WO2016067377A1 - 放熱構造 - Google Patents

放熱構造 Download PDF

Info

Publication number
WO2016067377A1
WO2016067377A1 PCT/JP2014/078715 JP2014078715W WO2016067377A1 WO 2016067377 A1 WO2016067377 A1 WO 2016067377A1 JP 2014078715 W JP2014078715 W JP 2014078715W WO 2016067377 A1 WO2016067377 A1 WO 2016067377A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
heat
generating component
heat dissipation
connector
semiconductor module
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/078715
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
康亮 池田
雄司 森永
理 松嵜
Original Assignee
新電元工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 新電元工業株式会社 filed Critical 新電元工業株式会社
Priority to EP14904817.5A priority Critical patent/EP3214646A4/en
Priority to US15/508,127 priority patent/US10251256B2/en
Priority to JP2016556091A priority patent/JP6330053B2/ja
Priority to PCT/JP2014/078715 priority patent/WO2016067377A1/ja
Priority to CN201480081271.2A priority patent/CN107078106B/zh
Publication of WO2016067377A1 publication Critical patent/WO2016067377A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/021—Components thermally connected to metal substrates or heat-sinks by insert mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/209—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/06—Thermal details
    • H05K2201/066—Heatsink mounted on the surface of the PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10015—Non-printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10022—Non-printed resistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10166—Transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10174—Diode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10189—Non-printed connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink

Definitions

  • the present invention relates to a heat dissipation structure.
  • a heat dissipation structure using a heat sink is known as a heat dissipation structure for a heat generating component such as an electronic component (see Patent Document 1).
  • a heat sink including a base portion and a plurality of heat dissipating fins standing on the first surface of the base portion is used. All the heat generating components to be cooled are arranged on the second surface opposite to the first surface of the base portion. The heat of the heat generating component is transmitted to the heat radiating fin via the base portion, and is radiated to the outside from the heat radiating fin.
  • An object of one embodiment of the present invention is to provide a heat dissipation structure that can obtain high heat dissipation while reducing electrical resistance.
  • a heat dissipation structure includes a heat sink having a base portion and a plurality of heat dissipating fins erected on the first surface of the base portion, and on the first surface side of the base portion.
  • a first heat-generating component that is in contact with at least one of the plurality of heat dissipating fins, and is joined to a second surface opposite to the first surface of the base portion;
  • a circuit board electrically connected to the one heat generating component; a second heat generating component provided on the circuit board and having a smaller heat generation amount than the first heat generating component; the first heat generating component;
  • a connector for electrically connecting a second heat-generating component, and the connector includes a first insertion port into which a first connection terminal on the first heat-generating component side is inserted, and the first A second insertion port into which the second connection terminal on the second heat generating component side is inserted; A.
  • the first heat generating component can be disposed on the first surface side of the base portion and brought into contact with the heat radiating fins to efficiently dissipate heat.
  • a heat dissipation structure with high heat dissipation can be obtained while reducing electrical resistance.
  • FIG. 1 It is sectional drawing which shows an example of the thermal radiation structure which concerns on embodiment of this invention. It is the top view which looked at the thermal radiation structure shown in FIG. 1 from the 1st surface side. It is sectional drawing which expands and shows the semiconductor module shown in FIG. It is a cross-sectional schematic diagram of the semiconductor module provided with mold resin. It is a cross-sectional schematic diagram of a semiconductor module provided with an insulating film. It is sectional drawing which shows an example of the connection structure of a connector. It is sectional drawing which shows the other example of the connection structure of a connector. It is the perspective view which looked at the heat sink in which the some connector was provided previously from the 2nd surface side.
  • the thermal radiation structure 1 which is one Embodiment of this invention is demonstrated.
  • the heat dissipation structure 1 includes a heat sink 2, a plurality of semiconductor modules (first heat generating components) 3, a circuit board 4, and a plurality of electronic components (second heat generating components) 5.
  • the heat generated by the semiconductor module 3 and the electronic component 5 is radiated by the heat sink 2.
  • the heat sink 2 is made of a material having high thermal conductivity such as Cu or Al.
  • the heat sink 2 has a base portion 6 and a plurality of heat radiation fins 7A and 7B.
  • the base part 6 is formed in a rectangular flat plate shape.
  • Each of the heat radiating fins 7A and 7B is formed in a rectangular flat plate shape, and is erected vertically with respect to the first surface 6a of the base portion 6.
  • the plurality of radiating fins 7A and 7B are located between the both ends of the base portion 6 in the longitudinal direction (left-right direction in FIG. 2) and the both ends thereof, and are arranged side by side with a space therebetween. ing.
  • Each of the radiating fins 7A and 7B is erected between both end portions of the base portion 6 in the short direction (vertical direction in FIG. 2).
  • two heat radiation fins 7A are disposed at positions along both longitudinal ends of the base portion 6, and two heat radiation fins 7B are provided between the two heat radiation fins 7A.
  • the semiconductor module 3 is arrange
  • Insertion grooves 8 are provided in the heat radiation fins 7B.
  • the insertion groove 8 holds the semiconductor module 3 so that the semiconductor module 3 can be inserted from an insertion port 8a provided on the front end side of the heat radiation fin 7B.
  • the insertion groove 8 is cut out at a depth sufficient to insert the semiconductor module 3 perpendicularly to the first surface 6a with a certain width from the front end side of the radiating fin 7B.
  • the radiating fin 7B is divided into two fin portions 7a and 7b by the insertion groove 8.
  • the heat radiating fin 7B is provided with a lid member 9 (not shown in FIG. 2) that closes the insertion port 8a.
  • the lid member 9 is attached so as to close the insertion port 8 a in a state where the semiconductor module 3 is inserted into the insertion groove 8.
  • the attachment structure of the cover material 9 it is not necessarily limited to such a structure, It shall be set as the structure where the cover material 9 was attached so that the radiation fin 7B might be inserted
  • the semiconductor module 3 includes a first substrate 10, a first semiconductor element 11, a connector 12, a second semiconductor element 13, and a second substrate 14. , And are laminated in order.
  • the first and second substrates 10 and 14 are ceramic substrates, and ceramic plates (insulating plates) 15 and 16, and Cu layers (conductive layers) 17 provided on both surfaces of the ceramic plates 15 and 16, 18. Further, the Cu layers 17 and 18 on the side of the first substrate 10 and the second substrate 14 facing each other form circuit patterns 17 a and 18 a of the semiconductor module 3.
  • the first and second substrates 10 and 14 are not limited to ceramic substrates but may be aluminum substrates, for example.
  • the aluminum substrate has a structure in which a Cu layer is provided on both surfaces of an aluminum plate via an insulating layer.
  • the first and second semiconductor elements 11 and 13 are power devices such as power diodes and power transistors that generate a relatively large amount of heat during operation.
  • the first semiconductor element 11 and the second semiconductor element 13 are respectively mounted on the mutually opposing surface sides of the first substrate 10 and the second substrate 14, so that the circuit patterns 17 a and 18 a Electrically connected.
  • the connector 12 is made of a conductive material such as Cu, for example.
  • the connector 12 has a first connection part 12a, a second connection part 12b, and a connecting part 12c.
  • the 1st connection part 12a is a part which electrically connects the 1st semiconductor element 11 and the 2nd semiconductor element 13, and the 2nd connection part 12b is electrically connected with one circuit pattern 17a.
  • the connecting portion 12c is a portion that connects the first connecting portion 12a and the second connecting portion 12b.
  • the first connection portion 12a is formed in a columnar shape with a thickness sufficient to maintain the distance between the first substrate 10 and the second substrate 14. Both end portions of the first connection portion 12a are joined to the first semiconductor element 11 and the second semiconductor element 13 through a conductive adhesive (not shown) such as solder.
  • the second connecting portion 12b is formed in a plate shape and joined to one circuit pattern 17a via a conductive adhesive (not shown) such as solder.
  • the connecting portion 12c is formed in a long plate shape with a length sufficient to connect the first connecting portion 12a and the second connecting portion 12b.
  • One end side of the connecting portion 12c is integrally connected to the side surface of the first connecting portion 12a.
  • the other end side of the connecting portion 12c is bent toward the second connecting portion 12b and connected integrally with the second connecting portion 12b.
  • a spacer 19 is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 14.
  • the spacer 19 holds the distance between the first substrate 10 and the second substrate 14 together with the first connection portion 12a.
  • the spacer 19 is disposed as a circuit component of the semiconductor module 3 in a state of being sandwiched between the circuit patterns 17a and 18a. Examples of the circuit component include a wiring part, a resistor, and a capacitor.
  • the circuit board 4 and the plurality of electronic components 5 shown in FIGS. 1 and 2 constitute a control unit 30 that controls the driving of the semiconductor module 3.
  • the circuit board 4 is joined to the second surface 6b opposite to the first surface 6a of the heat sink 2 (base portion 6).
  • the plurality of electronic components 5 are mounted on the circuit board 4.
  • Each electronic component 5 is a heat generating component that generates less heat than each semiconductor module 3.
  • the connector 20 includes first insertion ports 22a and 22b into which the first connection terminals 21a and 21b on the semiconductor module 3 side are inserted, and a second insertion into which the second connection terminal 23 on the electronic component 5 side is inserted. And a mouth 24.
