JP2004103652A

JP2004103652A - ３層型メッキプリント回路基板

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Publication number: JP2004103652A
Application number: JP2002260072A
Authority: JP
Inventors: Yasuko Tachibana; 立花　康子; Kenichi Kasumi; 霞　健一; Nobuo Matsumura; 松村　宣夫
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 2002-09-05
Filing date: 2002-09-05
Publication date: 2004-04-02

Abstract

【課題】耐熱フィルム上の樹脂層表面の平滑性が高く、ファインピッチ対応可能な高接着メッキタイプの回路基板材料を得る物である。
【解決手段】耐熱性樹脂フィルムの少なくとも片面に樹脂層を有し、該樹脂層の上にスパッタあるいは蒸着による導電性金属層を有し、さらに該導電性金属層の上に電気メッキ法による銅層を有する３層型メッキプリント回路基板において、上記耐熱樹脂層の突起最大高さが１μｍ以下であることを特徴とする３層型メッキプリント回路基板。
【選択図】　なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高性能の電子機器、特に小型軽量化になくてはならない極めて高い接着力を有する３層型メッキプリント基板に関するものである。さらに詳しくは、半導体パッケージにおけるＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｂｏａｒｄ）などに利用される３層型メッキプリント基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、フレキシブルプリント基板としては一般にポリイミド樹脂フィルムに接着剤を介して銅箔を張り合わせた通称「３層型」が、カメラ、プリンター、パソコン、など各種電気機器で一般に広く使用されているのは周知の通りである。３層型プリント基板に使用されている接着剤は、エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系などが単独あるいは混合されて用いられている。これらの樹脂中には不純物イオンが含まれるため電気特性が低下する問題がある。
【０００３】
またその耐熱性も、接着剤の耐熱性がポリイミドに対し極めて劣るため、耐熱性樹脂フィルムとして広く用いられているポリイミド樹脂フィルムの優れた特性が充分に活かされていないのが実状である。
さらに張り合わせる銅箔の厚みも薄い場合には取り扱いが困難なため、一般には１８μｍ以上の厚みのものが使用されている。そのため８０μｍピッチ（配線幅４０μｍ、スペース４０μｍ）以下のパターニングを行うには銅が厚すぎてエッチングファクター（導体層厚みを接着剤面側の回路幅と銅箔表面側の回路幅の差の２分の１で除したもの）が著しく低下し、銅箔表面側の回路幅と接着剤面側の回路幅が著しく異なる、あるいは配線全体が著しく細り目的の回路パターンが得られないという問題がおこり、いわゆるファインピッチ配線が得られないという欠点がある。このような問題を有するため、接着剤で銅箔を張り合わせた「３層型」は高密度実装配線には限界があり、小型、軽量化する高性能な電子機器用途には極めて不都合である。
【０００４】
また銅箔にポリイミド前駆体樹脂溶液を直接塗布し熱処理することによってポリイミド系樹脂層を形成したいわゆる「キャスト型」も、エポキシ系、アクリル系の接着剤に起因する欠点は有しないものの、やはり銅箔の取り扱い性から銅箔の薄膜化に限界があり、ファインピッチ配線への対応は困難である。ポリイミド樹脂のキャスト後銅箔を全面エッチングし、銅層を薄膜化した製品も近頃上市されつつあるが、コストが高いと言われている。さらにその製造方法からポリイミド系樹脂にも制約が加わり、弾性率の高いポリイミド樹脂層を持つ製品が上市されておらず、その取り扱い難さからパッケージの小型、軽量化に向けた基板フィルムの薄膜化にも対応しにくい。また「３層型」「キャスト型」ともに銅箔粗化面と樹脂層を接着させるため銅・樹脂層界面は凹凸が大きく、ファインピッチ対応を難しくする要件のひとつとなっている。
【０００５】
