WO2016088590A1 - 変色層として金属酸化物微粒子を使用したプラズマ処理検知インジケータ - Google Patents
変色層として金属酸化物微粒子を使用したプラズマ処理検知インジケータ Download PDFInfo
- Publication number
- WO2016088590A1 WO2016088590A1 PCT/JP2015/082818 JP2015082818W WO2016088590A1 WO 2016088590 A1 WO2016088590 A1 WO 2016088590A1 JP 2015082818 W JP2015082818 W JP 2015082818W WO 2016088590 A1 WO2016088590 A1 WO 2016088590A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- fine particles
- oxide fine
- color
- plasma processing
- plasma
- Prior art date
Links
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 40
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 40
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 69
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 9
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RBFRVUKIVGOWND-UHFFFAOYSA-L oxygen(2-);vanadium(4+);sulfate Chemical compound [O-2].[V+4].[O-]S([O-])(=O)=O RBFRVUKIVGOWND-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MGLUJXPJRXTKJM-UHFFFAOYSA-L bismuth subcarbonate Chemical compound O=[Bi]OC(=O)O[Bi]=O MGLUJXPJRXTKJM-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 31
- 238000002309 gasification Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract 1
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 90
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 87
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- -1 oxoacid salts Chemical class 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 150000004715 keto acids Chemical class 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 2
- 239000000987 azo dye Substances 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000007644 letterpress printing Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- MSBGPEACXKBQSX-UHFFFAOYSA-N (4-fluorophenyl) carbonochloridate Chemical compound FC1=CC=C(OC(Cl)=O)C=C1 MSBGPEACXKBQSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-bromo-5-chlorophenyl)-3-methylpyrazole Chemical compound N1=C(C)C=CN1C1=CC(Cl)=CC=C1Br QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyisobutyric acid Chemical compound CC(C)(O)C(O)=O BWLBGMIXKSTLSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFWFDRBPQDXFRC-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxypent-3-en-2-one;vanadium Chemical compound [V].CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O.CC(O)=CC(C)=O MFWFDRBPQDXFRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKMCEAOEWZHTRF-UHFFFAOYSA-J C([O-])([O-])=O.C([O-])([O-])=O.[Bi+4] Chemical compound C([O-])([O-])=O.C([O-])([O-])=O.[Bi+4] GKMCEAOEWZHTRF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- CRWSWMKELFKJMC-UHFFFAOYSA-N CC.F.F.F.F.F.F Chemical compound CC.F.F.F.F.F.F CRWSWMKELFKJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVNIGAONSKEHQW-UHFFFAOYSA-N [N+](=O)([O-])[O-].[Bi+2].[N+](=O)([O-])[O-] Chemical compound [N+](=O)([O-])[O-].[Bi+2].[N+](=O)([O-])[O-] JVNIGAONSKEHQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O azanium;oxido(dioxo)vanadium Chemical compound [NH4+].[O-][V](=O)=O UNTBPXHCXVWYOI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940049676 bismuth hydroxide Drugs 0.000 description 1
- 229910000380 bismuth sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K bismuth;trihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Bi+3] TZSXPYWRDWEXHG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- GUZOHYPCAAYGEN-UHFFFAOYSA-N carbonic acid;oxobismuth Chemical compound [Bi]=O.OC(O)=O GUZOHYPCAAYGEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H dibismuth;trisulfate Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- JIRDGEGGAWJQHQ-UHFFFAOYSA-N disulfur dibromide Chemical compound BrSSBr JIRDGEGGAWJQHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011964 heteropoly acid Substances 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001434 methanylylidene group Chemical group [H]C#[*] 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L molybdic acid Chemical compound O[Mo](O)(=O)=O VLAPMBHFAWRUQP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 150000005324 oxide salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 150000004685 tetrahydrates Chemical class 0.000 description 1
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G29/00—Compounds of bismuth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G31/00—Compounds of vanadium
- C01G31/02—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G39/00—Compounds of molybdenum
- C01G39/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G41/00—Compounds of tungsten
- C01G41/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/50—Sympathetic, colour changing or similar inks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K9/00—Tenebrescent materials, i.e. materials for which the range of wavelengths for energy absorption is changed as a result of excitation by some form of energy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
- C23C24/082—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat without intermediate formation of a liquid in the layer
- C23C24/085—Coating with metallic material, i.e. metals or metal alloys, optionally comprising hard particles, e.g. oxides, carbides or nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/042—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/32—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer
- C23C28/322—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one pure metallic layer only coatings of metal elements only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
- C23C28/345—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/30—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer
- C23C28/34—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates
- C23C28/345—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer
- C23C28/3455—Coatings combining at least one metallic layer and at least one inorganic non-metallic layer including at least one inorganic non-metallic material layer, e.g. metal carbide, nitride, boride, silicide layer and their mixtures, enamels, phosphates and sulphates with at least one oxide layer with a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxide, ZrO2, rare earth oxides or a thermal barrier system comprising at least one refractory oxide layer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/78—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N21/77—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator
- G01N21/78—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour
- G01N21/783—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated by observing the effect on a chemical indicator producing a change of colour for analysing gases
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N31/00—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods
- G01N31/22—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods using chemical indicators
- G01N31/223—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods using chemical indicators for investigating presence of specific gases or aerosols
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N31/00—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods
- G01N31/22—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods using chemical indicators
- G01N31/226—Investigating or analysing non-biological materials by the use of the chemical methods specified in the subgroup; Apparatus specially adapted for such methods using chemical indicators for investigating the degree of sterilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32917—Plasma diagnostics
- H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/02—Printing inks
- C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
- C09D11/037—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the pigment
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/75—Systems in which material is subjected to a chemical reaction, the progress or the result of the reaction being investigated
- G01N2021/751—Comparing reactive/non reactive substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
Definitions
- substantially the same means that the length of the main surface of the electronic device substrate (diameter if the main surface shape of the substrate is circular, if the main surface shape of the substrate is square, rectangular, etc.
- the difference in length of the main surface of the indicator of the present invention with respect to the vertical and horizontal lengths) is within ⁇ 5.0 mm, and the difference in thickness of the indicator of the present invention with respect to the electronic device substrate is within ⁇ 1000 ⁇ m. .
- the metal particles and the reactive gas are combined to promote the chemical reaction.
- the particles whose chemical reaction is promoted are accelerated toward the workpiece to which negative electrons are added, collide with high energy, and are deposited on the surface as a metal compound. Note that a vapor deposition method similar to ion plating is also exemplified as the film forming step.
- the circular plate electrodes face each other in parallel, the reaction gas is introduced into the reduced pressure reaction chamber (chamber), and the introduced gas is neutralized or ionized by plasma excitation. Then, the effects of both etching and physical sputtering that are generated between the electrodes and converted into volatile substances by chemical reaction between these radicals and ions and the material on the semiconductor wafer are utilized.