  • the first connection terminals 21a and 21b on the semiconductor module 3 side are connected to the circuit patterns 17a and 18a, respectively.
  • the heat sink 2 is provided with an insertion hole 25 for holding the connector 20 so that the connector 20 can be inserted.
  • the heat sink 2 is provided with first through holes 26a and 26b that allow the first connection terminals 21a and 21b on the semiconductor module 3 side to pass therethrough.
  • the first through holes 26 a and 26 b are formed from the bottom surface of the insertion groove 8 toward the insertion hole 25.
  • the heat sink 2 and the circuit board 4 are provided with a second through hole 27 through which the second connection terminal 23 on the electronic component 5 side passes.
  • the second through hole 27 is formed from the surface on which the electronic component 5 of the circuit board 4 is mounted toward the insertion hole 25.
  • the first connection terminals 21 a and 21 b and the second connection terminal 23 are electrically insulated from the first through holes 26 a and 26 b and the second through hole 27.
  • the semiconductor module 3 is in contact with the heat dissipation fins 7 ⁇ / b> B in a state where the semiconductor module 3 is inserted into the insertion groove 8.
  • the heat generated by the semiconductor module 3 is transmitted from the first and second substrates 10 and 14 in contact with the inner wall surface of the insertion groove 8, that is, the fin portions 7a and 7b, to the radiation fins 7B, and is radiated to the outside.
  • the heat generated by the plurality of electronic components 5 is transferred from the circuit board 4 to the heat radiation fins 7A and 7B via the base portion 6, and is radiated to the outside.
  • the heat generated by the semiconductor module 3 is directly transmitted to the heat radiating fins 7 ⁇ / b> B without passing through the base portion 6, so that the heat transmission path is shortened and the heat dissipation performance of the semiconductor module 3 is improved.
  • the semiconductor module 3 is disposed on the second surface 6b of the base portion 6 as in the related art by disposing the semiconductor module 3 in contact with the heat dissipation fins 7B. Compared with the case where it does, it is possible to obtain high heat dissipation.
  • the semiconductor module 3 is arranged on the second surface 6b of the base portion 6 as in the prior art by arranging the semiconductor module 3 in a state inserted into the insertion groove 8. Compared to, it is possible to reduce the size. Furthermore, by bringing the first and second substrates 10 and 14 of the semiconductor module 3 into contact with the fin portions 7a and 7b, it is possible to efficiently dissipate heat from the semiconductor module 3.
  • the semiconductor module 3 disposed on the first surface 6a side of the base portion 6 and the electronic component 5 disposed on the second surface 6b side of the base portion 6 are connectors. 20 is electrically connected. Thereby, since the semiconductor module 3 and the electronic component 5 can be connected with a short distance, it is possible to reduce electrical resistance and power loss.
  • an insulating film 29 that covers the mutually opposing surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 14 is provided instead of the mold resin 28.
  • an insulating material having high thermal conductivity such as ceramic is used.
  • the heat dissipation structure 1 of the present embodiment it is possible to ensure insulation and protect particles by inserting the semiconductor module 3 provided with such an insulating film 29 into the insertion groove 8. Furthermore, when the insulating film 29 is provided, not only the heat dissipation from the semiconductor module 3 is improved by reducing the thickness of the insulating film 29, but also the generation of cracks due to the difference in linear expansion coefficient can be suppressed. Moreover, since the process for sealing with the mold resin 28 can be omitted, the manufacturing process can be simplified.
  • this invention is not necessarily limited to the thing of the said embodiment, A various change can be added in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
  • the connection structure of the connector 20 that connects the semiconductor module 3 and the electronic component 5 described above can be changed.
  • connection structure of the connector 31 shown in FIG. 5A is provided with an insertion groove 32 for holding the connector 31 from the second surface 6b side of the base portion 6 in place of the insertion hole 25. It is a configuration.
  • a through hole 33 is provided between the bottom surface of the insertion groove 32 and the bottom surface of the insertion groove 8.
  • the connector 31 includes a first insertion port 35 into which the first connection terminal 34 on the semiconductor module 3 side is inserted, and a second insertion port 37 into which a plurality of second connection terminals 36 on the electronic component 5 side are inserted. And a protrusion 38 fitted into the through-hole 33.
  • the circuit board 4 is provided with a through hole 39 through which the plurality of second connection terminals 36 penetrate.
  • connection structure of the connector 40 shown in FIG. 5B has an insertion groove 41 that holds the connector 40 and the semiconductor module 3 so that they can be inserted from the first surface 6 a side of the base portion 6 instead of the insertion hole 25.
  • the insertion groove 41 is provided with a through hole 42.
  • the connector 40 includes a first insertion port 44 into which the first connection terminal 43 on the semiconductor module 3 side is inserted, a second insertion port 46 into which the second connection terminal 45 on the electronic component 5 side is inserted, And a projection 47 fitted into the through hole 42.
  • connection structure of the connector 31 shown in FIG. 5A or the connection structure of the connector 40 shown in FIG. 5B can be adopted.
  • each connector 50 has a first insertion port 52 on the first surface 6 a of the base portion 6 and a second insertion port 53 on the second surface 6 b of the base portion 6.
  • the connection terminal of the semiconductor module 3 inserted between them can be inserted into the first insertion port 52, and the connection terminal of the electronic component 5 can be inserted into the second insertion port 53.
  • the arrangement and number of the plurality of connectors 50 can be arbitrarily changed. Further, the connector 50 may be slidably attached to the heat sink 51. In the case of this configuration, the position of the connector 50 can be moved.
  • the semiconductor module 3 may be configured to be in contact with at least one of the plurality of heat radiation fins 7A and 7B. Therefore, for example, as shown in FIG. 7A, the semiconductor module 3 is sandwiched between adjacent radiating fins 7, or the semiconductor module 3 is in contact with one side surface of the radiating fin 7 as shown in FIG. 7B. It is also possible. Further, the semiconductor module 3 is not limited to the configuration in which the semiconductor module 3 is disposed so as to be opposed to each other with the heat radiation fins 7 interposed therebetween, but may be configured to be shifted in arrangement with the heat radiation fins 7 interposed therebetween as illustrated in FIG. 7C. is there.
  • the first heat generating component of the present invention is not necessarily limited to the semiconductor module 3 described above, and it is possible to appropriately change the position, number, etc. of the arrangement.
  • the insertion groove 8 can be appropriately changed according to the size of the first heat generating component. Therefore, the plurality of radiating fins 7 may be provided with insertion grooves 8 having different depths and widths according to the size of each first heat-generating component.
  • the present invention is not limited to the configuration in which the lid member 9 that closes the insertion port of the insertion groove 8 described above is provided, and a difference that holds the semiconductor module 3 so as to be inserted like the insertion hole 25 described above. It is good also as a structure provided with the penetration hole.
  • a tapered portion 8b may be provided in the insertion port 8a.
  • the insertion groove 8 is not limited to the above-described shape having a certain width.
  • a shape in which the width gradually decreases toward the distal end portion in the depth direction (so-called wedge shape)
  • the semiconductor module 3 inserted into the insertion groove 8 does not easily come out by adopting a shape in which the width gradually decreases toward the center in the depth direction (so-called drum shape).
  • a structure is also possible.
  • the heat dissipation can be enhanced by the semiconductor module 3 being in close contact with the fin portions 7a and 7b during heat dissipation expansion.
  • second connection terminal 24 ... second insertion port 25 ... insertion hole 26a, 26b ... first through hole 27 ... second through hole 28 ... mold resin 29 ... insulating film 30 ... control unit 31 ... connector 32 Insertion groove 33 ... through hole 34 ... first connection terminal 35 ... first insertion port 36 ... second connection terminal 37 ... second insertion port 38 ... projection 39 ... through hole 40 ... connector 41 ... Insertion groove 42 ... through hole 43 ... first connection terminal 44 ... first insertion port 45 ... second connection terminal 46 ... second insertion port 47 ... projection 50 ... connector 51 ... heat sink 52 ... first First outlet 53 ... Second outlet

