WO2015129700A1 - 化合物及びそれを含むフォトレジスト組成物 - Google Patents

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WO2015129700A1
WO2015129700A1 PCT/JP2015/055265 JP2015055265W WO2015129700A1 WO 2015129700 A1 WO2015129700 A1 WO 2015129700A1 JP 2015055265 W JP2015055265 W JP 2015055265W WO 2015129700 A1 WO2015129700 A1 WO 2015129700A1
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group
substituted
formula
carbon atoms
compound
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匠 樋田
高須賀 大晃
佐藤 隆
越後 雅敏
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三菱瓦斯化学株式会社
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C43/00Ethers; Compounds having groups, groups or groups
    • C07C43/02Ethers
    • C07C43/20Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C43/23Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring containing hydroxy or O-metal groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C39/00Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • C07C39/12Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings
    • C07C39/15Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring polycyclic with no unsaturation outside the aromatic rings with all hydroxy groups on non-condensed rings, e.g. phenylphenol
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/66Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety
    • C07C69/67Esters of carboxylic acids having esterified carboxylic groups bound to acyclic carbon atoms and having any of the groups OH, O—metal, —CHO, keto, ether, acyloxy, groups, groups, or in the acid moiety of saturated acids
    • C07C69/708Ethers
    • C07C69/712Ethers the hydroxy group of the ester being etherified with a hydroxy compound having the hydroxy group bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C69/00Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
    • C07C69/96Esters of carbonic or haloformic acids
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition

Definitions

  • the present invention relates to a compound and a photoresist composition containing the compound.
  • a predetermined cyclic compound is useful as a base compound for a resist material.
  • the cyclic compounds proposed in Patent Documents 1 to 3 and Non-Patent Document 1 can provide high heat resistance while having a low molecular weight as a base compound of a resist material. Has also been reported to improve.
  • low molecular weight cyclic compounds are known to be useful as a base compound for resist materials, but problems such as poor solubility of resist materials in resist solvents and poor resist pattern roughness are obtained. Therefore, further improvement over the base compound is desired.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and provides a compound that has high heat resistance and high solubility and can reduce the roughness of a resist pattern when used as a raw material for a resist material.
  • the purpose is to do.
  • R 10 and R 11 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a halogen atom, a substituted or unsubstituted carbon number of 1; -20 linear aliphatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted cyclic aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, substituted Or an unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an acid dissociable reactive group, or a group in which these groups and a divalent group are bonded, and at least one of R 10 and at least one of R 11 are acid dissociated A reactive reactive group, or a group in which an acid dissociable reactive group
  • R 10 and R 11 are each independently a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a halogen atom, a substituted or unsubstituted carbon number of 1 to 20 Linear aliphatic hydrocarbon group, substituted or unsubstituted branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted cyclic aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted The compound according to [1], which is a substituted
  • the compound represented by the formula (1-1) is a compound represented by the following formula (2-1), and the compound represented by the formula (1-2) is represented by the following formula (2-2).
  • R 10 , R 11 and R 12 are the same as described above.
  • R 10 , R 11 and R 12 are the same as described above.
  • the compound represented by the formula (2-1) is a compound represented by the following formula (3-1), and the compound represented by the formula (2-2) is represented by the following formula (3-2).
  • R 13 is an acid dissociable reactive group or a group in which an acid dissociable reactive group and a divalent group are bonded, and R 12 is the same as described above.
  • R 13 is an acid dissociable reactive group or a group in which an acid dissociable reactive group and a divalent group are bonded, and R 12 is the same as described above.
  • the acid dissociable reactive group is a substituted methyl group, 1-substituted ethyl group, 1-substituted-n-propyl group, 1-branched alkyl group, silyl group, acyl group, 1-substituted alkoxymethyl group, cyclic ether group,
  • a photoresist composition comprising the compound according to any one of [8]. [10] The compound represented by following formula (12) or (13).
  • the compound of the present invention has high heat resistance and high solubility, and can reduce the roughness of a resist pattern when used as a raw material for a resist material.
  • the compound of the present embodiment is a compound selected from the group consisting of compounds represented by formulas (1-1) and (1-2).
  • R 10 and R 11 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, a halogen atom, a substituted or unsubstituted carbon number of 1 to 20 linear aliphatic hydrocarbon groups, substituted or unsubstituted branched aliphatic hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms, substituted or unsubstituted cyclic aliphatic hydrocarbon groups having 3 to 20 carbon atoms, substituted or An unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an acid dissociable reactive group, or a group in which these groups are bonded to a divalent group, and at least one of R 10 and at least one of R 11 are acid dissociable A reactive group, or a group in which an acid dissociable reactive group and a divalent group are bonded, and each R 12 independently represents a substituted or unsubstituted linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon
  • the compound of this embodiment has high heat resistance and high solubility, and can reduce the roughness of a resist pattern when used as a raw material for a resist material. That is, the compound of the present embodiment has a specific cyclic structure in the molecular skeleton, and a specific acid dissociable reactive group, a group in which an acid dissociable reactive group and a divalent group are bonded, and a specific alkoxy group. Therefore, it exhibits high heat resistance and high solubility. Furthermore, with the above structure, aggregation of molecules can be suppressed by appropriately suppressing intermolecular interaction. As a result, the roughness of the resist pattern can be reduced. Therefore, the compound of this embodiment is useful as a raw material for a resist material, that is, a base compound for a photosensitive material such as a semiconductor photoresist.
  • R 10 and R 11 are each independently a substituted or unsubstituted heterocyclic group, A halogen atom, a substituted or unsubstituted linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon number of 3 It is preferably a cyclic aliphatic hydrocarbon group of ⁇ 20, a substituted or unsubstituted aryl group of 6 to 20 carbon atoms, an acid dissociable reactive group, or a group in which these groups are bonded to a divalent group.
  • the divalent group is not limited to the following, but for example, one or more groups selected from the group consisting of a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group and an ether group are preferable.
  • substitution means that, unless otherwise defined, one or more hydrogen atoms in a functional group are a halogen atom, a hydroxyl group, a cyano group, a nitro group, a heterocyclic group, or a carbon number of 1 -20 linear aliphatic hydrocarbon group, branched aliphatic hydrocarbon group having 3-20 carbon atoms, cyclic aliphatic hydrocarbon group having 3-20 carbon atoms, aryl group having 6-20 carbon atoms, carbon number 7-30 aralkyl groups, alkoxy groups having 1-20 carbon atoms, amino groups having 0-20 carbon atoms, alkenyl groups having 2-20 carbon atoms, acyl groups having 1-20 carbon atoms, alkoxy groups having 2-20 carbon atoms It means substituted with a carbonyl group, an alkyloyloxy group having 1 to 20 carbon atoms, an aryloyloxy group having 7 to 30 carbon atoms, or an alkylsily
  • the unsubstituted heterocyclic group is not limited to, for example, pyridyl group, bipyridyl group, pyrrolidyl group, pyrazolyl group, imidazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, piperidyl group, piperazyl group, morpholyl group, thiomorpholyl group Group, triazole group, tetrazole group and the like.
  • Examples of the substituted heterocyclic group include, but are not limited to, N-methylpyridyl group, N-fluoropyridyl group, N-hydroxypyridyl group, N-cyanopyridyl group, methylbipyridyl group, methylpyrrolidyl group, methyl
  • Examples include pyrazolyl group, methylimidazolyl group, methylisoxazolyl group, methylisothiazolyl group, methylpiperidyl group, methylpiperazyl group, methylmorpholyl group, methylthiomorpholyl group, methyltriazole group, and methyltetrazole group.
  • Examples of the unsubstituted linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, decyl group. Group, dodecyl group, hexadecyl group, octadecyl group and the like.
  • Examples of the substituted linear aliphatic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, a fluoromethyl group, a 2-hydroxyethyl group, a 3-cyanopropyl group, a 20-nitrooctadecyl group, and the like. Can be mentioned.
  • Examples of the unsubstituted branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, isopropyl group, isobutyl group, tertiary butyl group, neopentyl group, 2-hexyl group, and 2-octyl group.
  • Examples of the substituted branched aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, a 1-fluoroisopropyl group and a 1-hydroxy-2-octadecyl group.
  • Examples of the unsubstituted cyclic aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, cyclooctyl group, cyclodecyl group, cyclododecyl group, A cyclohexadecyl group, a cyclooctadecyl group, etc. are mentioned.
  • Examples of the substituted cyclic aliphatic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, 2-fluorocyclopropyl group, 4-cyanocyclohexyl group, and the like.
  • Examples of the unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, phenyl group and naphthyl group.
  • Examples of the substituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms include, but are not limited to, 4-isopropylphenyl group, 4-cyclohexylphenyl group, 4-methylphenyl group, 6-fluoronaphthyl group and the like.
  • the acid dissociable reactive group refers to a characteristic group that is cleaved in the presence of an acid to cause a change such as an alkali-soluble group.
  • alkali-soluble group include, but are not limited to, a phenolic hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfonic acid group, and a hexafluoroisopropanol group.
  • a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group are preferable, and a phenolic hydroxyl group is more preferable.
  • the acid-dissociable reactive group can be appropriately selected from hydroxystyrene resins, (meth) acrylic acid resins, and the like used in chemically amplified resist compositions for KrF and ArF.
  • substituted methyl group, 1-substituted ethyl group, 1-substituted n-propyl group, 1-branched alkyl group, silyl group, acyl group, 1-substituted alkoxymethyl group, cyclic ether group, alkoxycarbonyl group, alkoxycarbonyl An alkyl group etc. are mentioned. It is preferable that the acid dissociable reactive group does not have a crosslinkable functional group.
  • the substituted methyl group is not particularly limited, it can usually be a substituted methyl group having 2 to 20 carbon atoms, preferably a substituted methyl group having 4 to 18 carbon atoms, and preferably a substituted methyl group having 6 to 16 carbon atoms. More preferred.
  • substituted methyl group examples include, but are not limited to, a methoxymethyl group, a methylthiomethyl group, an ethoxymethyl group, an n-propoxymethyl group, an isopropoxymethyl group, an n-butoxymethyl group, a t-butoxymethyl group, 2-methylpropoxymethyl group, ethylthiomethyl group, methoxyethoxymethyl group, phenyloxymethyl group, 1-cyclopentyloxymethyl group, 1-cyclohexyloxymethyl group, benzylthiomethyl group, phenacyl group, 4-bromophenacyl group, 4 -Methoxyphenacyl group, piperonyl group, a substituent represented by the following formula (13-1) and the like can be mentioned.
  • R 2 in the following formula (13-1) include, but are not limited to, methyl group, ethyl group, isopropyl group, n-propyl group, t-butyl group, n-butyl group and the like. Can be mentioned.
  • R 2 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the 1-substituted ethyl group is not particularly limited, it can usually be a 1-substituted ethyl group having 3 to 20 carbon atoms, preferably a 1-substituted ethyl group having 5 to 18 carbon atoms, 16 substituted ethyl groups are more preferred.
  • 1-substituted ethyl group examples include, but are not limited to, 1-methoxyethyl group, 1-methylthioethyl group, 1,1-dimethoxyethyl group, 1-ethoxyethyl group, 1-ethylthioethyl group, 1,1-diethoxyethyl group, n-propoxyethyl group, isopropoxyethyl group, n-butoxyethyl group, t-butoxyethyl group, 2-methylpropoxyethyl group, 1-phenoxyethyl group, 1-phenylthioethyl Group, 1,1-diphenoxyethyl group, 1-cyclopentyloxyethyl group, 1-cyclohexyloxyethyl group, 1-phenylethyl group, 1,1-diphenylethyl group, represented by the following formula (13-2) A substituent etc. can be mentioned.
  • R 2 is as defined above.
  • the 1-substituted-n-propyl group is not particularly limited, it can usually be a 1-substituted-n-propyl group having 4 to 20 carbon atoms, and a 1-substituted-n-group having 6 to 18 carbon atoms.
  • a propyl group is preferred, and a 1-substituted n-propyl group having 8 to 16 carbon atoms is more preferred. Examples thereof include a 1-methoxy-n-propyl group and a 1-ethoxy-n-propyl group.
  • the 1-branched alkyl group is not particularly limited, but can be usually a 1-branched alkyl group having 3 to 20 carbon atoms, preferably a 1-branched alkyl group having 5 to 18 carbon atoms, 16 branched alkyl groups are more preferred.
  • Specific examples of the 1-branched alkyl group include, but are not limited to, isopropyl group, sec-butyl group, tert-butyl group, 1,1-dimethylpropyl group, 1-methylbutyl group, 1,1-dimethylbutyl group. 2-methyladamantyl group, 2-ethyladamantyl group and the like.
  • the silyl group is not particularly limited, but can usually be a silyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably a silyl group having 3 to 18 carbon atoms, and more preferably a silyl group having 5 to 16 carbon atoms.
  • Specific examples of the silyl group include, but are not limited to, a trimethylsilyl group, an ethyldimethylsilyl group, a methyldiethylsilyl group, a triethylsilyl group, a tert-butyldimethylsilyl group, a tert-butyldiethylsilyl group, and a tert-butyldiphenylsilyl group. , Tri-tert-butylsilyl group, triphenylsilyl group and the like.
  • the acyl group is not particularly limited, but can usually be an acyl group having 2 to 20 carbon atoms, preferably an acyl group having 4 to 18 carbon atoms, and more preferably an acyl group having 6 to 16 carbon atoms.
  • Specific examples of the acyl group include, but are not limited to, acetyl group, phenoxyacetyl group, propionyl group, butyryl group, heptanoyl group, hexanoyl group, valeryl group, pivaloyl group, isovaleryl group, laurylyl group, adamantylcarbonyl group, benzoyl group Group, naphthoyl group and the like.
  • the 1-substituted alkoxymethyl group is not particularly limited, but can be usually a 1-substituted alkoxymethyl group having 2 to 20 carbon atoms, preferably a 1-substituted alkoxymethyl group having 4 to 18 carbon atoms, A 1-substituted alkoxymethyl group having a number of 6 to 16 is more preferred.
  • Specific examples of the 1-substituted alkoxymethyl group include, but are not limited to, 1-cyclopentylmethoxymethyl group, 1-cyclopentylethoxymethyl group, 1-cyclohexylmethoxymethyl group, 1-cyclohexylethoxymethyl group, 1-cyclooctyl.
  • a methoxymethyl group, a 1-adamantyl methoxymethyl group, etc. can be mentioned.
  • the cyclic ether group is not particularly limited, but can usually be a cyclic ether group having 2 to 20 carbon atoms, preferably a cyclic ether group having 4 to 18 carbon atoms, and a cyclic ether group having 6 to 16 carbon atoms. More preferred. Specific examples of the cyclic ether group include, but are not limited to, a tetrahydropyranyl group, a tetrahydrofuranyl group, a tetrahydrothiopyranyl group, a tetrahydrothiofuranyl group, a 4-methoxytetrahydropyranyl group, a 4-methoxytetrahydrothiopyranyl group. And the like.
  • R 3 is a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and n is an integer of 0 to 4)
  • the alkoxycarbonylalkyl group is not particularly limited, but can usually be an alkoxycarbonylalkyl group having 2 to 20 carbon atoms, preferably an alkoxycarbonylalkyl group having 4 to 18 carbon atoms, and an alkoxycarbonyl group having 6 to 16 carbon atoms.
  • a carbonylalkyl group is more preferred.
  • a substituted methyl group, a 1-substituted ethyl group, a 1-substituted alkoxymethyl group, a cyclic ether group, an alkoxycarbonyl group, and an alkoxycarbonylalkyl group are preferable, and a viewpoint of expressing higher sensitivity.
  • a substituted methyl group, a 1-substituted ethyl group, an alkoxycarbonyl group and an alkoxycarbonylalkyl group and an acid having a structure selected from a cycloalkane having 3 to 12 carbon atoms, a lactone and an aromatic ring having 6 to 12 carbon atoms.
  • dissociative reactive groups More preferred are dissociative reactive groups.
  • the cycloalkane having 3 to 12 carbon atoms may be monocyclic or polycyclic, but is preferably polycyclic. Specific examples of the cycloalkane having 3 to 12 carbon atoms include, but are not limited to, monocycloalkane, bicycloalkane, tricycloalkane, tetracycloalkane, and the like. More specifically, the cycloalkane is not limited to the following.
  • Monocycloalkanes such as cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane and cyclohexane, and polycycloalkanes such as adamantane, norbornane, isobornane, tricyclodecane and tetracyclodecane.
  • adamantane, tricyclodecane, and tetracyclodecane are preferable, and adamantane and tricyclodecane are more preferable.
  • the cycloalkane having 3 to 12 carbon atoms may have a substituent.
  • lactone examples include, but are not limited to, butyrolactone or a cycloalkane group having 3 to 12 carbon atoms having a lactone group.
  • 6-12 aromatic ring examples include, but are not limited to, a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, and the like.
  • a benzene ring and a naphthalene ring are preferable, and a naphthalene ring is more preferable. .
  • an acid dissociable reactive group selected from the group consisting of groups represented by the following formula (13-4) is preferable.
  • R 5 is a hydrogen atom or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R 6 is a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or A branched alkyl group, a cyano group, a nitro group, a heterocyclic group, a halogen atom or a carboxyl group
  • n 1 is an integer from 0 to 4
  • n 2 is an integer from 1 to 5
  • n 0 is from 0 to It is an integer of 4.
  • an acid dissociable reactive group selected from the group consisting of groups represented by the following formula (13-5) is more preferable.
  • the molecular weight of the compound selected from the group consisting of the compounds represented by the formulas (1-1) and (1-2) is preferably 800 to 5000. More preferably, it is 800 to 2000, and still more preferably 1000 to 2000. Within the above range, the resolution tends to be improved while maintaining the film formability required for the resist.
