WO2014185200A1 - 高周波フィルタ及びこれを備える高周波モジュール - Google Patents

高周波フィルタ及びこれを備える高周波モジュール Download PDF

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WO2014185200A1
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high frequency
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coupling capacitor
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龍司 村田
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太陽誘電株式会社
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    • H01P1/20336—Comb or interdigital filters
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    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency filter and a high-frequency module including the same, and more particularly to a high-frequency filter having a laminated structure in which a plurality of dielectric layers are stacked and a high-frequency module including the same.
  • the present invention has an object to provide a more miniaturized high frequency filter. Other objects of the present invention will become apparent by referring to the entire specification.
  • a high-frequency filter is a high-frequency filter having a laminated structure in which a plurality of dielectric layers are laminated, and includes a first input / output terminal, a second input / output terminal, and one end thereof A first external coupling capacitor connected to one input / output terminal; a first wavelength shortening capacitor having one end connected to the other end of the first external coupling capacitor and the other end connected to a ground potential; A first resonance formed using a distributed constant line, one end of which is connected to the other end of the first external coupling capacitor and one end of the first wavelength shortening capacitor, and the other end is connected to a ground potential.
  • a second external coupling capacitor having one end connected to the second input / output terminal, one end connected to the other end of the second external coupling capacitor, and the other end connected to a ground potential.
  • Second wavelength The compression capacitor has one end connected to the other end of the second external coupling capacitor and one end of the second wavelength shortening capacitor, and the other end connected to the ground potential and formed using a distributed constant line.
  • a second resonator broadside coupled to the second resonator.
  • a high-frequency module according to an embodiment of the present invention includes the above-described high-frequency filter.
  • Various embodiments of the present invention can provide a more miniaturized high frequency filter.
  • the equivalent circuit schematic of the high frequency filter which concerns on one Embodiment of this invention.
  • Explanatory drawing which shows the laminated structure of the high frequency filter in one Embodiment.
  • Explanatory drawing which shows the correspondence of the equivalent circuit of the high frequency filter and laminated structure in one Embodiment.
  • the top view which shows an example of the high frequency module which has arrange
  • the graph which shows the example of a characteristic of the high frequency filter in one Embodiment.
  • FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of a high-frequency filter 10 according to an embodiment.
  • the high-frequency filter 10 in one embodiment has an external coupling capacitor Ca1 having one end connected to the input / output terminal IO1, and one end connected to the other end of the external coupling capacitor Ca1 and the other end to the ground potential.
  • An external coupling capacitor Ca2 having one end connected to the input / output terminal IO2, a wavelength shortening capacitor Cc2 having one end connected to the other end of the external coupling capacitor Ca2 and the other end connected to the ground potential, and one end externally
  • the other end of the coupling capacitor Ca2 and the other end of the wavelength shortening capacitor Cc2 are connected to the ground.
  • One end is connected to the other end of the external coupling capacitor Ca1, one end of the wavelength shortening capacitor Cc1 and one end of the resonator R1, and the other end is externally coupled.
  • the external coupling capacitor Ca1, the wavelength shortening capacitor Cc1, and the resonator R1 constitute a filter circuit FC1
  • the external coupling capacitor Ca2, the wavelength shortening capacitor Cc2, and the resonator R2 constitute a filter circuit FC2, and these filter circuits FC1
  • the filter circuit FC2 is coupled by capacitive coupling by the internal coupling capacitor Cb and inductive coupling by broadside coupling of the resonators R1 and R2.
  • FIG. 2 is an explanatory diagram showing a laminated structure of the high-frequency filter 10 in an embodiment that realizes the equivalent circuit shown in FIG. 1.
  • the high-frequency filter 10 is a multilayer filter in which a plurality of dielectric sheets having electrodes and distributed constant lines arranged thereon are stacked.
  • eight dielectric sheets S1 to S8 are made of low temperature co-fired ceramics (LTCC).
  • the high frequency filter 10 is constructed by integrally firing.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram showing a correspondence relationship between an equivalent circuit of the high-frequency filter 10 and a laminated structure in one embodiment.
  • the take-out position of the input / output terminal IO2 is on the sheet S8 side (the actual take-out position is on the sheet S1 side). Except this point, the structure is the same as the stacked structure in FIG.