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本発明により、電気抵抗を低減しながら、高い放熱性が得られる放熱構造が提供される。ベース部（６）と、ベース部（６）の第一の面（６ａ）に立設された複数の放熱フィン（７）と、を有するヒートシンク（２）と、ベース部（６）の第一の面（６ａ）側に設けられ、複数の放熱フィン（７）のうちの少なくとも１つの放熱フィン（７）と接する第一の発熱部品（３）と、ベース部（６）の第一の面（６ａ）とは反対側の第二の面（６ｂ）に接合され、第一の発熱部品（３）と電気的に接続された回路基板（４）と、回路基板（４）上に設けられ、第一の発熱部品（３）よりも発熱量が小さい第二の発熱部品（５）と、第一の発熱部品（３）と第二の発熱部品（５）との間を電気的に接続するコネクタ（２０）と、を備え、コネクタ（２０）は、第一の発熱部品（３）側の第一の接続端子（２１ａ，２１ｂ）が差し込まれる第一の差込口（２２ａ，２２ｂ）と、第二の発熱部品（５）側の第二の接続端子（２３）が差し込まれる第二の差込口（２４）とを有する。

Description

放熱構造
　本発明は、放熱構造に関する。
　例えば、電子部品などの発熱部品の放熱構造として、ヒートシンクを用いた放熱構造が知られている（特許文献１を参照。）。特許文献１の放熱構造では、ベース部と、ベース部の第一の面に立設された複数の放熱フィンとを含むヒートシンクが用いられる。ベース部の第一の面とは反対側の第二の面には、冷却対象となる全ての発熱部品が配置される。発熱部品の熱は、ベース部を経由して放熱フィンに伝わり、放熱フィンから外部に放熱される。
特開２０１３－１１０１８１号公報
　上述したヒートシンクを用いた放熱構造においては、放熱性を高めるために放熱フィンを設けるなどの工夫がされているものの、放熱性の面で更なる改善の余地がある。例えば、パワーデバイスなどの発熱量が比較的大きい発熱部品を冷却する場合には、高い放熱性を有する放熱構造が必要となる。
　また、上述した特許文献１に記載の放熱構造では、複数の発熱部品と、これら複数の発熱部品を制御する複数の電子部品とがヒートシンクの同一面側に配置される。この場合、発熱部品と電子部品とを電気的に接続するための配線をヒートシンクの同一面側に配置する必要がある。しかしながら、この構成の場合、配線数の増加や配線の引き回しの複雑化によって電気抵抗が増加し、電力ロスが大きくなってしまう。
　本発明の一態様は、電気抵抗を低減しながら、高い放熱性が得られる放熱構造を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る放熱構造は、ベース部と、前記ベース部の第一の面に立設された複数の放熱フィンと、を有するヒートシンクと、前記ベース部の前記第一の面側に設けられ、前記複数の放熱フィンのうちの少なくとも１つの前記放熱フィンと接する第一の発熱部品と、前記ベース部の前記第一の面とは反対側の第二の面に接合され、前記第一の発熱部品と電気的に接続された回路基板と、前記回路基板上に設けられ、前記第一の発熱部品よりも発熱量が小さい第二の発熱部品と、前記第一の発熱部品と前記第二の発熱部品との間を電気的に接続するコネクタと、を備え、前記コネクタは、前記第一の発熱部品側の第一の接続端子が差し込まれる第一の差込口と、前記第二の発熱部品側の第二の接続端子が差し込まれる第二の差込口とを有する。
　本発明の一態様によれば、第一の発熱部品をベース部の第一の面側に配置し、放熱フィンに接触させて効率よく放熱を行うことができ、この第一の発熱部品と、第二の面側に配置された第二の発熱部品とをコネクタを介して電気的に接続することで、電気抵抗を低減しながら、放熱性の高い放熱構造が得られる。
本発明の実施形態に係る放熱構造の一例を示す断面図である。 図１に示す放熱構造を第１の面側から見た平面図である。 図１示す半導体モジュールを拡大して示す断面図である。 モールド樹脂が設けられた半導体モジュールの断面模式図である。 絶縁膜が設けられた半導体モジュールの断面模式図である。 コネクタの接続構造の一例を示す断面図である。 コネクタの接続構造の他例を示す断面図である。 予め複数のコネクタが設けられたヒートシンクを第二の面側から見た斜視図である。 予め複数のコネクタが設けられたヒートシンクを第一の面側から見た平面図である。 半導体モジュールの配置例を示す平面図である。 半導体モジュールの配置例を示す平面図である。 半導体モジュールの配置例を示す平面図である。 差込溝の変形例を示す断面図である。 差込溝の変形例を示す断面図である。 差込溝の変形例を示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
　なお、以下の説明では、各構成要素を見易くするため、図面において構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
　図１及び図２を参照して、本発明の一実施形態である放熱構造１について説明する。
　放熱構造１は、図１及び図２に示すように、ヒートシンク２と、複数の半導体モジュール（第一の発熱部品）３と、回路基板４と、複数の電子部品（第二の発熱部品）５とを備える半導体装置において、半導体モジュール３及び電子部品５が発する熱をヒートシンク２により放熱する構造である。
　具体的に、この放熱構造１において、ヒートシンク２は、例えばＣｕやＡｌなどの熱伝導性の高い材料からなる。ヒートシンク２は、ベース部６と、複数の放熱フィン７Ａ，７Ｂとを有している。ベース部６は、矩形平板状に形成されている。各放熱フィン７Ａ，７Ｂは、矩形平板状に形成されて、ベース部６の第一の面６ａに対して垂直に立設されている。また、複数の放熱フィン７Ａ，７Ｂは、ベース部６の長手方向（図２中における左右方向）の両端部及びその両端部の間に位置して、互いに間隔を空けた状態で並んで設けられている。また、各放熱フィン７Ａ，７Ｂは、ベース部６の短手方向（図２中における上下方向）の両端部の間に亘って立設されている。
　本実施形態では、複数の放熱フィン７Ａ，７Ｂのうち、ベース部６の長手方向の両端部に沿った位置に２つの放熱フィン７Ａと、これら２つの放熱フィン７Ａの間に２つの放熱フィン７Ｂとがベース部６の長手方向に並んで設けられている。また、放熱フィン７Ｂは、半導体モジュール３を配置するため、放熱フィン７Ａよりも高さ及び厚み方向の寸法が大きくなっている。なお、ヒートシンク２については、本実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、各放熱フィン７Ａ，７Ｂの数や寸法等を適宜変更して実施することが可能である。
