WO2015056726A1 - 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置 - Google Patents

硬化性シリコーン組成物および光半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2015056726A1
WO2015056726A1 PCT/JP2014/077482 JP2014077482W WO2015056726A1 WO 2015056726 A1 WO2015056726 A1 WO 2015056726A1 JP 2014077482 W JP2014077482 W JP 2014077482W WO 2015056726 A1 WO2015056726 A1 WO 2015056726A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
tetrazole
group
component
curable silicone
silicone composition
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/077482
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
侑典 宮本
Original Assignee
東レ・ダウコーニング株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東レ・ダウコーニング株式会社 filed Critical 東レ・ダウコーニング株式会社
Priority to EP14854606.2A priority Critical patent/EP3059768A4/en
Priority to CN201480066010.3A priority patent/CN105814702B/zh
Priority to JP2015542645A priority patent/JP6569036B2/ja
Priority to US15/029,910 priority patent/US9691951B2/en
Priority to KR1020167012840A priority patent/KR101688407B1/ko
Publication of WO2015056726A1 publication Critical patent/WO2015056726A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/10—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
    • C08L83/12—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences containing polyether sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/12—Polysiloxanes containing silicon bound to hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/42—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences
    • C08G77/44—Block-or graft-polymers containing polysiloxane sequences containing only polysiloxane sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24—Acids; Salts thereof
    • C08K3/26—Carbonates; Bicarbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3472—Five-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K9/00—Use of pretreated ingredients
    • C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
    • C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/10—Block- or graft-copolymers containing polysiloxane sequences
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/14—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which at least two but not all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2190/00—Compositions for sealing or packing joints
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2296—Oxides; Hydroxides of metals of zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C08L2203/206—Applications use in electrical or conductive gadgets use in coating or encapsulating of electronic parts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the present invention relates to a curable silicone composition and an optical semiconductor device using the composition.
  • a curable silicone composition that is cured by a hydrosilylation reaction is used.
  • a curable silicone composition Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-198930 discloses diorganopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule, resin-organopolysiloxane having a vinyl group, A curable silicone composition comprising an organohydrogenpolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule and a platinum group metal catalyst has been proposed.
  • JP-A-11-29709 has at least one functional group selected from an amino group, an amide group, a carbonyl group, a carboxyl group, and a thiol group in order to impart flame retardancy to the cured silicone.
  • a curable silicone composition containing a tetrazole compound has been proposed, and a hydrosilylation reaction is also exemplified as this curing mechanism.
  • JP-A-11-29709 describes that such a curable silicone composition can be used for electric / electronic parts, it is used for sealing, covering, or bonding an optical semiconductor element. Was not suggested.
  • An object of the present invention is to provide a curable silicone composition that forms a cured product that suppresses discoloration of a silver electrode or a silver-plated substrate in an optical semiconductor device by sulfur-containing gas in the air.
  • Another object of the present invention is to provide an optical semiconductor device in which discoloration of a silver electrode or a silver-plated substrate due to sulfur-containing gas in the air is suppressed.
  • the curable silicone composition of the present invention is a hydrosilylation reaction curable silicone composition for sealing, coating, or bonding an optical semiconductor element, (A) an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule; (B) Organohydrogenpolysiloxane having at least two silicon atom-bonded hydrogen atoms in one molecule ⁇ silicon atom-bonded hydrogen atom in this component with respect to 1 mol of silicon atom-bonded alkenyl group in component (A) In an amount of 0.1 to 10 mol ⁇ , (C) tetrazole-based compound (in an amount of 1 ppm to 0.5% by mass with respect to the present composition), and (D) a catalyst for hydrosilylation reaction (an amount that promotes curing of the present composition).
  • A an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule
  • B Organohydrogenpolysiloxane having at least two silicon atom-bonded
  • the component (A) is represented by the general formula (A-1): R 1 3 SiO (R 1 2 SiO) m SiR 1 3 (In the formula, R 1 is the same or different monovalent hydrocarbon group, provided that at least two R 1 are alkenyl groups in one molecule, and m is an integer of 5 to 1,000.)
  • a linear organopolysiloxane and / or (A-2) an average unit formula: (R 1 SiO 3/2 ) a (R 1 2 SiO 2/2 ) b (R 1 3 SiO 1/2 ) c (SiO 4/2 ) d (XO 1/2 ) e (In the formula, R 1 is the same as described above, provided that 0.01 to 50 mol% of the total of R 1 is an alkenyl group, X is a hydrogen atom or an alkyl group, and a, b, c, d , And e are 0 ⁇ a ⁇ 1.0, 0 ⁇ b ⁇
  • the component (C) is 1H-tetrazole, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid, 1H-tetrazol-1-ethyl acetate, 1H-tetrazol-5-ethyl acetate, 1-methyl-1H -Tetrazole, 1-ethyl-1H-tetrazole, 1-propyl-1H-tetrazole, 1-butyl-1H-tetrazole, 1-pentyl-1H-tetrazole, 1-phenyl-1H-tetrazole, 1,5-dimethyl-1H -Tetrazole, 1-ethyl-5-methyl-1H-tetrazole, 1-phenyl-5-methyl-1H-tetrazole, 1-methyl-5-ethyl-1H-tetrazole,
  • the curable silicone composition of the present invention is characterized by forming a cured product that suppresses discoloration of a silver electrode or a silver-plated substrate in an optical semiconductor device due to a sulfur-containing gas in the air. Further, the optical semiconductor device of the present invention is characterized in that discoloration of the silver electrode or the silver-plated substrate due to the sulfur-containing gas in the air is suppressed.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an LED which is an example of an optical semiconductor device of the present invention.
  • Component (A) is an organopolysiloxane having at least two silicon-bonded alkenyl groups in one molecule, which is the main component of the present composition.
  • alkenyl group include vinyl groups, allyl groups, butenyl groups, pentenyl groups, hexenyl groups, heptenyl groups, octenyl groups, nonenyl groups, decenyl groups, undecenyl groups, dodecenyl groups, and the like.
  • And is preferably a vinyl group.
  • the silicon atom in the component (A) may have a small amount of a hydroxyl group, an alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group or the like as long as the object of the present invention is not impaired.
  • the molecular structure of the component (A) include linear, partially branched linear, branched, cyclic, and three-dimensional network structures.
  • the component (A) may be one kind of organopolysiloxane having these molecular structures, or a mixture of two or more kinds of organopolysiloxanes having these molecular structures.
  • Such (A) component is (A-1) General formula: R 1 3 SiO (R 1 2 SiO) m SiR 1 3 A linear organopolysiloxane and / or (A-2) an average unit formula: (R 1 SiO 3/2 ) a (R 1 2 SiO 2/2 ) b (R 1 3 SiO 1/2 ) c (SiO 4/2 ) d (XO 1/2 ) e It is preferable that it is a branched organopolysiloxane represented by these.
  • R 1 is the same or different monovalent hydrocarbon group, and the same alkyl group, alkenyl group, aryl group, aralkyl group as those described above, and the hydrogen atom of these groups Examples thereof include a group in which a part or all of them are substituted with a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom. However, at least 2 R 1 in one molecule is an alkenyl group.
  • m is an integer of 5 to 1,000, preferably an integer of 50 to 1,000 or an integer of 100 to 1,000.
  • Examples of such component (A-1) include dimethylpolysiloxane blocked with dimethylvinylsiloxy group at both ends of molecular chain, dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane copolymer blocked with dimethylvinylsiloxy group at both ends of molecular chain, and dimethylvinyl at both ends of molecular chain.
  • Illustrative examples include siloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylvinylsiloxane / methylphenylsiloxane copolymer, and mixtures of two or more thereof.
  • R 1 is the same or different monovalent hydrocarbon group, and the same alkyl group, alkenyl group, aryl group, aralkyl group as described above, and hydrogen of these groups Examples thereof include a group in which part or all of the atoms are substituted with a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom or a bromine atom. However, it is preferable that 0.01 to 50 mol%, 0.05 to 40 mol%, or 0.09 to 32 mol% of the total R 1 is an alkenyl group.
  • X is a hydrogen atom or an alkyl group.
  • alkyl group methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, neopentyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group, Examples thereof include alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms such as decyl group, undecyl group, dodecyl group and the like, and alkyl groups having 1 to 3 carbon atoms are preferable.
  • a is a number satisfying 0 ⁇ a ⁇ 1.0 indicating the ratio of siloxane units represented by the formula: R 1 SiO 3/2
  • b is a formula: R 1 2 SiO 2.
  • the number of siloxane units represented by / 2 is a number satisfying 0 ⁇ b ⁇ 1.0
  • c represents the proportion of siloxane units represented by the formula: R 1 3 SiO 1/2 ⁇ c ⁇ 0.9 is satisfied
  • d is a number satisfying 0 ⁇ d ⁇ 0.5 indicating the ratio of siloxane units represented by the formula: SiO 4/2 .
  • a + b + c + d 1.0.
  • E is a number satisfying 0 ⁇ e ⁇ 0.4, which indicates the ratio of hydroxyl groups or alkoxy groups bonded to silicon atoms.
  • the component (A) the component (A-1) alone, the component (A-2) alone, or a mixture of the component (A-1) and the component (A-2) can be used.
  • the content of the component (A-2) is the component (A-1) And it is preferable that it is 90 mass% or less or 60 mass% or less of the total amount of (A-2) component.
  • the content of the component (A-2) is at least 10% by mass of the total amount of the components (A-1) and (A-2).
  • the component (A) is liquid or solid at 25 ° C.
  • the viscosity at 25 ° C. is preferably in the range of 1 to 1,000,000 mPa ⁇ s or in the range of 10 to 1,000,000 mPa ⁇ s. .
  • this viscosity can be calculated
  • Component (B) is an organohydrogenpolysiloxane having at least two silicon-bonded hydrogen atoms in one molecule, which is a cross-linking agent for the present composition.
  • (B) As a group couple
  • the silicon atom in the component (B) may have a small amount of a hydroxyl group, an alkoxy group such as a methoxy group, an ethoxy group or the like as long as the object of the present invention is not impaired.
  • Examples of the molecular structure of the component (B) include linear, partially branched linear, branched, cyclic, and three-dimensional network structures, preferably partially branched linear, branched Or a three-dimensional network structure.
  • Component (B) is solid or liquid at 25 ° C. When the component (B) is liquid at 25 ° C., the viscosity at 25 ° C. is 10,000 mPa ⁇ s or less, within the range of 0.1 to 5,000 mPa ⁇ s, or 0.5 to 1,000 mPa ⁇ s. It is preferable to be within the range.
