KR102651640B1 - 경화성 실리콘 조성물 및 광반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 황-함유 가스로 인한 광반도체 장치(optical semiconductor device) 내의 은 전극 또는 은-도금된 기재(substrate)의 변색을 억제하는 경화물을 형성하기 위한 경화성 실리콘 조성물을 제공하며, 이 조성물은 1종 이상의 크라운 화합물을 포함한다. 또한, 본 발명은 내황성(sulfur resistance) 시험 후에 탁월한 신뢰도를 갖는 광반도체 장치를 제공하며, 은 전극 또는 은-도금된 기재 상의 광반도체 장치는 조성물의 경화물로 밀봉되거나, 덮이거나, 또는 접착된다.
Description
본 발명은 경화성 실리콘 조성물 및 이 조성물을 사용하여 제조되는 광반도체 장치(optical semiconductor device)에 관한 것이다.
하이드로실릴화 반응 또는 축합 반응에 의해 경화되는 경화성 실리콘 조성물은 광반도체 장치 내의 광반도체 소자(optical semiconductor element)를 밀봉하거나, 덮거나, 또는 접착하는 데 사용된다. 공기 중의 황화수소와 같은 황-함유 가스로 인한 광반도체 장치 내의 은 전극 또는 은-도금된 기재(substrate)의 변색을 억제할 수 있는 그러한 경화성 실리콘 조성물에 대한 요구가 있다.
예를 들어, 일본 특허 출원 공개 제2012-111850 A호는 경화성 실리콘 수지 조성물 100 질량부, 아연 화합물 0.01 내지 5 질량부, 및 폴리알킬렌 옥사이드 사슬을 갖는 화합물 0.01 내지 5 질량부를 포함하는 실리콘 수지 조성물을 개시하는데, 경화성 실리콘 수지 조성물은 2개 이상의 규소-결합된 알케닐 기를 갖는 유기폴리실록산, 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기하이드로겐폴리실록산, 및 하이드로실릴화 반응 촉매를 포함하고; 국제특허 공개 WO 2016/006773 A1호는 말단에 규소-결합된 알케닐 기를 갖는 하나 이상의 제1 실록산 화합물, 말단에 규소-결합된 수소를 갖는 하나 이상의 제2 실록산 화합물, 및 제1 실록산 화합물과 제2 실록산 화합물의 총 중량을 기준으로 약 0.05 중량% 내지 약 3 중량%의 친수성 폴리알킬렌 옥사이드 화합물을 포함하는, 경화성 폴리오르가노실록산 조성물을 개시한다.
그러나, 그러한 경화성 실리콘 조성물은, 아연 화합물 및 폴리알킬렌 옥사이드 화합물을 함유하기 때문에 조성물의 경화물이 낮은 투과율을 갖는다는 점에서 문제가 있다고 판단되었다. 또한, 심지어 그러한 경화성 실리콘 조성물조차도, 공기 중의 황-함유 가스로 인한 광반도체 장치 내의 은 전극 또는 은-도금된 기재의 변색을 충분히 억제할 수 없다는 점에서 문제가 있다.
[특허 문헌]
(특허 문헌 1) 일본 특허 출원 공개 제2012-111850 A호
(특허 문헌 2) 국제특허 공개 WO 2016/006773 A1호
본 발명의 목적은 공기 중의 황-함유 가스로 인한 광반도체 장치 내의 은 전극 또는 은-도금된 기재의 변색을 억제하는 경화물을 형성하기 위한 경화성 실리콘 조성물을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 다른 목적은 내황성(sulfur resistance) 시험 후에 탁월한 신뢰도를 갖는 광반도체 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은 0.001 내지 5 질량%의 1종 이상의 크라운 화합물을 포함한다.
크라운 화합물은 바람직하게는 크라운 에테르 화합물, 환형 폴리아민 화합물, 또는 환형 폴리티오에테르 화합물이다.
크라운 에테르 화합물은 바람직하게는 크라운 에테르 화합물, 벤조 크라운 에테르 화합물, 다이벤조 크라운 에테르 화합물, 아미노벤조 크라운 에테르 화합물, 아세틸벤조 크라운 에테르 화합물, 카르복시벤조 크라운 에테르 화합물, 브로모벤조 크라운 에테르 화합물, 아자 크라운 에테르 화합물, 또는 다이아자 크라운 에테르 화합물이다.
경화성 실리콘 조성물은 하이드로실릴화 반응에 의해 경화될 수 있다.
하이드로실릴화 반응-경화성 실리콘 조성물은 바람직하게는
(A) 분자당 2개 이상의 지방족 불포화 탄화수소 기를 갖는 유기폴리실록산;
(B) 분자당 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기하이드로겐폴리실록산;
(C) 1종 이상의 크라운 화합물; 및
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매
를 포함한다.
경화성 실리콘 조성물은 (E) 하이드로실릴화 반응 억제제를, 성분 (A) 내지 성분 (D) 총 100 질량부당 0.01 내지 3 질량부의 양으로 추가로 포함할 수 있다.
경화성 실리콘 조성물은 (F) 접착 촉진제를, 성분 (A) 내지 성분 (D) 총 100 질량부당 0.01 내지 3 질량부의 양으로 추가로 포함할 수 있다.
경화성 실리콘 조성물은 광반도체 소자를 밀봉, 코팅, 또는 접착하기 위한 조성물일 수 있다.
본 발명의 광반도체 장치는 은 전극 또는 은-도금된 기재 상에 광반도체 소자를 포함하며, 광반도체 소자는 상기에 기재된 경화성 실리콘 조성물의 경화물로 밀봉, 코팅, 또는 접착된다.
광반도체 장치 내의 광반도체 소자는 바람직하게는 발광 다이오드이다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은, 공기 중의 황-함유 가스로 인한 광반도체 장치 내의 은 전극 또는 은-도금된 기재의 변색을 억제하는 경화물을 형성하는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 광반도체 장치는 공기 중의 황-함유 가스로 인한 은 전극 또는 은 도금된 기재의 변색이 억제되는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 광반도체 장치의 예인 LED의 단면도이다.
먼저, 본 발명의 경화성 실리콘 조성물을 상세히 설명할 것이다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은 0.001 내지 5 질량%의 1종 이상의 크라운 화합물을 포함한다.
크라운 화합물은 특별히 제한되지 않지만, 크라운 구조를 갖는 화합물이다. 크라운 화합물의 예에는 크라운 에테르 화합물, 환형 폴리아민 화합물, 및 환형 폴리티오에테르 화합물이 포함된다. 크라운 화합물은 바람직하게는 크라운 에테르 화합물, 예를 들어 크라운 에테르 화합물, 벤조 크라운 에테르 화합물, 다이벤조 크라운 에테르 화합물, 아미노벤조 크라운 에테르 화합물, 아세틸벤조 크라운 에테르 화합물, 카르복시벤조 크라운 에테르 화합물, 브로모벤조 크라운 에테르 화합물, 아자 크라운 에테르 화합물, 다이아자 크라운 에테르 화합물, 및 크라운 에테르 구조를 갖는 다른 화합물이다.
크라운 에테르 화합물의 예에는 12-크라운 4-에테르, 15-크라운 5-에테르, 18-크라운 6-에테르, 및 24-크라운 8-에테르가 포함된다. 벤조 크라운 에테르 화합물의 예에는 벤조-12-크라운 4-에테르, 벤조-15-크라운 5-에테르, 및 벤조-18-크라운 6-에테르가 포함된다. 다이벤조 크라운 에테르 화합물의 예에는 다이벤조-18-크라운 6-에테르가 포함된다. 아미노벤조 크라운 에테르 화합물의 예에는 아미노벤조-15-크라운 5-에테르가 포함된다. 아세틸벤조 크라운 에테르 화합물의 예에는 4'-아세틸벤조-15-크라운 5-에테르, 4'-아세틸벤조-18-크라운 6-에테르, 및 4'-아세틸벤조-15-크라운 5-에테르가 포함된다. 카르복시벤조 크라운 에테르 화합물의 예에는 4-카르복시벤조-18-크라운 6-에테르, 및 4-카르복시벤조-15-크라운 5-에테르가 포함된다. 브로모벤조 크라운 에테르 화합물의 예에는 4-브로모벤조-18-크라운 6-에테르, 및 4-브로모벤조-15-크라운 5-에테르가 포함된다. 아자 크라운 에테르 화합물의 예에는 4'-1-아자-12-크라운 4-에테르, 1-아자-18-크라운 6-에테르, 및 1-아자-15-크라운 5-에테르가 포함된다. 다이아자 크라운 에테르 화합물의 예에는 다이아자-18-크라운 6-에테르가 포함된다. 다른 크라운 에테르 화합물의 예에는 비스(1,4-페닐렌)-34-크라운 10-에테르, 15-크라운-4 [4-(2,4-다이니트로페닐아조)페놀], 18-크라운-5 [4-(2,4-다이니트로페닐아조)페놀], 및 2.2.2-크립탄드가 포함된다.
크라운 화합물의 함량은 조성물의 0.001 내지 5 질량%이다. 바람직하게는, 이의 하한은 조성물의 0.005 질량%, 0.01 질량%, 또는 0.05 질량%인 한편, 이의 상한은 조성물의 4 질량%, 3 질량%, 또는 2 질량%이다. 이는, 크라운 화합물의 함량이 전술한 범위의 하한 이상일 때, 은 전극 또는 은-도금된 기재의 변색이 충분히 억제되는 한편, 함량이 전술한 범위의 상한 이하일 때, 조성물의 경화물이 양호한 열안정성을 갖기 때문이다.
경화성 실리콘 조성물의 경화 시스템은 제한되지 않는다. 경화 시스템의 예에는 하이드로실릴화 반응, 축합 반응, 및 UV 방사선 반응이 포함되며, 하이드로실릴화 반응이 특히 바람직하다.
하이드로실릴화에 의해 경화되는 경화성 실리콘 조성물은 바람직하게는
(A) 분자당 2개 이상의 지방족 불포화 탄화수소 기를 갖는 유기폴리실록산;
(B) 분자당 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기하이드로겐폴리실록산;
(C) 1종 이상의 크라운 화합물; 및
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매
를 포함한다.
성분 (A)는 본 조성물의 베이스 화합물이며, 분자당 2개 이상의 지방족 불포화 탄화수소 기를 갖는 유기폴리실록산이다. 지방족 불포화 탄화수소 기의 예에는, 2 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기, 예를 들어, 비닐 기, 알릴 기, 부테닐 기, 펜테닐 기, 헥세닐 기, 헵테닐 기, 옥테닐 기, 노네닐 기, 데세닐 기, 운데세닐 기, 및 도데세닐 기가 포함되며, 이들 중에서 비닐 기가 바람직하다. 또한, 성분 (A)에서 지방족 불포화 탄화수소 기 이외에 규소 원자에 결합하는 기의 예에는, 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 예를 들어 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 아이소프로필 기, 부틸 기, 아이소부틸 기, tert-부틸 기, 펜틸 기, 네오펜틸 기, 헥실 기, 사이클로헥실 기, 헵틸 기, 옥틸 기, 노닐 기, 데실 기, 운데실 기, 및 도데실 기; 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기, 예를 들어 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 및 나프틸 기; 7 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 예를 들어 벤질 기, 페네틸 기, 및 페닐프로필 기; 및 이들 기의 수소 원자 중 일부 또는 전부가 불소 원자, 염소 원자, 또는 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환된 기가 포함된다. 게다가, 성분 (A)에서 규소 원자는 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 소량의 하이드록실 기 또는 알콕시 기, 예를 들어 메톡시 기 또는 에톡시 기를 가질 수 있다.
성분 (A)의 분자 구조의 예에는 직쇄 구조, 부분 분지형 직쇄 구조, 분지쇄 구조, 및 3차원 망상(reticular) 구조가 포함된다. 성분 (A)는 이러한 분자 구조를 갖는 1종의 유기폴리실록산일 수 있거나, 또는 이러한 분자 구조를 갖는 2종 이상의 유기폴리실록산의 혼합물일 수 있다.
성분 (A)는 25℃에서 액체 또는 고체이다. 성분 (A)가 25℃에서 액체인 경우, 25℃에서의 상기 액체의 점도는 바람직하게는 10 내지 1,000,000 mPaㆍs의 범위, 또는 10 내지 1,000,000 mPaㆍs의 범위이다. 이러한 점도는, 예를 들어 JIS K 7117-1에 따라 B-타입 점도계를 사용하는 측정에 의해 결정될 수 있다.
그러한 성분 (A)의 예에는 양측 분자 말단에서 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된 다이메틸폴리실록산, 양측 분자 말단에서 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 양측 분자 말단에서 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸페닐실록산 공중합체, 양측 분자 말단에서 다이메틸비닐실록시 기로 캡핑된 메틸페닐폴리실록산, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸비닐실록산 공중합체, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸비닐실록산-메틸페닐실록산 공중합체, (CH3)3SiO1/2 단위, (CH3)2(CH2=CH)SiO1/2 단위, 및 SiO4/2 단위로 이루어진 공중합체, (CH3)2(CH2=CH)SiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위로 이루어진 공중합체, 및 이들의 2종 이상의 혼합물이 포함된다.
성분 (B)는 본 조성물의 가교결합제이며, 분자당 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기하이드로겐폴리실록산이다. 성분 (B)에서 수소 원자 이외에 규소 원자에 결합하는 기의 예에는, 1 내지 12개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 예를 들어 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 아이소프로필 기, 부틸 기, 아이소부틸 기, tert-부틸 기, 펜틸 기, 네오펜틸 기, 헥실 기, 사이클로헥실 기, 헵틸 기, 옥틸 기, 노닐 기, 데실 기, 운데실 기, 및 도데실 기; 6 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기, 예를 들어 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 및 나프틸 기; 7 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 아르알킬 기, 예를 들어 벤질 기, 페네틸 기, 및 페닐프로필 기; 및 이들 기의 수소 원자 중 일부 또는 전부가 불소 원자, 염소 원자, 또는 브롬 원자와 같은 할로겐 원자로 치환된 기가 포함된다. 게다가, 성분 (B)에서 규소 원자는 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 소량의 하이드록실 기 또는 알콕시 기, 예를 들어 메톡시 기 또는 에톡시 기를 가질 수 있다.
성분 (B)의 분자 구조의 예에는 직쇄, 부분 분지형 직쇄, 분지쇄, 환형, 및 3차원 망상 구조가 포함되며, 분자 구조는 바람직하게는 부분 분지형 직쇄, 분지쇄, 또는 3차원 망상 구조이다.
성분 (B)는 25℃에서 고체 또는 액체이다. 성분 (B)가 25℃에서 액체인 경우, 25℃에서의 상기 액체의 점도는 바람직하게는 10,000 mPa·s 이하, 0.1 내지 5,000 mPa·s의 범위, 또는 0.5 내지 1,000 mPa·s의 범위이다. 이러한 점도는, 예를 들어 JIS K 7117-1에 따라 B-타입 점도계를 사용하는 측정에 의해 결정될 수 있다.
그러한 성분 (B)의 예에는 1,1,3,3-테트라메틸다이실록산, 1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산, 트리스(다이메틸하이드로겐실록시)메틸실란, 트리스(다이메틸하이드로겐실록시)페닐실란, 1-글리시독시프로필-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산, 1,5-글리시독시프로필-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산, 1-글리시독시프로필-5-트라이메톡시실릴에틸-1,3,5,7-테트라메틸사이클로테트라실록산, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 메틸하이드로겐폴리실록산, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 양측 분자 말단에서 다이메틸하이드로겐실록시 기로 캡핑된 다이메틸폴리실록산, 양측 분자 말단에서 다이메틸하이드로겐실록시 기로 캡핑된 다이메틸실록산-메틸하이드로겐실록산 공중합체, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 메틸하이드로겐실록산-다이페닐실록산 공중합체, 양측 분자 말단에서 트라이메틸실록시 기로 캡핑된 메틸하이드로겐실록산-다이페닐실록산-다이메틸실록산 공중합체, (CH3)2 HSiO1/2 단위 및 SiO4/2 단위로 이루어진 공중합체, (CH3)2HSiO1/2 단위, SiO4/2 단위, 및 (C6H5)SiO3/2 단위로 이루어진 공중합체, 및 이들의 2종 이상의 혼합물이 포함된다.
성분 (B)의 함량은 제한되지 않지만, 바람직하게는 이 성분 내의 규소-결합된 수소 원자의 함량이 성분 (A) 내의 지방족 불포화 탄화수소 기 1 몰당 0.1 내지 10 몰, 그리고 바람직하게는 0.5 내지 5 몰이 되도록 하는 양이다. 이는, 성분 (B)의 함량이 전술한 범위의 상한 이하일 때, 얻어지는 경화물의 기계적 특성이 양호한 한편, 성분 (B)의 함량이 전술한 범위의 하한 이상일 때, 얻어지는 조성물의 경화성이 양호하기 때문이다.
성분 (C)는 1종 이상의 크라운 화합물이다. 성분 (C)의 예에는 크라운 에테르 화합물, 환형 폴리아민 화합물, 및 환형 폴리티오에테르 화합물이 포함되며, 크라운 에테르 화합물이 특히 바람직하다. 크라운 에테르 화합물은 바람직하게는 상기에 언급된 크라운 에테르 화합물이다.
성분 (C)의 함량은 조성물의 0.001 내지 5 질량%이다. 바람직하게는, 이의 하한은 조성물의 0.005 질량%, 0.01 질량%, 0.05 질량%인 한편, 이의 상한은 조성물의 4 질량%, 3 질량%, 또는 2 질량%이다. 이는, 성분 (C)의 함량이 전술한 범위의 하한 이상일 때, 은 전극 또는 은-도금된 기재의 변색이 충분히 억제되는 한편, 함량이 전술한 범위의 상한 이하일 때, 조성물의 경화물이 양호한 열안정성을 갖기 때문이다.
성분 (D)는 본 조성물의 경화를 촉진하는 데 사용되는 백금 하이드로실릴화 반응 촉매이다. 성분 (D)의 예에는 미세 분말형 백금; 백금흑; 염화백금산, 알코올-개질된 염화백금산; 염화백금산/다이올레핀 착물; 백금/올레핀 착물; 백금/카르보닐 착물, 예를 들어 백금 비스(아세토아세테이트), 및 백금 비스(아세틸아세토네이트); 염화백금산/알케닐실록산 착물, 예를 들어, 염화백금산/다이비닐테트라메틸 다이실록산 착물, 및 염화백금산/테트라비닐 테트라메틸 사이클로테트라실록산 착물; 백금/알케닐실록산 착물, 예를 들어 백금/다이비닐테트라메틸 다이실록산 착물, 및 백금/테트라비닐 테트라메틸 사이클로테트라실록산 착물; 염화백금산과 아세틸렌 알코올의 착물; 및 이들의 2종 이상의 혼합물이 포함된다. 특히, 백금-알케닐실록산 착물이 탁월한 촉진 효과를 제공한다는 점에서 바람직하다.
백금-알케닐실록산 착물에 사용되는 알케닐실록산의 예에는 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산, 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산, 알케닐실록산 올리고머(이들 알케닐실록산의 메틸 기 중 일부가 에틸 기, 페닐 기 등으로 치환됨), 및 알케닐실록산 올리고머(이들 알케닐실록산의 비닐 기가 알릴 기, 헥세닐 기 등으로 치환됨)가 포함된다. 특히, 생성되는 백금-알케닐실록산 착물의 안정성이 양호하다는 점에서 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산이 바람직하다.
백금-알케닐실록산 착물의 안정성을 향상시키기 위하여, 이들 백금-알케닐실록산 착물을 알케닐실록산 올리고머, 예를 들어 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산, 1,3-다이알릴-1,1,3,3-테트라메틸다이실록산, 1,3-다이비닐-1,3-다이메틸-1,3-다이페닐다이실록산, 1,3-다이비닐-1,1,3,3-테트라페닐다이실록산, 또는 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산 또는 유기실록산 올리고머, 예를 들어 다이메틸실록산 올리고머에 용해시키는 것이 바람직하며, 상기 착물을 알케닐실록산 올리고머에 용해시키는 것이 특히 바람직하다.
성분 (D)의 함량은 제한되지 않지만, 바람직하게는 성분 (D)에서 백금 원자의 함량이 본 조성물에 대한 질량 단위로 0.01 내지 500 ppm의 범위, 바람직하게는 0.01 내지 100 ppm의 범위 또는 0.1 내지 50 ppm의 범위가 되도록 하는 양이다. 이는, 성분 (D)의 함량이 전술한 범위의 하한 이상일 때, 얻어지는 조성물의 경화성이 양호한 한편, 성분 (D)의 함량이 전술한 범위의 상한 이하일 때, 얻어지는 경화물의 착색이 억제되기 때문이다.
본 조성물은, 주위 온도에서의 가용 시간을 연장시키고 저장 안정성을 개선하기 위해, (E) 하이드로실릴화 반응 억제제를 함유할 수 있다. 성분 (E)의 예에는 알킨 알코올, 예를 들어, 1-에티닐사이클로헥산-1-올, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3,5-다이메틸-1-헥신-3-올, 및 2-페닐-3-부틴-2-올; 엔인 화합물, 예를 들어 3-메틸-3-펜텐-1-인 및 3,5-다이메틸-3-헥센-1-인; 알킨옥시실란, 예를 들어 다이메틸 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란 및 메틸비닐 비스(3-메틸-1-부틴-3-옥시)실란; 및 트라이알릴아이소시아누레이트 화합물이 포함된다.
성분 (E)의 함량은 제한되지 않지만, 바람직하게는 본 조성물 100 질량부당 0.0001 내지 5 질량부의 범위, 0.001 내지 3 질량부의 범위, 또는 0.01 내지 3 질량부의 범위이다.
또한, 본 조성물은, 경화 동안 조성물과 접촉하고 있는 기재에 대한 접착성을 추가로 개선하기 위하여, (F) 접착 촉진제를 또한 함유할 수 있다. 성분 (F)는 바람직하게는 분자당 1개 이상의 규소-결합된 알콕시 기를 갖는 유기 규소 화합물이다. 알콕시 기의 예에는 메톡시 기, 에톡시 기, 프로폭시 기, 부톡시 기, 및 메톡시에톡시 기가 포함되며, 메톡시 기 또는 에톡시 기가 특히 바람직하다. 이러한 유기 규소 화합물의 규소 원자와 결합하는 알콕시 기 이외의 기의 예에는 상기에 기재된 것들과 동일한 할로겐-치환된 또는 비치환된 1가 탄화수소 기, 예를 들어 알킬 기, 알케닐 기, 아릴 기, 아르알킬 기, 및 할로겐화 알킬 기; 글리시독시알킬 기, 예를 들어 3-글리시독시프로필 기 및 4-글리시독시부틸 기; 에폭시사이클로헥실알킬 기, 예를 들어 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸 기 및 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)프로필 기; 아크릴 기-함유 1가 유기 기, 예를 들어 3-메타크릴옥시프로필 기; 아이소시아네이트 기; 아이소시아누레이트 기; 및 수소 원자가 포함된다. 유기 규소 화합물은 바람직하게는 본 조성물 내의 알케닐 기 및/또는 규소-결합된 수소 원자와 반응할 수 있는 기를 갖는다. 구체적으로, 유기 규소 화합물은 바람직하게는 규소-결합된 지방족 불포화 탄화수소 기 또는 규소-결합된 수소 원자를 갖는다.
성분 (F)는 바람직하게는 하기 평균 단위식으로 표시되는 유기폴리실록산이다:
(R1R2 2SiO1/2)a(R2R3SiO2/2)b(R4SiO3/2)c.
상기 식에서, R1은 2 내지 12개의 탄소를 갖는 알케닐 기이다. 구체적인 예에는 비닐 기, 알릴 기, 부테닐 기, 펜테닐 기, 헥세닐 기, 헵테닐 기, 옥테닐 기, 노네닐 기, 데세닐 기, 운데세닐 기, 및 도데세닐 기가 포함된다. 이들 중, 비닐 기가 바람직하다.
상기 식에서, R2는 동일하거나 상이하며, 각각 1 내지 12개의 탄소를 갖는 알킬 기, 6 내지 20개의 탄소를 갖는 아릴 기, 또는 7 내지 20개의 탄소를 갖는 아르알킬 기이다. 이의 구체적인 예에는 알킬 기, 예를 들어, 메틸 기, 에틸 기, 프로필 기, 부틸 기, 펜틸 기, 헥실 기, 헵틸 기, 옥틸 기, 노닐 기, 데실 기, 운데실 기, 및 도데실 기; 알케닐 기, 예를 들어 비닐 기, 알릴 기, 부테닐 기, 펜테닐 기, 헥세닐 기, 헵테닐 기, 옥테닐 기, 노네닐 기, 데세닐 기, 운데세닐 기, 및 도데세닐 기; 아릴 기, 예를 들어 페닐 기, 톨릴 기, 자일릴 기, 나프틸 기, 안트라세닐 기, 페난트릴 기, 및 피레닐 기; 아르알킬 기, 예를 들어 나프틸에틸 기, 나프틸프로필 기, 안트라세닐에틸 기, 페난트릴에틸 기, 및 피레닐에틸 기; 및 이들 아릴 기 또는 아르알킬 기에서 결합된 수소 원자의 일부 또는 전부가 알킬 기, 예를 들어 메틸 기 또는 에틸 기, 알콕시 기, 예를 들어 메톡시 기 또는 에톡시 기, 또는 할로겐 원자, 예를 들어 염소 원자 및 브롬 원자로 치환된 기가 포함된다. 메틸 기, 비닐 기, 또는 페닐 기가 바람직하다.
상기 식에서, R3은 에폭시 기-함유 유기 기이다. 구체적인 예에는 글리시독시알킬 기, 예를 들어 2-글리시독시에틸 기, 3-글리시독시프로필 기, 또는 4-글리시독시부틸 기; 에폭시사이클로알킬알킬 기, 예를 들어 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)-에틸 기 또는 3-(3,4-에폭시사이클로헥실)-프로필 기; 및 에폭시알킬 기, 예를 들어 3,4-에폭시부틸 기 또는 7,8-에폭시옥틸 기가 포함된다. 글리시독시알킬 기가 바람직하며, 3-글리시독시프로필 기가 특히 바람직하다.
상기 식에서, R4는 6 내지 20개의 탄소를 갖는 아릴 기 또는 7 내지 20개의 탄소를 갖는 아르알킬 기이고, 이의 예에는 전술한 R2에 대해 기재된 동일한 기가 포함된다.
상기 식에서, a, b, 및 c는 0.1 ≤ a ≤ 0.6, 0.1 ≤ b ≤ 0.5, 0.3 ≤ c < 0.8, 0.15 ≤ a/c ≤ 1.5, 0.15 ≤ b/c ≤ 1.8, 및 a + b + c = 1을 충족시키는 수이고, 바람직하게는 0.1 ≤ a ≤ 0.5, 0.1 ≤ b ≤ 0.45, 0.3 ≤ c < 0.7, 0.15 ≤ a/c ≤ 1.5, 0.15 ≤ b/c ≤ 1.8, 및 a + b + c = 1을 충족시키는 수이고, 더욱 바람직하게는 0.1 ≤ a ≤ 0.5, 0.1 ≤ b ≤ 0.4, 0.3 ≤ c < 0.65, 0.15 ≤ a/c ≤ 1.5, 0.15 ≤ b/c ≤ 1.8, 및 a + b + c = 1을 충족시키는 수이다. 이는, a의 값이 상기에 기재된 범위의 하한 이상일 때, 얻어지는 경화물이 끈적끈적할 가능성이 적고, 다른 한편, 상기에 기재된 범위의 상한 이하일 때, 얻어지는 경화물이 탁월한 접착성을 갖기 때문이다. 이는 또한, b의 값이 상기에 기재된 범위의 하한 이상일 때, 얻어지는 경화물의 접착성이 양호하고, 다른 한편, 상기에 기재된 범위의 상한 이하일 때, 얻어지는 경화물의 내열성이 개선되기 때문이다. 이는 또한, c의 값이 상기에 기재된 범위의 하한 이상일 때, 얻어지는 경화물의 굴절률이 양호하기 때문이다. 이는 또한, a/c의 값이 상기에 기재된 범위의 하한 이상일 때, 얻어지는 경화물의 접착성이 양호하고, 다른 한편, a/c가 상기에 기재된 범위의 상한 이하일 때, 얻어지는 조성물의 경화성이 양호하기 때문이다. 이는 또한, b/c의 값이 상기에 기재된 범위의 하한 이상일 때, 얻어지는 경화물의 접착성이 양호하고, 다른 한편, 상기에 기재된 범위의 상한 이하일 때, 얻어지는 경화물의 내열성이 양호하기 때문이다.
성분 (F)의 함량은 제한되지 않지만, 바람직하게는 본 조성물 100 질량부당 0.0001 내지 5 질량부의 범위, 0.001 내지 5 질량부의 범위, 0.01 내지 5 질량부의 범위, 또는 0.01 내지 3 질량부의 범위이다.
또한, 본 조성물은 본 조성물의 점도를 감소시키기 위하여 희석제를 또한 함유할 수 있다. 희석제는 바람직하게는 본 조성물 내의 규소-결합된 수소 원자와 반응할 수 있는 기를 갖는다. 구체적으로, 희석제는 바람직하게는 분자당 1개 이상의 지방족 불포화 탄화수소 기를 갖는다. 희석제의 예에는 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐사이클로테트라실록산 및 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라헥세닐사이클로테트라실록산이 포함된다.
희석제의 함량은 제한되지 않지만, 바람직하게는 조성물의 약 1 내지 7 질량% 범위의 양이다.
게다가, 본 조성물은, 본 조성물의 경화물로 캡슐화되거나 덮이는 발광 소자로부터 방출되는 광의 파장을 변경시켜서 원하는 파장의 광을 얻는 데 사용되는 형광 물질을 또한 함유할 수 있다. 이러한 유형의 형광 물질의 예에는, 발광 다이오드(LED)에 널리 사용되는, 산화물 형광 물질, 산질화물 형광 물질, 질화물 형광 물질, 황화물 형광 물질, 산황화물 형광 물질 등으로 이루어진 황색, 적색, 녹색, 및 청색 발광 형광 물질이 포함된다. 산화물계 형광 물질의 예에는 세륨 이온을 함유하는 이트륨, 알루미늄, 및 가넷-유형 YAG 녹색 내지 황색 발광 형광 물질; 세륨 이온을 함유하는 테르븀, 알루미늄, 및 가넷-유형 TAG 황색 발광 형광 물질; 및 세륨 또는 유로퓸 이온을 함유하는 실리케이트 녹색 내지 황색 발광 형광 물질이 포함된다. 산질화물계 형광 물질의 예에는 유로퓸 이온을 함유하는 규소, 알루미늄, 산소, 및 질소-유형 SiAlON 적색 내지 녹색 발광 형광 물질이 포함된다. 질화물계 형광 물질의 예에는 유로퓸 이온을 함유하는 칼슘, 스트론튬, 알루미늄, 규소 및 질소-유형 CASN 적색 발광 형광 물질이 포함된다. 황화물계 형광 물질의 예에는 구리 이온 또는 알루미늄 이온을 함유하는 ZnS 녹색 발광 형광 물질이 포함된다. 산황화물계 형광 물질의 예에는 유로퓸 이온을 함유하는 Y2O2S 적색 발광 형광 물질이 포함된다. 이들 형광 물질은 1종으로서 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용될 수 있다. 본 조성물에서, 형광 물질의 함량은 성분 (A) 및 성분 (E)의 총량에 대해 0.1 내지 70 질량%, 그리고 바람직하게는 1 내지 20 질량%이다.
더욱이, 무기 충전제, 예를 들어 실리카, 유리, 알루미나 또는 산화아연; 폴리메타크릴레이트 수지 등의 유기 수지 미세 분말; 내열제, 염료, 안료, 난연제, 용매 등이, 본 발명의 목적을 손상시키지 않는 수준으로 본 조성물에 선택 성분으로서 포함될 수 있다.
선택 성분으로서 첨가되는 성분들 중에서, 공기 중의 황-함유 가스로 인한 광반도체 장치 내의 은 전극 또는 기재의 은 도금의 변색을 충분히 억제하기 위하여, Al, Ag, Cu, Fe, Sb, Si, Sn, Ti, Zr, 및 희토류 원소를 포함하는 군으로부터 선택되는 원소의 1종 이상의 산화물로 표면-코팅된 산화아연 미세 분말, 알케닐 기를 갖지 않는 유기규소 화합물로 표면-처리된 산화아연 미세 분말, 및 탄산아연의 수화물 미세 분말을 포함하는 군으로부터 선택되는, 평균 입자 크기가 0.1 nm 내지 5 ㎛인 1종 이상의 미세 분말을 첨가하는 것이 가능하다.
산화물로 표면-코팅된 산화아연 미세 분말에서, 희토류 원소의 예에는 이트륨, 세륨, 및 유로퓸이 포함된다. 산화아연 미세 분말의 표면 상의 산화물의 예에는 Al2O3, AgO, Ag2O, Ag2O3, CuO, Cu2O, FeO, Fe2O3, Fe3O4, Sb2O3, SiO2, SnO2, Ti2O3, TiO2, Ti3O5, ZrO2, Y2O3, CeO2, Eu2O3, 및 이들 산화물 중 둘 이상의 혼합물이 포함된다.
유기규소 화합물로 표면-처리된 산화아연 분말에서, 유기규소 화합물은 알케닐 기를 갖지 않으며, 예에는 유기실란, 유기실라잔, 폴리메틸실록산, 유기하이드로겐폴리실록산, 및 유기실록산 올리고머가 포함된다. 구체적인 예에는 유기클로로실란, 예를 들어 트라이메틸클로로실란, 다이메틸클로로실란, 및 메틸트라이클로로실란; 유기트라이알콕시실란, 예를 들어 메틸트라이메톡시실란, 메틸트라이에톡시실란, 페닐트라이메톡시실란, 에틸트라이메톡시실란, n-프로필트라이메톡시실란, 및 γ-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실란; 다이오르가노다이알콕시실란, 예를 들어 다이메틸다이메톡시실란, 다이메틸다이에톡시실란, 및 다이페닐다이메톡시실란; 트라이오르가노알콕시실란, 예를 들어 트라이메틸메톡시실란 및 트라이메틸에톡시실란; 이들 유기알콕시실란의 부분 축합물; 유기실라잔, 예를 들어 헥사메틸다이실라잔; 및 폴리메틸실록산, 유기하이드로겐폴리실록산, 실라놀 기 또는 알콕시 기, R6SiO3/2 단위(여기서, R6은 알케닐 기를 제외한 1가 탄화수소 기이고, 이의 예에는 알킬 기, 예를 들어 메틸 기, 에틸 기, 또는 프로필 기, 및 아릴 기, 예를 들어 페닐 기가 포함됨), 또는 SiO4/2 단위를 갖는 유기실록산 올리고머를 포함하는 수지형 유기폴리실록산이 포함된다.
본 조성물은 실온에서 정치될 때 또는 가열될 때 경화가 진행되는 것이지만, 급속 경화를 달성하기 위해서 조성물을 가열하는 것이 바람직하다. 가열 온도는 바람직하게는 50 내지 200℃의 범위이다.
본 조성물은 바람직하게는 경화된 때에 JIS K 6253에 의해 규정되는 바와 같이 타입 D 경도계 경도가 15 내지 99 또는 30 내지 95인 경화물을 형성한다. 이는, 경화성 실리콘 조성물의 경화물의 경도가 전술한 범위의 하한 이상일 때, 경화물이 강하며, 충분한 보호를 나타내는 한편, 경도가 전술한 범위의 상한 이하일 때, 경화물이 가요성으로 되고, 내구성이 충분하기 때문이다.
본 조성물은 바람직하게는 광반도체 소자를 밀봉, 코팅, 또는 접착하기 위한 경화성 실리콘 조성물이다.
다음으로, 본 발명의 광반도체 장치를 상세하게 기재할 것이다.
본 발명의 광반도체 장치는, 은 전극 또는 은-도금된 기재를 가지며, 전극 또는 기재가 상기에 기재된 경화성 실리콘 조성물의 경화물로 밀봉되거나 덮이는 것을 특징으로 한다. 광반도체 장치 내의 광반도체 소자의 예에는 발광 다이오드(LED) 소자, 반도체 레이저 소자, 포토다이오드(photodiode) 소자, 포토트랜지스터(phototransistor) 소자, 고체 촬상 장치, 및 포토커플러용의 발광체 및 수광체가 포함되며; 광반도체 소자는 특히 바람직하게는 발광 다이오드(LED) 소자이다. 본 발명의 광반도체 장치를 도 1에 의해 추가로 상세하게 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 광반도체 장치의 일 예인 표면 실장형 LED의 단면도를 예시한다. 도 1에 예시된 LED에서, 광반도체 소자(1)는 리드 프레임(lead frame; 2) 상에 다이-본딩되며(die-bonded), 이러한 광반도체 소자(1)는 본딩 와이어(4)에 의해 리드 프레임(3)에 와이어-본딩된다. 이러한 광반도체 소자(1)의 주연부에, 광 반사 재료(5)가 형성되고, 이러한 광 반사 재료(5) 내부의 광반도체 소자(1)는 상기에 기재된 경화성 실리콘 조성물의 경화물(6)에 의해 밀봉된다.
도 1에 예시된 표면 실장형 LED를 제조하는 방법의 예는, 광 반사 재료(5) 내부의 리드 프레임(2) 상에 광반도체 소자(1)를 다이-본딩하고, 광반도체 소자(1)와 리드 프레임(3)을 금 본딩 와이어(4)로 와이어-본딩하고, 이어서 광반도체 소자(1)를 상기에 기재된 경화성 실리콘 조성물로 수지-밀봉하는 방법이다.
실시예
실시예 및 비교예를 사용하여 본 발명의 경화성 실리콘 조성물 및 광반도체 장치를 이하에서 상세하게 설명할 것이다. 화학식에서, Me는 메틸 기를 나타내고, Vi는 비닐 기를 나타내고, Ph는 페닐 기를 나타내고, Ep는 3-글리시독시프로필 기를 나타내고, EO는 에틸렌 옥사이드 기를 나타낸다.
하기 성분들을 성분 (A)로서 사용하였다.
성분 (a-1): 하기 평균 단위식으로 표시되는 유기폴리실록산:
(MePhViSiO1/2)0.23 (PhSiO3/2)0.77
(비닐 기 함량 = 4.6 질량%)
성분 (a-2): 25℃에서의 점도가 5 mPaㆍs이고 하기 화학식으로 표시되는 유기폴리실록산:
(Me2ViSiO)3SiPh
(비닐 기 함량 = 19.8 질량%)
성분 (a-3): 점도가 25℃ 에서 3,000 mPaㆍs이고 하기 평균 화학식으로 표시되는 다이페닐폴리실록산:
Me2ViSiO(MePhSiO)25SiMe2Vi
(비닐 기 함량 = 1.4 질량%)
하기 성분을 성분 (B)로서 사용하였다.
성분 (b-1): 25℃에서의 점도가 4 mPaㆍs이고 하기 평균 화학식으로 표시되는, 양측 분자 말단에서 다이메틸하이드로겐실록시 기로 캡핑된 다이페닐폴리실록산:
HMe2SiO(Ph2SiO)SiMe2H
(규소-결합된 수소 원자 함량 = 0.6 질량%)
하기 성분을 성분 (C)로서 사용하였다:
성분 (c-1): 18-크라운 6-에테르(1,4,7,10,13,16-헥사옥사사이클로옥타데칸)
성분 (c-2): 페놀 (EO)4 아크릴레이트(미원 스페셜티 케미칼 컴퍼니 리미티드(Miwon Specialty Chemical Co., Ltd.)에 의해 제조된 미라머(Miramer) M144)
성분 (c-3): 노닐 페놀 (EO)8 아크릴레이트(미원 스페셜티 케미칼 컴퍼니 리미티드에 의해 제조된 미라머 M166)
하기 성분을 성분 (D)로서 사용하였다:
성분 (d-1): 1,3-다이비닐테트라메틸 다이실록산 백금 착물의 1,3-다이비닐테트라메틸다이실록산 용액(이 성분 내의 질량 단위의 백금 금속 함량 = 대략 4,000 ppm).
하기 성분을 성분 (E)로서 사용하였다.
성분 (e-1): 1-에티닐사이클로헥산-1-올
하기 성분을 성분 (F)로서 사용하였다.
성분 (f-1): 25℃에서의 점도가 20 Paㆍs이고 하기 평균 단위식으로 표시되는 유기폴리실록산:
(Me2ViSiO1/2)0.18 (MeEpSiO1/2)0.29 (PhSiO3/2)0.53
(비닐 기 함량 = 3.6 질량%)
하기 성분들을 임의 성분으로서 사용하였다.
희석제로서의 성분 (g-1): 25℃에서의 점도가 3 mPaㆍs이고 하기 평균 화학식으로 표시되는 메틸비닐사이클로실록산:
(MeViSiO)
(비닐 기 함량 = 31.4 질량%)
변색을 충분히 억제하기 위한 충전제로서의 성분 (g-2): 산화아연 분말(사카이 케미칼 인더스트리 컴퍼니 리미티드(Sakai Chemical Industry Co., Ltd.)에 의해 제조된 나노파인(Nanofine) 50A)
[경화성 실리콘 조성물의 점도]
경화성 실리콘 조성물의 25℃에서의 점도를 JIS K 7117-1에 따라 타입 B 점도계를 사용하여 측정하였다.
[경화물의 투과율]
경화성 실리콘 조성물을 150℃에서 1시간 동안 5 MPa의 압력 하에서 프레스-성형하여 두께가 1 mm인 시트형 경화물을 제조하였다. 시트형 경화물의 투과율을 파장 450 nm에서 분광광도계(시마즈 코포레이션(Shimadzu Corporation)에 의해 제조된 UV-1650PC)에 의해 측정하였다.
[경화물의 경도]
경화성 실리콘 조성물을 150℃에서 1시간 동안 5 MPa의 압력 하에서 프레스-성형하여 시트형 경화물을 제조하였다. JIS K 6253에 규정된 바와 같은 타입 D 경도계에 의해 시트형 경화물의 경도를 측정하였다.
[광반도체 장치의 제조]
또한, 경화성 실리콘 조성물을 150℃에서 1시간 동안 가열함으로써 도 1에 예시된 광반도체 장치를 생성하였다. 광반도체 장치의 방사속(radiant flux)을 측정함으로써, 하기와 같이 내황화성(sulfidation resistance) 및 신뢰도를 측정하였다.
[내황화성]
적분구를 이용하는 전방사속 측정 장치를 사용하여 광반도체 장치에 대해 초기 방사속 측정을 수행하였다. 다음으로, 이 광반도체 장치를 황화나트륨 6수화물과 함께 오토클레이브에 넣고, 50℃로 가열하고, 19시간 동안 정치시켰다. 이어서, 적분구를 이용하는 전방사속 측정 장치를 사용하여 방사속 측정을 수행하였다.
[신뢰도]
적분구를 이용하는 전방사속 측정 장치를 사용하여 광반도체 장치에 대해 초기 방사속 측정을 수행하였다. 다음으로, 이 광반도체 장치를 85℃, 85%RH 하에 두고 1500시간 동안 정치시켰다. 이어서, 적분구를 이용하는 전방사속 측정 장치를 사용하여 방사속 측정을 수행하였다.
[실시예 1 및 실시예 2와 비교예 1 내지 비교예 4]
하기 표 1에 나타낸 조성(질량부)에 따라 상기 성분들을 균일하게 혼합하여 실시예 1 및 실시예 2와 비교예 1 내지 비교예 4의 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 더욱이, 표 1에서, "SiH/Vi"는 경화성 실리콘 조성물에서 성분 (A) 내의 총 비닐 기 1 몰당 성분 (B) 내의 규소-결합된 수소 원자의 총 몰을 나타낸다.
[평가 및 결과]
경화성 실리콘 조성물 및 경화물에 대한 측정, 및 광반도체 장치의 내황화성에 대한 측정의 결과가, 실시예 1 및 실시예 2와 비교예 1 내지 비교예 4에서 얻은 경화성 실리콘 조성물에 대해 표 1에 나타나 있다.
[표 1]
[실시예 3 내지 실시예 5와 비교예 5]
하기 표 2에 나타낸 조성(질량부)에 따라 상기 성분들을 균일하게 혼합하여 실시예 3 내지 실시예 5와 비교예 5의 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 더욱이, 표 2에서, "SiH/Vi"는 경화성 실리콘 조성물에서 성분 (A) 내의 총 비닐 기 1 몰당 성분 (B) 내의 규소-결합된 수소 원자의 총 몰을 나타낸다.
[평가 및 결과]
경화성 실리콘 조성물 및 경화물에 대한 측정, 및 광반도체 장치의 내황화성에 대한 측정의 결과가, 실시예 3 내지 실시예 5와 비교예 5에서 얻은 경화성 실리콘 조성물에 대해 표 2에 나타나 있다.
[표 2]
표 1 및 표 2에 나타나 있는 결과로부터, 실시예 1 내지 실시예 5의 경화성 실리콘 조성물을 사용하여 제조된 광반도체 장치가 내황화성을 가짐을 확인하였다.
[실시예 6 및 비교예 6]
하기 표 3에 나타낸 조성(질량부)에 따라 상기 성분들을 균일하게 혼합하여 실시예 6 및 비교예 6의 경화성 실리콘 조성물을 제조하였다. 더욱이, 표 3에서, "SiH/Vi"는 경화성 실리콘 조성물에서 성분 (A) 내의 총 비닐 기 1 몰당 성분 (B) 내의 규소-결합된 수소 원자의 총 몰을 나타낸다.
[평가 및 결과]
경화성 실리콘 조성물 및 경화물에 대한 측정, 및 광반도체 장치의 내황화성에 대한 측정의 결과가, 실시예 6 및 비교예 6에서 얻은 경화성 실리콘 조성물에 대해 표 3에 나타나 있다.
[표 3]
표 3에 나타나 있는 결과로부터, 실시예 6의 경화성 실리콘 조성물을 사용하여 제조된 광반도체 장치가 양호한 신뢰도를 가짐을 확인하였다.
본 발명의 경화성 실리콘 조성물은 공기 중의 황-함유 가스로 인한 은 전극 또는 은-도금된 기재의 변색을 억제하는 경화물을 형성할 수 있으며, 따라서 광반도체 장치 내의 광반도체 소자를 위한 밀봉제, 코팅제, 또는 접착제로서, 또는 액정 단자의 은 전극 또는 은-도금된 기재의 보호제로서 적합하다.
1 발광 소자
2 리드 프레임
3 리드 프레임
4 본딩 와이어
5 프레임 재료
6 경화성 실리콘 조성물의 경화물
2 리드 프레임
3 리드 프레임
4 본딩 와이어
5 프레임 재료
6 경화성 실리콘 조성물의 경화물
Claims (10)
- 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물로서,
(A) 분자당 2개 이상의 지방족 불포화 탄화수소 기를 갖는 유기폴리실록산;
(B) 분자당 2개 이상의 규소-결합된 수소 원자를 갖는 유기하이드로겐폴리실록산;
(C) 0.05 내지 2 질량%의 1종 이상의 크라운 화합물; 및
(D) 하이드로실릴화 반응 촉매
를 포함하는, 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물. - 제1항에 있어서, 상기 크라운 화합물은 크라운 에테르 화합물, 환형 폴리아민 화합물, 또는 환형 폴리티오에테르 화합물인, 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물.
- 제2항에 있어서, 상기 크라운 에테르 화합물은 크라운 에테르 화합물, 벤조 크라운 에테르 화합물, 다이벤조 크라운 에테르 화합물, 아미노벤조 크라운 에테르 화합물, 아세틸벤조 크라운 에테르 화합물, 카르복시벤조 크라운 에테르 화합물, 브로모벤조 크라운 에테르 화합물, 아자 크라운 에테르 화합물, 또는 다이아자 크라운 에테르 화합물인, 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물.
- 제1항에 있어서, (E) 하이드로실릴화 반응 억제제를, 성분 (A) 내지 성분 (D) 총 100 질량부당 0.01 내지 3 질량부의 양으로 추가로 포함하는, 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물.
- 제1항에 있어서, (F) 접착 촉진제를, 성분 (A) 내지 성분 (D) 총 100 질량부당 0.01 내지 3 질량부의 양으로 추가로 포함하는, 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 광반도체 소자(optical semiconductor element)를 밀봉, 코팅, 또는 접착하기 위한 조성물인, 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물.
- 은 전극 또는 은-도금된 기재(substrate) 상에 광반도체 소자를 포함하는 광반도체 장치로서, 상기 광반도체 소자는 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 하이드로실릴화 경화성 실리콘 조성물의 경화물로 밀봉, 코팅, 또는 접착되는, 광반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 광반도체 소자는 발광 다이오드인, 광반도체 장치.
- 삭제
- 삭제
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