  • the external coupling capacitor Ca1 constituting the filter circuit FC1 shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 1 is composed of the electrode 31 of the sheet S3, the electrode 21 of the sheet S2, and the electrode 41 of the sheet S4. Is connected to the input / output terminal IO1 via the via electrode B1.
  • the wavelength shortening capacitor Cc1 constituting the filter circuit FC1 is constituted by the electrode 11 of the sheet S1 and the electrode 21 of the sheet S2.
  • the external coupling capacitor Ca2 constituting the filter circuit FC2 is composed of the electrode 61 of the sheet S6, the electrode 51 of the sheet S5, and the electrode 71 of the sheet S7, and is connected to the input / output terminal IO2 via the via electrode B4.
  • the wavelength shortening capacitor Cc2 constituting the filter circuit FC2 is constituted by the electrode 81 of the sheet S8 and the electrode 71 of the sheet S7.
  • the internal coupling capacitor Cb that couples the filter circuit FC1 and the filter circuit FC2 includes the electrode 41 of the sheet S4 and the electrode 51 of the sheet S5.
  • the electrode 11 of the sheet S1 and the electrode 81 of the sheet S8 are formed so as to function as a ground plane.
  • the resonator R1 of the filter circuit FC1 is configured by a distributed constant line 32 (see FIG. 2) formed by bending the sheet S3 in a substantially bowl shape, and forms a sheet that forms the external coupling capacitor Ca1 and the wavelength shortening capacitor Cc1.
  • the electrode 21 of S2 and the electrode 41 of the sheet S4 constituting the external coupling capacitor Ca1 and the internal coupling capacitor Cb are connected via the via electrode B2.
  • the resonator R2 of the filter circuit FC2 includes a distributed constant line 62 (see FIG. 2) formed by bending the sheet S6 in a substantially bowl shape, and includes an external coupling capacitor Ca2 and a wavelength shortening capacitor Cc2.
  • the electrode 71 of the sheet S7 constituting and the electrode 51 of the sheet S5 constituting the external coupling capacitor Ca2 and the internal coupling capacitor Cb are connected via the via electrode B3.
  • These resonators R1 and R2 are connected to the electrode 11 (ground plane) of the sheet S1 and the electrode 81 (ground plane) of the sheet S8 via the same via electrodes B5 and 6.
  • the number of via electrodes connecting the resonators R1 and R2 to the electrodes 11 and 81 is not limited to two, and may be one or three or more.
  • the thickness of the via electrode is not particularly limited. The number and thickness of the via electrodes affect the inductance of the wiring, and the larger the number of via electrodes and the thicker the via electrode, the better.
  • the electrode 11 of the sheet S1 and the electrode 81 of the sheet S8 are electrically connected by four via electrodes B7, 8, 9, and 10.
  • the via electrodes B7, 8, 9, and 10 are connected to the resonators R1 and R2.
  • the distributed constant circuits 32 and 62 are configured so as to pass through a space formed by a portion that is bent in a substantially bowl shape.
  • the resonators R1 and R2 are broadside coupled. That is, the distributed constant line 32 of the sheet S3 constituting the resonator R1 and the distributed constant line 62 of the sheet S6 constituting the resonator R2 are arranged at positions overlapping in the vertical direction (stacking direction). Only a signal having a predetermined wavelength that is determined according to the length (length of the straight portion on the open side of the distributed constant lines 32 and 62) is transmitted from one resonator to the other resonator by inductive coupling.
  • the resonators R1 and R2 are coupled by broad-site coupling. Compared with the case where it does, etc., it can suppress that the high frequency filter 10 enlarges in a horizontal direction.
  • the external coupling capacitors Ca1 and Ca2 connected to the input / output terminals IO1 and IO2 are separated from the ground potential (electrode 11, electrode 81) by the wavelength shortening capacitors Cc1 and Cc2. Therefore, since no parasitic capacitance is generated between the input / output terminals IO1 and IO2 and the ground potential, the layers to which the input / output terminals are connected (sheets S3 and S6) and the layers forming the ground potential (sheets S1 and S8). Can be arranged close to each other. As a result, the high-frequency filter 10 can be thinned.
  • the electrodes 21 and 71 constituting the wavelength shortening capacitors Cc1 and Cc2 are sufficiently large (for example, resonators R1, It is preferable that at least the open side of R2 (a region where the electric field is dominant) be a shape that can shield the electrode 11 and the electrode 81).
