JP2001036178A - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザ装置の出射光に対する反射光の
サブマウントでの二次反射光が、出射光に悪影響を与え
ないように半導体レーザ素子をサブマウントに取り付け
て半導体レーザ装置を構成する。 【解決手段】 レーザ光を出射する発光端面３を有する
半導体レーザ素子１が、サブマウント２に対して、相対
位置を変えて取り付けられることにより、半導体レーザ
素子１の発光端面３とサブマウント２の発光端面側のサ
ブマウント側面４が平行にならないように構成し、レー
ザ出射光５に対する反射光６が、サブマウント側面４に
よって二次反射された２次反射光８がレーザ出射光５と
同一の光路にならないようにした。
サブマウントでの二次反射光が、出射光に悪影響を与え
ないように半導体レーザ素子をサブマウントに取り付け
て半導体レーザ装置を構成する。 【解決手段】 レーザ光を出射する発光端面３を有する
半導体レーザ素子１が、サブマウント２に対して、相対
位置を変えて取り付けられることにより、半導体レーザ
素子１の発光端面３とサブマウント２の発光端面側のサ
ブマウント側面４が平行にならないように構成し、レー
ザ出射光５に対する反射光６が、サブマウント側面４に
よって二次反射された２次反射光８がレーザ出射光５と
同一の光路にならないようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、レーザ出射光と
干渉し、特性に悪影響を及ぼす戻り光を抑制するサブマ
ウントを有する半導体レーザ装置に関するものである。
干渉し、特性に悪影響を及ぼす戻り光を抑制するサブマ
ウントを有する半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、従来の半導体レーザ装置の構
成を示す図である。図において、１は半導体レーザ素
子、２は半導体レーザ素子１が取り付けられるサブマウ
ント、３は半導体レーザ素子１のレーザを出射する発光
端面、４はサブマウント２の半導体レーザ素子１の発光
端面３側の側面であるサブマウント側面である。５は半
導体レーザ素子１の出射光で、発光端面３に対して垂直
な方向に出射される。６は出射光５がＣＤやＭＤ等の光
ディスクに反射して返ってきた反射光、７は反射光６が
サブマウント側面４によってさらに反射して光ディスク
に戻る戻り光である。
成を示す図である。図において、１は半導体レーザ素
子、２は半導体レーザ素子１が取り付けられるサブマウ
ント、３は半導体レーザ素子１のレーザを出射する発光
端面、４はサブマウント２の半導体レーザ素子１の発光
端面３側の側面であるサブマウント側面である。５は半
導体レーザ素子１の出射光で、発光端面３に対して垂直
な方向に出射される。６は出射光５がＣＤやＭＤ等の光
ディスクに反射して返ってきた反射光、７は反射光６が
サブマウント側面４によってさらに反射して光ディスク
に戻る戻り光である。
【０００３】このような従来の構成では、半導体レーザ
素子１の発光端面３と、サブマウント２の発光端面側の
サブマウント側面４は、平行の関係にあった。
素子１の発光端面３と、サブマウント２の発光端面側の
サブマウント側面４は、平行の関係にあった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の構成では、
半導体レーザ素子の発光端面３とサブマウント側面４が
平行の関係であるため、反射光６がサブマウント側面４
によりさらに反射した場合、出射光５と同一光路にて再
び光ディスクに戻っていく戻り光７となって、出射光５
の特性に悪影響を及ぼしていた。
半導体レーザ素子の発光端面３とサブマウント側面４が
平行の関係であるため、反射光６がサブマウント側面４
によりさらに反射した場合、出射光５と同一光路にて再
び光ディスクに戻っていく戻り光７となって、出射光５
の特性に悪影響を及ぼしていた。
【０００５】この発明は、上記のような問題点を解決す
るためになされたものであり、戻り光の悪影響のない半
導体レーザ装置を得ることを第一の目的としている。ま
た、戻り光の悪影響のない半導体レーザ装置の製造方法
を得ることを第二の目的としている。
るためになされたものであり、戻り光の悪影響のない半
導体レーザ装置を得ることを第一の目的としている。ま
た、戻り光の悪影響のない半導体レーザ装置の製造方法
を得ることを第二の目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる半導体
レーザ装置においては、レーザ光を出射する発光端面を
有する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が取
り付けられ、発光端面側に側面を有するサブマウントを
備え、半導体レーザ素子は、サブマウントの側面と発光
端面とが平行にならないようにサブマウントとの相対位
置を変えて取り付けられているものである。また、レー
ザ光を出射する発光端面を有する半導体レーザ素子と、
この半導体レーザ素子が取り付けられ、発光端面側の側
面に厚さ方向の溝部が形成されたサブマウントを備えた
