WO2016063666A1 - 半導体装置 - Google Patents
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- G06F1/305—Means for acting in the event of power-supply failure or interruption, e.g. power-supply fluctuations in the event of power-supply fluctuations
Definitions
- the present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a semiconductor device mounted on an automobile.
- the semiconductor device of the present invention includes, for example, a control signal generation circuit that generates a control signal that varies depending on a fluctuation time of a power supply voltage, and a control circuit that changes an operation sequence depending on a difference in control signal.
- Block diagram of a semiconductor device using the present invention Operation waveforms at power-on in the block diagram shown in FIG. Operation waveform at power failure in the block diagram shown in FIG. Example circuit to distinguish when power is turned on and when power is abnormal Operation waveforms at power-on of the circuit diagram shown in FIG. Operation waveform at power failure in the circuit diagram shown in FIG. Example circuit to distinguish when power is turned on and when power is abnormal
- Figure 3 shows the operation waveform when the power supply is abnormal.
- the por is generated in the same manner as when the power is turned on, and the MPU 106 performs an initialization operation. After the initialization, when the control signal sdiag is low, the MPU shifts to the normal operation without performing the initial diagnosis operation.
- FIG. 5 shows the waveform diagram when the power is turned on.
- vdd the power supply voltage
- pors1 becomes high FF116 and FF119 are in a reset state, and the output becomes low.
- porsdiag becomes low.
- PULSGEN 114 When the falling edge of pors1 is input, PULSGEN 114 generates a pulse signal ffclk1, and the delayed signal ffclk1_dly of ffclk1 is input as the clock signal of FF116.
- sdiag which is the output of FF119.
- the delay of DLY 115 is to ensure that sdiag is low or high when por goes low and the BLOCK 102 circuit starts operating. Therefore, the delay amount of DLY 115 depends on the delay amount of vdd_dly with respect to vdd.
- the present embodiment since resistance and capacitance are not required, it is possible to realize switching of operation when the power supply is abnormal with a smaller area than in the first and second embodiments.
- the first and second embodiments when a power supply abnormality with a longer power supply voltage drop time is identified as power-on, it is necessary to increase the delay of vdd_dly with respect to a change in the power supply voltage vdd, and it is determined whether the power is on or power-on
- determination can be made when the power supply returns to the normal operating voltage.
- the power supply rise time is longer than when the power is turned on, it can be detected as an abnormality. As a case where the rise time of the power source becomes long, for example, an increase in resistance due to oxidation of a terminal of the power connector or contact failure can be considered.
- the determination can be made when the power supply returns to the normal operating voltage.
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Abstract
Description
101・・・制御信号生成回路
102・・・回路ブロック
103・・・記憶素子
104・・・レジスタ
105・・・アナログ回路ブロック
106・・・マイクロプロセッサ
107・・・外部との入出力インターフェース
110、112、141、142・・・入力電源の立上がり時に信号を発生する回路
114、117・・・パルス信号生成回路
115、118・・・遅延回路
116、119・・・フリップフロップ回路
111・・・抵抗
112・・・容量
121・・・比較器
122・・・PMOSスイッチ
131・・・オペアンプ
143・・・カウンタ回路
144・・・比較器
Claims (9)
- 電源電圧の変動時間によって異なる制御信号を生成する制御信号生成回路と、
前記制御信号の違いによって動作シーケンスを変更する制御回路と、を有する半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記制御信号生成回路は、前記電源電圧の低下時間によって異なる制御信号を生成することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記制御信号生成回路は、電源に接続される抵抗とグラウンドに接続される容量との間の電位が信号として入力され、前記入力信号の立ち上がり時にある一定電圧以上の間、ハイもしくはロウの信号を出力することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記制御信号生成回路は、
電源に接続される抵抗とグラウンドに接続される容量との間の電位が信号として入力され、前記入力信号の立ち上がり時にパルス信号を出力する第一の信号生成回路と、
前記電源の立上がり時にパルス信号を出力する第二の信号生成回路と、を有し、
前記第一及び第二の信号生成回路で出力されたパルス信号の立ち上がり及び立下りタイミングにより動作シーケンスを変更する制御回路と、を有する半導体装置 - 請求項4に記載の半導体装置において、
前記第二の信号生成回路がパルス信号を発生するとアナログ回路の動作を開始し、デジタル回路内部のフリップフロップのリセット及び不揮発メモリからレジスタへのデータの読み出しを行い、
前記第一の信号生成回路の出力信号の状態を確認し、パルス信号が生成されている場合は、初期診断動作を実行する半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記制御信号生成回路は、電源に接続されるスイッチとグラウンドに接続される容量との間の電位が信号として入力され、前記入力信号の立ち上がり時にパルス信号を出力し、
電源と前記出力信号の電圧の大小を比較し前記スイッチのオンオフを制御する比較器を有する半導体装置 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記異なる制御信号を外部に出力する回路を有する半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記制御信号生成回路は、前記電源の遷移時間の違いによって異なる制御信号を生成することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置において、
前記制御信号生成回路は、電源に接続される抵抗とグラウンドに接続される容量との間の電位と、任意の一定電圧と、タイミング信号と、が入力され、
前記タイミング信号が入力されている間は、前記抵抗と前記容量との間の電位と任前記意の一定電圧との大小を比較し、比較結果に応じてハイもしくはロウの信号を出力することを特徴とする半導体装置。
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