  • the external coupling capacitors Ca1 and Ca2 are disposed between the wavelength shortening capacitors Cc1 and Cc2 and the internal coupling capacitor Cb, and the wavelength shortening capacitors Cc1 and Cc2 and the internal coupling capacitor are disposed. Since both Cb form capacitive coupling with the resonators R1 and R2, the capacitance of the external coupling capacitors Ca1 and Ca2 is approximately twice the capacitance according to the area of the electrode (when the gap distance between the upper and lower layers is the same). ).
  • the resonators R1 and R2 are configured by the distributed constant lines 32 and 62 formed to be bent substantially in a bowl shape, and thus the line length of the distributed constant line is shortened.
  • the inductance can be increased.
  • the degree of freedom in layout increases and the area in the horizontal direction can be reduced.
  • the ground planes are formed on the upper and lower dielectric sheets (sheets S1 and S8), the influence from the outside due to other wirings and the like existing in the vertical direction of the high frequency filter 10 Can be cut off.
  • a shield via electrode connected to the ground plane of the sheets S1 and S8 on the side surface of the high-frequency filter 10 it is possible to block the influence from the outside due to other wirings existing in the lateral direction. is there.
  • the space generated by the substantially bent portions of the distributed constant circuits 32 and 62 constituting the resonators R1 and R2 is used as the ground plane of the sheets S1 and S8. Since the via electrodes B7, 8, 9, and 10 to be connected are provided, the potential difference between the ground planes can be reduced.
  • FIG. 4 is a top view showing an example of the high-frequency module 100 in which the high-frequency filter 10 according to the embodiment is arranged.
  • the high-frequency filter 10 according to the embodiment forms the ground plane on the dielectric sheets (sheets S1 and S8) at the upper and lower ends, and thus can be disposed directly below the components mounted on the high-frequency module.
  • FIG. 5 is a graph showing a characteristic example of the high-frequency filter 10 according to the embodiment.