　放熱フィン７Ｂには、差込溝８が設けられている。差込溝８は、放熱フィン７Ｂの先端側に設けられた差込口８ａから半導体モジュール３を差し込み可能に保持する。具体的に、この差込溝８は、放熱フィン７Ｂの先端側から一定の幅で第一の面６ａに対して垂直に半導体モジュール３を差し込むのに十分な深さで切り欠かれている。放熱フィン７Ｂは、この差込溝８によって２つのフィン部７ａ，７ｂに分断されている。
　また、放熱フィン７Ｂには、差込口８ａを塞ぐ蓋材９（図２において図示を省略する。）が設けられている。蓋材９は、差込溝８に半導体モジュール３が差し込まれた状態で、差込口８ａを閉塞するように取り付けられている。なお、蓋材９の取付構造については、このような構造に必ずしも限定されるものではなく、放熱フィン７Ｂを差込溝８の幅方向から挟み込むように蓋材９が取り付けられた構造とすることが可能である。また、蓋材９については、省略することも可能である。
　半導体モジュール３は、図３に拡大して示すように、第一の基板１０と、第一の半導体素子１１と、接続子１２と、第二の半導体素子１３と、第二の基板１４とを、順に積層することにより構成されている。
　このうち、第一及び第二の基板１０，１４は、セラミック基板であり、セラミック板（絶縁板）１５，１６と、セラミック板１５，１６の両面に設けられたＣｕ層（導電層）１７，１８とを有している。また、第一の基板１０と第二の基板１４との互いに対向する面側のＣｕ層１７，１８は、この半導体モジュール３の回路パターン１７ａ，１８ａを形成している。なお、第一及び第二の基板１０，１４は、セラミック基板に限らず、例えばアルミニウム基板であってもよい。アルミニウム基板は、アルミニウム板の両面に絶縁層を介してＣｕ層が設けられた構成である。
　第一及び第二の半導体素子１１，１３は、動作時の発熱量が比較的大きい、例えばパワーダイオードやパワートランジスタなどのパワーデバイスである。第一の半導体素子１１と第二の半導体素子１３とは、第一の基板１０と第二の基板１４との互いに対向する面側に各々実装されることによって、それぞれの回路パターン１７ａ，１８ａと電気的に接続されている。
　接続子１２は、例えばＣｕなどの導電性材料からなる。接続子１２は、第一の接続部１２ａと、第二の接続部１２ｂと、連結部１２ｃとを有している。このうち、第一の接続部１２ａは、第一の半導体素子１１と第二の半導体素子１３とを電気的に接続する部分であり、第二の接続部１２ｂは、一方の回路パターン１７ａと電気的に接続される部分であり、連結部１２ｃは、第一の接続部１２ａと第二の接続部１２ｂとを連結する部分である。
　第一の接続部１２ａは、第一の基板１０と第二の基板１４との間隔を保持するのに十分な厚みで柱状に形成されている。第一の接続部１２ａの両端部は、はんだ等の導電性接着剤（図示せず。）を介して第一の半導体素子１１及び第二の半導体素子１３と接合されている。第二の接続部１２ｂは、板状に形成されて、はんだ等の導電性接着剤（図示せず。）を介して一方の回路パターン１７ａと接合されている。連結部１２ｃは、第一の接続部１２ａと第二の接続部１２ｂとを連結するのに十分な長さで長尺板状に形成されている。連結部１２ｃの一端側は、第一の接続部１２ａの側面と一体に接続されている。連結部１２ｃの他端側は、第二の接続部１２ｂ側に折り曲げられて第二の接続部１２ｂと一体に接続されている。
　第一の基板１０と第二の基板１４との間には、スペーサ１９が配置されている。スペーサ１９は、第一の接続部１２ａと共に、第一の基板１０と第二の基板１４との間隔を保持している。また、スペーサ１９は、この半導体モジュール３の回路部品として、回路パターン１７ａ，１８ａの間に挟み込まれた状態で配置されている。回路部品としては、例えば、配線部、抵抗器、コンデンサなどが挙げられる。
　図１及び図２に示す回路基板４及び複数の電子部品５は、半導体モジュール３の駆動を制御する制御部３０を構成している。このうち、回路基板４は、ヒートシンク２（ベース部６）の第一の面６ａとは反対側の第二の面６ｂに接合されている。一方、複数の電子部品５は、回路基板４上に実装されている。各電子部品５は、各半導体モジュール３よりも発熱量が小さい発熱部品である。
　複数の電子部品５のうち一部の電子部品５と半導体モジュール３とは、コネクタ２０を介して電気的に接続されている。コネクタ２０は、半導体モジュール３側の第一の接続端子２１ａ，２１ｂが差し込まれる第一の差込口２２ａ，２２ｂと、電子部品５側の第二の接続端子２３が差し込まれる第二の差込口２４とを有している。半導体モジュール３側の第一の接続端子２１ａ，２１ｂは、図３において図示を省略するものの、回路パターン１７ａ，１８ａと各々接続されている。
　ヒートシンク２には、コネクタ２０を差し込み可能に保持する差込孔２５が設けられている。ヒートシンク２には、半導体モジュール３側の第一の接続端子２１ａ，２１ｂを貫通させる第一の貫通孔２６ａ，２６ｂが設けられている。第一の貫通孔２６ａ，２６ｂは、差込溝８の底面から差込孔２５に向かって形成されている。ヒートシンク２及び回路基板４には、電子部品５側の第二の接続端子２３を貫通させる第二の貫通孔２７が設けられている。第二の貫通孔２７は、回路基板４の電子部品５が実装される面から差込孔２５に向かって形成されている。また、第一の接続端子２１ａ，２１ｂ及び第二の接続端子２３は、第一の貫通孔２６ａ，２６ｂ及び第二の貫通孔２７との間で電気的に絶縁されている。
　以上のような構成を有する放熱構造１では、半導体モジュール３が差込溝８に差し込まれた状態で放熱フィン７Ｂと接している。これにより、半導体モジュール３が発する熱は、差込溝８の内壁面、すなわちフィン部７ａ，７ｂと接する第一及び第二の基板１０，１４から放熱フィン７Ｂへと伝わり、外部に放熱されることになる。一方、複数の電子部品５が発する熱は、回路基板４からベース部６を経由して放熱フィン７Ａ，７Ｂへと伝わり、外部に放熱されることになる。この場合、半導体モジュール３が発する熱は、ベース部６を経由することなく、放熱フィン７Ｂへと直接伝わるため、熱の伝達経路が短くなり、半導体モジュール３の放熱性が高まる。
　以上のように、本実施形態の放熱構造１では、半導体モジュール３を放熱フィン７Ｂに接した状態で配置することで、従来のように半導体モジュール３をベース部６の第二の面６ｂに配置する場合に比べて、高い放熱性を得ることが可能である。
　また、本実施形態の放熱構造１では、半導体モジュール３を差込溝８に差し込んだ状態で配置することで、従来のように半導体モジュール３をベース部６の第二の面６ｂに配置する場合に比べて、小型化が可能となる。さらに、半導体モジュール３の第一及び第二の基板１０，１４をフィン部７ａ，７ｂに接触させることで、半導体モジュール３からの放熱を効率よく行わせることが可能である。
　また、本実施形態の放熱構造１では、ベース部６の第一の面６ａ側に配置された半導体モジュール３と、ベース部６の第二の面６ｂ側に配置された電子部品５とがコネクタ２０を介して電気的に接続されている。これにより、半導体モジュール３と電子部品５との間を短い距離で接続できるため、電気抵抗を低減し、電力ロスを小さくすることが可能である。