  • this viscosity can be calculated
  • component (B) examples include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, tris (dimethylhydrogensiloxy) methylsilane, tris (dimethylhydro Gensyloxy) phenylsilane, 1-glycidoxypropyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 1,5-glycidoxypropyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, 1-glycidoxypropyl-5-trimethoxysilylethyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasiloxane, molecular chain both ends trimethylsiloxy group blocked methylhydrogenpolysiloxane, molecular chain both ends trimethylsiloxy group
  • the content of component (B) is such that the silicon atom-bonded hydrogen atom in this component is 0.1 to 10 moles per mole of silicon atom-bonded alkenyl group in component (A), preferably In an amount of 0.5 to 5 mol.
  • the content of the component (B) is not more than the upper limit of the above range, the resulting cured product has good mechanical properties, and on the other hand, if it is not less than the lower limit of the above range, the resulting composition is cured. This is because the property is good.
  • content of the silicon atom bond hydrogen atom in (B) component is analysis, such as a Fourier-transform infrared spectrophotometer (FT-IR), nuclear magnetic resonance (NMR), gel permeation chromatography (GPC) etc., for example. Can be obtained.
  • the component (C) is a tetrazole compound for imparting sulfidation resistance to the cured product of the present composition.
  • a tetrazole-based compound having no functional group such as an amino group or a thiol group is preferable because it is more difficult to inhibit the curing of the composition.
  • the component (C) one or more of these tetrazole compounds may be used.
  • the content of the component (C) is an amount within the range of 1 ppm to 0.5% by mass unit in the present composition, preferably within the range of 5 ppm to 0.3% or 10 ppm to 0.1%.
  • the amount is in the range of%. This is because when the content of (C) is not less than the lower limit of the above range, sufficient sulfidation resistance can be imparted. On the other hand, when the content is not more than the upper limit of the above range, the curability of the resulting composition is lowered. This is because the physical properties of the obtained cured product do not deteriorate.
  • Component (D) is a hydrosilylation reaction catalyst for promoting the curing of the composition.
  • the component (D) include platinum group element catalysts and platinum group element compound catalysts, specifically, platinum-based catalysts, rhodium-based catalysts, palladium-based catalysts, and combinations of at least two of these.
  • a platinum-based catalyst is preferable because curing of the composition can be remarkably accelerated.
  • the platinum catalyst includes platinum fine powder, platinum black, chloroplatinic acid, alcohol-modified chloroplatinic acid, chloroplatinic acid and diolefin complex, platinum-olefin complex, platinum bis (acetoacetate), platinum bis ( Platinum-carbonyl complexes such as acetylacetonate), chloroplatinic acid-divinyltetramethyldisiloxane complexes, chloroplatinic acid-alkenylsiloxane complexes such as chloroplatinic acid-tetravinyltetramethylcyclotetrasiloxane complexes, platinum-divinyltetramethyldi Examples include siloxane complexes, platinum-alkenylsiloxane complexes such as platinum-tetravinyltetramethylcyclotetrasiloxane complexes, complexes of chloroplatinic acid and acetylene alcohols, and mixtures of two or more thereof.
  • platinum-alkenyl silo it is preferable that the acid complex.
  • alkenylsiloxane used in the platinum-alkenylsiloxane complex include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7.
  • alkenylsiloxane oligomers in which some of the methyl groups of these alkenylsiloxanes are substituted with ethyl groups, phenyl groups, etc., and alkenyls in which the vinyl groups of these alkenylsiloxanes are substituted with allyl groups, hexenyl groups, etc.
  • Examples of the siloxane oligomer include 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane because the platinum-alkenylsiloxane complex to be formed is particularly stable.
  • platinum-alkenylsiloxane complexes may be converted to 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diallyl-1 1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-divinyl-1,3-dimethyl-1,3-diphenyldisiloxane, 1,3-divinyl-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane , And 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane and other alkenylsiloxane oligomers and dimethylsiloxane oligomers and other organosiloxane oligomers,
  • the alkenylsiloxane oligomer is preferably dissolved in the alkenylsiloxane oligomer.
  • the content of the component (D) is an amount that accelerates the curing of the present composition.
  • the catalytic metal atom in the component (D) is 0.01 to 500 ppm by mass relative to the present composition.
  • the amount falls within the range of 0.01 to 100 ppm, or the amount falls within the range of 0.1 to 50 ppm.
  • the content of the component (D) is equal to or higher than the lower limit of the above range, the resulting composition has good curability.
  • the content is equal to or lower than the upper limit of the above range, the resulting cured product is colored. It is because it can be suppressed.
  • the composition may contain (E) a hydrosilylation reaction inhibitor in order to extend the pot life at room temperature and improve the storage stability.
  • (E) Component includes 1-ethynylcyclohexane-1-ol, 2-methyl-3-butyn-2-ol, 3,5-dimethyl-1-hexyn-3-ol, and 2-phenyl-3-butyne Alkyne alcohols such as 2-ol; enyne compounds such as 3-methyl-3-penten-1-yne and 3,5-dimethyl-3-hexen-1-yne; 1,3,5,7-tetramethyl Methyl alkenyl siloxane oligomers such as -1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane and 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetrahexenylcyclotetrasiloxane; Alkyneoxy compounds such as 3-methyl-1-butyne-3-oxy) silane and methylviny
  • the content of the component (E) is not limited, but is preferably in the range of 0.0001 to 5 parts by mass or in the range of 0.01 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the present composition.
  • the composition may contain (F) zinc oxide or zinc carbonate in order to impart further sulfidation resistance to the resulting cured product.
  • the surface is formed of an oxide and / or hydroxide of at least one element selected from the group consisting of Al, Ag, Cu, Fe, Sb, Si, Sn, Ti, Zr, and rare earth elements.
  • the mass average particle diameter is selected from the group consisting of coated zinc oxide fine powder, zinc oxide fine powder surface-treated with an organosilicon compound having no alkenyl group, and zinc carbonate hydrate fine powder. It is preferably at least one kind of fine powder of 1 nm to 5 ⁇ m.
  • the mass average particle diameter can be measured by a laser diffraction / scattering method or the like.
  • the “mass average particle diameter” according to the present invention means a particle diameter (D50) obtained by measuring the particle size distribution when the cumulative mass is 50%.
  • examples of rare earth elements include yttrium, cerium, and europium.
  • oxides on the surface of the zinc oxide fine powder Al 2 O 3 , AgO, Ag 2 O, Ag 2 O 3 , CuO, Cu 2 O, FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , Sb 2 O 3 , SiO 2 , SnO 2 , Ti 2 O 3 , TiO 2 , Ti 3 O 5 , ZrO 2 , Y 2 O 3 , CeO 2 , Eu 2 O 3 , and mixtures of two or more of these oxides, and , Al 2 O 3 ⁇ nH 2 O, Fe 2 O 3 ⁇ nH 2 O, Fe 3 O 4 ⁇ nH 2 O, Sb 2 O 3 ⁇ nH 2 O, SiO 2 ⁇ nH 2 O, TiO 2 ⁇ nH 2 O And hydrates of oxides such as ZrO 2 ⁇ nH 2 O and CeO 2 ⁇ nH 2 O are exemplified, and Al 2 O 3 and SiO 2 are preferable.
  • n is usually a positive integer, but n does not necessarily take an integer depending on the degree of dehydration.
  • examples of rare earth elements include yttrium, cerium, and europium.
  • hydroxide on the surface of the zinc oxide fine powder Al (OH) 3 , Cu (OH) 2 , Fe (OH) 3 , Ti (OH) 4 , Zr (OH) 3 , Y (OH) 3 , Ce (OH) 3 , Ce (OH) 4 , and a mixture of two or more of these oxides, and further hydrates of oxides such as Ce (OH) 3 .nH 2 O, preferably Al (OH) 3 .
  • n is usually a positive integer, but n does not necessarily take an integer depending on the degree of dehydration.
  • the zinc oxide surface-coated with the oxide may be further coated with the hydroxide, or may be further coated with the other oxide.
  • the zinc oxide surface-coated with the hydroxide may be further surface-coated with the oxide, or may be further surface-coated with the other hydroxide.
  • the component (F) may be zinc oxide whose surface is coated with the oxide and the hydroxide.
  • a combination of an oxide and a hydroxide a combination of Al 2 O 3 and Al (OH) 3 and a combination of SiO 2 and Al (OH) 3 are exemplified.
  • the organosilicon compound has no alkenyl group
  • organosilane, organosilazane, polymethylsiloxane, organohydrogenpolysiloxane, and organosiloxane oligomer are Specifically, organochlorosilanes such as trimethylchlorosilane, dimethylchlorosilane, and methyltrichlorosilane; methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, and n-propyltrimethoxysilane Organotrialkoxysilane; Diorganodialkoxysilane such as dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane; Trimethylmethoxysilane, Triorganoalkoxysilanes such as l
  • the zinc oxide fine powder may be subjected to further surface treatment.
  • higher fatty acids such as stearic acid, metal soaps thereof, higher fatty acid esters such as octyl palmitate, polyhydric alcohols such as trimethylolethane, trimethylolpropane, pentaerythritol, and amine compounds such as diethanolamine and triethanolamine It is done.
  • coupling agents such as alkyl titanates, alkyl aluminates, and alkyl zirconates, and fluorine-based organic compounds such as perfluoroalkyl silanes and perfluoroalkyl phosphate esters can also be used.
  • the zinc carbonate hydrate fine powder is a compound in which water is bound to zinc carbonate, and preferably has a mass reduction rate of 0.1% by mass or more under heating conditions of 105 ° C. for 3 hours.
  • the content of the component (F) is preferably an amount within a range of 0.0001 to 10% or an amount within a range of 0.0001 to 5% by mass unit with respect to the present composition. This is because when the content of the component (F) is not less than the lower limit of the above range, the discoloration of the silver electrode or the silver-plated substrate in the optical semiconductor device due to the sulfur-containing gas is sufficiently suppressed. It is because the fluidity
  • the composition may contain (G) a metal-based condensation reaction catalyst in order to impart peel resistance to the resulting cured product.
  • a metal-based condensation reaction catalyst in order to impart peel resistance to the resulting cured product.
  • component (G) organic aluminum compounds, organic titanium compounds, organic zirconium compounds, organic magnesium compounds, organic zinc compounds, organic copper compounds, organic nickel compounds, organic chromium compounds, organic cobalt compounds, organic iron compounds, organic indium compounds And organic lanthanum compounds, organic tin compounds, organic hafnium compounds, and mixtures of two or more thereof.
  • organoaluminum compounds include alkoxy compounds such as trimethoxyaluminum, triethoxyaluminum, isopropoxyaluminum, isopropoxydiethoxyaluminum, and tributoxyaluminum; acyloxy compounds such as triacetoxyaluminum, tristearate aluminum, and tributyrate aluminum; aluminum Isopropylate, aluminum sec-butyrate, aluminum tert-butylate, aluminum tris (ethylacetoacetate), tris (hexafluoroacetylacetonate) aluminum, tris (ethylacetoacetate) aluminum, tris (n-propylacetoacetate) aluminum, tris (Iso-propyl acetoacetate) aluminum, tris ( - butyl acetoacetate) aluminum, tris salicylaldehyde aluminum, tris (2-ethoxycarbonyl phenolate) aluminum, tris (acetylacetonate) chelate compounds such as