このような問題を解決する手段として、ポリイミドフィルム上に真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング、銅メッキなどの方法で導電性金属層を形成させたいわゆる接着剤のない２層型プリント基板が提案されている。「２層型メッキ」品の特長は、銅層を電解メッキで形成させるため、銅層の厚みの薄いものができ、銅のエッチングが容易になり配線幅の狭い、ファインピッチに対応できることである。しかしながら銅層を形成させるポリイミドフィルムには巻き取り時の滑り性をよくするため有機、または無機の直径０．００１〜１００μｍの粒子が添加されるのが一般的である。この粒子がフィルム表面に凹凸を作り摩擦係数を下げ、スムーズな巻き取りを可能にしている。この表面の凹凸は高さ０．１から数ミクロン、直径は０．１〜十数ミクロン、複数の粒子が接近して隣り合えば２０ミクロン以上になる。この凹凸はメッキを施すと高さがさらに強調されることもある。８０μｍ以下のパターンでは配線間のスペースは約４０μｍ以下であり、サイドエッチを見越した設計のレジストのスペースはさらに狭い。このように微細なパターンでは十数ミクロン径の突起は断線やショートを引き起こす原因となり得、またエッチングが不均一になり配線幅がばらつくこともあり、メッキ品の薄銅の有利さを充分発揮できなくしている。市販ポリイミドフィルムの中には宇部興産（株）製“ユーピレックス”のように平滑性に優れたものも存在するが、一般的にユーピレックスを用いた「２層型メッキ」品は、東レ・デュポン（株）製“カプトン”や鐘淵化学工業（株）製“アピカル”を用いた「２層型メッキ」品より樹脂層と導電性金属層の接着力が低く、やはりファインピッチ対応は困難であり、またユーピレックスは引張り弾性率が高く柔軟性に欠け、耐折り曲げ性が要求される用途には適応が難しい。このように耐熱性樹脂フィルムを平滑性の特に優れるものだけを使用しようとするとフィルムの選択肢が非常に狭くなり、特性や価格での選択が難しくなる問題もある。
【０００６】
従来メッキ銅表面の平坦化については種々提案されている。レジスト塗布時の精度を上げて信頼性の高い配線を作成するためメッキ銅層の表面の凸部、凹部を規定している（例えば特許文献１参照）。またアノードスライムによる凸（粒）の発生しにくい電気メッキ槽が提案されている（例えば特許文献２参照）。しかしながらこれらはいずれも銅表面の凹凸のみを問題にしており、また特許文献１ではメッキ銅層の表面特性をコントロールする方法はメッキ銅層の膜厚を１２μｍ以下にすることだけである。ともに銅層の支持体となる樹脂フィルム層の表面形状については何ら言及されておらず、樹脂フィルム表面の凹凸が銅層の表面に強調反映されるという認識も記されていない。また樹脂フィルム層表面の形状についてはＲａを２〜１０ｎｍとし、その上の蒸着層元素種を規定し接着性の向上を図ったものもあるが、そのＲａは２μｍ×２μｍの微少な領域を原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で測定したものであり、フィルム表面に散在する微粒子によるフィルム表面の突起はＲａに反映されておらず、ファインピッチ配線への対応は何ら考慮されていない。（例えば特許文献３参照）
【０００７】
【特許文献１】
特開平５−２５９５９６号公報（第２−４頁）
【０００８】
【特許文献２】
特開平９−２３５６９７号公報（第２頁）
【０００９】
【特許文献３】
特開２００１−２７７４２４号公報（第２−４頁）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように従来の「２層型メッキ」品は銅層が薄くでき、配線幅の狭いファインピッチに対応できるものでありながら、メッキ銅層の凹凸が大きくその特性を充分生かし切れていなかった。
本発明の目的は、耐熱性樹脂フィルムの種類が制限されることなく、メッキ銅層、スパッタあるいは蒸着による導電性金属層の下地となる耐熱性樹脂層の平坦性が高く、８０μｍピッチ以下のパターン、特に５０μｍ以下のいわゆるファインピッチパターン形成時に配線幅のばらつきが少なくショートや断線など欠点の発生し難い、さらに接着強度に優れた３層型メッキタイプのフレキシブルプリント基板を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、耐熱性樹脂フィルムの少なくとも片面に耐熱性樹脂層を有し、該樹脂層の上にスパッタあるいは蒸着による導電性金属層を有し、さらに該導電性金属層の上に電気メッキ法による銅層を有する３層型メッキプリント回路基板において、上記耐熱樹脂層の突起最大高さが１μｍ以下であることを特徴とする３層型メッキプリント回路基板である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明において使用される耐熱性樹脂フィルムとしては、融点が２８０℃以上のもの、あるいはＪＩＳ　Ｃ４００３で規定される長時間連続使用の最高許容温度が１２１℃以上のもののいずれかでの条件を満足する高分子樹脂フィルムであればよい。