　ところで、半導体モジュール３については、図４Ａに模式的に示すように、絶縁性の確保及びパーティクルに対する保護のため、モールド樹脂２８によって第一の基板１０と第二の基板１４との互いに対向する面側を封止することが行われる。しかしながら、このようなモールド樹脂２８は、第一及び第二の半導体素子１１，１３や第一及び第二の基板１０，１４等との間で線膨張係数の差が大きいため、熱膨張時にクラック等が生じ易い。
　これに対して、本発明では、図４Ｂに模式的に示すように、モールド樹脂２８の代わりに、第一の基板１０と第二の基板１４との互いに対向する面を覆う絶縁膜２９を設けた構成とすることが可能である。絶縁膜２９には、例えばセラミック等の高熱伝導性を有する絶縁材料が用いられる。
　本実施形態の放熱構造１では、このような絶縁膜２９が設けられた半導体モジュール３を差込溝８に差し込むことによって、絶縁性の確保及びパーティクルに対する保護が可能となる。さらに、絶縁膜２９を設けた場合は、絶縁膜２９の薄膜化によって半導体モジュール３からの放熱性が高められるだけでなく、線膨張係数の差によるクラックの発生が抑制可能となる。また、モールド樹脂２８で封止するための工程が省略できるため、製造工程の簡略化が図れる。
　なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
　本発明では、例えば図５Ａ及び図５Ｂに示すように、上述した半導体モジュール３と電子部品５との間を接続するコネクタ２０の接続構造を変更することも可能である。
　具体的に、図５Ａに示すコネクタ３１の接続構造は、上記差込孔２５の代わりに、ベース部６の第二の面６ｂ側からコネクタ３１を差し込み可能に保持する差込溝３２を設けた構成である。また、差込溝３２の底面と差込溝８の底面との間には、貫通孔３３が設けられている。コネクタ３１は、半導体モジュール３側の第一の接続端子３４が差し込まれる第一の差込口３５と、電子部品５側の複数の第二の接続端子３６が差し込まれる第二の差込口３７と、貫通孔３３に嵌合される突起部３８とを有している。回路基板４には、複数の第二の接続端子３６を貫通させる貫通孔３９が設けられている。
　一方、図５Ｂに示すコネクタ４０の接続構造は、上記差込孔２５の代わりに、ベース部６の第一の面６ａ側からコネクタ４０及び半導体モジュール３を差し込み可能に保持する差込溝４１を設けた構成である。また、差込溝４１には、貫通孔４２が設けられている。コネクタ４０は、半導体モジュール３側の第一の接続端子４３が差し込まれる第一の差込口４４と、電子部品５側の第二の接続端子４５が差し込まれる第二の差込口４６と、貫通孔４２に嵌合される突起部４７とを有している。
　以上のように、本発明では、図５Ａに示すコネクタ３１の接続構造や、図５Ｂに示すコネクタ４０の接続構造を採用することも可能である。
　また、本発明では、例えば図６Ａ及び図６Ｂに示すように、予め複数のコネクタ５０が設けられたヒートシンク５１を用いることも可能である。各コネクタ５０は、ベース部６の第一の面６ａに第一の差込口５２と、ベース部６の第二の面６ｂに第二の差込口５３とを有し、放熱フィン７の間に差し込まれた半導体モジュール３の接続端子を第一の差込口５２に差し込むと共に、電子部品５の接続端子を第二の差込口５３に差し込むことが可能となっている。
　なお、複数のコネクタ５０の配置や数等については、任意に変更することが可能である。また、コネクタ５０をヒートシンク５１に対してスライド可能に取り付けた構成とすることも可能である。この構成の場合、コネクタ５０の位置を移動することが可能である。
　また、半導体モジュール３は、複数の放熱フィン７Ａ，７Ｂのうちの少なくとも１つの放熱フィン７Ａ（７Ｂ）と接する構成であればよい。したがって、例えば、図７Ａに示すように、隣り合う放熱フィン７の間に半導体モジュール３が挟み込まれた構成や、図７Ｂに示すように、放熱フィン７の一側面に半導体モジュール３が接した構成とすることも可能である。また、半導体モジュール３は、上述した放熱フィン７を挟んで対向して配置された構成に限らず、図７Ｃに示すように、放熱フィン７を挟んで配置をずらした構成とすることも可能である。
　また、本発明の第一の発熱部品としては、上述した半導体モジュール３に必ずしも限定されるものではなく、その配置される位置や数等についても適宜変更を加えることが可能である。また、差込溝８についても、第一の発熱部品の大きさに合わせて適宜変更を加えることが可能である。したがって、複数の放熱フィン７には、個々の第一の発熱部品の大きさに合わせて深さや幅の異なる差込溝８が設けられていてもよい。
　また、本発明は、上述した差込溝８の差込口を塞ぐ蓋材９が設けられた構成に限らず、上述した差込孔２５のように、半導体モジュール３を差し込み可能に保持する差込孔が設けられた構成としてもよい。
　また、本発明では、例えば図８Ａに示すように、差込溝８に半導体モジュール３を差し込み易くするため、差込口８ａにテーパー部８ｂを設けた構成としてもよい。また、差込溝８については、上述した一定の幅を有する形状に限らず、例えば図８Ｂに示すように、深さ方向の先端部に向かって漸次幅が狭くなる形状（いわゆる楔形状）や、図８Ｃに示すように、深さ方向の中央部に向かって漸次幅が狭くなる形状（いわゆる鼓形状）とすることで、この差込溝８に差し込まれた半導体モジュール３が容易に抜けない構造とすることも可能である。また、放熱膨張時に半導体モジュール３がフィン部７ａ，７ｂに密着することで、放熱性を高めることが可能である。
　１…放熱構造　２…ヒートシンク　３…半導体モジュール（第一の発熱部品）　４…回路基板　５…電子部品（第二の発熱部品）　６…ベース部　６ａ…第一の面　６ｂ…第二の面　７…放熱フィン　８…差込溝　９…蓋材　１０…第一の基板　１１…第一の半導体素子　１２…接続子　１３…第二の半導体素子　１４…第二の基板　１５，１６…セラミック板（絶縁板）　１７，１８…Ｃｕ層（導電層）　１７ａ，１８ａ…回路パターン　１９…スペーサ　２０…コネクタ　２１ａ，２１ｂ…第一の接続端子　２２ａ，２２ｂ…第一の差込口　２３…第二の接続端子　２４…第二の差込口　２５…差込孔　２６ａ，２６ｂ…第一の貫通孔　２７…第二の貫通孔　２８…モールド樹脂　２９…絶縁膜　３０…制御部　３１…コネクタ　３２…差込溝　３３…貫通孔　３４…第一の接続端子　３５…第一の差込口　３６…第二の接続端子　３７…第二の差込口　３８…突起部　３９…貫通孔　４０…コネクタ　４１…差込溝　４２…貫通孔　４３…第一の接続端子　４４…第一の差込口　４５…第二の接続端子　４６…第二の差込口　４７…突起部　５０…コネクタ　５１…ヒートシンク　５２…第一の差込口　５３…第二の差込口

