WO2015029319A1 - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
配線の微細化に対応できる配線基板とその製造方法を提供すること。 樹脂絶縁層20と導体層33とが積層されてなる配線基板1であって、導体層33は、幅が5μm以下の配線36を含み、最大高さRzが1.0μm未満の樹脂絶縁層20表面に配線36が形成されている。
Description
本発明は、樹脂絶縁層と導体層と積層されてなる配線基板及びその製造方法に関する。
近年、電気機器等の小型化に伴い、これらの機器に搭載される配線基板等にも小型化や高密度化が要求されている。この配線基板としては、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層するビルドアップ法にて製造された配線基板が実用化されている。また、この種の配線基板においては、樹脂絶縁層上にセミアディティブ工法にて形成される導体層と樹脂絶縁層との密着性を向上させるために、表面の粗化を行った樹脂絶縁層上に導体層を形成したものが実用化されている。(例えば、特許文献1参照)
一般的なセミアディティブ工法では、樹脂絶縁層の表面を粗化する工程と、粗化された樹脂絶縁層の表面全体に無電解銅めっき層を形成する工程と、無電解銅めっき層上に感光性のドライフィルムレジストを形成する工程と、露光現像を施すことによりドライフィルムレジストに所定パターンの開口を形成する工程と、ドライフィルムレジストの開口内に電解銅めっき層を形成する工程と、ドライフィルムレジストを除去する工程と、ドライフィルムレジストの除去により露出する無電解銅めっき層をエッチングにより除去する工程と、をこの順に実施することにより無電解銅めっき層と電解銅めっき層とからなる導体層が形成される。
しかしながら、配線基板の小型化や高密度化の要求を受けて、導体層を構成する配線の微細化が進むと、表面が粗化された樹脂絶縁層と微細な配線と密着強度が十分に確保できないという問題あった。具体的には、図9に示すように、表面が粗化された樹脂絶縁層60上に無電解銅めっき層61及び電解銅めっき層62を形成した製造途中の配線基板において、不要な無電解銅めっき層61をエッチングにより除去する際に、電解銅めっき層62直下の無電解銅めっき層61が局所的にエッチングされる、いわゆる、アンダーカットが形成される。その結果、図10に示す配線基板10のように、無電解銅めっき層61及び電解銅めっき層62からなる配線66と樹脂絶縁層60との接触面積が十分に確保できず、樹脂絶縁層60から配線66が剥がれるという問題があった。
配線にアンダーカットが形成されることを抑制する方法としては、無電解めっき層のエッチング処理の時間を短くするなどの対策を施すことも考えられる。しかしながら、粗化された樹脂絶縁層表面における凹みの深さが大きい場合には、エッチング処理の時間が短いと図11に示すように粗化された樹脂絶縁層60表面の凹みに除去すべき無電解銅めっき層61が残存し、隣接して配置された複数の配線66が、樹脂絶縁層60の表面に残存した無電解銅めっき層61を介して、短絡するという問題があった。
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、導体層を構成する配線の微細化に対応できる配線基板とその製造方法を提供することを目的とする。
そして上記課題を解決するための手段(手段1)としては、樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる配線基板であって、前記導体層は、幅が5μm以下の配線を含み、最大高さRzが1.0μm未満の前記樹脂絶縁層表面に前記配線が形成されていることを特徴とする配線基板がある。
手段1に記載の発明によると、樹脂絶縁層表面の最大高さRzが1.0μm未満であるので、アンダーカットの形成が抑制された配線を形成することができるため、樹脂絶縁層と配線との接触面積を十分確保することができる。したがって、5μm以下の幅を有する微細な配線を形成する場合において、配線の剥がれを防止することができる。
また、上記課題を解決するための手段(手段2)としては、樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる配線基板の製造方法であって、前記樹脂絶縁層の表面に第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、前記第1金属層上に樹脂フィルムを配置する樹脂フィルム配置工程と、前記樹脂フィルムに開口を形成する開口形成工程と、前記樹脂フィルムの開口から露出する前記第1金属層上に電解めっきにより第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、前記樹脂フィルムを除去する樹脂フィルム除去工程と、前記樹脂フィルムの除去により露出する前記第1金属層をエッチングにより除去し、前記第1金属層及び前記第2金属層からなる前記導体層を形成する導体層形成工程と、をこの順に有し、前記第1金属層形成工程では、最大高さRzが1.0μm未満の前記樹脂絶縁層表面に前記第1金属層を形成し、前記導体層形成工程では、幅が5μm以下の配線を含む前記導体層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
手段2に記載の発明によると、最大高さRzが1.0μm未満の樹脂絶縁層表面に第1金属層及び第2金属層を形成しているので、導体層形成工程において、第1金属層が過剰にエッチングされるアンダーカットの形成を抑制することができる。そのため、樹脂絶縁層と配線との接触面積が十分確保でき、5μm以下の幅を有する微細な配線を形成する場合において、配線の剥がれを防止することができる。
以下、本発明を配線基板として具体化した一実施形態を図1~図6に基づき詳細に説明する。図1は本実施の形態における配線基板1の概略構成を示す断面図である。
図1に示されるように、本実施の形態の配線基板1は、樹脂絶縁層20と樹脂絶縁層20上に積層された導体層33とを有する。樹脂絶縁層20は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなり、樹脂絶縁層20の表面は、最大高さRzが1.0μm未満である。
なお、本明細書における最大高さRzとは、JIS B 0601(2001)の規格に基づいて定義される。
なお、本明細書における最大高さRzとは、JIS B 0601(2001)の規格に基づいて定義される。
導体層33は、銅を主体に構成され、樹脂絶縁層20の表面に形成された無電解銅めっき層31(第1金属層)及び無電解銅めっき層31上に形成された電解銅めっき層32(第2金属層)からなる。また、導体層33は、互いに電気的に独立した複数の配線36を有し、配線36は5μm以下の幅を有している。
本明細書における配線36の幅とは、樹脂絶縁層20と接する配線36の下端を基準としたときの上端の高さH1の半分の高さH2の位置における幅W1を意味する。
本明細書における配線36の幅とは、樹脂絶縁層20と接する配線36の下端を基準としたときの上端の高さH1の半分の高さH2の位置における幅W1を意味する。
次に、本実施の形態の配線基板1の製造方法を図2~6に基づいて説明する。
まず、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂からなる厚さ約30μmの樹脂絶縁層20を準備する。そして、表面の最大高さRzが1.0μm未満となるように、必要に応じて過マンガン酸カリウム等のエッチング液を用いて樹脂絶縁層20の表面に粗化処理を施す。
その後、樹脂絶縁層20の表面全体に無電解銅めっきを施し、樹脂絶縁層20上に無電解銅めっき層31(第1金属層)を形成する。(図2参照)
そして、図3に示すように無電解銅めっき層31上に感光性のドライフィルムレジストDF(樹脂フィルム)を貼り、ドライフィルムレジストDFの露光現像を行う。この露光現像により、形成すべき配線36に対応した形状の開口50がドライフィルムレジストDFに形成される。(図4参照)
なお、開口50は、ドライフィルムレジストDF(樹脂フィルム)のレーザ加工により形成してもよい。
なお、開口50は、ドライフィルムレジストDF(樹脂フィルム)のレーザ加工により形成してもよい。
ドライフィルムレジストDFの露光現像後、電解銅めっきを施し、開口50から露出する無電解銅めっき層31上に電解銅めっき層32(第2金属層)を形成する。(図5参照)
電解銅めっき層32の形成後、図6に示すようにドライフィルムレジストDFを除去する。そして、ドライフィルムレジストDFの除去により表面に露出する無電解銅めっき層31を、周知のエッチング液を用いたエッチングにより樹脂絶縁層20の表面が露出するまで除去する。以上の工程を経ることにより図1に示す配線基板1を製造する。
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
本実施の形態の配線基板1では、最大高さRzが1.0μm未満の樹脂絶縁層20の表面に無電解銅めっき層31及び電解銅めっき層32からなる導体層33を形成しているため、5μm以下の幅を有する配線36を形成したとしても、配線36にアンダーカットが形成されにくく、樹脂絶縁層20と配線36とが密着する面積を十分に確保することができる。それゆえ、樹脂絶縁層20から配線36が剥がれることを防止することができる
本実施の形態では、最大高さRzが1.0μm未満の樹脂絶縁層20の表面に無電解銅めっき層31を形成しているため、導体層形成工程におけるエッチングにより不要な無電解銅めっき層31をすべて除去したとしても、配線36にアンダーカットが形成されにくく、配線36が樹脂絶縁層20から剥がれることを防止できる。
<実験例>
次に、本実施の形態の効果を確認するために行った実験例を説明する。
<実験例>
次に、本実施の形態の効果を確認するために行った実験例を説明する。
本実験例では、図1~6に基づいて説明した配線基板1における樹脂絶縁層20の表面粗さ(算術平均粗さRa及び最大高さRz)が異なるA~Fのサンプルを作製し、各サンプルに対して幅の異なる複数種類の配線36を形成し、配線36の剥離の有無を確認した。その確認結果を表1に示す。
なお、樹脂絶縁層20の表面粗さはエッチング液を用いた粗化処理の時間を変更することにより制御を行った。
なお、樹脂絶縁層20の表面粗さはエッチング液を用いた粗化処理の時間を変更することにより制御を行った。
表1に示すように、本発明の範囲内の樹脂絶縁層を用いたサンプルD、Eは、5μmの幅を有する配線の形成後にも樹脂絶縁層と密着していることが確認された。一方で、本発明の範囲外であるサンプルA、B、Cは、5μmの幅を有する配線の形成後に、樹脂絶縁層から配線が剥離していることが確認された。
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
上記実施の形態では、樹脂絶縁層20と導体層33とをそれぞれ1層ずつ積層した配線基板1であったが、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層した配線基板であってもよい。
例えば、樹脂絶縁層と導体層とをそれぞれ複数積層してなる配線基板を製造する場合には、図7に示すように、銅箔などの金属箔41があらかじめ表面に形成された樹脂絶縁層40を、導体層33が形成された樹脂絶縁層20上に積層してもよい。この場合、樹脂絶縁層40表面への導体層の形成は次のような工程で行うことができる。まず、積層後の樹脂絶縁層40の表面に金属箔41がある状態でレーザ加工を行うことにより、金属箔41及び樹脂絶縁層40を貫通するとともに導体層33を露出させる貫通孔34を形成する。次に、樹脂絶縁層40の表面に金属箔41がある状態で貫通孔34内のスミアを除去するデスミア処理を行ってから金属箔41をエッチングにより除去する。そして、金属箔41の除去後に、導体層33と同様の無電解銅めっきと電解銅めっきを施すことにより、図8に示すように貫通孔内を充填してなるビア導体35と無電解銅めっき層37と電解銅めっき層38とからなる導体層39とを形成した配線基板1’を製造することができる。
なお、上述の金属箔41を用いた配線基板の製造方法では、デスミア処理を施すことにより表面に露出する樹脂絶縁層40が粗化される。しかしながら、樹脂絶縁層40の表面のうち配線46が形成される領域を金属箔41で覆っているため、樹脂絶縁層40の表面が不要に粗化されることがない。それゆえ、このようにして製造された配線基板1’は、デスミア処理により粗化された樹脂絶縁層40の貫通孔34の壁面の最大高さRzが樹脂絶縁層40の表面の最大高さRzよりも大きいという特徴を有する。
上記実施の形態では、無電解銅めっきにより無電解銅めっき層31(第1金属層)を形成したが、第1金属層の形成方法は限定されず、スパッタやCVD等の方法により形成してもよい。
1,10…配線基板
20,40,60…樹脂絶縁層
31…第1金属層
32…第2金属層
33…導体層
34…貫通孔
35…ビア導体
36,46…配線
DF…樹脂フィルム(ドライフィルムレジスト)
50…開口
20,40,60…樹脂絶縁層
31…第1金属層
32…第2金属層
33…導体層
34…貫通孔
35…ビア導体
36,46…配線
DF…樹脂フィルム(ドライフィルムレジスト)
50…開口
Claims (2)
- 樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる配線基板であって、
前記導体層は、幅が5μm以下の配線を含み、
最大高さRzが1.0μm未満の前記樹脂絶縁層表面に前記配線が形成されていることを特徴とする配線基板。 - 樹脂絶縁層と導体層とが積層されてなる配線基板の製造方法であって、
前記樹脂絶縁層の表面に第1金属層を形成する第1金属層形成工程と、
前記第1金属層上に樹脂フィルムを配置する樹脂フィルム配置工程と、
前記樹脂フィルムに開口を形成する開口形成工程と、
前記樹脂フィルムの開口から露出する前記第1金属層上に電解めっきにより第2金属層を形成する第2金属層形成工程と、
前記樹脂フィルムを除去する樹脂フィルム除去工程と、
前記樹脂フィルムの除去により露出する前記第1金属層をエッチングにより除去し、前記第1金属層及び前記第2金属層からなる前記導体層を形成する導体層形成工程と、をこの順に有し、
前記第1金属層形成工程では、最大高さRzが1.0μm未満の前記樹脂絶縁層表面に前記第1金属層を形成し、
前記導体層形成工程では、幅が5μm以下の配線を含む前記導体層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
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