  • the pass band of the high-frequency filter 10 has a BPF characteristic of 2.5-2.7 GHz.
  • the length of the resonator that resonates at this frequency is, for example, when the resonance frequency is 2.6 GHz, the wavelength is 115.4 mm, the ⁇ / 4 resonator length is 28.8 mm, and the wavelength shortened resonator length by the dielectric constant is 9 1 mm (when the dielectric constant is 10).
  • the high frequency filter 10 has a wavelength shortening effect by the wavelength shortening capacitor Cc and an inductance by bending the resonators R1 and R2 (distributed constant lines 32 and 62) into a substantially bowl shape. Due to the increase effect, it is possible to construct a lateral width of about 3 mm, which is less than half the length when a normal resonator is employed (see FIG. 4), and a low dielectric constant (less than 10) with little wavelength shortening effect. ) Can be applied to a wiring board.
  • High-frequency filter 11 21, 31, 41, 51, 61, 71, 81 Electrode 32, 62 Distributed constant line (resonator) 100 High Frequency Module Ca1, 2 External Coupling Capacitor Cb Internal Coupling Capacitor Cc1, Wavelength Reduction Capacitor FC1, 2 Filter Circuit IO1, 2 Input / Output Terminals S1 to S8 Sheet R1, 2 Resonator

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  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
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Abstract

【課題】　より小型化された高周波フィルタを提供する。 【解決手段】　本発明の一実施形態に係る高周波フィルタは、一端が入出力端子に接続される外部結合キャパシタと、一端が外部結合キャパシタの他端に接続されると共に他端がグランド電位に接続される波長短縮キャパシタと、一端が外部結合キャパシタの他端及び波長短縮キャパシタの一端に接続されると共に他端がグランド電位に接続され、分布定数線路を用いて形成された共振器を備える２つのフィルタ回路が、内部結合キャパシタ及び共振器のブロードサイド結合によって結合されている。

Description

高周波フィルタ及びこれを備える高周波モジュール
　本発明は高周波フィルタ及びこれを備える高周波モジュールに関し、特に、複数の誘電体層を積層した積層構造を有する高周波フィルタ及びこれを備える高周波モジュールに関する。
　近年、携帯電話やスマートフォン等の端末を用いた大容量のデータ通信に対応すべく、より高速なデータ通信を可能とするための無線通信方式の規格化が行われている。例えば、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）等の新たな規格が実用化される際には、従来の規格や海外における異なる規格にも対応した端末が必要となるため、端末の無線回路のフロントエンドは大型化してしまう傾向にある。そこで、フロントエンドの小型化を図るため、高周波モジュールであるＦＥＭ（Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）が選択されており、こうした高周波モジュールにおいては、低損失で小型・薄型な高周波フィルタを採用するのが望ましく、例えば、集中定数素子により構成した共振器同士の誘導結合を利用した積層フィルタ（例えば、特許文献１参照）や、分布定数線路を用いた共振器を容量結合した積層フィルタ（例えば、特許文献２参照）が提案されている。
特開２００１－１１８７３４号公報 特開２００８－２８８６６１号公報
　高周波領域の積層フィルタを集中定数回路を用いて構成する場合、ＬＣの直列共振器又は並列共振器を用いるのが一般的であり、この場合、インダクタによって生じる磁界が垂直方向（積層方向）となるため、積層方向に素子を有する積層フィルタにおいては、性能の低下を招いてしまう恐れがある。従って、こうしたフィルタでは各素子を水平方向にレイアウトすることになるから、水平方向の小面積化には限界がある。一方、高周波領域の積層フィルタを分布定数回路を用いて構成する場合、波長短縮効果を得るためには高誘電率の材料を用いるのが好ましいが、高誘電率な材料は配線損失や寄生成分の問題を生じてしまう。
　本発明は、より小型化された高周波フィルタを提供することを目的の一つとする。本発明の他の目的は、本明細書全体を参照することにより明らかとなる。
　本発明の一実施態様に係る高周波フィルタは、複数の誘電体層を積層した積層構造を有する高周波フィルタであって、第１の入出力端子と、第２の入出力端子と、一端が前記第１の入出力端子に接続される第１の外部結合キャパシタと、一端が前記第１の外部結合キャパシタの他端に接続されると共に他端がグランド電位に接続される第１の波長短縮キャパシタと、一端が前記第１の外部結合キャパシタの他端及び前記第１の波長短縮キャパシタの一端に接続されると共に他端がグランド電位に接続され、分布定数線路を用いて形成された第１の共振器と、一端が前記第２の入出力端子に接続された第２の外部結合キャパシタと、一端が前記第２の外部結合キャパシタの他端に接続されると共に他端がグランド電位に接続される第２の波長短縮キャパシタと、一端が前記第２の外部結合キャパシタの他端及び前記第２の波長短縮キャパシタの一端に接続されると共に他端がグランド電位に接続され、分布定数線路を用いて形成されると共に前記第２の共振器とブロードサイド結合された第２の共振器と、を備える。
　本発明の一実施態様に係る高周波モジュールは、上述した高周波フィルタを備える。
　本発明の様々な実施形態によって、より小型化された高周波フィルタを提供することができる。
本発明の一実施形態に係る高周波フィルタの等価回路図。 一実施形態における高周波フィルタの積層構造を示す説明図。 一実施形態における高周波フィルタの等価回路と積層構造との対応関係を示す説明図。 一実施形態における高周波フィルタを配置した高周波モジュールの一例を示す上面図。 一実施形態における高周波フィルタの特性例を示すグラフ。
　以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。なお、図面において共通する構成要素には同一の参照符号が付されている。
　図１は、一実施形態における高周波フィルタ１０の等価回路図である。一実施形態における高周波フィルタ１０は、図示するように、一端が入出力端子ＩＯ１に接続される外部結合キャパシタＣａ１と、一端が外部結合キャパシタＣａ１の他端に接続されると共に他端がグランド電位に接続される波長短縮キャパシタＣｃ１と、一端が外部結合キャパシタＣａ１の他端及び波長短縮キャパシタＣｃ１の一端に接続されると共に他端がグランド電位に接続され分布定数線路を用いて形成された共振器Ｒ１と、一端が入出力端子ＩＯ２に接続される外部結合キャパシタＣａ２と、一端が外部結合キャパシタＣａ２の他端に接続されると共に他端がグランド電位に接続される波長短縮キャパシタＣｃ２と、一端が外部結合キャパシタＣａ２の他端及び波長短縮キャパシタＣｃ２の一端に接続されると共に他端がグランド電位に接続され分布定数線路を用いて形成された共振器Ｒ２と、一端が外部結合キャパシタＣａ１の他端、波長短縮キャパシタＣｃ１の一端及び共振器Ｒ１の一端に接続されると共に他端が外部結合キャパシタＣａ２の他端、波長短縮キャパシタＣｃ２の一端及び共振器Ｒ２の一端に接続される内部結合キャパシタＣｂと、を備える。外部結合キャパシタＣａ１と波長短縮キャパシタＣｃ１と共振器Ｒ１とによってフィルタ回路ＦＣ１を構成し、外部結合キャパシタＣａ２と波長短縮キャパシタＣｃ２と共振器Ｒ２とによってフィルタ回路ＦＣ２を構成し、これらのフィルタ回路ＦＣ１とフィルタ回路ＦＣ２とが、内部結合キャパシタＣｂによる容量結合及び共振器Ｒ１，Ｒ２のブロードサイド結合による誘導結合によって結合されている。
　図２は、図１に示す等価回路を実現する一実施形態における高周波フィルタ１０の積層構造を示す説明図であり、図２Ａにおいては、ビア電極Ｂ１～１０を図示し、図２Ｂにおいては、見易さのため、ビア電極Ｂ１～１０の図示を省略している。高周波フィルタ１０は、電極や分布定数線路が配置された複数の誘電体シートを積層した積層フィルタであり、一実施形態では、シートＳ１～Ｓ８の８枚の誘電体シートを低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）として一体焼成して高周波フィルタ１０を構成する。図３は、一実施形態における高周波フィルタ１０の等価回路と積層構造との対応関係を示す説明図である。説明の便宜上、入出力端子ＩＯ２の取り出し位置がシートＳ８側となっている（実際の取り出し位置はシートＳ１側）が、この点を除き、図２の積層構造と同様の構造を示す。