ものである。
レーザ装置においては、レーザ光を出射する発光端面を
有する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が取
り付けられ、発光端面側に側面を有するサブマウントを
備え、半導体レーザ素子は、サブマウントの側面と発光
端面とが平行にならないようにサブマウントとの相対位
置を変えて取り付けられているものである。また、レー
ザ光を出射する発光端面を有する半導体レーザ素子と、
この半導体レーザ素子が取り付けられ、発光端面側の側
面に厚さ方向の溝部が形成されたサブマウントを備えた
ものである。
【０００７】また、レーザ光を出射する発光端面を有す
る半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が取り付
けられ、発光端面側に側面を有するサブマウントを備
え、サブマウントの側面上または側面の一部を覆うよう
に樹脂がポッティングされているものである。さらに、
レーザ光を出射する発光端面を有する半導体レーザ素子
と、鋭角を含む平行四辺形の形状を有する面に半導体レ
ーザ素子が取り付けられると共に、発光端面側に平行四
辺形の一辺を形成する側面を有するサブマウントを備
え、半導体レーザ素子は、発光端面に隣接する端面とサ
ブマウントの発光端面側の側面に隣接する側面とが平行
になるようにサブマウントに取り付けられるものであ
る。また、レーザ光を出射する発光端面を有する半導体
レーザ素子、この半導体レーザ素子が取り付けられ、発
光端面側の側面に半導体素子に沿うように溝が形成され
たサブマウントを備えたものである。また、レーザ光を
出射する発光端面を有する半導体レーザ素子と、この半
導体レーザ素子が取り付けられ、発光端面側の側面に半
導体素子に沿うように溝が形成されたサブマウントを備
えたものである。
る半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が取り付
けられ、発光端面側に側面を有するサブマウントを備
え、サブマウントの側面上または側面の一部を覆うよう
に樹脂がポッティングされているものである。さらに、
レーザ光を出射する発光端面を有する半導体レーザ素子
と、鋭角を含む平行四辺形の形状を有する面に半導体レ
ーザ素子が取り付けられると共に、発光端面側に平行四
辺形の一辺を形成する側面を有するサブマウントを備
え、半導体レーザ素子は、発光端面に隣接する端面とサ
ブマウントの発光端面側の側面に隣接する側面とが平行
になるようにサブマウントに取り付けられるものであ
る。また、レーザ光を出射する発光端面を有する半導体
レーザ素子、この半導体レーザ素子が取り付けられ、発
光端面側の側面に半導体素子に沿うように溝が形成され
たサブマウントを備えたものである。また、レーザ光を
出射する発光端面を有する半導体レーザ素子と、この半
導体レーザ素子が取り付けられ、発光端面側の側面に半
導体素子に沿うように溝が形成されたサブマウントを備
えたものである。
【０００８】また、この発明に係わる半導体レーザ装置
の製造方法においては、半導体レーザ素子の発光端面と
サブマウントの側面とが平行にならないようにサブマウ
ントとの相対位置を変えて半導体レーザ素子を取り付け
るサブマウント上の取り付け領域に半田を蒸着する第一
の工程と、取り付け領域に半導体レーザ素子を取り付け
る第二の工程を含むものである。また、基板にマトリッ
クス状に配置された多数のスルーホールを形成する第一
の工程と、スルーホールを通る第一の方向の切断線及び
スルーホール間を通り第一の方向の切断線に直交する第
二の方向の切断線に沿って基板を切断することによりサ
ブマウントを形成する第二の工程を含むものである。
の製造方法においては、半導体レーザ素子の発光端面と
サブマウントの側面とが平行にならないようにサブマウ
ントとの相対位置を変えて半導体レーザ素子を取り付け
るサブマウント上の取り付け領域に半田を蒸着する第一
の工程と、取り付け領域に半導体レーザ素子を取り付け
る第二の工程を含むものである。また、基板にマトリッ
クス状に配置された多数のスルーホールを形成する第一
の工程と、スルーホールを通る第一の方向の切断線及び
スルーホール間を通り第一の方向の切断線に直交する第
二の方向の切断線に沿って基板を切断することによりサ
ブマウントを形成する第二の工程を含むものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、この発明
の実施の形態１による半導体レーザ装置を示す上面図で
ある。図において、１は矩形の半導体レーザ素子、２は
半導体レーザ素子１が取り付けられるサブマウントで、
半導体レーザ素子１に対して相対位置を変えて実装され
ている。３は半導体レーザ素子１のレーザを出射する発
光端面、４はサブマウント２の半導体レーザ素子１の発
光端面３側の側面であるサブマウント側面である。５は
半導体レーザの出射光で、発光端面３に対して垂直な方
向に出射される。６は出射光５がＣＤやＭＤ等の光ディ
スクによって反射されて返ってきた反射光、８は反射光
６がサブマウント側面４によって反射される２次反射光
である。