  • organic titanium compounds include tetraalkoxytitanium such as tetraethoxytitanium, tetraisopropoxytitanium, and tetrabutyoxytitanium; tetraethylene glycol titanate, di-n-butylbis (triethanolamine) titanate, di (bis (acetylacetone) acid) -Isopropoxy titanium, isopropoxy titanium octanoate, isopropyl titanium trimethacrylate, isopropyl titanium triacrylate, isopropyl triisostearoyl titanate, isopropyl tridecylbenzenesulfonyl titanate, isopropyl tri (butyl, methyl pyrophosphate) titanate, tetraisopropyl di (Dilauryl phosphite) titanate, dimethacryloxyacetate titanate, diacryloxyacetate titanate, di (di Octyl phosphate) ethylene titanate
  • organic zirconium compounds include zirconium n-propoxide, zirconium n-butoxide, zirconium t-butoxide, zirconium isopropoxide, zirconium ethoxide, zirconyl acetate, zirconium acetylacetonate, zirconium butoxyacetylacetonate, zirconium bisacetylacetonate.
  • zirconium ethylacetoacetate, zirconium acetylacetonate bisethylacetoacetate, zirconium hexafluoroacetylacetonate, and zirconium trifluoroacetylacetonate are exemplified.
  • Examples of the organic magnesium compound include ethyl acetoacetate magnesium monoisopropylate, magnesium bis (ethylacetoacetate), alkyl acetoacetate magnesium monoisopropylate, and magnesium bis (acetylacetonate).
  • Examples of the organic zinc compound include zinc bis (ethyl acetoacetate), zinc acetylacetonate, zinc bis-2-ethylhexanoate, zinc (meth) acrylate, zinc neodecanoate, zinc acetate, zinc octoate, and zinc salicylate.
  • Examples of the organic copper compound include copper bis (ethyl acetoacetate) and copper bis (acetylacetonate).
  • Examples of the organic nickel compound include nickel bis (ethyl acetoacetate) and nickel bis (acetylacetonate).
  • Examples of the organic chromium compound include chromium tris (ethyl acetoacetate) and chromium tris (acetylacetonate).
  • Examples of the organic cobalt compound include cobalt tris (ethyl acetoacetate) and cobalt tris (acetylacetonate).
  • Examples of the organic iron compound include iron tris (ethyl acetoacetate) and iron tris (acetylacetonate).
  • Examples of the organic indium compound include indium tris (ethyl acetoacetate) and indium tris (acetylacetonate).
  • organic lanthanum compound examples include lanthanum tris (ethyl acetoacetate) and lanthanum tris (acetylacetonate).
  • organic tin compound examples include tin tetrakis (ethyl acetoacetate) and tin tetrakis (acetylacetonate).
  • organic hafnium compounds include hafnium n-butoxide, hafnium t-butoxide, hafnium ethoxide, hafnium isopropoxide, hafnium isopropoxide monoisopropylate, hafnium acetylacetonate, and tetrakis (dimethylamino) hafnium.
  • the component (G) is preferably at least one metal-based condensation reaction catalyst selected from the group consisting of organoaluminum compounds, organotitanium compounds, organozirconium compounds, organozinc compounds, and organoiron compounds.
  • the content of the component (G) with respect to the present composition is an amount that falls within the range of 20 ppm to 0.1%, an amount that falls within the range of 30 ppm to 0.05%, or 50 ppm to 0. The amount is preferably within the range of 03%.
  • this composition may contain an adhesion promoter.
  • an adhesion promoter an organosilicon compound having at least one alkoxy group bonded to a silicon atom in one molecule is preferable.
  • alkoxy group examples include a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, and a methoxyethoxy group, and a methoxy group or an ethoxy group is particularly preferable.
  • group other than the alkoxy group bonded to the silicon atom of the organosilicon compound include halogen-substituted or unsubstituted groups similar to those described above, such as an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group, and a halogenated alkyl group.
  • Valent hydrocarbon group such as 3-glycidoxypropyl group and 4-glycidoxybutyl group; 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group, and 3- (3,4- Epoxycyclohexyl) propyl group such as cyclohexyl alkyl group; 4-oxiranylbutyl group and oxiranylalkyl group such as 8-oxiranyloctyl group; acrylic group-containing monovalent organic group such as 3-methacryloxypropyl group Examples are a group; an isocyanate group; an isocyanurate group; and a hydrogen atom.
  • This organosilicon compound preferably has an aliphatic unsaturated hydrocarbon group or a group capable of reacting with a silicon atom-bonded hydrogen atom in the present composition, specifically, a silicon atom-bonded aliphatic unsaturated hydrocarbon group or It preferably has a silicon atom-bonded hydrogen atom.
  • the content of the adhesion promoter is not limited, but is preferably in the range of 0.01 to 10 parts by mass or in the range of 0.1 to 3 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the present composition.
  • the present composition may contain a phosphor as another optional component.
  • oxide phosphors include yttrium, aluminum, and garnet-based YAG-based green to yellow light-emitting phosphors containing cerium ions, terbium, aluminum, garnet-based TAG-based yellow light-emitting phosphors including cerium ions, and Examples include silicate green to yellow light emitting phosphors containing cerium and europium ions.
  • the oxynitride phosphor include silicon, aluminum, oxygen, and nitrogen sialon red to green light emitting phosphors containing europium ions.
  • nitride-based phosphors include calcium, strontium, aluminum, silicon, and nitrogen-based casoon-based red light-emitting phosphors containing europium ions.
  • sulfide-based phosphors include ZnS-based green color phosphors including copper ions and aluminum ions.
  • oxysulfide phosphors include Y 2 O 2 S red light-emitting phosphors containing europium ions.
  • the content of the phosphor is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.1 to 70% by mass or in the range of 1 to 20% by mass in the present composition.
  • one or more inorganic fillers selected from silica, glass, alumina and the like; silicone rubber powder; silicone resin, And resin powder such as polymethacrylate resin; one or more components selected from heat-resistant agents, dyes, pigments, flame retardants, surfactants, solvents and the like may be contained.
  • the composition is cured at room temperature or by heating, but is preferably heated in order to cure rapidly. The heating temperature is preferably in the range of 50 to 200 ° C.
  • the composition is preferably cured to form a cured product having a type A durometer hardness of 15 to 99 or 30 to 95 as defined in JIS K 6253.
  • the optical semiconductor device of the present invention is characterized in that the optical semiconductor element is sealed, covered, or adhered with a cured product of the above composition.
  • the optical semiconductor element examples include a light emitting diode (LED), a semiconductor laser, a photodiode, a phototransistor, a solid-state imaging, a photocoupler light emitter and a light receiver, and a light emitting diode (LED) is particularly preferable.
  • the light emitting diode (LED) emits light from the top, bottom, left and right of the optical semiconductor element. Therefore, it is not preferable that the components constituting the light emitting diode (LED) absorb light, and the light transmittance is high or the reflectance is high. Material is preferred. Therefore, the substrate on which the optical semiconductor element is mounted is also preferably made of a material having high light transmittance or high reflectance.
  • a substrate on which such an optical semiconductor element is mounted for example, a conductive metal such as silver, gold, and copper; a nonconductive metal such as aluminum and nickel; and a heat mixed with a white pigment such as PPA and LCP
  • a conductive metal such as silver, gold, and copper
  • a nonconductive metal such as aluminum and nickel
  • a heat mixed with a white pigment such as PPA and LCP
  • plastic resins thermosetting resins containing white pigments such as epoxy resins, BT resins, polyimide resins, and silicone resins
  • ceramics such as alumina and alumina nitride. Since the curable silicone composition has good thermal shock resistance to the optical semiconductor element and the substrate, the obtained optical semiconductor device can exhibit good reliability.
  • a cross-sectional view of a surface-mounted LED as an example of the optical semiconductor device of the present invention is shown in FIG. In the LED shown in FIG.
  • the optical semiconductor element 1 is die-bonded on a lead frame 2, and the optical semiconductor element 1 and the lead frame 3 are wire-bonded by bonding wires 4.
  • a light reflecting material 5 is formed around the optical semiconductor element 1, and the optical semiconductor element 1 inside the light reflecting material 5 is sealed with a cured product 6 of the curable silicone composition.
  • an optical semiconductor element 1 is die-bonded on a lead frame 2 inside a light reflecting material 5, and the optical semiconductor element 1 and the lead frame 3 are made of gold.
  • An example is a method in which wire bonding is performed with the bonding wire 4 and then the optical semiconductor element 1 is resin-sealed with the curable silicone composition.
  • the curable silicone composition and optical semiconductor device of the present invention will be described in detail with reference to examples and comparative examples.
  • the hardness of the cured product of the curable silicone composition was measured as follows. [Hardness] The curable silicone composition was press-molded at 150 ° C. for 5 minutes at a pressure of 5 MPa to produce a sheet-like cured product. The hardness of the sheet-like cured product was measured with a type A durometer specified in JIS K 6253. Moreover, the optical semiconductor device shown by FIG. 1 was produced by heating for 5 minutes at 150 degreeC using the curable silicone composition. By measuring the radiant flux of this optical semiconductor device, the sulfidation resistance and the peel resistance of the curable silicone composition for this optical semiconductor device were measured as follows.
  • Vi represents a vinyl group
  • Me represents a methyl group.
  • SiH / Vi is the total number of moles of silicon-bonded hydrogen atoms in component (B) relative to the total of 1 mole of vinyl groups in component (A) in the curable silicone composition. Indicates. The following components were used as the component (A).
  • the viscosity is a value at 25 ° C., and was measured using a B-type viscometer according to JIS K 7117-1.
  • component (C) the following components were used.
  • component 1H-tetrazole-1-acetic acid
  • component 1H-tetrazole-5-acetic acid
  • component 1,5-pentamethylenetetrazole
  • component benzimidazole
  • component 2-mercaptobenzothiazole
  • component (E) 1-ethynylcyclohexane-1-ol was used.
  • a zinc oxide powder having a mass average particle diameter of 0.5 ⁇ m and surface-coated with SiO 2 is further coated with a trimethylsiloxy group-blocked dimethylsiloxane / methylhydrogensiloxane having a viscosity of 20 mPa ⁇ s.
  • Zinc oxide fine powder surface-treated with a copolymer was used.
  • acetoalkoxyaluminum diisopropylate was used. From Table 1, it was shown that the cured products of the curable silicone compositions of Examples 1 to 8 had high sulfidation resistance.
  • the curable silicone composition of the present invention is useful as a sealant or adhesive for optical semiconductor elements such as light-emitting diodes (LEDs), semiconductor lasers, photodiodes, phototransistors, solid-state imaging, photocouplers, and photocouplers. It is.
  • the optical semiconductor device of the present invention is useful as an optical semiconductor device such as an optical device, an optical device, a lighting device, and a lighting device.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