- the plasma etching apparatus include a barrel type (cylindrical type) in addition to the parallel plate type.
- a gas containing impurity atoms to be doped is introduced into the decompression chamber to excite the plasma by ionizing the impurities, and a negative bias voltage is applied to the semiconductor wafer to dope the impurity ions.
- FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a capacitively coupled plasma (capacitively coupled plasma) type plasma etching apparatus.
- Test Example 2 the discoloration of the discoloration layer of each indicator was evaluated in the case where the indicator prepared in Samples 1 to 7 was placed in this apparatus, and argon gas (Ar) was introduced as a reactive gas and plasma treatment was performed. .
- Ar argon gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
Abstract
（課題）プラズマ処理により変色する変色層を有するインジケータであって、プラズマ処理により変色層がガス化したり微細な屑となって飛散したりすることが、電子デバイス特性に影響を及ぼさない程度に抑制されており、且つ、耐熱性が良好なプラズマ処理検知インジケータを提供する。 （解決手段）プラズマ処理により変色する変色層を有するプラズマ処理検知インジケータであって、前記変色層は、Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子を含有するプラズマ処理検知インジケータ。
Description
本発明は、特に電子デバイス製造装置で使用するインジケータとして有用である変色層として金属酸化物微粒子を使用したプラズマ処理検知インジケータに関する。
従来、電子デバイスの製造工程では、電子デバイス基板（被処理基板）に対して各種の処理を行う。例えば、電子デバイスが半導体である場合、半導体ウエハ（ウエハ）を投入した後、絶縁膜や金属膜を形成する成膜工程、フォトレジストパターンを形成するフォトリソグラフィ工程、フォトレジストパターンを使って膜を加工するエッチング工程、半導体ウエハに導電層を形成する不純物添加工程（ドーピング又は拡散工程とも言う）、凹凸のある膜の表面を研磨し平坦にするCMP工程（化学的機械的研磨）等を経て、パターンのでき映えや電気特性をチェックする半導体ウエハ電気特性検査を行う（ここまでの工程を総称して前工程と言う場合がある）。次いで、半導体チップを形成する後工程に移行する。このような前工程は、電子デバイスが半導体である場合だけでなく、他の電子デバイス（発光ダイオード（LED）、太陽電池、液晶ディスプレイ、有機EL（Electro-Luminescence）ディスプレイ等）を製造する上においても同様に行われる。
前工程では、上述した工程の他、プラズマ、オゾン、紫外線等での洗浄工程；プラズマ、ラジカル含有ガス等によるフォトレジストパターンの除去工程（アッシング又は灰化除去とも言う）；などの工程が含まれる。また、上記成膜工程においては、ウエハ表面で反応性ガスを化学反応させ成膜するCVDや、金属膜を形成するスパッタリング等があり、また上記エッチング工程においては、プラズマ中での化学反応によるドライエッチング、イオンビームによるエッチング等が挙げられる。ここで、プラズマとはガスが電離した状態を意味し、イオン、ラジカル及び電子がその内部に存在する。
電子デバイスの製造工程では、電子デバイスの性能、信頼性等を確保するために上記の各種の処理が適切に行われる必要がある。そのため、例えば、成膜工程、エッチング工程、アッシング工程、不純物添加工程、洗浄工程等に代表されるプラズマ処理では、プラズマ処理の完了を確認するために、分光装置を用いたプラズマの発光分析、プラズマ処理雰囲気下で変色する変色層を有するプラズマ処理検知インジケータを用いた完了確認等が実施されている。
プラズマ処理検知インジケータの例としては、特許文献1には、1）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びフタロシアニン系色素の少なくとも1種並びに2）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも1種を含有するプラズマ処理検知用インキ組成物であって、前記プラズマ処理に用いるプラズマ発生用ガスは、酸素及び窒素の少なくとも1種を含有することを特徴とするインキ組成物、並びに、当該インキ組成物からなる変色層を基材上に形成したプラズマ処理検知インジケータが開示されている。
また、特許文献2には、1）アントラキノン系色素、アゾ系色素及びメチン系色素の少なくとも1種並びに2）バインダー樹脂、カチオン系界面活性剤及び増量剤の少なくとも１種を含有する不活性ガスプラズマ処理検知用インキ組成物であって、前記不活性ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンからなる群から選択される少なくとも1種を含有することを特徴とするインキ組成物、並びに、当該インキ組成物からなる変色層を基材上に形成したプラズマ処理検知インジケータが開示されている。
しかしながら、発光分析や従来のプラズマ処理検知インジケータを用いた確認方法は、電子デバイス製造装置で使用するインジケータとしては性能が十分ではない場合がある。具体的には、発光分析を用いた確認方法は、電子デバイス製造装置に設置された窓からの測定及び分析に限定されるため、電子デバイス製造装置内を見渡せない場合には効率よく測定及び分析することが困難となり易い。また、従来のプラズマ処理検知インジケータを用いた場合には、変色層の変色によりプラズマ処理の完了を確認できる点で簡便且つ優れた手段であるが、変色層に色素、バインダー樹脂、界面活性剤等の有機成分が含まれているため、プラズマ処理によって有機成分がガス化したり微細な屑となって飛散したりして電子デバイス製造装置の高い清浄性の低下や電子デバイスの汚染（コンタミネーション）につながることが懸念される。また、有機成分のガス化は電子デバイス製造装置の真空性にも影響を与えることが懸念される。更に、有機成分が主体となる従来の変色層は耐熱性が不十分であるため、電子デバイス製造装置が高温の場合にインジケータとして使用し難いという問題がある。
よって、プラズマ処理により変色する変色層を有するインジケータであって、プラズマ処理により変色層がガス化したり微細な屑となって飛散したりすることが、電子デバイス特性に影響を及ぼさない程度に抑制されており、且つ、耐熱性が良好なプラズマ処理検知インジケータの開発が望まれている。
本発明は、プラズマ処理により変色する変色層を有するインジケータであって、プラズマ処理により変色層がガス化したり微細な屑となって飛散したりすることが、電子デバイス特性に影響を及ぼさない程度に抑制されており、且つ、耐熱性が良好なプラズマ処理検知インジケータを提供することを目的とする。
本発明者は上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、変色層に含まれる変色材料として特定の金属酸化物微粒子を用いる場合には上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、下記のプラズマ処理検知インジケータに関する。
1. プラズマ処理により変色する変色層を有するプラズマ処理検知インジケータであって、
前記変色層は、Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子を含有するプラズマ処理検知インジケータ。