の実施の形態１による半導体レーザ装置を示す上面図で
ある。図において、１は矩形の半導体レーザ素子、２は
半導体レーザ素子１が取り付けられるサブマウントで、
半導体レーザ素子１に対して相対位置を変えて実装され
ている。３は半導体レーザ素子１のレーザを出射する発
光端面、４はサブマウント２の半導体レーザ素子１の発
光端面３側の側面であるサブマウント側面である。５は
半導体レーザの出射光で、発光端面３に対して垂直な方
向に出射される。６は出射光５がＣＤやＭＤ等の光ディ
スクによって反射されて返ってきた反射光、８は反射光
６がサブマウント側面４によって反射される２次反射光
である。
【００１０】このように構成された半導体レーザ装置に
おいては、図１に示すように、半導体レーザ素子１の出
射方向に対してサブマウント２を回転させ相対位置を変
えて実装することにより、半導体レーザ素子の発光端面
３とサブマウント２の発光端面３側のサブマウント側面
４は平行の関係ではなくなっている。したがって、図１
のように、反射光６がサブマウント側面４に当たった場
合、その２次反射光８はサブマウント２の回転方向に出
射されるため、出射光５に影響を及ぼすことはない。
おいては、図１に示すように、半導体レーザ素子１の出
射方向に対してサブマウント２を回転させ相対位置を変
えて実装することにより、半導体レーザ素子の発光端面
３とサブマウント２の発光端面３側のサブマウント側面
４は平行の関係ではなくなっている。したがって、図１
のように、反射光６がサブマウント側面４に当たった場
合、その２次反射光８はサブマウント２の回転方向に出
射されるため、出射光５に影響を及ぼすことはない。
【００１１】実施の形態１の構成によれば、２次反射光
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果がある上、矩形の半導体レーザ素子を、サ
ブマウントとの相対位置を変えて用いることで、余分な
加工を行う必要がない。
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果がある上、矩形の半導体レーザ素子を、サ
ブマウントとの相対位置を変えて用いることで、余分な
加工を行う必要がない。
【００１２】実施の形態２．図２は、この発明の実施の
形態２による半導体レーザ装置を示す上面図である。図
において、１は半導体レーザ素子、２は半導体レーザ素
子が取り付けられるサブマウント、３は半導体レーザ素
子１のレーザを出射する発光端面、４はサブマウント２
の半導体レーザ素子１の発光端面３側の側面であるサブ
マウント側面である。５は半導体レーザの出射光で、発
光端面３に対して垂直な方向に出射される。６は出射光
５がＣＤやＭＤ等の光ディスクによって反射されて返っ
てきた反射光、８は反射光６がサブマウント側面４によ
って反射される２次反射光である。９はサブマウント２
の反射光６が入射する位置に設けられた厚さ方向の溝部
で、スルーホールによって形成されている。
形態２による半導体レーザ装置を示す上面図である。図
において、１は半導体レーザ素子、２は半導体レーザ素
子が取り付けられるサブマウント、３は半導体レーザ素
子１のレーザを出射する発光端面、４はサブマウント２
の半導体レーザ素子１の発光端面３側の側面であるサブ
マウント側面である。５は半導体レーザの出射光で、発
光端面３に対して垂直な方向に出射される。６は出射光
５がＣＤやＭＤ等の光ディスクによって反射されて返っ
てきた反射光、８は反射光６がサブマウント側面４によ
って反射される２次反射光である。９はサブマウント２
の反射光６が入射する位置に設けられた厚さ方向の溝部
で、スルーホールによって形成されている。
【００１３】このように構成された半導体レーザ装置に
おいては、図２のように発光端面３側のサブマウント側
面４には、溝部９が形成されていて、反射光６がサブマ
ウント側面４の溝部９に当たるため、その２次反射光８
は散乱される。従って出射光５に２次反射光８が影響を
及ぼすことはない。
おいては、図２のように発光端面３側のサブマウント側
面４には、溝部９が形成されていて、反射光６がサブマ
ウント側面４の溝部９に当たるため、その２次反射光８
は散乱される。従って出射光５に２次反射光８が影響を
及ぼすことはない。
【００１４】実施の形態２の構成によれば、２次反射光
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果があると共に、製造も容易である。
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果があると共に、製造も容易である。
【００１５】実施の形態３．図３は、この発明の実施の
形態３による半導体レーザ装置のサブマウント実装にお
ける樹脂のポッティング位置を示す側面図であり、サブ
マウント、半導体レーザ素子及び樹脂の側面を示してい
る。図において、１〜６、８は、図２におけるものと同
一のものである。１０はサブマウント２が取り付けられ
るブロック、１１はブロック１０にポッティングされた
樹脂である。
形態３による半導体レーザ装置のサブマウント実装にお