空気中の硫黄含有ガスによる、光半導体装置における銀電極や銀メッキされた基板の変色を抑制する硬化物を形成する、（Ａ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、（Ｃ）テトラゾール系化合物、および（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒から少なくともなる光半導体素子を封止、被覆、または接着するためのヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物。また、光半導体素子が前記組成物の硬化物により封止、被覆、または接着されている、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や銀メッキされた基板の変色が抑制されている光半導体装置。

Description

硬化性シリコーン組成物および光半導体装置
　本発明は、硬化性シリコーン組成物、および該組成物を用いた光半導体装置に関する。
　光半導体装置における光半導体素子を封止、被覆、または接着するため、ヒドロシリル化反応で硬化する硬化性シリコーン組成物が用いられている。このような硬化性シリコーン組成物として、特開２０００−１９８９３０号公報には、一分子中にケイ素原子結合アルケニル基を少なくとも２個有するジオルガノポリシロキサン、ビニル基を有するレジン構造のオルガノポリシロキサン、一分子中にケイ素原子結合水素原子を少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、および白金族金属系触媒からなる硬化性シリコーン組成物が提案されている。
　しかし、このような硬化性シリコーン組成物は、空気中の硫化水素等の硫黄含有ガスによる光半導体装置中の銀電極や銀メッキされた基板の変色を十分に抑制できないという課題がある。
　一方、特開平１１−２９７０９号公報には、シリコーン硬化物に難燃性を付与するため、アミノ基、アミド基、カルボニル基、カルボキシル基、およびチオール基から選ばれる少なくとも１種の官能基を有するテトラゾール化合物を含有する硬化性シリコーン組成物が提案され、この硬化機構として、ヒドロシリル化反応も例示されている。
　しかし、特開平１１−２９７０９号公報には、このような硬化性シリコーン組成物を電気・電子部品に用いることができると記載されているものの、光半導体素子の封止、被覆、または接着の用途については示唆されていなかった。
特開２０００−１９８９３０号公報 特開平１１−２９７０９号公報
　本発明の目的は、空気中の硫黄含有ガスによる、光半導体装置における銀電極や銀メッキされた基板の変色を抑制する硬化物を形成する硬化性シリコーン組成物を提供することにある。また、本発明の他の目的は、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や銀メッキされた基板の変色が抑制されている光半導体装置を提供することにある。
　本発明の硬化性シリコーン組成物は、光半導体素子を封止、被覆、または接着するためのヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物であって、
（Ａ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン｛（Ａ）成分中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０．１~１０モルとなる量｝、
（Ｃ）テトラゾール系化合物（本組成物に対して、質量単位で１ｐｐｍ~０．５％となる量）、および
（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物の硬化を促進する量）
から少なくともなることを特徴とする。
　上記（Ａ）成分は、（Ａ−１）一般式：
Ｒ１ ３ＳｉＯ（Ｒ１ ２ＳｉＯ）ｍＳｉＲ１ ３
（式中、Ｒ１は同じかまたは異なる一価炭化水素基、ただし、一分子中、少なくとも２個のＲ１はアルケニル基であり、ｍは５~１，０００の整数である。）
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサンおよび／または（Ａ−２）平均単位式：
（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ａ（Ｒ１ ２ＳｉＯ２／２）ｂ（Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２）ｃ（ＳｉＯ４／２）ｄ（ＸＯ１／２）ｅ
（式中、Ｒ１は前記と同じであり、ただし、Ｒ１の合計の０．０１~５０モル％はアルケニル基であり、Ｘは水素原子またはアルキル基であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅは、０≦ａ≦１．０、０≦ｂ≦１．０、０≦ｃ＜０．９、０≦ｄ＜０．５、０≦ｅ＜０．４、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０を満たす数である。）
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
　上記（Ｃ）成分は、１Ｈ−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸エチル、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸エチル、１−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−プロピル−１Ｈ−テトラゾール、１−ブチル−１Ｈ−テトラゾール、１−ペンチル−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、１，５−ジメチル−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−５−フェニルテトラゾール、１，５−ジフェニル−１Ｈ−テトラゾール、１，５−トリメチレン−１Ｈ−テトラゾール、１，５−テトラメチレン−１Ｈ−テトラゾール、１，５−ペンタメチレン−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−ベンジル−１Ｈ−テトラゾール、５−メトキシ−１Ｈ−テトラゾール、および２Ｈ−テトラゾール−２−酢酸からなる群より選択される少なくとも１種のテトラゾール系化合物であることが好ましい。
　本発明の光半導体装置は、光半導体素子が上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物により封止、被覆、または接着されていることを特徴とし、上記光半導体素子は発光ダイオードであることが好ましい。
　本発明の硬化性シリコーン組成物は、空気中の硫黄含有ガスによる光半導体装置中の銀電極や銀メッキされた基板の変色を抑制する硬化物を形成するという特徴がある。また、本発明の光半導体装置は、空気中の硫黄含有ガスによる銀電極や銀メッキされた基板の変色が抑制されているという特徴がある。
　図１は、本発明の光半導体装置の一例であるＬＥＤの断面図である。
　はじめに、本発明の硬化性シリコーン組成物について詳細に説明する。
　（Ａ）成分は本組成物の主剤である、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。このアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基等の炭素数が２~１２個のアルケニル基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、（Ａ）成分中のアルケニル基以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数が１~１２個のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数が６~２０個のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等の炭素数が７~２０個のアラルキル基；これらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。なお、（Ａ）成分中のケイ素原子には、本発明の目的を損なわない範囲で、少量の水酸基やメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基を有していてもよい。
　（Ａ）成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、環状、および三次元網状構造が例示される。（Ａ）成分は、これらの分子構造を有する１種のオルガノポリシロキサン、あるいはこれらの分子構造を有する２種以上のオルガノポリシロキサン混合物であってもよい。
　このような（Ａ）成分は、（Ａ−１）一般式：
Ｒ１ ３ＳｉＯ（Ｒ１ ２ＳｉＯ）ｍＳｉＲ１ ３
で表される直鎖状のオルガノポリシロキサンおよび／または（Ａ−２）平均単位式：
（Ｒ１ＳｉＯ３／２）ａ（Ｒ１ ２ＳｉＯ２／２）ｂ（Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２）ｃ（ＳｉＯ４／２）ｄ（ＸＯ１／２）ｅ
で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
　（Ａ−１）成分において、式中、Ｒ１は同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、前記と同様のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、およびこれらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。ただし、一分子中、少なくとも２個のＲ１はアルケニル基である。また、式中、ｍは５~１，０００の整数であり、好ましくは、５０~１，０００の整数あるいは１００~１，０００の整数である。
　このような（Ａ−１）成分としては、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルビニルシロキサン・メチルフェニルシロキサン共重合体、およびこれらの２種以上の混合物が例示される。
　また、（Ａ−２）成分において、式中、Ｒ１は同じかまたは異なる一価炭化水素基であり、前記と同様のアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、およびこれらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。ただし、Ｒ１の合計の０．０１~５０モル％、０．０５~４０モル％、あるいは０．０９~３２モル％がアルケニル基であることが好ましい。これは、アルケニル基の割合が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物の硬化性が良好であるからであり、一方、アルケニル基の割合が上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的特性が良好であるからである。なお、アルケニル基の含有量は、例えば、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）、核磁気共鳴（ＮＭＲ）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）等の分析によって求めることができる。
　また、式中、Ｘは水素原子またはアルキル基である。このアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数が１~１２個のアルキル基が例示され、好ましくは、炭素数１~３のアルキル基である。
　また、式中、ａは、式：Ｒ１ＳｉＯ３／２で表されるシロキサン単位の割合を示す、０≦ａ≦１．０を満たす数であり、ｂは、式：Ｒ１ ２ＳｉＯ２／２で表されるシロキサン単位の割合を示す、０≦ｂ≦１．０を満たす数であり、ｃは、式：Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２で表されるシロキサン単位の割合を示す、０≦ｃ＜０．９を満たす数であり、ｄは、式：ＳｉＯ４／２で表されるシロキサン単位の割合を示す、０≦ｄ＜０．５を満たす数である。ただし、式中、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０である。また、ｅはケイ素原子に結合する水酸基またはアルコキシ基の割合を示す、０≦ｅ＜０．４を満たす数である。
　（Ａ）成分として、（Ａ−１）成分単独、（Ａ−２）成分単独、あるいは（Ａ−１）成分と（Ａ−２）成分の混合物を用いることができる。（Ａ−１）成分と（Ａ−２）成分の混合物を用いる場合、得られる組成物の取扱性が良好であることから、（Ａ−２）成分の含有量は、（Ａ−１）成分と（Ａ−２）成分の合計量の９０質量％以下あるいは６０質量％以下であることが好ましい。また、得られる硬化物の機械的特性が良好であることから、（Ａ−２）成分の含有量は、（Ａ−１）成分と（Ａ−２）成分の合計量の少なくとも１０質量％であることが好ましい。
　（Ａ）成分は２５℃で液状または固体状である。（Ａ）成分が２５℃で液状である場合、その２５℃の粘度は１~１，０００，０００ｍＰａ・ｓの範囲内であるいは１０~１，０００，０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。なお、この粘度は、例えば、ＪＩＳ　Ｋ７１１７−１に準拠したＢ型粘度計を用いた測定により求めることができる。
　（Ｂ）成分は本組成物の架橋剤である、一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンである。（Ｂ）成分中の水素原子以外のケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等の炭素数が１~１２個のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等の炭素数が６~２０個のアリール基；ベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基等の炭素数が７~２０個のアラルキル基；これらの基の水素原子の一部または全部をフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子で置換した基が例示される。なお、（Ｂ）成分中のケイ素原子には、本発明の目的を損なわない範囲で、少量の水酸基やメトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基を有していてもよい。
　（Ｂ）成分の分子構造としては、直鎖状、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、環状、および三次元網状構造が例示され、好ましくは、一部分岐を有する直鎖状、分岐鎖状、または三次元網状構造である。
　（Ｂ）成分は２５℃で固体状または液状である。（Ｂ）成分が２５℃で液状である場合、その２５℃の粘度は１０，０００ｍＰａ・ｓ以下、０．１~５，０００ｍＰａ・ｓの範囲内、あるいは０．５~１，０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが好ましい。なお、この粘度は、例えば、ＪＩＳ　Ｋ７１１７−１に準拠したＢ型粘度計を用いた測定により求めることができる。
　このような（Ｂ）成分としては、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）メチルシラン、トリス（ジメチルハイドロジェンシロキシ）フェニルシラン、１−グリシドキシプロピル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１，５−グリシドキシプロピル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、１−グリシドキシプロピル−５−トリメトキシシリルエチル−１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン、分子鎖両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン共重合体、分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンシロキサン・ジフェニルシロキサン・ジメチルシロキサン共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位とからなる共重合体、（ＣＨ３）２ＨＳｉＯ１／２単位とＳｉＯ４／２単位と（Ｃ６Ｈ５）ＳｉＯ３／２単位とからなる共重合体、およびこれらの２種以上の混合物が例示される。
　（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０．１~１０モルとなる量であり、好ましくは、０．５~５モルとなる量である。これは、（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的特性が良好であり、一方、上記範囲の下限以上であると、得られる組成物の硬化性が良好であるからである。なお、（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子の含有量は、例えば、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）、核磁気共鳴（ＮＭＲ）、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）等の分析によって求めることができる。