2. 前記金属酸化物微粒子は、酸化モリブデン微粒子（IV）、酸化モリブデン微粒子（VI）、酸化タングステン微粒子（VI）、酸化スズ微粒子（IV）、酸化バナジウム微粒子（II）、酸化バナジウム微粒子（III）、酸化バナジウム微粒子（IV）、酸化バナジウム微粒子（V）、酸化セリウム微粒子（IV）、酸化テルル微粒子（IV）、酸化ビスマス微粒子（III）、炭酸酸化ビスマス微粒子(III)及び酸化硫酸バナジウム微粒子（IV）からなる群から選択される少なくとも一種である、上記項1に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
3. 前記金属酸化物微粒子は、酸化モリブデン微粒子（VI）、酸化タングステン微粒子（VI）、酸化バナジウム微粒子（III）、酸化バナジウム微粒子（V）及び酸化ビスマス微粒子（III）からなる群から選択される少なくとも一種である、上記項1又は2に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
4. 前記変色層を支持する基材を有する、上記項1～3のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
5. 電子デバイス製造装置で使用するインジケータである、上記項1～4のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
6. 前記インジケータの形状が、前記電子デバイス製造装置で使用される電子デバイス基板の形状と同一である、上記項5に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
7. 前記電子デバイス製造装置は、成膜工程、エッチング工程、アッシング工程、不純物添加工程及び洗浄工程からなる群から選択される少なくとも一種のプラズマ処理を行う、上記項5又は6のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
8. プラズマ処理により変色しない非変色層を有する、上記項1～7のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
9. 前記非変色層は、酸化チタン（IV）、酸化ジルコニウム（IV）、酸化イットリウム（III）、硫酸バリウム、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、アルミナ、アルミニウム、銀、イットリウム、ジルコニウム、チタン、白金からなる群から選択される少なくとも一種を含有する、上記項8に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
10. 前記基材上に、前記非変色層及び前記変色層が順に形成されており、前記非変色層が、前記基材の主面上に隣接して形成されており、前記変色層が、前記非変色層の主面上に隣接して形成されている、上記項8又は9に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
1. プラズマ処理により変色する変色層を有するプラズマ処理検知インジケータであって、
前記変色層は、Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子を含有するプラズマ処理検知インジケータ。
2. 前記金属酸化物微粒子は、酸化モリブデン微粒子（IV）、酸化モリブデン微粒子（VI）、酸化タングステン微粒子（VI）、酸化スズ微粒子（IV）、酸化バナジウム微粒子（II）、酸化バナジウム微粒子（III）、酸化バナジウム微粒子（IV）、酸化バナジウム微粒子（V）、酸化セリウム微粒子（IV）、酸化テルル微粒子（IV）、酸化ビスマス微粒子（III）、炭酸酸化ビスマス微粒子(III)及び酸化硫酸バナジウム微粒子（IV）からなる群から選択される少なくとも一種である、上記項1に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
3. 前記金属酸化物微粒子は、酸化モリブデン微粒子（VI）、酸化タングステン微粒子（VI）、酸化バナジウム微粒子（III）、酸化バナジウム微粒子（V）及び酸化ビスマス微粒子（III）からなる群から選択される少なくとも一種である、上記項1又は2に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
4. 前記変色層を支持する基材を有する、上記項1～3のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
5. 電子デバイス製造装置で使用するインジケータである、上記項1～4のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
6. 前記インジケータの形状が、前記電子デバイス製造装置で使用される電子デバイス基板の形状と同一である、上記項5に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
7. 前記電子デバイス製造装置は、成膜工程、エッチング工程、アッシング工程、不純物添加工程及び洗浄工程からなる群から選択される少なくとも一種のプラズマ処理を行う、上記項5又は6のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
8. プラズマ処理により変色しない非変色層を有する、上記項1～7のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
9. 前記非変色層は、酸化チタン（IV）、酸化ジルコニウム（IV）、酸化イットリウム（III）、硫酸バリウム、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、アルミナ、アルミニウム、銀、イットリウム、ジルコニウム、チタン、白金からなる群から選択される少なくとも一種を含有する、上記項8に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
10. 前記基材上に、前記非変色層及び前記変色層が順に形成されており、前記非変色層が、前記基材の主面上に隣接して形成されており、前記変色層が、前記非変色層の主面上に隣接して形成されている、上記項8又は9に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
本発明のプラズマ処理検知インジケータは、変色層に含まれる変色材料として特定の金属酸化物微粒子を使用し、当該変色層はプラズマ処理により金属酸化物微粒子の価数が変化することにより化学的に変色するため、プラズマ処理により変色層がガス化したり微細な屑となって飛散したりすることが、電子デバイス特性に影響を及ぼさない程度に抑制されている。また、変色材料が金属酸化物微粒子から構成されているため電子デバイス製造時のプロセス温度に耐え得る耐熱性を有する。このような本発明のインジケータは、高い清浄性に加えて真空性、高温での処理等が要求される電子デバイス製造装置で使用するプラズマ処理検知インジケータとして特に有用である。なお、電子デバイスとしては、例えば、半導体、発光ダイオード（LED）、半導体レーザ、パワーデバイス、太陽電池、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等が挙げられる。
以下、本発明のプラズマ処理検知インジケータについて詳細に説明する。
本発明のプラズマ処理検知インジケータ（以下、「本発明のインジケータ」とも言う）は、プラズマ処理により変色する変色層を有し、前記変色層は、Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子（以下、単に「金属酸化物微粒子」とも言う）を含有する。
上記特徴を有する本発明のインジケータは、変色層に含まれる変色材料として特定の金属酸化物微粒子を使用し、当該変色層はプラズマ処理により金属酸化物微粒子の価数が変化することにより化学的に変色するため、プラズマ処理により変色層がガス化したり微細な屑となって飛散したりすることが、電子デバイス特性に影響を及ぼさない程度に抑制されている。また、変色材料が金属酸化物微粒子から構成されているため電子デバイス製造時のプロセス温度に耐え得る耐熱性を有する。このような本発明のインジケータは、高い清浄性に加えて真空性、高温での処理等が要求される電子デバイス製造装置で使用するプラズマ処理検知インジケータとして特に有用である。なお、電子デバイスとしては、例えば、半導体、発光ダイオード（LED）、半導体レーザ、パワーデバイス、太陽電池、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等が挙げられる。
変色層