ける樹脂のポッティング位置を示す側面図であり、サブ
マウント、半導体レーザ素子及び樹脂の側面を示してい
る。図において、１〜６、８は、図２におけるものと同
一のものである。１０はサブマウント２が取り付けられ
るブロック、１１はブロック１０にポッティングされた
樹脂である。
【００１６】このように構成された半導体レーザ装置に
おいては、図３のように、光ディスクからの反射光６が
サブマウント前部にポッティングされている樹脂１１に
当たるため、その２次反射光８は散乱される。従って出
射光５と２次反射光８との干渉は発生しない。なお、図
３では、樹脂１１はブロック１０にポッティングされて
いるが、サブマウント側面４上にポッティングされても
同じ効果がある。
おいては、図３のように、光ディスクからの反射光６が
サブマウント前部にポッティングされている樹脂１１に
当たるため、その２次反射光８は散乱される。従って出
射光５と２次反射光８との干渉は発生しない。なお、図
３では、樹脂１１はブロック１０にポッティングされて
いるが、サブマウント側面４上にポッティングされても
同じ効果がある。
【００１７】実施の形態３の構成によれば、２次反射光
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果がある。
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果がある。
【００１８】実施の形態４．図４は、この発明の実施の
形態４による半導体レーザ装置を示す上面図である。図
において、１〜６、８は図１におけるものと同一のもの
であるが、サブマウント２は、半導体レーザ素子１を取
り付ける面が、平行四辺形の形状になるように形成さ
れ、発光端面３はサブマウント側面４と平行にならない
ように、且つ、発光端面３に隣接する半導体レーザ素子
１の端面とサブマウント側面４に隣接する側面とが平行
になるように、半導体レーザ素子１が取り付けられてい
る。
形態４による半導体レーザ装置を示す上面図である。図
において、１〜６、８は図１におけるものと同一のもの
であるが、サブマウント２は、半導体レーザ素子１を取
り付ける面が、平行四辺形の形状になるように形成さ
れ、発光端面３はサブマウント側面４と平行にならない
ように、且つ、発光端面３に隣接する半導体レーザ素子
１の端面とサブマウント側面４に隣接する側面とが平行
になるように、半導体レーザ素子１が取り付けられてい
る。
【００１９】このように構成された半導体レーザ装置に
おいては、図４のように、光ディスクからの反射光６が
サブマウント側面４に当たった際、サブマウント側面４
が、発光端面３と平行の関係にないため、２次反射光８
が出射光５と同一光路になることはなく、戻り光が抑制
される効果がある。
おいては、図４のように、光ディスクからの反射光６が
サブマウント側面４に当たった際、サブマウント側面４
が、発光端面３と平行の関係にないため、２次反射光８
が出射光５と同一光路になることはなく、戻り光が抑制
される効果がある。
【００２０】実施の形態４の構成によれば、２次反射光
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果がある上、平行四辺形の形状のサブマウン
トは、製造が容易である。
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果がある上、平行四辺形の形状のサブマウン
トは、製造が容易である。
【００２１】実施の形態５．実施の形態５は、実施の形
態１の半田を用いる実装方法を示すものである。図５
は、この発明の実施の形態５による半導体レーザ装置の
サブマウント実装方法を説明するための図であり、不適
当な例を説明するものである。図５において、１、２は
図１におけるものと同一のものである。１２はサブマウ
ント２に蒸着された半田である。１３は半導体レーザ素
子１の半田１２に対応しない領域である。図６は、この
発明の実施の形態５による半導体レーザ装置のサブマウ
ント実装方法を説明するための図である。図６におい
て、１、２、１２は図５におけるものと同一のものであ
るが、半田１２の蒸着領域が図５におけるものと異なっ
ている。図５のように実装される半導体レーザ装置で
は、サブマウント２の外形に対して、半導体レーザ素子
の取り付け領域が回転されない形であり、その取り付け
領域に半田１２の蒸着を行うため、実施の形態１のよう
にサブマウント２を回転して相対位置を変えて実装する
場合、半導体レーザ素子１とサブマウント２が濡れない
領域１３が発生している。このため、接合強度の低下
や、温度特性の劣化が懸念される。
態１の半田を用いる実装方法を示すものである。図５
は、この発明の実施の形態５による半導体レーザ装置の
サブマウント実装方法を説明するための図であり、不適
当な例を説明するものである。図５において、１、２は
図１におけるものと同一のものである。１２はサブマウ
ント２に蒸着された半田である。１３は半導体レーザ素
子１の半田１２に対応しない領域である。図６は、この
発明の実施の形態５による半導体レーザ装置のサブマウ
ント実装方法を説明するための図である。図６におい
