WO2015087936A1 - マスク及びその製造方法 - Google Patents

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水村　通伸
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株式会社ブイ・テクノロジー
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to a mask having a plurality of elongated openings on a substrate and a method for manufacturing the mask. More specifically, the invention provides a mechanical strength without increasing the thickness of the mask itself by devising processing around the openings.
  • the present invention relates to a mask that can improve the thickness and maintain the thickness according to its strength, and a method for manufacturing the mask.
  • the conventional mask has, for example, a plurality of elongated openings in the substrate, but in order to prevent deformation of the shape accompanying the miniaturization of the openings, the reinforcing wire is integrated with the mask portion so as to cross the openings.
  • Patent Document 1 Has been proposed (for example, see Patent Document 1).
  • the mask reinforcement line blocks the material flying from a specific direction, so that the material becomes a shadow of the reinforcement line.
  • An extra gap is provided in the height direction of the mask so as to be able to go around. For this reason, the conventional mask has a problem that the thickness of the mask itself increases as a whole.
  • the problem to be solved by the present invention to solve such problems is to improve the mechanical strength without increasing the thickness of the mask itself by devising the processing around the opening, and the strength It is an object of the present invention to provide a mask capable of maintaining a thickness corresponding to the above and a manufacturing method thereof.
  • a mask according to the present invention is a mask having a plurality of elongated openings on a substrate, and is formed in a bridging shape crossing the longitudinal direction of the openings on one side of the substrate.
  • a plurality of reinforcing portions thinner than the thickness of the substrate, and an excavation portion formed by providing a step along the longitudinal direction in a region around the opening located on the side of the reinforcing portion. is there.
  • a mask manufacturing method is a mask manufacturing method having a plurality of elongated openings in a substrate, and is a region that becomes the opening from the first surface side of the substrate.
  • a plurality of reinforcing portions thinner than the thickness of the substrate are formed in a bridging manner, and an excavation portion in which a step is provided along the longitudinal direction is formed in a region around the opening located on the side of the reinforcing portion. Two steps are executed.
  • a plurality of reinforcing portions which are formed in a bridging shape intersecting the longitudinal direction of the opening on one side of the substrate, and are positioned on the side of the reinforcing portion.
  • the area around the opening is provided with an excavation part formed with a step along the longitudinal direction, so that it is not necessary to thicken the mask itself for forming the reinforcement part, and the reinforcement The portion can maintain the strength of the mask. Therefore, even if the mask has a plurality of elongated openings, deformation of the shape of the opening can be prevented.
  • a groove is formed in the region to be the opening from the first surface side of the substrate, and processing is performed from the second surface side opposite to the first surface. While forming the opening by penetrating the groove, a plurality of reinforcing portions thinner than the thickness of the substrate are formed in a bridging manner intersecting the longitudinal direction of the opening and positioned on the side of the reinforcing portion.
  • FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view of the mask shown in FIG.
  • It is a flowchart which shows an example of the manufacturing method of the mask by this invention. It is a block diagram which shows the structural example of the said mask processing apparatus. It is process drawing which shows the manufacturing method of the said mask typically.
  • FIG. 1 is a view showing an example of an embodiment of a mask according to the present invention, where (a) is a plan view and (b) is a partially enlarged plan view thereof.
  • FIG. 1 (a) Even if the mask 1 shown in FIG. 1 (a) has a plurality of elongated openings, it prevents the deformation of the shape accompanying the miniaturization of the openings. And an opening 4.
  • the mask 1 is processed on both sides, and FIG. 1A shows the shape on the front surface (second surface) side.
  • the substrate 2 is a polyimide resin film, and includes magnetic metal line-shaped metals 3 that are alternately arranged on the resin film at predetermined distance intervals. Thereby, the board
  • the line-shaped metal 3 is used, for example, because the mask 1 itself is fixed by a magnetic force during film formation.
  • the metal 3 is, for example, nickel which is a kind of magnetic material.
  • the metal 3 may be provided on the surface (second surface) side from the viewpoint of fixing the mask 1 by magnetic force, and preferably has a thickness of about 20 ⁇ m to 50 ⁇ m, for example.
  • the metal 3 is not limited to nickel and may be a nickel alloy. Since such a hybrid mask can be fixed by magnetic force, it can be processed with high accuracy when the substrate 2 is laser processed.
  • the opening width of the opening 4 is preferably about several ⁇ m for fine processing, for example.
  • FIG. 1B shows an enlarged plan view of a region surrounded by a frame A shown in FIG. 1A, and shows the periphery of the opening in more detail.
  • the mask 1 is formed in a bridge shape on the surface side of the substrate 2 so as to cross the longitudinal direction of the opening 4, and has a plurality of reinforcing portions (ribs) 5 thinner than the thickness of the substrate 2, and side portions of the reinforcing portions 5.
  • a region around the opening located on the side is provided with an excavation portion 6 formed with a step along the longitudinal direction.
  • FIG. 2 is a perspective view of the mask shown in FIG.
  • the reinforcing portion 5 has, for example, a notch portion 5 a provided on the lower surface side of a portion straddling the opening 4 in a bridging shape, and has a bridge-shaped shape obtained by inverting the concave shape. Yes.
  • the reinforcing portion 5 may have an arcuate shape that is bent in a bow shape.
  • a film-forming substance (hereinafter referred to as “film-forming substance”) that comes in the course of film formation wraps around the reinforcing portion 5, so that the mask 1 is Accordingly, the film forming material can be easily passed through the opening 4. Further, even when the film forming material adheres to the reinforcing portion 5 and accumulates in the cutout portion 5a over time, the state in which the film forming material easily passes through the opening 4 is not limited to the cutout portion 5a. As long as there is, it is maintained compared with the case where the notch part 5a was not originally formed.
  • the mask 1 has a ratio (height / opening width) of the opening width of the opening 4 to the height of the opening 4 of, for example, 1.0 ⁇ 0.2. It is preferable that the excavation part 6 is formed within the range of. Most preferably, the height / opening width is 1.0. When the excavation part 6 is formed at such a ratio, a step is formed in the mask 1 as shown in FIG. 2, so that the film forming material easily passes through the opening 4 accordingly.
