JP2018515916A - 基板と半導体レーザとを備える装置 - Google Patents

Abstract

本発明は基板（２３）と半導体レーザ（１１）とを備える装置に関し、基板は上部（３）、側部（２８，２９）、及び底部（１４）を有し、少なくとも１つの第１の凹部（７）が上部に形成されており、電磁放射が発せられる半導体レーザの側部（２４）領域が第１の凹部上に配置されるように、半導体レーザが基板の上部に配置されている。提案する装置の効果の１つは、半導体レーザによって発せられる電磁放射に対する基板の影響がより少ないことである。半導体レーザの電気接続部（３６）のためのコンタクト領域（４）が、基板の上部から第１の凹部を介して基板の底部まで延在することができ、半導体レーザの電気接続部は基板の底部を介しての電気コンタクトが可能となる。

Description

本発明は、請求項１に係る基板と半導体レーザとを備える装置、及び請求項１２に係るその製造方法に関する。

本出願は、独国特許出願第１０２０１５１０６７１２．９号の優先権を主張するものであり、この文書の開示内容は参照により本明細書に援用される。

先行技術として、半導体レーザをキャリアに実装することが、例えば、特許文献１から知られている。その製造は比較的複雑である。

欧州特許第１７９２３７３号明細書

本発明の目的は、簡単かつ低コストに製造しうる、基板とレーザとを備える装置を提供することである。

この目的は請求項１、及び請求項１２によって達成される。

さらなる実施形態は、従属請求項で提供される。

提供する装置の効果の１つは、半導体レーザによって発せられる電磁放射に対する基板の影響がより少ないことである。これは、半導体レーザの電磁放射を発する領域が基板の第１の凹部上に配置されていることで達成される。電磁放射が発せられる領域における半導体レーザの側面は、基板の上面に対する突出部を有する。基板は、基板の上面に設けられた第１の凹部を有する。この凹部によって、より多くの自由空間が電磁放射に利用可能となる。

さらなる実施形態は、従属請求項で提供される。

一実施形態において、第１の凹部は基板の側面を縁取るように設けられており、第１の凹部は側面で側方に開口している。このように、電磁放射を発するためのより多くの自由空間が提供される。

さらなる一実施形態において、第１のコンタクトパッドが基板の上面に構成されており、第１のコンタクトパッドは上面から少なくとも第１の凹部内に延在し、半導体レーザの第１の電気端子が第１のコンタクトパッドと接続されている。このように、半導体レーザの第１の電気コンタクトとキャリアのコンタクトとを接続する際により高い柔軟性が提供される。さらに、第１のコンタクトパッドによって、簡単かつ確実な半導体レーザの電気コンタクトが可能となる。

さらなる一実施形態において、第１の凹部は基板の上面から基板の下面まで延在している。さらに、第１のコンタクトパッドは基板の上面から第１の凹部を介して基板の下面まで延在している。このように、半導体レーザの第１の電気端子は基板の下面を介して電気コンタクトしうる。従って、半導体レーザの簡単な実装、及びコンタクトがキャリアを介して可能である。

さらなる一実施形態において、少なくとも１つの第２の凹部が上面に設けられており、第２の凹部は基板の側面を縁取っている、及び／又は基板の上面から基板の下面まで延在している。さらに、第２のコンタクトパッドが基板の上面に構成されており、第２のコンタクトパッドは基板の上面から少なくとも第２の凹部内に延在している。また、半導体レーザの第２の電気端子が、第２のコンタクトパッドと接続されている。このように、半導体レーザの第２の電気端子の簡単かつ確実な電気コンタクトが提供され、さらに半導体レーザの第２の電気コンタクトの簡単かつ確実な実装、及び電気コンタクトが、対応する側面又は下面を介した基板の実装によって可能である。

さらなる一実施形態において、第２の凹部は基板の上面から基板の下面まで延在しており、第２のコンタクトパッドは、基板の上面から第２の凹部を介して基板の下面まで延在している。このように、半導体レーザの第２の電気端子の簡単な電気コンタクトが、基板の下面を介して生じうる。

さらなる一実施形態において、少なくとも１つの第３の凹部が基板の上面に設けられており、第３の凹部は、基板の側面と接触しているか、又は基板の上面から基板の下面まで延在している。さらに、第３のコンタクトパッドが基板の上面に構成されており、第３のコンタクトパッドは少なくとも第３の凹部内に延在しており、第３のコンタクトパッドは半導体レーザの第２の電気端子と接続されている。このように、半導体レーザの電気インピーダンスの低減が達成される。

さらなる一実施形態において、基板は、第１の凹部が構成されている側面を介してキャリアに実装されている。さらに、キャリアは、第１のコンタクトパッドと導電接続される、特に直に機械的に接続される、第１の付設電気コンタクトを有する。このように、キャリア上への装置の簡単な実装が可能となり、キャリアと半導体レーザの第１の電気端子との間の簡単で確実な電気コンタクトが同時に確立される。

さらなる一実施形態において、キャリアは第２の付設電気コンタクトを有し、基板の第２のコンタクトパッドはキャリアの第２の付設電気コンタクトと導電接続されており、特に直に機械的に接続されている。このように、半導体レーザの第２の電気端子もまた簡単かつ確実にキャリアの第２の付設電気コンタクトと導電接続される。

選択する実施形態によっては、キャリアは第３の付設電気コンタクトを有し、基板の第３のコンタクトパッドはキャリアの第３の付設電気コンタクトと導電接続されており、特に直に機械的に接続されている。このように、第３のコンタクトパッドもまた簡単かつ確実にキャリアの第３の付設電気コンタクトと電気的及び／又は機械的に接続される。

選択する実施形態によっては、第１、第２、及び／又は第３の凹部は穴の形態で、又は側方に開口している縦方向に沿った穴の形態で基板に構成されうる。穴の配置は簡単な手段で低コストに行われる。穴は基板の上面から下面まで延在しうる。

提供される方法には、基板と半導体レーザとを備える装置が簡単な方法で製造しうるという効果がある。これは、複数の凹部を有する基板プレートが利用可能とされることで達成される。さらに、電磁放射を発する側面の領域が第１の凹部上となるように複数の半導体レーザがそれぞれ配置されるように、半導体レーザが基板プレートに実装される。その後、基板プレートは少なくとも１つの半導体レーザを有する基板に分割される。上記記載の方法によって、少なくとも１つの半導体レーザを有する基板の製造時間が、半導体レーザを基板に個別に実装するのと比べて短縮され簡単になる。

方法のさらなる一実施形態において、互いに離間した複数の第１のコンタクトパッドが基板プレートの上面から関連づけられた第１の凹部内に延在するように、第１のコンタクトパッドは前記基板プレートの上面に載置される。さらに、半導体レーザの第１の電気端子は各第１のコンタクトパッドに導電接続される、特に、半導体レーザが第１のコンタクトパッド上に設置され、それによって半導体レーザの第１の電気端子が第１のコンタクトパッドと直に機械的かつ電気的に接続される。このように、半導体レーザの簡単かつ確実なコンタクトが提供される。

方法のさらなる一実施形態において、基板は、第１の凹部が接する側面又は下面を介してキャリアに配置される。キャリアは第１の付設電気コンタクトを有し、基板の第１のコンタクトパッドがキャリアの第１の付設電気コンタクトと導電接続され、特に直に機械的に接続される。このように、基板のキャリアへの簡単かつ確実な実装が達成され、さらに基板の第１のコンタクトパッドとキャリアの第１の付設電気コンタクトとの間の確実な電気コンタクトが達成される。

さらなる一実施形態において、基板プレートが切断動作によって個々の基板に分割される。選択する実施形態によっては、設定した破断端がレーザによって基板プレートの下面に設けられる。その後、基板プレートは設定した破断端に沿って切断される。このように、基板プレートを簡単かつ確実に個々の基板に分割する方法が提供される。

本発明の上記特性、特徴、及び効果、ならびにそれらの実現方法は、図面を用いてより詳細に説明される例示的な実施形態の以下の記述によりさらに明らかとなり、またさらに明確に理解されうる。

図１は、基板プレートの一領域を示す。 図２は、半導体レーザを備える基板プレートの一領域を示す。 図３は、基板プレートの下面の図である。 図４は、基板プレートの一領域の斜視図である。 図５は、半導体レーザを有する基板を示す。 図６は、半導体レーザを有するさらなる基板を示す。 図７は、第２の縦側面から見た図６の装置を示す。 図８は、半導体レーザを有する基板を備えるキャリアを示す。 図９は、半導体レーザを有する基板を備えるキャリアを示す。 図１０は、半導体レーザを有するさらなる基板を示す。 図１１は、基板に対する半導体の横方向の突出部の模式図である。

図１は、電気絶縁材料で製造された基板プレート１の一領域の概略図である。基板プレート１は例えば、窒化アルミニウム、シリコン、炭化ケイ素、又は酸化アルミニウムからなってもよい。基板プレート１は凹部７、８、９を有する。図示する例示的な実施形態においては、凹部７、８、９は基板プレート１の上面３から下面まで延在しており、連続する穴の形態で構成されている。選択する実施形態によっては、凹部７、８、９は基板プレート１の上面３の限定された深さにのみ設けられ、基板プレート１の下面まで構成されていなくてもよい。さらに、基板プレート１は、上面３に第１のコンタクトパッド４、第２のコンタクトパッド５、及び第３のコンタクトパッド６を有する。選択する実施形態によっては、コンタクトパッド４、５、６は省いてもよいし、他の形態で構成されていてもよい。第１のコンタクトパッド４は、上面３で細長い長方形の領域として構成され、第１の凹部７まで延在している。さらに、図示する実施形態の第１のコンタクトパッド４は、第１の凹部７の内側にも構成され、基板プレート１の下面まで延在している。選択する実施形態によっては、第１のコンタクトパッド４が第１の凹部７内に延在していれば十分でありうる。とりわけ第１の凹部７が止まり穴の形態である実施形態においては、第１のコンタクトパッド４は基板プレート１の下面まで延在していない。

第１のコンタクトパッド４に加えて、第２のコンタクトパッド５が基板プレート１の上面３に配置されている。図示する実施形態においては、第２のコンタクトパッド５は、第１のコンタクトパッド４の長手方向と平行に配置された段のある条片（ｓｔｒｉｐ）として構成されている。第２のコンタクトパッド５は、幅広い条片領域を介して第２の凹部８まで延在し、図示した実施形態における第２のコンタクトパッド５も第２の凹部８の内壁に構成され基板プレート１の下面まで延在している。選択する実施形態によっては、第２のコンタクトパッド５が第２の凹部８内に延在してはいるが基板プレート１の下面まで延在していなくとも十分でありうる。とりわけ第２の凹部８が止まり穴の形態である実施形態においては、第２のコンタクトパッド５は基板プレート１の下面まで延在していない。

さらに、第３のコンタクトパッド６が、第１のコンタクトパッド４に対して第２のコンタクトパッド５と向かい合って基板プレート１の上面に構成されている。図示する実施形態においては、第３のコンタクトパッド６が、第１のコンタクトパッド４に対して第２のコンタクトパッド５とミラー対称に配置、及び構成されている。また、第３のコンタクトパッド６は第３の凹部９まで延在している。図示する実施形態において、第３のコンタクトパッド６は第３の凹部９の内壁に沿って基板プレート１の下面まで延在している。選択する実施形態によっては、第３のコンタクトパッド６、及び第３の凹部９は省いてもよい。第１、第２及び第３の凹部７、８、９、並びに第１、第２及び第３のコンタクトパッド４、５、６を有する複数のユニット１０が基板プレート１上に構成されている。ユニット１０は明確な格子として配置され、図示する実施形態において凹部７、８、９の間の間隔は、ｘ方向、及びｙ方向において同等の大きさである。ｘ方向、及びｙ方向は、互いに直角に図１で描かれている。また、凹部の間隔はｘ方向よりもｙ方向において大きい。さらに、コンタクトパッド４、５、６はｙ軸と平行に延在している。第２及び第３のコンタクトパッド５、６における段のある構成は、コンタクトパッド５、６の構成のためのコンタクト材料の節約となる。さらに、後述する破断端１９が線の形態で図示されている。

図２は、半導体レーザ１１が各第１のコンタクトパッド４に載置された図１の装置を示す。半導体レーザ１１は、第１の端部１２を少なくとも部分的に第１の凹部７上にして配置されている。第１の端部１２は、電磁放射が発せられる半導体レーザ１１の側面を有している。ミラーが反対の第２の端部１３に構成されており、レーザ放射の反射を可能としている。このように、半導体レーザ１１の第１の端部１２は、基板プレート１の上面３の縁領域上に突出し、これは図２の半導体レーザ１１の下の列において特に明らかである。選択する実施形態によっては、半導体レーザ１１によって電磁放射が発せられる第１の端部１２が、隣接するユニット１０の第１の凹部７上に配置されるように、半導体レーザ１１が配置されていてもよい。

図３は、基板プレート１の下面１４の一領域を示す。導電性を有するコンタクト条片１５、１６、１７が配置され、第１のコンタクト条片１５はそれぞれ第１の凹部７を介して第１のコンタクトパッド４と導電接続されている。とりわけ、コンタクト条片１５は第１のコンタクトパッド４と同じ材料からなっていてもよい。第２のコンタクト条片１６は第２の凹部８を介して第２のコンタクトパッド５と導電コンタクトしている。

第３のコンタクト条片１７は第３の凹部９を介して第３のコンタクトパッド６と導電コンタクトしている。とりわけ、コンタクト条片１５、１６、１７は、コンタクトパッド４、５、６と同じ材料で製造されている。コンタクトパッド４、５、６、及びコンタクト条片１５、１６、１７は、例えば堆積工程によって基板プレート１の上面３、凹部７、８、９、又は基板プレート１の下面１４に載置されうる。

半導体レーザ１１は、例えばｐ側を介して基板プレート１に実装されている。半導体レーザ１１は、半導体レーザのｐ側の表面付近に配置された活性領域を含む。従って、特にｐ−ダウン実装（ｐ−ｄｏｗｎ ｍｏｕｎｔｉｎｇ）の場合において、半導体レーザ１１によって発せられる電磁放射の伝播が、例えば基板プレート１の上面又はコンタクトパッドなどの隣接材によって損なわれない。

電磁放射の出射が損なわれないという効果は、コンタクトパッド４、５、６の形状、及び配置に依存せずに、第１の凹部７によっても達成されうる。

コンタクトパッド４、５、６、及びコンタクト条片１５、１６、１７は、例えば、基板プレート１の上面３、凹部７、８、９の内側、及び基板プレートの下面１４に載置、特に蒸着された金属層から製造される。

半導体レーザ１１は、例えば接着、銀焼結によって、又は金／錫共晶はんだを介して、基板プレート１の上面３、特に第１のコンタクトパッド４に取り付けられている。

切断溝１８が、基板プレート１の下面１４に設けられている。切断溝１８は、例えばスクライブ動作又はレーザビームによって形成されうる。選択する実施形態によっては、基板プレート１が少なくとも１つの半導体レーザ１１を備える基板に、例えば、のこ挽き（ｓａｗｉｎｇ）工程で細分される場合、切断溝１８を省くことが可能である。

図４は、複数のユニット１０を有する細長い棒の形態で構成された基板プレート１の一領域の斜視図である。一領域は、例えば基板プレート１をのこ挽き又は切断することで製造されている。ユニット１０は、列として配置されており機械的に互いに連結されている。所望の破断端１９がユニット１０間の線として図示されている。切断溝１８は、所望の破断端１９に沿って基板プレート１の下面１４に構成されている。基板プレート１の切断のために、所望の破断端１９に沿って、切断縁を有する切断工具２０が基板プレート１の上面３に当てられている。切断工具２０は、逆三角形の形状で模式的にのみ図示されている。その後、基板プレート１は、２つの押圧板２１、２２によって切断工具２０に向かって上側に押圧される。それによって、基板プレート１は所望のユニット１０に切断される。他領域も同様に基板プレート１から製造されうる。

図５は、図２から図４の基板プレートから個片化された半導体レーザ１１を備える基板２３を示す。半導体レーザ１１によって電磁放射が発せられる半導体レーザ１１の側面２４が第１の凹部７上に配置されていることが明らかである。このように、電磁放射は干渉を受けることなく基板２３の上面から半導体レーザ１１によって発せられうる。選択する実施形態によっては、電磁放射が発せられる側面２４の領域と基板２３の上面３との間の横方向の突出は、例えば０．１から２０μｍの間又は２０μｍ以上の範囲でありうる。図５に図示する実施形態では、半導体レーザ１１の側面２４は、第１のコンタクトパッド４が延在している第１の凹部７上に配置されている。さらに、第１のボンディングワイヤ２５が設けられ、半導体レーザ１１の第２の電気端子３７を第２のコンタクトパッド５と導電接続している。さらに、第２のボンディングワイヤ２６が設けられ、半導体レーザ１１の第２の電気端子３７を第３のコンタクトパッド６と導電接続している。すでに上述したように、第２のボンディングワイヤ２６は省いてもよい。半導体レーザ１１の第１の電気端子３６は、第１のコンタクトパッド４、及び対応して構成された半導体レーザ１１の下面の電気コンタクト部を介して電気コンタクトをとっている。

図６は、本質的に図５の実施形態で構成されているが、半導体レーザ１１の電磁放射を発する側面２４が図５の実施形態と反対側に配置されている、基板２３のさらなる実施形態を示す。この実施形態において、側面２４は、第１のコンタクトパッド４が延在していないさらなる第１の凹部７上に配置されている。さらなる第１の凹部７は、第１の凹部７と反対側に配置されている。基板２３は２つの向かい合う縦側面２８、２９を有し、３つの凹部７、８、９が各縦側面２８、２９に設けられている。３つの凹部７、８、９は、基板２３の上面３から基板２３の下面１４まで延在している。凹部７、８、９は、上面３に垂直に配置された半円筒の形状で構成されている。また、凹部７、８、９は同じ形状を有する。さらに、縦側面２８、２９の凹部間の間隔は、同程度である。２つの縦側面２８、２９の凹部７、８、９は、同一に構成されている。第２の縦側面２９の凹部７、８、９も導電コンタクトパッド３４によってその内側が覆われている。さらに、図３から明らかなように、２つの縦側面２８、２９に向かい合って配置された凹部のコンタクトパッド３４は、下面に配置されたコンタクト条片１５、１６、１７を介して相互接続されている。

図６の装置において、第１のコンタクトパッド４は第２の縦側面２９の第１の凹部７まで延在していない。このように、第２の縦側面２９の第１の凹部７に接する上面３がコンタクトパッドによって覆われていないので、半導体レーザ１１の側面２４は第１の凹部７の内側に、より小さな突起を有しうる。このように、この実施形態において第１のコンタクトパッド４の材料による側面２４の汚染の恐れが低減される。汚染は、例えば半導体レーザ１１の実装時、つまり基板３又は第１のコンタクトパッド４との機械的かつ電気的な接続時に起こりうる。

図７は、第２の縦側面２９から見た図６の装置を示す。

図８は、図５又は図６の実施形態で構成され、下面１４を介してキャリア３０に実装された基板２３を備える装置を示す。図８は、第１の縦側面２８から見た基板２３を示す。キャリア３０は、付設電気コンタクト３１、３２、３３を上面に有する。付設電気コンタクト３１、３２、３３は、例えばコンタクトパッドの形態で構成されている。下面１４に配置され、第１のコンタクトパッド４に導電接続されている基板２３の第１のコンタクト条片１５は、キャリア３０の第１の付設電気コンタクト３１に載っている。基板２３の下面１４に配置され、第２のコンタクトパッド５に導電接続されている基板２３の第２のコンタクト条片１６は、第２の付設電気コンタクト３２に載っている。基板２３の下面１４に配置され、第３のコンタクトパッド６に導電接続されている基板２３の第３のコンタクト条片１７は、第３の付設電気コンタクト３３に載っている。このように、第１の付設電気コンタクト３１と第１のコンタクトパッド４との間、第２の電気コンタクト３２と第２のコンタクトパッド５との間、及び第３の付設電気コンタクト３３と第３のコンタクトパッド６との間に導電接続が構成されている。

選択する実施形態によっては、コンタクト条片１５、１６、１７と付設電気コンタクト３１、３２、３３との対応する機械的な接合を介して、基板２３がキャリア３０に取り付けられてもよい。また、基板２３をキャリア３０に機械的に取り付けるために、依存的に又は付加的にさらなる接合層、特に接着剤層が基板２３の下面１４とキャリア３０の上面との間に構成されうる。

図９は、図６の実施形態の基板２３が第１の縦側面２８を介してキャリア３０の上面に取り付けられているさらなる実施形態を示す。この場合、キャリア３０の第１の付設電気コンタクト３１は、第１の凹部７で第１のコンタクトパッド４と導電接続されている。また、キャリア３０の第２の付設電気コンタクト３２は、第２の凹部８領域で第２のコンタクトパッド５に導電接続されている。さらに、第３の付設電気コンタクト３３は、第３の凹部９の第３のコンタクトパッド６と導電接続されている。この実施形態において、半導体レーザ１１の側面２４は、第２の縦側面２９に構成された第１の凹部７の縁領域を超えて突出している。このように、半導体レーザ１１は、電磁放射をキャリア３０とは反対側に発する。

しかしながら、選択する実施形態によっては、半導体レーザ１１は、側面２４がキャリア３０の側に配置されるようにも実装されうる。しかしながら、このような実施形態においては、半導体レーザ１１の電磁放射がキャリア３０を超えて発せられるように、半導体レーザ１１の高さがキャリア３０に対して補われていなければならない。

図１０は、第１、第２及び第３の凹部７、８、９が凹部の形態で構成されているが、基板２３の下面１４まで延在していない、半導体レーザを備える基板２３の実施形態を示す。この実施形態においても、説明してきた効果が半導体レーザ１１の実装に活かされうる。この場合、図５に図示したように、電磁放射を発する半導体レーザ１１の側面２４は、基板２３に対して、第１のコンタクトパッド４が延在している第１の凹部７の第１の縦側面２８から突出していてもよい。また、この実施形態においても、図６に図示したように、半導体レーザ１１は、半導体レーザ１１の第１のコンタクトパッド４が延在していない第２の縦側面２９の第１の凹部７から突出していてもよい。

図１１は、レーザ放射を発する側面２４の、第１の凹部７からの横方向の間隔３５の模式図を示す。

図に示した凹部７、８、９は、円形の断面を有する。選択する実施形態によっては、特に第１の凹部が第２の凹部と異なり、第２の凹部が第３の凹部と異なる他の断面も有しうる。

さらに、基板プレート１から個片化された基板２３は、複数の半導体レーザ１１、それと対応する複数の第１、第２及び第３の凹部７、８、９、並びにそれと対応する第１、第２及び第３のコンタクトパッド４、５、６を有しうる。

半導体レーザ１１のｐ側は、基板２３又は基板プレート１に対向しうる。その結果、半導体レーザ１１のｎ側よりもｐ側に近接して配置される活性領域が、基板プレート１の上面３又は基板２３の上面３に近接して配置される。

例えば、レーザダイオードの形態で構成される半導体レーザ１１の代わりに、側面２４で電磁放射を発する、発光ダイオードも設けられうる。

選択する実施形態によっては、第１、第２及び第３の凹部７、８、９内のコンタクトパッド４、５、６という構成でなくてもよい。とりわけ、基板２３が第１の縦側面２８を介してキャリア３０に実装される場合に可能である。

本発明について好ましい例示的な実施形態に基づいて図示、及びより詳しく説明してきたが、本発明は、開示したこれらの例に限定されない。当業者は、本発明の保護範囲から逸脱することなく、好ましい例示的な実施形態から別の変形形態を導くことができるであろう。

１ 基板プレート
３ 上面
４ 第１のコンタクトパッド
５ 第２のコンタクトパッド
６ 第３のコンタクトパッド
７ 第１の凹部
８ 第２の凹部
９ 第３の凹部
１０ ユニット
１１ 半導体レーザ
１２ 第１の端部
１３ 第２の端部
１４ 下面
１５ 第１のコンタクト条片
１６ 第２のコンタクト条片
１７ 第３のコンタクト条片
１８ 切断溝
１９ 破断端
２０ 切断工具
２１ 第１の押圧板
２２ 第２の押圧板
２３ 基板
２４ 側面
２５ 第１のボンディングワイヤ
２６ 第２のボンディングワイヤ
２８ 第１の縦側面
２９ 第２の縦側面
３０ キャリア
３１ 第１の付設電気コンタクト
３２ 第２の付設電気コンタクト
３３ 第３の付設電気コンタクト
３４ コンタクトパッド
３５ 間隔
３６ 第１の電気端子
３７ 第２の電気端子

本発明は、請求項１に係る基板と半導体レーザとを備える装置、及び請求項１０に係るその製造方法に関する。

この目的は請求項１、及び請求項１０によって達成される。

Claims (15)

1. 基板（２３）と半導体レーザ（１１）とを備え、
   前記基板（２３）は上面（３）、側面（２８，２９）、及び下面（１４）を有しており、
   少なくとも１つの第１の凹部（７）が前記上面（３）に設けられており、
   前記半導体レーザ（１１）は、電磁放射が発せられる自身の側面（２４）の領域が前記第１の凹部（７）の上方に配置されるように、前記基板（２３）の前記上面（３）に配設されている、
   装置。
2. 前記第１の凹部（７）は前記基板（２３）の前記側面（２８，２９）を縁取るように設けられており、
   前記第１の凹部（７）は前記側面（２８，２９）で側方に開口している、
   請求項１に記載の装置。
3. 第１のコンタクトパッド（４）が前記基板（２３）の前記上面（３）に形成されており、
   前記第１のコンタクトパッド（４）は、前記上面（３）から少なくとも前記第１の凹部（７）内まで延在しており、
   前記半導体レーザ（１１）の第１の電気端子（３６）が前記第１のコンタクトパッド（４）と接続されている、
   請求項１又は２に記載の装置。
4. 前記第１の凹部（７）は前記基板（２３）の前記上面（３）から前記基板（２３）の前記下面（１４）まで延在しており、
   前記第１のコンタクトパッド（４）は前記基板の前記上面から前記第１の凹部（７）を介して前記基板（２３）の前記下面（１４）まで延在している、
   請求項３に記載の装置。
5. 少なくとも１つの第２の凹部（８，９）が前記基板（２３）の前記上面（３）に設けられており、
   前記第２の凹部（８，９）は前記基板の前記側面（２８，２９）を縁取っているか、又は前記基板（２３）の前記上面（３）から前記基板（２３）の前記下面（１４）まで延在しており、
   第２のコンタクトパッド（５）が前記基板（２３）の前記上面（３）に形成されており、
   前記第２のコンタクトパッド（５）は前記上面（３）から少なくとも前記第２の凹部（８，９）内まで延在しており、
   前記半導体レーザ（１１）の第２の電気端子（３７）が前記第２のコンタクトパッド（５）と導電接続されている、
   請求項３又は４に記載の装置。
6. 前記第２の凹部（８）は前記基板（２３）の前記上面（３）から前記基板（２３）の前記下面（１４）まで延在しており、
   前記第２のコンタクトパッド（５）は前記上面（３）から前記第２の凹部（８）を介して前記基板（２３）の前記下面（１４）まで延在している、
   請求項５に記載の装置。
7. 少なくとも１つの第３の凹部（９）が前記基板（２３）の前記上面（３）に設けられており、
   前記第３の凹部（９）は前記基板（２３）の前記側面（２８，２９）を縁取っているか、又は前記基板（２３）の前記上面（３）から前記基板（２３）の前記下面（１４）まで延在しており、
   第３のコンタクトパッド（６）が前記基板（２３）の前記上面（３）に形成されており、
   前記第３のコンタクトパッド（６）は少なくとも前記第３の凹部（９）内まで延在しており、
   前記第３のコンタクトパッド（６）は前記半導体レーザ（１１）の前記第２の電気端子（３７）と導電接続されている、
   請求項５又は６に記載の装置。
8. 前記第１の凹部（７）は前記基板（２３）の前記側面（２８，２９）に形成されているか、又は前記下面（１４）まで延在してキャリア（３０）上に配置されており、
   前記キャリア（３０）は第１の付設電気コンタクト（３１）を有しており、
   前記第１のコンタクトパッド（４）は前記キャリア（３０）の前記第１の付設電気コンタクト（３１）と接続されている、
   請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
9. 前記キャリア（３０）は第２の付設電気コンタクト（３１）を有し、
   前記第２のコンタクトパッド（５）は前記キャリア（３０）の前記第２の付設電気コンタクト（３１）と接続されている、
   請求項８に記載の装置。
10. 前記キャリアは第３の付設電気コンタクト（３２）を有し、
    前記第３のコンタクトパッド（６）は前記キャリア（３０）の前記第３の付設電気コンタクト（３２）と接続されている、
    請求項８又は９に記載の装置。
11. 前記第１、第２及び第３の凹部の少なくとも一つは穴の形態で、又は側方に開口している縦方向に沿った穴の形態で構成されている、
    請求項１から１０のいずれか一項に記載の装置。
12. 複数の凹部を有する基板プレートが用いられ、
    電磁放射が発せられる側面の領域が前記第１の凹部の上方に配置されるように、複数の半導体レーザが前記基板プレートに実装され、
    前記基板プレートはその後少なくとも１つの半導体レーザを有する基板に分割される、 基板と半導体レーザとを備える装置の製造方法。
13. 前記基板プレートの上面から関連づけられた第１の凹部まで延在するように、互いに離間した複数の第１のコンタクトパッドが前記基板プレートの上面に載置され、
    前記半導体レーザが前記第１のコンタクトパッド上に設置されることで、前記半導体レーザの第１の電気端子がそれぞれ第１のコンタクトパッドと接続される、
    請求項１２に記載の方法。
14. 前記基板は、前記第１の凹部が縁取られた自身の側面を介して又は自身の下面を介してキャリア上に配置され、
    前記キャリアは第１の付設電気コンタクトを有し、
    前記基板の前記第１のコンタクトパッドは前記キャリアの前記第１の付設電気コンタクトと導電接続される、
    請求項１２又は１３に記載の方法。
15. 前記基板プレートは切断動作によって前記基板に分割され、
    破断寸法はレーザによって特に前記基板プレートの下面において規定され、
    その後に前記基板プレートは破断溝に沿って切断される、
    請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。

Images