Claims (5)

  1. 　ベース部と、前記ベース部の第一の面に立設された複数の放熱フィンと、を有するヒートシンクと、
    　前記ベース部の前記第一の面側に設けられ、前記複数の放熱フィンのうちの少なくとも１つの前記放熱フィンと接する第一の発熱部品と、
    　前記ベース部の前記第一の面とは反対側の第二の面に接合され、前記第一の発熱部品と電気的に接続された回路基板と、
    　前記回路基板上に設けられ、前記第一の発熱部品よりも発熱量が小さい第二の発熱部品と、
    　前記第一の発熱部品と前記第二の発熱部品との間を電気的に接続するコネクタと、を備え、
    　前記コネクタは、前記第一の発熱部品側の第一の接続端子が差し込まれる第一の差込口と、前記第二の発熱部品側の第二の接続端子が差し込まれる第二の差込口とを有する
    　放熱構造。
  2. 　前記複数の放熱フィンのうちの少なくとも１つの前記放熱フィンの端面には、前記第一の発熱部品を差し込み可能な差込溝が設けられ、
    　前記第一の発熱部品は、前記差込溝に差し込まれて前記放熱フィンと接している
    　請求項１に記載の放熱構造。
  3. 　前記放熱フィンの間に前記第一の発熱部品が挟み込まれている
    　請求項１に記載の放熱構造。
  4. 　前記第一の発熱部品は、第一の基板、第一の半導体素子、接続子、第二の半導体素子および第二の基板を順に積層することにより構成され、
    　前記第一の基板および前記第二の基板が前記差込溝の内壁面と接している
    　請求項２に記載の放熱構造。
  5. 　前記第一の基板と前記第二の基板との互いに対向する面を覆う保護膜が設けられている
    　請求項４に記載の放熱構造。
PCT/JP2014/078715 2014-10-29 2014-10-29 放熱構造 WO2016067377A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14904817.5A EP3214646A4 (en) 2014-10-29 2014-10-29 Heat-dissipating structure
US15/508,127 US10251256B2 (en) 2014-10-29 2014-10-29 Heat dissipating structure
JP2016556091A JP6330053B2 (ja) 2014-10-29 2014-10-29 放熱構造
PCT/JP2014/078715 WO2016067377A1 (ja) 2014-10-29 2014-10-29 放熱構造
CN201480081271.2A CN107078106B (zh) 2014-10-29 2014-10-29 散热结构

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/078715 WO2016067377A1 (ja) 2014-10-29 2014-10-29 放熱構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016067377A1 true WO2016067377A1 (ja) 2016-05-06

Family

ID=55856764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/078715 WO2016067377A1 (ja) 2014-10-29 2014-10-29 放熱構造

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10251256B2 (ja)
EP (1) EP3214646A4 (ja)
JP (1) JP6330053B2 (ja)
CN (1) CN107078106B (ja)
WO (1) WO2016067377A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11632860B2 (en) * 2019-10-25 2023-04-18 Infineon Technologies Ag Power electronic assembly and method of producing thereof
WO2023220682A1 (en) * 2022-05-12 2023-11-16 Psemi Corporation Apparatus and methods of fabricating a switched capacitor circuit