【００１３】
これらの高分子樹脂フィルムとしては、ビスフェノール類のジカルボン酸の縮合物であるポリアリレート、ポリスルホン、またはポリエーテルスルホンに代表されるポリアリルスルホン、ベンゾテトラカルボン酸と芳香族イソシアネートとの縮合物、あるいはビスフェノール類、芳香族ジアミン、ニトロフタル酸の反応から得られる熱硬化性ポリイミド、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリルエーテルケトン、ポリアミドイミド系樹脂、アラミド系樹脂、ＰＥＮ、ＰＥＥＫなどからなるフィルム、液晶フィルムなどが挙げられる。特にピロメリット酸二無水物、あるいは、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェニルエーテル、パラフェニレンジアミンなどの芳香族ジアミンとの縮合物である芳香族ポリイミド樹脂フィルムは特に好ましい。これらの樹脂フィルムには通常炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、リン酸水素カルシウム、二酸化ケイ素などの粒径０．００１〜１００μｍの微粒子が添加されているが、より好ましくは粒径０．０１〜１０μｍである。これらの粒子は粒径が細かいほどフィルム表面の凹凸が小さくなり平滑性が増すが、巻き取り時の滑り性や樹脂との相溶性などから組成や粒径の選択に限界があり、平滑性を優先しようとすると樹脂組成が限定される。メッキプリント基板においては添加微粒子によるフィルム表面の突起は小さい方が好ましい。しかし市販品で平滑性に優れたポリイミドフィルムとして宇部興産（株）製“ユーピレックス”Ｓがあるが、例えば“ユーピレックス”２５Ｓは引っ張り弾性率がおよそ９ＧＰａと高いため柔軟性にかけ、ＦＰＣなど屈曲性を求められる用途には普通使われない。通常メッキプリント基板に用いられている耐熱性樹脂フィルムの東レ・デュポン（株）製“カプトン”や鐘淵化学工業（株）製“アピカル”では品種により弾性率の差はあるがで３〜６ＧＰａと“ユーピレックス”Ｓに比して低く、柔軟性を要求される用途にも使われているが、表面の突起最大高さは１μｍ以上でありファインピッチ対応に難がある。
【００１４】
また当然のことながら、上記耐熱性樹脂フィルム表面は、放電処理などの目的に応じ接着性改良の処理が施されているほうが好ましい。これらの処理を施すことによって、耐熱性樹脂フィルムと耐熱性樹脂層との接着性を大幅に向上させることができる。放電処理としては、大気圧付近で放電するいわゆる常圧プラズマ処理、コロナ放電処理、または低温プラズマ処理などが施されていることが好ましい。
【００１５】
常圧プラズマ処理とは、Ａｒ、Ｎ_２　、Ｈｅ、ＣＯ_２　、ＣＯ、空気、水蒸気などの雰囲気中で放電処理する方法をいう。処理の条件は、処理装置、処理ガスの種類、流量、電源の周波数などによって異なるが、適宜最適条件を選択することができる。
【００１６】
低温プラズマ処理は、減圧下で行なうことができ、その方法としては、特に限定されないが、例えばドラム状電極と複数の棒状電極からなる対極電極を有する内部電極型の放電処理装置内に被処理基材をセットし、処理ガスを１〜１０００Ｐａ、好ましくは、２〜１００Ｐａに調整した状態で電極間に直流あるいは交流の高電圧を印加して放電を行い、前記処理ガスのプラズマを発生させ、該プラズマに基材表面をさらして処理する方法が挙げられる。低温プラズマ処理の条件としては、処理装置、処理ガスの種類、圧力、電源の周波数などによって異なるが、適宜最適条件を選択することができる。上記処理ガスとしては、特に限定されるものではないが、Ａｒ、Ｎ_２　、Ｈｅ、ＣＯ_２　、ＣＯ、空気、水蒸気、Ｏ_２、ＣＦ_４　などを単独であるいは混合して用いることができる。
【００１７】
一方、コロナ放電処理は、低温プラズマ処理と比較して接着性向上の効果が小さいので、積層する耐熱性接着剤を選択する必要がある。
【００１８】
本発明における耐熱性樹脂層とは、特に限定されるものではなく、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテルイミド系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ポリイミド系樹脂など、公知の耐熱性樹脂からなる樹脂が、単独あるいは混合して用いることができる。前述の樹脂の中で耐熱性の点と耐熱性樹脂フィルム表面突起平坦化の点から芳香族テトラカルボン酸とジアミン成分からなるポリイミド系樹脂が好ましい。
【００１９】
本発明において使用される芳香族テトラカルボン酸としては、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、３，３´，４，４´ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２´，３，３´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−アントラセンテトラカルボン酸二無水物、１，２，７，８−フェナントレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。これらは単独であるいは２種以上混合して用いられる。
【００２０】
ジアミン成分としては、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、４，４´−ジアミノジフェニルメタン、４，４´−ジアミノジフェニルスルホン、パラフェニレンジアミン、１，１，３，３−テトラメチル−１，３−ビス（４−アミノフェニル）ジシロキサンなどの公知のものが使用できる。
【００２１】
上記芳香族テトラカルボン酸とジアミンとの反応は、従来公知の方法に準じて行うことができる。例えば、略化学量論量の酸成分とジアミン成分とを、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２ピロリドン等の有機溶媒中で、０〜８０℃の温度で反応させればよい。これらの溶媒は、単独であるいは２種以上混合して用いられ、ポリアミック酸が折出しない程度であれば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン等を加えてもよい。
【００２２】
耐熱性樹脂ワニス濃度としては、特に限定されないが、通常５〜６０重量％が好ましく、表面平坦化性から１５〜６０重量％が特に好ましい。耐熱性樹脂ワニス粘度は特に限定されないが通常１ｍＰａ・ｓ〜１０００ｍＰａ・ｓである。粘度が低すぎるとピンホールなどの欠点が増え、高すぎると薄膜が塗工できないので、塗工性から好ましくは１０〜３００ｍＰａ・ｓである。粘度が低い方が表面平坦化性は大きいので、より好ましくは１０〜８０ｍＰａ・ｓである。
【００２３】
Ｔｇは、６０℃以上２３０℃以下が好ましく、より好ましくは７０℃以上１６０℃以下である。６０℃未満の場合には耐熱性が劣るので好ましくない。またＴｇが２３０℃以上の場合には耐熱性樹脂層の上に蒸着またはスパッタした金属層との接着力が小さくなり好ましくない。
【００２４】
次に、本発明品を得る場合の一例について詳細に説明する。すなわち低温プラズマ処理あるいはコロナ放電処理したポリイミドフィルム上に、上記ポリアミック酸ワニスを１０〜４０重量％含む溶媒溶液を均一に塗工する。この塗工方法としてはロールコータ、ナイフコータ、密封コータ、コンマコータ、ドクターブレードフロートコータなどによるものが挙げられる。次に上記のように耐熱性樹脂フィルムに塗工した溶液の溶媒を、通常６０℃以上２００℃程度の温度で連続的または断続的に１〜６０分間で加熱除去をする。
【００２５】
次にポリイミドフィルム上に形成される耐熱性接着剤の厚みは、通常、０．０５〜３０μｍ程度であるが、耐熱性樹脂フィルムの突起平坦化効果のためには０．１μｍ以上が好ましい。さらに好ましくは０．５μｍ以上である。また厚すぎるとコスト、ＩＣ実装時の沈み込みなどが不利になるので、それらも併せて考慮すると０．５〜３μｍがもっとも好ましい。
【００２６】
また、接着力向上のためには、さらに加熱キュアを施した方が好ましい。加熱キュアの条件としては、温度２００℃〜３５０℃で約５分〜３０分であるが、樹脂の組成、膜厚などによって適宜選択すればよい。
【００２７】
耐熱性樹脂フィルム上に塗工した耐熱性樹脂層表面の突起は好ましくは０．８μｍ以下であり、配線のショートや断線の欠点が著しく減りパターン加工性がよくなる。より好ましくは０．６μｍ以下で、ショートや断線にいたらない配線のくぼみや突起が減るのでパターン精度がよくなる。もっとも好ましいのは０．５μｍ未満であり、配線幅のばらつきもさらに小さくなる。
【００２８】
スパッタあるいは蒸着により形成された導電性金属層は特に限定されないがニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ジルコニア（Ｚｒ）タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、モリブデン（Ｍｏ）などの金属単体あるいはそれらの２種以上の合金が挙げられるが、好ましくはニッケル、クロム、パラジウム、ジルコニウム、タングステン、亜鉛、モリブデンの金属単体あるいはそれらの２種以上の合金である。また銅層のエッチングと同時にエッチングが可能なことから、より好ましくはニッケル、クロム合金である。導電性金属層の膜厚は薄すぎるとメッキ銅層ピンホールの原因となったり、銅層と耐熱性樹脂層との接着力が低くなる原因となる。また厚すぎるとスループットの低下やエッチングの際の廃液増加などコストアップになる。したがって膜厚は好ましくは０．５〜１０００ｎｍ、より好ましくは２〜４００ｎｍである。
【００２９】
上記導電性金属層上に電気メッキ法による銅層は通常硫酸銅メッキ液、シアン化銅メッキ液、ピロリン酸銅メッキ液などを用いて形成されるが、これらに限定されるものではない。銅層の膜厚は通常０．１〜４０μｍであるが、薄すぎるとピンホールの原因になり、厚すぎるとファインパターンをエッチングするのが困難になり「メッキ型」の特性を生かし切れない。また銅表面に突起があると突起部の電流密度が高くなり、メッキが成長しやすく、膜厚を厚くすると突起がますます大きくなりやすい。したがって銅層厚みは好ましくは１〜１８μｍ、より好ましくは１〜８μｍである。
【００３０】
【実施例】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例における測定法は以下の通りである。
【００３１】
粘度：東機産業（株）製、Ｒ５００型粘度計にて測定した。
【００３２】
突起高さ：東京精密（株）製サーフコム１５００Ａで１ｍｍのスキャンを５ヶ所行い、最大の突起高さを測定した。
【００３３】
接着性：ＪＩＳ　Ｃ６４８１（１８０度ピール）に準じて行い接着強度を測定した。
【００３４】
３０μｍピッチの銅配線パターン評価：３０μｍピッチの配線、１００００×２２５μｍ（１００００μｍの長さの配線８本、スペース７本）において、光学顕微鏡で５００倍で配線幅を測長し、（最大値−最小値）の２分の１をばらつきとした。また配線幅が周辺から１μｍ以上差がある凹部、凸部の数をカウントした。
３０μｍピッチの銅配線のショート／断線有無：３０μｍピッチの配線、１００００×２２５μｍにおいて配線のショート／断線有無を調べた。
【００３５】
合成例１
温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥Ｎ_２吹込口を供えた３ｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２８２０ｇ入れ窒素気流下でビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン２１８．７ｇ（８８ｍｏｌ％）および４，４´−ジアミノジフェニルエ−テル２４ｇ（１２ｍｏｌ％）を溶解した後、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２２．２ｇ（１００ｍｏｌ％）を加え、５０℃で４時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
【００３６】
合成例２
温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥Ｎ_２吹込口を供えた３ｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２２６０ｇ入れ窒素気流下でビス（３−アミノフェノキシフェニル）スルホン３２４．４ｇ（１００ｍｏｌ％）を溶解した後、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物２４１．７ｇ（１００ｍｏｌ％）を加え、６０℃で４時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
【００３７】
合成例３
温度計、攪拌装置、還流コンデンサおよび乾燥Ｎ_２吹込口を供えた３ｌの４口フラスコにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２１３０ｇ入れ窒素気流下で４，４’−メチレンビス（シクロヘキシルアミン）２１０．４ｇ（１００ｍｏｌ％）を溶解した後、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物３２２．２ｇ（１００ｍｏｌ％）を加え、６０℃で４時間攪拌して反応させポリアミック酸ワニスを得た。
【００３８】
実施例１
合成例１で得たワニスをあらかじめＡｒ雰囲気中で低温プラズマ処理した２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製“カプトン”１００ＥＮ）に乾燥後の膜厚が１μｍになるようにバーコーターで塗工し、１３０℃で３分乾燥、さらに１５０℃で３分乾燥、さらに２７０℃で３分乾燥した。
【００３９】
上記作製フィルムの接着剤塗工面に、スパッタ装置（日電アネルバ（株）製ＳＰＬ−５００）を用いＣｒを厚み４ｎｍ設け、次いでその上にＣｕを０．２μｍスパッタした。スパッタ後直ちに硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で銅厚み８μｍのメッキをし本発明品を得た。接着強度を測定し、さらにＣｕ表面に東京応化（株）製フォトレジストＰＭＥＲ　Ｐ−ＲＨ３００を４μｍ厚で塗布し、露光現像することによりレジストパターンパターンを作成し、塩化鉄（ＩＩＩ）でエッチングすることにより３０μｍピッチの銅配線を作成した。
【００４０】
実施例２、３、５〜１８
表１に従い実施例１に倣って接着強度を測定し、３０μｍピッチの銅配線を作成した。
【００４１】
実施例４
合成例３で得たワニスをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドで希釈して用いること以外は実施例１と同様にした。
【００４２】
実施例１９
耐熱性樹脂フィルムにプラズマ処理（条件は実施例１と同じ）した厚み２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製“ユーピレックス”２５Ｓ）を用いた以外は実施例１と同様にした。
【００４３】
比較例１
プラズマ処理（条件は実施例１と同じ）した２５μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（株）製“カプトン”１００ＥＮ）の表面に、実施例１で用いたスパッタ装置でＣｒを厚み４ｎｍ設け、次いでその上にＣｕを０．２μｍスパッタした。スパッタ後、直ちに硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で銅厚み８μｍメッキをし、実施例１と同様に接着強度を測定し、さらに３０μｍピッチの銅配線を作成した。
【００４４】
比較例２
プラズマ処理（条件は実施例１と同じ）した厚み２５μｍのポリイミドフィルム（宇部興産（株）製“ユーピレックス”２５Ｓ）の表面に、実施例１で用いたスパッタ装置でＣｒを厚み４ｎｍ設け、次いでその上にＣｕを０．２μｍスパッタした。スパッタ後、直ちに硫酸銅浴を用い、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で銅厚み８μｍメッキをし、実施例１と同様に接着強度を測定し、３０μｍピッチの銅配線を作成した。
【００４５】
【表１】

【００４６】
【表２】

【００４７】
実施例と比較例の結果を表２に示した。表２より、耐熱性樹脂層を耐熱性樹脂フィルム上に塗工した方が銅層の下地となる表面の平滑性が向上し、銅層表面の凹凸も低減した。結果として３０μｍピッチの配線パターンも欠点がより少なく製造でき、また接着強度も両立することができた。
【００４８】
【発明の効果】
本発明は、上述のごとく構成したので、耐熱フィルム上の樹脂層表面の平滑性が高く、ファインピッチ対応可能な高接着メッキタイプの回路基板材料を確実に得ることができる。

Claims

耐熱性樹脂フィルムの少なくとも片面に耐熱性樹脂層を有し、該樹脂層の上にスパッタあるいは蒸着による導電性金属層を有し、さらに該導電性金属層の上に電気メッキ法による銅層を有する３層型メッキプリント回路基板において、上記耐熱性樹脂層表面の突起最大高さが０．８μｍ以下であることを特徴とする３層型メッキプリント回路基板。
請求項１記載の耐熱性樹脂フィルム表面の突起最大高さが１μｍ以上であることを特徴とする３層型メッキプリント回路基板。
請求項１または２記載の銅層の厚みが１μｍ以上１８μｍ以下であることを特徴とする３層型メッキプリント回路基板。
請求項１または２記載の耐熱性樹脂層の厚みが０．１〜３μｍであることを特徴とする３層型メッキプリント基板。
請求項１または２記載の耐熱性樹脂層が、固形分濃度１５〜６０％、粘度１０〜８０ｍＰａ・ｓの樹脂溶液を塗布、乾燥、硬化して得られることを特徴とする請求項２記載の３層型メッキプリント基板。
請求項１または２記載のスパッタあるいは蒸着により形成された導電性金属層がニッケル、クロム、パラジウム、金、ジルコニウム、亜鉛、タングステン、モリブデンから選択される１種または２種以上の合金であることを特徴とする３層型メッキプリント基板。