本発明のインジケータは、プラズマ処理により変色する変色層を有し、前記変色層は、Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子を含有する。特に本発明では、プラズマ処理により金属酸化物微粒子の価数が変化することで化学的に変色が生じる。かかる金属酸化物微粒子は、有機成分とは異なり、プラズマ処理によりガス化したり微細な屑となって飛散したりすることが、電子デバイス特性に影響を及ぼさない程度に抑制されている上、電子デバイス製造時のプロセス温度に耐え得る耐熱性を有する。
本発明のインジケータは、プラズマ処理により変色する変色層を有し、前記変色層は、Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子を含有する。特に本発明では、プラズマ処理により金属酸化物微粒子の価数が変化することで化学的に変色が生じる。かかる金属酸化物微粒子は、有機成分とは異なり、プラズマ処理によりガス化したり微細な屑となって飛散したりすることが、電子デバイス特性に影響を及ぼさない程度に抑制されている上、電子デバイス製造時のプロセス温度に耐え得る耐熱性を有する。
金属酸化物微粒子としては、酸化モリブデン微粒子（IV）、酸化モリブデン微粒子（VI）、酸化タングステン微粒子（VI）、酸化スズ微粒子（IV）、酸化バナジウム微粒子（II）、酸化バナジウム微粒子（III）、酸化バナジウム微粒子（IV）、酸化バナジウム微粒子（V）、酸化セリウム微粒子（IV）、酸化テルル微粒子（IV）、酸化ビスマス微粒子（III）、炭酸酸化ビスマス微粒子(III)及び酸化硫酸バナジウム微粒子（IV）からなる群から選択される少なくとも一種が挙げられる。なお、金属酸化物微粒子は、分子中に若干の結晶水を有するものも許容されるが、水分子（水分ガス）放出の可能性があるので結晶水は含まれない方が好ましい。
金属酸化物粒子は、上記の中でも、プラズマ処理による変色性を考慮すると、酸化モリブデン微粒子（VI）、酸化タングステン微粒子（VI）、酸化バナジウム微粒子（III）、酸化バナジウム微粒子（V）及び酸化ビスマス微粒子（III）からなる群から選択される少なくとも一種が好適なものとして挙げられる。
本発明のインジケータにおいて、金属酸化物微粒子の平均粒子径は50μm以下であり、特に0.01～10μm程度がより好ましい。なお、本明細書における平均粒子径は、レーザ回折・散乱式粒子径分布測定装置（製品名：マイクロトラックMT3000、日機装製）より測定した値である。平均粒子径が50μm以下であることにより、プラズマ処理による良好な変色性（感受性）を確保することができる。
本発明のインジケータは、変色層が上記金属酸化物微粒子を含有する。変色層は実質的に金属酸化物微粒子から形成されていることが望まれ、金属酸化物微粒子以外に有機成分などは排除されていることが好ましい。なお、金属酸化物微粒子は、凝集体（乾燥物）等の状態で含まれる。
変色層の形成方法は限定的ではないが、例えば、平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子を含むスラリーを調製した後、当該スラリーを基板上に塗布し溶媒留去した後に大気中で乾燥することにより変色層を形成することができる。
ここで、平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子は、金属酸化物微粒子の原料粉末を焼成することにより酸化物とした後、適宜、平均粒子径を調整することにより調製してもよい。金属酸化物微粒子の平均粒子径を50μm未満にするためには、例えば、公知のビーズミル、三本ロール等の剪断機を用いて粒径を所定範囲に調整することができる。
上記原料粉末は、焼成により金属酸化物に変わる粉末を意味し、上記金属元素（Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiの一種以上）を含む水酸化物、炭酸塩、アセチルアセトナト錯体、酸化物塩、オキソ酸、オキソ酸塩、オキソ錯体等が挙げられる。ここで、上記オキソ酸にはオルト酸、メタ酸の他、イソポリ酸やヘテロポリ酸などの縮合オキソ酸も含まれる。
金属酸化物微粒子の原料粉末は、具体的には、バナジウム（III）アセチルアセトネイト、硝酸ビスマス（III）、水酸化ビスマス（III）、硝酸水酸化ビスマス（III）、炭酸酸化ビスマス（III）、酢酸酸化ビスマス（III）、硫酸ビスマス（III）、塩化ビスマス（III）、七モリブデン酸六アンモニウム四水和物、タングステン酸アンモニウムパラ五水和物、バナジン（V）酸アンモニウム、二酸化モリブデンアセトナート、タングステン酸、モリブデン酸、イソポリタングステン酸、イソポリモリブデン酸、イソポリバナジン酸等が挙げられる。これらの原料粉末は、焼成によって金属酸化物に変化するが、焼成条件によっては完全に金属酸化物に変化しない場合も考えられる。よって、本発明の効果に影響を与えない範囲で、焼成条件等によって若干の未反応成分又は有機成分が金属酸化物微粒子中に残存することは許容される。
上記スラリーを基板上に塗布して塗膜を形成する方法としては、例えば、スピンコート、スリットコート、スプレー、ディップコート等の公知の塗布方法、シルクスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、凸版印刷、フレキソ印刷などの公知の印刷方法が幅広く採用できる。
なお、金属酸化物微粒子を含有するスラリーの塗膜を形成する基板を後述する本発明のインジケータの基板（変色層を支持するための基板）として用いることもできる。
本発明のインジケータにおける変色層の厚さは限定的ではないが、500nm～2mm程度が好ましく、1～100μm程度であることがより好ましい。
変色層を支持する基材
本発明のインジケータは、上記変色層を支持する基材を有していてもよい。
本発明のインジケータは、上記変色層を支持する基材を有していてもよい。
基材としては、変色層を形成及び支持できるものであれば特に制限されない。例えば、金属又は合金、セラミックス、石英、ガラス、シリコンウエハ、コンクリート、プラスチックス（ポリエチレンテレフタレート（PET）、ポリテトラフルオロエチレン（PTFE）、ポリエーテルエーテルケトン（PEEK）、ポリプロピレン、ナイロン、ポリスチレン、ポリサルフォン、ポリカーボネート、ポリイミド等）、繊維類（不織布、織布、ガラス繊維濾紙、その他の繊維シート）、これらの複合材料等を用いることができる。また、一般に電子デバイス基板として知られているシリコン、ガリウムヒ素、炭化ケイ素、サファイア、ガラス、窒化ガリウム、ゲルマニウム等も本発明のインジケータの基材として採用できる。基材の厚さはインジケータの種類に応じて適宜設定することができる。
非変色層
本発明のインジケータは、変色層の視認性を高めるために下地層としてプラズマ処理により変色しない非変色層を設けてもよい。非変色層としては、耐熱性があり、且つガス化しないことも求められる。かかる非変色層としては、白色層、メタル層等が好ましい。
本発明のインジケータは、変色層の視認性を高めるために下地層としてプラズマ処理により変色しない非変色層を設けてもよい。非変色層としては、耐熱性があり、且つガス化しないことも求められる。かかる非変色層としては、白色層、メタル層等が好ましい。
白色層は、例えば、酸化チタン（IV）、酸化ジルコニウム（IV）、酸化イットリウム（III）、硫酸バリウム、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、アルミナ等により形成できる。
メタル層は、例えば、アルミニウム、銀、イットリウム、ジルコニウム、チタン、白金等により形成できる。
非変色層を形成する方法としては、例えば、物理蒸着（PVD）、化学蒸着（CVD）、スパッタリングの他、非変色層となる物質を含むスラリーを調製後、当該スラリーを基板上に塗布し溶媒留去した後に大気中で焼成することにより形成できる。上記スラリーを塗布、印刷する方法としては、例えば、スピンコート、スリットコート、スプレーコート、ディップコート、シルクスクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、凸版印刷、フレキソ印刷などの公知の塗布方法、印刷方法等が幅広く採用できる。非変色層の厚さはインジケータの種類に応じて適宜設定することができる。
本発明では、プラズマ処理の完了が確認できる限り、変色層と非変色層とをどのように組み合わせてもよい。例えば、変色層の変色により初めて変色層と非変色層の色差が識別できるように変色層及び非変色層を形成したり、或いは変色によって初めて変色層及び非変色層との色差が消滅したりするように形成することもできる。本発明では、特に変色によって初めて変色層と非変色層との色差が識別できるように変色層及び非変色層を形成することが好ましい。