  • the compound represented by the formula (1-1) is represented by the formula (2-1) from the viewpoint of heat resistance, solubility when obtained as a resist composition, and roughness of the resulting pattern.
  • the compound represented by the formula (1-2) is preferably a compound represented by (2-2).
  • the compound represented by the formula (2-1) is a compound represented by the following formula (3-1),
  • the compound represented by the formula (2-2) is preferably a compound represented by the following formula (3-2).
  • the compound represented by the formula (3-1) is a compound represented by the following formula (4-1),
  • the compound represented by the formula (3-2) is preferably a compound represented by the following formula (4-2).
  • R 13 is an acid-dissociable reactive group, or an acid-dissociable reactive group and a divalent group (a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group and an ether group) And one or more groups selected from the group are bonded to each other, and R 12 is the same as described above.
  • R 13 is an acid dissociable reactive group, or an acid dissociable reactive group and a divalent group (a substituted or unsubstituted alkylene group, a substituted or unsubstituted arylene group and an ether group) And one or more groups selected from the group are bonded to each other, and R 12 is the same as described above.
  • the compound represented by the formula (5-1-a) or the formula (5-1-b) is preferable.
  • the compound of the present embodiment can be produced by a known method. For example, a compound represented by formula (6) and a compound represented by formula (7-1) or formula (7-2) are reacted in the presence of a catalyst to formula (8-1) or ( 8-2) to obtain a cyclic compound (A) selected from the group represented by the following formula, and then react the cyclic compound (A) with the acid dissociable reactive group introduction reagent (B) in the presence of a catalyst.
  • the production method has few by-products, and can be produced efficiently.
  • the compound represented by the above formula (6) is not particularly limited, and for example, hydroxymethoxybenzaldehyde (vanillin), ethoxyhydroxybenzaldehyde (ethylvanillin), hydroxypropoxybenzaldehyde and the like can be used. These are readily available as reagents. Moreover, 1 type, or 2 or more types can be used as a compound represented by Formula (6).
  • the compound represented by the above formula (7-1) (resorcinol) and the compound represented by the above formula (7-2) (pyrogallol) are readily available as reagents. These compounds may be used alone or in combination.
  • the catalyst used for the production of the cyclic compound (A) can be appropriately selected from known acids or bases, and is not particularly limited.
  • inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrobromic acid, hydrofluoric acid, oxalic acid, formic acid, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, trifluoroacetic acid, trifluoromethanesulfonic acid, benzenesulfonic acid,
  • Organic acids such as naphthalene sulfonic acid and naphthalene disulfonic acid, Lewis acids such as zinc chloride, aluminum chloride, iron chloride, boron trifluoride and solid acids such as silicotungstic acid, phosphotungstic acid, silicomolybdic acid or phosphomolybdic acid, Or bases, such as sodium hydroxide, are mentioned.
  • 1 type, or 2 or more types can be used as a catalyst. From the viewpoint of
  • the cyclic compound (A) is, for example, 0.1 to 10 mol of the compound represented by the formula (7) with respect to 1 mol of the compound represented by the formula (6) in an organic solvent such as methanol and ethanol.
  • an acid catalyst hydroochloric acid, sulfuric acid, para-toluenesulfonic acid, etc.
  • a basic catalyst such as sodium hydroxide, barium hydroxide or 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7
  • a basic catalyst such as sodium hydroxide, barium hydroxide or 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7
  • the compound represented by the above formula (6) is converted into a dihalide by hydrogen halide or halogen gas, and the isolated dihalide is mixed with the above formula (7-1) or formula (7-2). It can also be produced by reacting a compound represented by
  • the acid catalyst and the auxiliary catalyst From the viewpoint of improving the purity of the cyclic compound (A) and reducing the amount of remaining metal, it may be purified as necessary. In addition, from the viewpoint of preventing a decrease in storage stability of the radiation-sensitive composition due to the remaining of the acid catalyst and the cocatalyst and a decrease in sensitivity of the photoresist composition due to the remaining of the basic catalyst, the acid catalyst and the auxiliary catalyst. You may perform the refinement
  • a method of washing with water For example, a method of washing with water, a method of washing with an acidic aqueous solution, a method of washing with a basic aqueous solution, an ion Examples include a method of treating with an exchange resin and a method of treating with silica gel column chromatography. These purification methods are more preferably performed in combination of two or more. Acidic aqueous solution, basic aqueous solution, ion exchange resin, and silica gel column chromatography are optimal depending on the metal to be removed, the amount and type of acidic compound and / or basic compound, the type of cyclic compound (A) to be purified, etc. It is possible to select appropriately.
  • Amberlyst 15J-HG Dry made by Organo can be mentioned. You may dry after refinement
  • the acid dissociable reactive group introduction reagent (B) is not particularly limited, and examples thereof include active carboxylic acid derivative compounds such as acid chlorides, acid anhydrides and dicarbonates, alkyl halides, vinyl alkyl ethers, dihydropyrans, and halocarboxylic acids.
  • active carboxylic acid derivative compounds such as acid chlorides, acid anhydrides and dicarbonates, alkyl halides, vinyl alkyl ethers, dihydropyrans, and halocarboxylic acids.
  • Known alkyl esters can be used. More specifically, for example, di-t-butyl dicarbonate, t-butyl bromoacetate, 2-methyl-2-adamantyl bromoacetate, and 1-adamantyl bromoacetate are used. These can be easily obtained by synthesis or reagents using known methods.
  • 1 type (s) or 2 or more types can be used as an acid dissociable reactive group introduction
  • a method for introducing an acid dissociable reactive group into at least one phenolic hydroxyl group of the cyclic compound (A) is known.
  • an acid dissociable reactive group can be introduced into at least one phenolic hydroxyl group of the cyclic compound (A) as follows.
  • the cyclic compound (A) is dissolved or suspended in an aprotic solvent such as acetone, tetrahydrofuran (THF), propylene glycol monomethyl ether acetate or the like.
  • an aprotic solvent such as acetone, tetrahydrofuran (THF), propylene glycol monomethyl ether acetate or the like.
  • a vinyl alkyl ether such as ethyl vinyl ether or dihydropyran is added, and the reaction is carried out at 20 to 60 ° C. for 6 to 72 hours at atmospheric pressure in the presence of an acid catalyst such as pyridinium p-toluenesulfonate.
  • the reaction liquid is neutralized with an alkali compound and added to distilled water to precipitate a white solid, and then the separated white solid is washed with distilled water and dried to obtain the compound of this embodiment.
  • the cyclic compound (A) is dissolved or suspended in an aprotic solvent such as acetone, THF, propylene glycol monomethyl ether acetate or the like.
  • an alkyl halide such as ethyl chloromethyl ether or a halocarboxylic acid alkyl ester such as methyl adamantyl bromoacetate is added, and the reaction is carried out in the presence of an alkali catalyst such as potassium carbonate at 20 to 110 ° C. for 6 to 72 hours.
  • the reaction solution is neutralized with an acid such as hydrochloric acid and added to distilled water to precipitate a white solid, and then the separated white solid is washed with distilled water and dried to obtain the compound of this embodiment.
  • the compound of this embodiment is particularly useful as a base material (base compound) of a photosensitive material such as a semiconductor photoresist.
  • a photoresist composition containing the compound of this embodiment can be obtained. That is, the photoresist composition of this embodiment contains the compound of this embodiment.
  • the photoresist composition of this embodiment it is possible to form a resist pattern with better performance.
  • the evaluation method of the compound is as follows.
  • o-vanillin (30.3 g, 0.2 mol) manufactured by Kanto Chemical Co., Inc. was charged through a powder funnel over 5 to 10 minutes, and then ethylene glycol (20.0 g) was charged.
  • the mixture was heated with a mantle heater and stirred at 60 ° C. for 1 hour and at 80 ° C. for 3 hours.
  • the reaction mixture was cooled in a water bath until it reached 50 ° C. or lower, and 400 mL of pure water was added to produce a target crude crystal, which was filtered off.
  • the crude crystals were washed with 500 mL of pure water three times, and after filtration, 600 g of cyclohexanone and 600 g of cyclopentanone were added to prepare a mixed solution. This solution was separated 5 times with 150 g of pure water while stirring and heating to 70 ° C. with a mantle heater in a 1 L container of Teflon coating, and then the solution was concentrated to 10% by mass. After standing overnight, crude crystals precipitated and were filtered off. The crude crystals were washed twice with acetone (10 times the weight of the crude crystals), filtered, and dried to obtain the desired product (hereinafter referred to as CR-Vtrans) (21.5 g, yield 44. 0%) was obtained.
  • CR-Vtrans desired product
  • Example 1 Synthesis of CR-Vtrans-MeBOC To a separable flask (500 mL) equipped with a well-dried, nitrogen-substituted dropping funnel, Jim Roth condenser, thermometer, and stirring blade in a nitrogen stream under Synthesis Example 1 The synthesized CR-Vtrans 6.2 g (6.3 mmol), potassium carbonate 21.0 g (0.15 mol), tetrabutylammonium bromide 0.41 g (1.3 mmol), N-methylpyrrolidone (hereinafter referred to as NMP). ) A NMP solution consisting of 160 mL was prepared. The solution was cooled to 5 ° C. with stirring in an ice bath.
  • the desired product substituted with a carbonylmethyl group (hereinafter referred to as CR-V-MeBOC) (11.7 g, yield 79%) was obtained.
  • the obtained product was confirmed to have a chemical structure represented by the following formula (12) by chemical shift value ( ⁇ ppm, TMS standard) of 1 H-NMR in deuterated chloroform solvent.
  • the thermal decomposition temperature was 209 ° C., confirming that it had high heat resistance.
  • the PGME solubility was as good as A.
  • the roughness was good with A. It is presumed that the interaction between molecules is moderate and no aggregate is formed.
  • Example 2 Synthesis of CR-EVtrans-MeBOC To a separable flask (500 mL) equipped with a sufficiently dried, nitrogen-substituted dropping funnel, Jim Roth condenser, thermometer, and stirring blade in a nitrogen stream under the above Synthesis Example 2 An NMP solution consisting of 5.0 g (4.9 mmol) of the synthesized CR-EV, 12.1 g (0.09 mol) of potassium carbonate, 0.28 g (0.87 mmol) of tetrabutylammonium bromide, and 100 mL of NMP was prepared. The solution was cooled to 5 ° C. with stirring in an ice bath.
  • NMP solution consisting of 17.0 g (0.09 mol) of t-butyl bromoacetate and 25 mL of NMP was added dropwise over 5 minutes, and then stirred for 5 hours while heating to 100 ° C. with a mantle heater. After completion of the reaction, 400 mL of pure water was added to produce the target crude crystal. After adding 400 g of PGMEA and separating the reaction solution with 150 g of pure water three times, the solution was concentrated to 10% by mass or less.
  • the target product substituted with a carbonylmethyl group (hereinafter referred to as CR-EV-MeBOC) (4.47 g, yield 37.8%) was obtained.
  • the obtained product was confirmed to have a chemical structure represented by the following formula (13) by 1 H-NMR chemical shift value ( ⁇ ppm, TMS standard) in deuterated chloroform solvent.
  • NMP solution consisting of 10.0 g (0.05 mol) of t-butyl bromoacetate and 25 mL of NMP was added dropwise over 5 minutes, and then stirred for 5 hours while heating to 120 ° C. with a mantle heater. After completion of the reaction, 300 mL of pure water was added to produce the target crude crystal, which was filtered off. The crude crystals were washed with 500 mL of pure water three times, and after filtration, the resulting solid was washed twice with isopropanol (10 times the weight of the solid), filtered, and dried to remove phenolic hydroxyl groups.
  • a target product in which a hydrogen atom was substituted with a t-butoxycarbonylmethyl group (hereinafter referred to as CR-HBAtrans-MeBOC) (4.77 g, yield 75.3%) was obtained.
  • the obtained product was confirmed to have a chemical structure represented by the following formula (14) by 1 H-NMR chemical shift value ( ⁇ ppm, TMS standard) in deuterated chloroform solvent.
  • the thermal decomposition temperature was 208 ° C., confirming that it had high heat resistance.
  • the PGME solubility was as good as A. However, the roughness was poor with C. It is presumed that the interaction between molecules is strong and aggregates are formed.
  • novel polyphenol compound of the present invention is used as a base compound of a photosensitive material such as a semiconductor photoresist.

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Abstract

 本発明に係る化合物は、特定の式(1-1)及び(1-2)で表される化合物からなる群より選択される。このような構造を有するため、本発明に係る化合物は、高い耐熱性及び高い溶解性を有し、レジスト材料の原料として用いた際にレジストパターンのラフネスを低減することができる。本発明に係る化合物は、半導体用フォトレジスト等の感光性材料のベース化合物などに好適に利用される。

Description

化合物及びそれを含むフォトレジスト組成物
 本発明は、化合物及びそれを含むフォトレジスト組成物に関する。
 レジスト材料のベース化合物として、所定の環状化合物が有用であることが知られている。例えば、特許文献1~3及び非特許文献1で提案されている環状化合物は、レジスト材料のベース化合物として、低分子量ながらに高い耐熱性を付与することができ、レジストパターンの解像性やラフネスも改善されることが報告されている。
特開2005-170902号公報 特開2009-173623号公報 特開2009-173625号公報
岡崎信次、他22名「フォトレジスト材料開発の新展開」株式会社シーエムシー出版、2009年9月、p.211-259
 上記のように、レジスト材料のベース化合物として低分子量環状化合物が有用であることが知られているが、レジスト材料のレジスト溶媒に対する溶解性が低い、また得られるレジストパターンラフネスが悪い等の問題点があり、ベース化合物に対してさらなる改善が望まれる。
 本発明は、上記の従来技術が有する課題に鑑みてなされたものであり、高い耐熱性及び高い溶解性を有し、レジスト材料の原料として用いた際にレジストパターンのラフネスを低減できる化合物を提供することを目的とする。
 本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討した結果、特定構造を有する化合物が上記課題を解決し得ることを見出し、本発明に到った。
 すなわち、本発明は次のとおりである。
[1]
 下記式(1-1)及び(1-2)で表される化合物からなる群より選択される、化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
(式(1-1)及び(1-2)中、R10及びR11は、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数6~20のアリール基、酸解離性反応基、又はこれらの基と二価の基が結合した基であり、R10の少なくともひとつ及びR11の少なくともひとつは、酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基が結合した基であり、R12は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基又は置換若しくは無置換の炭素数6~20のアリール基であり、pは、それぞれ独立して1~4の整数である。)
[2]
 前記式(1-1)及び(1-2)において、前記R10及びR11が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数6~20のアリール基、酸解離性反応基、又はこれらの基と二価の基が結合した基である、[1]に記載の化合物。
[3]
 前記式(1-1)で表される化合物が下記式(2-1)で表される化合物であり、前記式(1-2)で表される化合物が下記式(2-2)で表される化合物である、[1]又は[2]に記載の化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
(式(2-1)中、R10、R11及びR12は、前記と同様である。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
(式(2-2)中、R10、R11及びR12は、前記と同様である。)
[4]
 前記式(2-1)で表される化合物が下記式(3-1)で表される化合物であり、前記式(2-2)で表される化合物が下記式(3-2)で表される化合物である、[3]に記載の化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
(式(3-1)中、R10、R11及びR12は前記と同様である。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
(式(3-2)中、R10、R11及びR12は前記と同様である。)
[5]
 前記式(3-1)で表される化合物が下記式(4-1)で表される化合物であり、前記式(3-2)で表される化合物が下記式(4-2)で表される化合物である、[4]に記載の化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
(式(4-1)中、R13は酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基が結合した基であり、R12は前記と同様である。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
(式(4-2)中、R13は酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基が結合した基であり、R12は前記と同様である。)
[6]
 前記酸解離性反応基が、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルアルキル基からなる群より選択される少なくとも一つの基を含む、[1]~[5]のいずれかに記載の化合物。
[7]
 前記酸解離性反応基が、下記式(13-4)で表される基からなる群より選択される基である、[1]~[5]のいずれかに記載の化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
(式(13-4)中、Rは、水素原子又は炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状アルキル基であり、Rは、水素原子、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子又はカルボキシル基であり、nは0~4の整数であり、nは1~5の整数であり、nは0~4の整数である。)
[8]
 前記酸解離性反応基が、下記式(13-5)で表される基からなる群より選択される基である、[1]~[5]のいずれかに記載の化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
(式(13-5)中、R、R、n、n及びnは前記と同様である。)
[9]
 [1]~[8]のいずれかに記載の化合物を含有する、フォトレジスト組成物。
[10]
 下記式(12)又は(13)で表される、化合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
 本発明の化合物は、高い耐熱性と高い溶解性を有し、レジスト材料の原料として用いた際にレジストパターンのラフネスを低減することができる。
 以下、本発明の実施の形態(以下、本実施形態と称する)について説明する。なお、本実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明は本実施形態のみに限定されない。
 本実施形態の化合物は、式(1-1)及び(1-2)で表される化合物からなる群より選択される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
 式(1-1)及び(1-2)中、R10及びR11は、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数6~20のアリール基、酸解離性反応基、又はこれらの基と二価の基が結合した基であり、R10の少なくともひとつ及びR11の少なくともひとつは、酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基が結合した基であり、R12は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基又は置換若しくは無置換の炭素数6~20のアリール基であり、pは、それぞれ独立して1~4の整数である。
 上記のように構成されているため、本実施形態の化合物は、高い耐熱性と高い溶解性を有し、レジスト材料の原料として用いた際にレジストパターンのラフネスを低減することができる。すなわち、本実施形態の化合物は、分子骨格に特定の環状構造を有し、かつ特定の酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基が結合した基及び特定のアルコキシ基を有するため、高い耐熱性と高い溶解性を発現する。さらに、上記の構造により、分子間相互作用を適度に抑えることで分子同士の凝集を抑えることができる。その結果、レジストパターンのラフネスを小さくできる。したがって、本実施形態の化合物は、レジスト材料の原料、すなわち、半導体用フォトレジスト等の感光性材料のベース化合物等として有用である。
 本実施形態においては、溶媒溶解性の観点から、前記式(1-1)及び(1-2)において、前記R10及びR11が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数6~20のアリール基、酸解離性反応基、又はこれらの基と二価の基が結合した基であることが好ましい。
 ここで、前記二価の基は、以下に限定されないが、例えば、置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基及びエーテル基からなる群より選択される1以上の基が好ましい。なお、本明細書での「置換」とは、別途の定義がない限り、官能基中の一つ以上の水素原子が、ハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~30のアラルキル基、炭素数1~20のアルコキシ基、炭素数0~20のアミノ基、炭素数2~20のアルケニル基、炭素数1~20のアシル基、炭素数2~20のアルコキシカルボニル基、炭素数1~20のアルキロイルオキシ基、炭素数7~30のアリーロイルオキシ基又は炭素数1~20のアルキルシリル基で置換されていることを意味する。
 無置換の複素環基とは、以下に限定されないが、例えば、ピリジル基、ビピリジル基、ピロリジル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、ピペリジル基、ピペラジル基、モルフォリル基、チオモルフォリル基、トリアゾール基、テトラゾール基等が挙げられる。
 置換の複素環基とは、以下に限定されないが、例えば、N-メチルピリジル基、N-フルオロピリジル基、N-ヒドロキシピリジル基、N-シアノピリジル基、メチルビピリジル基、メチルピロリジル基、メチルピラゾリル基、メチルイミダゾリル基、メチルイソオキサゾリル基、メチルイソチアゾリル基、メチルピペリジル基、メチルピペラジル基、メチルモルフォリル基、メチルチオモルフォリル基、メチルトリアゾール基、メチルテトラゾール基等が挙げられる。
 無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基とは、以下に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げられる。
 置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基とは、以下に限定されないが、例えば、フルオロメチル基、2-ヒドロキシエチル基、3-シアノプロピル基、20-ニトロオクタデシル基等が挙げられる。
 無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基とは、以下に限定されないが、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、ネオペンチル基、2-ヘキシル基、2-オクチル基、2-デシル基、2-ドデシル基、2-ヘキサデシル基、2-オクタデシル基等が挙げられる。
 置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基とは、以下に限定されないが、例えば、1-フルオロイソプロピル基、1-ヒドロキシ-2-オクタデシル基等が挙げられる。
 無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基とは、以下に限定されないが、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基、シクロヘキサデシル基、シクロオクタデシル基等が挙げられる。
 置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基とは、以下に限定されないが、例えば、2-フルオロシクロプロピル基、4-シアノシクロヘキシル基等が挙げられる。
 無置換の炭素数6~20のアリール基とは、以下に限定されないが、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
 置換の炭素数6~20のアリール基とは、以下に限定されないが、例えば、4-イソプロピルフェニル基、4-シクロヘキシルフェニル基、4-メチルフェニル基、6-フルオロナフチル基等が挙げられる。
 本明細書において酸解離性反応基とは、酸の存在下で開裂して、アルカリ可溶性基等の変化を生じる特性基をいう。アルカリ可溶性基としては、以下に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基、スルホン酸基、ヘキサフルオロイソプロパノール基などが挙げられ、フェノール性水酸基及びカルボキシル基が好ましく、フェノール性水酸基がより好ましい。前記酸解離性反応基としては、KrFやArF用の化学増幅型レジスト組成物に用いられるヒドロキシスチレン系樹脂、(メタ)アクリル酸系樹脂等から適宜選択して用いることができる。例えば、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルキル基などが挙げられる。前記酸解離性反応基は、架橋性官能基を有さないことが好ましい。
 置換メチル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数2~20の置換メチル基とすることができ、炭素数4~18の置換メチル基が好ましく、炭素数6~16の置換メチル基がより好ましい。置換メチル基の具体例としては、以下に限定されないが、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキシメチル基、n-プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、n-ブトキシメチル基、t-ブトキシメチル基、2-メチルプロポキシメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメチル基、フェニルオキシメチル基、1-シクロペンチルオキシメチル基、1-シクロヘキシルオキシメチル基、ベンジルチオメチル基、フェナシル基、4-ブロモフェナシル基、4-メトキシフェナシル基、ピペロニル基、下記式(13-1)で表される置換基等を挙げることができる。なお、下記式(13-1)中のRの具体例としては、以下に限定されないが、メチル基、エチル基、イソプロピル基、n-プロピル基、t-ブチル基、n-ブチル基等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
(式(13-1)中、Rは、炭素数1~4のアルキル基である。)
 1-置換エチル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数3~20の1-置換エチル基とすることができ、炭素数5~18の1-置換エチル基が好ましく、炭素数7~16の置換エチル基がより好ましい。1-置換エチル基の具体例としては、以下に限定されないが、1-メトキシエチル基、1-メチルチオエチル基、1,1-ジメトキシエチル基、1-エトキシエチル基、1-エチルチオエチル基、1,1-ジエトキシエチル基、n-プロポキシエチル基、イソプロポキシエチル基、n-ブトキシエチル基、t-ブトキシエチル基、2-メチルプロポキシエチル基、1-フェノキシエチル基、1-フェニルチオエチル基、1,1-ジフェノキシエチル基、1-シクロペンチルオキシエチル基、1-シクロヘキシルオキシエチル基、1-フェニルエチル基、1,1-ジフェニルエチル基、下記式(13-2)で表される置換基等を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
(式(13-2)中、Rは、前記と同様である。)
 1-置換-n-プロピル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数4~20の1-置換-n-プロピル基とすることができ、炭素数6~18の1-置換-n-プロピル基が好ましく、炭素数8~16の1-置換-n-プロピル基がより好ましい。例えば、1-メトキシ-n-プロピル基及び1-エトキシ-n-プロピル基等を挙げることができる。