　（Ｃ）成分は、本組成物の硬化物に耐硫化性を付与するためのテトラゾール系化合物である。（Ｃ）成分としては、本組成物の硬化阻害をより起こし難いことから、アミノ基やチオール基等の官能基を有さないテトラゾール系化合物が好ましく、具体的には、１Ｈ−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸エチル、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸エチル、１−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−プロピル−１Ｈ−テトラゾール、１−ブチル−１Ｈ−テトラゾール、１−ペンチル−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、１，５−ジメチル−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−５−フェニルテトラゾール、１，５−ジフェニル−１Ｈ−テトラゾール、１，５−トリメチレン−１Ｈ−テトラゾール、１，５−テトラメチレン−１Ｈ−テトラゾール、１，５−ペンタメチレン−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−ベンジル−１Ｈ−テトラゾール、５−メトキシ−１Ｈ−テトラゾール、および２Ｈ−テトラゾール−２−酢酸が例示される。（Ｃ）成分として、このようなテトラゾール系化合物を１種もしくは２種以上組合せて使用してもよい。
　（Ｃ）成分の含有量は、本組成物中に質量単位で１ｐｐｍ~０．５％の範囲内となる量であり、好ましくは、５ｐｐｍ~０．３％の範囲内あるいは１０ｐｐｍ~０．１％の範囲内となる量である。これは、（Ｃ）の含有量が上記範囲の下限以上であると、耐硫化性を十分付与できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の硬化性が低下せず、また、得られる硬化物の物性が低下しないからである。
　（Ｄ）成分は本組成物の硬化を促進するためのヒドロシリル化反応用触媒である。（Ｄ）成分としては、白金族元素触媒、白金族元素化合物触媒が例示され、具体的には、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒、およびこれらの少なくとも２種の組み合わせが例示され、特に、本組成物の硬化を著しく促進できることから、白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、白金黒、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール変性物、塩化白金酸とジオレフィンの錯体、白金−オレフィン錯体、白金ビス（アセトアセテート）、白金ビス（アセチルアセトネート）等の白金−カルボニル錯体、塩化白金酸−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体、塩化白金酸−テトラビニルテトラメチルシクロテトラシロキサン錯体等の塩化白金酸−アルケニルシロキサン錯体、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体、白金−テトラビニルテトラメチルシクロテトラシロキサン錯体等の白金−アルケニルシロキサン錯体、塩化白金酸とアセチレンアルコール類との錯体、およびこれらの２種以上の混合物が例示され、特に、本組成物の硬化を促進できることから、白金−アルケニルシロキサン錯体であることが好ましい。
　白金−アルケニルシロキサン錯体に用いられるアルケニルシロキサンとしては、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等で置換したアルケニルシロキサンオリゴマー、およびこれらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等で置換したアルケニルシロキサンオリゴマーが例示され、特に、生成する白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性が良好であることから、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンであることが好ましい。
　また、白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性を向上させるため、これらの白金−アルケニルシロキサン錯体を、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジアリル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジビニル−１，３−ジメチル−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、および１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等のアルケニルシロキサンオリゴマーやジメチルシロキサンオリゴマー等のオルガノシロキサンオリゴマーに溶解していることが好ましく、特に、アルケニルシロキサンオリゴマーに溶解していることが好ましい。
　（Ｄ）成分の含有量は本組成物の硬化を促進する量であり、具体的には、本組成物に対して、（Ｄ）成分中の触媒金属原子が質量単位で０．０１~５００ｐｐｍの範囲内となる量、０．０１~１００ｐｐｍの範囲内となる量、あるいは０．１~５０ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。これは、（Ｄ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物の硬化性が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の着色が抑えられるからである。
　本組成物には、常温での可使時間を延長し、保存安定性を向上させるため（Ｅ）ヒドロシリル化反応抑制剤を含有してもよい。（Ｅ）成分としては、１−エチニルシクロヘキサン−１−オール、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、および２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、および３，５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、および１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン等のメチルアルケニルシロキサンオリゴマー；ジメチルビス（３−メチル−１−ブチン−３−オキシ）シラン、およびメチルビニルビス（３−メチル−１−ブチン−３−オキシ）シラン等のアルキンオキシシラン；およびトリアリルイソシアヌレート系化合物が例示される。
　（Ｅ）成分の含有量は限定されないが、本組成物１００質量部に対して０．０００１~５質量部の範囲内あるいは０．０１~３質量部の範囲内であることが好ましい。
　本組成物には、得られる硬化物にさらなる耐硫化性を付与するため、（Ｆ）酸化亜鉛または炭酸亜鉛を含有してもよい。（Ｆ）成分としては、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物および／または水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末、アルケニル基を有さない有機ケイ素化合物で表面処理された酸化亜鉛微粉末、および炭酸亜鉛の水和物微粉末からなる群より選ばれる、質量平均粒子径が０．１ｎｍ~５μｍである少なくとも一種の微粉末であることが好ましい。なお、この質量平均粒子径は、レーザー回折・散乱法等により測定することができる。本発明に係る「質量平均粒子径」は、粒度分布を測定して得られた、累積質量が５０％であるときの粒子径（Ｄ５０）を意味する。
　酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末において、希土類元素としては、イットリウム、セリウム、ユーロピウムが例示される。酸化亜鉛微粉末の表面の酸化物としては、Ａｌ２Ｏ３、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、Ｓｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔｉ３Ｏ５、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｅｕ２Ｏ３、およびこれらの酸化物の２種以上の混合物、さらには、Ａｌ２Ｏ３・ｎＨ２Ｏ、Ｆｅ２Ｏ３・ｎＨ２Ｏ、Ｆｅ３Ｏ４・ｎＨ２Ｏ、Ｓｂ２Ｏ３・ｎＨ２Ｏ、ＳｉＯ２・ｎＨ２Ｏ、ＴｉＯ２・ｎＨ２Ｏ、ＺｒＯ２・ｎＨ２Ｏ、ＣｅＯ２・ｎＨ２Ｏ等の酸化物の水和物が例示され、好ましくは、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２である。なお、ｎは、通常、正の整数であるが、脱水の程度によりｎは必ずしも整数をとるとは限らない。
　水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末において、希土類元素としては、イットリウム、セリウム、ユーロピウムが例示される。酸化亜鉛微粉末の表面の水酸化物としては、Ａｌ（ＯＨ）３、Ｃｕ（ＯＨ）２、Ｆｅ（ＯＨ）３、Ｔｉ（ＯＨ）４、Ｚｒ（ＯＨ）３、Ｙ（ＯＨ）３、Ｃｅ（ＯＨ）３、Ｃｅ（ＯＨ）４、およびこれらの酸化物の２種以上の混合物、さらには、Ｃｅ（ＯＨ）３・ｎＨ２Ｏ等の酸化物の水和物が例示され、好ましくはＡｌ（ＯＨ）３である。なお、ｎは、通常、正の整数であるが、脱水の程度によりｎは必ずしも整数をとるとは限らない。
　なお、上記酸化物により表面被膜された酸化亜鉛は、上記水酸化物によりさらに表面被覆されてもよく、また、上記他の酸化物によりさらに表面被覆されてもよい。また、上記水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛は、上記酸化物によりさらに表面被覆されてもよく、また、上記他の水酸化物によりさらに表面被覆されてもよい。また、（Ｆ）成分は、上記酸化物と上記水酸化物により表面被膜された酸化亜鉛であってもよい。例えば、酸化物と水酸化物との組合せとしては、Ａｌ２Ｏ３とＡｌ（ＯＨ）３の組合せ、ＳｉＯ２とＡｌ（ＯＨ）３の組合せが例示される。
　有機ケイ素化合物で表面処理された酸化亜鉛微粉末において、この有機ケイ素化合物はアルケニル基を有さないものであり、オルガノシラン、オルガノシラザン、ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、およびオルガノシロキサンオリゴマーが例示され、具体的には、トリメチルクロロシラン、ジメチルクロロシラン、メチルトリクロロシラン等のオルガノクロロシラン；メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、のオルガノトリアルコキシシラン；ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のジオルガノジアルコキシシラン；トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のトリオルガノアルコキシシラン；これらのオルガノアルコキシシランの部分縮合物；ヘキサメチルジシラザン等のオルガノシラザン；ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、シラノール基もしくはアルコキシ基を有するオルガノシロキサンオリゴマー、Ｒ８ＳｉＯ３／２単位（式中、Ｒ８は、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基；フェニル基等のアリール基で例示されるアルケニル基を除く一価炭化水素基である。）やＳｉＯ４／２単位からなり、シラノール基またはアルコキシ基を有するレジン状オルガノポリシロキサンが例示される。
　また、上記酸化亜鉛微粉末には、さらなる表面処理をしてもよい。例えば、ステアリン酸などの高級脂肪酸やその金属石鹸、パルミチン酸オクチル等の高級脂肪酸エステル、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等の多価アルコール類、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアミン化合物が挙げられる。さらに、アルキルチタネート、アルキルアルミネート、アルキルジルコネート等のカップリング剤や、パーフルオロアルキルシラン、パーフルオロアルキルリン酸エステル等のフッ素系有機化合物を使用することもできる。
　炭酸亜鉛の水和物微粉末は、炭酸亜鉛に水が結合した化合物であり、１０５℃、３時間の加熱条件における質量減少率が０．１質量％以上であるものが好ましい。
　（Ｆ）成分の含有量は、本組成物に対して、質量単位で０．０００１~１０％の範囲内の量あるいは０．０００１~５％の範囲内の量であることが好ましい。これは、（Ｆ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、硫黄含有ガスによる光半導体装置における銀電極や銀メッキされた基板の変色を十分に抑制するからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の流動性を損なわないからである。
　本組成物には、得られる硬化物に耐剥離性を付与するため、（Ｇ）金属系縮合反応触媒を含有してもよい。（Ｇ）成分としては、有機アルミニウム化合物、有機チタン化合物、有機ジルコニウム化合物、有機マグネシウム化合物、有機亜鉛化合物、有機銅化合物、有機ニッケル化合物、有機クロム化合物、有機コバルト化合物、有機鉄化合物、有機インジウム化合物、有機ランタン化合物、有機錫化合物、有機ハフニウム化合物、およびこれらの２種以上の混合物が例示される。
　有機アルミニウム化合物としては、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、イソプロポキシアルミニウム、イソプロポキシジエトキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム等のアルコキシ化合物；トリアセトキシアルミニウム、トリステアラートアルミニウム、トリブチラートアルミニウム等のアシロオキシ化合物；アルミニウムイソプロピレート、アルミニウムｓｅｃ−ブチレート、アルミニウムｔｅｒｔ−ブチレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、トリス（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリス（ｎ−プロピルアセトアセテート）アルミニウム、トリス（ｉｓｏ−プロピルアセトアセテート）アルミニウム、トリス（ｎ−ブチルアセトアセテート）アルミニウム、トリスサリチルアルデヒドアルミニウム、トリス（２−エトキシカルボニルフェノラート）アルミニウム、トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム等のキレート化合物が例示される。
　有機チタン化合物としては、テトラエトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラブチロキシチタン等のテトラアルコキシチタン；チタン酸テトラエチレングリコール、チタン酸ジ−ｎ−ブチルビス（トリエタノールアミン）、ビス（アセチルアセトン）酸ジ−イソプロポキシチタン、オクタン酸イソプロポキシチタン、トリメタクリル酸イソプロピルチタン、トリアクリル酸イソプロピルチタン、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリ（ブチル、メチルピロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルジ（ジラウリルホスファイト）チタネート、ジメタクリルオキシアセテートチタネート、ジアクリルオキシアセテートチタネート、ジ（ジオクチルホスフェート）エチレンチタネート、トリ（ジオクチルリン酸）イソプロポキシチタン、イソプロピルトリス（ジオクチルピロホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ−トリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルピロホスフェート）オキシアセテートチタネート、トリス（ジオクチルピロホスフェート）エチレンチタネート、イソプロピルトリ−ｎ−ドデシルベンゼンスルホニルチタネート、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリロイルイソステアロイルチタネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチタネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェート）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル−アミノエチル）チタネートが例示される。