色差が識別できるようにする場合には、例えば変色層の変色により初めて文字、図柄及び記号の少なくとも一種が現れるように変色層及び非変色層を形成すればよい。本発明では、文字、図柄及び記号は、変色を知らせる全ての情報を包含する。これらの文字等は、使用目的等に応じて適宜デザインすればよい。
また、変色前における変色層と非変色層とを互いに異なる色としてもよい。例えば、両者を実質的に同じ色とし、変色後に初めて変色層と非変色層との色差（コントラスト）が識別できるようにしても良い。
本発明において、層構成の好ましい態様としては、例えば、(i) 変色層が、基材の少なくとも一方の主面上に隣接して形成されているインジケータ、(ii) 基材上に、前記非変色層及び前記変色層が順に形成されており、前記非変色層が、前記基材の主面上に隣接して形成されており、前記変色層が、前記非変色層の主面上に隣接して形成されているインジケータ、が挙げられる。
粘着層
本発明のインジケータは、必要に応じて、裏面（インジケータをプラズマ処理装置内の底面に配置した際に当該底面と接触する面）に粘着層を有していてもよい。インジケータの裏面に粘着層を有することにより、本発明のインジケータをプラズマ処理装置内の所望部位（例えばプラズマ処理に供する対象物、装置底面等）に確実に固定することができるため好ましい。
本発明のインジケータは、必要に応じて、裏面（インジケータをプラズマ処理装置内の底面に配置した際に当該底面と接触する面）に粘着層を有していてもよい。インジケータの裏面に粘着層を有することにより、本発明のインジケータをプラズマ処理装置内の所望部位（例えばプラズマ処理に供する対象物、装置底面等）に確実に固定することができるため好ましい。
粘着層の成分としては、それ自体がプラズマ処理によってガス化することが抑制されていることが好ましい。このような成分としては、例えば、特殊粘着剤が好ましく、中でもシリコーン系粘着剤が好ましい。
本発明のインジケータの形状
本発明のインジケータの形状は特に限定されず、公知のプラズマ処理検知インジケータに採用されている形状を幅広く用いることができる。この中でも本発明のインジケータの形状を電子デバイス製造装置で使用される電子デバイス基板の形状と同一とする場合には、いわゆるダミー基板として、簡便にプラズマ処理が電子デバイス基板全体に対して均一に行われているかどうかを検知することが可能となる。
本発明のインジケータの形状は特に限定されず、公知のプラズマ処理検知インジケータに採用されている形状を幅広く用いることができる。この中でも本発明のインジケータの形状を電子デバイス製造装置で使用される電子デバイス基板の形状と同一とする場合には、いわゆるダミー基板として、簡便にプラズマ処理が電子デバイス基板全体に対して均一に行われているかどうかを検知することが可能となる。
ここで、「インジケータの形状が、電子デバイス製造装置で使用される電子デバイス基板の形状と同一」とは、(i)インジケータの形状が、電子デバイス製造装置で使用される電子デバイス基板の形状と完全に同一であること、及び、(ii)インジケータの形状が、電子デバイス製造装置で使用される電子デバイス基板の形状と、プラズマ処理を行う電子デバイス装置内の電子デバイス基板の設置箇所に置く（嵌める）ことができる程度に実質的に同一であること、のいずれも包含する。
例えば、上記(ii)において、実質的に同一とは、電子デバイス基板の主面の長さ（基板の主面形状が円形であれば直径、基板の主面形状が正方形、矩形等であれば縦及び横の長さ）に対する本発明のインジケータの主面の長さの差が±5.0mm以内、電子デバイス基板に対する本発明のインジケータの厚さの差が±1000μm以内程度のものが包含される。
本発明インジケータは電子デバイス製造装置での使用に限定されないが、電子デバイス製造装置で使用する場合には、成膜工程、エッチング工程、アッシング工程、不純物添加工程及び洗浄工程からなる群から選択される少なくとも一種の工程をプラズマ処理により行う電子デバイス製造装置に用いられることが好ましい。
プラズマ
プラズマとしては、特に限定されず、プラズマ発生用ガスによって発生するプラズマを使用することができる。プラズマの中でも、酸素、窒素、水素、塩素、アルゴン、シラン、アンモニア、臭化硫黄、三塩化ホウ素、臭化水素、水蒸気、亜酸化窒素、テトラエトキシシラン、三フッ化窒素、四フッ化炭素、パーフルオロシクロブタン、ジフルオロメタン、トリフルオロメタン、四塩化炭素、四塩化ケイ素、六フッ化硫黄、六フッ化エタン、四塩化チタン、ジクロロシラン、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、及びトリメチルアルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種のプラズマ発生用ガスによって発生するプラズマが好ましい。これらのプラズマ発生用ガスの中でも、特に四フッ化炭素；パーフルオロシクロブタン；トリフルオロメタン；六フッ化硫黄；アルゴンと酸素との混合ガス；からなる群から選択される少なくとも一種が好ましい。
プラズマとしては、特に限定されず、プラズマ発生用ガスによって発生するプラズマを使用することができる。プラズマの中でも、酸素、窒素、水素、塩素、アルゴン、シラン、アンモニア、臭化硫黄、三塩化ホウ素、臭化水素、水蒸気、亜酸化窒素、テトラエトキシシラン、三フッ化窒素、四フッ化炭素、パーフルオロシクロブタン、ジフルオロメタン、トリフルオロメタン、四塩化炭素、四塩化ケイ素、六フッ化硫黄、六フッ化エタン、四塩化チタン、ジクロロシラン、トリメチルガリウム、トリメチルインジウム、及びトリメチルアルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも一種のプラズマ発生用ガスによって発生するプラズマが好ましい。これらのプラズマ発生用ガスの中でも、特に四フッ化炭素；パーフルオロシクロブタン；トリフルオロメタン；六フッ化硫黄；アルゴンと酸素との混合ガス；からなる群から選択される少なくとも一種が好ましい。
プラズマは、プラズマ処理装置（プラズマ発生用ガスを含有する雰囲気下で交流電力、直流電力、パルス電力、高周波電力、マイクロ波電力等を印加してプラズマを発生させることによりプラズマ処理を行う装置）により発生させることができる。特に電子デバイス製造装置においては、プラズマ処理は、以下に説明する成膜工程、エッチング工程、アッシング工程、不純物添加工程、洗浄工程等において使用される。
成膜工程としては、例えば、プラズマCVD（Chemical Vapor Depositon,化学気相成長）において、プラズマと熱エネルギーを併用し、400℃以下の低温で比較的速い成長速度で半導体ウエハ上に膜を成長させることができる。具体的には、材料ガスを減圧した反応室に導入し、プラズマ励起によりガスをラジカルイオン化して反応させる。プラズマCVDとしては、容量結合型（陽極結合型、平行平板型）、誘導結合型、ECR（Electron Cyclotron Resonance：電子サイクロトロン共鳴）型のプラズマが挙げられる。
別の成膜工程としては、スパッタリングによる成膜工程が挙げられる。具体的な例示としては、高周波放電スパッタ装置において、1Torr～10-4Torr程度の不活性ガス（たとえばAr）中で半導体ウエハとターゲット間に数10V～数kVの電圧を加えると、イオン化したArがターゲット向かって加速及び衝突し、ターゲットの物質がスパッタされて半導体ウエハに堆積される。このとき、同時にターゲットから高エネルギーのγ-電子が生じ、Ar原子と衝突する際にAr原子をイオン化（Ar+）させ、プラズマを持続させる。
また、別の成膜工程としては、イオンプレーティングによる成膜工程が挙げられる。具体的な例示としては、内部を10-5 Torr～10-7 Torr程度の高真空状態にしてから不活性ガス（例えばAr）もしくは反応性ガス（窒素、炭化水素等）を注入し、加工装置の熱電子発生陰極（電子銃）から電子ビームを蒸着材に向けて放電を行い、イオンと電子に分離したプラズマを発生させる。次いで、電子ビームにより、金属を高温に加熱，蒸発させた後、蒸発した金属粒子は、正の電圧をかけることによりプラズマ中で電子と金属粒子と衝突して金属粒子がプラスイオンとなり、被加工物に向かって進むとともに金属粒子と反応性ガスが結びついて化学反応が促進される。化学反応が促進された粒子は、マイナス電子の加えられた被加工物へ向かって加速され、高エネルギーで衝突し、金属化合物として表面へ堆積される。なお、イオンプレーティングと類似する蒸着法も成膜工程として挙げられる。