 1-分岐アルキル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数3~20の1-分岐アルキル基とすることができ、炭素数5~18の1-分岐アルキル基が好ましく、炭素数7~16の分岐アルキル基がより好ましい。1-分岐アルキル基の具体例としては、以下に限定されないが、イソプロピル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、1,1-ジメチルプロピル基、1-メチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、2-メチルアダマンチル基、2-エチルアダマンチル基等を挙げることができる。
 シリル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数1~20のシリル基とすることができ、炭素数3~18のシリル基が好ましく、炭素数5~16のシリル基がより好ましい。シリル基の具体例として、以下に限定されないが、トリメチルシリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシリル基、トリエチルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-ブチルジエチルシリル基、tert-ブチルジフェニルシリル基、トリ-tert-ブチルシリル基、トリフェニルシリル基等を挙げることができる。
 アシル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数2~20のアシル基とすることができ、炭素数4~18のアシル基が好ましく、炭素数6~16のアシル基がより好ましい。アシル基の具体例としては、以下に限定されないが、アセチル基、フェノキシアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソバレリル基、ラウリロイル基、アダマンチルカルボニル基、ベンゾイル基、ナフトイル基等を挙げることができる。
 1-置換アルコキシメチル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数2~20の1-置換アルコキシメチル基とすることができ、炭素数4~18の1-置換アルコキシメチル基が好ましく、炭素数6~16の1-置換アルコキシメチル基がより好ましい。1-置換アルコキシメチル基の具体例としては、以下に限定されないが、1-シクロペンチルメトキシメチル基、1-シクロペンチルエトキシメチル基、1-シクロヘキシルメトキシメチル基、1-シクロヘキシルエトキシメチル基、1-シクロオクチルメトキシメチル基、1-アダマンチルメトキシメチル基等を挙げることができる。
 環状エーテル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数2~20の環状エーテル基とすることができ、炭素数4~18の環状エーテル基が好ましく、炭素数6~16の環状エーテル基がより好ましい。環状エーテル基の具体例としては、以下に限定されないが、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチオフラニル基、4-メトキシテトラヒドロピラニル基、4-メトキシテトラヒドロチオピラニル基等を挙げることができる。
 アルコキシカルボニル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数2~20のアルコキシカルボニル基とすることができ、炭素数4~18のアルコキシカルボニル基が好ましく、炭素数6~16のアルコキシカルボニル基がより好ましい。アルコキシカルボニル基の具体例としては、以下に限定されないが、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、下記式(13-3)のn=0で表される酸解離性反応基等を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
(式(13-3)中、Rは水素原子又は炭素数1~4の直鎖状もしくは分岐状アルキル基であり、nは0~4の整数である。)
 アルコキシカルボニルアルキル基としては、特に限定されないが、通常、炭素数2~20のアルコキシカルボニルアルキル基とすることができ、炭素数4~18のアルコキシカルボニルアルキル基が好ましく、炭素数6~16のアルコキシカルボニルアルキル基がより好ましい。アルコキシカルボニルアルキル基の具体例としては、以下に限定されないが、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、n-プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、n-ブトキシカルボニルメチル基、上記式(13-3)のn=1~4で表される酸解離性反応基等を挙げることができる。
 これらの酸解離性反応基のうち、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基、及びアルコキシカルボニルアルキル基が好ましく、より高い感度を発現する観点から、置換メチル基、1-置換エチル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルアルキル基がより好ましく、さらに炭素数3~12のシクロアルカン、ラクトン及び6~12の芳香族環から選ばれる構造を有する酸解離性反応基がさらに好ましい。炭素数3~12のシクロアルカンとしては、単環でも多環でもよいが、多環であることがより好ましい。炭素数3~12のシクロアルカンの具体例としては、以下に限定されないが、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカン等が挙げられ、より具体的には、以下に限定されないが、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等のモノシクロアルカンや、アダマンタン、ノルボルナン、イソボルナン、トリシクロデカン、テトラシクロデカン等のポリシクロアルカンが挙げられる。これらの中でも、アダマンタン、トリシクロデカン、テトラシクロデカンが好ましく、アダマンタン、トリシクロデカンがより好ましい。炭素数3~12のシクロアルカンは置換基を有してもよい。ラクトンとしては、以下に限定されないが、例えば、ブチロラクトン又はラクトン基を有する炭素数3~12のシクロアルカン基が挙げられる。6~12の芳香族環としては、以下に限定されないが、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環等が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環が好ましく、ナフタレン環がより好ましい。
 また、より高い解像性を与える観点から、下記式(13-4)で示される各基からなる群から選ばれる酸解離性反応基が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
 前記式(13-4)中、Rは、水素原子又は炭素数1~4の直鎖状もしくは分岐状アルキル基であり、Rは、水素原子、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子又はカルボキシル基であり、nは0~4の整数であり、nは1~5の整数であり、nは0~4の整数である。
 さらに、より解像性を与える観点から、下記式(13-5)で示される各基からなる群から選ばれる酸解離性反応基がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
(式(13-5)中、R、R、n、n及びnは前記と同様である。)
 前記式(1-1)及び(1-2)で表される化合物からなる群より選択される化合物の分子量は800~5000であることが好ましい。より好ましくは800~2000であり、更に好ましくは1000~2000である。上記範囲であるとレジストに必要な成膜性を保持しつつ、解像性が向上する傾向にある。
 レジスト組成物としたときの耐熱性、溶解性及び得られるパターンのラフネスの観点から、本実施形態において、前記式(1-1)で表される化合物が、式(2-1)で表される化合物であり、前記式(1-2)で表される化合物が、(2-2)で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
(式(2-1)中、R10、R11、R12及びpは前記と同様である。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
(式(2-2)中、R10、R11、R12及びpは前記と同様である。)
 レジスト組成物としたときの耐熱性、溶解性及び得られるパターンのラフネスの観点から、前記式(2-1)で表される化合物が下記式(3-1)で表される化合物であり、前記式(2-2)で表される化合物が下記式(3-2)で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
(式(3-1)中、R10、R11及びR12は前記と同様である。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
(式(3-2)中、R10、R11、R12は前記と同様である。)
 レジスト組成物としたときの耐熱性、溶解性及び得られるパターンのラフネスの観点から、前記式(3-1)で表される化合物が下記式(4-1)で表される化合物であり、前記式(3-2)で表される化合物が下記式(4-2)で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
(式(4-1)中、R13は酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基(置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基及びエーテル基からなる群より選択される1以上の基)が結合した基であり、R12は前記と同様である。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
(式(4-2)中、R13は酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基(置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のアリーレン基及びエーテル基からなる群より選択される1以上の基)が結合した基であり、R12は前記と同様である。)
 前記式(4-1)及び(4-2)で表される化合物からなる群より選択される化合物として、具体的には以下に例示できるが、ここで列挙した限りではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
 上記した中でも、ラフネス低減、耐熱性及び溶解性の観点から、式(5-1-a)又は式(5-1-b)で表される化合物が好ましい。
 本実施形態の化合物は、公知の方法で製造することができる。例えば、式(6)で表される化合物と、式(7-1)又は式(7-2)で表される化合物とを、触媒存在下にて反応させて式(8-1)又は(8-2)で表される群から選ばれる環状化合物(A)を得て、その後、環状化合物(A)と酸解離性反応基導入試剤(B)とを、触媒存在下にて反応させて製造する方法は、特に副生成物が少なく、効率よく製造することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
(式(6)中、R12及びpは前記と同様である。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
(式(8-1)中、R12及びpは、前記と同様である。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
(式(8-2)中、R12及びpは、前記と同様である。)
 上記式(6)で表される化合物としては、特に限定されないが、例えば、ヒドロキシメトキシベンズアルデヒド(バニリン)、エトキシヒドロキシベンズアルデヒド(エチルバニリン)、ヒドロキシプロポキシベンズアルデヒド等を用いることができる。これらは試薬にて容易に入手可能である。また、式(6)で表される化合物としては1種類又は2種類以上を用いることができる。
 上記式(7-1)で表される化合物(レゾルシノール)と上記式(7-2)で表される化合物(ピロガロール)は、試薬にて容易に入手可能である。これらの化合物は単独で用いてもよいし、併用してもよい。
 上記環状化合物(A)の製造に用いる触媒は、公知の酸又は塩基より適宜選択することができ、特に限定されない。例えば、塩酸、硫酸、リン酸、臭化水素酸、ふっ酸等の無機酸や、シュウ酸、蟻酸、p-トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、トリフルオロ酢酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸等の有機酸、塩化亜鉛、塩化アルミニウム、塩化鉄、三フッ化ホウ素等のルイス酸やケイタングステン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸又はリンモリブデン酸等の固体酸、あるいは水酸化ナトリウム等の塩基が挙げられる。また、触媒として1種類又は2種類以上を用いることができる。触媒の活性を確保する観点から、酸と塩基とを同時に用いないことが好ましい。
 また、環状化合物(A)は、例えば、メタノール、エタノール等の有機溶媒中、式(6)で表される化合物1モルに対し、式(7)で表される化合物を0.1~10モル量、酸触媒(塩酸、硫酸又はパラトルエンスルホン酸等)を使用し、60~150℃で0.5~20時間程度反応させ、濾過後、メタノール等のアルコール類で洗浄後、水洗し、濾過を行い分離し、乾燥させることにより得られる。酸触媒の代わりに、塩基性触媒(水酸化ナトリウム、水酸化バリウム又は1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン-7等)を使用し、同様に反応することによっても得られる。さらに、環状化合物(A)は、上記式(6)で表される化合物をハロゲン化水素若しくはハロゲンガスでジハロゲン化物とし、単離したジハロゲン化物と上記式(7-1)又は式(7-2)で表される化合物とを反応させて製造することもできる。
 環状化合物(A)の純度向上、及び残存金属量の低減の観点から、必要に応じて精製してもよい。また酸触媒及び助触媒の残存に起因する感放射線性組成物の保存安定性の低下や、塩基性触媒の残存に起因するフォトレジスト組成物の感度の低下を防止する観点から、酸触媒、助触媒、塩基性触媒等の残存量を低減するための精製を行ってもよい。精製は、環状化合物(A)が変性しない限り公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、例えば、水で洗浄する方法、酸性水溶液で洗浄する方法、塩基性水溶液で洗浄する方法、イオン交換樹脂で処理する方法、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで処理する方法などが挙げられる。これら精製方法は2種以上を組み合わせて行うことがより好ましい。酸性水溶液、塩基性水溶液、イオン交換樹脂及びシリカゲルカラムクロマトグラフィーは、除去すべき金属、酸性化合物及び/又は塩基性化合物の量や種類、精製する環状化合物(A)の種類などに応じて、最適なものを適宜選択することが可能である。例えば、酸性水溶液として、濃度が0.01~10mol/Lの塩酸、硝酸、酢酸水溶液;塩基性水溶液として、濃度が0.01~10mol/Lのアンモニア水溶液;イオン交換樹脂として、カチオン交換樹脂、例えばオルガノ製Amberlyst 15J-HG Dryなどが挙げられる。精製後に乾燥を行ってもよい。乾燥は公知の方法により行うことができ、特に限定されないが、環状化合物(A)が変性しない条件で真空乾燥、熱風乾燥する方法などが挙げられる。
 上記酸解離性反応基導入試剤(B)としては、特に限定されず、例えば、酸クロライド、酸無水物、ジカーボネートなどの活性カルボン酸誘導体化合物、アルキルハライド、ビニルアルキルエーテル、ジヒドロピラン、ハロカルボン酸アルキルエステル等、公知のものを用いることができる。より具体的には、例えば、ジ-t-ブチルジカルボネート、ブロモ酢酸t-ブチル、ブロモ酢酸2-メチル-2-アダマンチル、ブロモ酢酸1-アダマンチルが用いられる。これらは公知の方法で合成もしくは試薬にて容易に入手可能である。また、酸解離性反応基導入試剤(B)として1種類又は2種類以上を用いることができる。
 環状化合物(A)の少なくとも1つのフェノール性水酸基に酸解離性反応基を導入する方法は公知である。例えば、以下のようにして、環状化合物(A)の少なくとも1つのフェノール性水酸基に酸解離性反応基を導入することができる。
 例えば、アセトン、テトラヒドロフラン(THF)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の非プロトン性溶媒に環状化合物(A)を溶解又は懸濁させる。続いて、エチルビニルエーテル等のビニルアルキルエーテル又はジヒドロピランを加え、ピリジニウムp-トルエンスルホナート等の酸触媒の存在下、常圧で、20~60℃、6~72時間反応させる。反応液をアルカリ化合物で中和し、蒸留水に加え白色固体を析出させた後、分離した白色固体を蒸留水で洗浄し、乾燥することにより本実施形態の化合物を得ることができる。
 また、アセトン、THF、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の非プロトン性溶媒に環状化合物(A)を溶解又は懸濁させる。続いて、エチルクロロメチルエーテル等のアルキルハライド又はブロモ酢酸メチルアダマンチル等のハロカルボン酸アルキルエステルを加え、炭酸カリウム等のアルカリ触媒の存在下、常圧で、20~110℃、6~72時間反応させる。反応液を塩酸等の酸で中和し、蒸留水に加え白色固体を析出させた後、分離した白色固体を蒸留水で洗浄し、乾燥することにより本実施形態の化合物を得ることができる。
 本実施形態の化合物の純度向上、及び残存金属量の低減の観点から、必要に応じて精製してもよい。精製は前記環状化合物(A)と同様に実施できる。
 本実施形態の化合物は、半導体用フォトレジスト等の感光性材料の基材(ベース化合物)として特に有用である。前記特許文献1~2における基材を本実施形態の化合物に変更することで、本実施形態の化合物を含むフォトレジスト組成物が得られる。すなわち、本実施形態のフォトレジスト組成物は、本実施形態の化合物を含有するものである。本実施形態のフォトレジスト組成物を用いることで、より性能の優れたレジストパターン形成が可能となる。
 以下、実施例を挙げて、本実施形態をさらに具体的に説明する。ただし、本実施形態は、これらの実施例に限定されるものではない。
 化合物の評価方法は次のとおりである。
<熱分解温度の測定>
 エスアイアイ・ナノテクノロジー社製EXSTAR6000DSC装置を使用し、試料として実施例及び比較例の化合物約5mgをアルミニウム製非密封容器に入れ、窒素ガス(30mL/min)気流中昇温速度10℃/minで500℃まで昇温した。その際、ベースラインに減少部分が現れる温度を熱分解温度とした。
<溶解度の測定>
 23℃にて、PGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)、PGME(プロピレングリコールモノメチルエーテル)及びCHN(シクロヘキサノン)から選ばれる溶媒のうち、実施例及び比較例の化合物の溶解量が最も多い溶媒に対する当該化合物の溶解量を溶解度として、以下の基準で評価した。
 評価A:1wt%以上
 評価B:1wt%未満
<ラフネスの評価>
 実施例及び比較例の化合物を5wt%になるようPGMEに溶解させた液を、孔径1.0μmのシリンジフィルターでろ過し、その後、Siウエハー上にスピンコートし、200nm膜厚のフィルムを得た。続いて、2.38wt%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に15秒浸漬させた後、超純水で30秒リンスを行い、ドライ窒素を吹き付け乾燥させた。そのフィルムにつき、1μm×1μmのエリアを、SII製走査型プローブ顕微鏡でスキャンし、その結果を以下の基準で評価した。
 評価A:RMS 0.3nm未満
 評価B:RMS 0.3nm以上、1.0nm未満
 評価C:RMS 1.0nm以上
 (RMS:二乗平均面粗さ)
<合成例1>
CR-Vtransの合成
 十分乾燥し、窒素置換したジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置した四つ口セパラブルフラスコ(500mL)に、窒素気流下で、関東化学社製レゾルシノール(23.1g、0.2mol)と、関東化学社製p-トルエンスルホン酸(38.0g、0.2mol)と、関東化学社製エチレングリコール(210g)を投入し、エチレングリコール溶液を調製した。この溶液を攪拌しながら氷浴で5℃まで冷却した。次いで関東化学社製o-バニリン(30.3g,0.2mol)を、粉末漏斗により5~10分かけて投入した後、エチレングリコール(20.0g)を投入した。マントルヒーターで加熱して60℃で1時間、80℃で3時間攪拌した。反応終了後、50℃以下に到達するまで水浴で冷却した後、純水400mLを加え目的粗結晶を生成させ、これを濾別した。粗結晶を純水500mLで3回洗浄し、濾別後、シクロヘキサノン600gと、シクロペンタノン600gを加え、混合溶液を調製した。テフロンコーティングの1L容器にて、この溶液をマントルヒーターで70℃に加熱攪拌しながら、純水150gで5回分液した後、溶液を10質量%に濃縮した。一昼夜静置後、粗結晶が析出し、これを濾別した。粗結晶をアセトン(粗結晶重量の10倍量)で2回洗浄し、濾別後、乾燥させることにより、目的生成物(以下、CR-Vtransと称する。)(21.5g、収率44.0%)を得た。
 また、重ジメチルスルホキシド溶媒中でのH-NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)により下記式(9)で表される化学構造を有することを確認した。
H-NMR:(d-DMSO、内部標準TMS)
 δ(ppm):3.5(s,12H)、5.5(s,4H)、5.9~6.4(m,20H)、7.6(s,4H)、8.0、8.2(d,8H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
<合成例2>
CR-EVtransの合成
 o-バニリンの代わりにo-エチルバニリンを用い、エチレングリコールの代わりにエタノールを用いたこと以外は合成例1と同様に行い、目的生成物(以下、CR-EVtransと称する。)(21.5g、収率44.0%)を得た。
 また、重ジメチルスルホキシド溶媒中でのH-NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)により下記式(10)で表される化学構造を有することを確認した。
H-NMR:(d-DMSO、内部標準TMS)
 δ(ppm):1.2~1.8(m,12H)3.6~3.7(m,8H)、5.5(s,4H)、5.9~6.3(m,20H)、7.5(s,4H)、8.0、8.1(d,8H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
<比較合成例1>
CR-HBAtransの合成
 反応温度を100℃とし、o-バニリンの代わりに4-ヒドロキシベンズアルデヒドを用い、エチレングリコールの代わりに1,4-ジオキサンを用い、アセトンの代わりにメタノールを用いたこと以外は合成例1と同様に行い、目的生成物(以下、CR-HBAtransと称する。)(12.1g、収率57.9%)を得た。
 また、重ジメチルスルホキシド溶媒中でのH-NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)により下記式(11)で表される化学構造を有することを確認した。
H-NMR:(d-DMSO、内部標準TMS)
 δ(ppm):5.4(s,4H)、5.9~6.4(m,24H)、8.3、8.4(d,8H)、8.6(s,4H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
<実施例1>
CR-Vtrans-MeBOCの合成
 十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置したセパラブルフラスコ(500mL)に、窒素気流下で、上記合成例1で合成したCR-Vtrans 6.2g(6.3mmol)と、炭酸カリウム21.0g(0.15mol)、テトラブチルアンモニウムブロミド0.41g(1.3mmol)、N-メチルピロリドン(以下、NMPと称する。)160mLからなるNMP溶液を調製した。この溶液を攪拌しながら氷浴で5℃まで冷却した。ブロモ酢酸t-ブチル 29.7g(0.15mol)とNMP30mLからなるNMP溶液を5分かけて滴下した後、マントルヒーターで120℃に加熱しながら4時間攪拌した。反応終了後、PGMEA400gを加えた反応溶液を、純水150gで3回分液した後、溶液を10質量%以下に濃縮した。一昼夜静置後、溶媒を除去し、得られた固体を、イソプロパノール(固体重量の10倍量)で2回洗浄し、濾別後、乾燥させることにより、フェノール性水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニルメチル基で置換された目的生成物(以下、CR-V-MeBOCと称す。)(11.7g、収率79%)を得た。
 得られた生成物の重クロロホルム溶媒中でのH-NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)により下記式(12)で表される化学構造を有することを確認した。
H-NMR:(d-CDCl、内部標準TMS)