て、１、２、１２は図５におけるものと同一のものであ
るが、半田１２の蒸着領域が図５におけるものと異なっ
ている。図５のように実装される半導体レーザ装置で
は、サブマウント２の外形に対して、半導体レーザ素子
の取り付け領域が回転されない形であり、その取り付け
領域に半田１２の蒸着を行うため、実施の形態１のよう
にサブマウント２を回転して相対位置を変えて実装する
場合、半導体レーザ素子１とサブマウント２が濡れない
領域１３が発生している。このため、接合強度の低下
や、温度特性の劣化が懸念される。
【００２２】図６のように実装される半導体レーザ装置
では、サブマウント２を実装する際の回転角と等しくな
るように、サブマウント２上の半導体レーザ素子の取り
付け領域を設定し、その領域に半田１２を蒸着するよう
にする。このように、サブマウント外形に対して相対位
置を変えた取り付け領域を設定することによって、半導
体レーザ素子１とサブマウント２の接合で濡れない部分
が発生することはない。
では、サブマウント２を実装する際の回転角と等しくな
るように、サブマウント２上の半導体レーザ素子の取り
付け領域を設定し、その領域に半田１２を蒸着するよう
にする。このように、サブマウント外形に対して相対位
置を変えた取り付け領域を設定することによって、半導
体レーザ素子１とサブマウント２の接合で濡れない部分
が発生することはない。
【００２３】図６のような半田の蒸着を行って、実施の
形態１による半導体レーザ装置を製造した場合、半導体
レーザ素子１とサブマウント２の半田濡れ性を十分確保
できる効果がある。
形態１による半導体レーザ装置を製造した場合、半導体
レーザ素子１とサブマウント２の半田濡れ性を十分確保
できる効果がある。
【００２４】実施の形態６．実施の形態６は、実施の形
態２におけるサブマウントの製造方法を示すものであ
る。図７は、この発明の実施の形態６による半導体レー
ザ装置のサブマウントの製造方法を説明するための図で
ある。図７において、１４はＳｉ基板、ＡｌＮ基板等の
サブマウント用の基板である。１５は基板１４にマトリ
ックス状に形成された多数のスルーホールである。１６
はスルーホール１５を通るような横方向の位置を示す切
断線、１７は切断線１６に直交しスルーホール１５間を
通る縦方向の位置を示す切断線である。図８は、この発
明の実施の形態６による半導体レーザ装置のサブマウン
トの形状を示す図である。図８において、２、９は図２
におけるものと同一のものである。
態２におけるサブマウントの製造方法を示すものであ
る。図７は、この発明の実施の形態６による半導体レー
ザ装置のサブマウントの製造方法を説明するための図で
ある。図７において、１４はＳｉ基板、ＡｌＮ基板等の
サブマウント用の基板である。１５は基板１４にマトリ
ックス状に形成された多数のスルーホールである。１６
はスルーホール１５を通るような横方向の位置を示す切
断線、１７は切断線１６に直交しスルーホール１５間を
通る縦方向の位置を示す切断線である。図８は、この発
明の実施の形態６による半導体レーザ装置のサブマウン
トの形状を示す図である。図８において、２、９は図２
におけるものと同一のものである。
【００２５】このような多数のスルーホールが形成され
た基板１４を用い、切断線１６及び切断線１７に沿っ
て、基板１４をダイシングすることによって、図８に示
す形状のサブマウントの製造が可能である。
た基板１４を用い、切断線１６及び切断線１７に沿っ
て、基板１４をダイシングすることによって、図８に示
す形状のサブマウントの製造が可能である。
【００２６】実施の形態６のような製造方法によって、
実施の形態２に示したような形状のサブマウントの製造
を簡単に行うことができる。
実施の形態２に示したような形状のサブマウントの製造
を簡単に行うことができる。
【００２７】実施の形態７．図９は、この発明の実施の
形態７による半導体レーザ装置のサブマウントの形状を
示す断面図である。図において、１〜６、８は図１にお
けるものと同一のものである。１８はサブマウント側面
４に形成され、半導体レーザ素子１に沿うように設けら
れた溝である。
形態７による半導体レーザ装置のサブマウントの形状を
示す断面図である。図において、１〜６、８は図１にお
けるものと同一のものである。１８はサブマウント側面
４に形成され、半導体レーザ素子１に沿うように設けら
れた溝である。
【００２８】このように構成された半導体レーザ装置に
おいては、図９のように発光端面３側のサブマウント側
面４には、半導体レーザ素子１に沿うように溝１８が設
けられていて、反射光６がサブマウント側面４の溝１８
に当たるため、その２次反射光８は散乱される。従って
出射光５に２次反射光８が影響を及ぼすことはない。
おいては、図９のように発光端面３側のサブマウント側
面４には、半導体レーザ素子１に沿うように溝１８が設
けられていて、反射光６がサブマウント側面４の溝１８
に当たるため、その２次反射光８は散乱される。従って
出射光５に２次反射光８が影響を及ぼすことはない。
【００２９】実施の形態７の構成によれば、２次反射光
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果がある。