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0569995U (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 日本電気株式会社 半導体用ヒートシンク
JPH1051912A (ja) * 1996-08-01 1998-02-20 Hitachi Ltd 放熱フィンを有する電気装置
JP2002100715A (ja) * 2000-09-26 2002-04-05 Noritz Corp 放熱部材、および電子部品に対する放熱部材の装着構造
JP2003273319A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 両面電極半導体素子を有する電子回路装置及び該電子回路装置の製造方法
WO2005091692A1 (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha モジュールの放熱構造及びこれを用いた制御装置
JP2008282931A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Fujitsu Ten Ltd 電気回路装置
JP2010187504A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Mitsubishi Electric Corp インバータ装置
JP2011103395A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 発熱部品の放熱構造及びこの放熱構造を有している回路装置
JP2011114176A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
JP2014154391A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Denso Corp 発光装置
WO2014132425A1 (ja) * 2013-02-28 2014-09-04 新電元工業株式会社 電子モジュールおよびその製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2413998A1 (de) 1974-03-22 1975-10-02 Siemens Ag Hybride schaltungsanordnung auf keramiksubstrat
DE102004036982B4 (de) * 2004-07-30 2010-07-29 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodulsystem mit einem in einen Baugruppenträger einsteckbaren und mit einem Gehäuse des Baugruppenträgers verrastbaren Leistungshalbleitermodul
US20060221573A1 (en) * 2005-04-04 2006-10-05 Ming Li Heat sink for multiple semiconductor modules
US7675164B2 (en) * 2007-03-06 2010-03-09 International Business Machines Corporation Method and structure for connecting, stacking, and cooling chips on a flexible carrier
US7911792B2 (en) * 2008-03-11 2011-03-22 Ford Global Technologies Llc Direct dipping cooled power module and packaging
EP2139048A1 (en) * 2008-06-23 2009-12-30 Photon BV Photovoltaic device with improved spectral response
JP5492447B2 (ja) * 2009-04-28 2014-05-14 日立オートモティブシステムズ株式会社 パワーモジュール
DE102009044368B4 (de) * 2009-10-30 2014-07-03 Lear Corporation Gmbh Kühlanordnung
JP5473733B2 (ja) * 2010-04-02 2014-04-16 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
US8139355B2 (en) 2010-05-24 2012-03-20 International Business Machines Corporation Memory module connector having memory module cooling structures
CN102683299B (zh) * 2011-01-07 2015-01-07 新电元工业株式会社 树脂密封型半导体装置及树脂密封用模具
JP5484429B2 (ja) 2011-11-18 2014-05-07 三菱電機株式会社 電力変換装置
JP2013125958A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Nakamura Mfg Co Ltd 発熱体冷却装置
CN103901977A (zh) * 2012-12-26 2014-07-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 散热装置
CN103415182A (zh) * 2013-07-19 2013-11-27 昆山维金五金制品有限公司 一种散热片
WO2016067383A1 (ja) * 2014-10-29 2016-05-06 新電元工業株式会社 放熱構造

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0569995U (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 日本電気株式会社 半導体用ヒートシンク
JPH1051912A (ja) * 1996-08-01 1998-02-20 Hitachi Ltd 放熱フィンを有する電気装置
JP2002100715A (ja) * 2000-09-26 2002-04-05 Noritz Corp 放熱部材、および電子部品に対する放熱部材の装着構造
JP2003273319A (ja) * 2002-03-14 2003-09-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 両面電極半導体素子を有する電子回路装置及び該電子回路装置の製造方法
WO2005091692A1 (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha モジュールの放熱構造及びこれを用いた制御装置
JP2008282931A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Fujitsu Ten Ltd 電気回路装置
JP2010187504A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Mitsubishi Electric Corp インバータ装置
JP2011103395A (ja) * 2009-11-11 2011-05-26 Sumitomo Electric Ind Ltd 発熱部品の放熱構造及びこの放熱構造を有している回路装置
JP2011114176A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体装置
JP2014154391A (ja) * 2013-02-08 2014-08-25 Denso Corp 発光装置
WO2014132425A1 (ja) * 2013-02-28 2014-09-04 新電元工業株式会社 電子モジュールおよびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3214646A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP6330053B2 (ja) 2018-05-30
JPWO2016067377A1 (ja) 2017-08-10
US20170303385A1 (en) 2017-10-19
US10251256B2 (en) 2019-04-02
EP3214646A4 (en) 2018-05-30
CN107078106B (zh) 2019-12-24
CN107078106A (zh) 2017-08-18
EP3214646A1 (en) 2017-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6021290B2 (ja) 放熱構造
JP6707634B2 (ja) 半導体装置
JP5670447B2 (ja) 電子機器
JP6330053B2 (ja) 放熱構造
JP6091035B2 (ja) 放熱構造
JP5717922B1 (ja) 電力変換装置
JP6738193B2 (ja) 伝熱構造体、絶縁積層材、絶縁回路基板およびパワーモジュール用ベース
JP2020047765A (ja) 電気機器及び放熱器
JP6336106B2 (ja) 放熱構造
JP6488658B2 (ja) 電子装置
JP2013153065A (ja) 発熱素子の放熱構造及びそれを備えた空気調和機
JP2014135374A (ja) 伝熱基板
JP7059714B2 (ja) 電力変換装置及び電力変換装置の製造方法
JP2015216143A (ja) 発熱素子の放熱構造
JP2019009180A (ja) 基板モジュール
JP2017011027A (ja) 回路基板の放熱構造
JP2017005129A (ja) 半導体装置
JPWO2015129599A1 (ja) 電子機器モジュールおよび電源モジュール
TW202126130A (zh) 功率模組
JP2016152290A (ja) 熱伝導基板及び電子部品実装方法
JP2017034211A (ja) 放熱器、電子機器、および電子機器の製造方法
JP2012222022A (ja) 半導体装置
JP2016171202A (ja) 電子装置
JP2011066282A (ja) 発熱デバイス装置
JP2014049728A (ja) 回路装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14904817

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2014904817

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2014904817

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15508127

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016556091

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE