KR101688407B1 - 경화성 실리콘 조성물 및 광 반도체 장치 - Google Patents

경화성 실리콘 조성물 및 광 반도체 장치 Download PDF

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Abstract

공기 중의 유황 함유 가스에 의해 광 반도체 장치에서의 은 전극이나 은도금된 기판의 변색을 억제하는 경화물을 형성하는, (A) 한 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산, (B) 한 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산, (C) 테트라졸계 화합물, 및 (D) 하이드로실릴화 반응용 촉매로 적어도 이루어지는 광 반도체 소자를 밀봉, 피복, 또는 접착하기 위한 하이드로실릴화 반응 경화성 실리콘 조성물. 또한, 광 반도체 소자가 상기 조성물의 경화물에 의해 밀봉, 피복, 또는 접착되어 있는, 공기 중의 유황 함유 가스에 의해 은 전극이나 은도금된 기판의 변색이 억제되는 광 반도체 장치.

Description

경화성 실리콘 조성물 및 광 반도체 장치{CURABLE SILICONE COMPOSITION, AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, 경화성 실리콘 조성물, 및 당해 조성물을 사용한 광 반도체 장치에 관한 것이다.
광 반도체 장치에서 광 반도체 소자를 밀봉, 피복, 또는 접착하기 위해, 하이드로실릴화 반응으로 경화하는 경화성 실리콘 조성물이 사용되고 있다. 이러한 경화성 실리콘 조성물로서, 일본 공개특허공보 특개2000-198930호에는 한 분자 중에 규소 원자 결합 알케닐기를 적어도 2개 갖는 디오가노폴리실록산, 비닐기를 갖는 수지 구조의 오가노폴리실록산, 한 분자 중에 규소 원자 결합 수소 원자를 적어도 2개 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산, 및 백금족 금속계 촉매로 이루어지는 경화성 실리콘 조성물이 제안되어 있다.
그러나, 이러한 경화성 실리콘 조성물은, 공기 중의 황화 수소 등의 유황 함유 가스에 의한 광 반도체 장치 중의 은 전극이나 은도금된 기판의 변색을 충분히 억제할 수 없다고 하는 과제가 있다.
한편, 일본 공개특허공보 특개평11-29709호에는 실리콘 경화물에 난연성을 부여하기 위해 아미노기, 아미드기, 카르보닐기, 카르복실기, 및 티올기로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 갖는 테트라졸 화합물을 함유하는 경화성 실리콘 조성물이 제안되어 있으며, 이의 경화 기구로서 하이드로실릴화 반응도 예시되어 있다.
그러나, 일본 공개특허공보 특개평11-29709호에는 이러한 경화성 실리콘 조성물을 전기·전자 부품에 사용할 수 있음이 기재되어 있지만, 광 반도체 소자의 밀봉, 피복, 또는 접착의 용도에 대해서는 시사되어 있지 않았다.
일본 공개특허공보 특개2000-198930호 일본 공개특허공보 특개평11-29709호
본 발명의 목적은, 공기 중의 유황 함유 가스에 의한 광 반도체 장치에서의 은 전극이나 은도금된 기판의 변색을 억제하는 경화물을 형성하는 경화성 실리콘 조성물을 제공함에 있다. 또한, 본 발명의 다른 목적은, 공기 중의 유황 함유 가스에 의한 은 전극이나 은도금된 기판의 변색이 억제되는 광 반도체 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은, 광 반도체 소자를 밀봉, 피복, 또는 접착하기 위한 하이드로실릴화 반응 경화성 실리콘 조성물로서,
(A) 한 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산,
(B) 한 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산{(A) 성분 중의 규소 원자 결합 알케닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.1 내지 10몰이 되는 양},
(C) 테트라졸계 화합물(본 조성물에 대하여 질량 단위로 1ppm 내지 0.5%가 되는 양), 및
(D) 하이드로실릴화 반응용 촉매(본 조성물의 경화를 촉진하는 양)
로 적어도 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 (A) 성분은, (A-1) 화학식:
R1 3SiO(R1 2SiO)mSiR1 3
(화학식 중,
R1은 동일하거나 상이한 1가 탄화수소기, 단, 한 분자 중, 적어도 2개의 R1은 알케닐기이고,
m은 5 내지 1,000의 정수이다)
으로 표시되는 직쇄상의 오가노폴리실록산 및/또는 (A-2) 평균 단위 식:
(R1SiO3/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1 3SiO1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e
(식 중,
R1은 상기와 같고, 단, R1의 합계의 0.01 내지 50몰%는 알케닐기이고,
X는 수소 원자 또는 알킬기이고,
a, b, c, d, 및 e는 0≤a≤1.0, 0≤b≤1.0, 0≤c<0.9, 0≤d<0.5, 0≤e<0.4이고, 또한 a+b+c+d=1.0을 충족하는 수이다)
로 표시되는 분기쇄상의 오가노폴리실록산인 것이 바람직하다.
상기 (C) 성분은, 1H-테트라졸, 1H-테트라졸-1-아세트산, 1H-테트라졸-5-아세트산, 1H-테트라졸-1-아세트산 에틸, 1H-테트라졸-5-아세트산 에틸, 1-메틸-1H-테트라졸, 1-에틸-1H-테트라졸, 1-프로필-1H-테트라졸, 1-부틸-1H-테트라졸, 1-펜틸-1H-테트라졸, 1-페닐-1H-테트라졸, 1,5-디메틸-1H-테트라졸, 1-에틸-5-메틸-1H-테트라졸, 1-페닐-5-메틸-1H-테트라졸, 1-메틸-5-에틸-1H-테트라졸, 1-메틸-5-페닐-1H-테트라졸, 1-에틸-5-페닐테트라졸, 1,5-디페닐-1H-테트라졸, 1,5-트리메틸렌-1H-테트라졸, 1,5-테트라메틸렌-1H-테트라졸, 1,5-펜타메틸렌-1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-에틸-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5-벤질-1H-테트라졸, 5-메톡시-1H-테트라졸, 및 2H-테트라졸-2-아세트산으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 테트라졸계 화합물인 것이 바람직하다.
본 발명의 광 반도체 장치는, 광 반도체 소자가 상기의 경화성 실리콘 조성물의 경화물에 의해 밀봉, 피복, 또는 접착되어 있는 것을 특징으로 하고, 상기 광 반도체 소자는 발광 다이오드인 것이 바람직하다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은, 공기 중의 유황 함유 가스에 의한 광 반도체 장치 중의 은 전극이나 은도금된 기판의 변색을 억제하는 경화물을 형성한다는 특징이 있다. 또한, 본 발명의 광 반도체 장치는, 공기 중의 유황 함유 가스에 의한 은 전극이나 은도금된 기판의 변색이 억제된다는 특징이 있다.
도 1은, 본 발명의 광 반도체 장치의 일례인 LED의 단면도이다.
먼저, 본 발명의 경화성 실리콘 조성물에 대하여 상세히 설명한다.
(A) 성분은 본 조성물의 주제(主劑)인, 한 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산이다. 이의 알케닐기로서는, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노네닐기, 데세닐기, 운데세닐기, 도데세닐기 등의 탄소수가 2 내지 12개인 알케닐기가 예시되고, 바람직하게는 비닐기이다. 또한, (A) 성분 중의 알케닐기 이외의 규소 원자에 결합하는 기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 3급-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 사이클로헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소수가 1 내지 12개인 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 탄소수가 6 내지 20개인 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기 등의 탄소수가 7 내지 20개인 아랄킬기; 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자로 치환한 기가 예시된다. 또한, (A) 성분 중의 규소 원자에는, 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위에서 소량의 수산기나 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기를 갖고 있어도 좋다.
(A) 성분의 분자 구조로서는, 직쇄상, 일부 분기를 갖는 직쇄상, 분기쇄상, 환상, 및 삼차원 망상 구조가 예시된다. (A) 성분은, 이들 분자 구조를 갖는 1종의 오가노폴리실록산, 또는 이들 분자 구조를 갖는 2종 이상의 오가노폴리실록산 혼합물이라도 좋다.
이러한 (A) 성분은, (A-1) 화학식:
R1 3SiO(R1 2SiO)mSiR1 3
으로 표시되는 직쇄상의 오가노폴리실록산 및/또는 (A-2) 평균 단위 식:
(R1SiO3/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1 3SiO1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e
로 표시되는 분기쇄상의 오가노폴리실록산인 것이 바람직하다.
(A-1) 성분에서, 식 중 R1은 동일하거나 상이한 1가 탄화수소기이고, 상기와 같은 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기, 및 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자로 치환한 기가 예시된다. 단, 한 분자 중, 적어도 2개의 R1은 알케닐기이다. 또한, 식 중 m은 5 내지 1,000의 정수이고, 바람직하게는 50 내지 1,000의 정수 또는 100 내지 1,000의 정수이다.
이러한 (A-1) 성분으로서는, 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 메틸페닐폴리실록산, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸비닐실록산·메틸페닐실록산 공중합체, 및 이들의 2종 이상의 혼합물이 예시된다.
또한, (A-2) 성분에서, 식 중 R1은 동일하거나 상이한 1가 탄화수소기이고, 상기와 같은 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기, 및 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자로 치환한 기가 예시된다. 단, R1의 합계의 0.01 내지 50몰%, 0.05 내지 40몰%, 또는 0.09 내지 32몰%가 알케닐기인 것이 바람직하다. 이는 알케닐기의 비율이 상기 범위의 하한 이상이면, 얻어지는 조성물의 경화성이 양호하기 때문이며, 한편, 알케닐기의 비율이 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 경화물의 기계적 특성이 양호하기 때문이다. 또한, 알케닐기의 함유량은, 예를 들어, 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR), 핵 자기 공명(NMR), 겔 침투 크로마토그래피(GPC) 등의 분석에 의해 구할 수 있다.
또한, 식 중 X는 수소 원자 또는 알킬기이다. 이 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 3급-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 사이클로헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소수가 1 내지 12개인 알킬기가 예시되고, 바람직하게는 탄소수 1 내지 3의 알킬기이다.
또한, 식 중 a는 식: R1SiO3/2으로 표시되는 실록산 단위의 비율을 나타내는, 0≤a≤1.0을 충족하는 수이고, b는 식: R1 2SiO2/2로 표시되는 실록산 단위의 비율을 나타내는, 0≤b≤1.0을 충족하는 수이고, c는 식: R1 3SiO1/2로 표시되는 실록산 단위의 비율을 나타내는, 0≤c<0.9를 충족하는 수이고, d는 식: SiO4/2로 표시되는 실록산 단위의 비율을 나타내는, 0≤d<0.5를 충족하는 수이다. 단, 식 중 a+b+c+d=1.0이다. 또한, e는 규소 원자에 결합하는 수산기 또는 알콕시기의 비율을 나타내는, 0≤e<0.4를 충족하는 수이다.
(A) 성분으로서, (A-1) 성분 단독, (A-2) 성분 단독, 또는 (A-1) 성분과 (A-2) 성분의 혼합물을 사용할 수 있다. (A-1) 성분과 (A-2) 성분의 혼합물을 사용하는 경우, 얻어지는 조성물의 취급성이 양호하기 때문에, (A-2) 성분의 함유량은 (A-1) 성분과 (A-2) 성분의 합계량의 90질량% 이하 또는 60질량% 이하인 것이 바람직하다. 또한, 얻어지는 경화물의 기계적 특성이 양호하다는 점에서 (A-2) 성분의 함유량은 (A-1) 성분과 (A-2) 성분의 합계량의 적어도 10질량%인 것이 바람직하다.
(A) 성분은 25℃에서 액상 또는 고체상이다. (A) 성분이 25℃에서 액상인 경우, 이의 25℃의 점도는 1 내지 1,000,000mPa·s의 범위 내 또는 10 내지 1,000,000mPa·s의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 이 점도는, 예를 들어 JIS K7117-1에 준거한 B형 점도계를 사용한 측정에 의해 구할 수 있다.
(B) 성분은 본 조성물의 가교제인, 한 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산이다. (B) 성분 중의 수소 원자 이외의 규소 원자에 결합하는 기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, 3급-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 사이클로헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 도데실기 등의 탄소수가 1 내지 12개인 알킬기; 페닐기, 톨릴기, 자일릴기, 나프틸기 등의 탄소수가 6 내지 20개인 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기 등의 탄소수가 7 내지 20개인 아랄킬기; 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 등의 할로겐 원자로 치환한 기가 예시된다. 또한, (B) 성분 중의 규소 원자에는 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위에서 소량의 수산기나 메톡시기, 에톡시기 등의 알콕시기를 갖고 있어도 좋다.
(B) 성분의 분자 구조로서는 직쇄상, 일부 분기를 갖는 직쇄상, 분기쇄상, 환상, 및 삼차원 망상 구조가 예시되고, 바람직하게는 일부 분기를 갖는 직쇄상, 분기쇄상 또는 삼차원 망상 구조이다.
(B) 성분은 25℃에서 고체상 또는 액상이다. (B) 성분이 25℃에서 액상인 경우, 이의 25℃의 점도는 10,000mPa·s 이하, 0.1 내지 5,000mPa·s의 범위 내, 또는 0.5 내지 1,000mPa·s의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 이 점도는, 예를 들어 JIS K7117-1에 준거한 B형 점도계를 사용한 측정에 의해 구할 수 있다.
이러한 (B) 성분으로서는, 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산, 트리스(디메틸하이드로겐실록시)메틸실란, 트리스(디메틸하이드로겐실록시)페닐실란, 1-글리시독시프로필-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산, 1,5-글리시독시프로필-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산, 1-글리시독시프로필-5-트리메톡시실릴에틸-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐폴리실록산, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 분자쇄 양 말단 디메틸하이드로겐실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·디페닐실록산 공중합체, 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로겐실록산·디페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, (CH3)2HSiO1/2 단위와 SiO4/2 단위로 이루어진 공중합체, (CH3)2HSiO1/2 단위와 SiO4/2 단위와 (C6H5)SiO3/2 단위로 이루어진 공중합체, 및 이들의 2종 이상의 혼합물이 예시된다.
(B) 성분의 함유량은, (A) 성분 중의 규소 원자 결합 알케닐기 1몰에 대하여 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.1 내지 10몰이 되는 양이며, 바람직하게는 0.5 내지 5몰이 되는 양이다. 이는, (B) 성분의 함유량이 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 경화물의 기계적 특성이 양호하고, 한편, 상기 범위의 하한 이상이면, 얻어지는 조성물의 경화성이 양호하기 때문이다. 또한, (B) 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자의 함유량은, 예를 들어, 푸리에 변환 적외 분광 광도계(FT-IR), 핵 자기 공명(NMR), 겔 침투 크로마토그래피(GPC) 등의 분석에 의해 구할 수 있다.
(C) 성분은, 본 조성물의 경화물에 내황화성을 부여하기 위한 테트라졸계 화합물이다. (C) 성분으로서는, 본 조성물의 경화 저해를 보다 일으키기 어렵기 때문에 아미노기나 티올기 등의 관능기를 갖지 않는 테트라졸계 화합물이 바람직하고, 구체적으로는 1H-테트라졸, 1H-테트라졸-1-아세트산, 1H-테트라졸-5-아세트산, 1H-테트라졸-1-아세트산 에틸, 1H-테트라졸-5-아세트산 에틸, 1-메틸-1H-테트라졸, 1-에틸-1H-테트라졸, 1-프로필-1H-테트라졸, 1-부틸-1H-테트라졸, 1-펜틸-1H-테트라졸, 1-페닐-1H-테트라졸, 1,5-디메틸-1H-테트라졸, 1-에틸-5-메틸-1H-테트라졸, 1-페닐-5-메틸-1H-테트라졸, 1-메틸-5-에틸-1H-테트라졸, 1-메틸-5-페닐-1H-테트라졸, 1-에틸-5-페닐테트라졸, 1,5-디페닐-1H-테트라졸, 1,5-트리메틸렌-1H-테트라졸, 1,5-테트라메틸렌-1H-테트라졸, 1,5-펜타메틸렌-1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-에틸-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5-벤질-1H-테트라졸, 5-메톡시-1H-테트라졸, 및 2H-테트라졸-2-아세트산이 예시된다. (C) 성분으로서, 이러한 테트라졸계 화합물을 1종 또는 2종 이상 혼합하여 사용해도 좋다.
(C) 성분의 함유량은, 본 조성물 중에 질량 단위로 1ppm 내지 0.5%의 범위 내가 되는 양이고, 바람직하게는 5ppm 내지 0.3%의 범위 내 또는 10ppm 내지 0.1%의 범위 내가 되는 양이다. 이는, (C)의 함유량이 상기 범위의 하한 이상이면, 내황화성을 충분히 부여할 수 있기 때문이며, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 조성물의 경화성이 저하되지 않고, 또한 얻어지는 경화물의 물성이 저하되지 않기 때문이다.
(D) 성분은 본 조성물의 경화를 촉진하기 위한 하이드로실릴화 반응용 촉매이다. (D) 성분으로서는 백금족 원소 촉매, 백금족 원소 화합물 촉매가 예시되고, 구체적으로는 백금계 촉매, 로듐계 촉매, 팔라듐계 촉매, 및 이들의 적어도 2종의 조합이 예시되고, 특히, 본 조성물의 경화를 현저하게 촉진할 수 있으므로 백금계 촉매인 것이 바람직하다. 이 백금계 촉매로서는, 백금 미분말, 백금 블랙, 염화 백금산, 염화 백금산의 알코올 변성물, 염화 백금산과 디올레핀의 착체, 백금-올레핀 착체, 백금 비스(아세토아세테이트), 백금 비스(아세틸 아세토네이트) 등의 백금-카보닐 착체, 염화 백금산-디비닐테트라메틸디실록산 착체, 염화 백금산-테트라비닐테트라메틸사이클로테트라실록산 착체 등의 염화 백금산-알케닐실록산 착체, 백금-디비닐테트라메틸디실록산 착체, 백금-테트라비닐테트라메틸사이클로테트라실록산 착체 등의 백금-알케닐실록산 착체, 염화 백금산과 아세틸렌알코올류의 착체, 및 이들의 2종 이상의 혼합물이 예시되고, 특히, 본 조성물의 경화를 촉진할 수 있는 점에서 백금-알케닐실록산 착체인 것이 바람직하다.
백금-알케닐실록산 착체에 사용되는 알케닐실록산으로서는, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 이들 알케닐실록산의 메틸기의 일부를 에틸기, 페닐기 등으로 치환한 알케닐실록산 올리고머, 및 이들 알케닐실록산의 비닐기를 알릴기, 헥세닐기 등으로 치환한 알케닐실록산 올리고머가 예시되고, 특히, 생성되는 백금-알케닐실록산 착체의 안정성이 양호한 점에서 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산인 것이 바람직하다.
또한, 백금-알케닐실록산 착체의 안정성을 향상시키기 위해 이들 백금-알케닐실록산 착체를 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디알릴-1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3-디비닐-1,3-디메틸-1,3-디페닐디실록산, 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라페닐디실록산, 및 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산 등의 알케닐실록산 올리고머나 디메틸실록산 올리고머 등의 오가노실록산 올리고머에 용해한 것이 바람직하고, 특히, 알케닐실록산 올리고머에 용해한 것이 바람직하다.
(D) 성분의 함유량은 본 조성물의 경화를 촉진하는 양이며, 구체적으로는, 본 조성물에 대하여 (D) 성분 중의 촉매 금속 원자가 질량 단위로 0.01 내지 500ppm의 범위 내가 되는 양, 0.01 내지 100ppm의 범위 내가 되는 양, 또는 0.1 내지 50ppm의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다. 이는, (D) 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 이상이면, 얻어지는 조성물의 경화성이 양호하고, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 경화물의 착색이 억제되기 때문이다.
본 조성물에는, 상온에서의 가사(可使) 시간을 연장하고, 보존 안정성을 향상시키기 위해 (E) 하이드로실릴화 반응 억제제를 함유해도 좋다. (E) 성분으로서는, 1-에티닐사이클로헥산-1-올, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 및 2-페닐-3-부틴-2-올 등의 알킨알코올; 3-메틸-3-펜텐-1-인, 및 3,5-디메틸-3-헥센-1-인 등의 엔인 화합물; 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 및 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산 등의 메틸알케닐실록산 올리고머; 디메틸비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란, 및 메틸비닐비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란 등의 알킨옥시실란; 및 트리알릴이소시아누레이트계 화합물이 예시된다.
(E) 성분의 함유량은 한정되지 않지만, 본 조성물 100질량부에 대하여 0.0001 내지 5질량부의 범위 내 또는 0.01 내지 3질량부의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 조성물에는, 얻어지는 경화물에 추가적인 내황화성을 부여하기 위해 (F) 산화 아연 또는 탄산 아연을 함유해도 좋다. (F) 성분으로서는, Al, Ag, Cu, Fe, Sb, Si, Sn, Ti, Zr, 및 희토류 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소의 산화물 및/또는 수산화물에 의해 표면 피복된 산화 아연 미분말, 알케닐기를 갖지 않는 유기 규소 화합물로 표면 처리된 산화 아연 미분말, 및 탄산 아연의 수화물 미분말로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 질량 평균 입자 직경이 0.1nm 내지 5μm인 적어도 1종의 미분말인 것이 바람직하다. 또한, 이 질량 평균 입자 직경은, 레이저 회절·산란법 등에 의해 측정할 수 있다. 본 발명에 따른 「질량 평균 입자 직경」은 입도 분포를 측정하여 얻어진, 누적 질량이 50%일 때의 입자 직경(D50)을 의미한다.
산화물에 의해 표면 피복된 산화 아연 미분말에서, 희토류 원소로서는 이트륨, 세륨, 유로퓸이 예시된다. 산화 아연 미분말의 표면의 산화물로서는, Al2O3, AgO, Ag2O, Ag2O3, CuO, Cu2O, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Sb2O3, SiO2, SnO2, Ti2O3, TiO2, Ti3O5, ZrO2, Y2O3, CeO2, Eu2O3, 및 이들 산화물의 2종 이상의 혼합물, 추가로는 Al2O3·nH2O, Fe2O3·nH2O, Fe3O4·nH2O, Sb2O3·nH2O, SiO2·nH2O, TiO2·nH2O, ZrO2·nH2O, CeO2·nH2O 등의 산화물의 수화물이 예시되고, 바람직하게는 Al2O3, SiO2이다. 또한, n은 통상 양의 정수지만, 탈수의 정도에 따라 n은 반드시 정수를 취한다고는 할 수 없다.
수산화물에 의해 표면 피복된 산화 아연 미분말에서, 희토류 원소로서는 이트륨, 세륨, 유로퓸이 예시된다. 산화 아연 미분말의 표면의 수산화물로서는 Al(OH)3, Cu(OH)2, Fe(OH)3, Ti(OH)4, Zr(OH)3, Y(OH)3, Ce(OH)3, Ce(OH)4, 및 이들 산화물의 2종 이상의 혼합물, 추가로는 Ce(OH)3·nH2O 등의 산화물의 수화물이 예시되고, 바람직하게는 Al(OH)3이다. 또한, n은 통상 양의 정수지만, 탈수의 정도에 따라 n은 반드시 정수를 취한다고는 할 수 없다.
또한, 상기 산화물에 의해 표면 피복된 산화 아연은, 상기 수산화물에 의해 추가로 표면 피복되어도 좋고, 또한 상기 다른 산화물에 의해 추가로 표면 피복되어도 좋다. 또한, 상기 수산화물에 의해 표면 피복된 산화 아연은, 상기 산화물에 의해 추가로 표면 피복되어도 좋고, 또한 상기 다른 수산화물에 의해 추가로 표면 피복되어도 좋다. 또한, (F) 성분은 상기 산화물과 상기 수산화물에 의해 표면 피복된 산화 아연이라도 좋다. 예를 들어, 산화물과 수산화물의 조합으로서는 Al2O3과 Al(OH)3의 조합, SiO2와 Al(OH)3의 조합이 예시된다.
유기 규소 화합물로 표면 처리된 산화 아연 미분말에서, 이 유기 규소 화합물은 알케닐기를 갖지 않는 것이며, 오가노실란, 오가노실라잔, 폴리메틸실록산, 오가노하이드로겐폴리실록산, 및 오가노실록산 올리고머가 예시되며, 구체적으로는 트리메틸클로로실란, 디메틸클로로실란, 메틸트리클로로실란 등의 오가노클로로실란; 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 에틸트리메톡시실란, n-프로필트리메톡시실란의 유기트리알콕시실란; 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 디페닐디메톡시실란 등의 디오가노디알콕시실란; 트리메틸메톡시실란, 트리메틸에톡시실란 등의 트리오가노알콕시실란; 이들 오가노알콕시실란의 부분 축합물; 헥사메틸디실라잔 등의 오가노실라잔; 폴리메틸실록산, 오가노하이드로겐폴리실록산, 실라놀기 또는 알콕시기를 갖는 오가노실록산 올리고머, R8SiO3/2 단위(식 중, R8은 메틸기, 에틸기, 프로필기 등의 알킬기; 페닐기 등의 아릴기로 예시되는 알케닐기를 제외하는 1가 탄화수소기이다)나 SiO4/2 단위로 이루어지고, 실라놀기 또는 알콕시기를 갖는 수지상 오가노폴리실록산이 예시된다.
또한, 상기 산화 아연 미분말에는 추가의 표면 처리를 해도 좋다. 예를 들어, 스테아르산 등의 고급 지방산이나 이의 금속 비누, 팔미트산 옥틸 등의 고급 지방산 에스테르, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 펜타에리스리톨 등의 다가 알코올류, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 아민 화합물을 들 수 있다. 또한, 알킬 티타네이트, 알킬 알루미네이트, 알킬 지르코네이트 등의 커플링제나, 퍼플루오로알킬실란, 퍼플루오로알킬 인산 에스테르 등의 불소계 유기 화합물을 사용할 수도 있다.
탄산 아연의 수화물 미분말은 탄산 아연에 물이 결합한 화합물이며, 105℃, 3시간의 가열 조건에서의 질량 감소율이 0.1질량% 이상인 것이 바람직하다.
(F) 성분의 함유량은 본 조성물에 대하여 질량 단위로 0.0001 내지 10%의 범위 내의 양 또는 0.0001 내지 5%의 범위 내의 양인 것이 바람직하다. 이는 (F) 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 이상이면, 유황 함유 가스에 의한 광 반도체 장치에서의 은 전극이나 은도금된 기판의 변색을 충분히 억제하기 때문이며, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 조성물의 유동성을 해치지 않기 때문이다.
본 조성물에는, 얻어지는 경화물에 내박리성을 부여하기 위해, (G) 금속계 축합 반응 촉매를 함유해도 좋다. (G) 성분으로서는, 유기 알루미늄 화합물, 유기 티타늄 화합물, 유기 지르코늄 화합물, 유기 마그네슘 화합물, 유기 아연 화합물, 유기 구리 화합물, 유기 니켈 화합물, 유기 크롬 화합물, 유기 코발트 화합물, 유기 철 화합물, 유기 인듐 화합물, 유기 란탄 화합물, 유기 주석 화합물, 유기 하프늄 화합물, 및 이들의 2종 이상의 혼합물이 예시된다.
유기 알루미늄 화합물로서는 트리메톡시 알루미늄, 트리에톡시 알루미늄, 이소프로폭시 알루미늄, 이소프로폭시디에톡시 알루미늄, 트리부톡시 알루미늄 등의 알콕시 화합물; 트리아세톡시 알루미늄, 트리스테아레이트 알루미늄, 트리부티레이트 알루미늄 등의 아실옥시 화합물; 알루미늄 이소프로필레이트, 알루미늄 2급-부틸레이트, 알루미늄 3급-부틸레이트, 알루미늄 트리스(에틸아세토아세테이트), 트리스(헥사플루오로아세틸아세토네이트) 알루미늄, 트리스(에틸아세토아세테이트) 알루미늄, 트리스(n-프로필아세토아세테이트) 알루미늄, 트리스(이소-프로필아세토아세테이트) 알루미늄, 트리스(n-부틸아세토아세테이트) 알루미늄, 트리스살리실 알데하이드 알루미늄, 트리스(2-에톡시카르보닐 페놀레이트) 알루미늄, 트리스(아세틸아세토네이트) 알루미늄 등의 킬레이트 화합물이 예시된다.
유기 티타늄 화합물로서는, 테트라에톡시 티타늄, 테트라이소프로폭시 티타늄, 테트라부틸옥시 티타늄 등의 테트라알콕시 티타늄; 티탄산 테트라에틸렌글리콜, 티탄산 디-n-부틸비스(트리에탄올아민), 비스(아세틸아세톤)산 디-이소프로폭시 티타늄, 옥탄산 이소프로폭시 티타늄, 트리메타크릴산 이소프로필 티타늄, 트리아크릴산 이소프로필 티타늄, 이소프로필 트리이소스테아로일 티타네이트, 이소프로필 트리데실벤젠설포닐 티타네이트, 이소프로필 트리(부틸, 메틸피로포스페이트) 티타네이트, 테트라이소프로필 디(디라우릴 포스파이트) 티타네이트, 디메타크릴 옥시아세테이트 티타네이트, 디아크릴 옥시아세테이트 티타네이트, 디(디옥틸 포스페이트)에틸렌 티타네이트, 트리(디옥틸인산)이소프로폭시 티타늄, 이소프로필 트리스(디옥틸피로포스페이트) 티타네이트, 테트라이소프로필 비스(디옥틸 포스파이트) 티타네이트, 테트라옥틸 비스(트리데실 포스파이트) 티타네이트, 테트라(2,2-디알릴옥시메틸-1-부틸)비스(디-트리데실) 포스파이트 티타네이트, 비스(디옥틸피로포스페이트)옥시 아세테이트 티타네이트, 트리스(디옥틸피로포스페이트)에틸렌 티타네이트, 이소프로필 트리-n-도데실벤젠설포닐 티타네이트, 이소프로필 트리옥타노일 티타네이트, 이소프로필 디메타크릴로일이소스테아로일 티타네이트, 이소프로필 이소스테아로일디아크릴 티타네이트, 이소프로필 트리(디옥틸 포스페이트) 티타네이트, 이소프로필 트리쿠밀페닐 티타네이트, 이소프로필 트리(N-아미노에틸-아미노에틸) 티타네이트가 예시된다.
유기 지르코늄 화합물로서는, 지르코늄 n-프로폭사이드, 지르코늄 n-부톡사이드, 지르코늄 t-부톡사이드, 지르코늄 이소프로폭사이드, 지르코늄 에톡사이드, 지르코닐 아세테이트, 지르코늄 아세틸아세토네이트, 지르코늄 부톡시아세틸아세토네이트, 지르코늄 비스아세틸아세토네이트, 지르코늄 에틸아세토아세테이트, 지르코늄 아세틸아세토네이트 비스에틸아세토아세테이트, 지르코늄 헥사플루오로아세틸아세토네이트, 지르코늄 트리플루오로아세틸아세토네이트가 예시된다.
유기 마그네슘 화합물로서는, 에틸아세토아세테이트 마그네슘 모노이소프로필레이트, 마그네슘 비스(에틸아세토아세테이트), 알킬아세토아세테이트 마그네슘 모노이소프로필레이트, 마그네슘 비스(아세틸 아세토네이트)가 예시된다.
유기 아연 화합물로서는, 아연 비스(에틸아세토아세테이트), 아연 아세틸아세토네이트, 아연 비스(2-에틸헥사노에이트), 아연 (메타)아크릴레이트, 아연 네오데카노에이트, 아연 아세테이트, 아연 옥토에이트, 아연 살리실레이트가 예시된다.
유기 구리 화합물로서는, 구리 비스(에틸아세토아세테이트), 구리 비스(아세틸아세토네이트)가 예시된다.
유기 니켈 화합물로서는, 니켈 비스(에틸아세토아세테이트), 니켈 비스(아세틸아세토네이트)가 예시된다.
유기 크롬 화합물로서는, 크롬 트리스(에틸아세토아세테이트), 크롬 트리스(아세틸아세토네이트)가 예시된다.
유기 코발트 화합물로서는, 코발트 트리스(에틸아세토아세테이트), 코발트 트리스(아세틸아세토네이트)가 예시된다.
유기 철 화합물로서는, 철 트리스(에틸아세토아세테이트), 철 트리스(아세틸아세토네이트)가 예시된다.
유기 인듐 화합물로서는, 인듐 트리스(에틸아세토아세테이트), 인듐 트리스(아세틸아세토네이트)가 예시된다.
유기 란탄 화합물로서는, 란탄 트리스(에틸아세토아세테이트), 란탄 트리스(아세틸아세토네이트)가 예시된다.
유기 주석 화합물로서는, 주석 테트라키스(에틸아세토아세테이트), 주석 테트라키스(아세틸아세토네이트)가 예시된다.
유기 하프늄 화합물로서는, 하프늄 n-부톡사이드, 하프늄 t-부톡사이드, 하프늄 에톡사이드, 하프늄 이소프로폭사이드, 하프늄 이소프로폭사이드 모노이소프로필레이트, 하프늄 아세틸아세네이트, 테트라키스(디메틸아미노) 하프늄이 예시된다.
특히, (G) 성분은 유기 알루미늄 화합물, 유기 티타늄 화합물, 유기 지르코늄 화합물, 유기 아연 화합물, 및 유기 철 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속계 축합 반응 촉매인 것이 바람직하다.
(G) 성분의 함유량은 본 조성물에 대하여 질량 단위로 20ppm 내지 0.1%의 범위 내가 되는 양, 30ppm 내지 0.05%의 범위 내가 되는 양, 또는 50ppm 내지 0.03%의 범위 내가 되는 양인 것이 바람직하다. 이는 (G) 성분의 함유량이 상기 범위의 하한 이상이면, 흡습 리플로우에 대한 박리를 충분히 억제할 수 있기 때문이고, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 얻어지는 조성물의 보존 안정성이 향상되기 때문이다.
또한, 본 조성물에는 경화 중에 접촉하고 있는 기재에 대한 접착성을 더욱 향상시키기 위해 접착 촉진제를 함유해도 좋다. 이 접착 촉진제로서는 규소 원자에 결합한 알콕시기를 한 분자 중에 1개 이상 갖는 유기 규소 화합물이 바람직하다. 이 알콕시기로서는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 및 메톡시에톡시기 등이 예시되고, 특히 메톡시기 또는 에톡시기가 바람직하다. 또한, 이 유기 규소 화합물의 규소 원자에 결합하는 알콕시기 이외의 기로서는, 알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아랄킬기, 및 할로겐화 알킬기 등의 상기와 같은 할로겐 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기; 3-글리시독시프로필기, 및 4-글리시독시부틸기 등의 글리시독시알킬기; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸기, 및 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)프로필기 등의 에폭시사이클로헥실알킬기; 4-옥시라닐부틸기 및 8-옥시라닐옥틸기 등의 옥시라닐알킬기; 3-메타크릴옥시프로필기 등의 아크릴기 함유 1가 유기기; 이소시아네이트기; 이소시아누레이트기; 및 수소 원자가 예시된다. 이 유기 규소 화합물은 본 조성물 중의 지방족 불포화 탄화수소기 또는 규소 원자 결합 수소 원자와 반응할 수 있는 기를 갖는 것이 바람직하며, 구체적으로는, 규소 원자 결합 지방족 불포화 탄화수소기 또는 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 것이 바람직하다.
접착 촉진제의 함유량은 한정되지 않지만, 본 조성물 100질량부에 대하여 0.01 내지 10질량부의 범위 내 또는 0.1 내지 3질량부의 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 본 조성물에는 다른 임의의 성분으로서, 형광체를 함유해도 좋다. 이 형광체로서는 발광 다이오드(LED)에 널리 이용되고 있는 산화물계 형광체, 산 질화물계 형광체, 질화물계 형광체, 황화물계 형광체, 산 황화물계 형광체 등으로 이루어지는 황색, 적색, 녹색, 청색 발광 형광체, 및 이들의 적어도 2종의 혼합물이 예시된다. 산화물계 형광체로서는 세륨 이온을 포함하는 이트륨, 알루미늄, 가넷계의 YAG계 녹색 내지 황색 발광 형광체, 세륨 이온을 포함하는 테르븀, 알루미늄, 가넷계의 TAG계 황색 발광 형광체, 및 세륨이나 유로퓸 이온을 포함하는 실리케이트계 녹색 내지 황색 발광 형광체가 예시된다. 산 질화물계 형광체로서는 유로퓸 이온을 포함하는 규소, 알루미늄, 산소, 질소계의 사이알론계 적색 내지 녹색 발광 형광체가 예시된다. 질화물계 형광체로서는, 유로퓸 이온을 포함하는 칼슘, 스트론튬, 알루미늄, 규소, 질소계의 카슨(CASN)계 적색 발광 형광체가 예시된다. 황화물계 형광체로서는, 구리 이온이나 알루미늄 이온을 포함하는 ZnS계 녹색 발색 형광체가 예시된다. 산 황화물계 형광체로서는, 유로퓸 이온을 포함하는 Y2O2S계 적색 발광 형광체가 예시된다.
이 형광체의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 본 조성물 중 0.1 내지 70질량%의 범위 내 또는 1 내지 20질량%의 범위 내인 것이 바람직하다.
또한, 본 조성물에는 본 발명의 목적을 해치지 않는 한, 그 밖의 임의의 성분으로서 실리카, 유리, 및 알루미나 등으로부터 선택되는 1종 이상의 무기질 충전제; 실리콘 고무 분말; 실리콘 수지, 및 폴리메타크릴레이트 수지 등의 수지 분말; 내열제, 염료, 안료, 난연성 부여제, 계면 활성제, 용제 등으로부터 선택되는 1종 이상의 성분을 함유해도 좋다.
본 조성물은 실온 방치나 가열에 의해 경화가 진행되지만, 신속하게 경화시키기 위해서는 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도는 50 내지 200℃의 범위 내인 것이 바람직하다.
본 조성물은, 경화하여 JIS K 6253에 규정된 A형 듀로미터 경도가 15 내지 99 또는 30 내지 95인 경화물을 형성하는 것이 바람직하다. 이는 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도가 상기 범위의 하한 이상이면 강도를 갖고, 이를 광 반도체 소자의 밀봉재 또는 피복재로서 사용한 경우의 보호성이 우수하기 때문이며, 한편, 상기 범위의 상한 이하이면, 경화물이 유연해져 내구성이 우수하기 때문이다.
다음으로, 본 발명의 광 반도체 장치를 상세히 설명한다.
본 발명의 광 반도체 장치는, 광 반도체 소자가 상기 조성물의 경화물에 의해 밀봉, 피복, 또는 접착되어 있는 것을 특징으로 한다. 이 광 반도체 소자로서는, 발광 다이오드(LED), 반도체 레이저, 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 고체 촬상, 포토 커플러용 발광체와 수광체가 예시되고, 특히 발광 다이오드(LED)인 것이 바람직하다.
발광 다이오드(LED)는, 광 반도체 소자의 상하 좌우에서 발광이 일어나므로 발광 다이오드(LED)를 구성하는 부품은 광을 흡수하는 것은 바람직하지 않고, 광 투과율이 높거나, 반사율이 높은 재료가 바람직하다. 따라서, 광 반도체 소자가 탑재되는 기판도 광 투과율이 높거나 반사율이 높은 재료가 바람직하다. 이러한 광 반도체 소자가 탑재되는 기판으로서는, 예를 들어, 은, 금, 및 구리 등의 도전성 금속; 알루미늄, 및 니켈 등의 비전도성의 금속; PPA, 및 LCP 등의 백색 안료를 혼합한 열가소성 수지; 에폭시 수지, BT 수지, 폴리이미드 수지, 및 실리콘 수지 등의 백색 안료를 함유하는 열경화성 수지; 알루미나, 및 질화 알루미나 등의 세라믹이 예시된다. 경화성 실리콘 조성물은 광 반도체 소자 및 기판에 대하여 내열 충격성이 양호하므로, 얻어지는 광 반도체 장치는 양호한 신뢰성을 나타낼 수 있다.
본 발명의 광 반도체 장치의 일례인 표면 실장형 LED의 단면도를 도 1에 나타냈다. 도 1에 도시된 LED는 광 반도체 소자(1)가 리드 프레임(2) 위에 다이 본드되어 이 광 반도체 소자(1)와 리드 프레임(3)이 본딩 와이어(4)에 의해 와이어 본딩되어 있다. 이 광 반도체 소자(1)의 주위에는 광 반사재(5)가 형성되고, 이 광 반사재(5)의 내측의 광 반도체 소자(1)는 상기의 경화성 실리콘 조성물의 경화물(6)에 의해 밀봉되어 있다.
도 1에 도시된 표면 실장형 LED를 제조하는 방법으로서는, 광 반사재(5) 내측의 리드 프레임(2) 위에 광 반도체 소자(1)를 다이 본드하고, 이 광 반도체 소자(1)와 리드 프레임(3)을 금제의 본딩 와이어(4)에 의해 와이어 본드하고, 이어서 광 반도체 소자(1)를 상기의 경화성 실리콘 조성물로 수지 밀봉하는 방법이 예시된다.
실시예
본 발명의 경화성 실리콘 조성물 및 광 반도체 장치를 실시예 및 비교예에 의해 상세히 설명한다. 또한, 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도는 다음과 같이 하여 측정했다.
[경도]
경화성 실리콘 조성물을 150℃에서 5분간, 5MPa의 압력으로 프레스 성형함으로써 시트상의 경화물을 제작했다. 이 시트상의 경화물의 경도를 JIS K 6253에 규정된 A형 듀로미터에 의해 측정했다.
또한, 경화성 실리콘 조성물을 사용하여 150℃에서 5분간 가열함으로써, 도 1에 도시된 광 반도체 장치를 제작했다. 이 광 반도체 장치의 방사속의 측정에 의해 내황화성, 및 이 광 반도체 장치에 대한 경화성 실리콘 조성물의 내박리성을 다음과 같이 하여 측정했다.
[내황화성]
광 반도체 장치에 대해 적분구를 사용한 전방사속 측정 장치를 사용하여 초기 방사속 측정을 실시하여 초기의 광 추출 효율(%)을 산출했다. 다음으로 이 광 반도체 장치를, 황화 나트륨 육수화물을 오토 클레이브 중에 넣고 50℃로 가열하여 2시간 방치했다. 그 후, 적분구를 사용한 전방사속 측정 장치를 사용하여 방사속 측정을 실시하고, 2시간 후 광 추출 효율 (%)을 산출했다.
[초기의 박리율]
광 반도체 장치 20개에 대하여, 리드 프레임 또는 와이어 본딩과 당해 조성물의 가열 경화물 사이의 박리 상태를 광학 현미경으로 관찰하고, 박리된 비율(박리된 갯수/20개)을 박리율로 했다.
[흡습 리플로우 후의 박리율]
상기 광 반도체 장비 20개를 85C/85%RH 오븐에 168시간 보관하고, 280℃의 오븐 내에 30초간 둔 후, 실온(25℃) 아래로 되돌려, 리드 프레임 또는 와이어 본딩과 당해 조성물의 가열 경화물 사이의 박리 상태를 광학 현미경으로 관찰하고, 박리된 비율(박리된 갯수/20개)을 박리율로 했다.
[실시예 1 내지 8, 비교예 1 내지 6]
다음의 성분을 표 1에 나타내는 조성(질량부)으로 균일하게 혼합하여 실시예 1 내지 8 및 비교예 1 내지 6의 경화성 실리콘 조성물을 조제했다. 또한, 식 중 Vi는 비닐기를 나타내고, Me는 메틸기를 나타낸다. 또한, 표 1 및 표 2에서, SiH/Vi는 경화성 실리콘 조성물에서 (A) 성분 중의 비닐기의 합계 1몰에 대한, (B) 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자의 합계 몰수를 나타낸다.
(A) 성분으로서, 다음의 성분을 사용했다. 또한, 점도는 25℃에서의 값이며, JIS K 7117-1에 준거하여 B형 점도계를 사용하여 측정했다.
(a-1-1) 성분: 점도 300mPa·s이고, 평균 식:
Me2ViSiO(Me2SiO)150SiMe2Vi
로 표시되는 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산(비닐기의 함유량=0.48질량%)
(a-1-2) 성분: 점도 10,000mPa·s이고, 평균 식:
Me2ViSiO(Me2SiO)500SiMe2Vi
로 표시되는 분자쇄 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산(비닐기의 함유량=0.15질량%)
(a-2-1) 성분: 25℃에서 백색 고체상이고, 톨루엔 가용성인, 평균 단위 식:
(Me2ViSiO1/2)0.15(Me3SiO1/2)0.38(SiO4/2)0.47(HO1/2)0.01
로 표시되는, 한 분자 중에 2개 이상의 비닐기를 갖는 오가노폴리실록산(비닐기의 함유량=5.5질량%; 9.4몰%)
(a-2-2) 성분: 25℃에서 백색 고체상이고, 톨루엔 가용성인, 평균 단위 식:
(Me2ViSiO1/2)0.13(Me3SiO1/2)0.45(SiO4/2)0.42(HO1/2)0.01
로 표시되는, 한 분자 중에 2개 이상의 비닐기를 갖는 오가노폴리실록산(비닐기의 함유량=4.7질량%; 7.5몰%)
(B) 성분으로서 다음의 성분을 사용했다. 또한, 점도는 25℃에서의 값이며, JIS K7117-1에 준거하여 B형 점도계를 사용하여 측정했다.
(b-1) 성분: 평균 식:
Me3SiO(MeHSiO)55SiMe3
로 표시되는, 점도 20mPa·s의 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 폴리메틸하이드로겐실록산(규소 원자 결합 수소 원자 함유량=1.6질량%)
(b-2) 성분: 평균 식:
Me3SiO(MeHSiO)15SiMe3
로 표시되는, 점도 5mPa·s의 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체(규소 원자 결합 수소 원자의 함유량=1.42질량%)
(C) 성분으로서 다음의 성분을 사용했다.
(c-1) 성분: 1H-테트라졸-1-아세트산
(c-2) 성분: 1H-테트라졸-5-아세트산
(c-3) 성분: 1,5-펜타메틸렌테트라졸
(c-4) 성분: 1H-테트라졸
(c-5) 성분: 벤조이미다졸
(c-6) 성분: 2-머캅토벤조티아졸
(D) 성분으로서, 백금의 1,3-디비닐테트라메틸디실록산 착체의 1,3-디비닐테트라메틸디실록산 용액(백금 금속의 함유량=약 6000ppm)을 사용했다.
(E) 성분으로서 1-에티닐사이클로헥산-1-올을 사용했다.
(F) 성분으로서 질량 평균 입자 직경이 0.5μm이고, SiO2에 의해 표면 피복된 산화 아연 분말에, 점도 20mPa·s의 분자쇄 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로겐실록산 공중합체에 의해 추가로 표면 처리된 산화 아연 미분말을 사용했다.
(G) 성분으로서 아세트알콕시 알루미늄 디이소프로필레이트를 사용했다.
Figure 112016046506013-pct00001
Figure 112016046506013-pct00002
표 1로부터, 실시예 1 내지 8의 경화성 실리콘 조성물의 경화물은 높은 내황화성을 갖는 것이 나타났다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은, 발광 다이오드(LED), 반도체 레이저, 포토 다이오드, 포토 트랜지스터, 고체 촬상, 포토 커플러용 발광체와 수광체 등의 광 반도체 소자의 밀봉제 또는 접착제로서 유용하다. 또한, 본 발명의 광 반도체 장치는, 광학 장치, 광학 기기, 조명 기기, 조명 장치 등의 광 반도체 장치로서 유용하다.
1 광 반도체 소자
2 리드 프레임
3 리드 프레임
4 본딩 와이어
5 반사재
6 경화성 실리콘 조성물의 경화물

Claims (12)

  1. 광 반도체 소자를 밀봉, 피복, 또는 접착하기 위한 하이드로실릴화 반응 경화성 실리콘 조성물로서,
    (A) 한 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 알케닐기를 갖는 오가노폴리실록산,
    (B) 한 분자 중에 적어도 2개의 규소 원자 결합 수소 원자를 갖는 오가노하이드로겐폴리실록산{(A) 성분 중의 규소 원자 결합 알케닐기 1몰에 대하여, 본 성분 중의 규소 원자 결합 수소 원자가 0.1 내지 10몰이 되는 양},
    (C) 테트라졸계 화합물(본 조성물에 대하여 질량 단위로 1ppm 내지 0.5%가 되는 양), 및
    (D) 하이드로실릴화 반응용 촉매(본 조성물의 경화를 촉진하는 양)
    를 함유하고,
    상기 (A) 성분이 화학식: R1 3SiO(R1 2SiO)mSiR1 3 (화학식 중, R1은 동일하거나 상이한 1가 탄화수소기, 단, 한 분자 중, 적어도 2개의 R1은 알케닐기이고, m은 5 내지 1,000의 정수이다)으로 표시되는 직쇄상의 오가노폴리실록산의 (A-1) 성분; 및 (R1SiO3/2)a(R1 2SiO2/2)b(R1 3SiO1/2)c(SiO4/2)d(XO1/2)e (식 중, R1은 상기와 같고, 단, R1의 합계의 0.01 내지 50몰%는 알케닐기이고, X는 수소 원자 또는 알킬기이고, a, b, c, d, 및 e는 0≤a≤1.0, 0≤b≤1.0, 0≤c<0.9, 0≤d<0.5, 0≤e<0.4이고, 또한 a+b+c+d=1.0을 충족하는 수이다)로 표시되는 분기쇄상의 오가노폴리실록산의 (A-2) 성분의 혼합물이고,
    상기 (A-2) 성분의 함유량이 상기 (A-1) 성분 및 상기 (A-2) 성분의 합계량의 적어도 10질량%인, 경화성 실리콘 조성물.
  2. 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서, (C) 성분이 1H-테트라졸, 1H-테트라졸-1-아세트산, 1H-테트라졸-5-아세트산, 1H-테트라졸-1-아세트산 에틸, 1H-테트라졸-5-아세트산 에틸, 1-메틸-1H-테트라졸, 1-에틸-1H-테트라졸, 1-프로필-1H-테트라졸, 1-부틸-1H-테트라졸, 1-펜틸-1H-테트라졸, 1-페닐-1H-테트라졸, 1,5-디메틸-1H-테트라졸, 1-에틸-5-메틸-1H-테트라졸, 1-페닐-5-메틸-1H-테트라졸, 1-메틸-5-에틸-1H-테트라졸, 1-메틸-5-페닐-1H-테트라졸, 1-에틸-5-페닐테트라졸, 1,5-디페닐-1H-테트라졸, 1,5-트리메틸렌-1H-테트라졸, 1,5-테트라메틸렌-1H-테트라졸, 1,5-펜타메틸렌-1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-에틸-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 5-벤질-1H-테트라졸, 5-메톡시-1H-테트라졸, 및 2H-테트라졸-2-아세트산으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 테트라졸계 화합물인, 경화성 실리콘 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 추가로 (E) 하이드로실릴화 반응 억제제를, (A) 성분 내지 (D) 성분의 합계 100질량부에 대하여 0.0001 내지 5질량부 함유하는, 경화성 실리콘 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 추가로 (F) 산화 아연 또는 탄산 아연을, (A) 성분 내지 (D) 성분의 합계 100질량부에 대하여 0.0001 내지 10질량부 함유하는, 경화성 실리콘 조성물.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제4항에 있어서, (F) 성분이, Al, Ag, Cu, Fe, Sb, Si, Sn, Ti, Zr, 및 희토류 원소로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소의 산화물 및/또는 수산화물에 의해 표면 피복된 산화 아연 미분말, 알케닐기를 갖지 않는 유기 규소 화합물에 의해 표면 처리된 산화 아연 미분말, 및 탄산 아연의 수화물 미분말로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 질량 평균 입자 직경이 0.1nm 내지 5μm인 적어도 1종의 미분말인, 경화성 실리콘 조성물.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제5항에 있어서, (F) 성분이 오가노실란, 오가노실라잔, 오가노실록산 올리고머, 폴리메틸실록산, 및 오가노하이드로겐폴리실록산으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 알케닐기를 갖지 않는 유기 규소 화합물로 표면 처리된 산화 아연 미분말인, 경화성 실리콘 조성물.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제4항에 있어서, (F) 성분이, 105℃, 3시간의 가열에서의 질량 감소율이 0.1질량% 이상인 탄산 아연의 수화물 미분말인, 경화성 실리콘 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 추가로 (G) 금속계 축합 반응 촉매를, (A) 성분 내지 (D) 성분의 합계 100질량부에 대하여 0.002 내지 0.1질량부 함유하는, 경화성 실리콘 조성물.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제8항에 있어서, (G) 성분이 유기 알루미늄 화합물, 유기 티타늄 화합물, 유기 지르코늄 화합물, 유기 아연 화합물, 및 유기 철 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 유기 금속 화합물인, 경화성 실리콘 조성물.
  10. 광 반도체 소자가 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 경화성 실리콘 조성물의 경화물에 의해 밀봉, 피복, 또는 접착되어 있는, 광 반도체 장치.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제10항에 있어서, 광 반도체 소자가 발광 다이오드인, 광 반도체 장치.
  12. 삭제
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2930213B1 (en) * 2012-12-07 2021-08-25 DuPont Toray Specialty Materials Kabushiki Kaisha Curable silicone composition and optical semiconductor device
CN112680073A (zh) * 2013-04-10 2021-04-20 宣伟投资管理有限公司 耐酸气涂层
JP6023737B2 (ja) * 2014-03-18 2016-11-09 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
KR20180020216A (ko) 2015-06-24 2018-02-27 스미토모 오사카 세멘토 가부시키가이샤 경화성 실리콘 수지 조성물, 실리콘 수지 복합체, 광반도체 발광 장치, 조명 기구 및 액정 화상 장치
CN106317894B (zh) * 2015-06-30 2019-03-29 比亚迪股份有限公司 有机硅组合物、反光涂层及其制备方法与包括其的光伏组件
US10851243B2 (en) * 2016-08-19 2020-12-01 Dow Toray Co., Ltd. Room temperature curable organopolysiloxane composition for protecting electric/electronic parts
JP7017359B2 (ja) * 2017-09-29 2022-02-08 Hoya株式会社 光半導体装置
US11495776B2 (en) * 2018-04-16 2022-11-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Transparent desiccant for organic EL, and method for using same
TW201946976A (zh) * 2018-05-11 2019-12-16 美商陶氏有機矽公司 可固化聚矽氧組成物及其固化產物
CN114945634A (zh) * 2019-12-26 2022-08-26 陶氏东丽株式会社 固化性聚有机硅氧烷组合物和其固化物、保护剂或粘接剂以及电气/电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266343A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2008297397A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Kaneka Corp 付加型硬化性シリコーン組成物
JP2010248413A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
WO2012067153A1 (ja) * 2010-11-17 2012-05-24 横浜ゴム株式会社 シリコーン樹脂組成物、これを用いる、シリコーン樹脂含有構造体、光半導体素子封止体、シリコーン樹脂組成物の使用方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5292586A (en) * 1991-03-26 1994-03-08 General Electric Company Solventless or high solids-containing silicone pressure sensitive adhesive compositions
US6146701A (en) * 1997-06-12 2000-11-14 Macdermid, Incorporated Process for improving the adhension of polymeric materials to metal surfaces
JP3649864B2 (ja) 1997-07-10 2005-05-18 ジーイー東芝シリコーン株式会社 難燃性シリコーンゴム組成物およびその硬化物
JP3523098B2 (ja) 1998-12-28 2004-04-26 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン組成物
DE10080144T1 (de) * 1999-02-08 2001-03-22 Asahi Chemical Ind Aromatische Polycarbonatharz-Zusammensetzung
JP2001261963A (ja) * 2000-03-17 2001-09-26 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーンゴム組成物
JP4646357B2 (ja) * 2000-06-08 2011-03-09 東レ・ダウコーニング株式会社 熱伝導性シリコーンゴム組成物
WO2002092693A1 (fr) * 2001-05-14 2002-11-21 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Composition de silicone thermoconductrice
JP4844732B2 (ja) * 2005-05-24 2011-12-28 信越化学工業株式会社 発光半導体装置
US20060270808A1 (en) 2005-05-24 2006-11-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Epoxy-silicone mixed resin composition, cured article thereof, and light-emitting semiconductor device
JP5469874B2 (ja) * 2008-09-05 2014-04-16 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置
JP2011228589A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Panasonic Corp 光半導体装置用部品ならびにその製造方法
JP2013100464A (ja) * 2011-10-13 2013-05-23 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 導電性シリコーン組成物及びその製造方法
JP2014156577A (ja) * 2012-05-21 2014-08-28 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置用硬化性組成物及びそれを用いた光半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266343A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2008297397A (ja) * 2007-05-30 2008-12-11 Kaneka Corp 付加型硬化性シリコーン組成物
JP2010248413A (ja) * 2009-04-17 2010-11-04 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
WO2012067153A1 (ja) * 2010-11-17 2012-05-24 横浜ゴム株式会社 シリコーン樹脂組成物、これを用いる、シリコーン樹脂含有構造体、光半導体素子封止体、シリコーン樹脂組成物の使用方法

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