８が出射光５と同一光路となることはなく、戻り光は抑
制される効果がある。
【００３０】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように構成さ
れているので、以下に示すような効果を奏する。レーザ
光を出射する発光端面を有する半導体レーザ素子と、こ
の半導体レーザ素子が取り付けられ、発光端面側に側面
を有するサブマウントを備え、半導体レーザ素子は、サ
ブマウントの側面と発光端面とが平行にならないように
サブマウントとの相対位置を変えて取り付けられている
ので、レーザ出射光に対する反射光が、レーザの出射方
向に二次反射されるのを、サブマウントに何らの加工を
行わなくても抑制することができる。また、レーザ光を
出射する発光端面を有する半導体レーザ素子と、この半
導体レーザ素子が取り付けられ、発光端面側の側面に厚
さ方向の溝部が形成されたサブマウントを備えたので、
レーザ出射光に対する反射光が、レーザの出射方向に二
次反射されるのを抑制することができる。
れているので、以下に示すような効果を奏する。レーザ
光を出射する発光端面を有する半導体レーザ素子と、こ
の半導体レーザ素子が取り付けられ、発光端面側に側面
を有するサブマウントを備え、半導体レーザ素子は、サ
ブマウントの側面と発光端面とが平行にならないように
サブマウントとの相対位置を変えて取り付けられている
ので、レーザ出射光に対する反射光が、レーザの出射方
向に二次反射されるのを、サブマウントに何らの加工を
行わなくても抑制することができる。また、レーザ光を
出射する発光端面を有する半導体レーザ素子と、この半
導体レーザ素子が取り付けられ、発光端面側の側面に厚
さ方向の溝部が形成されたサブマウントを備えたので、
レーザ出射光に対する反射光が、レーザの出射方向に二
次反射されるのを抑制することができる。
【００３１】また、レーザ光を出射する発光端面を有す
る半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が取り付
けられ、発光端面側に側面を有するサブマウントを備
え、サブマウントの側面上または側面の一部を覆うよう
に樹脂がポッティングされているので、レーザ出射光に
対する反射光が、レーザの出射方向に二次反射されるの
を抑制することができる。さらに、レーザ光を出射する
発光端面を有する半導体レーザ素子と、鋭角を含む平行
四辺形の形状を有する面に半導体レーザ素子が取り付け
られると共に、発光端面側に平行四辺形の一辺を形成す
る側面を有するサブマウントを備え、半導体レーザ素子
は、発光端面に隣接する端面とサブマウントの発光端面
側の側面に隣接する側面とが平行になるようにサブマウ
ントに取り付けられるので、レーザ出射光に対する反射
光が、レーザの出射方向に二次反射されるのを抑制する
ことができると共に、サブマウントの加工をしやすい。
る半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が取り付
けられ、発光端面側に側面を有するサブマウントを備
え、サブマウントの側面上または側面の一部を覆うよう
に樹脂がポッティングされているので、レーザ出射光に
対する反射光が、レーザの出射方向に二次反射されるの
を抑制することができる。さらに、レーザ光を出射する
発光端面を有する半導体レーザ素子と、鋭角を含む平行
四辺形の形状を有する面に半導体レーザ素子が取り付け
られると共に、発光端面側に平行四辺形の一辺を形成す
る側面を有するサブマウントを備え、半導体レーザ素子
は、発光端面に隣接する端面とサブマウントの発光端面
側の側面に隣接する側面とが平行になるようにサブマウ
ントに取り付けられるので、レーザ出射光に対する反射
光が、レーザの出射方向に二次反射されるのを抑制する
ことができると共に、サブマウントの加工をしやすい。
【００３２】また、レーザ光を出射する発光端面を有す
る半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が取り付
けられ、発光端面側の側面に半導体素子に沿うように溝
が形成されたサブマウントを備えたので、レーザ出射光
に対する反射光が、レーザの出射方向に二次反射される
のを抑制することができる。
る半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が取り付
けられ、発光端面側の側面に半導体素子に沿うように溝
が形成されたサブマウントを備えたので、レーザ出射光
に対する反射光が、レーザの出射方向に二次反射される
のを抑制することができる。
【００３３】また、半導体レーザ素子の発光端面とサブ
マウントの側面とが平行にならないようにサブマウント
との相対位置を変えて半導体レーザ素子を取り付けるサ
ブマウント上の取り付け領域に半田を蒸着する第一の工
程と、取り付け領域に半導体レーザ素子を取り付ける第
二の工程を含むので、半導体レーザ素子のレーザ光を出
射する発光端面と、サブマウントの発光端面側の側面と
が平行になることが避けられ、レーザ出射光に対する反
射光が、レーザの出射方向に二次反射されるのを抑制す