  • FIG. 3 is an enlarged sectional view taken along line BB of the mask shown in FIG.
  • the symbol w indicates the width of the reinforcing portion 5 in the direction intersecting the opening width of the opening 4 shown in FIG.
  • Reference sign d 1 indicates the distance from the upper surface of the transparent substrate 7 to be described later with reference to FIG.
  • the symbol h indicates the height of the substrate 2.
  • the bottom part 5b shows the most depressed part of the notch part 5a of the reinforcement part 5 shown in FIG. The relationship between the width w and the distance d 1 with respect to the thickness of the mask 1 will be described in detail below with reference to FIGS.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example of numerical calculation conditions for determining the width of the reinforcing portion.
  • the transparent substrate 7 is, for example, an ITO (Indium Tin Oxide) film.
  • the symbol d 2 represents the distance from the film forming source 8 to the transparent substrate 7, and is 30 mm as an example.
  • a symbol r 1 represents a distance that is half the width w.
  • Reference numeral r 2 indicates a distance that serves as an index for determining whether or not the film-forming substance collides with the side surface of the reinforcing portion 5.
  • the symbol r 2 crosses a position where the film-forming substance 8 a emitted from the film-forming source 8 at a predetermined radiation angle is shorter than the distance of the symbol r 2 (the position indicating the tip of the arrow in the figure).
  • O When going to the origin (intersection of XY axes in the figure) O, it means that the film-forming substance 8a collides with the side surface of the reinforcing portion 5 and cannot reach the origin O.
  • Reference numeral r 3 indicates that the film-forming substance 8b radiated from the film-forming source 8 at a predetermined radiation angle passes through the position of the distance indicated by the reference numeral r 3 (the position indicating the tip of the arrow in FIG. 4). The distance when flying toward the origin O where the XY axes intersect is shown.
  • reference signs ⁇ 1 and ⁇ 2 indicate incident angles of the film forming material radiated from the film forming source 8 toward the origin O, and this angle ⁇ 1 is a sputtering value.
  • the radiation angle of the film-forming substance due to the above, it shows about 70 degrees, and when the angle is larger than this angle ⁇ 1 , the film-forming substance toward the origin O may collide with the reinforcing portion 5 and reach the origin. It means that it will be difficult.
  • the angle ⁇ 2 indicates about 40 degrees, and when the angle is smaller than the angle ⁇ 2 , the film-forming substance radiated from the film-forming source 8 toward the origin O becomes difficult to reach. .
  • the width w depends on parameters such as the distances d 1 and d 2 , the radiation angles (or the incident angles) of the film forming substances 8 a and 8 b emitted from the film forming source 8, and the formation position of the reinforcing portion 5. It depends on it. Therefore, in order to suppress the influence of the reinforcing portion 5 covering the opening portion directly below, an optimal shape of the reinforcing portion 5 is obtained by performing numerical calculation based on these parameters. For example, by optimizing the length of the width w, film formation unevenness that occurs during film formation is suppressed.
  • FIG. 5 is a graph showing an example of the result of numerical calculation for determining the width of the reinforcing portion.
  • FIG. 5 shows that an optimum width w can be obtained according to the distance d 1 .
  • the horizontal axis indicates the width w ( ⁇ m)
  • the vertical axis indicates the stability (%) depending on the width w.
  • the stability is a value of 100% because the film-forming substance toward the origin O is not inhibited.
  • the stability of 90% means that the influence of the shadowed portion of the reinforcing portion 5 is about 10% (for example, the variation in the film thickness due to sputtering) when the width w is set to a certain ⁇ m depending on the distance d 1. As far as it is allowed). That is, when the reinforcing portion 5 bridges the opening 4, the opening portion located directly below the reinforcing portion 5 becomes a shadow of the reinforcing portion 5. As a result, the film-forming substance flying from the specific direction collides with the reinforcing portion 5 and cannot reach the opening location located directly below the reinforcing portion 5. In addition, it is preferable to suppress the influence within about 10%.
  • the optimum width w is obtained. In this case, the width w is preferably about 2 ⁇ m.
  • the width w is in the order of about 5 ⁇ m is preferred Become.
  • the width w is in the order of about 7 ⁇ m are preferred Become.
  • the height h of the polyimide on the substrate 2 is preferably about 25 ⁇ m. Therefore, the width w of the reinforcing portion 5 can be increased as the distance d 1 is increased without increasing the thickness of the mask 1.
  • the mask according to the present invention has the reinforcing portion 5 and the excavating portion 6 formed based on the processing data shown in FIG. Thereby, it is not necessary to increase the thickness of the mask itself for forming the reinforcing portion 5, and the reinforcing portion 5 can maintain the strength of the mask 1. Therefore, the mask according to the present invention can prevent the shape of the opening 4 from being deformed by the reinforcing portion 5 even if it has a plurality of fine openings. Furthermore, the shape of the reinforcement part 5 and the excavation part 6 can make a film-forming substance pass through the opening 4 easily.
  • FIG. 4 illustrates the film forming source 8, but instead of the film forming source 8, for example, an evaporation source used for creating an organic EL (Electro Luminescence) element may be used.
  • an evaporation source used for creating an organic EL (Electro Luminescence) element may be used.
  • a substance for vapor deposition is emitted, but the width w is determined in the same manner as described above.
  • the mask 1 has the notch part 5a in the reinforcement part 5. As shown in FIG. 2, the reason why such a notch portion 5a is provided is that the film-forming substance can easily reach the transparent substrate 7 around the reinforcing portion 5 as described above with reference to FIG.
  • the mask according to the present invention is not limited to this.
  • FIG. 6 is a perspective view showing a modification of the embodiment of the mask according to the present invention.
  • the plurality of reinforcing portions 5 are formed in a bridge shape so as to cross the longitudinal direction of the opening 4 on one side of the substrate 2. 5a is not formed.
  • the width w of the reinforcing portion 5 is made thinner than the width w of the reinforcing portion 5 shown in FIG. 2 because the notch portion 5a is not formed.
  • the mask 1a of the modified example even if the width w is reduced, the mechanical strength can be improved without increasing the thickness of the mask 1a itself, and the thickness corresponding to the strength can be maintained.