図示するように、図１の等価回路図で示すフィルタ回路ＦＣ１を構成する外部結合キャパシタＣａ１は、シートＳ３の電極３１とシートＳ２の電極２１及びシートＳ４の電極４１とによって構成され、この電極３１はビア電極Ｂ１を介して入出力端子ＩＯ１に接続されている。同じくフィルタ回路ＦＣ１を構成する波長短縮キャパシタＣｃ１は、シートＳ１の電極１１とシートＳ２の電極２１とによって構成される。フィルタ回路ＦＣ２を構成する外部結合キャパシタＣａ２は、シートＳ６の電極６１とシートＳ５の電極５１及びシートＳ７の電極７１とによって構成され、ビア電極Ｂ４を介して入出力端子ＩＯ２に接続されている。同じくフィルタ回路ＦＣ２を構成する波長短縮キャパシタＣｃ２は、シートＳ８の電極８１とシートＳ７の電極７１とによって構成される。フィルタ回路ＦＣ１とフィルタ回路ＦＣ２とを結合する内部結合キャパシタＣｂは、シートＳ４の電極４１とシートＳ５の電極５１とによって構成される。ここで、シートＳ１の電極１１及びシートＳ８の電極８１は、グランドプレーンとして機能するように形成されている。
　フィルタ回路ＦＣ１の共振器Ｒ１は、シートＳ３に略鉤型に屈曲して形成された分布定数線路３２（図２参照）によって構成されており、外部結合キャパシタＣａ１及び波長短縮キャパシタＣｃ１を構成するシートＳ２の電極２１と、外部結合キャパシタＣａ１及び内部結合キャパシタＣｂを構成するシートＳ４の電極４１とにビア電極Ｂ２を介して接続されている。同様に、フィルタ回路ＦＣ２の共振器Ｒ２は、シートＳ６に略鉤型に屈曲して形成された分布定数線路６２（図２参照）によって構成されており、外部結合キャパシタＣａ２及び波長短縮キャパシタＣｃ２を構成するシートＳ７の電極７１と、外部結合キャパシタＣａ２及び内部結合キャパシタＣｂを構成するシートＳ５の電極５１とにビア電極Ｂ３を介して接続されている。これらの共振器Ｒ１，Ｒ２は、同じビア電極Ｂ５，６を介してシートＳ１の電極１１（グランドプレーン）とシートＳ８の電極８１（グランドプレーン）とに接続されている。なお、共振器Ｒ１，Ｒ２を電極１１及び電極８１に接続するビア電極の数は２本に限られず、１本であっても良いし３本以上であっても良い。また、ビア電極の太さも特に限定されない。ビア電極の数、及び、太さは配線のインダクタンスに影響し、ビア電極の数が多いほど、また、ビア電極の太さが太いほど好ましい。また、シートＳ１の電極１１とシートＳ８の電極８１は、４つのビア電極Ｂ７，８，９，１０によって導通しており、このビア電極Ｂ７，８，９，１０は、共振器Ｒ１，Ｒ２を構成する分布定数回路３２，６２の略鉤型に屈曲する部分によって生じたスペースを通るように構成されている。
　ここで、共振器Ｒ１，Ｒ２はブロードサイド結合されている。即ち、共振器Ｒ１を構成するシートＳ３の分布定数線路３２と共振器Ｒ２を構成するシートＳ６の分布定数線路６２とは、垂直方向（積層方向）に重なる位置に配置されており、分布定数線路の長さ（分布定数線路３２，６２の開放側のストレート部分の長さ）に応じて定まる所定の波長の信号のみが、一方の共振器から他方の共振器へ誘導結合によって伝達される。
　こうして構成された一実施形態の高周波フィルタ１０は、共振器Ｒ１，Ｒ２（分布定数線路３２，６２）をブロードサイト結合によって結合するから、共振器Ｒ１，Ｒ２を水平方向に並置するエッジ結合によって結合する場合等と比較して、高周波フィルタ１０が水平方向に大型化するのを抑制することができる。
　また、一実施形態の高周波フィルタ１０においては、入出力端子ＩＯ１，ＩＯ２に接続される外部結合キャパシタＣａ１，Ｃａ２は、波長短縮キャパシタＣｃ１，Ｃｃ２によってグランド電位（電極１１，電極８１）から分離されているから、入出力端子ＩＯ１，ＩＯ２とグランド電位との間に寄生容量が生じないため、入出力端子が接続される層（シートＳ３，Ｓ６）とグランド電位を構成する層（シートＳ１，Ｓ８）とを近づけて配置することが可能となる。この結果、高周波フィルタ１０の薄型化を実現することができる。波長短縮キャパシタＣｃ１，Ｃｃ２のこのようなグランド電位を分離する機能と波長短縮効果とを考慮すると、波長短縮キャパシタＣｃ１，Ｃｃ２を構成する電極２１，７１は十分な大きさ（例えば、共振器Ｒ１，Ｒ２の少なくとも開放側（電界が支配的となっている領域）を電極１１及び電極８１に対して遮蔽できるような形状）とするのが好ましい。
　また、一実施形態の高周波フィルタ１０においては、外部結合キャパシタＣａ１，Ｃａ２は、波長短縮キャパシタＣｃ１，Ｃｃ２と内部結合キャパシタＣｂとの間に配置されており、波長短縮キャパシタＣｃ１，Ｃｃ２と内部結合キャパシタＣｂは共に共振器Ｒ１，Ｒ２に対して容量結合を構成するから、外部結合キャパシタＣａ１，Ｃａ２の容量を、電極の面積に応じた容量の略二倍（上下層とのギャップ距離が同一の場合）とすることができる。
　また、一実施形態の高周波フィルタ１０においては、共振器Ｒ１，Ｒ２は、略鉤型に屈曲して形成された分布定数線路３２，６２によって構成されているから、分布定数線路の線路長を短くし、インダクタンスを増加させることができる。また、分布定数線路を屈曲して形成することにより、レイアウトの自由度が増し、水平方向の面積を小さくすることも可能となる。