ることができる半導体レーザ装置を形成することができ
ると共に、半導体レーザ素子とサブマウントの取り付け
に当たって半田濡れ性を確保することができる。
マウントの側面とが平行にならないようにサブマウント
との相対位置を変えて半導体レーザ素子を取り付けるサ
ブマウント上の取り付け領域に半田を蒸着する第一の工
程と、取り付け領域に半導体レーザ素子を取り付ける第
二の工程を含むので、半導体レーザ素子のレーザ光を出
射する発光端面と、サブマウントの発光端面側の側面と
が平行になることが避けられ、レーザ出射光に対する反
射光が、レーザの出射方向に二次反射されるのを抑制す
ることができる半導体レーザ装置を形成することができ
ると共に、半導体レーザ素子とサブマウントの取り付け
に当たって半田濡れ性を確保することができる。
【００３４】また、基板にマトリックス状に配置された
多数のスルーホールを形成する第一の工程と、スルーホ
ールを通る第一の方向の切断線及びスルーホール間を通
り第一の方向の切断線に直交する第二の方向の切断線に
沿って基板を切断することによりサブマウントを形成す
る第二の工程を含むので、半導体レーザ素子の発光端面
側の側面にスルーホールが形成されたサブマウントを形
成することができ、レーザ出射光に対する反射光が、レ
ーザの出射方向に二次反射されるのを抑制することがで
きる半導体レーザ装置を形成することができる。
多数のスルーホールを形成する第一の工程と、スルーホ
ールを通る第一の方向の切断線及びスルーホール間を通
り第一の方向の切断線に直交する第二の方向の切断線に
沿って基板を切断することによりサブマウントを形成す
る第二の工程を含むので、半導体レーザ素子の発光端面
側の側面にスルーホールが形成されたサブマウントを形
成することができ、レーザ出射光に対する反射光が、レ
ーザの出射方向に二次反射されるのを抑制することがで
きる半導体レーザ装置を形成することができる。
【図１】 この発明の実施の形態１による半導体レーザ
装置を示す上面図である。
装置を示す上面図である。
【図２】 この発明の実施の形態２による半導体レーザ
装置を示す上面図である。
装置を示す上面図である。
【図３】 この発明の実施の形態３による半導体レーザ
装置のサブマウント実装における樹脂のポッティング位
置を示す側面図である。
装置のサブマウント実装における樹脂のポッティング位
置を示す側面図である。
【図４】 この発明の実施の形態４による半導体レーザ
装置を示す上面図である。
装置を示す上面図である。
【図５】 この発明の実施の形態５による半導体レーザ
装置のサブマウント実装方法を説明するための図であ
る。
装置のサブマウント実装方法を説明するための図であ
る。
【図６】 この発明の実施の形態５による半導体レーザ
装置のサブマウント実装方法を説明するための図であ
る。
装置のサブマウント実装方法を説明するための図であ
る。
【図７】 この発明の実施の形態６による半導体レーザ
装置のサブマウント製造方法を説明するための図であ
る。
装置のサブマウント製造方法を説明するための図であ
る。
【図８】 この発明の実施の形態６による半導体レーザ
装置のサブマウントの形状を示す図である。
装置のサブマウントの形状を示す図である。
【図９】 この発明の実施の形態７による半導体レーザ
装置のサブマウントの形状を示す断面図である。
装置のサブマウントの形状を示す断面図である。
【図１０】 従来の半導体レーザ装置の構成を示す図で
ある。
ある。
１ 半導体レーザ素子、２ サブマウント、３ 発光端
面、４ サブマウント側面、５ 出射光、６ 反射光、
８ ２次反射光、９ 溝部、１０ ブロック、１１ 樹
脂、１２ 半田、１４ 基板、１５ スルーホール、１
６，１７ 切断線、１８ 溝。
面、４ サブマウント側面、５ 出射光、６ 反射光、
８ ２次反射光、９ 溝部、１０ ブロック、１１ 樹
脂、１２ 半田、１４ 基板、１５ スルーホール、１
６，１７ 切断線、１８ 溝。
Claims (7)
- 【請求項１】 レーザ光を出射する発光端面を有する半
導体レーザ素子、この半導体レーザ素子が取り付けら
れ、上記発光端面側に側面を有するサブマウントを備
え、上記半導体レーザ素子は、上記サブマウントの側面
と発光端面とが平行にならないようにサブマウントとの
相対位置を変えて取り付けられていることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 レーザ光を出射する発光端面を有する半
導体レーザ素子、この半導体レーザ素子が取り付けら
れ、上記発光端面側の側面に厚さ方向の溝部が形成され
たサブマウントを備えたことを特徴とする半導体レーザ
装置。 - 【請求項３】 レーザ光を出射する発光端面を有する半
導体レーザ素子、この半導体レーザ素子が取り付けら
れ、上記発光端面側に側面を有するサブマウントを備
え、上記サブマウントの側面上または側面の一部を覆う
ように樹脂がポッティングされていることを特徴とする
半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 レーザ光を出射する発光端面を有する半