  • the position of the reinforcing portion 5 that bridges the elongated openings 4 is the same for each opening in each row. It is not limited to this.
  • the mask 1 may be arranged such that the position of the reinforcing portion 5 is alternately shifted from the position of the reinforcing portion 5 formed in the adjacent opening 4.
  • the mask 1 is a mask having a plurality of elongated openings 4 in the substrate 2, and is formed in a bridge shape so as to cross the longitudinal direction of the opening 4 on one side of the substrate 2.
  • the position of the reinforcement part 5 has the positional relationship which shifted alternately with the position of the reinforcement part 5 formed in the adjacent opening 4, in this case, in order to form the reinforcement part 5. It is possible to provide a mask capable of improving the mechanical strength without increasing the thickness of the mask itself and maintaining the thickness corresponding to the strength.
  • interval of the mutual reinforcement part 5 is made into the positional relationship which avoids interference with the adjacent reinforcement part 5 within the opening 4. FIG. Thereby, it is not necessary to consider the influence of the shadow portion formed by the adjacent reinforcing portion 5.
  • This mask manufacturing method provides a mask that can maintain the required mechanical strength without increasing the thickness of the mask itself and maintain the thickness according to the strength.
  • a mask processing apparatus for realizing the mask manufacturing method according to the present invention will be described with reference to FIG.
  • FIG. 8 is a block diagram showing a configuration example of the mask processing apparatus.
  • the mask processing apparatus M manufactures a mask according to the present invention, and includes a control unit 10, a laser generation unit 11, an optical system 12, a conveyance processing unit 13, and a bus 14. Among these, the laser generation unit 11, the optical system 12, the conveyance processing unit 13, and the control unit 10 are connected to each other via a bus 14.
  • the control unit 10 performs overall control of the mask processing apparatus M, is equipped with a microprocessor, and generates laser light by issuing an instruction to the laser generation unit 11, for example. Moreover, the control part 10 controls conveyance of the mask 1 etc. by giving an instruction
  • control unit 10 is provided with a memory 10a.
  • the memory 10a records programs, data, and the like.
  • the memory 10a is a nonvolatile memory in which a control program for controlling the mask processing apparatus M is recorded in advance.
  • This control program includes a program for executing the mask manufacturing method according to the present invention.
  • the memory 10a records processing data necessary for mask processing in advance. Note that the machining data may be incorporated in the control program in advance. Further, the processing data includes information in which the position where the reinforcing portion 5 is formed and the position where the excavating portion 6 is formed are described in advance.
  • the control unit 10 reads out, for example, a control program from the memory 10a, refers to the processing data, and performs a process for manufacturing the mask 1. Moreover, the control part 10 performs arithmetic processing etc., for example, and records a result in the memory 10a.
  • the laser generation unit 11 generates laser light, receives an instruction to generate laser light from the control unit 10, and outputs the laser light to the optical system 12.
  • the laser generator 11 is provided with a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser device which is a kind of laser.
  • This YAG laser device for example, performs laser processing, and oscillates by exciting laser light using a YAG rod as an oscillator.
  • the laser generator 11 is not limited to the YAG laser device as the laser generating means, and other laser devices such as an excimer laser device may be applied.
  • the optical system 12 converts light to a wavelength suitable for laser processing and condenses, and has a wavelength conversion crystal that converts the wavelength of the laser light oscillated from the YAG laser device.
  • the laser light that has passed through the wavelength conversion crystal is converted into a harmonic as a solid-state UV (Ultra Violet) laser.
  • the optical system 12 includes optical components such as a projection for reducing and projecting at a predetermined magnification in order to condense the laser light converted into the harmonics onto the mask 1.
  • the conveyance processing unit 13 moves the mask 1 placed on a stage (not shown).
  • the mask 1 can be moved in the left-right direction by a conveyance mechanism (not shown).
  • the transfer processing unit 13 can reverse the mask 1 by a reversing mechanism (not shown).
  • FIG. 7 is a flowchart showing an example of a mask manufacturing method according to the present invention.
  • FIG. 9 is a process diagram schematically showing an embodiment of a mask manufacturing method according to the present invention, (a) is an enlarged cross-sectional view of a part of the mask 1 used in the substrate charging process, and (b). These are the figures which showed the pattern processing process (1st process) typically, (c) is the figure which showed the excavation process process (2nd process) typically.
  • control unit 10 of the mask processing apparatus M shown in FIG. 8 receives an instruction to start manufacturing a mask according to the present invention by, for example, an input unit (not shown), the control unit 10 reads the control program and the processing data, and FIG. The process of the flowchart shown in FIG.
  • step S ⁇ b> 1 of FIG. 7 the control unit 10 performs a substrate loading process by giving an instruction to the conveyance processing unit 13 illustrated in FIG. 8.
  • a metal 3 arranged in advance in a predetermined array on the surface (second surface) of the substrate 2 is used.
  • the trapezoidal metal 3 is formed on the surface of the substrate 2 at a predetermined interval so as to sandwich a portion where an opening is formed.
  • the transfer processing unit 13 moves the mask 1 placed on a stage (not shown) at the previous stage to be patterned to a laser irradiation position.
  • the control unit 10 proceeds to the process of step S2.
  • step S ⁇ b> 2 of FIG. 7 the control unit 10 gives an instruction to the laser generation unit 11 shown in FIG. 8, thereby pattern processing for forming a groove 2 a in a region that becomes an opening on the back surface (first surface) side of the mask 1.
  • the laser generator 11 oscillates by exciting the laser beam p from the YAG laser device.
  • the laser beam p is converted into a harmonic through the optical system 12 shown in FIG. 8, and then irradiated to the position where the groove 2a is formed, as shown in FIG. 9B.
  • the polyimide is scraped to form a groove 2 a.
  • the laser beam p is shown as a luminous flux by a broken arrow.
  • the transfer processing unit 13 appropriately moves the mask 1 placed on the stage in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 9 so that the laser irradiation can be performed at a position where the concave groove 2a is formed.
  • the groove 2 a is formed in all the regions that become openings.
  • control part 10 can adjust the depth of the notch part 5a of the reinforcement part 5 shown in FIG. 2 by controlling the depth which cuts a polyimide with the laser beam p.
  • the control unit 10 proceeds to the process of step S3.