 δ(ppm):1.3~1.4(m,108H)、3.5(s,12H)、4.1~4.5(m,24H)、5.8(s,4H)、5.7、6.0~6.4(m,20H)であった。
 熱分解温度は209℃であり、高い耐熱性を有することが確認できた。
 PGME溶解性は、Aと良好であった。
 ラフネスは、Aと良好であった。分子間の相互作用が適度であり、凝集体を形成しない為と推定される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
<実施例2>
CR-EVtrans-MeBOCの合成
 十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置したセパラブルフラスコ(500mL)に、窒素気流下で、上記合成例2で合成したCR-EV 5.0g(4.9mmol)と、炭酸カリウム12.1g(0.09mol)、テトラブチルアンモニウムブロミド0.28g(0.87mmol)、NMP100mLからなるNMP溶液を調製した。この溶液を攪拌しながら氷浴で5℃まで冷却した。ブロモ酢酸t-ブチル 17.0g(0.09mol)とNMP25mLからなるNMP溶液を5分かけて滴下した後、マントルヒーターで100℃に過熱しながら5時間攪拌した。反応終了後、純水400mLを加え目的粗結晶を生成させた。PGMEA400gを加え反応溶液を、純水150gで3回分液した後、溶液を10質量%以下に濃縮した。一昼夜静置後、溶媒を除去し、得られた固体を、メタノール(固体重量の10倍量)で2回洗浄し、濾別後、乾燥させることにより、フェノール性水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニルメチル基で置換された目的生成物(以下、CR-EV-MeBOCと称する。)(4.47g、収率37.8%)を得た。
 得られた生成物の重クロロホルム溶媒中でのH-NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)により下記式(13)で表される化学構造を有することを確認した。
H-NMR:(d-CDCl、内部標準TMS)
 δ(ppm):1.3~1.4(m,108H)、3.5(s,12H)、4.1~4.5(m,24H)、5.8(s,4H)、5.7、6.0~6.4(m,20H)であった。
 熱分解温度は211℃であり、高い耐熱性を有することが確認できた。
 PGME溶解性は、Aと良好であった。
 ラフネスは、Aと良好であった。分子間の相互作用が適度であり、凝集体を形成しない為と推定される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
<比較例1>
CR-HBAtrans-MeBOCの合成
 十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置したセパラブルフラスコ(500mL)に、窒素気流下で、上記比較合成例1で合成したCR-HBAtrans 2.4g(2.8mmol)と、炭酸カリウム7.1g(0.05mol)、テトラブチルアンモニウムブロミド0.17g(0.05mmol)、NMP100mLからなるNMP溶液を調製した。この溶液を攪拌しながら氷浴で5℃まで冷却した。ブロモ酢酸t-ブチル 10.0g(0.05mol)とNMP25mLからなるNMP溶液を5分かけて滴下した後、マントルヒーターで120℃に過熱しながら5時間攪拌した。反応終了後、純水300mLを加え目的粗結晶を生成させ、これを濾別した。粗結晶を純水500mLで3回洗浄し、濾別後、得られた固体を、イソプロパノール(固体重量の10倍量)で2回洗浄し、濾別後、乾燥させることにより、フェノール性水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニルメチル基で置換された目的生成物(以下、CR-HBAtrans-MeBOCと称する。)(4.77g、収率75.3%)を得た。
 得られた生成物の重クロロホルム溶媒中でのH-NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)により下記式(14)で表される化学構造を有することを確認した。
H-NMR:(d-CDCl、内部標準TMS)
 δ(ppm):1.3~1.4(m,108H)、4.0~4.4(m,24H)、5.8(s,4H)、5.6、6.0~6.4(m,24H)であった。
 熱分解温度は208℃であり、高い耐熱性を有することが確認できた。
 PGME溶解性は、Aと良好であった。
 しかしながら、ラフネスは、Cと不良であった。分子間の相互作用が強く、凝集体を形成しているためと推定される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
<比較例2>
CR-Vtrans-MeBOC33の合成
 十分乾燥し、窒素置換した滴下漏斗、ジム・ロート氏冷却管、温度計、攪拌翼を設置したセパラブルフラスコ(500mL)に、窒素気流下で、o-バニリン(12.2g/100mmol)、炭酸カリウム(13.8g/100mmol)、200mL THFからなる溶液に、ブロモ酢酸tertブチル 19.5g(100mmol)の100mL THF溶液を滴下した。反応液を24時間還流下で撹拌した。反応終了後、溶媒を除去し、得られた固体を、ヘキサン/酢酸エチル=1/3の混合溶媒を用い、カラムクロマトで精製した。フェノール性水酸基の水素原子がt-ブトキシカルボニルメチル基で置換されたV-MeBOC 27.0gを得た。
 得られた生成物の重DMSO溶媒中でのH-NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)により下記式(15)で表される化学構造を有することを確認した。
H-NMR:(d-DMSO、内部標準TMS)
1.4(s,9H)、5.0(s,2H)、7.1-7.9(m,4H)、9.9(s,1H)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
 続いて、反応温度を100℃とし、o-バニリンの代わりにV-MeBOCを用いたこと以外は合成例1と同様に行い、目的生成物(以下、CR-Vtrans-MeBOC33と称する。)(7.16g、収率25%)を得た。
 得られた生成物の重クロロホルム溶媒中でのH-NMRのケミカルシフト値(δppm,TMS基準)により下記式(16)で表される化学構造を有することを確認した。
H-NMR:(d-CDCl、内部標準TMS)
 δ(ppm):1.3~1.4(m,36H)、3.5(s,12H)、4.1~4.5(m,8H)、5.8(s,4H)、5.7、6.0~6.4(m,20H)であった。
 熱分解温度は212℃であり、高い耐熱性を有することが確認できた。
 PGME溶解性は、Aと良好であった。
 しかしながら、ラフネスは、Cと不良であった。分子間の相互作用が強く、凝集体を形成していることに加え、2.38wt%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解性が高すぎるためと推定される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
 本出願は、2014年2月26日出願の日本特許出願(特願2014-035339号)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
 本発明の新規ポリフェノール化合物は、半導体用フォトレジスト等の感光性材料のベース化合物などに利用される。

Claims (10)

  1.  下記式(1-1)及び(1-2)で表される化合物からなる群より選択される、化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    (式(1-1)及び(1-2)中、R10及びR11は、それぞれ独立して、水素原子、置換若しくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数6~20のアリール基、酸解離性反応基、又はこれらの基と二価の基が結合した基であり、R10の少なくともひとつ及びR11の少なくともひとつは、酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基が結合した基であり、R12は、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基又は置換若しくは無置換の炭素数6~20のアリール基であり、pは、それぞれ独立して1~4の整数である。)
  2.  前記式(1-1)及び(1-2)において、前記R10及びR11が、それぞれ独立して、置換若しくは無置換の複素環基、ハロゲン原子、置換若しくは無置換の炭素数1~20の直鎖状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の分岐状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数3~20の環状脂肪族炭化水素基、置換若しくは無置換の炭素数6~20のアリール基、酸解離性反応基、又はこれらの基と二価の基が結合した基である、請求項1に記載の化合物。
  3.  前記式(1-1)で表される化合物が下記式(2-1)で表される化合物であり、前記式(1-2)で表される化合物が下記式(2-2)で表される化合物である、請求項1又は2に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    (式(2-1)中、R10、R11及びR12は、前記と同様である。)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    (式(2-2)中、R10、R11及びR12は、前記と同様である。)
  4.  前記式(2-1)で表される化合物が下記式(3-1)で表される化合物であり、前記式(2-2)で表される化合物が下記式(3-2)で表される化合物である、請求項3に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    (式(3-1)中、R10、R11及びR12は前記と同様である。)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    (式(3-2)中、R10、R11及びR12は前記と同様である。)
  5.  前記式(3-1)で表される化合物が下記式(4-1)で表される化合物であり、前記式(3-2)で表される化合物が下記式(4-2)で表される化合物である、請求項4に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
    (式(4-1)中、R13は酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基が結合した基であり、R12は前記と同様である。)
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
    (式(4-2)中、R13は酸解離性反応基、又は酸解離性反応基と二価の基が結合した基であり、R12は前記と同様である。)
  6.  前記酸解離性反応基が、置換メチル基、1-置換エチル基、1-置換-n-プロピル基、1-分岐アルキル基、シリル基、アシル基、1-置換アルコキシメチル基、環状エーテル基、アルコキシカルボニル基及びアルコキシカルボニルアルキル基からなる群より選択される少なくとも一つの基を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の化合物。
  7.  前記酸解離性反応基が、下記式(13-4)で表される基からなる群より選択される基である、請求項1~5のいずれか1項に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
    (式(13-4)中、Rは、水素原子又は炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状アルキル基であり、Rは、水素原子、炭素数1~4の直鎖状若しくは分岐状アルキル基、シアノ基、ニトロ基、複素環基、ハロゲン原子又はカルボキシル基であり、nは0~4の整数であり、nは1~5の整数であり、nは0~4の整数である。)
  8.  前記酸解離性反応基が、下記式(13-5)で表される基からなる群より選択される基である、請求項1~5のいずれか1項に記載の化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
    (式(13-5)中、R、R、n、n及びnは前記と同様である。)
  9.  請求項1~8のいずれか1項に記載の化合物を含有する、フォトレジスト組成物。
  10.  下記式(12)又は(13)で表される、化合物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
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