更に、酸化、窒化工程として、ECRプラズマ、表面波プラズマ等によるプラズマ酸化によって半導体ウエハ表面を酸化膜に変換させる方法や、アンモニアガスを導入し、プラズマ励起によって前記アンモニアガスを電離，分解，イオン化して、半導体ウエハ表面を窒化膜に変換する方法等が挙げられる。
エッチング工程では、例えば、反応性イオンエッチング装置（RIE）において、円形平板電極を平行に対向し、減圧反応室（チャンバ）に反応ガスを導入し、プラズマ励起により導入ガスを中性ラジカル化やイオン化して電極間に生成し、これらのラジカルやイオンと半導体ウエハ上の材料との化学反応によって揮発物質化するエッチングと物理的なスパッタリングの両方の効果を利用する。また、プラズマエッチング装置として、上記平行平板型の他、バレル型（円筒型）も挙げられる。
別のエッチング工程としては、逆スパッタリングが挙げられる。逆スパッタリングは、前記スパッタリングと原理は類似するが、プラズマ中のイオン化したArが半導体ウエハに衝突し、エッチングする方法である。また、逆スパッタリングと類似するイオンビームエッチングもエッチング工程として挙げられる。
アッシング工程では、例えば、減圧下で酸素ガスをプラズマ励起させた酸素プラズマを用いて、フォトレジストを分解及び揮発する。
不純物添加工程では、例えば、減圧チャンバ内にドーピングする不純物原子を含んだガスを導入してプラズマを励起させて不純物をイオン化し、半導体ウエハにマイナスのバイアス電圧をかけて不純物イオンをドーピングする。
洗浄工程は、半導体ウエハに各工程を行う前に、半導体ウエハに付着した異物を半導体ウエハにダメージを与えることなく除去する工程であり、例えば、酸素ガスプラズマで化学反応させるプラズマ洗浄や、不活性ガス（アルゴンなど）プラズマで物理的に除去するプラズマ洗浄（逆スパッタ）等が挙げられる。
以下に実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明する。
以下の実施例及び比較例では、下記の試料（いずれも酸化ビスマス（III））を使用した。
・試料1：Bi2O3微粒子（平均粒子径0.05μm）
・試料2：Bi2O3微粒子（平均粒子径0.20μm）
・試料3：Bi2O3微粒子（平均粒子径3.20μm）
・試料4：Bi2O3微粒子（平均粒子径7.80μm）
・試料5：Bi2O3微粒子（平均粒子径12.7μm）
・試料6：Bi2O3微粒子（平均粒子径21.2μm）
・試料7：Bi2O3微粒子（平均粒子径51.8μm；比較例）
下記表1に示す組成のスラリーを用意し、それをポリイミドフィルム上に塗布することによりポリイミドフィルムに厚さ20μmのBi2O3微粒子の塗膜を印刷した。これにより、ポリイミドフィルム上に薄膜の変色層を積層したインジケータを作製した。
・試料1：Bi2O3微粒子（平均粒子径0.05μm）
・試料2：Bi2O3微粒子（平均粒子径0.20μm）
・試料3：Bi2O3微粒子（平均粒子径3.20μm）
・試料4：Bi2O3微粒子（平均粒子径7.80μm）
・試料5：Bi2O3微粒子（平均粒子径12.7μm）
・試料6：Bi2O3微粒子（平均粒子径21.2μm）
・試料7：Bi2O3微粒子（平均粒子径51.8μm；比較例）
下記表1に示す組成のスラリーを用意し、それをポリイミドフィルム上に塗布することによりポリイミドフィルムに厚さ20μmのBi2O3微粒子の塗膜を印刷した。これにより、ポリイミドフィルム上に薄膜の変色層を積層したインジケータを作製した。
試験例1
図1は、誘導結合プラズマ（ICP；Inductively Coupled Plasma）型のプラズマエッチング装置の概略断面図である。
図1は、誘導結合プラズマ（ICP；Inductively Coupled Plasma）型のプラズマエッチング装置の概略断面図である。
本装置は内部を真空排気できるチャンバと被処理物であるウエハを載置する試料台を備える。チャンバは反応性ガスを導入するためのガス導入口と真空排気するための排気口を備える。試料台はウエハを静電吸着するための静電吸着用電源とウエハを冷却するための冷媒が循環する冷却機構を備える。チャンバの上部にはプラズマ励起用のコイルと上部電極としての高周波電源が配置されている。
実際にエッチングを実施する場合は、ウエハはウエハ搬入口からチャンバ内に搬入された後、静電吸着電源によって試料台に静電吸着される。次に反応性ガスがチャンバに導入される。チャンバ内は、真空ポンプにより減圧排気され、所定の圧力に調整される。次に、上部電極に高周波電力を印加し、反応性ガスを励起することによってウエハ上部の空間にプラズマが形成される。また、試料台に接続された高周波電源によってバイアスが印加されることもあり、この場合はプラズマ中のイオンがウエハ上に加速され入射する。これら発生したプラズマ励起種の作用によってウエハ表面がエッチングされる。なお、プラズマ処理中は試料台に設けられた冷却機構にヘリウムガスが流れており、ウエハが冷却されている。
試験例1では、本装置内に試料2（平均粒子径0.20μm）、試料4（平均粒子径7.80μm）及び試料6（平均粒子径21.2μm）で作製したインジケータを載置し、反応性ガスとしてアルゴン（Ar）、四フッ化炭素ガス（CF4）、酸素（O2）、アルゴンと酸素の混合ガス（Ar/ O2）をそれぞれ導入し、12パターンでプラズマ処理した場合について各インジケータの変色層の変色性を評価した。
表2にプラズマ処理条件を示す。
図2にBi2O3微粒子の平均粒子径と色差（ΔE）との関係を示す。図2の結果から明らかな通り、平均粒子径が小さいものほどプラズマ処理による変色性（感受性）が高く、ΔEが大きいことが分かる。
試験例2
図3は、容量結合プラズマ（平行平板型；Capacitively Coupled Plasma）型のプラズマエッチング装置の概略断面図である。
図3は、容量結合プラズマ（平行平板型；Capacitively Coupled Plasma）型のプラズマエッチング装置の概略断面図である。
本装置は、真空容器内に平行平板型の電極が設置されており、上部電極がシャワー構造となっており、反応性ガスがシャワー状に被処理物表面に供給される。
実際にエッチングを実施する場合は、真空容器内を排気した後、上部電極シャワー部から反応性ガスを導入し、また上部電極より供給した高周波電力により、平行平板電極内の空間にプラズマを発生させ、発生した励起種による被処理物表面での化学反応によりエッチングする。
試験例2では、本装置内に試料1～7で作製したインジケータを載置し、反応性ガスとしてアルゴンガス（Ar）を導入しプラズマ処理した場合について各インジケータの変色層の変色性を評価した。
表3にプラズマ処理条件を示す。
図4にBi2O3微粒子の平均粒子径と色差（ΔE）との関係を示す。図4の結果から明らかな通り、平均粒子径が小さいものほどプラズマ処理による変色性（感受性）が高く、ΔEが大きいことが分かる。
Claims (10)
- プラズマ処理により変色する変色層を有するプラズマ処理検知インジケータであって、前記変色層は、Mo、W、Sn、V、Ce、Te及びBiからなる群から選択される少なくとも一種の元素を含む平均粒子径が50μm以下の金属酸化物微粒子を含有するプラズマ処理検知インジケータ。
- 前記金属酸化物微粒子は、酸化モリブデン微粒子（IV）、酸化モリブデン微粒子（VI）、酸化タングステン微粒子（VI）、酸化スズ微粒子（IV）、酸化バナジウム微粒子（II）、酸化バナジウム微粒子（III）、酸化バナジウム微粒子（IV）、酸化バナジウム微粒子（V）、酸化セリウム微粒子（IV）、酸化テルル微粒子（IV）、酸化ビスマス微粒子（III）、炭酸酸化ビスマス微粒子(III)及び酸化硫酸バナジウム微粒子（IV）からなる群から選択される少なくとも一種である、請求項1に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
- 前記金属酸化物微粒子は、酸化モリブデン微粒子（VI）、酸化タングステン微粒子（VI）、酸化バナジウム微粒子（III）、酸化バナジウム微粒子（V）及び酸化ビスマス微粒子（III）からなる群から選択される少なくとも一種である、請求項1又は2に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
- 前記変色層を支持する基材を有する、請求項1～3のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
- 電子デバイス製造装置で使用するインジケータである、請求項1～4のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