  • step S3 of FIG. 7 the control unit 10 issues an instruction to the laser generation unit 11 shown in FIG. 8 to perform excavation processing to form the reinforcing portion 5 and the recessed portion 6 while forming the opening 4 (first step). 2 steps).
  • the control unit 10 gives an instruction to the transfer processing unit 13, and as an example, the transfer processing unit 13 moves the mask 1 through the stage and retracts it from the laser irradiation position. The mask 1 is turned upside down and placed on the stage. Subsequently, the transfer processing unit 13 moves the inverted mask 1 through the stage and sets the mask 1 to the laser irradiation position again.
  • the laser generation unit 11 oscillates by exciting the laser beam p from the YAG laser device. At this time, the laser generator 11 irradiates the mask 1 with the laser beam p having a beam diameter larger than that of the pattern processing in step S ⁇ b> 1 via the optical system 12.
  • the control unit 10 causes the laser generation unit 11 to perform laser processing with the laser beam p, so that the mask 1 is opposite to the back surface (first surface) of the substrate 2.
  • a plurality of bridge-shaped reinforcing portions 5 are formed so as to cross the longitudinal direction of the opening 4 while forming the opening 4 by performing processing by laser irradiation from the surface (second surface) side and penetrating the groove 2a.
  • an excavation part 6 is formed in which a step is provided along the longitudinal direction in a region around the opening located on the side of the reinforcement part 5.
  • the controller 10 instructs the laser generator 11 to irradiate the laser beam p from the front surface (second surface) side and scrape the polyimide, thereby penetrating the groove 2a formed in step S2.
  • The As a result, an opening 4 is formed in the mask 1.
  • the control unit 10 gives an instruction to the laser generation unit 11, and a region around the opening is shaved along the longitudinal direction in a manner that destroys the molecular structure of the polyimide with the laser beam.
  • the excavation part 6 is formed in (see FIG. 2). Thereby, about the area
  • control unit 10 is formed in a bridging manner so as to cross the longitudinal direction of the opening 4, and the positions of the plurality of reinforcing portions 5 thinner than the thickness of the substrate 2 are, for example, the same position for each opening of each row. It manufactures as follows. In addition, since the reinforcement part 5 is formed even if the opening 4 penetrates, intensity
  • the control part 10 can manufacture the mask 1 shown in FIG. 1 by moving the mask 1 and performing laser irradiation. That is, in the mask manufacturing method of the present invention, by performing double-sided processing of the mask 1, the patterning of the openings 4, the reinforcement portion 5, and the excavation portion 6 can be formed in one manufacturing process.
  • the control unit 10 causes the transfer processing unit 13 to move the mask 1 to a predetermined position via the stage.
  • the control part 10 complete finishes the process of the flowchart shown in FIG.