　有機ジルコニウム化合物としては、ジルコニウムｎ−プロポキシド、ジルコニウムｎ−ブトキシド、ジルコニウムｔ−ブトキシド、ジルコニウムイソプロポキシド、ジルコニウムエトキシド、ジルコニルアセテート、ジルコニウムアセチルアセトナート、ジルコニウムブトキシアセチルアセトナート、ジルコニウムビスアセチルアセトナート、ジルコニウムエチルアセトアセテート、ジルコニウムアセチルアセトナートビスエチルアセトアセテート、ジルコニウムヘキサフルオロアセチルアセトナート、ジルコニウムトリフルオロアセチルアセトナートが例示される。
　有機マグネシウム化合物としては、エチルアセトアセテートマグネシウムモノイソプロピレート、マグネシウムビス（エチルアセトアセテート）、アルキルアセトアセテートマグネシウムモノイソプロピレート、マグネシウムビス（アセチルアセトナート）が例示される。
　有機亜鉛化合物としては、亜鉛ビス（エチルアセトアセテート）、亜鉛アセチルアセトナート、亜鉛ビス２−エチルヘキサノアート、亜鉛（メタ）アクリレート、亜鉛ネオデカノエート、亜鉛アセテート、亜鉛オクトエート、亜鉛サリチレートが例示される。
　有機銅化合物としては、銅ビス（エチルアセトアセテート）、銅ビス（アセチルアセトナート）が例示される。
　有機ニッケル化合物としては、ニッケルビス（エチルアセトアセテート）、ニッケルビス（アセチルアセトナート）が例示される。
　有機クロム化合物としては、クロムトリス（エチルアセトアセテート）、クロムトリス（アセチルアセトナート）が例示される。
　有機コバルト化合物としては、コバルトトリス（エチルアセトアセテート）、コバルトトリス（アセチルアセトナート）が例示される。
　有機鉄化合物としては、鉄トリス（エチルアセトアセテート）、鉄トリス（アセチルアセトナート）が例示される。
　有機インジウム化合物としては、インジウムトリス（エチルアセトアセテート）、インジウムトリス（アセチルアセトナート）が例示される。
　有機ランタン化合物としては、ランタントリス（エチルアセトアセテート）、ランタントリス（アセチルアセトナート）が例示される。
　有機錫化合物としては、錫テトラキス（エチルアセトアセテート）、錫テトラキス（アセチルアセトナート）が例示される。
　有機ハフニウム化合物としては、ハフニウムｎ−ブトキシド、ハフニウムｔ−ブトキシド、ハフニウムエトキシド、ハフニウムイソプロポキシド、ハフニウムイソプロポキシドモノイソプロピレート、ハフニウムアセチルアセナート、テトラキス（ジメチルアミノ）ハフニウムが例示される。
　特に、（Ｇ）成分は、有機アルミニウム化合物、有機チタン化合物、有機ジルコニウム化合物、有機亜鉛化合物、および有機鉄化合物からなる群から選択される少なくとも１種の金属系縮合反応触媒であることが好ましい。
　（Ｇ）成分の含有量は、本組成物に対して、質量単位で２０ｐｐｍ~０．１％の範囲内となる量、３０ｐｐｍ~０．０５％の範囲内となる量、あるいは５０ｐｐｍ~０．０３％の範囲内となる量であることが好ましい。これは、（Ｇ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、吸湿リフローに対する剥離を十分に抑制できるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の保存安定性が向上するからである。
　また、本組成物には、硬化中に接触している基材への接着性を更に向上させるために、接着促進剤を含有してもよい。この接着促進剤としては、ケイ素原子に結合したアルコキシ基を一分子中に１個以上有する有機ケイ素化合物が好ましい。このアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、およびメトキシエトキシ基等が例示され、特に、メトキシ基またはエトキシ基が好ましい。また、この有機ケイ素化合物のケイ素原子に結合するアルコキシ基以外の基としては、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、およびハロゲン化アルキル基等の前記と同様のハロゲン置換もしくは非置換の一価炭化水素基；３−グリシドキシプロピル基、および４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、および３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基等のエポキシシクロヘキシルアルキル基；４−オキシラニルブチル基、および８−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基；３−メタクリロキシプロピル基等のアクリル基含有一価有機基；イソシアネート基；イソシアヌレート基；並びに水素原子が例示される。この有機ケイ素化合物は本組成物中の脂肪族不飽和炭化水素基又はケイ素原子結合水素原子と反応し得る基を有することが好ましく、具体的には、ケイ素原子結合脂肪族不飽和炭化水素基またはケイ素原子結合水素原子を有することが好ましい。
　接着促進剤の含有量は限定されないが、本組成物１００質量部に対して０．０１~１０質量部の範囲内あるいは０．１~３質量部の範囲内であることが好ましい。
　また、本組成物には、その他任意の成分として、蛍光体を含有してもよい。この蛍光体としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）に広く利用されている、酸化物系蛍光体、酸窒化物系蛍光体、窒化物系蛍光体、硫化物系蛍光体、酸硫化物系蛍光体等からなる黄色、赤色、緑色、青色発光蛍光体、およびこれらの少なくとも２種の混合物が例示される。酸化物系蛍光体としては、セリウムイオンを包含するイットリウム、アルミニウム、ガーネット系のＹＡＧ系緑色~黄色発光蛍光体、セリウムイオンを包含するテルビウム、アルミニウム、ガーネット系のＴＡＧ系黄色発光蛍光体、および、セリウムやユーロピウムイオンを包含するシリケート系緑色~黄色発光蛍光体が例示される。酸窒化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するケイ素、アルミニウム、酸素、窒素系のサイアロン系赤色~緑色発光蛍光体が例示される。窒化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するカルシウム、ストロンチウム、アルミニウム、ケイ素、窒素系のカズン系赤色発光蛍光体が例示される。硫化物系蛍光体としては、銅イオンやアルミニウムイオンを包含するＺｎＳ系緑色発色蛍光体が例示される。酸硫化物系蛍光体としては、ユーロピウムイオンを包含するＹ２Ｏ２Ｓ系赤色発光蛍光体が例示される。
　この蛍光体の含有量は特に限定されないが、本組成物中、０．１~７０質量％の範囲内あるいは１~２０質量％の範囲内であることが好ましい。
　また、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他の任意の成分として、シリカ、ガラス、およびアルミナ等から選択される１種以上の無機質充填剤；シリコーンゴム粉末；シリコーン樹脂、およびポリメタクリレート樹脂等の樹脂粉末；耐熱剤、染料、顔料、難燃性付与剤、界面活性剤、溶剤等から選択される１種以上の成分を含有してもよい。
　本組成物は、室温放置や、加熱により硬化が進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。加熱温度は、５０~２００℃の範囲内であることが好ましい。
　本組成物は、硬化して、ＪＩＳ　Ｋ　６２５３に規定されるタイプＡデュロメータ硬さが１５~９９あるいは３０~９５である硬化物を形成することが好ましい。これは、硬化性シリコーン組成物の硬化物の硬さが上記範囲の下限以上であると、強度を有し、これを光半導体素子の封止材または被覆材として用いた場合の保護性が優れるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、硬化物が柔軟となり、耐久性が優れるからである。
　次に、本発明の光半導体装置を詳細に説明する。
　本発明の光半導体装置は、光半導体素子が上記組成物の硬化物により封止、被覆、または接着されていることを特徴とする。この光半導体素子としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザ、フォトダイオード、フォトトランジスタ、固体撮像、フォトカプラー用発光体と受光体が例示され、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ）であることが好ましい。
　発光ダイオード（ＬＥＤ）は、光半導体素子の上下左右から発光が起きるので、発光ダイオード（ＬＥＤ）を構成する部品は、光を吸収するものは好ましくなく、光透過率が高いか、反射率の高い材料が好ましい。そのため、光半導体素子が搭載される基板も、光透過率が高いか、反射率の高い材料が好ましい。こうした光半導体素子が搭載される基板としては、例えば、銀、金、および銅等の導電性金属；アルミニウム、およびニッケル等の非導電性の金属；ＰＰＡ、およびＬＣＰ等の白色顔料を混合した熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂、ポリイミド樹脂、およびシリコーン樹脂等の白色顔料を含有する熱硬化性樹脂；アルミナ、および窒化アルミナ等のセラミックスが例示される。硬化性シリコーン組成物は、光半導体素子および基板に対して耐熱衝撃性が良好であるので、得られる光半導体装置は、良好な信頼性を示すことができる。
　本発明の光半導体装置の一例である表面実装型ＬＥＤの断面図を図１に示した。図１で示されるＬＥＤは、光半導体素子１がリードフレーム２上にダイボンドされ、この光半導体素子１とリードフレーム３とがボンディングワイヤ４によりワイヤボンディングされている。この光半導体素子１の周囲には、光反射材５が形成され、この光反射材５の内側の光半導体素子１は上記の硬化性シリコーン組成物の硬化物６により封止されている。
　図１で示される表面実装型ＬＥＤを製造する方法としては、光反射材５の内側のリードフレーム２上に光半導体素子１をダイボンドし、この光半導体素子１とリードフレーム３とを金製のボンディングワイヤ４によりワイヤボンドし、次いで、光半導体素子１を、上記の硬化性シリコーン組成物で樹脂封止する方法が例示される。
　本発明の硬化性シリコーン組成物および光半導体装置を実施例および比較例により詳細に説明する。なお、硬化性シリコーン組成物の硬化物の硬さは次のようにして測定した。
［硬さ］
　硬化性シリコーン組成物を１５０℃で５分間、５ＭＰａの圧力でプレス成形することによりシート状の硬化物を作製した。このシート状の硬化物の硬さをＪＩＳ　Ｋ　６２５３に規定されるタイプＡデュロメータにより測定した。
　また、硬化性シリコーン組成物を用いて、１５０℃で５分間加熱することにより、図１で示される光半導体装置を作製した。この光半導体装置の放射束の測定により耐硫化性、およびこの光半導体装置に対する硬化性シリコーン組成物の耐剥離性を次のようにして測定した。
［耐硫化性］
　光半導体装置について、積分球を用いた全放射束測定装置を使用して初期放射束測定を行い、初期の光取り出し効率（％）を算出した。次に、この光半導体装置を、硫化ナトリウム六水和物をオートクレーブ中に入れ、５０℃に加熱し、２時間放置した。その後、積分球を用いた全放射束測定装置を使用して放射束測定を行い、２時間後の光取り出し効率（％）を算出した。
［初期の剥離率］
　光半導体装置２０個について、リードフレーム又はワイヤボンディングと該組成物の加熱硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した割合（剥離した個数／２０個）を剥離率とした。
［吸湿リフロー後の剥離率］
　上記光半導体装置２０個を８５Ｃ／８５％ＲＨオーブンに１６８時間保管し、２８０℃のオーブン内に３０秒間置いた後、室温（２５℃）下に戻して、リードフレーム又はワイヤボンディングと該組成物の加熱硬化物間の剥離状態を光学顕微鏡で観察し、剥離した割合（剥離した個数／２０個）を剥離率とした。
［実施例１~８、比較例１~６］
　次の成分を表１に示す組成（質量部）で均一に混合して実施例１~８および比較例１~６の硬化性シリコーン組成物を調製した。なお、式中、Ｖｉはビニル基を表し、Ｍｅはメチル基を示す。また、表１および表２において、ＳｉＨ／Ｖｉは、硬化性シリコーン組成物において、（Ａ）成分中のビニル基の合計１モルに対する、（Ｂ）成分中のケイ素原子結合水素原子の合計モル数を示す。
　（Ａ）成分として、次の成分を用いた。なお、粘度は２５℃における値であり、ＪＩＳ　Ｋ　７１１７−１に準拠してＢ型粘度計を用いて測定した。
（ａ−１−１）成分：粘度３００ｍＰａ・ｓであり、平均式：
Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ（Ｍｅ２ＳｉＯ）１５０ＳｉＭｅ２Ｖｉ
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝０．４８質量％）
（ａ−１−２）成分：粘度１０，０００ｍＰａ・ｓであり、平均式：
Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ（Ｍｅ２ＳｉＯ）５００ＳｉＭｅ２Ｖｉ
で表される分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン（ビニル基の含有量＝０．１５質量％）
（ａ−２−１）成分：２５℃において白色固体状で、トルエン可溶性である、平均単位式：
（Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ１／２）０．１５（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．３８（ＳｉＯ４／２）０．４７（ＨＯ１／２）０．０１
で表される、一分子中に２個以上のビニル基を有するオルガノポリシロキサン（ビニル基の含有量＝５．５質量％；９．４モル％）
（ａ−２−２）成分：２５℃において白色固体状で、トルエン可溶性である、平均単位式：
（Ｍｅ２ＶｉＳｉＯ１／２）０．１３（Ｍｅ３ＳｉＯ１／２）０．４５（ＳｉＯ４／２）０．４２（ＨＯ１／２）０．０１
で表される、一分子中に２個以上のビニル基を有するオルガノポリシロキサン（ビニル基の含有量＝４．７質量％；７．５モル％）
　（Ｂ）成分として、次の成分を用いた。なお、粘度は、２５℃における値であり、ＪＩＳ　Ｋ７１１７−１に準拠してＢ型粘度計を用いて測定した。
（ｂ−１）成分：平均式：
Ｍｅ３ＳｉＯ（ＭｅＨＳｉＯ）５５ＳｉＭｅ３
で表される、粘度２０ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ポリメチルハイドロジェンシロキサン（ケイ素原子結合水素原子含有量＝１．６質量％）
（ｂ−２）成分：平均式：
Ｍｅ３ＳｉＯ（ＭｅＨＳｉＯ）１５ＳｉＭｅ３
で表される、粘度５ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン−メチルハイドロジェンシロキサン共重合体（ケイ素原子結合水素原子の含有量＝１．４２質量％）
　（Ｃ）成分として、次の成分を用いた。
（ｃ−１）成分：１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸
（ｃ−２）成分：１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸
（ｃ−３）成分：１，５−ペンタメチレンテトラゾール
（ｃ−４）成分：１Ｈ−テトラゾール
（ｃ−５）成分：ベンゾイミダゾール
（ｃ−６）成分：２−メルカプトベンゾチアゾール
　（Ｄ）成分として、白金の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体の１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサン溶液（白金金属の含有量＝約６０００ｐｐｍ）を用いた。
　（Ｅ）成分として、１−エチニルシクロヘキサン−１−オールを用いた。
　（Ｆ）成分として、質量平均粒子径が０．５μｍであり、ＳｉＯ２により表面被覆された酸化亜鉛粉末に、さらに粘度２０ｍＰａ・ｓの分子鎖両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体により表面処理された酸化亜鉛微粉末を用いた。
　（Ｇ）成分として、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレートを用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　表１から、実施例１~８の硬化性シリコーン組成物の硬化物は、高い耐硫化性を有することが示された。
　本発明の硬化性シリコーン組成物は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザ、フォトダイオード、フォトトランジスタ、固体撮像、フォトカプラー用発光体と受光体等の光半導体素子の封止剤あるいは接着剤として有用である。また、本発明の光半導体装置は、光学装置、光学機器、照明機器、照明装置等の光半導体装置として有用である。
　１　光半導体素子
　２　リードフレーム
　３　リードフレーム
　４　ボンディングワイヤ
　５　反射材
　６　硬化性シリコーン組成物の硬化物