導体レーザ素子、鋭角を含む平行四辺形の形状を有する
面に上記半導体レーザ素子が取り付けられると共に、上
記発光端面側に上記平行四辺形の一辺を形成する側面を
有するサブマウントを備え、上記半導体レーザ素子は、
発光端面に隣接する端面と上記サブマウントの発光端面
側の側面に隣接する側面とが平行になるようにサブマウ
ントに取り付けられることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - 【請求項５】 レーザ光を出射する発光端面を有する半
導体レーザ素子、この半導体レーザ素子が取り付けら
れ、上記発光端面側の側面に上記半導体素子に沿うよう
に溝が形成されたサブマウントを備えたことを特徴とす
る半導体レーザ装置。 - 【請求項６】 半導体レーザ素子の発光端面とサブマウ
ントの側面とが平行にならないようにサブマウントとの
相対位置を変えて半導体レーザ素子を取り付けるサブマ
ウント上の取り付け領域に半田を蒸着する第一の工程、
上記取り付け領域に半導体レーザ素子を取り付ける第二
の工程を含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造
方法。 - 【請求項７】 基板にマトリックス状に配置された多数
のスルーホールを形成する第一の工程、上記スルーホー
ルを通る第一の方向の切断線及び上記スルーホール間を
通り上記第一の方向の切断線に直交する第二の方向の切
断線に沿って上記基板を切断することによりサブマウン
トを形成する第二の工程を含むことを特徴とする半導体
レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11205467A JP2001036178A (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11205467A JP2001036178A (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001036178A true JP2001036178A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16507357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11205467A Pending JP2001036178A (ja) | 1999-07-21 | 1999-07-21 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001036178A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804276B2 (en) | 2000-09-19 | 2004-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device which removes influences from returning light of three beams and a method of manufacturing the same |
| DE102013223110A1 (de) * | 2013-11-13 | 2015-05-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102015106712A1 (de) * | 2015-04-30 | 2016-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit einem Substrat und einem Halbleiterlaser |
-
1999
- 1999-07-21 JP JP11205467A patent/JP2001036178A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6804276B2 (en) | 2000-09-19 | 2004-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device which removes influences from returning light of three beams and a method of manufacturing the same |
| DE102013223110A1 (de) * | 2013-11-13 | 2015-05-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102015106712A1 (de) * | 2015-04-30 | 2016-11-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anordnung mit einem Substrat und einem Halbleiterlaser |
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