  • when performing double-sided processing of a mask generally, accuracy is required for alignment between the front surface and the back surface of the mask.
  • the mask manufacturing method according to the present invention if the positioning accuracy for forming the opening 4 is increased in the pattern processing step on the back surface, the accuracy is not required on the front surface as much as the back surface. This is because there is a certain margin in the width of the excavation part 6 during the excavation process, and the opening width is determined by the pattern process as shown in FIG. 9C. Therefore, in the mask manufacturing method according to the present invention, the pattern of the opening 4 can be formed with high accuracy.
  • the reinforcing portion 5 and the excavating portion 6 are formed to improve the mechanical strength without increasing the thickness of the mask itself, and according to the strength.
  • the thickness can be maintained. Therefore, in the mask manufacturing method according to the present invention, for example, in the manufacturing stage, the opening is not deformed by miniaturization, and a finer elongated mask can be manufactured.

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Abstract

　本発明は、基板に複数の細長状の開口を有するマスクであって、上記基板の片面側にて上記開口の長手方向に交差して橋渡し状に形成され、上記基板の厚さより薄い複数の補強部と、上記補強部の側方側に位置する開口周辺の領域を上記長手方向に沿って段差が設けられて形成された掘削部とを備えたものである。これにより、マスク自体の厚みを増さずに機械的な強度を向上させ、その強度に応じた厚さを維持できる。

Description

マスク及びその製造方法
　本発明は、基板に複数の細長状の開口を有するマスクとそのマスクの製造方法に関し、詳しくは、上記開口周辺の加工を工夫することにより、マスク自体の厚みを増さずに機械的な強度を向上させ、その強度に応じた厚さを維持できるマスク及びその製造方法に係るものである。
　従来のマスクは、例えば、基板に複数の細長状の開口を有しているが、開口の微細化に伴う形状の変形を防ぐため、開口を横切るようにして、マスク部分と一体化した補強線を設けたマスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１０－３３０９１１号公報
　しかし、上記従来のマスクにおいては、例えば、実際の成膜等のパターン加工の際、マスクの補強線が特定の方向から飛来してくる物質を遮るため、その物質が補強線の影になる部分に回り込めるように余分な隙間をマスクの高さ方向に設けている。そのため、上記従来のマスクでは、マスク自体の厚みが全体的に増してしまうという問題点を有していた。
　そこで、このような問題点に対処し、本発明が解決しようとする課題は、開口周辺の加工を工夫することにより、マスク自体の厚みを増さずに機械的な強度を向上させ、その強度に応じた厚さを維持できるマスク及びその製造方法を提供することにある。
　上記課題を解決するために、本発明によるマスクは、基板に複数の細長状の開口を有するマスクであって、上記基板の片面側にて上記開口の長手方向に交差して橋渡し状に形成され、上記基板の厚さより薄い複数の補強部と、上記補強部の側方側に位置する開口周辺の領域を上記長手方向に沿って段差が設けられて形成された掘削部とを備えたものである。
　また、上記課題を解決するために、本発明によるマスクの製造方法は、基板に複数の細長状の開口を有するマスクの製造方法であって、上記基板の第１面側から上記開口となる領域に溝を形成する第１工程と、上記第１面の反対側の第２面側から加工を施して上記溝を貫通させることにより上記開口を形成しつつ、その開口の長手方向に交差して橋渡し状に上記基板の厚さより薄い複数の補強部を形成すると共に、その補強部の側方側に位置する開口周辺の領域を上記長手方向に沿って段差が設けられた掘削部を形成する第２工程とを実行するものである。
　本発明によるマスクによれば、基板の片面側にて上記開口の長手方向に交差して橋渡し状に形成され、上記基板の厚さより薄い複数の補強部と、上記補強部の側方側に位置する開口周辺の領域を上記長手方向に沿って段差が設けられて形成された掘削部とを備えたことにより、上記補強部の形成のためにマスク自体を厚くする必要がなく、かつ、上記補強部がマスクの強度を保つことができる。したがって、上記マスクは、複数の細長状の開口を有していても、開口部の形状の変形を防ぐことができる。
　また、本発明によるマスクの製造方法によれば、上記基板の第１面側から上記開口となる領域に溝を形成し、上記第１面の反対側の第２面側から加工を施して上記溝を貫通させることにより上記開口を形成しつつ、その開口の長手方向に交差して橋渡し状に上記基板の厚さより薄い複数の補強部を形成すると共に、その補強部の側方側に位置する開口周辺の領域を上記長手方向に沿って段差が設けられた掘削部を形成することで、マスク自体の厚みを増さずに機械的な強度を向上させ、その強度に応じた厚さを維持できるマスクを製造することができる。したがって、上記製造方法では、マスクが複数の細長状の開口を有していても、開口の形状の変形を防ぐことができる。
本発明によるマスクの実施形態の一例を示す図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は、その一部拡大平面図である。 図１（ｂ）に示すマスクの斜視図である。 図１（ｂ）に示すマスクのＢ－Ｂ線拡大断面図である。 補強部の幅を決定するための数値計算の条件の一例を示す模式図である。 補強部の幅を決定するための数値計算の結果の一例を示すグラフである。 本発明によるマスクの実施形態の変形例を示す斜視図である。 本発明によるマスクの製造方法の一例を示すフローチャートである。 上記マスク加工装置の構成例を示すブロック図である。 上記マスクの製造方法を模式的に示す工程図である。
　以下、本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
　図１は、本発明によるマスクの実施形態の一例を示す図であり、（ａ）は、平面図であり、（ｂ）は、その一部拡大平面図である。
　図１（ａ）に示すマスク１は、複数の細長状の開口を有していても、その開口の微細化に伴う形状の変形を防ぐものであり、基板２と、金属（メタル）３と、開口４とを備える。マスク１は、両面が加工されたものであり、図１（ａ）では、表面（第２面）側の形状を示している。基板２は、ポリイミドの樹脂フィルムであって、その樹脂フィルム上に開口４と所定の距離間隔で交互に並設された磁性を有するライン状の金属３を備える。これにより、基板２は、樹脂フィルムに金属３が設けられたハイブリッド型のマスクを構成している。
　ここで、ライン状の金属３は、例えば、成膜の際にマスク１自体が磁力によって固定されるために用いられるものである。この金属３は、例えば、磁性材料の一種であるニッケルである。そして、金属３は、磁力によりマスク１を固定させる観点から、表面（第２面）側に設けられていればよく、例えば、２０μｍ～５０μｍ程度の厚みを有するものが好ましい。
　なお、金属３は、ニッケルに限られず、ニッケル合金であってもよい。このようなハイブリッド型のマスクは、磁力によって固定することができるので、基板２をレーザ加工する際、精度良く加工することができる。また、開口４の開口幅は、例えば、微細加工用として数μｍ程度であることが好ましい。
　図１（ｂ）では、図１（ａ）に示す枠Ａで囲む領域の拡大平面図を示しており、開口周辺をさらに詳しく示している。マスク１は、さらに、基板２の表面側にて開口４の長手方向に交差して橋渡し状に形成され、基板２の厚さより薄い複数の補強部（リブ）５と、補強部５の側方側に位置する開口周辺の領域を長手方向に沿って段差が設けられて形成された掘削部６とを備える。
　図２は、図１（ｂ）に示すマスクの斜視図である。図２に示す通り、補強部５は、例えば、開口４を橋渡し状に跨ぐ部分の下面側に切欠部５ａが設けられており、凹形の形状を反転させた橋型の形状を有している。なお、補強部５は、弓形に曲がったアーチ型の形状であってもよい。
　ここで、上記の切欠部５ａを設けることにより、例えば、成膜の際、飛来して来る成膜用の物質（以下「成膜物質」という。）が補強部５を回り込むため、マスク１は、その分、成膜物質を開口４に通過させやすくできる。さらに、たとえ、成膜物質が補強部５に付着して経時的に切欠部５ａに堆積していった場合であっても、成膜物質が開口４を通過しやすい状態は、その切欠部５ａがあるうちは、元々切欠部５ａが形成されていない場合と比較して維持される。
　なお、切欠部５ａを有する補強部５を採用した場合、マスク１は、開口４の開口幅と開口４の高さとの比（高さ／開口幅）を、例えば、１．０±０．２の範囲内にして、掘削部６が形成されることが好ましい。最も好ましくは、高さ／開口幅が、１．０である。このような比率にして掘削部６が形成された場合、図２に示す通り、マスク１において段差ができるため、その分、成膜物質が開口４を通過しやすくなる。
　図３は、図１（ｂ）に示すマスクのＢ－Ｂ線拡大断面図である。ここで、図中、符号ｗは、図２に示す開口４の開口幅と交差する方向の補強部５の幅を示す。符号ｄ１は、図４で後述する透明基板７の上面と補強部５の底部５ｂまでの距離を示す。符号ｈは、基板２の高さを示す。
　図３において、底部５ｂは、図２に示す補強部５の切欠部５ａの最も窪んだ箇所を示す。マスク１の厚さに対して、幅ｗと距離ｄ１との関係は、以下、図４，５を参照して、詳細に説明する。
　図４は、補強部の幅を決定するための数値計算の条件の一例を示す模式図である。ここで、図４では、説明をわかりやすくするため、マスク１について、図２に示す補強部５のみを描いている。成膜を実際に行う場合、透明基板７とマスク１とは、例えば、接触した状態で成膜処理が施される。なお、透明基板７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）膜である。図４において、符号ｄ２は、成膜源８から透明基板７までの距離を表しており、一例として、３０ｍｍとする。
　また、図４において、符号ｒ１は、幅ｗの半分の距離を表している。符号ｒ２は、成膜物質が補強部５の側面に衝突するか否かを決める指標となる距離を示している。具体的には、符号ｒ２は、成膜源８から所定の放射角度で放射された成膜物質８ａが符号ｒ２の距離（図中、矢印の先を示す位置）より短い位置を横切って原点（図中、ＸＹ軸の交点）Ｏに向かう場合、その成膜物質８ａは、補強部５の側面に衝突して原点Ｏに到達できないことを意味する。符号ｒ３は、成膜源８から所定の放射角度で放射された成膜物質８ｂが符号ｒ３の距離の位置（図中、矢印の先を示す位置）を通過して、図４において、ＸＹ軸が交わる原点Ｏに向けて飛来する場合の距離を示している。
　また、別の観点でみると、図４において、符号θ１，θ２は、成膜源８からの放射された成膜物質が原点Ｏに向かう入射角度を示し、この角度θ１は、スパッタリングによる成膜物質の放射角度の一例である、約７０度を示し、この角度θ１より大きい角度になると、原点Ｏに向かう成膜物質は、補強部５に衝突して原点に到達することが困難になることを意味する。なお、角度θ２は、約４０度を示しており、角度θ２より小さい角度になると、成膜源８から放射されて原点Ｏに向かう成膜物質は、到達しにくくなることを示している。
　つまり、幅ｗは、距離ｄ１，ｄ２と、成膜源８から放射される成膜物質８ａ，８ｂの放射角度（又は、上記入射角度）と、補強部５の形成位置等のパラメータに依存して求まる。したがって、補強部５が真下の開口箇所を覆う影響を抑制するために、これらのパラメータに基づいて、数値計算を行うことにより、補強部５の最適な形状が求められる。そして、例えば、幅ｗの長さを最適化することで、成膜時に発生する成膜ムラが抑制される。
　図５は、補強部の幅を決定するための数値計算の結果の一例を示すグラフである。この図５は、距離ｄ１に応じて、最適な幅ｗを求めることができることを示している。ここで、横軸は、幅ｗ（μｍ）を示し、縦軸は、幅ｗに依存する安定度（％）を示す。安定度は、補強部５が存在しない場合、原点Ｏに向かう成膜物質は、阻害されないので、１００％の値となる。
　また、安定度が９０％とは、距離ｄ１に応じて、幅ｗを何μｍとすれば、補強部５の影になる部分の影響が１０％程度（例えば、スパッタによる成膜厚のバラツキとして許される範囲）になることを意味する。すなわち、補強部５が開口４を橋渡しすることにより、補強部５の真下に位置する開口箇所は、その補強部５の影になる。その結果、特定方向から飛来する成膜物質は、補強部５に衝突し、補強部５の真下に位置する開口箇所に到達できなくなる。なお、その影響が約１０％程度以内に抑えることが好ましい。例えば、約１０％程度の変動を閾値Ｔ（安定度が約９０％）とし、距離ｄ１＝５μｍとした場合には、以下の通りになる。すなわち、図５に破線で示す約９０％の閾値Ｔのラインと、数値計算で求められた距離ｄ１＝５μｍの実線Ｃ１との交点から、垂線を下ろして横軸と交わる位置の値が、最適な幅ｗとなる。この場合、幅ｗは、約２μｍ程度が好ましいことになる。
　また、同様にして、距離ｄ１＝１０μｍの場合、閾値Ｔのラインと、数値計算で求められた距離ｄ１＝１０μｍの実線Ｃ２の交点から、幅ｗは、約５μｍ程度が好ましいことになる。
　また、同様にして、距離ｄ１＝１５μｍの場合、閾値Ｔのラインと、数値計算で求められた距離ｄ１＝１５μｍの実線Ｃ３の交点から、幅ｗは、約７μｍ程度が好ましいことになる。この場合、基板２におけるポリイミドの高さｈは、２５μｍ程度であることが好ましい。したがって、マスク１の厚みを増さずに距離ｄ１を高くするほど、補強部５の幅ｗは、太くすることができる。
　以上より、本発明によるマスクは、例えば図５に示した加工データに基づいて、補強部５や掘削部６が形成されている。これにより、補強部５の形成のためにマスク自体を厚くする必要がなく、かつ、補強部５がマスク１の強度を保つことができる。したがって、本発明によるマスクは、複数の微細な開口を有していても、補強部５により開口４の形状の変形を防ぐことができる。さらに、補強部５及び掘削部６の形状が、成膜物質を開口４に通過させやすくすることができる。
　なお、説明の便宜上、図４では、成膜源８として説明しているが、例えば、成膜源８の替りに、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子の作成に用いられる蒸着源としてもよい。この場合、蒸着用の物質が放射されることになるが、上記の説明と同様にして、幅ｗが求められる。
　次に、上記マスクの実施形態の変形例について、説明する。
　上記実施形態では、図２に示した通り、マスク１において、補強部５に切欠部５ａを有している。このような切欠部５ａを設けたのは、図４等を参照して上述した通り、成膜物質が補強部５を回り込んで透明基板７に到達しやすくするためである。ただし、本発明によるマスクは、これに限定されない。
　図６は、本発明によるマスクの実施形態の変形例を示す斜視図である。変形例のマスク１ａでは、図１に示すマスク１と同様、複数の補強部５が、基板２の片面側にて開口４の長手方向に交差して橋渡し状に形成されているが、切欠部５ａが形成されていない構造になっている。この場合、切欠部５ａを形成しない分、補強部５の幅ｗを、図２に示す補強部５の幅ｗに比べて薄くしている。この際、図２に示す補強部５と同様の強度が維持できるように幅ｗを薄くすることが好ましい。このようにすると、図６に示す補強部５は、幅ｗを薄くした分、成膜物質が透明基板７に到達しやすくなる。したがって、変形例のマスク１ａによれば、幅ｗを薄くしても、マスク１ａ自体の厚みを増さずに機械的な強度を向上させ、その強度に応じた厚さを維持できる。
　また、図１に示す実施形態では、マスク１において、細長状の開口４を橋渡しする補強部５の位置が、各列の開口毎に同じ位置になるようにしたが、本発明によるマスクは、これに限定されない。例えば、マスク１は、補強部５の位置が、隣りの開口４に形成された補強部５の位置と交互にずらした位置関係になるようにして配置してもよい。
　具体的には、マスク１は、基板２に複数の細長状の開口４を有するマスクであって、基板２の片面側にて開口４の長手方向に交差して橋渡し状に形成され、基板２の厚さより薄い複数の補強部５と、補強部５の側方側に位置する開口周辺の領域を長手方向に沿って段差が設けられて形成された掘削部６とを備え、補強部５の位置が、隣りの開口４に形成された補強部５の位置と交互にずらした位置関係になるようにしてもよい。
　これにより、マスク１では、補強部５の位置が隣りの開口４に形成された補強部５の位置と交互にずらした位置関係を有するので、この場合においても、補強部５の形成のためにマスク自体の厚みを増さずに機械的な強度を向上させ、その強度に応じた厚さを維持できるマスクを提供できる。
　なお、互いの補強部５の間隔は、開口４内で隣りの補強部５との干渉を避ける位置関係にすることが好ましい。これにより、隣りの補強部５の形成する影になる部分の影響を考慮せずに済む。
　次に、本発明によるマスクの製造方法について、図７～９を参照して説明する。このマスクの製造方法は、マスク自体の厚みを増さずに必要な機械的な強度を保ち、その強度に応じた厚さを維持できるマスクを提供する。最初に、本発明によるマスクの製造方法を実現させるためのマスク加工装置について、図８を参照して説明する。
　図８は、上記マスク加工装置の構成例を示すブロック図である。このマスク加工装置Ｍは、本発明によるマスクを製造するものであって、制御部１０と、レーザ発生部１１と、光学系１２と、搬送処理部１３と、バス１４とを備える。このうち、レーザ発生部１１、光学系１２、搬送処理部１３及び制御部１０は、バス１４を介して互いに接続されている。
　制御部１０は、マスク加工装置Ｍの統括的な制御を行うものであり、マイクロプロセッサを搭載し、例えば、レーザ発生部１１に指示を出すことにより、レーザ光を発生させる。また、制御部１０は、例えば、搬送処理部１３に指示を出すことにより、マスク１の搬送等を制御する。
　さらに、制御部１０には、メモリ１０ａが備えられている。このメモリ１０ａは、プログラムやデータ等を記録するものであり、例えば、マスク加工装置Ｍの制御を行う制御プログラムを予め記録している不揮発性のメモリである。この制御プログラムには、本発明によるマスクの製造方法を実行するためのプログラムが含まれている。また、メモリ１０ａは、マスク加工に必要な加工データを予め記録している。なお、加工データは、予め制御プログラムに組み込まれていてもよい。また、加工データには、予め補強部５を形成する位置と掘削部６を形成する位置とが記された情報も含む。
　制御部１０は、メモリ１０ａから、例えば、制御プログラムを読み出し、加工データを参照し、マスク１の製造の処理を行う。また、制御部１０は、例えば、演算処理等を行い、結果をメモリ１０ａに記録する。
　レーザ発生部１１は、レーザ光を発生するものであり、制御部１０からレーザ光の発生の指示を受け、レーザ光を光学系１２に出力する。ここで、レーザ発生部１１には、レーザの一種であるＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザ装置が設けられている。このＹＡＧレーザ装置は、例えば、レーザ加工を施すものであり、ＹＡＧロッドを発振器としてレーザ光を励起して発振する。なお、レーザ発生部１１は、レーザ発生手段として、ＹＡＧレーザ装置に限られず、例えば、エキシマレーザ装置等の他のレーザ装置を適用してもよい。
　光学系１２は、レーザ加工に適した波長に変換して集光するもので、ＹＡＧレーザ装置から発振されたレーザ光の波長を変換する波長変換結晶を有する。この波長変換結晶を通過したレーザ光は、固体ＵＶ（Ultra Violet）レーザとして高調波に変換される。また、光学系１２は、高調波に変換されたレーザ光をマスク１に集光するため、所定の倍率で縮小投影するプロジェクション等の光学部品を備えている。
　搬送処理部１３は、図示省略のステージ上に載置されたマスク１を移動させるもので、例えば、図示省略の搬送機構により、マスク１を左右方向に移動させることができる。また、搬送処理部１３は、図示省略の反転機構により、マスク１を反転させることができる。
　以上説明したマスク加工装置Ｍを用いたマスクの製造方法について、図７及び図９を参照して説明する。
　図７は、本発明によるマスクの製造方法の一例を示すフローチャートである。図９は、本発明によるマスクの製造方法の実施形態を模式的に示す工程図であり、（ａ）は、基材投入工程で用いるマスク１の一部の拡大断面図であり、（ｂ）は、パターン加工工程（第１工程）を模式的に示した図であり、（ｃ）は、掘削加工工程（第２工程）を模式的に示した図である。
　先ず、図８に示すマスク加工装置Ｍの制御部１０は、例えば、図示省略の入力手段により、本発明によるマスクの製造開始の指示入力を受け付けると、制御プログラムや加工データを読み出して、図７に示すフローチャートの処理を開始する。