- 前記インジケータの形状が、前記電子デバイス製造装置で使用される電子デバイス基板の形状と同一である、請求項5に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
- 前記電子デバイス製造装置は、成膜工程、エッチング工程、アッシング工程、不純物添加工程及び洗浄工程からなる群から選択される少なくとも一種のプラズマ処理を行う、請求項5又は6のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
- プラズマ処理により変色しない非変色層を有する、請求項1～7のいずれかに記載のプラズマ処理検知インジケータ。
- 前記非変色層は、酸化チタン（IV）、酸化ジルコニウム（IV）、酸化イットリウム（III）、硫酸バリウム、酸化マグネシウム、二酸化ケイ素、アルミナ、アルミニウム、銀、イットリウム、ジルコニウム、チタン、白金からなる群から選択される少なくとも一種を含有する、請求項8に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
- 前記基材上に、前記非変色層及び前記変色層が順に形成されており、前記非変色層が、前記基材の主面上に隣接して形成されており、前記変色層が、前記非変色層の主面上に隣接して形成されている、請求項8又は9に記載のプラズマ処理検知インジケータ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US15/529,404 US20170330777A1 (en) | 2014-12-02 | 2015-11-24 | Plasma-processing detection indicator in which metal oxide fine particles are used as color-change layer |
| CN201580063223.5A CN107078053B (zh) | 2014-12-02 | 2015-11-24 | 使用有金属氧化物微粒作为变色层的等离子体处理检测指示器 |
| KR1020177013404A KR20170091092A (ko) | 2014-12-02 | 2015-11-24 | 변색층으로서 금속 산화물 미립자를 사용한 플라즈마 처리 검지 인디케이터 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014244416A JP2016111063A (ja) | 2014-12-02 | 2014-12-02 | 変色層として金属酸化物微粒子を使用したプラズマ処理検知インジケータ |
| JP2014-244416 | 2014-12-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2016088590A1 true WO2016088590A1 (ja) | 2016-06-09 |
Family
ID=56091540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2015/082818 WO2016088590A1 (ja) | 2014-12-02 | 2015-11-24 | 変色層として金属酸化物微粒子を使用したプラズマ処理検知インジケータ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170330777A1 (ja) |
| JP (1) | JP2016111063A (ja) |
| KR (1) | KR20170091092A (ja) |
| CN (1) | CN107078053B (ja) |
| TW (1) | TW201633401A (ja) |
| WO (1) | WO2016088590A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018095940A (ja) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | 三菱重工機械システム株式会社 | 成膜判定装置、成膜判定方法、および成膜判定システム |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI624890B (zh) | 2013-08-22 | 2018-05-21 | Sakura Color Prod Corp | Indicator for electronic component manufacturing apparatus, and design and/or management method of the same |
| KR102342177B1 (ko) | 2014-02-14 | 2021-12-21 | 사쿠라 컬러 프로덕츠 코포레이션 | 플라즈마 처리 감지 표시기 |
| JP2015205995A (ja) | 2014-04-21 | 2015-11-19 | 株式会社サクラクレパス | プラズマ処理検知用インキ組成物及びプラズマ処理検知インジケータ |
| KR102296893B1 (ko) | 2014-05-09 | 2021-08-31 | 사쿠라 컬러 프로덕츠 코포레이션 | 무기 물질을 변색층으로 사용한 플라스마 처리 감지 표시기 |
| JP6567863B2 (ja) | 2014-09-16 | 2019-08-28 | 株式会社サクラクレパス | プラズマ処理検知用インキ組成物及びプラズマ処理検知インジケータ |
| JP6567817B2 (ja) | 2014-12-02 | 2019-08-28 | 株式会社サクラクレパス | プラズマ処理検知インキ組成物及びそれを用いたプラズマ処理検知インジケータ |
| JP6889471B2 (ja) * | 2017-04-24 | 2021-06-18 | 株式会社サクラクレパス | プラズマインジケータ |
| JP6842699B2 (ja) * | 2017-05-22 | 2021-03-17 | 株式会社サクラクレパス | プラズマ処理検知用組成物及びそれを用いたプラズマ処理検知インジケータ |
| CN109839388A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子运行状态实时监控方法、晶圆监测件和监控系统 |
| JP7043066B2 (ja) * | 2018-05-15 | 2022-03-29 | 株式会社サクラクレパス | プラズマインジケータ |
| WO2020027345A1 (ja) * | 2019-08-29 | 2020-02-06 | 株式会社 イアス | 金属微粒子の分析方法および誘導結合プラズマ質量分析方法 |
| US11398388B2 (en) * | 2020-09-08 | 2022-07-26 | Applied Materials, Inc. | Methods for selective dry etching gallium oxide |
| CN112986250B (zh) * | 2021-02-03 | 2022-03-04 | 大连理工大学 | 一种评价醇盐法氧化铝是否满足生长无色蓝宝石的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002323451A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Osao Kobayashi | 滅菌インジケータ組成物 |
| JP2005142287A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Sakura Color Prod Corp | 通電変色性電気回路板 |
| JP2012078202A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Sakura Color Products Corp | 過酸化水素滅菌又は過酸化水素プラズマ滅菌検知インジケーター |
| JP2013098196A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sakura Color Products Corp | プラズマ処理検知用インキ組成物及びプラズマ処理検知インジケーター |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE396749T1 (de) * | 2003-03-31 | 2008-06-15 | Fujimori Kogyo Co | Verpackungsmaterial mit indikator für wasserstoffperoxid-plasmasterilisation |
