung 7, 8, 9 und mit einer ersten, zweiten und dritten Kontaktfläche 4, 5, 6 ausgebildet. Die Einheiten 10 sind in einem festgelegten Raster angeordnet, wobei in dem dargestellten Ausführungsbeispiel die Abstände zwischen den Ausnehmungen 7, 8, 9 in einer x-Richtung gleich groß sind und in einer y-Richtung gleich groß sind. Die x- und die y-Richtung stehen senkrecht aufeinander und sind in Fig. 1 eingezeichnet. Zudem sind die Abstände der Ausnehmun¬ gen in der y-Richtung größer als in der x-Richtung. Weiterhin erstrecken sich die Kontaktflächen 4, 5, 6 parallel zur y- Achse. Die abgestufte Ausbildung der zweiten und der dritten Kontaktfläche 5, 6 sorgt für eine Einsparung von Kontaktmate¬ rial für die Ausbildung der Kontaktflächen 5, 6. Weiterhin sind spätere Bruchkanten 19 in Form von Linien dargestellt.
Fig. 2 zeigt die Anordnung der Fig. 1, wobei auf den ersten Kontaktflächen 4 jeweils ein Halbleiterlaser 11 aufgebracht ist. Die Halbleiterlaser 11 sind mit einem ersten Ende 12 wenigstens teilweise über einer ersten Ausnehmung 7 angeordnet. Das erste Ende 12 weist die Seitenfläche des Halbleiterlasers 11 auf, über die elektromagnetische Strahlung abgestrahlt wird. An dem gegenüberliegenden zweiten Ende 13 ist ein Spiegel ausgebildet, der eine Reflexion der Laserstrahlung ermöglicht. Somit steht das erste Ende 12 des Halbleiterlasers 11 über einen Randbereich der Oberseite 3 der Substratplatte 1 über, wie besonders deutlich an der unteren Reihe der Halbleiterlaser 11 in Fig. 2 zu erkennen ist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch die Halbleiterlaser 11 in der Weise angeordnet sein, dass das erste Ende 12, über das elektromagnetische Strahlung vom Halbleiterlaser 11 abgegeben wird, auch über einer ersten Ausnehmung 7 einer benachbarten Einheit 10 angeordnet ist.
Fig. 3 zeigt einen Ausschnitt einer Unterseite 14 einer Sub- stratplatte 1. Dabei sind elektrisch leitende Kontaktstreifen
15, 16, 17 angeordnet, wobei der erste Kontaktstreifen 15 über die ersten Ausnehmungen 7 mit jeweils einer ersten Kontaktfläche 4 elektrisch leitend verbunden ist. Insbesondere können die Kontaktstreifen 15 aus dem gleichen Material wie die ersten Kontaktflächen 4 sein. Die zweiten Kontaktstreifen 16 stehen über zweite Ausnehmungen 8 mit den zweiten Kontaktflächen 5 elektrisch leitend in Verbindung.
Die dritten Kontaktstreifen 17 stehen über die dritten Aus- nehmungen 9 mit den dritten Kontaktflächen 6 elektrisch leitend in Verbindung. Insbesondere sind die Kontaktstreifen 15,
16, 17 aus dem gleichen Material wie die Kontaktflächen 4, 5, 6 hergestellt. Beispielsweise können die Kontaktflächen 4, 5, 6 und die Kontaktstreifen 15, 16, 17 mithilfe eines Abschei- deverfahrens auf die Oberseite 3, in die Ausnehmungen 7, 8, 9 bzw. auf die Unterseite 14 der Substratplatte 1 aufgebracht werden .
Die Halbleiterlaser 11 sind beispielsweise mit einer p-Seite auf die Substratplatte 1 montiert. Die Halbleiterlaser 11 weisen eine aktive Zone auf, die nahe an der Oberfläche der p-Seite des Halbleiterlasers angeordnet ist. Damit ist insbe¬ sondere bei einer p-down-Montage dafür zu sorgen, dass eine vom Halbleiterlaser 11 abgestrahlte elektromagnetische Strah¬ lung nicht durch angrenzende Materialien, wie z.B. eine Oberseite der Substratplatte 1 oder eine Kontaktfläche in der Ausbreitung beeinträchtigt wird.
Der Vorteil der unbeeinträchtigten Abstrahlung der elektromagnetischen Strahlung kann auch unabhängig von der Form und der Anordnung der Kontaktflächen 4, 5, 6 mithilfe der ersten Ausnehmung 7 erreicht werden.
Die Kontaktflächen 4, 5, 6 und die Kontaktstreifen 15, 16, 17 sind beispielsweise aus einer Metallschicht hergestellt, die auf die Oberseite 3 der Substratplatte 1, auf die Innenseiten der Ausnehmungen 7, 8, 9 und auf die Unterseite 14 der Sub- stratplatte aufgebracht, insbesondere aufgedampft ist.
Die Halbleiterlaser 11 werden beispielsweise mittels Kleben, Silbersintern oder mit einem eutektischen Gold-/Zinnlot auf der Oberseite 3 der Substratplatte 1 befestigt, insbesondere mit den ersten Kontaktflächen 4 befestigt.
Auf der Unterseite 14 der Substratplatte 1 sind Brechgraben 18 in die Unterseite 14 eingebracht. Diese können beispiels¬ weise mithilfe eines Ritzvorganges oder mithilfe eines Laser- Strahls hergestellt werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auf die Brechgraben 18 verzichtet werden, wenn die Substratplatte 1 beispielsweise mithilfe eines Säge¬ verfahrens in einzelne Substrate mit wenigstens einem Halb¬ leiterlaser 11 unterteilt wird.
Fig. 4 zeigt in einer perspektivischen Darstellung einen Teilabschnitt einer Substratplatte 1, die in Form eines läng¬ lichen Riegels mit mehreren Einheiten 10 ausgebildet ist. Der Teilabschnitt ist z. B. durch Sägen oder Brechen der Sub- stratplatte 1 hergestellt worden. Die Einheiten 10 sind in einer Reihe angeordnet und miteinander mechanisch verbunden. Zwischen den Einheiten 10 sind gewünschte Bruchkanten 19 als Linien dargestellt. Auf der Unterseite 14 der Substratplat- te 1 sind entlang der gewünschten Bruchkanten 19 Brechgraben 18 ausgebildet. Zum Brechen der Substratplatte 1 wird ein Brechwerkzeug 20 mit einer Brechkante entlang der gewünschten Bruchkante 19 auf die Oberseite 3 der Substratplatte 1 aufge- legt. Das Brechwerkzeug 20 ist nur schematisch in Form eines spitzen Dreieckes dargestellt. Anschließend wird die Sub¬ stratplatte 1 mithilfe von zwei Druckplatten 21, 22 nach oben gegen das Brechwerkzeug 20 gedrückt. Somit wird die Substrat¬ platte 1 in die gewünschten Einheiten 10 gebrochen. Auf die gleiche Weise kann auch der Teilabschnitt aus der Substrat¬ platte 1 hergestellt werden.
Fig. 5 zeigt ein Substrat 23 mit einem Halbleiterlaser 11, der aus der Substratplatte der Figuren 2 bis 4 vereinzelt wurde. Es ist deutlich zu erkennen, dass eine Seitenfläche 24 des Halbleiterlasers 11, über die die elektromagnetische Strahlung vom Halbleiterlaser 11 abgegeben wird, über einer ersten Ausnehmung 7 angeordnet ist. Somit kann die elektro¬ magnetische Strahlung ungestört von der Oberseite des Sub- strates 23 vom Halbleiterlaser 11 ausgesendet werden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann der seitliche Überstand zwischen dem Bereich der Seitenfläche 24, über den die elektromagnetische Strahlung abgegeben wird und der Ober¬ seite 3 des Substrates 23 beispielsweise im Bereich zwischen 0,1 und 20 ym oder mehr liegen. In der in Fig. 5 dargestellten Ausführungsform ist die Seitenfläche 24 des Halbleiterla¬ sers 11 über der ersten Ausnehmung 7 angeordnet, in die auch die erste Kontaktfläche 4 geführt ist. Zudem ist ein erster Bonddraht 25 vorgesehen, der einen zweiten elektrischen An- schluss 37 des Halbleiterlasers 11 mit der zweiten Kontakt¬ fläche 5 elektrisch leitend verbindet. Weiterhin ist ein zweiter Bonddraht 26 vorgesehen, der den zweiten elektrischen Anschluss 37 des Halbleiterlasers 11 mit der dritten Kontakt¬ fläche 6 elektrisch leitend verbindet. Wie bereits oben aus- geführt, kann auch auf den zweiten Bonddraht 26 verzichtet werden. Ein erster elektrischer Anschluss 36 des Halbleiterlasers 11 ist über die erste Kontaktfläche 4 und einen ent- sprechend auf der Unterseite des Halbleiterlasers 11 ausge¬ bildeten elektrischen Kontakt elektrisch kontaktiert.
Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Substrates 23, die im Wesentlichen gemäß der Ausführungsform der Fig. 5 aufgebaut ist, wobei jedoch die Seitenfläche 24, die die elektromagnetische Strahlung des Halbleiterlasers 11 abgibt, gegenüberliegend zu der Ausführungsform der Fig. 5 angeordnet ist. Bei dieser Ausführung ist die Seitenfläche 24 über eine weitere erste Ausnehmung 7 angeordnet, zu der die erste Kon¬ taktfläche 4 nicht geführt ist. Die weitere erste Ausnehmung 7 ist gegenüberliegend zur ersten Ausnehmung 7 angeordnet. Das Substrat 23 weist zwei gegenüberliegende Längsseiten 28, 29 auf, wobei an jeder Längsseite 28, 29 jeweils drei Ausneh- mungen 7, 8, 9 eingebracht sind. Die drei Ausnehmungen 7, 8, 9 erstrecken sich von der Oberseite 3 des Substrates 23 bis zur Unterseite 14 des Substrates 23. Die Ausnehmungen 7, 8, 9 sind in Form von Halbzylindern ausgebildet, die senkrecht zur Oberseite 3 ausgerichtet sind. Zudem weisen die Ausnehmungen 7, 8, 9 die gleiche Form auf. Weiterhin ist der Abstand zwi¬ schen den Ausnehmungen einer Längsseite 28, 29 gleich groß. Die Ausnehmungen 7, 8, 9 der zwei Längsseiten 28, 29 sind identisch ausgebildet. Auch die Ausnehmungen 7, 8, 9 der zweiten Längsseite 29 sind auf der Innenseite mit einer elektrisch leitenden Kontaktfläche 34 bedeckt. Zudem sind die Kontaktflächen 34 der gegenüberliegend angeordneten Ausnehmungen der zwei Längsseiten 28, 29 über die auf der Unterseite angeordneten Kontaktstreifen 15, 16, 17 miteinander verbunden, wie anhand von Fig. 3 erkennbar ist.
Bei der Anordnung der Fig. 6 ist die erste Kontaktfläche 4 nicht bis zu der ersten Ausnehmung 7 der zweiten Längsseite 29 geführt. Somit kann die Seitenfläche 24 des Halbleiterla¬ sers 11 einen geringeren Überstand zur Innenseite der ersten Ausnehmung 7 aufweisen, da die Oberseite 3 angrenzend an die erste Ausnehmung 7 der zweiten Längsseite 29 nicht mit einer Kontaktfläche bedeckt ist. Somit ist die Gefahr einer Ver¬ schmutzung der Seitenfläche 24 durch Material der ersten Kon- taktfläche 4 bei dieser Ausführungsform reduziert. Die Ver¬ schmutzung kann beispielsweise bei der Montage des Halb¬ leiterlasers 11, d.h. bei dem mechanischen und dem elektrischen Verbinden mit dem Substrat 3 bzw. mit der ersten Kon- taktfläche 4 bestehen.
Fig. 7 zeigt die Anordnung der Fig. 6 mit Blick auf die zweite Längsseite 29. Fig. 8 zeigt eine Anordnung mit einem Substrat 23, das gemäß den Ausführungsformen der Figuren 5 oder 6 ausgebildet ist und mit der Unterseite 14 auf einem Träger 30 montiert ist. Fig. 8 zeigt das Substrat 23 mit Blick auf die erste Längs¬ seite 28. Der Träger 30 weist einen ersten, zweiten und drit- ten weiteren elektrischen Kontakt 31, 32, 33 auf der Oberseite auf. Der erste, zweite und dritte weitere elektrische Kon¬ takt 31, 32, 33 kann beispielsweise in Form einer Kontaktflä¬ che ausgebildet sein. Der erste Kontaktstreifen 15 des Sub¬ strates 23, der auf der Unterseite 14 angeordnet ist und mit der ersten Kontaktfläche 4 leitend verbunden ist, liegt auf dem ersten weiteren elektrischen Kontakt 31 des Trägers 30 auf. Der zweite Kontaktstreifen 16, der auf der Unterseite 14 des Substrates 23 ausgebildet ist und mit der zweiten Kon¬ taktfläche 5 leitend verbunden ist, liegt auf dem zweiten weiteren elektrischen Kontakt 32 auf. Der dritte Kontakt¬ streifen 17, der auf der Unterseite 14 des Substrates 23 an¬ geordnet ist und leitend mit der dritten Kontaktfläche 6 ver¬ bunden ist, liegt auf dem dritten weiteren elektrischen Kontakt 33 auf. Somit wird eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem ersten weiteren elektrischen Kontakt 31 und der ersten Kontaktfläche 4, zwischen dem zweiten weiteren
elektrischen Kontakt 32 und der zweiten Kontaktfläche 5 und zwischen dem dritten weiteren elektrischen Kontakt 33 und der dritten Kontaktfläche 6 ausgebildet.
Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das Substrat 23 über eine entsprechende mechanische Verbindung der Kon¬ taktstreifen 15, 16, 17 mit den weiteren elektrischen Kontak- ten 31, 32, 33 auf dem Träger 30 befestigt sein. Zudem kann abhängig oder zusätzlich eine weitere Verbindungsschicht, insbesondere eine Klebeschicht zwischen der Unterseite 14 des Substrates 23 und der Oberseite des Trägers 30 ausgebildet sein, um das Substrat 23 am Träger 30 mechanisch zu befesti¬ gen .
Fig. 9 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei der ein Substrat 23 gemäß der Ausführungsform der Fig. 6 mit der ersten Längsseite 28 auf einer Oberseite eines Trägers 30 befestigt ist. Dabei ist der erste weitere elektrische Kontakt 31 des Trägers 30 mit der ersten Kontaktfläche 4 in der ersten Aus¬ nehmung 7 elektrisch leitend verbunden. Zudem ist der zweite weitere elektrische Kontakt 32 des Trägers 30 mit der zweiten Kontaktfläche 5 im Bereich der zweiten Ausnehmung 8
elektrisch leitend verbunden. Weiterhin ist der dritte weitere elektrische Kontakt 33 mit der dritten Kontaktfläche 6 der dritten Ausnehmung 9 elektrisch leitend verbunden. Bei dieser Ausführungsform überragt die Seitenfläche 24 des Halbleiter- lasers 11 den Randbereich der ersten Ausnehmung 7, der auf der zweiten Längsseite 29 ausgebildet ist. Somit strahlt der Halbleiterlaser 11 gegenüberliegend zum Träger 30 die elekt¬ romagnetische Strahlung ab. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann der Halbleiterlaser 11 aber auch so montiert sein, dass die Seitenfläche 24 auf der Seite des Trägers 30 angeordnet ist, wobei in dieser Ausführungsform jedoch der Halbleiterlaser 11 in der Höhe versetzt zum Träger 30 angeordnet sein muss, damit die elektromagnetische Strahlung des Halbleiterlasers 11 über den Träger 30 hinweg abgestrahlt werden kann.
Fig. 10 zeigt eine Ausführungsform eines Substrates 23 mit einem Halbleiterlaser, wobei die erste, zweite und dritte Ausnehmung 7, 8, 9 auch in Form einer Ausnehmung ausgebildet sind, jedoch nicht bis zur Unterseite 14 des Substrates 23 geführt sind. Auch bei dieser Ausführungsform können die beschriebenen Vorteile für die Montage des Halbleiterlasers 11 genutzt werden. Dabei kann die Seitenfläche 24 des Halb¬ leiterlasers 11, die die elektromagnetische Strahlung abgibt, auf der ersten Längsseite 28 in der ersten Ausnehmung 7 gegenüber dem Substrat 23 überstehen, in das die erste Kontakt- fläche 4 geführt ist, wie in Fig. 5 dargestellt ist. Zudem kann der Halbleiterlaser 11 aber auch bei dieser Ausführungsform auf der ersten Ausnehmung 7 der zweiten Längsseite 29 überstehen, in die nicht die erste Kontaktfläche 4 des Halb¬ leiterlasers 11 geführt ist, wie in Fig. 6 dargestellt ist.
Fig. 11 zeigt in einer schematischen Skizze den seitlichen Abstand 35, den die Seitenfläche 24, die die Laserstrahlung abgibt, von der ersten Ausnehmung 7 aufweist. Die in den Figuren dargestellten Ausnehmungen 7, 8, 9 weisen im Querschnitt eine Kreisform auf. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch andere Querschnitte, insbesondere die erste Ausnehmung einen anderen Querschnitt wie die zweite Ausnehmung und die zweite Ausnehmung einen anderen Quer- schnitt wie die dritte Ausnehmung aufweisen.
Zudem kann ein aus der Substratplatte 1 vereinzeltes Substrat 23 auch mehrere Halbleiterlaser 11 und entsprechend mehrere erste, zweite, dritte Ausnehmungen 7, 8, 9 und entsprechende erste, zweite und dritte Kontaktflächen 4, 5, 6 aufweisen.
Der Halbleiterlaser 11 kann mit seiner p-Seite dem Substrat 23 bzw. der Substratplatte 1 zugewandt sein. Dadurch ist die aktive Zone, die näher an der p-Seite als an der n-Seite des Halbleiterlasers 11 angeordnet ist, näher an der Oberseite 3 der Substratplatte 1 bzw. an der Oberseite 3 des Substrates 23 angeordnet.
Anstelle des Halbleiterlasers 11, der beispielsweise in Form von Laserdioden ausgebildet ist, können auch lichtemittierende Dioden vorgesehen sein, die die elektromagnetische Strahlung auf einer Seitenfläche 24 abstrahlen. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auf die Ausbildung der Kontaktflächen 4, 5, 6 in den ersten, zweiten und dritten Ausnehmungen 7, 8, 9 verzichtet werden. Es ist insbesondere möglich, wenn das Substrat 23 mit der ersten Längs- seite 28 auf dem Träger 30 montiert wird.
Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele einge- schränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .
BEZUGSZEICHENLISTE
1 Substratplatte
3 Oberseite
4 erste Kontaktfläche
5 zweite Kontaktfläche
6 dritte Kontaktfläche
7 erste Ausnehmung
8 zweite Ausnehmung
9 dritte Ausnehmung
10 Einheit
11 Halbleiterlaser
12 erstes Ende
13 zweites Ende
14 Unterseite
15 erster Kontaktstreifen
16 zweiter Kontaktstreifen
17 dritter Kontaktstreifen
18 Brechgraben
19 Bruchkante
20 Brechwerkzeug
21 erste Platte
22 zweite Platte
23 Substrat
24 Seitenfläche
25 erster Bonddraht
26 zweiter Bonddraht
28 erste Längsseite
29 zweite Längsseite
30 Träger
31 erster weiterer elektrischer Kontakt
32 zweiter weiterer elektrischer Kontakt
33 dritter weiterer elektrischer Kontakt
34 Kontaktfläche
35 Abstand
36 1. Anschluss
37 2. Anschluss

Claims

PATENTA S PRUCHE
Anordnung mit einem Substrat (23) und einem Halbleiterlaser (11), wobei das Substrat (23) eine Oberseite (3), Seitenflächen (28, 29) und eine Unterseite (14) auf¬ weist, wobei wenigstens eine erste Ausnehmung (7) in die Oberseite (3) eingebracht ist, wobei der Halbleiterlaser (11) in der Weise auf der Oberseite (3) des Substrates
(23) angeordnet ist, dass ein Bereich der Seitenfläche
(24) des Halbleiterlasers, über den elektromagnetische Strahlung abgegeben wird, über der ersten Ausnehmung (7) angeordnet ist.
Anordnung nach Anspruch 1, wobei die erste Ausnehmung (7) angrenzend an eine Seitenfläche (28, 29) des Substrates (23) eingebracht ist, wobei die erste Ausneh¬ mung (7) seitlich an der Seitenfläche (28,29) offen ist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei eine erste Kontaktfläche (4) auf der Oberseite (3) des Substrates (23) ausgebildet ist, wobei sich die erste Kontaktfläche (4) von der Oberseite (3) wenigstens bis in die erste Ausnehmung (7) erstreckt, und wobei ein erster elektrischer Anschluss (36) des Halbleiterla¬ sers (11) mit der ersten Kontaktfläche (4) verbunden ist .
Anordnung nach Anspruch 3, wobei sich die erste Ausnehmung (7) von der Oberseite (3) des Substrates (23) bis zur Unterseite (14) des Substrates (23) erstreckt, und wobei sich die erste Kontaktfläche (4) von der Oberseite des Substrates über die erste Ausnehmung (7) bis zur Un¬ terseite (14) des Substrates (23) erstreckt.
Anordnung nach einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei wenigstens eine zweite Ausnehmung (8, 9) in die Oberseite (3) des Substrates (23) eingebracht ist, wobei die zwei¬ te Ausnehmung (8, 9) an eine Seitenfläche (28, 29) des Substrates angrenzt oder von der Oberseite (3) des Sub¬ strates (23) bis zur Unterseite (14) des Substrates (23) geführt ist, wobei eine zweite Kontaktfläche (5) auf der Oberseite (3) des Substrates (23) ausgebildet ist, wobei sich die zweite Kontaktfläche (5) von der Oberseite (3) wenigstens bis in die zweite Ausnehmung (8, 9) erstreckt, und wobei ein zweiter elektrischer Anschluss (37) des Halbleiterlasers (11) mit der zweiten Kontaktfläche (5) elektrisch leitend verbunden ist.
Anordnung nach Anspruch 5, wobei sich die zweite Ausnehmung (8) von der Oberseite (3) des Substrates (23) bis zur Unterseite (14) des Substrates (23) erstreckt, und wobei sich die zweite Kontaktfläche (5) von der Obersei¬ te (3) über die zweite Ausnehmung (8) bis zur Unterseite (14) des Substrates (23) erstreckt.
Anordnung nach einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei wenigstens eine dritte Ausnehmung (9) in die Oberseite (3) des Substrates (23) eingebracht ist, wobei die dritte Ausnehmung (9) an eine Seitenfläche (28, 29) des Sub¬ strates (23) angrenzt oder von der Oberseite (3) des Substrates (23) bis zur Unterseite (14) des Substra¬ tes (23) geführt ist, wobei eine dritte Kontaktfläche (6) auf der Oberseite (3) des Substrates (23) ausgebil¬ det ist, wobei sich die dritte Kontaktfläche (6) wenigs¬ tens bis in die dritte Ausnehmung (9) erstreckt, und wo¬ bei die dritte Kontaktfläche (6) mit dem zweiten
elektrischen Anschluss (37) des Halbleiterlasers (11) elektrisch leitend verbunden ist.
Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Ausnehmung (7) an der Seitenfläche (28, 29) des Substrates (23) ausgebildet ist oder mit der Unter¬ seite (14) auf einem Träger (30) angeordnet ist, wobei der Träger (30) einen ersten weiteren elektrischen Kontakt (31) aufweist, und wobei die erste Kontaktflä¬ che (4) mit dem ersten weiteren elektrischen Kontakt (31) des Trägers (30) verbunden ist.
9. Anordnung nach Anspruch 8, wobei der Träger (30) einen zweiten weiteren elektrischen Kontakt (31) aufweist, und wobei die zweite Kontaktfläche (5) mit dem zweiten wei¬ teren elektrischen Kontakt (31) des Trägers (30) verbun¬ den ist.
10. Anordnung nach Anspruch 8 oder 9, wobei der Träger einen dritten weiteren elektrischen Kontakt (32) aufweist, und wobei die dritte Kontaktfläche (6) mit dem dritten wei¬ teren elektrischen Kontakt (32) des Trägers (30) verbunden ist. 11. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste, die zweite und/oder die dritte Ausnehmung in Form eines Loches oder in Form eines in Längsrichtung seitlich offenen Loches ausgebildet sind. 12. Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem Substrat und mit einem Halbleiterlaser, wobei eine Sub¬ stratplatte verwendet wird, die mehrere Ausnehmungen aufweist, wobei mehrere Halbleiterlaser auf die Sub¬ stratplatte in der Weise montiert werden, dass die Halb- leiterlaser mit einem Bereich einer Seitenfläche, über den eine elektromagnetische Strahlung abgegeben wird, jeweils über der ersten Ausnehmung angeordnet sind, wo¬ bei anschließend die Substratplatte in Substrate mit we¬ nigstens einem Halbleiterlaser vereinzelt wird.
13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei mehrere, voneinander getrennte erste Kontaktflächen auf die Oberseite der Substratplatte in der Weise aufgebracht werden, dass sich die ersten Kontaktflächen von der Oberseite der Substratplatte bis in eine zugeordnete erste Ausnehmung erstrecken, und wobei erste elektrische Anschlüsse der Halbleiterlaser mit jeweils einer ersten Kontaktfläche verbunden werden, indem die Halbleiterlaser auf die ers- ten Kontaktflächen aufgesetzt werden.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei das Substrat mit der Seitenfläche, an der die erste Ausneh¬ mung angrenzt, oder mit der Unterseite auf einem Träger angeordnet wird, wobei der Träger einen ersten weiteren elektrischen Kontakt aufweist, und wobei die erste Kon¬ taktfläche des Substrates mit dem ersten weiteren elektrischen Kontakt des Trägers elektrisch leitend verbunden wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 14, wobei die Substratplatte mithilfe eines Brechvorganges in die Sub¬ strate aufgeteilt wird, wobei insbesondere auf einer Un¬ terseite der Substratplatte Bruchgrößen mithilfe eines Lasers eingebracht werden, und wobei anschließend die Substratplatte entlang der Bruchgräben gebrochen wird.
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