　図７のステップＳ１において、制御部１０は、図８に示す搬送処理部１３に指示を出すことにより、基材投入の処理を行う。
　本発明によるマスクの製造方法では、予め、基板２の表面（第２面）上に金属３を所定の配列でライン状に配置したものを用いる。図９（ａ）に示す通り、断面が台形状の金属３は、開口が形成される箇所を挟むようにして所定の間隔で基板２の表面上に形成されている。搬送処理部１３は、ステージ（図示省略）上に載置された、パターン加工される前段階のマスク１をレーザ照射位置に移動させる。マスク１の移動が完了すると、制御部１０は、ステップＳ２の処理に移行する。
　図７のステップＳ２において、制御部１０は、図８に示すレーザ発生部１１に指示を出すことにより、マスク１の裏面（第１面）側で開口となる領域に溝２ａを形成するパターン加工の処理を行う（第１工程）。具体的には、レーザ発生部１１は、ＹＡＧレーザ装置から、レーザ光ｐを励起して発振する。このレーザ光ｐは、図８に示す光学系１２を介して、高調波に変換された後、図９（ｂ）に示す通り、溝２ａを形成する位置に照射される。この照射により、マスク１では、ポリイミドが削られることにより溝２ａが形成される。なお、図９（ｂ）では、レーザ光ｐを光束として破線の矢印で示している。ここで、搬送処理部１３は、凹形状の溝２ａを形成する位置にレーザ照射ができるようにするため、ステージに載置されたマスク１を図９の紙面に垂直な方向に適宜移動させる。これにより、マスク１の裏面側では、開口となる全ての領域に溝２ａが形成される。
　なお、制御部１０は、レーザ光ｐでポリイミドを削る深さを制御することにより、図２に示す補強部５の切欠部５ａの深さの調節を行うことができる。パターン加工の処理が完了すると、制御部１０は、ステップＳ３の処理に移行する。
　図７のステップＳ３において、制御部１０は、図８に示すレーザ発生部１１に指示を出すことにより、開口４を形成しつつ、補強部５と凹部６とを形成する掘削加工を行う（第２工程）。具体的には、制御部１０は、搬送処理部１３に指示を出すことにより、搬送処理部１３は、一例として、ステージを介してマスク１を移動させ、レーザ照射位置から退避させた後、そのマスク１を上下反転させてステージに載置する。続いて、搬送処理部１３は、反転されたマスク１をステージを介して移動させて、再び、マスク１をレーザ照射位置に設定する。
　続いて、制御部１０の指示により、レーザ発生部１１は、ＹＡＧレーザ装置から、レーザ光ｐを励起して発振する。この際、レーザ発生部１１は、光学系１２を介して、ステップＳ１のパターン加工よりもビーム口径の大きいレーザ光ｐをマスク１に向けて照射する。
　つまり、制御部１０は、図９（ｃ）に示す通り、レーザ発生部１１にレーザ光ｐによるレーザ加工を行わせることにより、マスク１では、基板２の裏面（第１面）の反対側の表面（第２面）側からレーザ照射による加工を施して溝２ａを貫通させることにより開口４を形成しつつ、その開口４の長手方向に交差して橋渡し状の複数の補強部５を形成すると共に、その補強部５の側方側に位置する開口周辺の領域を長手方向に沿って段差が設けられた掘削部６を形成する。
　より詳細には、制御部１０は、レーザ発生部１１に指示を出し、レーザ光ｐを表面（第２面）側から照射させてポリイミドを削ることにより、ステップＳ２で形成した溝２ａが貫通される。その結果、マスク１には、開口４が形成される。この際、制御部１０は、レーザ発生部１１に指示を出し、レーザ光でポリイミドの分子構造を破壊する仕方で開口周辺の領域を長手方向に沿って削ることにより、マスク１には、複数箇所に掘削部６が形成される（図２参照）。これにより、レーザ照射を避けた領域については、補強部５が、１つの開口４につき、所定の間隔をおいて複数形成される（図２参照）。この際、制御部１０は、開口４の長手方向に交差して橋渡し状に形成され、基板２の厚さより薄い複数の補強部５の位置を、例えば、各列の開口毎に同じ位置になるようにして製造する。なお、開口４が貫通しても補強部５が形成されるので、強度が維持される。
　このようにして、制御部１０は、マスク１を移動させてレーザ照射を行わせることにより、図１に示すマスク１を製造することができる。すなわち、本発明のマスクの製造方法では、マスク１の両面加工をすることにより、開口４のパターン形成と、補強部５の形成と、掘削部６の形成を１度の製造工程でできる。マスク１の製造が完了すると、制御部１０は、搬送処理部１３にステージを介してマスク１を所定の位置に移動させる。そして、制御部１０は、図７に示すフローチャートの処理を終了する。
　なお、マスクの両面加工を行う場合、一般的には、マスクの表面と裏面との位置合わせにそれぞれ精度が要求される。しかし、本発明によるマスクの製造方法では、裏面におけるパターン加工工程で開口４を形成する位置決めの精度を上げれば、表面では、裏面ほど精度を要求されずに済む。これは、掘削加工工程の際、掘削部６の幅にある程度の余裕があり、図９（ｃ）に示す通り、開口幅がパターン加工工程で決まるためである。したがって、本発明によるマスクの製造方法では、精度良く、開口４のパターン形成を行うことができる。
　以上より、本発明によるマスクの製造方法によれば、補強部５と掘削部６とを形成することにより、マスク自体の厚みを増さずに機械的な強度を向上させ、その強度に応じた厚さを維持できる。したがって、本発明によるマスクの製造方法では、例えば、製造段階で、微細化により開口が変形せず、より微細な細長状のマスクを製造することができる。
　１…マスク
　２…基板
　２ａ…溝
　３…金属
　４…開口
　５…補強部
　５ａ…切欠部
　６…掘削部

Claims (5)

  1. 　基板に複数の細長状の開口を有するマスクであって、
    　前記基板の片面側にて前記開口の長手方向に交差して橋渡し状に形成され、前記基板の厚さより薄い複数の補強部と、
    　前記補強部の側方側に位置する開口周辺の領域を前記長手方向に沿って段差が設けられて形成された掘削部と、
    　を備えたことを特徴とするマスク。
  2. 　前記基板は、樹脂フィルムであり、前記補強部が形成された側の前記開口と所定の距離間隔で交互に並設された磁性を有する金属をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のマスク。
  3. 　前記補強部は、前記開口を橋渡し状に跨ぐ部分の下面側に切欠部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のマスク。
  4. 　基板に複数の細長状の開口を有するマスクの製造方法であって、
    　前記基板の第１面側から前記開口となる領域に溝を形成する第１工程と、
    　前記第１面の反対側の第２面側から加工を施して前記溝を貫通させることにより前記開口を形成しつつ、該開口の長手方向に交差して橋渡し状に前記基板の厚さより薄い複数の補強部を形成すると共に、該補強部の側方側に位置する開口周辺の領域を前記長手方向に沿って段差が設けられた掘削部を形成する第２工程と、
    　を実行することを特徴とするマスクの製造方法。
  5. 　前記第２工程は、前記補強部の前記開口を橋渡し状に跨ぐ部分の下面側に切欠部を形成することを特徴とする請求項４に記載のマスクの製造方法。
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