　また、一実施形態の高周波フィルタ１０においては、上下両端の誘電体シート（シートＳ１，Ｓ８）にグランドプレーンを構成するから、高周波フィルタ１０の上下方向に存在する他の配線等による外部からの影響を遮断することができる。同様に、高周波フィルタ１０の側面にシートＳ１，Ｓ８のグランドプレーンに接続するシールド用ビア電極を形成することにより、横方向に存在する他の配線等による外部からの影響を遮断することも可能である。また、一実施形態の高周波フィルタ１０においては、共振器Ｒ１，Ｒ２を構成する分布定数回路３２，６２の略鉤型に屈曲する部分によって生じたスペースを活用してシートＳ１，Ｓ８のグランドプレーンに接続するビア電極Ｂ７，８，９，１０を設けているから、グランドプレーン間の電位差を低減することができる。
　図４は、一実施形態の高周波フィルタ１０を配置した高周波モジュール１００の一例を示す上面図である。この例では、２つの高周波フィルタ１０を水平方向に並置している。このように、一実施形態の高周波フィルタ１０は、上下両端の誘電体シート（シートＳ１，Ｓ８）にグランドプレーンを構成するから、高周波モジュールの搭載部品の直下に配置することが可能となる。
　図５は、一実施形態の高周波フィルタ１０の特性例を示すグラフである。図示するように、この例では、高周波フィルタ１０の通過帯域は２．５－２．７ＧＨｚのＢＰＦ特性を示している。この周波数で共振する共振器の長さは、例えば、共振周波数を２．６ＧＨｚとすると、波長が１１５．４ｍｍ、λ／４共振器長が２８．８ｍｍ、誘電率による波長短縮共振器長が９．１ｍｍ（誘電率を１０とした場合）となる。
　このように、一実施形態における高周波フィルタ１０は、波長短縮キャパシタＣｃによる波長短縮効果や、共振器Ｒ１，Ｒ２（分布定数線路３２，６２）を略鉤型に屈曲して形成することによるインダクタンスの増加効果によって、通常の共振器を採用した場合の半分以下の長さである３ｍｍ程度の横幅で構成することが可能となり（図４参照）、また、波長短縮効果の少ない低誘電率（１０以下）の配線基板への適用が可能となる。
　１０　高周波フィルタ
　１１，２１，３１,４１，５１，６１，７１，８１　電極
　３２，６２　分布定数線路（共振器）
　１００　高周波モジュール
　Ｃａ１，２　外部結合キャパシタ
　Ｃｂ　内部結合キャパシタ
　Ｃｃ１，２　波長短縮キャパシタ
　ＦＣ１，２　フィルタ回路
　ＩＯ１，２　入出力端子
　Ｓ１～Ｓ８　シート
　Ｒ１，２　共振器

Claims (8)

  1. 　複数の誘電体層を積層した積層構造を有する高周波フィルタであって、
    　第１の入出力端子と、
    　第２の入出力端子と、
    　一端が前記第１の入出力端子に接続される第１の外部結合キャパシタと、
    　一端が前記第１の外部結合キャパシタの他端に接続されると共に他端がグランド電位に接続される第１の波長短縮キャパシタと、
    　一端が前記第１の外部結合キャパシタの他端及び前記第１の波長短縮キャパシタの一端に接続されると共に他端がグランド電位に接続され、分布定数線路を用いて形成された第１の共振器と、
    　一端が前記第２の入出力端子に接続された第２の外部結合キャパシタと、
    　一端が前記第２の外部結合キャパシタの他端に接続されると共に他端がグランド電位に接続される第２の波長短縮キャパシタと、
    　一端が前記第２の外部結合キャパシタの他端及び前記第２の波長短縮キャパシタの一端に接続されると共に他端がグランド電位に接続され、分布定数線路を用いて形成されると共に前記第２の共振器とブロードサイド結合された第２の共振器と、
    　を備える高周波フィルタ。
  2. 　一端が前記第１の外部結合キャパシタの他端、前記第１の波長短縮キャパシタの一端及び前記第１の共振器の一端に接続されると共に他端が前記第２の外部結合キャパシタの他端、前記第２の波長短縮キャパシタの一端及び前記第２の共振器の一端に接続される内部結合キャパシタを備える請求項１記載の高周波フィルタ。
  3. 　同じビア電極によって前記第１の共振器と前記第２の共振器との両方がグランド電位に接続されている請求項１又は２記載の高周波フィルタ。
  4. 　前記第１の共振器及び／又は前記第２共振器は、屈曲した分布定数線路を用いて形成されている請求項１ないし３いずれか記載の高周波フィルタ。
  5. 　上下両端の誘電体層にグランドプレーンが形成されてなる請求項１ないし４いずれか記載の高周波フィルタ。
  6. 　前記上下両端の誘電体層に形成されたグランドプレーンに接続するシールド用ビア電極が少なくとも一部の側面に形成されている請求項５記載の高周波フィルタ。
  7. 　低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）によって形成されている請求項１ないし６いずれか記載の高周波フィルタ。
  8. 　請求項１ないし７いずれか記載の高周波フィルタを備える高周波モジュール。
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