Claims (12)

  1. 　光半導体素子を封止、被覆、または接着するためのヒドロシリル化反応硬化性シリコーン組成物であって、
    （Ａ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
    （Ｂ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン｛（Ａ）成分中のケイ素原子結合アルケニル基１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０．１~１０モルとなる量｝、
    （Ｃ）テトラゾール系化合物（本組成物に対して、質量単位で１ｐｐｍ~０．５％となる量）、および
    （Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物の硬化を促進する量）
    から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。
  2. 　（Ａ）成分が、（Ａ−１）一般式：
    Ｒ１ ３ＳｉＯ（Ｒ１ ２ＳｉＯ）ｍＳｉＲ１ ３
    （式中、Ｒ１は同じかまたは異なる一価炭化水素基、ただし、一分子中、少なくとも２個のＲ１はアルケニル基であり、ｍは５~１，０００の整数である。）
    で表される直鎖状のオルガノポリシロキサンおよび／または（Ａ−２）平均単位式：
    （Ｒ１ＳｉＯ３／２）ａ（Ｒ１ ２ＳｉＯ２／２）ｂ（Ｒ１ ３ＳｉＯ１／２）ｃ（ＳｉＯ４／２）ｄ（ＸＯ１／２）ｅ
    （式中、Ｒ１は前記と同じであり、ただし、Ｒ１の合計の０．０１~５０モル％はアルケニル基であり、Ｘは水素原子またはアルキル基であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅは、０≦ａ≦１．０、０≦ｂ≦１．０、０≦ｃ＜０．９、０≦ｄ＜０．５、０≦ｅ＜０．４、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１．０を満たす数である。）
    で表される分岐鎖状のオルガノポリシロキサンである、請求項１に記載の硬化性シリコーン組成物。
  3. 　（Ｃ）成分が、１Ｈ−テトラゾール、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸エチル、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸エチル、１−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−プロピル−１Ｈ−テトラゾール、１−ブチル−１Ｈ−テトラゾール、１−ペンチル−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、１，５−ジメチル−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−フェニル−５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、１−メチル−５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−５−フェニルテトラゾール、１，５−ジフェニル−１Ｈ−テトラゾール、１，５−トリメチレン−１Ｈ−テトラゾール、１，５−テトラメチレン−１Ｈ−テトラゾール、１，５−ペンタメチレン−１Ｈ−テトラゾール、５−メチル−１Ｈ−テトラゾール、５−エチル−１Ｈ−テトラゾール、５−フェニル−１Ｈ−テトラゾール、５−ベンジル−１Ｈ−テトラゾール、５−メトキシ−１Ｈ−テトラゾール、および２Ｈ−テトラゾール−２−酢酸からなる群より選択される少なくとも１種のテトラゾール系化合物である、請求項１または２に記載の硬化性シリコーン組成物。
  4. 　さらに、（Ｅ）ヒドロシリル化反応抑制剤を、（Ａ）成分~（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０．０００１~５質量部含有する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物。
  5. 　さらに、（Ｆ）酸化亜鉛または炭酸亜鉛を、（Ａ）成分~（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０．０００１~１０質量部含有する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物。
  6. 　（Ｆ）成分が、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、および希土類元素からなる群より選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物および／または水酸化物により表面被覆された酸化亜鉛微粉末、アルケニル基を有さない有機ケイ素化合物により表面処理された酸化亜鉛微粉末、および炭酸亜鉛の水和物微粉末からなる群より選ばれる、質量平均粒子径が０．１ｎｍ~５μｍである少なくとも一種の微粉末である、請求項５に記載の硬化性シリコーン組成物。
  7. 　（Ｆ）成分が、オルガノシラン、オルガノシラザン、オルガノシロキサンオリゴマー、ポリメチルシロキサン、オルガノハイドロジェンポリシロキサンからなる群より選ばれる少なくとも１種のアルケニル基を有さない有機ケイ素化合物で表面処理された酸化亜鉛微粉末である、請求項６に記載の硬化性シリコーン組成物。
  8. 　（Ｆ）成分が、１０５℃、３時間の加熱における質量減少率が０．１質量％以上である炭酸亜鉛の水和物微粉末である、請求項５または６に記載の硬化性シリコーン組成物。
  9. 　さらに、（Ｇ）金属系縮合反応触媒を、（Ａ）成分~（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０．００２~０．１質量部含有する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物。
  10. 　（Ｇ）成分が、有機アルミニウム化合物、有機チタン化合物、有機ジルコニウム化合物、有機亜鉛化合物、および有機鉄化合物からなる群から選択される少なくとも１種の有機金属化合物である、請求項９に記載の硬化性シリコーン組成物。
  11. 　光半導体素子が請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の硬化性シリコーン組成物の硬化物により封止、被覆、または接着されている光半導体装置。
  12. 　光半導体素子が発光ダイオードである、請求項１１に記載の光半導体装置。
PCT/JP2014/077482 2013-10-17 2014-10-08 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置 WO2015056726A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14854606.2A EP3059768A4 (en) 2013-10-17 2014-10-08 Curable silicone composition, and optical semiconductor device
CN201480066010.3A CN105814702B (zh) 2013-10-17 2014-10-08 可固化有机硅组合物和光半导体装置
JP2015542645A JP6569036B2 (ja) 2013-10-17 2014-10-08 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置
US15/029,910 US9691951B2 (en) 2013-10-17 2014-10-08 Curable silicone composition, and optical semiconductor device
KR1020167012840A KR101688407B1 (ko) 2013-10-17 2014-10-08 경화성 실리콘 조성물 및 광 반도체 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-216854 2013-10-17
JP2013216854 2013-10-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015056726A1 true WO2015056726A1 (ja) 2015-04-23

Family

ID=52828168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/077482 WO2015056726A1 (ja) 2013-10-17 2014-10-08 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9691951B2 (ja)
EP (1) EP3059768A4 (ja)
JP (1) JP6569036B2 (ja)
KR (1) KR101688407B1 (ja)
CN (1) CN105814702B (ja)
TW (1) TWI650378B (ja)
WO (1) WO2015056726A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016208640A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 住友大阪セメント株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂複合体、光半導体発光装置、照明器具及び液晶画像装置
WO2021132345A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 ダウ・東レ株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びその硬化物、保護剤又は接着剤、並びに電気・電子機器

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101911690B1 (ko) * 2012-12-07 2018-10-25 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 경화성 실리콘 조성물 및 광반도체 디바이스
CN112680073A (zh) * 2013-04-10 2021-04-20 宣伟投资管理有限公司 耐酸气涂层
JP6023737B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
CN106317894B (zh) * 2015-06-30 2019-03-29 比亚迪股份有限公司 有机硅组合物、反光涂层及其制备方法与包括其的光伏组件
EP3500629B1 (en) * 2016-08-19 2024-01-31 Dow Toray Co., Ltd. Room temperature curable organopolysiloxane composition for protecting electric/electronic parts
JP7017359B2 (ja) * 2017-09-29 2022-02-08 Hoya株式会社 光半導体装置
KR20200143443A (ko) * 2018-04-16 2020-12-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 유기 el용 투명 건조제 및 그 사용 방법
TW201946976A (zh) 2018-05-11 2019-12-16 美商陶氏有機矽公司 可固化聚矽氧組成物及其固化產物

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1129709A (ja) 1997-07-10 1999-02-02 Toshiba Silicone Co Ltd 難燃性シリコーンゴム組成物およびその硬化物
JP2000198930A (ja) 1998-12-28 2000-07-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコ―ン組成物
JP2000234084A (ja) * 1999-01-12 2000-08-29 Macdermid Inc 高分子物質の金属表面への接着を改良する方法
JP2007002233A (ja) * 2005-05-24 2007-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ・シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに該組成物で封止保護された発光半導体装置
JP2007266343A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2010248413A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
JP2011228589A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Panasonic Corp 光半導体装置用部品ならびにその製造方法
WO2012067153A1 (ja) * 2010-11-17 2012-05-24 横浜ゴム株式会社 シリコーン樹脂組成物、これを用いる、シリコーン樹脂含有構造体、光半導体素子封止体、シリコーン樹脂組成物の使用方法
JP2014156577A (ja) * 2012-05-21 2014-08-28 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用硬化性組成物及びそれを用いた光半導体装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5292586A (en) * 1991-03-26 1994-03-08 General Electric Company Solventless or high solids-containing silicone pressure sensitive adhesive compositions
DE10080144T1 (de) * 1999-02-08 2001-03-22 Asahi Chemical Ind Aromatische Polycarbonatharz-Zusammensetzung
JP2001261963A (ja) * 2000-03-17 2001-09-26 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーンゴム組成物
JP4646357B2 (ja) * 2000-06-08 2011-03-09 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
EP1403326B1 (en) * 2001-05-14 2008-12-03 Dow Corning Toray Co., Ltd. Heat-conductive silicone composition
US20060270808A1 (en) 2005-05-24 2006-11-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy-silicone mixed resin composition, cured article thereof, and light-emitting semiconductor device
JP5053714B2 (ja) * 2007-05-30 2012-10-17 株式会社カネカ 付加型硬化性シリコーン組成物
JP5469874B2 (ja) * 2008-09-05 2014-04-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置
JP2013100464A (ja) * 2011-10-13 2013-05-23 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 導電性シリコーン組成物及びその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1129709A (ja) 1997-07-10 1999-02-02 Toshiba Silicone Co Ltd 難燃性シリコーンゴム組成物およびその硬化物
JP2000198930A (ja) 1998-12-28 2000-07-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコ―ン組成物
JP2000234084A (ja) * 1999-01-12 2000-08-29 Macdermid Inc 高分子物質の金属表面への接着を改良する方法
JP2007002233A (ja) * 2005-05-24 2007-01-11 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ・シリコーン樹脂組成物及びその硬化物、並びに該組成物で封止保護された発光半導体装置
JP2007266343A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2010248413A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
JP2011228589A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Panasonic Corp 光半導体装置用部品ならびにその製造方法
WO2012067153A1 (ja) * 2010-11-17 2012-05-24 横浜ゴム株式会社 シリコーン樹脂組成物、これを用いる、シリコーン樹脂含有構造体、光半導体素子封止体、シリコーン樹脂組成物の使用方法
JP2014156577A (ja) * 2012-05-21 2014-08-28 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用硬化性組成物及びそれを用いた光半導体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3059768A4

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016208640A1 (ja) * 2015-06-24 2016-12-29 住友大阪セメント株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂複合体、光半導体発光装置、照明器具及び液晶画像装置
CN107709465A (zh) * 2015-06-24 2018-02-16 住友大阪水泥股份有限公司 固化性硅酮树脂组合物、硅酮树脂复合体、光半导体发光装置、照明器具及液晶图像装置
JPWO2016208640A1 (ja) * 2015-06-24 2018-04-12 住友大阪セメント株式会社 硬化性シリコーン樹脂組成物、シリコーン樹脂複合体、光半導体発光装置、照明器具及び液晶画像装置
US10269670B2 (en) 2015-06-24 2019-04-23 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Curable silicone resin composition, silicone resin composite, photosemiconductor light emitting device, luminaire and liquid crystal imaging device
WO2021132345A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 ダウ・東レ株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びその硬化物、保護剤又は接着剤、並びに電気・電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
EP3059768A4 (en) 2017-05-03
TWI650378B (zh) 2019-02-11
US20160233395A1 (en) 2016-08-11
JPWO2015056726A1 (ja) 2017-03-09
CN105814702B (zh) 2018-06-26
JP6569036B2 (ja) 2019-09-04
TW201527437A (zh) 2015-07-16
KR101688407B1 (ko) 2016-12-22
EP3059768A1 (en) 2016-08-24
CN105814702A (zh) 2016-07-27
KR20160070834A (ko) 2016-06-20
US9691951B2 (en) 2017-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6569036B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置
JP6223358B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置
JP6473440B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
US9909007B2 (en) Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
JP6059010B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体装置
TWI762515B (zh) 硬化性聚矽氧組成物、其硬化物以及光半導體裝置
JP6586552B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物および光半導体装置
JP7220718B2 (ja) 硬化性シリコーン組成物、その硬化物、および光半導体デバイス
TW201829629A (zh) 硬化性聚矽氧組成物及使用其之光半導體裝置
JPWO2019026754A1 (ja) 硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置
KR102651640B1 (ko) 경화성 실리콘 조성물 및 광반도체 장치
JPWO2019026755A1 (ja) 硬化性シリコーン組成物、および光半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14854606

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2014854606

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2014854606

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015542645

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15029910

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167012840

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A