| CN102077060B (zh) * | 2008-06-04 | 2014-10-29 | G·帕特尔 | 一种基于腐蚀金属的监测系统 |
| CN101856504B (zh) * | 2010-07-06 | 2013-06-19 | 成都老肯科技股份有限公司 | 一种用于过氧化氢等离子体灭菌器的灭菌效果检测装置 |
| JP6083221B2 (ja) * | 2012-02-06 | 2017-02-22 | セイコーエプソン株式会社 | インクジェット記録方法 |
| WO2013129473A1 (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-06 | 日油技研工業株式会社 | 過酸化物検知インジケータ |
| JP6143444B2 (ja) * | 2012-12-03 | 2017-06-07 | 株式会社サクラクレパス | 過酸化水素ガス検知用インキ組成物、過酸化水素ガス検知インジケーター、過酸化水素ガス滅菌用包装体、及び過酸化水素ガス滅菌処理方法 |
-
2014
- 2014-12-02 JP JP2014244416A patent/JP2016111063A/ja active Pending
-
2015
- 2015-11-24 KR KR1020177013404A patent/KR20170091092A/ko not_active Application Discontinuation
- 2015-11-24 WO PCT/JP2015/082818 patent/WO2016088590A1/ja active Application Filing
- 2015-11-24 CN CN201580063223.5A patent/CN107078053B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-11-24 US US15/529,404 patent/US20170330777A1/en not_active Abandoned
- 2015-11-27 TW TW104139747A patent/TW201633401A/zh unknown
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002323451A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Osao Kobayashi | 滅菌インジケータ組成物 |
| JP2005142287A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Sakura Color Prod Corp | 通電変色性電気回路板 |
| JP2012078202A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Sakura Color Products Corp | 過酸化水素滅菌又は過酸化水素プラズマ滅菌検知インジケーター |
| JP2013098196A (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Sakura Color Products Corp | プラズマ処理検知用インキ組成物及びプラズマ処理検知インジケーター |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018095940A (ja) * | 2016-12-15 | 2018-06-21 | 三菱重工機械システム株式会社 | 成膜判定装置、成膜判定方法、および成膜判定システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201633401A (zh) | 2016-09-16 |
| US20170330777A1 (en) | 2017-11-16 |
| JP2016111063A (ja) | 2016-06-20 |
| KR20170091092A (ko) | 2017-08-08 |
| CN107078053B (zh) | 2021-02-26 |
| CN107078053A (zh) | 2017-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2016088590A1 (ja) | 変色層として金属酸化物微粒子を使用したプラズマ処理検知インジケータ | |
| JP6474390B2 (ja) | 変色層として無機物質を使用したプラズマ処理検知インジケータ | |
| CN107001837B (zh) | 等离子体处理检测油墨组合物以及使用其的等离子体处理检测指示器 | |
| KR100830388B1 (ko) | 막 형성 장치 및 막 형성 방법 | |
| KR101322549B1 (ko) | 금속 부재의 보호막 구조 및 보호막 구조를 이용한 금속부품 그리고 보호막 구조를 이용한 반도체 또는 평판디스플레이 제조 장치 | |
| KR20060136470A (ko) | 막 형성 장치 및 막 형성 방법 | |
| CN101053068A (zh) | 在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法 | |
| JP2003306769A (ja) | 製膜方法及び基材 | |
| KR100897176B1 (ko) | 유도 결합형 플라즈마 처리 장치 | |
| JP6842699B2 (ja) | プラズマ処理検知用組成物及びそれを用いたプラズマ処理検知インジケータ | |
| Chacón-Roa et al. | Characterization of luminescent samarium doped HfO2 coatings synthesized by spray pyrolysis technique | |
| JP6846040B2 (ja) | プラズマ処理検知用組成物及びそれを用いたプラズマ処理検知インジケータ | |
| WO2017204189A1 (ja) | プラズマ処理検知用組成物及びそれを用いたプラズマ処理検知インジケータ | |
| Lisovskiy et al. | Applying RF current harmonics for end-point detection during etching multi-layered substrates and cleaning discharge chambers with NF3 discharge | |
| Kataoka et al. | Improvement in downflow etching rate using Au as a catalyst | |
| Saloum et al. | Effect of substrate bias on the properties of plasma deposited organosilicone (pp-HMDSN) thin films | |
| JP2003268549A (ja) | 製膜方法及び基材 | |
| Toshiya | Studies on Plasma Etching Process Based on Autonomous Control for Nano-meter Fabrication | |
| Coburn | Reactive Gas Glow Discharges |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 15864783 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20177013404 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 15529404 Country of ref document: US |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 15864783 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |